CN117320490A - 显示装置 - Google Patents

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CN117320490A CN202310775267.7A CN202310775267A CN117320490A CN 117320490 A CN117320490 A CN 117320490A CN 202310775267 A CN202310775267 A CN 202310775267A CN 117320490 A CN117320490 A CN 117320490A
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lower electrode
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electrode
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河村真一
今井信雄
小川浩
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Japan Display Inc
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Abstract

本发明涉及显示装置。显示装置具备：第1下电极；肋部，其具有与所述第1下电极重叠的第1像素开口；隔壁，其具有配置在所述肋部之上的下部及从所述下部的侧面突出的上部；第1上电极，其与所述第1下电极相对；和第1有机层，其位于所述第1下电极与所述第1上电极之间、通过所述第1像素开口而与所述第1下电极接触、并对应于所述第1下电极与所述第1上电极的电位差而发光。所述下部具有与所述第1上电极接触的底层、和配置在所述底层之上的轴层。所述底层由在包含磷酸、硝酸及乙酸的混酸中的蚀刻速率小于所述轴层且具有导电性的材料形成。

Description

显示装置
关联申请的交叉参照
本申请基于2022年6月29日提出的日本专利申请第2022-104784号主张优先权，并引用该日本专利申请所记载的全部记载内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及显示装置。
背景技术
近年来，作为显示元件应用了有机发光二极管(OLED)的显示装置被实用化。该显示元件具备下电极、覆盖下电极的有机层、和覆盖有机层的上电极。
在制造上述显示装置的过程中，需要提高可靠性的技术。
发明内容
总的来说，根据实施方式，显示装置具备：第1下电极；肋部，其具有与所述第1下电极重叠的第1像素开口；隔壁，其具有配置在所述肋部之上的下部及从所述下部的侧面突出的上部；第1上电极，其与所述第1下电极相对；和第1有机层，其位于所述第1下电极与所述第1上电极之间、通过所述第1像素开口与所述第1下电极接触、并对应于所述第1下电极与所述第1上电极的电位差而发光。所述下部具有与所述第1上电极接触的底层、和配置在所述底层之上的轴层。所述底层由在包含磷酸、硝酸及乙酸的混酸中的蚀刻速率小于所述轴层且具有导电性的材料形成。
根据实施方式的另一方面，显示装置具备：第1下电极及第2下电极；肋部，其具有与所述第1下电极重叠的第1像素开口及与所述第2下电极重叠的第2像素开口；隔壁，其具有配置在所述肋部之上的下部及从所述下部的侧面突出的上部；第1上电极，其与所述第1下电极相对；第2上电极，其与所述第2下电极相对；第1有机层，其位于所述第1下电极与所述第1上电极之间、通过所述第1像素开口而与所述第1下电极接触、并对应于所述第1下电极与所述第1上电极的电位差而发光；和第2有机层，其位于所述第2下电极与所述第2上电极之间，通过所述第2像素开口而与所述第2下电极接触、并对应于所述第2下电极与所述第2上电极的电位差而发光。所述肋部由硅氧化物或硅氧氮化物形成。所述下部具有与所述第1上电极接触的导电性的底层、和配置在所述底层之上的由金属形成的轴层。所述底层具有所述第1像素开口侧的第1端部和所述第2像素开口侧的第2端部。所述轴层具有所述第1像素开口侧的第1侧面和所述第2像素开口侧的第2侧面。所述第1端部从所述第1侧面突出，所述第2端部从所述第2侧面突出。
根据实施方式的另一方面，显示装置具备：第1下电极及第2下电极；肋部，其具有与所述第1下电极重叠的第1像素开口及与所述第2下电极重叠的第2像素开口；隔壁，其具有配置在所述肋部之上的下部、及从所述下部的侧面突出的上部；第1上电极，其与所述第1下电极相对；第2上电极，其与所述第2下电极相对；第1有机层，其位于所述第1下电极与所述第1上电极之间、通过所述第1像素开口而与所述第1下电极接触、并对应于所述第1下电极与所述第1上电极的电位差而发光；第2有机层，其位于所述第2下电极与所述第2上电极之间、通过所述第2像素开口而与所述第2下电极接触、并对应于所述第2下电极与所述第2上电极的电位差而发光。所述隔壁配置在所述第1像素开口与所述第2像素开口之间。所述上部具有第1层和覆盖所述第1层的第2层。所述第1层由钛、氮化钛、钨或钨合金形成，所述第2层由ITO、IZO或IGZO形成。所述下部具有导电性的底层、和配置在所述底层之上且由铝或铝合金形成的轴层。所述底层具有所述第1像素开口侧的第1端部和所述第2像素开口侧的第2端部。所述轴层具有所述第1像素开口侧的第1侧面和所述第2像素开口侧的第2侧面。所述第1端部从所述第1侧面突出，所述第2端部从所述第2侧面突出。
根据实施方式的又一方面，显示装置的制造方法包括：形成第1下电极及第2下电极；形成具有与所述第1下电极重叠的第1像素开口及与所述第2下电极重叠的第2像素开口的肋部；形成具有配置在所述肋部之上的下部及从所述下部的侧面突出的上部的隔壁；形成通过所述第1像素开口而与所述第1下电极接触的第1有机层；形成覆盖所述第1有机层的第1上电极；在包含所述第1下电极、所述第1有机层及所述第1上电极的第1显示元件的上方形成第1抗蚀剂；通过使用了包含磷酸、硝酸及乙酸的混酸的湿式蚀刻将所述第1上电极中的从所述第1抗蚀剂露出的部分除去；通过干式蚀刻将所述第1有机层中的从所述第1抗蚀剂露出的部分除去，形成通过所述第2像素开口而与所述第2下电极接触的第2有机层；和形成覆盖所述第2有机层的第2上电极。所述下部具有与所述第1上电极及所述第2上电极接触的底层、和配置在所述底层之上的轴层。所述底层由在所述混酸中的蚀刻速率小于所述轴层且具有导电性的材料形成。
根据实施方式，能提高显示装置的可靠性。
附图说明
图1是示出第1实施方式涉及的显示装置的构成例的图。
图2是示出子像素的布局的一例的图。
图3是沿着图2中的III-III线的显示装置的概略剖视图。
图4是将图3中示出的第1像素开口与第2像素开口之间的隔壁及其附近放大的概略剖视图。
图5是将图3中示出的第1像素开口与第3像素开口之间的隔壁及其附近放大的概略剖视图。
图6是第1变形例涉及的隔壁及其附近的概略剖视图。
图7是第2变形例涉及的隔壁及其附近的概略剖视图。
图8是第3变形例涉及的隔壁及其附近的概略剖视图。
图9是第4变形例涉及的隔壁及其附近的概略剖视图。
图10是示出第1实施方式涉及的显示装置的制造方法的一例的流程图。
图11是示出第1实施方式涉及的显示装置的制造工序的一部分的概略剖视图。
图12是示出接着图11的制造工序的概略剖视图。
图13是示出接着图12的制造工序的概略剖视图。
图14是示出接着图13的制造工序的概略剖视图。
图15是示出接着图14的制造工序的概略剖视图。
图16是示出接着图15的制造工序的概略剖视图。
图17是示出接着图16的制造工序的概略剖视图。
图18是示出接着图17的制造工序的概略剖视图。
图19是示出接着图18的制造工序的概略剖视图。
图20是示出接着图19的制造工序的概略剖视图。
图21是示出接着图20的制造工序的概略剖视图。
图22是示出接着图21的制造工序的概略剖视图。
图23是示出接着图22的制造工序的概略剖视图。
图24是示出接着图23的制造工序的概略剖视图。
图25是示出接着图24的制造工序的概略剖视图。
图26是示出第2实施方式涉及的显示装置的一例的概略剖视图。
图27是示出第2实施方式涉及的显示装置的一例的概略剖视图。
图28是示出第3实施方式涉及的显示装置的一例的概略剖视图。
图29是示出第3实施方式涉及的显示装置的一例的概略剖视图。
图30是示出第3实施方式涉及的显示装置的其他例的概略剖视图。
图31是示出第3实施方式涉及的显示装置的其他例的概略剖视图。
图32是示出第4实施方式涉及的显示装置的制造方法的一例的流程图。
具体实施方式
参照附图说明几个实施方式。
公开内容只不过是一例，本领域技术人员能够容易想到的未脱离发明主旨的适当变更当然包含在本发明范围内。另外，就附图而言，为了使说明更加明确，与实际方式相比，有时示意性表示各部分的宽度、厚度、形状等，但只不过是一例，并非限定本发明的解释。另外，在本说明书和各图中，对于与关于已出现的附图说明过的构成要素发挥相同或类似功能的构成要素，有时标注同一参照标记并适当省略重复的详细说明。
需要说明的是，为了便于理解而根据需要在附图中记载有相互正交的X轴、Y轴及Z轴。将沿着X轴的方向称为第1方向，将沿着Y轴的方向称为第2方向，将沿着Z轴的方向称为第3方向。将与第3方向Z平行地观察各种要素的情形称为俯视观察。
各实施方式涉及的显示装置是具备有机发光二极管(OLED)作为显示元件的有机电致发光显示装置，能够搭载于电视、个人电脑、车载设备、平板终端、智能手机、移动电话终端等。
[第1实施方式]
图1是示出第1实施方式涉及的显示装置DSP的构成例的图。显示装置DSP在绝缘性的基板10之上具有显示图像的显示区域DA和显示区域DA周边的周边区域SA。基板10可以是玻璃，也可以是具有挠性的树脂膜。
在本实施方式中，俯视观察的基板10的形状为长方形。但是，基板10的俯视观察的形状不限于长方形，也可以是正方形、圆形或椭圆形等其他形状。
显示区域DA具备在第1方向X及第2方向Y上以矩阵状排列的多个像素PX。像素PX包含多个子像素SP。在一例中，像素PX包含蓝色的第1子像素SP1、绿色的第2子像素SP2及红色的第3子像素SP3。需要说明的是，像素PX也可以与子像素SP1、SP2、SP3一起或取代子像素SP1、SP2、SP3中的任一者而包含白色等其他颜色的子像素SP。
子像素SP具备像素电路1和由像素电路1驱动的显示元件DE。像素电路1具备像素开关2、驱动晶体管3和电容器4。像素开关2及驱动晶体管3是例如由薄膜晶体管构成的开关元件。
像素开关2的栅电极与扫描线GL连接。像素开关2的源电极及漏电极中的一者与信号线SL连接，另一者与驱动晶体管3的栅电极及电容器4连接。在驱动晶体管3中，源电极及漏电极中的一者与电源线PL及电容器4连接，另一者与显示元件DE连接。显示元件DE为作为发光元件的有机发光二极管(OLED)。
需要说明的是，像素电路1的构成不限于图示的例子。例如，像素电路1也可以具备更多的薄膜晶体管及电容器。
图2是示出子像素SP1、SP2、SP3的布局的一例的图。在图2的例子中，第1子像素SP1与第3子像素SP3在第1方向X上排列。第1子像素SP1与第2子像素SP2也在第1方向X上排列。此外，第2子像素SP2与第3子像素SP3在第2方向Y上排列。
在子像素SP1、SP2、SP3为这种布局的情况下，在显示区域DA中形成子像素SP2、SP3在第2方向Y上交替配置的列、和多个第1子像素SP1在第2方向Y上重复配置的列。这些列在第1方向X上交替排列。
需要说明的是，子像素SP1、SP2、SP3的布局不限于图2的例子。作为另一例，各像素PX中的子像素SP1、SP2、SP3也可以在第1方向X上依次排列。
显示区域DA中配置有肋部5及隔壁6。肋部5在第1子像素SP1中具有第1像素开口AP1，在第2子像素SP2中具有第2像素开口AP2，在第3子像素SP3中具有第3像素开口AP3。
在图2的例子中，第1像素开口AP1的面积大于第2像素开口AP2的面积。第1像素开口AP1的面积大于第3像素开口AP3的面积。此外，第3像素开口AP3的面积小于第2像素开口AP2的面积。
隔壁6配置在相邻的子像素SP的边界，在俯视观察时与肋部5重叠。隔壁6具有在第1方向X上延伸的多个第1隔壁6x、和在第2方向Y上延伸的多个第2隔壁6y。多个第1隔壁6x分别配置于在第2方向Y上相邻的像素开口AP2、AP3之间及在第2方向Y上相邻的两个第1像素开口AP1之间。第2隔壁6y分别配置于在第1方向X上相邻的像素开口AP1、AP2之间及在第1方向X上相邻的像素开口AP1、AP3之间。
在图2的例子中，第1隔壁6x与第2隔壁6y相互连接。由此，隔壁6作为整体为包围像素开口AP1、AP2、AP3的格子状。隔壁6也可以与肋部5同样地在子像素SP1、SP2、SP3中具有开口。
第1子像素SP1具备分别与第1像素开口AP1重叠的第1下电极LE1、第1上电极UE1及第1有机层OR1。第2子像素SP2具备分别与第2像素开口AP2重叠的第2下电极LE2、第2上电极UE2及第2有机层OR2。第3子像素SP3具备分别与第3像素开口AP3重叠的第3下电极LE3、第3上电极UE3及第3有机层OR3。
第1下电极LE1、第1上电极UE1及第1有机层OR1构成第1子像素SP1的第1显示元件DE1。第2下电极LE2、第2上电极UE2及第2有机层OR2构成第2子像素SP2的第2显示元件DE2。第3下电极LE3、第3上电极UE3及第3有机层OR3构成第3子像素SP3的第3显示元件DE3。显示元件DE1、DE2、DE3也可以包含后述的盖层(光学调整层)。
第1下电极LE1通过第1接触孔CH1而与第1子像素SP1的像素电路1(参见图1)连接。第2下电极LE2通过第2接触孔CH2而与第2子像素SP2的像素电路1连接。第3下电极LE3通过第3接触孔CH3而与第3子像素SP3的像素电路1连接。
在图2的例子中，接触孔CH2、CH3与在第2方向Y上相邻的像素开口AP2、AP3之间的第1隔壁6x整体上重叠。另外，第1接触孔CH1与在第2方向Y上相邻的两个第1像素开口AP1之间的第1隔壁6x整体上重叠。作为另一例，接触孔CH1、CH2、CH3的至少一部分也可以与第1隔壁6x不重叠。
图3是沿着图2中的III-III线的显示装置DSP的概略剖视图。在上述基板10之上配置有电路层11。电路层11包含图1中示出的像素电路1、扫描线GL、信号线SL及电源线PL等各种电路、布线。
电路层11由有机绝缘层12覆盖。有机绝缘层12作为使由电路层11产生的凹凸平坦化的平坦化膜发挥功能。在图3的剖面中未示出，上述接触孔CH1、CH2、CH3均设置于有机绝缘层12。
下电极LE1、LE2、LE3配置在有机绝缘层12之上。肋部5配置在有机绝缘层12及下电极LE1、LE2、LE3之上。下电极LE1、LE2、LE3的端部由肋部5覆盖。
隔壁6包含配置在肋部5之上的具有导电性的下部61、和配置在下部61之上的上部62。上部62具有比下部61大的宽度。由此，在图3中，上部62的两端部与下部61的侧面相比突出。这样的隔壁6的形状也可以称为悬臂状。
第1有机层OR1通过第1像素开口AP1而覆盖第1下电极LE1。第1上电极UE1覆盖第1有机层OR1，与第1下电极LE1相对。第2有机层OR2通过第2像素开口AP2而覆盖第2下电极LE2。第2上电极UE2覆盖第2有机层OR2，与第2下电极LE2相对。第3有机层OR3通过第3像素开口AP3而覆盖第3下电极LE3。第3上电极UE3覆盖第3有机层OR3，与第3下电极LE3相对。
在图3的例子中，在第1上电极UE1之上配置有第1盖层CP1，在第2上电极UE2之上配置有第2盖层CP2，在第3上电极UE3之上配置有第3盖层CP3。盖层CP1、CP2、CP3分别对有机层OR1、OR2、OR3发出的光的光学特性进行调整。
第1有机层OR1、第1上电极UE1及第1盖层CP1的一部分位于上部62之上。该一部分与第1有机层OR1、第1上电极UE1及第1盖层CP1的其他部分(构成第1显示元件DE1的部分)分离。同样地，第2有机层OR2、第2上电极UE2及第2盖层CP2的一部分位于上部62之上，该一部分与第2有机层OR2、第2上电极UE2及第2盖层CP2的其他部分(构成第2显示元件DE2的部分)分离。此外，第3有机层OR3、第3上电极UE3及第3盖层CP3的一部分位于上部62之上，该一部分与第3有机层OR3、第3上电极UE3及第3盖层CP3的其他部分(构成第3显示元件DE3的部分)分离。
在第1子像素SP1中配置有第1密封层SE1，在第2子像素SP2中配置有第2密封层SE2，在第3子像素SP3中配置有第3密封层SE3。第1密封层SE1连续覆盖第1盖层CP1、第1子像素SP1周围的隔壁6。第2密封层SE2连续覆盖第2盖层CP2、第2子像素SP2周围的隔壁6。第3密封层SE3连续覆盖第3盖层CP3、第3子像素SP3周围的隔壁6。
密封层SE1、SE2、SE3的端部(周缘部)位于上部62之上。在图3的例子中，位于子像素SP1、SP2间的隔壁6的上部62之上的密封层SE1、SE2的端部彼此分离，位于子像素SP1、SP3间的隔壁6的上部62之上的密封层SE1、SE3的端部彼此分离。
密封层SE1、SE2、SE3由树脂层13覆盖。树脂层13由密封层14覆盖。此外，密封层14由树脂层15覆盖。
有机绝缘层12及树脂层13、15由有机材料形成。密封层14、SE1、SE2、SE3由例如硅氮化物(SiNx)等无机材料形成。密封层14、SE1、SE2、SE3也可以形成为硅氧化物(SiOx)和硅氧氮化物(SiON)中的任一者的单层体。另外，密封层14、SE1、SE2、SE3也可以形成为硅氮化物层、硅氧化物层及硅氧氮化物层中的至少两个层组合而成的层叠体。
下电极LE1、LE2、LE3具有由例如银(Ag)形成的中间层、和分别覆盖该中间层的上表面及下表面的一对导电性氧化物层。各导电性氧化物层能够由例如ITO(Indium TinOxide，铟锡氧化物)、IZO(Indium Zinc Oxide，铟锌氧化物)或IGZO(Indium Gallium ZincOxide，铟镓锌氧化物)等透明的导电性氧化物形成。
上电极UE1、UE2、UE3由例如镁及银的合金(MgAg)等金属材料形成。例如，下电极LE1、LE2、LE3相当于阳极，上电极UE1、UE2、UE3相当于阴极。
盖层CP1、CP2、CP3例如由透明的多个薄膜的多层体形成。多层体也可以包含由无机材料形成的薄膜及由有机材料形成的薄膜来作为多个薄膜。另外，该多个薄膜具有相互不同的折射率。构成多层体的薄膜的材料与上电极UE1、UE2、UE3的材料不同，另外，也与密封层SE1、SE2、SE3的材料不同。需要说明的是，盖层CP1、CP2、CP3也可以省略。
对隔壁6供给公共电压。该公共电压被分别供给至与下部61的侧面接触的上电极UE1、UE2、UE3。经由子像素SP1、SP2、SP3各自具有的像素电路1向下电极LE1、LE2、LE3供给像素电压。
有机层OR1、OR2、OR3例如具有将空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层及电子注入层在第3方向Z上依次层叠而成的构造。第1有机层OR1形成得比第2有机层OR2薄，第2有机层OR2形成得比第3有机层OR薄。需要说明的是，有机层OR1、OR2、OR3的厚度也可以相同。
若在第1下电极LE1与第1上电极UE1之间形成电位差，则第1有机层OR1的发光层发出蓝色波长范围的光。若在第2下电极LE2与第2上电极UE2之间形成电位差，则第2有机层OR2的发光层发出绿色波长范围的光。若在第3下电极LE3与第3上电极UE3之间形成电位差，则第3有机层OR3的发光层发出红色波长范围的光。
图4是将图3中示出的像素开口AP1、AP2之间的隔壁6及其附近放大的概略剖视图。图5是将图3中示出的像素开口AP1、AP3之间的隔壁6及其附近放大的概略剖视图。在这些图中，省略基板10、电路层11、树脂层13、密封层14及树脂层15。
隔壁6的下部61具有配置在肋部5之上的导电性的底层BL、和配置在底层BL之上的导电性的轴层XL。底层BL形成得比轴层XL薄。例如，底层BL的厚度为轴层XL的厚度的1/3以下。
如图4所示，底层BL具有第1像素开口AP1侧的第1端部E1、和第2像素开口AP2侧的第2端部E2。此外，如图5所示，底层BL具有第3像素开口AP3侧的第3端部E3。在隔壁6具有图2中示出的平面形状的情况下，第1端部E1包围第1像素开口AP1，第2端部E2包围第2像素开口AP2，第3端部E3包围第3像素开口AP3。
如图4所示，轴层XL具有第1像素开口AP1侧的第1侧面SF1、和第2像素开口AP2侧的第2侧面SF2。此外，如图5所示，轴层XL具有第3像素开口AP3侧的第3侧面SF3。在隔壁6具有图2中示出的平面形状的情况下，第1侧面SF1包围第1像素开口AP1，第2侧面SF2包围第2像素开口AP2，第3侧面SF3包围第3像素开口AP3。
在图4及图5的例子中，第1端部E1与第1侧面SF1在第3方向Z上对齐。即，第1端部E1与第1侧面SF1形成实质上连续的平面。
另一方面，如图4所示，第2端部E2与第2侧面SF2相比向隔壁6的宽度方向突出。另外，如图5所示，第3端部E3与第3侧面SF3相比向隔壁6的宽度方向突出。在本实施方式中，第3端部E3从第3侧面SF3的突出长度大于第2端部E2从第2侧面SF2的突出长度。
如图4及图5所示，第1上电极UE1与第1端部E1及第1侧面SF1接触。如图4所示，第2上电极UE2与第2端部E2及第2侧面SF2接触。第2上电极UE2整体上覆盖底层BL中的从第2侧面SF2突出的部分。如图5所示，第3上电极UE3与第3端部E3及第3侧面SF3接触。第3上电极UE3整体上覆盖底层BL中的从第3侧面SF3突出的部分。
隔壁6的上部62在隔壁6的宽度方向上从侧面SF1、SF2、SF3突出。上部62在隔壁6的宽度方向上比端部E1、E2、E3突出。
在图4及图5的例子中，上部62具有配置在轴层XL之上的第1层L1和覆盖第1层L1的第2层L2。第2层L2整体上具有均匀的厚度。
第1层L1具有厚度不同的第1部分PR1及第2部分PR2。第1部分PR1设置于在第3方向Z上与底层BL或轴层XL重叠的位置。第2部分PR2设置于在第3方向Z上与第1层L1中的底层BL及轴层XL不重叠的位置。在图4及图5的例子中，第1层L1的上表面平坦。另一方面，第1层L1的下表面在第1部分PR1向下方突出。
上部62形成得比底层BL厚。底层BL具有厚度Ta，第1部分PR1具有厚度Tb，第2部分PR2具有厚度Tc。在本实施方式中，厚度Tb大于厚度Ta(Ta＜Tb)。即，第1层L1至少在第1部分PR1形成得比底层BL厚。另外，厚度Tc小于厚度Tb(Tc＜Tb)。厚度Ta、Tc例如相同。
轴层XL由例如铝(AL)形成。轴层XL也可以由铝合金形成。作为铝合金，能够使用例如铝-钕(AlNd)、铝-钇(AlY)及铝-硅(AlSi)等。
底层BL由在包含磷酸、硝酸及乙酸的混酸中的蚀刻速率小于轴层XL且具有导电性的材料形成。该混酸是在参照图22而在后叙述的湿式蚀刻中使用的蚀刻液。
具体来说，底层BL由钛(Ti)或氮化钛(TiN)形成。作为另一例，底层BL也可以由钨(W)或钨合金形成。作为钨合金，能够使用例如钼-钨(MoW)。
需要说明的是，钛容易氧化，其氧化物为绝缘体。另一方面，氮化钛具有导电性。因此，在由氮化钛形成底层BL的情况下，底层BL的氧化得到抑制，能够确保与上电极UE1、UE1、UE3的良好导通。
上部62由在上述混酸中的蚀刻速率小于轴层XL的材料形成。此外，第2层L2由在使用了氟系气体的干式蚀刻中的蚀刻速率小于第1层L1及底层BL的材料形成。该氟系气体为在参照图17而在后叙述的干式蚀刻中使用的蚀刻气体。
具体来说，第1层L1由例如钛或氮化钛形成。作为另一例，第1层L1也可以由钨或钨合金形成。作为钨合金，能够使用例如钼-钨。从制造高效化的观点出发，优选底层BL和第1层L1由相同的材料形成。第2层L2能够由例如ITO、IZO或IGZO等导电性氧化物形成。
肋部5由例如硅氧化物或硅氧氮化物那样的对上述氟系气体的耐性优异的材料形成。肋部5的材料优选无机材料，除此以外可举出硅氮化物。
隔壁6及其附近的构造不限于图4及图5中示出的例子。以下示出几个变形例。
图6是第1变形例涉及的隔壁6及其附近的概略剖视图。在图6所示的隔壁6中，上部62不具有第2层L2。即，上部62具有第1层L1的单层构造。可应用于第1层L1的材料如上所述。
图7是第2变形例涉及的隔壁6及其附近的概略剖视图。在图7所示的隔壁6中，轴层XL具有第1轴层XL1与第2轴层XL2的层叠构造。例如，轴层XL1、XL2中的一者由铝形成，另一者由铝合金形成。轴层XL1、XL2也可以分别由不同种类的铝合金形成。作为铝合金，例如可使用铝-钕、铝-钇及铝-硅。轴层XL也可以具有三层以上的层叠构造。
图8是第3变形例涉及的隔壁6及其附近的概略剖视图。在图8所示的隔壁6中，底层BL具有第1底层BL1与第2底层BL2的层叠构造。例如，底层BL1、BL2由从钛、氮化钛、钨及钨合金中选择出的两种不同的材料形成。底层BL也可以具有三层以上的层叠构造。
图9是第4变形例涉及的隔壁6及其附近的概略剖视图。在图9中，肋部5具有第1肋部层51与第2肋部层52的层叠构造。第2肋部层52覆盖第1肋部层51。例如，第2肋部层52由硅氧化物或硅氧氮化物形成。第1肋部层51与硅氧化物及硅氧氮化物中的第2肋部层52不同，另一方面，或者由硅氮化物形成。
上述图4至图9中示出的底层BL、轴层XL、上部62及肋部5的构造能够适当组合。
接下来，以显示装置DSP具有图4及图5中示出的构造的情况为例来说明显示装置DSP的制造方法。以下说明的制造方法除了适当变形以外，也能够应用于具有图6至图9中示出的构造的显示装置DSP的制造。
图10是示出显示装置DSP的制造方法的一例的流程图。图11至图25是分别示出显示装置DSP的制造工序的一部分的概略剖视图。在图11至图25中，省略基板10及电路层11。
在显示装置DSP的制造中，首先在基板10之上形成电路层11、有机绝缘层12及下电极LE1、LE2、LE3(工序P1)。图11示出经过工序P1后的基板的状态。
此外，如图12所示，形成具有像素开口AP1、AP2、AP3的肋部5(工序P2)。然后，以图13至图17所示的方法在肋部5之上形成隔壁6(工序P3)。
在形成隔壁6的过程中，如图13所示，针对基板整体依次形成作为底层BL的基部的第1金属层M1、作为轴层XL的基部的第2金属层M2、作为第1层L1的基部的第3金属层M3、及作为第2层L2的基部的导电性氧化物层CL。此外，在导电性氧化物层CL之上形成抗蚀剂R1。该抗蚀剂R1被图案化为图2中示出的隔壁6的形状。需要说明的是，金属层M1、M2、M3及导电性氧化物层CL的材料与作为底层BL、轴层XL、第1层L1及第2层L2的材料而在上叙述的材料相同。
第1金属层M1覆盖肋部5，并通过像素开口AP1、AP2、AP3而覆盖下电极LE1、LE2、LE3。如上所述，下电极LE1、LE2、LE3具有由银形成的中间层、和分别覆盖该中间层的上表面及下表面的一对导电性氧化物层。假设在未设置第1金属层M1的情况下，包含铝、铝合金的轴层XL与下电极LE1、LE2、LE3的导电性氧化物层接触，该导电性氧化物层可能劣化(被还原)。介于下电极LE1、LE2、LE3与轴层XL之间的第1金属层M1具有抑制这种劣化的作用。
接下来，如图14所示，导电性氧化物层CL中的从抗蚀剂R1露出的部分通过湿式蚀刻而被除去。由此形成第2层L2。第3金属层M3作为该湿式蚀刻的停止部发挥功能。
接下来，如图15所示，第2金属层M2及第3金属层M3中的从抗蚀剂R1露出的部分通过各向异性的干式蚀刻而被除去。由此，形成包含第1层L1与第2层L2的上部62，并形成轴层XL。该干式蚀刻中使用包含氯的蚀刻气体(氯系气体)。第1金属层M1作为该干式蚀刻的停止部发挥功能。
然后，如图16所示，轴层XL的宽度由于各向同性的湿式蚀刻而小于上部62。该湿式蚀刻使用包含磷酸、硝酸及乙酸的混酸作为蚀刻液。在该混酸中的第1金属层M1的蚀刻速率与在该混酸中的轴层XL的蚀刻速率相比充分小。因此，第1金属层M1几乎未被侵蚀。
在轴层XL的宽度减小后，如图17所示，第1金属层M1中的从轴层XL露出的部分通过干式蚀刻而被除去。由此，形成包含底层BL与轴层XL的下部61。该干式蚀刻使用包含氟的蚀刻气体(氟系气体)。作为氟系气体的例子，可举出六氟化硫(SF6)、四氟化甲烷(CF4)、六氟化乙烷(C2F6)、三氟化甲烷(CHF3)及三氟化氮(NF3)。在该蚀刻气体中的轴层XL的蚀刻速率与在该蚀刻气体中的第1金属层M1的蚀刻速率相比充分小。因此，轴层XL几乎未被侵蚀。
需要说明的是，在第1层L1由与底层BL同种的材料形成的情况下，如图17所示，主要是第1层L1的下表面能够由于该干式蚀刻而被侵蚀。由此，形成图4及图5中示出的第2部分PR2。
若该干式蚀刻前的第1层L1的厚度为底层BL的厚度以下，则第1层L1中的从轴层XL露出的部分可能由于该干式蚀刻而消失。在该情况下，隔壁6的强度降低。因此，优选该干式蚀刻前的第1层L1的厚度(图4及图5中示出的厚度Tb)大于底层BL的厚度(图4及图5中示出的厚度Ta)。
由ITO等导电性氧化物形成的第2层L2对该干式蚀刻的耐性优异。即，在该干式蚀刻中的第2层L2的蚀刻速率小于在该干式蚀刻中的第1层L1及底层BL的蚀刻速率。因此，第2层L2未由于该干式蚀刻而被侵蚀。由此，即使在第1层L1被显著侵蚀的情况下，也能够保持悬臂状的上部62的形状。
在肋部5由硅氮化物形成的情况下，肋部5也可被氟系气体侵蚀。对此，在由硅氧化物或硅氧氮化物形成肋部5的情况下，能够抑制使用了氟系气体的蚀刻中的肋部5的损伤。在像图9的第4变形例这样将肋部5设为第1肋部层51与第2肋部层52的层叠构造并由硅氧化物或硅氧氮化物形成第2肋部层52的情况下，也具有相同的效果。
在经过上述图13至图17的工序形成隔壁6后，抗蚀剂R1被除去，实施用于形成显示元件DE1、DE2、DE3的工序。在本实施方式中，设想先形成第1显示元件DE1、再形成第2显示元件DE2、最后形成第3显示元件DE3的情况。需要说明的是，显示元件DE1、DE2、DE3的形成顺序不限于本例。
在第1显示元件DE1的形成过程中，首先如图18所示，通过蒸镀依次形成通过第1像素开口AP1而与第1下电极LE1接触的第1有机层OR1、覆盖第1有机层OR1的第1上电极UE1、覆盖第1上电极UE1的第1盖层CP1(工序P4)。进而，通过CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)形成第1密封层SE1(工序P5)。第1密封层SE1连续覆盖包含第1有机层OR1、第1上电极UE1及第1盖层CP1的第1显示元件DE1、隔壁6。
第1有机层OR1、第1上电极UE1、第1盖层CP1及第1密封层SE1至少针对显示区域DA的整体形成，不仅配置于第1子像素SP1，也配置于第2子像素SP2及第3子像素SP3。第1有机层OR1、第1上电极UE1及第1盖层CP1由悬臂状的隔壁6分断。
在工序P4后，如图19所示，在第1密封层SE1之上配置抗蚀剂R2(工序P6)。抗蚀剂R2位于包含第1下电极LE1、第1有机层OR1、第1上电极UE1及第1盖层CP1的第1显示元件DE1的上方，还覆盖第1子像素SP1周围的隔壁6的一部分。
然后，通过以抗蚀剂R2为掩模的干式蚀刻，从而如图20所示使第1密封层SE1中的从抗蚀剂R2露出的部分被除去(工序P7)。第1盖层CP1、第1上电极UE1作为该干式蚀刻的停止部发挥功能。
在工序P7后，通过以抗蚀剂R2为掩模的蚀刻，从而如图21所示使第1盖层CP1中的从抗蚀剂R2露出的部分被除去(工序P8)。在例如第1盖层CP1为层叠构造的情况下，该蚀刻包含针对各层的湿式蚀刻或干式蚀刻。
在工序P8后，通过以抗蚀剂R2为掩模的湿式蚀刻，从而如图22所示使第1上电极UE1中的从抗蚀剂R2露出的部分被除去(工序P9)。第1有机层OR1作为该湿式蚀刻的停止部发挥功能。
该湿式蚀刻中，与图16中示出的轴层XL的湿式蚀刻同样地使用包含磷酸、硝酸及乙酸的混酸。因此，如图22中以虚线箭头所示，与第2子像素SP2邻接的隔壁6的轴层XL的第2侧面SF2与第3子像素SP3邻接的隔壁6的轴层XL的第3侧面SF3被侵蚀。由此，如图4及图5所示，底层BL的第2端部E2从第2侧面SF2突出，底层BL的第3端部E3从第3侧面SF3突出。
在工序P9后，通过以抗蚀剂R2为掩模的干式蚀刻，从而第1有机层OR1中的从抗蚀剂R2露出的部分被除去(工序P10)。然后，抗蚀剂R2被除去(工序P11)。由此，如图23所示，能够获得在第1子像素SP1中形成有第1显示元件DE1及第1密封层SE1、在第2子像素SP2及第3子像素SP3中未形成显示元件、密封层的基板。
第2显示元件DE2以与第1显示元件DE1相同的步骤形成。具体来说，利用蒸镀依次形成通过第2像素开口AP2而与第2下电极LE2接触的第2有机层OR2、覆盖第2有机层OR2的第2上电极UE2、和覆盖第2上电极UE2的第2盖层CP2(工序P12)，并利用CVD形成连续覆盖第2盖层CP2、隔壁6的第2密封层SE2(工序P13)。
然后，与工序P6同样地，配置覆盖第2子像素SP2及其周围的隔壁6的一部分的抗蚀剂(工序P14)。进而，与工序P7同样地，第2密封层SE2中的从抗蚀剂露出的部分被除去(工序P15)，与工序P8同样地，第2盖层CP2中的从抗蚀剂露出的部分被除去(工序P16)，与工序P9同样地，利用混酸除去第2上电极UE2中的从抗蚀剂露出的部分(工序P17)，与工序P10同样地，第2有机层OR2中的从抗蚀剂露出的部分被除去(工序P18)。然后，抗蚀剂被除去(工序P19)。
若经过上述工序P12～P19，则如图24所示，能够获得在第1子像素SP1中形成有第1显示元件DE1及第1密封层SE1、在第2子像素SP2中形成有第2显示元件DE2及第2密封层SE2、在第3子像素SP3中未形成显示元件、密封层的基板。
需要说明的是，在工序P17中，与第3子像素SP3邻接的隔壁6的轴层XL的第3侧面SF3被混酸侵蚀。因此，如参照图4及图5所述，第3端部E3从第3侧面SF3的突出长度大于第2端部E2从第2侧面SF2的突出长度。
第3显示元件DE3也以与第1显示元件DE1相同的步骤形成。具体来说，利用蒸镀依次形成通过第3像素开口AP3而与第3下电极LE3接触的第3有机层OR3、覆盖第3有机层OR3的第3上电极UE3、覆盖第3上电极UE3的第3盖层CP3(工序P20)，并利用CVD形成连续覆盖第3盖层CP3、隔壁6的第3密封层SE3(工序P21)。
然后，与工序P6同样地，配置覆盖第3子像素SP3及其周围的隔壁6的一部分的抗蚀剂(工序P22)。进而，与工序P7同样地，第3密封层SE3中的从抗蚀剂露出的部分被除去(工序P23)，与工序P8同样地，第3盖层CP3中的从抗蚀剂露出的部分被除去(工序P24)，与工序P9同样地，利用混酸除去第3上电极UE3中的从抗蚀剂露出的部分(工序P25)，与工序P10同样地，第3有机层OR3中的从抗蚀剂露出的部分被除去(工序P26)。然后，抗蚀剂被除去(工序P27)。
若经过上述工序P20～P27，则如图25所示，能够获得在第1子像素SP1中形成有第1显示元件DE1及第1密封层SE1、在第2子像素SP2中形成有第2显示元件DE2及第2密封层SE2、在第3子像素SP3中形成有第3显示元件DE3及第3密封层SE3的基板。
在工序P27后，依次形成图3中示出的树脂层13、密封层14及树脂层15(工序P28)。由此，显示装置DSP完成。
在上述本实施方式中，隔壁6的底层BL由在包含磷酸、硝酸及乙酸的混酸中的蚀刻速率小于轴层XL的材料形成。假设在在该混酸中的底层BL的蚀刻速率大的情况下，在工序P9中的第1上电极UE1、工序P17中的第2上电极UE2的湿式蚀刻时，底层BL可被侵蚀。若底层BL的侵蚀显著，则第2上电极UE2、第3上电极UE3与隔壁6的下部61不接触，存在产生导通不良的可能性。
与此相对，在本实施方式的构成中，底层BL不易被混酸侵蚀。因此，第2上电极UE2、第3上电极UE3与底层BL接触，能够抑制导通不良。
另外，在本实施方式中，上部62(第1层L1)也由不易被该混酸侵蚀的材料形成。因此，上部62从下部61的突出长度、即从底层BL的端部到上部62的端部为止的距离容易被控制。通过将该突出长度设为适当值，从而能够由隔壁6将有机层OR1、OR2、OR3、上电极UE1、UE2、UE3及盖层CP1、CP2、CP3良好地分断。
在图4及图5的例子中，上部62包含第1层L1和第2层L2。此外，第2层L2由在使用了氟系气体的干式蚀刻中的蚀刻速率小于第1层L1及底层BL的材料形成。若为这样的构成，则即使在第1层L1由于其他层的蚀刻而被显著侵蚀的情况下，也能够由第2层L2保持悬臂状的上部62的形状。
另外，如图17所示，考虑在第1金属层M1的干式蚀刻中第1层L1的下表面被侵蚀的情况，若预先将第1层L1(第3金属层M3)形成得厚，则能够防止第1层L1消失。
除了以上说明的内容，还能够从本实施方式获得多种优选效果。
[第2实施方式]
图26及图27是示出第2实施方式涉及的显示装置DSP的一例的概略剖视图。在图26中，与图4同样地示出像素开口AP1、AP2之间的隔壁6及其附近的构造，在图27中，与图5同样地示出像素开口AP1、AP3之间的隔壁6及其附近的构造。
在本实施方式中，与图4及图5的例子同样地，底层BL的第1端部E1也在第3方向Z上与轴层XL的第1侧面SF1对齐。此外，如图26所示，在本实施方式中，底层BL的第2端部E2在第3方向Z上与轴层XL的第2侧面SF2对齐。即，第2端部E2与第2侧面SF2形成实质上连续的平面。另外，如图27所示，底层BL的第3端部E3在第3方向Z上与轴层XL的第3侧面SF3对齐。即，第3端部E3与第3侧面SF3形成实质上连续的平面。
除了图26及图27中示出的部分以外的显示装置DSP的构造、显示装置DSP的制造方法及其所起到的效果与第1实施方式相同。
[第3实施方式]
图28及图29是示出第3实施方式涉及的显示装置DSP的一例的概略剖视图。在图28中，与图4同样地示出像素开口AP1、AP2之间的隔壁6及其附近的构造，在图29中，与图5同样地示出像素开口AP1、AP3之间的隔壁6及其附近的构造。
在本实施方式中，如图28及图29所示，底层BL的第1端部E1与轴层XL的第1侧面SF1相比向隔壁6的宽度方向突出。第1上电极UE1整体地覆盖底层BL中的从第1侧面SF1突出的部分，也与第1侧面SF1接触。与图4及图5的例子同样地，底层BL的第2端部E2及第3端部E3分别从轴层XL的第2侧面SF2及第3侧面SF3突出。
在图28及图29的例子中，第1端部E1从第1侧面SF1的突出长度D1、第2端部E2从第2侧面SF2的突出长度D2及第3端部E3从第3侧面SF3的突出长度D3相同(D1＝D2＝D3)。
图30及图31是示出本实施方式涉及的显示装置DSP的其他例的概略剖视图。在图30中，与图4同样地示出像素开口AP1、AP2之间的隔壁6及其附近的构造，在图31中，与图5同样地示出像素开口AP1、AP3之间的隔壁6及其附近的构造。
在图30及图31的例子中，突出长度D1、D2、D3不同。具体来说，突出长度D2大于突出长度D1，突出长度D3大于突出长度D2(D1＜D2＜D3)。
需要说明的是，如图4、图5、图26及图27所示，在第1端部E1与第1侧面SF1在第3方向Z上对齐的情况下，能够将突出长度D1视为零。另外，如图26及图27所示，在端部E1、E2、E3分别在第3方向Z上与侧面SF1、SF2、SF3对齐的情况下，能够将突出长度D1、D2、D3均视为零。
图28至图31中示出的部分以外的显示装置DSP的构造、显示装置DSP的制造方法及其所起到的效果与第1实施方式相同。此外，在本实施方式中，由于端部E1、E2、E3分别从侧面SF1、SF2、SF3突出，因此上电极UE1、UE2、UE3与端部E1、E2、E3的接触面积增加。由此，能够确保上电极UE1、UE2、UE3与底层BL的良好导通。
[第4实施方式]
显示装置DSP的制造方法不限于在第1实施方式中使用图10的流程图说明的内容。以下，说明显示装置DSP的制造方法的另一例。
图32是示出第4实施方式涉及的显示装置DSP的制造方法的一例的流程图。在该流程图中，首先与第1实施方式同样地，在基板10之上形成电路层11、有机绝缘层12及下电极LE1、LE2、LE3(工序P1)。接下来，形成加工为肋部5的无机绝缘层5’(工序P2a)。此时，在该无机绝缘层5’上未设有像素开口AP1、AP2、AP3。
在工序P2a后，在无机绝缘层5’之上形成隔壁6(工序P3)。形成隔壁6的方法为使用图13至图17而在上叙述的方法。在形成隔壁6后，通过在无机绝缘层5’上将像素开口AP1、AP2、AP3进行图案化而形成肋部5(工序P2b)。在工序P2b后，与第1实施方式同样地实施工序P4～P28。
通过上述那样的制造方法制造的显示装置DSP的构造、显示装置DSP所起的效果与第1实施方式相同。此外，如本实施方式所示，在形成隔壁6后形成像素开口AP1、AP2、AP3的情况下，能够在形成隔壁6时进行的蚀刻中保护下电极LE1、LE2、LE3。
只要包含本发明的要旨，本领域技术人员基于以上作为本发明的实施方式说明的显示装置及其制造方法能够适当设计变更并实施的全部的显示装置及其制造方法也属于本发明的范围。
应知本领域技术人员在本发明的思想范畴内能够想到各种变形例，这些变形例也属于本发明的范围。例如，只要具备本发明的要旨，本领域技术人员针对上述各实施方式适当进行构成要素的追加、删除、或设计变更得到的技术方案、或进行工序增加、省略或条件变更得到的技术方案也包含在本发明的范围内。
另外，就上述各实施方式中说明的方式所带来的其他作用效果而言，根据本说明书的记载所能明确的或本领域技术人员能够适当想到的作用效果当然应视为本发明带来的作用效果。
根据上述实施方式，例如能够掌握以下显示装置的制造方法。
(1)显示装置的制造方法，其包括：
形成第1下电极及第2下电极；
形成具有与所述第1下电极重叠的第1像素开口及与所述第2下电极重叠的第2像素开口的肋部；
形成具有配置在所述肋部之上的下部及从所述下部的侧面突出的上部的隔壁；
形成通过所述第1像素开口而与所述第1下电极接触的第1有机层；
形成覆盖所述第1有机层的第1上电极；
在包含所述第1下电极、所述第1有机层及所述第1上电极的第1显示元件的上方形成第1抗蚀剂；
通过使用了包含磷酸、硝酸及乙酸的混酸的湿式蚀刻将所述第1上电极中的从所述第1抗蚀剂露出的部分除去；
通过干式蚀刻将所述第1有机层中的从所述第1抗蚀剂露出的部分除去；
形成通过所述第2像素开口而与所述第2下电极接触的第2有机层；和
形成覆盖所述第2有机层的第2上电极，
所述下部具有与所述第1上电极及所述第2上电极接触的底层、和配置在所述底层之上的轴层，
所述底层由在所述混酸中的蚀刻速率小于所述轴层且具有导电性的材料形成。
(2)根据上述(1)所述的显示装置的制造方法，其中，所述上部由在所述混酸中的蚀刻速率小于所述轴层的材料形成。
(3)根据上述(1)所述的显示装置的制造方法，其中，在所述隔壁的形成中，
在所述肋部之上形成第1金属层，
形成覆盖所述第1金属层的第2金属层，
形成覆盖所述第2金属层的第3金属层，
在所述第3金属层的上方形成第2抗蚀剂，
通过干式蚀刻将所述第3金属层中的从所述第2抗蚀剂露出的部分除去而形成所述上部，并且将所述第2金属层中的从所述第2抗蚀剂露出的部分除去而形成所述轴层，
通过湿式蚀刻减小所述轴层的宽度，
通过干式蚀刻将所述第1金属层中的从所述轴层露出的部分除去而形成所述底层。
(4)根据上述(1)所述的显示装置的制造方法，其中，
所述轴层由铝或铝合金形成，
所述底层由钛、氮化钛、钨或钨合金形成。

Claims (31)

1.显示装置，其具备：
第1下电极；
肋部，其具有与所述第1下电极重叠的第1像素开口；
隔壁，其具有配置在所述肋部之上的下部及从所述下部的侧面突出的上部；
第1上电极，其与所述第1下电极相对；和
第1有机层，其位于所述第1下电极与所述第1上电极之间、通过所述第1像素开口而与所述第1下电极接触、并对应于所述第1下电极与所述第1上电极的电位差而发光，
所述下部具有与所述第1上电极接触的底层、和配置在所述底层之上的轴层，
所述底层由在包含磷酸、硝酸及乙酸的混酸中的蚀刻速率小于所述轴层且具有导电性的材料形成。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述上部由在所述混酸中的蚀刻速率小于所述轴层的材料形成。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述轴层由铝或铝合金形成。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述轴层具有由铝或铝合金形成的多个层。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述底层由钛、氮化钛、钨或钨合金形成。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述底层具有由钛、氮化钛、钨或钨合金形成的多个层。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述上部由钛、氮化钛、钨或钨合金形成。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述上部形成得比所述底层厚。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述上部具有第1层和覆盖所述第1层的第2层，
所述第2层由在使用了包含氟的蚀刻气体的干式蚀刻中的蚀刻速率小于所述第1层及所述底层的材料形成。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第1层由与所述底层相同的材料且以比所述底层厚的方式形成。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第2层由ITO、IZO或IGZO形成。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述肋部由硅氧化物或硅氧氮化物形成。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述肋部具有由硅氮化物形成的第1肋部层、和由硅氧化物或硅氧氮化物形成并覆盖所述第1肋部层的第2肋部层。
14.显示装置，其具备：
第1下电极；
第2下电极；
肋部，其具有与所述第1下电极重叠的第1像素开口和与所述第2下电极重叠的第2像素开口，
隔壁，其具有配置在所述第1像素开口与所述第2像素开口之间的所述肋部之上的下部、及从所述下部的侧面突出的上部，
第1上电极，其与所述第1下电极相对，
第2上电极，其与所述第2下电极相对，
第1有机层，其位于所述第1下电极与所述第1上电极之间、通过所述第1像素开口而与所述第1下电极接触、并对应于所述第1下电极与所述第1上电极的电位差而发光，
第2有机层，其位于所述第2下电极与所述第2上电极之间、通过所述第2像素开口而与所述第2下电极接触、并对应于所述第2下电极与所述第2上电极的电位差而发光，
所述肋部由硅氧化物或硅氧氮化物形成，
所述下部具有与所述第1上电极接触的导电性的底层、和配置在所述底层之上的由金属形成的轴层，
所述底层具有所述第1像素开口侧的第1端部、和所述第2像素开口侧的第2端部，
所述轴层具有所述第1像素开口侧的第1侧面、和所述第2像素开口侧的第2侧面，
所述第1端部从所述第1侧面突出，所述第2端部从所述第2侧面突出。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第1端部从所述第1侧面的突出长度与所述第2端部从所述第2侧面的突出长度不同。
16.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述第1端部从所述第1侧面的突出长度与所述第2端部从所述第2侧面的突出长度相同。
17.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述轴层由铝或铝合金形成。
18.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述轴层具有由铝或铝合金形成的多个层。
19.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述底层由钛、氮化钛、钨或钨合金形成。
20.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述底层具有由钛、氮化钛、钨或钨合金形成的多个层。
21.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述上部由包含钛、氮化钛、钨或钨合金的材料形成。
22.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述上部形成得比所述底层厚。
23.根据权利要求14所述的显示装置，其中，
所述第1上电极与所述第1端部接触，
所述第2上电极与所述第2端部接触。
24.显示装置，其具备：
第1下电极及第2下电极；
肋部，其具有与所述第1下电极重叠的第1像素开口及与所述第2下电极重叠的第2像素开口；
隔壁，其具有配置在所述肋部之上的下部及从所述下部的侧面突出的上部；
第1上电极，其与所述第1下电极相对；
第2上电极，其与所述第2下电极相对；
第1有机层，其位于所述第1下电极与所述第1上电极之间、通过所述第1像素开口而与所述第1下电极接触、并对应于所述第1下电极与所述第1上电极的电位差而发光；和
第2有机层，其位于所述第2下电极与所述第2上电极之间、通过所述第2像素开口而与所述第2下电极接触、并对应于所述第2下电极与所述第2上电极的电位差而发光，
所述隔壁配置在所述第1像素开口与所述第2像素开口之间，
所述上部具有第1层和覆盖所述第1层的第2层，
所述第1层由钛、氮化钛、钨或钨合金形成，
所述第2层由ITO、IZO或IGZO形成，
所述下部具有导电性的底层、和配置在所述底层之上且由铝或铝合金形成的轴层，
所述底层具有所述第1像素开口侧的第1端部和所述第2像素开口侧的第2端部，
所述轴层具有所述第1像素开口侧的第1侧面和所述第2像素开口侧的第2侧面，
所述第1端部从所述第1侧面突出，所述第2端部从所述第2侧面突出。
25.根据权利要求24所述的显示装置，其中，
所述第1上电极与所述第1端部接触，
所述第2上电极与所述第2端部接触。
26.根据权利要求25所述的显示装置，其中，所述第1端部从所述第1侧面的突出长度与所述第2端部从所述第2侧面的突出长度不同。
27.根据权利要求25所述的显示装置，其中，所述第1端部从所述第1侧面的突出长度与所述第2端部从所述第2侧面的突出长度相同。
28.根据权利要求25所述的显示装置，其中，所述底层由钛、氮化钛、钨或钨合金形成。
29.根据权利要求25所述的显示装置，其中，所述上部形成得比所述底层厚。
30.根据权利要求25所述的显示装置，其中，所述肋部由硅氧化物或硅氧氮化物形成。
31.根据权利要求25所述的显示装置，其中，所述肋部具有由硅氮化物形成的第1肋部层、和由硅氧化物或硅氧氮化物形成并覆盖所述第1肋部层的第2肋部层。
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