JP3188678B2

JP3188678B2 - 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法

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Publication number: JP3188678B2
Application number: JP37678898A
Authority: JP
Inventors: 光文小玉
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1998-12-25
Filing date: 1998-12-25
Publication date: 2001-07-16
Anticipated expiration: 2018-12-25
Also published as: JP2000195677A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はディスプレイ、光源
として利用される有機エレクトロ・ルミネッセンス表示
装置（以下、有機ＥＬ表示装置と略す）の製造方法と構
造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】有機ＥＬ素子は、少なくとも一方が概ね
透明な正負の電極間に、発光機能を有する有機層（以下
有機層と略す）を挟み込み、電極間に直流電流を流すと
有機層を構成する材料に応じた色の発光をする素子であ
る。すなわち、いわゆる無機半導体で構成されたＬＥＤ
(Light Emitting Device)と同様の原理で発光する。

【０００３】有機ＥＬ素子を用いた表示デバイスは、現
在主流のフラットパネルディスプレイである液晶ディス
プレイに対し以下のような優位性を持つ。１）自発光であるために視野角が広い。２）２〜３ミリの薄さのディスプレイが容易に製造可
能。３）偏光板を使わないことから発光色が自然。４）明暗のダイナミックレンジが広いため、表示が鮮明
で生々しい。５）広い温度範囲で動作。６）応答速度が液晶より３桁以上速いため容易に動画表
示が可能。

【０００４】しかしながら、この有機ＥＬディスプレイ
の製造には液晶ディスプレイとは異なった困難さがあ
る。

【０００５】製造の難しさの大きな要因のひとつに、ほ
とんどの場合で正負の電極間に挟まれた有機層の膜厚が
１μm 以下であることがある。すなわち、図２２に示す
ように、基板１上に形成された有機層３の膜厚と同程度
かそれ以上のサイズのゴミ５が、有機層３成膜前にその
下層である電極２上に付着していた場合に、そのさらに
上層として成膜される電極４と電極２とが短絡し、欠陥
が発生しやすいという問題があった。

【０００６】欠陥がある画素では、例えば、電極間でリ
ーク電流が流れたり、ショートしたりする。さらに、リ
ーク電流が流れるような状態でディスプレイを表示させ
ると一見して明らかな不良が現れる。特に、単純マトリ
クス駆動によりディスプレイを表示させる場合には最も
深刻な不良として現れ、例えば、テレビやコンピュータ
ーディスプレイを作った場合において、選択されていな
いラインが発光したり、本来明るく表示されるべき部分
が暗くなったりするというような欠陥となる。こうした
欠陥部分は、有機ＥＬディスプレイを完成させ、実際に
発光させて表示品質を評価するまでは発見が困難であ
る。

【０００７】同様にこうしたゴミが付着した部分から水
分が浸透しやすく、非発光部（ダークスポット）が発生
し、さらに時間とともにこのダークスポットが拡大進行
する、という不具合も良く知られている。

【０００８】液晶ディスプレイの製造においては、欠陥
修正法としてレーザーリペアと呼ばれる方法が一般的に
行われている。これは問題の発生している画素の配線や
パーティクルをレーザーで焼き切るという方法であり、
歩留まり向上のために有効な手段として広く用いられて
いる。

【０００９】一方、有機ＥＬディスプレイの場合におい
ては、有機ＥＬ素子が完成した後で修正するために、例
えば、図２３に示すように、高出力レーザーで欠陥部分
を焼き切ると、有機層３と電極４との密着性が悪いこと
による電極４の剥離が起こり、こうしたレーザーリペア
を行った画素を長時間発光させると焼き切った部分６か
ら水分や酸素が進入し、やはりダークスポットが増大し
ていく現象が見られ、最終的に非常に発光領域が狭めら
れるという不具合が発生した。こういった長期的な信頼
性の低下がレーザーリペア法の採用を難しくしていた。

【００１０】

【本発明が解決しようとする課題】本発明は、液晶ディ
スプレイの製造で用いられるレーザーリペア法を有機Ｅ
Ｌ表示装置に適用可能にし、ダークスポットの進行を食
い止めるとともに、長期的な信頼性も確保する有機ＥＬ
表示装置の構造と、製造方法を提供するものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的は以下の構成に
より達成される。（１）少なくとも第１の電極と、発光機能に関与する
１種または２種以上の有機層と、第２の電極とを有し、
かつ電気的に独立に発光させることが可能な有機ＥＬ素
子構造を複数有し、前記有機ＥＬ素子構造を有する画素
が画素分割構造体により複数の画素要素に分割されてお
り、かつ、それぞれの分割された画素要素の第２の電極
が隣り合う画素要素の第２の電極と電気的に導通してい
ることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。（２）前記画素分割構造体は、その少なくとも一部が
導電体により形成されている上記（１）の有機ＥＬ表示
装置。（３）前記画素分離構造体は、基板側に形成された基
部とこの基部よりも幅の広いオーバーハング部とを有す
る立体的構造物である上記（１）または（２）の有機Ｅ
Ｌ表示装置。（４）上記（１）〜（３）の有機ＥＬ表示装置を製造
する方法であって、絶縁性基板上に、第１の電極を形成
する工程と、絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜の上
に１つの画素を複数の画素要素に分割する画素分離構造
体を形成する工程とを含むことを特徴とする有機ＥＬ表
示装置の製造方法

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明の有機ＥＬ表示装置は、少
なくとも第１の電極と、発光機能に関与する１種または
２種以上の有機層と、第２の電極とを有し、かつ電気的
に独立に発光させることが可能な有機ＥＬ素子構造を複
数有し、前記有機ＥＬ素子構造を有する画素が画素分割
構造体により複数の画素要素に分割されており、かつ、
それぞれの分割された画素要素の第２の電極が隣り合う
画素要素の第２の電極と電気的に導通していることを特
徴とする。

【００１３】発光の単位である画素をさらに区画分割し
て複数の画素要素を形成することにより、有機膜は各画
素要素内で完全に分離される。一般に、第２の電極と導
電体または無機絶縁体の密着性は良好であるため、画素
要素をレーザーリペアしたとしても電極の剥離や非発光
領域の増大が隣接する画素要素まで及ぶことはない。

【００１４】また、好ましくは区画を分割している薄膜
パターン（以下、画素分割構造体と称す）の少なくとも
一部に導電体を用い、この導電体を仲立ちにして分割さ
れた画素要素の第２の電極間を導通させる。この際に、
画素分割構造体にオーバーハング構造を持たせること
と、有機層の成膜方法に比べ第２の電極の成膜方法にパ
ターン被覆性が良い方法を採用することで、確実に画素
要素間を電気的に接続させることができる。

【００１５】画素分割構造体は、特開平９−３３０７９
２号公報（米国特許出願第０８／８３４７３３号）に記
載されているように、基部（スペーサー）とこの基部の
上に形成され、基部より幅の広いオーバーハング体とを
有する立体的な構造体で、通常は素子の分離を行う部分
に形成されるが、本発明においては画素内に形成し、画
素分離構造体およびその影となる部分以外の領域にスパ
ッタされた粒子や、蒸着される粒子が堆積され、それぞ
れの領域内で画素要素が形成される。

【００１６】画素分割構造体を構成する材料としては、
特に限定されるものではないが、パターン加工する際に
第１の電極に大きなダメージを与えないような材料であ
るか、または、第１の電極にダメージを与えないような
積層構造とすることが好ましい。また、画素分割構造体
を構成する材料の少なくとも一部が導電体からなり、こ
の導電体部分を介して隣り合う画素の第２の電極が互い
に導通しやすい構造となっていることが好ましい。画素
分割構造体の基部に用いることができる材料としては、
ＡｌやＡｌ合金、Ｃｒ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｗ，Ｔｉ，
ＴｉＮ，ＺｎＯ，ＩＴＯ等の導電体が好ましく、また、
これら導電体と、ＳｉＯ₂ 、ＳｉＮ_x 、ａ−Ｓｉ、ＳＯ
Ｇ（Spin on Glass ）、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂
等から選ばれる１種以上の絶縁物を用いた積層構造とす
ることも可能である。オーバーハング部としては、製造
プロセスの容易さから、フォトレジスト、感光性ポリイ
ミド等の感光性を有する材料が好ましいが、上記基部に
用いられる材料から選択して用いてもよく、また、さら
に基部に用いる材料と、感光性の材料とを積層した構造
としてもよい。

【００１７】基部の大きさとしては、特に限定されるも
のではないが、通常幅１μm 以上であれば十分に基部と
しての機能は果たすが、特に５μm 以上が好ましく、高
さ（膜厚）は０．２μm 以上、特に０．５〜１０μm 程
度が好ましい。また、オーバーハング部の大きさとして
は、特に限定されるものではないが、通常基部の膜厚の
１／２と同程度以上のオーバーハング長を有するような
構造とすることが好ましい。高さ（膜厚）は０．１〜１
０μm 、特に０．２〜５μm 程度が好ましい。これらを
合わせた高さは、０．５〜２０μm 、特に１〜１０μm
程度が好ましい。

【００１８】画素分離構造体を形成するには、先ず、ホ
ール注入電極、絶縁膜等が形成された基板上に、上記基
部の材料よりなる基部層を、好ましくは樹脂膜やＳＯＧ
膜はスピンコート法やロールコート法で、絶縁膜や半導
体膜はスパッタ法やＣＶＤ法で、金属膜は蒸着法等によ
り形成し、さらに、上記同様に、基部層上に感光性を有
するオーバーハング部層を形成する。このオーバーハン
グ部層を露光、現像してパターニングすると同時、また
はその後に、前記基部層をエッチングし、かつこの基部
層がオーバーハング部層より小さくなるようにオーバー
エッチングさせてオーバーハング体とすればよい。

【００１９】画素要素の大きさとしては、有機ＥＬ表示
装置の種類や用途等により異なるが、単純マトリクスの
場合、通常、縦：１０〜２０００μm ×横：１０〜２０
００μm 、特に縦：２０〜５００μm ×横：２０〜５０
０μm 程度が好ましい。有機ＥＬ表示装置内の１画素あ
たりの画素要素数としては、好ましくは２〜１００個程
度である。

【００２０】図１〜８に画素分割構造体を形成した画素
の例を示す。これらの図は、有機ＥＬ表示装置の一画素
を拡大した断面図であり、これらの図では第１の電極
（透明導電膜）が第２の電極（陰極）より基板に近い側
に配置されている構造のみを示したが、第２の電極（陰
極）が第１の電極（透明導電膜）より基板に近い配置を
したものでも同様の効果がある。以下にその詳細を説明
する。

【００２１】図１は、本発明の有機ＥＬ表示装置の第１
の構成例を示した部分断面図である。この例では、基板
１上に、第１の電極２として透明導電膜のパターンを形
成した後に、絶縁膜７を配置し、その上に画素要素を接
続するための導電体である画素要素接続部８と、画素要
素の有機膜と陰極を分割するための構造体である画素要
素分割部９とを形成している。

【００２２】図２は、本発明の有機ＥＬ表示装置の第２
の構成例を示した部分断面図である。この例では、導電
体である画素要素接続部を形成せずに画素要素分割部９
を導電体としている。その他の構成は図１と同様であ
り、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略す
る。

【００２３】図３は、本発明の有機ＥＬ表示装置の第３
の構成例を示した部分断面図である。この例では、画素
要素分割部を２層の膜から形成し、基部９ａと、この基
部９ａ上に形成され、基板面と平行な方向に突出したオ
ーバーハング部９ｂとをそれぞれ有する形状としてい
る。その他の構成は図１と同様であり、同一構成要素に
は同一符号を付して説明を省略する。

【００２４】図４は、本発明の有機ＥＬ表示装置の第４
の構成例を示した部分断面図である。この例では、図３
の画素要素接続部８を形成せずに、画素要素分割部の基
部９ａを導電体としている。その他の構成は図１と同様
であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略
する。

【００２５】図５〜８に、それぞれ図１〜４において有
機層１１を成膜し、その成膜方法に比べ第２の電極１２
の成膜方法にパターン被覆性が良い方法を採用し、画素
要素間を電気的に接続させた状態を示す。すなわち、有
機層遮蔽層となるオーバーハング部９ｂの下に第２の電
極１２を回り込ませ、導電部である画素接続部８または
基部９ａを介して隣り合う画素要素の第２の電極２同士
が接続されるようになっている。

【００２６】図５〜８のような構造の有機ＥＬディスプ
レイの、リークが発生していると思われる欠陥部分にレ
ーザー光を照射し表示不良を修正することにより、隣接
した画素要素に影響を与えることなく表示を正常な状態
に修復することが出来る。しかも、画素要素分離構造体
により各画素要素が構造的に分離されているので、レー
ザーによる補修ヶ所から積層膜の剥離現象が拡大するこ
ともない。

【００２７】第１の電極、および第２の電極は、いずれ
をホール注入電極、電子注入電極としてもよいが、通
常、基板側の第１の電極がホール注入電極となり、第２
の電極は電子注入電極となる。

【００２８】電子注入電極としては、低仕事関数の物質
が好ましく、例えば、Ｋ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚ
ｎ、Ｚｒ等の金属元素単体、または安定性を向上させる
ためにそれらを含む２成分、３成分の合金系を用いるこ
とが好ましい。合金系としては、例えばＡｇ・Ｍｇ（Ａ
ｇ：０．１〜５０at％）、Ａｌ・Ｌｉ（Ｌｉ：０．０１
〜１４at％）、Ｉｎ・Ｍｇ（Ｍｇ：５０〜８０at％）、
Ａｌ・Ｃａ（Ｃａ：０．０１〜２０at％）等が挙げられ
る。なお、電子注入電極は蒸着法やスパッタ法でも形成
することが可能である。

【００２９】電子注入電極薄膜の厚さは、電子注入を十
分行える一定以上の厚さとすれば良く、０．５nm以上、
好ましくは１nm以上、より好ましくは３nm以上とすれば
よい。また、その上限値には特に制限はないが、通常膜
厚は３〜５００nm程度とすればよい。電子注入電極の上
には、さらに補助電極ないし保護電極を設けてもよい。

【００３０】蒸着時の圧力は好ましくは１×１０^-8〜１
×１０^-5Torrで、蒸発源の加熱温度は、金属材料であれ
ば１００〜１４００℃、有機材料であれば１００〜５０
０℃程度が好ましい。

【００３１】ホール注入電極は、発光した光を取り出す
ため、透明ないし半透明な電極が好ましい。透明電極と
しては、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）、ＩＺＯ
（亜鉛ドープ酸化インジウム）、ＺｎＯ、ＳｎＯ₂ 、Ｉ
ｎ₂ Ｏ₃ 等が挙げられるが、好ましくはＩＴＯ（錫ドー
プ酸化インジウム）、ＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウ
ム）が好ましい。ＩＴＯは、通常Ｉｎ₂Ｏ₃とＳｎＯと
を化学量論組成で含有するが、Ｏ量は多少これから偏倚
していてもよい。ホール注入電極は、透明性が必要でな
いときは、不透明の公知の金属材質であってもよい。

【００３２】ホール注入電極の厚さは、ホール注入を十
分行える一定以上の厚さを有すれば良く、好ましくは５
０〜５００nm、さらには５０〜３００nmの範囲が好まし
い。また、その上限は特に制限はないが、あまり厚いと
剥離などの心配が生じる。厚さが薄すぎると、製造時の
膜強度やホール輸送能力、抵抗値の点で問題がある。

【００３３】このホール注入電極層は蒸着法等によって
も形成できるが、好ましくはスパッタ法、特にパルスＤ
Ｃスパッタ法により形成することが好ましい。

【００３４】有機ＥＬ構造体の有機層は、次のような構
成とすることができる。

【００３５】発光層は、ホール（正孔）および電子の注
入機能、それらの輸送機能、ホールと電子の再結合によ
り励起子を生成させる機能を有する。発光層には、比較
的電子的にニュートラルな化合物を用いることが好まし
い。

【００３６】ホール注入輸送層は、ホール注入電極から
のホールの注入を容易にする機能、ホールを安定に輸送
する機能および電子を妨げる機能を有するものであり、
電子注入輸送層は、電子注入電極からの電子の注入を容
易にする機能、電子を安定に輸送する機能およびホール
を妨げる機能を有するものである。これらの層は、発光
層に注入されるホールや電子を増大・閉じこめさせ、再
結合領域を最適化させ、発光効率を改善する。

【００３７】発光層の厚さ、ホール注入輸送層の厚さお
よび電子注入輸送層の厚さは、特に制限されるものでは
なく、形成方法によっても異なるが、通常５〜５００nm
程度、特に１０〜３００nmとすることが好ましい。

【００３８】ホール注入輸送層の厚さおよび電子注入輸
送層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光
層の厚さと同程度または１／１０〜１０倍程度とすれば
よい。ホールまたは電子の各々の注入層と輸送層とを分
ける場合は、注入層は１nm以上、輸送層は１nm以上とす
るのが好ましい。このときの注入層、輸送層の厚さの上
限は、通常、注入層で５００nm程度、輸送層で５００nm
程度である。このような膜厚については、注入輸送層を
２層設けるときも同じである。

【００３９】有機ＥＬ素子の発光層には、発光機能を有
する化合物である蛍光性物質を含有させる。このような
蛍光性物質としては、例えば、特開昭６３−２６４６９
２号公報に開示されているような化合物、例えばキナク
リドン、ルブレン、スチリル系色素等の化合物から選択
される少なくとも１種が挙げられる。また、トリス（８
−キノリノラト）アルミニウム等の８−キノリノールま
たはその誘導体を配位子とする金属錯体色素などのキノ
リン誘導体、テトラフェニルブタジエン、アントラセ
ン、ペリレン、コロネン、１２−フタロペリノン誘導体
等が挙げられる。さらには、特開平８−１２６００号公
報（特願平６−１１０５６９号）に記載のフェニルアン
トラセン誘導体、特開平８−１２９６９号公報（特願平
６−１１４４５６号）のテトラアリールエテン誘導体等
を用いることができる。

【００４０】また、それ自体で発光が可能なホスト物質
と組み合わせて使用することが好ましく、ドーパントと
しての使用が好ましい。このような場合の発光層におけ
る化合物の含有量は０．０１〜２０wt% 、さらには０．
１〜１５wt% であることが好ましい。ホスト物質と組み
合わせて使用することによって、ホスト物質の発光波長
特性を変化させることができ、長波長に移行した発光が
可能になるとともに、素子の発光効率や安定性が向上す
る。

【００４１】ホスト物質としては、キノリノラト錯体が
好ましく、さらには８−キノリノールまたはその誘導体
を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このよう
なアルミニウム錯体としては、特開昭６３−２６４６９
２号、特開平３−２５５１９０号、特開平５−７０７３
３号、特開平５−２５８８５９号、特開平６−２１５８
７４号等に開示されているものを挙げることができる。

【００４２】具体的には、まず、トリス（８−キノリノ
ラト）アルミニウム、ビス（８−キノリノラト）マグネ
シウム、ビス（ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリノラト）亜
鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウ
ムオキシド、トリス（８−キノリノラト）インジウム、
トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウ
ム、８−キノリノラトリチウム、トリス（５−クロロ−
８−キノリノラト）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−
キノリノラト）カルシウム、５，７−ジクロル−８−キ
ノリノラトアルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−
８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム、ポリ［亜
鉛（II）−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリニル）メ
タン］等がある。

【００４３】このほかのホスト物質としては、特開平８
−１２６００号公報（特願平６−１１０５６９号）に記
載のフェニルアントラセン誘導体や特開平８−１２９６
９号公報（特願平６−１１４４５６号）に記載のテトラ
アリールエテン誘導体なども好ましい。

【００４４】発光層は電子注入輸送層を兼ねたものであ
ってもよく、このような場合はトリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム等を使用することが好ましい。これら
の蛍光性物質を蒸着すればよい。

【００４５】また、発光層は、必要に応じて、少なくと
も１種のホール注入輸送性化合物と少なくとも１種の電
子注入輸送性化合物との混合層とすることも好ましく、
さらにはこの混合層中にドーパントを含有させることが
好ましい。このような混合層における化合物の含有量
は、０．０１〜２０wt% 、さらには０．１〜１５wt% と
することが好ましい。

【００４６】混合層では、キャリアのホッピング伝導パ
スができるため、各キャリアは極性的に有利な物質中を
移動し、逆の極性のキャリア注入は起こりにくくなるた
め、有機化合物がダメージを受けにくくなり、素子寿命
がのびるという利点がある。また、前述のドーパントを
このような混合層に含有させることにより、混合層自体
のもつ発光波長特性を変化させることができ、発光波長
を長波長に移行させることができるとともに、発光強度
を高め、素子の安定性を向上させることもできる。

【００４７】混合層に用いられるホール注入輸送性化合
物および電子注入輸送性化合物は、各々、後述のホール
注入輸送性の化合物および電子注入輸送性の化合物の中
から選択すればよい。なかでも、ホール注入輸送性の化
合物としては、強い蛍光を持ったアミン誘導体、例えば
ホール輸送材料であるトリフェニルジアミン誘導体、さ
らにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミ
ン誘導体を用いるのが好ましい。

【００４８】電子注入輸送性の化合物としては、キノリ
ン誘導体、さらには８−キノリノールないしその誘導体
を配位子とする金属錯体、特にトリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム（Ａｌｑ3 ）を用いることが好まし
い。また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラ
アリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。

【００４９】ホール注入輸送性の化合物としては、強い
蛍光を持ったアミン誘導体、例えば上記のホール輸送材
料であるトリフェニルジアミン誘導体、さらにはスチリ
ルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を用
いるのが好ましい。

【００５０】この場合の混合比は、それぞれのキャリア
移動度とキャリア濃度によるが、一般的には、ホール注
入輸送性化合物の化合物／電子注入輸送機能を有する化
合物の重量比が、１／９９〜９９／１、さらに好ましく
は１０／９０〜９０／１０、特に好ましくは２０／８０
〜８０／２０程度となるようにすることが好ましい。

【００５１】また、混合層の厚さは、分子層一層に相当
する厚み以上で、有機化合物層の膜厚未満とすることが
好ましい。具体的には１〜８５nmとすることが好まし
く、さらには５〜６０nm、特には５〜５０nmとすること
が好ましい。

【００５２】また、混合層の形成方法としては、異なる
蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧（蒸
発温度）が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同
じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもでき
る。混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ま
しいが、場合によっては、化合物が島状に存在するもの
であってもよい。発光層は、一般的には、有機蛍光物質
を蒸着するか、あるいは、樹脂バインダー中に分散させ
てコーティングすることにより、発光層を所定の厚さに
形成する。

【００５３】ホール注入輸送層には、例えば、特開昭６
３−２９５６９５号公報、特開平２−１９１６９４号公
報、特開平３−７９２号公報、特開平５−２３４６８１
号公報、特開平５−２３９４５５号公報、特開平５−２
９９１７４号公報、特開平７−１２６２２５号公報、特
開平７−１２６２２６号公報、特開平８−１００１７２
号公報、ＥＰ０６５０９５５Ａ１等に記載されている各
種有機化合物を用いることができる。例えば、テトラア
リールベンジシン化合物（トリアリールジアミンないし
トリフェニルジアミン：ＴＰＤ）、芳香族三級アミン、
ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール
誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサ
ジアゾール誘導体、ポリチオフェン等である。これらの
化合物は、１種のみを用いても、２種以上を併用しても
よい。２種以上を併用するときは、別層にして積層した
り、混合したりすればよい。

【００５４】ホール注入輸送層をホール注入層とホール
輸送層とに分けて積層する場合は、ホール注入輸送層用
の化合物のなかから好ましい組合せを選択して用いるこ
とができる。このとき、ホール注入電極（ＩＴＯ等）側
からイオン化ポテンシャルの小さい化合物の順に積層す
ることが好ましい。また、ホール注入電極表面には薄膜
性の良好な化合物を用いることが好ましい。このような
積層順については、ホール注入輸送層を２層以上設ける
ときも同様である。このような積層順とすることによっ
て、駆動電圧が低下し、電流リークの発生やダークスポ
ットの発生・成長を防ぐことができる。また、素子化す
る場合、蒸着を用いているので１〜１０nm程度の薄い膜
も均一かつピンホールフリーとすることができるため、
ホール注入層にイオン化ポテンシャルが小さく、可視部
に吸収をもつような化合物を用いても、発光色の色調変
化や再吸収による効率の低下を防ぐことができる。ホー
ル注入輸送層は、発光層等と同様に上記の化合物を蒸着
することにより形成することができる。

【００５５】電子注入輸送層には、トリス（８−キノリ
ノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3 ）等の８−キノリノー
ルまたはその誘導体を配位子とする有機金属錯体などの
キノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘
導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリ
ン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオ
レン誘導体等を用いることができる。電子注入輸送層は
発光層を兼ねたものであってもよく、このような場合は
トリス（８−キノリノラト）アルミニウム等を使用する
ことが好ましい。電子注入輸送層の形成は、発光層と同
様に、蒸着等によればよい。

【００５６】電子注入輸送層を電子注入層と電子輸送層
とに分けて積層する場合には、電子注入輸送層用の化合
物の中から好ましい組み合わせを選択して用いることが
できる。このとき、電子注入電極側から電子親和力の値
の大きい化合物の順に積層することが好ましい。このよ
うな積層順については、電子注入輸送層を２層以上設け
るときも同様である。

【００５７】ホール注入輸送層、発光層および電子注入
輸送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから、
真空蒸着法を用いることが好ましい。真空蒸着法を用い
た場合、アモルファス状態または結晶粒径が０．２μm
以下の均質な薄膜が得られる。結晶粒径が０．２μm を
超えていると、不均一な発光となり、素子の駆動電圧を
高くしなければならなくなり、電荷の注入効率も著しく
低下する。

【００５８】真空蒸着の条件は特に限定されないが、１
０^-4Pa以下の真空度とし、蒸着速度は０．０１〜１nm／
sec 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続し
て各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形
成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げる
ため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低く
したり、ダークスポットの発生・成長を抑制したりする
ことができる。

【００５９】これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場
合において、１層に複数の化合物を含有させる場合、化
合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着する
ことが好ましい。

【００６０】本発明において、有機ＥＬ構造体を形成す
る基板としては、例えばガラス、石英等の非晶質基板、
例えばＳｉ、ＧａＡｓ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＧａＰ、Ｉ
ｎＰ等の結晶基板が挙げられ、また、これらの結晶基板
に結晶質、非晶質あるいは金属のバッファ層を形成した
基板も用いることができる。また、金属基板としては、
Ｍｏ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｐｄ等を用いることが
でき、好ましくはガラス基板が用いられる。基板は、通
常光取り出し側となるため、上記電極と同様な光透過性
を有することが好ましい。

【００６１】さらに、本発明素子を、平面上に多数並べ
てもよい。平面上に並べられたそれぞれの素子の発光色
を変えて、カラーのディスプレーにすることができる。

【００６２】基板に色フィルター膜や蛍光性物質を含む
色変換膜、あるいは誘電体反射膜を用いて発光色をコン
トロールしてもよい。

【００６３】色フィルター膜には、液晶ディスプレイ等
で用いられているカラーフィルターを用いれば良いが、
有機ＥＬ素子の発光する光に合わせてカラーフィルター
の特性を調整し、取り出し効率・色純度を最適化すれば
よい。

【００６４】また、ＥＬ素子材料や蛍光変換層が光吸収
するような短波長の外光をカットできるカラーフィルタ
ーを用いれば、素子の耐光性・表示のコントラストも向
上する。

【００６５】また、誘電体多層膜のような光学薄膜を用
いてカラーフィルターの代わりにしても良い。

【００６６】蛍光変換フィルター膜は、ＥＬ発光の光を
吸収し、蛍光変換膜中の蛍光体から光を放出させること
で、発光色の色変換を行うものであるが、組成として
は、バインダー、蛍光材料、光吸収材料の三つから形成
される。

【００６７】蛍光材料は、基本的には蛍光量子収率が高
いものを用いれば良く、ＥＬ発光波長域に吸収が強いこ
とが望ましい。実際には、レーザー色素などが適してお
り、ローダミン系化合物・ペリレン系化合物・シアニン
系化合物・フタロシアニン系化合物（サブフタロシアニ
ン等も含む）ナフタロイミド系化合物・縮合環炭化水素
系化合物・縮合複素環系化合物・スチリル系化合物・ク
マリン系化合物等を用いればよい。

【００６８】バインダーは、基本的に蛍光を消光しない
ような材料を選べば良く、フォトリソグラフィー・印刷
等で微細なパターニングが出来るようなものが好まし
い。また、基板上にホール注入電極と接する状態で形成
される場合、ホール注入電極（ＩＴＯ、ＩＺＯ）の成膜
時にダメージを受けないような材料が好ましい。

【００６９】光吸収材料は、蛍光材料の光吸収が足りな
い場合に用いるが、必要のない場合は用いなくても良
い。また、光吸収材料は、蛍光性材料の蛍光を消光しな
いような材料を選べば良い。

【００７０】本発明における有機ＥＬ素子は、通常、直
流駆動型、パルス駆動型のＥＬ素子として用いられる。
印加電圧は、通常、２〜３０V 程度とされる。

【００７１】

【実施例】実施例１単純マトリクス駆動の有機ＥＬディスプレイを製造した
例を以下に示す。まず、図９に示すように、ガラス基板
１上に第１の電極２として陽極となる透明導電膜のＩＴ
Ｏをスパッタ法で１００ｎｍ成膜した。ＩＴＯを採用し
たのは透明導電膜としての特性が他の材料より良好であ
るためであるが、ＺｎＯやＳｎＯ₂ など他の透明導電膜
であっても、例えば透過率や抵抗率が使用に際して問題
がなければ採用可能である。また、大面積に形成する場
合には、スパッタ法が均一性の面で優れているが、特に
ＩＴＯの成膜方法はこれに限定されるわけではない。Ｉ
ＴＯはフォトリソグラフィーによりレジストパターンを
形成後に不要部分をエッチング除去し、レジストを剥離
し、所望のＩＴＯ電極パターンになる。図９の一部拡大
図を図１０（Ａ）に、その断面Ａ−Ａ’矢視図を（Ｂ）
に示す。

【００７２】次に、図１１に示すように、第１の電極２
のＩＴＯ上に形成され、発光領域を決定する絶縁膜７を
成膜した。なお、図１１（Ａ）は平面図、（Ｂ）はその
断面Ａ−Ａ’矢視図である。ここで用いられる膜は絶縁
膜でありさえすればよい。例を挙げれば、ＳｉＯ₂ 、
ＳｉＮ_x 、ＳｉＯＮなどの無機物系の薄膜をスパッタや
真空蒸着で成膜する方法、ＳＯＧ（スピン・オン・グラ
ス）でＳｉＯ₂ を形成する手法、レジスト、ポリイミ
ド、アクリル樹脂などの樹脂膜を塗布する方法が使用可
能である。ただし、この膜の下にあるＩＴＯを露出させ
る必要があることからＩＴＯにダメージを与えずにパタ
ーニングが可能でなければならない。また、膜厚も制限
はないが、特に無機物系の薄膜を用いる場合は製造コス
トの面から薄い方が望ましい。

【００７３】ここではＳｉＯ₂ をＲＦスパッタ法で成膜
した。成膜条件は、酸素ガス圧０．８Pa、ＲＦパワー２
W／cm² で行った。

【００７４】さらに、図１２に示すように、連続して導
電層である画素要素接続部８のＴｉＮを１００ｎｍスパ
ッタ法で成膜した。なお、図１２（Ａ）は平面図、
（Ｂ）はその断面Ｂ−Ｂ’矢視図である。レジストをフ
ォトリソグラフィーで画素要素分割構造が形成される領
域のみに残し、アンモニアと過酸化水素水を１：１６の
比率で混合したアンモニア過水で露出したＴｉＮをエッ
チング除去し、レジストを剥離し、図１２（Ａ）に示す
ようなパターンを得た。図１２（Ａ）の拡大図を図１３
（Ａ）に、その断面Ａ−Ａ’矢視図を（Ｂ）に、断面Ｂ
−Ｂ’矢視図を（Ｃ）に示す。

【００７５】引き続き、基部９ａとしてＡｌを厚さ１μ
m 、オーバーハング部９ｂとしてＴｉＮを３００nm成膜
し、フォトレジストで、画素要素分割のためのパターン
と第２の電極を分離する機能を有するパターンを同時に
形成した。ドライエッチング法でＴｉＮをＣｌ₂ ：ＢＣ
ｌ₃ ＝１：１、ガス圧２００mTorr、ＲＦパワー１Ｗ／c
m² でエッチング除去し、さらに酸素ガス圧５００mTor
r、ＲＦパワー１Ｗ／cm² でレジストをアッシング除去
した。Ａｌのエッチング液であるリン酸：硝酸：酢酸＝
１：０．０３：０．１５の混合液を４５℃に加熱し、レ
ジストパターンに対し片側３〜５μm のアンダーカット
ができるように充分な時間エッチングし、レジストを剥
離した。この時、図１４に示すように、Ａｌのパターン
の上に大きくオーバーハングしたＴｉＮが形成された。
なお、図１４（Ａ）は平面図、（Ｂ）はその断面Ａ−
Ａ’矢視図、（Ｃ）はその断面Ｂ−Ｂ’矢視図である。
これより先にパターンを形成した１００nmのＴｉＮ
（８）上に形成されたＡｌ（１μm ）９ａ／ＴｉＮ（３
００nm）９ｂ部分は、画素要素を構造的に分割する機能
を有するが第２電極は電気的には分割せず、また、Ｓｉ
Ｏ₂ （７）上に形成されたＡl（１μm ）９ａ／ＴｉＮ
（３００nm）９ｂ部分は、第２の電極を構造的且つ電気
的に分離する機能を有するようになる。

【００７６】次いで、図１５に示すように、発光機能を
有する有機層と接するＩＴＯを露出させるためにやはり
フォトリソグラフィーでレジストパターンを形成し、ド
ライエッチング法で絶縁層７のＳｉＯ₂ をエッチング除
去した。なお、図１５（Ａ）は平面図、（Ｂ）はその断
面Ａ−Ａ’矢視図、（Ｃ）はその断面Ｂ−Ｂ’矢視図で
ある。ＣＦ₄ ：Ｏ₂ ＝４：１の混合比のガス、１００mT
orrのガス圧、ＲＦパワー１Ｗ／cm² の条件でエッチン
グは行った。その際、真空は破らずに引き続いて、酸素
ガス圧５００mTorr、ＲＦパワー１Ｗ／cm² でレジスト
をアッシング除去した。

【００７７】以上のように作製された、薄膜パターンに
発光層を含む有機層を真空蒸着法により成膜した。成膜
した材料は以下の通りである。ここでは一例のみを挙げ
るが、本発明はその概念から明らかなように、蒸着法で
形成可能であれば成膜材料によらずに適用できる。

【００７８】図１６、１７に示すように、有機層１１で
あるホール注入層およびホール輸送層として、下記の
Ｎ,Ｎ´−ビス（ｍ−メチルフェニル）−Ｎ,Ｎ´−ジフ
ェニル−１,１´−ビフェニル−４,４´−ジアミン（N,
N´-bis(m-methyl phenyl)-N,N´-diphenyl-1,1´-biph
enyl-4,4´-diamine以下ＴＰＤと略す）を、発光層兼電
子輸送層としてトリス（８−ヒドロキシキノリン）アル
ミニウム（tris (8-hydroxyquinoline)aluminium 以下
Ａｌｑ3と略す)を、さらに真空を破らずに第２の電極１
２として陰極を、引き続き成膜した。なお、図１６
（Ａ）は平面図、（Ｂ）はその断面Ａ−Ａ’矢視図、
（Ｃ）はその断面Ｂ−Ｂ’矢視図である。成膜方法とし
ては、ホール注入層およびホール輸送層１１は真空蒸着
法を、第２の電極１２は、有機層よりパターン被覆性の
良い方法であるＤＣスパッタ法を選択した。第２の電極
１２としてはＡl／Ｌｉ合金（Ｌｉ濃度：７at%）をガス
圧１Pa、パワー１Ｗ／cm² で膜厚５nmだけ成膜し、さら
に、配線電極としてＡlを０．３Pa、パワー１Ｗ／cm²
で膜厚２００nm積層した。スパッタ法は真空蒸着法と比
較して段差部分やひさしの影になっている部分への回り
込み性が良いため、Ａｌパターン（９ａ）上にオーバー
ハングしたＴｉＮ（９ｂ）の下に成膜した材料がある程
度回り込んで成膜される。成膜条件にもよるが、図１７
に示すように、約２μm オーバーハングの下にＡｌが回
り込んで成膜されたのが確認された。なお、図１７
（Ａ）は図１６（Ｂ）に、図１７（Ｂ）は図１６（Ｃ）
に対応している。

【００７９】本発明はその趣旨から明らかなようにこの
実施例で用いた有機ＥＬ素子構成膜及びその積層順序に
限るものではなく、ホール注入層、発光層、第２の電
極、配線電極に他の材料を用いてもよく、ホール注入
層、電子輸送層、電子注入層などをさらに形成し多層構
造としても良い。言い換えると成膜される材料の種類、
構造によらず適用できる。また、上記図示例では説明の
ため、画素ないし画素要素に比べ画素分離構造体の部分
を大きく示したが、実際には画素ないし画素要素がはる
かに大きくなる。

【００８０】これら回り込んだ第２の電極や配線電極
は、Ａｌ／ＴｉＮオーバーハング構造の下にさらにＴｉ
Ｎが先に形成されている場合には、このＴｉＮを介して
隣接する画素要素と第２の電極が電気的に接続される。
すなわち、画素要素が構造的には分割され、かつ、電気
的には第２の電極が接続された画素要素群となり、常に
実質的に同じ電圧が印加されることとなる。また、Ａｌ
／ＴｉＮオーバーハング構造の下にＳｉＯ₂ のみが形成
されている場合には、構造的にも、電気的にも分割され
るために独立して発光させることができる。すなわち、
隣り合う陰極ラインを分離するためにはＡｌ／ＴｉＮオ
ーバーハング構造の下に絶縁膜のみが形成されるように
フォトマスクのパターンを設計すればよい。以上のよう
にして、有機ＥＬ表示装置が作製された。

【００８１】この有機ＥＬ表示装置を製造する際に、何
らかの欠陥、例えばＩＴＯ上にゴミが乗っていたり、基
板ガラスにキズがあったりした場合にはその部分で第１
の電極と第２の電極間にリーク電流が流れ、表示異常が
発生する場合があった。この様な欠陥部分にレーザー光
を照射して第２の電極の一部分を除去したところ、表示
が正常になることが分かった。この様なレーザー修正し
た部分は、発光層を含む有機層と第２の電極の接してい
る部分が露出するため、長期にわたってディスプレイを
使用した場合には修正部分から非発光部が増大してい
き、発光領域が減少しやすい。しかし、本発明により画
素要素が分割されているために最大でも画素要素が非発
光になるのみであった。さらに、画素要素分割構造体と
して熱伝導率の高い金属を用いたため、レーザー照射に
より発生した熱を分散させることが可能となり、第２の
電極や有機層に熱が伝わって実際の修正部分より広い領
域にダメージを与える現象も抑えられることが分かっ
た。

【００８２】このように、不良画素を不良発生部の画素
要素のみの修正を行うことで、画素の他の画素要素に影
響を与えず正常点灯画素にすることが可能となった。ま
た、レーザー照射部分から若干の非発光領域の増大が見
られたが、隣接する画素要素まで非発光領域の増大が見
られることはなかった。

【００８３】実施例２以下に、画素要素分割構造体の下に画素要素接続のため
の導電体を形成しない例を示す。この例では図１８に示
すように画素要素を縞状に形成した。

【００８４】まず、実施例１と同様に、基板１上に第１
の電極２としてＩＴＯのパターンを形成し、絶縁膜７と
してプラズマＣＶＤ法で水素化窒化シリコンを２００nm
成膜した。このときの成膜条件は反応ガスとしてシラン
とアンモニアを用い、反応温度３００℃、ガス圧力２０
Pa、ＲＦ電力５００Ｗで、２nm／sec の成膜速度が得ら
れた。次に、基部９ａとしてＭｏを約８００nm、オーバ
ハング部９ｂとしてＳｉＯ₂ を２００nmスパッタ法で成
膜した。フォトリソグラフィーにより所望のレジストパ
ターンを形成した。

【００８５】次いで、図１９に示すように、ＳｉＯ₂
（９ｂ）を実施例１と同じ条件でドライエッチングした
後にＭｏ（９ａ）をリン酸：硝酸：水＝５：０．２：５
のエッチング液でエッチングした。なお、図１９は、図
１８の断面Ｄ−Ｄ’矢視図に対応している。アンダーカ
ットは１μm とした。エッチング条件を制御すること
で、ＳｉＯ₂ 下のＭｏのアンダーカットは１〜５μm に
することができる。

【００８６】発光機能を有する有機層と接するＩＴＯを
露出させるためにやはりフォトリソグラフィーでレジス
トパターンを形成し、ドライエッチング法で水素化窒化
シリコンをエッチング除去した。ＣＦ₄ ：Ｏ₂ ＝４：１
の混合比のガス、１００mTorrのガス圧、ＲＦパワー１
Ｗ／cm² の条件でエッチングは行った。その際、真空は
破らずに引き続いて、酸素ガス圧５００mTorr、ＲＦパ
ワー１Ｗ／cm² でレジストをアッシングし、完全に除去
した。

【００８７】さらに、陰極のラインを分離するための構
造体を形成した。すなわち、非感光性ポリイミドを塗布
し、１３０℃で１時間乾燥させ、２μm の絶縁膜とし
た。さらに、フォトリソグラフィーでレジストパターン
を形成した。十分に現像液に浸漬することでレジストパ
ターン端の下には２μm のアンダーカットが形成され
た。ポリイミドの乾燥条件や現像時間を制御することで
１〜５μm のアンダーカットを容易に形成することがで
きた。

【００８８】次いで、図２０に示すように、実施例１と
同様に、発光層を含む有機層１１、第２の電極１２、配
線電極（図示せず）を真空を破らずに連続成膜した。な
お、図２０は、図１８の断面Ｄ−Ｄ’矢視図に対応して
いる。配線電極は画素要素分割構造体のＭｏの部分まで
到達したため、互いに隣接する画素要素は構造的には分
割されているが、電気的には接続されている構造とする
ことができた。図２０の一部拡大図を図２１に示す。

【００８９】以上のように、実施例２においてもはやり
実施例１と同様の効果があることが確認された。

【００９０】上記実施例から明らかなように、画素分離
構造を有することにより、ダークスポットの進行、拡大
を最大でも画素要素内に抑えることが可能となったた
め、長時間輝度の変化が少なくなった。このため、長期
にわたって画面全体の発光ムラがない均質な表示が可能
となった。

【００９１】また、不良画素を不良発生部の画素要素の
みの修正を行うことで、画素の他の画素要素に影響を与
えず正常表示画素にすることが可能となったために歩留
まりが大きく向上し、また、ディスプレイのコストが下
がった。さらに、修正を行った部分から水分が浸透して
表示領域が減少する現象も１画素要素内で留まったた
め、表示品質が長期にわたって変化しにくくなった。ま
た、上記図示例では説明のため、画素ないし画素要素に
比べ画素分離構造体の部分を大きく示したが、実際には
画素ないし画素要素がはるかに大きくなる。また、画素
分離構造体も、相対的に高さの低いものとなる。

【００９２】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、液晶ディ
スプレイの製造で用いられるレーザーリペア法を有機Ｅ
Ｌ表示装置に適用可能にし、ダークスポットの進行を食
い止めるとともに、長期的な信頼性も確保する有機ＥＬ
表示装置の構造と、製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の有機ＥＬ表示装置の第１の構成例を示
した画素部分の部分断面図である。

【図２】本発明の有機ＥＬ表示装置の第２の構成例を示
した画素部分の部分断面図である。

【図３】本発明の有機ＥＬ表示装置の第３の構成例を示
した画素部分の部分断面図である。

【図４】本発明の有機ＥＬ表示装置の第４の構成例を示
した画素部分の部分断面図である。

【図５】図１の構成にさらに有機層と第２の電極を成膜
し、画素要素間を電気的に接続させた状態を示した部分
断面図である。

【図６】図２の構成にさらに有機層と第２の電極を成膜
し、画素要素間を電気的に接続させた状態を示した部分
断面図である。

【図７】図３の構成にさらに有機層と第２の電極を成膜
し、画素要素間を電気的に接続させた状態を示した部分
断面図である。

【図８】図４の構成にさらに有機層と第２の電極を成膜
し、画素要素間を電気的に接続させた状態を示した部分
断面図である。

【図９】本発明の実施例１の一製造工程を示す平面図で
ある。

【図１０】本発明の実施例１の一製造工程を示した図で
あって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はその断面Ａ−Ａ’矢
視図である。

【図１１】本発明の実施例１の一製造工程を示した図で
あって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はその断面Ａ−Ａ’矢
視図である。

【図１２】本発明の実施例１の一製造工程を示した図で
あって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はその断面Ｂ−Ｂ’矢
視図である。

【図１３】本発明の実施例１の一製造工程を示した図で
あって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はその断面Ａ−Ａ’矢
視図、（Ｃ）はその断面Ｂ−Ｂ’矢視図である。

【図１４】本発明の実施例１の一製造工程を示した図で
あって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はその断面Ａ−Ａ’矢
視図、（Ｃ）はその断面Ｂ−Ｂ’矢視図である。

【図１５】本発明の実施例１の一製造工程を示した図で
あって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はその断面Ａ−Ａ’矢
視図、（Ｃ）はその断面Ｂ−Ｂ’矢視図である。

【図１６】本発明の実施例１の一製造工程を示した図で
あって、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はその断面Ａ−Ａ’矢
視図、（Ｃ）はその断面Ｂ−Ｂ’矢視図である。

【図１７】本発明の実施例１の一製造工程を示した図で
あって、（Ａ）は図１６（Ａ）の断面Ａ−Ａ’矢視図に
対応する断面図、（Ｃ）は図１６（Ａ）の断面Ｂ−Ｂ’
矢視図に対応する断面図である。

【図１８】本発明の実施例２の一製造工程を示す平面図
である。

【図１９】本発明の実施例２の一製造工程を示す図であ
って、図１８の断面Ｄ−Ｄ’矢視図に対応した断面図で
ある。

【図２０】本発明の実施例２の一製造工程を示す図であ
って、図１８の断面Ｄ−Ｄ’矢視図に対応した断面図で
ある。

【図２１】本発明の実施例２の一製造工程を示す図であ
って、図２０の一部拡大図である。

【図２２】従来の有機ＥＬ表示装置の成膜領域に、ゴミ
が付着した状態を示した断面図である。

【図２３】図２２のゴミをレーザーリペア法により除去
した様子を示した断面図である。

【符号の簡単な説明】

１基板２第１の電極３有機層４第２の電極５ゴミ７絶縁層８画素接続部９画素分割構造体９ａ基部９ｂオーバーハング部１１有機層１２第２の電極

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも第１の電極と、発光機能に関
与する１種または２種以上の有機層と、第２の電極とを
有し、かつ電気的に独立に発光させることが可能な有機
ＥＬ素子構造を複数有し、前記有機ＥＬ素子構造を有する画素が画素分割構造体に
より複数の画素要素に分割されており、かつ、それぞれ
の分割された画素要素の第２の電極が隣り合う画素要素
の第２の電極と電気的に導通していることを特徴とする
有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】前記画素分割構造体は、その少なくとも
一部が導電体により形成されている請求項１の有機ＥＬ
表示装置。
【請求項３】前記画素分離構造体は、基板側に形成さ
れた基部とこの基部よりも幅の広いオーバーハング部と
を有する立体的構造物である請求項１または２の有機Ｅ
Ｌ表示装置。
【請求項４】請求項１〜３の有機ＥＬ表示装置を製造
する方法であって、絶縁性基板上に、第１の電極を形成
する工程と、絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜の上
に１つの画素を複数の画素要素に分割する画素分離構造
体を形成する工程とを含むことを特徴とする有機ＥＬ表
示装置の製造方法