JP2005276600A - 有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法 - Google Patents

有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】表示性能の優れた有機ＥＬ表示装置を効率的に製造する。
【解決手段】第１電極２３０と第２電極２５０との間に有機発光層２４０を有する有機ＥＬ表示装置のいずれかの画素が点灯しない場合、その画素の有機発光層２４０を第１電極層の側から観察する。その結果、その画素の有機発光層２４０に異物３００が含まれていたら、第２電極２５０を、異物３００との接触領域２５０ａと、その領域２５０ａ及び異物３００１の双方に接触していない領域２５０ｂとに分離する。
【選択図】 図３

Description

本発明は、有機エレクトロ・ルミネセンス(ＥＬ)表示装置の製造技術に係り、特に、表示性能の優れた有機ＥＬ表示装置を効率的に製造することができる、有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
有機ＥＬ素子の有機発光層に異物が含まれていると、その有機発光層を挟む電極(金属電極、透明電極)間の短絡等により、欠陥画素(発光不良画素、発光しない画素等)が発生することがある。このような欠陥画素を修正する技術として、特許文献１,２記載の技術が知られている。
特許文献１記載の技術によれば、欠陥画素に対応する金属電極から、短絡等の発生領域がレーザで除去される。これにより、部分的に除去された金属電極と透明電極との間の有機発光層が良好に発光可能となるため、欠陥画素が修復される。
一方、特許文献２記載の技術によれば、各画素が複数の画素要素に分割されており、欠陥画素を構成する画素要素のうち、短絡の発生箇所を含む画素要素の金属電極のみがレーザで除去される。これにより、短絡箇所を含む画素要素以外の画素要素に影響を与えずに欠陥画素を修復することができる。
特開２００１−１１８６８４号公報
特開２０００−１９５６７７号公報
ところが、特許文献２記載の技術においては、薄膜パターンで、すべての画素をそれぞれ複数の画素要素に分離しておく必要がある。そのための工程が必要となるため、有機ＥＬ表示素子の製造工程が複雑化する。
一方、特許文献１記載の技術によれば、異物に直接レーザが照射されるため、異物がアブレーションを起こし、有機発光層が汚染される可能性がある。このような汚染は、有機ＥＬ表示素子の表示性能(例えば、輝度等の光学特性、素子寿命)の低下原因となり得る。
そこで、本発明は、表示性能の優れた有機ＥＬ表示装置を効率的に製造することができる、映像表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様によれば、
有機膜と、前記有機膜を挟んで対向する、前記有機膜を発光させるための第１及び第２の電極層と、を有し、前記有機層からの光が前記第１の電極層を通過する有機エレクトロルミネセンス表示装置を製造する、有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法であって、
前記有機膜が発光するか否かを検査し、前記有機膜が発光しなければ、当該有機膜内の異物を前記第１の電極層の側から検出する処理と、
前記異物が検出された場合に、前記第１の電極層及び前記有機膜を通過可能なレーザ光を、前記第１の電極層側から、前記異物を含まない光路を介して前記第２の電極層に照射し、前記異物の周りを囲む帯状の領域を前記第２の電極層から除去する処理と、
を有することを特徴とする、有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法が提供される。
本発明によれば、表示性能の優れた有機ＥＬ表示装置を効率的に製造することができる。
以下、添付の図面を参照しながら、本発明に係る実施の一形態について説明する。
最初に、ボトムエミッション型有機ＥＬ表示装置を製造対象とする場合を例に挙げて、本実施の形態に係る、有機ＥＬ表示装置の製造工程について説明する。
図１は、本実施の形態に係る、有機ＥＬ表示装置の製造工程の概略フローチャートであり、図２は、この製造工程により作製された有機ＥＬ装置の平面図(ａ)及びそのＡ−Ａ断面図(ｂ)である。
まず、ガラス基板２１０の一方の面(以下、裏面と呼ぶ)２１０ａ内にマトリクス状に定められた複数の画素領域２００に、それぞれ、画素を駆動するための駆動回路層２２０が形成され(Ｓ１００)、各駆動回路層２２０上に、それぞれ、可視光領域において光学的に透明な第１電極２３０が成膜される(Ｓ１１０)。つぎに、各第１電極２３０上にそれぞれ有機ＥＬ薄膜２４０が成膜され(Ｓ１２０)、各有機ＥＬ薄膜２４０上に、それぞれ、可視光領域において不透明な金属膜が、第２電極２５０として成膜される(Ｓ１３０)。
このように形成された各積層膜２７０において、第１及び第２の電極２３０,２５０間に直流電流が流されると、それら電極２３０,２５０に挟まれた有機ＥＬ薄膜２４０が発光する。その光Ｌは、ガラス基板２１０の他方の面(以下、表面と呼ぶ)２１０ｂ側から取り出される。ところが、このような通電を大気中で行うと、大気中の水分及び汚染物質が積層膜２７０に侵入して、積層膜２７０の発光特性が徐々に劣化する。そこで、積層膜２７０を大気から隔離するために、積層膜２７０が設けられた、ガラス基板２００の裏面２１０ａ側が、大気から隔離された環境下で、例えば封止缶等の封止材２６０により封止される(Ｓ１４０)。これにより、有機ＥＬ表示パネルが完成する。
その後、予め定めた検査環境下において、予め定めた距離からの正面視によって、有機ＥＬ表示パネルの点灯検査が行われる(Ｓ１５０)。
この点灯試験の結果、すべての画素２００が点灯すれば(Ｓ１５５)、その有機ＥＬ表示パネルは、良品と認定され(Ｓ１９５)、性能試験等の他の試験工程に送られる。
一方、点灯試験の結果、図７(ａ)に示すように、複数の画素２００のうちいずれかの画素(２００Ａとする)が点灯しなければ、すなわち画素欠陥が見つかれば(Ｓ１５５)、有機ＥＬ表示パネルの内部がガラス基板２１０側から光学顕微鏡で観察され、非点灯画素の抽出が行われる(Ｓ１６０)。その結果、点灯しなかった画素２００Ａの有機ＥＬ薄膜２４０内に、画素欠陥の原因となっている異物３００が含まれている場合には、その画素２００Ａは、レーザ光による修復が可能であると判定され、それ以外の場合には、その画素２００Ａは、レーザ光による修復が不可能であると判定される(Ｓ１７０)。
このようにして、修復可能な画素の数及び修復不可能な画素の数がカウントされ、その結果、修復不可能な画素の数が、製品の要求仕様によって定められた数Ｎ以上であれば、その有機ＥＬ表示パネルは、レーザによる画素修復が実施されずに除外される(Ｓ１９９)。その反対に、修復不可能な画素の数がＮ未満であれば、その有機ＥＬ表示パネルに対しては、レーザ光による画素修復が実施される。例えば、有機ＥＬ表示パネル全体で許容される欠陥数Ｎが４である場合には、修復不可能な画素の数が４以上であれば、その有機ＥＬ表示パネルは除外され、修復不可能な画素の数が４未満であれば、その有機ＥＬ表示パネルは、レーザによる画素修復を受ける。
レーザによる画素修復は、以下のように行われる。
まず、修復可能な画素内の異物の検出が行われる(Ｓ１８０)。本実施の形態においては、画素内の異物の位置を精度よく検出するために、画素を撮影したカメラの出力画像をデジタル化し、そのデジタル化画像を画像処理することによって、画素内の異物の位置を検出する画像処理システムを併用している。
つぎに、ガラス基板２１０、駆動回路層２２０及び第１電極２３０に対して光学的に透明な波長のレーザ光Ｍが、異物３００の直径ｄよりも長い方形にスリットで整形された後、ガラス基板２１０の表面２１０ｂに照射される(Ｓ１８５)。
このとき、レーザ光Ｍは、図５(１)に示すように、ガラス基板２１０の表面２１０ｂ側から観察される異物３００の輪郭位置から適当な間隔離れた位置の領域ｍ１に向けて照射される。例えば異物３００の直径ｄが約５μｍである場合には、長さ約２０μｍ×幅約５μｍに整形されたレーザ光Ｍが、一辺約１０μｍの矩形(ガラス基板２１０の表面２１０ｂ側から観察される異物３００を、その輪郭に接触しないで囲むように、ガラス基板２１０の表面２１０ｂに定められた仮想の矩形)３１０Ａの外側であって、その矩形の一辺の両端をレーザ光Ｍの幅に応じた距離だけ延長した線分を一辺とする方形領域ｍ１に向けて照射される。なお、ここで用いるレーザ光Ｍは、有機ＥＬ薄膜２４０を通り、かつ、より大きなエネルギーを切断対象(第２電極)に吸収させることができるように、有機ＥＬ薄膜２４０の形成材料に対して透過率が高い波長を有していることが好ましい。このことについては後述する。
さて、ガラス基板２１０のガラス基板２１０の表面２１０ｂから照射されたレーザ光Ｍは、異物３００を含まない光路を通って、ガラス基板２１０、駆動回路層２２０、第１電極２３０及び有機ＥＬ薄膜２４０を透過し、第２電極２５０に到達する。その結果、第２電極２５０のレーザ照射領域が、瞬間的に加熱され、いわゆるアブレーション現象によって除去される。
その後、図３に示すように、異物３００に接触している領域(第１電極２３０との間が異物３００で短絡されている領域)２５０ａを第２電極２５０から完全に分離するために、同様な方形のレーザ光Ｍが、異物３００には照射されないように、ガラス基板２１０の表面２１０ｂ側から複数回照射される。具体的には、図５(１)〜(４)に示すように、複数のレーザ照射領域ｍ１〜ｍ４が、異物３００と第２電極２５０との接触点を完全にとり囲む、閉じた図形の輪郭を構成するように、方形のレーザ光Ｍが、仮想の矩形３１０Ａの外側であって、その矩形３１０Ａの残りの各辺に接する方形領域ｍ２〜ｍ４に向けて順次照射される。
これにより、図３に示したように、異物３００を枠状にとり囲んだ、一辺約２０μｍの矩形(外形)の輪郭に沿った帯状領域３１０が第２電極２５０から除去され、その結果、異物３００と非接触の領域(第１電極２３０と短絡されていない領域)２５０ｂから、その領域２５０ｂよりも狭い、異物３００との接触領域２５０ａが島状に完全に分離される。このように、異物３００との接触領域２５０ａが分離されれば、第１電極２３０と短絡していない残りの領域２５０ｂと第１電極２３０との通電によって、有機ＥＬ薄膜２４０の、異物３００の存在領域以外の領域(すなわち、第１電極２３０と短絡していない領域２５０ｂと第１電極２３０とに挟まれた領域)を発光させることができるため、図７(ｂ)に示すように画素２００Ａを点灯させることができる。すなわち、画素欠陥を修復することができるため、製品の歩留まりを向上させることができる。
その後、再度、予め定めた検査環境下において、予め定めた距離からの正面視によって有機ＥＬ表示装置の点灯検査が行われ(Ｓ１９０)、最終的に、すべての画素２００が点灯したと判断されるまで(Ｓ１７７)、Ｓ１７５〜Ｓ１９０の処理が繰り返し実行される。このようにして、修復可能な画素がすべて点灯した時点で、その有機ＥＬ表示パネルは良品と認定される(Ｓ１９５)。この有機ＥＬ表示パネルに対しては、最初の点灯検査(Ｓ１５０)の結果良品と認定された有機ＥＬ表示パネルと同様、性能試験等の他の試験が行われる。
以上の製造処理によれば、(１)有機ＥＬ薄膜２４０内に異物３００が存在していた場合に、異物３００を完全にとり囲む帯状領域３１０のみを第２電極２５０から除去することによって、異物３００と接触している島状の領域２５０ａと、異物３００と接触していない領域(修復された画素の第２電極として機能する領域)２５０ｂとを完全に分離するため、全画素が薄膜パターンで複数の画素要素に分割されていなくても、点灯しない画素に対する対処のみでその画素を修復することができる。このため、有機ＥＬ表示素子の製造工程の複雑化を招かない。また、(２)図３に示したように、レーザ光Ｍは、異物３００を避けて、異物３００の周辺領域３２０のみを通過して第２電極２５０に到達するため、異物３００に吸収されずに第２電極２５０をスムーズに切断することができる。さらに、(３)有機ＥＬ薄膜２４０内の異物３００にはレーザ光Ｍが照射されないため、異物３００の飛散による、有機ＥＬ薄膜２４０の汚染を防止することができる。
したがって、本実施の形態に係る、有機ＥＬ表示装置の製造工程によれば、表示性能の優れた有機ＥＬ表示装置を効率的に製造することができる。
以上においては、画素欠陥の原因となる異物として、第１電極２３０及び第２電極２５０の双方に接触している異物３００を一例に挙げているが、実際には、このような状態以外の状態にある異物が、第１電極２３０と第２電極２５０との間に電流リークパスが形成される原因になることもある。第１電極２３０と第２電極２５０との間に電流リークパスを形成し得る異物の状態例を図４(ａ)〜(ｄ)に示す。
図４(ａ)に、第１電極２３０及び第２電極２５０のいずれか一方に接触した導電性異物３００Ａ、図４(ｂ)に、第１電極２３０及び第２電極２５０のいずれかにも接触していない導電性異物３００Ｂを示す。このような異物３００Ａ,３００Ｂが有機ＥＬ薄膜２４０に含まれると、その異物３００Ａ,３００Ｂの位置において、第１電極２３０と第２電極２５０との間隔が実効的に狭くなる。このため、両電極２３０,２５０の間に電圧を印可した場合、異物３００Ａ,３００Ｂの位置に電流リークパスが形成される可能性がある。
図４(ｃ)に、異物３００Ｃの存在によって有機ＥＬ薄膜２４０の膜厚が局所的に薄くなった場合を示す。この場合には、有機ＥＬ薄膜２４０の膜厚が薄くなった部分において、第１電極２３０と第２電極２５０との間隔が狭くなる。このため、異物３００Ｃの導電性の有無によらず、異物３００Ｃの位置に電流リークパスが形成される可能性がある。
図４(ｄ)に、異物３００Ｄの存在によって有機ＥＬ薄膜２４０に欠陥が形成された場合を示す。この場合には、有機ＥＬ薄膜２４０の欠陥部分において、第１電極２３０と第２電極２５０とが短絡する。このため、異物３００Ｄの導電性の有無によらず、異物３００Ｃの位置に電流リークパスが形成される。
ここで具体例として挙げた異物３００Ａ〜３００Ｄについても、本実施の形態に係る、レーザによる画素修復は有効である。すなわち、ガラス基板２１０の表面２１０ｂ側から観察される異物３００３００Ａ〜３００Ｄの外形を囲む帯状領域にレーザ光を照射することによって、第２電極２５０を、異物３００Ａ〜３００Ｄの外形(第２電極の面内方向への、異物の断面)よりも広い島状の領域と、その他の領域(修復された画素の第２電極として機能する領域)とに分離することによって、第１電極２３０と第２電極２５０との間に電流リークパスが形成されるのを防止することができる。
以上述べた効果のうち、(２)(３)を確認するため、以下の３種類のサンプルを用いた比較実験を行った。
(ａ)サンプル１
正常に点灯している有機ＥＬ表示素子
(ｂ)サンプル２
本実施の形態に係る製造工程で作成された有機ＥＬ表示素子。ただし、製造工程において、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ等を含有するステンレス系異物(直径約１０μｍ)による画素欠陥が修正されたもの。
(ｃ)サンプル３
サンプル２と同様な異物が有機ＥＬ薄膜に存在していたため、その異物領域に直接レーザ光を照射することによって画素欠陥が修正された有機ＥＬ表示素子
これらのサンプル１〜３に対して、初期輝度１０００ｃｄ／ｍ２となるように設定した直流電流の連続通電試験を行い、その間の輝度変化を測定した。その結果を図８に示す。
サンプル２の輝度は、サンプル１の輝度とほぼ同程度の速度でゆるやかに低下していくのに対して、サンプル３の輝度は、レーザ照射された異物が汚染源となって、通電開始直後から急激に低下していくことが分かった。また、サンプル３は、輝度の半減時間も、サンプル１,２と比較して著しく短いことが判った。
また、サンプル２の画素欠陥の修正処理においては、１回のレーザ照射で第２電極のレーザ照射領域をスムーズに除去することができたのに対して、サンプル３の画素欠陥の修正処理においては、ステンレス系の異物によってレーザ光が吸収されて、レーザ光を１回照射するだけでは第２電極のレーザ照射領域が完全に除去されなかったため、同領域に３回に渡りレーザ光を照射する必要があった。
以上の結果から、本実施の形態に係る製造工程によれば、製品となる有機ＥＬ表示装置に関する上述の効果が得られることが確認された。
なお、本実施の形態においては、異物３００を囲む矩形の帯状領域３１０を第２電極２５０から除去しているが、第２電極の除去領域は、異物を囲み、かつ、レーザ加工が容易な形状であれば、どのような形状であってもよい。例えば、第２電極の除去領域は、矩形以外の多角形の輪郭に沿った帯状領域、環状の領域(図６(ｂ)参照)、異物３００の外形に沿った形状の帯状領域(図６(ｃ)参照)であってもよい。
また、本実施の形態においては、方形に整形されたレーザ光Ｍを複数回照射しているが、レーザ光Ｍは、異物３００との接触領域２５０ａを第２電極２５０から分離することができれば、どのようにガラス基板２１０の表面２１０ｂに照射されてもよい。例えば、図６(ａ)に示すように、スリット等の光学系によって、異物３００の大きさに応じたサイズの矩形の枠状に整形されたレーザ光Ｍ１を、ガラス基板２１０の表面２１０ｂに１回照射することによって、異物３００を囲んだ矩形の枠状領域３１０を第２電極２５０から一度に除去するようにしてもよい。また、図６(ｂ)に示すように、スリット等の光学系によって、異物３００の大きさに応じた径の環状に整形されたレーザ光Ｍ１を、ガラス基板２１０の表面２１０ｂに１回だけ照射するようにしてもよい。また、図６(ｃ)に示すように、ガラス基板２１０の表面２１０ｂ内でレーザのスポット光を異物３００の輪郭にそって走査させることによって、異物３００の外形に沿った形状の帯状領域３１０Ａを第２電極２５０から除去するようにしてもよい。
ところで、上記製造工程の製造条件は、完成品である有機ＥＬ表示装置の品質に影響を与える。以下、好ましい製造条件について説明する。
第１に、第２電極の除去領域３１０の形状及びサイズについて説明する。
第２電極の除去領域３１０及びそれに囲まれた領域は、有機ＥＬ薄膜２４０の非発光領域となるため、第２電極の除去領域３１０のサイズは、ユーザの視覚に影響を与える。そこで、その影響を確認するため、予め定めた検査環境下において、予め定めた距離からの正面視によって、第２電極の除去領域３１０の形状及びサイズが互いに異なる修復後の画素の点灯試験を行った。
その結果、例えば、第２電極の除去領域３１０が約５０μｍ×約５０μｍの矩形の枠状であった場合(第２電極の除去領域３１０及びそれに囲まれる領域の面積、すなわち非発光領域の面積は約２５００μｍ２)には、ユーザに、肉眼での違和感を与えなかったが、第２電極の除去領域３１０が、それ以上の大きさの矩形の枠状、例えば８０μｍ×８０μｍの矩形の枠状であった場合(非発光領域の面積は約６４００μｍ２)には、ユーザは、肉眼で、非発光領域を黒点として認識することができた。
また、第２電極の除去領域３１０が外径約６０μｍの環状であった場合(非発光領域の面積は約２８２７μｍ２)には、ユーザに、肉眼での違和感を与えなかったが、第２電極の除去領域３１０が外径約８０μｍの環状であった場合(非発光領域の面積５０２６μｍ２)には、ユーザは、肉眼で、非発光領域を黒点として認識することができた。
これらのことから、第２電極の除去領域３１０のサイズがユーザの視覚に影響を与えることが確認され、実際の製品として出荷可能とするには、非発光領域の面積が２５００μｍ2以下となるように第２電極の除去領域３１０の形状及びサイズを定めることが好ましいことが確認された。
第２に、画素修復に用いるレーザ光Ｍの波長が与える影響について説明する。
上述したように、画素修復に用いるレーザ光Ｍは、有機ＥＬ薄膜２４０の形成材料に対して透過率が高い波長を有していることが好ましい。その理由は、レーザ光Ｍは、ガラス基板２１０側から照射され、駆動回路層２２０、第１電極２３０及び有機ＥＬ薄膜２４０を透過して切断対象(第２電極２５０)に到達するため、有機ＥＬ薄膜２４０で大きく吸収されてしまうと、第２電極２５０に到達しないばかりか、有機ＥＬ薄膜２４０が熱で溶融したり、基板の面内方向にも熱が拡散して、所望の加工形状が得られない可能性があるためである。
そこで、有機ＥＬ薄膜２４０の形成材料とレーザ光Ｍの波長との関係を確認するため、互いに吸収特性が異なる有機ＥＬ薄膜を準備し、互いに波長の異なるレーザ光によって、それらの有機ＥＬ薄膜に接触した第２電極の切断加工を行った。
ここでは、図９の吸収スペクトルを示す３種類の発光材料(青色発光材料、緑色発光材料、赤色発光材料)で形成された有機ＥＬ薄膜を有する画素の第２電極を、Ｎｄ：ＹＡＧレーザから得られる３種類のレーザ光(波長３５５ｎｍの紫外線、波長５３２ｎｍの可視光(緑)、波長１０６４ｎｍの近赤外線)の切断対象とした。図中に示した吸収率は、有機ＥＬ薄膜の膜厚と、この有機ＥＬ薄膜の各波長における吸収係数との積である。
図９(ａ)に示すように、青色発光材料については、上記３種類のレーザ光の吸収率がいずれも０.１以下の値を示す。また、図９(ｂ)に示すように、緑色発光材料については、上記３種類のレーザ光のうち、波長５３２ｎｍ及び波長１０６４ｎｍのレーザ光の吸収率が０.１以下の値を示すが、波長３５５ｎｍのレーザ光の吸収率は約０.２５である。さらに、図９(ｃ)に示すように、赤色発光材料については、上記３種類のレーザ光のうち、波長１０６４ｎｍのレーザ光の吸収率が０．１以下の値を示すが、波長３５５ｎｍのレーザ光及び波長５３２ｎｍのレーザ光の吸収率はそれぞれ約０.５及び約０.４である。
各第２電極の切断部を光学顕微鏡で観察した結果、各発光材料について、以下のことが確認された。
緑色発光材料の有機ＥＬ薄膜を有する画素については、図１０(ｂ)に示すように、緑色発光材料への吸収率が０.１以下を示す波長５３２ｎｍのレーザ光の照射で第２電極が良好に切断されており、有機ＥＬ薄膜にも溶融が殆ど生じていなかった。緑色発光材料への吸収率が０.１以下を示す波長１０６４ｎｍのレーザ光の照射でも同様な結果が得られた。これに対して、図１０(ａ)に示すように、緑色発光材料への吸収率が約０.２５を示す波長３５５ｎｍのレーザ光の照射では、第２電極を完全には切断することができなかった。
また、赤色発光材料の有機ＥＬ薄膜を有する画素については、赤色発光材料への吸収率が０.１以下を示す波長１０６４ｎｍのレーザ光の照射で第２電極が良好に切断されており、有機ＥＬ薄膜にも溶融が殆ど生じていなかった。これに対して、赤色発光材料への吸収率が約０.５を示す波長３５５ｎｍのレーザ光及び赤色発光材料への吸収率が約０.４を示す波長５３２ｎｍのレーザ光の照射では第２電極を完全には切断することができなかった。
また、青色発光材料の有機ＥＬ薄膜を有する画素については、青色発光材料への吸収率が０.１以下を示す、波長３５５ｎｍ、波長５３２ｎｍ及び波長１０６４ｎｍの各レーザ光の照射で第２電極が良好に切断されており、有機ＥＬ薄膜にも溶融が殆ど生じていなかった。
これらのことから、有機ＥＬ薄膜の形成材料への吸収率が０.１以下の値を示す波長のレーザ光であれば、有機ＥＬ薄膜への吸収が起こりにくいため、第２電極を所望の形状に効率的に切断できることが分かる。すなわち、画素修復に用いるレーザ光の波長を、有機ＥＬ薄膜の形成材料に応じて選択すれば、有機ＥＬ薄膜を溶融させずに第２電極を良好かつ効率的に切断できることが確認された。
なお、波長３５５ｎｍ、波長５３２ｎｍ及び波長１０６４ｎｍのうち、最も長波長(１０６４ｎｍ)のレーザ光は、各発光材料に対して良好な加工結果を与えているため、上記３種類の発光材料で形成された有機ＥＬ薄膜を有する画素の修復については、波長１０６４ｎｍのレーザ光を一律に用いることにしてもよい。また、短い波長のレーザ光ほど、ビーム形状をより細く絞ることができるので、異物が比較的大きい場合等には、修復後の画素の非点灯領域を縮小するために、最も短い波長のレーザ光を、良好な加工結果を与える波長のレーザ光のなかから選択するようにしてもよい。
本発明の実施形態に係る、有機ＥＬ表示装置の製造工程のフローチャートである。 (ａ)は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の平面図であり、(ｂ)は、そのＡ−Ａ断面図である。 (ａ)は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置内の積層膜の平面図であり、(ｂ)は、そのＢ−Ｂ断面図である。 有機ＥＬ表示装置内の、異物を含む積層膜の断面図である。 本発明の実施形態に係る画素修復処理における、ガラス基板へのレーザ光の照射方法を説明するための図である。 本発明の実施形態に係る画素修復処理において使用可能なレーザ光の照射領域の形状例を示した図である。 修復前後の画素の光学顕微鏡写真像を示した図である。 本発明の実施形態に係る修復後の画素及び比較対象画素のそれぞれについて、輝度と通電時間との関係を示したグラフである。 有機ＥＬ薄膜の形成材料の吸収スペクトルを示した図である。 画素修復に用いたレーザ光の波長の違いによる有機ＥＬ薄膜の加工特性の違いを示した光学顕微鏡写真を比較する図である。
符号の説明
２１０…ガラス基板、２２０…駆動回路層、２３０…第１電極、２４０…有機ＥＬ薄膜、２５０…第２電極、２５０ａ…第２電極から分離された、異物との接触領域(除去領域の内側領域)、２５０ｂ…異物との接触領域２５０ａが切り離されて、第２電極として機能する領域(除去領域の外側領域)、２６０…封止材、３００…異物、３１０…第２電極の除去領域

Claims (6)

  1. 有機膜と、前記有機膜を挟んで対向する、前記有機膜を発光させるための第１及び第２の電極層と、を有し、前記有機層からの光が前記第１の電極層を通過する有機エレクトロルミネセンス表示装置を製造する、有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法であって、
    前記有機膜が発光するか否かを検査し、前記有機膜が発光しなければ、当該有機膜内の異物を前記第１の電極層の側から検出する処理と、
    前記異物が検出された場合に、前記第１の電極層及び前記有機膜を通過可能なレーザ光を、前記第１の電極層側から、前記異物を含まない光路を介して前記第２の電極層に照射し、前記異物の周りを囲む帯状の領域を前記第２の電極層から除去する処理と、
    を有することを特徴とする、有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
  2. 有機膜と、前記有機膜を挟んで対向する、前記有機膜を発光させるための第１及び第２の電極層と、を有し、前記有機層からの光が前記第１の電極層を通過する有機エレクトロルミネセンス表示装置を製造する、有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法であって、
    前記有機膜が発光するか否かを検査し、前記有機膜が発光しなければ、当該有機膜内の異物を、前記第１の電極層の側から検出する処理と、
    前記異物が検出された場合に、前記第１の電極層及び前記有機膜を通過可能なレーザ光を、前記有機膜内において前記異物の外側を通過する経路で、前記第１の電極層側から前記第２の電極層に照射し、前記異物の周りを囲む帯状の領域を前記第２の電極層から切断し、前記第２の電極層から、前記異物の、当該第２電極層の面内方向への断面よりも広い第１領域を切り離す処理と、
    を有することを特徴とする、有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
  3. 有機膜からの光が通過可能な第１の電極層と第２の電極層との間に、当該第１及び第２の電極層間の通電により発光する前記有機膜を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置を製造する、有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法であって、
    前記第２の電極層に接触している異物を、前記第１の電極層の側から検出する処理と、
    前記異物が検出された場合には、前記第２の電極層を、前記異物と接触している第１領域と、前記異物及び前記第１領域に接触していない第２領域とに分離する処理と、
    を有することを特徴とする、有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
  4. 有機膜と、前記有機膜を挟んで対向する、前記有機膜を発光させるための第１及び第２の電極層と、を有し、前記有機層からの光が前記第１の電極層を通過する有機エレクトロルミネセンス表示装置を製造する、有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法であって、
    前記第２の電極層に接触している異物を、前記第１の電極層の側から検出する処理と、
    前記異物が検出された場合には、前記第１の電極層及び前記有機膜を通過可能なレーザ光を、前記有機膜内において前記異物の外側を通過する経路で、前記第１の電極層側から前記第２の電極層に照射し、前記異物の周りを囲む帯状の領域で前記第２の電極層を切断し、前記第２の電極層から、前記異物との接触部全体を含む第１領域を切り離す処理と、
    を有することを特徴とする、有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
  5. 有機膜からの光が通過可能な第１の電極層と第２の電極層との間に、当該第１及び第２の電極層間の通電により発光する前記有機膜を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置を製造する、有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法であって、
    前記有機膜内の異物を、前記第１の電極層の側から検出する処理と、
    前記異物が検出された場合には、前記第２の電極層を、前記異物をはさんで前記第１の電極層の反対側の、当該異物よりも大きな面積の第１領域と、前記第１領域に接触していない第２領域とに分離する処理と、
    を有することを特徴とする、有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
  6. 請求項１記載の、有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
    前記帯状の領域と、前記異物を含み前記第２の電極層に残留する領域との面積が、２５００μｍ２以下となるように、前記レーザ光を照射することを特徴とする、有機エレクトロルミネセンス表示装置の表示方法。
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Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007317384A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置、その製造方法、リペア方法及びリペア装置
JP2009016195A (ja) * 2007-07-05 2009-01-22 Canon Inc 有機発光装置のリペア方法及びそれを用いた有機発光装置の製造方法
JP2009064607A (ja) * 2007-09-05 2009-03-26 Sony Corp 有機発光表示装置のリペア方法
JP2009538497A (ja) * 2006-05-22 2009-11-05 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 有機発光ダイオード（ｏｌｅｄ）内の光放出領域から非光放出領域を分離する方法
JP2009266917A (ja) * 2008-04-23 2009-11-12 Rohm Co Ltd 有機発光素子および有機発光素子のリペア装置
JP2010050081A (ja) * 2008-08-20 2010-03-04 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光表示装置及びその製造方法
WO2010122782A1 (ja) 2009-04-24 2010-10-28 パナソニック株式会社 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法
US7964416B2 (en) 2009-11-05 2011-06-21 Panasonic Corporation Manufacturing method of organic EL display
JP2012238597A (ja) * 2011-05-12 2012-12-06 Cowin Dst Co Ltd ピクセル再生方法及びそれを利用したピクセル再生装置
WO2012168973A1 (ja) * 2011-06-08 2012-12-13 パナソニック株式会社 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ素子の製造方法
WO2012172612A1 (ja) * 2011-06-16 2012-12-20 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2013114748A (ja) * 2011-11-24 2013-06-10 Panasonic Corp 有機ｅｌ素子の製造方法
JP2013114749A (ja) * 2011-11-24 2013-06-10 Panasonic Corp 有機ｅｌ素子の製造方法
US8518719B2 (en) 2011-04-12 2013-08-27 Panasonic Corporation Method of manufacturing organic electroluminescence device and method of setting laser focal position
WO2013186961A1 (ja) * 2012-06-14 2013-12-19 パナソニック株式会社 欠陥検出方法、有機ｅｌ素子のリペア方法、および有機ｅｌ表示パネル
US8647163B2 (en) 2011-04-15 2014-02-11 Panasonic Corporation Method of manufacturing organic EL display
US8765494B2 (en) 2011-09-15 2014-07-01 Panasonic Corporation Method for fabricating organic EL device and method for evaluating organic EL device
US9040968B2 (en) 2011-04-20 2015-05-26 Joled Inc Method for manufacturing organic electroluminescence device and organic electroluminescence device
US9040967B2 (en) 2010-12-01 2015-05-26 Joled Inc. Method for manufacturing organic electroluminescence device and organic electroluminescence device
US9711761B2 (en) 2011-09-15 2017-07-18 Joled Inc. Electro luminescence panel and method for manufacturing electro luminescence panel
WO2018216137A1 (ja) * 2017-05-24 2018-11-29 シャープ株式会社 表示デバイス、欠陥修正装置、製造装置、および欠陥修正方法
US10186690B2 (en) 2015-11-02 2019-01-22 Joled Inc. Display panel manufacturing method and display panel

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006221982A (ja) * 2005-02-10 2006-08-24 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd アレイ基板の製造方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP2006269108A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Hitachi Displays Ltd 有機発光表示装置及びその欠陥画素の修復方法
US8062085B2 (en) * 2007-03-23 2011-11-22 Canon Kabushiki Kaisha Method of producing organic light emitting device
KR101415788B1 (ko) * 2008-07-21 2014-07-04 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치의 배선수리방법
JP2012146529A (ja) * 2011-01-12 2012-08-02 Hitachi High-Technologies Corp 薄膜表示素子の検査修正方法及び検査修正装置
EP2538313B1 (en) * 2011-06-20 2015-05-20 Melfas, Inc. Touch sensor panel
CN105988070A (zh) * 2015-02-04 2016-10-05 上海和辉光电有限公司 判定有机发光二极管阴阳极短路的方法
JP6778504B2 (ja) * 2016-04-07 2020-11-04 株式会社小糸製作所 車両用灯具、及び有機ｅｌ素子の検査方法
US10678076B2 (en) * 2017-01-30 2020-06-09 Facebook Technologies, Llc Treating display panel using laser
JP2022076273A (ja) * 2020-11-09 2022-05-19 株式会社Joled 自発光型表示パネル、及び自発光型表示パネルの製造方法
CN112858390B (zh) * 2020-12-31 2022-11-15 云谷（固安）科技有限公司 异物测试装置和异物测试方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5017755A (en) * 1988-10-26 1991-05-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of repairing liquid crystal display and apparatus using the method
JP3188678B2 (ja) 1998-12-25 2001-07-16 ティーディーケイ株式会社 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP3386735B2 (ja) * 1999-02-10 2003-03-17 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板の欠陥修正方法及び液晶パネルの製造方法
JP3840010B2 (ja) 1999-10-19 2006-11-01 東北パイオニア株式会社 発光ディスプレイの製造方法
JP2001176672A (ja) 1999-12-20 2001-06-29 Toray Ind Inc 有機電界発光装置およびその製造方法
US6909111B2 (en) * 2000-12-28 2005-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus
JP2002303860A (ja) * 2001-04-05 2002-10-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置
TWI223569B (en) * 2002-03-20 2004-11-01 Sanyo Electric Co Method for reducing light quantity of organic EL panel and organic EL panel
TW200428062A (en) * 2003-06-03 2004-12-16 Au Optronics Corp Method for repairing foreign objects in liquid crystal display

Cited By (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009538497A (ja) * 2006-05-22 2009-11-05 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 有機発光ダイオード（ｏｌｅｄ）内の光放出領域から非光放出領域を分離する方法
JP2007317384A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置、その製造方法、リペア方法及びリペア装置
JP2009016195A (ja) * 2007-07-05 2009-01-22 Canon Inc 有機発光装置のリペア方法及びそれを用いた有機発光装置の製造方法
JP2009064607A (ja) * 2007-09-05 2009-03-26 Sony Corp 有機発光表示装置のリペア方法
US7955151B2 (en) 2007-09-05 2011-06-07 Sony Corporation Method of repairing bright spot defect of organic light-emitting display
JP2009266917A (ja) * 2008-04-23 2009-11-12 Rohm Co Ltd 有機発光素子および有機発光素子のリペア装置
JP2010050081A (ja) * 2008-08-20 2010-03-04 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光表示装置及びその製造方法
US8258692B2 (en) 2008-08-20 2012-09-04 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
US8283661B2 (en) 2009-04-24 2012-10-09 Panasonic Corporation Organic EL display and method for manufacturing same
WO2010122782A1 (ja) 2009-04-24 2010-10-28 パナソニック株式会社 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法
US7964416B2 (en) 2009-11-05 2011-06-21 Panasonic Corporation Manufacturing method of organic EL display
US9040967B2 (en) 2010-12-01 2015-05-26 Joled Inc. Method for manufacturing organic electroluminescence device and organic electroluminescence device
US8518719B2 (en) 2011-04-12 2013-08-27 Panasonic Corporation Method of manufacturing organic electroluminescence device and method of setting laser focal position
US8647163B2 (en) 2011-04-15 2014-02-11 Panasonic Corporation Method of manufacturing organic EL display
US9040968B2 (en) 2011-04-20 2015-05-26 Joled Inc Method for manufacturing organic electroluminescence device and organic electroluminescence device
JP2012238597A (ja) * 2011-05-12 2012-12-06 Cowin Dst Co Ltd ピクセル再生方法及びそれを利用したピクセル再生装置
JPWO2012168973A1 (ja) * 2011-06-08 2015-02-23 パナソニック株式会社 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ素子の製造方法
WO2012168973A1 (ja) * 2011-06-08 2012-12-13 パナソニック株式会社 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ素子の製造方法
US9112187B2 (en) 2011-06-08 2015-08-18 Joled Inc. Organic el device and method of manufacturing organic EL device
JP5642277B2 (ja) * 2011-06-16 2014-12-17 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2012172612A1 (ja) * 2011-06-16 2012-12-20 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子
US9276231B2 (en) 2011-06-16 2016-03-01 Joled Inc. Method for fabricating organic electroluminescence device and organic electroluminescence device
US8765494B2 (en) 2011-09-15 2014-07-01 Panasonic Corporation Method for fabricating organic EL device and method for evaluating organic EL device
US9711761B2 (en) 2011-09-15 2017-07-18 Joled Inc. Electro luminescence panel and method for manufacturing electro luminescence panel
JP2013114748A (ja) * 2011-11-24 2013-06-10 Panasonic Corp 有機ｅｌ素子の製造方法
JP2013114749A (ja) * 2011-11-24 2013-06-10 Panasonic Corp 有機ｅｌ素子の製造方法
WO2013186961A1 (ja) * 2012-06-14 2013-12-19 パナソニック株式会社 欠陥検出方法、有機ｅｌ素子のリペア方法、および有機ｅｌ表示パネル
US9121914B2 (en) 2012-06-14 2015-09-01 Joled Inc. Defect detection method, method for repairing organic EL element, and organic EL display panel
JPWO2013186961A1 (ja) * 2012-06-14 2016-02-01 株式会社Ｊｏｌｅｄ 欠陥検出方法、有機ｅｌ素子のリペア方法、および有機ｅｌ表示パネル
US10186690B2 (en) 2015-11-02 2019-01-22 Joled Inc. Display panel manufacturing method and display panel
WO2018216137A1 (ja) * 2017-05-24 2018-11-29 シャープ株式会社 表示デバイス、欠陥修正装置、製造装置、および欠陥修正方法

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