JP2001176672A

JP2001176672A - 有機電界発光装置およびその製造方法

Info

Publication number: JP2001176672A
Application number: JP36060899A
Authority: JP
Inventors: Shigeo Fujimori; 茂雄藤森; Takeshi Ikeda; 武史池田; Tetsuo Oka; 哲雄岡
Original assignee: Toray Industries Inc
Current assignee: Toray Industries Inc
Priority date: 1999-12-20
Filing date: 1999-12-20
Publication date: 2001-06-29

Abstract

(57)【要約】【課題】電極の断線などの不都合を発生することなく発
光領域に生じる電極間の短絡を解消した有機電界発光装
置およびその製造方法。【解決手段】電極間の短絡が発生した発光領域の電極
に、その発光領域の面積より小さい、電極の除去部分を
存在させることで、電極の断線を防ぎ、かつ欠陥のあっ
た発光領域の発光を部分的に回復することができる。こ
のため、６００ｎｍ以上の発振波長のレーザー光を限定
された照射面積で、第一電極側からまたは第二電極側か
ら照射して第一電極および／もしくは第二電極を限定さ
れた面積で除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表示素子、フラッ
トパネルディスプレイ、バックライト、インテリアなど
の分野に利用可能な有機電界発光装置およびその製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】有機電界発光装置は、陽極から注入され
る正孔と陰極から注入される電子とが両極に挟まれた有
機発光層内で再結合することにより発光するものであ
る。その代表的な構造は、基板上に形成された第一電
極、少なくとも有機化合物からなる発光層を含む薄膜層
および第二電極を積層した後、封止板で封止したもので
あり、駆動により生じた発光は、装置の透明サイドから
外部に取り出される。このような有機電界発光装置で
は、薄型、低電圧駆動下での高輝度発光や、発光層の有
機化合物を選択することによる多色発光が可能であり、
発光デバイスやディスプレイなどに応用される。

【０００３】単純マトリクス型ディスプレイでは、第一
電極は所定の間隔を有してストライプ状に複数本配置さ
れ、同様に所定の間隔でストライプ状に複数本配置され
た第二電極と、互いに対向し交差されている。１本の第
一電極と１本の第二電極の重なり合う交差部分が１つの
発光領域(発光画素)となる。交差部分を形成するそれぞ
れの電極に電圧が印加されると、その間に挟まれた発光
層を含む薄膜層に電流が流れ発光する。

【０００４】しかし、これら発光領域を構成する第一電
極、薄膜層および第二電極を積層して装置を作製する場
合に、第一電極と第二電極が短絡して発光しない領域や
発光不良領域などの欠陥部分が生じることがある。その
発光領域を駆動させないために発光部分に対応する第一
電極および／もしくは第二電極の部分を取り除くリペア
が行われるが、有機物からなる薄膜層と第二電極との密
着力が弱い有機電界発光装置では特に、該当する電極の
ラインが途中で切れやすく、駆動側からみて欠陥のある
発光領域以降の全発光領域が点灯しなくなり、ライン欠
陥となる。このようなリペアでは、欠陥のある発光領域
のみの発光を停止させることができないため、欠陥発光
領域のある発光装置は事実上使用できなくなる。

【０００５】特開平１０−３２１３７５号公報は、第二
電極よりも幅の狭い複数本の絶縁膜を、第一電極と直交
し、かつその各々が第二電極に対面するように形成する
ことを提案している。このように絶縁膜を設置しておく
ことにより、絶縁膜と交差する部分を除く第二電極の部
分を除去するリペアを行うことで欠陥画素を含む１ライ
ンは第二電極が断線することがなく、かつ、欠陥発光領
域の発光を停止することができる。しかし、この場合に
は絶縁膜形成に相当する部分は装置全体で発光しない部
分となるので発光のための開口率が低下するので輝度の
低下が免れず、また、絶縁膜形成の工程が必要である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】発光領域に欠陥がある
場合、その欠陥の原因である両電極間の短絡を解消する
と共に、電極の断線によるライン欠陥を発生することな
く、欠陥のあった領域の発光能力も回復させることがで
きるリペア技術を確立することが必要である。

【０００７】

【課題を解決するための手段】基板上に形成された第一
電極と、第一電極上に形成された少なくとも有機化合物
からなる発光層を含む薄膜層と、薄膜層上に形成された
第二電極とを含む有機電界発光装置であって、少なくと
も１つの発光領域内に、該発光領域の面積よりも小さ
い、前記第一電極および／もしくは前記第二電極の除去
部分が存在する有機電界発光装置であり、発光領域内の
欠陥部分にレーザーを照射することで、該欠陥部分とそ
の周辺の第一電極および／もしくは第二電極を除去する
ことを特徴とする有機電界発光装置の製造方法である。

【０００８】すなわち、従来技術の項に示した方法で
は、欠陥がある画素において発光領域のすべての電極を
除去するものであるが、本発明では、欠陥がある画素に
おいて発光領域のうち欠陥部分のみを選択的に除去する
ことで、ライン欠陥の発生を阻止することはもちろんの
こと、欠陥が存在した発光領域自体の発光能をも部分的
に回復することを特徴としている。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明は、単一発光素子、セグメ
ント型、単純マトリクス型、アクティブマトリクス型な
どの発光素子の形式や、カラー、モノクロなどの発光色
数を問わず任意の構造の有機電界発光装置に適用され
る。

【００１０】有機電界発光装置は、基板上に第一電極、
発光層を含む薄膜層および第二電極を積層して形成した
ものであり、多くの場合、基板に透明材料を用い、第一
電極を透明電極とし、第二電極を金属材料で形成するも
のであるが、場合によっては基板が不透明材料であり、
基板上に形成される第一電極が金属材料で形成され、第
二電極が透明材料から形成されることもある。ここでは
基板に接して形成される電極を第一電極と呼称する。

【００１１】本発明の有機電界発光装置は、少なくとも
１つの発光領域内に、該発光領域の面積よりも小さい、
第一電極および／もしくは第二電極の除去部分が存在す
ることを特徴とする。ここでの電極の除去部分というの
は、電極を成膜した後、人工的に電極を除去した部分で
ある。ダークスポットの原因となるピンホールなどとは
明確に区別される。

【００１２】有機電界発光装置において第一電極および
／もしくは第二電極に除去部分が存在しないことが最も
好ましいことは言及するまでもないことであるが、多数
の発光領域を形成する際、欠陥を有する発光領域の発生
はある程度まで不可避的である。このような欠陥を有す
る発光領域では、第一電極と第二電極との短絡が生じて
いる場合が多い。このような短絡の原因は色々であり、
ゴミや異物の存在、第一電極の突起、薄膜層の結晶化な
どが考えられている。

【００１３】前述した通り、発光しない領域を駆動させ
ないために電極の部分を取り除くというリペアが従来実
施されたが、電極の断線を起こし、欠陥のある発光領域
を含む１つのラインがすべて発光しなくなるなどの問題
があった。本発明は、前記のように、１つの発光領域の
面積よりも小さい電極の除去部分を存在させる方法によ
り、従来の方法の問題点を解決するものである。

【００１４】各発光領域は電気的に独立し得る最小の発
光単位であり、セグメント型では、分割された１つの電
極に対応し、単純マトリクス型では、１本の第一電極と
１本の第二電極との交点に対応し、アクティブマトリク
ス型ではＴＦＴなどのスイッチング素子に接続された１
つの電極に対応する。

【００１５】単純マトリクス型カラーディスプレイなど
の多数の発光領域を有する場合においては、第一電極の
幅が５０〜５００μｍ、典型的には７０〜１００μｍ程
度であり、第二電極の幅が２５０〜３００μｍ程度であ
るならば、１つの発光領域の面積は、１７，５００〜３
０，０００平方マイクロメートルである。本発明の電極
の除去部分の面積は１０，０００平方マイクロメートル
以下であることが好ましく、さらに好ましくは１，００
０平方マイクロメートル以下である。電極の除去部分と
は、短絡の原因であった部分の電極を除去した部分であ
り、その面積に相当する部分に電極が存在しないことを
意味するものである。すなわち、１つの発光領域におい
て、その領域の面積より小さい面積の除去部分が存在す
ることになるので、電極の断線はなく、短絡で発光不能
であった発光領域自体もその発光能力を回復することが
できる。除去部分の面積が１０，０００平方マイクロメ
ートルというのは、例えば１辺１００μｍの四角形のサ
イズであるが、この程度の大きさの欠損部分の存在は表
示品質に目立った悪影響を与えることがないので好まし
く、さらに１，０００平方マイクロメートル以下になる
と１辺３２μｍの四角形のサイズであり肉眼では判別が
困難な大きさであるのでより好ましい。

【００１６】一方、除去部分の面積は４平方マイクロメ
ートル以上であることが好ましく、より好ましくは２５
平方マイクロメートル以上である。短絡している部分の
電極を除去することで短絡を解消するのであるが、その
面積が余りに小さい場合には短絡が再発する可能性があ
る。少なくとも１辺２μｍの四角形に相当する面積で電
極を除去して除去部分を形成することが好ましく、１辺
５μｍの四角形に相当する面積の除去部分を形成するこ
とがより好ましい。

【００１７】本発明の有機電界発光装置は、発光領域の
総数が１０００以上で除去部分が存在する発光領域の数
が１０以下であることが好ましく、また、発光領域の総
数が１０，０００以上で除去部分の存在する発光領域の
数が１００以下であることが好ましい。照明などの用途
では発光領域が１つという場合があるが、このような装
置においても、発生した欠陥をリペアすることによる復
元は有効であり、本発明の方法が効果的に適用される。
多数の発光領域を形成する工程において、欠陥が発生す
ることはある程度避けがたいが、余りにも欠陥が多い場
合にはリペア作業自体が大変な負担になるので好ましく
ない。しかし、発光領域の総数の１／１００以下の欠陥
が生じている場合には、それらをリペアすることで製品
の歩留まりを向上することができるので好ましい。

【００１８】本発明の少なくとも１つの発光領域内に、
該発光領域の面積よりも小さい電極の除去部分が存在す
る有機電界発光装置は、発光領域内の欠陥部分にレーザ
ーを照射することで、該欠陥部分とその周辺の電極を除
去して製造することができる。除去される電極は、第一
電極および／もしくは第二電極であり、第一と第二電極
の両方を除去する場合と第一電極と第二電極のいずれか
を除去する場合がある。レーザー照射による除去は、通
常、電極材料がレーザーのエネルギーを吸収することに
よる発熱効果で、電極のレーザー照射部分およびその周
辺部分が揮散または熱剥離することによって生起するも
のと考えられる。従って、電極材料の吸収能とレーザー
波長が整合することが基本である。レーザーを吸収する
材料からなる電極が除去されることになるが、それが第
一電極か第二電極かは装置の特性に依拠している。

【００１９】有機電界発光装置の通常の構成と作製手順
を考慮すると、基板上に接して形成される第一電極を除
去するより、薄膜層の上に形成される第二電極をレーザ
ー照射で除去することが好ましく、これに限定されるも
のではないが、多くの場合、第二電極がアルミニウムな
ど金属材料で形成され、レーザー光の吸収能も高いので
除去対象としてより好ましい。

【００２０】レーザーを第二電極側から照射すること
で、第二電極を除去することができるが、さらにレーザ
ーを第一電極側から照射することで第二電極を除去して
電極の除去部分を作ることができる。図１は前者の場合
を説明する断面図であり、図２は後者の場合を説明する
断面図である。いずれも欠陥のある発光領域を示すもの
であり、基板１の上に第一電極２が形成され、その上に
薄膜層３があり、さらにその上に第二電極４が形成され
ている。第一電極と第二電極が短絡している欠陥部分５
がある場合、その部分に位置合わせしてレーザー光６を
レンズ７で集光して照射する。図１ではレーザーは第二
電極側から照射されているが、図２では第一電極側から
照射されている。図１の方法でレーザー照射を行った場
合、第二電極材料の除去面積が小さくできるというメリ
ットがあるが、第二電極材料が下層部分に押し込まれる
現象が起こることがある。一方、図２の方法では、第二
電極がより大きな面積で熱剥離する場合があるが、これ
は短絡の再発防止となる。また、第一電極が透明で、薄
膜層のレーザー吸光度も小さい場合には第二電極を選択
的に除去することが可能であり、短絡部を見つけること
も容易である。図１および図２には示していないが、有
機電界発光装置とするには基板と反対側に封止板を配置
するのが通常である。このように封止工程を終了した後
でも、封止板が透明なら図１の配置でのリペアが可能で
あり、もちろん透明基板側からの図２の配置でのレーザ
ー照射処理も可能である。

【００２１】発光領域の欠陥部分の第一電極および／も
しくは第二電極を除去して電極に除去部分を形成させる
ために照射されるレーザー光の波長は６００ｎｍ以上で
あることが好ましい。６００ｎｍ以上の波長のレーザー
光は、ガラス基板、透明電極材料および発光層を含む薄
膜層を形成する有機材料による吸収が少なく、主として
金属からなる第二電極材料に吸収が大きいので好まし
い。レーザーには気体レーザー、固体レーザー、色素レ
ーザー、半導体レーザーなど各種の装置が市販されてい
るが、発振波長を選んで用いることができる。また、連
続発振でもパルス発振でも、いずれでもよい。これに限
定するものではないが、出力、発信波長や経済性などを
考慮するとＮｄ：ＹＡＧレーザーを用いることが好まし
い。Ｎｄ：ＹＡＧレーザーの発振波長は１．０６４μｍ
であり、焦点に絞り込むビーム径としても１μｍ程度を
達成することができる。その他、６００ｎｍ以上の発振
波長を有するレーザーには、ルビーレーザー、アレキサ
ンドライトレーザー、色素レーザー、半導体レーザー、
炭酸ガスレーザーなどがある。

【００２２】発光領域の欠陥部分に対するレーザーの照
射面積はレーザーの集光方法によって変更することがで
きるが、１０００平方マイクロメートル以下であること
が好ましい。１０００平方マイクロメートルを四角形で
表現すると１辺の大きさは約３２μｍであり、円で表現
すると半径約１８μｍである。このようなサイズ以下に
集光してレーザーを照射することが好ましい。勿論、欠
陥部分の大きさによって対応するレーザーの照射面積は
変更できる。

【００２３】このようにレーザーを照射することで除去
される第二電極の面積は、特に第一電極側から入射する
場合、レーザー照射面積よりも大きくなるのが特徴であ
る。レーザー照射面積に相当する部分の第二電極がレー
ザーのエネルギーを吸収して加熱され、その結果、その
部分が揮散または熱剥離するのは勿論であるが、熱伝導
があるのでその効果は照射面積の周辺にも及び、さらに
熱剥離などが起こる場合には照射面積の周辺にも伝搬す
るため第二電極が除去された除去部分はレーザー照射面
積より大きくなるのである。しかしながら、除去部分の
面積は発光領域の面積より小さいことが本発明の特徴で
あり、電極が断線することがなく、除去部分を有する発
光領域も部分的に発光することができる。これにより、
欠陥部分のあった装置が完全にリペアされて、表示品質
が実用的に問題のないレベルを保持することができるよ
うになる。

【００２４】

【実施例】以下、実施例をあげて本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれらの例によって限定されるもので
はない。

【００２５】実施例１無アルカリガラス表面にスパッタリング蒸着法によって
厚さ１３０ｎｍの酸化錫インジウム（ＩＴＯ）透明電極
膜を形成したＩＴＯガラス基板(ジオマテック社製）を
５０×１２０ｍｍに切断した。この上にポジ型フォトレ
ジスト(東京応化社製、ＯＦＰＲ−８００)をスピンコー
ト法により基板上に２μｍになるように塗布した。この
塗布膜にロゴパネル用のフォトマスクを介してパターン
露光し、現像し、現像後１６０℃でキュアした。このフ
ォトマスクは文字と数字併せて４０文字分のパターン開
口部を有する。このようにしてポジ型フォトレジストを
用いてパターン化した絶縁層をＩＴＯ電極の上に形成し
た。

【００２６】次に、抵抗線加熱方式による真空蒸着法
(真空度は２×１０^-4Ｐａ)で基板全面に銅フタロシアニ
ンを１５ｎｍ、ビス(Ｎ−エチルカルバゾール)を６０ｎ
ｍ蒸着して正孔輸送層を形成した。この後、緑色発光層
として０．３重量％の１，３，５，７，８−ペンタメチ
ル−４，４−ジフロロ−４−ボラ−３ａ，４ａ−ジアザ
−ｓ−インダセン(ＰＭ５４６)をドーピングした８−ヒ
ドロキシキノリンアルミニウム錯体(Ａｌｑ₃）を１５ｎ
ｍ蒸着した。さらに、Ａｌｑ₃ を３５ｎｍを蒸着し、
薄膜層を形成した。

【００２７】この薄膜層の上に同様の抵抗線加熱方式に
よる真空蒸着法(真空度は３×１０^- ⁴Ｐａ)で基板全面に
アルミニウムを２００ｎｍ蒸着して第二電極とした。最
後にガラス基板で封止して、発光領域数１の文字パネル
を作製した。

【００２８】この文字パネルの文字の１つに短絡が発生
し、文字パネル全体が発光しなかったので、Ｎｄ：ＹＡ
Ｇレーザー（ＨＯＹＡコンテニュアム（株）製、出力６
ｍＪ／パルス)を、０．１％の出力割合で照射面積８０
μｍ×８０μｍに集光して欠陥部分に照射した。レーザ
ーは第一電極の側から照射し、電極の除去部分の面積は
約１００μｍ×１００μｍであった。これにより短絡が
解消されたので文字パネルの発光が回復した。

【００２９】実施例２実施例１を繰り返して別の文字パネルを作製したが、欠
陥部分が３文字に発生した。実施例１と同様のＮｄ：Ｙ
ＡＧレーザーを２０μｍ×２０μｍの照射面積で照射し
て欠陥部分をリペアし短絡を解消した。電極の除去部分
の面積は約３０μｍ×３０μｍであり、除去部分が肉眼
では見えないので、表示品質は良好であった。

【００３０】実施例３実施例１と同様の手順で別の文字パネルを作製した。得
られた文字パネルには２文字に短絡による欠陥があっ
た。欠陥部分へのレーザー照射を第二電極側から行って
リペアした。電極の除去部分の面積は約８５μｍ×８５
μｍであった。除去部分が実施例１の場合より小さくな
ったので表示品質は改善された。

【００３１】実施例４ＩＴＯガラス基板(（株）ジオマテック製)を１２０×１
００ｎｍの大きさに切断した。この基板上にフォトレジ
ストを塗布し、露光・現像を行ってＩＴＯ膜を長さ９０
ｍｍ、幅７０μｍのストライプ状にパターニングした。
このストライプ状第一電極は１００μｍピッチで８１６
本配置されている。

【００３２】次に、ポジ型フォトレジスト(ＯＦＰＲ−
８００)をスピンコート法により第一電極を形成した基
板上に厚さ３μｍになるように塗布した。この塗布膜に
フォトマスクを介してパターン露光し、現像してフォト
レジストのパターニングを行い、現像後に１６０℃でキ
ュアした。このパターニングに用いたフォトマスクに
は、幅６５μｍ、長さ２３５μｍの絶縁層開口部が幅方
向には１００μｍピッチで８１６個、長さ方向には３０
０μｍピッチで２００個配置されている。

【００３３】発光層を含む薄膜層は抵抗線加熱方式によ
る真空蒸着法によって形成した。なお、蒸着時の真空度
は２×１０^-4Ｐａであり、蒸着中は蒸着源に対して基板
を回転させた。まず、銅フタロシアニンを１５ｎｍ、ビ
ス(Ｎ−エチルカルバゾール)を６０ｎｍを基板全面に蒸
着して正孔輸送層を形成した。

【００３４】発光層パターニング用として、マスク部分
と補強線とが同一平面内に形成されたシャドーマスクを
用いた。シャドーマスクの外形は１２０×８４ｍｍ、マ
スク部分の厚さは２５μｍであり、長さ６４ｍｍ、幅１
００μｍのストライプ状開口部がピッチ３００μｍで２
７２本配置されている。各ストライプ状開口部には、開
口部と直交する幅２０μｍ、厚さ２５μｍの補強線が
１．８ｍｍ間隔に形成されている。シャドーマスクは外
形が等しい幅４ｍｍのステンレス鋼製フレームに固定さ
れている。

【００３５】発光層用シャドーマスクを基板前方に配置
して両者を密着させ、基板後方にはフェライト系板磁石
(日立金属（株）製、ＹＢＭ−１Ｂ)を配置した。この
際、ストライプ状第一電極２がシャドーマスクのストラ
イプ状開口部の中心に位置し、補強線が絶縁層上に位置
し、かつ補強線と絶縁層が接触するように配置される。
この状態で０．３重量％の１，３，５，７，８−ペンタ
メチル−４，４−ジフロロ−４−ボラ−３ａ，４ａ−ジ
アザ−ｓ−インダセン(ＰＭ５４６)をドーピングしたＡ
ｌｑ₃を２１ｎｍ蒸着し、緑色発光層をパターニングし
た。

【００３６】次に、シャドーマスクを１ピッチ分ずらし
た位置の第一電極パターンに位置合わせして、１重量％
の４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ジュ
ロリジルスチリル）ピラン（ＤＣＪＴ）をドーピングし
たＡｌｑ₃を１５ｎｍ蒸着して、赤色発光層をパターニ
ングした。

【００３７】さらにシャドーマスクを１ピッチ分ずらし
た位置の第一電極パターンに位置合わせし、４，４’−
ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ジフェニル(ＤＰ
ＶＢｉ)を２０ｎｍ蒸着して、青色発光層をパターニン
グした。緑色、赤色、青色それぞれの発光層は、ストラ
イプ状第一電極の３本ごとに配置され、第一電極の露出
部分を完全に覆っている。

【００３８】次に、２，９−ジメチル−４，７−ジフェ
ニル−１，１０−フェナントロリン（バソクプロイン）
を４５ｎｍ基板全面に蒸着して電子輸送層を形成した。
その後、薄膜層をリチウム蒸気に曝してドーピング（膜
厚換算で０．５ｎｍ）した。

【００３９】第二電極パターニング用として、マスク部
分の一方の面と補強線との間に隙間が存在する構造のシ
ャドーマスクを用いた。シャドーマスクの外形は１２０
×８４ｍｍ、マスク部分の厚さは１００μｍであり、長
さ８５ｍｍ、幅２５０μｍのストライプ状開口部がピッ
チ３００μｍで２００本配置されている。マスク部分の
上には、幅４０μｍ、厚さ３５μｍ、対向する二辺の間
隔が２００μｍの正六角形構造からなるメッシュ状の補
強線が形成されている。隙間の高さはマスク部分の厚さ
と等しく１００μｍである。シャドーマスクは外形が等
しい幅４ｍｍのステンレス鋼製フレームに固定されてい
る。

【００４０】第二電極は、抵抗線加熱方式による真空蒸
着法によって形成した。なお、蒸着時の真空度は３×１
０^-4Ｐａ以下であり、蒸着中は２つの蒸着源に対して基
板を回転させた。発光層のパターニングと同様に、第二
電極用シャドーマスクを基板前方に配置して両者を密着
させ、基板後方には板磁石を配置した。この際、絶縁層
がマスク部分に一致するように両者を配置する。この状
態でアルミニウムを４００ｎｍの厚さに蒸着して、第二
電極をパターニングした。

【００４１】第二電極のパターニングを終了した基板を
蒸着機から取り出し、ロータリーポンプによる減圧雰囲
気下で２０分間保持した後、露点−１００℃以下のアル
ゴン雰囲気下に移した。この低湿雰囲気下で、基板と封
止板とを硬化性エポキシ樹脂を用いて貼り合わせて封止
した。

【００４２】このようにして、ピッチ１００μｍ、本数
８１６本のＩＴＯ膜からなるストライプ状第一電極上
に、パターニングされた緑色発光層、赤色発光層および
青色発光層が形成され、第一電極と直交するようにピッ
チ３００μｍのストライプ状第二電極が２００本配置さ
れた単純マトリクス型カラー有機電界発光装置を作製し
た。本装置は１６３，２００個の発光領域を有する。

【００４３】電圧を印加したところ、１２の短絡した発
光領域が見出された。実施例１で用いたと同様のＮｄ：
ＹＡＧレーザーを照射面積５μｍ×５μｍとして短絡の
ある欠陥部分に第一電極側から照射して、欠陥部分とそ
の周辺の第二電極を除去した。除去部分の面積は最小３
０平方マイクロメートルから最大１５０平方マイクロメ
ートルであった。本実施例の実質的な発光領域は絶縁層
の開口部に相当する６５μｍ×２３５μｍ＝１５，２７
５平方マイクロメートルの面積を有するので、１５０平
方マイクロメートルの除去部分が発生しても電極は断線
しなかった。

【００４４】このリペアで全ての短絡が解消されるの
で、ライン欠陥はなくなり、それぞれの除去部分の存在
する発光領域もその面積の大部分が発光できることにな
るので肉眼ではリペア跡は見出すことが困難であり、優
れた表示品質の有機電界発光装置を製造することができ
た。

【００４５】

【発明の効果】発光領域の欠陥である電極の短絡が、一
方の電極、多くの場合は第二電極に発光領域の面積より
も小さい面積の除去部分を形成することで解消されるの
で、電極の断線がなく、従ってライン欠陥を発生せず、
それぞれの短絡のあった欠陥発光領域が部分的に発光を
回復することができる。従って、表示品質の高い有機電
界発光装置を製造できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】レーザーを第二電極側から照射して第二電極を
除去する方法を説明する断面図。

【図２】レーザーを第一電極側から照射して第二電極を
除去する方法を説明する断面図。

【符号の説明】

１基板２第一電極３薄膜層４第二電極５欠陥部分６レーザー７レンズ８除去部分

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 3K007 AB05 BA06 CA01 CB01 DA00 DB03 EB00 FA00 FA01 FA02 FA03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に形成された第一電極と、第一電極
上に形成された少なくとも有機化合物からなる発光層を
含む薄膜層と、薄膜層上に形成された第二電極とを含む
有機電界発光装置であって、少なくとも１つの発光領域
内に、該発光領域の面積よりも小さい、前記第一電極お
よび／もしくは前記第二電極の除去部分が存在すること
を特徴とする有機電界発光装置。
【請求項２】少なくとも１つの発光領域内に、該発光領
域の面積よりも小さい、第二電極の除去部分が存在する
ことを特徴とする請求項１記載の有機電界発光装置。
【請求項３】除去部分の面積が１００００平方マイクロ
メートル以下であることを特徴とする請求項１記載の有
機電界発光装置。
【請求項４】除去部分の面積が２５平方マイクロメート
ル以上であることを特徴とする請求項１記載の有機電界
発光装置。
【請求項５】発光領域の総数が１００００以上であり、
除去部分が存在する発光領域の数が１００以下であるこ
とを特徴とする請求項１記載の有機電界発光装置。
【請求項６】請求項１記載の有機電界発光装置の製造方
法であって、発光領域内の欠陥部分にレーザーを照射す
ることで、該欠陥部分とその周辺の第一電極および／も
しくは第二電極を除去することを特徴とする有機電界発
光装置の製造方法。
【請求項７】発光領域内の欠陥部分にレーザーを照射す
ることで、該欠陥部分とその周辺の第二電極を除去する
ことを特徴とする請求項６記載の有機電界発光層の製造
方法。
【請求項８】レーザーを第二電極側から照射することで
第二電極を除去することを特徴とする請求項６記載の有
機電界発光装置の製造方法。
【請求項９】レーザーを第一電極側から照射することで
第二電極を除去することを特徴とする請求項６記載の有
機電界発光装置の製造方法。
【請求項１０】波長６００ｎｍ以上のレーザーを照射す
ることを特徴とする請求項９記載の有機電界発光装置の
製造方法。
【請求項１１】レーザーの照射面積が１０００平方マイ
クロメートル以下であることを特徴とする請求項６記載
の有機電界発光装置の製造方法。
【請求項１２】レーザーを照射することで、レーザー照
射面積よりも大きい面積の第二電極を除去することを特
徴とする請求項６記載の有機電界発光装置の製造方法。