JP2002343567A - 有機ｅｌ素子、露光装置、発光装置の製造方法 - Google Patents
有機ｅｌ素子、露光装置、発光装置の製造方法Info
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Landscapes
- Ink Jet (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡易な方法で電極断線部・抜け部を埋め込
み、非発光部（ダークスポット）の成長を防ぐことがで
きる有機ＥＬ素子の製造方法、さらには該有機ＥＬ素子
をアレー状やマトリクス状等に配置した構成を有する露
光装置及び発光装置等の製造方法を提供する。 【解決手段】 透明基板５０１上に形成された電極層５
０２の欠陥部５０３に、非導電性材料を含有する液滴５
０５を吐出し、欠陥部５０３に入り込んだ液滴の溶媒を
加熱蒸発させ、非導電性膜を形成し、欠陥部を充填する
ことを特徴とする。
み、非発光部（ダークスポット）の成長を防ぐことがで
きる有機ＥＬ素子の製造方法、さらには該有機ＥＬ素子
をアレー状やマトリクス状等に配置した構成を有する露
光装置及び発光装置等の製造方法を提供する。 【解決手段】 透明基板５０１上に形成された電極層５
０２の欠陥部５０３に、非導電性材料を含有する液滴５
０５を吐出し、欠陥部５０３に入り込んだ液滴の溶媒を
加熱蒸発させ、非導電性膜を形成し、欠陥部を充填する
ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フルカラー等の表
示装置、複写機やレーザービームプリンター等の電子写
真方式による画像形成装置の感光ドラムを露光する露光
装置（光源）などに用いられる有機ＥＬ素子、及び該有
機ＥＬ素子をアレー状やマトリクス状等に配置した構成
を有する露光装置及び発光装置の製造方法に関し、特
に、基板上に形成された電極層における抜け部などの欠
陥部の修復技術に関する。
示装置、複写機やレーザービームプリンター等の電子写
真方式による画像形成装置の感光ドラムを露光する露光
装置（光源）などに用いられる有機ＥＬ素子、及び該有
機ＥＬ素子をアレー状やマトリクス状等に配置した構成
を有する露光装置及び発光装置の製造方法に関し、特
に、基板上に形成された電極層における抜け部などの欠
陥部の修復技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、透明基板の表面上に形成され
た第１電極層（透明導電膜）と、前記第１電極層上に形
成された発光層と、前記発光層上に形成された第２電極
層からなる有機ＥＬ素子がある。
た第１電極層（透明導電膜）と、前記第１電極層上に形
成された発光層と、前記発光層上に形成された第２電極
層からなる有機ＥＬ素子がある。
【０００３】また、このような有機ＥＬ素子が発光源と
して複数用いられて画像を表示する表示パネルがある。
かかる表示パネルの一例を図１に示す。尚、図１（ａ）
は表示パネルの正面図、図１（ｂ）は表示パネルの断面
図であり、１０１は透明基板、１０２は第１電極層（透
明導電膜）、１０３は有機層（正孔注入層、発光層）、
１０４は第２電極層、１０５は画素である。
して複数用いられて画像を表示する表示パネルがある。
かかる表示パネルの一例を図１に示す。尚、図１（ａ）
は表示パネルの正面図、図１（ｂ）は表示パネルの断面
図であり、１０１は透明基板、１０２は第１電極層（透
明導電膜）、１０３は有機層（正孔注入層、発光層）、
１０４は第２電極層、１０５は画素である。
【０００４】上記の表示パネルは、透明基板１０１の表
面上にドット状の有機ＥＬ素子がマトリクス状に配列さ
れて形成され、かつ各有機ＥＬ素子が個別に発光できる
ように構成されており、発光させる有機ＥＬ素子を適宜
選択することにより、様々な画像を表示することができ
る。
面上にドット状の有機ＥＬ素子がマトリクス状に配列さ
れて形成され、かつ各有機ＥＬ素子が個別に発光できる
ように構成されており、発光させる有機ＥＬ素子を適宜
選択することにより、様々な画像を表示することができ
る。
【０００５】このような表示パネルの製造方法は、米国
特許第５２９４８６９号、特開平５−２５８８５９号、
特開平５−２５８８６０号、特開平５−２７５１７２号
等の公報に開示されており、以下にその製造工程を簡単
に説明する。
特許第５２９４８６９号、特開平５−２５８８５９号、
特開平５−２５８８６０号、特開平５−２７５１７２号
等の公報に開示されており、以下にその製造工程を簡単
に説明する。
【０００６】まず、透明基板１０１上にＩＴＯなどから
なる複数のストライプ状の第１電極層１０２を形成す
る。次に、正孔注入層及び発光層からなる有機層１０３
をその表面全体に形成する。最後に図２に示すように、
ストライプ状の貫通孔２０２をもつマスク２０１を用意
し、それらの貫通孔２０２が透明基板１０１に対する投
影面で見て第１電極層１０２に直交するように、有機層
１０３の上方にそのマスク２０１を固定して、蒸着法に
より第２電極層１０４をストライプ状に形成する。こう
して、複数の有機ＥＬ素子が、第１電極層１０２及び第
２電極層１０４が透明基板１０１に対する投影面で見て
重なり合う部分にマトリクス状に配列されて形成された
表示パネルを得ることができる。
なる複数のストライプ状の第１電極層１０２を形成す
る。次に、正孔注入層及び発光層からなる有機層１０３
をその表面全体に形成する。最後に図２に示すように、
ストライプ状の貫通孔２０２をもつマスク２０１を用意
し、それらの貫通孔２０２が透明基板１０１に対する投
影面で見て第１電極層１０２に直交するように、有機層
１０３の上方にそのマスク２０１を固定して、蒸着法に
より第２電極層１０４をストライプ状に形成する。こう
して、複数の有機ＥＬ素子が、第１電極層１０２及び第
２電極層１０４が透明基板１０１に対する投影面で見て
重なり合う部分にマトリクス状に配列されて形成された
表示パネルを得ることができる。
【０００７】上記表示パネルでは、電流を流す第１電極
層１０２のライン及び第２電極層１０４のラインをそれ
ぞれ選択することにより、任意の部位の画素（有機ＥＬ
素子）を発光させることができる。
層１０２のライン及び第２電極層１０４のラインをそれ
ぞれ選択することにより、任意の部位の画素（有機ＥＬ
素子）を発光させることができる。
【０００８】上記のような有機ＥＬ素子を用いた表示体
は、液晶ディスプレイに対し以下の優位性を持つ。 自発光であるため視野角が広い。 数ｍｍ以下の薄さのディスプレイが容易に製造可能で
ある。 広い温度範囲で動作可能である。 応答速度が液晶より３桁以上速い。
は、液晶ディスプレイに対し以下の優位性を持つ。 自発光であるため視野角が広い。 数ｍｍ以下の薄さのディスプレイが容易に製造可能で
ある。 広い温度範囲で動作可能である。 応答速度が液晶より３桁以上速い。
【０００９】しかしながら、この有機エレクトロルミネ
ッセンス表示体の製造には、液晶ディスプレイとは異な
る問題がある。
ッセンス表示体の製造には、液晶ディスプレイとは異な
る問題がある。
【００１０】有機エレクトロルミネッセンス表示体の製
造における問題の１つは、第１電極層と第２電極層との
短絡等による非発光部（ダークスポット）の発生であ
る。
造における問題の１つは、第１電極層と第２電極層との
短絡等による非発光部（ダークスポット）の発生であ
る。
【００１１】即ち図３に示すように、第１電極層１０２
の抜け欠陥部３０１や第１電極層１０２の端部において
有機層１０３（正孔注入層１０３ａ、発光層１０３ｂ）
の膜厚が薄くなり（例えば２００ｎｍ以下）、この有機
層の上部に成膜される第２電極層１０４と第１電極層１
０２とが短絡してしまう、また、第１電極層１０２の抜
け欠陥部３０１や第１電極層１０２の端部において素子
の抵抗値が下がり、その結果電流が多く流れ、明るく発
光し素子を傷めてしまい、非発光部（ダークスポット）
を成長させてしまう、第１電極層の抜け欠陥部３０６や
第１電極層の端部から水分が浸透し、非発光部（ダーク
スポット）が発生し、さらに時間の経過と共にこの非発
光部（ダークスポット）が拡大進行してしまうという問
題がある。
の抜け欠陥部３０１や第１電極層１０２の端部において
有機層１０３（正孔注入層１０３ａ、発光層１０３ｂ）
の膜厚が薄くなり（例えば２００ｎｍ以下）、この有機
層の上部に成膜される第２電極層１０４と第１電極層１
０２とが短絡してしまう、また、第１電極層１０２の抜
け欠陥部３０１や第１電極層１０２の端部において素子
の抵抗値が下がり、その結果電流が多く流れ、明るく発
光し素子を傷めてしまい、非発光部（ダークスポット）
を成長させてしまう、第１電極層の抜け欠陥部３０６や
第１電極層の端部から水分が浸透し、非発光部（ダーク
スポット）が発生し、さらに時間の経過と共にこの非発
光部（ダークスポット）が拡大進行してしまうという問
題がある。
【００１２】上記のように有機エレクトロルミネッセン
ス表示体の製造では、特に第１電極層の欠陥が問題とな
っており、このような導電膜の電極断線部・抜け部に対
して、これを修復する第１の方法としては、欠陥部上の
膜全ての除去があり、レーザーリペアと呼ばれる方法が
一般的に行われている。これは問題の発生している欠陥
部をレーザーで焼き切るという方法がある。
ス表示体の製造では、特に第１電極層の欠陥が問題とな
っており、このような導電膜の電極断線部・抜け部に対
して、これを修復する第１の方法としては、欠陥部上の
膜全ての除去があり、レーザーリペアと呼ばれる方法が
一般的に行われている。これは問題の発生している欠陥
部をレーザーで焼き切るという方法がある。
【００１３】しかしながら、有機ＥＬ素子においては、
図４に示すように、高出力レーザーで欠陥部３０１を焼
き切ると、有機層と電極との密着性が悪いことによる電
極の剥離が起こり、こうしたレーザーリペアを行った画
素を長時間発光させると焼き切った部分から水分や酸素
が進入し、ダークスポットが増大していく現象が見ら
れ、最終的に非常に発光領域が狭められるという不具合
が発生した。こういった長期的な信頼性の低下がレーザ
ーリペア法の採用を難しくしていた。
図４に示すように、高出力レーザーで欠陥部３０１を焼
き切ると、有機層と電極との密着性が悪いことによる電
極の剥離が起こり、こうしたレーザーリペアを行った画
素を長時間発光させると焼き切った部分から水分や酸素
が進入し、ダークスポットが増大していく現象が見ら
れ、最終的に非常に発光領域が狭められるという不具合
が発生した。こういった長期的な信頼性の低下がレーザ
ーリペア法の採用を難しくしていた。
【００１４】導電膜の電極断線部・抜け部に対して、こ
れを修復する第２の方法としては、特開平３−８５５２
３号公報に開示されているように、欠陥部に有機インジ
ウム化合物の溶液を塗布し、これを加熱することによっ
て前記有機インジウム化合物の塗膜を導電層に変換する
方法、特開平２−６７５１７号公報に開示されているよ
うに、欠陥部に導電性のガラスを塗布する方法等があ
る。
れを修復する第２の方法としては、特開平３−８５５２
３号公報に開示されているように、欠陥部に有機インジ
ウム化合物の溶液を塗布し、これを加熱することによっ
て前記有機インジウム化合物の塗膜を導電層に変換する
方法、特開平２−６７５１７号公報に開示されているよ
うに、欠陥部に導電性のガラスを塗布する方法等があ
る。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、物理蒸
着法等により基板上に成膜された第１電極層は抜け部が
存在する場合があり、そこから非発光部（ダークスポッ
ト）が成長する問題があったが、かかる有機ＥＬ素子に
おける問題点となる抜け部の大きさは径５０μｍ以下と
小さいため、必ずしも上記従来の抜け部の修復方法のよ
うに抜け部に対し導電膜を成膜し抜け部から発光させる
必要はない。それよりも、抜け部等からの非発光部（ダ
ークスポット）の成長を防ぐことが重要であるが、上記
従来の抜け部の修復方法は導電性材料が高抵抗であるも
のが多く材料が限定されてしまうこと、結晶化させたと
き表面の凹凸が問題となるため、容易な埋め込み方法と
は言い難い。
着法等により基板上に成膜された第１電極層は抜け部が
存在する場合があり、そこから非発光部（ダークスポッ
ト）が成長する問題があったが、かかる有機ＥＬ素子に
おける問題点となる抜け部の大きさは径５０μｍ以下と
小さいため、必ずしも上記従来の抜け部の修復方法のよ
うに抜け部に対し導電膜を成膜し抜け部から発光させる
必要はない。それよりも、抜け部等からの非発光部（ダ
ークスポット）の成長を防ぐことが重要であるが、上記
従来の抜け部の修復方法は導電性材料が高抵抗であるも
のが多く材料が限定されてしまうこと、結晶化させたと
き表面の凹凸が問題となるため、容易な埋め込み方法と
は言い難い。
【００１６】本発明は、上述の課題を解決するものであ
り、簡易な方法で電極断線部・抜け部を埋め込み、非発
光部（ダークスポット）の成長を防ぐことができる有機
ＥＬ素子の製造方法、さらには該有機ＥＬ素子をアレー
状やマトリクス状等に配置した構成を有する露光装置及
び発光装置の製造方法を提供するものである。
り、簡易な方法で電極断線部・抜け部を埋め込み、非発
光部（ダークスポット）の成長を防ぐことができる有機
ＥＬ素子の製造方法、さらには該有機ＥＬ素子をアレー
状やマトリクス状等に配置した構成を有する露光装置及
び発光装置の製造方法を提供するものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する本
発明の構成は、以下の通りである。
発明の構成は、以下の通りである。
【００１８】即ち、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法
は、少なくとも一方が透明または半透明の対向する一対
の電極層間に一層または複数層の有機化合物層を有する
有機ＥＬ素子の製造方法において、前記電極層の欠陥部
に、非導電性膜を充填する工程を有することを特徴とす
る。
は、少なくとも一方が透明または半透明の対向する一対
の電極層間に一層または複数層の有機化合物層を有する
有機ＥＬ素子の製造方法において、前記電極層の欠陥部
に、非導電性膜を充填する工程を有することを特徴とす
る。
【００１９】上記本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、
更なる好ましい特徴として、「前記非導電性膜を充填す
る工程は、前記欠陥部にインクジェット法により非導電
性材料を含有する液滴を吐出する工程を有すること」、
この場合、「前記液滴を吐出する工程の前に、前記欠陥
部の位置を特定する工程を有すること」、「前記非導電
性膜を充填する工程は、少なくとも前記欠陥部を有する
電極層上に、ウエット塗布法により非導電性材料を含有
する液体を塗布する工程を有すること」、を含む。
更なる好ましい特徴として、「前記非導電性膜を充填す
る工程は、前記欠陥部にインクジェット法により非導電
性材料を含有する液滴を吐出する工程を有すること」、
この場合、「前記液滴を吐出する工程の前に、前記欠陥
部の位置を特定する工程を有すること」、「前記非導電
性膜を充填する工程は、少なくとも前記欠陥部を有する
電極層上に、ウエット塗布法により非導電性材料を含有
する液体を塗布する工程を有すること」、を含む。
【００２０】また、本発明の露光装置の製造方法は、少
なくとも一方が透明または半透明の対向する一対の電極
層間に一層または複数層の有機化合物層を有する有機Ｅ
Ｌ素子の複数を配列した構成を有する露光装置の製造方
法において、前記有機ＥＬ素子を、上記本発明の有機Ｅ
Ｌ素子の製造方法により製造することを特徴とする。
なくとも一方が透明または半透明の対向する一対の電極
層間に一層または複数層の有機化合物層を有する有機Ｅ
Ｌ素子の複数を配列した構成を有する露光装置の製造方
法において、前記有機ＥＬ素子を、上記本発明の有機Ｅ
Ｌ素子の製造方法により製造することを特徴とする。
【００２１】さらに、本発明の発光装置の製造方法は、
少なくとも一方が透明または半透明の対向する一対の電
極層間に一層または複数層の有機化合物層を有する有機
ＥＬ素子の複数を配列した構成を有する発光装置の製造
方法において、前記有機ＥＬ素子を、上記本発明の有機
ＥＬ素子の製造方法により製造することを特徴とする。
少なくとも一方が透明または半透明の対向する一対の電
極層間に一層または複数層の有機化合物層を有する有機
ＥＬ素子の複数を配列した構成を有する発光装置の製造
方法において、前記有機ＥＬ素子を、上記本発明の有機
ＥＬ素子の製造方法により製造することを特徴とする。
【００２２】本明細書中の『インクジェット』という表
現は通常言われているインクジェットの技術のことであ
り、非常に少量の液滴をノズルから飛ばして被着物に精
確に着弾させる技術のことである。その技術を応用して
液滴である非導電材料を欠陥部に精確に着弾させ欠陥修
復を行うことができる。
現は通常言われているインクジェットの技術のことであ
り、非常に少量の液滴をノズルから飛ばして被着物に精
確に着弾させる技術のことである。その技術を応用して
液滴である非導電材料を欠陥部に精確に着弾させ欠陥修
復を行うことができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態を
詳述するが、本発明はこれらの実施形態に何ら限定され
るものではない。
詳述するが、本発明はこれらの実施形態に何ら限定され
るものではない。
【００２４】（第１の実施形態）本実施形態は、基板上
に形成された電極層の欠陥部に、インクジェット法によ
り非導電性材料を含有する液滴を吐出し、前記欠陥部に
入り込んだ前記液滴の溶媒を加熱蒸発させ、非導電性膜
を形成し、欠陥部を充填するものである。
に形成された電極層の欠陥部に、インクジェット法によ
り非導電性材料を含有する液滴を吐出し、前記欠陥部に
入り込んだ前記液滴の溶媒を加熱蒸発させ、非導電性膜
を形成し、欠陥部を充填するものである。
【００２５】以下、本実施形態を図５を参照して説明す
る。図５において、５０１は透明基板、５０２は第１電
極層（透明導電膜）、５０３は第１電極層欠陥部、５０
４はインクジェット、５０５は溶液、５０６は正孔注入
層、５０７は発光層、５０８は第２電極層である。
る。図５において、５０１は透明基板、５０２は第１電
極層（透明導電膜）、５０３は第１電極層欠陥部、５０
４はインクジェット、５０５は溶液、５０６は正孔注入
層、５０７は発光層、５０８は第２電極層である。
【００２６】先ず、ガラス等の透明基板５０１上に酸化
スズインジウム（ＩＴＯ）、酸化スズ薄膜等の透明な第
１電極層５０２を形成する（図５（ａ））。なお、第１
電極層５０２は半透明であってもよい。第１電極層５０
２の形成方法は、スパッタリング法、電子ビーム法、化
学反応法等いずれを用いても良い。これらの方法によっ
て透明基板５０１上に形成された第１電極層５０２に
は、通常、径５０μｍ以下の断線部、抜け部等の欠陥部
５０３が存在している。
スズインジウム（ＩＴＯ）、酸化スズ薄膜等の透明な第
１電極層５０２を形成する（図５（ａ））。なお、第１
電極層５０２は半透明であってもよい。第１電極層５０
２の形成方法は、スパッタリング法、電子ビーム法、化
学反応法等いずれを用いても良い。これらの方法によっ
て透明基板５０１上に形成された第１電極層５０２に
は、通常、径５０μｍ以下の断線部、抜け部等の欠陥部
５０３が存在している。
【００２７】次に、第１電極層５０２の欠陥部５０３に
対し、有機溶媒に正孔注入層形成材料を溶解させた溶液
５０５をインクジェット法により塗布する（図５
（ｂ））。溶媒は塗布後乾燥除去するため有機溶媒に限
られるものではない。また、欠陥部に塗布する材料とし
ては正孔注入層形成材料が製造上好ましいが、有機ＥＬ
素子の非発光部（ダークスポット）の成長を促進させな
い材料であれば特に限定されるものではない。
対し、有機溶媒に正孔注入層形成材料を溶解させた溶液
５０５をインクジェット法により塗布する（図５
（ｂ））。溶媒は塗布後乾燥除去するため有機溶媒に限
られるものではない。また、欠陥部に塗布する材料とし
ては正孔注入層形成材料が製造上好ましいが、有機ＥＬ
素子の非発光部（ダークスポット）の成長を促進させな
い材料であれば特に限定されるものではない。
【００２８】インクジェット方式の装置としては、圧電
素子等を用いたインクジェット噴射装置、熱エネルギー
によって液体内に気泡を形成させてその液体を液滴とし
て吐出させる方式（バブルジェット（登録商標）方式）
によるインクジェット噴射装置などが挙げられる。
素子等を用いたインクジェット噴射装置、熱エネルギー
によって液体内に気泡を形成させてその液体を液滴とし
て吐出させる方式（バブルジェット（登録商標）方式）
によるインクジェット噴射装置などが挙げられる。
【００２９】次に、基板を加熱乾燥させ、有機溶媒を除
去する（図５（ｃ））。尚、溶媒除去方法は加熱乾燥に
限られるものではない。また、溶媒が非発光部（ダーク
スポット）の成長を促進させなければ溶媒を完全に除去
する必要はなく、溶媒を硬化させても良い。
去する（図５（ｃ））。尚、溶媒除去方法は加熱乾燥に
限られるものではない。また、溶媒が非発光部（ダーク
スポット）の成長を促進させなければ溶媒を完全に除去
する必要はなく、溶媒を硬化させても良い。
【００３０】次に、第１電極層５０２上に、正孔注入層
５０６を成膜する（図５（ｄ））。正孔注入層５０６の
形成方法は、蒸着法、ディッピング法、スピンコート法
等いずれを用いてもよい。正孔注入層５０６の膜厚は、
キャリアの移動度、光をガラス基板側から取り出すこと
を考慮して、できるだけ薄い方が好ましい。しかし、薄
すぎるとピンホール等で絶縁破壊が起こる。一方、正孔
注入層の膜厚が厚すぎると、完成した有機エレクトロル
ミネッセンス表示体に必要な駆動電圧が高くなる。
５０６を成膜する（図５（ｄ））。正孔注入層５０６の
形成方法は、蒸着法、ディッピング法、スピンコート法
等いずれを用いてもよい。正孔注入層５０６の膜厚は、
キャリアの移動度、光をガラス基板側から取り出すこと
を考慮して、できるだけ薄い方が好ましい。しかし、薄
すぎるとピンホール等で絶縁破壊が起こる。一方、正孔
注入層の膜厚が厚すぎると、完成した有機エレクトロル
ミネッセンス表示体に必要な駆動電圧が高くなる。
【００３１】次に発光層５０７を成膜する（図５
（ｅ））。発光層５０７の形成方法は、蒸着法、スピン
コート法等いずれを用いてもよい。
（ｅ））。発光層５０７の形成方法は、蒸着法、スピン
コート法等いずれを用いてもよい。
【００３２】次に、電極パターンを形成するため成膜面
上にマスクを固定し、第２電極層５０８を形成する（図
５（ｆ））。
上にマスクを固定し、第２電極層５０８を形成する（図
５（ｆ））。
【００３３】以上の工程により、第１電極層の欠陥によ
る非発光部（ダークスポット）の成長を抑制できる有機
ＥＬ素子が得られる。
る非発光部（ダークスポット）の成長を抑制できる有機
ＥＬ素子が得られる。
【００３４】本実施形態においては、前記液滴５０５を
吐出する工程の前に、予め欠陥部５０３の位置を特定す
る工程を設けることが好ましい。その具体的な方法とし
ては、例えば第１電極層が成膜されている基板を三次元
表面構造解析顕微鏡等を用いて計測し抜け欠陥部を特定
するなどの方法がある。
吐出する工程の前に、予め欠陥部５０３の位置を特定す
る工程を設けることが好ましい。その具体的な方法とし
ては、例えば第１電極層が成膜されている基板を三次元
表面構造解析顕微鏡等を用いて計測し抜け欠陥部を特定
するなどの方法がある。
【００３５】また、インクジェット法により欠陥部５０
３に液滴５０５を吐出する場合、前述のように欠陥部は
非常に小さいため、液滴の固形分を低濃度とする方が好
ましい。
３に液滴５０５を吐出する場合、前述のように欠陥部は
非常に小さいため、液滴の固形分を低濃度とする方が好
ましい。
【００３６】（第２の実施形態）本実施形態は、基板上
に形成された電極層上全体に、スピンコート法等のウエ
ット塗布法により非導電性材料を含有する液体を塗布
し、この塗布膜を電極層が露出するまでアッシングによ
り除去して、電極層の欠陥部に非導電性膜を充填するも
のである。
に形成された電極層上全体に、スピンコート法等のウエ
ット塗布法により非導電性材料を含有する液体を塗布
し、この塗布膜を電極層が露出するまでアッシングによ
り除去して、電極層の欠陥部に非導電性膜を充填するも
のである。
【００３７】本実施形態を図６を参照して説明する。図
６において、６０１は透明基板、６０２は第１電極層
（透明導電膜）、６０３は第１電極層欠陥部、６０４は
液体、６０５は正孔注入層、６０６は発光層、６０７は
第２電極層である。
６において、６０１は透明基板、６０２は第１電極層
（透明導電膜）、６０３は第１電極層欠陥部、６０４は
液体、６０５は正孔注入層、６０６は発光層、６０７は
第２電極層である。
【００３８】先ず、ガラス等の透明基板６０１上に酸化
スズインジウム（ＩＴＯ）、酸化スズ薄膜等の透明な第
１電極層６０２を形成する（図６（ａ））。なお、第１
電極層６０２は半透明であってもよい。また、第１電極
層６０２の形成方法は、スパッタリング法、電子ビーム
法、化学反応法等いずれを用いても良い。
スズインジウム（ＩＴＯ）、酸化スズ薄膜等の透明な第
１電極層６０２を形成する（図６（ａ））。なお、第１
電極層６０２は半透明であってもよい。また、第１電極
層６０２の形成方法は、スパッタリング法、電子ビーム
法、化学反応法等いずれを用いても良い。
【００３９】次に、第１電極層６０２の欠陥部６０３に
対し、セルロース誘導体と固形樹脂類とを配合した液体
６０４をスピンコート法により基板全面に塗布する（図
６（ｂ））。基板上に液体６０４を塗布する方法として
は、スピンコート法、ディッピング法、スリットコート
法等が挙げられるが、これらに限られるものではない。
また、液体６０４としては、セルロース誘導体と固形樹
脂類との配合した液体が好ましいが、これに限られるも
のではない。
対し、セルロース誘導体と固形樹脂類とを配合した液体
６０４をスピンコート法により基板全面に塗布する（図
６（ｂ））。基板上に液体６０４を塗布する方法として
は、スピンコート法、ディッピング法、スリットコート
法等が挙げられるが、これらに限られるものではない。
また、液体６０４としては、セルロース誘導体と固形樹
脂類との配合した液体が好ましいが、これに限られるも
のではない。
【００４０】次に、前記液体６０４をスキージすること
により、欠陥部６０３に前記液体を充填する。次に、基
板を加熱乾燥処理し、液体６０４を硬化させる。この硬
化させる方法は、加熱乾燥に限られるものではない。
により、欠陥部６０３に前記液体を充填する。次に、基
板を加熱乾燥処理し、液体６０４を硬化させる。この硬
化させる方法は、加熱乾燥に限られるものではない。
【００４１】次に、アッシングにより、第１電極層が露
出するまで樹脂を除去する（図６（ｃ））。アッシング
方法としてプラズマオゾン、ＵＶ等があるが、これに限
られるものではない。
出するまで樹脂を除去する（図６（ｃ））。アッシング
方法としてプラズマオゾン、ＵＶ等があるが、これに限
られるものではない。
【００４２】以下の工程は上記第１の実施形態と同じで
あるので、その説明は省略する。
あるので、その説明は省略する。
【００４３】次に、本発明に係る有機ＥＬ素子を用いた
各種の装置について簡単に説明する。
各種の装置について簡単に説明する。
【００４４】図９、図１０は有機ＥＬ素子を用いた装置
の一例を示している。図９は有機ＥＬ素子を２次元に配
列した表示ディスプレイであり、図１０は１次元に配列
したプリンタヘッド光源である。この２例は有機ＥＬ素
子の配置の仕方が異なるだけであり、駆動方式は基本的
に同じである。どちらも、アノード配線Ｌｘ１とカソー
ド配線Ｌｙ１との間には有機ＥＬ素子Ｄ１１（容量部は
省略して記載している）が、Ｌｘ１とＬｙ２にはＤ２１
が、Ｌｘ２とＬｙ１にはＤ１２が、Ｌｘ２とＬｙ２には
Ｄ２２が接続されている。
の一例を示している。図９は有機ＥＬ素子を２次元に配
列した表示ディスプレイであり、図１０は１次元に配列
したプリンタヘッド光源である。この２例は有機ＥＬ素
子の配置の仕方が異なるだけであり、駆動方式は基本的
に同じである。どちらも、アノード配線Ｌｘ１とカソー
ド配線Ｌｙ１との間には有機ＥＬ素子Ｄ１１（容量部は
省略して記載している）が、Ｌｘ１とＬｙ２にはＤ２１
が、Ｌｘ２とＬｙ１にはＤ１２が、Ｌｘ２とＬｙ２には
Ｄ２２が接続されている。
【００４５】これらの装置においては、任意のアノード
配線及びカソード配線に適宜の電位を与えることによ
り、各有機ＥＬ素子を個別に発光させることができ、様
々な発光パターンや画像を表示することができる。
配線及びカソード配線に適宜の電位を与えることによ
り、各有機ＥＬ素子を個別に発光させることができ、様
々な発光パターンや画像を表示することができる。
【００４６】これらの装置を製造する場合においても、
前述したような本発明の有機ＥＬ素子の製造方法をその
まま拡張して適用することができ、基板上に形成した電
極層の抜け部などの欠陥部を修復することにより、電極
抜け部からのダークスポットの成長を抑止することがで
き、高品位且つ高耐久の装置が実現される。
前述したような本発明の有機ＥＬ素子の製造方法をその
まま拡張して適用することができ、基板上に形成した電
極層の抜け部などの欠陥部を修復することにより、電極
抜け部からのダークスポットの成長を抑止することがで
き、高品位且つ高耐久の装置が実現される。
【００４７】このように本発明は、単色発光素子の製造
のみならず、有機ＥＬ素子をアレー状やマトリクス状等
に配置した構成を有する露光装置及び発光装置、さらに
はフルカラーの表示装置（パッシブマトリクス型やアク
ティブマトリクス型の表示装置等）の製造にも適用でき
るものである。
のみならず、有機ＥＬ素子をアレー状やマトリクス状等
に配置した構成を有する露光装置及び発光装置、さらに
はフルカラーの表示装置（パッシブマトリクス型やアク
ティブマトリクス型の表示装置等）の製造にも適用でき
るものである。
【００４８】
【実施例】以下、実施例により本発明を説明するが、本
発明はこれらの実施例により何ら制限されるものではな
い。
発明はこれらの実施例により何ら制限されるものではな
い。
【００４９】（実施例１）本実施例における有機エレク
トロルミネッセンスの製造方法を図７を参照して説明す
る。図７において、７０１はガラス基板、７０２はＩＴ
Ｏ透明電極、７０３はＩＴＯ抜け部、７０４はインクジ
ェット、７０５は溶液、７０６は正孔注入層、７０７は
発光層、７０８はＡｌ電極（第２電極層）である。
トロルミネッセンスの製造方法を図７を参照して説明す
る。図７において、７０１はガラス基板、７０２はＩＴ
Ｏ透明電極、７０３はＩＴＯ抜け部、７０４はインクジ
ェット、７０５は溶液、７０６は正孔注入層、７０７は
発光層、７０８はＡｌ電極（第２電極層）である。
【００５０】先ず、ガラス基板７０１上にスパッタ法に
よりＩＴＯ透明電極（第１電極層）７０２を形成した
（図７（ａ））。
よりＩＴＯ透明電極（第１電極層）７０２を形成した
（図７（ａ））。
【００５１】次に、有機溶媒に正孔注入材料（トリフェ
ニルアミン６量体（ＴＰＡ−６：分子量１４６１、融点
２７７℃、Ｔｇ１５６℃））を０．５％溶解させた溶液
７０５を、インクジェット７０４によりＩＴＯ抜け部７
０３に４ｐｌ吐出した（図７（ｂ））。
ニルアミン６量体（ＴＰＡ−６：分子量１４６１、融点
２７７℃、Ｔｇ１５６℃））を０．５％溶解させた溶液
７０５を、インクジェット７０４によりＩＴＯ抜け部７
０３に４ｐｌ吐出した（図７（ｂ））。
【００５２】次に、この基板を真空中８０℃で加熱乾燥
処理し、ＩＴＯ抜け部７０３に正孔注入材料を充填した
（図７（ｃ））。
処理し、ＩＴＯ抜け部７０３に正孔注入材料を充填した
（図７（ｃ））。
【００５３】次に、正孔注入材料としてトリフェニルア
ミン６量体（ＴＰＡ−６：分子量１４６１、融点２７７
℃、Ｔｇ１５６℃）をスピンコート法によりコーティン
グし、加熱乾燥することによって正孔注入層７０６を形
成した（図７（ｄ））。
ミン６量体（ＴＰＡ−６：分子量１４６１、融点２７７
℃、Ｔｇ１５６℃）をスピンコート法によりコーティン
グし、加熱乾燥することによって正孔注入層７０６を形
成した（図７（ｄ））。
【００５４】次に、発光材料としてトリス（８−キノリ
ノール）アルミニウム（アルミキノリン錯体）に代表さ
れる８−ヒドロキシキノリン金属錯体を物理蒸着法によ
って成膜し、発光層７０７を形成した（図７（ｅ））。
ノール）アルミニウム（アルミキノリン錯体）に代表さ
れる８−ヒドロキシキノリン金属錯体を物理蒸着法によ
って成膜し、発光層７０７を形成した（図７（ｅ））。
【００５５】次に、第２電極層パターンに対応する貫通
孔を有するマスクを用い、電子注入層（不図示）として
のＡｌ−Ｌｉを物理蒸着法によって成膜し、続いてＡｌ
電極７０８を物理蒸着法によって成膜した（図７
（ｆ））。
孔を有するマスクを用い、電子注入層（不図示）として
のＡｌ−Ｌｉを物理蒸着法によって成膜し、続いてＡｌ
電極７０８を物理蒸着法によって成膜した（図７
（ｆ））。
【００５６】最後に、封止工程を経て有機レクトロルミ
ネッセンス素子を作製した。
ネッセンス素子を作製した。
【００５７】（実施例２）本実施例における有機エレク
トロルミネッセンスの製造方法を図８を参照して説明す
る。図８において、８０１はガラス基板、８０２はＩＴ
Ｏ透明電極、８０３はＩＴＯ抜け部、８０４は液体、８
０５はドクターブレード、８０６は正孔注入層、８０７
は発光層、８０８はＡｌ電極（第２電極層）である。
トロルミネッセンスの製造方法を図８を参照して説明す
る。図８において、８０１はガラス基板、８０２はＩＴ
Ｏ透明電極、８０３はＩＴＯ抜け部、８０４は液体、８
０５はドクターブレード、８０６は正孔注入層、８０７
は発光層、８０８はＡｌ電極（第２電極層）である。
【００５８】先ず、ガラス基板８０１上にスパッタ法に
よりＩＴＯ透明電極（第１電極層）８０２を形成した
（図８（ａ））。
よりＩＴＯ透明電極（第１電極層）８０２を形成した
（図８（ａ））。
【００５９】次に、ＩＴＯ上にセルロース誘導体と固形
樹脂類とを配合した液体８０４をスピンコート法によ
り、基板全面に成膜した（図８（ｂ））。
樹脂類とを配合した液体８０４をスピンコート法によ
り、基板全面に成膜した（図８（ｂ））。
【００６０】次に、ドクターブレード８０５により余分
な液体８０４を除去した（図８（ｃ））。
な液体８０４を除去した（図８（ｃ））。
【００６１】次に、この基板を乾燥させ、アッシングに
よりＩＴＯ表面が現れるまでＩＴＯ上の前記液体８０４
が硬化した樹脂を除去した。これによりＩＴＯ抜け部８
０３に対し前記液体８０４が硬化した樹脂が充填された
（図８（ｄ））。
よりＩＴＯ表面が現れるまでＩＴＯ上の前記液体８０４
が硬化した樹脂を除去した。これによりＩＴＯ抜け部８
０３に対し前記液体８０４が硬化した樹脂が充填された
（図８（ｄ））。
【００６２】次に、正孔注入材料としてトリフェニルア
ミン６量体（ＴＰＡ−６：分子量１４６１、融点２７７
℃、Ｔｇ１５６℃）をスピンコート法によりコーティン
グし、加熱乾燥することによって正孔注入層８０６を形
成した（図８（ｅ））。
ミン６量体（ＴＰＡ−６：分子量１４６１、融点２７７
℃、Ｔｇ１５６℃）をスピンコート法によりコーティン
グし、加熱乾燥することによって正孔注入層８０６を形
成した（図８（ｅ））。
【００６３】次に、発光材料としてトリス（８−キノリ
ノール）アルミニウム（アルミキノリン錯体）に代表さ
れる８−ヒドロキシキノリン金属錯体を物理蒸着法によ
って成膜し、発光層８０７を形成した（図８（ｆ））。
ノール）アルミニウム（アルミキノリン錯体）に代表さ
れる８−ヒドロキシキノリン金属錯体を物理蒸着法によ
って成膜し、発光層８０７を形成した（図８（ｆ））。
【００６４】次に、第２電極層パターンに対応する貫通
孔を有するマスクを用い、電子注入層（不図示）として
のＡｌ−Ｌｉを物理蒸着法によって成膜し、続いてＡｌ
電極８０８を物理蒸着法によって成膜した（図８
（ｇ））。
孔を有するマスクを用い、電子注入層（不図示）として
のＡｌ−Ｌｉを物理蒸着法によって成膜し、続いてＡｌ
電極８０８を物理蒸着法によって成膜した（図８
（ｇ））。
【００６５】最後に、封止工程を経て有機レクトロルミ
ネッセンス素子を作製した。
ネッセンス素子を作製した。
【００６６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
有機ＥＬ素子の電極層の抜け等の欠陥部に対して、欠陥
修復材料として非導電性材料が使用でき、また正孔注入
材料も使用可能であり、材料に左右されず且つ簡易な方
法によって電極欠陥から非発光部（ダークスポット）の
成長のない有機ＥＬ素子を作製できる。
有機ＥＬ素子の電極層の抜け等の欠陥部に対して、欠陥
修復材料として非導電性材料が使用でき、また正孔注入
材料も使用可能であり、材料に左右されず且つ簡易な方
法によって電極欠陥から非発光部（ダークスポット）の
成長のない有機ＥＬ素子を作製できる。
【００６７】また、有機ＥＬ素子の複数をアレー状やマ
トリクス状等に配置した構成を有する露光装置及び発光
装置、さらには画像形成装置においては、電極抜け部か
らのダークスポットの成長を抑止して、高品位且つ高耐
久の装置が実現される。
トリクス状等に配置した構成を有する露光装置及び発光
装置、さらには画像形成装置においては、電極抜け部か
らのダークスポットの成長を抑止して、高品位且つ高耐
久の装置が実現される。
【図１】エレクトロルミネッセンス素子がマトリックス
状に配置されている表示パネルの構成図（Ａ）各画素の
配列を示す表示パネルの正面図（Ｂ）表示パネルの断面
図。
状に配置されている表示パネルの構成図（Ａ）各画素の
配列を示す表示パネルの正面図（Ｂ）表示パネルの断面
図。
【図２】従来の薄膜形成方法により、エレクトロルミネ
ッセンス素子の第２電極を形成している様子を模式的に
示す斜視図。
ッセンス素子の第２電極を形成している様子を模式的に
示す斜視図。
【図３】第１電極に欠陥が存在する場合の有機ＥＬ素子
の概略断面図。
の概略断面図。
【図４】レーザーリペアを施した状態を示す概略断面
図。
図。
【図５】第１の実施の形態の電極欠陥修復方法。
【図６】第２の実施の形態の電極欠陥修復方法。
【図７】本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の第１の実施
例を示す工程図。
例を示す工程図。
【図８】本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の第２の実施
例を示す工程図。
例を示す工程図。
【図９】本発明の製造方法を適用できる表示ディスプレ
イの一例を示す回路図である。
イの一例を示す回路図である。
【図１０】本発明の製造方法を適用できるプリンタヘッ
ド光源の一例を示す回路図である。
ド光源の一例を示す回路図である。
１０１ 基板 １０２ 第１電極層 １０３ 有機層 １０３ａ 正孔注入層 １０３ｂ 発光層 １０４ 第２電極層 １０５ 画素 ２０１ マスク ２０２ 貫通孔 ３０１ 第１電極層の欠陥部 ５０１ 基板 ５０２ 第１電極層 ５０３ 第１電極層欠陥部 ５０４ インクジェット ５０５ 有機溶媒に正孔注入材料を０．５％溶解させた
溶液 ５０６ 正孔注入層 ５０７ 発光層 ５０８ 第２電極層 ６０１ 基板 ６０２ 第１電極層 ６０３ 第１電極層欠陥部 ６０４ セルロース誘導体と固形樹脂類とを配合した液
体 ６０５ 正孔注入層 ６０６ 発光層 ６０７ 第２電極層 ７０１ 基板 ７０２ 第１電極層 ７０３ 第１電極層欠陥部 ７０４ インクジェット ７０５ 有機溶媒に正孔注入材料を０．５％溶解させた
溶液 ７０６ 正孔注入層 ７０７ 発光層 ７０８ 第２電極層 ８０１ 基板 ８０２ 第１電極層 ８０３ 第１電極層欠陥部 ８０４ セルロース誘導体と固形樹脂類との配合した液
体 ８０５ ドクターブレード ８０６ 正孔注入層 ８０７ 発光層 ８０８ 第２電極層
溶液 ５０６ 正孔注入層 ５０７ 発光層 ５０８ 第２電極層 ６０１ 基板 ６０２ 第１電極層 ６０３ 第１電極層欠陥部 ６０４ セルロース誘導体と固形樹脂類とを配合した液
体 ６０５ 正孔注入層 ６０６ 発光層 ６０７ 第２電極層 ７０１ 基板 ７０２ 第１電極層 ７０３ 第１電極層欠陥部 ７０４ インクジェット ７０５ 有機溶媒に正孔注入材料を０．５％溶解させた
溶液 ７０６ 正孔注入層 ７０７ 発光層 ７０８ 第２電極層 ８０１ 基板 ８０２ 第１電極層 ８０３ 第１電極層欠陥部 ８０４ セルロース誘導体と固形樹脂類との配合した液
体 ８０５ ドクターブレード ８０６ 正孔注入層 ８０７ 発光層 ８０８ 第２電極層
Claims (6)
- 【請求項１】 少なくとも一方が透明または半透明の対
向する一対の電極層間に一層または複数層の有機化合物
層を有する有機ＥＬ素子の製造方法において、 前記電極層の欠陥部に、非導電性膜を充填する工程を有
することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記非導電性膜を充填する工程は、前記
欠陥部にインクジェット法により非導電性材料を含有す
る液滴を吐出する工程を有することを特徴とする請求項
１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記液滴を吐出する工程の前に、前記欠
陥部の位置を特定する工程を有することを特徴とする請
求項２に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記非導電性膜を充填する工程は、少な
くとも前記欠陥部を有する電極層上に、ウエット塗布法
により非導電性材料を含有する液体を塗布する工程を有
することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子の
製造方法。 - 【請求項５】 少なくとも一方が透明または半透明の対
向する一対の電極層間に一層または複数層の有機化合物
層を有する有機ＥＬ素子の複数を配列した構成を有する
露光装置の製造方法において、 前記有機ＥＬ素子を、請求項１乃至４のいずれかに記載
の製造方法により製造することを特徴とする露光装置の
製造方法。 - 【請求項６】 少なくとも一方が透明または半透明の対
向する一対の電極層間に一層または複数層の有機化合物
層を有する有機ＥＬ素子の複数を配列した構成を有する
発光装置の製造方法において、 前記有機ＥＬ素子を、請求項１乃至４のいずれかに記載
の製造方法により製造することを特徴とする発光装置の
製造方法。
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| JP2001152030A JP2002343567A (ja) | 2001-05-22 | 2001-05-22 | 有機ｅｌ素子、露光装置、発光装置の製造方法 |
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| JP2001152030A Withdrawn JP2002343567A (ja) | 2001-05-22 | 2001-05-22 | 有機ｅｌ素子、露光装置、発光装置の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
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- 2001-05-22 JP JP2001152030A patent/JP2002343567A/ja not_active Withdrawn
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