JP5642277B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
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- H10K71/861—Repairing
Description
まず、本発明の実施の形態1に係る有機EL素子1について、図1を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態1に係る有機EL素子を有機EL表示装置に適用したときの一画素の構成を示しており、図1(a)は、本発明の実施の形態1に係る有機EL素子の断面図である。また、図1(b)は、同有機EL素子の平面図である。なお、図1(a)は、図1(b)のA−A’線における断面図である。
次に、本発明の実施の形態2に係る有機EL素子2について、図6を用いて説明する。図6は、本発明の実施の形態2に係る有機EL素子の断面図である。なお、図6において、図1に示す構成要素と同じ構成要素には同じ符号を付しており、その詳しい説明は省略または簡略化する。
次に、本発明の実施の形態3に係る有機EL素子3について、図8を用いて説明する。図8は、本発明の実施の形態3に係る有機EL素子の断面図である。図8は、本発明の実施の形態3に係る有機EL素子を有機EL表示装置に適用したときの一画素の構成を示しており、図8(a)は、本発明の実施の形態3に係る有機EL素子の断面図である。また、図8(b)は、同有機EL素子の平面図である。なお、図8(a)は、図8(b)のA−A’線における断面図である。なお、図8において、図1に示す構成要素と同じ構成要素には同じ符号を付しており、その詳しい説明は省略または簡略化する。
次に、本発明の実施の形態4に係る有機EL素子4について、図12を用いて説明する。図12は、本発明の実施の形態4に係る有機EL素子の断面図である。なお、図12において、図1に示す構成要素と同じ構成要素には同じ符号を付しており、その詳しい説明は省略または簡略化する。
10 基板
20 平坦化層
31 下部電極
32 上部電極
32a 変質部
40 有機層
41 正孔注入層
42 発光層
43 電子輸送層
50 隔壁
51 発光領域
61 薄膜封止層
62 封止用樹脂層
70 透光基板
80、81 空間
100 異物
200 レーザー光
Claims (19)
- 下部電極、発光層を含む有機層および上部電極を備え、前記下部電極と前記上部電極とが短絡している部分を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を準備する第1の工程と、
前記下部電極と前記上部電極とが短絡している部分を取り囲むように超短パルスレーザーを照射して、前記下部電極または前記上部電極の構成材料を変質させて変質部を形成すると共に、前記変質部に取り囲まれた領域に対応する前記下部電極と前記上部電極との間に前記変質部とは異なる空間を形成する第2の工程と、を含む
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記第1の工程において、前記下部電極および前記上部電極の少なくとも一方の構成材料が透明金属酸化物である有機エレクトロルミネッセンス素子を準備する
請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記第2の工程において、前記超短パルスレーザーを照射することにより、前記透明金属酸化物を粒状構造に変質させて高抵抗化された前記変質部を形成する
請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記第1の工程において、前記有機層が前記発光層に隣接する電子輸送層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子を準備し、
前記第2の工程において、前記発光層と前記電子輸送層との間に前記空間を形成する
請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記第1の工程において、前記有機層の一つとして前記上部電極に隣接する電子輸送層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子を準備し、
前記第2の工程において、前記上部電極と前記電子輸送層との間に前記空間を形成する
請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記第1の工程において、前記短絡している部分が前記有機層に導電性の異物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子を準備する
請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記第2の工程において、前記導電性の異物と前記上部電極との間に前記空間を形成する
請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記超短パルスレーザーのパルス幅は、100fs〜20psである
請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記超短パルスレーザーの波長は、900〜2500nmである
請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記第1の工程において、前記上部電極の上方に保護層が形成されている有機エレクトロルミネッセンス素子を準備し、
前記第2の工程において、前記保護層を介して、前記超短パルスレーザーを照射する
請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記第1の工程において、前記保護層の上方に調光層が形成されている有機エレクトロルミネッセンス素子を準備し、
前記第2の工程において、前記保護層および調光層を介して、前記超短パルスレーザーを照射する
請求項11に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 下部電極、発光層を含む有機層および上部電極を備え、
前記下部電極または前記上部電極の構成材料が超短パルスレーザー照射によって変質された部分と、
前記変質された部分に取り囲まれた領域に対応する前記有機層に形成された空間とを有する
有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記下部電極および前記上部電極の少なくとも一方の構成材料は、透明金属酸化物である
請求項13に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記変質された部分は、前記透明金属酸化物が粒状構造に変化して高抵抗化されている
請求項14に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記変質された部分のシート抵抗値は、1MΩ/□以上である
請求項15に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記有機層は、前記発光層に隣接する電子輸送層を含み、
前記空間は、前記発光層と前記電子輸送層との間に形成されている
請求項13に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記有機層は、前記上部電極に隣接する電子輸送層を含み、
前記空間は、前記上部電極と前記電子輸送層との間に形成されている
請求項13に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記変質された部分に取り囲まれた領域に対応する前記有機層に、導電性の異物が含まれている
請求項13に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記空間は、前記導電性の異物と前記上部電極との間に形成される
請求項19に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
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