WO2015111119A1 - 表示装置の製造方法および表示装置 - Google Patents

表示装置の製造方法および表示装置 Download PDF

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light emitting
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Inventor
平岡　知己
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株式会社Ｊｏｌｅｄ
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    • H10K71/861—Repairing

Definitions

  • the present invention relates to a display device manufacturing method and a display device.
  • organic EL organic electroluminescence
  • organic material EL Electro Luminescence
  • a defect occurs due to foreign matter adhering to a contact portion between an anode or cathode of an organic EL element and a TFT (Thin Film Transistor) wiring connected to the cathode or anode in a manufacturing process.
  • TFT Thin Film Transistor
  • a dark spot pixel that always becomes a dark spot display may occur.
  • a method of repairing (resolving) the defect by irradiating the defective part with laser light is employed (for example, see Patent Document 1).
  • Patent Document 1 conductive foreign matter adhering to the organic EL element is detected, and laser irradiation is performed on the organic layer in the peripheral region of the foreign matter. This insulates the organic layer between the anode and cathode of the organic EL element to which foreign matter has adhered and forms a high resistance region, thereby eliminating the short circuit between the anode and the cathode due to foreign matter.
  • the technique according to Patent Document 1 is a technique for eliminating a short-circuit failure between the anode and the cathode of an organic EL element by irradiating a laser beam. Since the laser beam is irradiated from the display screen side, that is, the surface side of a pixel, The irradiated area may be damaged and destroyed. In addition, when the partition is provided on the display screen side so as to cover the defective insulation part, even if laser light is irradiated from the display screen side, the laser light is not irradiated to the defective insulation part, and the defect can be solved. Have difficulty.
  • an object of the present invention is to provide a display device manufacturing method and a display device capable of repairing a dark spot pixel due to an insulation failure.
  • a method for manufacturing a display device includes a step of forming a first electrode layer over a substrate, and a planarization film over the first electrode layer. Forming a contact hole in the planarization film, forming a second electrode layer above the planarization film and the contact hole, and above the second electrode layer A step of forming a light emitting layer; a step of forming an upper electrode layer above the light emitting layer; and a pixel in which the first electrode layer and the second electrode layer are not in contact with each other in the contact hole. Irradiating the first electrode layer at a position other than the contact hole from the substrate side with a laser beam, and connecting the first electrode layer at the position irradiated with the laser beam to the second electrode layer; including.
  • a display device includes a first electrode layer formed over a substrate and a planarization film formed over the first electrode layer.
  • the second electrode layer is not in contact with the first electrode layer in the contact hole, and the first electrode layer is located at a position other than the contact hole from the substrate side.
  • the present invention it is possible to provide a display device manufacturing method and a display device capable of repairing a dark spot pixel due to insulation failure.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a display device according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the display device according to the present embodiment.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the display device according to the present embodiment.
  • FIG. 4 is a plan view showing the irradiation position of the laser beam in the present embodiment.
  • FIG. 5 is a flowchart showing a display device repair method according to the present embodiment.
  • FIG. 6 is an external view of a television system including an organic EL element.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a display device according to the present embodiment.
  • the display device 1 includes a substrate 10, a TFT electrode layer 12 formed on the substrate 10, and a planarization film 14 formed above the TFT electrode layer 12.
  • the EL electrode layer 16 formed above the planarizing film 14 and the light emitting layer 20 formed above the EL electrode layer 16 are provided, and the TFT electrode layer 12 is irradiated with laser light from the substrate 10 side. This is deformed and connected to the EL electrode layer 16. Therefore, the TFT electrode layer 12 and the EL electrode layer 16 can be connected at a portion other than the original contact portion 22, and a dark spot pixel due to an insulation failure can be repaired.
  • the substrate 10 is made of, for example, a silicon substrate including a driving thin film transistor (TFT).
  • TFT driving thin film transistor
  • a TFT electrode layer 12 is formed on the substrate 10.
  • the TFT electrode layer 12 is made of, for example, copper (Cu) and is formed to have a desired wiring shape by patterning. Note that the TFT electrode layer 12 is not limited to copper, and may be formed of other materials having good conductivity.
  • the TFT electrode layer 12 corresponds to the first electrode layer according to the present disclosure.
  • a planarizing film 14 is formed above the substrate 10 and the TFT electrode layer 12.
  • the planarization film 14 is made of an organic material having an insulating property.
  • a recess having the TFT electrode layer 12 as a bottom surface is formed in a part of the planarizing film 14, and the above-described TFT electrode layer 12 and the EL electrode layer 16 formed later on the planarizing film 14 are electrically connected.
  • a contact portion 22 is provided for connection.
  • An EL electrode layer 16 is formed on the planarizing film 14.
  • the EL electrode layer 16 is an anode to which holes are supplied, that is, an electric current flows from an external circuit.
  • the EL electrode layer 16 has a structure in which reflective electrodes made of, for example, aluminum (Al) or silver alloy APC are stacked.
  • the EL electrode layer 16 may have a two-layer structure made of, for example, ITO (Indium Tin Oxide) and silver alloy APC.
  • the EL electrode layer 16 corresponds to the second electrode layer in the present disclosure.
  • a contact failure portion 24 is formed in the contact portion 22 for electrically connecting the TFT electrode layer 12 and the electrode layer 16.
  • the defective contact portion 24 is generated, for example, when foreign matter is mixed into the contact portion 22 due to material characteristics or the excavation of the recess provided in the planarizing film 14 is insufficient in the manufacturing process. Thereby, the TFT electrode layer 12 and the electrode layer 16 are not electrically connected, and an insulation failure occurs.
  • the end 12a of the TFT electrode layer 12 by irradiating the end 12a of the TFT electrode layer 12 with laser light, the end 12a is deformed to be bent toward the EL electrode layer 16 side. Thereby, the TFT electrode layer 12 is electrically connected to the EL electrode layer 16 at the end 12a.
  • the laser light irradiation will be described in detail later.
  • a partition wall 18 and a light emitting layer 20 are formed above the EL electrode layer 16.
  • the partition wall 18 is a wall for separating the light emitting layer 20 into a plurality of light emitting regions, and adjacent pixels are separated by the partition wall 18.
  • the partition wall 18 is made of, for example, a surface photosensitive resin.
  • the light emitting layer 20 is a layer that emits light when a voltage is applied between the EL electrode layer 16 and a cathode (not shown) formed above the light emitting layer 20.
  • the light emitting layer 20 includes, for example, ⁇ -NPD (Bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl] benzidine) as a lower layer and Alq 3 (tris- (8-hydroxyquinoline) aluminum) as an upper layer. It has a structured.
  • the light emitting layer 20 may have a configuration including at least one of a hole transport layer, a hole injection layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in addition to a layer formed of an organic EL. .
  • An upper electrode layer 26 serving as a cathode is formed above the light emitting layer 20. Further, a thin film sealing layer, transparent glass, a color filter, etc. (not shown) are formed above the upper electrode layer 26.
  • the thin film sealing layer is made of, for example, silicon nitride (SiN) and has a function of blocking the light emitting layer 20 and the upper electrode layer 26 from water vapor and oxygen. This is to prevent the light emitting layer 20 itself and the upper electrode layer 26 from being deteriorated (oxidized) by being exposed to water vapor or oxygen.
  • SiN silicon nitride
  • the sealing resin layer is an acrylic or epoxy resin, and has a function of joining the layer formed integrally from the planarization film 14 to the thin film sealing layer formed on the substrate and the transparent glass. Have.
  • the configurations of the EL electrode layer 16, the light emitting layer 20, and the upper electrode layer 26 described above are basic configurations of the organic EL element in the display device 1. With such a configuration, when an appropriate voltage is applied between the EL electrode layer 16 and the upper electrode layer 26, holes from the EL electrode layer 16 side and electrons from the upper electrode layer 26 side respectively enter the light emitting layer 20. Injected. Due to the energy generated by recombination of these injected holes and electrons in the light emitting layer 20, the light emitting material of the light emitting layer 20 is excited and emits light.
  • FIG. 4 is a plan view showing the irradiation position of the laser beam in the present embodiment.
  • FIG. 5 is a flowchart showing a display device repair method according to the present embodiment. 4 is a plan view when the display device 1 is viewed from the substrate 10 side, the illustration of the substrate 10 is omitted.
  • the display device 1 according to the present embodiment is manufactured as follows.
  • a TFT electrode layer 12 is formed on a substrate 10 including TFTs.
  • the TFT electrode layer 12 is formed by, for example, forming a Cu film on the substrate 10 by a sputtering method, and then performing a patterning process by photolithography and wet etching.
  • planarizing film 14 made of an insulating organic material is formed, and then an EL electrode layer 16 is formed on the planarizing film 14.
  • the EL electrode layer 16 is formed, for example, by depositing Al on the planarizing film 14 by a sputtering method and then performing a patterning process by photolithography and wet etching.
  • the light emitting layer 20 is formed by laminating ⁇ -NPD and Alq 3 on the planarizing film 14 and the EL electrode layer 16 by, for example, vacuum deposition.
  • the upper electrode layer 26 is formed. Specifically, the upper electrode layer 26 is formed by laminating ITO above the light emitting layer 20 by sputtering. At this time, the upper electrode layer 26 is in an amorphous state.
  • the organic EL element in the display device 1 has a function as a light emitting element.
  • a partition wall 18 made of a surface photosensitive resin is formed at a predetermined position. Is done. Thereby, adjacent pixels are separated by the partition wall 18.
  • a thin film sealing layer, a sealing resin layer, transparent glass, and the like are formed on the upper electrode layer 26 as a protective film.
  • the thin film sealing layer is formed by stacking silicon nitride by a plasma CVD method.
  • the transparent glass is pressed downward from the upper surface side, heat or energy rays are added to cure the sealing resin layer, and the transparent glass and the thin film sealing layer are bonded.
  • the display device 1 shown in FIG. 2 is formed by such a forming method.
  • the formation process of the TFT electrode layer 12, the planarizing film 14, the EL electrode layer 16, and the light emitting layer 20 is not limited by this Embodiment.
  • the pixel having the short circuit defect is a dark spot pixel having a dark spot.
  • the pixel having the insulation failure is a dark spot pixel having a dark spot. Therefore, for the dark spot pixels, the insulation failure is eliminated by laser repair.
  • a dark spot pixel is detected by a lighting image inspection (step S10).
  • the dark pixel detection is performed by inputting a luminance signal voltage corresponding to the intermediate luminance gradation to each pixel to detect a pixel having a luminance lower than that of the normal pixel by a luminance measuring device or by visual observation. Is done.
  • the detection of the dark spot pixel is not limited to the above-described method.
  • the current value flowing between the EL electrode layer 16 and the upper electrode layer 26 is measured and detected based on the magnitude of the current value. Good.
  • the dark spot pixels may be detected visually or may be detected from an image taken by a camera.
  • the dark spot pixels are repaired from the panel surface side (step S12). That is, the light emitting layer 20 or the upper electrode layer 26 is irradiated with laser light from the light emitting layer 20 or the partition wall 18 side shown in FIG.
  • the light emitting layer 20 of the organic EL element or the upper electrode layer 26 formed above the light emitting layer 20 is irradiated with laser light so as to surround the short circuit portion.
  • the light emitting layer 20 or the upper electrode layer 26 of the organic EL element is increased in resistance, and the short circuit failure is eliminated. Therefore, the dark spot pixel is lit.
  • the laser used for laser repair at this time is an ultrashort pulse laser, for example.
  • the ultrashort pulse laser means a laser having a pulse width of several picoseconds to several femtoseconds, and specifically, a pulse width of 100 fs to 20 ps is preferable.
  • an ultrashort pulse laser (generally called a femtosecond laser) having a pulse width of 800 fs is used.
  • the wavelength of the laser is 900 to 2500 nm, and the output energy is 1 to 50 ⁇ J.
  • the laser is irradiated, for example, on four sides (four sides) surrounding the foreign substance in the shorted position or the upper electrode layer 26 at the shorted position.
  • ITO constituting a part of the upper electrode layer 26 irradiated with the laser, the constituent material of the adjacent functional layer (electron transport layer, electron injection layer, etc.), and the constituent material of the thin film sealing layer (resin etc.)
  • a high resistance region in which at least one of them is mixed is formed.
  • the short circuit failure of the EL electrode layer 16 and the upper electrode layer 26 is eliminated.
  • the type and irradiation conditions of the laser beam are not limited to those described above, and may be changed as appropriate.
  • the irradiation position of the laser light is not limited to the irradiation so as to surround the short-circuited portion, but may be a method of irradiating a part of the wiring with the laser light and cutting the wiring.
  • step S10 Thereafter, all the pixels are turned on again in the same manner as shown in step S10, and the dark spot pixels are extracted by the lighting image inspection (step S14). Thereby, not only the dark dot pixel caused by the short circuit failure but also the dark dot pixel caused by the insulation failure can be detected.
  • step S16 the repair process is terminated assuming that the dark spot pixel has been successfully repaired.
  • step S18 repair processing is performed by irradiating the dark spot pixels with laser light from the substrate 10 side (step S18). Specifically, as shown in FIGS. 3 and 4, the end 12a of the TFT electrode layer 12 is irradiated to the end 12a of the TFT electrode layer 12 from the substrate 10 side, so that the end 12a of the TFT electrode layer 12 is on the EL electrode layer 16 side. It is deformed so that it can be bent.
  • the TFT electrode layer 12 and the EL electrode layer 16 are electrically connected in the contacted part, in addition to the dark spot pixel due to the short circuit failure, the dark spot pixel due to the insulation failure can be further eliminated. . Further, by irradiating the end 12a of the TFT electrode layer 12 with laser light, the end can be easily deformed to the EL electrode layer 16 side.
  • the irradiation position of the laser beam is not limited to the end portion 12a, but may be another portion of the TFT electrode layer 12.
  • the center portion 12b of the TFT electrode layer 12 may be irradiated with laser light.
  • the type of laser light at this time may be, for example, a YAG laser, a short pulse laser, an infrared laser, or the like. Moreover, not only a red laser but a green laser may be used. Note that it is preferable to use an infrared laser that easily transmits an object.
  • step S20 Thereafter, all the pixels are turned on again, and the dark spot pixels are extracted by the lighting image inspection (step S20). At this time, if no dark spot pixel is detected (“None” in step S22), the repair process is terminated assuming that the dark spot pixel has been successfully repaired.
  • step S22 If a dark spot pixel is detected again ("Yes" in step S22), a repair NG process is performed assuming that the dark spot pixel is a pixel that cannot be repaired (step S24). Specifically, it is assumed that the pixel is defective and is not used.
  • the TFT electrode layer 12 when a dark spot pixel due to an insulation failure occurs, the TFT electrode layer 12 is irradiated with laser light to cause the TFT electrode layer 12 to become an EL electrode.
  • the layer 16 is deformed and bent so as to be bent. Therefore, the TFT electrode layer 12 and the EL electrode layer 16 can be connected at a portion other than the original contact portion 22, and a dark spot pixel due to an insulation failure can be repaired.
  • a method for manufacturing a display device includes a step of forming a first electrode layer above a substrate and a step of forming a planarization film above the first electrode layer. Forming a contact hole in the planarizing film; forming a second electrode layer above the planarizing film and the contact hole; and forming a light emitting layer above the second electrode layer A step of forming an upper electrode layer above the light emitting layer, and a pixel in which the first electrode layer and the second electrode layer are not in contact with each other in the contact hole. Irradiating the first electrode layer at a position other than the contact hole with laser light, and connecting the first electrode layer at the position irradiated with the laser light to the second electrode layer.
  • the first electrode layer and the second electrode layer can be connected at a portion other than the original contact portion, and a dark spot pixel due to an insulation failure can be repaired.
  • a step of irradiating the light emitting layer or the upper electrode layer with laser light from the side opposite to the substrate side may be included.
  • the dark spot pixel due to the insulation failure is further added. Can be resolved.
  • a step of forming a partition covering the contact hole and the second electrode layer above the contact hole may be included.
  • adjacent pixels can be separated by the partition walls.
  • the first electrode In the step of irradiating the first electrode layer with laser light from the substrate side to connect the first electrode layer to the second electrode layer at a position other than the contact hole, the first electrode The end of the layer may be irradiated with laser light.
  • the end portion of the first electrode layer by irradiating the end portion of the first electrode layer with laser light, the end portion can be easily deformed to the second electrode layer side.
  • a step of detecting a pixel in which the first electrode layer and the second electrode layer are not in contact with each other in the contact hole may be included.
  • the display device is formed on the first electrode layer formed over the substrate, the planarization film formed over the first electrode layer, and the planarization film.
  • a contact hole, a second electrode layer formed above the planarizing film and the contact hole, and a light emitting layer formed above the second electrode layer, and the second electrode layer Is not in contact with the first electrode layer in the contact hole, and the first electrode layer is irradiated with laser light from the substrate side to the first electrode layer at a position other than the contact hole.
  • the second electrode layer is connected at the position irradiated with the laser beam.
  • the first electrode layer and the second electrode layer can be connected at a portion other than the original contact portion, and a dark spot pixel due to an insulation failure can be repaired.
  • a partition wall covering the contact hole and the second electrode layer may be provided above the contact hole.
  • adjacent pixels can be separated by the partition walls.
  • the first electrode layer may have an end portion of the first electrode layer connected to the second electrode layer.
  • the end portion of the first electrode layer by irradiating the end portion of the first electrode layer with laser light, the end portion can be easily deformed to the second electrode layer side.
  • the end of the first electrode layer is irradiated with laser light, but the position where the laser light is irradiated may be a portion other than the contact portion.
  • the first electrode layer You may irradiate the center part of a laser beam.
  • the light emitting layer may be configured to have at least one of a hole transport layer, a hole injection layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in addition to the layer composed of organic EL.
  • the type of laser light may be, for example, a YAG laser, a short pulse laser, an infrared laser, or the like. Moreover, not only a red laser but a green laser may be used. Note that it is preferable to use an infrared laser that easily transmits an object.
  • an electronic device used for an organic EL display device or the like has been described.
  • the present invention can also be applied.
  • the electronic device configured as described above can be used as a flat panel display, and can be applied to an electronic apparatus having any display panel such as a television set, a personal computer, and a mobile phone.
  • the display device according to the present invention is built in a thin flat TV as shown in FIG.
  • a thin flat TV capable of displaying a highly accurate image reflecting a video signal is realized.
  • the embodiment can be realized by arbitrarily combining the components and functions in each embodiment without departing from the scope of the present invention, or a form obtained by subjecting each embodiment to various modifications conceived by those skilled in the art. Forms are also included in the present invention.
  • the display device according to the present invention can be widely used for mobile display devices such as flat-screen televisions, personal computers, and mobile phones.

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Abstract

　表示装置（１）の製造方法において、基板（１０）の上方に第１の電極層（１２）を形成する工程と、第１の電極層（１２）の上方に平坦化膜（１４）を形成する工程と、平坦化膜（１４）にコンタクトホールを形成する工程と、平坦化膜（１４）およびコンタクトホールの上方に第２の電極層（１６）を形成する工程と、第２の電極層（１６）の上方に発光層（２０）を形成する工程と、発光層（２０）の上方に上部電極層（２６）を形成する工程と、コンタクトホールにおいて第１の電極層（１２）と第２の電極層（１６）とが接触していない画素において、基板（１０）側からコンタクトホール以外の位置の第１の電極層（１２）にレーザー光を照射して、レーザー光を照射した位置の第１の電極層（１２）を第２の電極層（１６）に接続する工程とを含む。

Description

表示装置の製造方法および表示装置
　本発明は、表示装置の製造方法および表示装置に関する。
　近年、有機材料のＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用した有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと称する）素子を有する有機ＥＬディスプレイ装置に関する技術が進歩しつつある。従来、有機ＥＬディスプレイ装置において、製造工程で、有機ＥＬ素子の陽極または陰極と、当該陰極または陽極と接続されるＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）配線とのコンタクト部分に異物が付着することで不良が発生し、常に滅点表示となる滅点画素が発生することがある。この場合、不良箇所にレーザー光を照射することで不良をリペア（解消）するという方式が採られている（例えば、特許文献１参照）。
　特許文献１では、有機ＥＬ素子に付着した導電性の異物を検出し、この異物の周辺領域の有機層にレーザー照射を行う。これにより、異物が付着した有機ＥＬ素子の陽極と陰極との間の有機層を絶縁化し、高抵抗領域を形成して、異物による陽極と陰極の短絡を解消している。
特開２００４－２２７８５２号公報
　特許文献１にかかる技術は、有機ＥＬ素子の陽極と陰極との短絡不良をレーザー光の照射により解消する技術であり、表示画面側すなわち画素の表面側からレーザー光を照射するため、レーザー光が照射された領域がダメージを受け破壊されるおそれがある。また、絶縁不良箇所を覆うように表示画面側に隔壁が設けられている場合、表示画面側からレーザー光を照射しても、レーザー光が絶縁不良箇所に照射されず、不良を解消することは困難である。
　上記課題に鑑み、本発明は、絶縁不良による滅点画素をリペアすることができる表示装置の製造方法および表示装置を提供することを目的とする。
　上記の目的を達成するために、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法は、基板の上方に第１の電極層を形成する工程と、前記第１の電極層の上方に平坦化膜を形成する工程と、前記平坦化膜にコンタクトホールを形成する工程と、前記平坦化膜および前記コンタクトホールの上方に第２の電極層を形成する工程と、前記第２の電極層の上方に発光層を形成する工程と、前記発光層の上方に上部電極層を形成する工程と、前記コンタクトホールにおいて前記第１の電極層と前記第２の電極層とが接触していない画素において、前記基板側から前記コンタクトホール以外の位置の前記第１の電極層にレーザー光を照射して、前記レーザー光を照射した位置の前記第１の電極層を前記第２の電極層に接続する工程とを含む。
　また、上記の目的を達成するために、本発明の一態様に係る表示装置は、基板上に形成された第１の電極層と、前記第１の電極層の上方に形成された平坦化膜と、前記平坦化膜に形成されたコンタクトホールと、前記平坦化膜および前記コンタクトホールの上方に形成された第２の電極層と、前記第２の電極層の上方に形成された発光層とを備え、前記第２の電極層は、前記コンタクトホールにおいて前記第１の電極層と接触しておらず、前記第１の電極層は、前記基板側から前記コンタクトホール以外の位置の前記第１の電極層にレーザー光を照射されることにより、前記レーザー光を照射された位置において前記第２の電極層と接続されている。
　本発明によれば、絶縁不良による滅点画素をリペアすることができる表示装置の製造方法および表示装置を提供することができる。
図１は、本実施の形態に係る表示装置を示す断面図である。 図２は、本実施の形態に係る表示装置の製造工程の一部を示す断面図である。 図３は、本実施の形態に係る表示装置の製造工程の一部を示す断面図である。 図４は、本実施の形態におけるレーザー光の照射位置を示す平面図である。 図５は、本実施の形態に係る表示装置のリペア方法を示すフローチャートである。 図６は、有機ＥＬ素子を備えたテレビシステムの外観図である。
　以下、本発明に係る表示装置および表示装置の製造方法について、実施の形態に基づいて説明するが、本発明は、請求の範囲の記載に基づいて特定される。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、請求項に記載されていない構成要素は、本発明の課題を達成するのに必ずしも必要ではないが、より好ましい形態を構成するものとして説明される。なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示したものではない。
　（実施の形態）
　本発明の実施の形態に係る表示装置について説明する。図１は、本実施の形態に係る表示装置を示す断面図である。
　図１に示すように、本実施の形態にかかる表示装置１は、基板１０と、基板１０上に形成されたＴＦＴ電極層１２と、ＴＦＴ電極層１２の上方に形成された平坦化膜１４と、平坦化膜１４の上方に形成されたＥＬ電極層１６と、ＥＬ電極層１６の上方に形成された発光層２０とを備え、ＴＦＴ電極層１２は、基板１０側からレーザー光が照射されることにより変形され、ＥＬ電極層１６と接続されている。したがって、ＴＦＴ電極層１２とＥＬ電極層１６とを、本来のコンタクト部２２以外の部分で接続させることができ、絶縁不良による滅点画素をリペアすることができる。
　基板１０は、例えば、駆動用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含むシリコン基板で構成されている。
　基板１０の上には、ＴＦＴ電極層１２が形成されている。ＴＦＴ電極層１２は、例えば銅（Ｃｕ）で構成され、パターニングにより所望の配線形状をなすように形成されている。なお、ＴＦＴ電極層１２は、銅に限らずその他の導電性のよい材料で形成されてもよい。なお、ＴＦＴ電極層１２は、本開示にかかる第１の電極層に相当する。
　基板１０およびＴＦＴ電極層１２の上方には、平坦化膜１４が形成されている。平坦化膜１４は、一例として、絶縁性を有する有機材料で構成されている。また、平坦化膜１４の一部には、ＴＦＴ電極層１２を底面とする凹部が形成され、上述したＴＦＴ電極層１２と後に平坦化膜１４の上に形成されるＥＬ電極層１６とを電気的に接続するためのコンタクト部２２が設けられている。
　平坦化膜１４の上には、ＥＬ電極層１６が形成されている。ＥＬ電極層１６は、正孔が供給される、つまり、外部回路から電流が流れ込むアノードである。ＥＬ電極層１６は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、あるいは銀合金ＡＰＣなどからなる反射電極が積層された構造となっている。なお、ＥＬ電極層１６は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）と銀合金ＡＰＣなどからなる２層構造であってもよい。なお、ＥＬ電極層１６は、本開示における第２の電極層に相当する。
　ここで、ＴＦＴ電極層１２と電極層１６とを電気的に接続するためのコンタクト部２２には、コンタクト不良部分２４が形成されている。このコンタクト不良部分２４は、例えば、製造工程において、材料の特性等によりコンタクト部２２に異物が混入したり、平坦化膜１４に設けられる凹部の掘削が不十分であったりすることで生じる。これにより、ＴＦＴ電極層１２と電極層１６とは電気的に接続しておらず、絶縁不良が生じている。
　そこで、図１に示すように、ＴＦＴ電極層１２の端部１２ａにレーザー光を照射することで、端部１２ａは、ＥＬ電極層１６側へ折れ曲がるように変形されている。これにより、ＴＦＴ電極層１２は、端部１２ａにおいてＥＬ電極層１６と電気的に接続されている。なお、レーザー光の照射については、後に詳述する。
　また、ＥＬ電極層１６の上方には、隔壁１８および発光層２０が形成されている。
　隔壁１８は、発光層２０を複数の発光領域に分離するための壁であり、隔壁１８により隣接する画素が分離されている。隔壁１８は、例えば、表面感光性の樹脂で構成されている。
　発光層２０は、ＥＬ電極層１６と、発光層２０の上方に形成される陰極（図示せず）との間に電圧が印加されることにより発光する層である。発光層２０は、例えば、下層としてのα－ＮＰＤ（Ｂｉｓ［Ｎ－（１－ｎａｐｈｔｈｙｌ）－Ｎ－ｐｈｅｎｙｌ］ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）と、上層としてのＡｌｑ３（ｔｒｉｓ－（８－ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）とが積層された構造となっている。
　なお、発光層２０は、有機ＥＬで構成される層に加えて、正孔輸送層と、正孔注入層と、電子輸送層と、電子注入層の少なくともいずれかを有する構成であってもよい。
　発光層２０の上方には、カソードである上部電極層２６が形成されている。さらに、上部電極層２６の上方には、図示を省略した薄膜封止層、透明ガラス、カラーフィルタ等が形成されている。
　薄膜封止層は、例えば、窒化珪素（ＳｉＮ）からなり、上記した発光層２０や上部電極層２６を水蒸気や酸素から遮断する機能を有する。発光層２０そのものや上部電極層２６が、水蒸気や酸素にさらされることにより劣化（酸化）してしまうことを防止するためである。
　封止用樹脂層は、アクリルまたはエポキシ系の樹脂であり、上記した基板上に形成された平坦化膜１４から薄膜封止層までの一体形成された層と、透明ガラスとを接合する機能を有する。
　上記したＥＬ電極層１６、発光層２０、上部電極層２６の構成は、表示装置１における有機ＥＬ素子の基本構成である。このような構成により、ＥＬ電極層１６と上部電極層２６との間に適当な電圧が印加されると、ＥＬ電極層１６側から正孔、上部電極層２６側から電子がそれぞれ発光層２０に注入される。これらの注入された正孔および電子が発光層２０で再結合して生じるエネルギーにより、発光層２０の発光材料は励起され発光する。
　次に、本発明の実施の形態に係る表示装置の製造方法について説明する。図２および図３は、本実施の形態に係る表示装置の製造工程の一部を示す断面図である。図４は、本実施の形態におけるレーザー光の照射位置を示す平面図である。図５は、本実施の形態に係る表示装置のリペア方法を示すフローチャートである。なお、図４は、表示装置１を基板１０側から見たときの平面図であるが、基板１０の図示を省略している。
　本実施の形態に係る表示装置１は、以下のようにして製造される。
　はじめに、図２に示すように、ＴＦＴを含む基板１０の上に、ＴＦＴ電極層１２が形成される。ＴＦＴ電極層１２は、例えば、スパッタリング法により基板１０上にＣｕが成膜され、その後、フォトリソグラフィーとウエットエッチングによるパターニング工程を経ることにより形成される。
　次に、絶縁性の有機材料からなる平坦化膜１４が形成され、その後、平坦化膜１４上にＥＬ電極層１６が形成される。
　ＥＬ電極層１６は、例えば、スパッタリング法により平坦化膜１４上にＡｌが成膜され、その後、フォトリソグラフィーとウエットエッチングによるパターニング工程を経ることにより形成される。
　発光層２０は、平坦化膜１４およびＥＬ電極層１６の上方に、例えば、真空蒸着法によりα－ＮＰＤ、Ａｌｑ３が積層されることにより形成される。
　続けて、上部電極層２６が形成される。具体的には、上部電極層２６は、発光層２０の上方に、スパッタリング法によりＩＴＯが積層されることにより形成される。このとき、上部電極層２６は、アモルファス状態になっている。
　上記のような製造工程により、表示装置１において有機ＥＬ素子は発光素子としての機能を有する構成となる。なお、ＥＬ電極層１６の形成工程と発光層２０（正孔注入層を有する構造の場合は正孔注入層）の形成工程との間に、表面感光性樹脂からなる隔壁１８が所定位置に形成される。これにより、隔壁１８により隣接する画素が分離される。
　さらに、上部電極層２６の上に、保護膜として薄膜封止層、封止用樹脂層、透明ガラス等が形成される。例えば、薄膜封止層は、プラズマＣＶＤ法により窒化珪素が積層されることにより形成される。最後に、透明ガラスが上面側から下方に加圧され、熱またはエネルギー線が付加されて封止用樹脂層が硬化され、透明ガラスと薄膜封止層とが接着される。
　このような形成方法により、図２に示す表示装置１が形成される。
　なお、ＴＦＴ電極層１２、平坦化膜１４、ＥＬ電極層１６、発光層２０の形成工程は、本実施の形態により限定されるものではない。
　さらに、上記した製造工程において、ＥＬ電極層１６と上部電極層２６が短絡不良を生じている場合には、短絡不良を生じている画素が滅点を有する滅点画素となる。また、ＴＦＴ電極層１２とＥＬ電極層１６とが絶縁不良を生じている場合には、絶縁不良を生じている画素が滅点を有する滅点画素となる。そこで、滅点画素については、レーザーリペアにより絶縁不良が解消される。
　以下、上述した方法で製造された表示装置において滅点画素があった場合の、表示装置のリペア方法について説明する。
　図５に示すように、はじめに、点灯画像検査による滅点画素の検出が行われる（ステップＳ１０）。滅点画素の検出は、例えば、各画素に中間輝度階調に対応した輝度信号電圧を入力することにより、正常画素の発光輝度に比べて低輝度の画素を、輝度測定装置若しくは目視により検出することにより行われる。なお、滅点画素の検出は、上記した方法に限らず、例えば、ＥＬ電極層１６と上部電極層２６との間に流れる電流値を測定し、電流値の大きさに基づいて検出してもよい。また、滅点画素の検出は目視で行ってもよいし、カメラにより撮影された画像から検出してもよい。
　次に、パネル表面側からの滅点画素のリペアを行う（ステップＳ１２）。すなわち、ステップＳ１０において検出された滅点画素に、図２に示す発光層２０または隔壁１８側から、発光層２０または上部電極層２６にレーザー光を照射する。例えば、短絡不良による滅点画素の場合に、短絡箇所を囲むように有機ＥＬ素子の発光層２０または発光層２０の上方に形成された上部電極層２６にレーザー光を照射する。これにより、有機ＥＬ素子の発光層２０または上部電極層２６が高抵抗化され、短絡不良が解消する。よって、滅点画素は点灯することとなる。
　なお、このときレーザーリペアに使用されるレーザーは、例えば、超短パルスレーザーである。超短パルスレーザーとは、パルス幅が数ピコ秒から数フェムト秒のパルス幅であるレーザーのことをいい、具体的には、１００ｆｓ～２０ｐｓのパルス幅であることが好ましい。一例として、本実施の形態では、パルス幅が８００ｆｓの超短パルスレーザー（一般にフェムト秒レーザーとも称される）を使用している。また、レーザーの波長は、一例として、９００～２５００ｎｍ、出力エネルギーは１～５０μＪである。
　レーザーは、例えば、短絡した位置、または、短絡した位置の上部電極層２６において、異物を囲む四方（４辺）に照射される。これにより、レーザーを照射された上部電極層２６の一部を構成するＩＴＯと、隣接する機能層の構成材料（電子輸送層、電子注入層等）および薄膜封止層の構成材料（樹脂等）の少なくとも一方が混在した高抵抗化領域が形成される。これにより、ＥＬ電極層１６と上部電極層２６との短絡不良が解消される。
　なお、レーザー光の種類および照射条件は、上述したものに限らず、適宜変更してもよい。また、レーザー光の照射位置は、短絡箇所を囲むように照射することに限らず、配線の一部にレーザー光を照射して配線を切断する方法であってもよい。
　その後、ステップＳ１０に示したときと同様に再び全ての画素を点灯させ、点灯画像検査による滅点画素の抽出を行う（ステップＳ１４）。これにより、短絡不良を原因とする滅点画素だけでなく、絶縁不良を原因とする滅点画素を検出することができる。
　このとき、滅点画素が検出されない場合には（ステップＳ１６において「なし」）、滅点画素のリペアは成功したものとしてリペア処理を終了する。
　また、再度滅点画素が検出された場合には（ステップＳ１６において「あり」）、当該滅点画素は絶縁不良を原因とする滅点画素であると考えられる。したがって、滅点画素に基板１０側からレーザー光を照射してリペア処理を行う（ステップＳ１８）。具体的には、図３および図４に示すように、基板１０側からＴＦＴ電極層１２の端部１２ａにレーザー光を照射することにより、ＴＦＴ電極層１２の端部１２ａをＥＬ電極層１６側に折れ曲がるように変形させる。これにより、当該接触した部分においてＴＦＴ電極層１２とＥＬ電極層１６とが電気的に接続されるので、短絡不良による滅点画素に加えて、さらに絶縁不良による滅点画素を解消することができる。また、ＴＦＴ電極層１２の端部１２ａにレーザー光を照射することにより、当該端部を容易にＥＬ電極層１６側に変形させることができる。
　なお、レーザー光の照射位置は、端部１２ａに限らず、ＴＦＴ電極層１２の他の部分であってもよい。例えば、図４に示すように、ＴＦＴ電極層１２の中央部１２ｂにレーザー光を照射してもよい。
　また、このときのレーザー光の種類は、例えば、ＹＡＧレーザー、短パルスレーザーまたは赤外レーザーなどであってもよい。また、赤色のレーザーに限らず緑色のレーザーであってもよい。なお、物体を透過しやすい赤外レーザーを用いることが好ましい。
　その後、再び全ての画素を点灯させ、点灯画像検査による滅点画素の抽出を行う（ステップＳ２０）。このとき、滅点画素が検出されない場合には（ステップＳ２２において「なし」）、滅点画素のリペアは成功したものとしてリペア処理を終了する。
　また、再度滅点画素が検出された場合には（ステップＳ２２において「あり」）、当該滅点画素はリペア不能な画素であるとして、リペアＮＧ処理を行う（ステップＳ２４）。具体的には、不良画素であるとして、使用しないものとする。
　以上、本実施の形態に係る表示装置及び表示装置の製造方法によると、絶縁不良による滅点画素が生じた場合に、ＴＦＴ電極層１２にレーザー光を照射することによりＴＦＴ電極層１２をＥＬ電極層１６側に折れ曲がるように変形させて接続させる。したがって、ＴＦＴ電極層１２とＥＬ電極層１６とを、本来のコンタクト部２２以外の部分で接続させることができ、絶縁不良による滅点画素をリペアすることができる。
　以上のように、本開示の一態様に係る表示装置の製造方法は、基板の上方に第１の電極層を形成する工程と、前記第１の電極層の上方に平坦化膜を形成する工程と、前記平坦化膜にコンタクトホールを形成する工程と、前記平坦化膜および前記コンタクトホールの上方に第２の電極層を形成する工程と、前記第２の電極層の上方に発光層を形成する工程と、前記発光層の上方に上部電極層を形成する工程と、前記コンタクトホールにおいて前記第１の電極層と前記第２の電極層とが接触していない画素において、前記基板側から前記コンタクトホール以外の位置の前記第１の電極層にレーザー光を照射して、前記レーザー光を照射した位置の前記第１の電極層を前記第２の電極層に接続する工程とを含む。
　この構成によれば、第１の電極層と第２の電極層とを、本来のコンタクト部以外の部分で接続させることができ、絶縁不良による滅点画素をリペアすることができる。
　また、前記基板側から前記第１の電極層にレーザー光を照射する前に、さらに、前記基板側と反対側から前記発光層または前記上部電極層にレーザー光を照射する工程を含むとしてもよい。
　この構成によれば、当該接触した部分において第１の電極層と第２の電極層とが電気的に接続されるので、短絡不良による滅点画素に加えて、さらに絶縁不良による滅点画素を解消することができる。
　また、前記コンタクトホールの上方に、前記コンタクトホールおよび前記第２の電極層を覆う隔壁を形成する工程を含むとしてもよい。
　この構成によれば、隔壁により隣接する画素を分離することができる。
　また、前記基板側から前記第１の電極層にレーザー光を照射して前記第１の電極層を前記コンタクトホール以外の位置で前記第２の電極層に接続する工程において、前記第１の電極層の端部にレーザー光を照射するとしてもよい。
　この構成によれば、第１の電極層の端部にレーザー光を照射することにより、当該端部を容易に第２の電極層側に変形させることができる。
　また、前記基板側から前記第１の電極層にレーザー光を照射して前記第１の電極層を前記コンタクトホール以外の位置で前記第２の電極層に接続する工程の前に、さらに、前記コンタクトホールにおいて前記第１の電極層と前記第２の電極層とが接触していない画素を検出する工程を含むとしてもよい。
　この構成によれば、短絡不良を原因とする滅点画素だけでなく、絶縁不良を原因とする滅点画素を検出することができる。
　また、本開示の一態様に係る表示装置は、基板上に形成された第１の電極層と、前記第１の電極層の上方に形成された平坦化膜と、前記平坦化膜に形成されたコンタクトホールと、前記平坦化膜および前記コンタクトホールの上方に形成された第２の電極層と、前記第２の電極層の上方に形成された発光層とを備え、前記第２の電極層は、前記コンタクトホールにおいて前記第１の電極層と接触しておらず、前記第１の電極層は、前記基板側から前記コンタクトホール以外の位置の前記第１の電極層にレーザー光を照射されることにより、前記レーザー光を照射された位置において前記第２の電極層と接続されている。
　この構成によれば、第１の電極層と第２の電極層とを、本来のコンタクト部以外の部分で接続させることができ、絶縁不良による滅点画素をリペアすることができる。
　また、前記コンタクトホールの上方に、前記コンタクトホールおよび前記第２の電極層を覆う隔壁を備えるとしてもよい。
　この構成によれば、隔壁により隣接する画素を分離することができる。
　また、前記第１の電極層は、前記第１の電極層の端部が前記第２の電極層と接続されているとしてもよい。
　この構成によれば、第１の電極層の端部にレーザー光を照射することにより、当該端部を容易に第２の電極層側に変形させることができる。
　（他の実施の形態）
　以上のように、本出願において開示する技術の例示として、実施の形態を説明した。しかしながら、本開示における技術は、これに限定されず、適宜、変更、置き換え、付加、省略などを行った実施の形態にも適用可能である。また、上記実施の形態で説明した各構成要素を組み合わせて、新たな実施の形態とすることも可能である。
　そこで、以下、他の実施の形態をまとめて説明する。
　例えば、上記した実施の形態では、第１の電極層の端部にレーザー光を照射しているが、レーザー光を照射する位置はコンタクト部以外の部分であればよく、例えば第１の電極層の中央部にレーザー光を照射してもよい。
　また、発光層は、有機ＥＬで構成される層に加えて、正孔輸送層と、正孔注入層と、電子輸送層と、電子注入層の少なくともいずれかを有する構成であってもよい。
　また、レーザー光の種類は、例えば、ＹＡＧレーザー、短パルスレーザーまたは赤外レーザーなどであってもよい。また、赤色のレーザーに限らず緑色のレーザーであってもよい。なお、物体を透過しやすい赤外レーザーを用いることが好ましい。
　また、本実施の形態では、有機ＥＬ表示装置等に利用される電子デバイスについて説明したが、液晶電子デバイス等、アクティブマトリクス基板が用いられる他の電子デバイス、表示パネル、モバイル端末用パネルのマザー基板等にも適用することができる。特に、このように構成される電子デバイスについては、フラットパネルディスプレイとして利用することができ、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などのあらゆる表示パネルを有する電子機器に適用することができる。
　また、例えば、本発明に係る表示装置は、図６に記載されたような薄型フラットＴＶに内蔵される。本発明に係る表示装置が内蔵されることにより、映像信号を反映した高精度な画像表示が可能な薄型フラットＴＶが実現される。
　その他、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
　本発明に係る表示装置は、薄型テレビジョン、パーソナルコンピュータ、携帯電話等のモバイル表示装置等に広く利用することができる。
　１　表示装置
　１０　基板
　１２　ＴＦＴ電極層（第１の電極層）
　１２ａ　端部（第１の電極層）
　１２ｂ　中央部（第１の電極層）
　１４　平坦化膜
　１６　ＥＬ電極層（第２の電極層）
　１８　隔壁
　２０　発光層
　２２　コンタクト部
　２４　コンタクト不良部分
　２６　上部電極層

Claims (8)

  1. 　基板の上方に第１の電極層を形成する工程と、
    　前記第１の電極層の上方に平坦化膜を形成する工程と、
    　前記平坦化膜にコンタクトホールを形成する工程と、
    　前記平坦化膜および前記コンタクトホールの上方に第２の電極層を形成する工程と、
    　前記第２の電極層の上方に発光層を形成する工程と、
    　前記発光層の上方に上部電極層を形成する工程と、
    　前記コンタクトホールにおいて前記第１の電極層と前記第２の電極層とが接触していない画素において、前記基板側から前記コンタクトホール以外の位置の前記第１の電極層にレーザー光を照射して、前記レーザー光を照射した位置の前記第１の電極層を前記第２の電極層に接続する工程とを含む
    表示装置の製造方法。
  2. 　前記基板側から前記第１の電極層にレーザー光を照射する前に、さらに、前記基板側と反対側から前記発光層または前記上部電極層にレーザー光を照射する工程を含む
    請求項１に記載の表示装置の製造方法。
  3. 　前記コンタクトホールの上方に、前記コンタクトホールおよび前記第２の電極層を覆う隔壁を形成する工程を含む
    請求項１または２に記載の表示装置の製造方法。
  4. 　前記基板側から前記第１の電極層にレーザー光を照射して前記第１の電極層を前記コンタクトホール以外の位置で前記第２の電極層に接続する工程において、前記第１の電極層の端部にレーザー光を照射する
    請求項１～３のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
  5. 　前記基板側から前記第１の電極層にレーザー光を照射して前記第１の電極層を前記コンタクトホール以外の位置で前記第２の電極層に接続する工程の前に、さらに、前記コンタクトホールにおいて前記第１の電極層と前記第２の電極層とが接触していない画素を検出する工程を含む
    請求項１～４のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
  6. 　基板上に形成された第１の電極層と、
    　前記第１の電極層の上方に形成された平坦化膜と、
    　前記平坦化膜に形成されたコンタクトホールと、
    　前記平坦化膜および前記コンタクトホールの上方に形成された第２の電極層と、
    　前記第２の電極層の上方に形成された発光層とを備え、
    　前記第２の電極層は、前記コンタクトホールにおいて前記第１の電極層と接触しておらず、
    　前記第１の電極層は、前記基板側から前記コンタクトホール以外の位置の前記第１の電極層にレーザー光を照射されることにより、前記レーザー光を照射された位置において前記第２の電極層と接続されている
    表示装置。
  7. 　前記コンタクトホールの上方に、前記コンタクトホールおよび前記第２の電極層を覆う隔壁を備える
    請求項６に記載の表示装置。
  8. 　前記第１の電極層は、前記第１の電極層の端部が前記第２の電極層と接続されている
    請求項６または７に記載の表示装置。
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