JP2008188638A - 欠陥修正装置、配線基板の製造方法、ディスプレイ装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板上に形成された多層構造の配線パターンにおける欠陥を検査し、検出された欠陥をレーザ光を用いて修正する際、検査対象箇所を撮影した欠陥画像と、欠陥のない参照画像とを照合して欠陥を検出し、入力部から入力される指示内容に基づいて、検出された欠陥に対してレーザ光が照射される加工位置及び加工範囲を指定する。そして、指定された加工位置及び加工範囲に基づいて、修正機構部により欠陥の修正を実行することを特徴とする。
【選択図】図8
Description
本実施形態では、目的とする配線基板がディスプレイ装置を構成する場合について、つまり配線基板を構成する多数の配線部をディスプレイ装置の画素に対応して2次元マトリクス状に多数形成する場合について、説明を行う。
本実施形態においては、まず、基板3(図2参照)上に、走査配線と、層間絶縁膜と、信号配線及び電位供給配線とを、目的とする配線部2の主要構成として積層形成することによって、配線部形成工程を実施する(ステップS1,S2,S3)。
本実施形態に係る欠陥修正装置200は、レーザ照射により短絡箇所を切断するほか、レーザCVD法などの配線の結線処理を行うことが可能である。欠陥修正装置200は、対物レンズ208と基板3との間にレーザCVD法を実施できる加工装置を備えており、それについては後に詳述する。
具体的には、例えば詳細位置情報抽出部221からの欠陥の詳細位置情報に基づいて、欠陥箇所が後述する複数のエリア(区域)に区分けされた配線基板のどの位置に存在するかを判定し、欠陥位置に適した欠陥修正処理が実施されるような制御を実行する。
ここで、原料供給部255及び局所排気部256は、それぞれ、XYステージ205に載置されるTFT基板などの加工対象物となる基板3上における薄膜形成及び薄膜除去の補助手段となるものであり、本実施形態においては、それぞれ後述するように、レーザCVD法とレーザエッチングの補助手段となる。
なお、局所排気領域251は、局所排気装置234の下面に臨んで、図5に示すように、排気流路262及び263の端部を構成する吸引溝が形成する略同心環状の内側に、略円筒状空間として透明窓248と基板233との間に形成される。
また、図示しないが、必要に応じて、局所排気領域251にはパージガス供給部につながるパージガス流路が連結され、このパージガスの導入における圧力、速度、位置、角度等を選定することにより、加工によって生じた異物などが透明窓248の表面に付着することを抑制することなどが可能となる。
本実施形態においては、圧縮ガス供給部252からの圧縮ガスが、供給路及び通気孔を構成するリング状の圧縮ガス供給路261及びその開口部に配置された多孔質通気膜260により、局所排気装置234に対向するXYステージ205に向けて均一に出射され、圧縮ガスの圧力や流量と、各排気部による吸引量のバランスを選定することによって、局所排気装置234の浮上量が決定される。すなわち、局所排気装置234は静圧浮上パッド構成とされる。
また、本実施形態においては、局所排気装置234にヒーター259が併設されており、このヒーターによって、局所排気領域251を中心とするガスの温度、すなわち薄膜パターン形成装置1のチャンバー内の温度を一定に保つことが可能とされる。
まず、基板3に対してレーザCVD法により薄膜を形成する場合には、圧縮ガス供給部(供給源)252から圧縮ガスを圧縮ガス供給路261に供給し、多孔質通気膜260を通して基板233側に噴射し、局所排気装置234を基板3から所定間隔だけ浮上させる。
この状態で、切換手段258を切り換えて、原料供給部(供給源)255から成膜用の原料ガスを第1流路257及び局所排気領域251を通して、基板3の成膜すべき局所に供給する。同時にレーザ光源装置からのレーザ光Lを透過孔247、透明窓248及び局所排気領域251を通して基板3の成膜すべき局所に照射し、成膜用の原料ガスを熱分解して基板3の局所にCVD膜を成膜する。
原料供給部255から供給される成膜用の原料ガス、及び必要に応じて供給されるパージガス(キャリアガス)は、プロセス用途としての使用後に、より内側の吸引溝による排気流路263から排気部254により吸引される。また、多孔質通気膜260より放出された圧縮ガスは、局所排気装置234の内部に向かっていくが、より外側の吸引溝による排気流路262から排気部253により排気される。この構成により、外気の遮断と、プロセスを独立化することが可能となる。
このとき、エッチングにより発生したダスト(削りカス)は第1流路257を通して局所排気部256によって排出される。また、パージガスを供給した場合には、エッチングによって生じた異物が透明窓248の内面に付着されるのが抑制される。
すなわち、例えばエッチング用のレーザを選択した場合には、切換手段258を切り換えて第1流路257を局所排気部256に通じるように排気ポートに切り換えることによって、エッチング時に発生するダスト(削りカス)を排出する構成とすることができる。これにより、局所排気領域251内におけるレーザCVD法による薄膜形成やレーザエッチングによる薄膜除去などの加工が可能となる。
また、各排気部及び各排気流路による排気ユニット内に、圧力制御用のバルブを設置することによって、レーザCVDプロセスの圧力制御と、レーザ照射部のガス分圧及び流速の制御が可能となる。更に、前述したCVD法及びエッチングの各プロセスに最適な条件を外気遮断とは独立に制御可能とすることもできるし、排気部253及び254には、有毒ガスを除害する機能を付加した構成とすることもできる。
まず、図6Aを参照して、検査対象の配線基板1の配線部2(単位画素)の概略構成を説明する。
配線部2は、基板3上に走査配線(破線図示)4が設けられ、この走査配線4上に、層間絶縁膜5を介して、信号配線6,電流供給配線7,グラウンド電極8が、走査配線4とは直交する方向に主として延在して配置されている。
信号配線6は、グラウンド電極8に連結されたキャパシタ(容量素子)12に対し、第1のTFT素子7のゲートを介して対向する構成とされ、更にキャパシタ12は、電流供給配線7がソースとなる第2のTFT素子10のゲートとして設けられている。電流供給配線7に対して第2のTFT素子10を介して対抗する配線は、発光部となる有機EL素子(図示せず)のアノード電極11に連結されている。
すなわち、電位供給配線b2には常時電流が供給されており、走査配線a1に走査パルスが印加されかつ信号配線b1に所要の信号が供給されると、第1のTFT素子Tr1がオン状態になり、キャパシタcに所要の信号が書き込まれる。この書き込まれた信号に基づいて第2のTFT素子Tr2がオン状態になり、信号量に応じた電流が電位供給配線b2を通して発光部ELに供給され、発光部ELにおける発光表示がなされる。
このようなGUI(グラフィカル・ユーザ・インターフェース)を構築することにより、ザッピング加工を行いたい位置、範囲の教示を簡便に行うことが可能である。
図11Aに、欠陥が生じた場合の配線基板の一例の構成を示す。また、図11Bは、その要部のy−y´線に沿う断面図である。なお、図11Bの断面図において、保護膜13の上層に形成される平坦化膜については、記載を省略してある。勿論、保護膜13が形成される前の状態において、本発明の欠陥修正方法を適用することは可能である。
例えば、図14Aに示す直線形状の結線軌道の縦方向変形の場合、例として修正候補41の結線軌道の下端に当てたマウスカーソルをドラッグしながら第1の位置47aから第2の位置47b(下方向)に移動させると、結線軌道が上部(始点)を変形中心46として(固定した状態で)下方向に引き伸ばされ、修正候補41aのような形状に変形する。
図15Aに示すコの字形状の結線軌道の縦方向変形の場合、例として修正候補43の結線軌道の下辺に当てたマウスカーソルをドラッグしながら第1の位置52aから第2の位置52b(下方向)に移動させると、結線軌道が上部(始点)を変形中心51として(固定した状態で)下方向に引き伸ばされ、修正候補43aのような形状に変形する。
Claims (7)
- 基板上に形成された多層構造の配線パターンにおける欠陥を検査し、検出された欠陥をレーザ光を用いて修正する欠陥修正装置において、
検査対象箇所を撮影した欠陥画像と、欠陥のない参照画像とを照合して欠陥を検出する欠陥検出部と、
入力部から入力される指示内容に基づいて、前記欠陥検出部で検出された欠陥に対してレーザ光が照射される加工位置及び加工範囲を表示部の画面上で指定する修正方法生成部と、
前記修正方法生成部で指定された加工位置及び加工範囲に基づいて、前記欠陥の修正を実行する修正機構部を制御する制御部と、
を備える欠陥修正装置。 - 照射するレーザ光の加工形状及び加工サイズを含む複数の修正情報を保存する記憶部を備え、
前記修正方法生成部は、前記入力部からの指示内容に基づいて、前記記憶部から前記欠陥に対する修正情報を選択するとともに、前記加工位置の指定を行う
請求項1に記載の欠陥修正装置。 - ザッピング及び/又はレーザCVDによる欠陥修正において、レーザ光の加工形状及び加工サイズを含む加工範囲情報に関し、各々の組み合わせ、位置関係、加工形状、加工サイズの修正情報を保存する記憶部を備え、
前記修正方法生成部は、前記入力部からの指示内容に基づいて、前記記憶部から前記欠陥に対する修正情報を選択するとともに、前記加工位置の指定を行う
請求項1に記載の欠陥修正装置。 - 前記記憶部は、前記多層構造の配線パターンの膜材料に応じてレーザパワー、レーザ周波数、ショット数の少なくともいずれかを含む加工パラメータ情報を保存し、
前記制御部は、前記加工パラメータを前記修正機構部の制御に反映させる
請求項2に記載の欠陥修正装置。 - 前記欠陥方法生成部は、前記入力部から入力される指示内容に基づいて、表示部の画面上で前記修正手法の指定位置及び加工範囲の調整、回転、拡大、引き伸ばしを行う
請求項2又は3に記載の欠陥修正装置。 - 基板上に、多層構造の配線パターンを形成し、
前記配線パターン上の欠陥を検査し、
入力部から入力される指示内容に基づいて、前記検出された欠陥に対してレーザ光が照射される加工位置及び加工範囲を指定し、
前記指定された加工位置及び加工範囲に基づいて、前記欠陥の修正を実行する修正機構部を制御する
配線基板の製造方法。 - 画素に対応する多数個の配線パターンによって構成される配線基板を有するディスプレイ装置の製造方法であって、
上記配線基板の製造を、基板上に、多層構造の配線パターンを形成し、
前記配線パターン上の欠陥を検査し、
入力部から入力される指示内容に基づいて、前記検出された欠陥に対してレーザ光が照射される加工位置及び加工範囲を指定し、
前記指定された加工位置及び加工範囲に基づいて、前記欠陥の修正を実行する修正機構部を制御する
ディスプレイ装置の製造方法。
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Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010286786A (ja) * | 2009-06-15 | 2010-12-24 | Sharp Corp | 欠陥修正装置および欠陥修正方法 |
JP2011194432A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Olympus Corp | レーザ加工方法、及び、レーザ加工装置 |
CN101893794B (zh) * | 2009-05-20 | 2013-11-13 | 索尼公司 | 缺陷修正装置及缺陷修正方法 |
WO2015111119A1 (ja) * | 2014-01-23 | 2015-07-30 | 株式会社Joled | 表示装置の製造方法および表示装置 |
JP6419893B1 (ja) * | 2017-06-02 | 2018-11-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体検査装置 |
JP2019007985A (ja) * | 2017-06-02 | 2019-01-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体検査装置 |
JP2020201457A (ja) * | 2019-06-13 | 2020-12-17 | 株式会社ブイ・テクノロジー | レーザ修正方法、レーザ修正装置 |
WO2020250686A1 (ja) * | 2019-06-13 | 2020-12-17 | 株式会社ブイ・テクノロジー | レーザ修正方法、レーザ修正装置 |
WO2021005907A1 (ja) * | 2019-07-11 | 2021-01-14 | 株式会社ブイ・テクノロジー | レーザ修正方法、レーザ修正装置 |
WO2021033417A1 (ja) * | 2019-08-21 | 2021-02-25 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 欠陥部認識装置及び欠陥部認識方法 |
WO2021161646A1 (ja) * | 2020-02-14 | 2021-08-19 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 欠陥検出装置、欠陥検出方法、欠陥修正装置 |
CN113393441A (zh) * | 2021-06-15 | 2021-09-14 | 浙江大学 | 一种基于机器视觉的分层制造缺陷检测方法 |
KR20210136005A (ko) | 2019-03-11 | 2021-11-16 | 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 | 레이저 리페어 방법, 레이저 리페어 장치 |
WO2024084752A1 (ja) * | 2022-10-20 | 2024-04-25 | Jswアクティナシステム株式会社 | レーザ照射システム、レーザ照射方法、及び有機elディスプレイの製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11285867A (ja) * | 1999-02-15 | 1999-10-19 | Hamamatsu Photonics Kk | 導電体層除去システム |
JP2004200618A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Kyocera Corp | レーザトリミング装置 |
JP2005103581A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Olympus Corp | リペア方法及びその装置 |
JP2005294625A (ja) * | 2004-04-01 | 2005-10-20 | Sony Corp | 成膜装置 |
-
2007
- 2007-02-05 JP JP2007025999A patent/JP5110894B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11285867A (ja) * | 1999-02-15 | 1999-10-19 | Hamamatsu Photonics Kk | 導電体層除去システム |
JP2004200618A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Kyocera Corp | レーザトリミング装置 |
JP2005103581A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Olympus Corp | リペア方法及びその装置 |
JP2005294625A (ja) * | 2004-04-01 | 2005-10-20 | Sony Corp | 成膜装置 |
Cited By (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101893794B (zh) * | 2009-05-20 | 2013-11-13 | 索尼公司 | 缺陷修正装置及缺陷修正方法 |
JP2010286786A (ja) * | 2009-06-15 | 2010-12-24 | Sharp Corp | 欠陥修正装置および欠陥修正方法 |
JP2011194432A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Olympus Corp | レーザ加工方法、及び、レーザ加工装置 |
WO2015111119A1 (ja) * | 2014-01-23 | 2015-07-30 | 株式会社Joled | 表示装置の製造方法および表示装置 |
JPWO2015111119A1 (ja) * | 2014-01-23 | 2017-03-23 | 株式会社Joled | 表示装置の製造方法および表示装置 |
US11714120B2 (en) | 2017-06-02 | 2023-08-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor inspection device |
JP6419893B1 (ja) * | 2017-06-02 | 2018-11-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体検査装置 |
JP2018205083A (ja) * | 2017-06-02 | 2018-12-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体検査装置 |
JP2019007985A (ja) * | 2017-06-02 | 2019-01-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体検査装置 |
KR20200013639A (ko) * | 2017-06-02 | 2020-02-07 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 반도체 검사 장치 |
US11209476B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-12-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor inspection device |
WO2018220931A1 (ja) * | 2017-06-02 | 2018-12-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体検査装置 |
KR102459819B1 (ko) | 2017-06-02 | 2022-10-27 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 반도체 검사 장치 |
KR20220150993A (ko) * | 2017-06-02 | 2022-11-11 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 반도체 검사 장치 |
KR102562196B1 (ko) | 2017-06-02 | 2023-08-02 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 반도체 검사 장치 |
KR20210136005A (ko) | 2019-03-11 | 2021-11-16 | 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 | 레이저 리페어 방법, 레이저 리페어 장치 |
KR20220018974A (ko) | 2019-06-13 | 2022-02-15 | 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 | 레이저 수정 방법, 레이저 수정 장치 |
JP7332144B2 (ja) | 2019-06-13 | 2023-08-23 | 株式会社ブイ・テクノロジー | レーザ修正方法、レーザ修正装置 |
WO2020250686A1 (ja) * | 2019-06-13 | 2020-12-17 | 株式会社ブイ・テクノロジー | レーザ修正方法、レーザ修正装置 |
WO2020250685A1 (ja) * | 2019-06-13 | 2020-12-17 | 株式会社ブイ・テクノロジー | レーザ修正方法、レーザ修正装置 |
JP2020201457A (ja) * | 2019-06-13 | 2020-12-17 | 株式会社ブイ・テクノロジー | レーザ修正方法、レーザ修正装置 |
CN113966527A (zh) * | 2019-06-13 | 2022-01-21 | 株式会社V技术 | 激光修复方法、激光修复装置 |
KR20220024409A (ko) | 2019-07-11 | 2022-03-03 | 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 | 레이저 수정 방법, 레이저 수정 장치 |
CN114096368A (zh) * | 2019-07-11 | 2022-02-25 | 株式会社V技术 | 激光修复方法、激光修复装置 |
JP7178710B2 (ja) | 2019-07-11 | 2022-11-28 | 株式会社ブイ・テクノロジー | レーザ修正方法、レーザ修正装置 |
JP2021013945A (ja) * | 2019-07-11 | 2021-02-12 | 株式会社ブイ・テクノロジー | レーザ修正方法、レーザ修正装置 |
WO2021005907A1 (ja) * | 2019-07-11 | 2021-01-14 | 株式会社ブイ・テクノロジー | レーザ修正方法、レーザ修正装置 |
KR20220044744A (ko) | 2019-08-21 | 2022-04-11 | 브이 테크놀로지 씨오. 엘티디 | 결함부 인식 장치 및 결함부 인식 방법 |
JP2021032629A (ja) * | 2019-08-21 | 2021-03-01 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 欠陥部認識装置及び欠陥部認識方法 |
JP7287669B2 (ja) | 2019-08-21 | 2023-06-06 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 欠陥部認識装置及び欠陥部認識方法 |
WO2021033417A1 (ja) * | 2019-08-21 | 2021-02-25 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 欠陥部認識装置及び欠陥部認識方法 |
US11953447B2 (en) | 2019-08-21 | 2024-04-09 | V Technology Co., Ltd. | Defective part recognition device and defective part recognition method |
WO2021161646A1 (ja) * | 2020-02-14 | 2021-08-19 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 欠陥検出装置、欠陥検出方法、欠陥修正装置 |
CN113393441A (zh) * | 2021-06-15 | 2021-09-14 | 浙江大学 | 一种基于机器视觉的分层制造缺陷检测方法 |
WO2024084752A1 (ja) * | 2022-10-20 | 2024-04-25 | Jswアクティナシステム株式会社 | レーザ照射システム、レーザ照射方法、及び有機elディスプレイの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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