JP2008279471A - レーザ加工装置、レーザ加工方法、tft基板、及び、tft基板の欠陥修正方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】加工用レーザを照射するためのレーザ光源と、加工用レーザをXY方向に走査させるガルバノミラーと、加工対象物をXY方向に移動させるXYステージとを備えたレーザ加工装置によって、ガルバノミラーの走査可能範囲よりも大きな図形を加工する。加工対象において、ガルバノミラーの走査可能範囲を超える図形を、ガルバノミラーの走査可能範囲内に収まる図形によって複数に分割し、XYステージを移動することにより、ガルバノミラーの走査可能範囲内に複数に分割した図形を移動し、ガルバノミラーにより加工用レーザを走査し、分割した図形に対し加工用レーザを照射することによりレーザ加工を行う。
【選択図】図9
Description
しかし、ガラス基板上にデバイスパターンや配線パターンを形成する際、塵埃や水滴等が基板上に付着していると、形成されたデバイスパターンに欠陥が生じる場合がある。このような欠陥が生じたTFT基板は、不良デバイスとなり、歩留り低下の原因となる。
このため、製造ラインの歩留りを高い水準で安定させるために、欠陥修正装置を用いてデバイスパターンの修正を行ない、次プロセスに移行することが行なわれている。
例えば、隣接するパターン同士が電気的に接続されてしまう欠陥に対しては、パターン間の不要な部分にレーザを照射し、不要なパターンを除去することにより修正を行うことができる。
また、パターン配線の一部が欠損する欠陥に対しては、レーザCVD(Chemical Vapor Deposition)法により金属材料ガス雰囲気の中でレーザを照射することにより、基板上に新たにパターンを形成することができる。そして、欠損箇所の再配線を行うことによりパターンの修正を行うことができる。
しかし、ボールねじ駆動では、上述のデバイスパターンの修正において、例えばレーザCVD法において要求される、速度ムラの少ない微小低速動作を実現することが難しい。このため、デバイスパターンの修正には、高価なリニアモータを使用する必要がある。
また、近年TFT基板に使われるガラス基板のサイズが拡大する傾向にあることから、欠陥修正装置のXYステージも大型のものが使われることが多くなっている。このような大型のXYステージでは、速度ムラの少ない微小低速動作だけでなく、レーザ照射位置の位置決め精度を向上させることも困難となっている。
ガルバノミラーを使用することにより、レーザ照射位置決めの精度は、XYステージの微小低速動作能力、及び、位置決め精度によって影響を受けない。また、対物レンズの倍率を上げることにより、位置決め精度を、XYステージの移動による位置決めよりも数倍に向上させることが可能である。
このため、ガルバノミラーによるレーザ光の走査では、加工精度を向上させることはできるが、対物レンズの視野を越えるレーザ照射ができない。このため、レーザ加工範囲が、狭い範囲に限定されてしまう。
また、アクティブマトリクス基板のデバイスパターン等にレーザCVD法を用いて、対物レンズの視野を越える長距離の結線を作製する場合には、XYステージを稼動させて加工対象を移動させなければ、対物レンズの視野を越える作業を行うことができなかった。
従って、ガルバノミラーを使用した場合においても、XYステージの移動による位置決めの精度の影響を受けるため、加工精度を向上させることが困難であった。
従って、複数のレーザ光源を有するレーザ加工装置では、XYステージ及びガルバノミラーによるレーザ照射位置決め精度を向上させた場合にも、光軸のずれに起因するレーザ照射位置のずれにより、加工精度を向上させることが困難である。
また、複数のレーザ光源からの加工用レーザの光軸を一致させ、ガルバノミラーをXY方向に操作することにより、XYステージ上の加工対象に対して加工用レーザを走査させることができる。このため、ガルバノミラーの位置決め精度に依存して、精度の高いレーザ加工を行うことができる。
このため、上述のように図形をガルバノミラーの走査可能範囲内で分割することにより、XYステージの位置決め精度に依存せず、ガルバノミラーの精度のみに依存し、精度の高いレーザ加工を行うことができる。
このため、上述のように図形をガルバノミラーの走査可能範囲内で分割することにより、XYステージの位置決め精度に依存せず、ガルバノミラーの精度のみに依存して、精度の高いレーザ加工を行うことができる。
図1は、本実施の形態のレーザ加工装置10の概略構成図である。
CVD修正用レーザ光源11からのレーザと、ザッピング修正用レーザ光源12からのレーザは、全反射ミラー15及び可動式全反射ミラー16により、互いの光軸がほぼ一致するように構成されている。
そして、CCD観察系23及び観察用照明系24の光軸は、ダイクロイックミラー22から基板29までの間において、レーザ光源11,12からのレーザ光の光軸とほぼ同軸となっている。
このため、CVD修正用レーザ光源11、及び、ザッピング修正用レーザ光源12によって加工される加工対象基板29において、加工位置を観察用照明系24で照らし、加工位置の画像をCCD観察系23で取得することができる。
CCD観察系23及び観察用照明系24を有することにより、基板29のレーザ加工位置の画像情報をCCD観察系23によって取得することができる。
そして、取得した画像情報に基づいて画像処理を行うことにより、加工対象を、基板29における基板座標系、及び、CCD観察系によるカメラ座標系として、座標によって表すことができる。
このように、複数のレーザ光源からのレーザ光軸のずれを、XYガルバノミラー21によって修正することにより、加工対象において精密なレーザ加工が可能となる。
なお、以下の説明において、図1で示したレーザ加工装置10の各構成には、図1と同じ符号を付して説明する。
この較正方法は、レーザ加工装置10のXYガルバノミラー21の較正することにより、入力信号と照射位置のずれを統計的に修正する方法である。
なお、以下の説明では、レーザ加工装置10において一方のレーザ光源としてCVD修正用レーザ光源11を使用している。
なお、レーザ加工痕32は、CCD観察系23によって取り込んだ画像情報に基づくカメラ座標系30において、中心位置の座標で求める。
このとき、下記(数1)のアフィン変換行列Aを用いて、X入力値Gx、Y入力値Gy、加工痕の中心座標(Px,Py)を、下記(数2)の関係式で表すことができる。
そして、(数1)及び(数2)から、アフィン変換行列Aの要素である、定数ax1,ax2,ax3,ay1,ay2,ay3を求めることにより、XYガルバノミラー21への入力信号と、実際にレーザが照射される位置のずれを較正するための、XYガルバノミラー21の較正値を求めることができる。
まず、XYガルバノミラー21に入力値(Gx,Gy)を設定する。そして、この入力値に(Gx,Gy)基づいて、CVD修正用レーザ光源11から基板29に、加工用レーザを照射し、加工痕の中心位置座標(Px,Py)の測定を行う。これを、入力値に(Gx,Gy)を変化させて、加工用レーザをN回照射し、それぞれの加工痕について中心位置座標(Px,Py)の測定を行う。
このとき、i回目の加工用レーザの照射における、XYガルバノミラー21の入力値を(gi x,gi y)、レーザ加工痕の中心位置を座標を(pi x,pi y)とする。
そして、アフィン変換行列AのX要素Axを以下(数3)とし、XYガルバノミラー21の入力値Gを以下(数4)とする。
そして、XYガルバノミラー21の較正値を用いることにより、XYガルバノミラー21への入力信号と、実際にCVD修正用レーザ光源11からのレーザが基板29に照射される位置とのずれを較正することができる。
次に、XYガルバノミラー21のX入力値Gx、Y入力値Gyを設定する。なお、ここでは、Gx=gx 1,Gy=gy 1と設定する。
そして、上記のXYガルバノミラー21への入力値において、CVD修正用レーザ光源11から基板29に加工用レーザを照射する。このレーザ照射による加工痕32の画像を、CCD観察系23によって取り込む。レーザ照射による加工痕の画像例を図2に示す。
次に、CCD観察系に取り込まれた画像から、例えば、図3に示すように、加工痕32の中心位置の座標(px,py)を求める。加工痕32の中心位置の座標(px,py)は、粒子解析法、パターンマッチング法等の画像処理を行うことによって算出することができる。ここでは、中心位置の座標として、px=px 1,py=py 1が算出されたとする。
そして、XYガルバノミラー21の入力値を変えて、上述の操作を複数回繰り返す。これにより、図4に示すように、複数個所において、加工痕32の中心位置の座標(px,py)を求めることができる。なお、図4では、上述の操作を5回繰り返した場合の加工痕32の中心位置の座標(px n,py n)を示している。
そして、ザッピング修正用レーザ光源12を用いて求められたアフィン変換行列をA´と置く。
そして、XYガルバノミラー21を較正するためのアフィン変換行列Aを、このアフィン変換行列Qで補正することにより、アフィン変換行列をA´を求めることができる。
このため、上述の方法によってアフィン変換行列Qを求めることにより、CVD修正用レーザ光源11とザッピング修正用レーザ光源12からのレーザ光の光軸のずれを、XYガルバノミラー21の較正によって修正することができる。
従って、CVD修正用レーザ光源11とザッピング修正用レーザ光源12との光軸を一致させることができる。
そして、レーザ光の光軸を一致させることにより、加工対象の基板29上において、レーザ照射の位置ずれを防ぐことができる。このため、レーザ加工装置10において、精度よくレーザ加工を行うことができる。
この場合には、まず、1つ目のレーザ光源について、アフィン変換行列A1を求める。そして、2つ目以降の加工用レーザ光源についても、それぞれアフィン変換行列A´2,A´3,A´4・・・A´nを求める。
そして、1つ目のレーザ光源によるアフィン変換行列A1に対し、補正用のアフィン変換行列Q2,Q3,Q4・・・Qnを求め、上記(数15)に適用することにより、光軸のずれを補正したアフィン変換行列A2,A3,A4・・・Anを求めることができる。
そして、レーザ光の光軸を一致させることにより、加工対象の基板上において、レーザ照射の位置ずれを防ぐことができる。また、レーザ光源が複数有っても、XYガルバノミラーによって光軸のずれが較正されているので、均一なレーザ照射が可能である。
このため、レーザ加工装置10において、レーザ照射の位置ずれを防ぐことができ、精度よくレーザ加工を行うことができる。
本実施の形態では、基板上に形成された配線パターンにおいて、この配線パターンの欠陥を修正するためのレーザ加工方法について説明する。
なお、以下の説明において、図1で示したレーザ加工装置10の各構成には、図1と同じ符号を付して説明する。
カメラ座標系30は、対物レンズ25で観察可能な画像の中心位置(0,0)を原点として、CCD観察系23の横方向をX軸、縦方向をY軸とした座標系で表している。
そして、このカメラ座標系30において、XYガルバノミラー21を使用し、ケラレなくレーザ照射が可能なガルバノ描画領域35は、ガルバノ描画領域35の中心位置36の座標(Gx,Gy)を有し、直径37がDmaxの円として表すことができる。ガルバノ描画領域35の直径37の長さDmaxは、加工用レーザによって描画できる図形31の両端、スタート位置31S及びエンド位置31Eにおいて、加工用レーザの中心位置31A同士を結ぶ直線の長さである。
また、このガルバノ描画領域35において、レーザCVD法を用いてXYガルバノミラー21を操作してレーザ光をスタート位置31Sからエンド位置31Eまで走査させることにより、結線31を基板29上に新たにデバイスパターンとして形成することができる。
このため、実際にレーザ加工装置10においてXYガルバノミラー21で走査されるレレーザ照射可能領域は、図5に示したガルバノ描画領域35よりも、レーザ光の面積を考慮する分大きくなる。
しかし、図5に示したガルバノ描画領域35では、レーザ光の中心位置31Aを結ぶ直線の長さによって直径37の長さDmaxを決定する。
これにより、XYθスリット18によって規定される面積を考慮することなく、ガルバノ描画領域35を決定することができる。このため、XYガルバノミラー21の走査距離と、ガルバノ描画領域35の直径37の長さDmaxとを同じ長さとして考えることができる。
図6において、基板座標系40とは、加工対象の基板29の中心を原点とする座標系である。そして、この基板座標系40においてCVD結線は、X軸と平行な直線型を有する結線41と、X軸及びY軸に平行な直線を組み合わせることにより形成されるU字型の結線42とに区別して考えられる。
また、U字型の結線42では、スタート位置42Sの座標(Sx,Sy)と、エンド位置42Eの座標(Ex,Ey)に加え、ターン位置42Aの座標(Ax,Ay)及びターン位置42Bの座標(Bx,By)の4点の座標によって表すことができる。
ガルバノ描画領域35の直径Dmaxよりも長く、長さLのCVD結線50をレーザCVDによって形成する場合に、この結線50をガルバノ描画領域35によって描画できる大きさに分割する方法を、図7を用いて説明する。
また、上述のガルバノ描画領域35において一度のXYガルバノミラー21によって加工用レーザを走査できる長さをDとする。
このとき、直線全体の長さLを、長さDで分割することにより、CVD結線50をn個の分割直線51に分割することができる。
また、n個に分割されたCVD結線50において、分割直線51は、中間位置Mを両端とする直線である。そして、隣接する分割直線51同士は、分割直線51の端部である中間位置Mにおいて、互いに重なり合うようにCVD結線50を分割する。そして、この分割直線51を、互いに重なり合う中間位置Mで連結することにより、結線50を形成することができる。
そして、図8に示す、k番目の(1≦k≦n)の分割直線51kの基板座標系40における位置は、中間位置Mkの座標(Mkx,Mky)、及び、中心位置Ckの座標(Ckx,Cky)によって、以下の(数20),(数21)によって求めることができる。
そして、分割直線51kの中心位置Ckの座標(Gx,Gy)の位置と、ガルバノ描画領域35の中心位置36の座標(Gx,Gy)の位置のずれ量は、(Ckx−Gx,Cky−Gy)と表すことができる。
また、ガルバノ描画領域35の中心位置36に、分割直線51の中心位置Cを合わせることにより、ガルバノ描画領域35内において最も長い直線を描画することができる。
そして、分割直線51kの中間位置Mk−1から中間位置Mkまでを成膜後、次の分割直線51の中心位置Cとガルバノ描画領域35の中心位置36の座標(Gx,Gy)の位置とを一致させるように、XYステージ28を移動させる。これにより、上述の分割直線51kと同様の方法で、次の分割直線51を描画することができる。
まず、一方の隣接する分割直線51を中間位置Mk−1まで形成する。そして、分割直線51kを中間位置Mk−1からMkまで形成する。このため、中間位置Mk−1は、分割直線51k、及び、隣接する分割直線51を形成する際に、重ねて形成する。
そして、同様に分割直線51kを中間位置Mkまで形成し、隣接する分割直線51を中間位置Mkから形成する。このため、中間位置Mkは、分割直線51k、及び、隣接する分割直線51を形成する際に、重ねて形成する。
上述のように、CVD結線50において中間位置Mは、隣接する分割直線51同士が互いに重なり合い、重複して形成される。
さらに、XYステージ28を移動する都度、CCD観察系23による画像処理と、画像処理に基づくXYガルバノミラー21による加工用レーザの走査を繰り返してCVD結線50を形成することができる。
これにより、XYステージ28の位置決め誤差による、レーザ照射位置の位置ずれをなくすことができる。
このため、分割直線51を正確に描画することができ、より正確にCVD結線50を形成することができる。
上記結線61、及び、欠陥部62の周囲を拡大した図面を図11に示す。
そして、信号線64の欠陥部62を修正するため、欠陥部62の前後において、U字型の結線61のスタート位置61S及びエンド位置61Eが設けられている。これにより、欠陥部62を迂回したU字型の結線61によって信号線64を導通させている。
そして、TFT基板60の表面に、スタート位置61Sから、ターン位置61A,Bを通り、エンド位置61EまでレーザCVD法による配線の形成を行い、結線61が形成されている。
このため、結線61によって、信号線64の欠陥部62の前後を電気的に接続することができる。
なお、この絶縁膜の剥離は、例えば、図1に示したレーザ加工装置において、TFT基板60の表面の絶縁膜を除去するための特定の波長を出射するレーザ光源を使用し、TFT基板にレーザを照射することによって行うことができる。
このとき、結線61のターン位置61Aからターン位置61Bまでの長さは、ガルバノ描画領域35(図5参照)よりも大きい。このため、ターン位置61Aからターン位置61Bまでを、(数17),(数18),(数19)を用いて分割する。
ここでは、図11に示すように、ターン位置61Aからターン位置61Bまでを3個の直線に分割し、それぞれの中間位置Mを61M1、61M2とする。
さらに、ターン位置61Bからエンド位置61Eまでの直線についても、同様の方法で形成する。
これにより、TFT基板上に結線61を形成することができる。
さらに、各座標において測定した位置決め誤差により、XYガルバノミラー21による加工用レーザの走査位置を補正し、レーザCVDにより直線を描画する。
これにより、ターン位置71A,B、及び、中間位置72M1,M2において、分割部分の位置ずれをなくし、図11に示すような精度の高い結線を形成することができる。
このため、例えば、目視による欠陥修正に代わり、較正作業を自動化した場合にも精度よく欠陥を修正することが可能となり、レーザ加工をオートメーション化することに特に有効である。
Claims (10)
- 加工用レーザを照射する複数のレーザ光源と、
前記加工用レーザをXY方向に走査させ、且つ、前記複数のレーザ光源からの加工用レーザの光軸のずれを補正するためのガルバノミラーと、
前記加工用レーザの光束を制限するスリットと、
加工対象物をXY方向に移動させるXYステージと、
加工用レーザを集光するための対物レンズとを備える
ことを特徴とするレーザ加工装置。 - 前記加工用レーザを照射することによって前記加工対象物上に金属膜を形成するレーザCVD(Chemical Vapor Deposition)装置を備えていることを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工装置。
- 前記加工対象物を観察するための観察用カメラを備えていることを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工装置。
- 加工用レーザを照射するためのレーザ光源と、前記加工用レーザをXY方向に走査させるガルバノミラーと、加工対象物をXY方向に移動させるXYステージとを備えたレーザ加工装置によって、前記ガルバノミラーの走査可能範囲よりも大きな図形を加工するレーザ加工方法であって、
前記加工対象物において、前記ガルバノミラーの走査可能範囲を超える図形を、前記ガルバノミラーの走査可能範囲内に収まる図形によって複数に分割し、
前記XYステージを移動することにより、前記ガルバノミラーの走査可能範囲内に前記複数に分割した図形を移動し、
前記ガルバノミラーにより加工用レーザを走査し、前記分割した図形に対し加工用レーザを照射する
ことを特徴とするレーザ加工方法。 - 前記XYステージの移動と、前記ガルバノミラーにより加工用レーザを走査して前記複数に分割した図形にレーザ加工を行うことを繰り返し、前記ガルバノミラーの走査可能範囲よりも大きい図形に対してレーザを照射することを特徴とする請求項4に記載のレーザ加工方法。
- 隣接する前記分割した図形同士が、前記分割した図形の一部において互いに重なり合うように、前記ガルバノミラーの走査可能範囲を超える図形を分割することを特徴とする請求項4に記載に記載のレーザ加工方法。
- 金属材料ガス雰囲気の中で加工用レーザを照射することにより、前記加工対象物上に金属膜を形成することを特徴とする請求項4に記載のレーザ加工方法。
- 前記レーザ加工方法において、レーザ加工装置に観察用カメラを設け、前記XYステージを移動した後、前記観察用カメラによって前記複数に分割した図形の画像を取得し、前記ガルバノミラーにより加工用レーザを走査して前記分割した図形に対しレーザを照射することを特徴とする請求項5に記載のレーザ加工方法。
- 基板上に、複数の走査線と、複数の信号線と、複数の電位供給線より成る配線が絶縁膜を介して互いに交差するように設けられ、前記各配線の交差部近傍にスイッチング素子がそれぞれ設けられたTFT(Thin Film Transistor)基板であって、
前記配線の断線部分の前後において、前記絶縁膜に開口部が設けられ、
前記開口部同士は、複数に分割された図形がレーザ加工により一体化されて形成された配線によって接続されている
ことを特徴とするTFT基板。 - 基板上に、複数の走査線と、複数の信号線と、複数の電位供給線より成る配線が絶縁膜を介して互いに交差するように設けられ、前記各配線の交差部近傍にスイッチング素子がそれぞれ設けられたTFT(Thin Film Transistor)基板において、加工用レーザを照射するレーザ光源と、前記加工用レーザをXY方向に走査させるガルバノミラーと、加工対象物をXY方向に移動させるXYステージとを備えたレーザ加工装置によって、前記ガルバノミラーの走査可能範囲よりも大きな図形を加工し、TFT基板欠陥部を修正する方法であって、
前記欠陥部において、前記ガルバノミラーの走査可能範囲を超える図形を、前記ガルバノミラーの走査可能範囲内に収まる図形によって複数に分割し、
前記XYステージを移動することにより、前記ガルバノミラーの走査可能範囲内に前記複数に分割した図形を移動し、
前記ガルバノミラーにより加工用レーザを走査し、前記複数に分割した図形に対しレーザを照射する
ことを特徴とするTFT基板の欠陥修正方法。
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