JP4940941B2 - 欠陥修正装置及び欠陥修正方法 - Google Patents
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同一の配線に接して生じている欠陥や、配線部内で略同位置に生じている欠陥等の修正においても、周囲に位置している部材の種類や有無に応じてそれぞれ異なる欠陥修正手法を選定することが必要となる。例えば、レーザ光照射による短絡箇所の切断を検討する場合、熱拡散によって周囲の薄膜トランジスタ(TFT)等に変質が生じることを回避する必要がある。
特に、有機ELディスプレイのように配線部(画素)を構成する配線の種類や配置が複雑な場合とか、配線の両端に電源が接続されている電位供給配線などの両側駆動の配線が他の片側駆動配線と混在して配線部を構成している場合などには、欠陥に対する修正手法の選択肢が極端に増大し、これに伴って適切な修正手法を選びとることも困難となる。
本実施形態では、目的とする配線基板がディスプレイ装置を構成する場合について、つまり配線基板を構成する多数の配線部をディスプレイ装置の画素に対応して2次元マトリクス状に多数形成するとともに、これと周辺回路を配線により結線している場合について、説明を行う。
この例では、共通の基板3に4台分のフラットパネルディスプレイの配線基板1が形成されている。配線基板1は、後述する繰り返しパターンを有するエリア(繰り返しパターン区域53、図2参照)、配線52を介して繰り返しパターンから外部へ接続する周辺回路51のエリア(周辺回路区域57、図20参照)、繰り返しパターン区域53と周辺回路区域57の境となるエリア(最外周区域54、図20参照)に分けられる。繰り返しパターン区域53と最外周区域54は、配線部2の繰り返しにより構成される。
本実施形態においては、まず、基板3上に、走査配線と、層間絶縁膜と、信号配線及び電位供給配線とを、目的とする配線部2の主要構成として積層形成することによって、配線部形成工程を実施する(ステップS1,S2,S3)。また、周辺回路51及び配線52を形成し、周辺回路51と最外周区域の配線部2を接続する。この周辺回路51と配線52の形成工程は、上記ステップS1〜S3における走査配線、層間絶縁膜、信号配線及び電位供給線を形成する工程の前後いずれでもよい。
本実施形態に係る欠陥修正装置200は、レーザ光照射により短絡箇所を切断する装置、所謂レーザリペア装置の例であるが、レーザCVD法などの配線の結線処理を行える装置に適用することも可能である。本実施形態の欠陥修正装置200は、対物レンズ208と基板3との間にレーザCVD法を実施できる加工装置を備えており、それについては後に詳述する。
具体的には、例えば欠陥位置情報抽出部221からの詳細位置情報に基づいて、欠陥箇所が後述する複数のエリア(区域)に区分けされた配線基板のどの位置に存在するかを判定し、欠陥位置に適した欠陥修正処理が実施されるような制御を実行する。
ここで、原料供給部255及び局所排気部256は、それぞれ、XYステージ205に載置されるTFT基板などの加工対象物となる基板3上における薄膜形成及び薄膜除去の補助手段となるものであり、本実施形態においては、それぞれ後述するように、レーザCVD法とレーザエッチングの補助手段となる。
なお、局所排気領域251は、局所排気装置234の下面に臨んで、図6に示すように、排気流路262及び263の端部を構成する吸引溝が形成する略同心環状の内側に、略円筒状空間として透明窓248と基板233との間に形成される。
また、図示しないが、必要に応じて、局所排気領域251にはパージガス供給部につながるパージガス流路が連結され、このパージガスの導入における圧力、速度、位置、角度等を選定することにより、加工によって生じた異物などが透明窓248の表面に付着することを抑制することなどが可能となる。
本実施形態においては、圧縮ガス供給部252からの圧縮ガスが、供給路及び通気孔を構成するリング状の圧縮ガス供給路261及びその開口部に配置された多孔質通気膜260により、局所排気装置234に対向するXYステージ205に向けて均一に出射され、圧縮ガスの圧力や流量と、各排気部による吸引量のバランスを選定することによって、局所排気装置234の浮上量が決定される。すなわち、局所排気装置234は静圧浮上パッド構成とされる。
また、本実施形態においては、局所排気装置234にヒーター259が併設されており、このヒーターによって、局所排気領域251を中心とするガスの温度、すなわち薄膜パターン形成装置1のチャンバー内の温度を一定に保つことが可能とされる。
まず、基板3に対してレーザCVD法により薄膜を形成する場合には、圧縮ガス供給部(供給源)252から圧縮ガスを圧縮ガス供給路261に供給し、多孔質通気膜260を通して基板233側に噴射し、局所排気装置234を基板3から所定間隔だけ浮上させる。
この状態で、切換手段258を切り換えて、原料供給部(供給源)255から成膜用の原料ガスを第1流路257及び局所排気領域251を通して、基板3の成膜すべき局所に供給する。同時にレーザ光源装置からのレーザ光Lを透過孔247、透明窓248及び局所排気領域251を通して基板3の成膜すべき局所に照射し、成膜用の原料ガスを熱分解して基板3の局所にCVD膜を成膜する。
原料供給部255から供給される成膜用の原料ガス、及び必要に応じて供給されるパージガス(キャリアガス)は、プロセス用途としての使用後に、より内側の吸引溝による排気流路263から排気部254により吸引される。また、多孔質通気膜260より放出された圧縮ガスは、局所排気装置234の内部に向かっていくが、より外側の吸引溝による排気流路262から排気部253により排気される。この構成により、外気の遮断と、プロセスを独立化することが可能となる。
このとき、エッチングにより発生したダスト(削りカス)は第1流路257を通して局所排気部256によって排出される。また、パージガスを供給した場合には、エッチングによって生じた異物が透明窓248の内面に付着されるのが抑制される。
すなわち、例えばエッチング用のレーザを選択した場合には、切換手段258を切り換えて第1流路257を局所排気部256に通じるように排気ポートに切り換えることによって、エッチング時に発生するダスト(削りカス)を排出する構成とすることができる。これにより、局所排気領域251内におけるレーザCVD法による薄膜形成やレーザエッチングによる薄膜除去などの加工が可能となる。
また、各排気部及び各排気流路による排気ユニット内に、圧力制御用のバルブを設置することによって、レーザCVDプロセスの圧力制御と、レーザ照射部のガス分圧及び流速の制御が可能となる。更に、前述したCVD法及びエッチングの各プロセスに最適な条件を外気遮断とは独立に制御可能とすることもできるし、排気部253及び254には、有毒ガスを除害する機能を付加した構成とすることもできる。
この配線部2は、基板3上に走査配線(破線図示)4が設けられ、この走査配線4上に、層間絶縁膜5を介して、信号配線6,電流供給配線7,グラウンド電極8が、走査配線4とは直交する方向に主として延在して配置されている。
信号配線6は、グラウンド電極8に連結されたキャパシタ(容量素子)12に対し、第1TFT素子7のゲートを介して対向する構成とされ、更にキャパシタ12は、電流供給配線7がソースとなる第2のTFT素子10のゲートとして設けられている。電流供給配線7に対して第2のTFT素子10を介して対抗する配線は、発光部となる有機EL素子(図示せず)のアノード電極11に連結されている。
すなわち、電位供給配線b2には常時電流が供給されており、走査配線a1に走査パルスが印加されかつ信号配線b1に所要の信号が供給されると、第1のTFT素子Tr1がオン状態になり、キャパシタcに所要の信号が書き込まれる。この書き込まれた信号に基づいて第2のTFT素子Tr2がオン状態になり、信号量に応じた電流が電位供給配線b2を通して発光部ELに供給され、発光部ELにおける発光表示がなされる。
本実施形態に係る配線基板の欠陥修正手法においては、配線部の場所で欠陥が生じているかに応じて、つまり光学検査工程で検出された欠陥の位置に応じて、前述した欠陥修正工程で修正手法データベース225から読み出す欠陥配線部2aの修正手法(リペアレシピ)を選定する。
なお以降の説明において、配線部(単位画素)上の欠陥が存在する領域を特に欠陥領域ともいう。
第1領域14:配線部分(走査線あり)
第2領域15:配線部分(走査線なし)
第3領域16:TFT素子部(走査線あり)
第4領域17:キャパシタ及びTFT素子部(走査線なし)
これに対し、第3領域16及び第4領域17は、TFT素子ややキャパシタなどの部材が存在する領域であり、これらに新たな欠陥や変質が生じたりすると、完全修復が難しい領域である。更に、第3領域16では下層に走査配線が存在するため、この第3領域16は、可能な限り直接的な修正加工を避け、やむを得ない場合にも低いエネルギーでレーザ光照射を行うなどの配慮が必要となる、更に難しい領域となる。
このように、それぞれの領域によって適宜適切な修正手法を用いて欠陥修正を行う必要がある。
この例では、検査対象の配線基板1は、配線パターン(配線部2)が繰り返し形成されて構成されているとする。配線部(繰り返しパターン)内においては、どの条件(欠陥の位置、大きさ、形状、種類等)の欠陥に対してどのような欠陥修正手法を用いるかという情報をテンプレートとして修正手法データベース225に登録しておき、欠陥位置と繰り返しパターンの基準座標、欠陥の種類等の情報を入力することで、修正手法データベース225から最適な欠陥修正情報を持つテンプレートを検索し、検索したテンプレートを欠陥画像に重ね合わせて最適な欠陥修正手法を適用する方法などが有効である。
・電気回路上の欠陥の特徴情報(オープン、ショートなど)
・リペア後の回路状態の情報(輝点、滅点など)
・配線基板内での繰り返しパターンの位置、何番目の画素かの番号、RGB情報(色情報)
・欠陥が目視で確認できるものかどうか
・同一条件のテンプレートがある場合の優先順位
・過去に実際に欠陥修正を行った回数(実績のあるものを優先するなど)
<欠陥オブジェクト>
・欠陥の位置と面積
・欠陥として適用できる範囲
・欠陥が異物であればその構成材料
・色(輝度)
<リペアオブジェクト>
・リペアオブジェクトの形状、角度
・レーザパワー
・リペアオブジェクトが複数ある場合は実行する順番
・膜材料名
・欠陥の中心座標の位置
・欠陥オブジェクトと実欠陥が重なるか、また重なっている場合は重なっている面積
・欠陥自体の大きさが近いか
・近接するパターンをまたがっているか。その場合上下左右のどの位置に重なるか。
・リペアオブジェクトの数や大きさ
・リペアオブジェクトの種類
・テンプレートでカバーできる欠陥の範囲
・その欠陥に対するリペア処理をスキップする
・すべての欠陥に対応できる滅点化処理等のテンプレートを用意し、適用する。
・複数候補がある場合は作業者が最適なものを選択できるようにする。
・候補が存在しない場合は作業者がテンプレートを作成して適用できるようにする。
Xc=Xa*cosθ−Ya*sinθ
Yc=Xa*sinθ+Ya*cosθ
で求められる。
また、テンプレートを編集、登録、決定する際に基準画像を登録して重ね合わせることで、視覚的にテンプレートが選びやすくなる。
また、同一条件でテンプレートを検索、サムネイル表示を行い、比較、編集することで重複登録等を防止し、より精度の高いテンプレートの作成が可能となる。
さらに同一基板内に複数の基板が存在する場合は、個々の基板のテンプレートを共有化することで、基板の向きが異なっていたり、取得画像が回転していても、欠陥修正方法の取得が可能となる。
Claims (12)
- 基板上で、複数の配線パターン及びその周辺回路が形成された配線基板内の欠陥を検査し、検出された欠陥をレーザ光を用いて修正する欠陥修正装置において、
配線基板の検査対象箇所を撮影した欠陥画像と、欠陥のない参照画像とを照合して欠陥を検出する欠陥検出部と、
欠陥の特徴を示すテンプレート情報と、欠陥を模した欠陥オブジェクト並びに前記配線基板上における前記欠陥オブジェクトの位置及びその特徴に応じた修正処置が施される部分を示したリペアオブジェクトを含むオブジェクト情報から構成された、欠陥修正手法と対応づけられた複数のテンプレートが蓄積されたデータベースと、
前記欠陥検出部で検出された欠陥の前記配線基板内における位置に基づいて、前記データベースから前記テンプレートを読み出して前記検出された欠陥の情報が前記テンプレート情報及び前記オブジェクト情報の特定の条件に一致しているテンプレートを選定する修正方法生成部と、
前記修正方法生成部で選定されたテンプレートのリペアオブジェクトに基づき前記欠陥の修正を実行する修正機構部を制御する制御部と、を備え、
前記欠陥オブジェクト及び前記リペアオブジェクトの位置は、前記配線パターンの基準となる原点座標からの相対座標で記録されており、
前記修正方法生成部は、前記欠陥画像における前記欠陥が検出された配線パターンの原点座標に前記テンプレートの原点座標を合わせ、少なくとも前記欠陥の前記配線パターン内における位置及び大きさを前記データベースに蓄積されている前記テンプレートの欠陥オブジェクトの位置及び大きさと比較し、その比較結果に基づいて最適なリペアオブジェクトを有するテンプレートを選定し、
前記欠陥画像における前記欠陥が検出された配線パターンの原点座標に前記テンプレートの原点座標を合せたときの前記リペアオブジェクトの位置が、前記配線基板に対して欠陥修正を実行する位置である
欠陥修正装置。 - 前記制御部は、前記欠陥画像に前記選定したテンプレートのリペアオブジェクトを重ねた画像を表示部に表示させる
請求項1に記載の欠陥修正装置。 - 前記制御部は、前記欠陥画像に前記テンプレートのリペアオブジェクトを重ねた画像を前記表示部に表示させる場合、前記リペアオブジェクトが複数あるときは各リペアオブジェクトの実行順を表示させる
請求項2に記載の欠陥修正装置。 - 前記制御部は、前記配線パターンの画像に前記テンプレートの欠陥オブジェクト及びリペアオブジェクトを重ねた画像を表示部に表示させる
請求項1に記載の欠陥修正装置。 - 前記制御部は、少なくとも前記テンプレートのテンプレート情報、並びに選択可能な複数の欠陥オブジェクトと複数のリペアオブジェクトのアイコン及び修正箇所の膜材料名を含むオブジェクト情報を前記表示部に表示させ、
前記修正方法生成部は、ユーザ操作が行われる入力部からの入力内容に基づいて、前記テンプレートの前記テンプレート情報及び前記オブジェクト情報の内容を設定する
請求項4に記載の欠陥修正装置。 - 前記制御部は、前記配線パターンの画像に前記テンプレートの欠陥オブジェクト及びリペアオブジェクトを重ねた画像を前記表示部に表示させる場合、前記リペアオブジェクトが複数あるときは各リペアオブジェクトの実行順を表示させる
請求項4又は5に記載の欠陥修正装置。 - 前記制御部は、前記欠陥オブジェクト及び前記オブジェクト情報に共通の項目を有する複数のテンプレートの画像を前記表示部に表示させる
請求項5又は6に記載の欠陥修正装置。 - 前記制御部は、前記欠陥オブジェクト情報及び前記リペアオブジェクト情報の項目のうち前記テンプレートを選別時に有効にする項目をユーザに入力させる選別オプション画面を前記表示部に表示させる
請求項5乃至7のいずれかに記載の欠陥修正装置。 - 前記基板上の第1の配線基板に対して前記基板上の第2の配線基板が角度θ回転しているとき、前記第1の配線基板のテンプレート上の座標(Xa,Ya)に対応する前記第2の配線基板に対するテンプレートの座標(Xb,Yb)が、
Xc=Xa*cosθ−Ya*sinθ
Yc=Xa*sinθ+Ya*cosθ
で求められ、前記第1の配線基板と前記第2の配線基板で前記テンプレートを共有する
請求項1乃至3のいずれかに記載の欠陥修正装置。 - 複数の配線パターン及びその周辺回路が形成された配線基板内の欠陥を検査し、検出された欠陥をレーザ光を用いて修正する欠陥修正方法において、
配線基板の検査対象箇所を撮影した欠陥画像と、欠陥のない参照画像とを照合して欠陥を検出する工程と、
欠陥の特徴を示すテンプレート情報と、欠陥を模した欠陥オブジェクト並びに前記配線基板上における前記欠陥オブジェクトの位置及びその特徴に応じた修正処置が施される部分を示したリペアオブジェクトを含むオブジェクト情報から構成された、欠陥修正手法と対応づけられた複数のテンプレートが蓄積されたデータベースから、前記テンプレートを読み出して前記検出された欠陥の情報が前記テンプレート情報及び前記オブジェクト情報の特定の条件に一致しているテンプレートを選定する工程と、
前記選定されたテンプレートのリペアオブジェクトに基づき前記欠陥の修正を実行する工程と、を有し、
前記欠陥オブジェクト及び前記リペアオブジェクトの位置は、前記配線パターンの基準となる原点座標からの相対座標で記録されており、
前記欠陥画像における前記欠陥が検出された配線パターンの原点座標に前記テンプレートの原点座標を合わせ、少なくとも前記欠陥の前記配線パターン内における位置及び大きさを前記データベースに蓄積されている前記テンプレートの欠陥オブジェクトの位置及び大きさと比較し、その比較結果に基づいて最適なリペアオブジェクトを有するテンプレートを選定し、
前記欠陥画像における前記欠陥が検出された配線パターンの原点座標に前記テンプレートの原点座標を合せたときの前記リペアオブジェクトの位置が、前記配線基板に対して欠陥修正を実行する位置である
欠陥修正方法。 - 前記欠陥画像に前記選定したテンプレートのリペアオブジェクトを重ねた画像を表示部に表示させる
請求項10に記載の欠陥修正方法。 - 前記配線パターンの画像に前記テンプレートの欠陥オブジェクト及びリペアオブジェクトを重ねた画像を表示部に表示させる
請求項10に記載の欠陥修正方法。
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