JP5114943B2 - 欠陥修正装置及び欠陥修正方法 - Google Patents
欠陥修正装置及び欠陥修正方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5114943B2 JP5114943B2 JP2006348374A JP2006348374A JP5114943B2 JP 5114943 B2 JP5114943 B2 JP 5114943B2 JP 2006348374 A JP2006348374 A JP 2006348374A JP 2006348374 A JP2006348374 A JP 2006348374A JP 5114943 B2 JP5114943 B2 JP 5114943B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- defect
- wiring
- range
- correction
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims description 464
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 236
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 60
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 50
- 230000008439 repair process Effects 0.000 claims description 40
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 claims description 25
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 17
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims 2
- 238000012217 deletion Methods 0.000 claims 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 claims 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 238000003702 image correction Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000012913 prioritisation Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
同一の配線に接して生じている欠陥や、配線部内で略同位置に生じている欠陥等の修正においても、周囲に位置している部材の種類や有無に応じてそれぞれ異なる欠陥修正手法を選定することが必要となる。例えば、レーザ光照射による短絡箇所の切断を検討する場合、熱拡散によって周囲の薄膜トランジスタ(TFT)等に変質が生じることを回避する必要がある。
特に、有機ELディスプレイのように配線部(画素)を構成する配線の種類や配置が複雑な場合とか、配線の両端に電源が接続されている電位供給配線などの両側駆動の配線が他の片側駆動配線と混在して配線部を構成している場合などには、欠陥に対する修正手法の選択肢が極端に増大し、これに伴って適切な修正手法を選びとることも困難となる。
本実施形態では、目的とする配線基板がディスプレイ装置を構成する場合について、つまり配線基板を構成する多数の配線部をディスプレイ装置の画素に対応して2次元マトリクス状に多数形成するとともに、これと周辺回路を配線により結線する場合について、説明を行う。
この例では、共通の基板3に4台分のフラットパネルディスプレイの配線基板1が形成されている。配線基板1は、後述する繰り返しパターンを有するエリア(繰り返しパターン区域53、図5参照)、配線52を介して繰り返しパターンから外部へ接続する周辺回路51のエリア(周辺回路区域57、図16参照)、繰り返しパターン区域53と周辺回路区域57の境となるエリア(最外周区域54、図14参照)に分けられる。繰り返しパターン区域53と最外周区域54は、配線部2の繰り返しにより構成される。
本実施形態においては、まず、基板3上に、走査配線と、層間絶縁膜と、信号配線及び電位供給配線とを、目的とする配線部2の主要構成として積層形成することによって、配線部形成工程を実施する(ステップS1,S2,S3)。また、周辺回路51及び配線52を形成し、周辺回路51と最外周区域の配線部2を接続する。この周辺回路51と配線52の形成工程は、上記ステップS1〜S3における走査配線、層間絶縁膜、信号配線及び電位供給線を形成する工程の前後いずれでもよい。
本実施形態に係る欠陥修正装置200は、レーザ光照射により短絡箇所を切断する装置、所謂レーザリペア装置の例であるが、レーザCVD法などの配線の結線処理を行える装置に適用することも可能であり、本例の構成に限られるものではない。
この領域判定部224は、詳細位置情報抽出部221及び正規画素パターンメモリ223とともに欠陥情報抽出手段として機能する。
具体的には、例えば欠陥位置情報抽出部221からの詳細位置情報に基づいて、欠陥箇所が後述する複数のエリア(区域)に区分けされた配線基板のどの区域に存在するかを判定し、各区域に適した欠陥修正処理が実施されるような制御を実行する。この欠陥修正処理については、後に区域毎に詳細に説明する。
図4は、図1に示した欠陥修正工程(ステップS5,S6)で行われる処理を示すフローチャートである。このフローチャートは、配線基板1における欠陥が存在するエリアを特定し、各エリアに最適な欠陥修正手法を選定するための一連の処理である。
この配線部2は、基板3上に走査配線(破線図示)4が設けられ、この走査配線4上に、層間絶縁膜5を介して、信号配線6,電流供給配線7,グラウンド電極8が、走査配線4とは直交する方向に主として延在して配置されている。
信号配線6は、グラウンド電極8に連結されたキャパシタ(容量素子)12に対し、第1TFT素子7のゲートを介して対向する構成とされ、更にキャパシタ12は、電流供給配線7がソースとなる第2のTFT素子10のゲートとして設けられている。電流供給配線7に対して第2のTFT素子10を介して対抗する配線は、発光部となる有機EL素子(図示せず)のアノード電極11に連結されている。
すなわち、電位供給配線b2には常時電流が供給されており、走査配線a1に走査パルスが印加されかつ信号配線b1に所要の信号が供給されると、第1のTFT素子Tr1がオン状態になり、キャパシタcに所要の信号が書き込まれる。この書き込まれた信号に基づいて第2のTFT素子Tr2がオン状態になり、信号量に応じた電流が電位供給配線b2を通して発光部ELに供給され、発光部ELにおける発光表示がなされる。
本実施形態に係る配線基板の欠陥修正手法においては、配線部を複数の領域(本例では4つ)に区分し、当該配線部を構成する有限数の領域のうちのどの領域で欠陥が生じているかに応じて、つまり光学検査工程で検出された欠陥の位置に応じて、前述した欠陥修正工程で修正手法データベース225から読み出す欠陥配線部2aの修正手法(リペアレシピ)を大別する。
なお以降の説明において、配線部(単位画素)上の欠陥が存在する領域を特に欠陥領域ともいう。
第1領域14:配線部分(走査線あり)
第2領域15:配線部分(走査線なし)
第3領域16:TFT素子部(走査線あり)
第4領域17:キャパシタ及びTFT素子部(走査線なし)
これに対し、第3領域16及び第4領域17は、TFT素子ややキャパシタなどの部材が存在する領域であり、これらに新たな欠陥や変質が生じたりすると、完全修復が難しい領域である。更に、第3領域16では下層に走査配線が存在するため、この第3領域16は、可能な限り直接的な修正加工を避け、やむを得ない場合にも低いエネルギーでレーザ光照射を行うなどの配慮が必要となる、更に難しい領域となる。
このように、それぞれの領域によって適宜適切な修正手法を用いて欠陥修正を行う必要がある。
なお、このように配線部2を有限数の領域に分類することは、予めデータベースに欠陥修正手法を蓄積(記録)する最初の段階で、つまり配線部形成工程に先立って行うことが、生産における垂直立ち上げ(迅速な量産化)などを可能とする上で、より好ましいと考えられる。
そのため、予め図11に示すような一画素分の領域登録情報を修正手法データベース225に用意し、各領域の画像を個別に作成する。そして、欠陥画像21の各領域とのパターンマッチング(照合)を行い、欠陥20bの位置を算出する。その際、登録領域情報とパターンマッチングを行う欠陥画像21の領域は、例えば図11の例の第1領域14のように、欠陥が無い箇所でかつ完全に一致する領域とする。欠陥画像21における欠陥の存在する領域(第4領域17)を、マッチングされた領域(第1領域14)との相対位置から算出することにより、欠陥20bによるパターンマッチングの誤差や欠陥20bのある領域に位置ずれや欠損等がある場合でも、正しい欠陥領域の取得が可能となる。
なお、領域取得の精度を上げる手法として、欠陥画像21と近接する配線部を撮像した画像(もしくは隣接する配線部の画像)を用いて先の登録領域情報の領域毎にパターンマッチングを行うことも挙げられる。
図13に、本実施形態の欠陥修正処理の一例を示す。配線部(繰り返しパターン)内においては、どの条件(欠陥の位置、大きさ、形状、種類等)の欠陥に対してどのような欠陥修正手法を用いるかという情報をテンプレートとして修正手法データベース225に登録しておき、欠陥位置と繰り返しパターンの基準座標を入力することで、修正手法データベース225から最適な欠陥修正情報を持つテンプレートを検索し、検索したテンプレートを欠陥画像に重ね合わせて最適な欠陥修正手法を適用する方法などが有効である。
なお、最適なテンプレートを選択する際に、上記情報に加えて、既述した欠陥箇所が配線パターン(配線部)のどの領域に属するかを示す領域情報を参照するようにしてもよい。
なお、「欠陥情報」は、外部のADC(欠陥自動分類装置)による欠陥の分類結果等の欠陥情報である。
なお「補正情報」は、実際の欠陥画像の欠陥位置との比較による位置補正のための情報である。また、「角度」とは、XYステージ205上における欠陥の正規の位置からの回転角度である。
周辺回路区域55は、周辺回路51の領域と、繰り返しパターン区域53と周辺回路51に繋がる配線2を含む領域とで成り立っており、繰り返しパターン区域53のテンプレートは全く適用できない。周辺回路51はある特定のパターンの繰り返しからなり、所定の欠陥修正手法が特定できるのであれば繰り返しパターン部分と同様にテンプレートの登録手法が有効であるが、上下左右で全く対称とは限らないため、使用箇所に合わせた周辺回路個別のテンプレートを作成及び登録する必要がある。さらに配線52は配線基板1の中心から放射線状に延在しており、かつ上下左右で非対称の場合があるため、テンプレートを登録、適用させるのは現実的ではない場合が多い。
繰り返しパターン区域53に関しては、撮像装置217の撮影対象の位置を繰り返しパターン(配線部2)のサイズ分、近接する領域にシフト(移動)させて参照画像を取得すればよい。
また、最外周区域54に関しては、シフトさせる方向を上下端では横方向、左右端では縦方向に繰り返しパターン(配線部)のサイズ分、近接する領域にシフト(移動)させることで、繰り返しパターン区域53と一部(配線の長さ等)形状の異なる画像であっても参照画像が取得できる。ただし、最外周区域53の四隅の位置、及び周辺回路51では近接する配線2や対角上にある配線2が対象画像と同一の配線になるとは限らないため、別の配線基板1で目的とする箇所(座標)に相当する部分の画像を取得する。あるいは、他の基板上の対応する配線基板の同一座標の画像を取得するようにしてもよい。
Xc=Xa*cosθ−Ya*sinθ
Yc=Xa*sinθ+Ya*cosθ
で求められる。
また、同一基板内に複数の配線基板が存在する場合、個々の配線基板の区域指定方法を共有化することにより、欠陥画像と同じ位置に相当する参照用画像を、繰り返しパターン区域以外でも取得することが可能になり、欠陥の詳細情報の抽出、欠陥修正手法(テンプレート)の取得が可能となる。
さらに、今まで欠陥自動修正の対象外としていた繰り返しパターン区域以外の区域、例えば最外周区域及び周辺回路区域においてもテンプレートを用いた欠陥修正が可能となり、最終的に欠陥修正工程で自動化できるリペア対象領域の拡張が可能となる。
Claims (10)
- 基板上で、複数の配線パターン及びその周辺回路が形成された配線基板内の欠陥を検査し、検出された欠陥をレーザ光を用いて修正する欠陥修正装置において、
配線基板の検査対象箇所を撮影した欠陥画像と、欠陥のない参照画像とを照合して欠陥を検出する欠陥検出部と、
前記配線基板を複数の配線パターンが繰り返し形成された第1の範囲と、前記配線パターンが形成されていない第2の範囲と、前記配線パターンと独自パターンが混在して形成された第3の範囲に分類して各々の範囲に応じた欠陥修正手法が蓄積されたデータベースと、
前記欠陥検出部で検出された欠陥の前記配線基板内における位置に基づいて、前記データベースから欠陥修正手法を読み出して選定する修正方法生成部と、
前記修正方法生成部で選定された欠陥修正手法に基づき前記欠陥の修正を実行する修正機構部を制御する制御部と
を備える欠陥修正装置。 - 前記配線基板は、ディスプレイ装置の表示パネルを構成する配線基板であって、
前記第1の範囲は、前記配線パターンが繰り返し形成された範囲のうち最外周部を除いた繰り返しパターン部分であり、
前記第2の範囲は、前記配線パターンが繰り返し形成された範囲のうち最外周の部分であり、
前記第3の範囲は、前記第2の範囲と接続する配線及び周辺回路を含む部分である
請求項1に記載の欠陥修正装置。 - 入力操作が行われる入力部とを有し、
前記制御部は、前記入力部からの範囲指定に基づいて、前記第1の範囲、前記第2の範囲及び前記第3の範囲のそれぞれの範囲を、前記データベースに登録する
請求項1又は2に記載の欠陥修正装置。 - 前記制御部は、前記入力部からの範囲指定に基づいて、前記第1の範囲、前記第2の範囲及び前記第3の範囲から構成される欠陥修正処理の対象範囲と、欠陥修正処理の対象外とする無効範囲を、前記データベースに登録する
請求項3に記載の欠陥修正装置。 - 表示装置に、前記第1の範囲、前記第2の範囲及び前記第3の範囲のそれぞれの範囲を設定する設定画面を表示し、前記入力部から各範囲を指定できるように構成されている
請求項3又は4に記載の欠陥修正装置。 - 同一基板に第1の配線基板と第2の配線基板が形成されている場合、前記第1の配線基板と前記第2の配線基板のそれぞれの基板上での位置情報及び角度情報に基づいて、前記第1の配線基板に対して前記第2の配線基板を座標変換し、前記第2の配線基板において前記第1の配線基板の前記第1〜第3の範囲の設定を利用する
請求項1乃至5のいずれかに記載の欠陥修正装置。 - 登録された範囲の欠陥修正手法が不明、又は欠陥修正手法の事前登録による欠陥修正が不可能な場合、欠陥画像を欠陥がない状態で撮影された参照画像と比較して欠陥の位置と条件を取得し、当該欠陥の位置及び条件に基づいた欠陥修正手法を生成する
請求項1乃至5のいずれかに記載の欠陥修正装置。 - 前記欠陥検出部で検出された欠陥の位置が前記データベースに登録されている欠陥修正手法に該当しない場合、欠陥修正手法の一部もしくは全部を生成する
請求項1乃至5のいずれかに記載の欠陥修正装置。 - 前記欠陥画像と同じ箇所の参照画像を作成する場合、前記欠陥の所属が前記第1の範囲及び前記第2の範囲において、前記欠陥の位置に近接する前記繰り返しパターンの画像を取得し、
前記欠陥の所属が近接する箇所が欠陥画像と同一とならない範囲もしくは前記第3の範囲において、同一基板上の他の配線基板の同一座標、又は別基板の対応する配線基板の同一座標を取得する
請求項1乃至5のいずれかに記載の欠陥修正装置。 - 複数の配線パターン及びその周辺回路が形成された配線基板内の欠陥を検査し、検出された欠陥をレーザ光を用いて修正する欠陥修正方法において、
前記配線基板を繰り返しパターンが形成された第1の範囲と、前記配線パターンが形成されていない第2の範囲と、前記配線パターンと独自パターンが混在して形成された第3の範囲とに分類し、各々の範囲に応じた欠陥修正手法をデータベースに登録する工程と、
配線基板の検査対象箇所を撮影した欠陥画像と、欠陥のない参照画像とを照合して欠陥を検出する工程と、
前記検出された欠陥の配線基板内における位置に基づいて、前記データベースから欠陥修正手法を読み出して選定する工程と、
前記選定された欠陥修正手法に基づき前記欠陥の修正を実行する工程と
を有する欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006348374A JP5114943B2 (ja) | 2006-12-25 | 2006-12-25 | 欠陥修正装置及び欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006348374A JP5114943B2 (ja) | 2006-12-25 | 2006-12-25 | 欠陥修正装置及び欠陥修正方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008155263A JP2008155263A (ja) | 2008-07-10 |
JP5114943B2 true JP5114943B2 (ja) | 2013-01-09 |
Family
ID=39656755
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006348374A Expired - Fee Related JP5114943B2 (ja) | 2006-12-25 | 2006-12-25 | 欠陥修正装置及び欠陥修正方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5114943B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5331421B2 (ja) * | 2008-09-12 | 2013-10-30 | オリンパス株式会社 | レーザリペア装置およびレーザリペア方法 |
JP5158649B2 (ja) * | 2009-01-27 | 2013-03-06 | Ntn株式会社 | カラーフィルタの欠陥修正装置および方法 |
JP5640328B2 (ja) * | 2009-05-20 | 2014-12-17 | ソニー株式会社 | 欠陥修正装置及び欠陥修正方法 |
JP5236580B2 (ja) * | 2009-06-15 | 2013-07-17 | シャープ株式会社 | 欠陥修正装置および欠陥修正方法 |
JP5495875B2 (ja) * | 2010-03-18 | 2014-05-21 | オリンパス株式会社 | レーザ加工方法、及び、レーザ加工装置 |
JP5695337B2 (ja) * | 2010-04-16 | 2015-04-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | レーザ照射装置 |
KR101687163B1 (ko) * | 2014-10-07 | 2016-12-16 | 동우 화인켐 주식회사 | 터치 패널 검사 장치 및 방법 |
KR101845721B1 (ko) * | 2016-03-29 | 2018-04-05 | 동우 화인켐 주식회사 | 필름형 터치 센서 검사 장치 및 방법 |
DE102020215397A1 (de) * | 2020-12-07 | 2022-06-09 | Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg | Hochfrequenz-Laseroptik und Verfahren zum Betrieb einer Hochfrequenz-Laseroptik |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2673007B2 (ja) * | 1989-05-19 | 1997-11-05 | 株式会社日立製作所 | 半導体デバイスの回路変更方法及び装置 |
JP3356681B2 (ja) * | 1998-03-31 | 2002-12-16 | 住友重機械工業株式会社 | レーザ加工方法及び装置 |
JP2001352145A (ja) * | 2000-06-05 | 2001-12-21 | Toshiba Corp | 配線基板の製造方法およびリペア装置 |
JP2002331379A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP2005103581A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-21 | Olympus Corp | リペア方法及びその装置 |
-
2006
- 2006-12-25 JP JP2006348374A patent/JP5114943B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008155263A (ja) | 2008-07-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5114943B2 (ja) | 欠陥修正装置及び欠陥修正方法 | |
JP5353179B2 (ja) | 欠陥修正装置および欠陥修正方法 | |
JP4940941B2 (ja) | 欠陥修正装置及び欠陥修正方法 | |
US7761182B2 (en) | Automatic defect repair system | |
US8262427B2 (en) | Defect correcting apparatus and defect correcting method | |
JP5110894B2 (ja) | 欠陥修正装置、配線基板の製造方法、ディスプレイ装置の製造方法 | |
JP4956984B2 (ja) | 欠陥修正装置及び欠陥修正方法 | |
KR20220044744A (ko) | 결함부 인식 장치 및 결함부 인식 방법 | |
JP2009115566A (ja) | パネルの欠陥位置の特定装置 | |
CN114096368B (zh) | 激光修复方法、激光修复装置 | |
JP2011085821A (ja) | 欠陥修正装置および欠陥修正方法 | |
JP4940679B2 (ja) | 欠陥修正手法の表示方法及び欠陥修正装置 | |
JP5640328B2 (ja) | 欠陥修正装置及び欠陥修正方法 | |
JP2011085820A (ja) | 欠陥修正装置および欠陥修正方法 | |
CN113966527B (zh) | 激光修复方法、激光修复装置 | |
US10504219B2 (en) | Inspection apparatus and inspection method | |
JP2008058352A (ja) | リペア装置 | |
JP5196723B2 (ja) | 欠陥修正装置及び欠陥修正方法 | |
JP4879549B2 (ja) | 欠陥修正装置及び欠陥修正方法 | |
WO2015093228A1 (ja) | パターン加工方法 | |
JPH0743655A (ja) | 薄型表示機器の修正装置 | |
JP2007304036A (ja) | 検査用マップ生成装置および外観検査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091215 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110902 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111227 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120220 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120918 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121001 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151026 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |