JP2008058352A

JP2008058352A - リペア装置

Info

Publication number: JP2008058352A
Application number: JP2006231689A
Authority: JP
Inventors: Daisuke Imai; 大輔今井
Original assignee: Shimadzu Corp
Current assignee: Shimadzu Corp
Priority date: 2006-08-29
Filing date: 2006-08-29
Publication date: 2008-03-13

Abstract

【課題】リペア装置において、欠陥位置の座標データに基づいて欠陥部位を特定する際に、欠陥部位の特定を自動で行う。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板３の欠陥を修正するリペア装置１において、ＴＦＴアレイ基板を支持し少なくとも２次元方向に駆動するステージ１１と、このステージの駆動を制御し、ステージ上に載置したＴＦＴアレイ基板を位置決めするステージ制御部１２と、ＴＦＴアレイ基板において位置決めされた位置を含む撮像範囲を撮像する撮像部２１と、撮像部が撮像した撮像範囲の画像データと、予め用意したＴＦＴアレイ基板の欠陥画像データとを比較し、撮像範囲内に欠陥位置が存在するかを照合する欠陥位置照合部２４と、撮像範囲の外周に探索範囲を設定する探索範囲設定部２５とを備える。探索範囲設定部２５は、最初に設定された撮像範囲の周囲に探索範囲を設定して撮像範囲を拡大し、拡大した探索範囲において欠陥部位を探索する。
【選択図】図１

Description

本発明は、ＴＦＴアレイ基板の欠陥を修正するリペア装置に関する。

ＴＦＴ液晶ディスプレイ等のアレイ基板ＴＦＴを製造する工程では、ＴＦＴアレイ基板の製造工程での歩留まりを向上させるために、ＴＦＴアレイ基板の欠陥検査を行った後、この欠陥検査で発見した欠陥をリペア装置で修正することが行われている。

例えば、液晶表示装置では、製造プロセス中に、容量電極間に異物が混入すると、容量絶縁膜の絶縁性が不十分となって画像素欠陥が生じ、製造部留まりが低下する。このような容量絶縁膜の絶縁不良を解消する方法として、レーザリペア法が知られている。このレーザリペア法では、ＹＡＧレーザ等のレーザービームを電極間の配線に照射して配線の抵抗を高めることで、画像素欠陥を修正する。

この画像素欠陥の修正は、検査工程とリペア工程の２工程からなり、検査工程で欠陥位置座標を求め、リペア工程では、求めた欠陥位置座標を用いてアライメントした後、光学系を用いて位置出しを行い、リペアを行う（特許文献１参照）。

図８は、検査装置およびリペア装置における欠陥位置座標を説明するための概略図である。図８において、検査装置２００はＴＦＴアレイ基板３００の欠陥検査を行い、欠陥種や欠陥位置に係わる情報を出力する。リペア装置１００は、検査装置２００から欠陥位置の座標データを取得し、この座標データを用いてステージ１１０を駆動してＴＦＴアレイ基板３００の位置決めを行う。

リペア１００による欠陥修正は、撮像装置で撮像したＴＦＴアレイ基板の画像を表示装置１２０に拡大表示することによって、欠陥位置の確認を行う。
特開２００１−３４３９０７号公報

従来、リペア装置では、検査装置から送られた欠陥位置の座標データのみを用いてＴＦＴアレイ基板上の欠陥位置を特定し、この欠陥位置の座標データに対応するＴＦＴアレイ基板上の位置を拡大表示し、オペレータはこの表示を参考にして欠陥位置を確認して欠陥の修正を行っている。

一般に、検査装置で得られる欠陥位置データには、検査装置の機器精度や操作精度等の各種要因によって誤差が含まれている。そのため、検査装置から送られた欠陥位置の座標データのみを用いてＴＦＴアレイ基板上の欠陥位置を特定した場合、欠陥位置の座標データで定める位置と実際の欠陥位置との間にずれが生じ、リペア装置側において座標データに基づいて表示したとき、表示画面上に欠陥位置が表示されず、欠陥位置を特定することができないという問題がある。

図９は、欠陥位置の座標データと欠陥部位との関係を説明するための図である。図９では、ＴＦＴアレイ基板上に形成される複数の画素の一部を示している。ここで、検査装置から取得した欠陥位置の座標データを（Ｘ，Ｙ）としたとき、リペア装置ではこの座標データに基づいて、例えば、この座標データ（Ｘ，Ｙ）を中心位置Ｐとする所定の大きさの撮像範囲Ａ（破線で示す）を撮像装置で撮像して表示装置（図示していない）に拡大表示し、この表示画像を参照することによって欠陥位置を確認する。

このとき、欠陥位置の座標データに誤差が含まれている場合には、この欠陥位置と対応する実際の欠陥部位Ｑ（ｘ，ｙ）との間に位置ずれが生じるため、表示装置には欠陥部位Ｑは表示されず、欠陥部位を確認することができない。

欠陥部位を確認し特定するには、オペレータは撮像範囲Ａ内に欠陥部位Ｑが表示されるまでステージを操作しなければならず、誤差の程度によってはかなりの時間を要するという問題がある。

ＴＦＴアレイ基板を用いたＴＦＴ液晶ディスプレイの製造工程では、スループットは重要な製造上に要素であるため、各工程における処理時間を最小に抑制することが強く求められている。

そこで、本発明は前記した従来の問題点を解決し、リペア装置において、欠陥部位を特定するに要する時間を短縮することを目的とし、また、欠陥位置の座標データに基づいて欠陥部位を特定する際に、欠陥部位の特定を自動で行うことを目的とする。

本発明は、欠陥部位の特定を画像のパターン認識アルゴルズムを利用して行うものであり、検査装置で得られた欠陥位置の座標データを用いてリペア装置側で位置決めを行う際に、リペア装置に表示される表示画面内に欠陥部位が存在しない場合に、ステージを駆動して表示画面の外側の領域の画像データを取得し、この画像データにパターン認識アルゴルズムを適用することによって、欠陥部位を自動探索する。これによって、欠陥部位の特定を自動で行い、欠陥部位を特定するに要する時間を短縮する。

なお、リペア装置は、欠陥部位を特定した後は、オペレータによって欠陥の修正操作が行われる。

本発明のリペア装置は、ＴＦＴアレイ基板の欠陥を修正するリペア装置において、ＴＦＴアレイ基板を支持し少なくとも２次元方向（ＸＹ方向）に駆動するステージと、このステージの駆動を制御し、ステージ上に載置したＴＦＴアレイ基板を位置決めするステージ制御部と、ＴＦＴアレイ基板において位置決めされた位置を含む撮像範囲を撮像する撮像部と、撮像部が撮像した撮像範囲の画像データと、予め用意したＴＦＴアレイ基板の欠陥画像データとを比較し、撮像範囲内に欠陥位置が存在するかを照合する欠陥位置照合部と、撮像範囲の外周に探索範囲を設定する探索範囲設定部とを備える。

ここで、探索範囲設定部は、欠陥位置照合部で照合した結果、撮像範囲内に欠陥位置が存在しない場合には、最初に設定された撮像範囲の周囲に探索範囲を設定して撮像範囲を拡大する。ステージ制御部は、探索範囲設定部で設定した探索範囲にステージを駆動することにより、最初に設定された撮像範囲の周囲に探索範囲を拡大し、この探索範囲において欠陥部位を探索する。

この拡大した探索範囲で欠陥部位を探索することにより、ステージ上に載置したＴＦＴアレイ基板の欠陥位置に位置決めが行われる。

本発明のステージ制御部は、ステージ上へのＴＦＴアレイ基板の載置時には、外部検査装置で取得した欠陥位置データに基づいてステージを駆動し、欠陥位置照合部によって、撮像部が撮像した撮像範囲の画像データと、予め用意したＴＦＴアレイ基板の欠陥画像データとを比較し、その撮像範囲内に欠陥位置が存在するかを照合する。この欠陥位置照合部で照合した後、欠陥位置の照合が得られなかった場合には、探索範囲設定部で設定した探索範囲内に定める位置データに基づいてステージを駆動し、この探索範囲内において再度、撮像部が撮像した探索範囲の画像データと、予め用意したＴＦＴアレイ基板の欠陥画像データとを比較し、その探索範囲内に欠陥位置が存在するかを照合する。

探索範囲設定部は、撮像範囲の外周に複数の環状の探索範囲を設定し、内側の探索範囲から順に外側の探索範囲に探索範囲を選択する形態とすることができる。この形態により、欠陥位置データを中心にしてその外周に向かって探索範囲を拡大することができる。

また、探索範囲設定部は、環状の探索範囲内において、この環状の探索範囲を分割して複数の探索領域に分け、この分割した探索領域にステージ駆動して順に位置決めする。なお、複数の探索領域の駆動順は任意に定めることができる。撮像部は、ステージ駆動によって位置決めされた各探索領域を撮像する。

これによって、検査装置で取得された欠陥位置データを中心として順に外側に向かって探索範囲を拡大して欠陥部位を発見することができる。より詳細には、最初に欠陥位置データで定まる位置を含む撮像範囲について欠陥部位の有無を照合し、次に、この撮像範囲の外側を順に外側に向かって自動的に欠陥部位を探索し発見することができる。

また、本発明のリペア装置は、ＴＦＴアレイ基板の欠陥を修正するリペア部を備える。このリペア部は、レーザービームを照射するレーザービーム源を有し、撮像部の撮像範囲は、ステージのＴＦＴアレイ基板の載置面高さにおいてこのレーザービームの照射位置を含む構成とし、これによって、欠陥部位への位置決めとともに、その位置において欠陥部位の欠陥を修正することができる。

本発明によれば、リペア装置において、欠陥部位を特定するに要する時間を短縮することができる。また、欠陥位置の座標データに基づいて欠陥部位を特定する際に、欠陥部位の特定を自動で行うことができる。

以下、本発明の実施の形態について、図を参照しながら詳細に説明する。

図１は、本発明のリペア装置の構成例を説明するために概略ブロック図である。図１において、検査装置２は検査対象であるＴＦＴアレイ基板３の欠陥検査を行い、欠陥部位の欠陥位置の座標データ（Ｘ，Ｙ）の他、その欠陥種等の欠陥データを取得する。

リペア装置１は、検査装置２からＴＦＴアレイ基板３の欠陥位置の座標データ（Ｘ，Ｙ）を取得する。また、欠陥種等の情報についても取得することができる。

リペア装置１は、導入したＴＦＴアレイ基板３の欠陥を修正するためのリペアに係わる構成の他に、主に欠陥部位を特定するための構成を備える。

リペアに係わる構成としては、例えば、ＴＦＴアレイ基板３を支持するとともに、少なくともＸＹの２次元方向に移動して位置決め可能とするステージ１１と、このステージの移動方向、移動量を制御して位置決め制御を行うステージ制御部１２と、ステージ１１上に載置したＴＦＴアレイ基板１３上の欠陥部位を修正するリペア部１３とこのリペア部１３を駆動するリペア駆動部１４と、このリペア駆動部１４をオペレータが操作するための操作部１５を備える。

なお、リペア部１３として、非接触により欠陥部位を修正する構成、微小なプローブ等を接触させることで欠陥部位を修正する構成等、種々の構成を用いることができる。非接触により欠陥部位を修正する構成としては、例えば、ＹＡＧレーザ装置から発振されたＹＡＧレーザービームをＴＦＴアレイ基板３の欠陥部位に照射する構成が知られている。

オペレータは、操作部１５を操作することでリペア駆動部１４を制御し、リペア部１３によるリペア動作を制御する。リペア部１３がレーザ装置で構成される場合には、操作部１５は、例えば、レーザービームの照射位置や、照射径、ビーム強度等を制御することができる。

また、欠陥部位を特定するための構成としては、例えば、ステージ１１上に載置されたＴＦＴアレイ基板３を撮像する撮像部２１と、この撮像部２１の出力信号を画像処理して画像データを取得する画像処理部２２と、画像処理部２２の画像データを表示する表示部２３と、画像処理部２２の画像データ中に欠陥位置が存在するか否かを、この画像データと予め用意しておいた欠陥の画像データとを比較して照合する欠陥位置照合部２４と、欠陥位置照合部２４において、画像データ中に欠陥位置が存在しない場合に、検査装置から取得した欠陥位置の座標データの周囲に探索範囲を設定する探索範囲設定部２５とを備える。

ステージ制御部１２は、この探索範囲設定部２５で設定した範囲に位置決めし、撮像部２１はこの範囲内を撮像する。欠陥位置照合部２４は、拡大した探索範囲で撮像した画像データについて、前記の処理と同様に、予め用意しておいた欠陥の画像データとを比較して照合し、画像データ中に欠陥位置の有無を判定する。

この欠陥位置照合部２４による照合により、欠陥位置が照合された場合には、その位置が欠陥位置と認定してリペア処理を施す。

以下、図２に示すフローチャート、図３、４の探索範囲を説明するための図を用いて説明する。

リペア装置１は、検査装置２から検査対象の基板を受け取ってステージ１１上に載置する。なお、ここでは、検査基板としてはＴＦＴアレイ基板の例を示している（Ｓ１）。また、リペア装置１は、検査装置２から欠陥部位の欠陥位置の座標データを取得する。なお、欠陥位置の座標データは単数に限らず複数取得することができ、また、座標データの他に、欠陥種のデータを検査装置２から取得することができる（Ｓ２）。

ステージ制御部１２は、検査装置２から取得した欠陥位置の座標データに基づいてステージ１１を駆動し、欠陥位置が撮像部２１の撮像範囲内となるように移動する。これによって、欠陥位置の座標データに基づく位置決めが行われる（Ｓ３）。ステージ１１を駆動した後、撮像部２１によって欠陥位置の座標データで位置決めされた欠陥位置の範囲を撮像し、画像データを取得する。このとき、検査装置２で求めた欠陥位置の座標データに含まれる誤差や、検査装置２の位置座標とリペア装置１の位置座標の座標系間に存在する位置ずれ量が、撮像範囲の大きさに対して許容範囲内である場合には、撮像部２１で撮像される画像内に欠陥部位が存在し、画像データ中に欠陥部位に画像データが含まれることになる（Ｓ４）。

欠陥位置照合部２４は、撮像部２１で撮像し画像処理部２２で画像処理された画像データと、予め用意しておいた欠陥部位における画像データ（欠陥画像データ）と照合し、欠陥の有無を判定する。なお、この画像データの照合は、通常知られる画像データのパターンマッチング処理によって行うことができる。なお、欠陥画像データは欠陥種等により複数用意することができ、記録手段（図示しない）に記憶しておき、順に読み出してデータ比較を行うことで、各種の欠陥について判定することができる（Ｓ５）。

Ｓ５の工程で撮像により得られた画像データ内に欠陥画像データが含まれていると判断された場合には、撮像範囲内に欠陥位置が存在すると判定することができる。図３において、符号４０は、欠陥位置の座標データで定まる位置（図中の丸印で示す）を表している。撮像部２１は、この位置４０を含む範囲を撮像範囲５０として撮像して画像データを取得する。

なお、ここでは、撮像範囲５０として、欠陥位置の座標データで定まる位置４０を中心とし所定の大きさの矩形（図３中の実線で示す）の内側としているが、撮像範囲は必ずしもこの範囲に限らず、他の形状によって定めもよい。また、撮像範囲５０の大きさも任意に定めることができる。例えば、ピクセルの形状と相似形とすることもできる。

また、撮像範囲５０のサイズを大きく設定した場合には、広い範囲で欠陥部位を探すことができるが、高い解像度が得られないため、パターンマッチングによる照合処理の精度が低下することになる。また、撮像範囲５０のサイズを小さく設定した場合には、パターンマッチングによる照合処理の精度は向上するが、撮像範囲が狭まるため欠陥部位の探索が難しくなる。したがって、撮像範囲５０のサイズや形状は、解像度と探索の回数との兼ね合いによって設定し、例えば、ＴＦＴアレイ基板の一画素３０を撮像する程度に設定する（Ｓ６）。

Ｓ６の工程において、撮像範囲５０内に欠陥位置が存在すると判定された場合には、リペア対象である欠陥部位の位置が特定されたことになるため、欠陥位置照合部２４は一致したことをリペア駆動部１４、操作部１５に伝えて、オペレータによるリペア操作を待つアイドリング状態とする（Ｓ１１）。

一方、Ｓ６の工程において、撮像範囲５０内に欠陥位置が存在しないと判定された場合には、この撮像範囲ではリペア対象である欠陥部位の位置を特定することができないため、探索範囲設定部２５により撮像を行う探索範囲を拡大する。

探索範囲設定部２５は、図３に示した欠陥位置の座標データで定まる位置を含む撮像範囲５０の外側に１次探索範囲６１（図中の破線で示す）を設定する（Ｓ７）。

この１次探索範囲６１が最大探索範囲の内側である場合には（Ｓ８）、１次探索範囲６１を複数に分割し、分割して得られた探索領域の位置データに基づいてステージの位置決めを行う。１次探索範囲６１を複数に分割して得られる探索領域は、図３では、撮像範囲５０の周囲に設けられた８個の領域（図中の破線で示す各領域）で示している。ステージは、この各探索領域内の位置データに基づいて位置決めされる。なお、１次探索範囲６１の分割数や探索領域の大きさは任意に定めることができる。また、各領域の撮像順も任意に定めることができる（Ｓ９）。

この探索領域について撮像を行って画像データを取得し（Ｓ１０）、取得した画像データに基づいてＳ５の工程を行い、この探索領域内において欠陥画像データを照合する。この画像データの照合による欠陥判定で、欠陥有りと判定された場合には（Ｓ６）、Ｓ１１の工程でアイドリング状態とする。一方、欠陥無しと判定された場合には（Ｓ６）、Ｓ７の工程において、探索範囲設定部２５は、図４に示した１次探索範囲６１（図中の一点鎖線で示す）の外側に２次探索範囲６２（図中の一点鎖線で示す）を設定する（Ｓ７）。

この２次探索範囲６２が最大探索範囲の内側か外側かを判定し（Ｓ８）、内側である場合には、２次探索範囲６２を複数に分割し、分割して得られた探索領域の位置データに基づいてステージの位置決めを行う。２次探索範囲６２を複数に分割して得られる探索領域は、図４では、１次探索範囲６１の周囲に設けられた１６個の領域（図中の一点鎖線で示す各領域Ａ〜Ｐ）で示している。ステージは、この各探索領域内の位置データに基づいて位置決めされる。なお、２次探索範囲６２の分割数や探索領域の大きさは任意に定めることができる。また、各領域の撮像順も任意に定めることができる（Ｓ９）。

この探索領域について撮像を行って画像データを取得し（Ｓ１０）、取得した画像データに基づいてＳ５の工程を行い、この探索領域内において欠陥画像データを照合する。

Ｓ８の工程において、探索範囲が最大探索範囲の外側である場合には（Ｓ８）、探索範囲の拡大を中止して、オペレータによるリペア操作を待つアイドリング状態とする（Ｓ１１）。

次に、欠陥位置照合および探索範囲設定について、図５のブロック図および図６，７のフローチャートを用いて説明する。なお、ここで示す欠陥位置照合および探索範囲設定の構成および動作は一例であって、これに限られるものではない。

図５において、欠陥位置照合部２４は、検査装置から入力する画像データを一次的に記憶しておく一次記憶手段２４ａと、画像データの照合を行うために予め求めたおいた欠陥画像データａ，ｂ，ｃ，…を記憶しておく記憶手段２４ｃと、入力した画像データと欠陥画像データとを比較する比較手段２４ｂとを備える。ここで、欠陥画像データａ，ｂ，ｃ，…は、欠陥位置（例えば、ゲート線、ソース線等）や、欠陥種（例えば、短絡欠陥、断線欠陥等）に応じて、ＴＦＴアレイ基板で想定されるものを用意し記憶しておく。

欠陥位置照合部２４は、Ｓ５の工程において、検査装置から画像データを入力し、一次記憶手段２４ａに記憶する（Ｓ５ａ）。記憶手段２４ｃから欠陥画像データを読み出し、一次記憶手段２４ａに記憶する画像データと比較する（Ｓ５ｂ）。両画像データが一致した場合には（Ｓ５ｃ）には、画像データ中に欠陥があると判定してリペア駆動部１４および操作部１５に通知し、一方、両画像データが一致しない場合には（Ｓ５ｃ）には、記憶手段２４ｃの記憶する全欠陥画像データについて完了するまで別の欠陥画像データを読み出し、Ｓ５ｂに戻って画像データの比較を行う。比較手段２４ｂによって、画像データ中に欠陥位置が見つからない場合には、その比較結果を探索範囲設定部２５に通知して、欠陥位置を探す範囲を拡大する（Ｓ５ｄ）。

図５において、探索範囲設定部２５は、検査装置２から欠陥位置の座標データを入力して、ステージ位置を制御するステージ位置データを算出するステージ位置算出手段２５ａを備える。このステージ位置算出手段２５ａは、欠陥位置照合部２４の比較手段２４ｂの比較結果を受け、ステージ位置データの算出処理を行う。

探索範囲設定部２５は、Ｓ８の工程において、検査装置２から欠陥位置の座標データを取得し（Ｓ８ａ）、１次探索範囲に含まれる全探索領域について終了するまで（Ｓ８ｂ）、１次探索範囲内の撮像領域について、その撮像領域内の位置座標を算出する（Ｓ８ｃ）。

Ｓ８ｂの工程において、１次探索範囲に含まれる全探索領域を終了している場合には、２次探索範囲に含まれる全探索領域について終了するまで（Ｓ８ｄ）、２次探索範囲内の撮像領域について、その撮像領域内の位置座標を算出する（Ｓ８ｅ）。

Ｓ８ｃとＳ８ｅの工程の後は、Ｓ９の工程において算出した位置座標データに基づいてステージを駆動する。

ここでは、２次探索範囲を最大探索範囲としているため、Ｓ８ｄの工程で２次探索範囲に含まれる全探索領域での位置座標の算出が終了した場合には、オペレータによるリペア操作を待つアイドリング状態とする（Ｓ１１）。

なお、上記説明では、拡大する探索範囲を２次探索範囲までとしているが、探索範囲の大きさは任意に定めることができる。

本発明のリペア装置によれば、例えば、１人のオペレータによって複数台のリペア装置を操作することが容易となる。例えば、一台のリペア装置を操作中に、他のリペア装置で欠陥位置を自動で探索し、リペア操作が終了した後、欠陥位置を自動探索したリペア装置についてリペア操作を実行する。リペア操作が終了したリペア装置については、次の欠陥位置を自動探索する。この操作を繰り返すことによって、１人で複数のリペア装置を容易に操作することができる。

これにより、ＴＦＴアレイ基板も生産性が向上し、液晶ディスプレイ装置の生産性を向上させ、コストを低減させることができる。

本発明の液晶ディスプレイ装置に限らず、有機ＥＬディスプレイ装置等に用いるＴＦＴアレイ基板に適用することができる。

本発明のリペア装置の構成例を説明するために概略ブロック図である。本発明の探索範囲を説明するためのフローチャートである。本発明の探索範囲を説明するための図である。本発明の探索範囲を説明するための図である。本発明の欠陥位置照合および探索範囲設定を説明するためのブロック図である。本発明の欠陥位置照合を説明するためのフローチャートである。本発明の探索範囲設定を説明するためのフローチャートである。検査装置およびリペア装置における欠陥位置座標を説明するための概略図である。欠陥位置の座標データと欠陥部位との関係を説明するための図である。

符号の説明

１…リペア装置、２…検査装置、３…ＴＦＴアレイ基板、１１…ステージ、１２…ステージ制御部、１３…リペア部、１４…リペア駆動部、１５…操作部、２１…撮像部、２２…画像処理部、２３…表示部、２４…欠陥位置照合部、２４ａ…一次記憶手段、２４ｂ…表比較手段、２４ｃ…記憶手段、２５…探索範囲設定部、２５ａ…ステージ位置算出手段、３０…画素、３１…欠陥画素、４０…欠陥位置データ、４１…欠陥部位、５０…撮像範囲、６０…探索範囲、６１…１次探索範囲、６２…２次探索範囲、１００…リペア装置、１１０…ステージ、１２０…表示装置、２００…検査装置、３００…ＴＦＴアレイ基板、Ａ…撮像範囲、Ｐ…欠陥位置、Ｑ…欠陥部位。

Claims

ＴＦＴアレイ基板の欠陥を修正するリペア装置において、
ＴＦＴアレイ基板を支持し少なくとも２次元方向（ＸＹ方向）に駆動するステージと、
前記ステージの駆動を制御し、ステージ上に載置したＴＦＴアレイ基板を位置決めするステージ制御部と、
前記ＴＦＴアレイ基板の前記位置決めされた位置を含む撮像範囲を撮像する撮像部と、
前記撮像部が撮像した撮像範囲の画像データと、予め用意したＴＦＴアレイ基板の欠陥画像データとを比較し、前記撮像範囲内に欠陥位置が存在するかを照合する欠陥位置照合部と、
前記撮像範囲の外周に探索範囲を設定する探索範囲設定部とを備え、
前記探索範囲設定部は、前記欠陥位置照合部の照合結果により撮像範囲内に欠陥位置が存在しない場合に当該撮像範囲の周囲に探索範囲を設定し、
前記ステージ制御部は、探索範囲設定部で設定した探索範囲にステージを駆動することにより、ステージ上に載置したＴＦＴアレイ基板の欠陥位置に位置決めすることを特徴とするリペア装置。
前記ステージ制御部は、
ステージ上へのＴＦＴアレイ基板の載置時には、外部検査装置で取得した欠陥位置データに基づいてステージを駆動し、
前記欠陥位置照合部の照合後には、前記探索範囲設定部で設定した探索範囲内に定める位置データに基づいてステージを駆動することを特徴とする、請求項１に記載のリペア装置。
前記探索範囲設定部は、前記撮像範囲の外周に複数の環状の探索範囲を設定し、内側の探索範囲から順に外側の探索範囲に探索範囲を選択することを特徴とする、請求項１又は２に記載のリペア装置。
前記探索範囲設定部は、前記環状の探索範囲を複数の探索領域に分割し、
前記ステージ制御部は、当該探索領域にステージ駆動して順に位置決めし、
前記撮像部は、各探索領域を撮像することを特徴とする、請求項３に記載のリペア装置。
ＴＦＴアレイ基板の欠陥を修正するリペア部を備え、
前記リペア部は、レーザービームを照射するレーザービーム源を有し、
前記撮像部の撮像範囲は、ステージのＴＦＴアレイ基板の載置面高さにおいて当該レーザービームの照射位置を含むことを特徴とする、請求項１から請求項４の何れか一つに記載のリペア装置。