JP2012063725A - 欠陥修正装置及び欠陥修正方法 - Google Patents

Abstract

【課題】多層構造の上下間での層間ショート欠陥に対する欠陥修正工程の作業効率を著しく向上させつつ、欠陥修正の品質を向上させる。
【解決手段】欠陥修正装置が備える欠陥検出部により多層基板における繰り返しパターン内の欠陥を検出し、欠陥検出部で検出された欠陥が層間ショート欠陥の発生が想定される領域に重なる場合、欠陥修正装置が備える制御部３０１により層間ショート欠陥用の欠陥修正手法に対応するオブジェクトを生成する。そして、生成したオブジェクトを利用して欠陥の修正を実行する欠陥修正部を制御する。
【選択図】図６

Description

本願開示は、本発明は、ディスプレイ装置の製造工程で行われる欠陥修正の技術に関する。特にフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ；Flat Panel Display）のＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板等の基板上に形成されたデバイスパターンや配線パターンにおける欠陥を修正するのに好適な欠陥修正装置および欠陥修正方法に関する。

現在、ディスプレイ装置として、有機ＥＬ(Electro Luminescence)ディスプレイや液晶ディスプレイなどの所謂フラットパネルディスプレイが普及している。これらのディスプレイ装置は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）やキャパシタなどの素子、及びこれらの素子に電気的に連結された複数の配線（例えば信号配線や電位供給配線）などの様々な導電部材を含む配線基板によって構成される。

このディスプレイ装置を構成する配線基板の量産においては、例えば異物の存在によって、本来互いに離れて設けられる配線や素子が電気的に連結された短絡や、本来連続的に設けられる配線や素子が内部で互いに分離された断線などの、所謂欠陥が生じることがある。量産時の欠陥の発生は、ディスプレイ装置が大型化するにつれ、その駆動用の配線基板となるＴＦＴ基板に生じる欠陥箇所が増加して歩留まりの低下を招くため、欠陥箇所を修正（リペア）する欠陥修正工程が必須となっている。

このような短絡や断線などの欠陥に対する修正手法としては、例えばレーザ光照射による短絡箇所の切断を行う手法（レーザリペア）の他、レーザＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法による断線箇所の結線などが挙げられる。

例えば、本出願人より、基板上の単位画素（配線部）を複数の領域に区分し、領域ごとに適切な修正手法を選択して欠陥を修正する欠陥修正方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００８−１５９９３０号公報

ところで、特許文献１に記載のように、単純に欠陥画像（被検査画像）と基準パターン画像（参照画像）との差画像を欠陥範囲として修正を行った場合、その欠陥の位置や種類、基板の欠陥が存在する箇所の状態等を把握していないと修正に失敗する可能性がある。なぜなら欠陥修正手法の選定や欠陥に照射するレーザ光のパルス周期、レーザパワー、レーザ光のスポット形状や発振時間等の各パラメータの選定を作業員のスキルや経験に頼っており、それによってその選定結果が異なってくるからである。

ディスプレイ用のＴＦＴ基板などの場合には、各画素に対応する配線部内に、信号配線や走査配線のみならず複数の電位供給配線やその他の電気素子が存在するため、画素内の配線密度の増大化や画素構造の複雑化が著しい。
例えば、同一の配線に接して生じている欠陥や、配線部内で略同位置に生じている欠陥等の修正においても、周囲に位置している部材の種類や有無に応じてそれぞれ異なる欠陥修正手法を選定することが必要となる。また、例えば、レーザ光照射による短絡箇所の切断を検討する場合、熱拡散によって周囲の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等に変質が生じることを回避する必要がある。
特に、ＴＦＴ基板の単位画素（配線部）のキャパシタにおけるような上下間での層間ショート欠陥は、配線部内でのキャパシタが有する面積が大きいことに加え、欠陥自体のサイズも小さいため発生率が高い。しかし、このような有効な修正を行う欠陥修正手法が一般的に確立されていない。そのため、レーザ光照射条件（レーザ加工パラメータ）の設定に手間と時間がかかり作業効率が低下する。

パネル製造ラインの欠陥修正工程では、熟練のオペレータがその場で欠陥を確認して欠陥修正手法を決定し、レーザリペア等の欠陥修正作業を行うため、タクトタイムがかかりすぎたりする。それゆえ、欠陥修正工程の作業速度がライン全体の量産速度に追いついていないという問題が生じる。そこで多くのパネル製造工場では、複数台の欠陥修正装置（リペア機）を購入し、各欠陥修正装置を担当するオペレータを増員することで、この問題を回避している。

しかしながら、このような回避方法を採用した場合、欠陥修正装置や作業者数の著しい増加により、装置コストや作業者の工数費が膨らみ、利益が著しく低下するという深刻な問題が発生する。

本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、多層構造の上下間での層間ショート欠陥に対する欠陥修正工程の作業効率を著しく向上させつつ、欠陥修正の品質を向上させることを目的とする。

本願開示は、該欠陥修正装置が備える欠陥検出部により多層基板における繰り返しパターン内の欠陥を検出する。次に、欠陥検出部で検出された欠陥が層間ショート欠陥の発生が想定される領域に重なる場合、欠陥修正装置が備える制御部により層間ショート欠陥用の欠陥修正手法に対応するオブジェクトを生成する。そして、生成したオブジェクトを利用して欠陥の修正を実行する欠陥修正部を制御する。
さらに生成したオブジェクトについて欠陥修正手法の実行の可否を判定し、生成したオブジェクトに基づく欠陥修正手法が不適切な場合、欠陥修正を行わないことが好ましい。

本願開示によれば、従来、欠陥修正手法の設定が困難で欠陥修正の自動化が不可能であった層間ショート欠陥の修正の自動化が可能となる。

本願開示によれば、層間ショート欠陥に対する欠陥修正工程の作業効率を著しく向上させつつ、欠陥修正の品質を向上させることができる。

検査対象とする基板の構成例を示す図である。 図１に示した基板内の繰り返しパターン区域を示す図である。 フラットパネルディスプレイの配線基板の製造工程を示すフローチャートである。 図３の欠陥検査工程から欠陥修正工程までの具体的な流れを示した図である。 本発明の一実施の形態に係る欠陥修正装置の構成例を示す図である。 図５に示した制御部の内部構成を示す図である。 本発明の一実施の形態に係る欠陥修正工程を示すフローチャートである。 繰り返しパターン（配線部）の例を示す図である。 欠陥画像とテンプレートの例を示す図である。 図８に示した配線パターンのレイヤ構造（層構造）を示す透視図である。 リーク欠陥（層間ショート欠陥）の一例を示す断面図である。 従来のZappingによる同層ショート欠陥に対する欠陥修正の説明図である。 テンプレートを用いて同層ショート欠陥を修正する場合についての説明図である。 層間ショート欠陥の修正手法を示す図であり、Ａは上層Zapping、Ｂは全層Zappingによる場合である。 レーザ照射領域の選択を説明するための図であり、Ａは囲みZappingについて、Ｂは静止Zappingについて示している。 繰り返しパターンの画像についてレイヤが存在しない領域をラベル化した例を示す図である。 囲みZapping形式のリペアオブジェクトの設定イメージと、オブジェクトの配置の可否を確認するためのパラメータの説明に供する図である。 囲みZappingを利用したリペアオブジェクトの影響による配線の分断の例を示す図である。 囲みZapping形式のリペアオブジェクトの最外周矩形のプロット線により配線の分断を判定する例を示す図である。 囲みZapping形式のリペアオブジェクトがリーク判定を行うノード領域からはみ出している例を示す図である。 囲みZapping形式のリペアオブジェクトの最外周矩形のプロット線がレーザ照射禁止領域に干渉する例を示す図である。 囲みZapping形式のリペアオブジェクトの最外周矩形のプロット線がノード領域以外の領域に干渉する例を示す図である。 囲みZapping形式のリペアオブジェクトによる欠陥修正の実行に伴い減少するノード領域の面積の定義を説明するための図である。 断線と判断することが適切でない欠陥を断線と判断する断線と判定する例を示す図である。 囲みZapping形式の断線ではない場合に断線と判定する例を示す図である。 囲みZapping形式のリペアオブジェクトの一部を最適化したオブジェクトの例を示す図である。 囲みZapping形式のリペアオブジェクトの一部を更に最適化したオブジェクトの例を示す図である。 囲みZapping形式のリペアオブジェクトを最適化する手法を説明するための図（１）である。 囲みZapping形式のリペアオブジェクトを最適化する手法を説明するための図（２）である。 囲みZapping形式のリペアオブジェクトを最適化する手法を説明するための図（３）である。 リーク欠陥とノード領域が重なっている部分を含む外周を有するオブジェクトを使用する例を示す図である。 静止Zapping形式のリペアオブジェクトと該リペアオブジェクトを生成するためのパラメータの説明に供する図である。 静止Zapping形式のリペアオブジェクトの最外周矩形のプロット線がレーザ照射禁止領域に干渉する例を示す図である。 静止Zapping形式のリペアオブジェクトがリーク判定を行うノード領域からはみ出している例を示す図である。 静止Zapping形式のリペアオブジェクトの最外周矩形のプロット線がノード領域以外の領域に干渉する例を示す図である。 静止Zapping形式のリペアオブジェクトの最外周矩形のプロット線により配線の分断を判定する例を示す図である。 静止Zapping形式のリペアオブジェクトによる欠陥修正の実行に伴い減少するノード領域の面積の定義を説明するための図である。 電気的な導通検査でリーク欠陥と判定される例を示す図である。 図３８のリーク欠陥に従来のテンプレートを適用した例を示す図である。 本発明の一実施の形態に係るリーク欠陥の欠陥修正手法（リペアオブジェクト）を取得する手順一例を示すフローチャート（１）である。 本発明の一実施の形態に係るリーク欠陥の欠陥修正手法（リペアオブジェクト）を取得する手順の一例を示すフローチャート（２）である。

以下、本発明を実施するための形態の例について、添付図面を参照しながら説明する。説明は下記の順序で行う。なお、各図において共通の部分には、同一の符号を付して重複する説明を割愛もしくは簡略化する。
１．一実施の形態（リーク欠陥のリペアオブジェクトを自動生成した例）

以下に述べる実施の形態の例は、本発明の好適な具体例である。そのため、技術的に好ましい種々の限定が付されている。しかしながら、本発明の技術範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。例えば、以下の説明で挙げる処理順序および各パラメータの数値的条件等は好適例に過ぎず、また説明に用いた各図における寸法、形状および配置関係も概略的なものである。

＜１．一実施の形態＞
［概要］
本実施の形態では、目的とする配線基板がディスプレイ装置を構成する場合について、つまりＴＦＴ基板等からなる配線基板を構成する多数の配線部をディスプレイ装置の画素に対応して２次元マトリクス状に多数形成する場合について、説明を行う。

図１は、本発明において修正対象とするフラットパネルディスプレイの製造過程における基板の例を示すものである。図２は、図１に示した基板内の繰り返しパターン区域を示す図である。
この例では、共通の基板３に４台分のフラットパネルディスプレイの配線基板１が形成されている。配線基板１は、後述する繰り返しパターンを有するエリア（繰り返しパターン区域６、図２参照）、配線５を介して繰り返しパターンから外部へ接続する周辺回路４のエリア（周辺回路区域）、繰り返しパターン区域６と周辺回路区域の境となる最外周のエリア（最外周区域）に分けられる。繰り返しパターン区域６と最外周区域は、配線部２をフラットパネルディスプレイの画素に対応して２次元マトリクス状に形成したものである。繰り返しパターン区域６は、図２に示すように、配線部２が繰り返し形成された領域のうちの最外周区域を除いた部分である。

図３は、フラットパネルディスプレイの配線基板の製造工程、すなわち配線パターン形成工程から、欠陥検査工程を経て、欠陥修正工程までの流れを示している。
本実施の形態においては、まず、基板３上に、走査配線と、層間絶縁膜と、信号配線及び電位供給配線とを、目的とする配線部２の主要構成として積層形成することによって、配線部形成工程を実施する（ステップＳ１，Ｓ２，Ｓ３）。また、周辺回路４及び配線５を形成して、周辺回路４と最外周区域の配線部２を接続する。この周辺回路４と配線５の形成工程は、上記ステップＳ１〜Ｓ３における走査配線、層間絶縁膜、信号配線及び電位供給線を形成する工程の前後いずれでもよい。

続いて、配線部形成工程を経て流れてくる基板３に対し、多数の配線部２を光学的に観察して欠陥配線部２ａを検出する光学式検査工程を実施する（ステップＳ４）。欠陥配線部２ａを検出すると、基板３における当該欠陥配線部２ａの位置情報が欠陥修正装置のコンピュータ（制御部）に送られる。この光学式検査工程においては、図１に示した欠陥配線部２ａを含む画像（欠陥画像）から、欠陥配線部２ａの存在のみならず、欠陥（パターン欠陥、異物など）及びその位置をはじめとする所謂パターン欠陥分類情報を特定する。その他、欠陥のサイズや種類（材料や状態など）等の特徴をも特定する。

また、光学式検査工程では発見できない、表面以外に生じた欠陥を電気式検査工程により検出する（ステップＳ５）。

そして、欠陥修正工程では、当該欠陥位置情報を読み込むことにより、欠陥修正装置のステージが制御されて欠陥位置に移動し、観察系で欠陥を確認し、レーザ光照射等により欠陥を修正する（ステップＳ６）。基板３の配線基板１に発生した欠陥は、それぞれのエリアで適切な修正方法は異なってくる。この工程が終了すると、ＴＦＴ工程（配線基板の製造工程）が完了する。

過去の修正データを呼び出せるように構成することで修正工程を大幅に効率化している。さらに、欠陥の位置や大きさ、種類に見合った適切な修正データが選択されることで自動化が難しかった欠陥に対する修正工程の自動化を可能としている。

図４は、図３に示した欠陥検査工程から欠陥修正工程までの具体的な流れをブロック図に示したものである。
配線部形成工程を経た基板３を、光学式検査機１１に移動し（第１工程）、光学式検査を実施して欠陥の特定を行い、検査結果２１を欠陥情報管理システム１２に出力する（第２工程）。また、基板３を電気式検査機１３に移動し（第３工程）、電気式検査を実施して欠陥の特定を行い、検査結果２２を欠陥情報管理システム１２に出力する（第４工程）。欠陥情報管理システム１２は、いずれかもしくは両方の欠陥情報を関連付けた欠陥情報を生成し（第５工程）、欠陥情報ファイル２４としてメモリに記録する。一方、電気式検査機１３からリペア機１４へ基板３が移動する（第６工程）とともに、リペア機１４は欠陥情報ファイル２４を欠陥情報管理システム１２から受け取る。

リペア機１４は、欠陥情報ファイル２４の内容に基づいて自動的に適切なリペア手法（欠陥修正手法：テンプレート（リペアオブジェクト））を選択してリペアを行い、リペア結果２５（データファイル、リペア後の画像等）を再度欠陥情報管理システム１２へ出力する（第７工程）。このとき、基板３とともに受け取る欠陥情報ファイル２４には、基板の層構造の情報も含まれる。

その後必要であれば、基板３を電気式検査機１３へ移動し（第８工程）、電気式検査でリペア後の欠陥の状態を再チェックし、必要であれば再度欠陥情報を欠陥情報管理システム１２へ出力する（第９工程）。そして、欠陥情報を欠陥情報管理システム１２経由でリペア機１４に送るとともに、基板３をリペア機１４に移動させ（第１０工程）、再度リペアを行うことも可能である。

［欠陥修正装置の構成例］
図５に、配線基板に対して欠陥修正工程を実行する欠陥修正装置（リペア機１４に相当）の一例の構成図を示す。
本実施の形態に係る欠陥修正装置３００は、レーザ光照射により短絡箇所を切断する所謂レーザリペア装置の例であるが、レーザＣＶＤ法などの配線の結線処理を行える装置（例えば、特開２００８−１５９９３０号公報の図５を参照）に適用することも可能である。この欠陥修正装置３００は、対物レンズ３０８と基板３との間にレーザＣＶＤ法を実施できる加工装置を備えており、それについては同公開公報の図５，図６とその説明文に詳細な構成が記載されている。

欠陥修正装置３００は大きく分けて、制御部３０１、欠陥修正部３０２および欠陥検出部３０３から構成されている。

制御部３０１は、欠陥情報管理システム１２と通信インタフェース（図示略）等を介して接続するとともに、ディスプレイ３２７およびキーボード等の入力装置３２８と接続している。制御部３０１は、予め欠陥検査装置４００によって行われた欠陥検査の結果（欠陥情報）を、欠陥情報管理システム１２を介して取得し、該欠陥情報に基づいて最適なテンプレートを選択する。そして、欠陥の修正を実施する欠陥修正部３０２および欠陥の詳細な観察を実施する欠陥検出部３０３を制御する。この制御部３０１には、ＭＰＵ（Micro Processing Unit）やパーソナルコンピュータ等のコンピュータ（演算処理装置）が適用できる。

制御部３０１では、欠陥修正部３０２のステージ制御部３０７にコマンドを送り、基板３が搭載されたＸＹステージ３０５を動かし、欠陥箇所が存在する画素が対物レンズ３０８の真下になるように調整する。次にフォーカスステージ３１０を動かして対物レンズ３０８と基板３の間隔を調整し、欠陥検出部３０３の撮像装置３１７で光学レンズ３１４ｇを透過した光の合焦点画像が撮像できるようにする。なお、ここではハーフミラー３１５ａ，３１５ｂ、光学レンズ３１４ａ、及びランプ３０９による落射照明により、適切な明るさを持つ画像が得られるようにしている。撮像された欠陥箇所が含まれる画像（欠陥画像）は、欠陥画像メモリ３１８に一旦保存される。ここでいう画素は、図１に示した欠陥配線部２ａに相当する。

次に、制御部３０１は、ステージ制御部３０７にコマンドを送ってＸＹステージ３０５を動かし、欠陥箇所の画素と全く同じ画素パターンとなる位置まで移動した位置が対物レンズ３０８の真下になるようにする。そして、欠陥のない画像（参照画像）を撮像し、参照画像メモリ３１９に保存する。ここでいう画素は、図１に示した配線部２に相当する。

欠陥抽出部３２０は、欠陥画像メモリ３１８に保存された欠陥画像と、参照画像メモリ３１９に保存された参照画像とを位置合わせした後に差画像（欠陥領域画像）を生成することで、欠陥部位の画像を抽出する。そして、抽出した欠陥部位の画像を詳細位置情報抽出部３２１及び特徴抽出部３２２に出力する。なお、差画像（欠陥領域画像）は制御部３０１にも出力する。

詳細位置情報抽出部３２１は、抽出された欠陥の基板３上における正確な位置をＸＹステージ３０５の現在位置及び欠陥画像から算出し、その情報を修正方法生成部３２６に送る。

特徴抽出部３２２は、欠陥抽出部３２０で抽出された欠陥の形態及び種類等を特定するための情報である欠陥の色、大きさ、コントラスト、形状等の各種特徴情報を数値化して制御部３０１へ出力する。

そして制御部３０１は、詳細位置情報抽出部３２１及び特徴抽出部３２２から取得した詳細位置情報および特徴情報に基づいて、詳細を後述する欠陥修正情報（リペアレシピ情報）を修正手法データベース３２５から読み出す。この欠陥修正情報によって、欠陥修正部３０２の修正機構部３０４における各ユニットの動作が規定される。
具体的には、例えば詳細位置情報抽出部３２１からの詳細位置情報に基づいて、欠陥箇所が配線基板のどの位置および状態で存在し、かつ、どのようなレイヤ情報を含むかを判定し、欠陥位置に適した欠陥修正処理が実施されるような制御を実行する。

レイヤ情報は、多層基板を構成するレイヤ個別の情報である。レイヤ情報には、例えばレイヤの重なっている順番を示すレイヤＩＤ、レイヤ名、レイヤ内のラベルの数などの情報が含まれる。また、該当レイヤを構成する個別の領域（ラベル）の情報を示すものとしてラベル情報がある。ラベル情報には、該当レイヤ内のラベルを識別するためのラベルＩＤ、該当ラベルが含まれるレイヤを示すレイヤＩＤ、が含まれる。

さらに、制御部３０１は、詳細は後述するように、生成した欠陥修正情報に基づく修正手法（テンプレート（リペアオブジェクト））を、欠陥画像と重ね合わせてディスプレイ３２７に表示する。なお、制御部３０１は、状況に応じて位置や特徴等の欠陥情報に基づき、後述する欠陥修正情報のリペアオブジェクトの一部を補正（最適化）する機能を持つ。また、一つの欠陥修正情報には複数の修正手法が含まれることもある。

作業員はディスプレイ２２７に表示された修正手法を見て問題があると判断すれば、例えばキーボートやマウス等の入力装置３２８（入力部）を操作して別の修正手法を選択することもできるし、修正手法（欠陥修正情報）の一部又は全部を変更することもできる。更に修正手法データベース３２５から複数の欠陥修正手法が読み出された場合、その複数の欠陥修正手法をディスプレイ３２７に表示して作業員に選択を促す。そして、作業員が入力装置３２８を操作することにより選択された欠陥修正手法に従い、欠陥修正を行う。

制御部３０１は、入力装置３２８から入力された操作信号を受信すると、欠陥修正手法の選択や変更の履歴を、修正手法データベース３２５に記録する。修正手法データベース３２５に蓄積された修正手法は、次回以降の欠陥修正に利用される。

欠陥修正手法が決定されると、制御部３０１はその欠陥修正手法に従って、修正機構制御部３１６にコマンドを送り、修正機構部３０４内の各ユニットを動作させ、欠陥の修正を行う。修正機構部３０４は、レーザ光源３１３から照射されたレーザビームを光学レンズ３１４ｂ，３１４ｃにて補正した後に、可変スリット３１２を通過させることにより、照射サイズ、角度を変更できるようにしてある。

可変スリット３１２は、例えば、ＸＹ−θスリットと呼ばれるもので、長方形のＸ、Ｙ方向の開口長と、回転角θが変更できるスリットであり、修正機構制御部３１６からの駆動信号により駆動できるものとする。

可変スリット３１２によって照射形状を整形されたレーザビームは、光学レンズ３１４ｄを通り、ガルバノミラー３１１ａ，３１１ｂで反射される。ガルバノミラー３１１ａ，３１１ｂは、２次元に角度可変なミラーであり、修正機構制御部３１６の制御に従って駆動することで、ＸＹステージ３０５を動かさずに、対物レンズ３０８の視野範囲内でレーザビームの光軸、すなわち照射位置を調整することができる。

このような可変スリット３１２、ガルバノミラー３１１ａ，３１１ｂを備える欠陥修正装置３００は、欠陥に対し十分な位置精度を持ってレーザビーム等を照射できるため、精度よくパターン欠陥の修正が可能となる。

そして、ガルバノミラー３１１ａ，３１１ｂで反射されたレーザビームは、各種光学レンズ３１４ｅ，３１４ｆを透過し、ハーフミラー３１５ａで反射した後に、対物レンズ３０８を介して、基板３に照射され、欠陥修正が行われる。

上記欠陥検査装置４００は、欠陥を探索する方法として光学式検査機を使えるため、導通状態が正常であるパターン欠陥に対しての修正が可能となる。

制御部３０１についてさらに詳細に説明する。
図６は、制御部３０１の内部構成を示したブロック図である。制御部３０１は、入出力部３５１、画像処理部３５２、欠陥判定部３５３、リペアオブジェクト生成部３５４、囲みZapping最適化部３５５、リペアオブジェクト判定部３５６、コメント生成部３５７、テンプレート選定部３５８、リペア除去面積演算部３５９、及びメモリ３６０を備えている。

入出力部３５１は、外部と情報の入力および出力を行うものである。画像処理部３５２は、配線パターン画像にリペアオブジェクトを合成する等の画像合成や二値化などの画像処理を行うものである。欠陥判定部３５３は、欠陥画像と参照画像（良品画像）から欠陥の種類や位置、領域、大きさ等を簡易に判定するものである。リペアオブジェクト生成部３５４は、囲みZapping形式又は静止Zapping形式のリペアオブジェクトを生成するものである。囲みZapping最適化部３５５は、欠陥領域の位置や大きさ等に応じて囲みZapping形式のリペアオブジェクトを最適化するものである。

さらに、リペアオブジェクト判定部３５６は、自動生成されたリペアオブジェクトが繰り返しパターンの回路に与える影響、例えば不正な領域に重ならないか、断線を起こしていないか等を判定するものである。コメント生成部３５７は、ディスプレイ２２７に表示するコメントの内容を生成するものである。テンプレート選定部３５８は、欠陥判定部３５３によりリーク欠陥が発生するノード領域に欠陥領域が重ならないと判定された場合に、最適なテンプレートを選定するものである。リペア除去面積演算部３５９は、修正に使用されるリペアオブジェクトの候補のうち、自動生成したリペアオブジェクトすべての除去面積を演算するものである。メモリ３６０は内部メモリであり、例えば半導体メモリ等の不揮発性の記憶手段が適用される。各処理部の詳細な機能・動作については後述する。

［欠陥修正工程］
欠陥修正装置３００による欠陥修正工程について、上述した構成からなる欠陥修正システムの一連の動作を説明する。図７は、欠陥修正処理のメインルーチンを示すフローチャートである。

ステップＳ１１：パラメータのセット
欠陥修正装置３００の初期化設定を行う。すなわち、欠陥修正装置３００に修正を行うための基本情報を設定する。
パラメータは、具体的には、修正対象となる基板３内における配線部２の数と配置、パターンの数、配置、アライメントマーク位置等の上記基板３に関わる基礎情報（デバイス情報）である。また、自動で修正を行う対象となる欠陥の大きさや条件、基板３内において修正を行う数や優先する欠陥の特徴等の修正条件の設定情報、配線パターンの形状と適用される修正手法のデータベース（データベースが複数の場合に適用）等である。当該欠陥修正装置３００において固有に設定するこれらのパラメータをセットする。

ステップＳ１２：基板３の搬入と入力情報のセット
外部から基板３を欠陥修正装置３００に搬入し、その基板３の前プロセスの欠陥情報を入力する。搬入された基板３の情報、欠陥情報を欠陥修正装置３００内にセットされているパラメータと照合し、修正対象となる基板３の基本情報を確定し、修正条件の初期設定（修正処理数のクリア等）を行う。

欠陥情報は、欠陥検査装置４００において光学式検査で検出された欠陥の数と座標、もしくは電気式検査で検出された欠陥のピクセル情報（線欠陥、もしくは点欠陥であるかも含む）のいずれかである。あるいは、電気式検査で検出された欠陥と光学式検査で検出された欠陥を関連付けたものである。

ステップＳ１３：欠陥情報のセット
上記基板３毎の欠陥情報の一覧より、リストの上位から順に修正を行うか、特定の欠陥をソート（例えば、線欠陥を優先する等）してまとめて修正を行うか、もしくは欠陥修正装置３００のオペレータが任意の欠陥を選択するかのいずれかの方法で、欠陥情報を一つ入力する。

ステップＳ１４：欠陥情報のチェック
入力された基板３の欠陥情報のリストから自動で修正を行うことができるかを確認する。すなわち、入力される欠陥情報だけでは自動で修正処理が不可能なときがあり、これの確認を行う。
例えば、滅点化処理を規定の数以上行っていないか、修正処理を規定の数以上行っていないか、既に修正処理を行っている欠陥であるか等、現在の基板３の修正条件にそぐわない場合に自動で修正できない可能性がある。また、入力された欠陥の座標が不確定である、パターンの外部等で修正は行わないと明確に定義してある場所である等の場合において、自動で修正できない可能性がある。このような条件の詳細は、例えば本出願人が先に出願した特開２００８−１５５２６３号公報の図４等に記載されている。

ステップＳ１５：欠陥位置情報の取得
入力された欠陥情報が修正を行う欠陥であると判断されたら、欠陥の詳細な座標情報を取得する。具体的には、光学式検査結果の欠陥座標、若しくは電気式検査結果のピクセルの番号等から欠陥が実際に存在する箇所を算出する。なお、このステップＳ１５について、図７には「サブピクセル座標取得」と記載している。

ステップＳ１６：欠陥画像の撮影
欠陥の詳細な位置が算出されたら、ＸＹステージ３０５を移動して、欠陥画像を撮影し、繰り返しパターン内の詳細な欠陥情報を取得する。詳細は、本出願人が先に出願した特開２００７−１６３８９２号公報や特開２００８−１５９９３０号公報を参照されたい。なお、このステップＳ１６について、図７には「レビュー情報取得」と記載している。

ステップＳ１７：欠陥修正手法の取得
欠陥画像から取得した欠陥の詳細情報と欠陥修正手法とを照らし合わせて、最適な欠陥修正手法を修正手法データベース３２５から索出し、欠陥の位置情報に合わせて出力する。詳細については、例えば本出願人が先に出願した特開２００８−１５９９３０号公報、特開２００９−２５１２００号公報及び特開２０１０−１０２０５０号公報等を参照されたい。

ステップＳ１８：欠陥修正手法の最適化
修正対象の欠陥に適用する欠陥修正手法（リペアオブジェクト）の適用範囲や加工サイズ等の調整、修正実行順の並び替え等の調整を行う。調整結果は、メモリ３６０または修正手法データベース３２５等に記憶する。欠陥修正手法の最適化の内容については後述する。

ステップＳ１９：修正実行処理
欠陥修正手法を実際の欠陥の位置に合わせて設定し、必要に応じて位置補正を行った後、修正を実行する。その際の修正の実行結果は、メモリ３６０または修正手法データベース３２５等に別途保存しておく。その際、特開２００７−２８１３７６号公報に記載された欠陥修正の技術を使用することもできる。

ステップＳ２０：修正判定処理
修正の実行が終了したら、欠陥画像を撮影した場所と同じ座標と倍率によって、修正後の基板を撮影し、画像を比較することにより、適切な修正が完了したかどうかの簡易判定を行う。

ステップＳ２１：修正結果更新処理
修正の結果を更新する。更新内容は修正が適切に行われたかの判定、修正詳細内容、修正処理数、滅点化の修正処理数等である。修正結果の更新後、欠陥情報の一覧を再度確認し、未処理の欠陥の有無や修正の終了の判定を行い、次に別の欠陥情報を入力することによる修正処理を続行するか、若しくは修正を終了して基板３の搬出を行うかを決定する。このステップＳ２１において、未処理の欠陥があると判定されたときには、ステップＳ１２に戻る。

ステップＳ２２：基板搬出、修正情報セット
入力された基板３に対してすべての欠陥が修正された、もしくは修正の終了条件を満たしたら、基板３を搬出して欠陥情報管理システム１２に欠陥の修正情報を出力する。修正の終了条件とは、規定の数値以上の修正を実行した、規定の数値以上の滅点化修正を行った、あるいは特定の欠陥に対する修正が終了した等である。

ステップＳ２３：パラメータ更新
上述した各処理内で新規に欠陥修正手法が登録された、もしくは修正を行う欠陥の条件やレーザ光のパワー等の修正方法を変更する等の必要があれば、セットしてある欠陥修正装置３００の修正手法データベース３２５のパラメータ情報を更新して、次の基板３をセットする。

ここで、配線基板１の繰り返しパターン区域６に形成する配線部２（単位画素）の概略構成を、図８に示す。
配線部２は、単位画素を構成する各色の副画素、例えば三原色ＲＧＢに対応する３つの領域（以下、「サブエリア」ともいう。）２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに区分されている。３つのサブエリア２Ｒ（２Ｇ，２Ｂ）は、異なるキャパシタ（容量素子）４５Ｒ（４５Ｇ，４５Ｂ）を有している点で、互いに異なる構造になっている。本実施の形態においては、３つのサブエリア２Ｒ（２Ｇ，２Ｂ）の一部が互いに異なる形状（構造）になっているものを例として説明するが、それらのサブエリアが互いに同一の形状（構造）になっているものであってもよいことは勿論である。

各サブエリア２Ｒ（２Ｇ，２Ｂ）は、ほぼ同じ大きさに形成されている。配線基板１に設けられた走査配線４１上に、層間絶縁膜（図示略）を介して信号配線４２Ｒ（４２Ｇ，４２Ｂ）、電位供給配線４３Ｒ（４３Ｇ，４３Ｂ）、グラウンド電極（図示略）が、当該走査配線４１と直交する方向に延在して配置された構成である。信号配線４２Ｒ（４２Ｇ，４２Ｂ）は、グラウンド電極に連結された図示しないキャパシタ４５Ｒ（４５Ｇ，４５Ｂ）に対し、ＴＦＴ素子４４Ｒ（４４Ｇ，４４Ｂ）のゲートを介して対向する構成とされている。
なお、図８に示した配線部２の配線パターンは実際のものを模式的に表したに過ぎないので、実際の配線パターンと異なる場合がある点に留意する必要がある。

図８に示すような、繰り返しパターンを有する配線パターン（配線部２）において、画素内欠陥位置により、その修正パターンを複数に分けられるものとした場合、その条件によって適用される修正手法が異なってくることが考えられる。その場合、どの条件の欠陥に対して、どのような欠陥修正手法を用いるかの情報を、修正手法データベース２２５にテンプレートとして予め登録しておく。テンプレートとは、欠陥修正情報（リペアレシピ情報）すなわち欠陥修正手法をオブジェクト化（可視化）したものである。

そして、欠陥位置と繰り返しパターン（配線部２）の基準座標を入力することで、修正手法データベース３２５から最適な欠陥修正手法を検索し、欠陥画像に重ねあわせて適用する手法などが有効である。このようなテンプレートを用いた欠陥修正方法として、例えば特開２００７−１６３８９２号公報に記載された技術が適用できる。

図９に、配線部分にショート欠陥が存在する欠陥画像と適用テンプレートの例を示す。
この欠陥画像内の欠陥５０は、配線部分（電位供給配線４３Ｇ，４３Ｂ）の短絡欠陥の例である。まず詳細位置情報抽出部３２１において、配線部２の任意の一角に設定された基準座標５１と繰り返しパターン領域５２を検出する。さらに、基準座標５１からの相対位置により繰り返しパターン上での欠陥５０の位置と条件を絞り込む。そして、制御部３０１が欠陥５０の条件に見合った登録テンプレートを修正手法データベース３２５から選択する。

テンプレートは、欠陥を模した「欠陥オブジェクト」と、配線部上における欠陥オブジェクトの位置及びその特徴に応じて修正処置が施される部分を示した「リペアオブジェクト」とを含む。欠陥オブジェクトは、当該欠陥オブジェクトの位置や属する領域、規模、形状、当該欠陥オブジェクトが位置する回路等を表示したものである。またリペアオブジェクトは、その欠陥に対応するレーザ光照射の位置、出力等を表示したものである。

この例では、配線間にショート（短絡）を生じさせる欠陥５０に応じた欠陥修正手法として、すなわち欠陥オブジェクト５０ａ，５０ｂ，５０ｃについて、それぞれに最適なテンプレート（１）〜（３）を、修正手法データベース３２５に登録されているとする。
すなわち、欠陥５０の位置に応じた欠陥修正手法として、テンプレート（１）〜（３）が修正手法データベース３２５に登録されており、テンプレート（１）〜（３）の中から欠陥５０の修正に最も適したテンプレートを選択する。

テンプレート（１）は、欠陥５０と位置および大きさ等の条件がほぼ同じ欠陥オブジェクト５０ａに対するリペアオブジェクト６０ａを備える。また、テンプレート（２）は、欠陥５０よりやや下に位置する欠陥オブジェクト５０ｂに対するリペアオブジェクト６０ｂを備える。さらに、テンプレート（３）は、欠陥５０よりずっと下に位置する欠陥オブジェクト５０ｃに対するリペアオブジェクト６０ｃを備える。

ここでは、欠陥５０に位置および大きさ等の条件が近い欠陥オブジェクト５０ａを持つテンプレート（１）が、欠陥５０の修正に最適であるとして選択されている。

そして、制御部３０１へ読み出されたテンプレート（１）が、ディスプレイ３２７に表示される。このとき、当該テンプレート（１）の基準座標６１を欠陥画像（配線パターン）の基準座標６１を原点として座標変換を行って、欠陥画像の欠陥５０にリペアオブジェクト６０ａが重ね合わされる。座標変換方法については、例えば特開２００８−１５９９３０号公報にさらに詳細に記載されている。

このような繰り返しパターン区域における欠陥修正方法によれば、欠陥箇所の繰り返しパターン（配線部）内における位置や大きさ、種類に基づいて、最適なテンプレートを選択することができる。それにより、位置関係に対応して選択される欠陥修正手法の読み込みによって欠陥修正工程を自動化することができ、人為的に区別を行う煩雑さを回避することが可能となる。

本願開示では、さらに欠陥領域と登録済みのテンプレートを比較して該当テンプレートを取得する欠陥修正方法では修正困難な層間ショート欠陥の欠陥修正手法を、「登録」とは異なる方法で自動生成して取得するものである。なお、以下の実施の形態では、画像処理を多用する関係上、座標系は左上原点とし、左右方向をＸ方向かつ上下方向をＹ方向とし、回転方向は反時計回りとするが、この例に限られるものではない。また、繰り返しパターン内の欠陥が存在する（もしくは占める）領域を、特に「欠陥領域」または「欠陥範囲」ともいう。

なお、修正手法データベース３２５からの修正手順読み出しの際に、対象となる欠陥に対して、該当する適切な欠陥修正手法（テンプレート）がない場合は、所定の優先度などに基づいて次善のテンプレートが選択される。最も優先度の高い、例えば使用頻度の高い欠陥修正手法のテンプレートあるいは修正難易度が低い欠陥修正手法のテンプレートなどが自動的に選択され、ディスプレイ３２７に表示される。そして、表示されたテンプレートによる修正手法を自動的に実行するか、もしくは作業員が目視確認した後に実行する。

また、対象となる欠陥に対して、適用可能な加工設定ファイル（テンプレート）が無い場合は、作業員が入力装置３２８を操作してマニュアルでレーザ加工条件を設定することが可能であり、更に修正手法データベース３２５にその設定ファイルを追加することもできる。

［ヘッダ情報およびオブジェクト情報］
本実施の形態においてテンプレートとして表示される欠陥修正手法は、ヘッダ情報と、このヘッダ情報に関連付けられたオブジェクト情報とを有するデータファイルである（詳しくは特開２００７−１６３８９２号公報を参照）。なお、この欠陥修正手法を「欠陥修正情報（リペアレシピ情報）」ともいう。

ヘッダ情報は、欠陥修正手法の「レシピ名（若しくはレシピ番号）」、欠陥のあるサブエリア（領域）を示す「領域番号」、サブエリアを示す「副領域番号」、基板３上の基準画素の位置を示す「基準画素番号」、その基準画素の上下、左右の近接画素の有無とその位置を示す「近接画素番号」、並びにレシピ登録される欠陥や欠陥修正手法を表すリペアオブジェクトの「オブジェクト数」を含むものである。

オブジェクト情報は、欠陥を模した欠陥オブジェクトと、配線部２における欠陥オブジェクトの位置及びその特徴に応じて修正処置が施される部分を示したリペアオブジェクトとを含んでいる。
すなわち、オブジェクト情報は、ヘッダ情報に登録されたオブジェクト数だけ欠陥オブジェクトとリペアオブジェクトとを関連付けて登録したものである。なお、単に「登録」というときには、上記した修正手法データベース３２５に対する登録を意味している。

上記のオブジェクト情報は、レシピヘッダとの照合のための「レシピ名（もしくはレシピ番号）」、配線部２内のオブジェクトの位置を示す「座標」、「オブジェクトの形状」、「角度」、「位置補正情報」が基本情報として含まれている。その基本情報は、欠陥オブジェクト及びリペアオブジェクトの双方について有している。
なお、「補正情報」は、実際の欠陥画像の欠陥位置との比較による位置補正のための情報であり、また、「角度」とは、上記したＸＹステージ３０５上における欠陥の正規の位置からの回転角度である。

本願開示ではさらに、繰り返しパターン（配線部２）内の欠陥の存在する位置や大きさ、種類に基づいて、登録されているテンプレート内の欠陥修正手法（リペアオブジェクト）のサイズを、実際の加工前に欠陥修正装置が加工可能なサイズへと自動で最適化する。それにより、異なる欠陥修正装置の修正スペックや仕様の違いによる欠陥修正の不具合を解消する。また、実際のテンプレートの最適化の様子を画像で表示することによって、テンプレートの登録ミス等のチェックを視覚的に行うことが可能となる。

［領域情報（レイヤ構造）］
図１０は、図８に示した繰り返しパターン（配線部２）のレイヤ構造（層構造）を模式的に表した透視図である。
配線部２は、多層構造であるが故に、特定のレイヤの下に別のレイヤが存在している場合があり、異なるレイヤ間で上下間のショートを引き起こす欠陥（層間ショート欠陥）が発生することがある。サブエリア２Ｂを例にとると、キャパシタ４５Ｂを構成する上層と下層が重なる領域４７Ｂ（ノード領域）、コンタクトホール４６Ｂとつながる部分、キャパシタ４５Ｂが走査配線４１と重なる部分などが複数の異なるレイヤで構成される領域に該当する。

図１１は、リーク欠陥（層間ショート欠陥）の一例を示す断面図である。
この図１１に示す例は、ガラス基板８１に配線層８２が積層され、絶縁層８３を介してさらに配線層８４が積層され、最上層に保護膜８５が成膜された多層構造を有する配線基板である。この配線基板は、下層の配線層８２と上層の配線層８４にリーク欠陥８６が発生し、層間ショートを起こしている。

図１２は、従来のZappingによる同層ショート欠陥に対する欠陥修正の説明図である。
２つの配線８７Ａ，８７Ｂを繋いでいる短絡部８８（図１２上）に対し、パルスレーザを照射する（図１２中央）ことにより短絡部８８を除去し、配線８７Ａと配線８７Ｂの同層ショート欠陥を修正する（図１２下）。しかし、図１１のような層間ショート欠陥の場合、図１２で示すような従来のZappingによる同層ショート欠陥における修正手法を用いてリペアを行うことは困難となる。

図１３は、登録されたテンプレートを用いて同層ショート欠陥を修正する場合についての説明図である。
この例では、リーク欠陥７１が発生したキャパシタ４５Ｇの一部を断線して、キャパシタ４５Ｇと信号配線４２Ｇとの導通を絶縁するためのテンプレート（リペアオブジェクト７２）が表示されている。キャパシタ４５Ｇの図１２に示すリペアオブジェクト７２の例のように、層間ショート欠陥の発生範囲に対して同層間のZapping（リペアオブジェクト７２）を実施させることは可能である。

しかしながら、テンプレートを用いた場合、欠陥が発生している領域への直接のアプローチはできないため、短絡している領域すべてを無効にするような修正手法となることが多い。そのためキャパシタ領域における層間ショートなどでは、繰り返しパターン内に占める範囲が広いときには欠陥の発生箇所（副画素もしくは画素）に対して滅点化を行うことになり、その結果基板の品質の低下を伴うことになる。

これを解消するため、層間ショートが発生している領域へ直接アプローチを行う手法が、特開２００７−２８１３７６号公報に一例として記載されている。この手法を元に本願開示により行う層間ショートのリペア手法は次のように提案される。

図１４は、図１１の層間ショート欠陥を有する配線基板に対する修正手法を示す図であり、Ａは上層Zapping、Ｂは全層Zappingによる場合を示している。
図１４Ａの上層Zappingは、ショートを引き起こしている絶縁層８３に対して、その上層の配線層８４のみを選択的に除去する手法である。また図１４Ｂの全層Zappingは、上層の配線層８４と下層の配線層８２の双方の対象領域を絶縁層８３のリーク箇所（リーク欠陥８６）もろとも除去する手法である。図１４Ａと図１４Ｂに示す修正手法は、言わばレーザ照射の深度を変化させたものである。

さらに、欠陥が存在する領域に対してレーザ照射領域を選択的に変化させた例を説明する。
図１５は、レーザ照射領域を説明するための図であり、Ａは囲みZappingについて、Ｂは静止Zappingについて示したものである。“囲みZapping”はリーク欠陥９０の周囲の領域９１をスキャン加工して除去するため、欠陥に直接レーザを照射することはないが除去面積が広く、加工時間がかかる。それに対して“静止Zapping”は加工時間がかからないが、リーク欠陥９０を含む領域９２に直接レーザ加工を施すため欠陥領域のはね散らし（スプラッシュ）など、２次的な欠陥の発生を引き起こすことのないことが保証されることが前提で可能となる加工方法である。

なお、図１４、図１５で示す層間ショートの修正手法、加工領域の選択は、欠陥のサイズ、発生箇所などによって任意に切り替えることが可能なものとする。この修正手法を用いて自動で欠陥の修正を行う手法について以降に記述する。本願開示では、キャパシタ部の層間ショートの発生を修正する手法として提案しているが、複数の異なるレイヤの上下間の層間ショートであり、本願開示の修正手法が適用可能であれば、適用する箇所はキャパシタに限定しないものとする。

図１３に示したように、キャパシタ領域での層間ショートは電気的な導通検査から予測される欠陥の発生領域が広いため、実際の欠陥の厳密な発生箇所や面積などは欠陥画像を取得するまで確定することが困難であり、さらに同一領域に複数発生する可能性もある。それゆえ、従来の欠陥領域に対する修正手法（リペアオブジェクト）をテンプレートに登録する手法は、層間ショート欠陥に対しては適切ではない。

そこで、本願開示ではテンプレートの登録は行わず、図１５のリーク欠陥を欠陥オブジェクトに見立て、その欠陥オブジェクトに対し適切なリペアオブジェクトとなるように欠陥領域にあわせたテンプレートを自動で生成する。

生成されたテンプレートを用いて修正が実施される領域は、特開２０１０−１０２０５０号公報に記載された技術により、欠陥の発生箇所や繰り返しパターン領域内の特定の座標におけるレイヤ、およびレイヤラベルの組み合わせの取得が可能なものとする。また、図１３で示している特定の欠陥に対する該欠陥の発生箇所をノードとして定義、登録するものとし、欠陥の発生箇所が含まれる領域はレイヤの情報とは異なる領域の情報として任意で設定できるものとする。図１３の例では、例えばキャパシタ４５Ｇにおける特定の２つのレイヤが重なっている領域をノード領域４７Ｇとして定義している。ノード領域はＣＡＤ等の回路情報のエレメントを組み合わせる、回路画像等を読み込んで登録する、フリーハンドで描画するなどの登録方法があり、登録方法については任意の方法で実現できるものとする。

自動でテンプレートを生成するにあたっては、生成したリペアオブジェクトが次の条件を満たすときに修正の実行が許可されるものとする。
（１）リペアオブジェクトが配線を分断しない。
（２）リペアオブジェクトの範囲内にレーザ照射禁止領域がない。
（３）リペアオブジェクトの範囲内に修正を行う部位とは直接関与しない領域（ノード領域が定義されている回路要素（層間ショートが発生するキャパシタなど）以外の隣のサブピクセルやデータ線などの領域）が重なっていない。
（４）修正を行うことによって、減少するノード領域の面積（キャパシタの面積など）が指定した範囲を超えない。

なお、レーザ照射禁止領域についても層間ショート欠陥発生領域の登録と同様に、任意のレーザ照射禁止領域の登録をあらかじめ行っておき、パターン領域内の任意の座標におけるレーザ照射禁止領域の有無の取得も可能なものとする。レーザ照射禁止領域の定義は回路構成によって変化するが、一般的にレーザの熱影響などによって回路要素の特定が変化するものや、修正を行う時点では成膜していない上層と連結する領域を示すものとする。例えば有機ＥＬを用いたＴＦＴ基板では、前者はトランジスタ部など、後者は発光部となるＥＬ素子と連結するアノード電極などが該当する。しかし、トランジスタ部であってもレーザの熱影響を受けないことが保証されているなど、レーザの照射が従来の回路動作に影響を与えない、もしくは非常に軽微で無視することが可能なときにはその限りではない。

図１６は、繰り返しパターンの画像についてレイヤが存在しない領域をラベル化した例を示す図である。
レイヤがまったく存在しない領域をレイヤ情報と同じようにラベル化できるものとし、後述する断線の判定などに用いる。図１６の例の場合、何らかのラベルが存在する領域９５の背景のラベルとして９つのラベルを定義することが可能である。

なお、背景のラベルも特願２００９−２３９８５２号明細書で示すレイヤの判定に用いることが可能である。例えば、特定の背景のラベルがつながって一つの領域になっているときは、良品パターンのラベルとの差分の領域がオープン欠陥（従来のレイヤの場合はショート欠陥）となる。

［囲みZappingによる欠陥修正］
次に、実欠陥の領域のサイズに合わせて囲みZapping形式のリペアオブジェクトを生成する方法を説明する。
図１７は、図１５Ａに示した囲みZapping形式のリペアオブジェクトの設定イメージと、リペアオブジェクトの配置の可否を確認するためのパラメータの説明に供する図である。各パラメータを次のように定義する。リペアオブジェクト１０２はレーザ照射領域を通過させる最大４箇所の頂点１０２ａ〜１０２ｄ（ZapTurn）の座標が設定され、リークが発生しているリーク欠陥１００を囲むように配置される。レーザの加工サイズの幅１０５Ｗを「SlitSizeX」、高さ１０５Ｈを「SlitSizeY」とし、リペアオブジェクト１０２の外周の頂点２点を必ず含む矩形を「OuterRect」とする。リーク欠陥１００の外接四角形１０１(DefectRect)とリペアオブジェクト１０２の内周までの距離１０４Ｌを「InnerDist」とする。またリペアオブジェクトの外周（OuterRect）からレーザ照射禁止領域までの修正可能とする最短距離１０６Ｌを「OuterDist」とし、リペアオブジェクトの外周（OuterRect）からOuterDist離れた矩形（「最外周矩形」ともいう）を「OuterMostRect」とする。

囲みZapping形式のリペアオブジェクトは、ここでは右下から時計回りに一周するという形式をとるものとするが、任意の開始座標から頂点すべてを通過して一周すればよいものとする。SlitSizeX，Yの加工サイズを有するレーザが、リペアオブジェクト上を一方向に複数照射されて修正が行われる。本実施の形態において、レーザ照射領域が通過する頂点１０２ａ〜１０２ｄの座標は、リペアオブジェクトの回転角度が０度のときには次の定義に沿って配置される。
StartPos = 開始位置（右下）
ZapTurn[0] = 第１ターン点（左下）
ZapTurn[1] = 第２ターン点（左上）
ZapTurn[2] = 第３ターン点（右上）

リーク欠陥１００の外接四角形DefectRectの頂点座標を、DefectRectLeft、DefectRectTop、DefectRectRight、DefectRectBottomの組み合わせとしたとき、リペアオブジェクト１０２の頂点座標は
Left = DefectRectLeft - InnerDist - SlitSizeX/2
Top = DefectRectTop - InnerDist - SlitSizeY/2
Right = DefectRectRight + InnerDist + SlitSizeX/2
Bottom = DefectRectBottom + InnerDist + SlitSizeY/2
となる。ここでは左上を座標系の基準としている（図９参照）。

そして、リペアオブジェクト１０２のパラメータ（レーザ照射領域が通過する頂点１０２ａ〜１０２ｄの座標（X,Y））は
StartPosX = Right、 StartPosY = Bottom
ZapTurn[0].X = Left、 ZapTurn[0].Y = Bottom
ZapTurn[1].X = Left、 ZapTurn[1].Y = Top
ZapTurn[2].X = Left、 ZapTurn[2].Y = Right
と定義できる。

したがってリペアオブジェクト１０２の外周の矩形OuterRectの頂点座標は、次の４点の組み合わせで求められる。
OuterRectLeft = Left - SlitSizeX/2
OuterRectTop = Top - SlitSizeY/2
OuterRectRight =Right + SlitSizeX/2
OuterRectBottom = Bottom + SlitSizeY/2

さらに、レーザ照射禁止領域からレーザ照射領域までの最短距離OuterDistを含めた最外周矩形OuterMostRectは、次の4点の組み合わせで求められる。
OuterMostRectLeft = OuterRectLeft - OuterDist
OuterMostRectTop = OuterRectTop - OuterDist
OuterMostRectRight = OuterRectRight + OuterDist
OuterMostRectBottom = OuterRectBottom + OuterDist

［配線の分断の判定］
ここで、囲みZapping形式のリペアオブジェクトの影響による配線の分断について説明する。
図１８は、囲みZappingを利用したリペアオブジェクトの影響による配線の分断の例を示す図である。リーク欠陥１１４が発生する領域は、第１レイヤ１１１と第２レイヤ１１２が重なっている領域（ノード領域１１３）である。レーザ許可設定の判定、配線の分断の判定とともに、レーザの照射による影響範囲の誤差を考慮して、囲みZapping形式のリペアオブジェクト１１５の領域から一定の距離（OuterDist）を持たせた最外周矩形OuterMostRectで判定をする。OuterDistがゼロのときはリペアオブジェクト１１５の外周（OuterRect）が判定領域となる。図１８の例では、生成されたリペアオブジェクト１１５がリーク欠陥の発生するノード領域１１３をはみ出している、または該ノード領域１１３の端ギリギリに設定されているために、他の領域へつながっている第１レイヤ１１１を断線している（破線で囲まれた部分）。

配線が分断しているか否かの判定は、判定範囲である最外周矩形OuterMostRectの範囲内に複数の背景ラベル（図１６参照）が存在しているかどうか、もしくは最外周矩形OuterMostRectを一周描画（以下、「プロット」という）したときの個々の座標で構成されるレイヤの要素の変化を、制御部３０１のリペアオブジェクト判定部３５６が確認することで可能となる。プロットする過程におけるリペアオブジェクトの設定の可否と、構成要素の変化の概念は次のようになる。

・すべてのレイヤ構成に変化がないときは設定可
・レーザ照射禁止領域を検出したらその時点で設定不可
・背景ラベルの領域を複数検出したらその時点で設定不可
・ノード領域に存在しないレイヤラベルを検出したらその時点で設定不可
・プロット中に、新しい組み合わせの構成（レイヤの種類が増加したときはそのレイヤをＩＮ、減少したときはＯＵＴと定義）を検出したら、変化したレイヤラベルをキーにＩＮ又はＯＵＴのどちらかのフラグをセットし、その後そのキーとなるレイヤラベルの有無が反転したら（ＩＮとＯＵＴがそろったら）そのフラグを１ペアとしてカウントする。プロット開始の時点ですでに存在しているレイヤラベルはその有無が変化したときに初めて片方のフラグがセットされる（レイヤラベルがなくなったとき（ＯＵＴ）と再び存在するようになったとき（ＩＮ）ではじめてペアとなる）。ペアの数が１以下だったら設定可、２以上だったら断線と判定して設定不可とする。（レイヤラベルの有無が変化する回数は必ず偶数になる。奇数になったときはエラーとして設定不可とする）

レーザ照射禁止領域、判定対象のノード領域に存在しないレイヤラベル、複数の背景ラベルの有無の取得に関しては、最外周矩形OuterMostRectの矩形範囲内で取得する手法がすでに実装済みであれば、それを用いて先に判定してもよい。また、プロットの過程で繰り返しパターンから外れる場合、近接ラベルだとラベル番号が変わるのでラベルをカウントする際には注意する。

図１９を参照して、図１８に示した第１レイヤ１１１が断線しているときの最外周矩形のプロット例を説明する。
図１９の例では、囲みZapping形式のリペアオブジェクト１１５の最外周矩形１１６のプロット線（破線部分）により配線の分断を判定している。ここで、最外周矩形１１６上を矢印の方向へ一周プロットしていく過程において、最外周矩形１１６上に存在するレイヤラベルは第１レイヤ１１１と第２レイヤ１１２の２種のみとする。切替点１１７ａは第１レイヤがプロット線上に出現するタイミング、切替点１１７ｂは第１レイヤがプロット線上からなくなるタイミングを示している。

図１９の例の場合、第２レイヤ１１２に関しては最外周矩形１１６上に同じレイヤラベルが存在しているため、構成要素には変化がないとみなす。一方、第１レイヤ１１１は最外周矩形１１６上に存在する箇所としない箇所があり、それぞれの切り替わりをカウントすることができる。先の定義に基づくと、第１レイヤ１１１の有無が切り替わるタイミングが４回（切替点１１７ａと切替点１１７ｂがそれぞれ２箇所）検出できるため、第１レイヤ１１１は断線していると判定することが可能となる。

レイヤの切り替わりのペア数をカウントする手法としては、ＩＮとＯＵＴのタイミングをカウントしながら一旦一周すべてプロットしてから判定する他、ＩＮかＯＵＴどちらかの数だけカウントしてそのカウント数をそのままペア数にして判定する、１ペアがそろった後にレイヤの有無が反転した（ＩＮかＯＵＴのどちらかが２回検出された）らその時点で複数のペアが存在すると判定、設定不可とみなすことも可能となる。なお、プロットする最外周矩形の開始座標やプロットする方向は任意である。

［ノード領域からはみ出しているときのリペアオブジェクト設定の可否の判定］
次に、リペアオブジェクトがリーク判定を行うノード領域からはみ出しているときの、リペアオブジェクトの設定の可否の判定について説明する。
図２０は、囲みZapping形式のリペアオブジェクトがリーク判定を行うノード領域からはみ出している例を示す図である。リペアオブジェクト１２１に関して、第１レイヤ１１１が最外周矩形１２２のプロット線上に出現するタイミングを示す切替点１２３ａと、第１レイヤ１１１が最外周矩形１２２のプロット線上からなくなるタイミングを示す切替点１２３ｂと、第２レイヤ１１２が最外周矩形１２２のプロット線上に出現するタイミングを示す切替点１２３ａがある。また、リペアオブジェクト１２５に関して、切替点１２３ａと、切替点１２３ｂと、切替点１２４ａと、第２レイヤ１１２が最外周矩形１２２のプロット線上からなくなるタイミングを示す切替点１２４ｂがある。さらに、リペアオブジェクト１２７に関して、切替点１２３ａ、切替点１２３ｂ、切替点１２４ａ,１２４ａ、切替点１２４ｂ,１２４ｂがある。

リペアオブジェクト１２１，１２５の場合、第１レイヤ１１１と第２レイヤ１１２の２つのレイヤラベルの有無のカウントはそれぞれ１ペアなのでリペアオブジェクトの設定は可能である。しかし、リペアオブジェクト１２７の場合は、第１レイヤ１１１は１ペアだが、第２レイヤ１１２は２ペアになり断線をしているので、リペアオブジェクトの設定不可となる。

なお、リペアオブジェクト１２７の場合、第２レイヤ１１２がプロット線上からなくなるタイミングで、第１レイヤ１１１及び第２レイヤ１１２のいずれにも属さない２箇所の背景が出現する。図１６に示したように背景もレイヤと同じように領域とラベルを設定し、背景のラベルの番号が複数出現したときは少なくとも２箇所の領域は配線を隔てて存在していたと判断できる。そこで、そのタイミングで断線と判断してリペアオブジェクトの設定を不可とすることもできる。

［レーザ照射禁止領域への干渉］
配線の断線の他にリペアオブジェクトの設定不可と判定される条件として、まずリペアオブジェクトのレーザ照射禁止領域への干渉がある。欠陥オブジェクトを配置した際に断線の判定と同じように、最外周矩形のプロットの過程でレーザ照射禁止領域が検出されたときのイメージは、図２１のようになる。図２１は、囲みZappinｇ形式のリペアオブジェクトの最外周矩形のプロット線がレーザ照射禁止領域に干渉する例を示す図である。
この例では、リーク欠陥１４１はレーザ照射禁止領域１４５に重なっていないが、リーク欠陥１４１に対するリペアオブジェクト１４２の最外周矩形１４３のプロット線が、レーザ照射禁止領域１４５と重なっている。切替点１４６Ａ,１４６Ｂは、プロットの過程でレーザ照射禁止領域１４５と重なっていることが確認できる座標であり、それによりリペアオブジェクトがレーザ照射禁止領域１４５へ干渉することが判定できる。

［ノード領域以外の領域への干渉］
次に、リペアオブジェクトがノード領域以外の領域に干渉するときの例を説明する。
図２２は、囲みZapping形式のリペアオブジェクトの最外周矩形のプロット線がノード領域以外の領域に干渉する例を示す図である。リーク欠陥１５１に対するリペアオブジェクト１５２に関して、最外周矩形１５３のプロット線上に第１レイヤ１１１についての切替点１２３ａ,１２３ｂ、第２レイヤ１１２についての２つの切替点１２４ａと２つの１２４ｂがある。この場合、プロットする過程においてレイヤ（第２レイヤ１１２）の種類は同じだが、異なるラベルでレイヤラベルの有無の切り替わりが検出されている。このようなときは、ノード領域以外の領域への干渉があると判断して、リペアオブジェクトの設定不可とする。

上述したレーザ照射禁止領域、ノード領域以外の領域への干渉は、断線とは異なり、リペアオブジェクトを配置した際、最外周矩形OuterMostRectで示される矩形範囲内に存在するレイヤラベルの数と種類を取得することで、その内容からリペアオブジェクト設定可否の判定が可能である。すなわち、レイヤの切替点を検出することなくリペアオブジェクト設定可否の判定が行える。

なお、特定の領域内におけるレイヤラベルの構成を示す情報の取得については、例えば特開２０１０−１０２０５０号公報等に記述されている。このときの判定方法は、欠陥の領域内、もしくはプロット対象である最外周矩形OuterMostRectの矩形範囲内にレーザ照射禁止領域が存在する、もしくは、ノードを構成する領域の範囲内に含まれないレイヤラベルが検出されたときとする。

［減少するノード領域の面積の判定］
欠陥修正の実行に伴って減少するノード領域の面積を次のように定義する。
図２３は、囲みZapping形式のリペアオブジェクトによる欠陥修正の実行に伴い減少するノード領域の面積の定義を説明するための図である。リペアオブジェクト１６１のように、先の最外周矩形のプロットによる判定でレイヤの切り替わりが検出されなかったときは、リペアオブジェクト１６１の外周の矩形（OuterRect）１６２の面積がそのまま減少する面積となる。また、リペアオブジェクト１６３のように、一部がノード領域１１３からはみ出している場合では、ノード領域１１３とリペアオブジェクト１６３の外周の矩形の領域が重なっている部分１６４が減少する面積になる。

複数のリペアオブジェクトが同一のノード領域に設定されているときは、すべてのリペアオブジェクトの減少面積の総和がノード領域から減少する面積になるが、リペアオブジェクトの一部が重なっているときはその部分は相殺される。

ノード領域から除去される面積が大きいと繰り返しパターンの回路に与える影響が大きく品質が低下するので、ノード領域から除去される面積の上限は任意のパラメータ（RemoveLimit）で指定し、その上限を超えない限り、欠陥修正を行うことが可能となる。面積の減少を許可する割合を示すパラメータRemoveLimitは、リーク欠陥の発生領域が定義されるノード領域ごとにそれぞれ設定する。ノード領域の面積から除去可能な面積の定義は、割合（パーセンテージ）であっても、実際の面積値であってもよい。

実際に、欠陥修正によって除去される面積がRemoveLimitを超えたときの対応は以下のどちらかからノード別、もしくは回路要素の特徴等で切り替えることが可能とする。
（１）複数のノード領域が配置されているときは、修正可能なリペアオブジェクトのみ欠陥修正を実施する。
→配置された順番に除去面積を加算して行き、RemoveLimitを超えたらそれ以降のリペアオブジェクトは欠陥修正を行わない。
→RemoveLimitを超えない範囲で欠陥修正可能な除去面積が最大になるリペアオブジェクトの組み合わせを取得して実施する。
（２）配置されたリペアオブジェクトの数に依らず欠陥修正は行わない。

ここまでで示した囲みZapping形式のリペアオブジェクトの断線の判定では、一つの背景領域しか検出されていないときや一つも検出されていないときは、レイヤの切り替わりが複数回行われていても、厳密には断線していないケースが出てくる。以下にその詳細を説明する。

図２４は、断線と判断することが適切でない欠陥を断線と判定する例を示す図である。
この例の場合、リペアオブジェクト１７１の最外周矩形１７２のプロット線上に８個の切替点があり、欠陥修正を実行すると領域１７３が分断する。判定対象となる第１レイヤ１１１が分断しているという意味では正しいが、配線が断線しているわけではないので、他の回路には影響を与えない。そのため、分断と判断して欠陥修正設定可とすることも可能ではある。しかしながら、広い領域がキャパシタ部（もしくはリーク発生領域）から消失するため、回路要素の特性を著しく低下させることが予想される。つまり除去面積が規定された上限を超えることも予想され、結果として断線ではなくても欠陥修正は不可となる可能性が高い。

また、欠陥自体の面積が広いため、異物が付着しているなど他の要因である可能性が高く、層間リークと判断できるか自体が疑わしいため、囲みZapping形式での欠陥修正手法が適切ではない可能性も高くなる。このことから図２４のようなレイヤを分断するケースであっても、欠陥修正可否の判定自体は断線のときの手法を用いることができる。

［囲みZapping形式の断線ではない場合に断線と判定する例］
次に、囲みZapping形式の断線ではない場合に断線と判定する例を説明する。
図２５は、囲みZapping形式の断線ではない場合に断線と判定する例を示す図である。この例の場合、リペアオブジェクト１８１の最外周矩形１８２のプロット線上に６個の切替点があるが、領域の分断もしておらず、異なるレイヤラベルの切り替わりがあるわけでもないため他回路への干渉もなく、繰り返しパターンの回路には影響は出ない。しかしながら、図２４のときのように背景の領域が単数であることは、必ずしも分断していないとは保障できない。それゆえ、欠陥修正設定可と断定することはレイヤラベルの切り替え回数のみでは実質不可能である。これを解消するため、以下に囲みZapping形式のリペアオブジェクトの形状を一部最適化する手法を提案する。

［囲みZapping形式のリペアオブジェクトの最適化］
図２６は、囲みZapping形式のリペアオブジェクトの一部を最適化したオブジェクト例を示している。
リーク欠陥９０の欠陥領域の四方すべてを囲む囲みZapping形式のリペアオブジェクトをＯ型（ZAP_O）としたとき、その変形型として２種が考えられる。２種のうち１辺のスキャンを行わないものをＵ型（ZAP_U）（リペアオブジェクト１９１）、２辺のスキャンを行わないものをＬ型（ZAP_L）（リペアオブジェクト１９２）として定義する。

Ｕ型もしくはＬ型への最適化を行う囲みZapping形式のリペアオブジェクトの定義は次のようになる。
・最外周矩形OuterMostRectの１辺の線上に特定のＩＮ→ＯＵＴの順でのレイヤの切り替わりが起こっていない。
・リーク欠陥のノード領域を含まない頂点（OuterRectの頂点）が複数箇所存在する。
・リーク欠陥のノード領域を含んだ頂点（OuterRectの頂点）が最低１箇所存在する。

上記の条件を満たすとき、ノード領域を含まない頂点同士を結ぶ部分のスキャン加工を行わず、始点と終点が異なるリペアオブジェクトを定義する。また、Ｌ型のときはレーザのスキャン経路のターン座標のうちスキャンが省略された頂点のターン座標（図２６ではZapTurn[2] = 第３ターン点（右上の頂点）の座標）のパラメータは無効となる。

次に、スキャンする頂点を増やして最適化したリペアオブジェクトを説明する。
図２７は、囲みZapping形式のリペアオブジェクトの一部を更に最適化したオブジェクトの例を示している。頂点部分のスキャンを省略したＵ型とＬ型のほか、スキャンを行う頂点を増やした変形型の２種をＣ型として定義する。Ｃ型にはＣ１型（リペアオブジェクト１９３，１９４）とＣ２型（リペアオブジェクト１９５）があり、Ｃ１型とＣ２型は、始点もしくは終点の片方がＯ型の頂点であるか否かで変化するものとする。

Ｃ１型もしくはＣ２型への最適化を行う囲みZappinｇ形式のリペアオブジェクトの定義は次のようになる。
・最外周矩形OuterMostRectの１辺の線上に特定のＩＮ→ＯＵＴの順でのレイヤの切り替わりが起こっていない。
・リーク欠陥のノード領域を含まない頂点（OuterRectの頂点）は１箇所であるか、もしくは存在しない。
・リーク欠陥のノード領域を含んだ頂点（OuterRectの頂点）が３箇所以上存在する。

上記の条件を満たすとき、ノード領域を含まない領域部分のスキャン加工を行わず、レーザのスキャン経路のターン座標をリペアオブジェクトの形状によって追加して始点と終点が異なるリペアオブジェクトを定義する。図２７では、Ｃ１型はZapTurn[3]、Ｃ２型はZapTurn[3]とZapTurn[4]を追加する。

Ｃ１型とＣ２型はより繰り返しパターンの回路の形状に沿った最適化が望めるが、その反面、頂点の数が増え処理が複雑化するため、レーザの性能や制御方法、加工時間によってはＯ型、Ｕ型、Ｌ型よりも処理時間がかかることが予想される。そのため、どの型のリペアオブジェクトを用いて最適化を行うかはレーザ修正装置や回路に依存する。

そして、図２６及び図２７に示したすべての型のリペアオブジェクトの使用が可能と判断したとき、どのリペアオブジェクトで最適化するかは下記の条件で振り分けられる（ただしリペアオブジェクトが複数に分割されるときはその限りではない）。
・リーク欠陥のノード領域を含まない頂点（OuterRectの頂点）が３箇所存在するときはＬ型
・リーク欠陥のノード領域を含まない頂点（OuterRectの頂点）が２箇所存在するときはＵ型
・リーク欠陥のノード領域を含まない頂点（OuterRectの頂点）が１箇所存在するときはＣ１型
・リーク欠陥のノード領域を含まない頂点（OuterRectの頂点）が存在しないときはＣ２型

囲みZapping形式のリペアオブジェクトの具体的な最適化の手法は次のようになる。
図２８〜図３０は、囲みZapping形式のリペアオブジェクトを最適化する手法を説明するための図である。リーク欠陥２００を囲むリペアオブジェクト２０１について、レーザ照射領域を通過させる４箇所の頂点２０１ａ〜２０１ｄのターン座標を取得しておく。このうち、頂点２０１ｄは後にスキャンが行われない頂点である。そして、リペアオブジェクトの外周の矩形（OuterRect）２０２を断線判定と同じようにプロットし、プロット線上でノード領域（第１レイヤ１１１に対応）の有無が切り替わる切替点２０３ａ，２０３ｂの座標を取得する。そのプロット線上の座標をノード領域が存在しない方向へ任意のサイズ（ZapTurnOffsetSize）だけオフセット（移動）させた座標を、それぞれ新たな頂点２０４ａ，２０４ｂと定義する（図２８参照）。

そして、プロット線上を１週して走査した後、新たに定義されたノード領域を含まない頂点２０４ａ，２０４ｂのターン座標を、スリットサイズ（SlitSizeX、Y）の半分の距離だけリペアオブジェクト２０１の内周方向へオフセットさせた座標に変更する。例えば、頂点２０４ａをスリットサイズ（SlitSizeY）の半分の距離をオフセットしたとすれば、頂点２０４ｂをスリットサイズ（SlitSizeX）の半分の距離をオフセットし、移動後の頂点をそれぞれ頂点２０１ａ１、２０１ｃ１とする。次に、変更後の座標で示される、レーザ照射領域が通過する新たな頂点２０１ａ１、２０１ｃ１を取得する。新たな頂点２０１ａ１，２０１ｃ１に対し、リペアオブジェクト２０１上でノード領域が存在しない方向に存在していた頂点２０１ｃ，２０１ｄ，２０１ａは無効となり、頂点２０１ａ１，２０１ｂ，２０１ｃ１が新しいレーザのスキャン経路となる（図２９参照）。

新しい頂点２０１ａ１,２０１ｂ，２０１ｃ１に対し、新たにレーザのスキャン経路の開始位置StartPos、スキャン経路の頂点ZapTurn[n]（ｎは任意のターン座標）を再配置する。そして、開始位置の座標、スキャン経路の頂点の座標から再配置後のリペアオブジェクト２０１Ａの外周の頂点２０２ａ〜２０２ｄの座標を求める。これらの座標のなかで、Ｘ方向及びＹ方向それぞれの座標の最大値と最小値を再配置後のリペアオブジェクト２０１Ａの外周の矩形（OuterRect）２０２Ａの最小座標と最大座標とし、そこから新たに最外周矩形（OuterMostRect）２０５を再定義する（図３０参照）。

再配置後のリペアオブジェクトは必ずしもＯ型（図１７参照）で定義していた右下の頂点の座標を開始座標にしたときに最適にはならない。そのときには、リペアオブジェクトの外周の矩形OuterRectの頂点のうち再配置によって新たに定義されたいずれかの頂点座標を開始座標としてターン座標をそれに沿って定義し直す。あるいは、開始座標を右下に定義したものを回転させる、スキャン方向を逆にする、などの方法で再定義する（ただし、Ｃ１型、Ｃ２型の開始座標が頂点ではないリペアオブジェクトは回転では定義できない）。

図３１は、リーク欠陥とノード領域が重なっている部分を含む外周を有するオブジェクトを使用する例を示す図である。
リペアオブジェクトの最適化の結果、一つの囲みZapping形式のリペアオブジェクトから複数のリペアオブジェクトが生成可能になることがある。図３１Ａ，Ｂの例では、囲みZapping形式のリペアオブジェクト２１１から、Ｌ型のリペアオブジェクト２１１ＡとＵ型のリペアオブジェクト２１１Ｂを生成している。リペアオブジェクトが生成される数は最外周矩形のプロット線上に新たな頂点として設定された座標の数の半分となる。つまり、２箇所だと生成されるオブジェクトは1つだが、４箇所だと２つになる。図３１Ｂでは、リペアオブジェクト２１１Ａ及びリペアオブジェクト２１１Ｂのそれぞれに新たな頂点が２つずつ設定されている。

複数のリペアオブジェクトの生成が可能なときは、一旦すべてのリペアオブジェクトを再配置した後、リペアオブジェクトの外周の矩形OuterRect内に欠陥領域とノード領域が重複している領域が存在しないものは削除する。図３１Ｂの例では、リペアオブジェクト２１１Ａの矩形２１２Ａ内に、リーク欠陥２１０とノード領域に対応する第１レイヤ１１１が重なる領域が存在するが、リペアオブジェクト２１１Ｂの矩形２１２Ｂ内にはそれがない。したがって、リペアオブジェクト２１１Ｂが削除対象となる。

なお、図２４、図２５に示したような囲みZapping形式のリペアオブジェクトに関して誤判定してしまう事例は回路の形状に依存する。欠陥修正可能な領域を不可能であると判断するときはあっても逆はない。したがって欠陥修正不可能な領域に修正を実施してしまう恐れを考慮して、リペアオブジェクトの最適化を行わずに欠陥修正を中止すると判断することも選択肢としては有効である。

［静止Zappingによる欠陥修正］
次に、実欠陥の領域のサイズに合わせて静止Zapping形式のリペアオブジェクトを生成する方法を説明する。
図３２は、図１５Ｂに示した静止Zapping形式のリペアオブジェクトの設定イメージと、リペアオブジェクトの配置の可否を確認するためのパラメータの説明に供する図である。各パラメータを次のように定義する。欠陥の形状が斜めの楕円のように角度があるものだと欠陥面積に対する面積除去範囲が広くなるが、リーク欠陥の大多数が微小欠陥であることからほぼ影響はないとみなし、リペアオブジェクトはすべて回転角度０度で設定する。

リーク欠陥２２０の外接四角形２２１（DefectRect）の頂点を「Top、Left、Right、Bottom」、その幅と高さを「Width、Height」、レーザの加工サイズの幅２２４Ｗ及び高さ２２４Ｈの半分（以下、「スリットサイズ」という）を「SlitSizeX、SlitSizeY」とする。さらに、リーク欠陥２２０の外接四角形２２１(DefectRect)とリペアオブジェクト２２２の外周の矩形ZapRect（レーザが照射される矩形領域）までの距離２２５Ｌを「InnerDist」、リペアオブジェクト２２２の外周OuterRectからレーザ照射禁止領域までの修正可能とする最短距離２２６Ｌを「OuterDist」とする。このときリペアオブジェクト２２２のパラメータとなる中心座標２２０ａ（StartPosX、StartPosY）及びレーザのスリットサイズ（SlitSizeX、SlitSizeY）の初期値は次のように求められる。
StartPosX ＝ Left + Width /2
StartPosY ＝ Top + Height /2
SlitSizeX ＝ Width/2 + InnerDist
SlitSizeY ＝ Height/2 + InnerDist
左上を座標系の基準としている（図９参照）。

このとき、リペアオブジェクト２２２の外周の矩形ZapRectは、
ZapRectLeft ＝ StartPosX - SlitSizeX
ZapRectTop ＝ StartPosY - SlitSizeY
ZapRectRight ＝ StartPosX + SlitSizeX
ZapRectBottom ＝ StartPosY + SlitSizeY
で表される。

囲みZapping形式のリペアオブジェクトとは異なり、内周（InnerRect）と外周（OuterRect）の概念はないため、ZapRect = InnerRect = OuterRectとなる。レーザ照射禁止領域からレーザ照射領域までの最短距離２２６Ｌを含めた最外周矩形OuterMostRectの初期値は次のようになる。
OuterMostRectLeft ＝ ZapRectLeft - OuterDist
OuterMostRectTop ＝ ZapRectTop - OuterDist
OuterMostRectRight ＝ ZapRectRight + OuterDist
OuterMostRectBottom ＝ ZapRectBottom + OuterDist

リペアオブジェクト２２２の外周の矩形ZapRect、および最外周矩形OuterMostRectの領域内のレイヤラベル、およびノードの構成状況に応じて、リペアオブジェクトの設定の可否とオブジェクトサイズの最適化を行う。

静止Zapping形式のリペアオブジェクトの設定の可否の判定条件は基本的に囲みZapping形式と同じであるが、静止Zapping形式のリペアオブジェクトは基本的に欠陥に直接レーザを照射するため、欠陥が一定の面積を超えるものには対応をしないという条件が加わる。

［レーザ照射禁止領域への干渉］
次に、欠陥面積の上限の確認とレーザ照射禁止領域への干渉の確認を行う。リーク欠陥の面積が予め指定されている面積よりも大きい場合には欠陥面積が大きいとして、欠陥修正設定不可とする。この場合は、囲みZapping形式で対応するか、もしくは欠陥修正を行わない。

囲みZapping形式（Ｏ型）の場合（図２１参照）と同様に、静止Zapping形式のリペアオブジェクトの最外周矩形OuterMostRectの範囲内にレーザ照射禁止領域が重なっているときは、対象欠陥を欠陥修正不可と判断する。
図３３の例では、リーク欠陥２３１はレーザ照射禁止領域２３４には重なっていないが、静止Zapping形式のリペアオブジェクト２３２の最外周矩形２３３のプロット線がレーザ照射禁止領域２３４に重なっている。このようにレーザ照射禁止領域への干渉を検出したら、静止Zapping形式でのリペアオブジェクトの設定は不可とする。

［配線の分断の判定］
次に、静止Zapping形式のリペアオブジェクトの影響による配線の分断について説明する。
図３４は、静止Zapping形式のリペアオブジェクトがリーク判定を行うノード領域からはみ出している例を示す図である。配線が分断しているか否かの判定は、背景のラベル（図１６参照）の検出を確認し、その後、囲みZapping形式と同様に、判定範囲である最外周矩形OuterMostRectをプロットして行う。まず最外周矩形OuterMostRectをプロットしたときのレイヤの要素の変化から背景ラベルの有無をチェックする。図３４の例では、リーク欠陥２４１に対する静止Zapping形式のリペアオブジェクト２４２の最外周矩形２４３のプロットによって、２つの異なる領域（ラベル）の背景２４４Ａ，２４４Ｂが検出されている。このように、異なる領域（ラベル）の背景が複数検出された時点で断線が確定するので欠陥修正不可とする。

［ノード領域以外の領域への干渉］
背景ラベルを確認した後、囲みZapping形式の場合と同様（図２１参照）にノード領域以外の他の領域（回路）への干渉の有無をチェックする。
図３５は、静止Zapping形式のリペアオブジェクトの最外周矩形のプロット線がノード領域以外の領域に干渉する例を示す図である。リーク欠陥２５１に対する静止Zapping形式のリペアオブジェクト２５２の最外周矩形２５３が、２つの領域の第２レイヤ１１２，１１２と重なっている。２つの領域の第２レイヤ１１２，１１２は同じ種類だが異なるラベルである。このようなときは、ノード領域以外の領域への干渉があると判断して、リペアオブジェクトの設定不可とする。

最後に、リペアオブジェクトの最外周矩形のプロットにより断線の判定を行う。基本的には囲みZapping形式の場合と同じ判定を行うものとする。
図３６は、静止Zapping形式の最外周矩形のプロット線により配線の分断を判定する例を示す図である。静止Zapping形式のリペアオブジェクト２６１の最外周矩形２６２をプロットする過程で、最外周矩形２６２上に存在するレイヤラベルは第１レイヤ１１１と第２レイヤ１１２の２種である。切替点２６３ａは第１レイヤがプロット線上に出現するタイミング、切替点２６３ｂは第１レイヤがプロット線上からなくなるタイミングを示している。図３６の例では、囲みZapping形式の場合と同様（図１９参照）に、第１レイヤ１１１は断線していると判定することが可能となる。

このように、同一レイヤで複数のラベルを検出したり、判定対象のノード領域に存在しないレイヤラベルを検出したら他の領域（回路）への干渉、同一レイヤラベル上でプロットするＩＮとＯＵＴの切り替わりが複数回検出されたりしたら、断線の可能性があるとして欠陥修正不可と判定する。

ノード領域以外の領域への干渉や断線判定で欠陥修正不可とされる欠陥の中には、欠陥の発生箇所とレイヤの形状によっては、囲みZapping形式の場合と同様に誤判定をするケースもある。しかし、静止Zapping形式の場合、欠陥領域に直接レーザを照射することから、囲みZapping形式の場合よりもレーザ照射面積は狭くなる。そのため、繰り返しパターン内の配線が非常に近接していたり、InnerDist、OuterDistに大きな値を設定したりしない限り、誤判定の発生頻度は低くなることが予想される。そして、もし実際に欠陥修正不可と誤判定されたときであっても、欠陥修正不可能な領域に修正を実施してしまう恐れを考慮してレーザの照射は行わないことが望ましい。そのため今回、静止Zapping形式での最適化は必要ないものとする。

［減少するノード領域の面積の判定］
欠陥修正の実行に伴って減少するノード領域の面積は次のように定義する。
図３７は、静止Zapping形式のリペアオブジェクトによる欠陥修正の実行に伴い減少するノード領域の面積の定義を説明するための図である。減少するノード領域の面積の取得方法は囲みZapping形式の場合と同じ定義でよく、複数のリペアオブジェクトが重なるときの相殺方法も囲みZappingの場合と同じでよい（図２３参照）。図３７の例では、リペアオブジェクト２７１，２７３の外周の矩形とリーク欠陥が発生するノード領域１１３の各々が重なる部分２７２，２７４が減少するノード領域の面積となる。

上述した実施の形態における囲みZapping形式又は静止Zapping形式のリペアオブジェクトの対応形式、優先順位などは欠陥修正装置や回路状況、レーザの設定に依存する。一般的には処理時間が短い静止Zapping形式を優先し、それで欠陥修正が不可能なときは囲みZapping形式のリペアオブジェクトを生成するとよい。

［欠陥領域がノード領域に重ならない場合の対応］
ところで、リーク欠陥は必ずしも多層構造の上層と下層の間におけるショート欠陥であるとは限らない。
図３８は、電気的な導通検査でリーク欠陥と判定される例を示す図である。この例では、第２レイヤ１１２の変形で生じた欠陥２８２により、第２レイヤ１１２だが異なるレイヤラベルがショートしている。この場合、リーク欠陥が発生するノード領域１１３内に欠陥は存在せず、厳密には第２レイヤ１１２の同層ショートとみなすことができる。しかし、コンタクトホール２８１によって第１レイヤ１１１と第２レイヤ１１２をつないでいるので、第１レイヤ１１と第２レイヤ１１２がショートしている。そのため、欠陥の種類としては層間ショートと同じ結果となり、繰り返しパターンの画像を取得するまでは層間ショートと区別がつかない。

こういったケースでは、同層ショート欠陥と同じく、図３９に示すような従来のテンプレートの登録によるリペアオブジェクト２８３の取得、適用が有効となる。また、この場合、欠陥修正による回路領域の除去面積は考慮しない。このように、欠陥の発生箇所に応じて、本願開示の囲みZappingもしくは静止Zappingを用いたリペアオブジェクトの自動生成による欠陥修正方法と、従来のテンプレートを用いた欠陥修正方法を切り替えるとよい。

リーク欠陥の欠陥修正手法では、リーク欠陥の発生領域（ノード領域）で発生した欠陥に対して囲みZappingもしくは静止Zappingを利用して生成したリペアオブジェクトについてレーザの性能、調整条件等によって複数のリペアオブジェクトの重複が可能である。しかし、従来の登録テンプレートの選別、適用については、配線の結線処理を行うためのＣＶＤオブジェクトを用いたものは他の領域に対するリペアオブジェクトと重なると不具合を起こすため、複数の欠陥領域が存在するときは適用可能な条件が限られる。

基本的に他の欠陥領域、及び他の欠陥領域をターゲットとしたリペアオブジェクトに対してＣＶＤオブジェクトが重複していなければ適用可能とする。また、複数の欠陥領域に対して欠陥修正不可能な欠陥領域と可能な欠陥領域が混在するときは、その旨もメッセージ等でテンプレートと共に出力する。

［リーク欠陥に対する欠陥修正手法（リペアオブジェクト）の取得処理］
以下、図４０及び図４１を参照して、制御部３０１により実行されるリーク欠陥に対する欠陥修正手法を取得する手順（図７におけるステップＳ１８の欠陥修正手法（リペアオブジェクト）の最適化に対応）の一例を説明する。なお、図４０及び図４１に示す手順は、上述した各処理を一つの流れで表したものであるから一例に過ぎず、一部の処理の順番を変えたり省略したりすることができ、この例に限られない。

まず、リーク欠陥の位置や特徴等を含む欠陥領域情報が欠陥検出部３０３から制御部３０１（図５参照）へ入力される（ステップＳ１）。制御部３０１へ入力された欠陥領域情報は入出力部３５１（図６参照）を介して画像処理部３５２へ入力され、画像処理部３５２で適宜画像処理が行われる。制御部３０１は、欠陥領域情報から繰り返しパターンにリーク欠陥が存在することを検出すると出力メッセージをクリアする（ステップＳ２）。

次に、制御部３０１の欠陥判定部３５３（図６参照）は、欠陥領域情報から欠陥領域はリーク欠陥が発生するノード領域に重なるか否かを判定する（ステップＳ３）（図３８参照）。ノード領域に重なる場合はステップＳ４に進み、重ならない場合はステップＳ１５へ進む。

ステップＳ３の判定処理において欠陥領域はリーク欠陥が発生するノード領域に重なる場合、欠陥判定部３５３は、欠陥領域が不正な領域には重ならないか否かを判定する（ステップＳ４）。欠陥領域が不正な領域に重ならない場合はステップＳ５へ進み、不正な領域に重なる場合はステップＳ１４へ進む。ここで、不正な領域とは、レーザ照射禁止領域（図２１、図３３参照）、ノード領域を構成するレイヤラベル以外のレイヤラベル（図２２、図３５参照）、複数の背景ラベル（図２０、図３４参照）、並びに同一レイヤで複数のラベルを検出（図２２、図３５）したときが該当する。

ステップＳ４の判定処理において欠陥領域が不正な領域に重ならない場合、欠陥判定部３５３は、欠陥領域は静止Zappingに対応可能な面積か否かを判定する（ステップＳ５）。図３２の説明で述べたように、欠陥領域が静止Zappingに対応可能な面積であるとは、当該欠陥領域の面積が設定上限の面積より小さいことをいう。静止Zappingに対応可能な面積である場合はステップＳ６へ進み、対応できないない面積である場合はステップＳ７へ進む。

ステップＳ５の判定処理において欠陥領域が静止Zappingに対応可能な面積である場合、リペアオブジェクト生成部３５４は、静止Zapping形式のリペアオブジェクトを生成する（ステップＳ６）（図３２参照）。この処理が終了後、ステップＳ１０へ進む。

また、ステップＳ５の判定処理において欠陥領域が静止Zappingに対応可能な面積ではない場合、リペアオブジェクト生成部３５４は、囲みZapping形式のリペアオブジェクトを生成する（ステップＳ７）（図１７参照）。

次に、囲みZapping最適化部３５５は、生成された囲みZapping形式のリペアオブジェクトを最適化するか否かを判定し（ステップＳ８）、最適化する場合はステップＳ９へ進み、最適化しない場合はステップＳ１０へ進む。

ステップＳ８の判定処理において最適化すると判定した場合、囲みZapping最適化部３５５は、対象の囲みZapping形式のリペアオブジェクトを最適化する（ステップＳ９）（図２６、図２７〜図３０参照）。この処理が終了後、ステップＳ１０へ進む。

ステップＳ６，Ｓ８の判定処理、又はステップ９の処理が終了後、リペアオブジェクト判定部３５６は、生成したリペアオブジェクトが不正な領域に重ならないか否かを判定する（ステップＳ１０）。不正な領域に重なる場合はステップＳ１４へ進み、重ならない場合はステップＳ１１へ進む。

またステップＳ１０の判定処理において生成したリペアオブジェクトが不正な領域に重ならない場合、リペアオブジェクト判定部３５６は、生成したリペアオブジェクトによる断線が引き起こされるか否かを判定する（ステップＳ１１）。断線が引き起こされない場合はステップＳ１２へ進み、断線が引き起こされる場合はステップＳ１３へ進む。

ステップＳ１１の判定処理において生成したリペアオブジェクトによる断線が引き起こされない場合、リペアオブジェクト判定部３５６は、そのリペアオブジェクトを欠陥修正部３０２へ出力するリペアオブジェクトの候補に追加する（ステップＳ１２）。この処理が終了後、ステップＳ２６へ進む。

一方、ステップＳ１１の判定処理において生成したリペアオブジェクトによる断線が引き起こされる場合、コメント生成部３５７は、断線が起こるため欠陥修正不可である旨のコメントをメモリ３６０から読み出す（ステップＳ１３）。この処理が終了後、ステップＳ２２へ進む。

またステップＳ４又はステップＳ１０の判定処理が終了後、コメント生成部３５７は、欠陥修正不可能な欠陥領域である旨のコメントをメモリ３６０から読み出す（ステップＳ１４）。この処理が終了後、ステップＳ２２へ進む。

ここでステップＳ３の判定処理において欠陥領域はリーク欠陥が発生するノード領域に重ならない場合、テンプレート選定部３５８は、登録されたテンプレートから欠陥領域に最適なテンプレートを選定する（ステップＳ１５）（図３９参照）。そして、欠陥領域に適用可能なテンプレートを取得できたか否かを判定し（ステップＳ１６）、適用可能なテンプレートを取得できた場合はステップＳ１７へ進み、取得できない場合はステップＳ２２へ進む。

ステップＳ１６の判定処理において欠陥領域に適用可能なテンプレートを取得できた場合、テンプレート選定部３５８は、適用可能なテンプレートにＣＶＤオブジェクトが存在するか否かを判定する（ステップＳ１７）。ＣＶＤオブジェクトが存在する場合はステップＳ１８へ進み、存在しない場合はステップＳ２５へ進む。

ステップＳ１７の判定処理において適用可能なテンプレートにＣＶＤオブジェクトが存在する場合、リペアオブジェクト判定部３５６は、そのＣＶＤオブジェクトが他の欠陥領域やリペアオブジェクトに重ならないか否かを判定する（ステップＳ１８）。他の欠陥領域やリペアオブジェクトに重なる場合はステップＳ１９へ進み、重ならない場合はステップＳ２５へ進む。

ステップＳ１８の判定処理においてＣＶＤオブジェクトが他の欠陥領域やリペアオブジェクトに重なる場合、テンプレート選定部３５８は、他にも適用可能なテンプレートの候補があるか否かを判定する（ステップＳ１９）。他にも適用可能なテンプレートの候補がある場合はステップＳ２０へ進み、次の候補を確認（ステップＳ２０）した後、ステップＳ１７へ進む。他方、適用可能なテンプレートの候補がない場合はステップＳ２１へ進む。

ステップＳ１９の判定処理において他に適用可能なテンプレートの候補がない場合、コメント生成部３５７は、該当テンプレートがない旨のコメントをメモリ３６０から読み出す（ステップＳ２１）。

ステップＳ１３，Ｓ１４，Ｓ２１の処理、又はステップＳ１６の判定処理が終了後、コメント生成部３５７は、出力メッセージが設定されていないかどうかを判定する（ステップＳ２２）。出力メッセージが設定されていない場合はステップＳ２３へ進み、設定されている場合はステップＳ２４へ進む。

ステップＳ２２の判定処理において出力メッセージが設定されていない場合、コメント生成部３５７は、ユーザの指示に従って出力メッセージにコメントを設定する（ステップＳ２３）。一方、ステップＳ２２の判定処理において出力メッセージが設定されている場合、一部の欠陥領域は修正不可である旨のメッセージをメモリ３６０から読み出し、ディスプレイ３２７へ出力する（ステップＳ２４）。これらの処理が終了後、スッテップＳ２６へ進む。

またステップＳ１７，Ｓ１８の判定処理が終了後、リペアオブジェクト判定部３５６は取得したテンプレートのリペアオブジェクトを欠陥修正部３０２へ出力するリペアオブジェクトの候補に追加する（ステップＳ２５）。この処理が終了後、スッテップＳ２６へ進む。

ステップＳ１２，Ｓ２３〜Ｓ２５の処理が終了後、制御部３０１は、すべての欠陥領域に対して適切な処理を完了したか否かを判定し（ステップＳ２６）、処理を完了した場合はステップＳ２７へ進み、完了していない場合はステップＳ２６Ａへ進み、次の欠陥領域の処理を開始してステップＳ３へ移行する。

ステップＳ２６の判定処理ですべての欠陥領域に対して適切な処理を完了した場合、リペア除去面積演算部３５９は、出力リペアオブジェクト候補のうち、自動生成したリペアオブジェクトすべてのリペア除去面積を取得する（ステップＳ２７）。この処理が終了後、ステップＳ２８へ進む。

続いて、リペア除去面積演算部３５９は、ノード領域のリペア除去面積が除去可能な面積の上限を超えたか否かを判定し（ステップＳ２８）、除去可能な面積の上限を超えた場合はステップＳ２９へ進み、上限を超えていない場合はステップＳ３２へ進む。

ステップＳ２８の判定処理でノード領域のリペア除去面積が除去可能な面積の上限を超えた場合、制御部３０１は、欠陥修正可能な欠陥領域のみ修正を行うか否かを判定する（ステップＳ２９）。修正可能な欠陥領域のみ修正を行う場合はステップＳ３０へ進み、欠陥修正可能な欠陥領域のみの修正を行わない場合はステップＳ３５へ進む。例えば、修正可能な欠陥領域のみ修正を行うかどうかを予めユーザに選択させ、その選択内容をメモリ３６０へ保存しておく。そして、その選択内容に基づいて上記の判定を行うようにする。

ステップＳ２９の判定処理で欠陥修正可能な欠陥領域のみ修正を行う場合、制御部３０１は、除去面積の上限を超えないように登録されているリペアオブジェクトの一部を削除する（ステップＳ３０）。そして、制御部３０１のコメント生成部３５７は、一部の欠陥領域が修正不可である旨のメッセージをメモリ３６０から読み出す（ステップＳ３１）。

ステップＳ２８の判定処理でノード領域のリペア除去面積が除去可能な面積の上限を超えない場合、制御部３０１のコメント生成部３５７は、出力メッセージが設定されていないかどうかを判定し（ステップＳ３２）、設定されていない場合はステップＳ３７へ進み、設定されている場合はステップＳ３３へ進む。

ステップＳ３２の判定処理で出力メッセージが設定されている場合、制御部３０１は、修正可能な欠陥領域のみ修正を行うか否かを判定し（ステップＳ３３）、修正可能な欠陥領域のみ修正を行う場合はステップＳ３７へ進み、修正を行わない場合はステップＳ３４へ進む。

ステップＳ３２，Ｓ３３の判定処理が終了後、制御部３０１のコメント生成部３５７は、リペアオブジェクト取得に成功した旨のメッセージを設定し（ステップＳ３７）、ステップＳ３８へ進む。一方、ステップＳ３３の判定処理において修正可能な欠陥領域のみ修正を行う場合、制御部３０１のコメント生成部３５７は、修正不可能な欠陥領域である旨のメッセージをメモリ３６０から読み出し（ステップＳ３４）、ステップＳ３６へ進む。

ステップＳ２９の判定処理で修正可能な欠陥領域のみ修正を行う場合、制御部３０１のコメント生成部３５７は、リペアによる除去面積が上限を超えるため欠陥修正不可である旨のメッセージをメモリ３６０から読み出す（ステップＳ３５）。

ステップＳ３４，Ｓ３５の処理が終了後、制御部３０１は、出力リペアオブジェクト候補をすべてクリアし（ステップＳ３６）、ステップＳ３８へ進む。

そして、ステップＳ３１，Ｓ３７，Ｓ３６の処理が終了後、出力可能なリペアオブジェクトとメッセージをディスプレイ３２７へ出力する（ステップＳ３８）。この処理が終了したらリーク欠陥に対する欠陥修正手法（リペアオブジェクト）を取得する処理を終了する。

上述した実施の形態では、登録された繰り返しパターン内に構成される領域情報を定義し、層間ショート欠陥の実際の欠陥領域からの欠陥修正手法（リペアオブジェクト）の自動生成と、欠陥修正手法実行の可否判定を行う。それにより、従来、欠陥修正の自動化が不可能であった層間ショート欠陥の修正の自動化が可能となる。

以上、本発明の各実施の形態の例について説明したが、本発明は上記各実施の形態例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨を逸脱しない限りにおいて、他の変形例、応用例を含むことはいうまでもない。

例えば、上述した実施の形態では、フラットパネルディスプレイのガラス基板上に形成されたデザインパターンの欠陥修正を行なう場合について説明したが、修正対象はこの例に限定されるものではない。例えば半導体ウェハ、フォトマスク、磁気ディスク等、修正対象基板上に所定パターンが形成されたものに適用できる。

また、欠陥修正装置３００の制御部３０１で行われる一連の処理は、ハードウェアにより実行させることもできるし、ソフトウェアにより実行させることもできる。また、これらの処理を実行する機能はハードウェアとソフトウェアの組み合わせによっても実現できることは言うまでもない。一連の処理をソフトウェアにより実行させる場合には、そのソフトウェアを構成するプログラムが専用のハードウェアに組み込まれているコンピュータ、または、各種のプログラムをインストールすることで各種の機能を実行することが可能な、例えば汎用のコンピュータなどに、プログラム記録媒体からインストールされる。

図５に示した制御部３０１は、ＭＰＵ等の演算処理装置が不揮発性メモリに記録されているプログラムを実行することによって目的の機能を実現するようにしたが、同図に示す各機能ブロックはそれぞれ個別のプログラムによって実現してもよい。また、複数の機能ブロックを１つのプログラムによって実現するようにしてもよい。また、同図に示す機能ブロックをハードウェアによって実現してもよい。

また、修正手法データベース３２５が欠陥修正装置３００ではなく、遠方のサーバに格納され、ＬＡＮやインターネット等のネットワークを介して当該修正手法データベース２２５にアクセスして、欠陥修正手法を取得するような形態としてもよい。

また、本明細書における処理ステップは、記載された順序に沿って時系列的に行われる処理はもちろん、必ずしも時系列的に処理されなくとも、並列的あるいは個別に実行される処理（例えば、並列処理あるいはオブジェクトによる処理）をも含むものである。

１…配線基板、２…配線部、２ａ…欠陥配線部、３…基板、４…、５…配線、６…繰り返しパターン区域、９０…リーク欠陥、９１…リペアオブジェクト（囲みZapping形式）、９２…リペアオブジェクト（静止Zapping形式）、１００…リーク欠陥、１０１…外接四角形、１０２…リペアオブジェクト（囲みZapping形式）、１０３…最外周矩形、１１１…第１レイヤ、１１２…第２レイヤ、１１３…ノード領域、１１５…リペアオブジェクト、１１６…最外周矩形、１１７ａ,１１７ｂ…切替点、１２１,１２５,１２７…リペアオブジェクト、１２２,１２６,１２８…最外周矩形、１２３ａ,１２３ｂ,１２４ａ,１２４ｂ…切替点、１４２…リペアオブジェクト、１４３…最外周矩形、１４５…レーザ照射禁止領域、１４６Ａ,１４６Ｂ…切替点、１５２…リペアオブジェクト、１５３…最外周矩形、１６１,１６３…リペアオブジェクト、１６２…矩形、１７１…リペアオブジェクト、１７２…最外周矩形、１７３…領域、１８１…リペアオブジェクト、１８２…最外周矩形、１９１〜１９５…リペアオブジェクト（変形型）、２０１…リペアオブジェクト、２０１ａ〜２０１ｄ…頂点、２０２…矩形、２０３ａ，２０３ｂ…切替点、２０４ａ，２０４ｂ…頂点、２０１ａ１，２０１ｃ１…頂点、２０１Ａ…リペアオブジェクト、２０２Ａ…矩形、２０２ａ〜２０２ｄ…頂点、２０５…最外周矩形、２１１，２１１Ａ，２１１Ｂ…リペアオブジェクト、２１２Ａ，２１２Ｂ…矩形、２２０…リーク欠陥、２２０ａ…中心座標、２２１…外接四角形、２２２…リペアオブジェクト（静止Zapping形式）、２２３…最外周矩形、２３２…リペアオブジェクト、２３３…最外周矩形、２３４…レーザ照射禁止領域、２５２…リペアオブジェクト、２５３…最外周矩形、２６１…リペアオブジェクト、２６２…最外周矩形、２６３ａ，２６３ｂ…切替点、２７１，２７３…リペアオブジェクト、２８３…リペアオブジェクト、３００…欠陥修正装置、３０１…制御部、３０２…欠陥修正部、３０３…欠陥検出部、３２５…修正手法データベース、３５１…入出力部、３５２…画像処理部、３５３…欠陥判定部、３５４…リペアオブジェクト生成部、３５５…囲みZapping最適化部、３５６…リペアオブジェクト判定部、３５７…コメント生成部、３５８…テンプレート選定部、３５９…リペア除去面積演算部、３６０…メモリ

Claims (6)

1. 多層基板における繰り返しパターン内の欠陥を検出する欠陥検出部と、
   前記多層基板の欠陥を指定された欠陥修正手法により修正する欠陥修正部と、
   前記欠陥検出部で検出された欠陥が層間ショート欠陥の発生が想定される領域に重なることを検出した場合、層間ショート欠陥用の欠陥修正手法に対応するオブジェクトを生成し、生成したオブジェクトを利用して前記欠陥の修正を実行する前記欠陥修正部を制御する制御部と、を備える
   欠陥修正装置。
2. 前記制御部は、前記検出された欠陥の面積が所定面積より小さい場合、前記欠陥に直接レーザ照射するためのオブジェクトを生成し、前記検出された欠陥の面積が所定面積より大きい場合、前記欠陥の周囲を囲むようにレーザ照射するためのオブジェクトを生成する
   請求項１に記載の欠陥修正装置。
3. 前記制御部は、前記生成したオブジェクトに基づいて欠陥修正手法を実行したと想定したとき、前記層間ショート欠陥の発生が想定される領域以外の領域における回路に影響を与える場合には、欠陥修正を行わないよう制御する
   請求項２に記載の欠陥修正装置。
4. 前記制御部は、前記生成したオブジェクトに基づいて欠陥修正手法を実行した場合に、前記層間ショート欠陥の発生が想定される領域に実施される欠陥修正の面積が所定面積を超える場合、欠陥修正を行わないよう制御する
   請求項３に記載の欠陥修正装置。
5. 欠陥修正手法としての複数のオブジェクトが登録されたデータベースを更に備え、
   前記制御部は、前記欠陥検出部で検出された欠陥が層間ショート欠陥の発生が想定される領域に重ならないことを検出した場合、前記データベースから前記欠陥に適したオブジェクトを読み出し、読み出したオブジェクトを利用して前記欠陥修正部を制御する
   請求項１乃至４のいずれかに記載の欠陥修正装置。
6. 欠陥修正装置が備える欠陥検出部により、多層基板における繰り返しパターン内の欠陥を検出するステップと、
   前記欠陥修正装置が備える制御部により、前記欠陥検出部で検出された欠陥が層間ショート欠陥の発生が想定される領域に重なることを検出した場合、層間ショート欠陥用の欠陥修正手法に対応するオブジェクトを生成するステップと、
   前記制御部により、生成したオブジェクトを利用して前記欠陥の修正を実行する前記欠陥修正部を制御するステップと、を備える
   欠陥修正方法。

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