JP5923972B2 - 光電変換装置の製造方法および当該光電変換装置を用いた撮像装置の製造方法 - Google Patents
光電変換装置の製造方法および当該光電変換装置を用いた撮像装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5923972B2 JP5923972B2 JP2011283787A JP2011283787A JP5923972B2 JP 5923972 B2 JP5923972 B2 JP 5923972B2 JP 2011283787 A JP2011283787 A JP 2011283787A JP 2011283787 A JP2011283787 A JP 2011283787A JP 5923972 B2 JP5923972 B2 JP 5923972B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- electrode
- contact hole
- patterning
- interlayer insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 33
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 162
- 230000008439 repair process Effects 0.000 claims description 102
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 64
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 56
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 56
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 56
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 48
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 47
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 30
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 10
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 8
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 27
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- IYHIWXOXDZSAEO-SVBPBHIXSA-N 3-[1-[(2s)-1-[4-[4-[4-[(2s)-2-[4-(2-carboxyethyl)triazol-1-yl]propanoyl]piperazin-1-yl]-6-[2-[2-(2-prop-2-ynoxyethoxy)ethoxy]ethylamino]-1,3,5-triazin-2-yl]piperazin-1-yl]-1-oxopropan-2-yl]triazol-4-yl]propanoic acid Chemical compound N1([C@@H](C)C(=O)N2CCN(CC2)C=2N=C(NCCOCCOCCOCC#C)N=C(N=2)N2CCN(CC2)C(=O)[C@H](C)N2N=NC(CCC(O)=O)=C2)C=C(CCC(O)=O)N=N1 IYHIWXOXDZSAEO-SVBPBHIXSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
- H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
以下に本発明の好ましい実施の形態を説明する。図33(a)に、本実施の形態1に係る光電変換装置を用いた放射線撮像装置の構成図を示す。X線源101から照射されたX線102は、被写体である人体103内の組織に応じた透過率で透過し、光電変換装置104に照射される。光電変換装置104内では照射されたX線102を直接、もしくはシンチレータ等により蛍光に変換してからアレイ基板1に照射し、X線102を電気信号に変換する。得られた電気信号は画像処理装置105に送られて、人体103内の組織部位に応じた透過率を反映した画像を得るための画像処理が行われることにより画像が表示される。
なお、本実施の形態ではフォトダイオードのシリコン膜PDSのレジストパターンをリペアした後に、リペアしたレジストパターンをマスクとしてシリコン膜PDSをエッチングすることでパターン不良を修正したが、ゲート線GLにかからない領域であればフォトダイオードのシリコン膜PDSをレーザリペア法等で除去してもよい。
実施の形態2にかかる光電変換装置のアレイ基板の画素部の平面図を図12(a)に、図12(a)中のJ−J部を図12(b)に示す。
実施の形態1、2においては、コンタクトホールCH2を横切るパターン不良に対するリペアについて説明したが、本実施の形態3においては、コンタクトホールCH2を横切ることなくデータ線下に発生したパターン不良に対するリペアについて説明する。
図22(a)と、そのU−U部の断面図である図22(b)として、本実施の形態の平面図及びB-B断面図を示す。
本実施の形態の平面図を図27(a)に、そのZ−Z部断面を図27(b)に示す。
101:X線源、102:X線、103:人体、104:光電変換装置、
105:画像処理装置、106:ゲート駆動ドライバ、107:電荷読み出し回路
P:画素、PX:画素部
TP:端子、AH:導電性カバー、SR:周辺部
GL:ゲート線、DL:データ線、TR:スイッチング素子
PD:フォトダイオード、光電変換素子
PDS、PD(p)、PD(i)、PD(n):フォトダイオードのシリコン層
TE:上部電極(透明電極)
BL:バイアス線
SUB:絶縁基板、GE:ゲート電極、GI:ゲート絶縁膜
SI:半導体膜、SN:導電性不純物がドーピングされた半導体膜
WL:チャネル、S:ソース電極、D:ドレイン電極
PV1:第1層間絶縁膜
BE:下部電極
PV2:第2層間絶縁膜
PS:遮光膜
FP:平坦化保護膜
PR:レジストパターン
PRX:レジストパターン不良部
PRR:レジストパターンのリペア部
PX:パターン不良部
RDG:リペアダメージ部
DT:異物
PDSL:シリコン膜の欠損領域
RBE:下部電極のリペア部
LRM:低抵抗な導電膜
UCH:非開口部
PRU:レジスト未露光部
PRA:レジスト追加露光部
PRO:レジスト開口部
Claims (4)
- 基板上に薄膜トランジスタを形成する工程と、
薄膜トランジスタ上に第1層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜に前記薄膜トランジスタのドレイン電極に通じる第1のコンタクトホールを開口する工程と、
第1層間絶縁膜上に下部電極となる導電膜、光電変換素子のシリコン膜、上部電極となる透明導電膜を成膜する工程と、
前記透明導電膜から上部電極をパターニングする工程と、
前記シリコン膜から光電変換素子をパターニングする工程と、
前記導電膜から前記第1のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極と接続する下部電極をパターニングする工程と、
少なくとも前記上部電極をパターニングする工程、前記光電変換素子をパターニングする工程、前記下部電極をパターニングする工程の何れかにおいて、画像認識による欠陥検査を実施し、隣接する光電変換素子間でパターン不良となるアドレスを登録する工程と、
前記登録したアドレスの光電変換素子間を、少なくとも前記上部電極をパターニングする工程、前記光電変換素子をパターニングする工程、前記下部電極をパターニングする工程の何れかにおいて修復する工程と、
前記アドレスの前記薄膜トランジスタにおいて、半導体層と前記ドレイン電極が接続する箇所と前記光電変換素子と前記ドレイン電極が接続する箇所とが分離されるように前記ドレイン電極を分離するか、または、
前記アドレスの前記薄膜トランジスタにおいて、半導体層と前記ソース電極が接続する箇所と前記データ線と前記ソース電極が接続する箇所とが分離されるように前記ソース電極を分離するか、の少なくとも一つのリペアを行う工程と、
前記光電変換素子と前記上部電極の上層に第2層間絶縁膜を形成する工程と、
前記ソース電極に通じる第2のコンタクトホールと、前記上部電極に通じる第3のコンタクトホールとを前記第2層間絶縁膜に開口する工程と、
前記第2層間絶縁膜上に前記第2のコンタクトホールを介して前記ソース電極と接続するデータ線と、前記第3のコンタクトホールを介して前記上部電極と接続するバイアス線と、遮光膜とを形成する工程を備えた、光電変換装置の製造方法。 - 基板上に薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタ上に第1層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜に前記薄膜トランジスタのドレイン電極に通じる第1のコンタクトホールを開口する工程と、
前記第1層間絶縁膜上に下部電極となる導電膜、光電変換素子のシリコン膜、上部電極となる透明導電膜を成膜する工程と、
前記透明導電膜から上部電極をパターニングする工程と、
前記シリコン膜から光電変換素子をパターニングする工程と、
前記導電膜から前記第1のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極と接続する下部電極をパターニングする工程と、
少なくとも前記上部電極をパターニングする工程、前記光電変換素子をパターニングする工程、前記下部電極をパターニングする工程の何れかにおいて、画像認識による欠陥検査を実施し、隣接する光電変換素子間でパターン不良となるアドレスを登録する工程と、
前記登録したアドレスの光電変換素子間を、少なくとも前記上部電極をパターニングする工程、前記光電変換素子をパターニングする工程、前記下部電極をパターニングする工程の何れかにおいて修復する工程と、
前記光電変換素子と前記上部電極の上層に第2層間絶縁膜を形成する工程と、
前記薄膜トランジスタのソース電極に通じる第2のコンタクトホールと、前記上部電極に通じる第3のコンタクトホールとを前記第2層間絶縁膜に開口する工程と、
前記第2層間絶縁膜上に前記第2のコンタクトホールを介して前記ソース電極と接続するデータ線と、前記第3のコンタクトホールを介して前記上部電極と接続するバイアス線と、遮光膜とを形成する工程を備え、
前記下部電極をパターニングする工程において、前記登録したアドレスの前記薄膜トランジスタにおける前記第1のコンタクトホールを含む領域の前記下部電極を除去することを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 基板上に薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタ上に第1層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜に前記薄膜トランジスタのドレイン電極に通じる第1のコンタクトホールを開口する工程と、
前記第1層間絶縁膜上に下部電極となる導電膜、光電変換素子のシリコン膜、上部電極となる透明導電膜を成膜する工程と、
前記透明導電膜から上部電極をパターニングする工程と、
前記シリコン膜から光電変換素子をパターニングする工程と、
前記導電膜から前記第1のコンタクトホールを介して前記ドレイン電極と接続する下部電極をパターニングする工程と、
前記光電変換素子と前記上部電極の上層に第2層間絶縁膜を形成する工程と、
前記薄膜トランジスタのソース電極に通じる第2のコンタクトホールと、前記上部電極に通じる第3のコンタクトホールとを前記第2層間絶縁膜に開口する工程と、
前記第2層間絶縁膜上に前記第2のコンタクトホールを介して前記ソース電極と接続するデータ線と、前記第3のコンタクトホールを介して前記上部電極と接続するバイアス線と、遮光膜とを形成する工程と、
前記第2層間絶縁膜上に前記データ線と、前記バイアス線と、前記遮光膜とを形成する工程において、画像認識による欠陥検査を実施し、隣接する前記データ線、前記バイアス線間のパターン不良となるアドレスを登録する工程と、
前記アドレスでのパターン不良を修復する工程と、
前記アドレスの前記薄膜トランジスタにおいて、半導体層と前記ドレイン電極が接続する箇所と前記光電変換素子と前記ドレイン電極が接続する箇所とが分離されるように前記ドレイン電極を分離するか、または、
前記アドレスの前記薄膜トランジスタにおいて、半導体層と前記ソース電極が接続する箇所と前記データ線と前記ソース電極が接続する箇所とが分離されるように前記ソース電極を分離するか、の少なくとも一つのリペアを行う工程と、を備えた光電変換装置の製造方法。 - 修復した画素のアドレスを、補正対象画素として登録する工程を備えた請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光電変換装置を用いた撮像装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011283787A JP5923972B2 (ja) | 2011-12-26 | 2011-12-26 | 光電変換装置の製造方法および当該光電変換装置を用いた撮像装置の製造方法 |
US13/707,537 US8828808B2 (en) | 2011-12-26 | 2012-12-06 | Photoelectric conversion apparatus, imaging apparatus using the same, and manufacturing method thereof |
US14/302,268 US9153618B2 (en) | 2011-12-26 | 2014-06-11 | Photoelectric conversion apparatus, imaging apparatus using the same, and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011283787A JP5923972B2 (ja) | 2011-12-26 | 2011-12-26 | 光電変換装置の製造方法および当該光電変換装置を用いた撮像装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016085010A Division JP6164334B2 (ja) | 2016-04-21 | 2016-04-21 | 光電変換装置とその製造方法ならびに当該光電変換装置を用いた撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013135060A JP2013135060A (ja) | 2013-07-08 |
JP5923972B2 true JP5923972B2 (ja) | 2016-05-25 |
Family
ID=48653637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011283787A Active JP5923972B2 (ja) | 2011-12-26 | 2011-12-26 | 光電変換装置の製造方法および当該光電変換装置を用いた撮像装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8828808B2 (ja) |
JP (1) | JP5923972B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015177256A (ja) * | 2014-03-13 | 2015-10-05 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
US10276611B2 (en) * | 2015-06-04 | 2019-04-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photosensor substrate |
US9773836B1 (en) * | 2016-11-04 | 2017-09-26 | Dpix, Llc | Method and functional architecture for inline repair of defective lithographically masked layers |
CN108695394A (zh) * | 2017-04-06 | 2018-10-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置 |
KR20200043792A (ko) * | 2018-10-18 | 2020-04-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 고해상도 디지털 엑스레이 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 고해상도 디지털 엑스레이 검출기 |
CN113707694B (zh) * | 2021-08-13 | 2023-12-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板的修复方法、阵列基板以及显示面板 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5976978A (en) * | 1997-12-22 | 1999-11-02 | General Electric Company | Process for repairing data transmission lines of imagers |
JP2001015514A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Canon Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2002009272A (ja) | 2000-06-26 | 2002-01-11 | Canon Inc | 光電変換装置及びそのリペア方法 |
DE60336291D1 (de) | 2002-11-13 | 2011-04-21 | Canon Kk | Bildaufnahmevorrichtung, Strahlungsbildaufnahmevorrichtung und Strahlungsbildaufnahmesystem |
JP4938961B2 (ja) * | 2002-11-13 | 2012-05-23 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、放射線撮像装置及び放射線撮像システム |
TWI243429B (en) * | 2004-02-05 | 2005-11-11 | Au Optronics Corp | Thin film transistor array substrate and repairing method of the same |
JP2005302751A (ja) | 2004-04-06 | 2005-10-27 | Mitsubishi Electric Corp | レジストパターン形成方法、レジストパターン形成装置、表示装置の製造方法、及び表示装置の製造装置 |
JP2006053405A (ja) | 2004-08-13 | 2006-02-23 | Sharp Corp | アレイ基板の製造方法及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法 |
JP4498283B2 (ja) * | 2006-01-30 | 2010-07-07 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、放射線撮像装置及びこれらの製造方法 |
JP5196739B2 (ja) * | 2006-06-09 | 2013-05-15 | キヤノン株式会社 | 放射線撮像装置及び放射線撮像システム |
TWI349915B (en) * | 2006-11-17 | 2011-10-01 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Pixel structure and repair method thereof |
JP2008251609A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Mitsubishi Electric Corp | フォトセンサーおよびその製造方法 |
JP2010225735A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Mitsubishi Electric Corp | フォトセンサー及びその製造方法 |
JP2011019591A (ja) | 2009-07-14 | 2011-02-03 | Shimadzu Corp | X線撮影装置、x線検出器における欠損画素の補間方法、および、x線検出器における欠損マップの作成方法 |
JP5537135B2 (ja) * | 2009-11-30 | 2014-07-02 | 三菱電機株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
KR101094288B1 (ko) * | 2010-01-27 | 2011-12-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 엑스레이 검출 장치 |
JP2012063725A (ja) * | 2010-09-17 | 2012-03-29 | Sony Corp | 欠陥修正装置及び欠陥修正方法 |
-
2011
- 2011-12-26 JP JP2011283787A patent/JP5923972B2/ja active Active
-
2012
- 2012-12-06 US US13/707,537 patent/US8828808B2/en active Active
-
2014
- 2014-06-11 US US14/302,268 patent/US9153618B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8828808B2 (en) | 2014-09-09 |
US20130161627A1 (en) | 2013-06-27 |
JP2013135060A (ja) | 2013-07-08 |
US9153618B2 (en) | 2015-10-06 |
US20140291743A1 (en) | 2014-10-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5923972B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法および当該光電変換装置を用いた撮像装置の製造方法 | |
JP6099035B2 (ja) | 光電変換装置及びその製造方法並びにx線画像検出装置 | |
US7126158B2 (en) | Image pickup apparatus, radiation image pickup apparatus and radiation image pickup system | |
KR101910113B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
US7956433B2 (en) | Image detector and radiation detecting system with separation of metal layers for bias, scan and data lines | |
JP4498283B2 (ja) | 撮像装置、放射線撮像装置及びこれらの製造方法 | |
US20100207033A1 (en) | X-ray detector and fabrication method thereof | |
JP5398564B2 (ja) | 放射線検出素子 | |
JP4938961B2 (ja) | 撮像装置、放射線撮像装置及び放射線撮像システム | |
JP2013219067A (ja) | 放射線検出装置の製造方法、放射線検出装置、及び放射線撮像システム | |
US9293506B2 (en) | Detection apparatus, detection system, and method for manufacturing detection apparatus | |
JP2010276767A (ja) | 電子回路パターンの欠陥修正方法およびその装置 | |
TW201350895A (zh) | X光平面檢測器之製造方法及x光平面檢測器用tft陣列基板 | |
US8748835B2 (en) | X-ray detector and method of driving x-ray detector | |
JP6164334B2 (ja) | 光電変換装置とその製造方法ならびに当該光電変換装置を用いた撮像装置の製造方法 | |
EP3188223B1 (en) | Array substrate for an x-ray detector and x-ray detector comprising the same | |
KR20190028194A (ko) | 엑스레이 검출기용 어레이 기판과 이를 포함하는 엑스레이 검출기 및 그 제조 방법 | |
EP3188240A1 (en) | Array substrate for x-ray detector and x-ray detector comprising the same | |
KR102129261B1 (ko) | 엑스레이 검출기의 어레이 기판 및 그의 제조 방법 | |
KR102195521B1 (ko) | 엑스레이 검출기의 어레이 기판 및 그의 제조 방법 | |
JP5502685B2 (ja) | 放射線検出素子 | |
JP2013077788A (ja) | 半導体素子、放射線検出器、及び半導体素子の製造方法 | |
EP1936694B1 (en) | Image detector and radiation detecting system | |
KR100654774B1 (ko) | 엑스레이 디텍터 및 그 제조방법 | |
KR20220087891A (ko) | 디지털 엑스레이 검출기용 어레이 기판과 이를 포함하는 디지털 엑스레이 검출기 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20140326 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141125 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150716 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150804 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150924 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160322 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160404 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5923972 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |