CN113707694B - 阵列基板的修复方法、阵列基板以及显示面板 - Google Patents

Abstract

本申请提供阵列基板的修复方法、阵列基板以及显示面板。阵列基板的修复方法包括：对第一电极与半导体层连接处的连通孔处的半导体层进行激光照射，断开第一电极与半导体层的连接。本申请的阵列基板的修复方法在消除短路缺陷的同时，不需要使电极或走线避让预定要进行修复的位置，有利于像素的集成化，从而提高分辨率。

Description

阵列基板的修复方法、阵列基板以及显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及阵列基板的修复方法、阵列基板以及显示面板。

背景技术

显示面板在出厂前一般需要经过点屏测试，来检测是否存在暗点或者亮点等缺陷。当检测到显示面板中存在暗点或者亮点时，需要对暗点或者亮点进行修复。

已知的一种引起暗点或者亮点的原因是显示面板的阵列基板中的驱动电路发生短路。当驱动电路发生短路时，一般是利用激光将发生短路的驱动电路中的金属走线切断。由于金属走线具有一定宽度，沿金属走线的宽度方向将金属走线切断时，激光的热量可能会破坏金属走线附近的电极或者其他走线，有可能引起二次短路。因此，在显示面板的设计时，需要使电极或者走线避让预留用于切断的金属走线的位置，预留下激光修复的空间。如果预留的空间太大，则不利于高分辨率的实现，而如果预留的空间太小，则会破坏金属走线附近的电极或者走线，对良率造成一定的影响。

发明内容

本申请目的在于提供一种能够减少预留给激光修复的空间的阵列基板的修复方法、阵列基板以及显示面板。

本申请提供一种阵列基板的修复方法，所述阵列基板包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

半导体层；

层间绝缘层，覆盖所述半导体层，所述层间绝缘层中开设有连通孔，所述连通孔暴露出所述半导体层；以及

第一电极，设置于所述层间绝缘层远离所述半导体层的一侧，所述第一电极设置于所述连通孔中与所述半导体层连接；

所述阵列基板的修复方法包括：

对所述连通孔处的所述半导体层进行激光照射，断开所述第一电极与所述半导体层的连接。

在一种实施方式中，所述连通孔的孔径为2微米至10微米，所述激光照射的范围覆盖所述连通孔。

在一种实施方式中，所述阵列基板还包括遮光层和缓冲层，所述遮光层位于所述半导体层远离所述层间绝缘层的一侧且对应于所述薄膜晶体管设置，所述遮光层中开设有激光通孔，所述激光通孔对应于所述连通孔设置，且所述激光通孔的孔壁在所述层间绝缘层上的正投影位于所述连通孔的孔壁的外侧，所述缓冲层设置于所述半导体层与所述遮光层之间，所述缓冲层填充所述激光通孔，所述对所述连通孔处的所述半导体层进行激光照射，断开所述第一电极与所述半导体层的连接包括：

使激光对准所述激光通孔，从所述遮光层侧向所述半导体层侧进行激光照射。

在一种实施方式中，所述对所述连通孔处的所述半导体层进行激光照射，断开所述第一电极与所述半导体层的连接之前还包括：对所述阵列基板进行点屏，确定发生短路的像素；

所述对所述连通孔处的所述半导体层进行激光照射，断开所述第一电极与所述半导体层的连接包括：

从所述半导体层远离所述层间绝缘层的一侧向所述半导体层侧进行激光照射。

在一种实施方式中，所述对所述连通孔处的所述半导体层进行激光照射，断开所述第一电极与所述半导体层的连接之前还包括：利用光学检测确定发生短路的像素中发生短路的薄膜晶体管；

所述对所述连通孔处的所述半导体层进行激光照射，断开所述第一电极与所述半导体层的连接包括：

从所述半导体层远离所述层间绝缘层的一侧或者从所述层间绝缘层侧向所述半导体层侧进行激光照射。

本申请提供一种阵列基板，包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

半导体层；

层间绝缘层，覆盖所述半导体层，所述层间绝缘层中开设有连通孔，所述连通孔暴露出所述半导体层；以及

第一电极，设置于所述层间绝缘层远离所述半导体层的一侧，所述连通孔处的所述第一电极与所述半导体层断开连接。

在一种实施方式中，所述连通孔的孔径为2微米至10微米。

在一种实施方式中，所述半导体层中形成贯通孔，所述贯通孔对应于所述连通孔设置，所述贯通孔的孔壁在所述层间绝缘层上的正投影与所述连通孔的孔壁重合或者位于所述连通孔的孔壁的外侧。

在一种实施方式中，所述阵列基板还包括遮光层和缓冲层，所述遮光层位于所述半导体层远离所述层间绝缘层的一侧且对应于所述薄膜晶体管设置，所述遮光层中开设有激光通孔，所述激光通孔对应于所述连通孔设置，且所述激光通孔的孔壁在所述层间绝缘层上的正投影位于所述连通孔的孔壁的外侧，所述缓冲层设置于所述半导体层与所述遮光层之间，所述缓冲层填充所述激光通孔，所述缓冲层由透明材料构成。

本申请还提供一种显示面板，其包括如上描述的阵列基板。本申请的阵列基板的修复方法通过激光照射连通孔处的半导体层，将半导体层与第一电极的连接断开，切断驱动电路，在消除短路缺陷的同时，不需要使电极或走线避让预定要进行修复的位置，有利于像素的集成化，从而提高分辨率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请中的技术方案，下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请的显示面板的部分剖视图。

图2为图1的显示面板的像素的结构图。

图3为图1的显示面板的驱动电路图。

图4为图1的遮光层的激光通孔与连通孔的俯视示意图。

图5为对连通孔处的半导体层进行激光照射的步骤示意图。

图6为修复后的图5中的显示面板的结构示意图。

图7为从层间绝缘层侧向半导体层照射激光的步骤示意图。

图8为从衬底侧向半导体层照射激光射的步骤示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施方式中的附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接，也可以包括第一和第二特征不是直接连接而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

以下将结合附图对本发明的阵列基板、显示面板以及阵列基板的修复方法进行详细描述。

请参考图1，显示面板1包括阵列基板100。阵列基板100包括衬底10、设置于衬底10上的驱动电路层20、设置于驱动电路层20上的像素定义层30、以及位于像素定义层30中的OLED器件40。

衬底10可以为透明衬底10。透明衬底10的透光率可以达到80％以上，后续采用激光进行照射时，激光能够穿透透明衬底10而不产生过大的能量损失。衬底10可以是玻璃、塑料或者柔性衬底。“柔性衬底”是指衬底可弯曲、可折叠或者可变形。柔性衬底可以由单层柔性有机层构成，也可以由两层以及以上的柔性有机层构成。柔性有机层的材料选自聚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚芳酯(PAR)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(PEI)和聚醚砜(PES)中的一种。相邻柔性有机层之间设置有阻隔层，阻隔层选自二氧化硅、氮化硅等无机材料。

请参考图2和图3，显示面板1包括多个像素PX。多个像素PX可以呈阵列排布。驱动电路层20包括多个驱动电路21。每一像素PX中设置有一个驱动电路21。驱动电路21可以是2T1C，3T1C，5T1C或者7T1C等本领域常用的像素驱动电路。可选的，本实施方式的驱动电路21为3T1C电路。每一驱动电路包括一条数据线DATA、一条VDD电源线、一条读取信号线RD和一条写入信号线WR。数据线DATA与VDD电源线沿第一方向D1延伸，且沿第二方向D2间隔设置，读取信号线RD与写入信号线WR沿第二方向D2延伸，且沿第一方向D1间隔设置。第一方向D1与第二方向D2相交。可选的，第一方向D1与第二方向D2垂直。驱动电路21还包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、存储电容Cst以及OLED器件40。其中，第一晶体管T1的栅极连接于写入信号线WR，源极连接于数据线DATA，漏极连接于第二晶体管T2的栅极。第二晶体管T2的栅极连接于第一晶体管T1的漏极，漏极连接于VDD信号线，源极连接于OLED的阳极41。OLED器件40的阴极43连接于VSS信号线，阳极41连接于第二晶体管T2的源极。存储电容Cst的第一极板连接于第一晶体管T1的漏极与第二晶体管T2的栅极之间，存储电容Cst的第二极板连接于第二晶体管T2的源极与OLED器件40的阳极41之间。第三晶体管T3的栅极连接于读取信号线RD，源极连接于第二晶体管T2的源极与OLED器件40的阳极41之间，漏极连接于感测信号线SENSE。

请再次参考图1，图1中仅示出了本申请的第二晶体管T2的结构。但，第一晶体管T1和第三晶体管T3可以参考第二晶体管T2的结构，因此省略其说明。第二晶体管T2包括依次层叠设置于衬底10上的半导体层CL、栅极绝缘层GI、栅极GE、层间绝缘层IL、第一电极E1以及第二电极E2。具体地，半导体层CL可以为金属氧化物半导体或者低温多晶硅(LowTemperature Poly-Silicon，LTPS)。金属氧化物半导体可以为铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锌锡氧化物(IGZTO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟锡氧化物(ITO)等。

栅极绝缘层GI位于半导体层CL上，栅极GE设置于栅极绝缘层GI上。层间绝缘层IL覆盖半导体层CL、栅极绝缘层GI和栅极GE。第一电极E1和第二电极E2设置于层间绝缘层IL远离半导体层CL的一侧。第一电极E1和第二电极E2对应于半导体层CL的两端设置。可选的，第一电极E1为源极，第二电极E2为漏极，或者第一电极E1为漏极，第二电极E2为源极。层间绝缘层IL中开设有两个连通孔TH1。两个连通孔TH1暴露出半导体层CL。第一电极E1和第二电极E2分别设置于连通孔TH1中与半导体层CL连接。可选的，连通孔TH1的孔径为2微米至10微米。例如，连通孔TH1的孔径为2微米、3微米、4微米、5微米、6微米、7微米、8微米、9微米或者10微米。优选的，连通孔TH1的孔径为6微米至10微米。此外，驱动电路层20还包括覆盖在第二晶体管T2上的平坦层PLN。

在本实施例中，以顶栅型薄膜晶体管为例进行了说明，但在本申请其他实施例中，驱动电路21中包含的薄膜晶体管也可以是底栅型薄膜晶体管或者双栅型薄膜晶体管。

可选的，阵列基板100还可以包括遮光层LS和缓冲层BL。遮光层LS位于衬底10与半导体层CL之间。遮光层LS的材料可以是具有遮光效果的金属，例如银或铝等。驱动电路21中每一薄膜晶体管均对应设置有一个遮光层LS。遮光层LS在衬底10所在平面上的正投影可以覆盖薄膜晶体管在衬底10所在平面上的正投影。由于激光无法穿过金属，请参考图4，遮光层LS中开设有激光通孔TH2，激光通孔TH2对应于连通孔TH1设置，且激光通孔TH2的孔壁W1在层间绝缘层IL上的正投影位于连通孔TH1的孔壁W2的外侧。缓冲层BL设置于半导体层CL与遮光层LS之间，缓冲层BL填充激光通孔TH2，缓冲层BL由透明材料构成，便于后续激光通过。透明材料的透光率可以达到80％以上。透明材料例如可以为氧化硅、氮化硅的一种或者两种。可以理解，在本实施方式中，仅示出了对应第一电极E1的连通孔TH1，在遮光层LS中开设一个激光通孔TH2。在其他实施方式中，也可以对应第一电极E1和第二电极E2在遮光层LS中分别开设激光通孔TH2。

像素定义层30位于平坦层PLN上方。像素定义层30中设置有多个开口OP。每一开口OP中设置有OLED器件40。具体地，OLED器件40包括阳极41、发光功能层42和阴极43。阳极41位于开口OP中。阳极41可以为金属电极。发光功能层42设置于开口OP中，且位于阳极41上方。发光功能层42可以包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层等。阴极43覆盖于像素定义层30上，且与开口OP中的发光功能层42连接。阴极43为透明电极。OLED器件40为顶发射型器件。可以理解，本实施例中以顶发射型器件为例进行了说明，但本申请的OLED器件还可以是底发射型器件。另外，显示面板1还可以包括彩膜层CF、黑矩阵BM、封装层EL和盖板玻璃CG等，在此省略其详细说明。

在上述实施方式中，以显示面板1为OLED显示面板为例进行说明。需要说明的是，本申请的显示面板可以为任一种具有薄膜晶体管阵列基板的显示面板。在其他实施方式中，显示面板1也可以为液晶显示面板。液晶显示面板包括阵列基板、彩膜基板以及设置于阵列基板与彩膜基板之间的液晶层。液晶显示面板的阵列基板的驱动电路结构可以与本申请的不同。显示面板1也可以为微发光二极管显示面板，微发光二极管显示面板的阵列基板包括依次层叠设置的衬底、驱动电路层以及微发光二极管发光芯片。

本申请提供一种阵列基板的修复方法。本申请的阵列基板的修复方法可以用于显示面板的制造完成后的点屏测试之后，也可以在驱动阵列的制造完成之后形成显示模组之前进行，即在array段的制程之后进行。以下，分别对于这两个制程段的阵列基板的修复方法进行说明。

本申请阵列基板的修复方法的第一实施方式用于显示面板的制造完成后的点屏测试之后。因此，本申请阵列基板的修复方法的第一实施方式其实也是显示面板的修复方法。阵列基板的修复方法包括：

步骤101：请参考图5，对连通孔TH1处的半导体层CL进行激光照射，断开第一电极E1与半导体层CL的连接。

在激光照射之前，第一电极E1与半导体层CL在连通孔TH1内连接。通过激光照射半导体层CL，半导体层CL被激光打断、打碎或者被激光的带来的高温融化，使半导体层CL与第一电极E1之间的导电通路被破坏，从而在被激光照射的薄膜晶体管处切断驱动电路21。在现有技术中，需要沿与第一电极E1连接的VDD电源走线的宽度方向将VDD电源走线切断，需要对VDD电源走线持续提供激光能量，激光能量会带来持续的热量，从而影响到第一电极E1和VDD电源走线附近的电极和金属走线，例如，位于第一电极E1的远离衬底10一侧的阳极41。对此，需要在预定要进行修复的位置需要预留修复空间。而本申请的阵列基板的修复方法通过激光照射连通孔TH1处的半导体层CL，将半导体层CL与第一电极E1的连接断开，切断驱动电路21，在消除短路缺陷的同时，不需要使电极或走线避让预定要进行修复的位置，有利于阵列基板的集成化，从而提高分辨率。

由于在阵列基板100上形成有较厚的OLED器件40、封装层EL等，激光透过这些膜层需要损耗很多能量，有可能使到达半导体层CL的能量不足。并且，由于半导体层CL与衬底10的距离比半导体层CL与盖板剥离CG之间的距离近得多。可选的，步骤101从衬底10侧向半导体层CL进行激光照射，从而提高激光修复的成功率。由于本申请的目的是利用激光破坏半导体层CL，因此，需要利用较大的激光能量。照射的激光的波长为532nm或1064nm，激光的能量范围65nJ至1295nJ。优选的，激光的能量范围为120nJ至1295nJ。更优选的，激光的能量范围为120nJ至1000nJ。

可选的，连通孔TH1的孔径为2微米至10微米。激光照射的范围覆盖连通孔TH1的范围。本申请的连通孔TH1的孔径大于现有技术中用于连接源漏极与半导体层CL的通孔孔径，通过增大连通孔TH1的孔径，增大与半导体层CL连接的源漏极的面积，有利于后续修复激光对位，提高对位准确度。但考虑到目前光罩精度，连通孔TH1的孔径不宜过小。

可选的，当阵列基板100包括具有激光通孔TH2的遮光层LS时，步骤101包括：使激光对准激光通孔TH2，从衬底10侧向半导体层CL侧进行激光照射。激光透过透明的衬底10和位于激光通孔TH2中的透明的缓冲层BL，不会产生能量损失，或者只产生极小的能量损失就到达半导体层CL，从而将半导体层CL破坏，断开半导体层CL与第一电极E1的连接。

可选的，可以通过调节激光能量，使激光不仅击穿半导体层CL，还可以击穿半导体层CL上的层间绝缘层IL，甚至还可以击穿至少部分的第一电极E1，从而确保断开半导体层CL与第一电极E1的连接。当将第一电极E1、层间绝缘层IL和半导体层CL全部打穿之后，半导体层CL与第一电极E1就通过层间绝缘层IL绝缘，不会导通。

另外，对驱动电路21中的哪几个薄膜晶体管进行激光照射，可以视情况而定。可选的，在步骤101中，可以仅对发生短路的像素PX中的发生短路的薄膜晶体管进行激光照射，还可以对发生短路的像素PX中的全部薄膜晶体管进行激光照射。举例而言，当像素PX中检查到亮点缺陷时，可以在步骤101中，对第二晶体管T2，即驱动晶体管的源极进行激光照射，切断第二晶体管T2的源极与VDD电源线的连接，使亮点变成暗点，从而消除亮点缺陷。也可以对第一晶体管T1，即开关晶体管的源极进行激光照射，切断第一晶体管T1的源极与数据线DATA的连接，使亮点变成暗点，从而消除亮点缺陷。当然，也可以对第一晶体管T1和第二晶体管的漏极T2进行激光照射，切断相应的连接。

请参考图6，经过本申请的阵列基板的修复方法可以得到包括修复后的阵列基板100’的显示面板1’。修复后的阵列基板100’与修复前的阵列基板100的不同之处在于：连通孔TH1处的第一电极E1与半导体层CL断开连接。可以认为激光照射在半导体层CL中形成贯通孔TH3。贯通孔TH3对应于连通孔TH1。贯通孔TH3的孔壁W3在层间绝缘层IL上的正投影位于连通孔TH1的孔壁W2的外侧。即，贯通孔TH3的孔径大于或者等于连通孔TH1的孔径。而被击穿或者熔化的半导体层CL堆积在贯通孔TH3底部，与第一电极E1的连接被断开。可以理解，本申请的阵列基板的修复方法能够适用于显示面板1出厂前的检测和修复。被检测出缺陷的阵列基板100经过本申请的修复方法修复后出货。

可选的，在步骤101之前，阵列基板的修复方法还可以包括：

步骤102：对阵列基板100进行侦测，确定发生短路的像素PX。

由于本实施方式的阵列基板的修复方法是在显示面板1制造完成之后进行，侦测查找发生短路的像素PX可以通过点屏。即，通过点亮显示面板1，使显示面板1显示简单的图案。再在显示面板1上查找发生异常的像素PX。通常短路有可能引起暗点、亮点、暗线或者亮线。通过与周围像素PX的亮度区别，可以找到发生短路的像素PX。在确定了发生短路的像素PX之后，在步骤101中，可以将发生短路的像素PX中的薄膜晶体管全部进行激光照射，以断开驱动电路21。通过断开驱动电路21，可以将亮点或者亮线变成暗点或者暗线，防止短路造成的大电流造成显示面板1烧屏。而对于暗点或者暗线，在3T1C的外部补偿电路中，还可以防止驱动电路21中的短路回传到芯片中，损伤芯片。

可选的，在步骤102之后，步骤101之前还可以包括：

步骤103：确定发生短路的像素PX中发生短路的薄膜晶体管。

在步骤103中，可以利用光学检测查找像素PX中发生短路的薄膜晶体管。光学检测的方法可以是自动光学检测(Automated Optical Inspection，AOI)或者CCD(chargecoupled device，电荷耦合器件)相机拍摄。举例而言，短路的原因之一是由于薄膜晶体管附近存在颗粒(particle)导致金属短路，通过CCD相机拍摄就可以确定由于颗粒导致短路的薄膜晶体管。当然，对于其他类型的短路，例如金属走线搭接造成的短路，也能够通过AOI或者CCD相机拍摄确定短路发生的位置。在确定发生短路的薄膜晶体管之后，在步骤101中，可以仅对发生短路的薄膜晶体管进行激光照射。

请参考图7，本申请的第二实施方式的阵列基板的修复方法在阵列基板100制造完成之后，OLED器件40还未形成之前进行。本实施方式的阵列基板100与第一实施方式中的阵列基板100的不同之处在于：遮光层LS中不设置有激光通孔TH2。本实施方式的阵列基板的修复方法与第一实施方式的本实施方式的不同之处在于：

在步骤101中，由于阵列基板100的驱动电路层20上方还未形成OLED器件40，可以直接从层间绝缘层IL侧向半导体层CL照射激光，将半导体层CL与第一电极E1的连接断开。

在步骤102中，由于阵列基板100的驱动电路层20上方还未形成OLED器件40，不能通过点屏的方式查找短路的像素PX。只能通过AOI或者CCD相机拍摄查找发生短路的像素PX以及发生短路的薄膜晶体管。在一些实施方式中，当阵列基板100不包括遮光层LS时，也可以从衬底10侧向半导体层CL照射激光。

请参考图8，当阵列基板100包括遮光层LS时，可以与第一实施方式一样，在遮光层LS中开设激光通孔TH2，经过遮光层LS中的激光通孔TH2从衬底10侧向半导体层CL照射激光。

本申请的阵列基板的修复方法通过激光照射连通孔处的半导体层，将半导体层与第一电极的连接断开，切断驱动电路，在消除短路缺陷的同时，不需要使电极或走线避让预定要进行修复的位置，有利于像素的集成化，从而提高分辨率。

根据本申请的一个实施方式，通过在遮光层中开设激光通孔，使激光能够通过遮光层而不产生过多能量损耗。

根据本申请的一个实施方式，通过将连通孔的孔径设置为2微米至10微米，能够方便激光修复时激光对位。

以上对本申请实施方式提供了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (4)

1.一种阵列基板的修复方法，所述阵列基板包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

半导体层；

层间绝缘层，覆盖所述半导体层，所述层间绝缘层中开设有连通孔，所述连通孔暴露出所述半导体层；以及

第一电极，设置于所述层间绝缘层远离所述半导体层的一侧，所述第一电极设置于所述连通孔中与所述半导体层连接；

其特征在于，所述阵列基板的修复方法包括：

对所述连通孔处的所述半导体层进行激光照射，断开所述第一电极与所述半导体层的连接；

所述连通孔的孔径为2微米至10微米，所述激光照射的范围覆盖所述连通孔，所述激光的波长为532nm或1064nm，所述激光的能量范围65nJ至1295nJ。

2.如权利要求1所述的阵列基板的修复方法，其特征在于，所述阵列基板还包括遮光层和缓冲层，所述遮光层位于所述半导体层远离所述层间绝缘层的一侧且对应于所述薄膜晶体管设置，所述遮光层中开设有激光通孔，所述激光通孔对应于所述连通孔设置，且所述激光通孔的孔壁在所述层间绝缘层上的正投影位于所述连通孔的孔壁的外侧，所述缓冲层设置于所述半导体层与所述遮光层之间，所述缓冲层填充所述激光通孔，所述对所述连通孔处的所述半导体层进行激光照射，断开所述第一电极与所述半导体层的连接包括：

使激光对准所述激光通孔，从所述遮光层侧向所述半导体层侧进行激光照射。

3.如权利要求1所述的阵列基板的修复方法，其特征在于，

所述对所述连通孔处的所述半导体层进行激光照射，断开所述第一电极与所述半导体层的连接之前还包括：

对所述阵列基板进行点屏，确定发生短路的像素；

所述对所述连通孔处的所述半导体层进行激光照射，断开所述第一电极与所述半导体层的连接包括：

从所述半导体层远离所述层间绝缘层的一侧向所述半导体层侧进行激光照射。

4.如权利要求1所述的阵列基板的修复方法，其特征在于，所述对所述连通孔处的所述半导体层进行激光照射，断开所述第一电极与所述半导体层的连接之前还包括：

利用光学检测确定发生短路的像素中发生短路的薄膜晶体管；

所述对所述连通孔处的所述半导体层进行激光照射，断开所述第一电极与所述半导体层的连接包括：

从所述半导体层远离所述层间绝缘层的一侧或者从所述层间绝缘层侧向所述半导体层侧进行激光照射。