WO2012001740A1

WO2012001740A1 - 有機エレクトロルミネッセンス表示装置

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Publication number: WO2012001740A1
Application number: PCT/JP2010/004300
Authority: WO
Inventors: 大前秀樹
Original assignee: パナソニック株式会社
Priority date: 2010-06-30
Filing date: 2010-06-30
Publication date: 2012-01-05

Abstract

　ガラス基板（１０）上に配置されたアクティブ素子（６１、６２）と、アクティブ素子の上を平坦化する平坦化絶縁層（２５）と、平坦化絶縁層（２５）の上に形成され、下部電極（３０）、有機発光層（３３）及び上部電極（３４）を含み、アクティブ素子（６１、６２）により発光状態が制御される有機ＥＬ素子（６３）とを備え、下部電極（３０）は、分割電極部（３０４、３０５、３０６）を有し、コンタクトホール（２５ａ）を介してアクティブ素子（６１、６２）と電気的に接続され、コンタクトホール（２５ａ）と分割電極部（３０４、３０５、３０６）の各々との間の平坦化絶縁層（２５）上にレーザー光の照射により切断可能な切断可能部（３０１、３０２、３０３）が設けられ、ガラス基板（１０）側の外部及びガラス基板（１０）とは反対側の外部の少なくとも一方から切断可能部（３０１、３０２、３０３）にまでレーザー光透過路が設けられている。

Description

有機エレクトロルミネッセンス表示装置

　本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置に関し、特に有機ＥＬ素子のショート不良による滅点をリペアするために用いられる構造に関する。

　有機ＥＬ表示装置は、有機化合物の電界発光現象を利用して、高速な応答性および広い視野角を有する自発光を得ることができる薄型軽量な発光表示装置として知られている。

　有機ＥＬ表示装置は、ガラスなどの基板上に、アクティブ素子（例えば薄膜トランジスタ）およびそのアクティブ素子にて発光を制御される有機ＥＬ素子を含む多数の画素部を平面状に配列して構成される。

　有機ＥＬ素子は、下部電極、有機発光層及び上部電極を含み、有機発光層は、下部電極と上部電極との間に流れる電流で発光する。

　有機発光層は厚さが１μｍ以下と非常に薄いため、微小なパーティクルに起因するショート不良が発生しやすい。ショート不良が発生すると、本来発光に用いられるべき電流がショート箇所に流れてしまい、有機ＥＬ素子の発光領域全体で、発光機能が失われてしまう。

　従来、パーティクルに起因するショート不良に対して、レーザー光にて発光領域内のショート箇所を焼き切ることでショート箇所を局所的に高抵抗化（絶縁化）するリペア処理が試みられている。しかし、このリペア処理では、リペア箇所の絶縁状態が不安定で再びショート不良に戻ることがあり、またリペア箇所の周辺の発光領域にダメージが及ぶため、十分な信頼性が得られる実用方法としては確立されていない。

　そこで、１つの駆動信号で駆動されるべき発光領域を、予め複数の分割領域に分けて設置しておき、ショート不良が発見された分割領域を他の分割領域から切り離すことで、残りの分割領域の発光機能を回復させる技術が提案されている（例えば、特許文献１～３を参照）。分割領域の切り離しは、例えば、駆動トランジスタから分割領域へ駆動電流を供給する配線を切断することにより行われる。

　特許文献１～３に開示される技術によれば、発光領域内に直接レーザー光を照射しないので、周辺へのダメージが小さくかつリペア後の信頼性も高い。

　例えば、特許文献２には、画素欠陥が生じた分割画素部と画素回路との接続であるソース電極の分岐線を基板側からレーザー光で切断する一例が記載されている。また、特許文献３には、コンタクトホールの斜面部に電流遮断部を形成する記載がある。なお、特許文献１には、好適な切断可能箇所の配置や構造に関する記載はない。

特開２００８－６５２００号公報特開２００６－３３０４６９号公報特開２００９－７６３４８号公報

　しかしながら、特許文献１に開示される技術によれば、画素回路が形成されるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）層においてソース電極の分岐線を切断するため、切断に伴う画素回路（とくには駆動トランジスタ）へのダメージが懸念される。

　また、特許文献２に開示される技術によれば、電流遮断部がコンタクトホールの斜面部に形成されるため、レーザー光の電流遮断部への入射角が浅くなる。そのため、レーザー光の照射位置合わせがしにくく、かつ長い照射時間を要するといった、リペア処理の作業性の悪化が懸念される。

　本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、有機ＥＬ素子のショート不良による滅点をリペアするために用いられる好適な構造を持った有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。

　上記の課題を解決するために、本発明の有機ＥＬ表示装置の１つの態様は、基板と、該基板上にマトリクス状に配置されたアクティブ素子と、該アクティブ素子の上を平坦化する平坦化絶縁層と、該平坦化絶縁層の上に形成され、下部電極、有機発光層及び上部電極を含み、前記アクティブ素子により発光状態が制御される有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子と、を備え、前記下部電極は、複数の分割電極部を有し、前記平坦化絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して、前記アクティブ素子と電気的に接続され、前記平坦化絶縁層上であって、前記コンタクトホールと前記複数の分割電極部の各々との間の配線に、レーザー光の照射により切断可能な切断可能部が設けられ、前記基板側の外部及び前記基板の反対側の外部の少なくとも一方から前記切断可能部にまでレーザー光を透過可能なレーザー光透過路が設けられている。

　本発明の有機ＥＬ表示装置によれば、リペア時にレーザー光の照射によって切断されるべき切断可能部が、従来技術のようにＴＦＴ層またはコンタクトホール内ではなく、平坦化膜上に設けられているので、リペア処理に伴う切断可能部の周辺へのダメージを低減し、分割電極部にショートが生じている不良の発光領域のみを、安全かつ確実に、正常な発光領域から切り離すことができる。また、レーザー光の透過路があらかじめ設けられていることから、リペア処理の作業性も良好である。

図１は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置の構成の一例を示す平面図である。図２（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置の画素部の構成の一例を示す平面図および断面図である。図３（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置の画素部の構成の他の一例を示す平面図および断面図である。図４は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置に対するリペア処理に用いられるレーザー照射システムの一例を示す構成図である。図５は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置の遮光部の形状の一例を示す平面図である。図６（ａ）～（ｃ）は、リペア装置にて行われるリペア処理の手順の一例を示す工程図である。図７（ａ）～（ｅ）は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置の画素部の構成の他の一例を示す平面図である。図８（ａ）～（ｃ）は、本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ表示装置の画素部の構成の一例を示す平面図、切断可能部の配置図、および断面図である。図９（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ表示装置の画素部の構成の他の一例を示す平面図および切断可能部の配置図である。

　本発明に係る有機ＥＬの１つの態様は、基板と、該基板上にマトリクス状に配置されたアクティブ素子と、該アクティブ素子の上を平坦化する平坦化絶縁層と、該平坦化絶縁層の上に形成され、下部電極、有機発光層及び上部電極を含み、前記アクティブ素子により発光状態が制御される有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子と、を備え、前記下部電極は、複数の分割電極部を有し、前記平坦化絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して、前記アクティブ素子と電気的に接続され、前記平坦化絶縁層上であって、前記コンタクトホールと前記複数の分割電極部の各々との間の配線に、レーザー光の照射により切断可能な切断可能部が設けられ、前記基板側の外部及び前記基板の反対側の外部の少なくとも一方から前記切断可能部にまでレーザー光を透過可能なレーザー光透過路が設けられている。

　本態様の有機ＥＬ表示装置によれば、リペア時にレーザー光の照射によって切断されるべき切断可能部が、従来技術のようにＴＦＴ層またはコンタクトホール内ではなく、平坦化膜上に設けられているので、リペア処理に伴う切断可能部の周辺へのダメージを低減し、分割電極部にショートが生じている不良の発光領域のみを、安全かつ確実に、正常な発光領域から切り離すことができる。また、レーザー光の透過路があらかじめ設けられていることから、リペア処理の作業性も良好である。

　また、本発明に係る有機ＥＬの他の態様においては、前記レーザー光透過路は、前記基板及び前記平坦化絶縁層がレーザー光を透過可能な材料で形成されることにより構成されてもよい。

　このような構成によれば、前記レーザー光は、前記基板及び前記平坦化絶縁層によって妨げられることなく、有機ＥＬ表示装置の前記基板側の外部から切断可能部へ到達できる。

　また、本発明に係る有機ＥＬの他の態様においては、前記レーザー光透過路は、前記アクティブ素子及び該アクティブ素子に接続された配線の少なくとも一方に、レーザー光を透過可能な開口部が設けられることにより構成されてもよい。

　このような構成によれば、前記レーザー光は、前記アクティブ素子及び該アクティブ素子に接続された配線の少なくとも一方に設けられる開口部を透過して、有機ＥＬ表示装置の前記基板側の外部から切断可能部へ到達できる。

　また、本発明に係る有機ＥＬの他の態様においては、さらに、隣接する前記有機ＥＬ素子同士の間に隔壁部を備え、前記コンタクトホール及び前記切断可能部は、前記隔壁部の下方に配置され、前記レーザー光透過路は、前記隔壁部がレーザー光を透過可能な材料で形成されることにより構成されてもよい。このような構成によれば、前記レーザー光は、前記隔壁部によって妨げられることなく、有機ＥＬ表示装置の前記基板とは反対側の外部から切断可能部へ到達できる。

　また、本発明に係る有機ＥＬの他の態様においては、さらに、前記有機ＥＬ素子の上方に、光変換部及び遮光部を含む光変換層を備え、前記光変換部は前記有機ＥＬ素子の上部に、前記遮光部は前記隔壁部の上部に配置され、前記レーザー光透過路は、前記遮光部にレーザー光を透過可能な開口部が設けられることにより構成されてもよい。

　このような構成によれば、前記遮光部に設けられる開口部を透過して、有機ＥＬ表示装置の前記基板とは反対側の外部から切断可能部へ到達できる。

　また、本発明に係る有機ＥＬの他の態様においては、前記コンタクトホールは、前記複数の分割電極部に共通して、前記有機ＥＬ素子ごとに一つずつ設けられてもよい。

　このような構成によれば、前記複数の分割電極部は、前記コンタクトホールから共通の駆動信号を供給されることで、単一の有機ＥＬ素子に含まれる複数の発光領域を構成できる。

　また、本発明に係る有機ＥＬの他の態様においては、前記複数の分割電極部のうち短絡欠陥がある分割電極部に対応する前記切断可能部が切断されていてもよい。

　このような構成によれば、前記切断可能部が切断されることで、短絡欠陥のリペアが果たされる。

　また、本発明に係る有機ＥＬの他の態様においては、前記切断可能部は、波長が８００～２０００ｎｍのレーザー光の照射により切断されてもよい。

　このような構成によれば、波長が８００～２０００ｎｍのレーザー光を用いて、前記切断可能部を切断することができる。

（実施の形態１）
　本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置について、図面を用いて説明する。

　図１は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１の構成の一例を示す部分平面図である。

　有機ＥＬ表示装置１は、多色表示が可能な有機ＥＬ表示装置であり、複数の画素部３がマトリクス状に配置されて構成される。各画素部３は、赤色、緑色、青色の光をそれぞれ発光可能な３つのサブ画素部２を含む。以下では説明の簡潔のため、サブ画素部を単に画素部と称する。

　各画素部２には、特徴的な形状の下部電極３０が形成され、隣接する画素部２の間には、画素部２を列ごとに仕切る隔壁部３２が形成されている。下部電極３０の上には、図示しない有機発光層および上部電極が形成される。

　下部電極３０は、コンタクトホール２５ａにおいて、発光領域５１、５２、５３に駆動電流を供給する図示しない画素回路と接続されている。

　下部電極３０の輪郭部を含む一部の領域は絶縁層３１にて被覆されており、下部電極３０上の絶縁層３１による被覆が除外された３つの領域が、それぞれ発光領域５１、５２、５３として機能するようになっている。

　このような構造が、有機ＥＬ表示装置１の全面にわたって形成されている。

　図２（ａ）は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１の画素部２の構成の一例を示す平面図である。図２（ｂ）は、画素部２の断面の一例を示す断面図である。なお、図２（ｂ）の断面図には、便宜上、実際には異なる断面に見られる構成要素が示される場合がある。

　まず、画素部２の基本的な構造について、図２（ｂ）の断面図を参照しながら説明する。なお、画素部２の基本的な構造は周知のものであるため、ここではごく簡単な説明にとどめ、各層の材料や製造方法の説明は省略する。

　画素部２は、ガラス基板１０上に、ＴＦＴ層１１および発光機能層１２を形成し、封止用のガラス基板４１にて封止することにより構成される。

　ＴＦＴ層１１は、ガラス基板１０上に、ゲート電極２０、ゲート絶縁膜２１、半導体層２２、ＳＤ（ソースドレイン）電極２３、絶縁膜２４をこの順に形成して構成されたアクティブ素子６１、６２を、平坦化絶縁層２５で埋め込んで構成される。平坦化絶縁層２５にはＳＤ電極２３に達するコンタクトホール２５ａが設けられる。

　発光機能層１２は、ＴＦＴ層１１上に、下部電極３０、絶縁層３１、隔壁部３２を所定の形状に形成し、さらに有機発光層３３、上部電極３４、薄膜封止膜３５をこの順に積層して構成される。隔壁部３２の開口部３２ａに形成された、下部電極３０、有機発光層３３、および上部電極３４からなる積層体が、有機ＥＬ素子６３として機能する。

　有機ＥＬ素子６３は、ＴＦＴ層１１に設けられるアクティブ素子６１、６２を含む画素回路から、コンタクトホール２５ａを介して供給される電流で発光駆動され、図面の上方へ光を出射する。

　ガラス基板１０上に形成される構造体とは別体に用意されるガラス基板４１が、樹脂封止層３６にてガラス基板１０上の構造体と貼り合わされる。

　以上が、画素部２の基本的な構成である。上述のように構成された画素部２は、有機ＥＬ素子のショート不良による滅点をリペアするために用いられる特徴的な構造を有している。

　次に、画素部２の特徴的な構造について詳細に説明する。

　図２（ａ）に示されるように、下部電極３０は、一例として、接続部３００、切断可能部３０１、３０２、３０３、および分割電極部３０４、３０５、３０６からなる。なお、図２（ａ）は、下部電極３０の一例を示すものであり、下部電極の具体的な形状を限定するものではない。

　接続部３００は、コンタクトホール２５ａにおいて、ＴＦＴ層１１のＳＤ電極２３と電気的に接続される。切断可能部３０１、３０２、３０３は、レーザー光の照射により切断され得るように、狭幅の形状に形成される。分割電極部３０４、３０５、３０６のそれぞれは、切断可能部３０１、３０２、３０３が切断されることによって接続部３００から電気的に分離される。

　下部電極３０は、コンタクトホール２５ａ内の領域を除く全ての領域が、平坦化絶縁層２５上に形成される。

　下部電極３０上の絶縁層３１による被覆が除外された複数の領域が、同一の駆動信号に従って発光を制御される発光領域５１、５２、５３として機能する。

　上述のように構成された画素部２において、例えば発光領域５１にショート不良が発見されたものとすると、図２（ｂ）に示されるように、画素部２のガラス基板１０とは反対側の外部から切断可能部３０１へレーザー光８０が照射され、ショート不良を起こしている発光領域５１に対応する切断可能部３０１が切断される。

　このとき、絶縁層３１および隔壁部３２を、レーザー光８０を透過可能な材料で構成しておくことで、隔壁部３２、絶縁層３１を、レーザー光８０の透過路として機能させることができる。絶縁層３１の材料としては、例えばＳｉＯ_２を主体にした透明絶縁体が好適に用いられる。隔壁部３２の材料としては、透明な樹脂で絶縁性が高い材料、例えば、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエチレン、ポリエステル、ポリサルホン、エポキシが好適に用いられ、なかでもポリイミド、アクリル系、ノボラック系フェノールが耐熱性の点で好適である。なお、上部電極３４、薄膜封止膜３５、樹脂封止層３６、ガラス基板４１は、本来的に有機ＥＬ素子から出射される光を透過する透明体であるため、レーザー光８０の透過路として機能する。

　レーザー光８０は、画素部２のガラス基板１０とは反対側の外部から到来し、ガラス基板４１、隔壁部３２、絶縁層３１を含む透過路を通って切断可能部３０１に到達し、切断可能部３０１を切断する。

　なお、画素部２において、発光領域５２または５３にショート不良が発見された場合は、同様にして、それぞれ切断可能部３０２または３０３が切断される。

　このような構成は、光変換部及び遮光部を含む光変換層（カラーフィルタ）を有する有機ＥＬ表示装置に適用することも可能である。

　図３（ａ）は、光変換層１３を有する有機ＥＬ表示装置に用いられる画素部４の構成の一例を示す平面図である。図３（ｂ）は、画素部４の断面の一例を示す断面図である。なお、図３（ｂ）の断面図には、便宜上、実際には異なる断面に見られる構成要素が示される場合がある。

　画素部４は、画素部２と比べて、光変換層１３を有する点のみが異なっている。以下の説明では、画素部２で説明した構成要素には、同一の符号を付して適宜説明を省略し、相違点のみを主に説明する。

　画素部４は、ガラス基板１０上に、ＴＦＴ層１１および発光機能層１２を形成し、光変換層１３にて封止することにより構成される。

　ガラス基板１０上に形成されるＴＦＴ層１１および発光機能層１２については、前述のとおりである。

　光変換層１３は、ガラス基板１０上に形成される構造体とは別体に、ガラス基板４１上に遮光部４０および光変換部（フィルタ）４２を形成して構成され、光変換部４２が有機ＥＬ素子６３の上部に位置し、かつ遮光部４０が隔壁部３２の上部に位置するように、ガラス基板１０上の構造体との位置合わせがされた状態で、樹脂封止層３６にてガラス基板１０上の構造体と貼り合わされる。光変換層１３は、カラーフィルタとして機能する。

　以上が、画素部４の基本的な構成である。上述のように構成された画素部４は、有機ＥＬ素子のショート不良による滅点をリペアするために用いられる特徴的な構造を有している。

　次に、画素部４の特徴的な構造について詳細に説明する。

　図３（ａ）に示されるように、下部電極３０は、一例として、接続部３００、切断可能部３０１、３０２、３０３、および分割電極部３０４、３０５、３０６からなる。なお、図３（ａ）は、下部電極３０の一例を示すものであり、下部電極の具体的な形状を限定するものではない。

　遮光部４０は、発光領域５１、５２、５３に対応する位置および切断可能部３０１、３０２、３０３に対応する位置を除外して設けられる。発光領域５１、５２、５３に対応して遮光部４０が設置されていない領域を発光開口部４０ａと称し、切断可能部３０１、３０２、３０３に対応して遮光部４０が設置されていない領域をリペア開口部４０ｂと称する。

　上述のように構成された画素部４において、例えば発光領域５１にショート不良が発見されたものとすると、図３（ｂ）に示されるように、画素部４のガラス基板１０とは反対側の外部から切断可能部３０１へレーザー光８０が照射され、ショート不良を起こしている発光領域５１に対応する切断可能部３０１が切断される。

　このとき、絶縁層３１および隔壁部３２を、レーザー光８０を透過可能な材料で構成しておくことで、リペア開口部４０ｂ、隔壁部３２、絶縁層３１を、レーザー光８０の透過路として機能させることができる。絶縁層３１の材料としては、例えばＳｉＯ_２を主体にした透明絶縁体が好適に用いられる。隔壁部３２の材料としては、透明な樹脂で絶縁性が高い材料、例えば、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエチレン、ポリエステル、ポリサルホン、エポキシが好適に用いられ、なかでもポリイミド、アクリル系、ノボラック系フェノールが耐熱性の点で好適である。なお、上部電極３４、薄膜封止膜３５、樹脂封止層３６、ガラス基板４１は、本来的に有機ＥＬ素子から出射される光を透過する透明体であるため、レーザー光８０の透過路として機能する。

　レーザー光８０は、画素部４のガラス基板１０とは反対側の外部から到来し、リペア開口部４０ｂ、隔壁部３２、絶縁層３１を含む透過路を通って切断可能部３０１に到達し、切断可能部３０１を切断する。

　なお、画素部４において、発光領域５２または５３にショート不良が発見された場合は、同様にして、それぞれ切断可能部３０２または３０３が切断される。

　図４は、本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１に対するリペア処理に用いられるレーザー照射システム１００の一例を示す構成図である。

　レーザー照射システム１００は、レーザー発振器１０１、反射ミラー１０２、ＮＤフィルタ１０３、対物レンズ１０４、カメラ１０５、ライト１０６、ＸＹステージ１０７、およびコントローラー１０８から構成される。

　レーザー発振器１０１は、例えば８００～２０００ｎｍのレーザー光を出射する。反射ミラー１０２、ＮＤフィルタ１０３、対物レンズ１０４は、レーザー発振器１０１から出射されたレーザー光を、予め定められた位置に所望の強度で集光する。一例として、ＮＤフィルタ１０３には透過率５％のフィルタを３枚重ねて用い、対物レンズ１０４には倍率２０、ＮＡ＝０．４のレンズを用いてもよい。

　ＸＹステージ１０７は、リペア処理の対象となる有機ＥＬ表示装置１を載置して、コントローラー１０８からの指示に応じて平面移動する。

　カメラ１０５は、ライト１０６による照明下でＸＹステージ１０７上の有機ＥＬ表示装置１を撮像し、得られた画像をコントローラー１０８に送信する。

　図５は、カメラ１０５にて撮影される有機ＥＬ表示装置１の画像の一例であり、画像から、遮光部４０の有無による反射率の違いに応じて、遮光部４０、発光開口部４０ａ、リペア開口部４０ｂが確認できる。

　図６（ａ）～（ｃ）は、上述のように構成されたレーザー照射システム１００によるレーザー照射処理の手順の一例を説明する工程図である。

　ここで、有機ＥＬ表示装置１におけるショート不良箇所は別途の検査装置にてあらかじめ発見され、レーザー照射システム１００によるレーザー照射処理に先立ってコントローラー１０８に通知されているものとする。

　コントローラー１０８は、カメラ１０５にて撮影された有機ＥＬ表示装置１の画像を認識することにより、ショート不良箇所に対応する切断可能箇所が対物レンズ１０４下のレーザー光の集光位置に来るように、ＸＹステージ１０７を移動させる（図６（ａ））。

　有機ＥＬ表示装置１の位置決めが完了すると（図６（ｂ））、コントローラー１０８は、レーザー発振器１０１からレーザー光８０を出射させる。レーザー光８０は、対物レンズ１０４により目的の切断可能箇所に集光される（図６（ｃ））。

　このようにして、ショート不良箇所に対応する切断可能箇所が切断される結果、ショート不良を起こしていた発光領域に接続されていた正常な発光領域における発光機能が回復する。

　このような画素部２または画素部４を配列してなる有機ＥＬ表示装置１によれば、リペア時にレーザー光の照射によって切断されるべき切断可能部３０１、３０２、３０３が、従来技術のようにＴＦＴ層１１またはコンタクトホール２５ａ内ではなく、平坦化絶縁層２５上に設けられているので、リペア処理に伴う切断可能部３０１、３０２、３０３の周辺（とくにはＴＦＴ層１１）へのダメージを低減し、ショート不良を起こしている発光領域のみを、安全かつ確実に、正常な発光領域から切り離すことができる。また、レーザー光の透過路があらかじめ設けられていることから、リペア処理の作業性も良好である。

　なお、下部電極３０の形状は、図２（ａ）および図３（ａ）に示されるような形状に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。

　図７（ａ）～（ｅ）は、画素部の構成の他の一例を示す平面図である。図７（ａ）～（ｅ）は、図３（ａ）と同様の表記法を用いて表されている。

　図７（ａ）～（ｅ）に示されるいずれの画素部においても、下部電極３０の切断可能部は平坦化絶縁層２５上に形成される。そのため、図３（ａ）に示した画素部２と同様、リペア処理に伴う切断可能部の周辺（とくにはＴＦＴ層１１）へのダメージを低減し、ショート不良を起こしている発光領域のみを、安全かつ確実に、正常な発光領域から切り離すことができる。また、レーザー光の透過路があらかじめ設けられていることから、リペア処理の作業性も良好である。

　さらには、分割電極部の個数を変更しても、同様の効果を得ることができる。すなわち、分割電極部の個数は３個に限らず、２個または４個以上であってもよい。

　（実施の形態２）
　本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ表示装置について、図面を用いて説明する。

　図８（ａ）は、本発明の実施の形態２に係る画素部８の構成の一例を示す平面図である。図８（ｂ）は、画素部８にけおるＴＦＴ層１１内のレイアウトの一例を示す平面図である。図８（ｃ）は、画素部８の断面の一例を示す断面図である。なお、図８（ｂ）の断面図には、便宜上、実際には異なる断面に見られる構成要素が示される場合がある。

　画素部８の基本的な構造は、図３（ａ）、（ｂ）に示される画素部４の基本的な構造と同一であるため、詳細な説明は省略する。

　画素部８と画素部４との相違は、画素部４が、ガラス基板１０とは反対側の外部からのレーザー光の照射によるリペア処理に適した構造を有しているのに対し、画素部８は、ガラス基板１０側の外部からのレーザー光の照射によるリペア処理に適した構造を有していることにある。

　以下では、実施の形態１で説明した構成要素と同一構成要素には同一の符号を付して適宜説明を省略し、主として実施の形態１との相違点について説明する。

　画素部８では、レーザー光が、ガラス基板１０側の外部から到来することを想定するため、図８（ａ）に示されるように、遮光部４０にリペア開口部４０ｂは設けられていない。

　その代わりに、図８（ｂ）に示されるように、ＴＦＴ層１１内において、アクティブ素子６１、６２、ＳＤ電極２３、キャパシタ電極２６、配線２７、２８、２９が、切断可能部３０１、３０２、３０３に対応する位置（太い破線円）を避けて配置される。

　上述のように構成された画素部８において、例えば発光領域５１にショート不良が発見されたものとすると、図８（ｃ）に示されるように、画素部８のガラス基板１０側の外部から切断可能部３０１へレーザー光８１が照射され、ショート不良を起こしている発光領域５１に対応する切断可能部３０１が切断される。

　このとき、ガラス基板１０、ゲート絶縁膜２１、絶縁膜２４、平坦化絶縁層２５を、レーザー光８１を透過可能な材料で構成しておくことで、ガラス基板１０、ゲート絶縁膜２１、絶縁膜２４、平坦化絶縁層２５を、レーザー光８１の透過路として機能させることができる。

　アクティブ素子６１、６２、ＳＤ電極２３、キャパシタ電極２６、配線２７、２８、２９は、切断可能部３０１、３０２、３０３に対応する位置を避けて配置されるので、レーザー光８１の透過を妨げることはない。

　レーザー光８１は、画素部８のガラス基板１０側の外部から到来し、ガラス基板１０、ゲート絶縁膜２１、絶縁膜２４、平坦化絶縁層２５を含む透過路を通って切断可能部３０１に到達し、切断可能部３０１を切断する。

　このような画素部８を配列してなる有機ＥＬ表示装置１によれば、リペア時にレーザー光の照射によって切断されるべき切断可能部３０１、３０２、３０３が、従来技術のようにＴＦＴ層１１またはコンタクトホール２５ａ内ではなく、平坦化絶縁層２５上に設けられているので、リペア処理に伴う切断可能部３０１、３０２、３０３の周辺（とくにはＴＦＴ層１１）へのダメージを低減し、ショート不良を起こしている発光領域のみを、安全かつ確実に、正常な発光領域から切り離すことができる。また、レーザー光の透過路があらかじめ設けられていることから、リペア処理の作業性も良好である。

　さらに、ガラス基板１０側の外部からのレーザー光の照射によるリペア処理に適した画素部９について説明する。画素部９では、画素部８からＴＦＴ層１１内のレイアウトが変更される。

　図９（ａ）は、本発明の実施の形態２に係る画素部９の構成の一例を示す平面図である。図９（ｂ）は、画素部９におけるＴＦＴ層１１内のレイアウトの一例を示す平面図である。

　画素部９では、図９（ｂ）に示されるように、ＴＦＴ層１１内における切断可能部３０１、３０２、３０３に対応する位置（太い破線円）において、ＳＤ電極２３、キャパシタ電極２６、配線２９にそれぞれ開口部２３ａ、２６ａ、２９ａが設けられる。

　上述のように構成された画素部９では、ＳＤ電極２３、キャパシタ電極２６、配線２９のそれぞれの開口部２３ａ、２６ａ、２９ａが、レーザー光８１の透過路として機能する。

　なお、アクティブ素子６１、６２、配線２７、２８が、ＴＦＴ層１１内における切断可能部３０１、３０２、３０３に対応する位置にある場合は、アクティブ素子６１、６２、配線２７、２８に開口部を設けてもよい。

　このような画素部９を配列してなる有機ＥＬ表示装置１によれば、リペア時にレーザー光の照射によって切断されるべき切断可能部３０１、３０２、３０３が、従来技術のようにＴＦＴ層１１またはコンタクトホール２５ａ内ではなく、平坦化絶縁層２５上に設けられているので、リペア処理に伴う切断可能部３０１、３０２、３０３の周辺（とくにはＴＦＴ層１１）へのダメージを低減し、ショート不良を起こしている発光領域のみを、安全かつ確実に、正常な発光領域から切り離すことができる。また、レーザー光の透過路があらかじめ設けられていることから、リペア処理の作業性も良好である。

　以上、本発明の有機ＥＬ表示装置について実施の形態に基づいて説明した。本発明は、これらの実施の形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を各実施の形態に施したものや、異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて得られる形態も、本発明の範囲内に含まれる。

　本発明は、有機ＥＬ表示装置などの映像表示装置に適用できる。

　　１　　有機ＥＬ表示装置
　　２、４、８、９　　画素部（サブ画素部）
　　３　　画素部
　　１０、４１　　ガラス基板
　　１１　　ＴＦＴ層
　　１２　　発光機能層
　　１３　　光変換層
　　２０　　ゲート電極
　　２１　　ゲート絶縁膜
　　２２　　半導体層
　　２３　　ＳＤ電極
　　２３ａ、２６ａ、２９ａ、３２ａ　開口部
　　２４　　絶縁膜
　　２５　　平坦化絶縁層
　　２５ａ　コンタクトホール
　　２６　　キャパシタ電極
　　２７、２８、２９　　配線
　　３０　　下部電極
　　３１　　絶縁層
　　３２　　隔壁部
　　３３　　有機発光層
　　３４　　上部電極
　　３５　　薄膜封止膜
　　３６　　樹脂封止層
　　４０　　遮光部
　　４０ａ　発光開口部
　　４０ｂ　リペア開口部
　　４２　　光変換部
　　５１、５２、５３　　発光領域
　　６１、６２　　アクティブ素子
　　６３　　有機ＥＬ素子
　　８０、８１　　レーザー光
　　１００　　レーザー照射システム
　　１０１　　レーザー発振器
　　１０２　　反射ミラー
　　１０３　　ＮＤフィルタ
　　１０４　　対物レンズ
　　１０５　　カメラ
　　１０６　　ライト
　　１０７　　ＸＹステージ
　　１０８　　コントローラー
　　３００　　接続部
　　３０１、３０２、３０３　　切断可能部
　　３０４、３０５、３０６　　分割電極部

Claims

　基板と、該基板上にマトリクス状に配置されたアクティブ素子と、該アクティブ素子の上を平坦化する平坦化絶縁層と、該平坦化絶縁層の上に形成され、下部電極、有機発光層及び上部電極を含み、前記アクティブ素子により発光状態が制御される有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子と、を備え、
　前記下部電極は、複数の分割電極部を有し、前記平坦化絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して、前記アクティブ素子と電気的に接続され、
　前記平坦化絶縁層上であって、前記コンタクトホールと前記複数の分割電極部の各々との間の配線に、レーザー光の照射により切断可能な切断可能部が設けられ、
　前記基板側の外部及び前記基板の反対側の外部の少なくとも一方から前記切断可能部にまでレーザー光を透過可能なレーザー光透過路が設けられている、
　有機ＥＬ表示装置。
　前記レーザー光透過路は、前記基板及び前記平坦化絶縁層がレーザー光を透過可能な材料で形成されることにより構成されている、
　請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
　前記レーザー光透過路は、前記アクティブ素子及び該アクティブ素子に接続された配線の少なくとも一方に、レーザー光を透過可能な開口部が設けられることにより構成されている、
　請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
　さらに、隣接する前記有機ＥＬ素子同士の間に隔壁部を備え、
　前記コンタクトホール及び前記切断可能部は、前記隔壁部の下方に配置され、
　前記レーザー光透過路は、前記隔壁部がレーザー光を透過可能な材料で形成されることにより構成されている、
　請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
　さらに、前記有機ＥＬ素子の上方に、光変換部及び遮光部を含む光変換層を備え、
　前記光変換部は前記有機ＥＬ素子の上部に、前記遮光部は前記隔壁部の上部に配置され、
　前記レーザー光透過路は、前記遮光部にレーザー光を透過可能な開口部が設けられることにより構成されている、
　請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。
　前記コンタクトホールは、前記複数の分割電極部に共通して、前記有機ＥＬ素子ごとに一つずつ設けられている、
　請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
　前記複数の分割電極部のうち短絡欠陥がある分割電極部に対応する前記切断可能部が切断されている、
　請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
　前記切断可能部は、波長が８００～２０００ｎｍのレーザー光の照射により切断される、
　請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。