CN114664890A - 显示装置 - Google Patents

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CN114664890A CN202111415719.8A CN202111415719A CN114664890A CN 114664890 A CN114664890 A CN 114664890A CN 202111415719 A CN202111415719 A CN 202111415719A CN 114664890 A CN114664890 A CN 114664890A
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Abstract

本公开内容提供了一种显示装置。该显示装置包括:第一区域,在该第一区域中设置有一个或更多个第一像素;以及被第一区域围绕的第二区域,在该第二区域中设置有一个或更多个第二像素。第二区域包括与第一传感器对应的第一传感器区域以及与第二传感器对应的第二传感器区域,并且第一传感器区域包括第一阻挡层,并且第二传感器区域包括与第一阻挡层不同的第二阻挡层。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年12月23日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0181809号的优先权权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本公开内容涉及显示装置。
背景技术
被配置成在显示屏上显示各种信息或数据的图像显示装置用作信息通信时代的核心装置。显示装置变得更薄、更轻,并且正在发展为在便携的同时具有高的性能。对用于显示图像的显示装置的各种需求增加,并且近来,已经开发和利用了各种类型的显示装置,例如液晶显示装置、有机发光显示装置、量子点发光显示装置等。
此外,显示装置配备有使用触摸传感器等的输入单元和诸如摄像装置、接近传感器等的光学单元,以便向用户提供更多样化的应用功能。然而,由于光学单元到显示装置的附接,存在显示装置的设计变得困难的问题。特别地,由于为了光的入射和出射,需要将摄像装置和接近传感器暴露于外部,因此存在的问题在于,显示面板的有效区域不可避免地减小。
因此,在一些情况下,显示装置被设计成:i)具有用于光学单元的安装和暴露的大的边框;ii)使得显示区域的一部分能够切出成凹口形状;或者iii)使得光学单元能够通过形成在有效区域中的孔形部分暴露。然而,因为显示屏的尺寸由于摄像装置仍然受到限制,因此实际中不容易实现全屏显示。
发明内容
为了实现全屏显示,提出了一种分配其中在显示屏中设置有低分辨率像素的传感器区域并且在显示面板下方与传感器区域相对的位置或区域中布置摄像装置和/或各种传感器的方案。然而,由于传感器区域的结构限制,透光率降低,导致各种传感器的性能劣化的问题。因此,本公开内容的实施方式提供了一种能够大幅提高显示装置中采用的传感器的性能的显示装置。在本公开内容中解决的议题或问题不限于此,并且根据以下描述,其他议题或问题对于本领域技术人员将变得明显。
根据本公开内容的各方面,提供了一种显示装置。该显示装置包括:第一区域,在该第一区域中设置有一个或更多个第一像素;以及被第一区域围绕的第二区域,在该第二区域中设置有一个或更多个第二像素。第二区域包括与第一传感器对应的第一传感器区域以及与第二传感器对应的第二传感器区域,并且第一传感器区域包括第一阻挡层,第二传感器区域包括与第一阻挡层不同的第二阻挡层。
第一阻挡层和第二阻挡层中的每一个可以包括一个或更多个开口,并且除所述开口之外的其余区域可以用于阻挡激光束。
第一传感器可以是图像传感器,并且第二传感器可以是红外传感器。
第一阻挡层可以由具有10%或小于10%的可见光透射率的材料形成。在这种情况下,第一阻挡层可以包括钼(Mo)、钛(Ti)或铝钕(AlNd)中的至少一种或更多种。
第二阻挡层可以由具有90%或大于90%的红外透射率的材料形成。
在这种情况下,第二阻挡层可以包括非晶硅(a-Si)、硒化锌(ZnSe)、硫化锌(ZnS)、氧化镁(MgO)、砷化镓(GaAs)或磷化镓(GaP)中的至少一种或更多种。
设置在第一传感器区域中的像素的密度可以比设置在第二传感器区域中的像素的密度小。设置在第二传感器区域中的像素的密度可以与设置在第一区域中的像素的密度相同。
第一传感器区域和第二传感器区域包括设置在像素之间的透光区域,并且包括在每个像素中的发光元件的阴极可以不设置在透光区域中。
第一传感器区域和第二传感器区域的各自透光区域可以具有不同的形状。例如,第一传感器区域的透光区域可以为圆形或椭圆形,并且第二传感器区域的透光区域可以具有在水平方向、竖直方向或对角线方向上延伸的条形状。
各种特定特征、配置、技术和过程包括在具体实施方式和附图中,并且将在下面详细讨论。
根据本公开内容的各方面,可以提供一种配备有各种光学传感器或模块而无需减少显示区域的显示装置。更具体地,根据本文中描述的实施方式,可以提高设置在显示区域中的传感器的性能。根据本公开内容的各方面,可以提供一种具有改进的美观性和功能性的显示装置。根据本公开内容的各方面的效果不限于上面的描述,更多种效果将在以下描述中变得明显。
附图说明
图1示意性地示出了根据本公开内容的各方面的显示装置。
图2是示意性地示出根据本公开内容的各方面的包括在显示装置中的显示面板和光学传感器的截面图。
图3示出了根据本公开内容的各方面的设置在显示面板的显示区域中的像素。
图4示出了根据本公开内容的各方面的传感器区域中的像素以及透光区域。
图5是图4的A部分的放大图。
图6示出了根据本公开内容的各方面的像素区域和透光区域的截面结构。
图7是示出根据本公开内容的各方面的显示装置的平面图。
图8示出了根据本公开内容的各方面的阻挡层。
图9示出了根据本公开内容的各方面的开口区域。
图10A和图10B示出了根据本公开内容的各方面的传感器区域的截面结构。
具体实施方式
通过参照如下结合附图详细描述的本公开内容的实施方式,本公开内容的优点和特征以及实现本公开内容的优点和特征的方法将是明显的。然而,本公开内容不限于下面阐述的实施方式,而是可以以各种不同的形式来实现。提供以下实施方式仅是为了完全公开本公开内容并且将本公开内容的范围告知本领域技术人员,并且本公开内容仅由所附权利要求书的范围来限定。
另外,在附图中示出的用于描述本公开内容的示例性实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数目等仅是示例,并且本公开内容不限于此。贯穿本说明书,相同的附图标记通常表示相同的要素。此外,在本公开内容的以下描述中,当确定该描述可能使本公开内容的一些实施方式中的主题相当不清楚时,将省略并入本文的已知的功能和配置的详细描述。本文使用的诸如“包括”、“具有”、“包含”、“由……构成”和“由……组成”的术语通常旨在允许添加其他部件,除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非上下文另外明确指出,否则本文使用的单数形式旨在包括复数形式。在解释本公开内容的实施方式的任何要素或特征时,应当考虑的是,即使在没有进行具体描述时,层、区域和范围的任何尺寸和相对大小包括公差或误差范围。
在本文中,空间相对术语诸如“在……上”、“在……上方”、“上方”、“下方”、“在……下方”、“下面”、“下”、“上”、“附近”、“接近”、“邻近”等可以用于描述如附图所示的一个要素或特征与另一要素或特征的关系,并且应当解释为除非使用诸如“直接”、“仅”的术语,否则一个或更多个要素还可以“插入”在这些要素之间。第一要素或层“在”第二要素或层“上”的定位、布置或设置不仅可以包括第一要素或层可以直接定位、布置或设置在第二要素或层上,而且还可以包括在第一要素或层与第二要素或层之间插入第三要素或层。在本文中,其中本公开内容的实施方式中包括的两个或更多个要素进行连接、组合、耦接、接触等的情况不仅可以包括两个或更多个要素之间直接地或物理地连接、组合、耦接或接触,而且还可以包括在两个或更多个要素之间插入另一要素。
当本文使用诸如“第一”、“第二”等术语来描述各种要素或部件时,应当认为这些要素或部件不限于此。这些术语在本文仅用于将一个要素与其他要素区分开。因此,在本公开内容的技术构思中,下面提及的第一要素可以是第二要素。
为了便于描述,示出了在附图中示出的每个部件的尺寸和厚度,并且因此,本公开内容的实施方式不必限于此。在下文中,将参照附图详细描述本公开内容的各种实施方式。
图1示意性地示出了根据本公开内容的各方面的显示装置。图2是示意性地示出包括在显示装置中的显示面板和光学传感器的截面图。图3示出了设置在显示面板的显示区域中的像素。
参照图1,显示装置100的整个表面或大部分表面可以用作显示区域。显示区域可以包括第一区域DA和第二区域CA。在这种情况下,第一区域DA和第二区域CA两者均可以呈现图像,但是可以具有彼此不同的分辨率。例如,设置在第二区域CA中的多个第二像素的分辨率可以比设置在第一区域DA中的多个第一像素的分辨率低。可以使得与设置在第二区域CA中的多个第二像素的分辨率降低的程度对应的足够量的光能够进入设置在第二区域CA中的一个或更多个传感器(41、42)。然而,本公开内容的实施方式不限于此。例如,如果第二区域CA具有足够的透光率,或者实施了适于噪声补偿的算法,则第二区域CA的分辨率可以基本上等于第一区域DA的分辨率。
第二区域CA可以是其中设置有一个或更多个传感器(41、42)的区域。第二区域CA是与一个或更多个传感器交叠的区域;因此,第二区域可以具有比其中存在大多数图像的第一区域DA小的区域。每个传感器(41、42)可以包括图像传感器、接近传感器、照度传感器、手势传感器、运动传感器、指纹识别传感器和生物计量传感器中的至少一者。例如,第一传感器41可以是用于捕获静止图像或运动图像的图像传感器,并且第二传感器42可以是照度传感器;然而,本公开内容的实施方式不限于此。
第二区域CA可以设置在需要光入射的位置处。例如,第二区域CA可以设置在显示区域的左上部或右上部中,或者跨显示区域的整个上部或上部的大部分设置。在这些情况下,这些部分的各自宽度可以根据期望的要求而不同地改变。然而,本文中描述的实施方式不限于此。例如,第二区域CA可以设置在显示区域的中央区域或下部区域中。在下文中,第一区域DA可以被称为显示区域,并且第二区域CA可以被称为传感器区域。
显示区域DA和传感器区域CA各自可以包括一个或更多个像素阵列,在所述一个或更多个像素阵列中布置有被写入像素数据的像素。传感器区域CA的每单位面积的像素的数目(例如,每英寸像素,PPI)可以低于显示区域DA的PPI,以确保足够的透光率。
由于显示区域DA和传感器区域CA两者均包括像素,因此可以在显示区域DA和传感器区域CA上再现输入图像。显示区域DA和传感器区域CA中的像素中的每个像素可以包括具有不同颜色的子像素,以实现带有颜色的图像。每个子像素可以是红色子像素(在下文中被称为“R子像素”)、绿色子像素(在下文中被称为“G子像素”)和蓝色子像素(在下文中被称为“B子像素”)之一。虽然未示出,但是每个像素P还可以包括白色子像素(在下文中被称为“W子像素”)。每个子像素可以包括像素电路和发光元件,例如,发光二极管,更具体地,有机发光二极管(OLED)。
显示面板具有在X轴方向上的宽度,在Y轴方向上的长度,以及在Z轴方向上的厚度。显示面板可以包括设置在基板10上或上方的电路层12以及设置在电路层12上或上方的发光元件层14。在发光元件层14上或上方可以设置偏振层18,并且在偏振层18上或上方可以设置盖玻璃20。
电路层12可以包括诸如数据线、栅极线和电力线的线,连接至这些线的像素电路,连接至栅极线的栅极驱动器等。电路层12可以包括电路元件,例如,实现为薄膜晶体管(TFT)的至少一个晶体管、电容器等。电路层12的线和电路元件可以在多个绝缘层、由其间的绝缘层分隔的两个或更多个金属层以及包括半导体材料的有源层中实施或设置,或者通过所述多个绝缘层、所述两个或更多个金属层以及所述有源层来实施或设置。
发光元件层14可以包括由像素电路驱动的发光元件,例如,发光二极管,更具体地,有机发光二极管(OLED)等。发光元件可以实现为有机发光二极管(OLED)。OLED可以包括形成在阳极与阴极之间的有机材料层。有机材料层可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL);然而,本公开内容的实施方式不限于此。当将电压施加至OLED的阳极和阴极时,穿过空穴传输层(HTL)的空穴和穿过电子传输层(ETL)的电子可以移动至发光层(EML),并且然后形成激子。由此,可以从发光层(EML)发射可见光。发光元件层14可以设置在选择性地透射相应波长的红光、绿光和蓝光的像素上或上方,并且还可以包括滤色器阵列。
发光元件层14可以被封装层覆盖。封装层可以具有其中有机膜和无机膜交替堆叠的结构。在这种情况下,无机膜可以用于阻挡水分或氧气的渗透,并且有机膜可以用于使无机膜的表面平坦化。在具有以有机膜和无机膜堆叠的多层的结构中,水分或氧气行进通过的路径可以变得比具有单层的结构中水分或氧气行进通过的路径长,并且因此,可以有效地防止影响发光元件层14的水分/氧气的渗透。
偏振层18可以接合在发光元件层14或封装层上。偏振层18可以用于提高显示装置的户外可视性。偏振层18可以用于减少从显示面板的表面反射的光,并且阻挡从电路层12的金属反射的光,以提高像素的亮度。偏振层18可以实现为线性偏振板18、在其上接合有相位延迟膜的偏振板18或圆形偏振板18。
根据本公开内容的各方面的显示装置100可以包括设置在显示屏下方的光学传感器。光学传感器可以在捕获模式下捕获外部图像并且供应摄影图像数据或运动图像数据。光学传感器可以对应于传感器区域CA并且位于传感器区域CA下方。在这种情况下,光学传感器的透镜30可以面对传感器区域CA。外部光可以通过传感器区域CA进入光学传感器的透镜,并且透镜30可以将光会聚至图像传感器。同时,在降低传感器区域CA的分辨率以确保透光率的情况下,可以应用图像质量补偿算法以补偿传感器区域CA中的像素的亮度和颜色坐标。
根据本文中描述的实施方式,由于在传感器区域CA中也设置有像素,因此可以实现全屏显示,而不受由于光学传感器导致的显示区域的限制。
如图3所示,显示区域DA可以包括以矩阵形式布置的像素。像素中的每个像素可以被实现为包括构成一个像素的三原色的R子像素、G子像素和B子像素的实型(real-type)像素。像素中的每个像素还可以包括图中省略的W子像素。此外,可以使用子像素渲染算法将两个子像素构成一个像素。例如,第一像素PIX1可以由R子像素和G子像素构成,并且第二像素PIX2可以由B子像素和G子像素构成。像素PIX1和像素PIX2中的每个像素中的不足颜色表示可以由相邻像素之间的相应颜色数据的平均值来补偿。
图4示出了根据本公开内容的各方面的传感器区域。图5是针对图4的A部分的放大图。
参照图4和图5,传感器区域CA可以包括:彼此间隔开预定距离D1的一个或更多个像素组PG,所述一个或更多个像素组中的每个像素组包括一个或更多个像素;以及设置在相邻像素组PG之间的一个或更多个透光区域AG。透光区域AG可以设置在像素之间。以这样的方式,更充足的外部光可以通过透光区域AG进入光学传感器的透镜。透光区域AG的形状以圆形形状示出;然而,本公开内容的实施方式不限于此。例如,透光区域AG可以被设计成各种形状,例如,圆形、椭圆形、多边形等。
透光区域AG可以包括具有高的透光率的一种或更多种透明材料,以使得光能够以使得入射光的损失最小化的方式进入透光区域AG。例如,透光区域AG可以包括透明绝缘材料而无需包括金属线或像素。在这种情况下,像素的线TS可以设置在透光区域AG的外部。然而,本文的实施方式不限于此;例如,可以将金属电极材料保留在透光区域AG中的部分区域中。以这样的方式,通过透光区域入射到传感器上的光的量可以增加,并且传感器区域CA的透光率可以随着透光区域AG增加而增加。
每个像素组PG可以包括一个或两个像素。此外,所述像素中的每个像素可以包括两个至四个子像素。例如,每个像素组中的每个像素可以包括所有的R子像素、G子像素和B子像素,或者可以包括R子像素、G子像素和B子像素中的两个子像素。根据实现方式,每个像素还可以包括W子像素。
透光区域AG之间的距离D3可以比像素组PG之间的距离(例如,间距)D1小。子像素之间的距离D2可以比像素组PG之间的距离D1小。
图6示出了根据本公开内容的各方面的像素区域和透光区域的截面结构。
根据本文描述的实施方式的显示装置100的截面结构不限于图6中的结构。图6示出了像素电路的驱动晶体管DT。参照图6,在像素区域PIX中,电路层、发光元件层等可以堆叠在至少一个基板(PI1、PI2)上或上方。基板可以包括第一PI基板PI1和第二PI基板PI2。在第一PI基板PI1与第二PI基板PI2之间可以设置无机膜IPD。无机膜IPD可以阻挡水分的渗透。
可以在第二PI基板PI2上设置第一缓冲层BUF1。可以在第一缓冲层BUF1上设置第一金属层LS,并且可以在第一金属层LS上设置第二缓冲层BUF2。第一缓冲层BUF1和第二缓冲层BUF2中的每一个可以由无机绝缘材料形成,并且可以包括一个或更多个绝缘层。
第一金属层LS可以在光刻工艺中被图案化。第一金属层LS可以包括遮光图案。遮光图案可以阻挡外部光,使得光无法照射到诸如薄膜晶体管(TFT)的晶体管的有源层,从而防止设置在像素区域中的TFT的光电流。当遮光图案由与要从传感器区域CA去除的金属层(例如,阴极电极)相比具有在激光烧蚀工艺中使用的激光波长的更低的吸收系数的金属形成时,遮光图案也可以用作遮光层,该遮光层在激光烧蚀工艺中阻挡相应的激光束LB。
有源层ACT可以由第二缓冲层BUF2上的半导体材料形成并且通过光刻工艺被图案化。有源层ACT可以包括像素电路中的一个或更多个TFT和栅极驱动器中的一个或更多个TFT中的每个TFT的有源图案。有源层ACT的一部分可以通过离子掺杂而被金属化。金属化部分可以用作跳线图案(jumper pattern),该跳线图案用于在像素电路的一些节点处连接金属层,从而连接像素电路的一个或更多个元件。
可以在第二缓冲层BUF2上设置栅极绝缘层GI,以覆盖有源层ACT。栅极绝缘层GI可以由无机绝缘材料形成。
可以在第二栅极绝缘层GI上设置第二金属层GATE。第二金属层GATE可以通过光刻工艺被图案化。第二金属层GATE可以用作栅极线、栅电极、存储电容器Cst1的下电极、连接第一金属层LS的相应图案和第三金属层TM的相应图案的跳线图案等。
可以在栅极绝缘层GI上设置第一层间绝缘层ILD1,以覆盖第二金属层GATE。可以在第一层间绝缘层ILD1上设置第三金属层TM,并且第二层间绝缘层ILD2可以覆盖第三金属层TM。第三金属层TM可以通过光刻工艺被图案化。第三金属层TM可以包括与存储电容器Cst1的上电极的金属图案相同的金属图案。第一层间绝缘层ILD1和第二层间绝缘层ILD2可以包括无机绝缘材料。
可以在第二层间绝缘层ILD2上设置第四金属层SD1,并且可以在第四金属层SD1和第二层间绝缘层ILD2中的至少一者上或上方堆叠无机绝缘层PASl和第一平坦化层PLNl。可以在第一平坦化层PLN1上设置第五金属层SD2。
第四金属层SD1的一个或更多个图案可以通过形成在第一平坦化层PLN1和无机绝缘层PAS1中的接触孔连接至第三金属层TM。第一平坦化层PLN1和第二平坦化层PLN2可以由使表面平坦化的有机绝缘材料形成。
第四金属层SD1可以包括TFT的第一电极和第二电极,所述第一电极和第二电极通过形成在第二层间绝缘层ILD2中的接触孔连接至TFT的有源图案。可以使用第四金属层SD1或第五金属层SD2来实现数据线和电力线。
可以在第二平坦化层PLN2上设置作为发光元件OLED的第一电极层的阳极电极AND。阳极电极AND可以通过形成在第二平坦化层PLN2中的接触孔连接至驱动TFT的一个电极。阳极电极AND可以包括透明电极材料或半透明电极材料。
像素限定膜BNK可以覆盖发光元件OLED的阳极电极AND。像素限定膜BNK可以形成为限定发光区域(或开口区域)的图案,通过该发光区域,光从每个像素传递至外部。可以在像素限定膜BNK上形成间隔件SPC。可以利用相同的有机绝缘材料来集成像素限定膜BNK和间隔件SPC。间隔件SPC可以确保细金属掩模(FMM)与阳极电极AND之间的间隙,使得FMM在有机化合物EL的沉积工艺中不能与阳极电极AND接触。
有机化合物EL可以形成在每个像素中的由像素限定膜BNK限定的发光区域中。在显示装置100中,作为发光元件OLED的第二电极层的阴极电极CAT可以被设置成覆盖像素限定膜BNK、间隔件SPC和有机化合物EL。阴极电极CAT可以连接至通过下金属层中的任一个形成的VSS线。盖层CPL可以覆盖阴极电极CAT。盖层CPL可以由无机绝缘材料形成,并且可以通过阻止空气和施加在盖层CPL上的有机绝缘材料的脱气(outgassing)渗透至阴极电极CAT来保护阴极电极CAT。
封装层可以包括无机绝缘层PAS2和无机绝缘层PAS3以及设置在无机绝缘层PAS2与无机绝缘层PAS3之间的异物补偿层PCL。下无机绝缘层PAS2可以覆盖盖层CPL,并且异物补偿层PCL可以设置在下无机绝缘层PAS2上。异物补偿层PCL可以包括有机绝缘材料。上无机绝缘层PAS3可以设置在异物补偿层PCL上。
可以在无机绝缘层PAS3上设置偏振板18,以提高显示装置100的户外可视性。偏振板18可以减少从显示装置100的表面反射的光并且阻挡从电路层12的金属反射的光,从而提高像素的亮度。参照图6,可以在透光区域AG中的偏振板18上形成第一透光图案18d。第一透光图案18d可以由于偏振器18b受到激光引起的颜色变化而形成,或者可以通过部分去除偏振器18b而形成。
可以在透光区域AG中的阴极电极CAT中形成开口H1。开口H1是在形成像素限定膜BNK上的阴极电极CAT之后通过同时蚀刻阴极电极CAT和像素限定膜BNK来形成的。因此,在像素限定膜BNK中可以形成第一凹槽RC1,并且可以在第一凹槽RC1上形成阴极电极CAT的开口H1。然而,本文描述的实施方式不限于此。例如,在透光区域AG中可以不设置像素限定层,并且阴极电极CAT可以设置在第二平坦化层PLN2上。
在一些实施方式中,在透光区域AG中,第一透光图案18d可以设置在偏振板18中,并且开口H1可以形成在阴极电极中。由此,可以提高透光率。因此,由于使得足够量的光能够进入摄像装置模块400,因此可以提高摄像装置性能。此外,可以减少捕获的图像数据的噪声。
图7是示出根据本公开内容的各方面的显示装置的平面图。
根据本文描述的实施方式的显示装置700可以包括第一区域DA和第二区域CA,并且第二区域CA是第一传感器区域CA1和第二传感器区域CA2。第一区域DA、第一传感器区域CA1和第二传感器区域CA2全部是其中显示图像的区域。在一个实施方式中,第一传感器区域CA1和第二传感器区域CA2是与彼此不同的相应传感器对应的区域。
第一区域DA和第二区域CA与上面参照图6讨论的描述相同。第一传感器区域CA1和第二传感器区域CA2中的全部或每一个可以与一个或更多个传感器(图像传感器、红外传感器等)交叠。为了使入射至基板下方的至少一个传感器的光的量最大化,第一传感器区域CA1和第二传感器区域CA2的分辨率可以比第一区域DA的分辨率低。
在典型设计中,当第二区域CA中布置有若干个传感器时,第二区域CA被设计成无需考虑每个传感器的特性。也就是说,整个第二区域CA由相同的材料和结构形成。在这样的结构中,例如,发生了一个传感器没有问题但另一个传感器特性劣化的问题。例如,在其中图像传感器和红外传感器被一起设置在第二区域CA中的情况下,如果针对图像传感器优化了诸如透射率的条件,则红外传感器可能难以表现出足够的性能。
本公开内容的发明人认识到这个问题并且发明了通过将与传感器对应的各个区域设计成具有彼此不同的结构来使得所有传感器能够表现出最佳性能的方案。上面的方案包括独特地设计设置在每个传感器区域中的金属(阻挡层、阴极等)的材料和形状。
通常,为了提高第二区域CA的透射率,可能期望去除第二区域CA中的透光区域AG的所有金属材料。特别地,可以在整个第二区域CA上沉积用作阴极的金属,并且然后,可以在激光烧蚀工艺中去除与透光区域AG对应的区域。此时,如果以点射将激光束照射在透光区域AG上,则可能使相关联的工艺时间延长。此外,透射率可能由于透光区域AG中剩余的金属残留膜而降低,或者包括在图像中的噪声可能增加。为了解决工艺中的这个问题,可以形成仅使透光区域AG暴露的阻挡层(图6中的第一金属层LS),并且在激光烧蚀工艺中,可以使用照射呈线光束或块光束形式的激光束的工艺。此时,存在于除透光区域AG之外的区域中的金属可能不会被去除,这是因为该金属被阻挡层LS保护免受激光束的影响。在这样的工艺中,可以仅通过激光束的一次照射来去除仅与透光区域AG对应的金属。
在去除与传感器区域CA的透光区域AG对应的金属之后,由于阻挡层LS阻挡了相关联的TFT下方的外部光,使得没有光照射至有源层ACT。因此可以防止TFT的光电流。
本公开内容的发明人认识到,当在传感器区域中布置各种传感器时,如果整个第二区域CA设置有相同材料和结构的阻挡层LS,则这样的实现方式对传感器中的至少一个传感器的性能的影响很小。此外,发明人认识到,如果阻挡层LS的材料和/或形状根据设置在相应区域中的各个传感器而被不同地配置,则可以使传感器的相应性能最大化。
在根据本公开内容的各方面的显示装置700中,提供了用于通过向第二区域CA中的每个传感器区域施加彼此分离的阻挡层来优化每个传感器的功能的技术。此外,阻挡层可以用于通过使用如上所述的线光束或块光束的激光工艺来对相关联的阴极进行图案化。
显示装置700包括设置在第一区域DA中的第一像素和设置在被第一区域DA围绕的第二区域CA中的第二像素。第二区域CA包括与第一传感器71对应的第一传感器区域CA1和与第二传感器72对应的第二传感器区域CA2。第一传感器区域CA1和第二传感器区域CA2可以具有不同的阻挡层。
图8示出了根据本公开内容的各方面的阻挡层。
阻挡层(LSL1、LSL2)可以包括与透光区域AG对应的至少一个开口OP。开口OP是不与像素PG交叠的区域,在该区域中不形成阻挡层。在图8中,虽然设置在第一传感器区域CA1和第二传感器区域CA2中的各个阻挡层具有相同的开口形状;然而,本公开内容的实施方式不限于此。在去除存在于透光区域AG中的金属的激光烧蚀工艺中,阻挡层(LSL1、LSL2)可以用于阻挡激光束朝除了至少一个开口OP之外的其余区域照射。因此,阻挡层(LSL1、LSL2)可以由与被去除的金属相比具有激光束波长的更低的吸收系数的金属或无机膜形成。
第一传感器区域CA1和第二传感器区域CA2可以具有取决于各自传感器的不同的阻挡层。例如,第一传感器71可以是图像传感器,并且第二传感器72可以是可以用于识别用户的面部的红外传感器。在这种情况下,第一传感器区域CA1的第一阻挡层LSL1可以由具有10%或小于10%的可见光透射率的材料形成。这是为了防止由于可见光的散射和干涉引起的图像质量劣化,并且可以使用钼(Mo)、钛(Ti)或铝钕(AlNd)中的至少一种作为第一阻挡层LSL1。
此外,当第二传感器72是红外传感器时,第二传感器区域的第二阻挡层LSL2可以由具有90%或更大的红外透射率的材料形成。在这种情况下,第二阻挡层LSL2可以包括非晶硅(a-Si)、硒化锌(ZnSe)、硫化锌(ZnS)、氧化镁(MgO)、砷化镓(GaAs)或磷化镓(GaP)中的至少一种或更多种。
第一传感器区域CA1和第二传感器区域CA2可以以相同的分辨率(例如,比第一区域低的分辨率)实现。在另一实施方式中,与此不同的是,第一传感器区域CA1和第二传感器区域CA2可以以彼此不同的分辨率来实现。由于即使像素被布置成在放置特定传感器(例如,红外传感器)的区域中具有更高分辨率时也可以保持识别率,因此对于其中设置特定传感器的这种区域,不降低显示质量可能是更有利的。
因此,在根据本文描述的实施方式的显示装置700中,设置在第一传感器区域CA1中的像素的密度可以比设置在第二传感器区域CA2中的像素的密度低。当在第一传感器区域CA1中设置图像传感器并且在第二传感器区域CA2中设置红外传感器时,第一传感器区域CA1的PPI可以小于第二传感器区域CA2的PPI。此外,设置在第二传感器区域CA2中的像素的密度可以与设置在第一区域DA中的像素的密度相同。这是为了方便设计/制造。
图9示出了根据本公开内容的各方面的开口区域。
第一传感器区域CA1和第二传感器区域CA2包括设置在像素之间的透光区域AG,并且透光区域AG的形状在各个区域中可以是不同的。参照图9,第一传感器区域CA1的透光区域AG1为圆形或椭圆形。第二传感器区域CA2的透光区域AG2具有在水平方向、竖直方向或对角线方向上延伸的条形状或方形形状。
第二像素中包括的发光元件的阴极可以不设置在透光区域AG1和AG2中。当阴极被图案化时,开口OP可以以这样的形状形成在阻挡层LSL1和LSL2中。当透光区域AG如图9所示设置时,第一传感器区域CA1的第一阻挡层LSL1可以具有圆形开口,并且第二传感器区域CA2的第二阻挡层LSL2可以具有斜条形状的开口。
图10A和图10B示出了根据本公开内容的各方面的传感器区域的截面结构。
图10A示出了其中设置有图像传感器71的第一传感器区域CA1。图10B示出了其中设置有红外传感器72的第二传感器区域CA2。图10A和图10B所示的结构中除了阻挡层LSL1和阻挡层LSL2以及传感器71和传感器72之外的层中的每个层与图6中的相应的每个层相同;因此,为了描述方便,省略了相应的讨论。
如上所述,第一传感器区域CA1和第二传感器区域CA2中的各个阻挡层LSL1和LSL2可以取决于对应的传感器而由不同的材料形成。也就是说,第一传感器区域CA1的阻挡层LSL1可以由具有可见光的较少干涉和散射的材料形成,以降低图像传感器的噪声。也就是说,第二传感器区域CA2的阻挡层LSL2可以由具有高的红外透射率的材料形成,以增加红外传感器的识别率。
阻挡层LSL1和阻挡层LSL2中的每一个都可以阻挡外部光进入像素区域PG的有源层ACT的上部分,从而用于防止相关联TFT的光电流。
此外,第一传感器区域和第二传感器区域的各个阻挡层LSL1和LSL2可以具有开口OP,开口OP具有与透光区域AG的上部分的形状对应的形状。因此,每个传感器区域可以具有根据其功能设计的透光区域AG的形状。
在根据本文描述的实施方式的显示装置中,可以通过借助于上述配置提供适用于每个传感器的环境来提高每个传感器的识别性能。
以上描述已经被呈现以使本领域技术人员能够制造和使用本发明,并且在特定应用及其要求的背景下被提供。对所描述的实施方式的各种修改、添加和替换对于本领域技术人员而言将是明显的,并且在不脱离本发明的精神和范围的情况下,可以将本文中定义的一般原理应用于其他实施方式和应用。虽然为了说明的目的描述了示例性实施方式,但是本领域技术人员将理解,在不脱离本公开内容的必要特征的情况下,各种修改和应用是可能的。例如,可以对示例性实施方式的特定部分进行各种修改。如本领域普通技术人员可以完全理解的那样,本公开内容的各种示例性实施方式的要素或特征可以部分地或全部地彼此结合或组合,并且可以在技术上以各种方式互锁和操作,并且各种示例性实施方式可以彼此独立地或彼此关联地执行。
本公开内容的保护范围要根据权利要求来解释,并且权利要求范围内的所有技术构思应当被解释为包括在本发明的范围内。

Claims (12)

1.一种显示装置,包括:
第一区域,在所述第一区域中设置有一个或更多个第一像素;以及
被所述第一区域围绕的第二区域,在所述第二区域中设置有一个或更多个第二像素,
其中,所述第二区域包括与第一传感器对应的第一传感器区域以及与第二传感器对应的第二传感器区域,并且
所述第一传感器区域包括第一阻挡层,并且所述第二传感器区域包括与所述第一阻挡层不同的第二阻挡层。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一阻挡层和所述第二阻挡层中的每一个包括一个或更多个开口,并且除所述一个或更多个开口之外的其余区域用于阻挡激光束。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一传感器是图像传感器,并且所述第二传感器是红外传感器。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述第一阻挡层由具有10%或小于10%的可见光透射率的材料形成。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述第一阻挡层包括钼Mo、钛Ti或铝钕AlNd中的至少一种或更多种。
6.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述第二阻挡层由具有90%或大于90%的红外透射率的材料形成。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述第二阻挡层包括非晶硅a-Si、硒化锌ZnSe、硫化锌ZnS、氧化镁MgO、砷化镓GaAs或磷化镓GaP中的至少一种或更多种。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述一个或更多个第二像素中的设置在所述第一传感器区域中的像素的密度比所述一个或更多个第二像素中的设置在所述第二传感器区域中的像素的密度小。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述一个或更多个第二像素中的设置在所述第二传感器区域中的像素的密度等于设置在所述第一区域中的所述一个或更多个第一像素的密度。
10.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述第一传感器区域和所述第二传感器区域中的每一个包括设置在所述第一像素或所述第二像素之间的透光区域,并且包括在所述第一像素或所述第二像素中的每个像素中的发光元件的阴极不设置在所述透光区域中。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述第一传感器区域和所述第二传感器区域具有不同的透光区域形状。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述第一传感器区域的所述透光区域为圆形或椭圆形,并且所述第二传感器区域的所述透光区域具有在水平方向、竖直方向或对角线方向上延伸的条形状。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024063377A1 (ko) * 2022-09-22 2024-03-28 삼성전자주식회사 카메라 상에 위치된 디스플레이 패널을 포함하는 전자 장치

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101641618B1 (ko) * 2009-08-05 2016-07-22 삼성디스플레이 주식회사 가시광 차단 부재, 가시광 차단 부재를 포함하는 적외선 센서 및 적외선 센서를 포함하는 액정 표시 장치
US11073712B2 (en) * 2018-04-10 2021-07-27 Apple Inc. Electronic device display for through-display imaging
US11294422B1 (en) * 2018-09-27 2022-04-05 Apple Inc. Electronic device including a camera disposed behind a display
CN109239938A (zh) * 2018-10-11 2019-01-18 京东方科技集团股份有限公司 光学准直结构及其制作方法、指纹识别装置
KR20200069421A (ko) * 2018-12-06 2020-06-17 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이를 포함하는 전자장치
CN110365819A (zh) * 2019-06-18 2019-10-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示屏及显示装置
CN111129102B (zh) * 2019-12-31 2022-07-12 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
KR20210150903A (ko) * 2020-06-04 2021-12-13 삼성전자주식회사 디스플레이를 포함하는 전자 장치
KR20220031795A (ko) * 2020-09-03 2022-03-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20220131428A (ko) * 2021-03-18 2022-09-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

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