CN106098725B - 有机发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种有机发光显示装置包括：被设置为彼此相邻、间隔开的第一像素电极和第二像素电极；以及被设置在第一像素电极和第二像素电极上的像素限定层，像素限定层覆盖除第一像素电极的中心部分、第二像素电极的中心部分、第一像素电极的在到第二像素电极的方向上的第一边缘以及第二像素电极的在到第一像素电极的方向上的第二边缘之外的第一像素电极的一部分和第二像素电极的一部分。

Description

有机发光显示装置
相关申请的交叉引用
此申请要求2015年4月30日提交的韩国专利申请No.10-2015-0062022的优先权和权益，其出于各种目的通过引用被合并于此，如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
示例性实施例涉及能够精确地显示图像同时提高有机发光显示装置的亮度的有机发光显示装置。
背景技术
一般而言，有机发光显示装置是通过使用从设置在像素电极与对电极之间的发射层发射的光显示图像的显示装置。有机发光显示装置通常包括电连接至薄膜晶体管的像素电极，电子信号经由薄膜晶体管被施加到像素电极，以控制每个子像素中的光发射或发光度。
有机发光显示装置可为了高分辨率而具有尺寸减小的子像素，因此从子像素发射的光可能具有减小的亮度。
在此背景部分公开的上述信息仅用于增强对发明构思的背景的理解，因此它可能包含不形成在该国家被本领域普通技术人员所知晓的现有技术的信息。
发明内容
示例性实施例包括能够精确地显示图像同时提高有机发光显示装置的亮度的有机发光显示装置。
另外方面将在随后的详细描述中阐述，并且部分根据本公开是显而易见的，或者可以通过对本发明构思的实践来获知。
一个示例性实施例提供了一种有机发光显示装置，包括：被设置为彼此相邻、间隔开的第一像素电极和第二像素电极；以及被设置在第一像素电极和第二像素电极上的像素限定层，像素限定层覆盖除第一像素电极的中心部分、第二像素电极的中心部分、第一像素电极的在到第二像素电极的方向上的第一边缘以及第二像素电极的在到第一像素电极的方向上的第二边缘之外的第一像素电极的一部分和第二像素电极的一部分。
一个示例性实施例提供了一种有机发光显示装置，包括：被布置成行的多个像素电极，多个像素电极中的每一个被设置成彼此间隔开；以及被设置在多个像素电极上的像素限定层，像素限定层覆盖多个像素电极的除多个像素电极的中心部分和多个像素电极中的相邻像素电极之间的边缘之外的部分。
前述一般性描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在提供对要求保护的主题的进一步解释。
附图说明
被包括为提供对本发明构思的进一步理解并且被并入此说明书中并构成其一部分的附图示出了本发明构思的示例性实施例，并与描述一起用于解释本发明构思的原理。
图1是根据示例性实施例的有机发光显示装置的一部分的示意性剖视图；
图2是图1的有机发光显示装置的一部分的平面图；并且
图3是根据示例性实施例的有机发光显示装置的一部分的平面图。
具体实施方式
在下面的描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体的细节，以便提供对各种示例性实施例的彻底理解。然而，显而易见的是，各种示例性实施例可以在没有这些具体细节或具有一个或多个等同布置的情况下实施。在其他情况下，为了避免不必要地使各种示例性实施例隐晦费解，公知的结构和设备以框图形式示出。
在附图中，出于清楚和说明的目的，层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸可能被夸大了。另外，相同的附图标记指代相同的元件。
当一元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接至”或“联接至”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上、直接连接至或联接至另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。然而，当一元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接至”或“直接联接至”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。出于此公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个”可以被解释为只有X、只有Y、只有Z、或X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如，例如，XYZ、XYY、YZ和ZZ。贯穿全文，相同的附图标记指代相同的元件。如本文所用，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任意和所有组合。
虽然术语第一、第二等可在本文中用来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语用来区分一个元件、组件、区域、层和/或部分与另一个元件、组件、区域、层和/或部分。因此，下面讨论的第一元件、组件、区域、层和/或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层和/或部分，而不脱离本公开的教导。
出于描述的目的，在本文中可以使用诸如“之下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等的空间相对术语，来描述如图中所示的一个元件或特征相对于另一个(些)元件或特征的关系。除了图中描述的方位之外，空间相对术语还意在包含装置在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果图中装置被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将被定向为在其它元件或特征的“上方”。因此，示例性术语“下方”可以包括上方和下方两种方位。此外，装置可被另外定向(例如旋转90度或者在其它方向)，并且照此，本文使用的空间相对描述符进行相应的解释。
本文使用的术语仅用于描述特定的实施例，并不旨在进行限制。如本文所用，单数形式“一个”、“一种”和“该(所述)”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确说明。此外，当在说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”表明存在所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
在本文中参考作为理想化示例性实施例的示意性图示的剖视图示来描述示例性实施例。这样，作为例如制造技术和/或公差的结果，可以预期图示形状的变化。因此，在本文中公开的示例性实施例不应该被解释为限于区域的特定例示形状，而是包括例如由于制造产生的形状偏差。例如，被示出为矩形的植入区域在其边缘处将通常具有圆形或曲面的特征和/或植入浓度的梯度，而不是从植入区域到非植入区域的二进制变化。同样，通过植入形成的掩埋区域可能导致在掩埋区域和植入发生的表面之间的区域中的一些植入。因而，图中所示的区域在本质上是示意性的，它们的形状并不旨在示出设备的区域的实际形状，并且不旨在进行限制。
除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有本公开所属的技术领域的普通技术人员所通常理解的相同含义。例如那些在常用字典中定义的术语应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于正式的意义来解释，除非在本文中明确地如此定义。
图1是根据示例性实施例的有机发光显示装置的一部分的示意性剖视图，图2是图1的有机发光显示装置的一部分的示意性平面图。
根据该示例性实施例的有机发光显示装置包括基底100、薄膜晶体管220、缓冲层211、栅极绝缘层213、层间绝缘层215以及保护层或平坦化层217。除了上述元件，如图1和图2所示，有机发光显示装置可以进一步包括第一像素电极311、第二像素电极312、第三像素电极313、发射层321、发射层323、像素限定层219以及被设置在保护层或平坦化层217上的对电极(未示出)。
基底100可以是由塑料制成的柔性基底。如果基底100包括塑料材料，则与玻璃基底相比，湿气和/或氧气相对来说可能更容易渗透穿过塑料基底，因而包括由塑料材料制成的基底100的有机发光二极管可能更容易受到湿气和/或氧气的影响，并且有机发光二极管的寿命可能会缩短。因此，为了防止或减少上述缺陷，缓冲层211可以作为包括氧化硅或氮化硅的单层或多层被设置在基底100上。除了或代替塑料材料，基底100可由金属或玻璃形成。
设置在缓冲层211上的薄膜晶体管220可包括栅电极221、源电极223、漏电极225、半导体层227、栅极绝缘层213以及层间绝缘层215。参考图1，薄膜晶体管220可以具有这样一种结构，其中半导体层227被设置在缓冲层211上，栅电极221被设置在半导体层227上，并且源电极223和漏电极225被设置在半导体层227和栅电极221上，但是示例性实施例不限于此，可以具有不同的结构。半导体层227可以包括多晶硅、非晶硅、有机半导体层或导电半导体氧化物层。
栅电极221被设置为与半导体层227相对应，并且根据被施加至栅电极221的信号，电子信号可在源电极223与漏电极225之间传输。这里，为了使半导体层227与栅电极221绝缘，由氧化硅和/或氮化硅形成的栅极绝缘层213被设置在半导体层227与栅电极221之间。
层间绝缘层215被设置在栅电极221上，并且层间绝缘层215可以被形成为具有包括氧化硅和/或氮化硅的单层结构或多层结构。然而，示例性实施例不限于此，可以使用各种材料来形成层间绝缘层215。源电极223和漏电极225被设置在层间绝缘层215上。源电极223和漏电极225可以经由形成在层间绝缘层215和栅极绝缘层213中的接触孔电连接至半导体层227。
保护层或平坦化层217被设置在源电极223和漏电极225上，以保护或平坦化被设置在保护层或平坦化层217下方的薄膜晶体管。保护层或平坦化层217可以被配置成各种形状，并且可以由诸如苯并环丁烯(BCB)和丙烯酸的有机材料和/或诸如氧化硅和氮化硅的无机材料形成。保护层或平坦化层217可以以各种方式被修改，例如，可被形成为具有单层结构、双层或多层结构。
第一像素电极311和第二像素电极312被设置为彼此分离，并直接位于保护层或平坦化层217上。第一像素电极311和第二像素电极312用作阳极，并且将在后面描述的对电极用作阴极。第一像素电极311和第二像素电极312的极性与对电极的极性可以颠倒。
第一像素电极311和第二像素电极312可以是透明电极或反射电极。当第一像素电极311和第二像素电极312是透明电极时，第一像素电极311和第二像素电极312可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、ZnO和In2O3中的至少一种形成。当第一像素电极311和第二像素电极312是反射电极时，第一像素电极311和第二像素电极312可以包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及其化合物中的至少一种形成的反射层、以及位于反射层上的由ITO、IZO、ZnO和In2O3中的至少一种形成的层。
除了第一像素电极311的中心部分、第二像素电极312的中心部分、第一像素电极311在到第二像素电极312的方向(-x方向)上的第一边缘、第二像素电极312在到第一像素电极311的方向(+x方向)上的第二边缘之外，像素限定层219部分地覆盖第一像素电极311和第二像素电极312。更具体地说，像素限定层219包括被形成为整体形状的第一开口219a。第一开口219a暴露第一像素电极311的中心部分、第一像素电极311朝向第二像素电极312(设置在-x方向上)的第一边缘、第二像素电极312的中心部分、第二像素电极312朝向第一像素电极311(设置在+x方向上)的第二边缘。也就是说，如图1和图2所示，第一像素电极311的除了第一边缘(其设置在-x方向上)的其余边缘被像素限定层219覆盖，并且第二像素电极312的除了第二边缘(其设置在+x方向上)的其余边缘被像素限定层219覆盖。因此，被设置在第一像素电极311和第二像素电极312下方的保护层或平坦化层217在第一像素电极311与第二像素电极312之间未被像素限定层219覆盖。这里，参考图2，第一像素电极311的第一边缘(设置在-x方向上)可以指的是第一像素电极311在XY平面上的四个边中被设置为面对第二像素电极312(在-x轴方向上)、与第一开口219a的中心部分相邻的边缘。此外，第二像素电极312的第二边缘(设置在+x方向上)可以指的是第二像素电极312在XY平面上的四个边中被设置为面对第一像素电极311(在+x轴方向上)、与第一开口219a的中心部分相邻的边缘。
诸如像素电极310R和像素电极310G的附加像素电极可以被设置在保护层或平坦化层217上。例如，像素电极310R可以是红色子像素的像素电极，并且像素电极310G可以是绿色子像素的像素电极。在这种情况下，第一像素电极311和第二像素电极312可以是蓝色子像素的像素电极。参考图2，一个红色子像素、一个绿色子像素和一个蓝色子像素可以配置一个像素P，但示例性实施例不限于此。也就是说，像素P可包括各种子像素，并且从子像素发射的光的波长不限于红光、绿光和/或蓝光。
为了实现全彩色有机发光显示装置，每个像素P可以包括例如红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。这里，如果从一个子像素发射的光的亮度相对低于从其它子像素发射的光的亮度，则具有相对较低的光发射的该子像素的光发射区域可以被增加，以提高该有机发光显示装置的总亮度。但是，每个子像素可以占据的面积，其对应于每个子像素的像素电极可以占据的面积，受限于像素的面积。
根据示例性实施例的有机发光显示装置包括未被像素限定层219覆盖的第一像素电极311的某一部分和第二像素电极312的某一部分，因而发射区域可以被增加，而无需增加第一像素电极311和第二像素电极312的面积。
更具体地说，如图2所示，包括像素电极310R和像素电极310G的附加像素电极的边缘被像素限定层219覆盖。因此，仅像素电极310R和像素电极310G的未被像素限定层219覆盖的中心部分被暴露，而不是图2中通过虚线表示的整个像素电极310R和整个像素电极310G。因此，仅像素电极310R的暴露部分，而不是整个像素电极310R，成为子像素的发射区域，并且仅像素电极310G的暴露部分，而不是像素电极310G的整个部分，成为子像素的发射区域。然而，如果红色发射材料和/或绿色发射材料具有高的发光效率，则红光或绿光可具有足够的亮度，即使红色子像素和/或绿色子像素的发射区域被减小。
被设置为彼此面对的第一像素电极311的第一边缘和第二像素电极312的第二边缘未被像素限定层219覆盖。因此，仅第一像素电极311和第二像素电极312的未被像素限定层219覆盖的部分被暴露，而不是图2中通过虚线表示的整个第一像素电极311和整个第二像素电极312，但除了第一像素电极311和第二像素电极312的中心部分之外，第一像素电极311的第一边缘和第二像素电极312的第二边缘也被暴露。因此，包括第一像素电极311的子像素的发射区域和包括第二像素电极312的子像素的发射区域可以增加。例如，如果蓝色发射材料具有低发光效率，则两个相邻的蓝色子像素可以被分别形成为包括第一像素电极311和第二像素电极312，因此，蓝色子像素可以发射具有足够或增加的亮度的蓝光。
如图1所示，被设置在第一像素电极311和第二像素电极312上的发射层321可以被形成为一体，以对应于第一像素电极311和第二像素电极312二者。发射层321还可以包括分别形成在第一像素电极311和第二像素电极312上的分离发射层。参考图1，有机发光显示装置可以包括相对于多个像素电极(包括像素电极310R和像素电极310G)共同设置的空穴注入层或空穴传输层(未示出)，并且发射层321可以被设置在空穴注入层或空穴传输层(未示出)上。此外，相对于多个像素电极(包括像素电极310R和像素电极310G)共同形成的电子传输层或电子注入层(未示出)可以被进一步设置在发射层321上。
对电极(未示出)位于包括发射层321的层上。对电极被形成为共同对应于多个像素电极(包括像素电极310R和像素电极310G)的电极，并且可以是透明电极或反射电极。当对电极(未示出)是透明电极时，对电极(未示出)可以包括包含Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg及其化合物中的至少一种的层、以及由诸如ITO、IZO、ZnO和In2O3的透明电极形成材料形成的辅助电极或汇流电极线(未示出)。当对电极(未示出)是反射电极时，对电极(未示出)可以包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg及其化合物中的至少一种。
第一薄膜晶体管TFT1被设置在第一像素电极311下方，以电连接至第一像素电极311，并且第二薄膜晶体管TFT2被设置在第二像素电极312下方，以电连接至第二像素电极312。可以形成电连接至第一薄膜晶体管TFT1的第一电容器Cap1和/或电连接至第二薄膜晶体管TFT2的第二电容器Cap2。作为绝缘层的保护层或平坦化层217可被设置为覆盖第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2。
经由形成在保护层或平坦化层217中的接触孔，第一像素电极311电连接至第一薄膜晶体管TFT1，第二像素电极312电连接至第二薄膜晶体管TFT2。参考图1和图2，第一像素电极311的电连接至第一薄膜晶体管TFT1的第一连接部311C和第二像素电极312的电连接至第二薄膜晶体管TFT2的第二连接部312C可以被像素限定层219覆盖。经由形成在保护层或平坦化层217中的接触孔，像素电极310R和310G也电连接至对应的薄膜晶体管。参考图2，像素电极310R的电连接至对应薄膜晶体管的连接部310RC和像素电极310G的电连接至对应薄膜晶体管的连接部310GC可以被像素限定层219覆盖。
发射层321被设置在第一像素电极311和第二像素电极312的未被像素限定层219覆盖的部分上。如果第一像素电极311的电连接至第一薄膜晶体管TFT1的第一连接部311C和第二像素电极312的电连接至第二薄膜晶体管TFT2的第二连接部312C未被像素限定层219覆盖，那么发射层321也可被设置在第一连接部311C和第二连接部312C上，因此，发射层321可被设置在不平坦或不均匀的表面上，因而亮度可能取决于子像素位置而变化。
在根据示例性实施例的有机发光显示装置中，第一像素电极311的电连接至第一薄膜晶体管TFT1的第一连接部311C和第二像素电极312的电连接至第二薄膜晶体管TFT2的第二连接部312C被像素限定层219覆盖。这样，发射层321未被设置在第一连接部311C和第二连接部312C上，因此发射层321可被设置在平坦和均匀的表面上，因而有机发光显示装置可具有相对较高的质量。如图1所示，发射层321可以被部分地设置在像素限定层219上。
被设置为彼此面对的第一像素电极311的第一边缘和第二像素电极312的第二边缘未被像素限定层219覆盖。因此，第一连接部311C可以位于第一像素电极311的被设置为远离第二像素电极312(+x方向)、与第一边缘相对的边缘中，并且第二连接部312C可以位于第二像素电极312的被设置为远离第一像素电极311(-x方向)、与第二边缘相对的边缘中。换句话说，第一连接部311C可被设置在第一像素电极311的远离第二像素电极312的部分中，并且第二连接部312C可以被设置在第二像素电极312的远离第一像素电极311的部分中。
参考图2，有机发光显示装置可以包括第三像素电极313，第三像素电极313可以被设置为与被设置在与第二像素电极312相对(在+x方向)的一侧的第一像素电极311分离。另外，第四像素电极314可以被设置为与被设置在与第一像素电极311相对(在-x方向)的一侧的第二像素电极312分离。在这种情况下，像素限定层219可以覆盖除了第三像素电极313的中心部分和第四像素电极314的中心部分之外的第三像素电极313的一部分与第四像素电极314的一部分。这可以被理解为像素限定层219可具有第二开口219b和第三开口219c，其中第二开口219b暴露第三像素电极313的中心部分，第三开口219c暴露第四像素电极314的中心部分。
参考图2，除了第四像素电极314的中心部分之外，第三开口219c可以暴露被设置为远离第二像素电极312(在-x方向)、面对第四像素电极314的第五像素电极315的中心部分，以及彼此面对的第四像素电极314的边缘和第五像素电极315的边缘。参考图2，除了第三像素电极313的中心部分之外，第二开口219b还可以暴露第三像素电极313的远离第一像素电极311(+x方向)的边缘。虽然在图2中未示出，不过第二开口219b还可以暴露被设置在第三像素电极313的远离第一像素电极311(+x方向)的一侧的另一像素电极的中心部分、以及该像素电极的面对第三像素电极313的边缘。像素限定层219还覆盖第三像素电极313的面对第一像素电极311的第三边缘和第四像素电极314的面对第二像素电极312的第四边缘。
第一距离d1限定了第一像素电极311与第二像素电极312之间的距离。第一像素电极311与第三像素电极313之间的第二距离d2以及第二像素电极312与第四像素电极314之间的第三距离d3可大于第一像素电极311与第二像素电极312之间的第一距离d1。
发射层321可被一体地形成在第一像素电极311上和第二像素电极312上。因此，当为了形成发射层321而进行使用掩模的沉积方法时，掩模的开口可具有与像素限定层219的第一开口219a的形状相对应的形状。未针对第一像素电极311和第三像素电极313共同地形成发射层。因此，当为了形成发射层而进行使用掩模的沉积方法时，掩模可具有与第一像素电极311和第三像素电极313之间的空间对应的肋，从而防止或减少掩模中的开口的变形。
由于发射层未形成在与掩模的肋相对应的部分上，因此第一像素电极311与第三像素电极313之间的第二距离d2以及第二像素电极312与第四像素电极314之间的第三距离d3可以增加。因此，第二距离d2和第三距离d3可以被形成为大于第一距离d1，因而掩模可以包括肋，使得用于形成发射层321和323的掩模中的开口的形状的变形可以降低。参考图2，像素电极之间的不共享发射层的部分可以以之字形(zigs-zags)位于显示区域上，使得掩模可以具有之字形的肋，并且掩模的结构可以具有增加的牢固性。
另外，像第一像素电极311的第一连接部311C和第二像素电极312的第二连接部312C一样，第三像素电极313的电连接至第三薄膜晶体管TFT3的第三连接部313C和第四像素电极314的电连接至第四薄膜晶体管(未示出)的第四连接部314C可以被像素限定层219覆盖。这样，被设置在第三像素电极313或第四像素电极314上的发射层可以被设置在平坦或均匀的结构上，因此，有机发光显示装置可具有相对较高的质量。参考图1，除了第三像素电极313之外，第三薄膜晶体管TFT3还可以电连接至第三电容器Cap3，并且可以以各种方式被修改。
第一连接部311C、第二连接部312C、第三连接部313C和第四连接部314C可被设置为对应于用于形成发射层321和323的掩模的肋。也就是说，第一连接部311C远离第二像素电极312(+x方向)被设置在第一像素电极311中，第二连接部312C远离第一像素电极311(-x方向)被设置在第二像素电极312的一部分中，第三连接部313C被设置在第三像素电极313的面对第一像素电极311(-x方向)的一部分中，并且第四连接部314C被设置在第四像素电极314的面对第二像素电极312的一部分中。连接部311C、312C、313C和314C被设置在用于形成发射层321或发射层323的掩模的肋所位于的位置，因而发射区可以被设置为彼此分离。因此，第一连接部311C、第二连接部312C、第三连接部313C和第四连接部314C可在不减小发射区的面积的情况下被设置。
图3是根据示例性实施例的有机发光显示装置的一部分的示意性平面图。根据该示例性实施例的有机发光显示装置包括沿x轴彼此分离、串联布置的多个像素电极。另外，像素限定层219覆盖多个像素电极的除了多个像素电极的中心部分和多个像素电极中的相邻像素电极之间的边缘之外的部分。这可以被理解为像素限定层219可以包括被一体形成的开口219a，并且开口219a暴露多个像素电极311的中心部分和多个像素电极311的被设置在多个像素电极311中的相邻像素电极之间的边缘。
诸如像素电极310R和像素电极310G的附加像素电极可以被设置在保护层或平坦化层217上。例如，像素电极310R可被认为是红色子像素的像素电极，并且像素电极310G可被认为是绿色子像素的像素电极。在这种情况下，多个像素电极311可以是蓝色子像素的像素电极。参考图3，一个红色子像素、一个绿色子像素和一个蓝色子像素可以配置一个像素P，但示例性实施例不限于此。也就是说，像素P可包括各种子像素，并且从子像素发射的光的波长不限于红光、绿光和/或蓝光。
为了实现全彩色有机发光显示装置，每个像素P可以包括例如红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。这里，如果从某个子像素发射的光的亮度相对低于从其它子像素发射的光的亮度，则具有相对较低的光发射的子像素的光发射区域可以被增加，以提高整个有机发光显示装置的亮度。然而，每个子像素可以占据的面积，其对应于每个子像素的像素电极可以占据的面积，受限于像素的面积。
根据该示例性实施例的有机发光显示装置包括未被像素限定层219覆盖的多个像素电极311的被设置在多个像素电极311中的相邻像素电极之间的边缘以及多个像素电极311的中心部分，因而发射区域可以增加，而无需增加多个像素电极311中的每一个的面积。
更具体地说，如图3所示，包括像素电极310R或像素电极310G的附加像素电极的边缘的全部被像素限定层219覆盖。因此，仅像素电极310R或像素电极310G的未被像素限定层219覆盖的中心部分被暴露，而不是在图3中通过虚线表示的整个像素电极310R或整个像素电极310G。因此，仅暴露部分，而不是整个像素电极310R，成为红色子像素的发射区域，并且仅暴露部分，而不是整个像素电极310G，成为绿色子像素的发射区域。然而，如果红色发射材料和/或绿色发射材料具有高的发光效率，则红光或绿光可具有足够的亮度，即使红色子像素和/或绿色子像素的发射区域减小。
然而，多个像素电极311的被设置在多个像素电极311中的相邻像素电极之间的边缘以及多个像素电极311的中心部分未被像素限定层219覆盖。因此，仅未被像素限定层219覆盖的部分，而不是由图3的虚线表示的整个像素电极311，被暴露，因而包括多个像素电极311的子像素中的每一个中的发射区域可以增加。例如，如果蓝色发射材料的发光效率低，则蓝色子像素可以被形成为具有多个像素电极311，使得蓝色子像素可以发射具有足够或增加的亮度的蓝光。
被设置在多个像素电极311上的发射层可以被形成为一体，以对应于多个像素电极。发射层还可以包括位于多个像素电极311上的分离发射层。
在沿x轴被布置成一行的多个像素电极311中，位于-x方向上的一端的最后像素电极311的边缘(在-x方向上)以及位于另一端(+x方向)的最后像素电极311的边缘(在+x方向上)被像素限定层219覆盖。多个像素电极311中的每一个中的被布置为平行于从像素电极的一端到另一端延伸的轴(x轴)延伸的两个边缘也被像素限定层219覆盖。
多个薄膜晶体管电连接至多个像素电极311，并且多个薄膜晶体管被作为绝缘层的保护层或平坦化层217覆盖。多个像素电极311位于保护层或平坦化层217上。多个像素电极311电连接至多个薄膜晶体管所经由的连接部311C被像素限定层219覆盖。经由形成在保护层或平坦化层217中的接触孔，像素电极310R和310G也电连接至对应的薄膜晶体管。例如，如图3所示，像素电极310R的电连接至对应薄膜晶体管的连接部310RC可以被像素限定层219覆盖。
因此，发射层被设置为对应于未被像素限定层219覆盖的多个像素电极311。如果多个像素电极311电连接至多个薄膜晶体管所经由的连接部311C未被像素限定层219覆盖，并且发射层被设置在连接部311C上，则发射层可被设置在不平坦或不均匀的表面上，因此，亮度可能取决于子像素的位置而变化。
在根据本示例性实施例的有机发光显示装置中，多个像素电极311电连接至多个薄膜晶体管所经由的连接部311C被像素限定层219覆盖。这样，发射层321未被设置在连接部311C上，因此，发射层可以被设置在平坦或均匀的表面上，因此有机发光显示装置可以具有高质量。在这种情况下，多个像素电极311电连接至多个薄膜晶体管311所经由的连接部311C可位于多个像素电极311的被设置在与从多个像素电极311的一端到另一端延伸的轴(x轴)垂直的第二方向(+z方向或-z方向)上的边缘处。
根据一个或多个示例性实施例，可以得到能够精确地显示图像同时提高亮度的有机发光显示装置。
虽然在本文中已经描述了某些示例性实施例和实施方式，但其他实施例和修改将从该描述显而易见。因此，本发明构思不限于这样的实施例，而是限于所提供的权利要求和各种明显修改及等同布置的更宽范围。

Claims (12)

1.一种有机发光显示装置，包括：
被设置为彼此相邻的、间隔开的第一像素电极和第二像素电极；
被设置在所述第一像素电极和所述第二像素电极上的像素限定层，所述像素限定层覆盖除所述第一像素电极的中心部分、所述第二像素电极的中心部分、所述第一像素电极的在到所述第二像素电极的方向上的第一边缘以及所述第二像素电极的在到所述第一像素电极的方向上的第二边缘之外的所述第一像素电极的一部分和所述第二像素电极的一部分；
被设置在所述第一像素电极下方的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管在所述第一像素电极的第一连接部电连接至所述第一像素电极；和
被设置在所述第二像素电极下方的第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管在所述第二像素电极的第二连接部电连接至所述第二像素电极，
其中所述第一连接部被设置为对应于所述第一像素电极的被设置为远离所述第二像素电极、与所述第一边缘相对的边缘，并且
其中所述第二连接部被设置为对应于所述第二像素电极的被设置为远离所述第一像素电极、与所述第二边缘相对的边缘。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，进一步包括被一体地设置在所述第一像素电极和所述第二像素电极上的发射层。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述像素限定层覆盖所述第一像素电极的除所述第一边缘之外的边缘，并覆盖所述第二像素电极的除所述第二边缘之外的边缘。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，进一步包括：
覆盖所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的绝缘层，
其中所述第一像素电极和所述第二像素电极被设置在所述绝缘层上，并且
其中所述像素限定层覆盖所述第一像素电极的所述第一连接部和所述第二像素电极的所述第二连接部。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，进一步包括：
被设置为与所述第一像素电极间隔开的第三像素电极，使得所述第一像素电极被设置在所述第三像素电极与所述第二像素电极之间；以及
被设置为与所述第二像素电极间隔开的第四像素电极，使得所述第二像素电极被设置在所述第四像素电极与所述第一像素电极之间，
其中所述像素限定层覆盖除所述第三像素电极的中心部分和所述第四像素电极的中心部分之外的所述第三像素电极的一部分和所述第四像素电极的一部分，并且
其中所述第一像素电极与所述第三像素电极之间的第二距离以及所述第二像素电极与所述第四像素电极之间的第三距离都大于所述第一像素电极与所述第二像素电极之间的第一距离。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其中所述像素限定层覆盖所述第三像素电极的面对所述第一像素电极的第三边缘，并且
其中所述像素限定层覆盖所述第四像素电极的面对所述第二像素电极的第四边缘。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，进一步包括：
被设置在所述第三像素电极下方的第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管在所述第三像素电极的第三连接部电连接至所述第三像素电极；
被设置在所述第四像素电极下方的第四薄膜晶体管，所述第四薄膜晶体管在所述第四像素电极的第四连接部电连接至所述第四像素电极；以及
覆盖所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管和所述第四薄膜晶体管的绝缘层，
其中所述第一像素电极、所述第二像素电极、所述第三像素电极和所述第四像素电极被设置在所述绝缘层上，并且
其中所述像素限定层覆盖所述第三像素电极的所述第三连接部以及所述第四像素电极的所述第四连接部。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中所述第一连接部被设置为对应于所述第一像素电极的被设置为远离所述第二像素电极、与所述第一边缘相对的所述边缘，
其中所述第二连接部被设置为对应于所述第二像素电极的被设置为远离所述第一像素电极、与所述第二边缘相对的所述边缘，
其中所述第三连接部被设置为对应于所述第三像素电极的面对所述第一像素电极的边缘，并且
其中所述第四连接部被设置为对应于所述第四像素电极的面对所述第二像素电极的边缘。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，进一步包括被设置为与所述第一像素电极和所述第二像素电极分离的附加像素电极，
其中所述像素限定层覆盖除所述附加像素电极的中心部分之外的所述附加像素电极，所述像素限定层覆盖所述附加像素电极的所有边缘。
10.一种有机发光显示装置，包括：
在第一方向上被布置成第一行的多个第一像素电极，所述多个第一像素电极中的每一个被设置成彼此间隔开；
在所述第一方向上被交替布置成与所述第一行平行的第二行的多个第二像素电极和多个第三像素电极；
被设置在所述多个第一像素电极上的像素限定层，所述像素限定层覆盖所述多个第一像素电极的除所述多个第一像素电极的中心部分和所述多个第一像素电极中的相邻第一像素电极之间的边缘之外的部分；以及
被一体地设置在所述多个第一像素电极上的第一发射层，所述第一发射层被配置为生成具有第一颜色的第一光，
其中所述多个第二像素电极被配置为生成具有第二颜色的第二光，并且
其中所述多个第三像素电极被配置为生成具有与所述第二颜色不同的第三颜色的第三光。
11.根据权利要求10所述的有机发光显示装置，其中所述像素限定层覆盖所述多个第一像素电极当中的两个端部像素电极的外边缘，
其中所述两个端部像素电极被设置在所述第一行的在所述第一方向上的相应端部，并且
其中所述两个端部像素电极的相应外边缘是所述两个端部像素电极的在所述第一方向上与所述相应端部邻近的边缘。
12.根据权利要求10所述的有机发光显示装置，进一步包括：
被设置在所述多个第一像素电极、所述多个第二像素电极和所述多个第三像素电极下方的多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管中的每一个在所述多个第一像素电极、所述多个第二像素电极和所述多个第三像素电极中的对应一个像素电极的连接部电连接至所述对应一个像素电极；以及
覆盖所述多个薄膜晶体管的绝缘层，
其中所述多个第一像素电极、所述多个第二像素电极和所述多个第三像素电极被设置在所述绝缘层上，并且
其中所述像素限定层覆盖所述连接部。
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