TW201448181A - 有機發光二極體顯示器及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

根據本發明例示性實施例的一種有機發光二極體(OLED)顯示器包含基板、形成在基板上的薄膜電晶體、形成在薄膜電晶體上且電性連接薄膜電晶體的像素電極、形成在像素電極上從而定義像素區域的像素定義層、形成在像素電極上且在像素區域中與像素電極接觸的發射層、以及形成在像素定義層上且接觸發射層之一部分的中介層。中介層的一側具有參差狀，使得中介層的表面積增加。

Description

有機發光二極體顯示器及其製造方法 【0001】
本發明涉及一種有機發光二極體(OLED)顯示器及其製造方法。
 【0002】
用於平板顯示器的有機發光二極體包含陽極、陰極、及介於陽極和陰極之間的有機層。除了發射層外，有機層還包含電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)、及電子注入層(EIL)。有機發光二極體根據有機層的組成、特別是根據發射層的組成，而分為聚合物有機發光二極體和低分子量有機發光二極體。
【0003】
為了實現全彩，有機層需圖樣化在基板上。陰影遮罩用於圖樣化低分子量有機發光二極體的有機層。使用噴墨印刷或雷射引發熱成像(LITI)圖樣化聚合物有機發光二極體的有機層。
【0004】
不同於是濕製程的噴墨印刷，雷射引發熱成像是可精細地圖樣化有機層的乾製程。
【0005】
使用雷射引發熱成像形成聚合物有機層之圖樣的方法需要至少一個光源、受體基板、及供體基板。受體基板是在其上形成有機層的顯示基板，而供體基板包含由基底膜、光熱轉換層、及有機層構成的轉印層。
【0006】
受體基板上有機層的圖樣是以光熱轉換層吸收由光源發射的雷射，並轉換雷射成為熱能方式來執行，且形成轉印層的有機層根據熱能而轉印到受體基板上。
【0007】
然而，需要使用雷射轉印到顯示基板上的有機層的一部分可能在轉印製程期間中殘留在轉印層。
【0008】
上述在先前技術部分揭露的訊息僅用於增強對本發明之背景的理解，且因此其可能包含不構成此國家所屬技術領域中具有通常知識者已知悉的先前技術之資訊。
 【0009】
本發明致力於發展以提供一種有機發光二極體顯示器及其製造方法，有機發光二極體顯示器具有從圍繞轉印區域設置的轉印層完全地分離供體基板之轉印區域的轉印層的優點，使得在透過熱轉印形成有機發射層的製程期間，分離的轉印層可轉印到像素區域。
【0010】
例示性實施例提供一種有機發光二極體(OLED)顯示器，其包含：基板、形成在基板上的薄膜電晶體、形成在薄膜電晶體上且電性連接薄膜電晶體的像素電極、形成在像素電極上從而定義像素區域的像素定義層、形成在像素電極上且在像素區域中與像素電極接觸的發射層、以及形成在像素定義層上且接觸發射層之一部分的中介層。中介層的一側具有參差狀(uneven shape)，使得中介層的表面積增加。
【0011】
參差狀是不規則的。
【0012】
中介層的上側可具有參差狀。
【0013】
中介層之上側的一部分可具有突起和凹陷。
【0014】
中介層可沿著發射層的邊緣形成。
【0015】
中介層可形成為圓形形狀，使設置在像素區域中的像素電極被暴露。
【0016】
本發明之另一例示性實施例提供一種有機發光二極體顯示器，其包含： 基板；形成在基板上的薄膜電晶體；形成在薄膜電晶體上且電性連接薄膜電晶體的像素電極；形成在像素電極上從而定義像素區域的像素定義層；以及形成在像素電極上且在像素區域中與像素電極接觸的發射層，其中，像素定義層的一側為親水性的，且發射層覆蓋像素電極和像素定義層的一側上。
【0017】
像素定義層的上側可以是親水性的。
【0018】
像素定義層的一側可使用氧氣、氮氣、及氬氣之其中一個的電漿處理。
【0019】
本發明之另一例示性實施例提供一種製造有機發光二極體顯示器的方法，其包含：在基板上形成薄膜電晶體；在薄膜電晶體上形成像素電極，像素電極係電性連接到薄膜電晶體；在像素電極上形成用於定義像素區域的像素定義層；藉由將該像素定義層的一側處理為參差表面來形成中介層，使得像素定義層的表面積增加；以及在像素區域中形成接觸像素電極的發射層；其中，發射層覆蓋像素電極和中介層的一側。
【0020】
中介層的形成可包含處理中介層的上側成參差狀。
【0021】
發射層的形成可以包含：在像素區域上方設置其上形成要形成發射層之轉印層的供體基板；以及轉印轉印層至像素區域上。
【0022】
轉印層可覆蓋像素電極和中介層之上側。
【0023】
本發明的另一例示性實施例提供了一種製造有機發光二極體顯示器的方法，其包含：在基板上形成薄膜電晶體；在薄膜電晶體上形成電性連接到薄膜電晶體的像素電極；在像素電極上形成用於定義像素區域的像素定義層；以電漿處理像素定義層的一側；以及形成發射層，以覆蓋設置在像素區域的像素電極和像素定義層之一側。
【0024】
電漿處理可以使用氧氣、氮氣、及氬氣之其一來進行。
【0025】
電漿處理可在像素定義層的上側上進行。
【0026】
發射層的形成可包含：在像素區域上設置在其上形成有要形成發射層之轉印層的供體基板；以及轉印轉印層至像素區域上。
【0027】
轉印層可覆蓋像素電極和像素定義層的上側。
【0028】
在根據本發明例示性實施例之一種有機發光二極體顯示器中，藉由雷射照射，供體基板的轉印層可完全地從供體基板分離，以形成有機發射層。
【0029】
根據本發明例示性實施例之製造有機發光二極體顯示器的方法可防止由雷射照射之轉印區域之轉印層的一部分殘留在供體基板上。
10．．．供體基板
11．．．基底層
12．．．光熱轉換層
13．．．轉印層
110、210、310．．．基板
121、221、321．．．緩衝層
122、222、322．．．閘極絕緣層
123、223、323．．．層間絕緣層
130、230、330．．．驅動薄膜電晶體
131、231、331．．．驅動源極電極
132、232、332．．．驅動汲極電極
133、233、333．．．驅動閘極電極
134、234、334．．．源極區域
135、235、335．．．通道區域
136、236、336．．．汲極區域
137、237、337．．．驅動半導體層
140、240、340．．．平坦化層
141、241、341．．．電極接觸孔
150、250、350．．．像素電極
160、260、360．．．發射層
170、270、370．．．像素定義層
180、280．．．中介層
A．．．轉印區域
B．．．邊緣
P．．．電漿處理
【0030】
藉由在考量搭配附圖下參考下文詳細描述將使本發明之更完整了解及其更多附隨之優點變得顯而易見且同時變得更易於理解，其中相似的參考符號表示相似或相同的構件，其中：
【0031】
第1圖是根據本發明第一例示性實施例的有機發光二極體顯示器的俯視平面圖。
【0032】
第2圖是沿第1圖的II-II切線所截取的剖面圖。
【0033】
第3圖是根據本發明第二例示性實施例的有機發光二極體顯示器的剖面圖。
【0034】
第4圖是根據本發明第三例示性實施例的有機發光二極體顯示器的剖面圖。
【0035】
第5圖至第7圖是示出根據本發明第一例示性實施例之製造有機發光二極體顯示器之方法的剖面圖。
 【0036】
下文中本發明將參考其中繪示本發明之例示性實施例的附圖而使描述更完備。本發明技術領域之通常知識者將理解的是，於皆不脫離本發明之精神或範圍下，所描述之實施例可以各種不同方式修改。附圖與描述係視為本質上說明而並非限制。整個說明書中相同的元件係以相同的參考符號所描述。
【0037】
為了清楚起見和便於描述，在附圖中，組件的尺寸和厚度被誇大、省略、或示意性地示出。此外，構成元件的尺寸不完全地反映其實際尺寸。
【0038】
在附圖中，為清楚起見，誇大層、膜、面板、區域等的厚度。此外，部分層和區域的厚度被誇大，以便更好地了解和易於描述。而將了解的是，當像是層、膜、區域或基板的元件被稱為「於…上 (on)」其他元件時，其可直接於其他元件上或亦可存有中間元件。
【0039】
此外，除非明確相反描述，否則文字「包含 (comprise)」與像是「包含 (comprises)」或「包含 (comprising)」之變體將了解為意指包含陳述的元件，而不排除任何其他元件。此外，如附圖所示，本文中可使用「於…上 (on)」或「於…下 (under)」的表述來表示一個元件與另一個元件的關係。將理解的是，除了在附圖中描述的方位外，這個表述旨在涵蓋不同取向的元件，亦即，涵蓋 「於…上 (on)」或「於…下 (under)」兩者。
【0040】
第1圖是根據本發明第一例示性實施例的有機發光二極體顯示器的俯視平面圖，而第2圖是沿第1圖之II-II切線所截取的剖面圖。
【0041】
參考第1圖和第2圖，根據第一例示性實施例的有機發光二極體顯示器中，照射雷射光之供體基板的轉印層可以完全從供體基板分離以形成有機發射層160。
【0042】
根據第一例示性實施例的有機發光二極體顯示器可包含基板110、驅動薄膜電晶體130、像素電極150、像素定義層170、發射層160、及中介層180。
【0043】
現在將參照第1圖和第2圖的層疊順序詳細描述根據第一例示性實施例的有機發光二極體顯示器的結構。有機發光二極體顯示器包含驅動薄膜電晶體(TFT)130和根據驅動薄膜電晶體130發光的發射層160。
【0044】
基板110是由玻璃、石英、陶瓷、或塑料等製成的絕緣基板。然而，本發明並不局限於此，且基板110可以是由不銹鋼製成的金屬基板。
【0045】
緩衝層121形成在基板110上。緩衝層121防止雜質滲透到基板110並平坦化基板110的表面。
【0046】
緩衝層121可由能夠實現上述功能的材料所形成。例如，緩衝層121可以由SiNx、SiO2、及SiOxNy的其中一種所形成。然而，根據基板110的類型和製程條件可以省略緩衝層121。
【0047】
驅動半導體層137形成在緩衝層121上。驅動半導體層137由多晶矽形成。驅動半導體層137包含未摻雜的通道區域135及摻雜雜質離子並形成在通道區域135的相應側的源極區域134和汲極區域136。例如，諸如硼(B)的p型雜質可作為雜質離子且可摻雜B2H6。摻雜到源極區域134和汲極區域136的雜質取決於薄膜電晶體的類型。
【0048】
閘極絕緣層122由SiNx或SiO2形成在驅動半導體層137上。包含驅動閘極電極133的閘極線形成在閘極絕緣層122上。驅動閘極電極133形成在驅動半導體層137的至少一部分上，特別是通道區域135。
【0049】
層間絕緣層123形成在閘極絕緣層122上，以覆蓋驅動閘極電極133。暴露驅動半導體層137之源極區域134和汲極區域136的通孔形成在閘極絕緣層122和層間絕緣層123中。如同閘極絕緣層122，層間絕緣層123可由如SiNx或SiO2的陶瓷材料形成。
【0050】
包含驅動源極電極131和驅動汲極電極132的數據線形成在層間絕緣層123上。驅動源極電極131和驅動汲極電極132分別通過形成於層間絕緣層123和閘極絕緣層122中的通孔分別連接到驅動半導體層137的源極區域134和汲極區域136。
【0051】
驅動半導體層137、驅動閘極電極133、驅動源極電極131、及驅動汲極電極132形成驅動薄膜電晶體130。驅動薄膜電晶體130的配置不限於此，且可以各種方式對已知的配置改變。
【0052】
平坦化層140形成在層間絕緣層123上，以覆蓋數據線。平坦化層140平坦化基板110的不平坦表面，以便提升形成在其上的有機發光二極體的發光效率。此外，平坦化層140具有暴露汲極電極132之一部分的電極接觸孔141。
【0053】
平坦化層140可以由丙烯酸類樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚苯醚樹脂、聚苯硫醚樹脂、及苯並環丁烯(BCB)的至少一種形成。
【0054】
例示性實施例不限於上述結構，且可依據需求省略平坦化層140或層間絕緣層123。
【0055】
有機發光二極體的像素電極150形成在平坦化層140上。也就是說，有機發光二極體包含複數個像素電極150，其中每一個像素電極150設置在各別像素中。複數個像素電極150依間隔設置。像素電極150通過平坦化層140的電極接觸孔141連接到汲極電極132。
【0056】
具有用於暴露像素電極150之開口的像素定義層170形成在平坦化層140上。也就是說，像素定義層170包含複數個開口，其中每一個開口形成於個別的像素。發射層160可形成在由像素定義層170形成的各開口中。因此，各發射層160形成的像素區域可由像素定義層170定義。
【0057】
對應於像素定義層170的開口設置像素電極150。然而，像素電極150的位置不限於像素定義層170的開口，且像素電極150可設置在像素定義層170下，使得像素定義層170與像素電極150的一部分重疊。
【0058】
像素定義層170可由諸如聚丙烯酸酯樹脂、或聚醯亞胺等的樹脂、或氧化矽的無機材料所形成。
【0059】
有機發射層160形成在像素電極150上。共用電極(未示出)可形成在有機發射層160上。在這種方式下，形成包含像素電極150、有機發射層160、和共用電極的有機發光二極體。
【0060】
有機發射層160是由低分子量的有機材料或聚合物有機材料所形成。有機發射層160可由包含電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)、和電子注入層(EIL)中至少一個的多個層所形成。當有機發射層160包含所有層時，電洞注入層(HIL)設置在對應於陽極的像素電極150上，且電洞傳輸層(HTL)、發射層、電子傳輸層(ETL)、及電子注入層(EIL)依序層疊於其上。
【0061】
像素電極150和共用電極可由透明導電材料所形成，或者由半透射導電材料或反射導電材料所形成。根據像素電極150和共用電極的材料，有機發光二極體顯示器可以是頂部發射式、底部發射式、或雙邊發射式的有機發光二極體顯示器。
【0062】
封裝基板(未示出)可設置在共用電極上。在頂部發射式或雙邊發射式的有機發光二極體顯示器的情況下，封裝基板可以由諸如玻璃或塑料的透明材料來形成，且在底部發射式的有機發光二極體顯示器的情況下，封裝基板可以由諸如金屬的不透明材料來形成。
【0063】
進一步參考第1圖和第2圖，在根據第一例示性實施例的有機發光二極體顯示器中，中介層180形成在像素定義層170上。中介層180與形成在像素電極150上的有機發射層160的一部分相接觸。
【0064】
更具體地，如第2圖所示，有機發射層160的邊緣設置在中介層180上。這裡，設置有機發射層160的邊緣以覆蓋中介層180的整體或中介層180的一部分。因此，有機發射層160覆蓋由像素定義層170和中介層180所暴露之像素電極150。
【0065】
進一步參考第1圖，中介層180可沿發射層160的邊緣形成為環形形狀，使得暴露設置在像素區域中的像素電極150。
【0066】
中介層180可形成以覆蓋像素定義層170的一部分。如第2圖所示，中介層180可形成以使得中介層180疊加在像素定義層170的一部分上。然而，第3圖是根據本發明第二例示性實施例的有機發光二極體顯示器的剖面圖，且在第二例示性實施例中，中介層280可形成以覆蓋像素定義層270的整個表面。
【0067】
根據第一例示性實施例，根據中介層180，由雷射照射之轉印區域的轉印層完全地與設置環繞轉印區域的轉印層分離。將詳細描述根據另一例示性實施例之製造有機發光二極體顯示器的方法。
【0068】
中介層180可以由包含丙烯酸酯或聚醯亞胺的聚合物材料來形成。然而，中介層180不限於此，並可由任何已知的聚合物材料來形成。
【0069】
根據第一例示性實施例，中介層180的一側上，具體來說中介層180的表面係被處理成參差狀，以增加中介層180的表面積。藉由使中介層180的表面處理成參差狀，而增加中介層180的表面和供體基板之轉印層之間的接觸面積。因此，轉印層13和中介層180的接觸力增加，且因此轉印區域的轉印層可以完全地由圍繞轉印區域設置的轉印層分離。
【0070】
中介層180的參差狀可透過蝕刻或沉積製程形成。可使用已知的蝕刻或沉積製程，故此，將省略其詳細描述。
【0071】
根據第一例示性實施例，中介層180的表面可以具有不平均的突起和凹陷。此外，中介層180可以具有平均的突起和凹陷。
【0072】
可僅在中介層180之表面的一部分上形成突起和凹陷。也就是說，突起和凹陷選擇性地形成在中介層180的上側上，而不是形成在中介層180的整個表面上。
【0073】
第4圖是根據本發明第三例示性實施例的有機發光二極體顯示器的剖面圖。
【0074】
參考第4圖，在根據第三例示性實施例的有機發光二極體顯示器中，像素定義層370的一側，具體地說是像素定義層370的表面，係以電漿處理P。當像素定義層370的一側以電漿處理P時，像素定義層370處理過的一側變成親水性的。
【0075】
根據第三例示性實施例的有機發光二極體顯示器中，係電漿處理P像素定義層370的表面，取代分別根據第一例示性實施例和第二例示性實施例之有機發光二極體顯示器的中介層180和中介層280。也就是說，像素定義層370的表面是親水性的。
【0076】
電漿處理P係藉由電衝擊像素定義層370的表面或改變像素定義層370的表面而在像素定義層370的表面上形成突起和凹陷，以便增加像素定義層370之表面和供體基板之轉印層之間的吸引力。
【0077】
在這裡，電漿處理P以包含具有電子、離子、自由基、激子等的活性物質的電漿與像素定義層370的表面碰撞或產生一個重組反應。
【0078】
與像素定義層370之表面碰撞的活性物質激活像素定義層370的表面以形成自由基，導致像素定義層370的表面之改變與結構的變形。此外，碰撞的活性物質可除去附著在像素定義層370之表面上的雜質。
【0079】
像素定義層370的表面能量根據電漿處理P而增加，且因此，像素定義層370可作為有效的黏著劑。
【0080】
根據第三例示性實施例的有機發光二極體顯示器，可用氧氣、氮氣、或氬氣進行電漿處理P。
【0081】
根據第三例示性實施例，有機發光二極體顯示器的有機發射層360的邊緣覆蓋像素定義層370的表面上。更具體地，有機發射層360的邊緣覆蓋像素定義層370之電漿處理過的表面。
【0082】
在轉印製程期間，設置在供體基板之轉印區域之轉印層的邊緣與像素定義層370之電漿處理過的表面接觸，且因此轉印區域的轉印層可完全地從設置圍繞轉印區域的轉印層分離。這裡，由供體基板分離的轉印層形成有機發光二極體顯示器的有機發射層360。
【0083】
第5圖至第7圖是示出根據第一例示性實施例之製造有機發光二極體顯示器之方法的剖面圖。現在將參考第5圖至第7圖來描述製造有機發光二極體顯示器的方法。
【0084】
參考第5圖，根據第一例示性實施例之製造有機發光二極體顯示器的方法是將照射雷射光之轉印區域A的轉印層13從圍繞轉印區域A設置的轉印層13完全地分離，以便轉印相應於轉印區域A的轉印層13到顯示基板的像素區域上。也就是說，製造根據第一例示性實施例之有機發光二極體顯示器的方法可防止相應於供體基板10之轉印區域A的轉印層13殘留在供體基板10上。
【0085】
進一步參考第5圖，薄膜電晶體形成在基板110上。薄膜電晶體可包含驅動薄膜電晶體130和開關薄膜電晶體(未示出)。使用已知的薄膜電晶體形成製程在基板110上形成薄膜電晶體，因此將省略詳細描述。
【0086】
像素電極150形成在驅動薄膜電晶體130上。更具體地，如第5圖所示，形成像素電極150，使像素電極150通過平坦化層140的電極接觸孔141而電性連接到驅動薄膜電晶體130的汲極電極132。
【0087】
隨後，像素定義層170形成在像素電極150上。像素定義層170定義其中設置有機發光二極體的像素區域。在像素定義層170中形成開口以暴露像素電極150。
【0088】
中介層180形成在像素定義層170上。可使用遮罩在像素定義層170上形成中介層180。遮罩可以是曝光遮罩或精細金屬遮罩(FMM)。遮罩需要具有形成在其中的孔洞，以便形成中介層180。
【0089】
中介層180的一側，具體地說是中介層180的上側，被處理成參差狀，以增加中介層180的表面積。因此，中介層180之表面和供體基板10之轉印層13的接觸面積增加。
【0090】
中介層180的參差狀可以透過蝕刻或沉積製程來獲得。在這種情況下，可使用已知的蝕刻或沉積製程，因此省略詳細的描述。
【0091】
如第5圖所示，可形成中介層180以覆蓋像素定義層170的一部分。也就是說，中介層180可疊加在像素定義層170的一部分上。然而，參照第3圖，可形成中介層280以覆蓋像素定義層270的整個表面上，如第3圖所示。
【0092】
接著，參照第6圖，形成有機發射層160以在像素區域中覆蓋像素電極150和中介層180。如第6圖所示，在由像素定義層170和中介層180之開口所暴露的像素電極150上形成有機發射層160。
【0093】
參照第5圖、第6圖、及第7圖，現在將描述形成有機發射層160的製程。形成有機發射層160的製程包含在像素區域上方設置供體基板10(第5圖)的步驟、及自供體基板10轉印轉印層13之轉印材料至像素區域上的步驟。
【0094】
進一步參考第5圖，供體基板10設置在像素區域上。更具體地說，設置供體基板10使供體基板10之轉印區域A的邊緣B被疊加在中介層180上。由雷射光照射轉印區域A，以便轉印到像素區域。在此，供體基板10可包含基底層11、光熱轉換層12、及轉印層13。
【0095】
轉印區域A的邊緣B可疊加至中介層180的整個表面上或中介層180之表面的一部分上。參考第5圖和第6圖所示，轉印層13的邊緣B疊加到中介層180的不平坦表面上。在轉印製程期間，轉印層13的邊緣與具有增加表面積的中介層180接觸，因而增加轉印層13的邊緣B和中介層180之間的接觸力。因此，轉印區域A的轉印層13可完全地從圍繞轉印區域A設置的轉印層13分離。
【0096】
供體基板10的轉印層13和中介層180可以預定的距離隔開彼此。中介層180與轉印層13隔開，使得轉印層13可向下彎曲，因而使轉印層13的邊緣能與中介層180接觸。
【0097】
由雷射光照射供體基板10的轉印區域A。而後，擴展供體基板10的光熱轉換層12。因此，設置在光熱轉換層12下方的轉印層13由於擴展光熱轉換層12而向下彎曲。
【0098】
轉印區域A的邊緣B與中介層180接觸。轉印區域A的邊緣B與中介層180一旦接觸，轉印區域A的轉印層13根據轉印層13的邊緣B和中介層180的不平坦表面之間的接觸力而從供體基板10完全地分離。
【0099】
更具體地說，根據轉印層13的凝聚力，在轉印區域A之邊界的轉印層13沒有完全從 供體基板 10分離。然而，當轉印區域A的邊緣B與中介層180接觸的表面積增加時，增加轉印層13的邊緣B和中介層180的接觸力，於是轉印區域A的轉印層13完全地從設置在轉印區域A周圍的轉印層13分離。因此，可防止轉印區域A的轉印層13殘留在其邊緣B。
【0100】
轉印到像素區域之轉印層13形成有機發光二極體顯示器的有機發射層160。轉印層13由轉印材料形成，且此轉印材料沉積在像素區域上以形成有機發射層160。轉印層13的轉印材料可以是有機材料。
【0101】
如第7圖中所示，一旦轉印完成時，有機發射層160覆蓋像素電極150和中介層180。這裡，有機發射層160可僅覆蓋中介層180的一部分。
【0102】
根據第三例示性實施例之製造有機發光二極體顯示器的方法包含以電漿處理像素定義層370(第4圖)之表面的步驟，以取代根據第一例示性實施例之製造有機發光二極體顯示器的方法中形成中介層180的步驟。
【0103】
在根據第三例示性實施例之製造有機發光二極體顯示器的方法中，驅動薄膜電晶體330、像素電極350、及像素定義層370依序地以與根據第一例示性實施例之製造有機發光二極體顯示器之方法的相同方法形成。
【0104】
接著，在像素定義層370的一側上，更具體地是以電漿處理P像素定義層370的表面。如上所述，電漿處理P藉由施加電衝擊(electric impact)至像素定義層370表面或修改像素定義層370的表面以在像素定義層370的表面上形成突起和凹陷，以增加像素定義層370的表面和供體基板之轉印層之間的吸引力。
【0105】
根據電漿處理P增加像素定義層370的表面能量，從而使像素定義層370可作用為有效的黏著劑。
【0106】
在根據第三例示性實施例之製造有機發光二極體顯示器的方法中，電漿處理P能夠使用氧氣、氮氣、或氬氣來執行。
【0107】
形成有機發射層360以覆蓋設置在像素區域中的像素電極350和像素定義層370的表面。如第4圖所示，有機發射層360疊加在透過像素定義層370之開口暴露的像素電極350和像素定義層370的表面上。
【0108】
形成有機發射層360的方法包含以與根據第一例示性實施例之製造有機發光二極體顯示器之方法的相同方法在像素區域上方設置供體基板10(第5圖到第7圖)的步驟、以及從供體基板10轉印轉印層13的轉印材料到像素區域的步驟。使用供體基板10轉印轉印材料的步驟與根據第一例示性實施例之製造有機發光二極體顯示器的方法相同，因而省略其詳細描述。
【0109】
根據例示性實施例，在有機發光二極體顯示器與其製造方法中，藉由雷射照射，供體基板10之轉印區域A的轉印層13完全地從供體基板10分離，且因而防止轉印區域A的轉印層13局部殘留在供體基板10上。
【0110】
儘管本發明已結合目前被認定為實際的例示性實施例而描述，但應當理解的是，本發明並不限於所揭露的實施例，而是，相反地，其意在涵蓋包含在所附申請專利範圍之精神和範疇內的各種修改與等效配置。
110．．．基板
121．．．緩衝層
122．．．閘極絕緣層
123．．．層間絕緣層
130．．．驅動薄膜電晶體
131．．．驅動源極電極
132．．．驅動汲極電極
133．．．驅動閘極電極
134．．．源極區域
135．．．通道區域
136．．．汲極區域
137．．．驅動半導體層
140．．．平坦化層
141．．．電極接觸孔
150．．．像素電極
160．．．發射層
170．．．像素定義層
180．．．中介層

Claims (10)

  1. 【第1項】
    一種有機發光二極體(OLED)顯示器，其包含：
    一基板；
    一薄膜電晶體，形成在該基板上；
    一像素電極，形成在該薄膜電晶體上且電性連接該薄膜電晶體；
    一像素定義層，形成在該像素電極上，從而定義一像素區域；
    一發射層，形成在該像素電極上且在該像素區域中與該像素電極接觸；以及
    一中介層，形成在該像素定義層上且接觸該發射層的一部分；
    其中，該中介層的一側具有一參差狀，使得該中介層的一表面積增加。
  2. 【第2項】
    如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該參差狀是不規則的。
  3. 【第3項】
    如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該中介層的一上側具有該參差狀。
  4. 【第4項】
    如申請專利範圍第3項所述之有機發光二極體顯示器，其中該中介層之該上側的一部分具有突起和凹陷。
  5. 【第5項】
    如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示器，其中該中介層沿著該發射層的邊緣形成。
  6. 【第6項】
    如申請專利範圍第5項所述之有機發光二極體顯示器，其中該中介層形成為圓形形狀，使設置在該像素區域中的該像素電極被暴露。
  7. 【第7項】
    一種有機發光二極體顯示器，其包含：
    一基板；
    一薄膜電晶體，形成在該基板上；
    一像素電極，形成在該薄膜電晶體上且電性連接該薄膜電晶體；
    一像素定義層，形成在該像素電極上，從而定義一像素區域；以及
    一發射層，形成在該像素電極上且在該像素區域中與該像素電極接觸；
    其中，該像素定義層的一側為親水性的，且其中該發射層覆蓋該像素電極和該像素定義層的該側上。
  8. 【第8項】
    如申請專利範圍第7項所述之有機發光二極體顯示器，其中該像素定義層的一上側是親水性的。
  9. 【第9項】
    如申請專利範圍第7項所述之有機發光二極體顯示器，其中該像素定義層的該側使用氧氣、氮氣、及氬氣之其中一個的電漿處理。
  10. 【第10項】
    一種製造有機發光二極體顯示器的方法，其包含以下步驟：
    在一基板上形成一薄膜電晶體；
    在該薄膜電晶體上形成電性連接到該薄膜電晶體的一像素電極；
    形成用於在該像素電極上定義一像素區域的一像素定義層；
    藉由將該像素定義層的一側處理為一參差狀來形成一中介層，使得該像素定義層的一表面積增加；以及
    在該像素區域中形成接觸該像素電極的一發射層；
    其中，該發射層覆蓋該像素電極和該中介層的該側。
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