WO2023021621A1 - 表示装置 - Google Patents

表示装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2023021621A1
WO2023021621A1 PCT/JP2021/030226 JP2021030226W WO2023021621A1 WO 2023021621 A1 WO2023021621 A1 WO 2023021621A1 JP 2021030226 W JP2021030226 W JP 2021030226W WO 2023021621 A1 WO2023021621 A1 WO 2023021621A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light
sub
display device
pixel
layer
Prior art date
Application number
PCT/JP2021/030226
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
洋平 仲西
Original Assignee
シャープディスプレイテクノロジー株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シャープディスプレイテクノロジー株式会社 filed Critical シャープディスプレイテクノロジー株式会社
Priority to PCT/JP2021/030226 priority Critical patent/WO2023021621A1/ja
Priority to US18/566,771 priority patent/US20240276852A1/en
Publication of WO2023021621A1 publication Critical patent/WO2023021621A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/302—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements characterised by the form or geometrical disposition of the individual elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels

Definitions

  • the present invention relates to display devices.
  • a self-luminous display device such as an organic EL display device has a light-emitting element in which a pixel electrode, a light-emitting functional layer, and a common electrode are stacked in this order. Since it is configured to emit light to the front through the pixel electrodes, external light is also reflected by the pixel electrodes. As a result, the display quality is remarkably degraded in a bright environment, so a circularly polarizing plate is attached to the surface of the display device.
  • a circularly polarizing plate is used, more than half of the light emitted from the light-emitting functional layer is lost by the circularly polarizing plate, resulting in poor luminous efficiency. Therefore, there is room for improvement.
  • the present invention has been made in view of this point, and its object is to suppress degradation of display quality due to reflection of external light without using a circularly polarizing plate.
  • a display device includes a base substrate layer, a thin film transistor layer provided on the base substrate layer, and a plurality of sub-substrates provided on the thin film transistor layer and forming a display region.
  • a display device comprising: a plurality of pixel electrodes corresponding to pixels; a common edge cover; a plurality of light emitting functional layers; A portion of the pixel electrode provided so as to cover the peripheral edge portion of the pixel electrode, and in each of the sub-pixels, the portion of the pixel electrode exposed from the edge cover constitutes a light emitting region, and the portion of the pixel electrode overlapping the edge cover is a non-light emitting region.
  • a reflecting surface having an uneven shape is provided in the non-light-emitting region.
  • deterioration of display quality due to reflection of external light can be suppressed without using a circularly polarizing plate.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a display device according to a first embodiment of the invention.
  • FIG. 2 is a plan view showing the detailed configuration of the display area of the display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the display area of the display device according to the first embodiment of the invention.
  • FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of a TFT layer that constitutes the display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a light-emitting functional layer that constitutes the display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a plan view showing the detailed configuration of the display area of the display device according to the second embodiment of the invention, which corresponds to FIG. FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the display area of the display device according to the third embodiment of the invention, and corresponds to FIG.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of the display area of the display device according to the fourth embodiment of the invention, and corresponds to FIG.
  • FIG. 9 is a plan view showing the detailed configuration of the display area of the display device according to the fifth embodiment of the present invention, which corresponds to FIG.
  • FIG. 10 is a plan view showing the detailed configuration of the display area of the display device according to the sixth embodiment of the present invention, which corresponds to FIG.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of the display area of the display device according to the seventh embodiment of the invention, and corresponds to FIG.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the display device 50a of this embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view showing the detailed configuration of the display area D of the display device 50a.
  • 3 is a cross-sectional view of the display area D of the display device 50a.
  • FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the TFT layer 20 forming the display device 50a.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing the light-emitting functional layer 23 forming the display device 50a.
  • the display device 50a includes, for example, a rectangular display area D for displaying an image, and a frame area F provided around the display area D in a frame shape.
  • the rectangular display area D is exemplified, but the rectangular shape includes, for example, a shape with arc-shaped sides, a shape with arc-shaped corners, and a shape with arc-shaped corners.
  • a substantially rectangular shape such as a shape with a notch is also included.
  • a plurality of red sub-pixels Pr, green sub-pixels Pg, and blue sub-pixels Pb are arranged in a matrix. Further, in the display region D, as shown in FIG. 2, for example, a red sub-pixel Pr having a red light-emitting region Er for displaying red, and a green sub-pixel Pr having a green light-emitting region Eg for displaying green A sub-pixel Pg and a blue sub-pixel Pb having a blue light emitting region Eb for displaying blue are provided adjacent to each other.
  • one pixel P is composed of three adjacent sub-pixels Pr for red, Pg for green, and Pb for blue.
  • a terminal portion T is provided at the lower end portion of the frame area F in FIG.
  • a bending that can be bent at 180° (U-shaped) with the horizontal direction in the drawing as the bending axis is provided.
  • a portion B is provided so as to extend in one direction (horizontal direction in the figure).
  • the display device 50a includes a glass substrate layer 10a provided as a base substrate layer, and a thin film transistor (hereinafter also referred to as "TFT") layer 20 provided on the glass substrate layer 10a. , a light emitting element layer 30a provided on the TFT layer 20, and a cover glass layer 45 provided on the light emitting element layer 30a with an air layer 41 interposed therebetween.
  • TFT thin film transistor
  • the glass substrate layer 10a is composed of, for example, a glass substrate having a thickness of about 0.1 mm to 0.5 mm.
  • the TFT layer 20 includes a base coat film 11 provided on the glass substrate layer 10a, a plurality of first TFTs 9a, a plurality of second TFTs 9b and a plurality of capacitors 9c provided on the base coat film 11, A flattening film 19a is provided as a resin film on each first TFT 9a, each second TFT 9b, and each capacitor 9c.
  • a plurality of gate lines 14d are provided so as to extend parallel to each other in the horizontal direction in the drawings.
  • a plurality of source lines 18f are provided so as to extend parallel to each other in the vertical direction in the drawings.
  • a plurality of power supply lines 18g are provided so as to extend parallel to each other in the vertical direction in the drawings.
  • Each power supply line 18g is provided adjacent to each source line 18f, as shown in FIG.
  • a first TFT 9a, a second TFT 9b and a capacitor 9c are provided in each of the red sub-pixel Pr, the green sub-pixel Pg and the blue sub-pixel Pb.
  • the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17, which will be described later, are made of a single layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride. It is configured.
  • the first TFT 9a is electrically connected to the corresponding gate line 14d and source line 18f in each red sub-pixel Pr, green sub-pixel Pg, and blue sub-pixel Pb, as shown in FIG.
  • the first TFT 9a includes a semiconductor layer 12a, a gate insulating film 13, a gate electrode 14a, a first interlayer insulating film 15, a second interlayer insulating film 17, and a semiconductor layer 12a, a gate insulating film 13, a gate electrode 14a, which are provided on the base coat film 11 in this order. It has a source electrode 18a and a drain electrode 18b.
  • FIG. 3 the first TFT 9a includes a semiconductor layer 12a, a gate insulating film 13, a gate electrode 14a, a first interlayer insulating film 15, a second interlayer insulating film 17, and a semiconductor layer 12a, a gate insulating film 13, a gate electrode 14a, which are provided on the base coat film 11 in this order. It has a source electrode 18a and
  • the semiconductor layer 12a is provided in an island shape on the base coat film 11 and has, for example, a channel region, a source region and a drain region.
  • the gate insulating film 13 is provided so as to cover the semiconductor layer 12a.
  • the gate electrode 14a is provided on the gate insulating film 13 so as to overlap with the channel region of the semiconductor layer 12a.
  • the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are provided in order so as to cover the gate electrode 14a.
  • the source electrode 18a and the drain electrode 18b are provided on the second interlayer insulating film 17 so as to be separated from each other, as shown in FIG.
  • the source electrode 18a and the drain electrode 18b are connected through respective contact holes formed in the laminated film of the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17. It is electrically connected to the source region and the drain region of the semiconductor layer 12a.
  • the second TFT 9b is electrically connected to the corresponding first TFT 9a and power supply line 18g in each red sub-pixel Pr, green sub-pixel Pg, and blue sub-pixel Pb.
  • the first TFT 9b includes a semiconductor layer 12b, a gate insulating film 13, a gate electrode 14b, a first interlayer insulating film 15, a second interlayer insulating film 17, and a semiconductor layer 12b, a gate insulating film 13, a gate electrode 14b, and a semiconductor layer 12b. It has a source electrode 18c and a drain electrode 18d.
  • FIG. 1 As shown in FIG.
  • the semiconductor layer 12b is provided in an island shape on the base coat film 11 and has, for example, a channel region, a source region and a drain region.
  • the gate insulating film 13 is provided so as to cover the semiconductor layer 12b, as shown in FIG.
  • the gate electrode 14b is provided on the gate insulating film 13 so as to overlap with the channel region of the semiconductor layer 12b.
  • the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are provided in order so as to cover the gate electrode 14b.
  • the source electrode 18c and the drain electrode 18d are provided on the second interlayer insulating film 17 so as to be separated from each other, as shown in FIG.
  • the source electrode 18c and the drain electrode 18d are connected through respective contact holes formed in the laminated film of the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17. It is electrically connected to the source region and the drain region of the semiconductor layer 12b.
  • the top gate type first TFT 9a and the second TFT 9b are exemplified, but the first TFT 9a and the second TFT 9b may be bottom gate type TFTs.
  • the capacitor 9c is electrically connected to the corresponding first TFT 9a and power supply line 18g in each of the red sub-pixel Pr, the green sub-pixel Pg and the blue sub-pixel Pb.
  • the capacitor 9c is provided so as to cover the lower conductive layer 14c formed in the same layer and of the same material as the gate line 14d and the gate electrodes 14a and 14b. and an upper conductive layer 16c provided on the first interlayer insulating film 15 so as to overlap with the lower conductive layer 14c.
  • the upper conductive layer 16c is electrically connected to the power line 18g through a contact hole formed in the second interlayer insulating film 17, as shown in FIG.
  • the planarizing film 19a is flat in the light-emitting regions E (see Er, Eg, and Eb in FIG. 2) of each red sub-pixel Pr, green sub-pixel Pg, and blue sub-pixel Pb.
  • it is provided as a resin film made of an organic resin material such as polyimide resin. As shown in FIG.
  • the light emitting regions E (Er, Eg, and Eb) are pixels exposed from an edge cover 22a, which will be described later.
  • the non-light-emitting region N corresponds to the portion of the pixel electrode 21a overlapping the edge cover 22a.
  • the pitch of the plurality of concave portions C is, for example, approximately 5 ⁇ m to 20 ⁇ m.
  • each concave portion C has a V-shaped cross section, and its slope is, for example, about 15° to 40° or 50° with respect to the surface of the glass substrate layer 10a.
  • each concave portion C is provided along the long side of each of the red sub-pixel Pr, the green sub-pixel Pg, and the blue sub-pixel Pb, which are rectangular in plan view.
  • the diameter of the light emitting region E is, for example, about 10 ⁇ m to 20 ⁇ m.
  • the light emitting element layer 30a includes a plurality of pixel electrodes 21a provided in order corresponding to a plurality of red sub-pixels Pr, green sub-pixels Pg, and blue sub-pixels Pb, and a common edge cover. 22a, a plurality of light-emitting functional layers 23a, and a common electrode 24 are provided.
  • the pixel electrode 21a is, as shown in FIG. 3, the drain electrode of the second TFT 9b of each of the red sub-pixel Pr, the green sub-pixel Pg, and the blue sub-pixel Pb through a contact hole formed in the planarizing film 19a. 18d. Further, the pixel electrode 21a has a function of injecting holes into the light-emitting functional layer 23a. Further, the pixel electrode 21a is more preferably formed of a material having a large work function in order to improve the efficiency of hole injection into the light emitting functional layer 23a.
  • examples of materials forming the pixel electrode 21a include silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au), Titanium (Ti), Ruthenium (Ru), Manganese (Mn), Indium (In), Ytterbium (Yb), Lithium Fluoride (LiF), Platinum (Pt), Palladium (Pd), Molybdenum (Mo), Iridium (Ir) ) and tin (Sn).
  • the material forming the pixel electrode 21a may be an alloy such as astatine (At)/astatine oxide (AtO 2 ).
  • the material forming the pixel electrode 21a is, for example, conductive oxides such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO).
  • conductive oxides such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO).
  • the pixel electrode 21a may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials.
  • Compound materials having a large work function include, for example, indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO).
  • the pixel electrode 21a is composed of, for example, a laminated film in which an ITO film with a thickness of about 10 nm, a silver film with a thickness of about 100 nm, and an ITO film with a thickness of about 10 nm are laminated in order, and has light reflectivity. ing.
  • the pixel electrode 21a has a planarization film 19a in the light emitting region E (Er, Eg and Eb) in each of the red sub-pixel Pr, the green sub-pixel Pg and the blue sub-pixel Pb.
  • a flat reflecting surface is provided due to the flat surface of the non-light-emitting region N, and an uneven reflecting surface R due to the concave portion C of the surface of the planarizing film 19a is provided.
  • the pixel electrode 21a is electrically connected to the drain electrode 18d of the second TFT 9b. It may be provided as an electrode.
  • the edge cover 22a is provided in a grid pattern so as to cover the peripheral edge of each pixel electrode 21a.
  • materials forming the edge cover 22a include photosensitive resins such as polyimide resins, acrylic resins, polysiloxane resins, and novolac resins.
  • the light emitting function layer 23a includes a hole injection layer 1, a hole transport layer 2, a quantum dot light emitting layer 3, an electron transport layer 4 and an electron injection layer 5 which are provided in this order on the pixel electrode 21a. I have.
  • the hole injection layer 1 is also called an anode buffer layer, and has the function of bringing the energy levels of the pixel electrode 21a and the light emitting functional layer 23a close to each other and improving the efficiency of hole injection from the pixel electrode 21a to the light emitting functional layer 23a. ing.
  • Examples of materials constituting the hole injection layer 1 include triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, phenylenediamine derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, Examples include hydrazone derivatives, stilbene derivatives, thiophene derivatives, and metal oxides such as nickel oxide (NiO) nanoparticles.
  • the hole transport layer 2 has a function of improving the transport efficiency of holes from the pixel electrode 21a to the light emitting functional layer 23a.
  • Examples of materials constituting the hole transport layer 2 include porphyrin derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine derivatives, polyvinylcarbazole, poly-p-phenylene vinylene, polysilane, triazole derivatives, and oxadiazole.
  • the quantum dot light-emitting layer 3 is a region in which holes and electrons are injected from the pixel electrode 21a and the common electrode 24 when a voltage is applied by the pixel electrode 21a and the common electrode 24, and the holes and electrons recombine.
  • the quantum dot light-emitting layer 3 contains quantum dots (semiconductor nanoparticles) as a light-emitting material and has an emission peak in the visible light region.
  • Materials constituting the quantum dot light-emitting layer 3 include, for example, Cd (cadmium), S (sulfur), Te (tellurium), Se (selenium), Zn (zinc), In (indium), and N (nitrogen).
  • P phosphorus
  • As arsenic
  • Sb antimony
  • Al aluminum
  • Ga gallium
  • Pb lead
  • Si silicon
  • Ge germanium
  • Mg manganesium
  • the quantum dot light-emitting layer 3 may be of a two-component core type, a three-component core type, a four-component core type, a core-shell type, or a core-multi-shell type.
  • the electron transport layer 4 has the function of efficiently transferring electrons to the quantum dot light emitting layer 3 .
  • the materials constituting the electron transport layer 4 include, for example, organic compounds such as oxadiazole derivatives, triazole derivatives, benzoquinone derivatives, naphthoquinone derivatives, anthraquinone derivatives, tetracyanoanthraquinodimethane derivatives, diphenoquinone derivatives, and fluorenone derivatives. , silole derivatives, and metal oxinoid compounds.
  • the electron injection layer 5 has a function of bringing the energy levels of the common electrode 24 and the light-emitting functional layer 23a close to each other and improving the efficiency of electron injection from the common electrode 24 to the light-emitting functional layer 23a. drive voltage can be lowered.
  • the electron injection layer 5 is also called a cathode buffer layer.
  • examples of materials constituting the electron injection layer 5 include lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), and barium fluoride.
  • inorganic alkali compounds such as (BaF 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), strontium oxide (SrO), zinc oxide (ZnO), magnesium zinc oxide (MgZnO) and the like.
  • the common electrode 24 is provided so as to cover the light-emitting functional layers 23a of the sub-pixels Pr for red, the sub-pixels Pg for green, and the sub-pixels Pb for blue. Further, the common electrode 24 has a function of injecting electrons into the light emitting functional layer 23a. Further, the common electrode 24 is more preferably made of a material with a small work function in order to improve the efficiency of electron injection into the light emitting functional layer 23a.
  • examples of materials forming the common electrode 24 include silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au), Calcium (Ca), Titanium (Ti), Yttrium (Y), Sodium (Na), Ruthenium (Ru), Manganese (Mn), Indium (In), Magnesium (Mg), Lithium (Li), Ytterbium (Yb), Lithium fluoride (LiF) etc. are mentioned.
  • the common electrode 24 is composed of magnesium (Mg)/copper (Cu), magnesium (Mg)/silver (Ag), sodium (Na)/potassium (K), astatine (At)/astatin oxide (AtO 2 ), for example. , lithium (Li)/aluminum (Al), lithium (Li)/calcium (Ca)/aluminum (Al), lithium fluoride (LiF)/calcium (Ca)/aluminum (Al), etc. good too. Further, the common electrode 24 is made of conductive oxides such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), and aluminum zinc oxide (AZO).
  • tin oxide SnO
  • ZnO zinc oxide
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • AZO aluminum zinc oxide
  • the common electrode 24 may be formed by Also, the common electrode 24 may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials.
  • materials with a small work function include magnesium (Mg), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), magnesium (Mg)/copper (Cu), magnesium (Mg)/silver (Ag), sodium (Na)/potassium (K), lithium (Li)/aluminum (Al), lithium (Li)/calcium (Ca)/aluminum (Al), lithium fluoride (LiF)/calcium (Ca)/aluminum (Al) etc.
  • the cover glass layer 45 is composed of, for example, a glass substrate or the like having a thickness of about 0.1 mm to 0.5 mm.
  • the first TFT 9a is turned on by inputting a gate signal to the first TFT 9a through the gate line 14d.
  • a voltage corresponding to the source signal is written to the gate electrode 14b and the capacitor 9c of the second TFT 9b through the source line 18f, and a current from the power supply line 18g defined based on the gate voltage of the second TFT 9b is supplied to the light emitting function layer 23a.
  • the quantum dot light-emitting layer 3 of the light-emitting functional layer 23a emits light to display an image.
  • the gate voltage of the second TFT 9b is held by the capacitor 9c. maintained.
  • the manufacturing method of the display device 50a of the present embodiment includes a TFT layer forming process, a light emitting element layer forming process, and a cover glass attaching process.
  • the TFT layer 20 is formed by forming the base coat film 11, the first TFT 9a, the second TFT 9b, the capacitor 9c, and the planarizing film 19a on the surface of the glass substrate layer 10a using a well-known method.
  • a photosensitive polyimide resin is applied by a spin coating method or a slit coating method, and then a halftone mask, a graytone mask, or the like is applied to the coating film.
  • Pre-bake, exposure, development, and post-bake are performed using the etchant to form recesses C of a predetermined shape on the surface of the planarizing film 19a.
  • a pixel electrode 21a, an edge cover 22a, and a light-emitting functional layer 23a are formed on the flattening film 19a of the TFT layer 20 formed in the TFT layer forming step by using a well-known method. 2.
  • the quantum dot light emitting layer 3 the electron transport layer 4, the electron injection layer 5) and the common electrode 24, the light emitting element layer 30a is formed.
  • a cover glass layer 45 is attached onto the light emitting element layer 30a formed in the light emitting element layer forming step.
  • the display device 50a of the present embodiment can be manufactured.
  • the pixel electrodes 21a are planarized in the non-light-emitting regions N of the sub-pixels Pr for red, the sub-pixels Pg for green, and the sub-pixels Pb for blue.
  • An uneven reflection surface R is provided due to a plurality of recesses C formed on the surface of the film 19a. Therefore, the external light L is reflected in a direction different from the direction in which it is incident on the reflecting surface R of the non-light-emitting region N, and the amount of reflected light visually recognized by the user is reduced.
  • the display device 50a As a result, in the display device 50a, deterioration in display quality due to reflection of the external light L is suppressed, so deterioration in display quality due to reflection of the external light L can be suppressed without using a circularly polarizing plate.
  • a plurality of concave portions formed on the surface of the planarizing film 19a are formed along the long sides of each of the red sub-pixels Pr, the green sub-pixels Pg and the blue sub-pixels Pb. Therefore, the external light L from the direction along the short sides of the red sub-pixels Pr, the green sub-pixels Pg, and the blue sub-pixels Pb is effectively reflected by the reflecting surface R of the non-light-emitting region N. can do.
  • FIG. 6 shows a second embodiment of the display device according to the invention.
  • FIG. 6 is a plan view showing the detailed configuration of the display area D of the display device 50b of the present embodiment, and corresponds to FIG. 2 described in the first embodiment.
  • the same parts as in FIGS. 1 to 5 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
  • the display device 50a in which the plurality of recesses C are provided along the long side of each sub-pixel was exemplified.
  • the display device 50b provided along is illustrated.
  • a plurality of concave portions formed on the surface of the planarizing film 19a are provided along the short sides of the red sub-pixels Pr, the green sub-pixels Pg, and the blue sub-pixels Pb.
  • Other configurations are substantially the same as those of the display device 50a of the first embodiment.
  • the display device 50b described above emits light through the first TFT 9a and the second TFT 9b in each of the red sub-pixel Pr, the green sub-pixel Pg, and the blue sub-pixel Pb.
  • An image is displayed by causing the quantum dot light-emitting layer 3 of the functional layer 23a to emit light as appropriate.
  • the display device 50b of the present embodiment can be manufactured by changing the pattern shape of the planarizing film 19a in the manufacturing method of the display device 50a of the first embodiment.
  • the pixel electrodes 21a are planarized in the non-light-emitting regions N of the sub-pixels Pr for red, the sub-pixels Pg for green, and the sub-pixels Pb for blue.
  • An uneven reflection surface R is provided due to a plurality of recesses C formed on the surface of the film 19a. Therefore, the external light L is reflected in a direction different from the direction in which it is incident on the reflecting surface R of the non-light-emitting region N, and the amount of reflected light visually recognized by the user is reduced.
  • the display device 50b As a result, in the display device 50b, deterioration in display quality due to reflection of the external light L is suppressed, so deterioration in display quality due to reflection of the external light L can be suppressed without using a circularly polarizing plate.
  • a plurality of concave portions formed on the surface of the planarizing film 19a are formed along the short sides of each of the red sub-pixel Pr, the green sub-pixel Pg, and the blue sub-pixel Pb. Therefore, the external light L from the direction along the long side of each of the sub-pixels Pr for red, the sub-pixels Pg for green, and the sub-pixels Pb for blue is effectively reflected by the reflecting surface R of the non-light-emitting region N. can do.
  • FIG. 7 shows a third embodiment of a display device according to the invention.
  • FIG. 7 is a sectional view of the display area D of the display device 50c of the present embodiment, and corresponds to FIG. 3 described in the first embodiment.
  • the display device 50a in which the air layer 41 is provided between the light emitting element layer 30a and the cover glass layer 45 is illustrated.
  • the display device 50c like the display device 50a of the first embodiment, includes a display area D and a frame area F provided around the display area D in a frame shape.
  • the display device 50c includes a glass substrate layer 10a provided as a base substrate layer, a TFT layer 20 provided on the glass substrate layer 10a, and a light emitting element layer provided on the TFT layer 20. 30a, and a cover glass layer 45 provided on the light emitting element layer 30a with a laminate of a high refractive index material layer 42 and a low refractive index material layer 43 interposed therebetween.
  • the high refractive index material layer 42 includes light emitting regions E (see Er, Eg and Eb in FIG. 2) of each red sub-pixel Pr, green sub-pixel Pg and blue sub-pixel Pb. placed around it.
  • the high refractive index material layer 42 is formed of a material having a relatively high refractive index (refractive index: about 1.7 to 2.0) such as acrylic resin containing zirconia-based fine particles.
  • the low refractive index material layer 43 is provided so as to cover the high refractive index material layer 42 in each of the red sub-pixels Pr, the green sub-pixels Pg and the blue sub-pixels Pb.
  • the low refractive index material layer 42 is formed of a material having a relatively low refractive index (refractive index: about 1.2 to 1.4) such as acrylic resin containing silica-based fine particles.
  • the low refractive index material layer 42 may be formed of a gas such as nitrogen containing no moisture, or a vacuum layer.
  • the light emitted from the quantum dot light emitting layer 3 of the light emitting functional layer 23a enters the high refractive index material layer 42, and then It is emitted through the refractive index material layer 43 and the cover glass layer 45, or totally reflected at the interface with the low refractive index material layer 43, reflected again by the pixel electrode 21a, changes direction, and reaches the low refractive index material layer 43. , and is emitted via the low refractive index material layer 43 and the cover glass layer 45, the light emitted from the quantum dot light emitting layer 3 can be efficiently extracted to the outside.
  • the display device 50c described above emits light through the first TFT 9a and the second TFT 9b in each of the red sub-pixel Pr, the green sub-pixel Pg, and the blue sub-pixel Pb.
  • An image is displayed by causing the quantum dot light-emitting layer 3 of the functional layer 23a to emit light as appropriate.
  • the display device 50c of the present embodiment is manufactured by, for example, an ink jet method, a slit coater method, or the like, before the cover glass layer 45 is attached onto the light emitting element layer 30a. , by forming a high refractive index material layer 42 and a low refractive index material layer 43 .
  • the pixel electrodes 21a are planarized in the non-light-emitting regions N of the sub-pixels Pr for red, the sub-pixels Pg for green, and the sub-pixels Pb for blue.
  • An uneven reflection surface R is provided due to a plurality of recesses C formed on the surface of the film 19a. Therefore, the external light L is reflected in a direction different from the direction in which it is incident on the reflecting surface R of the non-light-emitting region N, and the amount of reflected light visually recognized by the user is reduced.
  • the display device 50c As a result, in the display device 50c, deterioration in display quality due to reflection of the external light L is suppressed, so deterioration in display quality due to reflection of the external light L can be suppressed without using a circularly polarizing plate.
  • a plurality of concave portions formed on the surface of the planarizing film 19a are formed along the long sides of the red sub-pixels Pr, the green sub-pixels Pg and the blue sub-pixels Pb. Therefore, the external light L from the direction along the short sides of the red sub-pixels Pr, the green sub-pixels Pg, and the blue sub-pixels Pb is effectively reflected by the reflecting surface R of the non-light-emitting region N. can do.
  • FIG. 8 shows a fourth embodiment of the display device according to the invention.
  • FIG. 8 is a sectional view of the display area D of the display device 50d of the present embodiment, and corresponds to FIG. 3 described in the first embodiment.
  • the display device 50a in which the reflective surface R is provided on the surface of the pixel electrode 21a is exemplified. Illustrate.
  • the display device 50d includes a display area D and a frame area F provided around the display area D in a frame shape, like the display device 50a of the first embodiment.
  • the display device 50d includes a glass substrate layer 10a provided as a base substrate layer, a TFT layer 20d provided on the glass substrate layer 10a, and a light emitting element layer provided on the TFT layer 20d. 30d, and a cover glass layer 45 provided on the light emitting element layer 30d with a laminate of a high refractive index material layer 42 and a low refractive index material layer 43 interposed therebetween.
  • the TFT layer 20d includes a base coat film 11 provided on the glass substrate layer 10a, a plurality of first TFTs 9a, a plurality of second TFTs 9b and a plurality of capacitors 9c provided on the base coat film 11, A flattening film 19b is provided on each first TFT 9a, each second TFT 9b, and each capacitor 9c.
  • the TFT layer 20d is provided with a plurality of gate lines 14d, a plurality of source lines 18f, and a plurality of power supply lines 18g, like the TFT layer 20 of the first embodiment.
  • a first TFT 9a, a second TFT 9b and a capacitor 9c are provided in each of the red sub-pixel Pr, the green sub-pixel Pg and the blue sub-pixel Pb.
  • the planarizing film 19b has a flat surface in the display region D, and is provided as a resin film made of an organic resin material such as polyimide resin, for example.
  • the light emitting element layer 30d includes a plurality of pixel electrodes 21b provided in order corresponding to a plurality of red sub-pixels Pr, green sub-pixels Pg, and blue sub-pixels Pb, and a common edge cover. 22b, a plurality of light emitting functional layers 23b, a common electrode 24 and a common reflective film 26.
  • FIG. 1 the light emitting element layer 30d includes a plurality of pixel electrodes 21b provided in order corresponding to a plurality of red sub-pixels Pr, green sub-pixels Pg, and blue sub-pixels Pb, and a common edge cover. 22b, a plurality of light emitting functional layers 23b, a common electrode 24 and a common reflective film 26.
  • the pixel electrode 21b is, as shown in FIG. 8, the drain electrode of the second TFT 9b of each of the red sub-pixel Pr, the green sub-pixel Pg, and the blue sub-pixel Pb through a contact hole formed in the planarizing film 19b. 18d. Further, the pixel electrode 21b has a function of injecting holes into the light-emitting functional layer 23b. Further, the pixel electrode 21b is more preferably formed of a material having a large work function in order to improve the efficiency of injecting holes into the light-emitting functional layer 23b. Here, the material forming the pixel electrode 21b is substantially the same as the material forming the pixel electrode 21a of the first embodiment.
  • the edge cover 22b is provided in a grid pattern so as to cover the peripheral edge of each pixel electrode 21b.
  • materials forming the edge cover 22b include photosensitive resins such as polyimide resins, acrylic resins, polysiloxane resins, and novolak resins.
  • photosensitive resins such as polyimide resins, acrylic resins, polysiloxane resins, and novolak resins.
  • a plurality of light-emitting regions extending parallel to each other are provided on the surface of the edge cover 22b.
  • a recess C is provided.
  • the pitch of the recesses C is, for example, about 5 ⁇ m to 20 ⁇ m.
  • each recess C has a V-shaped cross section, and the slope of the slope is about 15° to 40° or 50° with respect to the surface of the resin substrate layer 10, for example. It is inclined to about 80°.
  • Each concave portion C is provided along the long side or short side of each of the red sub-pixel Pr, the green sub-pixel Pg, and the blue sub-pixel Pb, which are rectangular in plan view.
  • the light-emitting functional layer 23b includes a hole injection layer 1, a hole transport layer 2, a quantum dot light-emitting layer 3, an electron transporting layer, and an electron transporting layer, which are provided in this order on the pixel electrode 21b. It comprises a layer 4 and an electron injection layer 5 .
  • the reflective film 26 is provided in a grid pattern so as to overlap the peripheral edge of each pixel electrode 21b.
  • the reflective film 26 is composed of, for example, a laminated film of a lower silver (Ag) film with a thickness of about 100 nm and an upper indium tin oxide (ITO) film with a thickness of about 10 nm.
  • the portion exposed from the reflective film 26 constitutes the light emitting region E (Er, Eg and Eb).
  • the portion overlapping with the reflective film 26 constitutes a non-light-emitting region.
  • the reflective film 26 has a non-light-emitting region N of each red sub-pixel Pr, green sub-pixel Pg, and blue sub-pixel Pb due to the concave portion C on the surface of the edge cover 22b.
  • An uneven reflection surface R is provided.
  • the display device 50d described above emits light through the first TFT 9a and the second TFT 9b in each of the red sub-pixel Pr, the green sub-pixel Pg, and the blue sub-pixel Pb.
  • An image is displayed by causing the quantum dot light-emitting layer 3 of the functional layer 23b to emit light as appropriate.
  • the display device 50d of the present embodiment has a base coat film 11, a first TFT 9a, a second TFT 9b, a capacitor 9c, and a planarization film 19b by using a well-known method in the manufacturing method of the display device 50a of the first embodiment.
  • the TFT layer 20d is formed by forming the TFT layer 20d, and then the pixel electrode 21b, the edge cover 22b, the light emitting function layer 23b, the common electrode 24 and the reflective film 26 are formed by using a well-known method to form the light emitting element layer.
  • the high refractive index material layer 42 and the low refractive index material layer 43 are formed by, for example, an inkjet method or a slit coating method.
  • a photosensitive polyimide resin is applied by a spin coating method or a slit coating method, and then a halftone mask, a graytone mask, or the like is used for the coating film.
  • pre-bake, exposure, development and post-bake are performed to form a recess C of a predetermined shape on the surface of the edge cover 22b.
  • the reflective film 26 includes edge covers.
  • a reflecting surface R having an uneven shape resulting from a plurality of recesses C formed on the surface of 22b is provided. Therefore, the external light L is reflected in a direction different from the direction in which it is incident on the reflecting surface R of the non-light-emitting region N, and the amount of reflected light visually recognized by the user is reduced.
  • the display device 50d As a result, in the display device 50d, deterioration in display quality due to reflection of the external light L is suppressed, so deterioration in display quality due to reflection of the external light L can be suppressed without using a circularly polarizing plate.
  • FIG. 9 shows a fifth embodiment of the display device according to the invention.
  • FIG. 9 is a plan view showing the detailed configuration of the display area D of the display device 50e of the embodiment, and corresponds to FIG. 2 described in the first embodiment.
  • the display device 50a in which one light-emitting region E is provided in each of the sub-pixels Pr for red, the sub-pixels Pg for green, and the sub-pixels Pb for blue is illustrated.
  • a display device 50e is illustrated in which the number of light-emitting regions E of each red sub-pixel Pr, green sub-pixel Pg, and blue sub-pixel Pb is set for each emission color.
  • the display device 50e includes, in a display region D, a red sub-pixel Pr having one red light-emitting region Er, a green sub-pixel Pg having two green light-emitting regions Eg, and three
  • the other configuration is substantially the same as the display device 50a of the first embodiment except that the blue sub-pixels Pb having the blue light emitting regions Eb of .
  • the number of blue light-emitting regions Eb in the blue sub-pixel Pb is greater than the number of green light-emitting regions Eg in the green sub-pixel Pg
  • the number of red light-emitting regions Er in the red sub-pixel Pr is greater than the number of green sub-pixels Pg. It is smaller than the number of green light emitting regions Eg in the pixel Pg.
  • the display device 50e described above emits light through the first TFT 9a and the second TFT 9b in each of the red sub-pixel Pr, the green sub-pixel Pg, and the blue sub-pixel Pb.
  • An image is displayed by causing the quantum dot light-emitting layer 3 of the functional layer 23a to emit light as appropriate.
  • the display device 50e of the present embodiment can be manufactured by changing the pattern shapes of the planarizing film 19a and the edge cover 22a in the manufacturing method of the display device 50a of the first embodiment.
  • the pixel electrodes 21a are provided with a flattened surface.
  • An uneven reflection surface R is provided due to a plurality of recesses C formed on the surface of the film 19a. Therefore, the external light L is reflected in a direction different from the direction in which it is incident on the reflecting surface R of the non-light-emitting region N, and the amount of reflected light visually recognized by the user is reduced. As a result, deterioration in display quality due to reflection of external light L is suppressed in the display device 50e, so deterioration in display quality due to reflection of external light L can be suppressed without using a circularly polarizing plate.
  • a plurality of concave portions formed on the surface of the planarizing film 19a are formed along the long sides of the respective red sub-pixels Pr, green sub-pixels Pg and blue sub-pixels Pb. Therefore, the external light L from the direction along the short sides of the red sub-pixels Pr, the green sub-pixels Pg, and the blue sub-pixels Pb is effectively reflected by the reflecting surface R of the non-light-emitting region N. can do.
  • the luminous efficiency and lifetime of the quantum dot light-emitting layer 3 of the light-emitting functional layer 23a in each of the red sub-pixel Pr, the green sub-pixel Pg, and the blue sub-pixel Pb are taken into consideration.
  • the number of light emitting regions E of each red sub-pixel Pr, green sub-pixel Pg, and blue sub-pixel Pb is set. It is possible to achieve both the amount of light emitted from Pb (luminous efficiency) and the longevity of the display device, thereby improving the display quality of the display device 50e.
  • FIG. 10 shows a sixth embodiment of the display device according to the invention.
  • FIG. 10 is a plan view showing the detailed configuration of the display area D of the display device 50f of the present embodiment, and corresponds to FIG. 2 described in the first embodiment.
  • the display device 50a in which the red sub-pixels Pr, the green sub-pixels Pg, and the blue sub-pixels Pb of the same size are arranged in stripes was exemplified.
  • a display device 50f is illustrated in which two sizes of red sub-pixels Pr, green sub-pixels Pg and blue sub-pixels Pb are arranged.
  • the display device 50f includes, in the display region D, red sub-pixels Pr having four red light-emitting regions Er, green sub-pixels Pg having eight green light-emitting regions Eg, and 40 sub-pixels Pg having green light emitting regions Eg.
  • the other configuration is substantially the same as that of the display device 50a of the first embodiment except that the blue sub-pixel Pb having the blue light emitting region Eb of .
  • substantially square-shaped sub-pixels for red Pr and sub-pixels for green Pg are arranged along the lower long side in the figure of the rectangular sub-pixels for blue Pb. They are placed side by side.
  • FIG. 10 substantially square-shaped sub-pixels for red Pr and sub-pixels for green Pg are arranged along the lower long side in the figure of the rectangular sub-pixels for blue Pb. They are placed side by side.
  • the blue sub-pixel Pb is larger than the red sub-pixel Pr and the green sub-pixel Pg. Further, as shown in FIG. 10, the number of blue light-emitting regions Eb in the blue sub-pixel Pb is greater than the number of green light-emitting regions Eg in the green sub-pixel Pg, and the number of red light-emitting regions Er in the red sub-pixel Pr is The number is smaller than the number of green light emitting regions Eg in the green sub-pixel Pg. Further, as shown in FIG.
  • the pixel electrode 21cb in the blue sub-pixel Pb is larger than the pixel electrode 21cg in the green sub-pixel Pg
  • the pixel electrode 21cr in the red sub-pixel Pr is larger than the pixel electrode 21cg in the green sub-pixel Pg. It is smaller than the pixel electrode 21cg.
  • the display device 50f described above emits light through the first TFT 9a and the second TFT 9b in each of the red sub-pixel Pr, the green sub-pixel Pg, and the blue sub-pixel Pb.
  • An image is displayed by causing the quantum dot light-emitting layer 3 of the functional layer 23a to emit light as appropriate.
  • the display device 50f of the present embodiment is produced by changing the pattern shapes of the flattening film 19a, the first electrode 21a, the edge cover 22a, and the light-emitting functional layer 23a in the manufacturing method of the display device 50a of the first embodiment. , can be manufactured.
  • the pixel electrode 21cr, the pixel electrode 21cg, and the pixel electrode 21cg and The pixel electrode 21cb is provided with an uneven reflection surface R resulting from a plurality of concave portions C formed on the surface of the planarizing film 19a. Therefore, the external light L is reflected in a direction different from the direction in which it is incident on the reflecting surface R of the non-light-emitting region N, and the amount of reflected light visually recognized by the user is reduced. As a result, deterioration in display quality due to reflection of external light L is suppressed in the display device 50f, so deterioration in display quality due to reflection of external light L can be suppressed without using a circularly polarizing plate.
  • the luminous efficiency and lifetime of the quantum dot light-emitting layer 3 of the light-emitting functional layer 23a in each of the red sub-pixel Pr, the green sub-pixel Pg, and the blue sub-pixel Pb are taken into consideration.
  • the number of light emitting regions E of each red sub-pixel Pr, green sub-pixel Pg, and blue sub-pixel Pb is set. It is possible to achieve both the amount of light emitted from Pb (luminous efficiency) and the longevity of the display device, thereby improving the display quality of the display device 50f.
  • each of the red sub-pixel Pr, the green sub-pixel Pg, and the blue sub-pixel Pb is larger than the red light-emitting region Er, the green light-emitting region Eg, and the blue light-emitting region Eb. Since it is sufficient to pattern the quantum dot light-emitting layer 3 according to the size, the manufacturing yield of the display device 50f can be improved.
  • FIG. 11 shows a seventh embodiment of the display device according to the invention.
  • an organic EL display device having an organic EL element layer is exemplified as a display device having a light emitting element layer.
  • FIG. 11 is a sectional view of the display area D of the organic EL display device 50g of the present embodiment, and corresponds to FIG. 3 described in the first embodiment.
  • the display devices 50a to 50f provided with QLEDs were exemplified.
  • An organic EL display device 50g is illustrated.
  • the organic EL display device 50g like the display device 50a of the first embodiment, includes a display area D and a frame area F provided around the display area D in a frame shape.
  • the organic EL display device 50g includes a resin substrate layer 10b provided as a base substrate layer, a TFT layer 20 provided on the resin substrate layer 10b, and a light emitting element layer on the TFT layer 20.
  • An organic EL element layer 30g is provided, and a sealing film 35 is provided on the organic EL element layer 30g.
  • the resin substrate layer 10b is made of, for example, polyimide resin.
  • the organic EL element layer 30g includes a plurality of pixel electrodes 21a provided in order corresponding to a plurality of red sub-pixels Pr, green sub-pixels Pg, and blue sub-pixels Pb, and a common edge electrode 21a. It has a cover 22a, a plurality of organic EL layers (organic electroluminescence layers, light emitting functional layers) 23c, and a common electrode 24 in common.
  • the organic EL layer 23c is provided as a light-emitting functional layer, and includes a hole injection layer 1, a hole transport layer 2, a light-emitting layer (see quantum dot light-emitting layer 3 in FIG. 5) provided in order on the pixel electrode 21a, An electron transport layer 4 and an electron injection layer 5 are provided.
  • Examples of materials constituting the light-emitting layer include metal oxinoid compounds [8-hydroxyquinoline metal complexes], naphthalene derivatives, anthracene derivatives, diphenylethylene derivatives, vinylacetone derivatives, triphenylamine derivatives, butadiene derivatives, and coumarin derivatives.
  • the sealing film 35 includes a first inorganic sealing film 31 provided to cover the second electrode 24 and an organic sealing film 32 provided on the first inorganic sealing film 31. and a second inorganic sealing film 33 provided so as to cover the organic sealing film 32, and have a function of protecting the organic EL layer 23c from moisture, oxygen, and the like.
  • the first inorganic sealing film 31 and the second inorganic sealing film 33 are made of, for example, silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), or trisilicon tetranitride (Si 3 N 4 ).
  • the organic sealing film 32 is made of an organic material such as acrylic resin, polyurea resin, parylene resin, polyimide resin, or polyamide resin.
  • organic light is generated through the first TFT 9a and the second TFT 9b in each of the red sub-pixel Pr, the green sub-pixel Pg, and the blue sub-pixel Pb.
  • An image is displayed by appropriately causing the light-emitting layer of the EL layer 23c to emit light.
  • pixel electrodes are formed on the planarizing film 19a of the TFT layer 20 by a well-known method in the light emitting element layer forming step of the manufacturing method of the display device 50a of the first embodiment.
  • 21a, edge cover 22a, organic EL layer 23c (hole injection layer 1, hole transport layer 2, light emitting layer, electron transport layer 4, electron injection layer 5) and common electrode 24 are formed to form an organic EL element layer.
  • the sealing film 35 (the first inorganic sealing film 31, the organic sealing film 32 and the second inorganic sealing film 33) is formed using a well-known method. can.
  • the TFT layer 20 is formed on the surface of the glass substrate layer 10a. After the TFT layer 20 is formed on the surface of the formed resin substrate layer 10b and the sealing film 35 is formed, a laser beam is irradiated from the glass substrate side of the resin substrate layer 10b, thereby removing the glass from the lower surface of the resin substrate layer 10b. What is necessary is just to peel a board
  • the pixel electrode 21a has: A reflecting surface R having an uneven shape is provided due to a plurality of concave portions C formed on the surface of the planarizing film 19a. Therefore, the external light L is reflected in a direction different from the direction in which it is incident on the reflecting surface R of the non-light-emitting region N, and the amount of reflected light visually recognized by the user is reduced. As a result, in the organic EL display device 50g, degradation in display quality due to reflection of the external light L is suppressed, so degradation in display quality due to reflection of the external light L can be suppressed without using a circularly polarizing plate. .
  • the plurality of concave portions formed on the surface of the planarizing film 19a are the long sides of the respective red sub-pixels Pr, green sub-pixels Pg and blue sub-pixels Pb.
  • the external light L from the direction along the short sides of each of the red sub-pixels Pr, the green sub-pixels Pg and the blue sub-pixels Pb is effectively reflected by the reflecting surface R of the non-light emitting region N. can be reflected by
  • the light-emitting functional layer having a five-layer laminated structure of a hole injection layer, a hole transport layer, a quantum dot light-emitting layer (light-emitting layer), an electron transport layer, and an electron injection layer was exemplified.
  • the display device in which the TFT electrode connected to the pixel electrode is used as the drain electrode is exemplified. can also be applied.
  • the present invention is useful for self-luminous display devices.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

発光素子層（３０ａ）において、エッジカバー（２２ａ）は、各画素電極（２１ａ）の周端部を覆うように設けられ、各サブ画素において、エッジカバー（２２ａ）から露出する画素電極（２１ａ）の部分が発光領域（Ｅ）を構成し、エッジカバー（２２ａ）に重なる画素電極（２１ａ）の部分が非発光領域（Ｎ）を構成し、非発光領域（Ｎ）には、凹凸形状を有する反射面（Ｒ）が設けられている。

Description

表示装置
　本発明は、表示装置に関するものである。
　近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（electroluminescence、以下、ＥＬとも称する）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている（例えば、特許文献１参照）。
特許第６５８８２９９号公報
　ところで、有機ＥＬ表示装置等の自発光型の表示装置は、画素電極、発光機能層及び共通電極が順に積層された発光素子において、発光機能層で発光した光を画素電極で反射して共通電極を介して正面に出射するように構成されているので、外光も画素電極で反射されてしまう。そうなると、明るい環境下では、表示品位が著しく低下するので、表示装置の表面には、円偏光板が貼り付けられている。ここで、円偏光板を用いると、発光機能層で発光した光の半分以上が円偏光板で失われてしまって、発光効率が悪いので、改善の余地がある。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、円偏光板を用いることなく、外光の反射による表示品位の低下を抑制することにある。
　上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、ベース基板層と、上記ベース基板層上に設けられた薄膜トランジスタ層と、上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、表示領域を構成する複数のサブ画素に対応して複数の画素電極、共通のエッジカバー、複数の発光機能層及び共通の共通電極が順に積層された発光素子層とを備えた表示装置であって、上記エッジカバーは、上記各画素電極の周端部を覆うように設けられ、上記各サブ画素において、上記エッジカバーから露出する上記画素電極の部分が発光領域を構成し、上記エッジカバーに重なる上記画素電極の部分が非発光領域を構成し、上記非発光領域には、凹凸形状を有する反射面が設けられていることを特徴とする。
　本発明によれば、円偏光板を用いることなく、外光の反射による表示品位の低下を抑制することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の概略構成を示す平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の表示領域の詳細構成を示す平面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の表示領域の断面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置を構成するＴＦＴ層の等価回路図である。 図５は、本発明の第１の実施形態に表示装置を構成する発光機能層を示す断面図である。 図６は、本発明の第２の実施形態に係る表示装置の表示領域の詳細構成を示す平面図であり、図２に相当する図である。 図７は、本発明の第３の実施形態に係る表示装置の表示領域の断面図であり、図３に相当する図である。 図８は、本発明の第４の実施形態に係る表示装置の表示領域の断面図であり、図３に相当する図である。 図９は、本発明の第５の実施形態に係る表示装置の表示領域の詳細構成を示す平面図であり、図２に相当する図である。 図１０は、本発明の第６の実施形態に係る表示装置の表示領域の詳細構成を示す平面図であり、図２に相当する図である。 図１１は、本発明の第７の実施形態に係る表示装置の表示領域の断面図であり、図３に相当する図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
　《第１の実施形態》
　図１～図５は、本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示している。なお、本実施形態及び以下の第２～第６の実施形態では、発光素子層を備えた表示装置として、ＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）を備えた表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の表示装置５０ａの概略構成を示す平面図である。また、図２は、表示装置５０ａの表示領域Ｄの詳細構成を示す平面図である。また、図３は、表示装置５０ａの表示領域Ｄの断面図である。また、図４は、表示装置５０ａを構成するＴＦＴ層２０の等価回路図である。また、図５は、表示装置５０ａを構成する発光機能層２３を示す断面図である。
　表示装置５０ａは、図１に示すように、例えば、矩形状に設けられた画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に枠状に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。なお、本実施形態では、矩形状の表示領域Ｄを例示したが、この矩形状には、例えば、辺が円弧状になった形状、角部が円弧状になった形状、辺の一部に切り欠きがある形状等の略矩形状も含まれる。
　表示領域Ｄには、図２に示すように、複数の赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂがマトリクス状に配列されている。また、表示領域Ｄでは、図２に示すように、例えば、赤色の表示を行うための赤色発光領域Ｅｒを有する赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色の表示を行うための緑色発光領域Ｅｇを有する緑色用サブ画素Ｐｇ、及び青色の表示を行うための青色発光領域Ｅｂを有する青色用サブ画素Ｐｂが互いに隣り合うように設けられている。なお、表示領域Ｄでは、図２に示すように、隣り合う３つの赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂにより、１つの画素Ｐが構成されている。
　額縁領域Ｆの図１中の下端部には、端子部Ｔが設けられている。ここで、額縁領域Ｆにおいて、図１に示すように、表示領域Ｄ及び端子部Ｔの間には、図中の横方向を折り曲げの軸として１８０°に（Ｕ字状に）折り曲げ可能な折り曲げ部Ｂが一方向（図中の横方向）に延びるように設けられている。
　表示装置５０ａは、図３に示すように、ベース基板層として設けられたガラス基板層１０ａと、ガラス基板層１０ａ上に設けられた薄膜トランジスタ（thin film transistor、以下「ＴＦＴ」とも称する）層２０と、ＴＦＴ層２０上に設けられた発光素子層３０ａと、発光素子層３０ａ上に空気層４１を介して設けられたカバーガラス層４５とを備えている。
　ガラス基板層１０ａは、例えば、厚さ０．１ｍｍ～０．５ｍｍ程度のガラス基板等により構成されている。
　ＴＦＴ層２０は、図３に示すように、ガラス基板層１０ａ上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ９ａ、複数の第２ＴＦＴ９ｂ及び複数のキャパシタ９ｃと、各第１ＴＦＴ９ａ、各第２ＴＦＴ９ｂ及び各キャパシタ９ｃ上に樹脂膜として設けられた平坦化膜１９ａとを備えている。ここで、ＴＦＴ層２０では、図２及び図４に示すように、図中の横方向に互いに平行に延びるように複数のゲート線１４ｄが設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図２及び図４に示すように、図中の縦方向に互いに平行に延びるように複数のソース線１８ｆが設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図２及び図４に示すように、図中の縦方向に互いに平行に延びるように複数の電源線１８ｇが設けられている。なお、各電源線１８ｇは、図２に示すように、各ソース線１８ｆと隣り合うように設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図４に示すように、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及びキャパシタ９ｃが設けられている。
　ベースコート膜１１、後述するゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
　第１ＴＦＴ９ａは、図４に示すように、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂにおいて、対応するゲート線１４ｄ及びソース線１８ｆに電気的に接続されている。また、第１ＴＦＴ９ａは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に順に設けられた半導体層１２ａ、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４ａ、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７、並びにソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂを備えている。ここで、半導体層１２ａは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられ、例えば、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有している。また、ゲート絶縁膜１３は、図３に示すように、半導体層１２ａを覆うように設けられている。また、ゲート電極１４ａは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ａのチャネル領域と重なるように設けられている。また、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、図３に示すように、ゲート電極１４ａを覆うように順に設けられている。また、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７上に互いに離間するように設けられている。また、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ａのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続されている。
　第２ＴＦＴ９ｂは、図４に示すように、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに電気的に接続されている。また、第１ＴＦＴ９ｂは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に順に設けられた半導体層１２ｂ、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４ｂ、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７、並びにソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄを備えている。ここで、半導体層１２ｂは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられ、例えば、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有している。また、ゲート絶縁膜１３は、図３に示すように、半導体層１２ｂを覆うように設けられている。また、ゲート電極１４ｂは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ｂのチャネル領域と重なるように設けられている。また、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、図３に示すように、ゲート電極１４ｂを覆うように順に設けられている。また、ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７上に互いに離間するように設けられている。また、ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ｂのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続されている。
　なお、本実施形態では、トップゲート型の第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを例示したが、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂは、ボトムゲート型のＴＦＴであってもよい。
　キャパシタ９ｃは、図４に示すように、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに電気的に接続されている。ここで、キャパシタ９ｃは、図３に示すように、ゲート線１４ｄ、並びにゲート電極１４ａ及び１４ｂと同一材料により同一層に形成された下部導電層１４ｃと、下部導電層１４ｃを覆うように設けられた第１層間絶縁膜１５と、第１層間絶縁膜１５上に下部導電層１４ｃと重なるように設けられた上部導電層１６ｃとを備えている。なお、上部導電層１６ｃは、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールを介して電源線１８ｇに電気的に接続されている。
　平坦化膜１９ａは、図３に示すように、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂの発光領域Ｅ（図２中のＥｒ、Ｅｇ及びＥｂ参照）において、平坦な表面を有していると共に、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂの非発光領域Ｎにおいて、互いに平行に延びるように複数の凹部Ｃが形成された表面を有し、例えば、ポリイミド樹脂等の有機樹脂材料により構成された樹脂膜として設けられている。なお、図３に示すように、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂにおいて、発光領域Ｅ（Ｅｒ、Ｅｇ及びＥｂ）は、後述するエッジカバー２２ａから露出する画素電極２１ａの部分に対応し、非発光領域Ｎは、エッジカバー２２ａに重なる画素電極２１ａの部分に対応している。ここで、複数の凹部Ｃのピッチは、例えば、５μｍ～２０μｍ程度である。また、各凹部Ｃは、図３に示すように、Ｖ字状の横断面を有し、その斜面は、ガラス基板層１０ａの表面に対して、例えば、１５°～４０°程度、又は５０°～８０°程度に傾斜している。また、各凹部Ｃは、図２に示すように、平面視で長方形状の各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂの長辺に沿って設けられている。また、発光領域Ｅ（Ｅｒ、Ｅｇ及びＥｂ）の直径は、例えば、１０μｍ～２０μｍ程度である。
　発光素子層３０ａは、図３に示すように、複数の赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ、青色用サブ画素Ｐｂに対応して順に設けられた複数の画素電極２１ａ、共通のエッジカバー２２ａ、複数の発光機能層２３ａ、及び共通の共通電極２４を備えている。
　画素電極２１ａは、図３に示すように、平坦化膜１９ａに形成されたコンタクトホールを介して、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ、青色用サブ画素Ｐｂの第２ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１８ｄに電気的に接続されている。また、画素電極２１ａは、発光機能層２３ａにホール（正孔）を注入する機能を有している。また、画素電極２１ａは、発光機能層２３ａへの正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、画素電極２１ａを構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、イリジウム（Ｉｒ）、スズ（Ｓｎ）等の金属材料が挙げられる。また、画素電極２１ａを構成する材料は、例えば、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）等の合金であっても構わない。さらに、画素電極２１ａを構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、画素電極２１ａは、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな化合物材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。具体的に画素電極２１ａは、例えば、厚さ１０ｎｍ程度のＩＴＯ膜、厚さ１００ｎｍ程度の銀膜及び厚さ１０ｎｍ程度のＩＴＯ膜を順に積層した積層膜等により構成され、光反射性を有している。また、画素電極２１ａには、図３に示すように、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂにおいて、発光領域Ｅ（Ｅｒ、Ｅｇ及びＥｂ）に平坦化膜１９ａの平坦な表面に起因する平坦な反射面が設けられ、非発光領域Ｎに平坦化膜１９ａの表面の凹部Ｃに起因する凹凸形状の反射面Ｒが設けられている。なお、本実施形態では、画素電極２１ａが第２ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１８ｄに電気的に接続された構造を例示したが、画素電極２１ａと第２ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１８ｄとの間に他の画素電極が中継電極として設けられていてもよい。
　エッジカバー２２ａは、各画素電極２１ａの周端部を覆うように格子状に設けられている。ここで、エッジカバー２２ａを構成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等の感光性樹脂が挙げられる。
　発光機能層２３ａは、図５に示すように、画素電極２１ａ上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、量子ドット発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
　正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、画素電極２１ａと発光機能層２３ａとのエネルギーレベルを近づけ、画素電極２１ａから発光機能層２３ａへの正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、チオフェン誘導体、酸化ニッケル（ＮｉＯ）ナノ粒子等の金属酸化物等が挙げられる。
　正孔輸送層２は、画素電極２１ａから発光機能層２３ａへの正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
　量子ドット発光層３は、画素電極２１ａ及び共通電極２４による電圧印加の際に、画素電極２１ａ及び共通電極２４から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、量子ドット発光層３は、発光材料として量子ドット（半導体ナノ粒子）を含み、可視光域に発光ピークを有している。そして、量子ドット発光層３を構成する材料としては、例えば、Ｃｄ（カドミウム）、Ｓ（硫黄）、Ｔｅ（テル
ル）、Ｓｅ（セレン）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｉｎ（インジウム）、Ｎ（窒素）、Ｐ（リン）、Ａｓ（ヒ素）、Ｓｂ（アンチモン）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｐｂ（鉛）、Ｓｉ（ケイ素）、Ｇｅ（ゲルマニウム）、Ｍｇ（マグネシウム）からなる群より選択される少なくとも一種の元素で構成されている半導体材料を含んでいてもよい。また、量子ドット発光層３は、二成分コア型、三成分コア型、四成分コア型、コアシェル型又はコアマルチシェル型であってもよい。
　電子輸送層４は、電子を量子ドット発光層３まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
　電子注入層５は、共通電極２４と発光機能層２３ａとのエネルギーレベルを近づけ、共通電極２４から発光機能層２３ａへ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、発光素子の駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化マグネシウム亜鉛（ＭｇＺｎＯ）等が挙げられる。
　共通電極２４は、図３に示すように、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂの発光機能層２３ａを覆うように設けられている。また、共通電極２４は、発光機能層２３ａに電子を注入する機能を有している。また、共通電極２４は、発光機能層２３ａへの電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。ここで、共通電極２４を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、共通電極２４は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、共通電極２４は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、共通電極２４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
　カバーガラス層４５は、例えば、厚さ０．１ｍｍ～０．５ｍｍ程度のガラス基板等により構成されている。
　上述した表示装置５０ａは、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂにおいて、ゲート線１４ｄを介して第１ＴＦＴ９ａにゲート信号を入力することにより、第１ＴＦＴ９ａをオン状態にし、ソース線１８ｆを介して第２ＴＦＴ９ｂのゲート電極１４ｂ及びキャパシタ９ｃにソース信号に対応する電圧を書き込み、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧に基づいて規定された電源線１８ｇからの電流が発光機能層２３ａに供給されることにより、発光機能層２３ａの量子ドット発光層３が発光して、画像表示を行うように構成されている。なお、表示装置５０ａでは、第１ＴＦＴ９ａがオフ状態になっても、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧がキャパシタ９ｃによって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまで量子ドット発光層３による発光が維持される。
　次に、本実施形態の表示装置５０ａの製造方法について説明する。なお、本実施形態の表示装置５０ａの製造方法は、ＴＦＴ層形成工程、発光素子層形成工程及びカバーガラス貼付工程を備える。
　＜ＴＦＴ層形成工程＞
　例えば、ガラス基板層１０ａの表面に、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、キャパシタ９ｃ、及び平坦化膜１９ａを形成して、ＴＦＴ層２０を形成する。なお、平坦化膜１９ａを形成する際には、例えば、スピンコート法やスリットコート法により、感光性のポリイミド樹脂を塗布した後に、その塗布膜に対して、ハーフトーンマスクやグレートーンマスク等を用いて、プリベーク、露光、現像及びポストベークを行うことにより、平坦化膜１９ａの表面に所定形状の凹部Ｃを形成する。
　＜発光素子層形成工程＞
　上記ＴＦＴ層形成工程で形成されたＴＦＴ層２０の平坦化膜１９ａ上に、周知の方法を用いて、画素電極２１ａ、エッジカバー２２ａ、発光機能層２３ａ（正孔注入層１、正孔輸送層２、量子ドット発光層３、電子輸送層４、電子注入層５）及び共通電極２４を形成することにより、発光素子層３０ａを形成する。
　＜カバーガラス貼付工程＞
　上記発光素子層形成工程で形成された発光素子層３０ａ上に、カバーガラス層４５を貼り付ける。
　以上のようにして、本実施形態の表示装置５０ａを製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の表示装置５０ａによれば、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂの非発光領域Ｎにおいて、画素電極２１ａには、平坦化膜１９ａの表面に形成された複数の凹部Ｃに起因する凹凸形状の反射面Ｒが設けられている。そのため、外光Ｌは、非発光領域Ｎの反射面Ｒで入射した方向と異なる方向に反射され、使用者に視認される反射光が少なくなる。これにより、表示装置５０ａにおいて、外光Ｌの反射による表示品位の低下が抑制されるので、円偏光板を用いることなく、外光Ｌの反射による表示品位の低下を抑制することができる。
　また、本実施形態の表示装置５０ａによれば、平坦化膜１９ａの表面に形成された複数の凹部が各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂの長辺に沿って設けられているので、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂの短辺に沿う方向からの外光Ｌを効果的に非発光領域Ｎの反射面Ｒで反射することができる。
　《第２の実施形態》
　図６は、本発明に係る表示装置の第２の実施形態を示している。ここで、図６は、本実施形態の表示装置５０ｂの表示領域Ｄの詳細構成を示す平面図であり、上記第１の実施形態で説明した図２に相当する図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図５と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
　上記第１の実施形態では、複数の凹部Ｃが各サブ画素の長辺に沿って設けられた表示装置５０ａを例示したが、本実施形態では、複数の凹部Ｃが各サブ画素の短辺に沿って設けられた表示装置５０ｂを例示する。
　表示装置５０ｂは、平坦化膜１９ａの表面に形成された複数の凹部が各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂの短辺に沿って設けられているだけで、その他の構成が上記第１の実施形態の表示装置５０ａと実質的に同じになっている。
　上述した表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の表示装置５０ａと同様に、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂにおいて、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを介して発光機能層２３ａの量子ドット発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　本実施形態の表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の表示装置５０ａの製造方法において、平坦化膜１９ａのパターン形状を変更することにより、製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の表示装置５０ｂによれば、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂの非発光領域Ｎにおいて、画素電極２１ａには、平坦化膜１９ａの表面に形成された複数の凹部Ｃに起因する凹凸形状の反射面Ｒが設けられている。そのため、外光Ｌは、非発光領域Ｎの反射面Ｒで入射した方向と異なる方向に反射され、使用者に視認される反射光が少なくなる。これにより、表示装置５０ｂにおいて、外光Ｌの反射による表示品位の低下が抑制されるので、円偏光板を用いることなく、外光Ｌの反射による表示品位の低下を抑制することができる。
　また、本実施形態の表示装置５０ｂによれば、平坦化膜１９ａの表面に形成された複数の凹部が各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂの短辺に沿って設けられているので、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂの長辺に沿う方向からの外光Ｌを効果的に非発光領域Ｎの反射面Ｒで反射することができる。
　《第３の実施形態》
　図７は、本発明に係る表示装置の第３の実施形態を示している。ここで、図７は、本実施形態の表示装置５０ｃの表示領域Ｄの断面図であり、上記第１の実施形態で説明した図３に相当する図である。
　上記第１の実施形態では、発光素子層３０ａとカバーガラス層４５との間に空気層４１が設けられた表示装置５０ａを例示したが、本実施形態では、発光素子層３０ａとカバーガラス層４５との間に高屈折率材料層４２及び低屈折率材料層４３が設けられた表示装置５０ｃを例示する。
　表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の表示装置５０ａと同様に、表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に枠状に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。
　表示装置５０ｃは、図７に示すように、ベース基板層として設けられたガラス基板層１０ａと、ガラス基板層１０ａ上に設けられたＴＦＴ層２０と、ＴＦＴ層２０上に設けられた発光素子層３０ａと、発光素子層３０ａ上に高屈折率材料層４２及び低屈折率材料層４３の積層体を介して設けられたカバーガラス層４５とを備えている。
　高屈折率材料層４２は、図７に示すように、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂの発光領域Ｅ（図２中のＥｒ、Ｅｇ及びＥｂ参照）及びその周囲に設けられている。ここで、高屈折率材料層４２は、例えば、ジルコニア系微粒子等を含むアクリル樹脂等の相対的に高屈折率（屈折率：１．７～２．０程度）な材料により形成されている。
　低屈折率材料層４３は、図７に示すように、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂにおいて、高屈折率材料層４２を覆うように設けられている。ここで、低屈折率材料層４２は、例えば、シリカ系微粒子等を含むアクリル樹脂等の相対的に低屈折率（屈折率：１．２～１．４程度）な材料により形成されている。また、低屈折率材料層４２は、例えば、水分を含まない窒素等の気体、又は真空の層により形成されていてもよい。
　上述した高屈折率材料層４２及び低屈折率材料層４３の積層体によれば、発光機能層２３ａの量子ドット発光層３で発光した光は、高屈折率材料層４２に入射した後に、低屈折率材料層４３及びカバーガラス層４５を介して放射され、又は低屈折率材料層４３との界面で全反射し、画素電極２１ａで再び反射して方向を変え、低屈折率材料層４３との界面を通過し、低屈折率材料層４３及びカバーガラス層４５を介して放射されるので、量子ドット発光層３で発光した光を効率良く外部に取り出すことができる。
　上述した表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の表示装置５０ａと同様に、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂにおいて、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを介して発光機能層２３ａの量子ドット発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　本実施形態の表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の表示装置５０ａの製造方法において、発光素子層３０ａ上にカバーガラス層４５を貼り付ける前に、例えば、インクジェット法やスリットコーター法等により、高屈折率材料層４２及び低屈折率材料層４３を形成することにより、製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の表示装置５０ｃによれば、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂの非発光領域Ｎにおいて、画素電極２１ａには、平坦化膜１９ａの表面に形成された複数の凹部Ｃに起因する凹凸形状の反射面Ｒが設けられている。そのため、外光Ｌは、非発光領域Ｎの反射面Ｒで入射した方向と異なる方向に反射され、使用者に視認される反射光が少なくなる。これにより、表示装置５０ｃにおいて、外光Ｌの反射による表示品位の低下が抑制されるので、円偏光板を用いることなく、外光Ｌの反射による表示品位の低下を抑制することができる。
　また、本実施形態の表示装置５０ｃによれば、平坦化膜１９ａの表面に形成された複数の凹部が各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂの長辺に沿って設けられているので、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂの短辺に沿う方向からの外光Ｌを効果的に非発光領域Ｎの反射面Ｒで反射することができる。
　《第４の実施形態》
　図８は、本発明に係る表示装置の第４の実施形態を示している。ここで、図８は、本実施形態の表示装置５０ｄの表示領域Ｄの断面図であり、上記第１の実施形態で説明した図３に相当する図である。
　上記第１実施形態では、画素電極２１ａの表面に反射面Ｒが設けられた表示装置５０ａを例示したが、本実施形態では、反射膜２６の表面に反射面Ｒが設けられた表示装置５０ｄを例示する。
　表示装置５０ｄは、上記第１の実施形態の表示装置５０ａと同様に、表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に枠状に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。
　表示装置５０ｄは、図８に示すように、ベース基板層として設けられたガラス基板層１０ａと、ガラス基板層１０ａ上に設けられたＴＦＴ層２０ｄと、ＴＦＴ層２０ｄ上に設けられた発光素子層３０ｄと、発光素子層３０ｄ上に高屈折率材料層４２及び低屈折率材料層４３の積層体を介して設けられたカバーガラス層４５とを備えている。
　ＴＦＴ層２０ｄは、図８に示すように、ガラス基板層１０ａ上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ９ａ、複数の第２ＴＦＴ９ｂ及び複数のキャパシタ９ｃと、各第１ＴＦＴ９ａ、各第２ＴＦＴ９ｂ及び各キャパシタ９ｃ上に設けられた平坦化膜１９ｂとを備えている。ここで、ＴＦＴ層２０ｄでは、上記第１の実施形態のＴＦＴ層２０と同様に、複数のゲート線１４ｄ、複数のソース線１８ｆ及び複数の電源線１８ｇが設けられている。また、ＴＦＴ層２０ｄでは、図８に示すように、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及びキャパシタ９ｃが設けられている。
　平坦化膜１９ｂは、図８に示すように、表示領域Ｄにおいて、平坦な表面を有し、例えば、ポリイミド樹脂等の有機樹脂材料により構成された樹脂膜として設けられている。
　発光素子層３０ｄは、図８に示すように、複数の赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ、青色用サブ画素Ｐｂに対応して順に設けられた複数の画素電極２１ｂ、共通のエッジカバー２２ｂ、複数の発光機能層２３ｂ、共通の共通電極２４及び共通の反射膜２６を備えている。
　画素電極２１ｂは、図８に示すように、平坦化膜１９ｂに形成されたコンタクトホールを介して、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ、青色用サブ画素Ｐｂの第２ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１８ｄに電気的に接続されている。また、画素電極２１ｂは、発光機能層２３ｂにホール（正孔）を注入する機能を有している。また、画素電極２１ｂは、発光機能層２３ｂへの正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、画素電極２１ｂを構成する材料としては、上記第１の実施形態の画素電極２１ａを構成する材料と実質的に同じである。
　エッジカバー２２ｂは、各画素電極２１ｂの周端部を覆うように格子状に設けられている。ここで、エッジカバー２２ｂを構成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等の感光性樹脂が挙げられる。また、エッジカバー２２ｂの表面には、図８に示すように、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂの非発光領域Ｎにおいて、互いに平行に延びるように複数の凹部Ｃが設けられている。なお、複数の凹部Ｃのピッチは、例えば、５μｍ～２０μｍ程度である。また、各凹部Ｃは、図８に示すように、Ｖ字状の横断面を有し、その斜面は、樹脂基板層１０の表面に対して、例えば、１５°～４０°程度、又は５０°～８０°程度に傾斜している。また、各凹部Ｃは、平面視で長方形状の各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂの長辺又は短辺に沿って設けられている。
　発光機能層２３ｂは、上記第１の実施形態の発光機能層２３ａと同様に、画素電極２１ｂ上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、量子ドット発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
　反射膜２６は、図８に示すように各画素電極２１ｂの周端部と重なるように格子状に設けられている。ここで、反射膜２６は、例えば、厚さ１００ｎｍ程度の下層の銀（Ａｇ）膜と、厚さ１０ｎｍ程度の上層のインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）膜との積層膜により構成されている。また、図８に示すように、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂにおいて、反射膜２６から露出する部分が発光領域Ｅ（Ｅｒ、Ｅｇ及びＥｂ）を構成し、反射膜２６と重なる部分が非発光領域を構成している。また、反射膜２６には、図８に示すように、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂの非発光領域Ｎにおいて、エッジカバー２２ｂの表面の凹部Ｃに起因する凹凸形状の反射面Ｒが設けられている。
　上述した表示装置５０ｄは、上記第１の実施形態の表示装置５０ａと同様に、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂにおいて、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを介して発光機能層２３ｂの量子ドット発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　本実施形態の表示装置５０ｄは、上記第１の実施形態の表示装置５０ａの製造方法において、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、キャパシタ９ｃ、及び平坦化膜１９ｂを形成することにより、ＴＦＴ層２０ｄを形成し、続いて、周知の方法を用いて、画素電極２１ｂ、エッジカバー２２ｂ、発光機能層２３ｂ、共通電極２４及び反射膜２６を形成することにより発光素子層３０ｄを形成した後に、発光素子層３０ｂ上にカバーガラス層４５を貼り付ける前に、例えば、インクジェット法やスリットコート法等により、高屈折率材料層４２及び低屈折率材料層４３を形成することにより、製造することができる。なお、エッジカバー２２ｂを形成する際には、例えば、スピンコート法やスリットコート法により、感光性のポリイミド樹脂を塗布した後に、その塗布膜に対して、ハーフトーンマスクやグレートーンマスク等を用いて、プリベーク、露光、現像及びポストベークを行うことにより、エッジカバー２２ｂの表面に所定形状の凹部Ｃを形成する。
　以上説明したように、本実施形態の表示装置５０ｄによれば、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂの非発光領域Ｎにおいて、反射膜２６には、エッジカバー２２ｂの表面に形成された複数の凹部Ｃに起因する凹凸形状の反射面Ｒが設けられている。そのため、外光Ｌは、非発光領域Ｎの反射面Ｒで入射した方向と異なる方向に反射され、使用者に視認される反射光が少なくなる。これにより、表示装置５０ｄにおいて、外光Ｌの反射による表示品位の低下が抑制されるので、円偏光板を用いることなく、外光Ｌの反射による表示品位の低下を抑制することができる。
　《第５の実施形態》
　図９は、本発明に係る表示装置の第５の実施形態を示している。ここで、図９は、実施形態の表示装置５０ｅの表示領域Ｄの詳細構成を示す平面図であり、上記第１の実施形態で説明した図２に相当する図である。
　上記第１の実施形態では、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂに発光領域Ｅが１個ずつ設けられた表示装置５０ａを例示したが、本実施形態では、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂの発光領域Ｅの個数が発光色毎に設定された表示装置５０ｅを例示する。
　表示装置５０ｅは、図９に示すように、表示領域Ｄにおいて、１個の赤色発光領域Ｅｒを有する赤色用サブ画素Ｐｒ、２個の緑色発光領域Ｅｇを有する緑色用サブ画素Ｐｇ、及び３個の青色発光領域Ｅｂを有する青色用サブ画素Ｐｂが互いに隣り合うように設けられているだけで、その他の構成が上記第１の実施形態の表示装置５０ａと実質的に同じになっている。ここで、青色用サブ画素Ｐｂにおける青色発光領域Ｅｂの個数は、緑色用サブ画素Ｐｇにおける緑色発光領域Ｅｇの個数よりも多く、赤色用サブ画素Ｐｒにおける赤色発光領域Ｅｒの個数は、緑色用サブ画素Ｐｇにおける緑色発光領域Ｅｇの個数よりも少なくなっている。
　上述した表示装置５０ｅは、上記第１の実施形態の表示装置５０ａと同様に、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂにおいて、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを介して発光機能層２３ａの量子ドット発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　本実施形態の表示装置５０ｅは、上記第１の実施形態の表示装置５０ａの製造方法において、平坦化膜１９ａ及びエッジカバー２２ａのパターン形状を変更することにより、製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の表示装置５０ｅによれば、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂの非発光領域Ｎにおいて、画素電極２１ａには、平坦化膜１９ａの表面に形成された複数の凹部Ｃに起因する凹凸形状の反射面Ｒが設けられている。そのため、外光Ｌは、非発光領域Ｎの反射面Ｒで入射した方向と異なる方向に反射され、使用者に視認される反射光が少なくなる。これにより、表示装置５０ｅにおいて、外光Ｌの反射による表示品位の低下が抑制されるので、円偏光板を用いることなく、外光Ｌの反射による表示品位の低下を抑制することができる。
　また、本実施形態の表示装置５０ｅによれば、平坦化膜１９ａの表面に形成された複数の凹部が各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂの長辺に沿って設けられているので、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂの短辺に沿う方向からの外光Ｌを効果的に非発光領域Ｎの反射面Ｒで反射することができる。
　また、本実施形態の表示装置５０ｅによれば、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂにおける発光機能層２３ａの量子ドット発光層３の発光効率及び寿命を考慮して、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂの発光領域Ｅの個数が設定されているので、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂにおける発光量（発光効率）と長寿命化との両立を図ることができ、表示装置５０ｅの表示品位を向上させることができる。
　《第６の実施形態》
　図１０は、本発明に係る表示装置の第６の実施形態を示している。ここで、図１０は、本実施形態の表示装置５０ｆの表示領域Ｄの詳細構成を示す平面図であり、上記第１の実施形態で説明した図２に相当する図である。
　上記第１の実施形態では、同じサイズの各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂがストライプ状に配置された表示装置５０ａを例示したが、本実施形態では、大小２つのサイズの各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂが配置された表示装置５０ｆを例示する。
　表示装置５０ｆは、図１０に示すように、表示領域Ｄにおいて、４個の赤色発光領域Ｅｒを有する赤色用サブ画素Ｐｒ、８個の緑色発光領域Ｅｇを有する緑色用サブ画素Ｐｇ、及び４０個の青色発光領域Ｅｂを有する青色用サブ画素Ｐｂが設けられているだけで、その他の構成が上記第１の実施形態の表示装置５０ａと実質的に同じになっている。ここで、表示装置５０ｆでは、図１０に示すように、略正方形状の赤色用サブ画素Ｐｒ及び緑色用サブ画素Ｐｇが長方形状の青色用サブ画素Ｐｂの図中の下側の長辺に沿って並んで設けられている。なお、青色用サブ画素Ｐｂは、図１０に示すように、赤色用サブ画素Ｐｒ及び緑色用サブ画素Ｐｇよりも大きく設けられている。また、図１０に示すように、青色用サブ画素Ｐｂにおける青色発光領域Ｅｂの個数は、緑色用サブ画素Ｐｇにおける緑色発光領域Ｅｇの個数よりも多く、赤色用サブ画素Ｐｒにおける赤色発光領域Ｅｒの個数は、緑色用サブ画素Ｐｇにおける緑色発光領域Ｅｇの個数よりも少なくなっている。また、図１０に示すように、青色用サブ画素Ｐｂにおける画素電極２１ｃｂは、緑色用サブ画素Ｐｇにおける画素電極２１ｃｇよりも大きく、赤色用サブ画素Ｐｒにおける画素電極２１ｃｒは、緑色用サブ画素Ｐｇにおける画素電極２１ｃｇよりも小さくなっている。
　上述した表示装置５０ｆは、上記第１の実施形態の表示装置５０ａと同様に、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂにおいて、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを介して発光機能層２３ａの量子ドット発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　本実施形態の表示装置５０ｆは、上記第１の実施形態の表示装置５０ａの製造方法において、平坦化膜１９ａ、第１電極２１ａ、エッジカバー２２ａ及び発光機能層２３ａのパターン形状を変更することにより、製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の表示装置５０ｆによれば、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂの非発光領域Ｎにおいて、画素電極２１ｃｒ、画素電極２１ｃｇ及び画素電極２１ｃｂには、平坦化膜１９ａの表面に形成された複数の凹部Ｃに起因する凹凸形状の反射面Ｒが設けられている。そのため、外光Ｌは、非発光領域Ｎの反射面Ｒで入射した方向と異なる方向に反射され、使用者に視認される反射光が少なくなる。これにより、表示装置５０ｆにおいて、外光Ｌの反射による表示品位の低下が抑制されるので、円偏光板を用いることなく、外光Ｌの反射による表示品位の低下を抑制することができる。
　また、本実施形態の表示装置５０ｆによれば、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂにおける発光機能層２３ａの量子ドット発光層３の発光効率及び寿命を考慮して、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂの発光領域Ｅの個数が設定されているので、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂにおける発光量（発光効率）と長寿命化との両立を図ることができ、表示装置５０ｆの表示品位を向上させることができる。
　また、本実施形態の表示装置５０ｆによれば、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂにおいて、赤色発光領域Ｅｒ、緑色発光領域Ｅｇ及び青色発光領域Ｅｂよりも大きいサイズで量子ドット発光層３をパターニングすればよいので、表示装置５０ｆの製造歩留まりを向上させることができる。
　《第７の実施形態》
　図１１は、本発明に係る表示装置の第７の実施形態を示している。なお、本実施形態では、発光素子層を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子層を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｇの表示領域Ｄの断面図であり、上記第１の実施形態で説明した図３に相当する図である。
　上記第１～第６の実施形態では、ＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）を備えた表示装置５０ａ～５０ｆを例示したが、本実施形態では、発光素子層として有機ＥＬ素子層３０ｇを備えた有機ＥＬ表示装置５０ｇを例示する。
　有機ＥＬ表示装置５０ｇは、上記第１の実施形態の表示装置５０ａと同様に、表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に枠状に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｇは、図１１に示すように、ベース基板層として設けられた樹脂基板層１０ｂと、樹脂基板層１０ｂ上に設けられたＴＦＴ層２０と、ＴＦＴ層２０上に発光素子層として設けられた有機ＥＬ素子層３０ｇと、有機ＥＬ素子層３０ｇ上に設けられた封止膜３５とを備えている。
　樹脂基板層１０ｂは、例えば、ポリイミド樹脂等により構成されている。
　有機ＥＬ素子層３０ｇは、図１１に示すように、複数の赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ、青色用サブ画素Ｐｂに対応して順に設けられた複数の画素電極２１ａ、共通のエッジカバー２２ａ、複数の有機ＥＬ層（有機エレクトロルミネッセンス層、発光機能層）２３ｃ、及び共通の共通電極２４を備えている。
　有機ＥＬ層２３ｃは、発光機能層として設けられ、画素電極２１ａ上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層（図５中の量子ドット発光層３の参照）、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。ここで、発光層を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
　封止膜３５は、図１１に示すように、第２電極２４を覆うように設けられた第１無機封止膜３１と、第１無機封止膜３１上に設けられた有機封止膜３２と、有機封止膜３２を覆うように設けられた第２無機封止膜３３とを備え、有機ＥＬ層２３ｃを水分や酸素等から保護する機能を有している。ここで、第１無機封止膜３１及び第２無機封止膜３３は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）等の無機材料により構成されている。また、有機封止膜３２は、例えば、アクリル樹脂、ポリ尿素樹脂、パリレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂等の有機材料により構成されている。
　上述した表示装置５０ｇは、上記第１の実施形態の表示装置５０ａと同様に、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂにおいて、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを介して有機ＥＬ層２３ｃの発光層を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　本実施形態の表示装置５０ｇは、上記第１の実施形態の表示装置５０ａの製造方法の発光素子層形成工程において、ＴＦＴ層２０の平坦化膜１９ａ上に、周知の方法を用いて、画素電極２１ａ、エッジカバー２２ａ、有機ＥＬ層２３ｃ（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層、電子輸送層４、電子注入層５）及び共通電極２４を形成することにより、有機ＥＬ素子層３０ｇを形成した後に、周知の方法を用いて、封止膜３５（第１無機封止膜３１、有機封止膜３２及び第２無機封止膜３３）を形成することにより、製造することができる。なお、上記第１の実施形態の表示装置５０ａの製造方法では、ガラス基板層１０ａの表面にＴＦＴ層２０を形成したが、本実施形態の表示装置５０ｇの製造方法では、例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板層１０ｂの表面にＴＦＴ層２０を形成し、封止膜３５を形成した後に、樹脂基板層１０ｂのガラス基板側からレーザー光を照射することにより、樹脂基板層１０ｂの下面からガラス基板を剥離させればよい。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｇによれば、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂの非発光領域Ｎにおいて、画素電極２１ａには、平坦化膜１９ａの表面に形成された複数の凹部Ｃに起因する凹凸形状の反射面Ｒが設けられている。そのため、外光Ｌは、非発光領域Ｎの反射面Ｒで入射した方向と異なる方向に反射され、使用者に視認される反射光が少なくなる。これにより、有機ＥＬ表示装置５０ｇにおいて、外光Ｌの反射による表示品位の低下が抑制されるので、円偏光板を用いることなく、外光Ｌの反射による表示品位の低下を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｇによれば、平坦化膜１９ａの表面に形成された複数の凹部が各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂの長辺に沿って設けられているので、各赤色用サブ画素Ｐｒ、緑色用サブ画素Ｐｇ及び青色用サブ画素Ｐｂの短辺に沿う方向からの外光Ｌを効果的に非発光領域Ｎの反射面Ｒで反射することができる。
　《その他の実施形態》
　上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、量子ドット発光層（発光層）、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の発光機能層を例示したが、発光機能層は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、量子ドット発光層（発光層）及び電子輸送層の４層積層構造、量子ドット発光層（発光層）と、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層の少なくとも１層との積層構造等であってもよい。
　また、上記各実施形態では、画素電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした表示装置を例示したが、本発明は、画素電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ表示装置にも適用することができる。
　以上説明したように、本発明は、自発光型の表示装置について有用である。
Ｃ　　　　凹部
Ｄ　　　　表示領域
Ｅｒ　　　赤色発光領域
Ｅｇ　　　緑色発光領域
Ｅｂ　　　青色発光領域
Ｎ　　　　非発光領域
Ｐｒ　　　赤色用サブ画素
Ｐｇ　　　緑色用サブ画素
Ｐｂ　　　青色用サブ画素
Ｒ　　　　反射面
３　　　　量子ドット発光層
１０ａ　　ガラス基板層（ベース基板層）
１０ｂ　　樹脂基板層（ベース基板層）
１９ａ　　平坦化膜（樹脂膜）
２０，２０ｄ　　ＴＦＴ層（薄膜トランジスタ層）
２１ａ，２１ｂ，２１ｃｒ，２１ｃｇ，２１ｃｂ　　画素電極
２２ａ，２２ｂ　　エッジカバー
２３ａ，２３ｂ　　発光機能層
２３ｃ　　有機ＥＬ層（有機エレクトロルミネッセンス層、発光機能層）
２４　　　共通電極
２６　　　反射膜
３０ａ，３０ｄ　　発光素子層
３０ｇ　　有機ＥＬ素子層（発光素子層）
３１　　　第１無機封止膜
３２　　　有機封止膜
３３　　　第２無機封止膜
３５　　　封止膜
４１　　　空気層
４２　　　高屈折率材料層
４３　　　低屈折率材料層
４５　　　カバーガラス層
５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄ，５０ｅ，５０ｆ　　表示装置
５０ｇ　　　有機ＥＬ表示装置

Claims (14)

  1. 　ベース基板層と、
    　上記ベース基板層上に設けられた薄膜トランジスタ層と、
    　上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、表示領域を構成する複数のサブ画素に対応して複数の画素電極、共通のエッジカバー、複数の発光機能層及び共通の共通電極が順に積層された発光素子層とを備えた表示装置であって、
    　上記エッジカバーは、上記各画素電極の周端部を覆うように設けられ、
    　上記各サブ画素において、上記エッジカバーから露出する上記画素電極の部分が発光領域を構成し、上記エッジカバーに重なる上記画素電極の部分が非発光領域を構成し、
    　上記非発光領域には、凹凸形状を有する反射面が設けられていることを特徴とする表示装置。
  2. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　上記非発光領域において、上記複数の画素電極の上記薄膜トランジスタ層側には、樹脂膜が設けられ、
    　上記樹脂膜の上記複数の画素電極側の表面には、互いに平行に延びるように複数の凹部が設けられ、
    　上記非発光領域において、上記複数の画素電極には、上記反射面が設けられていることを特徴とする表示装置。
  3. 　請求項２に記載された表示装置において、
    　上記各サブ画素は、長方形状に設けられ、
    　上記複数の凹部は、上記各サブ画素の長辺に沿って設けられていることを特徴とする表示装置。
  4. 　請求項２に記載された表示装置において、
    　上記各サブ画素は、長方形状に設けられ、
    　上記複数の凹部は、上記各サブ画素の短辺に沿って設けられていることを特徴とする表示装置。
  5. 　請求項２～４の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記樹脂膜は、上記薄膜トランジスタ層の上記発光素子層側に設けられた平坦化膜であることを特徴とする表示装置。
  6. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　上記非発光領域において、上記共通電極上には、反射膜が設けられ、
    　上記エッジカバーの上記複数の発光機能層側の表面には、互いに平行に延びるように複数の凹部が設けられ、
    　上記反射膜には、上記反射面が設けられていることを特徴とする表示装置。
  7. 　請求項１～６の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記複数のサブ画素は、互いに隣り合うようにストライプ状に設けられた赤色を発光するための赤色用サブ画素、緑色を発光するための緑色用サブ画素、及び青色を発光するための青色用サブ画素を備え、
    　上記赤色用サブ画素、上記緑色用サブ画素及び上記青色用サブ画素における上記発光領域の個数は、互いに異なっていることを特徴とする表示装置。
  8. 　請求項７に記載された表示装置において、
    　上記青色用サブ画素における上記発光領域の個数は、上記緑色用サブ画素における上記発光領域の個数よりも多く、
    　上記赤色用サブ画素における上記発光領域の個数は、上記緑色用サブ画素における上記発光領域の個数よりも少なくなっていることを特徴とする表示装置。
  9. 　請求項１～６の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記複数のサブ画素は、赤色を発光するための赤色用サブ画素、緑色を発光するための緑色用サブ画素、及び青色を発光するための青色用サブ画素を備え、
    　上記青色用サブ画素は、上記赤色用サブ画素及び上記緑色用サブ画素よりも大きく設けられ、
    　上記青色用サブ画素における上記発光領域の個数は、上記緑色用サブ画素における上記発光領域の個数よりも多く、
    　上記赤色用サブ画素における上記発光領域の個数は、上記緑色用サブ画素における上記発光領域の個数よりも少なくなっていることを特徴とする表示装置。
  10. 　請求項１～９の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記各発光機能層は、量子ドット発光層を備えていることを特徴とする表示装置。
  11. 　請求項１０に記載された表示装置において、
    　上記共通電極上には、空気層を介してカバーガラス層が設けられていることを特徴とする表示装置。
  12. 　請求項１０に記載された表示装置において、
    　上記共通電極上には、相対的に高屈折率な材料により構成されて上記発光領域に形成された高屈折率材料層、及び相対的に低屈折率な材料により構成されて上記発光領域及び上記非発光領域に形成された低屈折率材料層が順に積層された積層体を介してカバーガラスが設けられていることを特徴とする表示装置。
  13. 　請求項１～９の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記各発光機能層は、有機エレクトロルミネッセンス層であることを特徴とする表示装置。
  14. 　請求項１３に記載された表示装置において、
    　上記発光素子層を覆うように設けられ、第１無機封止膜、有機封止膜及び第２無機封止膜が順に積層された封止膜を備えていることを特徴とする表示装置。
PCT/JP2021/030226 2021-08-18 2021-08-18 表示装置 WO2023021621A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2021/030226 WO2023021621A1 (ja) 2021-08-18 2021-08-18 表示装置
US18/566,771 US20240276852A1 (en) 2021-08-18 2021-08-18 Display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2021/030226 WO2023021621A1 (ja) 2021-08-18 2021-08-18 表示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2023021621A1 true WO2023021621A1 (ja) 2023-02-23

Family

ID=85240323

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2021/030226 WO2023021621A1 (ja) 2021-08-18 2021-08-18 表示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20240276852A1 (ja)
WO (1) WO2023021621A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024185098A1 (ja) * 2023-03-08 2024-09-12 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置および表示装置の製造方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000194285A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子及びディスプレイ
JP2003317960A (ja) * 2002-04-24 2003-11-07 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法及び電子機器
US8835914B2 (en) * 2012-08-07 2014-09-16 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display devices and methods of manufacturing organic light emitting display devices
US20140319477A1 (en) * 2013-04-26 2014-10-30 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same
US20160306241A1 (en) * 2015-01-04 2016-10-20 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and its manufacturing method and display device
WO2017094760A1 (ja) * 2015-12-03 2017-06-08 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、照明装置、および表示装置
JP2017102386A (ja) * 2015-12-04 2017-06-08 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2020113384A (ja) * 2019-01-09 2020-07-27 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、ヘッドマウントディスプレイおよび電子機器
WO2021075156A1 (ja) * 2019-10-16 2021-04-22 シャープ株式会社 発光素子、表示装置および発光素子の製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000194285A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子及びディスプレイ
JP2003317960A (ja) * 2002-04-24 2003-11-07 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法及び電子機器
US8835914B2 (en) * 2012-08-07 2014-09-16 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display devices and methods of manufacturing organic light emitting display devices
US20140319477A1 (en) * 2013-04-26 2014-10-30 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same
US20160306241A1 (en) * 2015-01-04 2016-10-20 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and its manufacturing method and display device
WO2017094760A1 (ja) * 2015-12-03 2017-06-08 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、照明装置、および表示装置
JP2017102386A (ja) * 2015-12-04 2017-06-08 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2020113384A (ja) * 2019-01-09 2020-07-27 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、ヘッドマウントディスプレイおよび電子機器
WO2021075156A1 (ja) * 2019-10-16 2021-04-22 シャープ株式会社 発光素子、表示装置および発光素子の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024185098A1 (ja) * 2023-03-08 2024-09-12 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置および表示装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20240276852A1 (en) 2024-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101920766B1 (ko) 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN111567142B (zh) 显示装置及其制造方法
JP6688701B2 (ja) 有機ｅｌ表示パネル、及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法
KR20140106868A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US11957015B2 (en) Display device
US10971566B2 (en) Display device including frame wiring in bending section
WO2018061056A1 (ja) 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
WO2019163030A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
JP5119536B2 (ja) 有機発光表示装置
CN111149434B (zh) 显示装置及其制造方法
WO2019186819A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
WO2019171581A1 (ja) 表示装置
US12069915B2 (en) Display device and method for manufacturing same
WO2023021621A1 (ja) 表示装置
WO2020039555A1 (ja) 表示装置
US20230130571A1 (en) Display device and method for manufacturing same
US20190363152A1 (en) Display device
WO2020115906A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
WO2019186812A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
WO2021149108A1 (ja) 表示装置
WO2020017007A1 (ja) 表示装置およびその製造方法
WO2019142261A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
WO2023079680A1 (ja) 表示装置及びその製造方法
US20240357887A1 (en) Display device
WO2019064429A1 (ja) 表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21954194

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 18566771

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 21954194

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1