WO2021149108A1 - 表示装置 - Google Patents

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WO2021149108A1
WO2021149108A1 PCT/JP2020/001707 JP2020001707W WO2021149108A1 WO 2021149108 A1 WO2021149108 A1 WO 2021149108A1 JP 2020001707 W JP2020001707 W JP 2020001707W WO 2021149108 A1 WO2021149108 A1 WO 2021149108A1
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WO
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insulating film
inorganic insulating
display device
notch
layer
Prior art date
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PCT/JP2020/001707
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貴翁 斉藤
庸輔 神崎
雅貴 山中
屹 孫
昌彦 三輪
Original Assignee
シャープ株式会社
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Definitions

  • the present invention relates to a display device.
  • a self-luminous organic EL display device that uses an organic electroluminescence (hereinafter, also referred to as “EL”) element has attracted attention.
  • EL organic electroluminescence
  • a flexible organic EL display device including a display panel in which an organic EL element or the like is formed on a flexible resin substrate has been proposed.
  • a structure is proposed in which a notched area (hereinafter, also referred to as “notch”) is provided at the end of the display panel for installing an electronic component such as a camera or a fingerprint sensor. ing.
  • Patent Document 1 a predetermined scanning of a plurality of scanning signal lines is performed in order to perform a good display without display unevenness in a display unit having a non-uniform length of scanning signal lines such as a display unit having a notch.
  • a display device is disclosed in which each of the signal lines is electrically separated into two signal lines by a notch.
  • an inorganic insulating film constituting a thin film transistor (hereinafter, also referred to as "TFT") layer is provided on a resin substrate.
  • TFT thin film transistor
  • This inorganic insulating film is vulnerable to bending and is prone to cracking. Therefore, for example, in a display panel design in which the notch is provided relatively deep toward the display area side where the image is displayed, the inorganic insulating film around the notch may be cracked due to the left and right bending of the display panel. be. Further, when a crack of the inorganic insulating film grows, a crack may occur in other films starting from this crack.
  • the present invention has been made in view of this point, and an object of the present invention is to suppress the occurrence and development of cracks in the inorganic insulating film around the notch of the organic EL display device.
  • the display device is a display device including a flexible substrate and at least one layer of a first inorganic insulating film provided on the flexible substrate.
  • a notch is provided at the end of the structure, and a first inorganic insulating film removing region from which at least one layer of the first inorganic insulating film has been removed is provided along the notch.
  • the flexible substrate is provided with a first inorganic insulating film removing region from which the first inorganic insulating film has been removed along the notch provided at the end of the flexible substrate. It is possible to suppress the occurrence and growth of cracks in the first inorganic insulating film in the surrounding area.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view of a display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the organic EL display device along the lines III-III in FIG.
  • FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of a TFT layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of an organic EL layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention along the VI-VI line in FIG.
  • FIG. 7 is a plan view showing a modified example of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention, and is a view corresponding to FIG.
  • FIG. 8 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to a second embodiment of the present invention, and is a diagram corresponding to FIG.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention along the line IX-IX in FIG. 8, and is a view corresponding to FIG.
  • FIG. 10 is a plan view showing a first modification of the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention, and is a view corresponding to FIG. FIG.
  • FIG. 11 is a plan view showing a second modification of the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention, and is a view corresponding to FIG.
  • FIG. 12 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to a third embodiment of the present invention, and is a diagram corresponding to FIG.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of the organic EL display device according to the third embodiment of the present invention along the line XIII-XIII in FIG. 12, and is a view corresponding to FIG.
  • FIG. 14 is a plan view showing a modified example of the organic EL display device according to the third embodiment of the present invention, and is a view corresponding to FIG.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device 50a of the present embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view of the display area D of the organic EL display device 50a.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the display area D of the organic EL display device 50a.
  • FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the TFT layer 20 constituting the organic EL display device 50a. Further, FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the organic EL layer 23 constituting the organic EL display device 50a.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the organic EL display device 50a along the VI-VI line in FIG.
  • the direction X parallel to the substrate surface of the resin substrate layer 10 described later see FIG. 1
  • the direction Y perpendicular to the direction X and parallel to the substrate surface of the resin substrate layer 10 (FIG. 1).
  • 3. see FIG. 6) and the direction Z (see FIGS. 3 and 6) perpendicular to the direction X and the direction Y are defined.
  • a notch N is provided as a rectangular cutout region in the middle portion of the end portion (right end portion in FIG. 1) of the display panel.
  • the notch N is formed relatively deeply toward the display area D side, which will be described later.
  • the size of the notch N may be determined according to the size of the display panel. For example, the depth (length in direction X) is about 5 mm to 10 mm, and the width (length in direction Y) is 10 mm or more. It is about 20 mm.
  • the rectangular notch N is illustrated, but the rectangular shape also includes a substantially rectangular shape such as a shape in which the sides are arcuate and a shape in which the corners are arcuate. It has been. Further, the shape of the notch N is not limited to a rectangular shape or a substantially rectangular shape, and may be a polygonal shape such as a triangle, a pentagon, or a hexagon.
  • the intermediate portion of one side is bent inward in a C shape in a plan view corresponding to the position of the notch N. It includes a display area D for displaying an image, which is cut out in a substantially rectangular shape, and a frame area F, which is provided in a rectangular frame shape around the display area D.
  • the substantially rectangular display area D is illustrated, but the substantially rectangular shape includes, for example, a substantially quadrature having an arc-shaped side and an arc-shaped corner. In addition to the shape, a rectangular shape is also included.
  • a plurality of sub-pixels P are arranged in a matrix in the display area D. Further, in the display area D, as shown in FIG. 2, for example, a sub-pixel P having a red light emitting region Lr for displaying red, and a sub pixel P having a green light emitting region Lg for displaying green, And sub-pixels P having a blue light emitting region Lb for displaying blue are provided so as to be adjacent to each other. In the display area D, for example, one pixel is composed of three adjacent sub-pixels P having a red light emitting region Lr, a green light emitting region Lg, and a blue light emitting region Lb.
  • the terminal portion T is provided so as to extend in one direction (vertical direction in the figure). Further, in the frame area F, as shown in FIG. 1, the display area D and the terminal portion T can be bent (in a U shape) at, for example, 180 ° with the vertical direction in the drawing as the bending axis. The bent portion B is provided so as to extend in one direction (vertical direction in the drawing).
  • the flattening film 19a described later is provided with a trench G penetrating the flattening film 19a as shown in FIGS. 1 and 3. As shown in FIG. 1, the trench G is provided in a substantially C shape so that the terminal portion T side opens in a plan view.
  • the organic EL display device 50a has a resin substrate layer 10 provided as a flexible substrate, a TFT layer 20 provided on the resin substrate layer 10, and a display area on the TFT layer 20. It includes an organic EL element layer 30 provided as a light emitting element layer constituting D, and a sealing layer 40 provided on the organic EL element layer 30.
  • the resin substrate layer 10 is made of, for example, polyimide or the like.
  • the TFT layer 20 is a base coat in which at least one layer of the first inorganic insulating film (hereinafter, also simply referred to as “first inorganic insulating film Ia”) is sequentially provided on the resin substrate layer 10.
  • a film 11, a gate insulating film 13, a first interlayer insulating film 15 and a second interlayer insulating film 17, and a flattening film 19a provided on the second interlayer insulating film 17 are provided.
  • the TFT layer 20 is provided as a base coat film 11 provided on the resin substrate layer 10 and as a pixel circuit (see FIG. 4) for each sub-pixel P on the base coat film 11.
  • the first TFT 9a, the second TFT 9b and the capacitor 9c are provided, and the flattening film 19a for the TFT provided on each of the first TFT 9a, each second TFT 9b and each capacitor 9c is provided.
  • the TFT layer 20 a plurality of pixel circuits are arranged in a matrix corresponding to the plurality of sub-pixels P.
  • the TFT layer 20 is provided with a plurality of gate lines 14 so as to extend in parallel with each other in the lateral direction in the drawing.
  • the TFT layer 20 is provided with a plurality of source lines 18f so as to extend in parallel with each other in the vertical direction in the drawing.
  • the TFT layer 20 is provided with a plurality of power supply lines 18g so as to extend in parallel with each other in the vertical direction in the drawing. As shown in FIG. 3, each power supply line 18g is provided so as to be adjacent to each source line 18f.
  • the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 constituting the first inorganic insulating film Ia are, for example, inorganic insulating films such as silicon nitride, silicon oxide, and silicon oxynitride. It is composed of a single-layer film or a laminated film.
  • the first TFT 9a is electrically connected to the corresponding gate line 14 and source line 18f in each sub-pixel P.
  • the first TFT 9a includes a semiconductor layer 12a, a gate insulating film 13, a gate electrode 14a, a first interlayer insulating film 15, a second interlayer insulating film 17, and the like, which are sequentially provided on the base coat film 11. It includes a source electrode 18a and a drain electrode 18b.
  • the semiconductor layer 12a is provided in an island shape on the base coat film 11 by, for example, a low-temperature polysilicon film, an In—Ga—Zn—O-based oxide semiconductor film, or the like, as shown in FIG.
  • the gate insulating film 13 is provided so as to cover the semiconductor layer 12a.
  • the gate electrode 14a is provided on the gate insulating film 13 so as to overlap the channel region of the semiconductor layer 12a.
  • the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are provided in order so as to cover the gate electrode 14a as shown in FIG.
  • the source electrode 18a and the drain electrode 18b are provided on the second interlayer insulating film 17 so as to be separated from each other. Further, as shown in FIG.
  • the source electrode 18a and the drain electrode 18b are provided through the contact holes formed in the laminated film of the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17. It is electrically connected to the source region and the drain region of the semiconductor layer 12a, respectively.
  • the second TFT 9b is electrically connected to the corresponding first TFT 9a and the power supply line 18g in each sub-pixel P.
  • the second TFT 9b includes a semiconductor layer 12b, a gate insulating film 13, a gate electrode 14b, a first interlayer insulating film 15, a second interlayer insulating film 17, and the like, which are sequentially provided on the base coat film 11. It includes a source electrode 18c and a drain electrode 18d.
  • the semiconductor layer 12b is provided in an island shape on the base coat film 11 by, for example, a low-temperature polysilicon film, an In—Ga—Zn—O-based oxide semiconductor film, or the like, as shown in FIG.
  • the gate insulating film 13 is provided so as to cover the semiconductor layer 12b.
  • the gate electrode 14b is provided on the gate insulating film 13 so as to overlap the channel region of the semiconductor layer 12b.
  • the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are provided in order so as to cover the gate electrode 14b as shown in FIG.
  • the source electrode 18c and the drain electrode 18d are provided on the second interlayer insulating film 17 so as to be separated from each other. Further, as shown in FIG.
  • the source electrode 18c and the drain electrode 18d pass through the contact holes formed in the laminated film of the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17. It is electrically connected to the source region and the drain region of the semiconductor layer 12b, respectively.
  • the top gate type first TFT 9a and the second TFT 9b are illustrated, but the first TFT 9a and the second TFT 9b may be a bottom gate type TFT.
  • the capacitor 9c is electrically connected to the corresponding first TFT 9a and the power supply line 18g in each sub-pixel P.
  • the capacitor 9c is provided so as to cover the lower conductive layer 14c formed of the same material as the gate electrodes 14a and 14b in the same layer and the lower conductive layer 14c.
  • a film 15 and an upper conductive layer 16 provided on the first interlayer insulating film 15 so as to overlap the lower conductive layer 14c are provided.
  • the upper conductive layer 16 is electrically connected to the power supply line 18g via a contact hole formed in the second interlayer insulating film 17.
  • the flattening film 19a has a flat surface in the display region D, and is made of, for example, an organic resin material such as a polyimide resin or an acrylic resin.
  • the organic EL element layer 30 includes a plurality of organic EL elements 25 so as to be arranged in a matrix on the flattening film 19a corresponding to the plurality of pixel circuits in the display area D.
  • the organic EL element layer 30 is composed of a plurality of organic EL elements 25 arranged in a matrix, and as shown in FIG. 3, a plurality of first electrodes sequentially provided on the TFT layer 20. It includes 21a, a plurality of organic EL layers 23 provided as functional layers, and a second electrode 24.
  • the first electrode 21a is electrically connected to the drain electrode 18d (or source electrode 18c) of each second TFT 9b via a contact hole formed in the flattening film 19a. Further, the first electrode 21a has a function of injecting holes into the organic EL layer 23. Further, the first electrode 21a is more preferably formed of a material having a large work function in order to improve the hole injection efficiency into the organic EL layer 23.
  • examples of the material constituting the first electrode 21a include silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), and gold (Au).
  • the material constituting the first electrode 21a may be, for example, an alloy such as astatine (At) / oxidized astatine (AtO 2).
  • the material constituting the first electrode 21a is, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), or indium zinc oxide (IZO). There may be. Further, the first electrode 21a may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials. Examples of the compound material having a large work function include indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO).
  • the peripheral end portion of the first electrode 21a is covered with an edge cover 22a provided in a grid pattern over the entire display area D.
  • the material constituting the edge cover 22a include a positive photosensitive resin such as a polyimide resin, an acrylic resin, a polysiloxane resin, and a novolak resin.
  • a part of the surface of the edge cover 22a is a pixel photo spacer 22p that protrudes upward in the drawing and is provided in an island shape as a first photo spacer.
  • the organic EL layer 23 includes a hole injection layer 1, a hole transport layer 2, a light emitting layer 3, an electron transport layer 4, and an electron injection layer 5 which are sequentially provided on the first electrode 21a. ing.
  • the hole injection layer 1 is also called an anode buffer layer, and has a function of bringing the energy levels of the first electrode 21a and the organic EL layer 23 closer to each other and improving the hole injection efficiency from the first electrode 21a to the organic EL layer 23.
  • Examples include hydrazone derivatives and stillben derivatives.
  • the hole transport layer 2 has a function of improving the hole transport efficiency from the first electrode 21a to the organic EL layer 23.
  • examples of the material constituting the hole transport layer 2 include a porphyrin derivative, an aromatic tertiary amine compound, a styrylamine derivative, polyvinylcarbazole, a poly-p-phenylene vinylene, a polysilane, a triazole derivative, and an oxadiazole.
  • Derivatives imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amine-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stillben derivatives, hydride amorphous silicon, Examples thereof include hydride amorphous silicon carbide, zinc sulfide, and zinc selenium.
  • the light emitting layer 3 when a voltage is applied by the first electrode 21a and the second electrode 24, holes and electrons are injected from the first electrode 21a and the second electrode 24, respectively, and the holes and electrons are recombined.
  • the light emitting layer 3 is formed of a material having high luminous efficiency.
  • the material constituting the light emitting layer 3 include a metal oxinoid compound [8-hydroxyquinolin metal complex], a naphthalene derivative, an anthracene derivative, a diphenylethylene derivative, a vinylacetone derivative, a triphenylamine derivative, a butadiene derivative, and a coumarin derivative.
  • the electron transport layer 4 has a function of efficiently moving electrons to the light emitting layer 3.
  • the material constituting the electron transport layer 4 for example, as an organic compound, an oxadiazole derivative, a triazole derivative, a benzoquinone derivative, a naphthoquinone derivative, an anthraquinone derivative, a tetracyanoanthracinodimethane derivative, a diphenoquinone derivative, and a fluorenone derivative , Cyrol derivatives, metal oxinoid compounds and the like.
  • the electron injection layer 5 has a function of bringing the energy levels of the second electrode 24 and the organic EL layer 23 closer to each other and improving the efficiency of injecting electrons from the second electrode 24 into the organic EL layer 23.
  • the drive voltage of the organic EL element 25 can be lowered.
  • the electron injection layer 5 is also called a cathode buffer layer.
  • examples of the material constituting the electron injection layer 5 include lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), and barium fluoride.
  • Inorganic alkaline compounds such as (BaF 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), strontium oxide (SrO) and the like can be mentioned.
  • the second electrode 24 is provided so as to cover the organic EL layer 23 of each sub-pixel P and the edge cover 22a common to all sub-pixels P. Further, the second electrode 24 has a function of injecting electrons into the organic EL layer 23. Further, the second electrode 24 is more preferably made of a material having a small work function in order to improve the electron injection efficiency into the organic EL layer 23.
  • the material constituting the second electrode 24 include silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), and gold (Au).
  • the second electrode 24 is, for example, magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), asstatin (At) / oxidized asstatin (AtO 2).
  • the second electrode 24 may be formed of, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). .. Further, the second electrode 24 may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials.
  • Examples of materials having a small work function include magnesium (Mg), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), and sodium.
  • (Na) / potassium (K) lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al) And so on.
  • the sealing layer 40 is provided on the organic EL element layer 30 so as to cover each organic EL element 25.
  • the sealing layer 40 includes a first sealing inorganic film 36 provided on the resin substrate layer 10 side so as to cover the second electrode 24, and a first sealing inorganic film 36. It includes a sealing organic film 37 provided above and a second sealing inorganic film 38 provided so as to cover the sealing organic film 37.
  • the sealing layer 40 has a function of protecting the organic EL layer 23 from moisture, oxygen, and the like.
  • the first sealing inorganic film 36 and the second sealing inorganic film 38 are, for example, silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), trisilicon tetroxide (Si 3 N 4 ), and the like. It is composed of an inorganic material such as silicon nitride (SiNx (x is a positive number)) and silicon nitride (SiCN). Further, the sealing organic film 37 is made of an organic material such as an acrylic resin, a polyurea resin, a parylene resin, a polyimide resin, or a polyamide resin.
  • the organic EL display device 50a is provided in a frame shape so as to surround the display area D and overlap the outer peripheral end of the sealing organic film 37 in the frame area F. It includes one external dam wall Wa and a second dam wall Wb provided in a frame shape so as to surround the first external dam wall Wa.
  • the first outer dam wall Wa has a first resin layer 19b formed in the same layer as the flattening film 19a and a first conductive layer 21b on the first resin layer 19b. It is provided with a second resin layer 22c formed in the same layer as the edge cover 22a by the same material.
  • the first conductive layer 21b has a substantially C shape so as to overlap the trench G, the first outer dam wall Wa, and the second outer dam wall Wb in the frame region F. It is provided.
  • the first conductive layer 21b is formed of the same material as the first electrode 21a.
  • the second outer dam wall Wb is formed on the first resin layer 19c and the first resin layer 19c formed of the same material as the flattening film 19a via the first conductive layer 21b.
  • the edge cover 22a is provided with a second resin layer 22d formed of the same material as the edge cover 22a.
  • the organic EL display device 50a surrounds the display area D and overlaps the first external dam wall Wa and the second external dam wall Wb in the frame area F.
  • a first frame wiring 18h provided on the outside of the trench G is provided.
  • the first frame wiring 18h is electrically connected to a power supply terminal (not shown) to which a low power supply voltage (ELVSS) is input at the terminal portion T.
  • the first frame wiring 18h is electrically connected to the second electrode 24 via the first conductive layer 21b.
  • the first frame wiring 18h is continuously provided up to the power supply terminal to which the low power supply voltage is input (see FIG. 12).
  • continuous may mean that a diode formed by a transistor is sandwiched between the terminal portion T and the wiring (near the terminal portion T) in order to remove noise of the input signal, which is also the present invention. It shall be included in the “continuity" of the present invention without impairing the purpose of the present invention.
  • the first frame wiring 18h is electrically connected to the anode electrode of the diode. Further, the first frame wiring 18h is formed in the same layer with the same material as the source wire 18f.
  • the organic EL display device 50a includes a second frame wiring 18i provided inside the trench G in the frame region F.
  • the second frame wiring 18i is electrically connected to a power supply terminal (not shown) to which a high power supply voltage (EL VDD) is input at the terminal portion T.
  • the second frame wiring 18i is electrically connected to a plurality of power supply lines 18g arranged in the display area D on the display area D side.
  • the second frame wiring 18i is continuously provided up to the power supply terminal to which a high power supply voltage is input (see FIG. 12).
  • the second frame wiring 18i is electrically connected to the cathode electrode of the diode.
  • the second frame wiring 18i is formed in the same layer with the same material as the source wire 18f.
  • the organic EL display device 50a is provided in an island shape as a second photo spacer on the flattening film 19a in the frame region F so as to project upward in the drawing.
  • a plurality of picture frame photo spacers 22b are provided.
  • each frame photo spacer 22b is formed in the same layer with the same material as the edge cover 22a.
  • the frame photo spacer may be formed by laminating a resin layer formed of the same material as the edge cover 22a in the same layer and another layer.
  • a first inorganic insulating film removing region Sa is provided along the notch N.
  • the first inorganic insulating film removing region Sa is formed so as to extend continuously in the direction X and the direction Y along the peripheral end portion of the notch N. That is, the first inorganic insulating film removing region Sa is formed on the entire circumference of the notch N. Further, the first inorganic insulating film removing region Sa is formed in a band shape.
  • the length in the direction orthogonal to the length or the direction Y) (hereinafter, also referred to as “the width of the first inorganic insulating film removing region Sa”) H 1 (see FIG. 1) is, for example, about 1 ⁇ m to 100 ⁇ m.
  • the opening Aa of the first inorganic insulating film Ia is formed corresponding to the position of the first inorganic insulating film removing region Sa.
  • the opening Aa of the first inorganic insulating film Ia is formed by penetrating the first inorganic insulating film Ia in the thickness direction (direction Z) thereof. That is, the resin substrate layer 10 is exposed in the first inorganic insulating film removing region Sa.
  • the first inorganic insulating film Ia is formed around the notch N where the inorganic insulating film (first inorganic insulating film Ia) is likely to crack due to the left and right bending of the display panel.
  • the first inorganic insulating film removing region Sa which has been completely removed, is formed.
  • the organic EL display device 50a described above turns on the first TFT 9a by inputting a gate signal to the first TFT 9a via the gate line 14 in each sub-pixel P, and turns on the first TFT 9a, and the gate electrode of the second TFT 9b via the source line 18f.
  • a data signal to the 14b and the capacitor 9c and supplying a current from the power supply line 18g corresponding to the gate voltage of the second TFT 9b to the organic EL layer 23
  • the light emitting layer 3 of the organic EL layer 23 emits light, and the image It is configured to display.
  • the gate voltage of the second TFT 9b is held by the capacitor 9c, so that the light emitting layer 3 emits light until the gate signal of the next frame is input. Be maintained.
  • the method for manufacturing the organic EL display device 50a of the present embodiment is a resin substrate layer forming step, a TFT layer forming step, an inorganic insulating film removing region forming step, an organic EL element layer forming step, and a sealing layer. It includes a forming step and a notch forming step.
  • a flexible resin substrate layer 10 is formed by applying a non-photosensitive polyimide resin on a support substrate (not shown) such as a glass substrate and then prebaking and post-baking the coated film. do.
  • the base coat film 11, the semiconductor layers 12a and 12b, the gate insulating film 13, the gate electrode 14a, and the first interlayer insulating film are used.
  • a TFT layer 20 is formed in which 15, a second interlayer insulating film 17, a wiring layer (source electrode 18a, drain electrode 18b, etc.) and the like are laminated in this order.
  • the base coat film 11, the first TFT 9a, the second TFT 9b, the capacitor 9c, and the flattening film 19a are formed on the resin substrate layer 10 to form the TFT layer 20.
  • Inorganic insulating film removal region forming process For example, among the first inorganic insulating film Ia formed on the resin substrate layer 10 in the TFT layer forming step, the first inorganic insulating film in the region including the notch N shown in FIG. 1 and the first inorganic insulating film removing region Sa. Ia (that is, the base coating film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17) is removed by etching. As a result, a rectangular inorganic insulating film removing region (hereinafter referred to as "inorganic insulating film removing region S”) is formed.
  • inorganic insulating film removing region S a rectangular inorganic insulating film removing region
  • the first electrode 21a and the edge cover 22a correspond to the plurality of sub-pixels P constituting the display region D by using a well-known method.
  • a plurality of organic EL elements 25 having an organic EL layer 23 (hole injection layer 1, hole transport layer 2, light emitting layer 3, electron transport layer 4, electron injection layer 5) and a second electrode 24 are formed.
  • the organic EL element layer 30 is formed.
  • a mask is used so as to cover each organic EL element 25 on the organic EL element layer 30 formed in the organic EL element layer forming step, for example, a silicon nitride film, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, or the like.
  • the inorganic insulating film of No. 1 is formed by a plasma CVD (chemical vapor deposition) method to form the first sealing inorganic film 36.
  • patterning is performed using a mask so that the first sealing inorganic film 36 is not formed on the resin substrate layer 10 in the inorganic insulating film removing region S formed in the inorganic insulating film removing region forming step.
  • an organic resin material such as an acrylic resin is formed on the surface of the substrate on which the first sealing inorganic film 36 is formed by, for example, an inkjet method to form the sealing organic film 37.
  • an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon oxynitride film is formed by a plasma CVD method using a mask so as to cover the sealing organic film 37, and the second sealing is performed.
  • the inorganic film 38 is formed.
  • patterning is performed using a mask so that the second sealing inorganic film 38 is not formed on the resin substrate layer 10 in the inorganic insulating film removing region S formed in the inorganic insulating film removing region forming step.
  • the sealing layer 40 is formed by the above steps.
  • a protective sheet (not shown) is attached to the surface of the substrate on which the sealing layer 40 is formed in the sealing layer forming step, and then the resin substrate layer is irradiated with laser light from the glass substrate side of the resin substrate layer 10. The glass substrate is peeled off from the back surface of 10. Subsequently, a protective sheet (not shown) is attached to the back surface of the resin substrate layer 10 from which the glass substrate has been peeled off.
  • the mother substrate in which a plurality of display substrates (display panels) manufactured by each of the above steps are arranged in a matrix is divided by, for example, laser light, and the display panels are individually cut out and individualized.
  • a notch N is formed by cutting out the middle part of one side of the individualized display panel with, for example, laser light. More specifically, the resin substrate layer 10 in the inorganic insulating film removing region S formed in the inorganic insulating film removing region forming step is cut out by laser light along the peripheral end of the inorganic insulating film removing region S. At this time, the area of the notch N is made smaller than the area of the inorganic insulating film removing region S. As a result, a strip-shaped first inorganic insulating film removing region Sa and a notch N are formed from the inorganic insulating film removing region S. The notch N may be formed at the same time as the display panel is individualized.
  • the organic EL display device 50a of the present embodiment can be manufactured.
  • the organic EL display device 50a of the present embodiment As described above, according to the organic EL display device 50a of the present embodiment, the following effects can be obtained.
  • the notch N is provided. There is no first inorganic insulating film Ia in the periphery. Therefore, for example, even in a display panel design in which the notch N is provided relatively deeply toward the display area D side, the first notch N is close to the notch N (around the notch N) with respect to the left and right bending of the display panel. 1 The occurrence of cracks in the inorganic insulating film Ia can be suppressed.
  • FIG. 7 is a plan view showing a modified example of the organic EL display device 50a, and is a view corresponding to FIG.
  • the planar shape of the first inorganic insulating film removing region Sa may be changed as follows.
  • the width of H 2 first inorganic insulating film removal areas Sa at the corner C of the notch N is, the corner portion C remaining portion of the notch N (i.e. notch It is larger than the width H 1 of the first inorganic insulating film removal areas Sa in side) along the N.
  • the first inorganic insulating film removing region Sa near the corner C of the notch N is expanded in the diagonal direction of the notch N.
  • the distance between the corner portion C of the notch N, which is particularly prone to cracks when the display panel is bent left and right, and the first inorganic insulating film Ia close to the corner portion C becomes larger. Further away (become larger). As a result, the occurrence of cracks in the first inorganic insulating film Ia around the corner C of the notch N can be further suppressed.
  • the width H 2 of the first inorganic insulating film removing region Sa at the corner C of the notch N is, for example, about twice as large as the width H 1 of the first inorganic insulating film removing region Sa at the corners other than the corner C. That's right. That is, the width H 2 of the first inorganic insulating film removing region Sa is, for example, about 2 ⁇ m to 200 ⁇ m. Further, the shape of the first inorganic insulating film removing region Sa at the corner C of the notch N is such that the corner C edge of the first inorganic insulating film removing region Sa in the diagonal direction of the notch N and the display region D side edge.
  • the shape is not particularly limited as long as the spacing is large, and in addition to the rectangular shape shown in FIG. 7, for example, a polygonal shape such as a pentagon or a hexagon, a trapezoidal shape, a circular shape, an elliptical shape, or the like may be used.
  • a modification of the organic EL display device 50a is a modification of the above-mentioned manufacturing method of the organic EL display device 50a, for example, in the step of forming the inorganic insulating film removing region, the inorganic insulating film removing region S when the first inorganic insulating film Ia is etched. It can be manufactured by changing the pattern shape of.
  • FIG. 8 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device 50b according to the present embodiment, and is a diagram corresponding to FIG.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the organic EL display device 50b along the IX-IX line in FIG. 8, which corresponds to FIG. Since the overall configuration of the organic EL display device 50b other than the notch N peripheral end portion is the same as that of the first embodiment described above, detailed description thereof will be omitted here. Further, the same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
  • the peripheral end of the notch N and the first inorganic insulating film removing region Sa (first inorganic insulating film).
  • a plurality of layers of the second inorganic insulating film (hereinafter, also simply referred to as “second inorganic insulating film Ib”) are provided between the removal region Sa (the end on the notch N side). More specifically, as shown in FIGS.
  • a first inorganic insulating film removing region Sa extending in a band shape along the notch N and a first inorganic insulating film removing region Sa
  • a first inorganic insulating film Ia is provided on the display region D side
  • a second inorganic insulating film Ib is provided on the notch N side with respect to the first inorganic insulating film removing region Sa.
  • the first inorganic insulating film Ia and the second inorganic insulating film Ib are separated (separated) from each other via the first inorganic insulating film removing region Sa.
  • the first inorganic insulating film removing region Sa is formed between the first inorganic insulating film Ia and the second inorganic insulating film Ib in the directions X and Y.
  • the second inorganic insulating film Ib is formed on the entire circumference of the notch N. Further, the second inorganic insulating film Ib is formed so as to extend in a band shape along the notch N (first inorganic insulating film removing region Sa). The length of the second inorganic insulating film Ib in the direction orthogonal to the extending direction (length of direction X or direction Y) of the second inorganic insulating film Ib between the notch N side edge and the display region D side edge. (Width of the second inorganic insulating film Ib) H 3 (see FIG.
  • the second inorganic insulating film Ib is the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer provided in this order on the resin substrate layer 10, similarly to the first inorganic insulating film Ia. It is composed of an insulating film 17. That is, the second inorganic insulating film Ib is composed of the same laminated film as the first inorganic insulating film Ia.
  • the end surface (notch N side end surface) Ibe of the second inorganic insulating film Ib is the end surface (notch N side) of the resin substrate layer 10.
  • the end face is flush with 10e (divisional cross section of the individualized display panel).
  • a wiring 45 is provided between the gate insulating film 13 and the first interlayer insulating film 15. More specifically, the wiring 45 is formed on the gate insulating film 13 in the second inorganic insulating film Ib, and the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are sequentially formed so as to cover the wiring 45. There is.
  • the wiring 45 arranged around the notch N is not exposed because it is interposed between the gate insulating film 13 and the first interlayer insulating film 15 in the second inorganic insulating film Ib.
  • the wiring 45 include inspection wiring and the like. Further, in the present embodiment, the wiring 45 may be a TEG (test element group) or the like in addition to the inspection wiring.
  • a second inorganic insulating film Ib is provided.
  • the organic EL display device 50b forms the wiring 45 in the method for manufacturing the organic EL display device 50a of the first embodiment described above, for example, in the TFT layer forming step, and in the inorganic insulating film removing region forming step, the first It can be manufactured by changing the pattern shape of the first inorganic insulating film removing region Sa when the inorganic insulating film Ia is etched.
  • the wiring 45 is formed along the notch N at the same time as the source electrode 18a and the like. After that, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are formed so as to cover the wiring 45.
  • the first inorganic insulating film Ia inside (display region D side) from the arrangement position of the wiring 45 is divided by etching along the notch N to form a strip-shaped first.
  • the inorganic insulating film removing region Sa is formed.
  • the layer 10, the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are cut out with a laser beam to form a notch N.
  • the second inorganic insulating film Ib, the first inorganic insulating film removing region Sa, and the first inorganic insulating film Ia are formed in this order from the notch N side to the display region D side at the peripheral end of the notch N. NS.
  • a second inorganic insulating film Ib is provided between the peripheral end of the notch N and the first inorganic insulating film removing region Sa in the direction X and the direction Y, and the second inorganic insulating film Ib is provided in the direction Z.
  • a wiring 45 is provided between the gate insulating film 13 and the first interlayer insulating film 15 in the second inorganic insulating film Ib. That is, a first inorganic insulating film removing region Sa is formed between the second inorganic insulating film Ib and the first inorganic insulating film Ia provided to prevent the wiring 45 from being exposed.
  • FIG. 10 is a plan view showing a first modification of the organic EL display device 50b, and is a view corresponding to FIG.
  • the planar shape of the first inorganic insulating film removing region Sa may be changed in the same manner as in the modification of the organic EL display device 50a described above.
  • the width H 2 of the first inorganic insulating film removing region Sa at the corner C of the notch N is a portion other than the corner C of the notch N. It is larger than the width H 1 of the first inorganic insulating film removal areas Sa.
  • the first modification of the organic EL display device 50b is the first inorganic insulation when the first inorganic insulating film Ia is etched in the above-mentioned manufacturing method of the organic EL display device 50b, for example, in the step of forming the inorganic insulating film removing region. It can be manufactured by changing the pattern shape of the film removing region Sa.
  • FIG. 11 is a plan view showing a second modification of the organic EL display device 50b, and is a view corresponding to FIG.
  • a second inorganic insulating film removing region Sb from which the second inorganic insulating film Ib has been removed may be further provided along the notch N.
  • the end face Ibe of the second inorganic insulating film Ib is inside the end face 10e of the resin substrate layer 10 (display region D side). It has become. That is, a second inorganic insulating film removing region Sb is further formed on the notch N side with respect to the second inorganic insulating film Ib. In other words, in the direction X and the direction Y, the second inorganic insulating film Ib is provided between the second inorganic insulating film removing region Sb and the first inorganic insulating film removing region Sa.
  • the second inorganic insulating film removing region Sb is formed on the entire circumference of the notch N. Further, the second inorganic insulating film removing region Sb is formed so as to extend in a band shape along the notch N (first inorganic insulating film removing region Sa, second inorganic insulating film Ib). It should be noted that the direction in which the second inorganic insulating film removing region Sb extends (length in direction X or direction Y) between the notch N side edge of the second inorganic insulating film removing region Sb and the display region D side edge is orthogonal to each other.
  • the length (width of the second inorganic insulating film removing region Sb) H 4 is the width H 1 of the first inorganic insulating film removing region Sa or the width H 3 of the second inorganic insulating film Ib. Each may be the same or different.
  • the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 constituting the second inorganic insulating film Ib are not provided.
  • the opening Ab of the second inorganic insulating film Ib is formed corresponding to the position of the second inorganic insulating film removing region Sb.
  • the opening Ab of the second inorganic insulating film Ib is formed by penetrating the second inorganic insulating film Ib in the thickness direction (direction Z) thereof. That is, the resin substrate layer 10 is exposed in the second inorganic insulating film removing region Sb.
  • the end surface Sbe of the second inorganic insulating film removing region Sb is flush with the end surface 10e of the resin substrate layer 10 at the notch N. ing.
  • the second inorganic insulating film removing region Sb is further formed at the peripheral end of the notch N, the notch is formed with respect to the left and right bending of the display panel.
  • the occurrence of cracks in the second inorganic insulating film Ib around N can be suppressed.
  • the occurrence of cracks in the first inorganic insulating film Ia starting from the cracks in the second inorganic insulating film Ib can be further suppressed.
  • the second modification of the organic EL display device 50b is the first inorganic insulation when the first inorganic insulating film Ia is etched in the above-mentioned manufacturing method of the organic EL display device 50b, for example, in the step of forming the inorganic insulating film removing region. It can be manufactured by changing the pattern shape of the film removing region Sa.
  • the first inorganic insulating film Ia inside the wiring 45 arrangement position (display region D side) is divided by etching along the notch N to form a strip.
  • the first inorganic insulating film removal region Sa is formed.
  • the first inorganic insulating film Ia on the outside (notch N side) of the arrangement position of the wiring 45 is removed by etching to form a rectangular inorganic insulating film removing region S.
  • a strip-shaped second inorganic material is formed in the peripheral end portion of the inorganic insulating film removing region S (in other words, between the inorganic insulating film removing region S and the first inorganic insulating film removing region Sa in the direction X and the direction Y).
  • the insulating film Ib is formed in the peripheral end portion of the inorganic insulating film removing region S (in other words, between the inorganic insulating film removing region S and the first inorganic insulating film removing region Sa in the direction X and the direction Y).
  • the area of the notch N of the resin substrate layer 10 in the inorganic insulating film removing region S along the peripheral end of the inorganic insulating film removing region S is larger than the area of the inorganic insulating film removing region S. Cut out with laser light so that it becomes smaller. As a result, a notch N is formed from the inorganic insulating film removing region S.
  • FIG. 12 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device 50c according to the present embodiment, and is a diagram corresponding to FIG.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of the organic EL display device 50c along the line XIII-XIII in FIG. 12, which corresponds to FIG. Since the overall configuration of the organic EL display device 50c other than the notch N peripheral end is the same as that of the first embodiment described above, detailed description thereof will be omitted here. Further, the same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
  • a filling film 46, a second frame wiring 18i, and a flattening film 47 are formed on the resin substrate layer 10 in the first inorganic insulating film removing region Sa. Are provided in order.
  • the filling film 46, the second frame wiring 18i, and the flattening film 47 are formed on the entire circumference of the notch N. Further, the filling film 46 and the flattening film 47 are formed so as to extend in a band shape along the notch N.
  • the end surface 46e of the filling film 46 and the end surface 47e of the flattening film 47 are flush with the end surface 10e of the resin substrate layer 10. It has become.
  • the filling film 46 is provided so as to fill the first inorganic insulating film removing region Sa on the resin substrate layer 10 in the first inorganic insulating film removing region Sa.
  • the filling film 46 is formed so as to fill the opening Aa of the first inorganic insulating film Ia in the first inorganic insulating film removing region Sa. That is, the filling film 46 is in contact with the upper surface of the resin substrate layer 10 in the first inorganic insulating film removing region Sa and the notch N side end surface of the first inorganic insulating film Ia.
  • the thickness of the filling film 46 is not particularly limited, and may be the same as or different from the thickness of the first inorganic insulating film Ia adjacent to the first inorganic insulating film removing region Sa.
  • the packing film 46 is formed of, for example, a positive organic resin material such as a polyimide resin, an acrylic resin, a polysiloxane resin, or a novolak resin.
  • the second frame wiring 18i is formed on the filling film 46 as shown in FIG. As described above, the second frame wiring 18i is electrically connected to the power supply terminal to which the high power supply voltage (EL VDD) is input and each power supply line 18g.
  • EL VDD high power supply voltage
  • the flattening film 47 is formed on the filling film 46 and the first inorganic insulating film Ia adjacent to the filling film 46 so as to cover the second frame wiring 18i.
  • the flattening film 47 has a flat surface around the notch N, and is formed of, for example, the same material as the flattening film 19a.
  • the thickness of the flattening film 47 is not particularly limited, and may be appropriately determined according to the shape of the peripheral end of the notch N and the like.
  • the filling film 46 and the flat surface are used to prevent the power supply wiring from being exposed.
  • a chemical film 47 is provided.
  • the organic EL display device 50c is used in the method of manufacturing the organic EL display device 50a of the first embodiment described above, for example, after the step of forming the inorganic insulating film removing region and before the step of forming the organic EL element layer.
  • a filling film forming step, a frame wiring forming step, and a flattening film forming step are further provided.
  • ⁇ Filling film forming process An organic resin material such as an acrylic resin is formed and patterned on the surface of the resin substrate layer 10 in the first inorganic insulating film removing region Sa formed in the inorganic insulating film removing region forming step by, for example, an inkjet method.
  • the film 46 is formed.
  • the second frame wiring 18i is formed by forming a film of the same material as the source line 18f and patterning it on the packing film 46 formed in the filling film forming step by using, for example, a well-known method.
  • the filling film 46 and the first are so as to cover the boundary between the second frame wiring 18i formed in the frame wiring forming step, the filling film 46 formed in the filling film forming step, and the filling film 46 and the first inorganic insulating film Ia.
  • a flattening film 47 is formed by forming an organic resin material such as an acrylic resin and patterning it on the inorganic insulating film Ia by, for example, an inkjet method.
  • the organic EL display device 50c of the present embodiment can be manufactured.
  • the following effects can be obtained in addition to the effects (1) and (2) above.
  • the filling film 46, the second frame wiring 18i, and the flattening film 47 are placed on the resin substrate layer 10 in the first inorganic insulating film removing region Sa instead of the first inorganic insulating film Ia.
  • the filling film 46 and the flattening film 47 are made of an organic resin material, they are more resistant to left and right bending of the display panel than the first inorganic insulating film Ia, and cracks are less likely to occur. Therefore, the second frame wiring 18i interposed between the filling film 46 and the flattening film 47 is difficult to be exposed. As a result, it is possible to suppress the occurrence of a short circuit with other wiring due to the exposure of the second frame wiring 18i.
  • FIG. 14 is a plan view showing a modified example of the organic EL display device 50c, and is a view corresponding to FIG.
  • the planar shape of the first inorganic insulating film removing region Sa may be changed in the same manner as in the modification of the organic EL display device 50a described above.
  • a width of H 2 first inorganic insulating film removal areas Sa at the corner C of the notch N is the at the corner portions other than the C of the notch N 1 It is larger than the width H 1 of the inorganic insulating film removal areas Sa.
  • a modification of the organic EL display device 50c is a modification of the above-mentioned manufacturing method of the organic EL display device 50c, for example, in the step of forming the inorganic insulating film removing region, the inorganic insulating film removing region S when the first inorganic insulating film Ia is etched. It can be manufactured by changing the pattern shape of.
  • the first inorganic insulating film Ia is composed of four layers in which the base coating film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are laminated in this order. It may be composed of one layer of the base coat film 11, or may be composed of two layers of the base coat film 11 and the gate insulating film 13, 3 of the base coat film 11, the gate insulating film 13 and the first interlayer insulating film 15. It may be composed of layers.
  • the second inorganic insulating film Ib is composed of four layers in which the base coating film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are laminated in this order.
  • it may be composed of two layers of a base coat film 11 and a gate insulating film 13, or may be composed of three layers of a base coat film 11, a gate insulating film 13 and a first interlayer insulating film 15.
  • the first inorganic insulating film removing region Sa is formed on the entire circumference of the notch N, but only around the corner C of the notch N where cracks are likely to occur. It may be formed.
  • an organic EL layer having a five-layer laminated structure of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer has been exemplified. It may have a three-layer laminated structure of a layer / hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer / electron injection layer.
  • an organic EL display device in which the first electrode is used as an anode and the second electrode is used as a cathode is illustrated, but in the present invention, the laminated structure of the organic EL layer is inverted and the first electrode is used as a cathode. It can also be applied to an organic EL display device using the second electrode as an anode.
  • an organic EL display device in which the electrode of the TFT connected to the first electrode is used as the drain electrode is illustrated, but in the present invention, the electrode of the TFT connected to the first electrode is used as the source electrode. It can also be applied to an organic EL display device to be called.
  • the organic EL display device has been described as an example of the display device, but the present invention is not limited to the organic EL display device, and any flexible display device can be applied.
  • it can be applied to a flexible display device provided with a QLED (Quantum-dot light emission diode) or the like, which is a light emitting element using a quantum dot-containing layer.
  • QLED Quantum-dot light emission diode
  • the present invention is useful for flexible display devices.
  • Aa First inorganic insulating film opening (at least one layer of first inorganic insulating film opening) Ab Opening of the second inorganic insulating film (opening of the second inorganic insulating film of multiple layers)
  • C Corner D Display area F Frame area H 1 Width of the first inorganic insulating film removal area in the part other than the corner of the notch (Notch side edge of the first inorganic insulating film removal area in the part other than the corner of the notch and Length between display area side edges)
  • the first inorganic insulating film removal areas having a width at the corner of H 2 notch (the length between the notches side edges and the display region side edge of the first inorganic insulating film removal area at the corner of the notch)
  • Ia 1st inorganic insulating film (at least 1 layer of 1st inorganic insulating film)
  • Ib second inorganic insulating film multiple layers of second inorganic insulating film) End face of Ibe second

Abstract

樹脂基板層（１０）と、樹脂基板層（１０）上に設けられた第１無機絶縁膜（Ｉａ）とを備え、樹脂基板層（１０）の端部にノッチ（Ｎ）が設けられ、ノッチ（Ｎ）に沿って、第１無機絶縁膜（Ｉａ）が除去された第１無機絶縁膜除去領域（Ｓａ）が設けられている。

Description

表示装置
　本発明は、表示装置に関するものである。
　近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（electroluminescence、以下「ＥＬ」とも称する）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置では、可撓性を有する樹脂基板上に有機ＥＬ素子等を形成した表示パネルを備えるフレキシブルな有機ＥＬ表示装置が提案されている。ここで、有機ＥＬ表示装置では、表示パネルの端部に、例えば、カメラや指紋センサー等の電子部品を設置するために切り欠かれた領域（以下「ノッチ」とも称する）を設ける構造が提案されている。
　例えば、特許文献１には、ノッチを有する表示部のような走査信号線の長さが均一でない表示部において表示ムラのない良好な表示を行うために、複数の走査信号線のうち所定の走査信号線のそれぞれはノッチによって２つの信号線に電気的に分離されている表示装置が開示されている。
特開２０１９－１０９３７１号公報
　ところで、フレキシブルな有機ＥＬ表示装置では、樹脂基板上に薄膜トランジスタ（thin film transistor、以下「ＴＦＴ」とも称する）層を構成する無機絶縁膜が設けられている。この無機絶縁膜は、曲げに対して弱く、クラックが発生しやすい。そのため、例えば、ノッチが画像表示を行う表示領域側に向かって比較的深く設けられた表示パネルデザインでは、表示パネルの左右の曲げに対して、ノッチ周辺における無機絶縁膜にクラックが発生するおそれがある。また、無機絶縁膜のクラックが進展した場合には、このクラックを起点にして、その他の膜にもクラックが発生するおそれがある。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、有機ＥＬ表示装置のノッチ周辺における無機絶縁膜のクラックの発生及びその進展を抑制することにある。
　上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、フレキシブル基板と、該フレキシブル基板上に設けられた少なくとも１層の第１無機絶縁膜とを備えた表示装置であって、上記フレキシブル基板の端部にノッチが設けられ、上記ノッチに沿って、上記少なくとも１層の第１無機絶縁膜が除去された第１無機絶縁膜除去領域が設けられていることを特徴とする。
　本発明によれば、フレキシブル基板上には、フレキシブル基板の端部に設けられたノッチに沿って、第１無機絶縁膜が除去された第１無機絶縁膜除去領域が設けられているため、ノッチ周辺における第１無機絶縁膜のクラックの発生及びその進展を抑制できる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の平面図である。 図３は、図１中のIII－III線に沿った有機ＥＬ表示装置の断面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成するＴＦＴ層の等価回路図である。 図５は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ層の断面図である。 図６は、図１中のVI－VI線に沿った本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。 図７は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の変形例を示す平面図であり、図１に相当する図である。 図８は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図であり、図１に相当する図である。 図９は、図８中のIX－IX線に沿った本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の断面図であり、図６に相当する図である。 図１０は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第１変形例を示す平面図であり、図１に相当する図である。 図１１は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第２変形例を示す平面図であり、図１に相当する図である。 図１２は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図であり、図１に相当する図である。 図１３は、図１２中のXIII－XIII線に沿った本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の断面図であり、図６に相当する図である。 図１４は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の変形例を示す平面図であり、図１に相当する図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
　《第１の実施形態》
　図１～図７は、本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの概略構成を示す平面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの平面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの断面図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成するＴＦＴ層２０の等価回路図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ層２３の断面図である。また、図６は、図１中のVI－VI線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ａの断面図である。なお、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、後述する樹脂基板層１０の基板表面に平行な方向Ｘ（図１参照）と、方向Ｘに垂直で且つ樹脂基板層１０の基板表面に平行な方向Ｙ（図３、図６参照）と、方向Ｘ及び方向Ｙに垂直な方向Ｚ（図３，図６参照）とが規定されている。
　有機ＥＬ表示装置５０ａでは、図１に示すように、例えば、表示パネルの端部（図１では右側端部）の中間部に矩形状に切り欠かれた領域としてノッチＮが設けられている。有機ＥＬ表示装置５０ａでは、このノッチＮが後述する表示領域Ｄ側に向かって比較的深く形成されている。ノッチＮのサイズは、表示パネルの大きさに応じて決定すればよいが、例えば、深さ（方向Ｘの長さ）が５ｍｍ～１０ｍｍ程度であり、幅（方向Ｙの長さ）が１０ｍｍ～２０ｍｍ程度である。なお、本実施形態では、矩形状のノッチＮを例示したが、この矩形状には、例えば、辺が円弧状になった形状、角部が円弧状になった形状等の略矩形状も含まれている。また、ノッチＮの形状は、矩形状、略矩形状に限定されず、三角形、五角形、六角形等の多角形等の形状でもよい。
　有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、ノッチＮの位置に対応して、１辺（図１中右辺）の中間部が平面視で内側に向かってＣ字状に屈曲するように切り欠かれた略矩形状に設けられた画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に矩形枠状に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。なお、本実施形態では、略矩形状の表示領域Ｄを例示したが、この略矩形状には、例えば、辺が円弧状になった形状、角部が円弧状になった形状等の略矩形状の他、矩形状も含まれる。
　表示領域Ｄには、図２に示すように、複数のサブ画素Ｐがマトリクス状に配列されている。また、表示領域Ｄでは、図２に示すように、例えば、赤色の表示を行うための赤色発光領域Ｌｒを有するサブ画素Ｐ、緑色の表示を行うための緑色発光領域Ｌｇを有するサブ画素Ｐ、及び青色の表示を行うための青色発光領域Ｌｂを有するサブ画素Ｐが互いに隣り合うように設けられている。なお、表示領域Ｄでは、例えば、赤色発光領域Ｌｒ、緑色発光領域Ｌｇ及び青色発光領域Ｌｂを有する隣り合う３つのサブ画素Ｐにより、１つの画素が構成されている。
　額縁領域Ｆの図１中左端部（ノッチＮ側とは反対側の端部）には、端子部Ｔが一方向（図中縦方向）に延びるように設けられている。また、額縁領域Ｆにおいて、図１に示すように、表示領域Ｄ及び端子部Ｔの間には、図中縦方向を折り曲げの軸として、例えば、１８０°に（Ｕ字状に）折り曲げ可能な折り曲げ部Ｂが一方向（図中縦方向）に延びるように設けられている。ここで、額縁領域Ｆにおいて、後述する平坦化膜１９ａには、図１及び図３に示すように、トレンチＧが平坦化膜１９ａを貫通するように設けられている。なお、トレンチＧは、図１に示すように、平面視で端子部Ｔ側が開口するように略Ｃ字状に設けられている。
　有機ＥＬ表示装置５０ａは、図３及び図６に示すように、フレキシブル基板として設けられた樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ層２０と、ＴＦＴ層２０上に表示領域Ｄを構成する発光素子層として設けられた有機ＥＬ素子層３０と、有機ＥＬ素子層３０上に設けられた封止層４０とを備えている。
　樹脂基板層１０は、例えば、ポリイミド等により構成されている。
　ＴＦＴ層２０は、図３及び図６に示すように、樹脂基板層１０上に少なくとも１層の第１無機絶縁膜（以下単に「第１無機絶縁膜Ｉａ」とも称する）として順に設けられたベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７と、第２層間絶縁膜１７上に設けられた平坦化膜１９ａとを備えている。具体的には、ＴＦＴ層２０は、図３に示すように、樹脂基板層１０上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上にサブ画素Ｐ毎に画素回路（図４参照）として設けられた第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及びキャパシタ９ｃと、各第１ＴＦＴ９ａ、各第２ＴＦＴ９ｂ及び各キャパシタ９ｃ上に設けられたＴＦＴ用の平坦化膜１９ａとを備えている。ここで、ＴＦＴ層２０には、複数のサブ画素Ｐに対応して、複数の画素回路がマトリクス状に配列されている。また、ＴＦＴ層２０には、図２及び図４に示すように、図中横方向に互いに平行に延びるように複数のゲート線１４が設けられている。また、ＴＦＴ層２０には、図２及び図４に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数のソース線１８ｆが設けられている。また、ＴＦＴ層２０には、図２及び図４に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数の電源線１８ｇが設けられている。なお、各電源線１８ｇは、図３に示すように、各ソース線１８ｆと隣り合うように設けられている。
　第１無機絶縁膜Ｉａを構成するベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
　第１ＴＦＴ９ａは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応するゲート線１４及びソース線１８ｆに電気的に接続されている。また、第１ＴＦＴ９ａは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に順に設けられた半導体層１２ａ、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４ａ、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７、並びにソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂを備えている。ここで、半導体層１２ａは、例えば、低温ポリシリコン膜やＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の酸化物半導体膜等により、図３に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられ、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有している。また、ゲート絶縁膜１３は、図３に示すように、半導体層１２ａを覆うように設けられている。また、ゲート電極１４ａは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ａのチャネル領域と重なるように設けられている。また、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、図３に示すように、ゲート電極１４ａを覆うように順に設けられている。また、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７上に互いに離間するように設けられている。また、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ａのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続されている。
　第２ＴＦＴ９ｂは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに電気的に接続されている。また、第２ＴＦＴ９ｂは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に順に設けられた半導体層１２ｂ、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４ｂ、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７、並びにソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄを備えている。ここで、半導体層１２ｂは、例えば、低温ポリシリコン膜やＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の酸化物半導体膜等により、図３に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられ、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有している。また、ゲート絶縁膜１３は、図３に示すように、半導体層１２ｂを覆うように設けられている。また、ゲート電極１４ｂは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ｂのチャネル領域と重なるように設けられている。また、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、図３に示すように、ゲート電極１４ｂを覆うように順に設けられている。また、ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７上に互いに離間するように設けられている。また、ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ｂのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続されている。
　なお、本実施形態では、トップゲート型の第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを例示したが、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂは、ボトムゲート型のＴＦＴであってもよい。
　キャパシタ９ｃは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに電気的に接続されている。ここで、キャパシタ９ｃは、図３に示すように、ゲート電極１４ａ及び１４ｂと同一材料により同一層に形成された下部導電層１４ｃと、下部導電層１４ｃを覆うように設けられた第１層間絶縁膜１５と、第１層間絶縁膜１５上に下部導電層１４ｃと重なるように設けられた上部導電層１６とを備えている。なお、上部導電層１６は、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールを介して電源線１８ｇに電気的に接続されている。
　平坦化膜１９ａは、表示領域Ｄにおいて平坦な表面を有し、例えば、ポリイミド系樹脂やアクリル樹脂等の有機樹脂材料により構成されている。
　有機ＥＬ素子層３０は、図３に示すように、表示領域Ｄにおいて、複数の画素回路に対応して、平坦化膜１９ａ上にマトリクス状に配列するように複数の有機ＥＬ素子２５を備えている。より具体的には、有機ＥＬ素子層３０は、マトリクス状に配列された複数の有機ＥＬ素子２５により構成され、図３に示すように、ＴＦＴ層２０上に順に設けられた複数の第１電極２１ａ、機能層として設けられた複数の有機ＥＬ層２３、及び第２電極２４を備えている。
　第１電極２１ａは、図３に示すように、平坦化膜１９ａに形成されたコンタクトホールを介して、各第２ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１８ｄ（又はソース電極１８ｃ）に電気的に接続されている。また、第１電極２１ａは、有機ＥＬ層２３にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極２１ａは、有機ＥＬ層２３への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第１電極２１ａを構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、イリジウム（Ｉｒ）、スズ（Ｓｎ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極２１ａを構成する材料は、例えば、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極２１ａを構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極２１ａは、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな化合物材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
　また、第１電極２１ａの周端部は、表示領域Ｄ全体に格子状に設けられたエッジカバー２２ａで覆われている。ここで、エッジカバー２２ａを構成する材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン系樹脂、ノボラック樹脂等のポジ型の感光性樹脂が挙げられる。また、エッジカバー２２ａの表面の一部は、図３に示すように、図中上方に突出して、第１フォトスペーサとして島状に設けられた画素フォトスペーサ２２ｐになっている。
　有機ＥＬ層２３は、図５に示すように、第１電極２１ａ上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
　正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極２１ａと有機ＥＬ層２３とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極２１ａから有機ＥＬ層２３への正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。
　正孔輸送層２は、第１電極２１ａから有機ＥＬ層２３への正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
　発光層３は、第１電極２１ａ及び第２電極２４による電圧印加の際に、第１電極２１ａ及び第２電極２４から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
　電子輸送層４は、電子を発光層３まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
　電子注入層５は、第２電極２４と有機ＥＬ層２３とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極２４から有機ＥＬ層２３へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子２５の駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
　第２電極２４は、図３に示すように、各サブ画素Ｐの有機ＥＬ層２３、及び全サブ画素Ｐに共通するエッジカバー２２ａを覆うように設けられている。また、第２電極２４は、有機ＥＬ層２３に電子を注入する機能を有している。また、第２電極２４は、有機ＥＬ層２３への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。ここで、第２電極２４を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極２４は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極２４は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極２４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
　封止層４０は、図３に示すように、各有機ＥＬ素子２５を覆うように有機ＥＬ素子層３０上に設けられている。具体的に、封止層４０は、図３に示すように、第２電極２４を覆うように樹脂基板層１０側に設けられた第１封止無機膜３６と、第１封止無機膜３６上に設けられた封止有機膜３７と、封止有機膜３７を覆うように設けられた第２封止無機膜３８とを備えている。この封止層４０は、有機ＥＬ層２３を水分や酸素等から保護する機能を有している。ここで、第１封止無機膜３６及び第２封止無機膜３８は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）等の無機材料により構成されている。また、封止有機膜３７は、例えば、アクリル樹脂、ポリ尿素系樹脂、パリレン樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂等の有機材料により構成されている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１及び図６に示すように、額縁領域Ｆにおいて、表示領域Ｄを囲むと共に封止有機膜３７の外周端部に重なるように枠状に設けられた第１外部堰止壁Ｗａと、第１外部堰止壁Ｗａを囲むように枠状に設けられた第２堰止壁Ｗｂとを備えている。
　第１外部堰止壁Ｗａは、図６に示すように、平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成された第１樹脂層１９ｂと、第１樹脂層１９ｂ上に第１導電層２１ｂを介して設けられ、エッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成された第２樹脂層２２ｃとを備えている。ここで、第１導電層２１ｂは、図６に示すように、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧ、第１外部堰止壁Ｗａ及び第２外部堰止壁Ｗｂと重なるように、略Ｃ字状に設けられている。なお、第１導電層２１ｂは、第１電極２１ａと同一材料により同一層に形成されている。
　第２外部堰止壁Ｗｂは、図６に示すように、平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成された第１樹脂層１９ｃ、第１樹脂層１９ｃ上に第１導電層２１ｂを介して設けられ、エッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成された第２樹脂層２２ｄとを備えている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図３及び図６に示すように、額縁領域Ｆにおいて、表示領域Ｄを囲んで第１外部堰止壁Ｗａ及び第２外部堰止壁Ｗｂと重なるように、トレンチＧの外側に設けられた第１額縁配線１８ｈを備えている。ここで、第１額縁配線１８ｈは、端子部Ｔにおいて、低電源電圧（ＥＬＶＳＳ）が入力される電源端子（不図示）に電気的に接続されている。また、第１額縁配線１８ｈは、第１導電層２１ｂを介して、第２電極２４に電気的に接続されている。なお、第１額縁配線１８ｈは、低電源電圧が入力される電源端子まで一続きに設けられている（図１２参照）。ここで、「一続き」とは、入力信号のノイズを除去するためにトランジスタで形成されたダイオードを端子部Ｔと配線の間（端子部Ｔ近辺）に挟む場合もあるが、それも本発明の目的を損なうものではなく、本発明の「一続き」に含むものとする。その場合、第１額縁配線１８ｈは、ダイオードのアノード電極に電気的に接続される。また、第１額縁配線１８ｈは、ソース線１８ｆと同一材料により同一層に形成されている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図３に示すように、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの内側に設けられた第２額縁配線１８ｉを備えている。ここで、第２額縁配線１８ｉは、端子部Ｔにおいて、高電源電圧（ＥＬＶＤＤ）が入力される電源端子（不図示）に電気的に接続されている。また、第２額縁配線１８ｉは、表示領域Ｄ側において、表示領域Ｄに配置された複数の電源線１８ｇに電気的に接続されている。なお、第２額縁配線１８ｉは、高電源電圧が入力される電源端子まで一続きに設けられている（図１２参照）。上述したように、ダイオードを端子部Ｔと配線の間に挟む場合、第２額縁配線１８ｉは、ダイオードのカソード電極に電気的に接続される。また、第２額縁配線１８ｉは、ソース線１８ｆと同一材料により同一層に形成されている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図３及び図６に示すように、額縁領域Ｆにおいて、平坦化膜１９ａ上に、図中上方に突出するように、第２フォトスペーサとして島状に設けられた複数の額縁フォトスペーサ２２ｂを備えている。ここで、各額縁フォトスペーサ２２ｂは、エッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成されている。この額縁フォトスペーサは、エッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成された樹脂層と、他の層とを積層して形成されていてもよい。
　ここで、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、図１及び図６に示すように、ノッチＮに沿って、第１無機絶縁膜除去領域Ｓａが設けられている。この第１無機絶縁膜除去領域Ｓａは、図１に示すように、ノッチＮの周端部に沿って、方向Ｘ及び方向Ｙに連続して延びるように形成されている。即ち、第１無機絶縁膜除去領域Ｓａは、ノッチＮの全周に形成されている。また、第１無機絶縁膜除去領域Ｓａは、帯状に形成されている。なお、帯状の第１無機絶縁膜除去領域ＳａのノッチＮ側（外側）端縁と表示領域Ｄ側（内側）端縁との間における第１無機絶縁膜除去領域Ｓａの延びる方向（方向Ｘの長さ又は方向Ｙ）と直交する方向の長さ（以下「第１無機絶縁膜除去領域Ｓａの幅」とも称する）Ｈ１（図１参照）は、例えば、１μｍ～１００μｍ程度である。
　第１無機絶縁膜除去領域Ｓａでは、第１無機絶縁膜Ｉａが全て除去されている。即ち、図６に示すように、第１無機絶縁膜除去領域Ｓａでは、第１無機絶縁膜Ｉａを構成するベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７が設けられていない。換言すると、第１無機絶縁膜除去領域Ｓａの位置に対応して、第１無機絶縁膜Ｉａの開口Ａａが形成されている。第１無機絶縁膜Ｉａの開口Ａａは、第１無機絶縁膜Ｉａをその厚み方向（方向Ｚ）に貫通させることにより形成される。即ち、この第１無機絶縁膜除去領域Ｓａでは、樹脂基板層１０が露出している。
　このように、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、表示パネルの左右の曲げに対して、無機絶縁膜（第１無機絶縁膜Ｉａ）のクラックが発生しやすいノッチＮ周辺に、第１無機絶縁膜Ｉａを全て除去した第１無機絶縁膜除去領域Ｓａが形成されている。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０ａは、各サブ画素Ｐにおいて、ゲート線１４を介して第１ＴＦＴ９ａにゲート信号を入力することにより、第１ＴＦＴ９ａをオン状態にし、ソース線１８ｆを介して第２ＴＦＴ９ｂのゲート電極１４ｂ及びキャパシタ９ｃにデータ信号を書き込み、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧に応じた電源線１８ｇからの電流が有機ＥＬ層２３に供給されることにより、有機ＥＬ層２３の発光層３が発光して、画像表示を行うように構成されている。なお、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、第１ＴＦＴ９ａがオフ状態になっても、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧がキャパシタ９ｃによって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまで発光層３による発光が維持される。
　次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法について説明する。ここで、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法は、樹脂基板層形成工程と、ＴＦＴ層形成工程と、無機絶縁膜除去領域形成工程と、有機ＥＬ素子層形成工程と、封止層形成工程と、ノッチ形成工程とを備える。
　＜樹脂基板層形成工程＞
　例えば、ガラス基板等の支持基板（不図示）上に、非感光性のポリイミド樹脂を塗布した後、その塗布膜に対して、プリベーク及びポストベークを行うことにより、フレキシブルな樹脂基板層１０を形成する。
　＜ＴＦＴ層形成工程＞
　樹脂基板層形成工程で形成された樹脂基板層１０の表面に、例えば、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１、半導体層１２ａ，１２ｂ、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４ａ、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７、配線層（ソース電極１８ａやドレイン電極１８ｂ等）等が順に積層されたＴＦＴ層２０を形成する。具体的には、樹脂基板層１０上に、ベースコート膜１１、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、キャパシタ９ｃ、及び平坦化膜１９ａを形成して、ＴＦＴ層２０を形成する。
　＜無機絶縁膜除去領域形成工程＞
　例えば、ＴＦＴ層形成工程で樹脂基板層１０上に形成された第１無機絶縁膜Ｉａのうち、図１に示すノッチＮと第１無機絶縁膜除去領域Ｓａとを含む領域における第１無機絶縁膜Ｉａ（即ちベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７）をエッチングにより除去する。これにより、矩形状の無機絶縁膜除去領域（以下「無機絶縁膜除去領域Ｓ」と称する）を形成する。
　＜有機ＥＬ素子層形成工程＞
　ＴＦＴ層形成工程で形成されたＴＦＴ層２０の平坦化膜１９ａ上に、周知の方法を用いて、表示領域Ｄを構成する複数のサブ画素Ｐに対応して、第１電極２１ａ、エッジカバー２２ａ、有機ＥＬ層２３（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、電子注入層５）及び第２電極２４を備えた複数の有機ＥＬ素子２５を形成して、有機ＥＬ素子層３０を形成する。
　＜封止層形成工程＞
　まず、有機ＥＬ素子層形成工程で形成された有機ＥＬ素子層３０上に、各有機ＥＬ素子２５を覆うように、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ（chemical vapor deposition）法により成膜して、第１封止無機膜３６を形成する。このとき、無機絶縁膜除去領域形成工程で形成した無機絶縁膜除去領域Ｓにおける樹脂基板層１０上に第１封止無機膜３６が形成されないようにマスクを用いてパターニングする。
　続いて、第１封止無機膜３６が形成された基板表面に、例えば、インクジェット法により、アクリル樹脂等の有機樹脂材料を成膜して、封止有機膜３７を形成する。
　その後、封止有機膜３７を覆うように、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により成膜して、第２封止無機膜３８を形成する。このとき、無機絶縁膜除去領域形成工程で形成した無機絶縁膜除去領域Ｓにおける樹脂基板層１０上に第２封止無機膜３８が形成されないようにマスクを用いてパターニングする。以上の工程により、封止層４０を形成する。
　＜ノッチ形成工程＞
　まず、封止層形成工程で封止層４０が形成された基板表面に保護シート（不図示）を貼付した後に、樹脂基板層１０のガラス基板側からレーザー光を照射することにより、樹脂基板層１０の裏面からガラス基板を剥離させる。続いて、ガラス基板を剥離させた樹脂基板層１０の裏面に保護シート（不図示）を貼付する。
　続いて、上述の各工程により製造された複数の表示基板（表示パネル）がマトリクス状に配列された母基板を、例えば、レーザー光で分断して表示パネルを個々に切り出し、個片化する。
　最後に、個片化された表示パネルの１辺の中間部を、例えば、レーザー光で切り欠いてノッチＮを形成する。より具体的には、無機絶縁膜除去領域形成工程で形成された無機絶縁膜除去領域Ｓにおける樹脂基板層１０を、無機絶縁膜除去領域Ｓの周端部に沿ってレーザー光で切り欠く。このとき、ノッチＮの面積が無機絶縁膜除去領域Ｓの面積よりも小さくなるようにする。これにより、無機絶縁膜除去領域Ｓから、帯状の第１無機絶縁膜除去領域Ｓａ及びノッチＮが形成される。なお、表示パネルの個片化と同時にノッチＮを形成してもよい。
　以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａを製造できる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａによれば、以下の効果を得ることができる。
　（１）有機ＥＬ表示装置５０ａでは、樹脂基板層１０上に、ノッチＮに沿って、第１無機絶縁膜Ｉａが除去された第１無機絶縁膜除去領域Ｓａが設けられているため、ノッチＮ周辺には第１無機絶縁膜Ｉａが存在しない。そのため、例えば、ノッチＮが表示領域Ｄ側に向かって比較的深く設けられた表示パネルデザインであっても、表示パネルの左右の曲げに対して、ノッチＮに近接する（ノッチＮ周辺における）第１無機絶縁膜Ｉａのクラックの発生を抑制できる。
　（２）また、ノッチＮ周辺における第１無機絶縁膜Ｉａのクラックの発生が抑制される結果、このクラックを起点とするその他の膜のクラックの発生も抑制できる。
　《第１の実施形態の変形例》
　図７は、有機ＥＬ表示装置５０ａの変形例を示す平面図であり、図１に相当する図である。有機ＥＬ表示装置５０ａでは、第１無機絶縁膜除去領域Ｓａの平面形状（特にノッチＮの角部Ｃにおける第１無機絶縁膜除去領域Ｓａの平面形状）を以下のように変更してもよい。
　有機ＥＬ表示装置５０ａの変形例では、図７に示すように、ノッチＮの角部Ｃにおける第１無機絶縁膜除去領域Ｓａの幅Ｈ２が、ノッチＮの角部Ｃ以外の部分（即ちノッチＮに沿う辺）における第１無機絶縁膜除去領域Ｓａの幅Ｈ１よりも大きくなっている。換言すると、ノッチＮの角部Ｃ近傍における第１無機絶縁膜除去領域ＳａがノッチＮの対角線方向に拡大されている。これにより、ノッチＮの対角線方向において、表示パネルの左右の曲げに対して特にクラックが発生しやすいノッチＮの角部Ｃと、角部Ｃに近接する第１無機絶縁膜Ｉａとの間隔がより一層離れる（大きくなる）。その結果、ノッチＮの角部Ｃ周辺における第１無機絶縁膜Ｉａのクラックの発生をより一層抑制できる。
　なお、ノッチＮの角部Ｃにおける第１無機絶縁膜除去領域Ｓａの幅Ｈ２は、例えば、角部Ｃ以外の部分における第１無機絶縁膜除去領域Ｓａの幅Ｈ１の２倍程度の大きさである。即ち、第１無機絶縁膜除去領域Ｓａの幅Ｈ２は、例えば、２μｍ～２００μｍ程度である。また、ノッチＮの角部Ｃにおける第１無機絶縁膜除去領域Ｓａの形状は、ノッチＮの対角線方向における第１無機絶縁膜除去領域Ｓａの角部Ｃ端縁と表示領域Ｄ側端縁との間隔が大きくなる形状であれば特に限定されず、図７に示す矩形状の他に、例えば、五角形、六角形等の多角形状、台形状、円形状、楕円形状等でもよい。
　有機ＥＬ表示装置５０ａの変形例は、上述の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法において、例えば、無機絶縁膜除去領域形成工程において、第１無機絶縁膜Ｉａをエッチングするときの無機絶縁膜除去領域Ｓのパターン形状を変更することにより製造できる。
　《第２の実施形態》
　次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図８～図１１は、本発明に係る表示装置の第２の実施形態を示している。図８は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置５０ｂの概略構成を示す平面図であり、図１に相当する図である。また、図９は、図８中のIX－IX線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ｂの断面図であり、図６に相当する図である。なお、ノッチＮ周端部以外の有機ＥＬ表示装置５０ｂの全体構成は、上述の第１の実施形態の場合と同じであるため、ここでは詳しい説明を省略する。また、第１の実施形態と同様の構成部分については同一の符号を付してその説明を省略する。
　有機ＥＬ表示装置５０ｂでは、図８及び図９に示すように、方向Ｘ及び方向Ｙにおいて（平面視において）、ノッチＮの周端部と第１無機絶縁膜除去領域Ｓａ（第１無機絶縁膜除去領域ＳａのノッチＮ側端部）との間に、複数層の第２無機絶縁膜（以下単に「第２無機絶縁膜Ｉｂ」とも称する）が設けられている。より具体的には、図８及び図９に示すように、樹脂基板層１０上には、ノッチＮに沿って帯状に延びる第１無機絶縁膜除去領域Ｓａと、第１無機絶縁膜除去領域Ｓａに対して表示領域Ｄ側に第１無機絶縁膜Ｉａと、第１無機絶縁膜除去領域Ｓａに対してノッチＮ側に第２無機絶縁膜Ｉｂとが各々設けられている。換言すると、第１無機絶縁膜Ｉａと第２無機絶縁膜Ｉｂとは、第１無機絶縁膜除去領域Ｓａを介して離間（分離）している。さらに換言すると、方向Ｘ及び方向Ｙにおける第１無機絶縁膜Ｉａ及び第２無機絶縁膜Ｉｂ間には、第１無機絶縁膜除去領域Ｓａが形成されている。
　第２無機絶縁膜Ｉｂは、図８に示すように、ノッチＮの全周に形成されている。また、第２無機絶縁膜Ｉｂは、ノッチＮ（第１無機絶縁膜除去領域Ｓａ）に沿って、帯状に延びるように形成されている。なお、第２無機絶縁膜ＩｂのノッチＮ側端縁と表示領域Ｄ側端縁との間における第２無機絶縁膜Ｉｂの延びる方向（方向Ｘの長さ又は方向Ｙ）と直交する方向の長さ（第２無機絶縁膜Ｉｂの幅）Ｈ３（図８参照）は、第１無機絶縁膜除去領域Ｓａの幅Ｈ１と同一であってもよく、異なっていてもよいが、第１無機絶縁膜除去領域Ｓａの幅Ｈ１よりも小さいほうが好ましい。ここで、第２無機絶縁膜Ｉｂは、第１無機絶縁膜Ｉａと同様に、樹脂基板層１０上に順に設けられたベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７により構成されている。即ち、第２無機絶縁膜Ｉｂは、第１無機絶縁膜Ｉａと同一の積層膜により構成されている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ｂでは、図８及び図９に示すように、ノッチＮにおいて、第２無機絶縁膜Ｉｂの端面（ノッチＮ側端面）Ｉｂｅが、樹脂基板層１０の端面（ノッチＮ側端面、個片化された表示パネルの分断面）１０ｅと面一になっている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ｂでは、図８及び図９に示すように、第２無機絶縁膜Ｉｂの下層、具体的には、第２無機絶縁膜Ｉｂの厚み方向（方向Ｚ）において（断面視において）、ゲート絶縁膜１３及び第１層間絶縁膜１５の膜間に配線４５が設けられている。より具体的には、第２無機絶縁膜Ｉｂにおけるゲート絶縁膜１３上に配線４５が形成され、この配線４５を覆うように第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７が順に形成されている。即ち、ノッチＮ周辺に配置された配線４５は、第２無機絶縁膜Ｉｂにおけるゲート絶縁膜１３及び第１層間絶縁膜１５の膜間に介在しているため、露出していない。なお、配線４５としては、例えば、検査用配線等が挙げられる。また、本実施形態では、配線４５は、検査用配線の他、ＴＥＧ（test element group）等であってもよい。
　このように、有機ＥＬ表示装置５０ｂでは、例えば、ノッチＮ周辺に配線４５等の検査用配線やＴＥＧ等を配置する必要があるときに、これら検査用配線やＴＥＧ等の露出を防止するために、第２無機絶縁膜Ｉｂが設けられている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上述の第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法において、例えば、ＴＦＴ層形成工程において、配線４５を形成し、無機絶縁膜除去領域形成工程において、第１無機絶縁膜Ｉａをエッチングするときの第１無機絶縁膜除去領域Ｓａのパターン形状を変更することにより製造できる。
　より具体的には、ＴＦＴ層形成工程において、樹脂基板層１０上にベースコート膜１１及びゲート絶縁膜１３を形成した後に、ノッチＮに沿って配線４５をソース電極１８ａ等と同時に形成する。その後、配線４５を覆うように第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７を形成する。
　続いて、無機絶縁膜除去領域形成工程において、配線４５の配置位置よりも内側（表示領域Ｄ側）における第１無機絶縁膜ＩａをノッチＮに沿ってエッチングにより分断することにより、帯状の第１無機絶縁膜除去領域Ｓａを形成する。
　最後に、ノッチ形成工程において、配線４５を介在した第２無機絶縁膜ＩｂがノッチＮに沿って形成される（残る）ように、配線４５の配置位置よりも外側（ノッチＮ側）における樹脂基板層１０、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７をレーザー光で切り欠いてノッチＮを形成する。これにより、ノッチＮの周端部には、ノッチＮ側から表示領域Ｄ側に向かって、第２無機絶縁膜Ｉｂ、第１無機絶縁膜除去領域Ｓａ及び第１無機絶縁膜Ｉａが順に形成される。
　以上に説明した有機ＥＬ表示装置５０ｂによれば、上記（２）の効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
　（３）有機ＥＬ表示装置５０ｂでは、方向Ｘ及び方向Ｙにおいて、ノッチＮの周端部と第１無機絶縁膜除去領域Ｓａとの間に第２無機絶縁膜Ｉｂが設けられ、また方向Ｚにおいて、第２無機絶縁膜Ｉｂにおけるゲート絶縁膜１３及び第１層間絶縁膜１５の膜間に配線４５が設けられている。即ち、配線４５の露出を防ぐために設けられた第２無機絶縁膜Ｉｂと第１無機絶縁膜Ｉａとの間には、第１無機絶縁膜除去領域Ｓａが形成されている。これにより、表示パネルの左右の曲げに対して、第２無機絶縁膜Ｉｂにクラックが発生したとしても、この第２無機絶縁膜Ｉｂのクラックを起点とする第１無機絶縁膜Ｉａのクラックの発生を抑制できる。
　《第２の実施形態の第１変形例》
　図１０は、有機ＥＬ表示装置５０ｂの第１変形例を示す平面図であり、図１に相当する図である。有機ＥＬ表示装置５０ｂでは、上述の有機ＥＬ表示装置５０ａの変形例と同様に、第１無機絶縁膜除去領域Ｓａの平面形状を変更してもよい。
　有機ＥＬ表示装置５０ｂの第１変形例では、図１０に示すように、ノッチＮの角部Ｃにおける第１無機絶縁膜除去領域Ｓａの幅Ｈ２が、ノッチＮの角部Ｃ以外の部分における第１無機絶縁膜除去領域Ｓａの幅Ｈ１よりも大きくなっている。これにより、ノッチＮの角部Ｃにおける第２無機絶縁膜Ｉｂにクラックが発生したとしても、このクラックを起点とする第１無機絶縁膜Ｉａのクラックの発生をより一層抑制できる。
　有機ＥＬ表示装置５０ｂの第１変形例は、上述の有機ＥＬ表示装置５０ｂの製造方法において、例えば、無機絶縁膜除去領域形成工程において、第１無機絶縁膜Ｉａをエッチングするときの第１無機絶縁膜除去領域Ｓａのパターン形状を変更することにより製造できる。
　《第２の実施形態の第２変形例》
　図１１は、有機ＥＬ表示装置５０ｂの第２変形例を示す平面図であり、図１に相当する図である。有機ＥＬ表示装置５０ｂでは、さらに、ノッチＮに沿って、第２無機絶縁膜Ｉｂが除去された第２無機絶縁膜除去領域Ｓｂを設けてもよい。
　有機ＥＬ表示装置５０ｂの第２変形例では、図１１に示すように、ノッチＮにおいて、第２無機絶縁膜Ｉｂの端面Ｉｂｅが、樹脂基板層１０の端面１０ｅよりも内側（表示領域Ｄ側）になっている。即ち、第２無機絶縁膜Ｉｂに対してノッチＮ側に、さらに第２無機絶縁膜除去領域Ｓｂが形成されている。換言すると、方向Ｘ及び方向Ｙにおいて、第２無機絶縁膜Ｉｂは、第２無機絶縁膜除去領域Ｓｂと第１無機絶縁膜除去領域Ｓａとの間に設けられている。
　第２無機絶縁膜除去領域Ｓｂは、図１１に示すように、ノッチＮの全周に形成されている。また、第２無機絶縁膜除去領域Ｓｂは、ノッチＮ（第１無機絶縁膜除去領域Ｓａ、第２無機絶縁膜Ｉｂ）に沿って、帯状に延びるように形成されている。なお、第２無機絶縁膜除去領域ＳｂのノッチＮ側端縁と表示領域Ｄ側端縁との間における第２無機絶縁膜除去領域Ｓｂの延びる方向（方向Ｘの長さ又は方向Ｙ）と直交する方向の長さ（第２無機絶縁膜除去領域Ｓｂの幅）Ｈ４（図１１参照）は、第１無機絶縁膜除去領域Ｓａの幅Ｈ１又は第２無機絶縁膜Ｉｂの幅Ｈ３とそれぞれ同一であってもよく、異なっていてもよい。
　第２無機絶縁膜除去領域Ｓｂでは、第２無機絶縁膜Ｉｂを構成するベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７が設けられていない。換言すると、第２無機絶縁膜除去領域Ｓｂの位置に対応して、第２無機絶縁膜Ｉｂの開口Ａｂが形成されている。第２無機絶縁膜Ｉｂの開口Ａｂは、第２無機絶縁膜Ｉｂをその厚み方向（方向Ｚ）に貫通させることにより形成される。即ち、この第２無機絶縁膜除去領域Ｓｂでは、樹脂基板層１０が露出している。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ｂの第２変形例では、図１１に示すように、ノッチＮにおいて、第２無機絶縁膜除去領域Ｓｂの端面Ｓｂｅが、樹脂基板層１０の端面１０ｅと面一になっている。
　このように、有機ＥＬ表示装置５０ｂの第２変形例では、ノッチＮの周端部に第２無機絶縁膜除去領域Ｓｂがさらに形成されているため、表示パネルの左右の曲げに対して、ノッチＮ周辺における第２無機絶縁膜Ｉｂのクラックの発生を抑制できる。その結果、この第２無機絶縁膜Ｉｂのクラックを起点とする第１無機絶縁膜Ｉａのクラックの発生をさらに抑制できる。
　有機ＥＬ表示装置５０ｂの第２変形例は、上述の有機ＥＬ表示装置５０ｂの製造方法において、例えば、無機絶縁膜除去領域形成工程において、第１無機絶縁膜Ｉａをエッチングするときの第１無機絶縁膜除去領域Ｓａのパターン形状を変更することにより製造できる。
　より具体的には、無機絶縁膜除去領域形成工程において、配線４５の配置位置よりも内側（表示領域Ｄ側）における第１無機絶縁膜ＩａをノッチＮに沿ってエッチングにより分断することにより、帯状の第１無機絶縁膜除去領域Ｓａを形成する。続いて、配線４５の配置位置よりも外側（ノッチＮ側）における第１無機絶縁膜Ｉａをエッチングにより除去することにより、矩形状の無機絶縁膜除去領域Ｓを形成する。これにより、無機絶縁膜除去領域Ｓの周端部（換言すると、方向Ｘ及び方向Ｙにおいて、無機絶縁膜除去領域Ｓと第１無機絶縁膜除去領域Ｓａとの間）に、帯状の第２無機絶縁膜Ｉｂが形成される。
　最後に、ノッチ形成工程において、無機絶縁膜除去領域Ｓにおける樹脂基板層１０を、無機絶縁膜除去領域Ｓの周端部に沿って、ノッチＮの面積が無機絶縁膜除去領域Ｓの面積よりも小さくなるようにレーザー光で切り欠く。これにより、無機絶縁膜除去領域Ｓから、ノッチＮが形成される。
　《第３の実施形態》
　次に、本発明の第３の実施形態について説明する。図１２～図１４は、本発明に係る表示装置の第３の実施形態を示している。図１２は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置５０ｃの概略構成を示す平面図であり、図１に相当する図である。また、図１３は、図１２中のXIII－XIII線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ｃの断面図であり、図６に相当する図である。なお、ノッチＮ周端部以外の有機ＥＬ表示装置５０ｃの全体構成は、上述の第１の実施形態の場合と同じであるため、ここでは詳しい説明を省略する。また、第１の実施形態と同様の構成部分については同一の符号を付してその説明を省略する。
　有機ＥＬ表示装置５０ｃでは、図１２及び図１３に示すように、第１無機絶縁膜除去領域Ｓａにおける樹脂基板層１０上に、充填膜４６と、第２額縁配線１８ｉと、平坦化膜４７とが順に設けられている。これら充填膜４６、第２額縁配線１８ｉ及び平坦化膜４７は、ノッチＮの全周に形成されている。また、充填膜４６及び平坦化膜４７は、ノッチＮに沿って、帯状に延びるように形成されている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ｃでは、図１２及び図１３に示すように、ノッチＮにおいて、充填膜４６の端面４６ｅ及び平坦化膜４７の端面４７ｅが、樹脂基板層１０の端面１０ｅと面一になっている。
　充填膜４６は、図１３に示すように、第１無機絶縁膜除去領域Ｓａにおける樹脂基板層１０上に、第１無機絶縁膜除去領域Ｓａを埋めるように設けられている。換言すると、充填膜４６は、第１無機絶縁膜除去領域Ｓａにおける第１無機絶縁膜Ｉａの開口Ａａを充填するように形成されている。即ち、充填膜４６は、第１無機絶縁膜除去領域Ｓａにおける樹脂基板層１０の上面、及び第１無機絶縁膜ＩａのノッチＮ側端面と接触している。充填膜４６の厚みは、特に限定されず、第１無機絶縁膜除去領域Ｓａに隣接する第１無機絶縁膜Ｉａの厚みと同一であってもよく、異なっていてもよい。充填膜４６は、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン系樹脂、ノボラック樹脂等のポジ型の有機樹脂材料により形成されている。
　第２額縁配線１８ｉは、図１３に示すように、充填膜４６上に形成されている。第２額縁配線１８ｉは、上述したように、高電源電圧（ＥＬＶＤＤ）が入力される電源端子及び各電源線１８ｇに電気的に接続されている。
　平坦化膜４７は、図１３に示すように、第２額縁配線１８ｉを覆うように充填膜４６及びこの充填膜４６に隣接する第１無機絶縁膜Ｉａ上に形成されている。この平坦化膜４７は、ノッチＮ周辺において平坦な表面を有し、例えば、平坦化膜１９ａと同一材料によりにより形成されている。平坦化膜４７の厚みは、特に限定されず、ノッチＮ周端部の形状等に応じて適宜決定すればよい。
　このように、有機ＥＬ表示装置５０ｃでは、例えば、ノッチＮ周辺に第２額縁配線１８ｉ等の電源配線を配置する必要があるときに、電源配線の露出を防止するために、充填膜４６及び平坦化膜４７が設けられている。
　次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃの製造方法について説明する。有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上述の第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法において、例えば、無機絶縁膜除去領域形成工程の後であって、有機ＥＬ素子層形成工程の前に、充填膜形成工程と、額縁配線形成工程と、平坦化膜形成工程とをさらに備える。
　＜充填膜形成工程＞
　無機絶縁膜除去領域形成工程で形成した第１無機絶縁膜除去領域Ｓａにおける樹脂基板層１０表面に、例えば、インクジェット法により、アクリル樹脂等の有機樹脂材料を成膜してパターニングすることにより、充填膜４６を形成する。
　＜額縁配線形成工程＞
　充填膜形成工程で形成した充填膜４６上に、例えば周知の方法を用いて、ソース線１８ｆと同一材料を成膜してパターニングすることにより、第２額縁配線１８ｉを形成する。
　＜平坦化膜形成工程＞
　額縁配線形成工程で形成した第２額縁配線１８ｉと、充填膜形成工程で形成した充填膜４６と、充填膜４６及び第１無機絶縁膜Ｉａの境界とを覆うように、充填膜４６及び第１無機絶縁膜Ｉａ上に、例えば、インクジェット法により、アクリル樹脂等の有機樹脂材料を成膜してパターニングすることにより、平坦化膜４７を形成する。
　以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃを製造できる。
　以上に説明した有機ＥＬ表示装置５０ｃによれば、上記（１）及び（２）の効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
　（４）有機ＥＬ表示装置５０ｃでは、第１無機絶縁膜除去領域Ｓａにおける樹脂基板層１０上には、第１無機絶縁膜Ｉａではなく、充填膜４６、第２額縁配線１８ｉ及び平坦化膜４７が順に設けられている。充填膜４６及び平坦化膜４７は、有機樹脂材料により構成されているため、第１無機絶縁膜Ｉａと比較して、表示パネルの左右の曲げに対して強く、クラックが発生し難い。そのため、充填膜４６及び平坦化膜４７間に介在された第２額縁配線１８ｉは、露出し難い。その結果、第２額縁配線１８ｉの露出に起因する他の配線との短絡の発生を抑制できる。
　《第３の実施形態の変形例》
　図１４は、有機ＥＬ表示装置５０ｃの変形例を示す平面図であり、図１に相当する図である。有機ＥＬ表示装置５０ｃでは、上述の有機ＥＬ表示装置５０ａの変形例と同様に、第１無機絶縁膜除去領域Ｓａの平面形状を変更してもよい。
　有機ＥＬ表示装置５０ｃの変形例では、図１４に示すように、ノッチＮの角部Ｃにおける第１無機絶縁膜除去領域Ｓａの幅Ｈ２が、ノッチＮの角部Ｃ以外の部分における第１無機絶縁膜除去領域Ｓａの幅Ｈ１よりも大きくなっている。これにより、ノッチＮの角部Ｃにおける充填膜４６及び平坦化膜４７にクラックが発生したとしても、このクラックを起点とする第１無機絶縁膜Ｉａのクラックの発生をより一層抑制できる。
　有機ＥＬ表示装置５０ｃの変形例は、上述の有機ＥＬ表示装置５０ｃの製造方法において、例えば、無機絶縁膜除去領域形成工程において、第１無機絶縁膜Ｉａをエッチングするときの無機絶縁膜除去領域Ｓのパターン形状を変更することにより製造できる。
　《その他の実施形態》
　上記各実施形態では、第１無機絶縁膜Ｉａは、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の順に積層された４層により構成されているが、ベースコート膜１１の１層により構成されていてもよく、ベースコート膜１１及びゲート絶縁膜１３の２層により構成されていてもよく、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３及び第１層間絶縁膜１５の３層により構成されていてもよい。
　上記第２の実施形態では、第２無機絶縁膜Ｉｂは、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の順に積層された４層により構成されているが、ベースコート膜１１及びゲート絶縁膜１３の２層により構成されていてもよく、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３及び第１層間絶縁膜１５の３層により構成されていてもよい。
　上記第１及び第３の各実施形態では、第１無機絶縁膜除去領域Ｓａは、ノッチＮの全周に形成されているが、特にクラックが発生しやすいノッチＮの角部Ｃの周辺のみに形成されていてもよい。
　上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
　また、上記各実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本発明は、有機ＥＬ表示装置に限定されず、フレキシブルな表示装置であれば適用可能である。例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）等を備えたフレキシブルな表示装置に適用することができる。
　以上説明したように、本発明は、フレキシブルな表示装置について有用である。
Ａａ　　　　第１無機絶縁膜の開口（少なくとも１層の第１無機絶縁膜の開口）
Ａｂ　　　　第２無機絶縁膜の開口（複数層の第２無機絶縁膜の開口）
Ｃ　　　　　角部
Ｄ　　　　　表示領域
Ｆ　　　　　額縁領域
Ｈ１　　　　ノッチの角部以外の部分における第１無機絶縁膜除去領域の幅（ノッチの角部以外の部分における第１無機絶縁膜除去領域のノッチ側端縁及び表示領域側端縁間の長さ）
Ｈ２　　　　ノッチの角部における第１無機絶縁膜除去領域の幅（ノッチの角部における第１無機絶縁膜除去領域のノッチ側端縁及び表示領域側端縁間の長さ）
Ｉａ　　　　第１無機絶縁膜（少なくとも１層の第１無機絶縁膜）
Ｉｂ　　　　第２無機絶縁膜（複数層の第２無機絶縁膜）
Ｉｂｅ　　　第２無機絶縁膜の端面（複数層の第２無機絶縁膜の端面）
Ｎ　　　　　ノッチ
Ｓａ　　　　第１無機絶縁膜除去領域
Ｓｂ　　　　第２無機絶縁膜除去領域
Ｓｂｅ　　　第２無機絶縁膜除去領域の端面
１０　　　　樹脂基板層（フレキシブル基板）
１０ｅ　　　樹脂基板層の端面（フレキシブル基板の端面）
１８ｉ　　　第２額縁配線（額縁配線）
２０　　　　ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）層
３０　　　　有機ＥＬ素子層（発光素子層）
４５　　　　配線
４６　　　　充填膜
４６ｅ　　　充填膜の端面
４７　　　　平坦化膜
４７ｅ　　　平坦化膜の端面
５０ａ，５０ｂ，５０ｃ　　　有機ＥＬ表示装置

Claims (19)

  1. 　フレキシブル基板と、該フレキシブル基板上に設けられた少なくとも１層の第１無機絶縁膜とを備えた表示装置であって、
    　上記フレキシブル基板の端部にノッチが設けられ、
    　上記ノッチに沿って、上記少なくとも１層の第１無機絶縁膜が除去された第１無機絶縁膜除去領域が設けられていることを特徴とする表示装置。
  2. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　上記第１無機絶縁膜除去領域が上記ノッチの全周に形成されていることを特徴とする表示装置。
  3. 　請求項１又は２において、
    　上記少なくとも１層の第１無機絶縁膜には、上記第１無機絶縁膜除去領域の位置に対応して、開口が形成されていることを特徴とする表示装置。
  4. 　請求項１～３のいずれか１項に記載された表示装置において、
    　上記ノッチの周端部と上記第１無機絶縁膜除去領域との間に複数層の第２無機絶縁膜が設けられ、
    　上記複数層の第２無機絶縁膜における少なくとも１つの膜間に配線が設けられていることを特徴とする表示装置。
  5. 　請求項４に記載された表示装置において、
    　上記少なくとも１層の第１無機絶縁膜と上記複数層の第２無機絶縁膜とは、上記第１無機絶縁膜除去領域を介して離間していることを特徴とする表示装置。
  6. 　請求項４又は５に記載された表示装置において、
    　上記複数層の第２無機絶縁膜が上記ノッチの全周に形成されていることを特徴とする表示装置。
  7. 　請求項４～６のいずれか１項に記載された表示装置において、
    　上記少なくとも１層の第１無機絶縁膜が積層膜により構成され、
    　上記複数層の第２無機絶縁膜が上記第１無機絶縁膜と同一の積層膜により構成されていることを特徴とする表示装置。
  8. 　請求項４～７のいずれか１項に記載された表示装置において、
    　上記ノッチにおいて、上記複数層の第２無機絶縁膜の端面が、上記フレキシブル基板の端面と面一になっていることを特徴とする表示装置。
  9. 　請求項４～７のいずれか１項に記載された表示装置において、
    　上記ノッチにおいて、上記複数層の第２無機絶縁膜の端面が、上記フレキシブル基板の端面よりも内側になっていることを特徴とする表示装置。
  10. 　請求項９に記載された表示装置において、
    　上記ノッチに沿って、上記複数層の第２無機絶縁膜が除去された第２無機絶縁膜除去領域が設けられていることを特徴とする表示装置。
  11. 　請求項１０に記載された表示装置において、
    　上記第２無機絶縁膜除去領域が上記ノッチの全周に形成されていることを特徴とする表示装置。
  12. 　請求項１１に記載された表示装置において、
    　上記ノッチＮにおいて、上記第２無機絶縁膜除去領域の端面が、上記フレキシブル基板の端面と面一になっていることを特徴とする表示装置。
  13. 　請求項１０～１２のいずれか１項において、
    　上記複数層の第２無機絶縁膜には、上記第２無機絶縁膜除去領域の位置に対応して、開口が形成されていることを特徴とする表示装置。
  14. 　請求項１０～１３のいずれか１項において、
    　上記複数層の第２無機絶縁膜は、上記第１無機絶縁膜除去領域と上記第２無機絶縁膜除去領域との間に設けられていることを特徴とする表示装置。
  15. 　請求項１～３のいずれか１項に記載された表示装置において、
    　上記第１無機絶縁膜除去領域における上記フレキシブル基板上には、該第１無機絶縁膜除去領域を埋めるように充填膜が設けられ、
    　上記充填膜上には、電源線に電気的に接続された額縁配線と、該額縁配線を覆うように平坦化膜とが設けられていることを特徴とする表示装置。
  16. 　請求項１５に記載された表示装置において、
    　上記ノッチにおいて、上記充填膜の端面及び上記平坦化膜の端面が、上記フレキシブル基板の端面と面一になっていることを特徴とする表示装置。
  17. 　請求項１５又は１６に記載された表示装置において、
    　上記充填膜及び上記平坦化膜は、有機樹脂材料により形成されていることを特徴とする表示装置。
  18. 　請求項１７に記載された表示装置において、
    　上記充填膜は、上記平坦化膜と同一材料により形成されていることを特徴とする表示装置。
  19. 　請求項１～１８のいずれか１項に記載された表示装置において、
    　上記第１無機絶縁膜除去領域の延びる方向と直交する方向において、上記ノッチの角部における該第１無機絶縁膜除去領域のノッチ側端縁及び表示領域側端縁間の長さが、該ノッチの角部以外の部分における該長さよりも大きいことを特徴とする表示装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023073781A1 (ja) * 2021-10-25 2023-05-04 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019020726A (ja) * 2017-07-13 2019-02-07 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． ディスプレイ装置
WO2019077841A1 (ja) * 2017-10-17 2019-04-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US20190181213A1 (en) * 2017-12-12 2019-06-13 Lg Display Co., Ltd. Display Device
US20190214596A1 (en) * 2018-01-08 2019-07-11 Samsung Display Co., Ltd. Electroluminescent device having window
WO2019167113A1 (ja) * 2018-02-27 2019-09-06 シャープ株式会社 表示パネル
WO2019187159A1 (ja) * 2018-03-30 2019-10-03 シャープ株式会社 表示デバイス
WO2019186836A1 (ja) * 2018-03-28 2019-10-03 シャープ株式会社 表示デバイス及び表示デバイスの製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019020463A (ja) * 2017-07-12 2019-02-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、および表示装置の製造方法
WO2019030858A1 (ja) * 2017-08-09 2019-02-14 シャープ株式会社 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置
JP6962759B2 (ja) * 2017-09-25 2021-11-05 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP7002908B2 (ja) * 2017-10-13 2022-01-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
WO2019130581A1 (ja) * 2017-12-28 2019-07-04 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法
JP7123637B2 (ja) * 2018-06-05 2022-08-23 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019020726A (ja) * 2017-07-13 2019-02-07 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． ディスプレイ装置
WO2019077841A1 (ja) * 2017-10-17 2019-04-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US20190181213A1 (en) * 2017-12-12 2019-06-13 Lg Display Co., Ltd. Display Device
US20190214596A1 (en) * 2018-01-08 2019-07-11 Samsung Display Co., Ltd. Electroluminescent device having window
WO2019167113A1 (ja) * 2018-02-27 2019-09-06 シャープ株式会社 表示パネル
WO2019186836A1 (ja) * 2018-03-28 2019-10-03 シャープ株式会社 表示デバイス及び表示デバイスの製造方法
WO2019187159A1 (ja) * 2018-03-30 2019-10-03 シャープ株式会社 表示デバイス

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023073781A1 (ja) * 2021-10-25 2023-05-04 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置

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