WO2023079680A1 - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents
表示装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2023079680A1 WO2023079680A1 PCT/JP2021/040777 JP2021040777W WO2023079680A1 WO 2023079680 A1 WO2023079680 A1 WO 2023079680A1 JP 2021040777 W JP2021040777 W JP 2021040777W WO 2023079680 A1 WO2023079680 A1 WO 2023079680A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- display device
- photospacer
- layer
- electrode
- film transistor
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 55
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 55
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 162
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 96
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 44
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 34
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 30
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 28
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 11
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 10
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 61
- 239000002585 base Substances 0.000 description 27
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 15
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 15
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 15
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 12
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 7
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 6
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 5
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052789 astatine Inorganic materials 0.000 description 3
- RYXHOMYVWAEKHL-UHFFFAOYSA-N astatine atom Chemical compound [At] RYXHOMYVWAEKHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 3
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 2
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical class C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 2
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 2
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NVWCQPYOGQBFDC-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-tris(2-phenylethenyl)benzene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC(C=1C=CC=2C=CC=CC=2)=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 NVWCQPYOGQBFDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical class C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004057 1,4-benzoquinones Chemical class 0.000 description 1
- YZVWKHVRBDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 1-aminopyrene Chemical class C1=C2C(N)=CC=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 YZVWKHVRBDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical class C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 4-penten-2-one Chemical class CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical class C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229940058303 antinematodal benzimidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical class N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical class C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000001788 chalcone derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 150000001893 coumarin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFQXGXDIJMBKTC-UHFFFAOYSA-N oxostrontium Chemical compound [Sr]=O UFQXGXDIJMBKTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N phenoxazin-1-one Chemical compound C1=CC=C2N=C3C(=O)C=CC=C3OC2=C1 FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N phenoxazone Natural products C1=CC=C2OC3=CC(=O)C=CC3=NC2=C1 UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical class [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 1
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000004867 thiadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
Definitions
- the present invention relates to a display device and its manufacturing method.
- Patent Literature 1 proposes a display device that includes an edge cover provided so as to cover the peripheral edge of the first electrode, and a protruding portion of the upper surface of the edge cover that forms a photospacer.
- the common functional layer and the second electrode that constitute the organic EL layer are formed by a vapor deposition method using a vapor deposition mask that is common to the plurality of sub-pixels that constitute the display region.
- a CMM Common Metal Mask, a mask provided with one opening corresponding to one display device
- a deposition material is deposited through the openings of the CMM.
- an FMM Feine Metal Mask
- a vapor deposition mask for each color (for example, a functional layer common to red and green A mask provided with an opening in the mask) is used to vapor-deposit the vapor-depositing material through the opening of the FMM in the same manner as described above.
- the deposition material (common material) was deposited on top of the photospacer during deposition using CMM, followed by FMM.
- a phenomenon hereinafter also referred to as "stamp phenomenon"
- stamp phenomenon a phenomenon in which the common material is transferred to the FMM as a vapor deposition foreign substance. Due to this stamp phenomenon, in the next vapor deposition process, there arises a problem that the vapor deposition foreign matter adhering to the FMM further adheres to another layer. This inconvenience becomes more pronounced as the vapor deposition cycle progresses.
- the number of defects of the vapor-deposited substrate (the number of deposition foreign matter adhesion points) overflows and uninspected areas are generated. As a result, the manufacturing yield of the display device is lowered.
- the present invention has been made in view of this point, and its object is to suppress the transfer of the vapor deposition material to the vapor deposition mask due to contact with the photospacer, thereby improving the manufacturing yield of the display device. That's what it is.
- a display device comprises a base substrate, a thin film transistor layer provided on the base substrate and having a thin film transistor arranged for each sub-pixel, and a plurality of thin film transistor layers provided on the thin film transistor layer. and a photospacer, wherein a caldera-shaped recess opening upward is formed on the top of each photospacer, and each photospacer and the recess are formed in a circular shape in a plan view. and the ratio of the diameter at the opening end of the recess to the diameter at the base of the photospacer is more than 0 and less than 0.8.
- a display device includes a base substrate, a thin film transistor layer provided on the base substrate and having a thin film transistor arranged for each sub-pixel, and a plurality of photospacers provided on the thin film transistor layer.
- a caldera-shaped recess opening upward is formed at the top of each photospacer, and each photospacer and the recess are formed in a rectangular shape in a plan view.
- a ratio of a diagonal line at the opening end of the recess to a diagonal line at the base is more than 0 and less than 0.8.
- a method of manufacturing a display device includes a base substrate, a thin film transistor layer provided on the base substrate and having a thin film transistor arranged for each sub-pixel, and a plurality of photospacers provided on the thin film transistor layer. and wherein a caldera-shaped recess opening upward is formed at the top of each of the photospacers, the thin film transistor layer forming step of forming the thin film transistor layer on the base substrate. and a photospacer forming step of forming the plurality of photospacers on the thin film transistor layer, wherein the photospacer forming step is a first photosensitive resin applying step of applying a first photosensitive resin on the thin film transistor layer.
- the present invention it is possible to suppress the deposition material from being transferred to the deposition mask due to contact with the photospacer, thereby improving the manufacturing yield of the display device.
- FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to a first embodiment of the invention.
- FIG. 2 is a plan view of the display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the invention.
- FIG. 3 is a cross-sectional view of the display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the invention.
- FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of a TFT layer that constitutes the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 5 is a cross-sectional view of an organic EL layer that constitutes the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to a first embodiment of the invention.
- FIG. 2 is a plan view of the display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the invention.
- FIG. 3 is a cross-sectional view of the display area of the organic EL display device according to
- FIG. 6 is a plan view showing the arrangement of photospacers in the display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the invention.
- FIG. 7 is an enlarged sectional view schematically showing photospacers arranged in the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 8 is an enlarged plan view schematically showing photospacers arranged in the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 9 is an enlarged plan view schematically showing a modification of the photospacers arranged in the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention, which corresponds to FIG.
- FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device 50a of this embodiment.
- 2 and 3 are a plan view and a cross-sectional view of the display area D of the organic EL display device 50a.
- FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the TFT layer 20 forming the organic EL display device 50a.
- FIG. 5 is a cross-sectional view of the organic EL layer 23 forming the organic EL display device 50a.
- FIG. 6 is a plan view showing the arrangement of the photospacers 40 in the display area D of the organic EL display device 50a.
- FIG. 7 is an enlarged sectional view schematically showing the photospacer 40 arranged in the organic EL display device 50a.
- FIG. 8 is an enlarged plan view schematically showing photospacers arranged in the organic EL display device 50a.
- FIG. 9 is an enlarged plan view schematically showing a modification of the photospacer 40 arranged in the organic EL display device 50a, and corresponds to FIG.
- the organic EL display device 50a includes, for example, a rectangular display area D for image display and a frame area F provided around the display area D in a frame shape.
- the rectangular display area D is exemplified, but the rectangular shape includes, for example, a shape with arc-shaped sides, a shape with arc-shaped corners, and a shape with arc-shaped corners.
- a substantially rectangular shape such as a shape with a notch is also included.
- a plurality of sub-pixels P are arranged in a matrix. Further, in the display region D, as shown in FIG. 2, for example, sub-pixels P having a red light-emitting region Lr for displaying red, sub-pixels P having a green light-emitting region Lg for displaying green, and a sub-pixel P having a blue light-emitting region Lb for displaying blue is provided so as to be adjacent to each other. In addition, in the display area D, for example, one pixel is configured by three adjacent sub-pixels P each having a red light emitting area Lr, a green light emitting area Lg, and a blue light emitting area Lb.
- a terminal portion T is provided at the right end portion of the frame area F in FIG.
- a bending portion B that can be bent at 180° (U shape) with the vertical direction in the drawing as the axis of bending is provided. is provided so as to extend in one direction (vertical direction in the drawing).
- the organic EL display device 50a includes a resin substrate 10 provided as a base substrate, a TFT layer 20 provided on the resin substrate 10, and light emitting elements forming a display region D on the TFT layer 20. It has an organic EL element layer 30 provided as an element layer and a sealing film 35 provided on the organic EL element layer 30 .
- the resin substrate 10 is made of, for example, polyimide resin.
- the TFT layer 20 includes a base coat film 11 provided on a resin substrate 10, a plurality of first TFTs 9a, a plurality of second TFTs 9b and a plurality of capacitors 9c provided on the base coat film 11.
- a planarizing film 19 is provided as a second planarizing film on the first TFT 9a, each second TFT 9b, and each capacitor 9c.
- the base coat film 11, the semiconductor layers 12a and 12b, the gate insulating film 13, the gate line 14 (see FIG. 2), the gate electrodes 14a and 14b, and the lower conductive layer are formed.
- a first wiring layer such as layer 14c, a first interlayer insulating film 15, a second wiring layer such as upper conductive layer 16, a second interlayer insulating film 17, a source line 18f (see FIG. 2), and a source electrode 18a. , 18c, drain electrodes 18b and 18d, power line 18g, and the like, and a planarization film 19 are laminated on the resin substrate 10 in this order.
- a plurality of gate lines 14 are provided so as to extend parallel to each other in the horizontal direction in the drawings.
- a plurality of source lines 18f are provided so as to extend parallel to each other in the vertical direction in the drawings.
- each sub-pixel P is provided with a first TFT 9a, a second TFT 9b and a capacitor 9c.
- the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 are made of, for example, silicon nitride (SiNx (x is a positive number)), silicon oxide (SiO 2 ), silicon oxynitride, or the like. It is composed of a single layer film or a laminated film of an inorganic insulating film.
- the semiconductor layers 12a and 12b are composed of, for example, a low-temperature polysilicon film, an In--Ga--Zn--O-based oxide semiconductor film, or the like.
- the first wiring layer, the second wiring layer, and the third wiring layer are, for example, metal single-layer films such as molybdenum (Mo), titanium (Ti), aluminum (Al), copper (Cu), and tungsten (W), or It is composed of metal laminated films such as Mo (upper layer)/Al (middle layer)/Mo (lower layer), Ti/Al/Ti, Al (upper layer)/Ti (lower layer), Cu/Mo, and Cu/Ti.
- Mo molybdenum
- Ti titanium
- Al aluminum
- Cu copper
- W tungsten
- the first TFT 9a and the second TFT 9b are p-type TFTs in which semiconductor layers 12a and 12b, which will be described later, are doped with an impurity such as boron, for example.
- the first TFT 9a is electrically connected to the corresponding gate line 14 and source line 18f in each sub-pixel P, as shown in FIG.
- the first TFT 9a includes a semiconductor layer 12a, a gate insulating film 13, a gate electrode 14a, a first interlayer insulating film 15, a second interlayer insulating film 17, and a semiconductor layer 12a, a gate insulating film 13, a gate electrode 14a, which are provided on the base coat film 11 in this order. It has a source electrode 18a and a drain electrode 18b.
- the semiconductor layer 12a is provided in an island shape on the base coat film 11 and has, for example, a channel region, a source region and a drain region.
- the gate insulating film 13 is provided so as to cover the semiconductor layer 12a.
- the gate electrode 14a is provided on the gate insulating film 13 so as to overlap with the channel region of the semiconductor layer 12a.
- the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are provided in order so as to cover the gate electrode 14a.
- the source electrode 18a and the drain electrode 18b are provided on the second interlayer insulating film 17 so as to be separated from each other, as shown in FIG.
- the source electrode 18a and the drain electrode 18b are connected through respective contact holes formed in the laminated film of the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17. It is electrically connected to the source region and the drain region of the semiconductor layer 12a.
- the second TFT 9b is electrically connected to the corresponding first TFT 9a and power supply line 18g in each sub-pixel P, as shown in FIG.
- the second TFT 9b includes a semiconductor layer 12b, a gate insulating film 13, a gate electrode 14b, a first interlayer insulating film 15, a second interlayer insulating film 17, and a semiconductor layer 12b, a gate insulating film 13, a gate electrode 14b, and a semiconductor layer 12b. It has a source electrode 18c and a drain electrode 18d.
- the semiconductor layer 12b is provided in an island shape on the base coat film 11 and has, for example, a channel region, a source region and a drain region.
- the gate insulating film 13 is provided so as to cover the semiconductor layer 12b, as shown in FIG.
- the gate electrode 14b is provided on the gate insulating film 13 so as to overlap with the channel region of the semiconductor layer 12b.
- the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are provided in order so as to cover the gate electrode 14b.
- the source electrode 18c and the drain electrode 18d are provided on the second interlayer insulating film 17 so as to be separated from each other, as shown in FIG.
- the source electrode 18c and the drain electrode 18d are connected through respective contact holes formed in the laminated film of the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17. It is electrically connected to the source region and the drain region of the semiconductor layer 12b.
- the top gate type first TFT 9a and the second TFT 9b are exemplified, but the first TFT 9a and the second TFT 9b may be bottom gate type TFTs.
- the capacitor 9c is electrically connected to the corresponding first TFT 9a and power supply line 18g in each sub-pixel P, as shown in FIG.
- the capacitor 9c includes a lower conductive layer 14c, a first interlayer insulating film 15 provided so as to cover the lower conductive layer 14c, and a lower conductive layer 15 on the first interlayer insulating film 15.
- An upper conductive layer 16 is provided so as to overlap with 14c.
- the upper conductive layer 16 is electrically connected to the power line 18g through a contact hole formed in the second interlayer insulating film 17, as shown in FIG.
- the planarizing film 19 has a flat surface in the display area D, and is made of, for example, an organic resin material such as polyimide resin or acrylic resin, or a polysiloxane-based SOG (spin on glass) material.
- the organic EL element layer 30 includes a plurality of organic EL elements 25 as a plurality of light emitting elements arranged in a matrix corresponding to the plurality of sub-pixels P.
- the organic EL element 25 includes, as shown in FIG. 23, and a second electrode 24 provided in common to a plurality of sub-pixels P on the organic EL layer 23 .
- the first electrode 21 is electrically connected to the drain electrode 18d of the second TFT 9b of each sub-pixel P through a contact hole formed in the planarizing film 19, as shown in FIG. Also, the first electrode 21 has a function of injecting holes into the organic EL layer 23 . Further, the first electrode 21 is more preferably made of a material having a large work function in order to improve the efficiency of hole injection into the organic EL layer 23 .
- materials forming the first electrode 21 include silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), and gold (Au).
- the material forming the first electrode 21 may be an alloy such as astatine (At)/astatine oxide (AtO 2 ).
- the material constituting the first electrode 21 is, for example, conductive oxides such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). There may be. Further, the first electrode 21 may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials. Compound materials having a large work function include, for example, indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO).
- the peripheral end portion of the first electrode 21 is covered with an edge cover 22 provided in a grid pattern in common with the plurality of sub-pixels P.
- materials forming the edge cover 22 include positive photosensitive resin materials such as polyimide resins, acrylic resins, polysiloxane resins, novolak resins, polysiloxane-based SOG materials, and the like.
- the organic EL layer 23 is provided as a light-emitting functional layer, and as shown in FIG. and an electron injection layer 5 .
- the hole injection layer 1 is also called an anode buffer layer, and has the function of bringing the energy levels of the first electrode 21 and the organic EL layer 23 closer to each other and improving the efficiency of hole injection from the first electrode 21 to the organic EL layer 23 .
- materials constituting the hole injection layer 1 include triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, phenylenediamine derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives and the like.
- the hole transport layer 2 has the function of improving the transport efficiency of holes from the first electrode 21 to the organic EL layer 23 .
- Examples of materials constituting the hole transport layer 2 include porphyrin derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine derivatives, polyvinylcarbazole, poly-p-phenylene vinylene, polysilane, triazole derivatives, and oxadiazole.
- the light-emitting layer 3 In the light-emitting layer 3, holes and electrons are injected from the first electrode 21 and the second electrode 24 when a voltage is applied by the first electrode 21 and the second electrode 24, and the holes and electrons recombine. area.
- the light-emitting layer 3 is made of a material with high light-emitting efficiency. Examples of materials constituting the light-emitting layer 3 include metal oxinoid compounds [8-hydroxyquinoline metal complex], naphthalene derivatives, anthracene derivatives, diphenylethylene derivatives, vinylacetone derivatives, triphenylamine derivatives, butadiene derivatives, and coumarin derivatives.
- the electron transport layer 4 has a function of efficiently transferring electrons to the light emitting layer 3 .
- the materials constituting the electron transport layer 4 include, for example, organic compounds such as oxadiazole derivatives, triazole derivatives, benzoquinone derivatives, naphthoquinone derivatives, anthraquinone derivatives, tetracyanoanthraquinodimethane derivatives, diphenoquinone derivatives, and fluorenone derivatives. , silole derivatives, and metal oxinoid compounds.
- the electron injection layer 5 has a function of bringing the energy levels of the second electrode 24 and the organic EL layer 23 close to each other and improving the efficiency of electron injection from the second electrode 24 to the organic EL layer 23. With this function, The drive voltage of the organic EL element 25 can be lowered.
- the electron injection layer 5 is also called a cathode buffer layer.
- examples of materials constituting the electron injection layer 5 include lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), and barium fluoride.
- inorganic alkali compounds such as (BaF 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), strontium oxide (SrO), and the like.
- the second electrode 24 is provided so as to cover the organic EL layer 23 and the edge cover 22 of each sub-pixel P, as shown in FIG. Also, the second electrode 24 has a function of injecting electrons into the organic EL layer 23 . Moreover, the second electrode 24 is more preferably made of a material with a small work function in order to improve the efficiency of injecting electrons into the organic EL layer 23 .
- materials constituting the second electrode 24 include silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), and gold (Au).
- the second electrode 24 is composed of, for example, magnesium (Mg)/copper (Cu), magnesium (Mg)/silver (Ag), sodium (Na)/potassium (K), astatine (At)/astatin oxide (AtO 2 ), lithium (Li)/aluminum (Al), lithium (Li)/calcium (Ca)/aluminum (Al), lithium fluoride (LiF)/calcium (Ca)/aluminum (Al), etc.
- the second electrode 24 may be formed of conductive oxides such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). .
- the second electrode 24 may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials.
- materials with a small work function include magnesium (Mg), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), magnesium (Mg)/copper (Cu), magnesium (Mg)/silver (Ag), sodium (Na)/potassium (K), lithium (Li)/aluminum (Al), lithium (Li)/calcium (Ca)/aluminum (Al), lithium fluoride (LiF)/calcium (Ca)/aluminum (Al) etc.
- the sealing film 35 is provided on the organic EL element layer 30 so as to cover each organic EL element 25, as shown in FIG.
- the first inorganic sealing film 31 and the second inorganic sealing film 33 are made of, for example, silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), or trisilicon tetranitride (Si 3 N 4 ). It is composed of an inorganic material such as silicon nitride (SiNx (x is a positive number)) or silicon carbonitride (SiCN).
- the organic sealing film 32 is made of an organic material such as acrylic resin, polyurea resin, parylene resin, polyimide resin, or polyamide resin.
- the photospacer 40 is composed of a portion protruding from the upper surface of the edge cover 22 .
- the photospacer 40 may be made of the same material as the edge cover 22 or may be made of a different material, but is preferably made of the same material as the edge cover 22 .
- the photospacer 40 is a positive photosensitive resin such as photosensitive polyimide resin (density: about 1.4 g/cm 3 ) or photosensitive acrylic resin (density: about 1.2 g/cm 3 ). is preferably formed.
- the photospacers 40 are provided between the plurality of sub-pixels P arranged in the display region D to form the TFT layer 20 (specifically, the flattened film forming the upper surface of the TFT layer 20). A plurality of them are provided on the film 19). A plurality of photospacers 40 are provided over the entire display panel including the frame area F. As shown in FIG.
- a caldera-shaped concave portion 41 opening upward is formed at the top of the photospacer 40.
- the top of the photospacer 40 is not convex in a cross-sectional view (a cross section taken along the center line) but concave (caldera-like).
- the central portion of the top of the photospacer 40 is recessed by the recess 41 and therefore does not come into contact with the vapor deposition mask during vapor deposition.
- the photospacer 40 Since only the peripheral ridge (ridge line) portion (the outer portion of the recessed portion 41, the outer rim) of the recessed portion 41 (caldera) comes into contact with the deposition mask during deposition, the photospacer ( The contact area with the vapor deposition mask is smaller than that of a conventional photospacer (hereinafter also simply referred to as a "photospacer" without reference numerals). Therefore, in the photospacer 40, the amount of vapor deposition material transferred to the vapor deposition mask during vapor deposition is reduced. Note that the concave portion 41 can be applied to all the photospacers 40 provided in the organic EL display device 50a.
- the photospacer 40 and its recessed portion 41 are formed in a circular shape in plan view.
- the bottom surface (caldera floor) 45 of the recess 41 has a diameter ra (caldera diameter, hereinafter also referred to as "opening diameter ra of the recess 41") at the opening end 46 of the recess 41. is formed in a circular shape with a diameter rb smaller than .
- the length from the opening end 46 of the recess 41 to the bottom surface 45 is defined as the depth d of the recess 41 .
- the base portion 44 of the photospacer 40 refers to the upper surface portion of the edge cover 22 in the vicinity of the periphery of the photospacer 40, which serves as a boundary surface between the photospacer 40 and the edge cover 22.
- the first ridgeline portion 42 is a portion that contacts the vapor deposition mask during vapor deposition and corresponds to the top portion of the photospacer 40 . Therefore, as shown in FIG. 7, the height H of the photospacer 40 (hereinafter also referred to as "top height H of the photospacer 40") extends from the base 44 of the photospacer 40 to the opening end 46 of the recess 41 (the second height). The height up to the inner peripheral portion of 1 ridgeline portion 42).
- the second ridgeline portion 43 is a portion corresponding to the side surface (peripheral surface) of the photospacer 40 during vapor deposition. Therefore, as shown in FIG.
- a gate signal is input to the first TFT 9a through the gate line 14 to turn on the first TFT 9a, and the gate of the second TFT 9b is turned on through the source line 18f.
- a voltage corresponding to the source signal is written in the electrode 14b and the capacitor 9c, and a current from the power supply line 18g defined based on the gate voltage of the second TFT 9b is supplied to the organic EL layer 23, whereby the organic EL layer 23 emits light.
- the layer 3 is configured to emit light to display an image.
- the gate voltage of the second TFT 9b is held by the capacitor 9c. maintained.
- the manufacturing method of the organic EL display device 50a includes a TFT layer forming process, an organic EL element layer forming process, and a sealing film forming process.
- the TFT layer 20 is formed by forming a base coat film 11, a first TFT 9a, a second TFT 9b, a capacitor 9c, a flattening film 19, etc. on the surface of a resin substrate 10 formed on a glass substrate using a known method. Form.
- the organic EL element layer forming process includes a first electrode forming process, a photospacer forming process, an automatic optical inspection process, a light emitting functional layer forming process, and a second electrode forming process.
- the first electrode 21 is formed for each sub-pixel P on the planarizing film 19 of the TFT layer 20 formed in the TFT layer forming step by, for example, a vacuum deposition method using FMM as a deposition mask.
- the photospacer forming process includes a first photosensitive resin coating process, a patterning process, a second photosensitive resin coating process, and a recess forming process.
- a first photosensitive resin is applied onto the planarizing film 19 of the TFT layer 20 so as to cover the peripheral edge of the first electrode.
- the first photosensitive resin is a resin material forming the edge cover 22 .
- a second photosensitive resin is applied onto the patterned first photosensitive resin, that is, the edge cover 22 .
- the second photosensitive resin is a resin material forming the photospacer 40 . That is, a plurality of photospacers 40 are formed from the second photosensitive resin. Specifically, protruding portions constituting a plurality of photospacers 40 are formed on the upper surface of the edge cover 22 .
- AOI Auto optical inspection process
- the substrate deposited substrate after deposition
- a plurality of photospacers 40 are formed in the series of photospacer forming steps.
- an organic light-emitting functional layer is formed by, for example, a vacuum vapor deposition method.
- An EL layer 23 hole injection layer 1, hole transport layer 2, light emitting layer 3, electron transport layer 4, electron injection layer 5 is formed.
- a second electrode common to all the sub-pixels P is formed on the substrate surface on which the organic EL layer 23 is formed by, for example, a vacuum deposition method using a CMM as a deposition mask so as to cover the organic EL layer 23 and the edge cover 22. 24 is formed.
- the organic EL element layer 30 can be formed.
- a first inorganic sealing film 31 is formed by depositing an inorganic insulating film such as a silicon oxynitride film by plasma CVD.
- an organic resin material such as an acrylic resin is deposited on the first inorganic sealing film 31 by, for example, an inkjet method to form an organic sealing film 32 .
- an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon oxynitride film is formed by plasma CVD so as to cover the organic sealing film 32 .
- a sealing film 35 is formed by forming an inorganic sealing film 33 .
- the glass substrate is removed from the lower surface of the resin substrate 10 by irradiating laser light from the glass substrate side of the resin substrate 10 .
- a protective sheet (not shown) is attached to the lower surface of the resin substrate 10 from which the glass substrate has been peeled off.
- the organic EL display device 50a of the present embodiment can be manufactured.
- the photospacer serves as a support for the vapor deposition mask, as described above. Therefore, the height is one of the important parameters in the photospacer, and has conventionally been determined in consideration of two contradictory viewpoints, which will be detailed below.
- the top area of the photo spacer in contact with the vapor deposition mask is also one of the important parameters.
- the top area of the photospacer 40 that is, the area of contact with the vapor deposition mask, in order to reduce the amount of foreign matter transferred.
- the amount of foreign matter transferred can be evaluated, for example, by the number of defects (the number of transferred foreign matter) in AOI performed after vapor deposition.
- the photospacer 40 having the concave portion 41 was evaluated by changing the parameters relating to the height and the top area, and the results will be described in the following examples.
- Example 1 According to the manufacturing method of the organic EL display device 50a described above, an organic photospacer 40 having a concave portion 41 at the top and having "ra/Ra” and “h/H” shown in Table 1 as parameters related to height and top area An EL display device was manufactured.
- ra/Ra means the ratio of "the opening diameter ra of the recess 41" to the “outer diameter Ra of the photospacer 40”.
- h/H refers to the ratio of "effective height h of photo-spacer 40" to "top height H of photo-spacer 40".
- Examples 2 to 3 Comparative Example 2 An organic EL display device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that "ra/Ra” and “h/H” were changed to the values shown in Table 1, respectively.
- Example 1 An organic EL display device was manufactured in the same manner as in Example 1, except that no concave portion was formed in the photospacer. Specifically, in the manufacturing method of the organic EL display device 50a described above, the recess forming step was not performed.
- the foreign matter transfer amount (relative foreign matter transfer amount) in the process of manufacturing each organic EL display device was measured when the foreign matter transfer amount in the process of manufacturing the organic EL display device of Comparative Example 1 was assumed to be 100%.
- the amount of transferred foreign matter was calculated based on the number of AOI defects of the deposited substrate after deposition measured in the automatic optical inspection process in the manufacturing method of the organic EL display device 50a described above.
- AOI ⁇ Presence or absence of AOI defect count overflow> AOI was performed on the deposition target substrate after the deposition according to the automatic optical inspection process in the manufacturing method of the organic EL display device 50a described above, and the presence or absence of overflow of the number of defects was confirmed.
- the overflowed substrates those in which the ratio (area ratio) of the uninspected area portion to the entire substrate is 50% or more are defined as “strong,” and those less than 50% are defined as "weak.”
- the degree of contact between the deposition mask and the top of the photospacer 40 may differ slightly between the central portion of the deposition target substrate and its peripheral portion.
- Example 4 it was found that even if "ra/Ra” was increased in the central portion of the display area D of the vapor-deposited substrate and decreased in the peripheral portion, the foreign matter transfer amount was reduced. From this result, the "opening diameter ra of the recesses 41" of the plurality of photospacers 40 does not have to be the same for the entire substrate to be vapor-deposited, and the height and top area of the photospacers 40 are adjusted in consideration of the degree of contact. Therefore, it was suggested that it may be varied (changed) depending on the location of the substrate to be vapor-deposited.
- each example since each example includes the photospacer 40 in which the concave portion 41 having a predetermined "ra/Ra” is formed, it is compared with the comparative example 1, which includes the conventional photospacer in which the concave portion is not formed. Therefore, although "h/H" (the effective height h of the photospacer 40) is low to improve the shadow, a significant effect of reducing the amount of transferred foreign matter was obtained. Thus, in each example, the three effects of suppression of deterioration of shadows and suppression of overflow of foreign matter transfer amount and number of defects in AOI were obtained at the same time.
- each parameter (see FIG. 7) indicating the shape (especially height and top area) of the photospacer 40 and the recess 41 will be described below.
- each parameter may be the same or different in the plurality of photo-spacers 40 provided.
- the ratio of the "opening diameter ra of the recess 41" to the "outer diameter Ra of the photospacer 40" is more than 0 and less than 0.8 from the viewpoint of suppressing deterioration of shadows.
- "ra/Ra” is preferably 0.2 or more, more preferably 0.4 or more.
- the upper limit is preferably 0.77 or less, more preferably 0.75 or less, from the viewpoint of suppressing foreign matter transfer to the vapor deposition mask.
- the "outer diameter Ra of the photospacer 40" is preferably 28 ⁇ m or more and 60 ⁇ m or less from the viewpoint of suppressing deterioration of shadows and transfer of foreign matter to the vapor deposition mask.
- the "opening diameter ra of the recess 41" is preferably 15 ⁇ m or more and 21 ⁇ m or less from the viewpoint of suppressing shadow deterioration and foreign matter transfer to the vapor deposition mask.
- the diameter rb of the bottom surface 45 of the concave portion 41 is preferably 10 ⁇ m or more and 14 ⁇ m or less from the viewpoint of suppressing shadow deterioration and transfer of foreign matter to the vapor deposition mask.
- the diameter Rb at the boundary portion 47 between the first ridgeline portion 42 and the second ridgeline portion 43 is preferably 20 ⁇ m or more and 43 ⁇ m or less from the viewpoint of suppressing shadow deterioration and foreign matter transfer to the vapor deposition mask. .
- Ratio of "effective height h of photo-spacer 40" to "top height H of photo-spacer 40" is preferably greater than 0, more preferably 0.2 or more, and even more preferably 0.2 or more, from the viewpoint of suppressing transfer of foreign matter to the vapor deposition mask. 4 or more.
- the upper limit is preferably less than 0.9, more preferably 0.85 or less, and even more preferably 0.7 or less, from the viewpoint of suppressing shadow deterioration and transfer of foreign matter to the vapor deposition mask.
- the "top height H of the photospacer 40" (the height H from the base 44 of the photospacer 40 to the opening edge 46 of the recess 41) is determined from the viewpoint of suppressing the deterioration of the shadow and the transfer of foreign matter to the vapor deposition mask. It is preferably 1.5 ⁇ m or more and 2 ⁇ m or less.
- the depth d of the concave portion 41 (the depth from the opening end portion 46 of the concave portion 41 to the bottom surface 45) is preferably 0.2 ⁇ m or more and 1 ⁇ m or less from the viewpoint of suppressing the deterioration of the shadow and the transfer of foreign matter to the vapor deposition mask. .
- the planar shape of the photospacer 40 and the concave portion 41 is not limited to circular, and may be elliptical or rectangular as shown in FIG. 9 in plan view.
- the lengths of the diagonals of the photo-spacers 40 and the recesses 41 can be used to similarly define the above parameters.
- the ratio "ra/Ra" of the diagonal line at the open end portion 46 of the recess 41 to the diagonal line at the base portion 44 of the photospacer 40 is more than 0 and less than 0.8.
- the organic EL display device provided with conventional photospacers, as described above, when the height of the photospacers is reduced, deterioration of shadows is suppressed, while the contact area between the top of the photospacers and the vapor deposition mask increases. It was difficult to suppress the transfer of the vapor deposition material to the vapor deposition mask. In this way, with conventional photospacers, even if the height is designed in consideration of the balance between shadows and foreign matter transfer, the two effects of suppressing both deterioration of shadows and foreign matter transfer to the vapor deposition mask can be sufficiently achieved. A satisfactory organic EL display device was not obtained.
- the organic EL display device 50a even if the height of the photospacer 40 (the top height H and the effective height h shown in FIG. 7) is reduced in order to suppress deterioration of the shadow, Since the recess 41 is formed on the top of the photospacer 40, the contact area between the top of the photospacer 40 and the vapor deposition mask does not increase. As a result, transfer of the vapor deposition material to the vapor deposition mask due to contact with the photospacer 40 can be suppressed. In other words, transfer of the vapor deposition material to the vapor deposition mask can be suppressed without increasing the height of the photospacer 40 (without worsening the shadow).
- the transfer amount of the vapor deposition material to the vapor deposition mask is reduced, thereby reducing the overflow rate of defects in the AOI of the vapor deposition substrate after vapor deposition.
- the generation of uninspected areas of the substrate to be vapor-deposited is also reduced, so that the manufacturing yield can be improved.
- an organic EL layer having a five-layer laminate structure of a hole injection layer, a hole transport layer, a light-emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer was exemplified. It may have a three-layered structure of a layer-cum-hole-transporting layer, a light-emitting layer, and an electron-transporting layer-cum-electron-injecting layer.
- the organic EL display device having the first electrode as the anode and the second electrode as the cathode was exemplified. It can also be applied to an organic EL display device using the second electrode as an anode.
- the organic EL display device in which the electrode of the TFT connected to the first electrode is used as the drain electrode is exemplified. It can also be applied to an EL display device.
- the organic EL display device is used as the display device in each of the above embodiments, the present invention can also be applied to a display device such as a liquid crystal display device using an active matrix drive system.
- an organic EL display device was taken as an example of a display device, but the present invention can be applied to a display device having a plurality of light-emitting elements driven by current.
- QLED Quantum-dot light emitting diode
- the present invention is useful for flexible display devices.
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
有機ＥＬ表示装置５０ａは、ベース基板として設けられた樹脂基板（１０）と、樹脂基板（１０）上に設けられ、サブ画素（Ｐ）毎にＴＦＴ（９Ａ，９Ｂ）が配置されたＴＦＴ層（２０）と、ＴＦＴ層（２０）上に設けられた複数のフォトスペーサ（４０）とを備え、各フォトスペーサ（４０）の頂部には、上方に開口するカルデラ状の凹部（４１）が形成され、各フォトスペーサ（４０）及び凹部（４１）は平面視で円状に形成されており、フォトスペーサ（４０）の基底部（４４）における直径に対する凹部（４１）の開口端部（４６）における直径の比率が０超過０．８未満である。
Description
本発明は、表示装置及びその製造方法に関するものである。
近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（electroluminescence、以下「ＥＬ」とも称する）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。ここで、有機ＥＬ素子は、例えば、画像の最小単位であるサブ画素毎に複数の薄膜トランジスタ（thin film transistor、以下「ＴＦＴ」とも称する）が配列されたＴＦＴ層上に、第１電極、有機ＥＬ層及び第２電極が順に積層されている。例えば、特許文献１には、第１電極の周端部を覆うように設けられたエッジカバーを備え、このエッジカバーの上面の突出した部分でフォトスペーサを構成する表示装置が提案されている。
ところで、有機ＥＬ層を構成する共通機能層及び第２電極は、表示領域を構成する複数のサブ画素に共通する蒸着マスクを用いて蒸着法により形成される。具体的には、被蒸着基板上に形成したフォトスペーサ上に、蒸着マスクとしてパネル単位でパターニング可能なＣＭＭ（Common Metal Mask、１つの表示装置に対応して１つの開口が設けられたマスク）を載置して、ＣＭＭの開口を介して蒸着材料を蒸着する。一方、複数のサブ画素に対応する個別機能層を形成する際には、蒸着マスクとしてサブ画素単位でパターニング可能なＦＭＭ〔Fine Metal Mask、色毎に（例えば、赤及び緑色で共通である機能層も含む）に開口が設けられたマスク〕を用いて、上記と同様にして、ＦＭＭの開口を介して蒸着材料を蒸着する。
上記のように、蒸着の際、フォトスペーサの頂部に蒸着マスクを当接させるため、ＣＭＭを用いた蒸着時に蒸着材料（コモン材料）がフォトスペーサの頂部に成膜され、続いてＦＭＭを用いた蒸着時に当該フォトスペーサの頂部がＦＭＭと接触することで、ＦＭＭに蒸着異物としてコモン材料が転写される現象（以下「スタンプ現象」とも称する）が生じる場合がある。このスタンプ現象に起因して、次の蒸着工程において、ＦＭＭに付着した蒸着異物がさらに他の層の上に付着するという不都合が生じる。当該不都合は蒸着サイクルが進むほど顕著に発生する。この場合、蒸着工程後に実施する自動光学検査（Automated Optical Inspection、以下「ＡＯＩ」とも称する）において、被蒸着基板の欠陥数（蒸着異物付着箇所の数）がオーバーフローして未検査エリア部の発生を招く結果、表示装置の製造歩留りが低下する。
しかしながら、特許文献１に記載の表示装置では、エッジカバーの上面の突出した部分で構成されたフォトスペーサの頂部が断面視（側面視）で凸状であるため、上記スタンプ現象を抑制することは根本的に困難である。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、フォトスペーサとの接触による蒸着マスクへの蒸着材料の転写を抑制して、表示装置の製造歩留りの向上を図ることにある。
上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、ベース基板と、上記ベース基板上に設けられ、サブ画素毎に薄膜トランジスタが配置された薄膜トランジスタ層と、上記薄膜トランジスタ層上に設けられた複数のフォトスペーサとを備えた表示装置であって、上記各フォトスペーサの頂部には、上方に開口するカルデラ状の凹部が形成され、上記各フォトスペーサ及び凹部は平面視で円状に形成されており、上記フォトスペーサの基底部における直径に対する上記凹部の開口端部における直径の比率が０超過０．８未満であることを特徴とする。
また、本発明に係る表示装置は、ベース基板と、上記ベース基板上に設けられ、サブ画素毎に薄膜トランジスタが配置された薄膜トランジスタ層と、上記薄膜トランジスタ層上に設けられた複数のフォトスペーサとを備えた表示装置であって、上記各フォトスペーサの頂部には、上方に開口するカルデラ状の凹部が形成され、上記各フォトスペーサ及び凹部は平面視で矩形状に形成されており、上記フォトスペーサの基底部における対角線に対する上記凹部の開口端部における対角線の比率が０超過０．８未満であることを特徴とする。
また、本発明に係る表示装置の製造方法は、ベース基板と、上記ベース基板上に設けられ、サブ画素毎に薄膜トランジスタが配置された薄膜トランジスタ層と、上記薄膜トランジスタ層上に設けられた複数のフォトスペーサとを備え、上記各フォトスペーサの頂部には、上方に開口するカルデラ状の凹部が形成されている表示装置の製造方法であって、上記ベース基板上に上記薄膜トランジスタ層を形成する薄膜トランジスタ層形成工程と、上記薄膜トランジスタ層上に上記複数のフォトスペーサを形成するフォトスペーサ形成工程とを備え、上記フォトスペーサ形成工程は、上記薄膜トランジスタ層上に第１感光性樹脂を塗布する第１感光性樹脂塗布工程と、上記第１感光性樹脂塗布工程で塗布された上記第１感光性樹脂をパターニングするパターニング工程と、上記パターニング工程でパターニングされた上記第１感光性樹脂上に、上記複数のフォトスペーサを形成するための第２感光性樹脂を塗布する第２感光性樹脂塗布工程と、上記第２感光性樹脂塗布工程で塗布された上記第２感光性樹脂をグレイトーンマスク又はハーフトーンマスクを用いて露光することにより、上記各フォトスペーサの頂部に上方に開口するカルデラ状の凹部を形成する凹部形成工程とを備え、凹部形成工程において、上記フォトスペーサの基底部における直径又は対角線に対する上記凹部の開口端部における直径又は対角線の比率を０超過０．８未満に調整することを特徴とする。
本発明によれば、フォトスペーサとの接触による蒸着マスクへの蒸着材料の転写を抑制して、表示装置の製造歩留りの向上を図ることができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
《第１の実施形態》
図１～図９は、本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの概略構成を示す平面図である。図２及び図３は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの平面図及び断面図である。図４は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成するＴＦＴ層２０の等価回路図である。図５は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ層２３の断面図である。図６は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄにおけるフォトスペーサ４０の配置を示す平面図である。図７は、有機ＥＬ表示装置５０ａに配置されたフォトスペーサ４０を模式的に示す拡大断面図である。図８は、有機ＥＬ表示装置５０ａに配置されたフォトスペーサを模式的に示す拡大平面図である。図９は、有機ＥＬ表示装置５０ａに配置されたフォトスペーサ４０の変形例を模式的に示す拡大平面図であり、図８に相当する図である。
図１～図９は、本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの概略構成を示す平面図である。図２及び図３は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの平面図及び断面図である。図４は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成するＴＦＴ層２０の等価回路図である。図５は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ層２３の断面図である。図６は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄにおけるフォトスペーサ４０の配置を示す平面図である。図７は、有機ＥＬ表示装置５０ａに配置されたフォトスペーサ４０を模式的に示す拡大断面図である。図８は、有機ＥＬ表示装置５０ａに配置されたフォトスペーサを模式的に示す拡大平面図である。図９は、有機ＥＬ表示装置５０ａに配置されたフォトスペーサ４０の変形例を模式的に示す拡大平面図であり、図８に相当する図である。
有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、例えば、矩形状に設けられた画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に枠状に設けられた額縁領域Ｆとを備える。なお、本実施形態では、矩形状の表示領域Ｄを例示したが、この矩形状には、例えば、辺が円弧状になった形状、角部が円弧状になった形状、辺の一部に切り欠きがある形状等の略矩形状も含まれる。
表示領域Ｄには、図２に示すように、複数のサブ画素Ｐがマトリクス状に配列されている。また、表示領域Ｄでは、図２に示すように、例えば、赤色の表示を行うための赤色発光領域Ｌｒを有するサブ画素Ｐ、緑色の表示を行うための緑色発光領域Ｌｇを有するサブ画素Ｐ、及び青色の表示を行うための青色発光領域Ｌｂを有するサブ画素Ｐが互いに隣り合うように設けられている。なお、表示領域Ｄでは、例えば、赤色発光領域Ｌｒ、緑色発光領域Ｌｇ及び青色発光領域Ｌｂを有する隣り合う３つのサブ画素Ｐにより、１つの画素が構成されている。
額縁領域Ｆの図１中の右端部には、端子部Ｔが設けられている。また、額縁領域Ｆにおいて、図１に示すように、表示領域Ｄ及び端子部Ｔの間には、図中の縦方向を折り曲げの軸として１８０°（Ｕ字状）に折り曲げ可能な折り曲げ部Ｂが一方向（図中の縦方向）に延びるように設けられている。
有機ＥＬ表示装置５０ａは、図３に示すように、ベース基板として設けられた樹脂基板１０と、樹脂基板１０上に設けられたＴＦＴ層２０と、ＴＦＴ層２０上に表示領域Ｄを構成する発光素子層として設けられた有機ＥＬ素子層３０と、有機ＥＬ素子層３０上に設けられた封止膜３５とを備えている。
樹脂基板１０は、例えば、ポリイミド樹脂等により構成されている。
ＴＦＴ層２０は、図３に示すように、樹脂基板１０上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ９ａ、複数の第２ＴＦＴ９ｂ及び複数のキャパシタ９ｃと、各第１ＴＦＴ９ａ、各第２ＴＦＴ９ｂ及び各キャパシタ９ｃ上に第２平坦化膜として設けられた平坦化膜１９とを備えている。ここで、ＴＦＴ層２０では、図３に示すように、ベースコート膜１１と、半導体層１２ａ及び１２ｂと、ゲート絶縁膜１３と、ゲート線１４（図２参照）、ゲート電極１４ａ，１４ｂ、下部導電層１４ｃ等の第１配線層と、第１層間絶縁膜１５と、上部導電層１６等の第２配線層と、第２層間絶縁膜１７と、ソース線１８ｆ（図２参照)、ソース電極１８ａ，１８ｃ、ドレイン電極１８ｂ，１８ｄ、電源線１８ｇ等の第３配線層と、平坦化膜１９とが樹脂基板１０上に順に積層されている。また、ＴＦＴ層２０では、図２及び図４に示すように、図中の横方向に互いに平行に延びるように複数のゲート線１４が設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図２及び図４に示すように、図中の縦方向に互いに平行に延びるように複数のソース線１８ｆが設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図２及び図４に示すように、図中の縦方向に互いに平行に延びるように複数の電源線１８ｇが設けられている。なお、各電源線１８ｇは、図２に示すように、各ソース線１８ｆと隣り合うように設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及びキャパシタ９ｃが設けられている。
ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。半導体層１２ａ及び１２ｂは、例えば、低温ポリシリコン膜やＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の酸化物半導体膜等により構成されている。第１配線層、第２配線層及び第３配線層は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）等の金属単層膜、又はＭｏ（上層）／Ａｌ（中層）／Ｍｏ（下層）、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ、Ａｌ（上層）／Ｔｉ（下層）、Ｃｕ／Ｍｏ、Ｃｕ／Ｔｉ等の金属積層膜により構成されている。
第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂは、後述する半導体層１２ａ及び１２ｂに、例えば、ホウ素等の不純物がドーピングされたｐ型のＴＦＴである。
第１ＴＦＴ９ａは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応するゲート線１４及びソース線１８ｆに電気的に接続されている。また、第１ＴＦＴ９ａは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に順に設けられた半導体層１２ａ、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４ａ、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７、並びにソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂを備えている。ここで、半導体層１２ａは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられ、例えば、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有している。また、ゲート絶縁膜１３は、図３に示すように、半導体層１２ａを覆うように設けられている。また、ゲート電極１４ａは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ａのチャネル領域と重なるように設けられている。また、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、図３に示すように、ゲート電極１４ａを覆うように順に設けられている。また、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７上に互いに離間するように設けられている。また、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ａのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続されている。
第２ＴＦＴ９ｂは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに電気的に接続されている。また、第２ＴＦＴ９ｂは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に順に設けられた半導体層１２ｂ、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４ｂ、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７、並びにソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄを備えている。ここで、半導体層１２ｂは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられ、例えば、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有している。また、ゲート絶縁膜１３は、図３に示すように、半導体層１２ｂを覆うように設けられている。また、ゲート電極１４ｂは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ｂのチャネル領域と重なるように設けられている。また、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、図３に示すように、ゲート電極１４ｂを覆うように順に設けられている。また、ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７上に互いに離間するように設けられている。また、ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ｂのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続されている。
なお、本実施形態では、トップゲート型の第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを例示したが、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂは、ボトムゲート型のＴＦＴであってもよい。
キャパシタ９ｃは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに電気的に接続されている。ここで、キャパシタ９ｃは、図３に示すように、下部導電層１４ｃと、下部導電層１４ｃを覆うように設けられた第１層間絶縁膜１５と、第１層間絶縁膜１５上に下部導電層１４ｃと重なるように設けられた上部導電層１６とを備えている。なお、上部導電層１６は、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールを介して電源線１８ｇに電気的に接続されている。
平坦化膜１９は、表示領域Ｄにおいて、平坦な表面を有し、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の有機樹脂材料、又はポリシロキサン系のＳＯＧ（spin on glass）材料等により構成されている。
有機ＥＬ素子層３０は、図３に示すように、複数のサブ画素Ｐに対応してマトリクス状に配列された複数の発光素子として複数の有機ＥＬ素子２５を備えている。
有機ＥＬ素子２５は、図３に示すように、平坦化膜１９上に各サブ画素Ｐに設けられた第１電極２１と、第１電極２１上に各サブ画素Ｐに設けられた有機ＥＬ層２３、有機ＥＬ層２３上に複数のサブ画素Ｐに共通して設けられた第２電極２４とを備えている。
第１電極２１は、図３に示すように、平坦化膜１９に形成されたコンタクトホールを介して、各サブ画素Ｐの第２ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１８ｄに電気的に接続されている。また、第１電極２１は、有機ＥＬ層２３にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極２１は、有機ＥＬ層２３への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第１電極２１を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、イリジウム（Ｉｒ）、スズ（Ｓｎ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極２１を構成する材料は、例えば、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極２１を構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極２１は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな化合物材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
また、第１電極２１は、図３及び図６に示すように、その周端部が複数のサブ画素Ｐに共通して格子状に設けられたエッジカバー２２で覆われている。エッジカバー２２を構成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等のポジ型の感光性樹脂材料、又はポリシロキサン系のＳＯＧ材料等が挙げられる。
有機ＥＬ層２３は、発光機能層として設けられ、図５に示すように、第１電極２１上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極２１と有機ＥＬ層２３とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極２１から有機ＥＬ層２３への正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。
正孔輸送層２は、第１電極２１から有機ＥＬ層２３への正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
発光層３は、第１電極２１及び第２電極２４による電圧印加の際に、第１電極２１及び第２電極２４から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
電子輸送層４は、電子を発光層３まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
電子注入層５は、第２電極２４と有機ＥＬ層２３とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極２４から有機ＥＬ層２３へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子２５の駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
第２電極２４は、図３に示すように、各サブ画素Ｐの有機ＥＬ層２３及びエッジカバー２２を覆うように設けられている。また、第２電極２４は、有機ＥＬ層２３に電子を注入する機能を有している。また、第２電極２４は、有機ＥＬ層２３への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。ここで、第２電極２４を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極２４は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極２４は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極２４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
封止膜３５は、図３に示すように、各有機ＥＬ素子２５を覆うように有機ＥＬ素子層３０上に設けられている。ここで、封止膜３５は、図３に示すように、第２電極２４を覆うように設けられた第１無機封止膜３１と、第１無機封止膜３１上に設けられた有機封止膜３２と、有機封止膜３２を覆うように設けられた第２無機封止膜３３とを備え、有機ＥＬ層２３を水分や酸素等から保護する機能を有している。ここで、第１無機封止膜３１及び第２無機封止膜３３は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）等の無機材料により構成されている。また、有機封止膜３２は、例えば、アクリル樹脂、ポリ尿素樹脂、パリレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂等の有機材料により構成されている。
有機ＥＬ表示装置５０ａでは、図３及び図６に示すように、エッジカバー２２の表面の一部は、図３中上方に突出して、島状に設けられたフォトスペーサ４０になっている。つまり、フォトスペーサ４０は、エッジカバー２２の上面から突出した部分で構成されている。なお、フォトスペーサ４０は、エッジカバー２２と同一材料により形成されていてもよく、異なる材料で形成されていてもよいが、エッジカバー２２と同一材料により形成されていることが好ましい。具体的には、フォトスペーサ４０は、感光性ポリイミド樹脂（密度：約１．４ｇ／ｃｍ３）又は感光性アクリル樹脂（密度：約１．２ｇ／ｃｍ３）等のポジ型の感光性樹脂で形成されていることが好ましい。
フォトスペーサ４０は、図３及び図６に示すように、表示領域Ｄに配置された複数のサブ画素Ｐの間において、ＴＦＴ層２０（具体的には、ＴＦＴ層２０の上面を構成する平坦化膜１９）上に、複数設けられている。なお、フォトスペーサ４０は、額縁領域Ｆを含む表示パネルの全体にわたって複数設けられている。
ここで、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、図３及び図７に示すように、フォトスペーサ４０の頂部には、上方に開口するカルデラ状の凹部４１が形成されている。つまり、図７に示すように、フォトスペーサ４０の頂部は断面視で（中心線を切断線とする断面をみて）凸状ではなく、凹状（カルデラ状）になっている。このように、フォトスペーサ４０の頂部の中心部（凹部４１の内側部分、カルデラ）は、凹部４１により凹んでいるため、蒸着の際に蒸着マスクと接触しない。蒸着の際に蒸着マスクと接触するのは、凹部４１（カルデラ）の周辺の尾根（稜線）部分（凹部４１の外側部分、外輪山）のみであるため、頂部が断面視で凸状のフォトスペーサ（従来のフォトスペーサ、以下、符号を付さずに、単に「フォトスペーサ」とも称する）と比べて、蒸着マスクとの接触面積が小さい。そのため、フォトスペーサ４０では、蒸着の際に蒸着マスクに転写される蒸着材料の量が低減する。なお、凹部４１は、有機ＥＬ表示装置５０ａに設けられる全てのフォトスペーサ４０に適用可能である。
フォトスペーサ４０及びその凹部４１は、図８に示すように、平面視で円状に形成されている。また、図７に示すように、平面視において、凹部４１の底面（カルデラ床）４５は、凹部４１の開口端部４６における直径ｒａ（カルデラ径、以下「凹部４１の開口直径ｒａ」とも称する）よりも小さい直径ｒｂを有する円状に形成されている。なお、凹部４１の開口端部４６から底面４５までの長さを凹部４１の深さｄとする。
フォトスペーサ４０の周辺（外輪山）には、図７に示すように、凹部４１の開口端部４６から連続する第１稜線部４２と、第１稜線部４２よりも大きく傾斜してフォトスペーサ４０の基底部４４まで連続する第２稜線部４３とが隣り合うように設けられている。第１稜線部４２と第２稜線部４３との境界部４７における直径Ｒｂは、基底部４４における直径Ｒａ（以下「フォトスペーサ４０の外径Ｒａ」とも称する）よりも小さい。なお、フォトスペーサ４０の基底部４４とは、図３に示すように、フォトスペーサ４０とエッジカバー２２との境界面となる、フォトスペーサ４０の周囲近傍におけるエッジカバー２２の上面部をいう。
第１稜線部４２は、蒸着の際に蒸着マスクと接触する部分であり、フォトスペーサ４０の頂部に相当する部分である。そのため、図７に示すように、フォトスペーサ４０の高さＨ（以下「フォトスペーサ４０の頂部高さＨ」とも称する）は、フォトスペーサ４０の基底部４４から凹部４１の開口端部４６（第１稜線部４２の内周部）までの高さをいう。一方、第２稜線部４３は、蒸着の際にフォトスペーサ４０の側面（外周面）に相当する部分である。そのため、図７に示すように、フォトスペーサ４０の基底部４４から第１稜線部４２と第２稜線部４３との境界部４７（第１稜線部４２の外周部、第２稜線部４３の内周部）までの高さｈは、「フォトスペーサ４０の頂部高さＨ」に対して、蒸着時（第１稜線部４２がフォトスペーサ４０の頂部となるとき）におけるフォトスペーサ４０の実際の高さ（実質的な高さ、以下「フォトスペーサ４０の実効高さｈ」とも称する）をいう。
上記構成の有機ＥＬ表示装置５０ａでは、各サブ画素Ｐにおいて、ゲート線１４を介して第１ＴＦＴ９ａにゲート信号を入力することにより、第１ＴＦＴ９ａをオン状態にし、ソース線１８ｆを介して第２ＴＦＴ９ｂのゲート電極１４ｂ及びキャパシタ９ｃにソース信号に対応する電圧を書き込み、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧に基づいて規定された電源線１８ｇからの電流が有機ＥＬ層２３に供給されることにより、有機ＥＬ層２３の発光層３が発光して、画像表示を行うように構成されている。なお、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、第１ＴＦＴ９ａがオフ状態になっても、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧がキャパシタ９ｃによって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまで発光層３による発光が維持される。
次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法について説明する。有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法は、ＴＦＴ層形成工程と、有機ＥＬ素子層形成工程と、封止膜形成工程とを備える。
＜ＴＦＴ層形成工程＞
例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板１０の表面に、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、キャパシタ９ｃ、平坦化膜１９等を形成することにより、ＴＦＴ層２０を形成する。
例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板１０の表面に、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、キャパシタ９ｃ、平坦化膜１９等を形成することにより、ＴＦＴ層２０を形成する。
＜有機ＥＬ素子層形成工程＞
有機ＥＬ素子層形成工程は、第１電極形成工程と、フォトスペーサ形成工程と、自動光学検査工程と、発光機能層形成工程と、第２電極形成工程とを備える。
有機ＥＬ素子層形成工程は、第１電極形成工程と、フォトスペーサ形成工程と、自動光学検査工程と、発光機能層形成工程と、第２電極形成工程とを備える。
（第１電極形成工程）
まず、上記ＴＦＴ層形成工程で形成されたＴＦＴ層２０の平坦化膜１９上に、例えば、真空蒸着法により、蒸着マスクとしてＦＭＭを用いて、サブ画素Ｐ毎に第１電極２１を形成する。
まず、上記ＴＦＴ層形成工程で形成されたＴＦＴ層２０の平坦化膜１９上に、例えば、真空蒸着法により、蒸着マスクとしてＦＭＭを用いて、サブ画素Ｐ毎に第１電極２１を形成する。
（フォトスペーサ形成工程）
フォトスペーサ形成工程は、第１感光性樹脂塗布工程と、パターニング工程と、第２感光性樹脂塗布工程と、凹部形成工程とを備える。
フォトスペーサ形成工程は、第１感光性樹脂塗布工程と、パターニング工程と、第２感光性樹脂塗布工程と、凹部形成工程とを備える。
〔第１感光性樹脂塗布工程〕
第１電極の周端部を覆うように、ＴＦＴ層２０の平坦化膜１９上に、第１感光性樹脂を塗布する。第１感光性樹脂はエッジカバー２２を構成する樹脂材料である。
第１電極の周端部を覆うように、ＴＦＴ層２０の平坦化膜１９上に、第１感光性樹脂を塗布する。第１感光性樹脂はエッジカバー２２を構成する樹脂材料である。
〔パターニング工程〕
塗布された第１感光性樹脂をパターニングすることにより、第１電極２１の周端部を覆うエッジカバー２２を形成する。
塗布された第１感光性樹脂をパターニングすることにより、第１電極２１の周端部を覆うエッジカバー２２を形成する。
〔第２感光性樹脂塗布工程〕
パターニングされた第１感光性樹脂、つまりエッジカバー２２上に第２感光性樹脂を塗布する。第２感光性樹脂はフォトスペーサ４０を構成する樹脂材料である。つまり、第２感光性樹脂により複数のフォトスペーサ４０を形成する。具体的には、エッジカバー２２の上面に複数のフォトスペーサ４０を構成する突出した部分を形成する。
パターニングされた第１感光性樹脂、つまりエッジカバー２２上に第２感光性樹脂を塗布する。第２感光性樹脂はフォトスペーサ４０を構成する樹脂材料である。つまり、第２感光性樹脂により複数のフォトスペーサ４０を形成する。具体的には、エッジカバー２２の上面に複数のフォトスペーサ４０を構成する突出した部分を形成する。
〔凹部形成工程〕
エッジカバー２２上に塗布された第２感光性樹脂からなるエッジカバー２２の上面から突出した部分、つまりフォトスペーサ４０をグレイトーンマスク又はハーフトーンマスクを用いて露光することにより、フォトスペーサ４０の頂部に上方に開口するカルデラ状の凹部４１を形成する。上記露光後に現像して、熱処理を施す。以上の工程により、頂部にカルデラ状の凹部４１を有するフォトスペーサ４０が形成される。
エッジカバー２２上に塗布された第２感光性樹脂からなるエッジカバー２２の上面から突出した部分、つまりフォトスペーサ４０をグレイトーンマスク又はハーフトーンマスクを用いて露光することにより、フォトスペーサ４０の頂部に上方に開口するカルデラ状の凹部４１を形成する。上記露光後に現像して、熱処理を施す。以上の工程により、頂部にカルデラ状の凹部４１を有するフォトスペーサ４０が形成される。
（自動光学検査工程）
自動光学検査装置を用いて、一連の上記フォトスペーサ形成工程で複数のフォトスペーサ４０が形成された基板（蒸着後の被蒸着基板）のＡＯＩを実施する。ＡＯＩにおいて、欠陥数や欠陥数のオーバーフローの有無を確認する。
自動光学検査装置を用いて、一連の上記フォトスペーサ形成工程で複数のフォトスペーサ４０が形成された基板（蒸着後の被蒸着基板）のＡＯＩを実施する。ＡＯＩにおいて、欠陥数や欠陥数のオーバーフローの有無を確認する。
（発光機能層形成工程）
上記自動光学検査工程で合格となった被蒸着基板表面、具体的には、エッジカバー２２及びフォトスペーサ４０が形成された第１電極２１上に、例えば、真空蒸着法により、発光機能層として有機ＥＬ層２３（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、電子注入層５）を形成する。なお、正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４及び電子注入層５を形成する際には、蒸着マスクとしてＣＭＭを用い、発光層３を形成する際には、蒸着マスクとしてＦＭＭを用いる。
上記自動光学検査工程で合格となった被蒸着基板表面、具体的には、エッジカバー２２及びフォトスペーサ４０が形成された第１電極２１上に、例えば、真空蒸着法により、発光機能層として有機ＥＬ層２３（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、電子注入層５）を形成する。なお、正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４及び電子注入層５を形成する際には、蒸着マスクとしてＣＭＭを用い、発光層３を形成する際には、蒸着マスクとしてＦＭＭを用いる。
（第２電極形成工程）
有機ＥＬ層２３が形成された基板表面に、例えば、真空蒸着法により、蒸着マスクとしてＣＭＭを用いて、有機ＥＬ層２３及びエッジカバー２２を覆うように全てのサブ画素Ｐに共通する第２電極２４を形成する。
有機ＥＬ層２３が形成された基板表面に、例えば、真空蒸着法により、蒸着マスクとしてＣＭＭを用いて、有機ＥＬ層２３及びエッジカバー２２を覆うように全てのサブ画素Ｐに共通する第２電極２４を形成する。
以上のように有機ＥＬ素子２５を形成して、有機ＥＬ素子層３０を形成することができる。
＜封止膜形成工程＞
上記有機ＥＬ素子層形成工程で形成された有機ＥＬ素子層３０が形成された基板表面に、各有機ＥＬ素子２５を覆うように、蒸着マスクとしてＣＭＭを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により成膜して、第１無機封止膜３１を形成する。
上記有機ＥＬ素子層形成工程で形成された有機ＥＬ素子層３０が形成された基板表面に、各有機ＥＬ素子２５を覆うように、蒸着マスクとしてＣＭＭを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により成膜して、第１無機封止膜３１を形成する。
続いて、第１無機封止膜３１上に、例えば、インクジェット法により、アクリル樹脂等の有機樹脂材料を成膜して、有機封止膜３２を形成する。
その後、有機封止膜３２を覆うように、蒸着マスクとしてＣＭＭを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により成膜して、第２無機封止膜３３を形成することにより、封止膜３５を形成する。
最後に、封止膜３５が形成された基板表面に保護シート（不図示）を貼付した後に、樹脂基板１０のガラス基板側からレーザー光を照射することにより、樹脂基板１０の下面からガラス基板を剥離させ、ガラス基板を剥離させた樹脂基板１０の下面に保護シート（不図示）を貼付する。
以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａを製造することができる。
次に、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成するフォトスペーサ４０及び凹部４１の形状についてさらに説明する。フォトスペーサは、上述したように、蒸着マスクの支持体としての役割を果たすものである。そのため、フォトスペーサにおいて、高さは重要なパラメータの一つであり、従来、以下に詳述する２つの相反する観点を考慮して決定されてきた。
＜シャドウの影響＞
フォトスペーサの高さを高くすると、蒸着マスクと被蒸着基板との距離（ギャップ）が大きくなるため、蒸着マスクの開口から蒸着材料が被蒸着基板に侵入する面積が大きくなる。その結果、例えばＦＭＭを用いて蒸着したときに蒸着材料が隣接画素に侵入する等、ターゲット成膜エリアが広がり、薄く広がった成膜物が形成される（以下「シャドウ（outer）の悪化」とも称する）という不都合が生じる。つまり、シャドウの影響の点では、フォトスペーサの高さは低いほうがよい。一方、フォトスペーサの高さが低過ぎると、フォトスペーサの頂部と蒸着マスクとの接触面積が増大するため、蒸着マスク側に転写される成膜物（転写異物、蒸着異物）の量も増大する。この場合、上述したように、蒸着後の被蒸着基板のＡＯＩにおいて欠陥数のオーバーフローを招く原因となる。上記を鑑みて、従来のフォトスペーサでは、シャドウと異物転写のバランスを考慮して高さが設計されていたが、上記２つの観点を十分に満足する高さを設計することは困難であり限界があった。
フォトスペーサの高さを高くすると、蒸着マスクと被蒸着基板との距離（ギャップ）が大きくなるため、蒸着マスクの開口から蒸着材料が被蒸着基板に侵入する面積が大きくなる。その結果、例えばＦＭＭを用いて蒸着したときに蒸着材料が隣接画素に侵入する等、ターゲット成膜エリアが広がり、薄く広がった成膜物が形成される（以下「シャドウ（outer）の悪化」とも称する）という不都合が生じる。つまり、シャドウの影響の点では、フォトスペーサの高さは低いほうがよい。一方、フォトスペーサの高さが低過ぎると、フォトスペーサの頂部と蒸着マスクとの接触面積が増大するため、蒸着マスク側に転写される成膜物（転写異物、蒸着異物）の量も増大する。この場合、上述したように、蒸着後の被蒸着基板のＡＯＩにおいて欠陥数のオーバーフローを招く原因となる。上記を鑑みて、従来のフォトスペーサでは、シャドウと異物転写のバランスを考慮して高さが設計されていたが、上記２つの観点を十分に満足する高さを設計することは困難であり限界があった。
＜フォトスペーサの頂部面積と異物転写量との関係＞
また、フォトスペーサは、蒸着マスクに転写される異物転写量を低減して上記スタンプ現象を抑制する観点から、蒸着マスクと接触するフォトスペーサの頂部面積も重要なパラメータの一つである。ここで、フォトスペーサの頂部面積と異物転写量には、相関がみられる。そのため、異物転写量を低減するためには、フォトスペーサ４０の頂部面積、つまり蒸着マスクとの接触面積を小さくすることが有効と考えられる。なお、異物転写量は、例えば蒸着後に実施するＡＯＩでの欠陥数（転写異物数）で評価できる。
また、フォトスペーサは、蒸着マスクに転写される異物転写量を低減して上記スタンプ現象を抑制する観点から、蒸着マスクと接触するフォトスペーサの頂部面積も重要なパラメータの一つである。ここで、フォトスペーサの頂部面積と異物転写量には、相関がみられる。そのため、異物転写量を低減するためには、フォトスペーサ４０の頂部面積、つまり蒸着マスクとの接触面積を小さくすることが有効と考えられる。なお、異物転写量は、例えば蒸着後に実施するＡＯＩでの欠陥数（転写異物数）で評価できる。
上記知見をふまえて、凹部４１を有するフォトスペーサ４０において、その高さと頂部面積に関するパラメータを変化させて評価した結果を以下の実施例に記載する。
以下に、本開示を実施例に基づいて説明する。なお、本開示は、以下の実施例に限定されるものではなく、以下の実施例を本開示の趣旨に基づいて変形、変更することが可能であり、それらを本開示の範囲から除外するものではない。
（実施例１）
上述した有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法に従い、頂部に凹部４１を有し、高さと頂部面積に関するパラメータとして表１に示す「ｒａ／Ｒａ」と「ｈ／Ｈ」を有するフォトスペーサ４０を備える有機ＥＬ表示装置を製造した。なお、「ｒａ／Ｒａ」とは、「フォトスペーサ４０の外径Ｒａ」に対する「凹部４１の開口直径ｒａ」の比率をいう。「ｈ／Ｈ」とは、「フォトスペーサ４０の頂部高さＨ」に対する「フォトスペーサ４０の実効高さｈ」の比率をいう。
上述した有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法に従い、頂部に凹部４１を有し、高さと頂部面積に関するパラメータとして表１に示す「ｒａ／Ｒａ」と「ｈ／Ｈ」を有するフォトスペーサ４０を備える有機ＥＬ表示装置を製造した。なお、「ｒａ／Ｒａ」とは、「フォトスペーサ４０の外径Ｒａ」に対する「凹部４１の開口直径ｒａ」の比率をいう。「ｈ／Ｈ」とは、「フォトスペーサ４０の頂部高さＨ」に対する「フォトスペーサ４０の実効高さｈ」の比率をいう。
（実施例２～実施例３、比較例２）
「ｒａ／Ｒａ」及び「ｈ／Ｈ」をそれぞれ表１に示す値に変更したこと以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ表示装置を製造した。
「ｒａ／Ｒａ」及び「ｈ／Ｈ」をそれぞれ表１に示す値に変更したこと以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ表示装置を製造した。
（比較例１）
フォトスペーサに凹部を形成しなかったこと以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ表示装置を製造した。具体的には、上述した有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法において、上記凹部形成工程を実施しなかった。
フォトスペーサに凹部を形成しなかったこと以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ表示装置を製造した。具体的には、上述した有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法において、上記凹部形成工程を実施しなかった。
（評価）
各実施例及び比較例の有機ＥＬ表示装置を製造する工程において、相対異物転写量、ＡＯＩ欠陥数のオーバーフローの有無、及びシャドウの影響について、以下に記載の方法に基づいて評価した。その結果を表１に示す。
各実施例及び比較例の有機ＥＬ表示装置を製造する工程において、相対異物転写量、ＡＯＩ欠陥数のオーバーフローの有無、及びシャドウの影響について、以下に記載の方法に基づいて評価した。その結果を表１に示す。
＜相対異物転写量＞
比較例１の有機ＥＬ表示装置を製造する工程における異物転写量を１００％としたときの、各有機ＥＬ表示装置を製造する工程における異物転写量（相対異物転写量）を測定した。なお、異物転写量は、上述した有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法における自動光学検査工程で測定される蒸着後の被蒸着基板のＡＯＩ欠陥数で計算した。
比較例１の有機ＥＬ表示装置を製造する工程における異物転写量を１００％としたときの、各有機ＥＬ表示装置を製造する工程における異物転写量（相対異物転写量）を測定した。なお、異物転写量は、上述した有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法における自動光学検査工程で測定される蒸着後の被蒸着基板のＡＯＩ欠陥数で計算した。
＜ＡＯＩ欠陥数のオーバーフローの有無＞
上述した有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法における自動光学検査工程に従って蒸着後の被蒸着基板のＡＯＩを行い、欠陥数のオーバーフローの有無を確認した。なお、オーバーフローした基板のうち、基板全体に対する未検査エリア部の割合（面積比率）が５０％以上のものを「強」とし、５０％未満のものを「弱」とする。
上述した有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法における自動光学検査工程に従って蒸着後の被蒸着基板のＡＯＩを行い、欠陥数のオーバーフローの有無を確認した。なお、オーバーフローした基板のうち、基板全体に対する未検査エリア部の割合（面積比率）が５０％以上のものを「強」とし、５０％未満のものを「弱」とする。
＜シャドウの影響＞
シャドウの影響について、上述した有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法における発光機能層形成工程後に、被蒸着基板を光学顕微鏡で観察し、以下の評価基準に基づいて評価した。
（評価基準）
「強」：隣接する画素上にも蒸着されている（シャドウの悪化）。
「普通」：隣接する画素上には蒸着されていないが、隣接する蒸着膜上には蒸着されている。
「弱」：隣接する蒸着膜にも蒸着されていない（シャドウの良化・改善）。
シャドウの影響について、上述した有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法における発光機能層形成工程後に、被蒸着基板を光学顕微鏡で観察し、以下の評価基準に基づいて評価した。
（評価基準）
「強」：隣接する画素上にも蒸着されている（シャドウの悪化）。
「普通」：隣接する画素上には蒸着されていないが、隣接する蒸着膜上には蒸着されている。
「弱」：隣接する蒸着膜にも蒸着されていない（シャドウの良化・改善）。
表１の結果から、各実施例と比較例１とを比較して、「ｒａ／Ｒａ」を大きくするほど異物転写量は減少し、各実施例では、ＡＯＩにおいて欠陥数のオーバーフローがなくなった。これは、「フォトスペーサ４０の外径Ｒａ」に対して「凹部４１の開口直径ｒａ」を大きくすると、蒸着マスクと接触するフォトスペーサ４０の頂部、具体的には、凹部４１周辺の第１稜線部４２の面積（頂部面積）が小さくなるためと考えられる。なお、「ｒａ／Ｒａ」を大きくするほど「ｈ／Ｈ」は小さくなる。これは、「凹部４１の開口直径ｒａ」を大きくすると、開口端部４６の高さ、つまり「フォトスペーサ４０の頂部高さＨ」自体の高さが低くなるためと考えられる。
但し、比較例２から、「ｒａ／Ｒａ」が０．８程度になるまで「凹部４１の開口直径ｒａ」を大きくすると、異物転写量が急激に増加することが分かった。この原因としては、第１稜線部４２の面積が小さくなり過ぎ、蒸着マスクと接触するフォトスペーサ４０の頂部が、第１稜線部４２だけでなく、第２稜線部４３まで広がる結果、蒸着マスクとの接触面積が大きくなったと考えられる。
また、各実施例では、比較例１と比較して、シャドウが良化（改善）することが分かった。具体的には、「ｒａ／Ｒａ」を大きくするほど（例えば０．４以上）シャドウがより一層良化することが分かった。
また、被蒸着基板及び／又は蒸着マスクの微小な撓みによって、被蒸着基板の中央部とその周辺部とでは、蒸着マスクとフォトスペーサ４０の頂部との接触度合が多少異なる場合がある。実施例４では、「ｒａ／Ｒａ」を、例えば、被蒸着基板の表示領域Ｄにおける中央部で大きくする一方、周辺部で小さくしても異物転写量が減少することが分かった。この結果から、複数のフォトスペーサ４０の「凹部４１の開口直径ｒａ」は、被蒸着基板全体で同一でなくてもよく、上記接触度合を考慮してフォトスペーサ４０の高さや頂部面積を調整するために、被蒸着基板の場所によって異ならせてもよい（変化させてもよい）ことが示唆された。
以上の結果から、各実施例は、所定の「ｒａ／Ｒａ」を有する凹部４１が形成されたフォトスペーサ４０を備えるため、凹部が形成されていない従来のフォトスペーサを備える比較例１と比較して、シャドウを良化するべく「ｈ／Ｈ」（フォトスペーサ４０の実効高さｈ）が低いにも関わらず、異物転写量が低減するという顕著な効果が得られた。このように、各実施例では、シャドウ悪化抑制、異物転写量及びＡＯＩにおける欠陥数のオーバーフロー抑制という３つの効果が同時に得られた。
＜フォトスペーサの形状＞
上記の実施例の結果をふまえて、フォトスペーサ４０及び凹部４１の形状（特に高さと頂部面積）を示す各パラメータ（図７参照）を以下に記載する。なお、上述したように、各パラメータは、複数設けられるフォトスペーサ４０において、全て同一であってもよく、異なっていてもよい。
上記の実施例の結果をふまえて、フォトスペーサ４０及び凹部４１の形状（特に高さと頂部面積）を示す各パラメータ（図７参照）を以下に記載する。なお、上述したように、各パラメータは、複数設けられるフォトスペーサ４０において、全て同一であってもよく、異なっていてもよい。
「フォトスペーサ４０の外径Ｒａ」に対する「凹部４１の開口直径ｒａ」の比率（フォトスペーサ４０の基底部４４における直径Ｒａに対する凹部４１の開口端部４６における直径ｒａの比率）「ｒａ／Ｒａ」は、シャドウの悪化を抑制する観点から、０超過０．８未満である。「ｒａ／Ｒａ」は、好ましくは０．２以上、より好ましくは０．４以上である。また、その上限値は、蒸着マスクへの異物転写を抑制する観点から、好ましくは０．７７以下、より好ましくは０．７５以下である。
「フォトスペーサ４０の外径Ｒａ」（フォトスペーサ４０の基底部４４における直径Ｒａ）は、シャドウの悪化及び蒸着マスクへの異物転写を抑制する観点から、好ましくは２８μｍ以上６０μｍ以下である。
「凹部４１の開口直径ｒａ」（凹部４１の開口端部４６における直径ｒａ）は、シャドウの悪化及び蒸着マスクへの異物転写を抑制する観点から、好ましくは１５μｍ以上２１μｍ以下である。
凹部４１の底面４５の直径ｒｂは、シャドウの悪化及び蒸着マスクへの異物転写を抑制する観点から、好ましくは１０μｍ以上１４μｍ以下である。
フォトスペーサ４０において、第１稜線部４２と第２稜線部４３との境界部４７における直径Ｒｂは、シャドウの悪化及び蒸着マスクへの異物転写を抑制する観点から、好ましくは２０μｍ以上４３μｍ以下である。
「フォトスペーサ４０の頂部高さＨ」に対する「フォトスペーサ４０の実効高さｈ」の比率（フォトスペーサ４０の基底部４４から凹部４１の開口端部４６までの高さＨに対するフォトスペーサ４０の基底部４４から境界部４７までの高さの比率）「ｈ／Ｈ」は、蒸着マスクへの異物転写を抑制する観点から、好ましくは０超過、より好ましくは０．２以上、さらに好ましくは０．４以上である。また、その上限値は、シャドウの悪化及び蒸着マスクへの異物転写を抑制する観点から、好ましくは０．９未満、より好ましく０．８５以下、さらに好ましくは０．７以下である。
「フォトスペーサ４０の頂部高さＨ」（フォトスペーサ４０の基底部４４から凹部４１の開口端部４６までの高さＨ）は、シャドウの悪化及び蒸着マスクへの異物転写を抑制する観点から、好ましくは１．５μｍ以上２μｍ以下である。
凹部４１の深さ（凹部４１の開口端部４６から底面４５までの深さ）ｄは、シャドウの悪化及び蒸着マスクへの異物転写を抑制する観点から、好ましくは０．２μｍ以上１μｍ以下である。
《第１の実施形態の変形例》
フォトスペーサ４０及び凹部４１の平面形状は円状に限定されず、平面視において、楕円状でもよく、図９に示すように、矩形状でもよい。この場合、フォトスペーサ４０及び凹部４１の各直径の代わりに、フォトスペーサ４０及び凹部４１の各対角線の長さを用いて、上記各パラメータを同様に規定できる。例えば、フォトスペーサ４０の基底部４４における対角線に対する凹部４１の開口端部４６における対角線の比率「ｒａ／Ｒａ」は０超過０．８未満である。
フォトスペーサ４０及び凹部４１の平面形状は円状に限定されず、平面視において、楕円状でもよく、図９に示すように、矩形状でもよい。この場合、フォトスペーサ４０及び凹部４１の各直径の代わりに、フォトスペーサ４０及び凹部４１の各対角線の長さを用いて、上記各パラメータを同様に規定できる。例えば、フォトスペーサ４０の基底部４４における対角線に対する凹部４１の開口端部４６における対角線の比率「ｒａ／Ｒａ」は０超過０．８未満である。
＜効果＞
以上説明したように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置５０ａ及びその変形例によれば、以下の効果を得ることができる。
以上説明したように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置５０ａ及びその変形例によれば、以下の効果を得ることができる。
従来のフォトスペーサを備える有機ＥＬ表示装置では、上述したように、フォトスペーサの高さを低くすると、シャドウの悪化は抑制される一方で、フォトスペーサの頂部と蒸着マスクとの接触面積の増加に起因する、蒸着マスクへの蒸着材料の転写を抑制することは困難であった。このように、従来のフォトスペーサでは、シャドウと異物転写のバランスを考慮して高さを設計しても、シャドウの悪化と蒸着マスクへの異物転写の両方を抑制するという２つの効果を十分に満足する有機ＥＬ表示装置は得られなかった。
（１）これに対して、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、シャドウの悪化を抑制するために、フォトスペーサ４０の高さ（図７に示す頂部高さＨ、実効高さｈ）を低くしても、フォトスペーサ４０の頂部に凹部４１が形成されているため、フォトスペーサ４０の頂部と蒸着マスクとの接触面積が増加しない。その結果、フォトスペーサ４０との接触による蒸着マスクへの蒸着材料の転写を抑制できる。換言すると、フォトスペーサ４０を高くしなくても（シャドウを悪化させることなく）、蒸着マスクへの蒸着材料の転写を抑制できる。つまり、凹部４１を有するフォトスペーサ４０では、シャドウの影響を抑制するために高さを比較的低く設計しても、凹部４１により頂部面積が小さいため、蒸着マスクへの異物転写も抑制されるという上記２つの効果を十分に満足する有機ＥＬ表示装置５０ａが得られる。
（２）有機ＥＬ表示装置５０ａでは、蒸着マスクへの蒸着材料の転写量が低減されることによって、蒸着後の被蒸着基板のＡＯＩにおいて欠陥数のオーバーフローの発生率が低減する。その結果、被蒸着基板の未検査エリア部の発生も低減するため、製造歩留りの向上を図ることができる。
（３）有機ＥＬ表示装置５０ａでは、蒸着マスクへの蒸着材料の転写量が低減されることによって、ダークスポット（ダークドット、暗点、黒点）等の水分進入による信頼性不良の抑制や、より高感度条件での検査が可能になるという新たな効果も発現する。
《その他の実施形態》
上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
上記各実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
上記各実施形態では、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置したが、本発明は、アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置等の表示装置にも適用することができる。
上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本発明は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置に適用することができる。例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）を備えた表示装置に適用することができる。
以上説明したように、本発明は、フレキシブルな表示装置について有用である。
Ｄ 表示領域
Ｆ 額縁領域
Ｐ サブ画素
ｒａ 凹部の開口直径（凹部の開口端部における直径）
Ｒａ フォトスペーサの外径（フォトスペーサの基底部における直径）
ｒａ／Ｒａ フォトスペーサの外径に対する凹部の開口直径の比率（フォトスペーサの基底部における直径に対する上記凹部の開口端部における直径の比率）
ｒｂ 凹部の底面の直径
Ｒｂ 第１稜線部と第２稜線部との境界部における直径
Ｈ フォトスペーサの頂部高さ（フォトスペーサの基底部から凹部の開口端部までの高さ）
ｈ／Ｈ フォトスペーサの頂部高さに対するフォトスペーサの実効高さの比率（フォトスペーサの基底部から凹部の開口端部までの高さに対する基底部から境界部までの高さの比率）
ｄ 凹部の深さ（凹部の開口端部から底面までの深さ）
９ａ 第１ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
９ｂ 第２ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
１０ 樹脂基板（ベース基板）
２０ ＴＦＴ層（薄膜トランジスタ層）
２１ 第１電極
２２ エッジカバー
２３ 有機ＥＬ層（有機エレクトロルミネッセンス層、発光機能層）
２４ 第２電極
２５ 有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子、発光素子）
３０ 有機ＥＬ素子層（発光素子層）
３５ 封止膜
４０ フォトスペーサ
４１ 凹部
４２ 第１稜線部
４３ 第２稜線部
４４ 基底部
４５ 底面
４６ 開口端部
４７ 境界部
５０ａ 有機ＥＬ表示装置
Ｆ 額縁領域
Ｐ サブ画素
ｒａ 凹部の開口直径（凹部の開口端部における直径）
Ｒａ フォトスペーサの外径（フォトスペーサの基底部における直径）
ｒａ／Ｒａ フォトスペーサの外径に対する凹部の開口直径の比率（フォトスペーサの基底部における直径に対する上記凹部の開口端部における直径の比率）
ｒｂ 凹部の底面の直径
Ｒｂ 第１稜線部と第２稜線部との境界部における直径
Ｈ フォトスペーサの頂部高さ（フォトスペーサの基底部から凹部の開口端部までの高さ）
ｈ／Ｈ フォトスペーサの頂部高さに対するフォトスペーサの実効高さの比率（フォトスペーサの基底部から凹部の開口端部までの高さに対する基底部から境界部までの高さの比率）
ｄ 凹部の深さ（凹部の開口端部から底面までの深さ）
９ａ 第１ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
９ｂ 第２ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
１０ 樹脂基板（ベース基板）
２０ ＴＦＴ層（薄膜トランジスタ層）
２１ 第１電極
２２ エッジカバー
２３ 有機ＥＬ層（有機エレクトロルミネッセンス層、発光機能層）
２４ 第２電極
２５ 有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子、発光素子）
３０ 有機ＥＬ素子層（発光素子層）
３５ 封止膜
４０ フォトスペーサ
４１ 凹部
４２ 第１稜線部
４３ 第２稜線部
４４ 基底部
４５ 底面
４６ 開口端部
４７ 境界部
５０ａ 有機ＥＬ表示装置
Claims (20)
- ベース基板と、
上記ベース基板上に設けられ、サブ画素毎に薄膜トランジスタが配置された薄膜トランジスタ層と、
上記薄膜トランジスタ層上に設けられた複数のフォトスペーサとを備えた表示装置であって、
上記各フォトスペーサの頂部には、上方に開口するカルデラ状の凹部が形成され、
上記各フォトスペーサ及び凹部は平面視で円状に形成されており、
上記フォトスペーサの基底部における直径に対する上記凹部の開口端部における直径の比率が０超過０．８未満であることを特徴とする表示装置。 - 請求項１に記載された表示装置において、
上記薄膜トランジスタ層は上面に平坦化膜を備え、
上記複数のフォトスペーサは上記平坦化膜上に設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１又は２に記載された表示装置において、
上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、上記サブ画素毎に第１電極、発光機能層及び第２電極が順に積層された発光素子が配置された発光素子層と、
上記第１電極の周端部を覆うように設けられたエッジカバーとを備え、
上記複数のフォトスペーサは上記エッジカバーの上面から突出した部分であることを特徴とする表示装置。 - 請求項３に記載された表示装置において、
上記複数のフォトスペーサは上記エッジカバーと同一材料により形成されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～４の何れか１つに記載された表示装置において、
上記複数のフォトスペーサはポジ型の感光性樹脂により形成されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～５の何れか１つに記載された表示装置において、
上記フォトスペーサの基底部における直径が２８μｍ以上６０μｍ以下であることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～６の何れか１つに記載された表示装置において、
上記凹部の開口端部における直径が１５μｍ以上２１μｍ以下であることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～７の何れか１つに記載された表示装置において、
上記各凹部の底面は平面視で上記開口端部における直径よりも小さい直径を有する円状に形成されており、
上記底面の直径が１０μｍ以上１４μｍ以下であることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～８の何れか１つに記載された表示装置において、
上記各フォトスペーサの周囲には、上記凹部の開口端部から連続する第１稜線部と、該第１稜線部よりも傾斜して該フォトスペーサの基底部まで連続する第２稜線部とが設けられ、
上記第１稜線部と上記第２稜線部との境界部における直径が２０μｍ以上４３μｍ以下であることを特徴とする表示装置。 - 請求項９に記載された表示装置において、
上記フォトスペーサの基底部から上記凹部の開口端部までの高さに対する該基底部から上記境界部までの高さの比率が０超過０．９未満であることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～１０の何れか１つに記載された表示装置において、
上記フォトスペーサの基底部から上記凹部の開口端部までの高さが１．５μｍ以上２μｍ以下であることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～１１の何れか１つに記載された表示装置において、
上記凹部の開口端部から底面までの深さが０．２μｍ以上１μｍ以下であることを特徴とする表示装置。 - ベース基板と、
上記ベース基板上に設けられ、サブ画素毎に薄膜トランジスタが配置された薄膜トランジスタ層と、
上記薄膜トランジスタ層上に設けられた複数のフォトスペーサとを備えた表示装置であって、
上記各フォトスペーサの頂部には、上方に開口するカルデラ状の凹部が形成され、
上記各フォトスペーサ及び凹部は平面視で矩形状に形成されており、
上記フォトスペーサの基底部における対角線に対する上記凹部の開口端部における対角線の比率が０超過０．８未満であることを特徴とする表示装置。 - 請求項１３に記載された表示装置において、
上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、上記サブ画素毎に第１電極、発光機能層及び第２電極が順に積層された発光素子が配置された発光素子層と、
上記第１電極の周端部を覆うように設けられたエッジカバーとを備え、
上記複数のフォトスペーサは上記エッジカバーの上面から突出した部分であることを特徴とする表示装置。 - 請求項３又は１４に記載された表示装置において、
上記発光素子を覆うように設けられた封止膜を備えていることを特徴とする表示装置。 - 請求項３又は１４に記載された表示装置において、
上記発光素子は有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする表示装置。 - ベース基板と、
上記ベース基板上に設けられ、サブ画素毎に薄膜トランジスタが配置された薄膜トランジスタ層と、
上記薄膜トランジスタ層上に設けられた複数のフォトスペーサとを備え、
上記各フォトスペーサの頂部には、上方に開口するカルデラ状の凹部が形成されている表示装置の製造方法であって、
上記ベース基板上に上記薄膜トランジスタ層を形成する薄膜トランジスタ層形成工程と、
上記薄膜トランジスタ層上に上記複数のフォトスペーサを形成するフォトスペーサ形成工程とを備え、
上記フォトスペーサ形成工程は、
上記薄膜トランジスタ層上に第１感光性樹脂を塗布する第１感光性樹脂塗布工程と、
上記第１感光性樹脂塗布工程で塗布された上記第１感光性樹脂をパターニングするパターニング工程と、
上記パターニング工程でパターニングされた上記第１感光性樹脂上に、上記複数のフォトスペーサを形成するための第２感光性樹脂を塗布する第２感光性樹脂塗布工程と、
上記第２感光性樹脂塗布工程で塗布された上記第２感光性樹脂をグレイトーンマスク又はハーフトーンマスクを用いて露光することにより、上記各フォトスペーサの頂部に上方に開口するカルデラ状の凹部を形成する凹部形成工程とを備え、
凹部形成工程において、上記フォトスペーサの基底部における直径又は対角線に対する上記凹部の開口端部における直径又は対角線の比率を０超過０．８未満に調整することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項１７に記載された表示装置の製造方法において、
上記薄膜トランジスタ層形成工程で平坦化膜を上面に形成した後、上記フォトスペーサ形成工程の前に、該平坦化膜上に上記サブ画素毎に第１電極を形成する第１電極形成工程を備え、
上記第１感光性樹脂塗布工程において、上記第１電極の周端部を覆うように上記第１感光性樹脂を塗布し、
上記パターニング工程において、上記第１電極の周端部を覆うエッジカバーを形成し、
上記第２感光性樹脂塗布工程において、上記エッジカバー上に上記第２感光性樹脂を塗布して、該エッジカバーの上面に上記複数のフォトスペーサを構成する突出した部分を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項１８に記載された表示装置の製造方法において、
上記フォトスペーサ形成工程の後に、蒸着後の被蒸着基板を検査する自動光学検査工程を備えることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項１９に記載された表示装置の製造方法において、
上記自動光学検査工程の後において、
上記第１電極上に発光機能層を形成する発光機能層形成工程と、
上記発光機能層及び上記エッジカバーを覆うように上記サブ画素に共通して第２電極を形成する第２電極形成工程とを備えることを特徴とする表示装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202180101669.8A CN117837297A (zh) | 2021-11-05 | 2021-11-05 | 显示装置及其制造方法 |
| PCT/JP2021/040777 WO2023079680A1 (ja) | 2021-11-05 | 2021-11-05 | 表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2021/040777 WO2023079680A1 (ja) | 2021-11-05 | 2021-11-05 | 表示装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2023079680A1 true WO2023079680A1 (ja) | 2023-05-11 |
Family
ID=86240902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2021/040777 WO2023079680A1 (ja) | 2021-11-05 | 2021-11-05 | 表示装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117837297A (ja) |
| WO (1) | WO2023079680A1 (ja) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003059671A (ja) * | 2001-08-20 | 2003-02-28 | Sony Corp | 表示素子及びその製造方法 |
| JP2004191841A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Fujitsu Ltd | 液晶パネル及びその製造方法 |
| JP2004311305A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Shin Sti Technology Kk | カラーフィルタ及び有機ｅｌ表示素子の製造方法 |
| US20160268356A1 (en) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US20170207418A1 (en) * | 2015-11-17 | 2017-07-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing display device |
| WO2018179308A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | シャープ株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
| US20200027973A1 (en) * | 2014-02-25 | 2020-01-23 | International Business Machines Corporation | Integrated circuit heat dissipation using nanostructures |
| WO2020039555A1 (ja) * | 2018-08-23 | 2020-02-27 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
-
2021
- 2021-11-05 CN CN202180101669.8A patent/CN117837297A/zh active Pending
- 2021-11-05 WO PCT/JP2021/040777 patent/WO2023079680A1/ja active Application Filing
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003059671A (ja) * | 2001-08-20 | 2003-02-28 | Sony Corp | 表示素子及びその製造方法 |
| JP2004191841A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-08 | Fujitsu Ltd | 液晶パネル及びその製造方法 |
| JP2004311305A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Shin Sti Technology Kk | カラーフィルタ及び有機ｅｌ表示素子の製造方法 |
| US20200027973A1 (en) * | 2014-02-25 | 2020-01-23 | International Business Machines Corporation | Integrated circuit heat dissipation using nanostructures |
| US20160268356A1 (en) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US20170207418A1 (en) * | 2015-11-17 | 2017-07-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing display device |
| WO2018179308A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | シャープ株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
| WO2020039555A1 (ja) * | 2018-08-23 | 2020-02-27 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN117837297A (zh) | 2024-04-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2019130480A1 (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
| US11957015B2 (en) | Display device | |
| WO2020174612A1 (ja) | 表示装置 | |
| WO2019163030A1 (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
| WO2020039555A1 (ja) | 表示装置 | |
| US20220130929A1 (en) | Display device | |
| US11417862B2 (en) | Display device including lead wiring lines covered by first and second organic films, and production method therefor | |
| WO2019186819A1 (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
| WO2023079680A1 (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
| WO2021149108A1 (ja) | 表示装置 | |
| US20240023384A1 (en) | Display device | |
| WO2020115906A1 (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
| WO2020017007A1 (ja) | 表示装置およびその製造方法 | |
| WO2019142261A1 (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
| WO2020194427A1 (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
| WO2021144835A1 (ja) | 表示装置 | |
| WO2023021621A1 (ja) | 表示装置 | |
| WO2023007582A1 (ja) | 表示装置 | |
| WO2023073781A1 (ja) | 表示装置 | |
| WO2023079595A1 (ja) | 表示装置 | |
| WO2022201487A1 (ja) | 表示装置 | |
| WO2023007549A1 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
| WO2023162094A1 (ja) | 表示装置 | |
| WO2022201461A1 (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
| WO2022269756A1 (ja) | 表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 202180101669.8 Country of ref document: CN |