WO2020202293A1 - 表示装置 - Google Patents

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WO2020202293A1
WO2020202293A1 PCT/JP2019/014126 JP2019014126W WO2020202293A1 WO 2020202293 A1 WO2020202293 A1 WO 2020202293A1 JP 2019014126 W JP2019014126 W JP 2019014126W WO 2020202293 A1 WO2020202293 A1 WO 2020202293A1
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WO
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layer
insulating film
display device
interlayer insulating
film
Prior art date
Application number
PCT/JP2019/014126
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English (en)
French (fr)
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信介 齋田
市川　伸治
遼佑 郡司
達 岡部
彬 井上
芳浩 仲田
浩治 神村
Original Assignee
シャープ株式会社
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Publication date
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Priority to US17/442,564 priority patent/US12082449B2/en
Priority to PCT/JP2019/014126 priority patent/WO2020202293A1/ja
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Definitions

  • the present invention relates to a display device.
  • the organic EL element is provided, for example, on the organic EL layer including the light emitting layer, the first electrode provided on one surface side of the organic EL layer, and the other surface side of the organic EL layer. It is equipped with a second electrode.
  • Patent Document 1 discloses an organic electroluminescence display panel in which an organic EL layer and a second electrode formed by a vapor deposition method are separated by a partition wall having a reverse tapered portion.
  • an island-shaped non-display area is provided inside the display area for displaying an image, for example, in order to arrange a camera, a fingerprint sensor, or the like, and the non-display area penetrates in the thickness direction. It is desired to provide a through hole to be provided. However, since the common functional layer formed by the vapor deposition method is arranged in the display area, if the above-mentioned through hole is provided inside the display area, the common functional layer exposed from the through hole is provided. , Moisture may flow into the display area.
  • the organic EL layer constituting the organic EL element deteriorates, so that it is necessary to separate the display region side and the through hole side around the through hole to form a common functional layer. It is technically difficult to fabricate a vapor deposition mask so that a common functional layer is not formed in the through hole inside the display area and the peripheral portion thereof.
  • a common functional layer is not formed in the through hole inside the display area and the peripheral portion thereof.
  • the present invention has been made in view of this point, and an object of the present invention is to form a common functional layer at low cost by separating the display area side and the through hole side.
  • a display area for displaying an image, a frame area around the display area, and an island-shaped non-display area inside the display area are defined.
  • Each of the light emitting elements includes a light emitting element layer in which a plurality of light emitting elements are arranged corresponding to pixels, and a sealing film provided on the light emitting element layer and including at least one sealing insulating film.
  • the first electrode, the functional layer, and the second electrode are laminated in this order, and a through hole penetrating in the thickness direction of the base substrate is formed in the non-display region.
  • a separation wall is provided in a frame shape along the peripheral edge of the through hole, and the separation wall is a wall base provided in a frame shape by a part of the second interlayer insulating film and the through hole on the wall base.
  • the second interlayer insulating film is provided with a resin layer provided in a ridge shape so as to project to the side and the display region side, and the second interlayer insulating film is upwardly around the through hole side and the display region side of the wall base.
  • the functional layer includes a common functional layer commonly provided for the plurality of subpixels, and the common functional layer extends from the display region to the through hole.
  • the resin layer is provided on the layer and is separated at the lower peripheral end of the through hole side and the display region side of the resin layer.
  • the separation wall is provided in a frame shape provided by a part of the second interlayer insulating film and in an eaves shape so as to project on the through hole side and the display region side on the wall base portion. Since the second interlayer insulating film is provided with an opening that opens upward around the through hole side and the display area side of the wall base, the display area side and the through hole side are provided.
  • the common functional layer can be formed at low cost.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view of a display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the organic EL display device along the lines III-III in FIG.
  • FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of a thin film transistor layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of an organic EL layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the frame region of the organic EL display device along the VI-VI line in FIG. FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of a frame region of the organic EL display device along lines VII-VII in FIG.
  • FIG. 8 is a plan view of a non-display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention and its surroundings.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of a non-display area of the organic EL display device along the IX-IX line in FIG.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of a separation wall constituting an organic EL display device in which the region A in FIG. 9 is enlarged.
  • FIG. 11 is a plan view of a resist pattern used when forming a separation wall constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of a first modification of the separation wall constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention, and is a view corresponding to FIG.
  • FIG. 13 is a plan view of the non-display area of the organic EL display device of the first modification and its surroundings, and is a view corresponding to FIG.
  • FIG. 14 is a plan view of a resist pattern used when forming a first modification of the separation wall constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view of a second modification of the separation wall constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention, and is a view corresponding to FIG. FIG.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view of a third modification of the separation wall constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention, and is a view corresponding to FIG.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view of a fourth modification of the separation wall constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention, and is a view corresponding to FIG.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view of a fifth modification of the separation wall constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention, and is a view corresponding to FIG.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view of a sixth modification of the separation wall constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention, and is a view corresponding to FIG.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device 50 of the present embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view of the display area D of the organic EL display device 50.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the organic EL display device 50 along the lines III-III in FIG.
  • FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the thin film transistor layer 20 constituting the organic EL display device 50. Further, FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the organic EL layer 23 constituting the organic EL display device 50.
  • 6 and 7 are cross-sectional views of the frame region F of the organic EL display device 50 along the lines VI-VI and VII-VII in FIG.
  • FIG. 8 is a plan view of the non-display area N of the organic EL display device 50 and its surroundings.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of a non-display region N of the organic EL display device 50 along the IX-IX line in FIG.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of the separation wall Ea constituting the organic EL display device 50 in which the region A in FIG. 9 is enlarged.
  • the organic EL display device 50 includes, for example, a display area D provided in a rectangular shape for displaying an image, and a frame area F provided in a rectangular frame shape around the display area D. ing.
  • the rectangular display area D is illustrated, but the rectangular shape includes, for example, a shape in which the sides are arcuate, a shape in which the corners are arcuate, and a part of the sides.
  • a substantially rectangular shape such as a shape with a notch is also included.
  • a plurality of sub-pixels P are arranged in a matrix in the display area D. Further, in the display area D, as shown in FIG. 2, for example, a sub-pixel P having a red light emitting region Lr for displaying red, and a sub pixel P having a green light emitting region Lg for displaying green, And sub-pixels P having a blue light emitting region Lb for displaying blue are provided so as to be adjacent to each other. In the display area D, for example, one pixel is composed of three adjacent sub-pixels P having a red light emitting region Lr, a green light emitting region Lg, and a blue light emitting region Lb. Further, as shown in FIG.
  • a non-display area N is provided in an island shape inside the display area D.
  • the non-display area N is provided with a through hole H penetrating in the thickness direction of the resin substrate layer 10 described later, for example, in order to arrange a camera, a fingerprint sensor, or the like. There is.
  • the detailed structure of the non-display area N will be described later with reference to FIGS. 8 to 10.
  • the terminal portion T is provided so as to extend in one direction (vertical direction in the figure). Further, in the frame area F, as shown in FIG. 1, on the display area D side of the terminal portion T, the vertical direction in the drawing is used as the axis of bending, and the bending is possible, for example, 180 ° (U-shape).
  • the portion B is provided so as to extend in one direction (vertical direction in the figure).
  • the flattening film 19a which will be described later, is provided with a substantially C-shaped trench G so as to penetrate the flattening film 19a, as shown in FIGS. 1, 3 and 6. ..
  • the trench G is provided in a substantially C shape so that the terminal portion T side opens in a plan view.
  • the organic EL display device 50 includes a resin substrate layer 10 provided as a base substrate and a thin film transistor provided on the resin substrate layer 10.
  • a layer 20 (hereinafter, also referred to as a TFT), an organic EL element layer 30 provided on the TFT layer 20, and a sealing film 40 provided on the organic EL element layer are provided.
  • the resin substrate layer 10 is made of, for example, a polyimide resin or the like.
  • the TFT layer 20 includes a base coat film 11, a semiconductor layer 12a (12b), a gate insulating film 13, and a first metal, which are sequentially provided on the resin substrate layer 10. It includes a layer, a first interlayer insulating film 15, a second metal layer, a second interlayer insulating film 17, a third metal layer, and a flattening film 19a.
  • the first metal layer constitutes a gate wire 14, a gate electrode 14a () 14b, and a lower conductive layer 14c, which will be described later.
  • the second metal layer constitutes an upper conductive layer 16 which will be described later.
  • the third metal layer constitutes a source wire 18f, a power supply line 18g, a source electrode 18a (18c), a drain electrode 18b (18d), a first frame wiring 18h, a second frame wiring 18i, and a routing wiring 18j, which will be described later. ing.
  • the wiring configuration described above is an example and does not limit the present invention.
  • the TFT layer 20 is provided on a plurality of first TFTs 9a, a plurality of second TFTs 9b and a plurality of capacitors 9c provided on the base coat film 11, and on each of the first TFT 9a, each second TFT 9b and each capacitor 9c.
  • the flattening film 19a is provided.
  • a plurality of gate lines 14 are provided so as to extend parallel to each other in the lateral direction in the drawing.
  • a plurality of source lines 18f are provided so as to extend parallel to each other in the vertical direction in the drawing.
  • a plurality of power lines 18g are provided so as to extend in parallel with each other in the vertical direction in the drawing. As shown in FIG. 2, each power supply line 18g is provided so as to be adjacent to each source line 18f. Further, in the TFT layer 20, as shown in FIG. 4, a sub-pixel circuit is provided in the sub-pixel P so as to correspond to the intersection of the gate line 14 and the source line 18f. The sub-pixel circuit is provided with a first TFT 9a, a second TFT 9b, and a capacitor 9c.
  • the semiconductor layer 12a constituting the first TFT 9a and the semiconductor layer 12b constituting the second TFT 9b are formed of a low-temperature polysilicon film, an oxide semiconductor film, or the like.
  • the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 are composed of, for example, a single-layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride.
  • the second interlayer insulating film 17 includes a lower second interlayer insulating film 17a provided on the first interlayer insulating film 15 and an upper second interlayer insulating film 17a provided on the lower second interlayer insulating film 17a. It includes a film 17b.
  • the lower second interlayer insulating film 17a and the upper second interlayer insulating film 17b are made of different inorganic insulating films made of, for example, a silicon oxide film or a silicon nitride film.
  • the top gate type first TFT 9a and the second TFT 9b are illustrated, but the first TFT 9a and the second TFT 9b may be a bottom gate type TFT.
  • the capacitor 9c is electrically connected to the corresponding first TFT 9a and the power supply line 18g in each sub-pixel P.
  • the capacitor 9c includes a lower conductive layer 14c and an upper conductive layer 16 provided so as to face each other via the first interlayer insulating film 15.
  • the upper conductive layer 16 is electrically connected to the power supply line 18g via a contact hole formed in the second interlayer insulating film 17.
  • the flattening film 19a is made of a positive photosensitive resin such as a polyimide resin.
  • the organic EL element layer 30 includes a plurality of organic EL elements 25 provided as a plurality of light emitting elements arranged in a matrix corresponding to a plurality of sub-pixels P on the flattening film 19a. ing.
  • the organic EL element 25 includes a first electrode 21a provided on the flattening film 19a, an edge cover 22a provided so as to cover the peripheral end of the first electrode 21, and a first electrode. It includes an organic EL layer 23 provided as a functional layer on the electrode 21a, and a second electrode 24 provided on the organic EL layer 23.
  • the first electrode 21a is electrically connected to the drain electrode 18d of the second TFT 9b of each sub-pixel P via a contact hole formed in the flattening film 19a. Further, the first electrode 21a has a function of injecting holes into the organic EL layer 23. Further, the first electrode 21a is more preferably formed of a material having a large work function in order to improve the hole injection efficiency into the organic EL layer 23.
  • examples of the material constituting the first electrode 21a include silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), and gold (Au).
  • the material constituting the first electrode 21a may be, for example, an alloy such as astatine (At) / oxidized astatine (AtO 2 ). Further, the material constituting the first electrode 21a is, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), or indium zinc oxide (IZO). There may be. Further, the first electrode 21a may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials. Examples of the compound material having a large work function include indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO).
  • the edge cover 22a is provided in a grid pattern so as to be common to the entire display area D.
  • examples of the material constituting the edge cover 22a include positive photosensitive resins such as polyimide resin, acrylic resin, polysiloxane resin, and novolak resin.
  • a part of the surface of the edge cover 22a is an island-shaped pixel photo spacer that projects upward in the drawing.
  • the organic EL layer 23 includes a hole injection layer 1, a hole transport layer 2, a light emitting layer 3, an electron transport layer 4, and an electron injection layer 5 which are sequentially provided on the first electrode 21a. ing.
  • the hole injection layer 1 is also called an anode buffer layer, and has a function of bringing the energy levels of the first electrode 21a and the organic EL layer 23 closer to each other and improving the hole injection efficiency from the first electrode 21a to the organic EL layer 23. It has and is provided as a common functional layer common to a plurality of sub-pixels P.
  • the material constituting the hole injection layer 1 for example, a triazole derivative, an oxadiazole derivative, an imidazole derivative, a polyarylalkane derivative, a pyrazoline derivative, a phenylenediamine derivative, an oxazole derivative, a styrylanthracene derivative, a fluorenone derivative, Examples include hydrazone derivatives and stillben derivatives.
  • the common functional layer is a functional layer formed by using a CMM (common metal mask). Since this CMM is a mask provided with one opening corresponding to one display device, it is not possible to provide a pattern for shielding the region corresponding to the through hole.
  • the common functional layer is also deposited in the region corresponding to the through hole.
  • the individual functional layer is a functional layer formed by using FMM (fine metal mask). This FMM is a mask in which openings are provided for each color (including, for example, a functional layer common to red and green).
  • the functional layer includes a hole transport layer 2, a light emitting layer 3, an electron transport layer 4, an electron injection layer 5, a blocking layer, a cap layer, and the like.
  • the hole transport layer 2 has a function of improving the hole transport efficiency from the first electrode 21a to the organic EL layer 23, and is provided as a common functional layer common to a plurality of sub-pixels P.
  • the material constituting the hole transport layer 2 include a porphyrin derivative, an aromatic tertiary amine compound, a styrylamine derivative, polyvinylcarbazole, a poly-p-phenylene vinylene, a polysilane, a triazole derivative, and an oxadiazole.
  • Derivatives imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amine-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stillben derivatives, hydride amorphous silicon, Examples thereof include hydride amorphous silicon carbide, zinc sulfide, and zinc selenium.
  • the light emitting layer 3 is provided as an individual functional layer, and when a voltage is applied by the first electrode 21a and the second electrode 24, holes and electrons are injected from the first electrode 21a and the second electrode 24, respectively, and the light emitting layer 3 is positive. It is a region where holes and electrons are recombined.
  • the light emitting layer 3 is formed of a material having high luminous efficiency. Examples of the material constituting the light emitting layer 3 include a metal oxinoid compound [8-hydroxyquinolin metal complex], a naphthalene derivative, an anthracene derivative, a diphenylethylene derivative, a vinylacetone derivative, a triphenylamine derivative, a butadiene derivative, and a coumarin derivative.
  • the electron transport layer 4 has a function of efficiently moving electrons to the light emitting layer 3, and is provided as a common functional layer common to a plurality of sub-pixels P.
  • the material constituting the electron transport layer 4 for example, as an organic compound, an oxadiazole derivative, a triazole derivative, a benzoquinone derivative, a naphthoquinone derivative, an anthraquinone derivative, a tetracyanoanthracinodimethane derivative, a diphenoquinone derivative, and a fluorenone derivative , Cyrol derivatives, metal oxinoid compounds and the like.
  • the electron injection layer 5 has a function of bringing the energy levels of the second electrode 24 and the organic EL layer 23 closer to each other and improving the efficiency of injecting electrons from the second electrode 24 into the organic EL layer 23.
  • the drive voltage of the organic EL element 25 can be lowered.
  • the electron injection layer 5 is also called a cathode buffer layer, and is provided as a common functional layer common to a plurality of sub-pixels P.
  • examples of the material constituting the electron injection layer 5 include lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), and barium fluoride. Examples thereof include inorganic alkaline compounds such as (BaF 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), strontium oxide (SrO) and the like.
  • the common functional layer described above is an example, and any layer may be an individual functional layer. Further, for example, when a light emitting layer that emits ultraviolet light or blue light is color-converted by a QLED (Quantum-dot light emission diode) or the like to form a display device, the light emitting layer 3 is provided as a common functional layer. You may.
  • the second electrode 24 covers each organic EL layer 23 and the edge cover 22a and is provided so as to be common to the plurality of sub-pixels P. Further, the second electrode 24 has a function of injecting electrons into the organic EL layer 23. Further, the second electrode 24 is more preferably made of a material having a small work function in order to improve the efficiency of electron injection into the organic EL layer 23.
  • the material constituting the second electrode 24 include silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), and gold (Au).
  • the second electrode 24 is, for example, magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), asstatin (At) / oxidized asstatin (AtO 2).
  • the second electrode 24 may be formed of, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). .. Further, the second electrode 24 may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials.
  • Examples of materials having a small work function include magnesium (Mg), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), and sodium.
  • (Na) / potassium (K) lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al) And so on.
  • the sealing film 40 is opposite to the lower-layer sealing insulating film 36 provided on the resin substrate layer 10 side so as to cover the second electrode 24 and the resin substrate layer 10.
  • the upper layer sealing insulating film 38 provided on the side and the organic insulating film 37 provided between the lower layer sealing insulating film 36 and the upper layer sealing insulating film 38 are provided, and the organic EL layer 23 is separated from moisture, oxygen, etc. It has a function to protect.
  • the lower layer sealing insulating film 36 and the upper layer sealing insulating film 38 are nitrided, for example, such as silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), and trisilicon tetranitride (Si 3 N 4 ).
  • the organic insulating film 37 is made of an organic material such as an acrylic resin, a polyurea resin, a parylene resin, a polyimide resin, and a polyamide resin.
  • the organic EL display device 50 is provided in a frame shape so as to surround the display area D and overlap the peripheral end of the organic insulating film 37 in the frame area F. It includes a wall Wa and a second external dam wall Wb provided in a frame shape so as to surround the first external dam wall Wa.
  • the first outer dam wall Wa has a first resin layer 19b formed of the same material as the flattening film 19a and a first conductive layer 21b on the first resin layer 19b. It is provided with a second resin layer 22c formed in the same layer as the edge cover 22a by the same material.
  • the first conductive layer 21b has a substantially C shape so as to overlap the trench G, the first outer dam wall Wa, and the second outer dam wall Wb in the frame region F. It is provided.
  • the second conductive layer 21b is formed of the same material as the first electrode 21a.
  • the second outer dam wall Wb is formed on the first resin layer 19c and the first resin layer 19c formed of the same material as the flattening film 19a via the first conductive layer 21b.
  • the edge cover 22a and the second resin layer 22d formed in the same layer with the same material are provided.
  • the first outer dam wall Wa and the second outer dam wall Wb were formed in the same layer as the resin layer formed of the same material as the flattening film 19a or the same material as the edge cover 22a. It may be formed of one layer of a resin layer.
  • the first outer dam wall Wa is formed of one resin layer formed of the same material as the edge cover 22a
  • the second outer dam wall Wb is made of the same material as the flattening film 19a. It may be formed of two layers of the first resin layer 19c formed in the above and the second resin layer 22d formed in the same layer by the same material as the edge cover 22a.
  • the organic EL display device 50 surrounds the display area D in the frame area F so as to overlap the first external dam wall Wa and the second external dam wall Wb.
  • a first frame wiring 18h provided on the outside of the trench G in a substantially C shape is provided.
  • the first frame wiring 18h is electrically connected to the power supply terminal to which the low power supply voltage (ELVSS) is input at the terminal portion T.
  • the first frame wiring 18h is electrically connected to the second electrode 24 via the second conductive layer 21b.
  • the organic EL display device 50 includes a second frame wiring 18i provided in a substantially C shape inside the trench G in the frame region F.
  • the second frame wiring 18i is electrically connected to the power supply terminal to which the high power supply voltage (EL VDD) is input at the terminal portion T.
  • the second frame wiring 18i is electrically connected to a plurality of power supply lines 18g arranged in the display area D on the display area D side.
  • the organic EL display device 50 has a slit S formed in the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 in the bent portion B.
  • a lower layer flattening film 8a provided so as to be filled, a plurality of routing wires 18j provided on the lower layer flattening film 8a and the second interlayer insulating film 17, and a wiring coating provided so as to cover each routing wiring 18j. It has a layer 19d.
  • the slit S penetrates the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 so as to expose the surface of the resin substrate layer 10. It is provided in a groove shape that penetrates along the extending direction of the bent portion B.
  • the lower flattening film 8a is made of an organic resin material such as a polyimide resin.
  • the plurality of routing wires 18j are provided so as to extend parallel to each other in a direction orthogonal to the extending direction of the bent portion B.
  • both ends of the routing wiring 18j are connected to the first gate conductive layer via the contact holes formed in the laminated films of the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17. It is electrically connected to the 14c and the second gate conductive layer 14d, respectively.
  • the routing wiring 18j is formed of the same material as the source line 18f and the power supply line 18g in the same layer. Further, as shown in FIG.
  • the first gate conductive layer 14c is provided between the gate insulating film 13 and the first interlayer insulating film 15, and the signal wiring (gate line 14, source line 18f, etc.) extending to the display area D is provided. ) Is electrically connected.
  • the second gate conductive layer 14d is provided between the gate insulating film 13 and the first interlayer insulating film 15, and is electrically connected to, for example, the signal terminal of the terminal portion T. ..
  • the wiring coating layer 19d is formed in the same layer as the flattening film 19a with the same material.
  • the organic EL display device 50 has an island shape so as to project upward in the figure on the flattening film 19a in the frame region F and the non-display region N.
  • a plurality of peripheral photo spacers 22b provided in the above are provided.
  • each peripheral photo spacer 22b is formed in the same layer with the same material as the edge cover 22a.
  • the peripheral photo spacer may be formed by laminating a resin layer formed of the same material as the edge cover 22a in the same layer and another resin layer.
  • the organic EL display device 50 includes a separation wall Ea provided in a circular frame shape along the peripheral edge of the through hole H in the non-display area N.
  • the separation wall Ea includes a wall base portion Ua provided in a circular frame shape by a part of the upper second interlayer insulating film 17b, and a through hole H side and a display area on the wall base portion Ua. It is provided with a resin layer 19e provided in an eaves shape so as to project toward the D side.
  • the wall base portion Ua is arranged between the display region side opening Md and the through hole side opening Mh, which are provided on the surface of the second interlayer insulating film 17 in a circular frame shape in a plan view, respectively. It is composed of a part of the second interlayer insulating film 17. That is, as shown in FIG. 10, the wall base Ua has the display region side opening Md (see FIG. 8) and the through hole side opening Mh (see FIG. 8) on the surface of the second interlayer insulating film 17 in a plan view. By forming each in a circular frame shape, it is provided on the surface layer of the second interlayer insulating film 17. Therefore, as shown in FIG.
  • the second interlayer insulating film 17 is provided with a display area side opening Md that opens upward around the display area D side of the wall base Ua in a circular frame shape in a plan view.
  • a through-hole side opening Mh that opens upward around the through-hole H side of the wall base Ua is provided in a circular frame shape in a plan view.
  • the display region side opening Md and the through hole side opening Mh penetrate the upper second interlayer insulating film 17b through the upper second interlayer insulating film 17b, and the lower second interlayer insulating film 17b is penetrated. Each is provided so as to expose the interlayer insulating film 17a.
  • the broken line Md indicates the peripheral edge of the display area side opening Md provided in a circular frame shape on the display area D side, and the broken line Mh penetrates the through hole side opening Mh provided in a circular frame shape.
  • the peripheral edge on the hole H side is shown.
  • the resin layer 19e is formed of the same material as the flattening film 19a provided on the organic EL element layer 30 side of the TFT layer 20.
  • both side surfaces of the resin layer 19e are inclined in a forward taper shape in which the width between the both side surfaces gradually increases toward the resin substrate layer 10.
  • the second electrode 24 (hole injection layer 1, hole transport layer 2, electron transport layer 4 and electron injection layer 5) is a through hole from the display region D as shown in FIG. It is provided on the resin layer 19e so as to extend over H, and is separated at each peripheral end lower portion of the resin layer 19e on the through hole H side and the display area D side.
  • the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, the electron transport layer 4 and the electron injection layer 5 are not shown in FIG. 10, the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, and the electron transport layer 4 are not shown.
  • the common functional layer including the electron injection layer 5 and the electron injection layer 5 are separated from each other at the lower peripheral ends of the resin layer 19e on the through hole H side and the display region D side, similarly to the second electrode 24.
  • the lower second interlayer insulating film 17a constituting the TFT layer 20 and the lower layer sealing constituting the sealing film 40 are formed.
  • the insulating film 36 is in contact with each other.
  • the lower layer sealing insulating film 36, the second interlayer insulating film 17 (upper second interlayer insulating film 17b), and the resin layer 19e A space V is provided so as to be surrounded by.
  • the organic EL display device 50 is provided in the non-display area N on the display area D side of the separation wall Ea in a circular frame shape along the periphery of the separation wall Ea. It includes a first internal dam wall Wc and a second internal dam wall Wd.
  • the first internal dam wall Wc is provided on the first resin layer 19e and the first resin layer 19e formed in the same layer as the flattening film 19a, and the edge cover 22a. It is provided with a second resin layer 22e formed in the same layer with the same material.
  • the internal first dam wall Wc is provided so as to overlap the peripheral end portion of the organic insulating film 37 constituting the sealing film 40 on the display region D side of the non-display region N. Has been done.
  • the second internal dam wall Wd is provided on the first resin layer 19f and the first resin layer 19f formed in the same layer as the flattening film 19a, and the edge cover 22a. It is provided with a second resin layer 22f formed in the same layer with the same material.
  • the second internal dam wall Wd is provided between the first internal dam wall Wc and the separation wall Ea in the non-display region N.
  • the first internal dam wall Wc and the second internal dam wall Wd were formed in the same layer as the resin layer formed of the same material as the flattening film 19a or the same material as the edge cover 22a. It may be formed of one layer of a resin layer.
  • the first internal dam wall Wc is formed of one layer of a resin layer formed in the same layer as the edge cover 22a with the same material
  • the second internal dam wall Wd is formed with the same material as the flattening film 19a. It may be formed of two layers of the first resin layer 19f formed in the above and the second resin layer 22f formed in the same layer by the same material as the edge cover 22a.
  • the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 are provided so as not to reach the end face of the through hole H as shown in FIG.
  • a semiconductor layer 12c is provided as an etch stopper so as to be exposed from the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17. ing.
  • the semiconductor layer 12c is formed of the same material as the semiconductor layers 12a and 12b. Further, FIG.
  • the base coat film 11 and the semiconductor layer 12c remain as the inorganic film of the TFT layer 20 on the peripheral edge of the through hole H, but only the base coat film 11 remains.
  • the base coat film 11 and the semiconductor layer 12c may be provided so as not to reach the end surface of the through hole H so that the resin substrate layer 10 is exposed.
  • the organic EL display device 50 described above turns on the first TFT 9a by inputting a gate signal to the first TFT 9a via the gate line 14 in each sub-pixel P, and turns on the first TFT 9a, and the gate electrode of the second TFT 9b via the source line 18f.
  • a data signal to the 14b and the capacitor 9c and supplying a current from the power supply line 18g corresponding to the gate voltage of the second TFT 9b to the organic EL layer 23
  • the light emitting layer 3 of the organic EL layer 23 emits light, and the image It is configured to display.
  • the gate voltage of the second TFT 9b is held by the capacitor 9c, so that the light emitting layer 3 emits light until the gate signal of the next frame is input. Be maintained.
  • the method for manufacturing the organic EL display device 50 of the present embodiment includes a TFT layer forming step, an organic EL element layer forming step, a sealing film forming step, a flexible forming step, and a through hole forming step.
  • FIG. 11 is a plan view of the resist pattern Ra used when forming the separation wall Ea constituting the organic EL display device 50.
  • the base coat film 11, the first TFT 9a, the second TFT 9b, the capacitor 9c, and the flattening film 19a are formed on the surface of the resin substrate layer 10 formed on the glass substrate by a well-known method to form the TFT layer 20. Form.
  • the resin layer 19e is formed in a circular frame shape in the non-display region N.
  • the first electrode 21a, the edge cover 22a, and the organic EL layer 23 are used by a well-known method.
  • the organic EL element 25 is formed by forming the layer 2, the light emitting layer 3, the electron transport layer 4, the electron injection layer 5) and the second electrode 24, and the organic EL element layer 30 is formed.
  • the protective resist formed to protect the substrate surface until the vapor deposition step of the next step is used as the resist pattern Ra (hatched portion in FIG. 11).
  • the resist pattern Ra has a circular frame-shaped through hole so that the periphery of the resin layer 19e on the through hole G side and the periphery of the display area D side are exposed in the non-display region N. Rh is provided. Then, by removing the upper second interlayer insulating film 17b exposed from the through hole Rh of the resist pattern Ra by dry etching, the display region side opening Md and the through hole side opening Mh are formed, and the wall base portion Ua To form.
  • a separation wall Ea having a wall base Ua and a resin layer 19e is formed.
  • the organic EL layer 23 hole injection layer 1, hole transport layer 2, light emitting layer 3, electron transport layer 4, electron injection layer 5) and the second electrode 24 are deposited by a vapor deposition method.
  • the organic EL layer 23 and the second electrode 24 are formed by the vapor deposition method, the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, the electron transport layer 4, and the electron injection layer 5 constituting the organic EL layer 23 are formed.
  • the second electrode 24 is formed by being separated from each other by a step at each peripheral lower portion of the resin layer 19e on the through hole H side and the display region D side.
  • an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon oxynitride film is used on the surface of the substrate on which the organic EL element layer 30 formed in the organic EL element layer forming step is formed. Is formed into a film by a plasma CVD (chemical vapor deposition) method to form a lower layer sealing insulating film 36.
  • a plasma CVD chemical vapor deposition
  • an organic resin material such as an acrylic resin is formed on the surface of the substrate on which the lower layer sealing insulating film 36 is formed by, for example, an inkjet method to form the organic insulating film 37.
  • an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon oxynitride film is formed by a plasma CVD method using a mask to form an upper layer.
  • the sealing film 40 is formed by forming the sealing insulating film 38.
  • the resin substrate layer 10 is irradiated with laser light from the glass substrate side of the resin substrate layer 10.
  • the glass substrate is peeled off from the lower surface of the resin substrate layer 10, and a protective sheet (not shown) is attached to the lower surface of the resin substrate layer 10 from which the glass substrate has been peeled off.
  • ⁇ Through hole forming process> Irradiating the region overlapping the semiconductor layer 12c inside the separation wall Ea provided in the shape of a circular frame on the resin substrate layer 10 from which the glass substrate has been peeled off in the flexible step, for example, while scanning the laser beam in a ring shape. To form a through hole H.
  • the organic EL display device 50 of the present embodiment can be manufactured.
  • the organic EL display device 50 in which the separation wall Ea is provided in the non-display region N is illustrated, but the organic EL display device in which the separation walls Eb to Eg are provided instead of the separation wall Ea is illustrated. It may be.
  • the first to sixth modified examples using the separation walls Eb to Eg will be described below.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of the separation wall Eb, which is a first modification of the separation wall Ea, and is a view corresponding to FIG.
  • FIG. 13 is a plan view of the non-display region N of the first modification and its surroundings, and is a diagram corresponding to FIG.
  • FIG. 14 is a plan view of the resist pattern Rb used when forming the separation wall Eb.
  • the same parts as those in FIGS. 1 to 11 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
  • the separation wall Eb has a wall base portion Ub provided in a circular frame shape by a part of the upper second interlayer insulating film 17b, and a through hole H side and a display region D side on the wall base portion Ub. It is provided with a resin layer 19e provided in an eaves shape so as to protrude.
  • the wall base Ub has a display region side opening Md (see FIG. 13) provided in a circular frame shape in a plan view on the surface of the second interlayer insulating film 17, and a circular frame in a plan view. It is composed of a part of the second interlayer insulating film 17 arranged between the through-hole side openings Mh provided in a shape.
  • the second interlayer insulating film 17 is provided with a display area side opening Md that opens upward around the display area D side of the wall base Ub in a circular frame shape in a plan view.
  • a through-hole side opening Mh that opens upward around the through-hole H side of the wall base Ua is provided in a circular frame shape in a plan view.
  • the display region side opening Md and the through hole side opening Mh penetrate the upper second interlayer insulating film 17b through the upper second interlayer insulating film 17b, and the lower second interlayer insulating film 17b is penetrated. Each is provided so as to expose the interlayer insulating film 17a.
  • the display region side opening Md and the through hole side opening Mh are the periphery of the resin layer 19e on the through hole G side and the periphery of the display region D side, as shown in FIG. 13, instead of the resist pattern Ra described above.
  • the through hole side opening Mh is formed so as to reach the through hole H as shown in FIG. 13
  • the broken line Md indicates the peripheral edge of the display area side opening Md provided in the shape of a circular frame on the display area D side, and as described above, the through hole side opening Mh reaches the through hole H. Since it is formed as follows, the broken line Mh shown in FIG. 8 does not exist. Further, as shown in FIG. 14, the display region side opening Md is provided so as to coincide with the through hole Rh of the resist pattern Rb.
  • the organic EL display device provided with the separation wall Eb having the above configuration, since the through hole side opening Mh is provided so as to reach the through hole H, the inorganic film of the portion forming the through hole H is thin. Therefore, the formation of the through hole H can be facilitated.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view of the separation wall Ec, which is a second modification of the separation wall Ea, and is a view corresponding to FIG.
  • the separation wall Ec has a wall base portion Ub provided in a circular frame shape by a part of the second interlayer insulating film 17, and projects on the wall base portion Ub toward the through hole H side and the display area D side. It is provided with a resin layer 19e provided in an eaves shape so as to perform the above.
  • the display region side opening Md and the through hole side opening Mh penetrate the second interlayer insulating film 17 through the second interlayer insulating film 17 to expose the first interlayer insulating film 15. It is provided in each.
  • the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are made of different inorganic insulating films, one of which is made of a silicon oxide film and the other of which is made of a silicon nitride film, for example.
  • the display region side opening Md and the through hole side opening Mh are formed by removing the exposed second interlayer insulating film 17 by using the resist pattern Rb as in the first modification described above. be able to. As a result, the through hole side opening Mh is formed so as to reach the through hole H as shown in FIG.
  • the first interlayer insulating film 15 constituting the TFT layer 20 and the lower layer sealing insulating film 36 forming the sealing film 40 are in contact with each other. Further, in the display region side opening Md and the through hole side opening Mh, as shown in FIG. 15, the space V is surrounded by the lower layer sealing insulating film 36, the second interlayer insulating film 17, and the resin layer 19e. It is provided.
  • the through-hole side opening Mh is provided so as to reach the through-hole H, so that the inorganic film of the portion forming the through-hole H is formed. It becomes thinner and the through hole H can be easily formed.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view of the separation wall Ed, which is a third modification of the separation wall Ea, and is a view corresponding to FIG.
  • the separation wall Ed has a wall base portion Ub provided in a circular frame shape by a part of the upper second interlayer insulating film 17b, and a through hole H side and a display region D side on the wall base portion Ub. It includes a lower layer resin layer 19e provided in an eaves shape so as to protrude, and an upper layer resin layer 22 g provided on the lower layer resin layer 19e.
  • the display region side opening Md and the through hole side opening Mh penetrate the upper second interlayer insulating film 17b through the upper second interlayer insulating film 17b, and the lower second interlayer insulating film 17a Each is provided so as to expose.
  • the upper second interlayer insulating film 17b exposed from the resist pattern Rb is removed by using the resist pattern Rb as in the first modification described above. Thereby, it can be formed.
  • the through hole side opening Mh is formed so as to reach the through hole H as shown in FIG.
  • the lower resin layer 19e has substantially the same structure as the resin layer 19e described above.
  • the upper resin layer 22g is formed in the same layer with the same material as the edge cover 22a.
  • both side surfaces of the upper resin layer 22 g are inclined in a forward taper shape in which the width between the both side surfaces gradually increases toward the resin substrate layer 10.
  • the lower second interlayer insulating film 17a constituting the TFT layer 20 and the lower layer sealing insulating film forming the sealing film 40 36 are in contact with each other. Further, in the display region side opening Md and the through hole side opening Mh, as shown in FIG. 16, the lower layer sealing insulating film 36, the second interlayer insulating film 17 (upper second interlayer insulating film 17b), and the lower layer resin layer A space V is provided so as to be surrounded by 19e.
  • the organic EL display device provided with the separation wall Ed having the above configuration, since the through hole side opening Mh is provided so as to reach the through hole H, the inorganic film of the portion forming the through hole H is thin. Therefore, the formation of the through hole H can be facilitated.
  • the path to the display region D of the lower layer sealing insulating film 36 and the upper layer sealing insulating film 38 becomes longer, so that the lower layer sealing insulating film 36
  • the propagation of cracks in the upper-layer sealing insulating film 38 can be suppressed, and a separation wall Ed that improves reliability can be formed.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view of the separation wall Ee, which is a fourth modification of the separation wall Ea, and is a view corresponding to FIG.
  • the difference from the third modification is that the resin-filled layer 8b is provided on the resin substrate layer 10 side of the separation wall Ee, and the lower resin layer 19ee is provided on the resin-filled layer 8b. That is.
  • the resin-filled layer 8b is provided so as to fill the openings M formed in the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17. ..
  • the opening M overlaps the separation wall Ee on the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17, and the base coat film 11, It is provided in a frame shape so as to penetrate the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17, and is formed at the same time when the slit S of the bent portion B is formed.
  • the resin-filled layer 8b is formed in the same layer as the lower layer flattening film 8a provided in the bent portion B by the same material, and is formed at the same time when the lower layer flattening film 8a is formed.
  • the lower resin layer 19ee is formed in the same layer as the flattening film 19a with the same material.
  • the lower second interlayer insulating film 17a constituting the TFT layer 20 and the lower layer sealing insulating film forming the sealing film 40 36 are in contact with each other. Further, in the display region side opening Md and the through hole side opening Mh, as shown in FIG. 17, the lower layer sealing insulating film 36, the second interlayer insulating film 17 (upper second interlayer insulating film 17b), and the resin layer 19ee A space V is provided so as to be surrounded by.
  • the openings M formed in the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are filled. Since the resin-filled layer 8b is provided, even if cracks occur in the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 on the through hole H side, the cracks may occur. Propagation of cracks to the display region D side can be suppressed.
  • the resin filling layer 8b is provided so as to overlap the separation wall Ee, even if a structure for suppressing the propagation of cracks is adopted, the distance from the through hole H to the boundary between the non-display region N and the display region D is reached. The distance can be shortened.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view of the separation wall Ef, which is a fifth modification of the separation wall Ea, and is a view corresponding to FIG.
  • the separation wall Ef is composed of the resin layer 22h formed in the same layer with the same material as the edge cover 22a.
  • both side surfaces of the resin layer 22h are inclined in a forward taper shape in which the width between the both side surfaces gradually increases toward the resin substrate layer 10.
  • the display region side opening Md and the through hole side opening Mh are surrounded by the lower layer sealing insulating film 36, the second interlayer insulating film 17 (upper second interlayer insulating film 17b), and the resin layer 22h.
  • Space V is provided so as to be used.
  • the organic EL display device provided with the separation wall Ef having the above configuration, since the through hole side opening Mh is provided so as to reach the through hole H, the inorganic film of the portion forming the through hole H is thin. Therefore, the formation of the through hole H can be facilitated.
  • the separation wall Ef that improves reliability not only when the flattening film 19a is used as in the present embodiment but also when the edge cover 22a is used. Can be formed.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view of the separation wall Eg, which is a sixth modification of the separation wall Ea, and is a view corresponding to FIG.
  • the difference from the fourth modification is that the metal layer 18k is provided between the resin filling layer 8b and the lower resin layer 19ee.
  • the metal layer 18k is provided so as to cover the portion of the resin-filled layer 8b protruding from the second interlayer insulating film 17.
  • the metal layer 18k is composed of the third metal layer.
  • a metal layer 18k having ductility is provided between the resin filling layer 8b and the lower resin layer 19ee, so that, for example, on the through hole H side. Even if the cracks generated in the lower layer sealing insulating film 36 and the upper layer sealing insulating film 38 propagate to the lower resin layer 19ee, it is possible to prevent the cracks from propagating to the resin filling layer 8b.
  • dry etching is performed using the resist pattern Ra provided with the circular frame-shaped through hole Rh to penetrate the through hole H side of the wall base portion Ub.
  • a hole-side opening Mh may be formed.
  • the non-display area N defined in an island shape inside the display area D and in which the through hole H is formed is the peripheral edge of the through hole H.
  • a separation wall Ea is provided in a frame shape along the above.
  • the separation wall Ea has a wall base portion Ua provided in a frame shape by a part of the second interlayer insulating film 17, and an eaves shape so as to project on the wall base portion Ua toward the through hole H side and the display area D side.
  • the resin layer 19e provided in the above is provided.
  • the common functional layer and the second electrode 24 are separated and separated into the display region D side and the through hole H side at the lower portions of the peripheral ends of the resin layer 19e on the through hole H side and the display region D side, respectively. It is formed. Then, after forming the edge cover 22a, the wall base Ua uses a protective resist for protecting the substrate surface until the vapor deposition process as the resist pattern Ra to remove the upper second interlayer insulating film 17b exposed from the resist pattern Ra. Then, it is formed by forming the display region side opening Md and the through hole side opening Mh.
  • the common functional layer and the second electrode 24 can be formed separately on the display region D side and the through hole H side without using a negative type photosensitive material, so that the display region D side and the through hole H side can be formed.
  • the common functional layer and the second electrode 24 can be formed at low cost by being separated from the hole H side.
  • the organic EL display device 50 of the present embodiment in the display region side opening Md and the through hole side opening Mh, the lower second interlayer insulating film 17a of the TFT layer 20 and the lower layer of the sealing film 40 Since the sealing insulating film 36 is in contact with each other, the sealing performance of the sealing film 40 can be ensured, and deterioration of the organic EL element 25 can be suppressed.
  • the space V is provided so as to be surrounded by the lower layer sealing insulating film 36, the upper second interlayer insulating film 17b, and the resin layer 19e. Even if cracks occur in the lower layer sealing insulating film 36 and the upper layer sealing insulating film 38 on the hole H side, the propagation of the cracks to the display region D side can be suppressed.
  • the organic EL display device 50 in which the separation walls Ea to Eg are provided in a circumferential shape along the peripheral edge of the through hole H is illustrated, but the separation walls Ea to Eg are the peripheral edges of the through hole H.
  • a plurality of them may be provided in a circumferential shape along the above.
  • the plurality of separation walls may have different structures from each other, for example, by combining the separation walls Ea to Eg.
  • an organic EL layer having a five-layer laminated structure of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer has been exemplified.
  • the organic EL layer may be, for example, hole injection. It may have a three-layer laminated structure of a layer / hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer / electron injection layer.
  • an organic EL display device in which the first electrode is used as an anode and the second electrode is used as a cathode is illustrated, but in the present invention, the laminated structure of the organic EL layer is inverted and the first electrode is used as a cathode.
  • the present invention can also be applied to an organic EL display device using the second electrode as an anode.
  • an organic EL display device in which the electrode of the TFT connected to the first electrode is used as the drain electrode is illustrated, but in the present invention, the electrode of the TFT connected to the first electrode is used as the source electrode. It can also be applied to an organic EL display device called.
  • the organic EL display device 50 in which the circular through hole H is formed in the plan view is illustrated, but the through hole H has, for example, a polygonal shape such as a rectangular shape in the plan view. May be good.
  • the organic EL display device 50 provided with the sealing film 40 in which the organic insulating film 37 is provided between the lower layer sealing insulating film 36 and the upper layer sealing insulating film 38 has been illustrated.
  • the present invention also applies to an organic EL display device in which an organic vapor deposition film is formed between the lower layer sealing insulating film 36 and the upper layer sealing insulating film 38, and then the organic vapor deposition film is ashed to cover foreign matter with the organic vapor deposition film. Can be applied. According to such a structure of the sealing film, even if a foreign substance is present on the display region, the sealing performance can be ensured by the upper layer sealing insulating film, and the reliability can be improved.
  • the organic EL display device has been described as an example of the display device, but the present invention is not limited to the organic EL display device, and any flexible display device can be applied.
  • it can be applied to a flexible display device provided with a QLED or the like which is a light emitting element using a quantum dot-containing layer.
  • the present invention is useful for flexible display devices.

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Abstract

表示領域の内部に島状に規定され、貫通孔が形成された非表示領域には、貫通孔の周縁に沿って分離壁（Ｅａ）が枠状に設けられ、分離壁（Ｅａ）は、第２層間絶縁膜（１７）の一部により枠状に設けられた壁基部（Ｕａ）と、壁基部（Ｕａ）上に貫通孔側及び表示領域側に突出するように庇状に設けられた樹脂層（１９ｅ）とを備え、第２層間絶縁膜（１７）には、壁基部（Ｕａ）の貫通孔側及び表示領域側の周囲に上方に開口した開口部（Ｍｄ、Ｍｈ）が設けられている。

Description

表示装置
　本発明は、表示装置に関するものである。
　近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（electroluminescence、以下、ＥＬとも称する）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。ここで、有機ＥＬ素子は、例えば、発光層を含む有機ＥＬ層と、その有機ＥＬ層の一方の表面側に設けられた第１電極と、その有機ＥＬ層の他方の表面側に設けられた第２電極とを備えている。
　例えば、特許文献１には、蒸着法により形成される有機ＥＬ層及び第２電極が、逆テーパ状部を有する隔壁によって分割された有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルが開示されている。
特開２００７－２５０５２０号公報
　ところで、有機ＥＬ表示装置では、画像表示を行う表示領域の内部に、例えば、カメラや指紋センサー等を配置させるために、島状の非表示領域を設け、その非表示領域に厚さ方向に貫通する貫通孔を設けることが要望されている。しかしながら、表示領域には、蒸着法により形成される共通機能層が配置されているので、表示領域の内部に上述した貫通孔が設けられていると、貫通孔から露出する共通機能層を介して、表示領域に水分等が流入するおそれがある。そうなると、有機ＥＬ素子を構成する有機ＥＬ層が劣化してしまうので、貫通孔の周辺で表示領域側と貫通孔側とに分離して共通機能層を形成する必要がある。なお、表示領域の内部の貫通孔及びその周辺部に共通機能層が形成されないように蒸着マスクを作製することは、技術的に困難である。ここで、表示領域側と貫通孔側とに分離して共通機能層を形成するために、上記特許文献１に記載された逆テーパ状の構造体を用いることは有効であるものの、逆テーパ状の構造体には、ネガ型の感光性材料が必要になり、製造コストが高くなるので、改善の余地がある。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、表示領域側と貫通孔側とに分離して共通機能層を低コストで形成することにある。
　上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、画像表示を行う表示領域、該表示領域の周囲に額縁領域、及び該表示領域の内部に島状の非表示領域がそれぞれ規定されたベース基板と、上記ベース基板上に設けられ、順に積層された第１層間絶縁膜及び第２層間絶縁膜を含む薄膜トランジスタ層と、上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、上記表示領域を構成する複数のサブ画素に対応して複数の発光素子が配列された発光素子層と、上記発光素子層上に設けられ、少なくとも１層の封止絶縁膜を含む封止膜とを備え、上記各発光素子には、第１電極、機能層及び第２電極が順に積層され、上記非表示領域に上記ベース基板の厚さ方向に貫通する貫通孔が形成された表示装置であって、上記非表示領域には、上記貫通孔の周縁に沿って分離壁が枠状に設けられ、上記分離壁は、上記第２層間絶縁膜の一部により枠状に設けられた壁基部と、該壁基部上に上記貫通孔側及び上記表示領域側に突出するように庇状に設けられた樹脂層とを備え、上記第２層間絶縁膜には、上記壁基部の上記貫通孔側及び上記表示領域側の周囲に上方に開口した開口部がそれぞれ設けられ、上記機能層は、上記複数のサブ画素に共通して設けられた共通機能層を備え、上記共通機能層は、上記表示領域から上記貫通孔にわたるように上記樹脂層上に設けられ、該樹脂層の上記貫通孔側及び上記表示領域側の周端下部において切り離されていることを特徴とする。
　本発明によれば、分離壁が、第２層間絶縁膜の一部により枠状に設けられた壁基部と、その壁基部上に貫通孔側及び表示領域側に突出するように庇状に設けられた樹脂層とを備え、第２層間絶縁膜には、壁基部の貫通孔側及び表示領域側の周囲に上方に開口した開口部が設けられているので、表示領域側と貫通孔側とに分離して共通機能層を低コストで形成することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の平面図である。 図３は、図１中のIII－III線に沿った有機ＥＬ表示装置の断面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する薄膜トランジスタ層の等価回路図である。 図５は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ層の断面図である。 図６は、図１中のVI－VI線に沿った有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図である。 図７は、図１中のVII－VII線に沿った有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図である。 図８は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の非表示領域及びその周囲の平面図である。 図９は、図８中のIX－IX線に沿った有機ＥＬ表示装置の非表示領域の断面図である。 図１０は、図９中の領域Ａを拡大した有機ＥＬ表示装置を構成する分離壁の断面図である。 図１１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する分離壁を形成する際に用いるレジストパターンの平面図である。 図１２は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する分離壁の第１変形例の断面図であり、図１０に相当する図である。 図１３は、第１変形例の有機ＥＬ表示装置の非表示領域及びその周囲の平面図であり、図８に相当する図である。 図１４は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する分離壁の第１変形例を形成する際に用いるレジストパターンの平面図である。 図１５は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する分離壁の第２変形例の断面図であり、図１０に相当する図である。 図１６は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する分離壁の第３変形例の断面図であり、図１０に相当する図である。 図１７は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する分離壁の第４変形例の断面図であり、図１０に相当する図である。 図１８は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する分離壁の第５変形例の断面図であり、図１０に相当する図である。 図１９は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する分離壁の第６変形例の断面図であり、図１０に相当する図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
　《第１の実施形態》
　図１～図１９は、本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０の概略構成を示す平面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置５０の表示領域Ｄの平面図である。また、図３は、図１中のIII－III線に沿った有機ＥＬ表示装置５０の断面図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置５０を構成する薄膜トランジスタ層２０の等価回路図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置５０を構成する有機ＥＬ層２３の断面図である。また、図６及び図７は、図１中のVI－VI線及びVII－VII線に沿った有機ＥＬ表示装置５０の額縁領域Ｆの断面図である。また、図８は、有機ＥＬ表示装置５０の非表示領域Ｎ及びその周囲の平面図である。また、図９は、図８中のIX－IX線に沿った有機ＥＬ表示装置５０の非表示領域Ｎの断面図である。また、図１０は、図９中の領域Ａを拡大した有機ＥＬ表示装置５０を構成する分離壁Ｅａの断面図である。
　有機ＥＬ表示装置５０は、図１に示すように、例えば、矩形状に設けられた画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に矩形枠状に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。なお、本実施形態では、矩形状の表示領域Ｄを例示したが、この矩形状には、例えば、辺が円弧状になった形状、角部が円弧状になった形状、辺の一部に切り欠きがある形状等の略矩形状も含まれている。
　表示領域Ｄには、図２に示すように、複数のサブ画素Ｐがマトリクス状に配列されている。また、表示領域Ｄでは、図２に示すように、例えば、赤色の表示を行うための赤色発光領域Ｌｒを有するサブ画素Ｐ、緑色の表示を行うための緑色発光領域Ｌｇを有するサブ画素Ｐ、及び青色の表示を行うための青色発光領域Ｌｂを有するサブ画素Ｐが互いに隣り合うように設けられている。なお、表示領域Ｄでは、例えば、赤色発光領域Ｌｒ、緑色発光領域Ｌｇ及び青色発光領域Ｌｂを有する隣り合う３つのサブ画素Ｐにより、１つの画素が構成されている。また、表示領域Ｄの内部には、図１に示すように、非表示領域Ｎが島状に設けられている。ここで、非表示領域Ｎには、図１に示すように、例えば、カメラや指紋センサー等を配置させるために、後述する樹脂基板層１０の厚さ方向に貫通する貫通孔Ｈが設けられている。なお、非表示領域Ｎの詳細な構造等については、図８～図１０を用いて、後述する。
　額縁領域Ｆの図１中右端部には、端子部Ｔが一方向（図中縦方向）に延びるように設けられている。また、額縁領域Ｆにおいて、図１に示すように、端子部Ｔの表示領域Ｄ側には、図中縦方向を折り曲げの軸として、例えば、１８０°に（Ｕ字状に）折り曲げ可能な折り曲げ部Ｂが一方向（図中縦方向）に延びるように設けられている。ここで、額縁領域Ｆにおいて、後述する平坦化膜１９ａには、図１、図３及び図６に示すように、略Ｃ状のトレンチＧが平坦化膜１９ａを貫通するように設けられている。なお、トレンチＧは、図１に示すように、平面視で端子部Ｔ側が開口するように略Ｃ字状に設けられている。
　有機ＥＬ表示装置５０は、図３、図６、図７及び図９に示すように、ベース基板として設けられた樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられた薄膜トランジスタ（thin film transistor、以下、ＴＦＴとも称する）層２０と、ＴＦＴ層２０上に設けられた有機ＥＬ素子層３０と、有機ＥＬ素子層上に設けられた封止膜４０とを備えている。
　樹脂基板層１０は、例えば、ポリイミド樹脂等により構成されている。
　ＴＦＴ層２０は、図３、図６、図７及び図９に示すように、樹脂基板層１０上に順に設けられたベースコート膜１１、半導体層１２ａ（１２ｂ）、ゲート絶縁膜１３、第１金属層、第１層間絶縁膜１５、第２金属層、第２層間絶縁膜１７、第３金属層及び平坦化膜１９ａを備えている。ここで、第１金属層は、後述するゲート線１４、ゲート電極１４ａ（）１４ｂ、及び下側導電層１４ｃを構成している。また、第２金属層は、後述する上側導電層１６を構成している。また、第３金属層は、後述するソース線１８ｆ、電源線１８ｇ、ソース電極１８ａ（１８ｃ）、ドレイン電極１８ｂ（１８ｄ）、第１額縁配線１８ｈ、第２額縁配線１８ｉ及び引き回し配線１８ｊを構成している。なお、上述した配線の構成は、例示であって、本発明を限定するものではない。
　ＴＦＴ層２０は、図３に示すように、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ９ａ、複数の第２ＴＦＴ９ｂ及び複数のキャパシタ９ｃと、各第１ＴＦＴ９ａ、各第２ＴＦＴ９ｂ及び各キャパシタ９ｃ上に設けられた平坦化膜１９ａとを備えている。ここで、ＴＦＴ層２０では、図２及び図４に示すように、図中横方向に互いに平行に延びるように複数のゲート線１４が設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図２及び図４に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数のソース線１８ｆが設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図２及び図４に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数の電源線１８ｇが設けられている。そして、各電源線１８ｇは、図２に示すように、各ソース線１８ｆと隣り合うように設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図４に示すように、ゲート線１４とソース線１８ｆとの交点に対応するように、サブ画素Ｐにサブ画素回路が設けられている。このサブ画素回路には、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及びキャパシタ９ｃが設けられている。
　第１ＴＦＴ９ａを構成する半導体層１２ａ、及び第２ＴＦＴ９ｂを構成する半導体層１２ｂは、低温ポリシリコン膜又は酸化物半導体膜等により形成されている。
　ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。ここで、第２層間絶縁膜１７は、第１層間絶縁膜１５上に設けられた下側第２層間絶縁膜１７ａと、下側第２層間絶縁膜１７ａ上に設けられた上側第２層間絶縁膜１７ｂとを備えている。なお、下側第２層間絶縁膜１７ａ及び上側第２層間絶縁膜１７ｂは、例えば、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜からなる互いに異なる無機絶縁膜により構成されている。
　なお、本実施形態では、トップゲート型の第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを例示したが、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂは、ボトムゲート型のＴＦＴであってもよい。
　キャパシタ９ｃは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに電気的に接続されている。ここで、キャパシタ９ｃは、図３に示すように、第１層間絶縁膜１５を介して、互いに対向するように設けられた下側導電層１４ｃ及び上側導電層１６を備えている。なお、上側導電層１６は、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールを介して電源線１８ｇに電気的に接続されている。
　平坦化膜１９ａは、例えば、ポリイミド樹脂等のポジ型の感光性樹脂により構成されている。
　有機ＥＬ素子層３０は、図３に示すように、平坦化膜１９ａ上に複数のサブ画素Ｐに対応してマトリクス状に配列する複数の発光素子として設けられた複数の有機ＥＬ素子２５を備えている。
　有機ＥＬ素子２５は、図３に示すように、平坦化膜１９ａ上に設けられた第１電極２１ａと、第１電極２１の周端部を覆うように設けられたエッジカバー２２ａと、第１電極２１ａ上に機能層として設けられた有機ＥＬ層２３と、有機ＥＬ層２３上に設けられた第２電極２４とを備えている。
　第１電極２１ａは、図３に示すように、平坦化膜１９ａに形成されたコンタクトホールを介して、各サブ画素Ｐの第２ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１８ｄに電気的に接続されている。また、第１電極２１ａは、有機ＥＬ層２３にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極２１ａは、有機ＥＬ層２３への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第１電極２１ａを構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、イリジウム（Ｉｒ）、スズ（Ｓｎ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極２１ａを構成する材料は、例えば、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極２１ａを構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極２１ａは、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな化合物材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
　エッジカバー２２ａは、表示領域Ｄ全体で共通するように格子状に設けられている。ここで、エッジカバー２２ａを構成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等のポジ型の感光性樹脂が挙げられる。また、エッジカバー２２ａの表面の一部は、図３に示すように、図中上方に突出して、島状に設けられた画素フォトスペーサになっている。
　有機ＥＬ層２３は、図５に示すように、第１電極２１ａ上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
　正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極２１ａと有機ＥＬ層２３とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極２１ａから有機ＥＬ層２３への正孔注入効率を改善する機能を有し、複数のサブ画素Ｐに共通する共通機能層として設けられている。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。なお、共通機能層は、ＣＭＭ（コモンメタルマスク）を用いて形成される機能層である。このＣＭＭは、１つの表示装置に対応して、１つの開口が設けられたマスクであるため、貫通孔に対応する領域を遮蔽するパターンを設けることができない。そのため、共通機能層は、貫通孔に対応する領域にも蒸着されてしまう。これに対して、個別機能層は、ＦＭＭ（ファインメタルマスク）を用いて形成される機能層である。このＦＭＭは、色毎に（例えば、赤色及び緑色で共通である機能層も含む）に開口が設けられたマスクである。また、機能層は、上述した正孔注入層１の他に、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、電子注入層５、ブロッキング層、キャップ層等を含む。
　正孔輸送層２は、第１電極２１ａから有機ＥＬ層２３への正孔の輸送効率を向上させる機能を有し、複数のサブ画素Ｐに共通する共通機能層として設けられている。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
　発光層３は、個別機能層として設けられ、第１電極２１ａ及び第２電極２４による電圧印加の際に、第１電極２１ａ及び第２電極２４から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
　電子輸送層４は、電子を発光層３まで効率良く移動させる機能を有し、複数のサブ画素Ｐに共通する共通機能層として設けられている。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
　電子注入層５は、第２電極２４と有機ＥＬ層２３とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極２４から有機ＥＬ層２３へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子２５の駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれ、複数のサブ画素Ｐに共通する共通機能層として設けられている。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
　なお、上述した共通機能層は、例示であって、何れかの層が個別機能層であってもよい。また、例えば、紫外光や青色光を発光する発光層からＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）等で色変換を行い、表示装置を構成する場合は、発光層３が共通機能層として設けられていてもよい。
　第２電極２４は、図３に示すように、各有機ＥＬ層２３及びエッジカバー２２ａを覆って、複数のサブ画素Ｐに共通するように設けられている。また、第２電極２４は、有機ＥＬ層２３に電子を注入する機能を有している。また、第２電極２４は、有機ＥＬ層２３への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。ここで、第２電極２４を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極２４は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極２４は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極２４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
　封止膜４０は、図３、図６及び図９に示すように、第２電極２４を覆うように樹脂基板層１０側に設けられた下層封止絶縁膜３６と、樹脂基板層１０と反対側に設けられた上層封止絶縁膜３８と、下層封止絶縁膜３６及び上層封止絶縁膜３８の間に設けられた有機絶縁膜３７とを備え、有機ＥＬ層２３を水分や酸素等から保護する機能を有している。ここで、下層封止絶縁膜３６及び上層封止絶縁膜３８は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）等の無機材料により構成されている。また、有機絶縁膜３７は、例えば、アクリル樹脂、ポリ尿素樹脂、パリレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂等の有機材料により構成されている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０は、図１に示すように、額縁領域Ｆにおいて、表示領域Ｄを囲むと共に有機絶縁膜３７の周端部に重なるように枠状に設けられた第１外部堰止壁Ｗａと、第１外部堰止壁Ｗａを囲むように枠状に設けられた第２外部堰止壁Ｗｂとを備えている。
　第１外部堰止壁Ｗａは、図６に示すように、平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成された第１樹脂層１９ｂと、第１樹脂層１９ｂ上に第１導電層２１ｂを介して設けられ、エッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成された第２樹脂層２２ｃとを備えている。ここで、第１導電層２１ｂは、図６に示すように、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧ、第１外部堰止壁Ｗａ及び第２外部堰止壁Ｗｂと重なるように、略Ｃ字状に設けられている。なお、第２導電層２１ｂは、第１電極２１ａと同一材料により同一層に形成されている。
　第２外部堰止壁Ｗｂは、図６に示すように、平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成された第１樹脂層１９ｃ、第１樹脂層１９ｃ上に第１導電層２１ｂを介して設けられ、エッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成された第２樹脂層２２ｄとを備えている。なお、第１外部堰止壁Ｗａ及び第２外部堰止壁Ｗｂは、平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成された樹脂層、又はエッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成された樹脂層の１層で形成されていてもよい。例えば、第１外部堰止壁Ｗａがエッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成された樹脂層の１層で形成され、第２外部堰止壁Ｗｂが平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成された第１樹脂層１９ｃとエッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成された第２樹脂層２２ｄとの２層で形成されていてもよい。
　また、有機ＥＬ表示装置５０は、図３及び図６に示すように、額縁領域Ｆにおいて、表示領域Ｄを囲んで第１外部堰止壁Ｗａ及び第２外部堰止壁Ｗｂと重なるように、トレンチＧの外側に略Ｃ字状に設けられた第１額縁配線１８ｈを備えている。ここで、第１額縁配線１８ｈは、端子部Ｔにおいて、低電源電圧（ＥＬＶＳＳ）が入力される電源端子に電気的に接続されている。また、第１額縁配線１８ｈは、図６に示すように、第２導電層２１ｂを介して、第２電極２４に電気的に接続されている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０は、図３に示すように、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの内側に略Ｃ字状に設けられた第２額縁配線１８ｉを備えている。ここで、第２額縁配線１８ｉは、端子部Ｔにおいて、高電源電圧（ＥＬＶＤＤ）が入力される電源端子に電気的に接続されている。また、第２額縁配線１８ｉは、表示領域Ｄ側において、表示領域Ｄに配置された複数の電源線１８ｇに電気的に接続されている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０は、図７に示すように、折り曲げ部Ｂにおいて、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に形成されたスリットＳを埋めるように設けられた下層平坦化膜８ａと、下層平坦化膜８ａ及び第２層間絶縁膜１７上に設けられた複数の引き回し配線１８ｊと、各引き回し配線１８ｊを覆うように設けられた配線被覆層１９ｄとを備えている。
　スリットＳは、図７に示すように、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７を貫通して、樹脂基板層１０の表面を露出させるように、折り曲げ部Ｂの延びる方向に沿って突き抜ける溝状に設けられている。
　下層平坦化膜８ａは、例えば、ポリイミド樹脂等の有機樹脂材料により構成されている。
　複数の引き回し配線１８ｊは、折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられている。ここで、各引き回し配線１８ｊの両端部は、図７に示すように、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して第１ゲート導電層１４ｃ及び第２ゲート導電層１４ｄにそれぞれ電気的に接続されている。なお、引き回し配線１８ｊは、ソース線１８ｆや電源線１８ｇと同一材料により同一層に形成されている。また、第１ゲート導電層１４ｃは、図７に示すように、ゲート絶縁膜１３及び第１層間絶縁膜１５の間に設けられ、表示領域Ｄに延びる信号配線（ゲート線１４、ソース線１８ｆ等）に電気的に接続されている。また、第２ゲート導電層１４ｄは、図７に示すように、ゲート絶縁膜１３及び第１層間絶縁膜１５の間に設けられ、例えば、端子部Ｔの信号端子に電気的に接続されている。また、配線被覆層１９ｄは、平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成されている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０は、図３、図６及び図９に示すように、額縁領域Ｆ及び非表示領域Ｎにおいて、平坦化膜１９ａ上に、図中上方に突出するように、島状に設けられた複数の周辺フォトスペーサ２２ｂを備えている。ここで、各周辺フォトスペーサ２２ｂは、エッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成されている。この周辺フォトスペーサは、エッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成された樹脂層と、他の樹脂層とを積層して形成されていてもよい。
　また、有機ＥＬ表示装置５０は、図８及び図９に示すように、非表示領域Ｎにおいて、貫通孔Ｈの周縁に沿って円形枠状に設けられた分離壁Ｅａを備えている。
　分離壁Ｅａは、図９及び図１０に示すように、上側第２層間絶縁膜１７ｂの一部により円形枠状に設けられた壁基部Ｕａと、壁基部Ｕａ上に貫通孔Ｈ側及び表示領域Ｄ側に突出するように庇状に設けられた樹脂層１９ｅとを備えている。
　壁基部Ｕａは、図１０に示すように、第２層間絶縁膜１７の表面に平面視で円形枠状にそれぞれ設けられた表示領域側開口部Ｍｄ及び貫通孔側開口部Ｍｈの間に配置する第２層間絶縁膜１７の一部により構成されている。すなわち、壁基部Ｕａは、図１０に示すように、第２層間絶縁膜１７の表面に表示領域側開口部Ｍｄ（図８参照）及び貫通孔側開口部Ｍｈ（図８参照）を平面視で円形枠状にそれぞれ形成することにより、第２層間絶縁膜１７の表層に設けられている。そのため、第２層間絶縁膜１７には、図１０に示すように、壁基部Ｕａの表示領域Ｄ側の周囲に上方に開口した表示領域側開口部Ｍｄが平面視で円形枠状に設けられ、壁基部Ｕａの貫通孔Ｈ側の周囲に上方に開口した貫通孔側開口部Ｍｈが平面視で円形枠状に設けられている。具体的に、表示領域側開口部Ｍｄ及び貫通孔側開口部Ｍｈは、図１０に示すように、上側第２層間絶縁膜１７ｂに上側第２層間絶縁膜１７ｂを貫通して、下側第２層間絶縁膜１７ａを露出するようにそれぞれ設けられている。なお、図８では、破線Ｍｄが円形枠状に設けられた表示領域側開口部Ｍｄの表示領域Ｄ側の周縁を示し、破線Ｍｈが円形枠状に設けられた貫通孔側開口部Ｍｈの貫通孔Ｈ側の周縁を示している。
　樹脂層１９ｅは、ＴＦＴ層２０の有機ＥＬ素子層３０側に設けられた平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成されている。ここで、樹脂層１９ｅの両側面は、図９及び図１０に示すように、樹脂基板層１０に向けて両側面間の幅が次第に広くなる順テーパ状に傾斜している。
　上述した分離壁Ｅａにおいて、第２電極２４、（正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４及び電子注入層５）は、図１０に示すように、表示領域Ｄから貫通孔Ｈにわたるように樹脂層１９ｅ上に設けられ、樹脂層１９ｅの貫通孔Ｈ側及び表示領域Ｄ側の各周端下部において、切り離されている。なお、図１０では、正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４及び電子注入層５が図示されていないが、正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４及び電子注入層５を含む共通機能層は、第２電極２４と同様に、樹脂層１９ｅの貫通孔Ｈ側及び表示領域Ｄ側の各周端下部において、切り離されている。また、表示領域側開口部Ｍｄ及び貫通孔側開口部Ｍｈでは、図１０に示すように、ＴＦＴ層２０を構成する下側第２層間絶縁膜１７ａと、封止膜４０を構成する下層封止絶縁膜３６とが互いに接している。また、表示領域側開口部Ｍｄ及び貫通孔側開口部Ｍｈでは、図１０に示すように、下層封止絶縁膜３６、第２層間絶縁膜１７（上側第２層間絶縁膜１７ｂ）及び樹脂層１９ｅに囲まれるように、空間Ｖが設けられている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０は、図８及び図９に示すように、非表示領域Ｎにおいて、分離壁Ｅａの表示領域Ｄ側に分離壁Ｅａの周囲に沿って円形枠状にそれぞれ設けられた第１内部堰止壁Ｗｃ及び第２内部堰止壁Ｗｄを備えている。
　第１内部堰止壁Ｗｃは、図９に示すように、平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成された第１樹脂層１９ｅと、第１樹脂層１９ｅ上に設けられ、エッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成された第２樹脂層２２ｅとを備えている。ここで、内部第１堰止壁Ｗｃは、図９に示すように、非表示領域Ｎの表示領域Ｄ側において、封止膜４０を構成する有機絶縁膜３７の周端部と重なるように設けられている。
　第２内部堰止壁Ｗｄは、図９に示すように、平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成された第１樹脂層１９ｆと、第１樹脂層１９ｆ上に設けられ、エッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成された第２樹脂層２２ｆとを備えている。ここで、第２内部堰止壁Ｗｄは、図８及び図９に示すように、非表示領域Ｎにおいて、第１内部堰止壁Ｗｃと分離壁Ｅａとの間に設けられている。なお、第１内部堰止壁Ｗｃ及び第２内部堰止壁Ｗｄは、平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成された樹脂層、又はエッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成された樹脂層の１層で形成されていてもよい。例えば、第１内部堰止壁Ｗｃがエッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成された樹脂層の１層で形成され、第２内部堰止壁Ｗｄが平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成された第１樹脂層１９ｆとエッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成された第２樹脂層２２ｆとの２層で形成されていてもよい。
　非表示領域Ｎにおいて、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、図９に示すように、貫通孔Ｈの端面まで達しないように設けられている。ここで、貫通孔Ｈの周縁部では、図９に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７から露出するように半導体層１２ｃがエッチストッパーとして設けられている。なお、半導体層１２ｃは、半導体層１２ａ及び１２ｂと同一材料により同一層に形成されている。また、図９では、貫通孔Ｈの周縁部にＴＦＴ層２０の無機膜として、ベースコート膜１１及び半導体層１２ｃが残存して設けられた構成を例示したが、ベースコート膜１１だけが残存していてもよく、また、ベースコート膜１１及び半導体層１２ｃが貫通孔Ｈの端面まで達しないように設けられ、樹脂基板層１０が露出するような構成であってもよい。ここで、貫通孔Ｈの周縁部では、無機膜に伝播するクラックを抑制するために、無機膜を薄く形成する方がよい。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０は、各サブ画素Ｐにおいて、ゲート線１４を介して第１ＴＦＴ９ａにゲート信号を入力することにより、第１ＴＦＴ９ａをオン状態にし、ソース線１８ｆを介して第２ＴＦＴ９ｂのゲート電極１４ｂ及びキャパシタ９ｃにデータ信号を書き込み、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧に応じた電源線１８ｇからの電流が有機ＥＬ層２３に供給されることにより、有機ＥＬ層２３の発光層３が発光して、画像表示を行うように構成されている。なお、有機ＥＬ表示装置５０では、第１ＴＦＴ９ａがオフ状態になっても、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧がキャパシタ９ｃによって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまで発光層３による発光が維持される。
　次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０の製造方法について説明する。ここで、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０の製造方法は、ＴＦＴ層形成工程、有機ＥＬ素子層形成工程、封止膜形成工程、フレキ化工程及び貫通孔形成工程を備える。なお、図１１は、有機ＥＬ表示装置５０を構成する分離壁Ｅａを形成する際に用いるレジストパターンＲａの平面図である。
　＜ＴＦＴ層形成工程＞
　例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板層１０の表面に、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、キャパシタ９ｃ、及び平坦化膜１９ａを形成して、ＴＦＴ層２０を形成する。
　ここで、樹脂基板層１０に平坦化膜１９ａを形成する際には、非表示領域Ｎに樹脂層１９ｅを円形枠状に形成する。
　＜有機ＥＬ素子層形成工程＞
　上記ＴＦＴ層形成工程で形成されたＴＦＴ層２０の平坦化膜１９ａ上に、周知の方法を用いて、第１電極２１ａ、エッジカバー２２ａ、有機ＥＬ層２３（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、電子注入層５）及び第２電極２４を形成することにより、有機ＥＬ素子２５を形成して、有機ＥＬ素子層３０を形成する。
　ここで、エッジカバー２２ａを形成した後に、次工程の蒸着工程まで基板表面を保護するために形成する保護レジストをレジストパターンＲａ（図１１中のハッチング部）として利用する。なお、レジストパターンＲａには、非表示領域Ｎにおいて、樹脂層１９ｅの貫通孔Ｇ側の周囲及び表示領域Ｄ側の周囲が露出するように、図１１に示すように、円形枠状の貫通孔Ｒｈが設けられている。そして、ドライエッチングにより、レジストパターンＲａの貫通孔Ｒｈから露出する上側第２層間絶縁膜１７ｂを除去することにより、表示領域側開口部Ｍｄ及び貫通孔側開口部Ｍｈを形成して、壁基部Ｕａを形成する。これにより、壁基部Ｕａ及び樹脂層１９ｅを備えた分離壁Ｅａが形成される。その後、レジストパターンＲａを剥離した後に、有機ＥＬ層２３（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、電子注入層５）及び第２電極２４を蒸着法により形成する。なお、有機ＥＬ層２３及び第２電極２４を蒸着法により形成する際には、有機ＥＬ層２３を構成する正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４及び電子注入層５、並びに第２電極２４は、樹脂層１９ｅの貫通孔Ｈ側及び表示領域Ｄ側の各周端下部において、その段差により切り離されて形成される。
　＜封止膜形成工程＞
　まず、上記有機ＥＬ素子層形成工程で形成された有機ＥＬ素子層３０が形成された基板表面に、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ（chemical vapor deposition）法により成膜して、下層封止絶縁膜３６を形成する。
　続いて、下層封止絶縁膜３６が形成された基板表面に、例えば、インクジェット法により、アクリル樹脂等の有機樹脂材料を成膜して、有機絶縁膜３７を形成する。
　さらに、有機絶縁膜３７が形成された基板に対して、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により成膜して、上層封止絶縁膜３８を形成することにより、封止膜４０を形成する。
　＜フレキ化工程＞
　上記封止膜形成工程で封止膜４０が形成された基板表面に保護シート（不図示）を貼付した後に、樹脂基板層１０のガラス基板側からレーザー光を照射することにより、樹脂基板層１０の下面からガラス基板を剥離させ、さらに、ガラス基板を剥離させた樹脂基板層１０の下面に保護シート（不図示）を貼付する。
　＜貫通孔形成工程＞
　上記フレキ化工程でガラス基板を剥離させた樹脂基板層１０に円形枠状に設けられた分離壁Ｅａの内側の半導体層１２ｃに重なる領域に、例えば、レーザー光を環状に走査しながら照射することにより、貫通孔Ｈを形成する。
　以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０を製造することができる。
　ここで、本実施形態では、非表示領域Ｎに分離壁Ｅａが設けられた有機ＥＬ表示装置５０を例示したが、分離壁Ｅａの代わりに、分離壁Ｅｂ～Ｅｇが設けられた有機ＥＬ表示装置であってもよい。以下に、上記分離壁Ｅｂ～Ｅｇを用いた第１変形例～第６変形例について、説明する。
　（第１変形例）
　図１２は、分離壁Ｅａの第１変形例である分離壁Ｅｂの断面図であり、図１０に相当する図である。また、図１３は、第１変形例の非表示領域Ｎ及びその周囲の平面図であり、図８に相当する図である。また、図１４は、分離壁Ｅｂを形成する際に用いるレジストパターンＲｂの平面図である。なお、以下の各変形例において、図１～図１１と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
　分離壁Ｅｂは、図１２に示すように、上側第２層間絶縁膜１７ｂの一部により円形枠状に設けられた壁基部Ｕｂと、壁基部Ｕｂ上に貫通孔Ｈ側及び表示領域Ｄ側に突出するように庇状に設けられた樹脂層１９ｅとを備えている。
　壁基部Ｕｂは、図１２に示すように、第２層間絶縁膜１７の表面において、平面視で円形枠状に設けられた表示領域側開口部Ｍｄ（図１３参照）、及び平面視で円形枠状に設けられた貫通孔側開口部Ｍｈの間に配置する第２層間絶縁膜１７の一部により構成されている。ここで、第２層間絶縁膜１７には、図１２に示すように、壁基部Ｕｂの表示領域Ｄ側の周囲に上方に開口した表示領域側開口部Ｍｄが平面視で円形枠状に設けられ、壁基部Ｕａの貫通孔Ｈ側の周囲に上方に開口した貫通孔側開口部Ｍｈが平面視で円形枠状に設けられている。具体的に、表示領域側開口部Ｍｄ及び貫通孔側開口部Ｍｈは、図１２に示すように、上側第２層間絶縁膜１７ｂに上側第２層間絶縁膜１７ｂを貫通して、下側第２層間絶縁膜１７ａを露出するようにそれぞれ設けられている。なお、表示領域側開口部Ｍｄ及び貫通孔側開口部Ｍｈは、上述したレジストパターンＲａに代えて、図１３に示すように、樹脂層１９ｅの貫通孔Ｇ側の周囲及び表示領域Ｄ側の周囲が露出するように平面視で円形の貫通孔Ｒｈが設けられたレジストパターンＲｂ（図中のハッチング部）を用いて、レジストパターンＲｂから露出する上側第２層間絶縁膜１７ｂを除去することにより、形成することができる。これにより、貫通孔側開口部Ｍｈは、図１２に示すように、貫通孔Ｈに到達するように形成される。なお、図１３では、破線Ｍｄが円形枠状に設けられた表示領域側開口部Ｍｄの表示領域Ｄ側の周縁を示し、上述したように、貫通孔側開口部Ｍｈが貫通孔Ｈに到達するように形成されるので、図８で示した破線Ｍｈが存在しない。また、表示領域側開口部Ｍｄは、図１４に示すように、レジストパターンＲｂの貫通孔Ｒｈと一致するように設けられている。
　上記構成の分離壁Ｅｂを備えた有機ＥＬ表示装置によれば、貫通孔側開口部Ｍｈが貫通孔Ｈに到達するように設けられているので、貫通孔Ｈを形成する部分の無機膜が薄くなり、貫通孔Ｈの形成を容易にすることができる。
　（第２変形例）
　図１５は、分離壁Ｅａの第２変形例である分離壁Ｅｃの断面図であり、図１０に相当する図である。
　分離壁Ｅｃは、図１５に示すように、第２層間絶縁膜１７の一部により円形枠状に設けられた壁基部Ｕｂと、壁基部Ｕｂ上に貫通孔Ｈ側及び表示領域Ｄ側に突出するように庇状に設けられた樹脂層１９ｅとを備えている。
　表示領域側開口部Ｍｄ及び貫通孔側開口部Ｍｈは、図１５に示すように、第２層間絶縁膜１７に第２層間絶縁膜１７を貫通して、第１層間絶縁膜１５を露出するようにそれぞれ設けられている。なお、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、例えば、一方が酸化シリコン膜からなり、他方が窒化シリコン膜からなる互いに異なる無機絶縁膜により構成されている。また、表示領域側開口部Ｍｄ及び貫通孔側開口部Ｍｈは、上述した第１変形例と同様に、レジストパターンＲｂを用いて、露出する第２層間絶縁膜１７を除去することにより、形成することができる。これにより、貫通孔側開口部Ｍｈは、図１５に示すように、貫通孔Ｈに到達するように形成される。
　表示領域側開口部Ｍｄ及び貫通孔側開口部Ｍｈでは、図１５に示すように、ＴＦＴ層２０を構成する第１層間絶縁膜１５と、封止膜４０を構成する下層封止絶縁膜３６とが互いに接している。また、表示領域側開口部Ｍｄ及び貫通孔側開口部Ｍｈでは、図１５に示すように、下層封止絶縁膜３６、第２層間絶縁膜１７及び樹脂層１９ｅに囲まれるように、空間Ｖが設けられている。
　上記構成の分離壁Ｅｂを備えた有機ＥＬ表示装置によれば、貫通孔側開口部Ｍｈは、貫通孔Ｈに到達するように設けられているので、貫通孔Ｈを形成する部分の無機膜が薄くなり、貫通孔Ｈを形成し易くすることができる。
　（第３変形例）
　図１６は、分離壁Ｅａの第３変形例である分離壁Ｅｄの断面図であり、図１０に相当する図である。
　分離壁Ｅｄは、図１６に示すように、上側第２層間絶縁膜１７ｂの一部により円形枠状に設けられた壁基部Ｕｂと、壁基部Ｕｂ上に貫通孔Ｈ側及び表示領域Ｄ側に突出するように庇状に設けられた下層樹脂層１９ｅと、下層樹脂層１９ｅ上に設けられた上層樹脂層２２ｇとを備えている。
　表示領域側開口部Ｍｄ及び貫通孔側開口部Ｍｈは、図１６に示すように、上側第２層間絶縁膜１７ｂに上側第２層間絶縁膜１７ｂを貫通して、下側第２層間絶縁膜１７ａを露出するようにそれぞれ設けられている。なお、表示領域側開口部Ｍｄ及び貫通孔側開口部Ｍｈは、上述した第１変形例と同様に、レジストパターンＲｂを用いて、レジストパターンＲｂから露出する上側第２層間絶縁膜１７ｂを除去することにより、形成することができる。これにより、貫通孔側開口部Ｍｈは、図１６に示すように、貫通孔Ｈに到達するように形成される。
　下層樹脂層１９ｅは、上述した樹脂層１９ｅと実質的に同じ構成になっている。
　上層樹脂層２２ｇは、エッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成されている。ここで、上層樹脂層２２ｇの両側面は、図１６に示すように、樹脂基板層１０に向けて両側面間の幅が次第に広くなる順テーパ状に傾斜している。
　表示領域側開口部Ｍｄ及び貫通孔側開口部Ｍｈでは、図１６に示すように、ＴＦＴ層２０を構成する下側第２層間絶縁膜１７ａと、封止膜４０を構成する下層封止絶縁膜３６とが互いに接している。また、表示領域側開口部Ｍｄ及び貫通孔側開口部Ｍｈでは、図１６に示すように、下層封止絶縁膜３６、第２層間絶縁膜１７（上側第２層間絶縁膜１７ｂ）及び下層樹脂層１９ｅに囲まれるように、空間Ｖが設けられている。
　上記構成の分離壁Ｅｄを備えた有機ＥＬ表示装置によれば、貫通孔側開口部Ｍｈが貫通孔Ｈに到達するように設けられているので、貫通孔Ｈを形成する部分の無機膜が薄くなり、貫通孔Ｈの形成を容易にすることができる。
　また、上記構成の分離壁Ｅｄを備えた有機ＥＬ表示装置によれば、下層封止絶縁膜３６及び上層封止絶縁膜３８の表示領域Ｄまでの経路が長くなるので、下層封止絶縁膜３６及び上層封止絶縁膜３８におけるクラックの伝播を抑制することができ、信頼性を向上させる分離壁Ｅｄを形成することができる。
　（第４変形例）
　図１７は、分離壁Ｅａの第４変形例である分離壁Ｅｅの断面図であり、図１０に相当する図である。
　上記第３変形例との違いは、図１７に示すように、分離壁Ｅｅの樹脂基板層１０側に樹脂充填層８ｂが設けられ、樹脂充填層８ｂ上に下層樹脂層１９ｅｅが設けられていることである。
　樹脂充填層８ｂは、図１７に示すように、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に形成された開口部Ｍを埋めるように設けられている。ここで、開口部Ｍは、図１７に示すように、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に、分離壁Ｅｅと重なると共に、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７を貫通するように枠状に設けられ、折り曲げ部ＢのスリットＳを形成する際に同時に形成される。また、樹脂充填層８ｂは、折り曲げ部Ｂに設けられた下層平坦化膜８ａと同一材料により同一層に形成され、下層平坦化膜８ａを形成する際に同時に形成される。
　下層樹脂層１９ｅｅは、平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成されている。
　表示領域側開口部Ｍｄ及び貫通孔側開口部Ｍｈでは、図１７に示すように、ＴＦＴ層２０を構成する下側第２層間絶縁膜１７ａと、封止膜４０を構成する下層封止絶縁膜３６とが互いに接している。また、表示領域側開口部Ｍｄ及び貫通孔側開口部Ｍｈでは、図１７に示すように、下層封止絶縁膜３６、第２層間絶縁膜１７（上側第２層間絶縁膜１７ｂ）及び樹脂層１９ｅｅに囲まれるように、空間Ｖが設けられている。
　上記構成の分離壁Ｅｅを備えた有機ＥＬ表示装置によれば、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に形成された開口部Ｍを埋めるように樹脂充填層８ｂが設けられているので、仮に、貫通孔Ｈ側において、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７にクラックが発生しても、そのクラックの表示領域Ｄ側への伝播を抑制することができる。また、分離壁Ｅｅと重なるように樹脂充填層８ｂが設けられているので、クラックの伝播を抑制する構造を採用しても、貫通孔Ｈから非表示領域Ｎと表示領域Ｄとの境界までの距離を短くすることができる。
　（第５変形例）
　図１８は、分離壁Ｅａの第５変形例である分離壁Ｅｆの断面図であり、図１０に相当する図である。
　上記第１変形例との違いは、エッジカバー２２ａと同一材料により同一層に形成された樹脂層２２ｈで分離壁Ｅｆが構成されていることである。ここで、樹脂層２２ｈの両側面は、図１８に示すように、樹脂基板層１０に向けて両側面間の幅が次第に広くなる順テーパ状に傾斜している。
　表示領域側開口部Ｍｄ及び貫通孔側開口部Ｍｈでは、図１８に示すように、下層封止絶縁膜３６、第２層間絶縁膜１７（上側第２層間絶縁膜１７ｂ）及び樹脂層２２ｈに囲まれるように、空間Ｖが設けられている。
　上記構成の分離壁Ｅｆを備えた有機ＥＬ表示装置によれば、貫通孔側開口部Ｍｈが貫通孔Ｈに到達するように設けられているので、貫通孔Ｈを形成する部分の無機膜が薄くなり、貫通孔Ｈの形成を容易にすることができる。
　上記構成の分離壁Ｅｆを備えた有機ＥＬ表示装置によれば、本実施形態のように平坦化膜１９ａを用いてだけでなく、エッジカバー２２ａを用いても、信頼性を向上させる分離壁Ｅｆを形成することができる。
　（第６変形例）
　図１９は、分離壁Ｅａの第６変形例である分離壁Ｅｇの断面図であり、図１０に相当する図である。
　上記第４変形例との違いは、樹脂充填層８ｂと下層樹脂層１９ｅｅとの間に金属層１８ｋが設けられていることである。
　金属層１８ｋは、図１９に示すように、第２層間絶縁膜１７から突出する樹脂充填層８ｂの部分を覆うように設けられている。ここで、金属層１８ｋは、上記第３金属層により構成される。
　上記構成の分離壁Ｅｇを備えた有機ＥＬ表示装置によれば、樹脂充填層８ｂと下層樹脂層１９ｅｅとの間に延性を有する金属層１８ｋが設けられているので、例えば、貫通孔Ｈ側において、下層封止絶縁膜３６及び上層封止絶縁膜３８に発生したクラックが下層樹脂層１９ｅｅに伝播しても、樹脂充填層８ｂにクラックが伝播することを抑制することができる。
　なお、上記変形例２～６において、本実施形態と同様に、円形枠状の貫通孔Ｒｈが設けられたレジストパターンＲａを用いてドライエッチングすることにより、壁基部Ｕｂの貫通孔Ｈ側に貫通孔側開口部Ｍｈを形成してもよい。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０によれば、表示領域Ｄの内部に島状に規定され、貫通孔Ｈが形成された非表示領域Ｎには、貫通孔Ｈの周縁に沿って分離壁Ｅａが枠状に設けられている。ここで、分離壁Ｅａは、第２層間絶縁膜１７の一部により枠状に設けられた壁基部Ｕａと、壁基部Ｕａ上に貫通孔Ｈ側及び表示領域Ｄ側に突出するように庇状に設けられた樹脂層１９ｅとを備えている。そのため、共通機能層及び第２電極２４は、樹脂層１９ｅの貫通孔Ｈ側及び表示領域Ｄ側の各周端下部において、表示領域Ｄ側と貫通孔Ｈ側とにそれぞれ分離して切り離されて形成される。そして、壁基部Ｕａは、エッジカバー２２ａを形成した後に、蒸着工程まで基板表面を保護するための保護レジストをレジストパターンＲａとして用いて、レジストパターンＲａから露出する上側第２層間絶縁膜１７ｂを除去して、表示領域側開口部Ｍｄ及び貫通孔側開口部Ｍｈを形成することにより形成される。これにより、ネガ型の感光性材料を用いることなく、共通機能層及び第２電極２４を表示領域Ｄ側と貫通孔Ｈ側とに分離して形成することができるので、表示領域Ｄ側と貫通孔Ｈ側とに分離して共通機能層及び第２電極２４を低コストで形成することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０によれば、表示領域側開口部Ｍｄ及び貫通孔側開口部Ｍｈにおいて、ＴＦＴ層２０の下側第２層間絶縁膜１７ａと、封止膜４０の下層封止絶縁膜３６とが互いに接しているので、封止膜４０による封止性能を確保することができ、有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０によれば、下層封止絶縁膜３６、上側第２層間絶縁膜１７ｂ及び樹脂層１９ｅに囲まれるように空間Ｖが設けられているので、仮に、貫通孔Ｈ側において、下層封止絶縁膜３６及び上層封止絶縁膜３８にクラックが発生しても、そのクラックの表示領域Ｄ側への伝播を抑制することができる。
　《第２の実施形態》
　上記第１の実施形態では、貫通孔Ｈの周縁に沿って分離壁Ｅａ～Ｅｇが周状に設けられた有機ＥＬ表示装置５０を例示したが、分離壁Ｅａ～Ｅｇは、貫通孔Ｈの周縁に沿って周状に複数設けられていてもよい。なお、この場合において、複数の分離壁は、例えば、分離壁Ｅａ～Ｅｇを組み合わせて、互いに異なる構造を有していてもよい。
　《その他の実施形態》
　上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
　また、上記各実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、平面視で円形状の貫通孔Ｈが形成された有機ＥＬ表示装置５０を例示したが、貫通孔Ｈは、例えば、平面視で矩形状等の多角形状であってもよい。
　また、上記各実施形態では、下層封止絶縁膜３６及び上層封止絶縁膜３８の間に有機絶縁膜３７が設けられた封止膜４０を備えた有機ＥＬ表示装置５０を例示したが、本発明は、下層封止絶縁膜３６及び上層封止絶縁膜３８の間に有機蒸着膜を形成した後に、その有機蒸着膜をアッシングして、異物を有機蒸着膜で被覆する有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。このような封止膜の構成によれば、表示領域上に異物が存在しても、上層封止絶縁膜で封止性能を確保することができ、信頼性を向上させることができる。
　また、上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本発明は、有機ＥＬ表示装置に限定されず、フレキシブルな表示装置であれば適用することができる。例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ等を備えたフレキシブルな表示装置に適用することができる。
　以上説明したように、本発明は、フレキシブルな表示装置について有用である。
Ｄ　　　　　　表示領域
Ｅａ～Ｅｇ　　分離壁
Ｆ　　　　　　額縁領域
Ｍ　　　　　　絶縁膜貫通孔
Ｍｄ　　　　　開口部（表示領域側開口部）
Ｍｈ　　　　　開口部（貫通孔側開口部）
Ｎ　　　　　　非表示領域
Ｐ　　　　　　サブ画素
Ｕａ～Ｕｇ　　壁基部
Ｗｃ　　　　　第１内部堰止壁
Ｗｄ　　　　　第２内部堰止壁
８ｂ　　　　　樹脂充填層
１０　　　　　樹脂基板層（ベース基板）
１５　　　　　第１層間絶縁膜
１７　　　　　第２層間絶縁膜
１７ａ　　　　下側第２層間絶縁膜
１７ｂ　　　　上側第２層間絶縁膜
１８ｋ　　　　金属層
１９ａ　　　　平坦化膜
１９ｅ　　　　樹脂層、下層樹脂層
１９ｅｅ，１９ｅｇ　　下層樹脂層
２０　　　　　ＴＦＴ層（薄膜トランジスタ層）
２１ａ　　　　第１電極
２２ａ　　　　エッジカバー
２２ｇ　　　　上層樹脂層
２２ｈ　　　　樹脂層
２３　　　　　有機ＥＬ層（機能層）
２４　　　　　第２電極
２５　　　　　有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子、発光素子）
３０　　　　　有機ＥＬ素子層（発光素子層）
３６　　　　　下層封止絶縁膜
３７　　　　　有機絶縁膜
３８　　　　　上層封止絶縁膜
４０　　　　　封止膜
５０　　　　　有機ＥＬ表示装置

Claims (18)

  1. 　画像表示を行う表示領域、該表示領域の周囲に額縁領域、及び該表示領域の内部に島状の非表示領域がそれぞれ規定されたベース基板と、
    　上記ベース基板上に設けられ、順に積層された第１層間絶縁膜及び第２層間絶縁膜を含む薄膜トランジスタ層と、
    　上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、上記表示領域を構成する複数のサブ画素に対応して複数の発光素子が配列された発光素子層と、
    　上記発光素子層上に設けられ、少なくとも１層の封止絶縁膜を含む封止膜とを備え、
    　上記各発光素子には、第１電極、機能層及び第２電極が順に積層され、
    　上記非表示領域に上記ベース基板の厚さ方向に貫通する貫通孔が形成された表示装置であって、
    　上記非表示領域には、上記貫通孔の周縁に沿って分離壁が枠状に設けられ、
    　上記分離壁は、上記第２層間絶縁膜の一部により枠状に設けられた壁基部と、該壁基部上に上記貫通孔側及び上記表示領域側に突出するように庇状に設けられた樹脂層とを備え、
    　上記第２層間絶縁膜には、上記壁基部の上記貫通孔側及び上記表示領域側の周囲に上方に開口した開口部がそれぞれ設けられ、
    　上記機能層は、上記複数のサブ画素に共通して設けられた共通機能層を備え、
    　上記共通機能層は、上記表示領域から上記貫通孔にわたるように上記樹脂層上に設けられ、該樹脂層の上記貫通孔側及び上記表示領域側の周端下部において切り離されていることを特徴とする表示装置。
  2. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　上記第２層間絶縁膜は、上記ベース基板側から順に積層された下側第２層間絶縁膜及び上側第２層間絶縁膜を含み、
    　上記開口部は、上記上側第２層間絶縁膜を貫通するように設けられていることを特徴とする表示装置。
  3. 　請求項２に記載された表示装置において、
    　上記開口部において、上記下側第２層間絶縁膜と上記封止絶縁膜とが互いに接していることを特徴とする表示装置。
  4. 　請求項２又は３に記載された表示装置において、
    　上記下側第２層間絶縁膜は、酸化シリコン膜からなり、
    　上記上側第２層間絶縁膜は、窒化シリコン膜からなることを特徴とする表示装置。
  5. 　請求項２又は３に記載された表示装置において、
    　上記下側第２層間絶縁膜は、窒化シリコン膜からなり、
    　上記上側第２層間絶縁膜は、酸化シリコン膜からなることを特徴とする表示装置。
  6. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　上記開口部は、上記第２層間絶縁膜を貫通するように設けられていることを特徴とする表示装置。
  7. 　請求項６に記載された表示装置において、
    　上記第１層間絶縁膜は、上記開口部において、上記第２層間絶縁膜から露出し、
    　上記開口部において、上記第１層間絶縁膜と上記封止絶縁膜とが互いに接していることを特徴とする表示装置。
  8. 　請求項７に記載された表示装置において、
    　上記第２層間絶縁膜は、窒化シリコン膜からなり、
    　上記第１層間絶縁膜は、酸化シリコン膜からなることを特徴とする表示装置。
  9. 　請求項７に記載された表示装置において、
    　上記第２層間絶縁膜は、酸化シリコン膜からなり、
    　上記第１層間絶縁膜は、窒化シリコン膜からなることを特徴とする表示装置。
  10. 　請求項１～９の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記薄膜トランジスタ層は、上記発光素子層側に設けられた平坦化膜を備え、
    　上記樹脂層は、上記平坦化膜と同一材料により同一層に形成されていることを特徴とする表示装置。
  11. 　請求項１～９の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記発光素子層は、上記各発光素子の上記第１電極の周端部を覆うように設けられたエッジカバーを備え、
    　上記樹脂層は、上記エッジカバーと同一材料により同一層に形成されていることを特徴とする表示装置。
  12. 　請求項１～９の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記薄膜トランジスタ層は、上記発光素子層側に設けられた平坦化膜を備え、
    　上記発光素子層は、上記各発光素子の上記第１電極の周端部を覆うように設けられたエッジカバーを備え、
    　上記樹脂層は、上記平坦化膜と同一材料により同一層に形成された下層樹脂層と、上記エッジカバーと同一材料により同一層に形成された上層樹脂層とを積層して設けられていることを特徴とする表示装置。
  13. 　請求項１～１２の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記第２層間絶縁膜には、上記樹脂層と重なると共に、該第２層間絶縁膜を貫通するように絶縁膜貫通孔が枠状に設けられ、
    　上記絶縁膜貫通孔には、該絶縁膜貫通孔を埋めるように樹脂充填層が設けられ、
    　上記樹脂層は、上記樹脂充填層上に設けられていることを特徴とする表示装置。
  14. 　請求項１３に記載された表示装置において、
    　上記樹脂層と上記樹脂充填層との間には、金属層が設けられていることを特徴とする表示装置。
  15. 　請求項１～１４の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記封止絶縁膜は、上記ベース基板側に設けられた下層封止絶縁膜と、上記ベース基板と反対側に設けられた上層封止絶縁膜とを備え、
    　上記封止膜は、上記下層封止絶縁膜及び上記上層封止絶縁膜の間に設けられた有機絶縁膜を備え、
    　上記非表示領域において、上記分離壁の上記表示領域側には、上記分離壁の周囲に沿って枠状の堰止壁が上記有機絶縁膜の周端部と重なるように設けられていることを特徴とする表示装置。
  16. 　請求項１５に記載された表示装置において、
    　上記開口部において、上記下層封止絶縁膜、上記第２層間絶縁膜及び上記樹脂層に囲まれるように空間が設けられていることを特徴とする表示装置。
  17. 　請求項１～１６の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記貫通孔側の上記開口部は、上記貫通孔に到達するように設けられていることを特徴とする表示装置。
  18. 　請求項１～１７の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記各発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする表示装置。
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