WO2019138579A1 - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- G—PHYSICS
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- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
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-
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- H—ELECTRICITY
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-
- H—ELECTRICITY
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Definitions
- the present invention relates to a display device and a method of manufacturing the same.
- Patent Document 1 has a laminated structure in which an inorganic film layer formed by a CVD (chemical vapor deposition) method or the like and an organic film layer formed by an inkjet method or the like are alternately arranged, Disclosed is a display device provided with a thin film sealing layer covering an element.
- CVD chemical vapor deposition
- the organic film is deposited by the inkjet method, and the second inorganic film is deposited by the CVD method in order
- there is a defect in the first inorganic film After the water invading into the organic film and the outgas generated in the organic film diffuse in the organic film, there is a possibility that the organic EL element is reached through the defect of the first inorganic film. In such a case, the organic EL layer constituting the organic EL element is damaged, and the reliability of the organic EL display device is reduced.
- the present invention has been made in view of such a point, and an object thereof is to suppress the diffusion of moisture and outgas in the sealing film to improve the reliability of the display device.
- a display device comprises: a base substrate; a TFT layer provided on the base substrate; a plurality of first electrodes provided on the TFT layer; An edge cover provided so as to cover the peripheral end of one electrode, and having a plurality of openings formed corresponding to the plurality of first electrodes, and the plurality of first electrodes via the edge cover A plurality of light emitting layers provided, a second electrode commonly provided for the plurality of sub-pixels corresponding to the plurality of first electrodes on the plurality of light emitting layers, the plurality of first electrodes, the edge cover A display device provided to cover a light emitting element having a light emitting layer and a second electrode, and including a sealing film in which a first inorganic film, an organic film and a second inorganic film are sequentially stacked, A membrane is provided to overlap each opening of the edge cover It is, the first inorganic film and the second inorganic layer is characterized by being in contact with each other at least in part on
- the organic film is provided so as to overlap each opening of the edge cover, (2) Since the inorganic films are in contact with each other on at least a part of the edge cover, it is possible to improve the reliability of the display device by suppressing the diffusion of water and outgassing in the sealing film.
- FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention.
- FIG. 2 is a plan view showing the detailed configuration of the display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a TFT layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 4 is a cross-sectional view showing the detailed configuration of the display area of the organic EL display taken along the line IV-IV in FIG.
- FIG. 5 is a cross-sectional view showing an organic EL layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention.
- FIG. 2 is a plan view showing the detailed configuration of the display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of
- FIG. 6 is a cross-sectional view showing the detailed configuration of the organic EL display taken along the line VI-VI in FIG.
- FIG. 7 is a cross-sectional view showing a detailed configuration of the organic EL display taken along the line VII-VII in FIG.
- FIG. 8 is a cross-sectional view of a first modified example of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention, which corresponds to FIG.
- FIG. 9 is a cross-sectional view of a second modified example of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention, which corresponds to FIG. FIG.
- FIG. 10 is sectional drawing which shows the organic vapor deposition film formation process in the sealing film formation process at the time of manufacturing the organic electroluminescence display which concerns on the 1st Embodiment of this invention.
- FIG. 11 is a cross-sectional view showing the detailed configuration of the display area of the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention.
- FIG. 12 is a cross-sectional view showing a detailed configuration of a display area of a modification of the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention.
- FIGS. 1 to 10 show a first embodiment of a display device and a method of manufacturing the same according to the present invention.
- an organic EL display device provided with an organic EL element is illustrated as a display device provided with a light emitting element.
- FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device 50a of the present embodiment.
- FIG. 2 is a plan view showing the detailed configuration of the display area D of the organic EL display device 50a.
- FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the TFT layer 20 constituting the organic EL display device 50a.
- 4 is a cross-sectional view showing the detailed configuration of the display area D of the organic EL display device 50a, taken along the line IV-IV in FIG.
- FIG. 5 is a cross-sectional view showing the organic EL layer 23a constituting the organic EL display device 50a.
- 6 and 7 are cross-sectional views showing the detailed configuration of the organic EL display device 50a, taken along the lines VI-VI and VII-VII in FIG. 8 and 9 are cross-sectional views of the organic EL displays 50aa and 50ab of the first modification and the second modification of the organic EL display 50a, respectively, and correspond to FIG.
- a plurality of sub-pixels P are arranged in a matrix.
- a sub-pixel P having a red light emission area Lr for performing red gradation display and a sub pixel having a green light emission area Lg for performing green gradation display A pixel P and sub-pixels P having a blue light-emitting area Lb for performing blue gradation display are provided adjacent to each other.
- one pixel is formed by three adjacent sub-pixels P having a red light emitting area Lr, a green light emitting area Lg, and a blue light emitting area Lb.
- the red light emitting region Lr, the green light emitting region Lg, and the blue light emitting region Lb are the opening M of the edge cover 22a described later.
- a terminal area T is provided along the lower side of the display area D in the figure.
- the organic EL display device 50a is provided as a light emitting element on the resin substrate layer 10 provided as a base substrate, the TFT layer 20 provided on the resin substrate layer 10, and the TFT layer 20, as shown in FIG.
- the organic EL element 25a and the sealing film 30a provided to cover the organic EL element 25a are provided.
- the resin substrate layer 10 is made of, for example, a polyimide resin or the like.
- the TFT layer 20 includes a base coat film 11 provided on the resin substrate layer 10, a plurality of first thin film transistors (TFTs) 9a provided on the base coat film 11, and a plurality of second TFTs 9b and A plurality of capacitors 9c and planarizing films 19 provided on the respective first TFTs 9a, the respective second TFTs 9b and the respective capacitors 9c are provided.
- TFTs first thin film transistors
- second TFTs 9b and A plurality of capacitors 9c and planarizing films 19 provided on the respective first TFTs 9a, the respective second TFTs 9b and the respective capacitors 9c are provided.
- a plurality of gate lines 14 are provided so as to extend parallel to each other in the lateral direction in the drawing.
- a plurality of source lines 18f are provided so as to extend in parallel with each other in the vertical direction in the drawing.
- a plurality of power supply lines 18g are provided adjacent to the respective source lines 18f so as to extend in parallel to each other in the vertical direction in the figure.
- a first TFT 9a, a second TFT 9b, and a capacitor 9c are provided in each sub-pixel P.
- the base coat film 11 is formed of, for example, a single layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride.
- the first TFT 9a is connected to the corresponding gate line 14 and source line 18f in each sub pixel P, as shown in FIG.
- the first TFT 9 a includes a semiconductor layer 12 a provided in an island shape on the base coat film 11, a gate insulating film 13 provided so as to cover the semiconductor layer 12 a, and a gate insulating film 13.
- a gate electrode 14a provided thereon so as to overlap with a channel region (not shown) of the semiconductor layer 12a; a first interlayer insulating film 15 and a second interlayer insulating film 17 sequentially provided so as to cover the gate electrode 14a; A source electrode 18 a and a drain electrode 18 b provided on the second interlayer insulating film 17 and arranged to be separated from each other are provided.
- the source electrode 18 a and the drain electrode 18 b are formed in the source region of the semiconductor layer 12 a through the contact holes formed in the laminated film of the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17. They are respectively connected to the drain region (not shown) and the drain region (not shown).
- the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 are formed of, for example, a single layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride. .
- the second TFT 9 b is connected to the corresponding first TFT 9 a and the corresponding power supply line 18 g in each sub-pixel P.
- the second TFT 9 b includes the semiconductor layer 12 b provided in an island shape on the base coat film 11, the gate insulating film 13 provided to cover the semiconductor layer 12 b, and the gate insulating film 13.
- a gate electrode 14 b provided thereon so as to overlap with a channel region (not shown) of the semiconductor layer 12 b; a first interlayer insulating film 15 and a second interlayer insulating film 17 sequentially provided to cover the gate electrode 14 b; A source electrode 18c and a drain electrode 18d provided on the second interlayer insulating film 17 and arranged to be separated from each other are provided.
- the source electrode 18c and the drain electrode 18d are formed in the source region of the semiconductor layer 12b (through the contact holes formed in the laminated film of the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17). They are respectively connected to the drain region (not shown) and the drain region (not shown).
- top gate type 1st TFT9a and 2nd TFT9b were illustrated in this embodiment, 1st TFT9a and 2nd TFT9b may be bottom gate type TFT.
- capacitor 9c is connected to the corresponding first TFT 9a and the corresponding power supply line 18g in each sub-pixel P, as shown in FIG.
- capacitor 9c is formed of a lower conductive layer 14c formed in the same layer and of the same material as the gate electrode, and a first interlayer insulating film 15 provided to cover lower conductive layer 14c.
- An upper conductive layer 16 is provided on the first interlayer insulating film 15 so as to overlap with the lower conductive layer 14c.
- Upper conductive layer 16 is connected to power supply line 18g via a contact hole formed in second interlayer insulating film 17 as shown in FIG.
- the planarization film 19 is made of, for example, a colorless and transparent organic resin material such as a polyimide resin. Further, as shown in FIG. 6, in the frame region F, slits S penetrating in the thickness direction of the resin substrate layer 10 are provided in the planarizing film 19 along the boundary with the display region D.
- the organic EL element 25 a includes a plurality of first electrodes (anode) 21 sequentially provided on the planarizing film 19, an edge cover 22 a, a plurality of organic EL layers 23 a and a second electrode (cathode). It has 24a.
- the plurality of first electrodes 21 are provided in a matrix on the planarization film 19 so as to correspond to the plurality of sub-pixels P.
- the first electrode 21 is connected to the drain electrode 18 d of each second TFT 9 b via a contact hole formed in the planarization film 19.
- the first electrode 21 has a function of injecting holes into the organic EL layer 23a.
- the first electrode 21 is more preferably formed of a material having a large work function in order to improve the hole injection efficiency to the organic EL layer 23a.
- the first electrode 21 for example, silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au) , Calcium (Ca), titanium (Ti), yttrium (Y), sodium (Na), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), magnesium (Mg), lithium (Li), ytterbium (Yb) And metal materials such as lithium fluoride (LiF).
- the material which comprises the 1st electrode 21 is magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / oxidation, for example Astatine (AtO 2 ), lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), or lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al), etc. It may be an alloy.
- the material constituting the first electrode 21 is, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO) or the like. It may be. Further, the first electrode 21 may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials. In addition, as a material with a large work function, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), etc. are mentioned, for example.
- the edge cover 22a is provided in a grid shape so as to cover the peripheral portion of each of the first electrodes 21, as shown in FIG.
- the edge cover 22a there are a plurality of openings M (see FIG. 2) penetrating in the thickness direction of the resin substrate layer 10 corresponding to the plurality of first electrodes 21, in other words, the plurality of sub-pixels P. It is formed in a matrix.
- organic films such as polyimide resin, acrylic resin, polysiloxane resin, novolac resin, are mentioned, for example.
- the plurality of organic EL layers 23a are provided as light emitting layers on the plurality of first electrodes 21 via the edge cover 22a, as shown in FIG.
- the plurality of organic EL layers 23 a are provided in a matrix corresponding to the plurality of sub-pixels P.
- each organic EL layer 23 a includes a hole injection layer 1, a hole transport layer 2, a light emitting layer main body 3, an electron transport layer 4 and an electron, which are sequentially provided on the first electrode 21.
- An injection layer 5 is provided.
- the hole injection layer 1 is also called an anode buffer layer, and has the function of improving the hole injection efficiency from the first electrode 21 to the organic EL layer 23a by bringing the energy levels of the first electrode 21 and the organic EL layer 23a closer to each other.
- the material constituting the hole injection layer for example, triazole derivative, oxadiazole derivative, imidazole derivative, polyarylalkane derivative, pyrazoline derivative, phenylenediamine derivative, oxazole derivative, styrylanthracene derivative, fluorenone derivative, Hydrazone derivatives, stilbene derivatives and the like can be mentioned.
- the hole transport layer 2 has a function of improving the transport efficiency of holes from the first electrode 21 to the organic EL layer 23a.
- a material constituting the hole transport layer 2 for example, porphyrin derivative, aromatic tertiary amine compound, styrylamine derivative, polyvinylcarbazole, poly-p-phenylenevinylene, polysilane, triazole derivative, oxadiazole Derivative, imidazole derivative, polyarylalkane derivative, pyrazoline derivative, pyrazolone derivative, phenylenediamine derivative, arylamine derivative, amine-substituted chalcone derivative, oxazole derivative, styrylanthracene derivative, fluorenone derivative, hydrazone derivative, stilbene derivative, hydrogenated amorphous silicon, Hydrogenated amorphous silicon carbide, zinc sulfide, zinc selenide and the like can be mentioned.
- the light emitting layer main body 3 holes and electrons are respectively injected from the first electrode 21 and the second electrode 24a when voltage is applied by the first electrode 21 and the second electrode 24a, and the holes and electrons are recombined. Area.
- the light emitting layer main body 3 is formed of a material having high light emission efficiency.
- a metal oxinoid compound [8-hydroxy quinoline metal complex], a naphthalene derivative, an anthracene derivative, a diphenyl ethylene derivative, a vinylacetone derivative, a triphenylamine derivative, a butadiene derivative, coumarin, for example Derivative, benzoxazole derivative, oxadiazole derivative, oxazole derivative, benzimidazole derivative, thiadiazole derivative, benzthiazole derivative, styryl derivative, styrylamine derivative, bisstyrylbenzene derivative, trisstyrylbenzene derivative, perylene derivative, perinone derivative, aminopyrene derivative , Pyridine derivatives, rhodamine derivatives, aquidin derivatives, phenoxazone, quinacridone derivatives, rubrene, poly-p-phenylenebi Ren, polysilane, and the like.
- a metal oxinoid compound [8-hydroxy quinoline
- the electron transport layer 4 has a function of efficiently moving electrons to the light emitting layer main body 3.
- a material constituting the electron transport layer 4 for example, as an organic compound, oxadiazole derivative, triazole derivative, benzoquinone derivative, naphthoquinone derivative, anthraquinone derivative, tetracyanoanthraquinodimethane derivative, diphenoquinone derivative, fluorenone derivative And silole derivatives, metal oxinoid compounds and the like.
- the electron injection layer 5 has a function of bringing the energy levels of the second electrode 24a and the organic EL layer 23a closer to each other and improving the efficiency of electron injection from the second electrode 24a to the organic EL layer 23a.
- the drive voltage of the organic EL element 25a can be lowered.
- the electron injection layer 5 is also called a cathode buffer layer.
- lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), barium fluoride Inorganic alkali compounds such as (BaF 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), strontium oxide (SrO) and the like can be mentioned.
- the second electrode 24a is provided commonly to the plurality of sub-pixels P corresponding to the plurality of first electrodes 21 on the plurality of organic EL layers 23a. Further, as shown in FIG. 6, the second electrode 24a is formed of the same material in the same layer as the source electrodes 18a and 18c via the slit S formed in a frame shape in the planarizing film 19 in the frame region F. It is connected to the source conductive layer 18 h. The second electrode 24a is not connected to the source conductive layer 18h on one side along the terminal area T of the slit S, as shown in FIG. Further, the second electrode 24a has a function of injecting electrons into the organic EL layer 23a.
- the second electrode 24a is more preferably made of a material having a small work function in order to improve the electron injection efficiency into the organic EL layer 23a.
- the second electrode 24 a is, for example, a vapor deposition film formed by a vacuum vapor deposition method.
- the second electrode 24 a for example, silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au) , Calcium (Ca), titanium (Ti), yttrium (Y), sodium (Na), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), magnesium (Mg), lithium (Li), ytterbium (Yb) And lithium fluoride (LiF).
- the second electrode 24 a may be, for example, magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / oxide astatine (AtO 2) And lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al), etc. May be
- the second electrode 24a may be formed of, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), etc. .
- the second electrode 24a may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials.
- a material having a small work function for example, magnesium (Mg), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al) Etc.
- the sealing film 30a includes a first inorganic film 26a, an organic film 27a and a second inorganic film 28a sequentially provided on the organic EL element 25a, as shown in FIGS. 4, 6 and 7, and the organic EL layer It has the function of protecting 23a from moisture and oxygen.
- the first inorganic film 26 a is provided so as to cover the organic EL element 25 a as shown in FIGS. 4, 6 and 7.
- the first inorganic film 26a and the second inorganic film 28a are made of, for example, an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon oxynitride film.
- the organic film 27a is provided to overlap the opening M of the edge cover 22a, as shown in FIG. Further, as shown in FIG. 4, a plurality of organic films 27a are provided in a matrix corresponding to a plurality of sub-pixels P, and in each sub-pixel P, between the first inorganic film 26a and the second inorganic film 28a. It is sealed.
- the organic film 27a is made of, for example, an ultraviolet curable organic vapor deposition film such as an acrylic resin.
- the organic film 27a is, for example, about 200 nm in thickness, and is thinner than the edge cover 22a (for example, about 2 ⁇ m in thickness).
- the second inorganic film 28a is provided so as to overlap with the first inorganic film 26a via the organic film 27a, as shown in FIG. 4, FIG. 6 and FIG. Further, as shown in FIGS. 4, 6 and 7, the second inorganic film 28a is in contact with the first inorganic film 26a on the edge cover 22a.
- the regions where the first inorganic film 26a and the second inorganic film 28a are in contact with each other are provided so as to surround the openings M of the edge cover 22a.
- ribs 19r (dot portions in FIG. 1) formed of the same material and in the same layer as the flattening film 19 are provided in a frame shape. It is done.
- the first inorganic film 26 a and the second inorganic film 28 a can be brought into close contact with each other on the rib 19 r in the frame area F as in the case of the edge cover 22 a in the display area D.
- the first inorganic film 26a and the second inorganic film 28a are in contact with each other substantially over the edge cover 22a.
- the first inorganic film 26a and the second inorganic film 28a may be edge covers. 22a may be in contact with each other.
- the organic EL display device 50a inputs a gate signal to the first TFT 9a via the gate line 14 to turn on the first TFT 9a, and the gate electrode 14b of the second TFT 9b via the source line 18f.
- the voltage corresponding to the source signal is written to the capacitor 9c, and the current from the power supply line 18g defined by the gate voltage of the second TFT 9b is supplied to the organic EL layer 23a.
- the light emitting layer main body 3 of the organic EL layer 23a emits light in a predetermined sub-pixel P to perform image display.
- the gate voltage of the second TFT 9b is held by the capacitor 9c, so light emission by the organic EL layer 23a is continued until the gate signal of the next frame is input. Is maintained.
- the organic EL display device 50a including the rib 19r having a single-layer structure is illustrated.
- an organic EL display device 50aa including a rib R having a laminated structure and It may be 50ab.
- the organic EL display device 50aa in the frame region F, the lower layer 19aa formed of the same material as the planarization film 19a and the same material as the edge cover 22a.
- the rib R provided with upper layer 22aa formed by this is provided in frame shape.
- the planarizing film 19a is substantially the same as the planarizing film 19 described above except that the pattern shape is different.
- the organic EL element 25aa in the organic EL display device 50aa includes a plurality of first electrodes 21, an edge cover 22a, a plurality of organic EL layers 23a, and a plurality of first electrodes 21 sequentially provided on the planarization film 19a. Two electrodes 24aa are provided.
- the second electrode 24 aa is connected to the source conductive layer 18 h in the frame region F via the slit S formed in a frame shape in the planarizing film 19 a.
- the slit S is provided with an anode conductive layer 21a formed of the same material in the same layer as the first electrode 21 and connected to the source conductive layer 19h.
- the anode conductive layer 21 a is connected to the second electrode 24 aa closer to the display region D than the slit S. Further, as shown in FIG.
- the organic film 27 a is provided (filled) inside the slit S, and the first inorganic film 26 a and the second inorganic film 28 a are in contact with each other on the surface of the rib R. . Further, as shown in FIG. 8, the second interlayer insulating film 17 and the first inorganic film 26 a are in contact with each other on the outer side of the rib R (the opposite side to the display region D), and the first inorganic film 26 a and the first inorganic film 26 a The two inorganic films 28a are in contact with each other.
- the peripheral end portion of the planarizing film 19b and the upper layer 22ab formed of the same material in the same layer as the edge cover 22a are provided in the frame area F.
- Ribs R are provided in a frame shape.
- the planarizing film 19 b is substantially the same as the planarizing film 19 described above except that the pattern shape is different.
- the same parts as those in FIG. 8 are denoted by the same reference numerals, and the detailed description thereof is omitted.
- the frame-like slit S is provided along the boundary with the display area D in the frame area F, as shown in FIG.
- the anode conductive layer 21a and the source conductive layer 18h electrically connected to the second electrode 24aa are not provided on one side.
- FIG. 10 is a cross-sectional view showing an organic vapor deposition film forming step in the sealing film forming step in manufacturing the organic EL display device 50a.
- a TFT layer forming step an organic EL element forming step, a first inorganic film forming step, an organic vapor deposition film forming step, an organic film forming step and a second inorganic
- a sealing film forming process including a film forming process.
- ⁇ TFT layer formation process> For example, the base coat film 11, the first TFT 9a, the second TFT 9b, the capacitor 9c, the planarizing film 19 and the rib 19r are formed on the surface of the resin substrate layer 10 formed on a glass substrate using a known method. Layer 20 is formed.
- Organic EL element formation process The first electrode 21, the edge cover 22 a, the organic EL layer 23 a (the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, the light emitting layer) on the TFT layer 20 formed in the above-mentioned TFT layer forming step using a known method
- the organic EL element 25a is formed by forming the main body 3, the electron transport layer 4, the electron injection layer 5), and the second electrode 24a.
- an inorganic insulating film such as a silicon nitride film is formed to a thickness of about 1000 nm by plasma CVD, using a mask, on the substrate surface on which the organic EL element 25a is formed in the light emitting element formation step.
- a first inorganic film 26a is formed (a first inorganic film forming step, see FIG. 10).
- an organic deposition film 27e made of acrylic resin or the like is formed to a thickness of about 200 nm on the entire surface of the substrate on which the first inorganic layer 26 is formed, for example, by vacuum deposition.
- Organic vapor deposition film formation process the acrylic material is attached to the surface of the substrate by cooling the substrate placed in an acrylic vapor atmosphere in which the acrylic material is vaporized, and then the acrylic material is irradiated by ultraviolet light. By curing, the organic deposition film 27e is formed.
- the acrylic material attached to the surface of the substrate has the characteristics of being liquid, having a low viscosity, and a low surface tension, so that it adheres relatively thickly at each opening M of the edge cover 22a, and on the edge cover 22a. It adheres relatively thinly.
- the organic vapor deposition film 27e is thinned by, for example, ashing using plasma until the first inorganic film 26a is exposed on at least a part of the edge cover 22a, thereby forming the organic film 27a (organic film forming step , FIG.4 and FIG.6).
- an inorganic insulating film such as a silicon nitride film is formed to a thickness of about 500 nm by plasma CVD using a mask, and the first inorganic film 26a is formed.
- the sealing film 30a including the first inorganic film 26a, the organic film 27a, and the second inorganic film 28a is formed (second inorganic film forming step, FIG. 4). And Figure 6).
- the glass substrate is peeled from the lower surface of the resin substrate layer 10 by irradiating laser light from the glass substrate side of the substrate on which the sealing film 30 a is formed.
- the organic EL display device 50a of the present embodiment can be manufactured.
- the organic film forming step of the sealing film forming step the organic film is exposed until the first inorganic film 26a is exposed on the edge cover 22a.
- the deposited film 22e is thinned by ashing to form the organic film 27a so as to overlap the openings M of the edge cover 22a. Therefore, by forming the second inorganic film 28a so as to cover the first inorganic film 26a and the organic film 27a in the subsequent second inorganic film forming step, the first inorganic film 26a and the second inorganic film 28a can be edge-covered. They will contact each other on 22a.
- the organic film 27a is formed in each sub-pixel P. It is sealed between the first inorganic film 26a and the second inorganic film 28a. As a result, even if water intrudes into the organic film 27a or outgassing occurs in the organic film 27a in a certain sub-pixel P, the water or moisture in the organic film 27a of the surrounding sub-pixel P is generated. Since it is difficult for the outgas to penetrate, the diffusion of water or outgas in the sealing film 30a can be suppressed to improve the reliability of the organic EL display device 50a.
- a sub-pixel P in which a defect is generated in the first inorganic film 26a due to a foreign substance attached to the surface and a sub-pixel P in which water intrudes into the organic film 27a or an outgas is generated in the organic film 27a. As long as it does not match, it is possible not to adversely affect the display characteristics.
- FIG. 11 is a cross-sectional view showing a detailed configuration of the display area D of the organic EL display device 50b of the present embodiment.
- FIG. 12 is a cross-sectional view showing a detailed configuration of a display area D of an organic EL display device 50c which is a modification of the organic EL display device 50b.
- the same parts as those in FIGS. 1 to 10 are denoted by the same reference numerals, and the detailed description thereof will be omitted.
- the organic EL display device 50a including the edge cover 22a having no protrusion on the surface is illustrated, but in the present embodiment, the edge covers 22b and 22c having the protrusion E formed on the surface are used.
- the organic EL display devices 50b and 50c provided are illustrated.
- the organic EL display device 50b includes a resin substrate layer 10, a TFT layer 20 provided on the resin substrate layer 10, and an organic EL element 25b provided as a light emitting element on the TFT layer 20. And a sealing film 30b provided to cover the organic EL element 25b.
- the organic EL element 25b includes a plurality of first electrodes 21, an edge cover 22b, a plurality of organic EL layers 23b, and a second electrode 24b, which are sequentially provided on the planarization film 19.
- the edge cover 22b is provided in a grid shape so as to cover the peripheral portion of each first electrode 21 as shown in FIG.
- the edge cover 22b has a plurality of openings M (see FIG. 2) penetrating in the thickness direction of the resin substrate layer 10 corresponding to the plurality of first electrodes 21, in other words, the plurality of sub-pixels P. It is formed in a matrix.
- a protrusion E having a reverse V-shaped cross section is provided so as to protrude in the thickness direction of the resin substrate layer 10.
- organic films such as polyimide resin, acrylic resin, polysiloxane resin, novolak resin, are mentioned, for example.
- the organic EL layer 23b and the second electrode 24b are different from each other only in the sectional shape according to the sectional shape of the edge cover 22b as shown in FIG. It is substantially the same as the electrode 24a.
- the sealing film 30b includes a first inorganic film 26b, an organic film 27b and a second inorganic film 28b sequentially provided on the organic EL element 25b, and the organic EL layer 23b is made of moisture and oxygen.
- the first inorganic film 26b, the organic film 27b, and the second inorganic film 28b are different from each other only in the cross sectional shape according to the cross sectional shape of the edge cover 22b. It is substantially the same as the first inorganic film 26a, the organic film 27a, and the second inorganic film 28a in the form.
- the organic EL display device 50c includes a resin substrate layer 10, a TFT layer 20 provided on the resin substrate layer 10, and an organic EL element 25c provided as a light emitting element on the TFT layer 20. And a sealing film 30c provided to cover the organic EL element 25c.
- the organic EL element 25c includes a plurality of first electrodes 21, an edge cover 22c, a plurality of organic EL layers 23c, and a second electrode 24c, which are sequentially provided on the planarization film 19.
- the edge cover 22c is provided in a grid shape so as to cover the peripheral portion of each first electrode 21 as shown in FIG.
- the edge cover 22c there are a plurality of openings M (see FIG. 2) penetrating in the thickness direction of the resin substrate layer 10 corresponding to the plurality of first electrodes 21, in other words, the plurality of sub-pixels P. It is formed in a matrix.
- a projecting portion E which protrudes in the thickness direction of the resin substrate layer 10 and which has a trapezoidal cross section whose upper bottom is longer than the lower bottom.
- organic films such as polyimide resin, acrylic resin, polysiloxane resin, and novolak resin, are mentioned, for example.
- the organic EL layer 23c and the second electrode 24c differ from each other only in the sectional shape according to the sectional shape of the edge cover 22c. It is substantially the same as the electrode 24a.
- the sealing film 30c is provided with a first inorganic film 26c, an organic film 27c and a second inorganic film 28c sequentially provided on the organic EL element 25c, and the organic EL layer 23c is made of moisture and oxygen.
- the first inorganic film 26c, the organic film 27c and the second inorganic film 28c are different from each other only in the sectional shape of the edge cover 22c according to the sectional shape of the edge cover 22c. It is substantially the same as the first inorganic film 26a, the organic film 27a, and the second inorganic film 28a in the form.
- the above-described organic EL display devices 50b and 50c have flexibility, and in each sub-pixel P, the organic EL device via the first TFT 9a and the second TFT 9b.
- the light emitting layer 3 of the layers 23a and 23b is configured to emit light as appropriate to display an image.
- the organic EL displays 50b and 50c of the present embodiment can be manufactured by changing the pattern shape of the edge covers 22b and 22c in the method of manufacturing the organic EL display 50a of the first embodiment.
- the first inorganic film on the edge cover 22b (22c) in the organic film forming step of the sealing film forming step The organic deposition film 22e is thinned by ashing until the 26b (26c) is exposed, whereby the organic film 27b (27c) is formed so as to overlap each opening M of the edge cover 22b (22c). Therefore, in the subsequent second inorganic film forming step, the second inorganic film 28b (28c) is formed to cover the first inorganic film 26b (26c) and the organic film 27b (27c), whereby the first inorganic film 26b is formed.
- the regions where the first inorganic film 26b (26c) and the second inorganic film 28b (28c) are in contact with each other are provided so as to surround the openings M of the edge cover 22b (22c).
- the organic film 27b (27c) is sealed between the first inorganic film 26b (26c) and the second inorganic film 28b (28c).
- the edge cover is formed in the region where the first inorganic film 26b (26c) and the second inorganic film 28b (28c) are in contact with each other. Since a part of the surface 22b (22c) protrudes in the thickness direction of the resin substrate layer 10, the film thickness of the organic vapor deposition film 22e formed on the protrusion E of the edge cover 22b (22c) should be reduced. Can.
- the organic EL layer having a five-layer laminated structure of the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer, and the electron injection layer has been exemplified. It may be a three-layer laminated structure of a layer and hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer and electron injection layer.
- the organic EL display device is exemplified in which the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode.
- the laminated structure of the organic EL layer is reversed and the first electrode is a cathode.
- the present invention can also be applied to an organic EL display device in which the second electrode is an anode.
- the organic EL display device including the element substrate in which the electrode of the TFT connected to the first electrode is a drain electrode is exemplified.
- the TFT connected to the first electrode The present invention can also be applied to an organic EL display device provided with an element substrate whose electrode is called a source electrode.
- the organic EL display device has been described as an example of the display device.
- the present invention can be applied to a display device provided with a plurality of light emitting elements driven by current.
- the present invention can be applied to a display device provided with a QLED (Quantum-dot light emitting diode) which is a light emitting element using a quantum dot-containing layer.
- QLED Quantum-dot light emitting diode
- the present invention is useful for flexible display devices.
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Abstract
第１無機膜（２６ａ）、有機膜（２７ａ）及び第２無機膜（２８ａ）が順に積層された封止膜（３０ａ）において、有機膜（２７ａ）は、エッジカバー（２２ａ）の各開口部（Ｍ）に重なるように設けられ、第１無機膜（２６ａ）及び第２無機膜（２８ａ）は、エッジカバー（２２ａ）上の少なくとも一部で互いに接触している。
Description
本発明は、表示装置及びその製造方法に関するものである。
近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機ＥＬ（electroluminescence）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。ここで、有機ＥＬ表示装置では、水分や酸素等の混入による有機ＥＬ素子の劣化を抑制するために、有機ＥＬ素子を覆う封止膜を無機膜及び有機膜の積層膜で構成する封止構造が提案されている。
例えば、特許文献１には、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等により形成された無機膜層と、インクジェット法等により形成された有機膜層とが交互に配置された積層構造を有し、有機発光素子を覆う薄膜封止層を備えた表示装置が開示されている。
ところで、例えば、ＣＶＤ法により第１無機膜、インクジェット法により有機膜、及びＣＶＤ法により第２無機膜が順に積層された封止膜では、第１無機膜に異物に起因する欠陥がある場合、有機膜内に侵入した水分や有機膜内で発生したアウトガスが有機膜内を拡散した後に、第１無機膜の欠陥を介して、有機ＥＬ素子に到達するおそれがある。そうなると、有機ＥＬ素子を構成する有機ＥＬ層がダメージを受けるので、有機ＥＬ表示装置の信頼性が低下してしまう。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、封止膜内での水分やアウトガスの拡散を抑制して、表示装置の信頼性を向上させることにある。
上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、ベース基板と、上記ベース基板上に設けられたＴＦＴ層と、上記ＴＦＴ層上に設けられた複数の第１電極と、上記各第１電極の周端部を覆うように設けられ、上記複数の第１電極に対応して複数の開口部が形成されたエッジカバーと、上記エッジカバーを介して上記複数の第１電極上にそれぞれ設けられた複数の発光層と、上記複数の発光層上に上記複数の第１電極に対応する複数のサブ画素に共通して設けられた第２電極と、上記複数の第１電極、エッジカバー、発光層及び第２電極を有する発光素子を覆うように設けられ、第１無機膜、有機膜及び第２無機膜が順に積層された封止膜とを備えた表示装置であって、上記有機膜は、上記エッジカバーの各開口部に重なるように設けられ、上記第１無機膜及び第２無機膜は、上記エッジカバー上の少なくとも一部で互いに接触していることを特徴とする。
本発明によれば、第１無機膜、有機膜及び第２無機膜が順に積層された封止膜において、有機膜がエッジカバーの各開口部に重なるように設けられ、第１無機膜及び第２無機膜がエッジカバー上の少なくとも一部で互いに接触しているので、封止膜内での水分やアウトガスの拡散を抑制して、表示装置の信頼性を向上させることができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
《第１の実施形態》
図１～図１０は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの概略構成を示す平面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの詳細構成を示す平面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成するＴＦＴ層２０の等価回路図である。また、図４は、図１中のIV－IV線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの詳細構成を示す断面図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ層２３ａを示す断面図である。また、図６及び図７は、図１中のVI－VI線及びVII－VII線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ａの詳細構成を示す断面図である。また、図８及び図９は、有機ＥＬ表示装置５０ａの第１変形例及び第２変形例の有機ＥＬ表示装置５０ａａ及び５０ａｂの断面図であり、図６に相当する図である。
図１～図１０は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの概略構成を示す平面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの詳細構成を示す平面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成するＴＦＴ層２０の等価回路図である。また、図４は、図１中のIV－IV線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの詳細構成を示す断面図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ層２３ａを示す断面図である。また、図６及び図７は、図１中のVI－VI線及びVII－VII線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ａの詳細構成を示す断面図である。また、図８及び図９は、有機ＥＬ表示装置５０ａの第１変形例及び第２変形例の有機ＥＬ表示装置５０ａａ及び５０ａｂの断面図であり、図６に相当する図である。
有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、矩形状に規定された画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に枠状に規定された額縁領域Ｆ（図中ハッチング部）とを備えている。
表示領域Ｄには、図２に示すように、複数のサブ画素Ｐがマトリクス状に配置されている。ここで、表示領域Ｄでは、図２に示すように、赤色の階調表示を行うための赤色発光領域Ｌｒを有するサブ画素Ｐ、緑色の階調表示を行うための緑色発光領域Ｌｇを有するサブ画素Ｐ、及び青色の階調表示を行うための青色発光領域Ｌｂを有するサブ画素Ｐが互いに隣り合うように設けられている。なお、表示領域Ｄでは、赤色発光領域Ｌｒ、緑色発光領域Ｌｇ及び青色発光領域Ｌｂを有する隣り合う３つのサブ画素Ｐにより、１つの画素が構成されている。また、赤色発光領域Ｌｒ、緑色発光領域Ｌｇ及び青色発光領域Ｌｂは、後述するエッジカバー２２ａの開口部Ｍになっている。
額縁領域Ｆには、図１に示すように、表示領域Ｄの図中下辺に沿って端子領域Ｔが設けられている。
有機ＥＬ表示装置５０ａは、図４に示すように、ベース基板として設けられた樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ層２０と、ＴＦＴ層２０上に発光素子として設けられた有機ＥＬ素子２５ａと、有機ＥＬ素子２５ａを覆うように設けられた封止膜３０ａとを備えている。
樹脂基板層１０は、例えば、ポリイミド樹脂等により構成されている。
ＴＦＴ層２０は、図４に示すように、樹脂基板層１０上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ（thin film transistor）９ａ、複数の第２ＴＦＴ９ｂ及び複数のキャパシタ９ｃと、各第１ＴＦＴ９ａ、各第２ＴＦＴ９ｂ及び各キャパシタ９ｃ上に設けられた平坦化膜１９とを備えている。ここで、ＴＦＴ層２０では、図２及び図３に示すように、図中横方向に互いに平行に延びるように複数のゲート線１４が設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図２及び図３に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数のソース線１８ｆが設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図２及び図３に示すように、各ソース線１８ｆと隣り合って、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数の電源線１８ｇが設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図３に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及びキャパシタ９ｃがそれぞれ設けられている。
ベースコート膜１１は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
第１ＴＦＴ９ａは、図３に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応するゲート線１４及びソース線１８ｆに接続されている。ここで、第１ＴＦＴ９ａは、図４に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられた半導体層１２ａと、半導体層１２ａを覆うように設けられたゲート絶縁膜１３と、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ａのチャネル領域（不図示）と重なるように設けられたゲート電極１４ａと、ゲート電極１４ａを覆うように順に設けられた第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７と、第２層間絶縁膜１７上に設けられ、互いに離間するように配置されたソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂとを備えている。なお、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ａのソース領域（不図示）及びドレイン領域（不図示）にそれぞれ接続されている。また、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
第２ＴＦＴ９ｂは、図３に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに接続されている。ここで、第２ＴＦＴ９ｂは、図４に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられた半導体層１２ｂと、半導体層１２ｂを覆うように設けられたゲート絶縁膜１３と、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ｂのチャネル領域（不図示）と重なるように設けられたゲート電極１４ｂと、ゲート電極１４ｂを覆うように順に設けられた第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７と、第２層間絶縁膜１７上に設けられ、互いに離間するように配置されたソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄとを備えている。なお、ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ｂのソース領域（不図示）及びドレイン領域（不図示）にそれぞれ接続されている。また、本実施形態では、トップゲート型の第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを例示したが、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂは、ボトムゲート型のＴＦＴであってもよい。
キャパシタ９ｃは、図３に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに接続されている。ここで、キャパシタ９ｃは、図４に示すように、ゲート電極と同一材料により同一層に形成された下部導電層１４ｃと、下部導電層１４ｃを覆うように設けられた第１層間絶縁膜１５と、第１層間絶縁膜１５上に下部導電層１４ｃと重なるように設けられた上部導電層１６とを備えている。なお、上部導電層１６は、図４に示すように、第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールを介して、電源線１８ｇに接続されている。
平坦化膜１９は、例えば、ポリイミド樹脂等の無色透明な有機樹脂材料により構成されている。また、平坦化膜１９には、図６に示すように、額縁領域Ｆにおいて、樹脂基板層１０の厚さ方向に貫通するスリットＳが表示領域Ｄとの境界に沿って設けられている。
有機ＥＬ素子２５ａは、図４に示すように、平坦化膜１９上に順に設けられた複数の第１電極（陽極）２１、エッジカバー２２ａ、複数の有機ＥＬ層２３ａ及び第２電極（陰極）２４ａを備えている。
複数の第１電極２１は、図４に示すように、複数のサブ画素Ｐに対応するように、平坦化膜１９上にマトリクス状に設けられている。ここで、第１電極２１は、図４に示すように、平坦化膜１９に形成されたコンタクトホールを介して、各第２ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１８ｄに接続されている。また、第１電極２１は、有機ＥＬ層２３ａにホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極２１は、有機ＥＬ層２３ａへの正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第１電極２１を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極２１を構成する材料は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、又はフッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極２１を構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極２１は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
エッジカバー２２ａは、図４に示すように、各第１電極２１の周縁部を覆うように格子状に設けられている。なお、エッジカバー２２ａには、複数の第１電極２１、言い換えれば、複数のサブ画素Ｐに対応して、樹脂基板層１０の厚さ方向に貫通する複数の開口部Ｍ（図２参照）がマトリクス状に形成されている。ここで、エッジカバー２２ａを構成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等の有機膜が挙げられる。
複数の有機ＥＬ層２３ａは、図４に示すように、エッジカバー２２ａを介して複数の第１電極２１上に発光層として設けられている。なお、複数の有機ＥＬ層２３ａは、複数のサブ画素Ｐに対応してマトリクス状に設けられている。ここで、各有機ＥＬ層２３ａは、図５に示すように、第１電極２１上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層本体３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極２１と有機ＥＬ層２３ａとのエネルギーレベルを近づけ、第１電極２１から有機ＥＬ層２３ａへの正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。
正孔輸送層２は、第１電極２１から有機ＥＬ層２３ａへの正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
発光層本体３は、第１電極２１及び第２電極２４ａによる電圧印加の際に、第１電極２１及び第２電極２４ａから正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層本体３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層本体３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
電子輸送層４は、電子を発光層本体３まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
電子注入層５は、第２電極２４ａと有機ＥＬ層２３ａとのエネルギーレベルを近づけ、第２電極２４ａから有機ＥＬ層２３ａへ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子２５ａの駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
第２電極２４ａは、図４に示すように、複数の有機ＥＬ層２３ａ上に複数の第１電極２１に対応する複数のサブ画素Ｐに共通して設けられている。また、第２電極２４ａは、図６に示すように、額縁領域Ｆにおいて、平坦化膜１９に枠状に形成されたスリットＳを介してソース電極１８ａ及び１８ｃと同一層に同一材料により形成されたソース導電層１８ｈに接続されている。なお、第２電極２４ａは、図７に示すように、スリットＳの端子領域Ｔに沿う一辺においては、ソース導電層１８ｈに接続されていない。また、第２電極２４ａは、有機ＥＬ層２３ａに電子を注入する機能を有している。また、第２電極２４ａは、有機ＥＬ層２３ａへの電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。また、第２電極２４ａは、例えば、真空蒸着法により形成される蒸着膜である。ここで、第２電極２４ａを構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極２４ａは、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極２４ａは、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極２４ａは、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
封止膜３０ａは、図４、図６及び図７に示すように、有機ＥＬ素子２５ａ上に順に設けられた第１無機膜２６ａ、有機膜２７ａ及び第２無機膜２８ａを備え、有機ＥＬ層２３ａを水分や酸素から保護する機能を有している。
第１無機膜２６ａは、図４、図６及び図７に示すように、有機ＥＬ素子２５ａを覆うように設けられている。ここで、第１無機膜２６ａ及び第２無機膜２８ａは、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜により構成されている。
有機膜２７ａは、図４に示すように、エッジカバー２２ａの開口部Ｍに重なるように設けられている。また、有機膜２７ａは、図４に示すように、複数のサブ画素Ｐに対応してマトリクス状に複数設けられ、各サブ画素Ｐにおいて、第１無機膜２６ａ及び第２無機膜２８ａの間に密封されている。ここで、有機膜２７ａは、例えば、アクリル樹脂等の紫外線硬化型の有機蒸着膜により構成されている。また、有機膜２７ａは、例えば、厚さ２００ｎｍ程度であり、エッジカバー２２ａ（例えば、厚さ２μｍ程度）よりも薄く設けられている。
第２無機膜２８ａは、図４、図６及び図７に示すように、有機膜２７ａを介して、第１無機膜２６ａと重なり合うように設けられている。また、第２無機膜２８ａは、図４、図６及び図７に示すように、エッジカバー２２ａ上で第１無機膜２６ａと接触している。ここで、第１無機膜２６ａ及び第２無機膜２８ａが互いに接触している領域は、エッジカバー２２ａの各開口部Ｍを囲むように設けられている。また、額縁領域Ｆには、図１、図６及び図７に示すように、平坦化膜１９と同一層に同一材料により形成されたリブ１９ｒ（図１中のドット部）が枠状に設けられている。これにより、第１無機膜２６ａ及び第２無機膜２８ａを、表示領域Ｄにおけるエッジカバー２２ａ上と同様に、額縁領域Ｆにおいて、リブ１９ｒ上で互いに密着させることができる。なお、本実施形態では、第１無機膜２６ａ及び第２無機膜２８ａがエッジカバー２２ａ上のほぼ全域で互いに接触する構成を例示したが、第１無機膜２６ａ及び第２無機膜２８ａがエッジカバー２２ａ上の一部で互いに接触する構成であってもよい。
上述した有機ＥＬ表示装置５０ａは、各サブ画素Ｐにおいて、ゲート線１４を介して第１ＴＦＴ９ａにゲート信号を入力して、第１ＴＦＴ９ａをオン状態にし、ソース線１８ｆを介して第２ＴＦＴ９ｂのゲート電極１４ｂ及びキャパシタ９ｃにソース信号に対応する電圧を書き込んで、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧により規定された電源線１８ｇからの電流が有機ＥＬ層２３ａに供給される。これにより、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、所定のサブ画素Ｐにおいて、有機ＥＬ層２３ａの発光層本体３が発光して、画像表示を行うように構成されている。なお、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、第１ＴＦＴ９ａがオフ状態になっても、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧がキャパシタ９ｃによって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまで有機ＥＬ層２３ａによる発光が維持される。
なお、本実施形態では、単層構造のリブ１９ｒを備えた有機ＥＬ表示装置５０ａを例示したが、図８及び図９に示すように、積層構造のリブＲを備えた有機ＥＬ表示装置５０ａａ及び５０ａｂであってもよい。
具体的に、有機ＥＬ表示装置５０ａａでは、図８に示すように、額縁領域Ｆにおいて、平坦化膜１９ａと同一層に同一材料により形成された下層１９ａａと、エッジカバー２２ａと同一層に同一材料により形成された上層２２ａａとを備えたリブＲが枠状に設けられている。ここで、平坦化膜１９ａは、そのパターン形状が異なるだけで、上述した平坦化膜１９と実質的に同じである。また、有機ＥＬ表示装置５０ａａにおける有機ＥＬ素子２５ａａは、図８に示すように、平坦化膜１９ａ上に順に設けられた複数の第１電極２１、エッジカバー２２ａ、複数の有機ＥＬ層２３ａ及び第２電極２４ａａを備えている。ここで、第２電極２４ａａは、図８に示すように、額縁領域Ｆにおいて、平坦化膜１９ａに枠状に形成されたスリットＳを介してソース導電層１８ｈに接続されている。なお、スリットＳには、図８に示すように、第１電極２１と同一層に同一材料により形成され、ソース導電層１９ｈに接続された陽極導電層２１ａが設けられている。さらに、陽極導電層２１ａは、図８に示すように、スリットＳよりも表示領域Ｄ側で第２電極２４ａａに接続されている。また、図８に示すように、スリットＳの内部には、有機膜２７ａが設けられ（充填され）、リブＲの表面において、第１無機膜２６ａ及び第２無機膜２８ａが互いに接触している。また、リブＲの外側（表示領域Ｄと反対側）では、図８に示すように、第２層間絶縁膜１７及び第１無機膜２６ａが互いに接触していると共に、第１無機膜２６ａ及び第２無機膜２８ａが互いに接触している。
また、有機ＥＬ表示装置５０ａｂでは、図９に示すように、額縁領域Ｆにおいて、平坦化膜１９ｂの周端部と、エッジカバー２２ａと同一層に同一材料により形成された上層２２ａｂとを備えたリブＲが枠状に設けられている。ここで、平坦化膜１９ｂは、そのパターン形状が異なるだけで、上述した平坦化膜１９と実質的に同じである。なお、有機ＥＬ表示装置５０ａｂにおいて、図８と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。また、平坦化膜１９ｂには、図９に示すように、額縁領域Ｆにおいて、枠状のスリットＳが表示領域Ｄとの境界に沿って設けられているものの、スリットＳの端子領域Ｔに沿う一辺においては、有機ＥＬ表示装置５０ａ（図７参照）と同様に、第２電極２４ａａに電気的に接続される陽極導電層２１ａ及びソース導電層１８ｈが設けられていない。
次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法について、図１０を用いて説明する。ここで、図１０は、有機ＥＬ表示装置５０ａを製造する際の封止膜形成工程における有機蒸着膜形成工程を示す断面図である。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法は、ＴＦＴ層形成工程と、有機ＥＬ素子形成工程と、第１無機膜形成工程、有機蒸着膜形成工程、有機膜形成工程及び第２無機膜形成工程を含む封止膜形成工程とを備える。
＜ＴＦＴ層形成工程＞
例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板層１０の表面に、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、キャパシタ９ｃ、平坦化膜１９及びリブ１９ｒを形成することにより、ＴＦＴ層２０を形成する。
例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板層１０の表面に、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、キャパシタ９ｃ、平坦化膜１９及びリブ１９ｒを形成することにより、ＴＦＴ層２０を形成する。
＜有機ＥＬ素子形成工程＞
上記ＴＦＴ層形成工程で形成されたＴＦＴ層２０上に、周知の方法を用いて、第１電極２１、エッジカバー２２ａ、有機ＥＬ層２３ａ（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層本体３、電子輸送層４、電子注入層５）、第２電極２４ａを形成することにより、有機ＥＬ素子２５ａを形成する。
上記ＴＦＴ層形成工程で形成されたＴＦＴ層２０上に、周知の方法を用いて、第１電極２１、エッジカバー２２ａ、有機ＥＬ層２３ａ（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層本体３、電子輸送層４、電子注入層５）、第２電極２４ａを形成することにより、有機ＥＬ素子２５ａを形成する。
＜封止膜形成工程＞
まず、上記発光素子形成工程で有機ＥＬ素子２５ａが形成された基板表面に、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により厚さ１０００ｎｍ程度に成膜して、第１無機膜２６ａを形成する（第１無機膜形成工程、図１０参照）。
まず、上記発光素子形成工程で有機ＥＬ素子２５ａが形成された基板表面に、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により厚さ１０００ｎｍ程度に成膜して、第１無機膜２６ａを形成する（第１無機膜形成工程、図１０参照）。
続いて、図１０に示すように、第１無機層２６が形成された基板の表面全体に、例えば、真空蒸着法により、アクリル樹脂等からなる有機蒸着膜２７ｅを厚さ２００ｎｍ程度に形成する（有機蒸着膜形成工程）。ここで、有機蒸着膜形成工程では、アクリル材料を気化させたアクリル蒸気雰囲気中に置かれた基板を冷却することにより、基板表面にアクリル材料を付着させた後に、紫外線の照射によって、アクリル材料を硬化させることにより、有機蒸着膜２７ｅが形成される。なお、基板表面に付着したアクリル材料は、液状で粘度が低く、表面張力が低い特性を有しているので、エッジカバー２２ａの各開口部Ｍで相対的に厚く付着し、エッジカバー２２ａ上で相対的に薄く付着する。
その後、エッジカバー２２ａ上の少なくとも一部で第１無機膜２６ａが露出するまで、有機蒸着膜２７ｅを、例えば、プラズマを利用するアッシングにより薄膜化して、有機膜２７ａを形成する（有機膜形成工程、図４及び図６参照）。
さらに、有機膜２７ａが形成された基板に対して、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により厚さ５００ｎｍ程度に成膜して、第１無機膜２６ａと重なり合うように、第２無機膜２８ａを形成することにより、第１無機膜２６ａ、有機膜２７ａ及び第２無機膜２８ａを備えた封止膜３０ａを形成する（第２無機膜形成工程、図４及び図６参照）。
最後に、封止膜３０ａが形成された基板のガラス基板側からレーザー光を照射することにより、樹脂基板層１０の下面からガラス基板を剥離させる。
以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａを製造することができる。
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａ及びその製造方法によれば、封止膜形成工程の有機膜形成工程において、エッジカバー２２ａ上で第１無機膜２６ａが露出するまで有機蒸着膜２２ｅをアッシングにより薄膜化することにより、エッジカバー２２ａの各開口部Ｍに重なるように有機膜２７ａを形成する。そのため、その後の第２無機膜形成工程において、第１無機膜２６ａ及び有機膜２７ａを覆うように第２無機膜２８ａを形成することにより、第１無機膜２６ａ及び第２無機膜２８ａがエッジカバー２２ａ上で互いに接触することになる。ここで、第１無機膜２６ａ及び第２無機膜２８ａが互いに接触している領域がエッジカバー２２ａの各開口部Ｍを囲むように設けられているので、各サブ画素Ｐにおいて、有機膜２７ａが第１無機膜２６ａ及び第２無機膜２８ａの間に密封されている。これにより、仮に、或るサブ画素Ｐにおいて、有機膜２７ａ内に水分が侵入したり、有機膜２７ａ内でアウトガスが発生したりしても、その周囲のサブ画素Ｐの有機膜２７ａに水分やアウトガスが侵入し難いので、封止膜３０ａ内での水分やアウトガスの拡散を抑制して、有機ＥＬ表示装置５０ａの信頼性を向上させることができる。そのため、例えば、表面に付着した異物により第１無機膜２６ａに欠陥が発生したサブ画素Ｐと、有機膜２７ａ内に水分が侵入したり、有機膜２７ａ内でアウトガスが発生したりしたサブ画素Ｐとが一致しない限り、表示特性に悪影響を及ばさないようにすることができる。
《第２の実施形態》
図１１及び図１２は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第２の実施形態を示している。ここで、図１１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの表示領域Ｄの詳細構成を示す断面図である。また、図１２は、有機ＥＬ表示装置５０ｂの変形例である有機ＥＬ表示装置５０ｃの表示領域Ｄの詳細構成を示す断面図である。なお、以下の実施形態において、図１～図１０と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
図１１及び図１２は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第２の実施形態を示している。ここで、図１１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの表示領域Ｄの詳細構成を示す断面図である。また、図１２は、有機ＥＬ表示装置５０ｂの変形例である有機ＥＬ表示装置５０ｃの表示領域Ｄの詳細構成を示す断面図である。なお、以下の実施形態において、図１～図１０と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
上記第１の実施形態では、表面に突出部のないエッジカバー２２ａを備えた有機ＥＬ表示装置５０ａを例示したが、本実施形態では、表面に突出部Ｅが形成されたエッジカバー２２ｂ及び２２ｃを備えた有機ＥＬ表示装置５０ｂ及び５０ｃを例示する。
有機ＥＬ表示装置５０ｂは、図１１に示すように、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ層２０と、ＴＦＴ層２０上に発光素子として設けられた有機ＥＬ素子２５ｂと、有機ＥＬ素子２５ｂを覆うように設けられた封止膜３０ｂとを備えている。
有機ＥＬ素子２５ｂは、図１１に示すように、平坦化膜１９上に順に設けられた複数の第１電極２１、エッジカバー２２ｂ、複数の有機ＥＬ層２３ｂ及び第２電極２４ｂを備えている。
エッジカバー２２ｂは、図１１に示すように、各第１電極２１の周縁部を覆うように格子状に設けられている。なお、エッジカバー２２ｂには、複数の第１電極２１、言い換えれば、複数のサブ画素Ｐに対応して、樹脂基板層１０の厚さ方向に貫通する複数の開口部Ｍ（図２参照）がマトリクス状に形成されている。また、エッジカバー２２ｂの表面には、樹脂基板層１０の厚さ方向に突出して、逆Ｖ字状の横断面を有する突出部Ｅが設けられている。ここで、エッジカバー２２ｂを構成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等の有機膜が挙げられる。
有機ＥＬ層２３ｂ及び第２電極２４ｂは、図１１に示すように、エッジカバー２２ｂの断面形状に合わせて、その断面形状が異なるだけで、上記第１の実施形態の有機ＥＬ層２３ａ及び第２電極２４ａと実質的に同じである。
封止膜３０ｂは、図１１に示すように、有機ＥＬ素子２５ｂ上に順に設けられた第１無機膜２６ｂ、有機膜２７ｂ及び第２無機膜２８ｂを備え、有機ＥＬ層２３ｂを水分や酸素から保護する機能を有している。ここで、第１無機膜２６ｂ、有機膜２７ｂ及び第２無機膜２８ｂは、図１１に示すように、エッジカバー２２ｂの断面形状に合わせて、その断面形状が異なるだけで、上記第１の実施形態の第１無機膜２６ａ、有機膜２７ａ及び第２無機膜２８ａと実質的に同じである。
有機ＥＬ表示装置５０ｃは、図１２に示すように、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ層２０と、ＴＦＴ層２０上に発光素子として設けられた有機ＥＬ素子２５ｃと、有機ＥＬ素子２５ｃを覆うように設けられた封止膜３０ｃとを備えている。
有機ＥＬ素子２５ｃは、図１２に示すように、平坦化膜１９上に順に設けられた複数の第１電極２１、エッジカバー２２ｃ、複数の有機ＥＬ層２３ｃ及び第２電極２４ｃを備えている。
エッジカバー２２ｃは、図１２に示すように、各第１電極２１の周縁部を覆うように格子状に設けられている。なお、エッジカバー２２ｃには、複数の第１電極２１、言い換えれば、複数のサブ画素Ｐに対応して、樹脂基板層１０の厚さ方向に貫通する複数の開口部Ｍ（図２参照）がマトリクス状に形成されている。また、エッジカバー２２ｃの表面には、樹脂基板層１０の厚さ方向に突出して、上底が下底よりも長い台形状の横断面を有する突出部Ｅが設けられている。ここで、エッジカバー２２ｃを構成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等の有機膜が挙げられる。
有機ＥＬ層２３ｃ及び第２電極２４ｃは、図１２に示すように、エッジカバー２２ｃの断面形状に合わせて、その断面形状が異なるだけで、上記第１の実施形態の有機ＥＬ層２３ａ及び第２電極２４ａと実質的に同じである。
封止膜３０ｃは、図１２に示すように、有機ＥＬ素子２５ｃ上に順に設けられた第１無機膜２６ｃ、有機膜２７ｃ及び第２無機膜２８ｃを備え、有機ＥＬ層２３ｃを水分や酸素から保護する機能を有している。ここで、第１無機膜２６ｃ、有機膜２７ｃ及び第２無機膜２８ｃは、図１２に示すように、エッジカバー２２ｃの断面形状に合わせて、その断面形状が異なるだけで、上記第１の実施形態の第１無機膜２６ａ、有機膜２７ａ及び第２無機膜２８ａと実質的に同じである。
上述した有機ＥＬ表示装置５０ｂ及び５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを介して有機ＥＬ層２３ａ及び２３ｂの発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂ及び５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法において、エッジカバー２２ｂ及び２２ｃのパターン形状を変更することにより、製造することができる。
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂ（５０ｃ）及びその製造方法によれば、封止膜形成工程の有機膜形成工程において、エッジカバー２２ｂ（２２ｃ）上で第１無機膜２６ｂ（２６ｃ）が露出するまで有機蒸着膜２２ｅをアッシングにより薄膜化することにより、エッジカバー２２ｂ（２２ｃ）の各開口部Ｍに重なるように有機膜２７ｂ（２７ｃ）を形成する。そのため、その後の第２無機膜形成工程において、第１無機膜２６ｂ（２６ｃ）及び有機膜２７ｂ（２７ｃ）を覆うように第２無機膜２８ｂ（２８ｃ）を形成することにより、第１無機膜２６ｂ（２６ｃ）及び第２無機膜２８ｂ（２８ｃ）がエッジカバー２２ａ上で互いに接触することになる。ここで、第１無機膜２６ｂ（２６ｃ）及び第２無機膜２８ｂ（２８ｃ）が互いに接触している領域がエッジカバー２２ｂ（２２ｃ）の各開口部Ｍを囲むように設けられているので、各サブ画素Ｐにおいて、有機膜２７ｂ（２７ｃ）が第１無機膜２６ｂ（２６ｃ）及び第２無機膜２８ｂ（２８ｃ）の間に密封されている。これにより、仮に、或るサブ画素Ｐにおいて、有機膜２７ｂ（２７ｃ）内に水分が侵入したり、有機膜２７ｂ（２７ｃ）内でアウトガスが発生したりしても、その周囲のサブ画素Ｐの有機膜２７ｂ（２７ｃ）に水分やアウトガスが侵入し難いので、封止膜３０ｂ（３０ｃ）内での水分やアウトガスの拡散を抑制して、有機ＥＬ表示装置５０ｂ（５０ｃ）の信頼性を向上させることができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂ（５０ｃ）及びその製造方法によれば、第１無機膜２６ｂ（２６ｃ）及び第２無機膜２８ｂ（２８ｃ）が互いに接触している領域において、エッジカバー２２ｂ（２２ｃ）の表面の一部が樹脂基板層１０の厚さ方向に突出しているので、エッジカバー２２ｂ（２２ｃ）の突出部Ｅ上に形成される有機蒸着膜２２ｅの膜厚を薄くすることができる。
《その他の実施形態》
上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
また、上記各実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
また、上記各実施形態では、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした素子基板を備えた有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ素子基板を備えた有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
また、上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本発明は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置に適用することができる。例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）を備えた表示装置に適用することができる。
以上説明したように、本発明は、フレキシブルな表示装置について有用である。
Ｄ 表示領域
Ｅ 突出部
Ｆ 額縁領域
Ｍ 開口部
Ｐ サブ画素
Ｒ リブ
Ｓ スリット
Ｔ 端子領域
９ａ，９ｂ ＴＦＴ
１０ 樹脂基板層（ベース基板）
１７ 第２層間絶縁膜（無機絶縁膜）
１８ａ，１８ｃ ソース電極
１８ｈ ソース導電層
１９，１９ａ，１９ｂ 平坦化膜
１９ｒ リブ
２０ ＴＦＴ層
２１ 第１電極
２１ａ 陽極導電層
２２ａ～２２ｃ エッジカバー
２３ａ～２３ｃ 有機ＥＬ層（発光層）
２４ａ～２４ｃ 第２電極
２５ａ～２５ｃ 有機ＥＬ素子（発光素子）
２６ａ～２６ｃ 第１無機膜
２７ａ～２７ｃ 有機膜
２７ｅ 有機蒸着膜
２８ａ～２８ｃ 第２無機膜
３０ａ～３０ｃ 封止膜
５０ａ，５０ａａ，５０ａｂ，５０ｂ，５０ｃ 有機ＥＬ表示装置
Ｅ 突出部
Ｆ 額縁領域
Ｍ 開口部
Ｐ サブ画素
Ｒ リブ
Ｓ スリット
Ｔ 端子領域
９ａ，９ｂ ＴＦＴ
１０ 樹脂基板層（ベース基板）
１７ 第２層間絶縁膜（無機絶縁膜）
１８ａ，１８ｃ ソース電極
１８ｈ ソース導電層
１９，１９ａ，１９ｂ 平坦化膜
１９ｒ リブ
２０ ＴＦＴ層
２１ 第１電極
２１ａ 陽極導電層
２２ａ～２２ｃ エッジカバー
２３ａ～２３ｃ 有機ＥＬ層（発光層）
２４ａ～２４ｃ 第２電極
２５ａ～２５ｃ 有機ＥＬ素子（発光素子）
２６ａ～２６ｃ 第１無機膜
２７ａ～２７ｃ 有機膜
２７ｅ 有機蒸着膜
２８ａ～２８ｃ 第２無機膜
３０ａ～３０ｃ 封止膜
５０ａ，５０ａａ，５０ａｂ，５０ｂ，５０ｃ 有機ＥＬ表示装置
Claims (14)
- ベース基板と、
上記ベース基板上に設けられたＴＦＴ層と、
上記ＴＦＴ層上に設けられた複数の第１電極と、
上記各第１電極の周端部を覆うように設けられ、上記複数の第１電極に対応して複数の開口部が形成されたエッジカバーと、
上記エッジカバーを介して上記複数の第１電極上にそれぞれ設けられた複数の発光層と、
上記複数の発光層上に上記複数の第１電極に対応する複数のサブ画素に共通して設けられた第２電極と、
上記複数の第１電極、エッジカバー、発光層及び第２電極を有する発光素子を覆うように設けられ、第１無機膜、有機膜及び第２無機膜が順に積層された封止膜とを備えた表示装置であって、
上記有機膜は、上記エッジカバーの各開口部に重なるように設けられ、
上記第１無機膜及び第２無機膜は、上記エッジカバー上の少なくとも一部で互いに接触していることを特徴とする表示装置。 - 請求項１に記載された表示装置において、
上記第１無機膜及び第２無機膜が互いに接触している領域は、上記エッジカバーの各開口部を囲むように設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１又は２に記載された表示装置において、
上記第１無機膜及び第２無機膜が互いに接触している領域では、上記エッジカバーの表面の一部が上記ベース基板の厚さ方向に突出していることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～３の何れか１つに記載された表示装置において、
上記有機膜は、上記エッジカバーよりも薄く設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～４の何れか１つに記載された表示装置において、
上記有機膜は、上記複数のサブ画素に対応してマトリクス状に複数設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～５の何れか１つに記載された表示装置において、
上記ＴＦＴ層は、平坦化膜を有し、
上記発光素子が設けられた矩形状の表示領域と、
上記表示領域の周囲に設けられた額縁領域と、
上記額縁領域において、上記表示領域を囲むように枠状に設けられ、上記平坦化膜、又は上記平坦化膜及びエッジカバーと同一層に同一材料により形成されたリブと、
上記額縁領域において、上記リブの上記表示領域側に枠状に設けられ、上記平坦化膜に形成されたスリットとを備え、
上記スリットの内部には、上記有機膜が設けられ、
上記リブの表面において、上記第１無機膜及び第２無機膜が互いに接触していることを特徴とする表示装置。 - 請求項６に記載された表示装置において、
上記ＴＦＴ層は、上記平坦化膜の上記ベース基板側に設けられた無機絶縁膜を有し、
上記リブの上記表示領域と反対側では、上記無機絶縁膜及び第１無機膜が互いに接触していると共に、上記第１無機膜及び第２無機膜が互いに接触していることを特徴とする表示装置。 - 請求項６又は７に記載された表示装置において、
上記ＴＦＴ層は、ＴＦＴを構成するソース電極を有し、
上記第２電極は、上記ソース電極と同一層に同一材料により形成されたソース導電層に上記スリットを介して電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項８に記載された表示装置において、
上記スリットには、上記第１電極と同一層に同一材料により形成され、上記ソース導電層に電気的に接続された陽極導電層が設けられ、
上記陽極導電層は、上記スリットよりも上記表示領域側で上記第２電極に電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項８又は９に記載された表示装置において、
上記額縁領域は、上記表示領域の一辺に沿って設けられた端子領域を有し、
上記第２電極と上記ソース導電層との間の電気的な接続は、上記スリットの上記端子領域に沿う一辺以外の三辺において、行われていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～１０の何れか１つに記載された表示装置において、
上記発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする表示装置。 - ベース基板上にＴＦＴ層を形成するＴＦＴ層形成工程と、
上記ＴＦＴ層上に発光素子を形成する発光素子形成工程と、
上記発光素子を覆うように封止膜を形成する封止膜形成工程とを備え、
上記発光素子は、
上記ＴＦＴ層上に設けられた複数の第１電極と、
上記各第１電極の周端部を覆うように設けられ、上記複数の第１電極に対応して複数の開口部が形成されたエッジカバーと、
上記エッジカバーを介して上記複数の第１電極上にそれぞれ設けられた複数の発光層と、
上記複数の発光層上に上記複数の第１電極に対応する複数のサブ画素に共通して設けられた第２電極とを備えており、
上記封止膜形成工程は、
上記発光素子を覆うように第１無機膜を形成する第１無機膜形成工程と、
上記第１無機膜を覆うように有機蒸着膜を形成する有機蒸着膜形成工程と、
上記エッジカバー上の少なくとも一部で上記第１無機膜が露出するまで上記有機蒸着膜をアッシングにより薄膜化することにより、上記エッジカバーの各開口部に重なるように有機膜を形成する有機膜形成工程と、
上記第１無機膜及び有機膜を覆うように第２無機膜を形成する第２無機膜形成工程とを備えることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項１２に記載された表示装置の製造方法において、
上記有機膜形成工程では、上記有機蒸着膜を薄膜化することにより、上記エッジカバーに重なる領域の上記有機蒸着膜が除去されることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項１２又は１３に記載された表示装置の製造方法において、
上記発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする表示装置の製造方法。
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