WO2019138579A1 - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

表示装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2019138579A1
WO2019138579A1 PCT/JP2018/000860 JP2018000860W WO2019138579A1 WO 2019138579 A1 WO2019138579 A1 WO 2019138579A1 JP 2018000860 W JP2018000860 W JP 2018000860W WO 2019138579 A1 WO2019138579 A1 WO 2019138579A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
film
display
organic
layer
inorganic film
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/000860
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
越智 貴志
純平 高橋
剛 平瀬
通 園田
剛史 千崎
Original Assignee
シャープ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シャープ株式会社 filed Critical シャープ株式会社
Priority to PCT/JP2018/000860 priority Critical patent/WO2019138579A1/ja
Publication of WO2019138579A1 publication Critical patent/WO2019138579A1/ja

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/28Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
    • H01L27/32Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L51/00Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
    • H01L51/50Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/02Details
    • H05B33/04Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/02Details
    • H05B33/06Electrode terminals
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers

Abstract

第1無機膜(26a)、有機膜(27a)及び第2無機膜(28a)が順に積層された封止膜(30a)において、有機膜(27a)は、エッジカバー(22a)の各開口部(M)に重なるように設けられ、第1無機膜(26a)及び第2無機膜(28a)は、エッジカバー(22a)上の少なくとも一部で互いに接触している。

Description

表示装置及びその製造方法
 本発明は、表示装置及びその製造方法に関するものである。
 近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機EL(electroluminescence)素子を用いた自発光型の有機EL表示装置が注目されている。ここで、有機EL表示装置では、水分や酸素等の混入による有機EL素子の劣化を抑制するために、有機EL素子を覆う封止膜を無機膜及び有機膜の積層膜で構成する封止構造が提案されている。
 例えば、特許文献1には、CVD(chemical vapor deposition)法等により形成された無機膜層と、インクジェット法等により形成された有機膜層とが交互に配置された積層構造を有し、有機発光素子を覆う薄膜封止層を備えた表示装置が開示されている。
特開2014-86415号公報
 ところで、例えば、CVD法により第1無機膜、インクジェット法により有機膜、及びCVD法により第2無機膜が順に積層された封止膜では、第1無機膜に異物に起因する欠陥がある場合、有機膜内に侵入した水分や有機膜内で発生したアウトガスが有機膜内を拡散した後に、第1無機膜の欠陥を介して、有機EL素子に到達するおそれがある。そうなると、有機EL素子を構成する有機EL層がダメージを受けるので、有機EL表示装置の信頼性が低下してしまう。
 本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、封止膜内での水分やアウトガスの拡散を抑制して、表示装置の信頼性を向上させることにある。
 上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、ベース基板と、上記ベース基板上に設けられたTFT層と、上記TFT層上に設けられた複数の第1電極と、上記各第1電極の周端部を覆うように設けられ、上記複数の第1電極に対応して複数の開口部が形成されたエッジカバーと、上記エッジカバーを介して上記複数の第1電極上にそれぞれ設けられた複数の発光層と、上記複数の発光層上に上記複数の第1電極に対応する複数のサブ画素に共通して設けられた第2電極と、上記複数の第1電極、エッジカバー、発光層及び第2電極を有する発光素子を覆うように設けられ、第1無機膜、有機膜及び第2無機膜が順に積層された封止膜とを備えた表示装置であって、上記有機膜は、上記エッジカバーの各開口部に重なるように設けられ、上記第1無機膜及び第2無機膜は、上記エッジカバー上の少なくとも一部で互いに接触していることを特徴とする。
 本発明によれば、第1無機膜、有機膜及び第2無機膜が順に積層された封止膜において、有機膜がエッジカバーの各開口部に重なるように設けられ、第1無機膜及び第2無機膜がエッジカバー上の少なくとも一部で互いに接触しているので、封止膜内での水分やアウトガスの拡散を抑制して、表示装置の信頼性を向上させることができる。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置の概略構成を示す平面図である。 図2は、本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置の表示領域の詳細構成を示す平面図である。 図3は、本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置を構成するTFT層の等価回路図である。 図4は、図1中のIV-IV線に沿った有機EL表示装置の表示領域の詳細構成を示す断面図である。 図5は、本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置を構成する有機EL層を示す断面図である。 図6は、図1中のVI-VI線に沿った有機EL表示装置の詳細構成を示す断面図である。 図7は、図1中のVII-VII線に沿った有機EL表示装置の詳細構成を示す断面図である。 図8は、本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置の第1変形例の断面図であり、図6に相当する図である。 図9は、本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置の第2変形例の断面図であり、図6に相当する図である。 図10は、本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置を製造する際の封止膜形成工程における有機蒸着膜形成工程を示す断面図である。 図11は、本発明の第2の実施形態に係る有機EL表示装置の表示領域の詳細構成を示す断面図である。 図12は、本発明の第2の実施形態に係る有機EL表示装置における変形例の表示領域の詳細構成を示す断面図である。
 以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
 《第1の実施形態》
 図1~図10は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第1の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機EL素子を備えた有機EL表示装置を例示する。ここで、図1は、本実施形態の有機EL表示装置50aの概略構成を示す平面図である。また、図2は、有機EL表示装置50aの表示領域Dの詳細構成を示す平面図である。また、図3は、有機EL表示装置50aを構成するTFT層20の等価回路図である。また、図4は、図1中のIV-IV線に沿った有機EL表示装置50aの表示領域Dの詳細構成を示す断面図である。また、図5は、有機EL表示装置50aを構成する有機EL層23aを示す断面図である。また、図6及び図7は、図1中のVI-VI線及びVII-VII線に沿った有機EL表示装置50aの詳細構成を示す断面図である。また、図8及び図9は、有機EL表示装置50aの第1変形例及び第2変形例の有機EL表示装置50aa及び50abの断面図であり、図6に相当する図である。
 有機EL表示装置50aは、図1に示すように、矩形状に規定された画像表示を行う表示領域Dと、表示領域Dの周囲に枠状に規定された額縁領域F(図中ハッチング部)とを備えている。
 表示領域Dには、図2に示すように、複数のサブ画素Pがマトリクス状に配置されている。ここで、表示領域Dでは、図2に示すように、赤色の階調表示を行うための赤色発光領域Lrを有するサブ画素P、緑色の階調表示を行うための緑色発光領域Lgを有するサブ画素P、及び青色の階調表示を行うための青色発光領域Lbを有するサブ画素Pが互いに隣り合うように設けられている。なお、表示領域Dでは、赤色発光領域Lr、緑色発光領域Lg及び青色発光領域Lbを有する隣り合う3つのサブ画素Pにより、1つの画素が構成されている。また、赤色発光領域Lr、緑色発光領域Lg及び青色発光領域Lbは、後述するエッジカバー22aの開口部Mになっている。
 額縁領域Fには、図1に示すように、表示領域Dの図中下辺に沿って端子領域Tが設けられている。
 有機EL表示装置50aは、図4に示すように、ベース基板として設けられた樹脂基板層10と、樹脂基板層10上に設けられたTFT層20と、TFT層20上に発光素子として設けられた有機EL素子25aと、有機EL素子25aを覆うように設けられた封止膜30aとを備えている。
 樹脂基板層10は、例えば、ポリイミド樹脂等により構成されている。
 TFT層20は、図4に示すように、樹脂基板層10上に設けられたベースコート膜11と、ベースコート膜11上に設けられた複数の第1TFT(thin film transistor)9a、複数の第2TFT9b及び複数のキャパシタ9cと、各第1TFT9a、各第2TFT9b及び各キャパシタ9c上に設けられた平坦化膜19とを備えている。ここで、TFT層20では、図2及び図3に示すように、図中横方向に互いに平行に延びるように複数のゲート線14が設けられている。また、TFT層20では、図2及び図3に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数のソース線18fが設けられている。また、TFT層20では、図2及び図3に示すように、各ソース線18fと隣り合って、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数の電源線18gが設けられている。また、TFT層20では、図3に示すように、各サブ画素Pにおいて、第1TFT9a、第2TFT9b及びキャパシタ9cがそれぞれ設けられている。
 ベースコート膜11は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
 第1TFT9aは、図3に示すように、各サブ画素Pにおいて、対応するゲート線14及びソース線18fに接続されている。ここで、第1TFT9aは、図4に示すように、ベースコート膜11上に島状に設けられた半導体層12aと、半導体層12aを覆うように設けられたゲート絶縁膜13と、ゲート絶縁膜13上に半導体層12aのチャネル領域(不図示)と重なるように設けられたゲート電極14aと、ゲート電極14aを覆うように順に設けられた第1層間絶縁膜15及び第2層間絶縁膜17と、第2層間絶縁膜17上に設けられ、互いに離間するように配置されたソース電極18a及びドレイン電極18bとを備えている。なお、ソース電極18a及びドレイン電極18bは、ゲート絶縁膜13、第1層間絶縁膜15及び第2層間絶縁膜17の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層12aのソース領域(不図示)及びドレイン領域(不図示)にそれぞれ接続されている。また、ゲート絶縁膜13、第1層間絶縁膜15及び第2層間絶縁膜17は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
 第2TFT9bは、図3に示すように、各サブ画素Pにおいて、対応する第1TFT9a及び電源線18gに接続されている。ここで、第2TFT9bは、図4に示すように、ベースコート膜11上に島状に設けられた半導体層12bと、半導体層12bを覆うように設けられたゲート絶縁膜13と、ゲート絶縁膜13上に半導体層12bのチャネル領域(不図示)と重なるように設けられたゲート電極14bと、ゲート電極14bを覆うように順に設けられた第1層間絶縁膜15及び第2層間絶縁膜17と、第2層間絶縁膜17上に設けられ、互いに離間するように配置されたソース電極18c及びドレイン電極18dとを備えている。なお、ソース電極18c及びドレイン電極18dは、ゲート絶縁膜13、第1層間絶縁膜15及び第2層間絶縁膜17の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層12bのソース領域(不図示)及びドレイン領域(不図示)にそれぞれ接続されている。また、本実施形態では、トップゲート型の第1TFT9a及び第2TFT9bを例示したが、第1TFT9a及び第2TFT9bは、ボトムゲート型のTFTであってもよい。
 キャパシタ9cは、図3に示すように、各サブ画素Pにおいて、対応する第1TFT9a及び電源線18gに接続されている。ここで、キャパシタ9cは、図4に示すように、ゲート電極と同一材料により同一層に形成された下部導電層14cと、下部導電層14cを覆うように設けられた第1層間絶縁膜15と、第1層間絶縁膜15上に下部導電層14cと重なるように設けられた上部導電層16とを備えている。なお、上部導電層16は、図4に示すように、第2層間絶縁膜17に形成されたコンタクトホールを介して、電源線18gに接続されている。
 平坦化膜19は、例えば、ポリイミド樹脂等の無色透明な有機樹脂材料により構成されている。また、平坦化膜19には、図6に示すように、額縁領域Fにおいて、樹脂基板層10の厚さ方向に貫通するスリットSが表示領域Dとの境界に沿って設けられている。
 有機EL素子25aは、図4に示すように、平坦化膜19上に順に設けられた複数の第1電極(陽極)21、エッジカバー22a、複数の有機EL層23a及び第2電極(陰極)24aを備えている。
 複数の第1電極21は、図4に示すように、複数のサブ画素Pに対応するように、平坦化膜19上にマトリクス状に設けられている。ここで、第1電極21は、図4に示すように、平坦化膜19に形成されたコンタクトホールを介して、各第2TFT9bのドレイン電極18dに接続されている。また、第1電極21は、有機EL層23aにホール(正孔)を注入する機能を有している。また、第1電極21は、有機EL層23aへの正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第1電極21を構成する材料としては、例えば、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、バナジウム(V)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、金(Au)、カルシウム(Ca)、チタン(Ti)、イットリウム(Y)、ナトリウム(Na)、ルテニウム(Ru)、マンガン(Mn)、インジウム(In)、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、イッテルビウム(Yb)、フッ化リチウム(LiF)等の金属材料が挙げられる。また、第1電極21を構成する材料は、例えば、マグネシウム(Mg)/銅(Cu)、マグネシウム(Mg)/銀(Ag)、ナトリウム(Na)/カリウム(K)、アスタチン(At)/酸化アスタチン(AtO)、リチウム(Li)/アルミニウム(Al)、リチウム(Li)/カルシウム(Ca)/アルミニウム(Al)、又はフッ化リチウム(LiF)/カルシウム(Ca)/アルミニウム(Al)等の合金であっても構わない。さらに、第1電極21を構成する材料は、例えば、酸化スズ(SnO)、酸化亜鉛(ZnO)、インジウムスズ酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)のような導電性酸化物等であってもよい。また、第1電極21は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物(ITO)やインジウム亜鉛酸化物(IZO)等が挙げられる。
 エッジカバー22aは、図4に示すように、各第1電極21の周縁部を覆うように格子状に設けられている。なお、エッジカバー22aには、複数の第1電極21、言い換えれば、複数のサブ画素Pに対応して、樹脂基板層10の厚さ方向に貫通する複数の開口部M(図2参照)がマトリクス状に形成されている。ここで、エッジカバー22aを構成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等の有機膜が挙げられる。
 複数の有機EL層23aは、図4に示すように、エッジカバー22aを介して複数の第1電極21上に発光層として設けられている。なお、複数の有機EL層23aは、複数のサブ画素Pに対応してマトリクス状に設けられている。ここで、各有機EL層23aは、図5に示すように、第1電極21上に順に設けられた正孔注入層1、正孔輸送層2、発光層本体3、電子輸送層4及び電子注入層5を備えている。
 正孔注入層1は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第1電極21と有機EL層23aとのエネルギーレベルを近づけ、第1電極21から有機EL層23aへの正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層1を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。
 正孔輸送層2は、第1電極21から有機EL層23aへの正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層2を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ-p-フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
 発光層本体3は、第1電極21及び第2電極24aによる電圧印加の際に、第1電極21及び第2電極24aから正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層本体3は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層本体3を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物[8-ヒドロキシキノリン金属錯体]、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ-p-フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
 電子輸送層4は、電子を発光層本体3まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層4を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
 電子注入層5は、第2電極24aと有機EL層23aとのエネルギーレベルを近づけ、第2電極24aから有機EL層23aへ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機EL素子25aの駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層5は、陰極バッファ層とも呼ばれる。ここで、電子注入層5を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム(LiF)、フッ化マグネシウム(MgF)、フッ化カルシウム(CaF)、フッ化ストロンチウム(SrF)、フッ化バリウム(BaF)のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム(Al)、酸化ストロンチウム(SrO)等が挙げられる。
 第2電極24aは、図4に示すように、複数の有機EL層23a上に複数の第1電極21に対応する複数のサブ画素Pに共通して設けられている。また、第2電極24aは、図6に示すように、額縁領域Fにおいて、平坦化膜19に枠状に形成されたスリットSを介してソース電極18a及び18cと同一層に同一材料により形成されたソース導電層18hに接続されている。なお、第2電極24aは、図7に示すように、スリットSの端子領域Tに沿う一辺においては、ソース導電層18hに接続されていない。また、第2電極24aは、有機EL層23aに電子を注入する機能を有している。また、第2電極24aは、有機EL層23aへの電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。また、第2電極24aは、例えば、真空蒸着法により形成される蒸着膜である。ここで、第2電極24aを構成する材料としては、例えば、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、バナジウム(V)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、金(Au)、カルシウム(Ca)、チタン(Ti)、イットリウム(Y)、ナトリウム(Na)、ルテニウム(Ru)、マンガン(Mn)、インジウム(In)、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、イッテルビウム(Yb)、フッ化リチウム(LiF)等が挙げられる。また、第2電極24aは、例えば、マグネシウム(Mg)/銅(Cu)、マグネシウム(Mg)/銀(Ag)、ナトリウム(Na)/カリウム(K)、アスタチン(At)/酸化アスタチン(AtO)、リチウム(Li)/アルミニウム(Al)、リチウム(Li)/カルシウム(Ca)/アルミニウム(Al)、フッ化リチウム(LiF)/カルシウム(Ca)/アルミニウム(Al)等の合金により形成されていてもよい。また、第2電極24aは、例えば、酸化スズ(SnO)、酸化亜鉛(ZnO)、インジウムスズ酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第2電極24aは、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、フッ化リチウム(LiF)、マグネシウム(Mg)/銅(Cu)、マグネシウム(Mg)/銀(Ag)、ナトリウム(Na)/カリウム(K)、リチウム(Li)/アルミニウム(Al)、リチウム(Li)/カルシウム(Ca)/アルミニウム(Al)、フッ化リチウム(LiF)/カルシウム(Ca)/アルミニウム(Al)等が挙げられる。
 封止膜30aは、図4、図6及び図7に示すように、有機EL素子25a上に順に設けられた第1無機膜26a、有機膜27a及び第2無機膜28aを備え、有機EL層23aを水分や酸素から保護する機能を有している。
 第1無機膜26aは、図4、図6及び図7に示すように、有機EL素子25aを覆うように設けられている。ここで、第1無機膜26a及び第2無機膜28aは、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜により構成されている。
 有機膜27aは、図4に示すように、エッジカバー22aの開口部Mに重なるように設けられている。また、有機膜27aは、図4に示すように、複数のサブ画素Pに対応してマトリクス状に複数設けられ、各サブ画素Pにおいて、第1無機膜26a及び第2無機膜28aの間に密封されている。ここで、有機膜27aは、例えば、アクリル樹脂等の紫外線硬化型の有機蒸着膜により構成されている。また、有機膜27aは、例えば、厚さ200nm程度であり、エッジカバー22a(例えば、厚さ2μm程度)よりも薄く設けられている。
 第2無機膜28aは、図4、図6及び図7に示すように、有機膜27aを介して、第1無機膜26aと重なり合うように設けられている。また、第2無機膜28aは、図4、図6及び図7に示すように、エッジカバー22a上で第1無機膜26aと接触している。ここで、第1無機膜26a及び第2無機膜28aが互いに接触している領域は、エッジカバー22aの各開口部Mを囲むように設けられている。また、額縁領域Fには、図1、図6及び図7に示すように、平坦化膜19と同一層に同一材料により形成されたリブ19r(図1中のドット部)が枠状に設けられている。これにより、第1無機膜26a及び第2無機膜28aを、表示領域Dにおけるエッジカバー22a上と同様に、額縁領域Fにおいて、リブ19r上で互いに密着させることができる。なお、本実施形態では、第1無機膜26a及び第2無機膜28aがエッジカバー22a上のほぼ全域で互いに接触する構成を例示したが、第1無機膜26a及び第2無機膜28aがエッジカバー22a上の一部で互いに接触する構成であってもよい。
 上述した有機EL表示装置50aは、各サブ画素Pにおいて、ゲート線14を介して第1TFT9aにゲート信号を入力して、第1TFT9aをオン状態にし、ソース線18fを介して第2TFT9bのゲート電極14b及びキャパシタ9cにソース信号に対応する電圧を書き込んで、第2TFT9bのゲート電圧により規定された電源線18gからの電流が有機EL層23aに供給される。これにより、有機EL表示装置50aでは、所定のサブ画素Pにおいて、有機EL層23aの発光層本体3が発光して、画像表示を行うように構成されている。なお、有機EL表示装置50aでは、第1TFT9aがオフ状態になっても、第2TFT9bのゲート電圧がキャパシタ9cによって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまで有機EL層23aによる発光が維持される。
 なお、本実施形態では、単層構造のリブ19rを備えた有機EL表示装置50aを例示したが、図8及び図9に示すように、積層構造のリブRを備えた有機EL表示装置50aa及び50abであってもよい。
 具体的に、有機EL表示装置50aaでは、図8に示すように、額縁領域Fにおいて、平坦化膜19aと同一層に同一材料により形成された下層19aaと、エッジカバー22aと同一層に同一材料により形成された上層22aaとを備えたリブRが枠状に設けられている。ここで、平坦化膜19aは、そのパターン形状が異なるだけで、上述した平坦化膜19と実質的に同じである。また、有機EL表示装置50aaにおける有機EL素子25aaは、図8に示すように、平坦化膜19a上に順に設けられた複数の第1電極21、エッジカバー22a、複数の有機EL層23a及び第2電極24aaを備えている。ここで、第2電極24aaは、図8に示すように、額縁領域Fにおいて、平坦化膜19aに枠状に形成されたスリットSを介してソース導電層18hに接続されている。なお、スリットSには、図8に示すように、第1電極21と同一層に同一材料により形成され、ソース導電層19hに接続された陽極導電層21aが設けられている。さらに、陽極導電層21aは、図8に示すように、スリットSよりも表示領域D側で第2電極24aaに接続されている。また、図8に示すように、スリットSの内部には、有機膜27aが設けられ(充填され)、リブRの表面において、第1無機膜26a及び第2無機膜28aが互いに接触している。また、リブRの外側(表示領域Dと反対側)では、図8に示すように、第2層間絶縁膜17及び第1無機膜26aが互いに接触していると共に、第1無機膜26a及び第2無機膜28aが互いに接触している。
 また、有機EL表示装置50abでは、図9に示すように、額縁領域Fにおいて、平坦化膜19bの周端部と、エッジカバー22aと同一層に同一材料により形成された上層22abとを備えたリブRが枠状に設けられている。ここで、平坦化膜19bは、そのパターン形状が異なるだけで、上述した平坦化膜19と実質的に同じである。なお、有機EL表示装置50abにおいて、図8と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。また、平坦化膜19bには、図9に示すように、額縁領域Fにおいて、枠状のスリットSが表示領域Dとの境界に沿って設けられているものの、スリットSの端子領域Tに沿う一辺においては、有機EL表示装置50a(図7参照)と同様に、第2電極24aaに電気的に接続される陽極導電層21a及びソース導電層18hが設けられていない。
 次に、本実施形態の有機EL表示装置50aの製造方法について、図10を用いて説明する。ここで、図10は、有機EL表示装置50aを製造する際の封止膜形成工程における有機蒸着膜形成工程を示す断面図である。なお、本実施形態の有機EL表示装置50aの製造方法は、TFT層形成工程と、有機EL素子形成工程と、第1無機膜形成工程、有機蒸着膜形成工程、有機膜形成工程及び第2無機膜形成工程を含む封止膜形成工程とを備える。
 <TFT層形成工程>
 例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板層10の表面に、周知の方法を用いて、ベースコート膜11、第1TFT9a、第2TFT9b、キャパシタ9c、平坦化膜19及びリブ19rを形成することにより、TFT層20を形成する。
 <有機EL素子形成工程>
 上記TFT層形成工程で形成されたTFT層20上に、周知の方法を用いて、第1電極21、エッジカバー22a、有機EL層23a(正孔注入層1、正孔輸送層2、発光層本体3、電子輸送層4、電子注入層5)、第2電極24aを形成することにより、有機EL素子25aを形成する。
 <封止膜形成工程>
 まず、上記発光素子形成工程で有機EL素子25aが形成された基板表面に、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマCVD法により厚さ1000nm程度に成膜して、第1無機膜26aを形成する(第1無機膜形成工程、図10参照)。
 続いて、図10に示すように、第1無機層26が形成された基板の表面全体に、例えば、真空蒸着法により、アクリル樹脂等からなる有機蒸着膜27eを厚さ200nm程度に形成する(有機蒸着膜形成工程)。ここで、有機蒸着膜形成工程では、アクリル材料を気化させたアクリル蒸気雰囲気中に置かれた基板を冷却することにより、基板表面にアクリル材料を付着させた後に、紫外線の照射によって、アクリル材料を硬化させることにより、有機蒸着膜27eが形成される。なお、基板表面に付着したアクリル材料は、液状で粘度が低く、表面張力が低い特性を有しているので、エッジカバー22aの各開口部Mで相対的に厚く付着し、エッジカバー22a上で相対的に薄く付着する。
 その後、エッジカバー22a上の少なくとも一部で第1無機膜26aが露出するまで、有機蒸着膜27eを、例えば、プラズマを利用するアッシングにより薄膜化して、有機膜27aを形成する(有機膜形成工程、図4及び図6参照)。
 さらに、有機膜27aが形成された基板に対して、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマCVD法により厚さ500nm程度に成膜して、第1無機膜26aと重なり合うように、第2無機膜28aを形成することにより、第1無機膜26a、有機膜27a及び第2無機膜28aを備えた封止膜30aを形成する(第2無機膜形成工程、図4及び図6参照)。
 最後に、封止膜30aが形成された基板のガラス基板側からレーザー光を照射することにより、樹脂基板層10の下面からガラス基板を剥離させる。
 以上のようにして、本実施形態の有機EL表示装置50aを製造することができる。
 以上説明したように、本実施形態の有機EL表示装置50a及びその製造方法によれば、封止膜形成工程の有機膜形成工程において、エッジカバー22a上で第1無機膜26aが露出するまで有機蒸着膜22eをアッシングにより薄膜化することにより、エッジカバー22aの各開口部Mに重なるように有機膜27aを形成する。そのため、その後の第2無機膜形成工程において、第1無機膜26a及び有機膜27aを覆うように第2無機膜28aを形成することにより、第1無機膜26a及び第2無機膜28aがエッジカバー22a上で互いに接触することになる。ここで、第1無機膜26a及び第2無機膜28aが互いに接触している領域がエッジカバー22aの各開口部Mを囲むように設けられているので、各サブ画素Pにおいて、有機膜27aが第1無機膜26a及び第2無機膜28aの間に密封されている。これにより、仮に、或るサブ画素Pにおいて、有機膜27a内に水分が侵入したり、有機膜27a内でアウトガスが発生したりしても、その周囲のサブ画素Pの有機膜27aに水分やアウトガスが侵入し難いので、封止膜30a内での水分やアウトガスの拡散を抑制して、有機EL表示装置50aの信頼性を向上させることができる。そのため、例えば、表面に付着した異物により第1無機膜26aに欠陥が発生したサブ画素Pと、有機膜27a内に水分が侵入したり、有機膜27a内でアウトガスが発生したりしたサブ画素Pとが一致しない限り、表示特性に悪影響を及ばさないようにすることができる。
 《第2の実施形態》
 図11及び図12は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第2の実施形態を示している。ここで、図11は、本実施形態の有機EL表示装置50bの表示領域Dの詳細構成を示す断面図である。また、図12は、有機EL表示装置50bの変形例である有機EL表示装置50cの表示領域Dの詳細構成を示す断面図である。なお、以下の実施形態において、図1~図10と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
 上記第1の実施形態では、表面に突出部のないエッジカバー22aを備えた有機EL表示装置50aを例示したが、本実施形態では、表面に突出部Eが形成されたエッジカバー22b及び22cを備えた有機EL表示装置50b及び50cを例示する。
 有機EL表示装置50bは、図11に示すように、樹脂基板層10と、樹脂基板層10上に設けられたTFT層20と、TFT層20上に発光素子として設けられた有機EL素子25bと、有機EL素子25bを覆うように設けられた封止膜30bとを備えている。
 有機EL素子25bは、図11に示すように、平坦化膜19上に順に設けられた複数の第1電極21、エッジカバー22b、複数の有機EL層23b及び第2電極24bを備えている。
 エッジカバー22bは、図11に示すように、各第1電極21の周縁部を覆うように格子状に設けられている。なお、エッジカバー22bには、複数の第1電極21、言い換えれば、複数のサブ画素Pに対応して、樹脂基板層10の厚さ方向に貫通する複数の開口部M(図2参照)がマトリクス状に形成されている。また、エッジカバー22bの表面には、樹脂基板層10の厚さ方向に突出して、逆V字状の横断面を有する突出部Eが設けられている。ここで、エッジカバー22bを構成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等の有機膜が挙げられる。
 有機EL層23b及び第2電極24bは、図11に示すように、エッジカバー22bの断面形状に合わせて、その断面形状が異なるだけで、上記第1の実施形態の有機EL層23a及び第2電極24aと実質的に同じである。
 封止膜30bは、図11に示すように、有機EL素子25b上に順に設けられた第1無機膜26b、有機膜27b及び第2無機膜28bを備え、有機EL層23bを水分や酸素から保護する機能を有している。ここで、第1無機膜26b、有機膜27b及び第2無機膜28bは、図11に示すように、エッジカバー22bの断面形状に合わせて、その断面形状が異なるだけで、上記第1の実施形態の第1無機膜26a、有機膜27a及び第2無機膜28aと実質的に同じである。
 有機EL表示装置50cは、図12に示すように、樹脂基板層10と、樹脂基板層10上に設けられたTFT層20と、TFT層20上に発光素子として設けられた有機EL素子25cと、有機EL素子25cを覆うように設けられた封止膜30cとを備えている。
 有機EL素子25cは、図12に示すように、平坦化膜19上に順に設けられた複数の第1電極21、エッジカバー22c、複数の有機EL層23c及び第2電極24cを備えている。
 エッジカバー22cは、図12に示すように、各第1電極21の周縁部を覆うように格子状に設けられている。なお、エッジカバー22cには、複数の第1電極21、言い換えれば、複数のサブ画素Pに対応して、樹脂基板層10の厚さ方向に貫通する複数の開口部M(図2参照)がマトリクス状に形成されている。また、エッジカバー22cの表面には、樹脂基板層10の厚さ方向に突出して、上底が下底よりも長い台形状の横断面を有する突出部Eが設けられている。ここで、エッジカバー22cを構成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等の有機膜が挙げられる。
 有機EL層23c及び第2電極24cは、図12に示すように、エッジカバー22cの断面形状に合わせて、その断面形状が異なるだけで、上記第1の実施形態の有機EL層23a及び第2電極24aと実質的に同じである。
 封止膜30cは、図12に示すように、有機EL素子25c上に順に設けられた第1無機膜26c、有機膜27c及び第2無機膜28cを備え、有機EL層23cを水分や酸素から保護する機能を有している。ここで、第1無機膜26c、有機膜27c及び第2無機膜28cは、図12に示すように、エッジカバー22cの断面形状に合わせて、その断面形状が異なるだけで、上記第1の実施形態の第1無機膜26a、有機膜27a及び第2無機膜28aと実質的に同じである。
 上述した有機EL表示装置50b及び50cは、上記第1の実施形態の有機EL表示装置50aと同様に、可撓性を有し、各サブ画素Pにおいて、第1TFT9a及び第2TFT9bを介して有機EL層23a及び23bの発光層3を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
 本実施形態の有機EL表示装置50b及び50cは、上記第1の実施形態の有機EL表示装置50aの製造方法において、エッジカバー22b及び22cのパターン形状を変更することにより、製造することができる。
 以上説明したように、本実施形態の有機EL表示装置50b(50c)及びその製造方法によれば、封止膜形成工程の有機膜形成工程において、エッジカバー22b(22c)上で第1無機膜26b(26c)が露出するまで有機蒸着膜22eをアッシングにより薄膜化することにより、エッジカバー22b(22c)の各開口部Mに重なるように有機膜27b(27c)を形成する。そのため、その後の第2無機膜形成工程において、第1無機膜26b(26c)及び有機膜27b(27c)を覆うように第2無機膜28b(28c)を形成することにより、第1無機膜26b(26c)及び第2無機膜28b(28c)がエッジカバー22a上で互いに接触することになる。ここで、第1無機膜26b(26c)及び第2無機膜28b(28c)が互いに接触している領域がエッジカバー22b(22c)の各開口部Mを囲むように設けられているので、各サブ画素Pにおいて、有機膜27b(27c)が第1無機膜26b(26c)及び第2無機膜28b(28c)の間に密封されている。これにより、仮に、或るサブ画素Pにおいて、有機膜27b(27c)内に水分が侵入したり、有機膜27b(27c)内でアウトガスが発生したりしても、その周囲のサブ画素Pの有機膜27b(27c)に水分やアウトガスが侵入し難いので、封止膜30b(30c)内での水分やアウトガスの拡散を抑制して、有機EL表示装置50b(50c)の信頼性を向上させることができる。
 また、本実施形態の有機EL表示装置50b(50c)及びその製造方法によれば、第1無機膜26b(26c)及び第2無機膜28b(28c)が互いに接触している領域において、エッジカバー22b(22c)の表面の一部が樹脂基板層10の厚さ方向に突出しているので、エッジカバー22b(22c)の突出部E上に形成される有機蒸着膜22eの膜厚を薄くすることができる。
 《その他の実施形態》
 上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の5層積層構造の有機EL層を例示したが、有機EL層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の3層積層構造であってもよい。
 また、上記各実施形態では、第1電極を陽極とし、第2電極を陰極とした有機EL表示装置を例示したが、本発明は、有機EL層の積層構造を反転させ、第1電極を陰極とし、第2電極を陽極とした有機EL表示装置にも適用することができる。
 また、上記各実施形態では、第1電極に接続されたTFTの電極をドレイン電極とした素子基板を備えた有機EL表示装置を例示したが、本発明は、第1電極に接続されたTFTの電極をソース電極と呼ぶ素子基板を備えた有機EL表示装置にも適用することができる。
 また、上記各実施形態では、表示装置として有機EL表示装置を例に挙げて説明したが、本発明は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置に適用することができる。例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるQLED(Quantum-dot light emitting diode)を備えた表示装置に適用することができる。
 以上説明したように、本発明は、フレキシブルな表示装置について有用である。
D    表示領域
E    突出部
F    額縁領域
M    開口部
P    サブ画素
R    リブ
S    スリット
T    端子領域
9a,9b    TFT
10   樹脂基板層(ベース基板)
17   第2層間絶縁膜(無機絶縁膜)
18a,18c  ソース電極
18h  ソース導電層
19,19a,19b  平坦化膜
19r  リブ
20   TFT層
21   第1電極
21a  陽極導電層
22a~22c  エッジカバー
23a~23c  有機EL層(発光層)
24a~24c  第2電極
25a~25c  有機EL素子(発光素子)
26a~26c  第1無機膜
27a~27c  有機膜
27e  有機蒸着膜
28a~28c  第2無機膜
30a~30c  封止膜
50a,50aa,50ab,50b,50c  有機EL表示装置

Claims (14)

  1.  ベース基板と、
     上記ベース基板上に設けられたTFT層と、
     上記TFT層上に設けられた複数の第1電極と、
     上記各第1電極の周端部を覆うように設けられ、上記複数の第1電極に対応して複数の開口部が形成されたエッジカバーと、
     上記エッジカバーを介して上記複数の第1電極上にそれぞれ設けられた複数の発光層と、
     上記複数の発光層上に上記複数の第1電極に対応する複数のサブ画素に共通して設けられた第2電極と、
     上記複数の第1電極、エッジカバー、発光層及び第2電極を有する発光素子を覆うように設けられ、第1無機膜、有機膜及び第2無機膜が順に積層された封止膜とを備えた表示装置であって、
     上記有機膜は、上記エッジカバーの各開口部に重なるように設けられ、
     上記第1無機膜及び第2無機膜は、上記エッジカバー上の少なくとも一部で互いに接触していることを特徴とする表示装置。
  2.  請求項1に記載された表示装置において、
     上記第1無機膜及び第2無機膜が互いに接触している領域は、上記エッジカバーの各開口部を囲むように設けられていることを特徴とする表示装置。
  3.  請求項1又は2に記載された表示装置において、
     上記第1無機膜及び第2無機膜が互いに接触している領域では、上記エッジカバーの表面の一部が上記ベース基板の厚さ方向に突出していることを特徴とする表示装置。
  4.  請求項1~3の何れか1つに記載された表示装置において、
     上記有機膜は、上記エッジカバーよりも薄く設けられていることを特徴とする表示装置。
  5.  請求項1~4の何れか1つに記載された表示装置において、
     上記有機膜は、上記複数のサブ画素に対応してマトリクス状に複数設けられていることを特徴とする表示装置。
  6.  請求項1~5の何れか1つに記載された表示装置において、
     上記TFT層は、平坦化膜を有し、
     上記発光素子が設けられた矩形状の表示領域と、
     上記表示領域の周囲に設けられた額縁領域と、
     上記額縁領域において、上記表示領域を囲むように枠状に設けられ、上記平坦化膜、又は上記平坦化膜及びエッジカバーと同一層に同一材料により形成されたリブと、
     上記額縁領域において、上記リブの上記表示領域側に枠状に設けられ、上記平坦化膜に形成されたスリットとを備え、
     上記スリットの内部には、上記有機膜が設けられ、
     上記リブの表面において、上記第1無機膜及び第2無機膜が互いに接触していることを特徴とする表示装置。
  7.  請求項6に記載された表示装置において、
     上記TFT層は、上記平坦化膜の上記ベース基板側に設けられた無機絶縁膜を有し、
     上記リブの上記表示領域と反対側では、上記無機絶縁膜及び第1無機膜が互いに接触していると共に、上記第1無機膜及び第2無機膜が互いに接触していることを特徴とする表示装置。
  8.  請求項6又は7に記載された表示装置において、
     上記TFT層は、TFTを構成するソース電極を有し、
     上記第2電極は、上記ソース電極と同一層に同一材料により形成されたソース導電層に上記スリットを介して電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
  9.  請求項8に記載された表示装置において、
     上記スリットには、上記第1電極と同一層に同一材料により形成され、上記ソース導電層に電気的に接続された陽極導電層が設けられ、
     上記陽極導電層は、上記スリットよりも上記表示領域側で上記第2電極に電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
  10.  請求項8又は9に記載された表示装置において、
     上記額縁領域は、上記表示領域の一辺に沿って設けられた端子領域を有し、
     上記第2電極と上記ソース導電層との間の電気的な接続は、上記スリットの上記端子領域に沿う一辺以外の三辺において、行われていることを特徴とする表示装置。
  11.  請求項1~10の何れか1つに記載された表示装置において、
     上記発光素子は、有機EL素子であることを特徴とする表示装置。
  12.  ベース基板上にTFT層を形成するTFT層形成工程と、
     上記TFT層上に発光素子を形成する発光素子形成工程と、
     上記発光素子を覆うように封止膜を形成する封止膜形成工程とを備え、
     上記発光素子は、
     上記TFT層上に設けられた複数の第1電極と、
     上記各第1電極の周端部を覆うように設けられ、上記複数の第1電極に対応して複数の開口部が形成されたエッジカバーと、
     上記エッジカバーを介して上記複数の第1電極上にそれぞれ設けられた複数の発光層と、
     上記複数の発光層上に上記複数の第1電極に対応する複数のサブ画素に共通して設けられた第2電極とを備えており、
     上記封止膜形成工程は、
     上記発光素子を覆うように第1無機膜を形成する第1無機膜形成工程と、
     上記第1無機膜を覆うように有機蒸着膜を形成する有機蒸着膜形成工程と、
     上記エッジカバー上の少なくとも一部で上記第1無機膜が露出するまで上記有機蒸着膜をアッシングにより薄膜化することにより、上記エッジカバーの各開口部に重なるように有機膜を形成する有機膜形成工程と、
     上記第1無機膜及び有機膜を覆うように第2無機膜を形成する第2無機膜形成工程とを備えることを特徴とする表示装置の製造方法。
  13.  請求項12に記載された表示装置の製造方法において、
     上記有機膜形成工程では、上記有機蒸着膜を薄膜化することにより、上記エッジカバーに重なる領域の上記有機蒸着膜が除去されることを特徴とする表示装置の製造方法。
  14.  請求項12又は13に記載された表示装置の製造方法において、
     上記発光素子は、有機EL素子であることを特徴とする表示装置の製造方法。
PCT/JP2018/000860 2018-01-15 2018-01-15 表示装置及びその製造方法 WO2019138579A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2018/000860 WO2019138579A1 (ja) 2018-01-15 2018-01-15 表示装置及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2018/000860 WO2019138579A1 (ja) 2018-01-15 2018-01-15 表示装置及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019138579A1 true WO2019138579A1 (ja) 2019-07-18

Family

ID=67219321

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/000860 WO2019138579A1 (ja) 2018-01-15 2018-01-15 表示装置及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2019138579A1 (ja)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008177169A (ja) * 2007-01-22 2008-07-31 Toppoly Optoelectronics Corp 有機エレクトロルミネセンスディスプレイデバイス及びその製造方法
JP2014241241A (ja) * 2013-06-12 2014-12-25 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
US20150014636A1 (en) * 2013-07-12 2015-01-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
JP2015069956A (ja) * 2013-10-01 2015-04-13 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置
US20160260928A1 (en) * 2015-03-06 2016-09-08 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
JP2017157406A (ja) * 2016-03-01 2017-09-07 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置
US20170331058A1 (en) * 2016-05-10 2017-11-16 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display apparatus
JP2017228480A (ja) * 2016-06-24 2017-12-28 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法及び表示装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008177169A (ja) * 2007-01-22 2008-07-31 Toppoly Optoelectronics Corp 有機エレクトロルミネセンスディスプレイデバイス及びその製造方法
JP2014241241A (ja) * 2013-06-12 2014-12-25 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
US20150014636A1 (en) * 2013-07-12 2015-01-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
JP2015069956A (ja) * 2013-10-01 2015-04-13 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置
US20160260928A1 (en) * 2015-03-06 2016-09-08 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
JP2017157406A (ja) * 2016-03-01 2017-09-07 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置
US20170331058A1 (en) * 2016-05-10 2017-11-16 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display apparatus
JP2017228480A (ja) * 2016-06-24 2017-12-28 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法及び表示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10224383B2 (en) Organic light-emitting display apparatus including pixel defining layer having first and second inclination portions and method of manufacturing the same
KR101747737B1 (ko) 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법
EP2733763B1 (en) Organic light-emitting display system and method of manufacturing the same
US9312316B2 (en) Organic light emitting diode display and manufacturing method of the same
US9263502B2 (en) Organic light emitting element, organic light emitting display device, and method of manufacturing the organic light emitting display device
US20190363294A1 (en) Display device and organic luminescent display device
JP2016006516A (ja) 有機発光ダイオード表示装置およびその製造方法
US8274218B1 (en) Light emitting display
JP6084781B2 (ja) 有機発光表示装置及びその製造方法
US8795018B2 (en) Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
US9595691B2 (en) Organic light emitting diode device
KR20160133614A (ko) 유기 발광 표시 장치
US8754404B2 (en) Organic light emitting diode display
JP5096391B2 (ja) 有機発光表示装置及びその製造方法
TWI591816B (zh) 有機發光二極體顯示器及其製造方法
US10096662B2 (en) Organic light emitting display device including a tandem structure and method of manufacturing the organic light emitting display device including the tandem structure
US7947519B2 (en) Top emission organic light emitting diode display using auxiliary electrode to prevent voltage drop of upper electrode and method of fabricating the same
US9735393B2 (en) Organic electroluminescent display device
KR102070951B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
JP4167651B2 (ja) 表示装置
JP2008108530A (ja) 有機el表示装置
US20160240598A1 (en) Organic light-emitting diode display and method of manufacturing the same
JP2005317476A (ja) 表示装置
JP2004213002A (ja) 有機電界発光素子とその製造方法
KR20130005877A (ko) 유기 발광 디스플레이 장치

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18900172

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18900172

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1