WO2019142262A1 - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 32
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 46
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 22
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 183
- 239000010408 film Substances 0.000 description 138
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 22
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 22
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 19
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 18
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 11
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 10
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 9
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000002585 base Substances 0.000 description 7
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052789 astatine Inorganic materials 0.000 description 4
- RYXHOMYVWAEKHL-UHFFFAOYSA-N astatine atom Chemical compound [At] RYXHOMYVWAEKHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 3
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 2
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical class C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 2
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000548 poly(silane) polymer Chemical class 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical class C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004057 1,4-benzoquinones Chemical class 0.000 description 1
- YZVWKHVRBDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 1-aminopyrene Chemical class C1=C2C(N)=CC=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 YZVWKHVRBDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical class C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 4-penten-2-one Chemical class CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical class C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Chemical class 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001556 benzimidazoles Chemical class 0.000 description 1
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical class C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000001788 chalcone derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFQXGXDIJMBKTC-UHFFFAOYSA-N oxostrontium Chemical compound [Sr]=O UFQXGXDIJMBKTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N phenoxazin-1-one Chemical compound C1=CC=C2N=C3C(=O)C=CC=C3OC2=C1 FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N phenoxazone Natural products C1=CC=C2OC3=CC(=O)C=CC3=NC2=C1 UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Chemical class 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Chemical class 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical class [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 1
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004867 thiadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
Definitions
- the present invention relates to a display device and a method of manufacturing the same.
- the organic EL element includes, for example, a first electrode provided as an anode, a second electrode provided as a cathode, and an organic EL layer provided between the first electrode and the second electrode.
- a display region for displaying an image is provided, for example, in a rectangular shape, and a plurality of sub-pixels are provided in a matrix in the display region.
- the edge cover is provided as a partition so as to cover the peripheral end portion of the upper surface of the first electrode as in Patent Document 1 above, of the upper surfaces of the first electrode in each sub-pixel, The area overlapping the edge cover becomes a non-emission area, and the aperture ratio of each sub-pixel is reduced.
- the present invention has been made in view of such a point, and an object thereof is to improve the aperture ratio of the sub-pixel.
- a display device comprises a base substrate, a TFT layer provided on the base substrate, a plurality of first electrodes provided on the TFT layer, and a plurality of the plurality of first electrodes.
- An edge cover formed of a resin material provided between the first electrodes and having a plurality of openings formed corresponding to the plurality of first electrodes, and provided on the plurality of first electrodes via the edge cover
- a display device comprising: a light emitting layer; and a second electrode provided on the light emitting layer in common to a plurality of sub-pixels corresponding to the plurality of first electrodes, wherein the edge cover is It is provided to cover at least the lower end portion of the side wall around each first electrode, and the upper surface of the edge cover is provided below the upper surface of each of the first electrodes.
- the edge cover is provided to cover at least the lower end of the side wall around each first electrode, and the upper surface of the edge cover is provided below the upper surface of each first electrode.
- the aperture ratio can be improved.
- FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention.
- FIG. 2 is a plan view showing the detailed configuration of the display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a TFT layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 4 is a cross-sectional view showing the detailed configuration of the display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 5 is a cross-sectional view showing an organic EL layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention.
- FIG. 2 is a plan view showing the detailed configuration of the display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of
- FIG. 6 is a plan view schematically showing the arrangement of the first electrode, the edge cover, and the light emitting layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 7 is a plan view schematically showing a modified example of the arrangement of the first electrode, the edge cover, and the light emitting layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 8 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing a modification of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 10 is a cross-sectional view showing the detailed configuration of the display area of the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention.
- FIG. 11 is a plan view schematically showing the arrangement of the first electrode, the edge cover, and the light emitting layer constituting the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention.
- FIG. 12 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention.
- FIG. 13 is a graph showing the relationship between the ashing amount of the organic deposition film and the exposed area of the first electrode in the method of manufacturing the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention.
- First Embodiment 1 to 9 show a first embodiment of a display device and a method of manufacturing the same according to the present invention.
- an organic EL display device provided with an organic EL layer is exemplified as a display device provided with a light emitting layer.
- FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device 50a of the present embodiment.
- FIG. 2 is a plan view showing the detailed configuration of the display area D of the organic EL display device 50a.
- FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the TFT layer 20a constituting the organic EL display device 50a.
- FIG. 4 is a cross-sectional view showing the detailed configuration of the display area D of the organic EL display device 50a.
- FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device 50a of the present embodiment.
- FIG. 2 is a plan view showing the detailed configuration of the display area D of the organic EL display device 50a.
- FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of
- FIG. 5 is a cross-sectional view showing the organic EL layer 23a constituting the organic EL display device 50a.
- FIG. 6 is a plan view schematically showing the arrangement of the first electrode 21a, the edge cover 22a (hatched portion) and the organic EL layer 23a which constitute the organic EL display device 50a.
- FIG. 7 is a plan view schematically showing a modification of the arrangement of the first electrode 21aa, the edge cover 22aa (hatched portion) and the organic EL layer 23a which constitute the organic EL display device 50a.
- the organic EL display device 50 a includes a display area D for displaying an image defined in a rectangular shape, and a frame area F defined in a frame shape around the display area D.
- a plurality of sub-pixels P are arranged in a matrix.
- a sub-pixel P having a red light emission area Lr for performing red gradation display and a sub pixel having a green light emission area Lg for performing green gradation display A pixel P and sub-pixels P having a blue light-emitting area Lb for performing blue gradation display are provided adjacent to each other.
- one pixel is formed by three adjacent sub-pixels P having a red light emitting area Lr, a green light emitting area Lg, and a blue light emitting area Lb.
- the red light emitting region Lr, the green light emitting region Lg, and the blue light emitting region Lb are the opening M of the edge cover 22a described later.
- the organic EL display device 50a includes a resin substrate layer 10 provided as a base substrate, a TFT layer 20a provided on the resin substrate layer 10, and an organic EL provided on the TFT layer 20a.
- An element 25a and a sealing film 30a provided to cover the organic EL element 25a are provided.
- the resin substrate layer 10 is made of, for example, a polyimide resin or the like.
- the TFT layer 20a includes a base coat film 11 provided on the resin substrate layer 10, a plurality of first thin film transistors (TFTs) 9a provided on the base coat film 11, and a plurality of second TFTs 9b and A plurality of capacitors 9c and planarizing films 19a provided on the respective first TFTs 9a, the respective second TFTs 9b and the respective capacitors 9c are provided.
- TFTs first thin film transistors
- FIGS. 2 and 3 a plurality of gate lines 14 are provided so as to extend parallel to each other in the lateral direction in the drawing.
- a plurality of source lines 18f are provided so as to extend in parallel to each other in the vertical direction in the drawing.
- a plurality of power supply lines 18g are provided adjacent to the respective source lines 18f so as to extend in parallel in the vertical direction in the figure.
- the first TFT 9a, the second TFT 9b, and the capacitor 9c are provided in each sub-pixel P.
- the base coat film 11 is formed of, for example, a single layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride.
- the first TFT 9a is connected to the corresponding gate line 14 and source line 18f in each sub pixel P, as shown in FIG.
- the first TFT 9 a includes a semiconductor layer 12 a provided in an island shape on the base coat film 11, a gate insulating film 13 provided so as to cover the semiconductor layer 12 a, and a gate insulating film 13.
- a gate electrode 14a provided thereon so as to overlap with a channel region (not shown) of the semiconductor layer 12a; a first interlayer insulating film 15 and a second interlayer insulating film 17 sequentially provided so as to cover the gate electrode 14a; A source electrode 18 a and a drain electrode 18 b provided on the second interlayer insulating film 17 and arranged to be separated from each other are provided.
- the source electrode 18 a and the drain electrode 18 b are formed in the source region of the semiconductor layer 12 a through the contact holes formed in the laminated film of the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17. They are respectively connected to the drain region (not shown) and the drain region (not shown).
- the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 are formed of, for example, a single layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride. .
- the second TFT 9 b is connected to the corresponding first TFT 9 a and the corresponding power supply line 18 g in each sub-pixel P.
- the second TFT 9 b includes the semiconductor layer 12 b provided in an island shape on the base coat film 11, the gate insulating film 13 provided to cover the semiconductor layer 12 b, and the gate insulating film 13.
- a gate electrode 14 b provided thereon so as to overlap with a channel region (not shown) of the semiconductor layer 12 b; a first interlayer insulating film 15 and a second interlayer insulating film 17 sequentially provided to cover the gate electrode 14 b; A source electrode 18 c and a drain electrode (electrode layer) 18 d which are provided on the second interlayer insulating film 17 and arranged to be separated from each other are provided.
- the source electrode 18c and the drain electrode 18d are formed in the source region of the semiconductor layer 12b (through the contact holes formed in the laminated film of the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17). They are respectively connected to the drain region (not shown) and the drain region (not shown).
- top gate type 1st TFT9a and 2nd TFT9b were illustrated in this embodiment, 1st TFT9a and 2nd TFT9b may be bottom gate type.
- capacitor 9c is connected to the corresponding first TFT 9a and the corresponding power supply line 18g in each sub-pixel P, as shown in FIG.
- capacitor 9c is formed of a lower conductive layer 14c formed in the same layer and of the same material as the gate electrode, and a first interlayer insulating film 15 provided to cover lower conductive layer 14c.
- An upper conductive layer 16 is provided on the first interlayer insulating film 15 so as to overlap with the lower conductive layer 14c.
- Upper conductive layer 16 is connected to power supply line 18g via a contact hole formed in second interlayer insulating film 17 as shown in FIG.
- the planarizing film 19a is made of, for example, a colorless and transparent organic resin material such as a polyimide resin, and has a planarized upper surface S as shown in FIG.
- the organic EL element 25a includes a plurality of first electrodes (anode) 21a, an edge cover 22a, a plurality of organic EL layers 23a and a second electrode (cathode) sequentially provided on the planarizing film 19a. It has 24a.
- the plurality of first electrodes 21a are provided in a matrix on the planarization film 19a so as to correspond to the plurality of sub-pixels P, as shown in FIG.
- the first electrode 21a is connected to the drain electrode 18d of each second TFT 9b via a contact hole Ca formed in the planarization film 19a. ing.
- FIG. 6 the configuration in which the contact hole Ca overlaps the organic EL layer 23a is illustrated, but as shown in FIG.
- the planar shapes of the first electrode 21a and the edge cover 22a may be disposed in the portion of the first electrode 21 aa protruding from the organic EL layer 23 a by changing to the one electrode 21 aa and the edge cover 22 aa. That is, the contact hole Caa formed in the planarizing film 19a and electrically connecting the drain electrode 18d and the first electrode 21aa may be provided so as not to overlap with the light emitting layer 23a.
- the peripheral end (refer to the two-dot chain line in FIG. 6) of the first electrode 21aa overlapping the edge cover 22aa is not shown in FIG. 7, the peripheral end of the first electrode 21aa is the opening M of the edge cover 22aa.
- each sub-pixel P As shown in FIG. 7, the area exposed from the opening M of an edge cover 22aa described later of the first electrode 21aa is a main part Ra and a sub part protruding in plan view from the main part Ra. And Rb. Further, in each of the sub-pixels P, contact holes Caa (see FIG. 7) are formed in the planarizing film 19a so as to overlap the sub-portions Rb. In each sub-pixel P, the first electrode 21aa is electrically connected to the drain electrode 18d via the contact hole Caa. Further, as shown in FIG.
- the light emitting layer 23a is provided in each sub pixel P so as to overlap the entire surface of the main portion Ra and a part of the sub portion Rb on the main portion Ra side.
- the first electrode 21 aa and the drain electrode 18 d are electrically connected to each other through the contact hole Caa formed in the region of the first electrode 21 aa exposed from the edge cover 22 a, the light emitting layer 23 a and the contact
- the holes Caa so as not to overlap with each other, it is possible to make the emission angles of light emission by the light emitting layer 23 a uniform and to improve the quality of light emission. Further, as shown in FIG.
- the first electrode 21a also has a function of injecting holes into the organic EL layer 23a.
- the first electrode 21a is more preferably formed of a material having a large work function in order to improve the hole injection efficiency into the organic EL layer 23a.
- a material which constitutes the first electrode 21a for example, silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au) , Calcium (Ca), titanium (Ti), yttrium (Y), sodium (Na), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), magnesium (Mg), lithium (Li), ytterbium (Yb) And metal materials such as lithium fluoride (LiF).
- the material which comprises the 1st electrode 21a is magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / oxidation, for example Astatine (AtO 2 ), lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), or lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al), etc. It may be an alloy.
- the material constituting the first electrode 21a is, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO) or the like. It may be. Further, the first electrode 21a may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials. In addition, as a material with a large work function, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), etc. are mentioned, for example.
- the edge cover 22a is provided between the plurality of first electrodes 21a, and is provided in a lattice shape so as to cover at least the lower end portion of the side wall W around each first electrode 21a. ing.
- the edge cover 22a has a plurality of openings M penetrating in the thickness direction of the resin substrate layer 10 corresponding to the plurality of first electrodes 21a, in other words, the plurality of sub-pixels P (see FIG. 2) Are formed in a matrix.
- the upper surface of the edge cover 22a is provided below the upper surface of each first electrode 21a.
- edge cover 22a As a resin material which comprises edge cover 22a, a polyimide resin, an acrylic resin, polysiloxane resin, novolak resin etc. are mentioned, for example. Further, as shown in FIG. 6, the edge cover 22a is provided so as to cover the entire periphery of each first electrode 21a.
- each organic EL layer 23 a includes a hole injection layer 1, a hole transport layer 2, a light emitting layer main body 3, an electron transport layer 4 and an electron, which are sequentially provided on the first electrode 21 a.
- An injection layer 5 is provided.
- the hole injection layer 1 is also called an anode buffer layer, and has the function of improving the hole injection efficiency from the first electrode 21a to the organic EL layer 23a by bringing the energy levels of the first electrode 21a and the organic EL layer 23a closer to each other.
- the material constituting the hole injection layer for example, triazole derivative, oxadiazole derivative, imidazole derivative, polyarylalkane derivative, pyrazoline derivative, phenylenediamine derivative, oxazole derivative, styrylanthracene derivative, fluorenone derivative, Hydrazone derivatives, stilbene derivatives and the like can be mentioned.
- the hole transport layer 2 has a function of improving the transport efficiency of holes from the first electrode 21a to the organic EL layer 23a.
- a material constituting the hole transport layer 2 for example, porphyrin derivative, aromatic tertiary amine compound, styrylamine derivative, polyvinylcarbazole, poly-p-phenylenevinylene, polysilane, triazole derivative, oxadiazole Derivative, imidazole derivative, polyarylalkane derivative, pyrazoline derivative, pyrazolone derivative, phenylenediamine derivative, arylamine derivative, amine-substituted chalcone derivative, oxazole derivative, styrylanthracene derivative, fluorenone derivative, hydrazone derivative, stilbene derivative, hydrogenated amorphous silicon, Hydrogenated amorphous silicon carbide, zinc sulfide, zinc selenide and the like can be mentioned.
- the light emitting layer main body 3 holes and electrons are respectively injected from the first electrode 21a and the second electrode 24a when voltage is applied by the first electrode 21a and the second electrode 24a, and the holes and electrons are recombined. Area.
- the light emitting layer main body 3 is formed of a material having high light emission efficiency.
- a metal oxinoid compound [8-hydroxy quinoline metal complex], a naphthalene derivative, an anthracene derivative, a diphenyl ethylene derivative, a vinylacetone derivative, a triphenylamine derivative, a butadiene derivative, coumarin, for example Derivative, benzoxazole derivative, oxadiazole derivative, oxazole derivative, benzimidazole derivative, thiadiazole derivative, benzthiazole derivative, styryl derivative, styrylamine derivative, bisstyrylbenzene derivative, trisstyrylbenzene derivative, perylene derivative, perinone derivative, aminopyrene derivative , Pyridine derivatives, rhodamine derivatives, aquidin derivatives, phenoxazone, quinacridone derivatives, rubrene, poly-p-phenylenebi Ren, polysilane, and the like.
- a metal oxinoid compound [8-hydroxy quinoline
- the electron transport layer 4 has a function of efficiently moving electrons to the light emitting layer main body 3.
- a material constituting the electron transport layer 4 for example, as an organic compound, oxadiazole derivative, triazole derivative, benzoquinone derivative, naphthoquinone derivative, anthraquinone derivative, tetracyanoanthraquinodimethane derivative, diphenoquinone derivative, fluorenone derivative And silole derivatives, metal oxinoid compounds and the like.
- the electron injection layer 5 has a function of bringing the energy levels of the second electrode 24a and the organic EL layer 23a closer to each other and improving the efficiency of electron injection from the second electrode 24a to the organic EL layer 23a.
- the drive voltage of the organic EL element 25a can be lowered.
- the electron injection layer 5 is also called a cathode buffer layer.
- lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), barium fluoride Inorganic alkali compounds such as (BaF 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), strontium oxide (SrO) and the like can be mentioned.
- the second electrode 24a is provided commonly to the plurality of sub-pixels P corresponding to the plurality of first electrodes 21a on the plurality of organic EL layers 23a. Further, the second electrode 24a has a function of injecting electrons into the organic EL layer 23a.
- the second electrode 24a is more preferably made of a material having a small work function in order to improve the electron injection efficiency into the organic EL layer 23a.
- the second electrode 24 a is, for example, a vapor deposition film formed by a vacuum vapor deposition method.
- the second electrode 24 a for example, silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au) , Calcium (Ca), titanium (Ti), yttrium (Y), sodium (Na), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), magnesium (Mg), lithium (Li), ytterbium (Yb) And lithium fluoride (LiF).
- the second electrode 24 a may be, for example, magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / oxide astatine (AtO 2) And lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al), etc. May be
- the second electrode 24a may be formed of, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), etc. .
- the second electrode 24a may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials.
- a material having a small work function for example, magnesium (Mg), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al) Etc.
- the sealing film 30a is, as shown in FIG. 4, a first inorganic film 26a provided to cover the second electrode 24a, an organic film 27a provided to cover the first inorganic film 26a, and an organic film And a second inorganic film 28 provided to cover 27a, and has a function of protecting the organic EL layer 23a from moisture and oxygen.
- the first inorganic film 26 a and the second inorganic film 28 are made of, for example, an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon oxynitride film.
- the organic film 27a is made of, for example, an organic resin material such as acrylate, epoxy, silicone, polyurea, parylene, polyimide, or polyamide.
- the organic EL display device 50a inputs a gate signal to the first TFT 9a via the gate line 14 to turn on the first TFT 9a, and the gate electrode 14b of the second TFT 9b via the source line 18f.
- the voltage corresponding to the source signal is written to the capacitor 9c, and the current from the power supply line 18g defined by the gate voltage of the second TFT 9b is supplied to the organic EL layer 23a.
- the light emitting layer main body 3 of the organic EL layer 23a emits light in a predetermined sub-pixel P to perform image display.
- the gate voltage of the second TFT 9b is held by the capacitor 9c, so light emission by the organic EL layer 23a is continued until the gate signal of the next frame is input. Is maintained.
- FIG. 8 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing the organic EL display device 50a, where (a) shows a substrate before ashing processing in an edge cover forming step described later, and (b) shows during ashing processing. (C) shows the substrate after the ashing process, and (d) shows the substrate when the ashing process is excessively performed.
- FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing a modification of the organic EL display device 50a.
- the method of manufacturing the organic EL display device 50a includes an organic EL element forming step including a TFT layer forming step, a first electrode forming step, an edge cover forming step, a light emitting layer forming step and a second electrode forming step. And a sealing film forming step.
- the base coat film 11, the first TFT 9a, the second TFT 9b, the capacitor 9c, and the planarizing film 19a are formed on the surface of the resin substrate layer 10 formed on the glass substrate using a known method. Form.
- a laminated film of ITO film / silver alloy film (MgAg film) / ITO film is formed to a thickness of about 100 nm by sputtering, for example, on the TFT layer 20a formed in the TFT layer forming step.
- the laminated film is patterned by photolithography to form a plurality of first electrodes 21a (first electrode forming step).
- an organic deposition film 22ea made of an organic material such as acrylate is formed to a thickness of about 200 nm by vacuum evaporation, for example, so as to cover each first electrode 21a.
- the organic vapor deposition film 22ea is thinned by ashing until the upper surface of each first electrode 21a is exposed as shown in FIG. 8 (b), as shown in FIG. 8 (c), the film is further thinned by ashing.
- edge cover forming step To form an edge cover 22a (edge cover forming step).
- the side wall of the first electrode 21a may be as shown in FIG. You may comprise an edge cover, leaving the organic vapor deposition film 22ec only to a part.
- the organic EL layer 23a (hole injection layer 1, hole transport layer 2, light emission) is formed on the first electrode 21a exposed from each opening M of the edge cover 22a using a well-known method (vacuum deposition method)
- the layer main body 3, the electron transport layer 4, and the electron injection layer 5) are formed (light emitting layer forming step).
- a silver alloy film (MgAg film) is formed to a thickness of about 30 nm by vacuum evaporation, for example, using a mask on the substrate on which the organic EL layer 23a is formed, and the second electrode 24a is formed.
- the organic EL element 25a is formed (2nd electrode formation process).
- an inorganic insulating film such as a silicon nitride film is formed to a thickness of about 1000 nm by plasma CVD, using a mask, on the substrate surface on which the organic EL element 25a is formed in the light emitting element formation step.
- the first inorganic film 26a is formed.
- an organic resin material such as acrylate is deposited to a thickness of about several micrometers by, for example, an inkjet method on the substrate surface on which the first inorganic layer 26a is formed, to form an organic film 27a.
- an inorganic insulating film such as a silicon nitride film is formed to a thickness of about 500 nm by plasma CVD using a mask, for example, to form the second inorganic film 28a.
- the sealing film 30a which has the 1st inorganic film 26a, the organic film 27a, and the 2nd inorganic film 28a is formed.
- the glass substrate is peeled from the lower surface of the resin substrate layer 10 by irradiating laser light from the lower surface (glass substrate) side of the substrate on which the sealing film 30a is formed.
- the organic EL display device 50a of the present embodiment can be manufactured.
- the organic EL display device 50a of the present embodiment and the method of manufacturing the same after the organic vapor deposition film 22ea is formed to cover the plurality of first electrodes 21a in the edge cover forming step, The edge cover 22a is formed by thinning the organic vapor deposition film 22ea by ashing until the upper surface of the first electrode 21a is exposed.
- the edge cover 22a formed by this manufacturing method is provided to cover at least the lower end portion of the side wall W around each first electrode 21a, and the upper surface of the edge cover 22a is provided below the upper surface of each first electrode 21a. It is done.
- the edge cover 22a is not disposed on the upper surface of each first electrode 21a, so the entire upper surface of each first electrode 21 can be made into the red light emitting region Lr, the green light emitting region Lg or the blue light emitting region Lb.
- the aperture ratio of P can be improved.
- the contact hole Caa electrically connecting the drain electrode 18d and the first electrode 21aa is heavy with the organic EL layer 23a. In the case where it is provided so as not to occur, it is possible to suppress the deterioration of the display quality due to the formation of the contact hole Caa.
- FIG. 10 is a cross-sectional view showing a detailed configuration of the display area D of the organic EL display device 50b of the present embodiment.
- FIG. 11 is a plan view schematically showing the arrangement of the first electrode 21b, the edge cover 22b (hatched portion), and the organic EL layer 23b which constitute the organic EL display device 50b.
- the same parts as those in FIGS. 1 to 9 are assigned the same reference numerals and detailed explanations thereof will be omitted.
- the organic EL display device 50a including the planarizing film 19a having the planarized upper surface S is illustrated.
- the planarized first planar surface Sa and the second planar surface Sa are used.
- An organic EL display device 50b provided with a planarizing film 19b having a flat surface Sb is illustrated.
- the organic EL display device 50b is defined in a frame shape around the display region D and the display region D for displaying an image defined in a rectangular shape. And a frame area F.
- the organic EL display device 50b includes a resin substrate layer 10, a TFT layer 20b provided on the resin substrate layer 10, an organic EL element 25b provided on the TFT layer 20b, and an organic EL device. And a sealing film 30b provided to cover the element 25b.
- the TFT layer 20b includes a base coat film 11 provided on the resin substrate layer 10, a plurality of first TFTs 9a provided on the base coat film 11, a plurality of second TFTs 9b, and a plurality of capacitors 9c.
- Each first TFT 9a, each second TFT 9b, and a planarization film 19b provided on each capacitor 9c are provided.
- a plurality of gate lines 14 are provided so as to extend in parallel with each other.
- a plurality of source lines 18f are provided so as to extend in parallel with each other in the direction orthogonal to the gate lines 14.
- a plurality of power supply lines 18g are provided adjacent to the respective source lines 18f so as to extend in parallel with each other.
- the first TFT 9a, the second TFT 9b, and the capacitor 9c are provided in each sub-pixel P, similarly to the TFT layer 20a of the first embodiment.
- the planarizing film 19b is made of, for example, a colorless and transparent organic resin material such as a polyimide resin, and as shown in FIG. 10, a plurality of island-shaped first flat portions Ha having a planarized first flat surface Sa. And a second flat portion Hb provided on the periphery of the first flat portion Ha and having a flat second flat surface Sb, and provided in a frame shape between the first flat surface Sa and the second flat surface Sb And an inclined surface T.
- the second flat surface Sb is provided at a position (the resin substrate layer 10 side) lower than the first flat surface Sa. Further, on the second flat surface Sb, as shown in FIG. 11 and FIG.
- contact holes Cb are formed in the respective sub-pixels P.
- the thickness of the first flat portion Ha is, for example, about 2.5 ⁇ m, and the thickness of the second flat portion Hb is, for example, about 1.5 ⁇ m.
- the inclined surface T is inclined at, for example, about 35 ° with respect to the surface of the resin substrate layer 10.
- the contact hole Cb may overlap with the organic electroluminescent layer 23b.
- the organic EL element 25b includes a plurality of first electrodes (anode) 21b, an edge cover 22b, a plurality of organic EL layers 23b, and a second electrode (cathode) sequentially provided on the planarizing film 19b. It has 24b.
- the plurality of first electrodes 21 b are provided in a matrix on the planarization film 19 b so as to correspond to the plurality of sub-pixels P, as shown in FIG. 10.
- the first electrode 21b is formed of the second TFT 9b via the contact hole Cb formed in the second flat portion Hb of the planarizing film 19b. It is connected to the drain electrode 18d.
- the lower end portion of the side wall W around the first electrode 21b protrudes outward and is inclined at about 30 ° to 70 ° with respect to the surface of the resin substrate layer 10.
- each sub-pixel P as shown in FIGS.
- the first electrode 21 b includes the entire surface of the first flat surface Sa of the first flat portion Ha, the inclined surface T, and the like. It is provided to cover a part of the second flat surface Sb around the first flat surface Sa.
- the first electrode 21b has a function of injecting holes into the organic EL layer 23b.
- the first electrode 21b is preferably made of a material having a large work function, like the first electrode 21a of the first embodiment. preferable.
- the edge cover 22b is provided between the plurality of first electrodes 21b, and is provided in a lattice shape so as to cover at least the lower end portion of the side wall W around each first electrode 21b. ing.
- the edge cover 22 b has a plurality of openings M penetrating in the thickness direction of the resin substrate layer 10 corresponding to the plurality of first electrodes 21 b, in other words, the plurality of sub-pixels P (see FIG. 2) Are formed in a matrix.
- the edge cover 22b is provided to cover the second flat surface Sb including the connection portion between the drain electrode 18d and the first electrode 21b by the contact hole Cb. Further, as shown in FIGS.
- the edge cover 22b is provided so as to cover the whole of the inclined surface T of the planarizing film 19b. Further, as shown in FIGS. 10 and 12 (c), the upper surface of the edge cover 22b is not more than the upper surface of each first electrode 21b, and is a resin substrate than the first flat surface Sa of each first flat portion Ha. It is provided on the layer 10 side. Moreover, as a resin material which comprises edge cover 22b, a polyimide resin, an acrylic resin, polysiloxane resin, novolak resin etc. are mentioned, for example.
- the plurality of organic EL layers 23b are provided as light emitting layers on the plurality of first electrodes 21b via the edge cover 22b, similarly to the organic EL layer 23a of the first embodiment.
- the plurality of organic EL layers 23 b are provided in a matrix corresponding to the plurality of sub-pixels P.
- each organic EL layer 23 b is, similarly to the organic EL layer 23 a of the first embodiment, the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, and the light emitting layer main body sequentially provided on the first electrode 21 b. 3, the electron transport layer 4 and the electron injection layer 5 are provided.
- the second electrode 24b is commonly provided on the plurality of organic EL layers 23b for the plurality of sub-pixels P corresponding to the plurality of first electrodes 21b.
- the second electrode 24 b has a function of injecting electrons into the organic EL layer 23 b. Further, in order to improve the electron injection efficiency into the organic EL layer 23b, it is more preferable that the second electrode 24b be made of a material having a small work function, like the second electrode 24a of the first embodiment. .
- the sealing film 30b is, as shown in FIG. 10, a first inorganic film 26b provided to cover the second electrode 24b, an organic film 27b provided to cover the first inorganic film 26b, and an organic film And a second inorganic film 28 provided so as to cover 27b, and has a function of protecting the organic EL layer 23b from moisture and oxygen.
- the first inorganic film 26 b is made of, for example, an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon oxynitride film.
- the organic film 27 b is made of, for example, an organic resin material such as acrylate, epoxy, silicone, polyurea, parylene, polyimide, or polyamide.
- the organic EL display device 50b described above has flexibility, and in each sub-pixel P, the organic EL layer 23b via the first TFT 9a and the second TFT 9b. By appropriately emitting light from the light emitting layer main body 3, an image is displayed.
- the organic EL display device 50b of the present embodiment uses, for example, a halftone mask, a gray tone mask, or the like to form the planarizing film 19a. It can manufacture by changing the pattern shape of.
- a characteristic organic EL element forming step will be described with reference to FIG. 12 and FIG.
- FIG. 12 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing the organic EL display device 50b, where (a) shows a substrate before the ashing process in the edge cover forming step, and (b) shows the substrate in the ashing process.
- FIG. 13 is a graph showing the relationship between the ashing amount of the organic vapor deposition film 22fa and the exposed area of the first electrode 21b in the method of manufacturing the organic EL display device 50b, where the broken line A indicates the manufacture of the first embodiment. The method is based on the method, and the solid line B is based on the manufacturing method of the present embodiment.
- a on the horizontal axis of the graph of FIG. 13 corresponds to the time of FIG. 8 (a) and FIG.12 (a)
- b on the horizontal axis of the graph of FIG. 13 is FIG. 12 on the horizontal axis of the graph of FIG. 13 corresponds to the time of FIG. 8 (d)
- db on the horizontal axis of the graph of FIG. 13 corresponds to FIG. 12 (d). It corresponds to the time of
- a laminated film of ITO film / silver alloy film (MgAg film) / ITO film is formed, for example, by sputtering on the TFT layer 20b formed by appropriately changing the TFT layer forming process of the first embodiment.
- the laminated film is patterned by photolithography to form a plurality of first electrodes 21 b (first electrode forming step).
- an organic deposition film 22fa made of an organic material such as acrylate is formed to a thickness of about 200 nm by vacuum evaporation, for example, so as to cover each first electrode 21b.
- FIG. 12 (b) after the organic vapor deposition film 22fa is thinned by ashing until the upper surface of each first electrode 21b is exposed, as shown in FIG. 12 (c), the film is further thinned by ashing.
- the edge cover 22b is formed (edge cover forming step).
- the upper surface of the first electrode 21b is just exposed, and the upper surface of the first electrode 21b and the upper surface of the organic vapor deposition film 22fb become flush It may be from the state of FIG. 12 (b) to the front of the state of FIG. 12 (d) where the organic vapor deposition film 22fb is completely removed.
- the organic EL layer 23b (hole injection layer 1, hole transport layer 2, light emission) is formed on the first electrode 21b exposed from each opening M of the edge cover 22b using a well-known method (vacuum deposition method)
- the layer main body 3, the electron transport layer 4, and the electron injection layer 5) are formed (light emitting layer forming step).
- a silver alloy film (MgAg film) is formed to a thickness of about 30 nm by vacuum evaporation, for example, using a mask on the substrate on which the organic EL layer 23b is formed, and the second electrode 24b is formed.
- the organic EL element 25b is formed (2nd electrode formation process).
- the first electrode 21b is formed more than the method according to the first embodiment (broken line A). Since the exposed area gradually increases, the process margin in the ashing process can be increased.
- the edge cover 22b is formed by thinning the organic vapor deposition film 22fa by ashing until the upper surface of the first electrode 21b is exposed.
- the edge cover 22b formed by this manufacturing method is provided to cover at least the lower end portion of the side wall W around each first electrode 21b, and the upper surface of the edge cover 22b is provided below the upper surface of each first electrode 21b. It is done.
- the edge cover 22b is not disposed on the upper surface of each first electrode 21b, so the entire upper surface of each first electrode 21b can be made into the red light emitting region Lr, the green light emitting region Lg or the blue light emitting region Lb.
- the aperture ratio of P can be improved.
- the contact hole Cb electrically connecting the drain electrode 18d and the first electrode 21b is heavy with the organic EL layer 23b. Therefore, the deterioration of the display quality due to the formation of the contact hole Cb can be suppressed.
- the first flat portion Ha having the first flat surface Sa on which the planarization film 19b is flattened, and the periphery of the first flat portion Ha
- a second flat surface Hb having a second flat surface Sb provided on the second flat surface Sb and flattened at a position lower than the first flat surface Sa, and a tilt provided between the first flat surface Sa and the second flat surface Sb And a face T.
- each first electrode 21b is provided to cover the first flat surface Sa and the inclined surface T, the exposed area of the first electrode 21b is gradually increased in the ashing process in the edge cover formation step. become. Thereby, the process margin in the ashing process of an edge cover formation process can be enlarged.
- the organic EL layer having a five-layer laminated structure of the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer, and the electron injection layer has been exemplified. It may be a three-layer laminated structure of a layer and hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer and electron injection layer.
- the organic EL display device is exemplified in which the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode.
- the laminated structure of the organic EL layer is reversed and the first electrode is a cathode.
- the present invention can also be applied to an organic EL display device in which the second electrode is an anode.
- the organic EL display device including the element substrate in which the electrode of the TFT connected to the first electrode is a drain electrode is exemplified.
- the TFT connected to the first electrode The present invention can also be applied to an organic EL display device provided with an element substrate whose electrode is called a source electrode.
- the organic EL display device has been described as an example of the display device.
- the present invention can be applied to a display device provided with a plurality of light emitting elements driven by current.
- the present invention can be applied to a display device provided with a QLED (Quantum-dot light emitting diode) which is a light emitting element using a quantum dot-containing layer.
- QLED Quantum-dot light emitting diode
- the present invention is useful for flexible display devices.
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Abstract
複数の第１電極（２１ａ）の間に設けられて複数の第１電極（２１ａ）に対応して複数の開口部（Ｍ）が形成された樹脂材料からなるエッジカバー（２２ａ）は、各第１電極（２１ａ）の周囲の側壁（Ｗ）の少なくとも下端部を覆うように設けられ、エッジカバー（２２ａ）の上面は、各第１電極（２１ａ）の上面以下に設けられている。
Description
本発明は、表示装置及びその製造方法に関するものである。
近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機ＥＬ（electroluminescence）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。ここで、有機ＥＬ素子は、例えば、陽極として設けられた第１電極と、陰極として設けられた第２電極と、第１電極及び第２電極の間に設けられた有機ＥＬ層とを備えている。また、有機ＥＬ表示装置では、画像表示を行う表示領域が、例えば、矩形状に設けられ、その表示領域に複数のサブ画素がマトリクス状に設けられている。
例えば、特許文献１には、基板上に下部電極（第１電極）、有機層（有機ＥＬ層）及び上部電極（第２電極）が順に設けられた有機ＥＬ表示装置において、隣接する画素（サブ画素）同士を分離する隔壁が、濡れ性の異なる２種類以上の無機材料膜を有する積層構造からなることが記載されている。
ところで、上記特許文献１のように、第１電極の上面の周端部を覆うようにエッジカバーが隔壁として設けられた有機ＥＬ表示装置では、各サブ画素において、第１電極の上面のうち、エッジカバーと重なる領域が非発光領域になるので、各サブ画素の開口率が低下してしまう。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、サブ画素の開口率を向上させることにある。
上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、ベース基板と、上記ベース基板上に設けられたＴＦＴ層と、上記ＴＦＴ層上に設けられた複数の第１電極と、上記複数の第１電極の間に設けられ、該複数の第１電極に対応して複数の開口部が形成された樹脂材料からなるエッジカバーと、上記エッジカバーを介して上記複数の第１電極上に設けられた発光層と、上記発光層上に上記複数の第１電極に対応する複数のサブ画素に共通して設けられた第２電極とを備えた表示装置であって、上記エッジカバーは、上記各第１電極の周囲の側壁の少なくとも下端部を覆うように設けられ、上記エッジカバーの上面は、上記各第１電極の上面以下に設けられていることを特徴とする。
本発明によれば、エッジカバーが各第１電極の周囲の側壁の少なくとも下端部を覆うように設けられ、エッジカバーの上面が各第１電極の上面以下に設けられているので、サブ画素の開口率を向上させることができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
《第１の実施形態》
図１～図９は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光層を備えた表示装置として、有機ＥＬ層を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの概略構成を示す平面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの詳細構成を示す平面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成するＴＦＴ層２０ａの等価回路図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの詳細構成を示す断面図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ層２３ａを示す断面図である。また、図６は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する第１電極２１ａ、エッジカバー２２ａ（ハッチング部）及び有機ＥＬ層２３ａの配置を概略的に示す平面図である。また、図７は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する第１電極２１ａａ、エッジカバー２２ａａ（ハッチング部）及び有機ＥＬ層２３ａの配置の変形例を概略的に示す平面図である。
図１～図９は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光層を備えた表示装置として、有機ＥＬ層を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの概略構成を示す平面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの詳細構成を示す平面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成するＴＦＴ層２０ａの等価回路図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの詳細構成を示す断面図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ層２３ａを示す断面図である。また、図６は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する第１電極２１ａ、エッジカバー２２ａ（ハッチング部）及び有機ＥＬ層２３ａの配置を概略的に示す平面図である。また、図７は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する第１電極２１ａａ、エッジカバー２２ａａ（ハッチング部）及び有機ＥＬ層２３ａの配置の変形例を概略的に示す平面図である。
有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、矩形状に規定された画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に枠状に規定された額縁領域Ｆとを備えている。
表示領域Ｄには、図２に示すように、複数のサブ画素Ｐがマトリクス状に配置されている。ここで、表示領域Ｄでは、図２に示すように、赤色の階調表示を行うための赤色発光領域Ｌｒを有するサブ画素Ｐ、緑色の階調表示を行うための緑色発光領域Ｌｇを有するサブ画素Ｐ、及び青色の階調表示を行うための青色発光領域Ｌｂを有するサブ画素Ｐが互いに隣り合うように設けられている。なお、表示領域Ｄでは、赤色発光領域Ｌｒ、緑色発光領域Ｌｇ及び青色発光領域Ｌｂを有する隣り合う３つのサブ画素Ｐにより、１つの画素が構成されている。また、赤色発光領域Ｌｒ、緑色発光領域Ｌｇ及び青色発光領域Ｌｂは、後述するエッジカバー２２ａの開口部Ｍになっている。
有機ＥＬ表示装置５０ａは、図４に示すように、ベース基板として設けられた樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ層２０ａと、ＴＦＴ層２０ａ上に設けられた有機ＥＬ素子２５ａと、有機ＥＬ素子２５ａを覆うように設けられた封止膜３０ａとを備えている。
樹脂基板層１０は、例えば、ポリイミド樹脂等により構成されている。
ＴＦＴ層２０ａは、図４に示すように、樹脂基板層１０上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ（thin film transistor）９ａ、複数の第２ＴＦＴ９ｂ及び複数のキャパシタ９ｃと、各第１ＴＦＴ９ａ、各第２ＴＦＴ９ｂ及び各キャパシタ９ｃ上に設けられた平坦化膜１９ａとを備えている。ここで、ＴＦＴ層２０ａでは、図２及び図３に示すように、図中横方向に互いに平行に延びるように複数のゲート線１４が設けられている。また、ＴＦＴ層２０ａでは、図２及び図３に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数のソース線１８ｆが設けられている。また、ＴＦＴ層２０ａでは、図２及び図３に示すように、各ソース線１８ｆと隣り合って、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数の電源線１８ｇが設けられている。また、ＴＦＴ層２０ａでは、図３に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及びキャパシタ９ｃがそれぞれ設けられている。
ベースコート膜１１は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
第１ＴＦＴ９ａは、図３に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応するゲート線１４及びソース線１８ｆに接続されている。ここで、第１ＴＦＴ９ａは、図４に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられた半導体層１２ａと、半導体層１２ａを覆うように設けられたゲート絶縁膜１３と、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ａのチャネル領域（不図示）と重なるように設けられたゲート電極１４ａと、ゲート電極１４ａを覆うように順に設けられた第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７と、第２層間絶縁膜１７上に設けられ、互いに離間するように配置されたソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂとを備えている。なお、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ａのソース領域（不図示）及びドレイン領域（不図示）にそれぞれ接続されている。また、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
第２ＴＦＴ９ｂは、図３に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに接続されている。ここで、第２ＴＦＴ９ｂは、図４に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられた半導体層１２ｂと、半導体層１２ｂを覆うように設けられたゲート絶縁膜１３と、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ｂのチャネル領域（不図示）と重なるように設けられたゲート電極１４ｂと、ゲート電極１４ｂを覆うように順に設けられた第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７と、第２層間絶縁膜１７上に設けられ、互いに離間するように配置されたソース電極１８ｃ及びドレイン電極（電極層）１８ｄとを備えている。なお、ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ｂのソース領域（不図示）及びドレイン領域（不図示）にそれぞれ接続されている。また、本実施形態では、トップゲート型の第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを例示したが、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂは、ボトムゲート型であってもよい。
キャパシタ９ｃは、図３に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに接続されている。ここで、キャパシタ９ｃは、図４に示すように、ゲート電極と同一材料により同一層に形成された下部導電層１４ｃと、下部導電層１４ｃを覆うように設けられた第１層間絶縁膜１５と、第１層間絶縁膜１５上に下部導電層１４ｃと重なるように設けられた上部導電層１６とを備えている。なお、上部導電層１６は、図４に示すように、第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールを介して、電源線１８ｇに接続されている。
平坦化膜１９ａは、例えば、ポリイミド樹脂等の無色透明な有機樹脂材料により構成され、図４に示すように、平坦化された上面Ｓを有している。
有機ＥＬ素子２５ａは、図４に示すように、平坦化膜１９ａ上に順に設けられた複数の第１電極（陽極）２１ａ、エッジカバー２２ａ、複数の有機ＥＬ層２３ａ及び第２電極（陰極）２４ａを備えている。
複数の第１電極２１ａは、図４に示すように、複数のサブ画素Ｐに対応するように、平坦化膜１９ａ上にマトリクス状に設けられている。ここで、各サブ画素Ｐにおいて、第１電極２１ａは、図４及び図６に示すように、平坦化膜１９ａに形成されたコンタクトホールＣａを介して、各第２ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１８ｄに接続されている。なお、本実施形態では、図６に示すように、コンタクトホールＣａが有機ＥＬ層２３ａに重なる構成を例示したが、図７に示すように、第１電極２１ａ及びエッジカバー２２ａの平面形状を第１電極２１ａａ及びエッジカバー２２ａａと変更し、有機ＥＬ層２３ａから突出する第１電極２１ａａの部分にコンタクトホールＣａａを配置してもよい。すなわち、平坦化膜１９ａに形成されてドレイン電極１８ｄと第１電極２１ａａとを電気的に接続するコンタクトホールＣａａが発光層２３ａと重ならないように設けられていてもよい。なお、図７では、エッジカバー２２ａａに重なる第１電極２１ａａの周端（図６の２点鎖線参照）が図示されていないが、第１電極２１ａａの周端は、エッジカバー２２ａａの開口部Ｍの内周端の若干外側に配置されている。また、各サブ画素Ｐにおいて、第１電極２１ａａの後述するエッジカバー２２ａａの開口部Ｍから露出する領域は、図７に示すように、主部Ｒａと、主部Ｒａから平面視で突出する副部Ｒｂとを有している。また、平坦化膜１９ａには、各サブ画素Ｐにおいて、副部Ｒｂに重なるようにコンタクトホールＣａａ（図７参照）が形成されている。また、各サブ画素Ｐにおいて、第１電極２１ａａは、コンタクトホールＣａａを介してドレイン電極１８ｄに電気的に接続されている。また、発光層２３ａは、図７に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、主部Ｒａの全面と副部Ｒｂの主部Ｒａ側の一部に重なるように設けられている。このように、エッジカバー２２ａから露出する第１電極２１ａａの領域に形成したコンタクトホールＣａａを介して、第１電極２１ａａとドレイン電極１８ｄとを電気的に接続する場合には、発光層２３ａとコンタクトホールＣａａとを重ならないように配置することにより、発光層２３ａによる発光の放射角を揃え、発光の品位を向上させることができる。また、第１電極２１ａの周囲の側壁Ｗは、図４に示すように、その下端部が外側に突出して樹脂基板層１０の表面に対して３０°～７０°程度に傾斜している。また、第１電極２１ａは、有機ＥＬ層２３ａにホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極２１ａは、有機ＥＬ層２３ａへの正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第１電極２１ａを構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極２１ａを構成する材料は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、又はフッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極２１ａを構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極２１ａは、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
エッジカバー２２ａは、図４に示すように、複数の第１電極２１ａの間に設けられていると共に、各第１電極２１ａの周囲の側壁Ｗの少なくとも下端部を覆うように格子状に設けられている。ここで、エッジカバー２２ａには、複数の第１電極２１ａ、言い換えれば、複数のサブ画素Ｐに対応して、樹脂基板層１０の厚さ方向に貫通する複数の開口部Ｍ（図２参照）がマトリクス状に形成されている。また、エッジカバー２２ａの上面は、図４に示すように、各第１電極２１ａの上面以下に設けられている。また、エッジカバー２２ａを構成する樹脂材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等が挙げられる。また、エッジカバー２２ａは、図６に示すように、各第１電極２１ａの周囲を全周にわたって覆うように設けられている。
複数の有機ＥＬ層２３ａは、図４に示すように、エッジカバー２２ａを介して複数の第１電極２１ａ上に発光層として設けられている。なお、複数の有機ＥＬ層２３ａは、複数のサブ画素Ｐに対応してマトリクス状に設けられている。ここで、各有機ＥＬ層２３ａは、図５に示すように、第１電極２１ａ上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層本体３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極２１ａと有機ＥＬ層２３ａとのエネルギーレベルを近づけ、第１電極２１ａから有機ＥＬ層２３ａへの正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。
正孔輸送層２は、第１電極２１ａから有機ＥＬ層２３ａへの正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
発光層本体３は、第１電極２１ａ及び第２電極２４ａによる電圧印加の際に、第１電極２１ａ及び第２電極２４ａから正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層本体３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層本体３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
電子輸送層４は、電子を発光層本体３まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
電子注入層５は、第２電極２４ａと有機ＥＬ層２３ａとのエネルギーレベルを近づけ、第２電極２４ａから有機ＥＬ層２３ａへ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子２５ａの駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
第２電極２４ａは、図４に示すように、複数の有機ＥＬ層２３ａ上に複数の第１電極２１ａに対応する複数のサブ画素Ｐに共通して設けられている。また、第２電極２４ａは、有機ＥＬ層２３ａに電子を注入する機能を有している。また、第２電極２４ａは、有機ＥＬ層２３ａへの電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。また、第２電極２４ａは、例えば、真空蒸着法により形成される蒸着膜である。ここで、第２電極２４ａを構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極２４ａは、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極２４ａは、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極２４ａは、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
封止膜３０ａは、図４に示すように、第２電極２４ａを覆うように設けられた第１無機膜２６ａと、第１無機膜２６ａを覆うように設けられた有機膜２７ａと、有機膜２７ａを覆うように設けられた第２無機膜２８とを備え、有機ＥＬ層２３ａを水分や酸素から保護する機能を有している。ここで、第１無機膜２６ａ及び第２無機膜２８は、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜により構成されている。また、有機膜２７ａは、例えば、アクリレート、エポキシ、シリコーン、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の有機樹脂材料により構成されている。
上述した有機ＥＬ表示装置５０ａは、各サブ画素Ｐにおいて、ゲート線１４を介して第１ＴＦＴ９ａにゲート信号を入力して、第１ＴＦＴ９ａをオン状態にし、ソース線１８ｆを介して第２ＴＦＴ９ｂのゲート電極１４ｂ及びキャパシタ９ｃにソース信号に対応する電圧を書き込んで、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧により規定された電源線１８ｇからの電流が有機ＥＬ層２３ａに供給される。これにより、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、所定のサブ画素Ｐにおいて、有機ＥＬ層２３ａの発光層本体３が発光して、画像表示を行うように構成されている。なお、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、第１ＴＦＴ９ａがオフ状態になっても、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧がキャパシタ９ｃによって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまで有機ＥＬ層２３ａによる発光が維持される。
次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法について、図８及び図９を用いて説明する。ここで、図８は、有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法を示す断面図であり、（ａ）は、後述するエッジカバー形成工程のアッシング処理前の基板を示し、（ｂ）は、アッシング処理中の基板を示し、（ｃ）は、アッシング処理後の基板を示し、（ｄ）は、アッシング処理を過剰に行った場合の基板を示す。また、図９は、有機ＥＬ表示装置５０ａの変形例を概略的に示す断面図である。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法は、ＴＦＴ層形成工程と、第１電極形成工程、エッジカバー形成工程、発光層形成工程及び第２電極形成工程を含む有機ＥＬ素子形成工程と、封止膜形成工程とを備える。
＜ＴＦＴ層形成工程＞
例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板層１０の表面に、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、キャパシタ９ｃ及び平坦化膜１９ａを形成することにより、ＴＦＴ層２０ａを形成する。
例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板層１０の表面に、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、キャパシタ９ｃ及び平坦化膜１９ａを形成することにより、ＴＦＴ層２０ａを形成する。
＜有機ＥＬ素子形成工程＞
まず、上記ＴＦＴ層形成工程で形成されたＴＦＴ層２０ａ上に、例えば、スパッタリング法により、ＩＴＯ膜／銀合金膜（ＭｇＡｇ膜）／ＩＴＯ膜の積層膜を厚さ１００ｎｍ程度に成膜した後に、その積層膜をフォトリソグラフィによりパターニングして、複数の第１電極２１ａを形成する（第１電極形成工程）。
まず、上記ＴＦＴ層形成工程で形成されたＴＦＴ層２０ａ上に、例えば、スパッタリング法により、ＩＴＯ膜／銀合金膜（ＭｇＡｇ膜）／ＩＴＯ膜の積層膜を厚さ１００ｎｍ程度に成膜した後に、その積層膜をフォトリソグラフィによりパターニングして、複数の第１電極２１ａを形成する（第１電極形成工程）。
続いて、図８（ａ）に示すように、各第１電極２１ａを覆うように、例えば、真空蒸着法により、アクリレート等の有機材料からなる有機蒸着膜２２ｅａを厚さ２００ｎｍ程度に形成した後に、図８（ｂ）に示すように、各第１電極２１ａの上面が露出するまで有機蒸着膜２２ｅａをアッシングにより薄膜化した後に、図８（ｃ）に示すように、さらに、アッシングにより薄膜化して、エッジカバー２２ａを形成する（エッジカバー形成工程）。ここで、有機蒸着膜２２ｅａに対してアッシング処理を行う量としては、第１電極２１ａの上面がちょうど露出して、第１電極２１ａの上面と有機蒸着膜２２ｅｂの上面とが面一になった図８（ｂ）の状態から、有機蒸着膜２２ｅｂが完全に除去された図８（ｄ）の状態の手前までの間であればよく、図９に示すように、第１電極２１ａの側壁の部分だけに有機蒸着膜２２ｅｃを残してエッジカバーを構成してもよい。
さらに、エッジカバー２２ａの各開口部Ｍから露出する第１電極２１ａ上に、周知の方法（真空蒸着法）を用いて、有機ＥＬ層２３ａ（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層本体３、電子輸送層４、電子注入層５）を形成する（発光層形成工程）。
最後に、有機ＥＬ層２３ａが形成された基板上に、マスクを用いて、例えば、真空蒸着法により、銀合金膜（ＭｇＡｇ膜）を厚さ３０ｎｍ程度に成膜して、第２電極２４ａを形成することにより、有機ＥＬ素子２５ａを形成する（第２電極形成工程）。
＜封止膜形成工程＞
まず、上記発光素子形成工程で有機ＥＬ素子２５ａが形成された基板表面に、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により厚さ１０００ｎｍ程度に成膜して、第１無機膜２６ａを形成する。
まず、上記発光素子形成工程で有機ＥＬ素子２５ａが形成された基板表面に、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により厚さ１０００ｎｍ程度に成膜して、第１無機膜２６ａを形成する。
続いて、第１無機層２６ａが形成された基板表面に、例えば、インクジェット法により、アクリレート等の有機樹脂材料を厚さ数μｍ程度に成膜して、有機膜２７ａを形成する。
さらに、有機膜２７ａが形成された基板に対して、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により厚さ５００ｎｍ程度に成膜して、第２無機膜２８ａを形成することにより、第１無機膜２６ａ、有機膜２７ａ及び第２無機膜２８ａを有する封止膜３０ａを形成する。
最後に、封止膜３０ａが形成された基板の下面（ガラス基板）側からレーザー光を照射することにより、樹脂基板層１０の下面からガラス基板を剥離させる。
以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａを製造することができる。
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａ及びその製造方法によれば、エッジカバー形成工程において、複数の第１電極２１ａを覆うように有機蒸着膜２２ｅａを形成した後に、各第１電極２１ａの上面が露出するまで有機蒸着膜２２ｅａをアッシングにより薄膜化することにより、エッジカバー２２ａが形成される。この製造方法により形成されたエッジカバー２２ａは、各第１電極２１ａの周囲の側壁Ｗの少なくとも下端部を覆うように設けられ、エッジカバー２２ａの上面は、各第１電極２１ａの上面以下に設けられている。これにより、エッジカバー２２ａが各第１電極２１ａの上面に配置されないので、各第１電極２１の上面全体を赤色発光領域Ｌｒ、緑色発光領域Ｌｇ又は青色発光領域Ｌｂにすることができ、サブ画素Ｐの開口率を向上させることができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａ及びその製造方法によれば、各サブ画素Ｐにおいて、ドレイン電極１８ｄと第１電極２１ａａとを電気的に接続するコンタクトホールＣａａが有機ＥＬ層２３ａと重ならないように設けられている場合には、コンタクトホールＣａａの形成による表示品位の低下を抑制することができる。
《第２の実施形態》
図１０～図１３は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第２の実施形態を示している。ここで、図１０は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの表示領域Ｄの詳細構成を示す断面図である。また、図１１は、有機ＥＬ表示装置５０ｂを構成する第１電極２１ｂ、エッジカバー２２ｂ（ハッチング部）及び有機ＥＬ層２３ｂの配置を概略的に示す平面図である。なお、以下の実施形態において、図１～図９と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
図１０～図１３は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第２の実施形態を示している。ここで、図１０は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの表示領域Ｄの詳細構成を示す断面図である。また、図１１は、有機ＥＬ表示装置５０ｂを構成する第１電極２１ｂ、エッジカバー２２ｂ（ハッチング部）及び有機ＥＬ層２３ｂの配置を概略的に示す平面図である。なお、以下の実施形態において、図１～図９と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
上記第１の実施形態では、平坦化された上面Ｓを有する平坦化膜１９ａを備えた有機ＥＬ表示装置５０ａを例示したが、本実施形態では、平坦化された第１平坦面Ｓａ及び第２平坦面Ｓｂを有する平坦化膜１９ｂを備えた有機ＥＬ表示装置５０ｂを例示する。
有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、矩形状に規定された画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に枠状に規定された額縁領域Ｆとを備えている。
有機ＥＬ表示装置５０ｂは、図１０に示すように、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ層２０ｂと、ＴＦＴ層２０ｂ上に設けられた有機ＥＬ素子２５ｂと、有機ＥＬ素子２５ｂを覆うように設けられた封止膜３０ｂとを備えている。
ＴＦＴ層２０ｂは、図１０に示すように、樹脂基板層１０上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ９ａ、複数の第２ＴＦＴ９ｂ及び複数のキャパシタ９ｃと、各第１ＴＦＴ９ａ、各第２ＴＦＴ９ｂ及び各キャパシタ９ｃ上に設けられた平坦化膜１９ｂとを備えている。ここで、ＴＦＴ層２０ｂでは、上記第１の実施形態のＴＦＴ層２０ａと同様に、互いに平行に延びるように複数のゲート線１４が設けられている。また、ＴＦＴ層２０ｂでは、上記第１の実施形態のＴＦＴ層２０ａと同様に、各ゲート線１４と直交する方向に、互いに平行に延びるように複数のソース線１８ｆが設けられている。また、ＴＦＴ層２０ｂでは、上記第１の実施形態のＴＦＴ層２０ａと同様に、各ソース線１８ｆと隣り合って、互いに平行に延びるように複数の電源線１８ｇが設けられている。また、ＴＦＴ層２０ｂでは、上記第１の実施形態のＴＦＴ層２０ａと同様に、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及びキャパシタ９ｃがそれぞれ設けられている。
平坦化膜１９ｂは、例えば、ポリイミド樹脂等の無色透明な有機樹脂材料により構成され、図１０に示すように、平坦化された第１平坦面Ｓａを有する複数の島状の第１平坦部Ｈａと、第１平坦部Ｈａの周囲に設けられて平坦化された第２平坦面Ｓｂを有する第２平坦部Ｈｂと、第１平坦面Ｓａ及び第２平坦面Ｓｂの間に枠状に設けられた傾斜面Ｔとを備えている。ここで、第２平坦面Ｓｂは、図１０に示すように、第１平坦面Ｓａよりも低い位置（樹脂基板層１０側）に設けられている。また、第２平坦面Ｓｂには、図１１及び後述する図１２（ｃ）に示すように、上記各サブ画素Ｐにおいて、コンタクトホールＣｂが形成されている。なお、第１平坦部Ｈａの厚さは、例えば、２．５μｍ程度であり、第２平坦部Ｈｂの厚さは、例えば、１．５μｍ程度である。また、傾斜面Ｔは、樹脂基板層１０の表面に対して、例えば、３５°程度に傾斜している。また、本実施形態では、コンタクトホールＣｂが後述する有機ＥＬ層２３ｂと重ならないように配置された構成を例示したが、コンタクトホールＣｂは、有機ＥＬ層２３ｂと重なっていてもよい。
有機ＥＬ素子２５ｂは、図１０に示すように、平坦化膜１９ｂ上に順に設けられた複数の第１電極（陽極）２１ｂ、エッジカバー２２ｂ、複数の有機ＥＬ層２３ｂ及び第２電極（陰極）２４ｂを備えている。
複数の第１電極２１ｂは、図１０に示すように、複数のサブ画素Ｐに対応するように、平坦化膜１９ｂ上にマトリクス状に設けられている。ここで、各サブ画素Ｐにおいて、第１電極２１ｂは、図１０及び図１１に示すように、平坦化膜１９ｂの第２平坦部Ｈｂに形成されたコンタクトホールＣｂを介して、各第２ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１８ｄに接続されている。また、第１電極２１ｂの周囲の側壁Ｗは、図１０に示すように、その下端部が外側に突出して樹脂基板層１０の表面に対して３０°～７０°程度に傾斜している。また、各サブ画素Ｐにおいて、第１電極２１ｂは、図１０、図１１及び図１２（ｃ）に示すように、第１平坦部Ｈａの第１平坦面Ｓａの全面と、傾斜面Ｔと、第１平坦面Ｓａの周囲の第２平坦面Ｓｂの一部とを覆うように設けられている。また、第１電極２１ｂは、有機ＥＬ層２３ｂにホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極２１ｂは、有機ＥＬ層２３ｂへの正孔注入効率を向上させるために、上記第１の実施形態の第１電極２１ａと同様に、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。
エッジカバー２２ｂは、図１０に示すように、複数の第１電極２１ｂの間に設けられていると共に、各第１電極２１ｂの周囲の側壁Ｗの少なくとも下端部を覆うように格子状に設けられている。ここで、エッジカバー２２ｂには、複数の第１電極２１ｂ、言い換えれば、複数のサブ画素Ｐに対応して、樹脂基板層１０の厚さ方向に貫通する複数の開口部Ｍ（図２参照）がマトリクス状に形成されている。また、エッジカバー２２ｂは、図１２（ｃ）に示すように、コンタクトホールＣｂによるドレイン電極１８ｄと第１電極２１ｂとの接続部分を含む第２平坦面Ｓｂを覆うように設けられている。また、エッジカバー２２ｂは、図１１及び図１２（ｃ）に示すように、平坦化膜１９ｂの傾斜面Ｔを全周にわたって覆うように設けられている。また、エッジカバー２２ｂの上面は、図１０及び図１２（ｃ）に示すように、各第１電極２１ｂの上面以下であって、各第１平坦部Ｈａの第１平坦面Ｓａよりも樹脂基板層１０側に設けられている。また、エッジカバー２２ｂを構成する樹脂材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等が挙げられる。
複数の有機ＥＬ層２３ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ層２３ａと同様に、エッジカバー２２ｂを介して複数の第１電極２１ｂ上に発光層として設けられている。なお、複数の有機ＥＬ層２３ｂは、複数のサブ画素Ｐに対応してマトリクス状に設けられている。ここで、各有機ＥＬ層２３ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ層２３ａと同様に、第１電極２１ｂ上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層本体３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
第２電極２４ｂは、図１０に示すように、複数の有機ＥＬ層２３ｂ上に複数の第１電極２１ｂに対応する複数のサブ画素Ｐに共通して設けられている。また、第２電極２４ｂは、有機ＥＬ層２３ｂに電子を注入する機能を有している。また、第２電極２４ｂは、有機ＥＬ層２３ｂへの電子注入効率を向上させるために、上記第１の実施形態の第２電極２４ａと同様に、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。
封止膜３０ｂは、図１０に示すように、第２電極２４ｂを覆うように設けられた第１無機膜２６ｂと、第１無機膜２６ｂを覆うように設けられた有機膜２７ｂと、有機膜２７ｂを覆うように設けられた第２無機膜２８とを備え、有機ＥＬ層２３ｂを水分や酸素から保護する機能を有している。ここで、第１無機膜２６ｂは、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜により構成されている。また、有機膜２７ｂは、例えば、アクリレート、エポキシ、シリコーン、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の有機樹脂材料により構成されている。
上述した有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを介して有機ＥＬ層２３ｂの発光層本体３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態で説明した有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法において、例えば、ハーフトーンマスクやグレートーンマスク等を用いて、平坦化膜１９ａのパターン形状を変更することにより、製造することができる。以下に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの製造方法において、特徴的な有機ＥＬ素子形成工程について、図１２及び図１３を用いて説明する。ここで、図１２は、有機ＥＬ表示装置５０ｂの製造方法を示す断面図であり、（ａ）は、エッジカバー形成工程のアッシング処理前の基板を示し、（ｂ）は、アッシング処理中の基板を示し、（ｃ）は、アッシング処理後の基板を示し、（ｄ）は、アッシング処理を過剰に行った場合の基板を示す。また、図１３は、有機ＥＬ表示装置５０ｂの製造方法における有機蒸着膜２２ｆａのアッシング量と第１電極２１ｂの露出面積との関係を示すグラフであり、破線Ａが上記第１の実施形態の製造方法によるものであり、実線Ｂが本実施形態の製造方法によるものである。なお、図１３のグラフの横軸上のａは、図８（ａ）及び図１２（ａ）の時点に相当し、図１３のグラフの横軸上のｂは、図８（ｂ）及び図１２（ｂ）の時点に相当し、図１３のグラフの横軸上のｄａは、図８（ｄ）の時点に相当し、図１３のグラフの横軸上のｄｂは、図１２（ｄ）の時点に相当する。
＜有機ＥＬ素子形成工程＞
まず、上記第１の実施形態のＴＦＴ層形成工程を適宜変更して形成されたＴＦＴ層２０ｂ上に、例えば、スパッタリング法により、ＩＴＯ膜／銀合金膜（ＭｇＡｇ膜）／ＩＴＯ膜の積層膜を厚さ１００ｎｍ程度に成膜した後に、その積層膜をフォトリソグラフィによりパターニングして、複数の第１電極２１ｂを形成する（第１電極形成工程）。
まず、上記第１の実施形態のＴＦＴ層形成工程を適宜変更して形成されたＴＦＴ層２０ｂ上に、例えば、スパッタリング法により、ＩＴＯ膜／銀合金膜（ＭｇＡｇ膜）／ＩＴＯ膜の積層膜を厚さ１００ｎｍ程度に成膜した後に、その積層膜をフォトリソグラフィによりパターニングして、複数の第１電極２１ｂを形成する（第１電極形成工程）。
続いて、図１２（ａ）に示すように、各第１電極２１ｂを覆うように、例えば、真空蒸着法により、アクリレート等の有機材料からなる有機蒸着膜２２ｆａを厚さ２００ｎｍ程度に形成した後に、図１２（ｂ）に示すように、各第１電極２１ｂの上面が露出するまで有機蒸着膜２２ｆａをアッシングにより薄膜化した後に、図１２（ｃ）に示すように、さらに、アッシングにより薄膜化して、エッジカバー２２ｂを形成する（エッジカバー形成工程）。ここで、有機蒸着膜２２ｆａに対してアッシング処理を行う量としては、第１電極２１ｂの上面がちょうど露出して、第１電極２１ｂの上面と有機蒸着膜２２ｆｂの上面とが面一になった図１２（ｂ）の状態から、有機蒸着膜２２ｆｂが完全に除去された図１２（ｄ）の状態の手前までの間であればよい。
さらに、エッジカバー２２ｂの各開口部Ｍから露出する第１電極２１ｂ上に、周知の方法（真空蒸着法）を用いて、有機ＥＬ層２３ｂ（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層本体３、電子輸送層４、電子注入層５）を形成する（発光層形成工程）。
最後に、有機ＥＬ層２３ｂが形成された基板上に、マスクを用いて、例えば、真空蒸着法により、銀合金膜（ＭｇＡｇ膜）を厚さ３０ｎｍ程度に成膜して、第２電極２４ｂを形成することにより、有機ＥＬ素子２５ｂを形成する（第２電極形成工程）。
ここで、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの製造方法では、図１３のグラフ（実線Ｂ）に示すように、上記第１の実施形態の製造方法（破線Ａ）よりも第１電極２１ｂの露出面積が段階的に増えるので、アッシング処理におけるプロセスマージンを大きくすることができる。
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂ及びその製造方法によれば、エッジカバー形成工程において、複数の第１電極２１ｂを覆うように有機蒸着膜２２ｆａを形成した後に、各第１電極２１ｂの上面が露出するまで有機蒸着膜２２ｆａをアッシングにより薄膜化することにより、エッジカバー２２ｂが形成される。この製造方法により形成されたエッジカバー２２ｂは、各第１電極２１ｂの周囲の側壁Ｗの少なくとも下端部を覆うように設けられ、エッジカバー２２ｂの上面は、各第１電極２１ｂの上面以下に設けられている。これにより、エッジカバー２２ｂが各第１電極２１ｂの上面に配置されないので、各第１電極２１ｂの上面全体を赤色発光領域Ｌｒ、緑色発光領域Ｌｇ又は青色発光領域Ｌｂにすることができ、サブ画素Ｐの開口率を向上させることができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂ及びその製造方法によれば、各サブ画素Ｐにおいて、ドレイン電極１８ｄと第１電極２１ｂとを電気的に接続するコンタクトホールＣｂが有機ＥＬ層２３ｂと重ならないように設けられているので、コンタクトホールＣｂの形成による表示品位の低下を抑制することができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂ及びその製造方法によれば、平坦化膜１９ｂが、平坦化された第１平坦面Ｓａを有する第１平坦部Ｈａと、第１平坦部Ｈａの周囲に設けられて第１平坦面Ｓａよりも低い位置に平坦化された第２平坦面Ｓｂを有する第２平坦部Ｈｂと、第１平坦面Ｓａ及び第２平坦面Ｓｂの間に設けられた傾斜面Ｔとを備えている。さらに、各第１電極２１ｂは、第１平坦面Ｓａ及び傾斜面Ｔを覆うように設けられているので、エッジカバー形成工程のアッシング処理において、第１電極２１ｂの露出面積が段階的に増えることになる。これにより、エッジカバー形成工程のアッシング処理におけるプロセスマージンを大きくすることができる。
《その他の実施形態》
上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
また、上記各実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
また、上記各実施形態では、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした素子基板を備えた有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ素子基板を備えた有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
また、上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本発明は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置に適用することができる。例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）を備えた表示装置に適用することができる。
以上説明したように、本発明は、フレキシブルな表示装置について有用である。
Ｃａ，Ｃａａ，Ｃｂ コンタクトホール
Ｈａ 第１平坦部
Ｈｂ 第２平坦部
Ｍ 開口部
Ｐ サブ画素
Ｒａ 主部
Ｒｂ 副部
Ｓａ 第１平坦面
Ｓｂ 第２平坦面
Ｔ 傾斜面
Ｗ 側壁
１０ 樹脂基板層（ベース基板）
１８ｄ ドレイン電極（電極層）
１９ａ，１９ｂ 平坦化膜
２０ａ，２０ｂ ＴＦＴ層
２１ａ，２１ｂ 第１電極
２２ｅａ，２２ｅｂ，２２ｆａ，２２ｆｂ 有機蒸着膜
２２ａ，２２ｂ エッジカバー
２３ａ，２３ｂ 有機ＥＬ層（発光層）
２４ａ，２４ｂ 第２電極
５０ａ，５０ｂ 有機ＥＬ表示装置
Ｈａ 第１平坦部
Ｈｂ 第２平坦部
Ｍ 開口部
Ｐ サブ画素
Ｒａ 主部
Ｒｂ 副部
Ｓａ 第１平坦面
Ｓｂ 第２平坦面
Ｔ 傾斜面
Ｗ 側壁
１０ 樹脂基板層（ベース基板）
１８ｄ ドレイン電極（電極層）
１９ａ，１９ｂ 平坦化膜
２０ａ，２０ｂ ＴＦＴ層
２１ａ，２１ｂ 第１電極
２２ｅａ，２２ｅｂ，２２ｆａ，２２ｆｂ 有機蒸着膜
２２ａ，２２ｂ エッジカバー
２３ａ，２３ｂ 有機ＥＬ層（発光層）
２４ａ，２４ｂ 第２電極
５０ａ，５０ｂ 有機ＥＬ表示装置
Claims (13)
- ベース基板と、
上記ベース基板上に設けられたＴＦＴ層と、
上記ＴＦＴ層上に設けられた複数の第１電極と、
上記複数の第１電極の間に設けられ、該複数の第１電極に対応して複数の開口部が形成された樹脂材料からなるエッジカバーと、
上記エッジカバーを介して上記複数の第１電極上に設けられた発光層と、
上記発光層上に上記複数の第１電極に対応する複数のサブ画素に共通して設けられた第２電極とを備えた表示装置であって、
上記エッジカバーは、上記各第１電極の周囲の側壁の少なくとも下端部を覆うように設けられ、
上記エッジカバーの上面は、上記各第１電極の上面以下に設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１に記載された表示装置において、
上記各第１電極の周囲の側壁は、上記下端部が外側に突出して上記ベース基板の表面に対して傾斜していることを特徴とする表示装置。 - 請求項２に記載された表示装置において、
上記エッジカバーは、上記各第１電極の周囲を全周にわたって覆うように設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１又は２に記載された表示装置において、
上記ＴＦＴ層は、上記サブ画素毎にそれぞれ設けられた複数の電極層、及び該複数の電極層と上記複数の第１電極との間に設けられた平坦化膜を備え、
上記各サブ画素において、上記対応する第１電極の上記開口部から露出する領域は、主部と、該主部から平面視で突出する副部とを有し、
上記平坦化膜には、上記各サブ画素において、上記副部に重なるようにコンタクトホールが形成され、
上記各サブ画素において、上記対応する第１電極は、上記コンタクトホールを介して上記対応する電極層に電気的に接続され、
上記発光層は、上記各サブ画素において、上記主部の全面と上記副部の一部に重なるように設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項４に記載された表示装置において、
上記コンタクトホールは、上記発光層と重ならないように設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１又は２に記載された表示装置において、
上記ＴＦＴ層は、上記サブ画素毎にそれぞれ設けられた複数の電極層、及び該複数の電極層と上記複数の第１電極との間に設けられた平坦化膜を備え、
上記平坦化膜は、平坦化された第１平坦面を有して上記各サブ画素にそれぞれに設けられた複数の島状の第１平坦部と、該複数の第１平坦部の周囲に設けられて上記第１平坦面よりも上記ベース基板側に平坦化された第２平坦面を有する第２平坦部とを備え、
上記各サブ画素において、上記対応する第１電極は、上記対応する第１平坦面の全面と、該第１平坦面の周囲の第２平坦面の一部とを覆うように設けられ、
上記第２平坦部には、上記各サブ画素において、コンタクトホールが形成され、
上記各サブ画素において、上記対応する第１電極は、上記コンタクトホールを介して上記対応する電極層に電気的に接続され、
上記エッジカバーは、上記コンタクトホールによる上記電極層と上記第１電極との接続部分を含む上記第２平坦面を覆うように設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項６に記載された表示装置において、
上記平坦化膜は、上記各第１平坦面及び第２平坦面の間に枠状に設けられた傾斜面を備え、
上記各サブ画素において、上記対応する第１電極は、上記傾斜面を覆うように設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項７に記載された表示装置において、
上記エッジカバーは、上記傾斜面を全周にわたって覆うように設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項６～８の何れか１つに記載された表示装置において、
上記エッジカバーの上面は、上記各第１平坦部の第１平坦面よりも上記ベース基板側に設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項６～９の何れか１つに記載された表示装置において、
上記コンタクトホールは、上記発光層と重ならないように設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～１０の何れか１つに記載された表示装置において、
上記発光層は、有機ＥＬ層の一部を構成していることを特徴とする表示装置。 - ベース基板上にＴＦＴ層を形成するＴＦＴ層形成工程と、
上記ＴＦＴ層上に複数の第１電極を形成する第１電極形成工程と、
上記複数の第１電極の間に設けられ、該複数の第１電極に対応して複数の開口部が配置された樹脂材料からなるエッジカバーを形成するエッジカバー形成工程と、
上記エッジカバーを介して上記複数の第１電極上に発光層を形成する発光層形成工程と、
上記発光層上に上記複数の第１電極に対応する複数のサブ画素に共通して第２電極を形成する第２電極形成工程とを備える表示装置の製造方法であって、
上記エッジカバー形成工程は、上記複数の第１電極を覆うように有機蒸着膜を形成した後に、該複数の第１電極の上面が露出するまで該有機蒸着膜をアッシングにより薄膜化することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項１２に記載された表示装置の製造方法において、
上記発光層は、有機ＥＬ層の一部を構成していることを特徴とする表示装置の製造方法。
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2018
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