WO2019186812A1 - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Classifications
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- H05B33/06—Electrode terminals
Definitions
- the present invention relates to a display device and a manufacturing method thereof.
- a self-luminous organic EL display device using an organic EL (electroluminescence) element has attracted attention as a display device that replaces a liquid crystal display device.
- a flexible organic EL display device in which an organic EL element or the like is formed on a flexible resin substrate has been proposed.
- the organic EL display device there is a demand for reducing the frame area by providing a rectangular display area for displaying an image and a frame area around the display area.
- the wiring arranged in the frame area may be broken.
- Patent Document 1 discloses a flexible display device that prevents a disconnection of a wiring by removing a part of each of a buffer film, a gate insulating film, and an interlayer insulating film corresponding to a bending region by forming a bending hole. It is disclosed.
- an inorganic insulating film such as a base coat film, a gate insulating film, and an interlayer insulating film is provided on a resin substrate, in order to suppress disconnection of wiring arranged in the frame region.
- the inorganic insulating film in the bent portion of the frame region is removed, a planarization film is formed on the removed portion, and a plurality of wirings extending in parallel to each other are formed on the planarization film.
- the metal film formed on the planarizing film is patterned by dry etching, the surface of the planarizing film made of a resin material is also etched.
- the surface of the planarizing film is inclined at a relatively high angle (for example, 30 ° or more) with respect to the surface of the resin substrate, the resist pattern used for patterning the metal film However, it is formed thick at that portion. In this case, an unnecessary metal film remains between the plurality of wirings, and thus the plurality of wirings may be short-circuited.
- the present invention has been made in view of such a point, and an object of the present invention is to suppress contamination in the chamber and to suppress a short circuit between wirings in a bent portion of a frame region.
- a display device manufacturing method includes a resin substrate, a TFT layer provided on the resin substrate, and a light emitting element provided on the TFT layer and constituting a display region.
- a frame region provided around the display region, a terminal portion provided at an end of the frame region, and a bent portion provided to extend in one direction between the display region and the terminal portion,
- the TFT layer is configured, and at least one inorganic insulating film provided on the resin substrate and the TFT layer are configured, and in the frame region, extend parallel to each other in a direction intersecting with the extending direction of the bent portion.
- a display device comprising a plurality of wirings provided as described above, wherein the resin substrate is exposed through the at least one inorganic insulating film through the inorganic insulating film in the bent portion.
- a plurality of first conductive layers are formed to extend in parallel with each other between the display area and the bent portion, and a plurality of second conductive layers are extended in parallel with each other between the bent portion and the terminal portion.
- a plurality of first conductive layers are formed to extend in parallel between the display area and the bent portion, and a plurality of second conductive layers are extended in parallel to each other between the bent portion and the terminal portion.
- Forming a third conductive trunk layer so that the plurality of first conductive layers and the plurality of second conductive layers are connected to each other at the bent portion, and dividing the third conductive trunk layer into a plurality of parts As a result, a plurality of third conductive layers made up of the divided third conductive trunk layers, a plurality of first conductive layers, and a plurality of second conductive layers are connected in one row to form a plurality of wirings. Since the second patterning step is performed, contamination in the chamber can be suppressed and a short circuit between the wirings in the bent portion of the frame region can be suppressed.
- FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 2 is a plan view showing a detailed configuration of the display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 3 is a cross-sectional view of the display region of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 4 is an equivalent circuit diagram showing a TFT layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 5 is a cross-sectional view showing an organic EL layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 2 is a plan view showing a detailed configuration of the display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 3 is a cross-sectional view of the
- FIG. 6 is a cross-sectional view of a frame region of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 7 is a plan view after the first patterning step in the method of manufacturing the organic EL display device according to the first embodiment of the invention.
- FIG. 8 is a cross-sectional view after the first patterning step in the method for manufacturing the organic EL display device along the line VIII-VIII in FIG.
- FIG. 9 is a cross-sectional view after the first patterning step in the method for manufacturing the organic EL display device along the line IX-IX in FIG.
- FIG. 10 is a plan view after the second patterning step in the method for manufacturing the organic EL display device according to the first embodiment of the invention.
- FIG. 11 is a cross-sectional view after the second patterning step in the method for manufacturing the organic EL display device along the line XI-XI in FIG.
- FIG. 12 is a cross-sectional view after the second patterning step in the method for manufacturing the organic EL display device along the line XII-XII in FIG.
- FIG. 13 is a cross-sectional view before the second patterning step in the method for manufacturing the organic EL display device.
- FIG. 14 is a cross-sectional view of a frame region of an organic EL display device according to the second embodiment of the present invention.
- FIG. 15 is a plan view after the first patterning step in the method for manufacturing the organic EL display device according to the second embodiment of the invention.
- FIG. 16 is a cross-sectional view after the first patterning step in the method of manufacturing the organic EL display device along the line XVI-XVI in FIG.
- FIG. 17 is a cross-sectional view after the first patterning step in the method of manufacturing the organic EL display device along the line XVII-XVII in FIG.
- FIG. 18 is a plan view after the second patterning step in the method of manufacturing the organic EL display device according to the second embodiment of the invention.
- FIG. 19 is a cross-sectional view after the second patterning step in the method of manufacturing the organic EL display device along the line XIX-XIX in FIG.
- FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device 50a of the present embodiment.
- FIG. 2 is a plan view showing a detailed configuration of the display area D of the organic EL display device 50a.
- FIG. 3 is a cross-sectional view of the display region D of the organic EL display device 50a.
- FIG. 4 is an equivalent circuit diagram showing the TFT layer 20 constituting the organic EL display device 50a.
- FIG. 5 is a cross-sectional view showing the organic EL layer 23 constituting the organic EL display device 50a.
- FIG. 6 is a cross-sectional view of the frame region F of the organic EL display device 50a.
- the organic EL display device 50 a includes, for example, a display area D for displaying an image provided in a rectangular shape and a frame area F provided around the display area D.
- a plurality of sub-pixels P are arranged in a matrix.
- the sub-pixel P having a red light-emitting area Lr for displaying red the sub-pixel P having a green light-emitting area Lg for displaying green
- sub-pixels P having a blue light emitting region Lb for blue display are provided adjacent to each other.
- one pixel is configured by three adjacent sub-pixels P having a red light emitting area Lr, a green light emitting area Lg, and a blue light emitting area Lb.
- a terminal region T is provided at the right end of the frame region F in FIG. Further, in the frame region F, as shown in FIG. 1, a bent portion B that can be bent at 180 ° (in a U shape) between the display region D and the terminal portion T with the vertical direction in the drawing as the axis of bending. Are provided so as to extend in one direction (vertical direction in the figure).
- the organic EL display device 50 a includes a resin substrate layer 10 provided as a resin substrate in a display region D, and a TFT (thin film film transistor) layer 20 provided on the resin substrate layer 10.
- the organic EL element 30 provided as a light emitting element which comprises the display area D on the TFT layer 20 is provided.
- the resin substrate layer 10 is made of, for example, a polyimide resin.
- the TFT layer 20 includes a base coat film 11 provided on the resin substrate layer 10, a plurality of first TFTs 9a, a plurality of second TFTs 9b, and a plurality of capacitors 9c provided on the base coat film 11.
- Each first TFT 9a, each second TFT 9b, and a second planarization film 19 provided on each capacitor 9c are provided.
- the first planarization film 8 is provided in the frame region F as will be described later.
- a plurality of gate lines 14 are provided so as to extend in parallel in the horizontal direction in the drawings.
- FIGS. 2 and 4 a plurality of gate lines 14 are provided so as to extend in parallel in the horizontal direction in the drawings.
- a plurality of source lines 18 f are provided so as to extend in parallel to each other in the vertical direction in the drawing.
- a plurality of power supply lines 18g are provided so as to extend in parallel to each other in the vertical direction in the drawing.
- Each power line 18g is provided adjacent to each source line 18f as shown in FIG.
- a first TFT 9a, a second TFT 9b, and a capacitor 9c are provided in each sub-pixel P.
- the base coat film 11 is composed of, for example, a single layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride or the like.
- the first TFT 9a is connected to the corresponding gate line 14 and source line 18f in each sub-pixel P.
- the first TFT 9a includes a semiconductor layer 12a, a gate insulating film 13, a gate electrode 14a, a first interlayer insulating film 15, a second interlayer insulating film 17 and the like provided in order on the base coat film 11.
- a source electrode 18a and a drain electrode 18b are provided.
- the semiconductor layer 12a is provided in an island shape on the base coat film 11, and has a channel region, a source region, and a drain region.
- the gate insulating film 13 is provided so as to cover the semiconductor layer 12a. As shown in FIG.
- the gate electrode 14a is provided on the gate insulating film 13 so as to overlap the channel region of the semiconductor layer 12a. Further, as shown in FIG. 3, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are sequentially provided so as to cover the gate electrode 14a. Further, as shown in FIG. 3, the source electrode 18a and the drain electrode 18b are provided on the second interlayer insulating film 17 so as to be separated from each other. Further, as shown in FIG. 3, the source electrode 18a and the drain electrode 18b are connected to each other through contact holes formed in the laminated film of the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17, respectively. The semiconductor layer 12a is connected to the source region and the drain region, respectively.
- the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 are composed of a single layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride, for example. .
- the second TFT 9b is connected to the corresponding first TFT 9a and the power supply line 18g in each sub-pixel P.
- the first TFT 9b includes a semiconductor layer 12b, a gate insulating film 13, a gate electrode 14b, a first interlayer insulating film 15, a second interlayer insulating film 17 and the like, which are sequentially provided on the base coat film 11.
- a source electrode 18c and a drain electrode 18d are provided.
- the semiconductor layer 12b is provided in an island shape on the base coat film 11, and has a channel region, a source region, and a drain region. Further, as shown in FIG.
- the gate insulating film 13 is provided so as to cover the semiconductor layer 12b.
- the gate electrode 14b is provided on the gate insulating film 13 so as to overlap the channel region of the semiconductor layer 12b.
- the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are sequentially provided so as to cover the gate electrode 14b.
- the source electrode 18c and the drain electrode 18d are provided on the second interlayer insulating film 17 so as to be separated from each other, as shown in FIG. As shown in FIG.
- the source electrode 18c and the drain electrode 18d are connected to each other through contact holes formed in the laminated film of the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17, respectively.
- the semiconductor layer 12b is connected to the source region and the drain region, respectively.
- top gate type first TFT 9a and the second TFT 9b are illustrated, but the first TFT 9a and the second TFT 9b may be bottom gate type TFTs.
- the capacitor 9c is connected to the corresponding first TFT 9a and the power supply line 18g in each sub-pixel P.
- the capacitor 9c includes a lower conductive layer 14c formed in the same layer with the same material as the gate electrodes 14a and 14b, and a first interlayer insulation provided so as to cover the lower conductive layer 14c.
- a film 15 and an upper conductive layer 16 provided on the first interlayer insulating film 15 so as to overlap the lower conductive layer 14c are provided.
- the upper conductive layer 16 is electrically connected to the power supply line 18g through a contact hole formed in the second interlayer insulating film 17, as shown in FIG.
- the second planarization film 19 has a flat surface in the display region D and is made of, for example, an organic resin material such as polyimide resin.
- the organic EL element 30 includes a plurality of first electrodes 21, an edge cover 22, a plurality of organic EL layers 23, a second electrode 24, and a sealing layer that are sequentially provided on the second planarization film 19.
- a membrane 28 is provided.
- the plurality of first electrodes 21 are provided as pixel electrodes in a matrix on the second planarization film 19 so as to correspond to the plurality of subpixels P. Further, as shown in FIG. 3, each first electrode 21 is connected to the drain electrode 18d of each second TFT 9b through a contact hole formed in the second planarizing film 19.
- the first electrode 21 has a function of injecting holes into the organic EL layer 23.
- the first electrode 21 is more preferably formed of a material having a high work function in order to improve the efficiency of hole injection into the organic EL layer 23.
- examples of the material constituting the first electrode 21 include silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), and gold (Au). , Titanium (Ti), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), ytterbium (Yb), lithium fluoride (LiF), platinum (Pt), palladium (Pd), molybdenum (Mo), iridium ( Examples thereof include metal materials such as Ir) and tin (Sn).
- the material constituting the first electrode 21 may be, for example, an alloy such as astatine (At) / oxidized astatine (AtO 2 ).
- the material constituting the first electrode 21 is, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like. There may be.
- the first electrode 21 may be formed by stacking a plurality of layers made of the above materials. Examples of the compound material having a large work function include indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO).
- the edge cover 22 is provided in a lattice shape so as to cover the peripheral portion of each first electrode 21.
- the material constituting the edge cover 22 include organic films such as polyimide resin, acrylic resin, polysiloxane resin, and novolac resin.
- each organic EL layer 23 includes a hole injection layer 1, a hole transport layer 2, a light emitting layer 3, an electron transport layer 4, and an electron injection provided on the first electrode 21 in order.
- Layer 5 is provided.
- the hole injection layer 1 is also called an anode buffer layer, and has a function of improving the efficiency of hole injection from the first electrode 21 to the organic EL layer 23 by bringing the energy levels of the first electrode 21 and the organic EL layer 23 closer to each other.
- a material constituting the hole injection layer for example, a triazole derivative, an oxadiazole derivative, an imidazole derivative, a polyarylalkane derivative, a pyrazoline derivative, a phenylenediamine derivative, an oxazole derivative, a styrylanthracene derivative, a fluorenone derivative, Examples include hydrazone derivatives and stilbene derivatives.
- the hole transport layer 2 has a function of improving the hole transport efficiency from the first electrode 21 to the organic EL layer 23.
- examples of the material constituting the hole transport layer 2 include porphyrin derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine derivatives, polyvinylcarbazole, poly-p-phenylene vinylene, polysilane, triazole derivatives, oxadiazole.
- Derivatives imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amine-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, hydrogenated amorphous silicon, Examples include hydrogenated amorphous silicon carbide, zinc sulfide, and zinc selenide.
- the light emitting layer 3 when voltage is applied by the first electrode 21 and the second electrode 24, holes and electrons are injected from the first electrode 21 and the second electrode 24, respectively, and the holes and electrons are recombined. It is an area.
- the light emitting layer 3 is formed of a material having high light emission efficiency. Examples of the material constituting the light emitting layer 3 include metal oxinoid compounds [8-hydroxyquinoline metal complexes], naphthalene derivatives, anthracene derivatives, diphenylethylene derivatives, vinylacetone derivatives, triphenylamine derivatives, butadiene derivatives, and coumarin derivatives.
- the electron transport layer 4 has a function of efficiently moving electrons to the light emitting layer 3.
- examples of the material constituting the electron transport layer 4 include organic compounds such as oxadiazole derivatives, triazole derivatives, benzoquinone derivatives, naphthoquinone derivatives, anthraquinone derivatives, tetracyanoanthraquinodimethane derivatives, diphenoquinone derivatives, and fluorenone derivatives. , Silole derivatives, metal oxinoid compounds and the like.
- the electron injection layer 5 has a function of bringing the energy level of the second electrode 24 and the organic EL layer 23 closer to each other and improving the efficiency of injecting electrons from the second electrode 24 to the organic EL layer 23. With this function, The drive voltage of the organic EL element 30 can be lowered.
- the electron injection layer 5 is also called a cathode buffer layer.
- a material constituting the electron injection layer 5 for example, lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), barium fluoride.
- Inorganic alkali compounds such as (BaF 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), strontium oxide (SrO), and the like can be given.
- the second electrode 24 is provided as a common electrode so as to cover each organic EL layer 23 and the edge cover 22.
- the second electrode 24 has a function of injecting electrons into the organic EL layer 23.
- the second electrode 24 is more preferably composed of a material having a small work function in order to improve the efficiency of electron injection into the organic EL layer 23.
- examples of the material forming the second electrode 24 include silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), and gold (Au).
- the second electrode 24 is formed of, for example, magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / oxidized astatine (AtO 2).
- the second electrode 24 may be formed of a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like. .
- the second electrode 24 may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials.
- Examples of materials having a small work function include magnesium (Mg), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), and sodium.
- (Na) / potassium (K) lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al) Etc.
- the sealing film 28 includes a first inorganic film 25 provided so as to cover the second electrode 24, an organic film 26 provided on the first inorganic film 25, and the organic film 26. And a second inorganic film 27 provided so as to cover it, and has a function of protecting the organic EL layer 23 from moisture, oxygen, and the like.
- the first inorganic film 25 and the second inorganic film 27 are, for example, silicon nitride (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), silicon nitride (Si 3 N 4 ) such as silicon nitride (Si 3 N 4 ).
- the organic film 26 is made of an organic material such as acrylic resin, polyurea resin, parylene resin, polyimide resin, or polyamide resin.
- the organic EL display device 50 a includes a resin substrate layer 10, an inorganic insulating laminated film M provided on the resin substrate layer 10, a first planarizing film 8, and a routing in the frame region F.
- a wiring 18h and a second planarizing film 19 are provided.
- the inorganic insulating laminated film M is at least one inorganic insulating film constituting the TFT layer 20, and as shown in FIGS. 3 and 6, a base coat film 11 and a gate insulating film sequentially laminated on the resin substrate layer 10. 13, a first interlayer insulating film 15 and a second interlayer insulating film 17 are provided.
- the inorganic insulating laminated film M is formed with a slit S that penetrates the inorganic insulating laminated film M and exposes the upper surface of the resin substrate layer 10.
- the slit S is provided in a groove shape that penetrates along the direction in which the bent portion B extends.
- the first planarization film 8 is provided so as to fill the slit S as shown in FIG.
- the first planarization film 8 is made of, for example, an organic resin material such as polyimide resin.
- each routing wiring 18 h includes a first conductive layer 18 ha provided on one end portion where the slit S of the inorganic insulating laminated film M is formed, and an inorganic insulating laminated film.
- the second conductive layer 18hb provided on the other end where the M slit S is formed, and the first conductive layer 18ha and the second conductive layer 18hb are provided on the first planarization film 8 and connected to the first conductive layer 18ha and the second conductive layer 18hb. And a third conductive layer 18hc.
- the plurality of first conductive layers 18ha are provided between the display region D and the bent portion B so as to extend in parallel to each other.
- the plurality of second conductive layers 18 hb are provided between the bent portion B and the terminal portion T so as to extend in parallel to each other.
- the plurality of third conductive layers 18hc are provided to extend in parallel with each other on the bent portion B and both outer sides thereof.
- the lead wiring 18h (the first conductive layer 18ha, the second conductive layer 18hb, and the third conductive layer 18hc) is formed of the same material in the same layer as the source electrode 18a and the like. Further, as shown in FIG.
- the width of the third conductive layer 18hc is wider than the width of the first conductive layer 18ha and the second conductive layer 18hb. Further, as shown in FIG. 10, the third conductive layer 18 hc is provided so as to overlap the end portion of the first planarization film 8. Further, the first conductive layer 18ha and the second conductive layer 18hb are provided so as to be orthogonal to the end portion of the first planarization film 8, as shown in FIG.
- the end portion of the first conductive layer 18ha on the display region D side is connected to the first gate through a contact hole formed in the laminated film of the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17. It is electrically connected to the conductive layer 14c.
- the first gate conductive layer 14c is provided between the gate insulating film 13 and the first interlayer insulating film 15, and the signal wiring (gate line 14, Source line 18f, power supply line 18g, etc.).
- the end of the second conductive layer 18hb on the terminal region T side is connected to the second gate through a contact hole formed in the laminated film of the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17. It is electrically connected to the conductive layer 14d.
- the second gate conductive layer 14 d is provided between the gate insulating film 13 and the first interlayer insulating film 15 and extends to the terminal portion T.
- the second planarizing film 19 is provided so as to cover each routing wiring 18h.
- a gate signal is input to the first TFT 9a via the gate line 14, thereby turning on the first TFT 9a, and the gate electrode of the second TFT 9b via the source line 18f.
- a predetermined voltage corresponding to the source signal is written to 14b and the capacitor 9c, the magnitude of the current from the power supply line 18g is defined based on the gate voltage of the second TFT 9b, and the defined current is supplied to the organic EL layer 23.
- the light emitting layer 3 of the organic EL layer 23 emits light to display an image.
- the gate voltage of the second TFT 9b is held by the capacitor 9c. Therefore, the light emitting layer 3 emits light until the gate signal of the next frame is input. Maintained.
- FIG. 7 is a plan view after the first patterning step in the method of manufacturing the organic EL display device 50a.
- 8 and 9 are cross-sectional views after the first patterning step in the method of manufacturing the organic EL display device 50a along the lines VIII-VIII and IX-IX in FIG.
- FIG. 10 is a plan view after the second patterning step in the method for manufacturing the organic EL display device 50a.
- 11 and 12 are cross-sectional views after the second patterning step in the method for manufacturing the organic EL display device 50a taken along the lines XI-XI and XII-XII in FIG.
- FIG. 7 is a plan view after the first patterning step in the method of manufacturing the organic EL display device 50a.
- 8 and 9 are cross-sectional views after the first patterning step in the method of manufacturing the organic EL display device 50a along the lines VIII-VIII and IX-IX in FIG.
- FIG. 10 is a plan view after the second patterning step in the method for manufacturing the
- the manufacturing method of the organic EL display device 50a includes a TFT layer formation process including a slit formation process, a first planarization film formation process, and a wiring formation process including a first patterning process and a second patterning process.
- a process, and an organic EL element formation process includes a TFT layer formation process including a slit formation process, a first planarization film formation process, and a wiring formation process including a first patterning process and a second patterning process.
- the base coat film 11, the first TFT 9a, the second TFT 9b, the capacitor 9c, and the second planarizing film 19 are formed on the surface of the resin substrate layer 10 formed on the glass substrate by using a well-known method, and the TFT layer 20 is formed.
- the base coat film 11 the gate insulating film 13, and the first interlayer insulating film.
- 15 and a slit S that penetrates the inorganic insulating laminated film M of the second interlayer insulating film 17 and exposes the upper surface of the resin substrate layer 10 is formed by dry etching (slit forming step).
- the first planarizing film 8 is formed so as to fill the slit S by filling the inside of the slit S with an organic resin material such as polyimide resin by an inkjet method, for example (first planarizing film forming step). ).
- a metal film 18m such as a titanium film / aluminum film / titanium metal laminated film is formed by sputtering, for example, so as to cover the first planarizing film 8, and then the first resist is formed on the metal film 18m.
- the first conductive layer 18ha, the second conductive layer 18hb and the third conductive layer 18hb are formed as shown in FIGS.
- Conductive trunk layer 18hm is formed (first patterning step / wiring forming step).
- first patterning step as shown in FIG.
- a trunk layer 18hm is formed.
- a two-dot chain line A in FIG. 7 indicates an opening A of the second resist pattern Rb used in the subsequent second patterning step, and the opening A corresponds to a pair of adjacent first conductive layers 18ha.
- a part of the third conductive trunk layer 18hm formed between the pair of second conductive layers 18hb is exposed, and is formed so as to straddle the third conductive trunk layer 18hm.
- the second resist pattern Rb is formed on the first conductive layer 18ha, the second conductive layer 18hb, the third conductive trunk layer 18hm, and the second interlayer insulating film 17, the third conductive exposed from the second resist pattern Ra.
- the third conductive trunk layer 18hm is divided into a plurality of third conductive layers 18hc as shown in FIGS. 10 to 12 (second patterning step / Wiring formation process).
- the second planarizing film 19 is formed so as to cover the respective lead wirings 18h formed by connecting the first conductive layer 18ha, the second conductive layer 18hb, and the third conductive layer 18hc in one row.
- the second resist pattern Ra overlaps the source line 18f and the power supply line 18g in the display region D, and straddles the first conductive layer 18ha and the corresponding second conductive layer 18hb in the frame region F. It is formed.
- a recess C is formed on the surface of the second interlayer insulating film 17 exposed from the first planarizing film 8 between the adjacent lead wirings 18h. It is formed.
- the width of the display region D is larger than that of the first resist pattern Ra in the second patterning step.
- the metal film 18m exposed from the narrow second resist pattern Rb may be removed by dry etching, and the source line 18 may be formed by two-stage dry etching. According to this method, since the metal film 18m is etched twice, an unnecessary metal film hardly remains between the adjacent source line 18f and the power supply line 18g. A short circuit between them can be suppressed.
- the first electrode 21, the edge cover 22, the organic EL layer 23 (the hole injection layer 1) are formed on the second planarization film 19 of the TFT layer 20 formed in the TFT layer forming step using a known method.
- Hole transport layer 2, light emitting layer 3, electron transport layer 4, electron injection layer 5) and second electrode 24 are formed.
- an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon oxynitride film is formed on the surface of the substrate on which the organic EL element 25 is formed by a plasma CVD (chemical vapor deposition) method. Then, the first inorganic film 25 is formed.
- an organic resin material such as acrylic resin is formed on the surface of the substrate on which the first inorganic film 25 is formed, for example, by an ink jet method to form the organic film 26.
- an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon oxynitride film is formed on the substrate on which the organic film 26 has been formed by a plasma CVD method using a mask.
- An inorganic film 27 is formed.
- the sealing film 28 composed of the first inorganic film 25, the organic film 26, and the second inorganic film 27 is formed, and the organic EL element 30 is formed.
- the glass substrate side of the resin substrate layer 10 is irradiated with laser light, whereby glass is applied from the lower surface of the resin substrate layer 10.
- a substrate is peeled off, and a protective sheet (not shown) is attached to the lower surface of the resin substrate layer 10 from which the glass substrate has been peeled off.
- the organic EL display device 50a of this embodiment can be manufactured.
- the plurality of first conductive materials extend in parallel with each other between the display region D and the bent portion B.
- the layer 18ha is formed, and a plurality of second conductive layers 18hb are formed so as to extend in parallel with each other between the bent portion B and the terminal portion T.
- the plurality of first conductive layers 18ha and the plurality of second conductive layers are formed at the bent portion B.
- a third conductive trunk layer 18hm is formed so that the layers 18hb are connected to each other.
- the third conductive trunk layer 18hm is divided into a plurality of parts, whereby a plurality of third conductive layers 18hc composed of the divided third conductive trunk layers 18hm, a plurality of first conductive layers 18ha, The plurality of second conductive layers 18hb are connected to each other to form a plurality of routing wirings 18h.
- the metal film 18 m between the portions to be the plurality of lead wirings 18 h at both ends of the first planarization film 8 is formed. Since it is removed, it is possible to suppress a short circuit between the lead wires 18h. Therefore, contamination in the chamber can be suppressed, and a short circuit between the lead wires 18h in the bent portion B of the frame region F can be suppressed.
- FIG. 14 is a cross-sectional view of the frame region F of the organic EL display device 50b of the present embodiment.
- the same parts as those in FIGS. 1 to 13 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
- the organic EL display device 50a configured to prevent the end portion of the first planarization film 8 from being exposed from the third conductive trunk layer 18hm formed in the first patterning step, and the method for manufacturing the same.
- the organic EL display device 50b configured such that the end of the first planarization film 8 is partially exposed from the third conductive trunk layer 18im formed in the first patterning step; The manufacturing method is illustrated.
- the organic EL display device 50b includes a display region D and a frame region F provided around the display region D, like the organic EL display device 50a of the first embodiment.
- the organic EL display device 50b includes a resin substrate layer 10, a TFT layer 20 provided on the resin substrate layer 10, and a TFT layer in the display region D. 20 and an organic EL element 30 provided on 20.
- the organic EL display device 50 b includes a resin substrate layer 10, an inorganic insulating laminated film M provided on the resin substrate layer 10, a first planarizing film 8, and a lead wiring 18 i in the frame region F. And a second planarizing film 19.
- each lead wiring 18 i includes a first conductive layer 18 ia provided on one end portion where the slit S of the inorganic insulating laminated film M is formed, and an inorganic insulating laminated film.
- the second conductive layer 18ib provided on the other end where the M slit S is formed, and the first conductive layer 18ia and the second conductive layer 18ib are provided on the first planarizing film 8 and connected to the first conductive layer 18ia and the second conductive layer 18ib. And a third conductive layer 18ic.
- the plurality of first conductive layers 18ia are provided between the display region D and the bent portion B so as to extend in parallel with each other.
- the plurality of second conductive layers 18ib are provided between the bent portion B and the terminal portion T so as to extend in parallel to each other.
- the plurality of third conductive layers 18ic are provided on the bent portion B and both outer sides thereof so as to extend in parallel to each other.
- the routing wiring 18i (the first conductive layer 18ia, the second conductive layer 18ib, and the third conductive layer 18ic) is formed of the same material in the same layer as the source electrode 18a and the like. Further, as shown in FIG.
- the width of the third conductive layer 18ic is wider than the width of the first conductive layer 18ia and the second conductive layer 18ib. Further, the first conductive layer 18 ia and the second conductive layer 18 ib are provided so as to be orthogonal to the end portion of the first planarization film 8 as shown in FIG.
- the end of the first conductive layer 18 ia on the display region D side is connected to the first gate through a contact hole formed in the laminated film of the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17. It is electrically connected to the conductive layer 14c.
- the end of the second conductive layer 18 ib on the terminal region T side is connected to the second gate through a contact hole formed in the laminated film of the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17. It is electrically connected to the conductive layer 14d.
- the second planarizing film 19 is provided so as to cover each routing wiring 18i.
- the organic EL display device 50b described above is flexible like the organic EL display device 50a of the first embodiment, and in each subpixel P, the organic EL layer 23 is interposed via the first TFT 9a and the second TFT 9b.
- the light emitting layer 3 is configured to emit an image by appropriately emitting light.
- FIG. 15 is a plan view after the first patterning step in the method of manufacturing the organic EL display device 50b.
- 16 and 17 are cross-sectional views after the first patterning step in the method of manufacturing the organic EL display device 50b along the XVI-XVI line and the XVII-XVII line in FIG.
- FIG. 18 is a plan view after the second patterning step in the method for manufacturing the organic EL display device 50b.
- FIG. 19 is a cross-sectional view after the second patterning step in the method for manufacturing the organic EL display device 50b along the line XIX-XIX in FIG.
- the manufacturing method of the organic EL display device 50b of the present embodiment includes a TFT layer forming step and an organic EL element forming step, as in the manufacturing method of the organic EL display device 50a of the first embodiment. Since the formation process is substantially the same up to the first planarization film formation process, the wiring formation process and subsequent steps will be described.
- a metal film 18m such as a titanium film / aluminum film / titanium metal laminated film is formed by sputtering, for example, so as to cover the first planarization film 8 formed in the first planarization film formation step.
- a first resist pattern Ra is formed on the metal film 18m, and the metal film 18m exposed from the first resist pattern Ra is etched, so that the first conductive layer 18ia is formed as shown in FIGS.
- the second conductive layer 18ib and the third conductive trunk layer 18im are formed (first patterning step / wiring forming step).
- first patterning step as shown in FIG.
- the third conductive trunk layer 18im is formed so that the plurality of first conductive layers 18ia and the plurality of second conductive layers 18ib are connected to each other. Note that both end portions of the first planarizing film 8 are exposed from the third conductive trunk layer 18im as shown in FIG. Further, a two-dot chain line A in FIG. 15 indicates the opening A of the second resist pattern Rb used in the subsequent second patterning step, and the opening A includes the pair of adjacent first conductive layers 18ia and the first conductive layer 18ia. A part of the third conductive trunk layer 18im formed between the corresponding pair of second conductive layers 18ib is exposed so as to straddle the third conductive trunk layer 18im.
- a second resist pattern Rb is formed on the first conductive layer 18ia, the second conductive layer 18ib, the third conductive trunk layer 18im, and the second interlayer insulating film 17, and then the third resist pattern Rb exposed from the second resist pattern Rb.
- the conductive trunk layer 18im is etched to divide the third conductive trunk layer 18im into a plurality of third conductive layers 18ic as shown in FIGS. 11, 18 and 19 (second patterning step). / Wiring forming process).
- the first planarizing film 19 is formed so as to cover each lead wiring 18i formed by connecting the first conductive layer 18ia, the second conductive layer 18ib, and the third conductive layer 18ic in one row.
- the plurality of first conductive materials extend in parallel with each other between the display region D and the bent portion B.
- the layer 18 ia is formed, a plurality of second conductive layers 18 ib are formed so as to extend in parallel between the bent portion B and the terminal portion T, and the plurality of first conductive layers 18 ia and the plurality of second conductive layers are formed at the bent portion B.
- the third conductive trunk layer 18im is formed so that the layers 18ib are connected to each other.
- the third conductive trunk layer 18im is divided into a plurality of parts, whereby a plurality of third conductive layers 18ic composed of the divided third conductive trunk layers 18im, a plurality of first conductive layers 18ia, The plurality of second conductive layers 18ib are connected to each other to form a plurality of routing wirings 18i.
- first patterning step only the surfaces of both end portions of the first planarizing film 8 are partially exposed when dry etching, and the exposure of the surface of the first planarizing film 8 is suppressed. Contamination due to the resin material in the chamber of the dry etching apparatus can be suppressed.
- the metal film 18m between the portions to be the plurality of lead wirings 18i at both ends of the first planarizing film 8 is formed. Since it is removed, it is possible to suppress a short circuit between the lead wires 18i. Therefore, contamination in the chamber can be suppressed, and a short circuit between the lead wires 18i in the bent portion B of the frame region F can be suppressed.
- an organic EL layer having a five-layer structure of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer has been exemplified.
- a three-layer structure of a layer / hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer / electron injection layer may be employed.
- the organic EL display device using the first electrode as an anode and the second electrode as a cathode has been exemplified.
- the present invention reverses the stacked structure of the organic EL layers and uses the first electrode as a cathode.
- the present invention can also be applied to an organic EL display device using the second electrode as an anode.
- the organic EL display device using the TFT electrode connected to the first electrode as the drain electrode has been exemplified.
- the TFT electrode connected to the first electrode is used as the source electrode. It can also be applied to an organic EL display device called.
- the organic EL display device is described as an example of the display device.
- the present invention can be applied to a display device including a plurality of light emitting elements driven by current.
- the present invention can be applied to a display device including a QLED (Quantum-dot light emitting diode) that is a light-emitting element using a quantum dot-containing layer.
- QLED Quantum-dot light emitting diode
- the present invention is useful for flexible display devices.
- a opening B bending part D display area F frame area M inorganic insulating laminated film M (at least one layer of inorganic insulating film) Ra 1st resist pattern Rb 2nd resist pattern S Slit T Terminal part 8 1st planarization film 10 Resin substrate layer 18m Metal film 18h, 18i Lead wiring 18ha, 18ia 1st conductive layer 18hb, 18ib 2nd conductive layer 18hc, 18ic Third conductive layer 18hm, 18im Third conductive trunk layer 20 TFT layer 30 Organic EL element (light emitting element) 50a, 50b Organic EL display device
Abstract
表示領域及び折り曲げ部（Ｂ）の間で複数の第１導電層（１８ｈａ）を形成し、折り曲げ部（Ｂ）及び端子部の間で複数の第２導電層（１８ｈｂ）を形成し、折り曲げ部（Ｂ）で複数の第１導電層（１８ｈａ）及び複数の第２導電層（１８ｈｂ）が連結するように第３導電幹層（１８ｈｍ）を形成する第１パターニング工程と、第３導電幹層（１８ｈｍ）を複数に分割することにより、その分割された第３導電幹層と、複数の第１導電層（１８ｈａ）と、複数の第２導電層（１８ｈｂ）とをそれぞれ１列に連結して、複数の配線を形成する第２パターニング工程とを備える。
Description
本発明は、表示装置及びその製造方法に関するものである。
近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機ＥＬ（electroluminescence）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置では、可撓性を有する樹脂基板上に有機ＥＬ素子等を形成したフレキシブルな有機ＥＬ表示装置が提案されている。ここで、有機ＥＬ表示装置では、画像表示を行う矩形状の表示領域と、その表示領域の周囲に額縁領域とが設けられ、額縁領域を縮小させることが要望されている。そして、フレキシブルな有機ＥＬ表示装置では、額縁領域を折り曲げることにより、額縁領域を縮小させると、その額縁領域に配置された配線が破断するおそれがある。
例えば、特許文献１には、ベンディングホールを形成することにより、ベンディング領域に対応するバッファ膜、ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜のそれぞれ一部を除去して、配線の断線を防止するフレキシブル表示装置が開示されている。
ところで、フレキシブルな有機ＥＬ表示装置では、樹脂基板上にベースコート膜、ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜等の無機絶縁膜が設けられているので、額縁領域に配置された配線の断線を抑制するために、額縁領域の折り曲げ部における無機絶縁膜を除去して、その除去した部分に平坦化膜を形成し、その平坦化膜上に互いに平行に延びる複数の配線を形成することがある。ここで、平坦化膜上に複数の配線を形成する際には、平坦化膜上に成膜した金属膜をドライエッチングによりパターニングすると、樹脂材料からなる平坦化膜の表面もエッチングされるので、ドライエッチング装置のチャンバー内が汚染するおそれがある。また、平坦化膜の端部では、その表面が樹脂基板の表面に対して、比較的高角度（例えば、３０°以上）に傾斜しているので、金属膜をパターンニングする際に用いるレジストパターンがその部分で厚く形成されてしまう。そうなると、複数の配線間に不要な金属膜が残存してしまうので、複数の配線が短絡するおそれがある。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、チャンバー内の汚染を抑制して、額縁領域の折り曲げ部における配線間の短絡を抑制することにある。
上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置の製造方法は、樹脂基板と、上記樹脂基板上に設けられたＴＦＴ層と、上記ＴＦＴ層上に設けられ、表示領域を構成する発光素子と、上記表示領域の周囲に設けられた額縁領域と、上記額縁領域の端部に設けられた端子部と、上記表示領域及び端子部の間に一方向に延びるよう設けられた折り曲げ部と、上記ＴＦＴ層を構成し、上記樹脂基板上に設けられた少なくとも一層の無機絶縁膜と、上記ＴＦＴ層を構成し、上記額縁領域において、上記折り曲げ部の延びる方向と交差する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数の配線とを備えた表示装置を製造する方法であって、上記折り曲げ部において、上記少なくとも一層の無機絶縁膜に該無機絶縁膜を貫通して上記樹脂基板を露出させるスリットを形成するスリット形成工程と、上記スリットを埋めるように平坦化膜を形成する平坦化膜形成工程と、上記平坦化膜上に上記複数の配線を形成する配線形成工程とを備え、上記配線形成工程は、上記表示領域及び折り曲げ部の間で互いに平行に延びるように複数の第１導電層を形成し、上記折り曲げ部及び端子部の間で互いに平行に延びるように複数の第２導電層を形成し、上記折り曲げ部で上記複数の第１導電層及び上記複数の第２導電層が互いに連結するように第３導電幹層を形成する第１パターニング工程と、該第３導電幹層を複数に分割することにより、分割された上記第３導電幹層からなる複数の第３導電層と、上記複数の第１導電層と、上記複数の第２導電層とをそれぞれ１列に連結して、上記各配線を形成する第２パターニング工程とを備えることを特徴とする。
本発明によれば、表示領域及び折り曲げ部の間で互いに平行に延びるように複数の第１導電層を形成し、折り曲げ部及び端子部の間で互いに平行に延びるように複数の第２導電層を形成し、折り曲げ部で複数の第１導電層及び複数の第２導電層が互いに連結するように第３導電幹層を形成する第１パターニング工程と、第３導電幹層を複数に分割することにより、分割された第３導電幹層からなる複数の第３導電層と、複数の第１導電層と、複数の第２導電層とをそれぞれ１列に連結して、複数の配線を形成する第２パターニング工程とを備えるので、チャンバー内の汚染を抑制して、額縁領域の折り曲げ部における配線間の短絡を抑制することができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
《第１の実施形態》
図１～図１３は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの概略構成を示す平面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの詳細構成を示す平面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの断面図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成するＴＦＴ層２０を示す等価回路図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ層２３を示す断面図である。また、図６は、有機ＥＬ表示装置５０ａの額縁領域Ｆの断面図である。
図１～図１３は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの概略構成を示す平面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの詳細構成を示す平面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの断面図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成するＴＦＴ層２０を示す等価回路図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ層２３を示す断面図である。また、図６は、有機ＥＬ表示装置５０ａの額縁領域Ｆの断面図である。
有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、例えば、矩形状に設けられた画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。
表示領域Ｄには、図２に示すように、複数のサブ画素Ｐがマトリクス状に配列されている。また、表示領域Ｄでは、図２に示すように、例えば、赤色の表示を行うための赤色発光領域Ｌｒを有するサブ画素Ｐ、緑色の表示を行うための緑色発光領域Ｌｇを有するサブ画素Ｐ、及び青色の表示を行うための青色発光領域Ｌｂを有するサブ画素Ｐが互いに隣り合うように設けられている。なお、表示領域Ｄでは、例えば、赤色発光領域Ｌｒ、緑色発光領域Ｌｇ及び青色発光領域Ｌｂを有する隣り合う３つのサブ画素Ｐにより、１つの画素が構成されている。
額縁領域Ｆの図１中右端部には、端子領域Ｔが設けられている。また、額縁領域Ｆにおいて、図１に示すように、表示領域Ｄ及び端子部Ｔの間には、図中縦方向を折り曲げの軸として１８０°に（Ｕ字状に）折り曲げ可能な折り曲げ部Ｂが一方向（図中縦方向）に延びるように設けられている。
有機ＥＬ表示装置５０ａは、図３に示すように、表示領域Ｄにおいて、樹脂基板として設けられた樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ（thin film transistor）層２０と、ＴＦＴ層２０上に表示領域Ｄを構成する発光素子として設けられた有機ＥＬ素子３０とを備えている。
樹脂基板層１０は、例えば、ポリイミド樹脂等により構成されている。
ＴＦＴ層２０は、図３に示すように、樹脂基板層１０上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ９ａ、複数の第２ＴＦＴ９ｂ及び複数のキャパシタ９ｃと、各第１ＴＦＴ９ａ、各第２ＴＦＴ９ｂ及び各キャパシタ９ｃ上に設けられた第２平坦化膜１９とを備えている。なお、第１平坦化膜８は、後述するように、額縁領域Ｆに設けられている。ここで、ＴＦＴ層２０では、図２及び図４に示すように、図中横方向に互いに平行に延びるように複数のゲート線１４が設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図２及び図４に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数のソース線１８ｆが設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図２及び図４に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数の電源線１８ｇが設けられている。なお、各電源線１８ｇは、図２に示すように、各ソース線１８ｆと隣り合うように設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及びキャパシタ９ｃがそれぞれ設けられている。
ベースコート膜１１は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
第１ＴＦＴ９ａは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応するゲート線１４及びソース線１８ｆに接続されている。また、第１ＴＦＴ９ａは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に順に設けられた半導体層１２ａ、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４ａ、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７、並びにソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂを備えている。ここで、半導体層１２ａは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられ、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有している。また、ゲート絶縁膜１３は、図３に示すように、半導体層１２ａを覆うように設けられている。また、ゲート電極１４ａは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ａのチャネル領域と重なるように設けられている。また、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、図３に示すように、ゲート電極１４ａを覆うように順に設けられている。また、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７上に互いに離間するように設けられている。また、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ａのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ接続されている。なお、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
第２ＴＦＴ９ｂは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに接続されている。また、第１ＴＦＴ９ｂは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に順に設けられた半導体層１２ｂ、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４ｂ、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７、並びにソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄを備えている。ここで、半導体層１２ｂは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられ、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有している。また、ゲート絶縁膜１３は、図３に示すように、半導体層１２ｂを覆うように設けられている。また、ゲート電極１４ｂは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ｂのチャネル領域と重なるように設けられている。また、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、図３に示すように、ゲート電極１４ｂを覆うように順に設けられている。また、ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７上に互いに離間するように設けられている。また、ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ｂのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ接続されている。
なお、本実施形態では、トップゲート型の第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを例示したが、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂは、ボトムゲート型のＴＦＴであってもよい。
キャパシタ９ｃは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに接続されている。ここで、キャパシタ９ｃは、図３に示すように、ゲート電極１４ａ及び１４ｂと同一材料により同一層に形成された下部導電層１４ｃと、下部導電層１４ｃを覆うように設けられた第１層間絶縁膜１５と、第１層間絶縁膜１５上に下部導電層１４ｃと重なるように設けられた上部導電層１６とを備えている。なお、上部導電層１６は、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールを介して電源線１８ｇに電気的に接続されている。
第２平坦化膜１９は、表示領域Ｄにおいて平坦な表面を有し、例えば、ポリイミド樹脂等の有機樹脂材料により構成されている。
有機ＥＬ素子３０は、図３に示すように、第２平坦化膜１９上に順に設けられた複数の第１電極２１、エッジカバー２２、複数の有機ＥＬ層２３、第２電極２４及び封止膜２８を備えている。
複数の第１電極２１は、図３に示すように、複数のサブ画素Ｐに対応するように、第２平坦化膜１９上にマトリクス状に画素電極として設けられている。また、各第１電極２１は、図３に示すように、第２平坦化膜１９に形成されたコンタクトホールを介して、各第２ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１８ｄに接続されている。また、第１電極２１は、有機ＥＬ層２３にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極２１は、有機ＥＬ層２３への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第１電極２１を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、イリジウム（Ｉｒ）、スズ（Ｓｎ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極２１を構成する材料は、例えば、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極２１を構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極２１は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな化合物材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
エッジカバー２２は、図３に示すように、各第１電極２１の周縁部を覆うように格子状に設けられている。ここで、エッジカバー２２を構成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等の有機膜が挙げられる。
複数の有機ＥＬ層２３は、図３に示すように、各第１電極２１上に配置され、複数のサブ画素に対応するように、マトリクス状に設けられている。ここで、各有機ＥＬ層２３は、図５に示すように、第１電極２１上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極２１と有機ＥＬ層２３とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極２１から有機ＥＬ層２３への正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。
正孔輸送層２は、第１電極２１から有機ＥＬ層２３への正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
発光層３は、第１電極２１及び第２電極２４による電圧印加の際に、第１電極２１及び第２電極２４から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
電子輸送層４は、電子を発光層３まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
電子注入層５は、第２電極２４と有機ＥＬ層２３とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極２４から有機ＥＬ層２３へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子３０の駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
第２電極２４は、図３に示すように、各有機ＥＬ層２３及びエッジカバー２２を覆うように共通電極として設けられている。また、第２電極２４は、有機ＥＬ層２３に電子を注入する機能を有している。また、第２電極２４は、有機ＥＬ層２３への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。ここで、第２電極２４を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極２４は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極２４は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極２４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
封止膜２８は、図３に示すように、第２電極２４を覆うように設けられた第１無機膜２５と、第１無機膜２５上に設けられた有機膜２６と、有機膜２６を覆うように設けられた第２無機膜２７とを備え、有機ＥＬ層２３を水分や酸素等から保護する機能を有している。ここで、第１無機膜２５及び第２無機膜２７は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）等の無機材料により構成されている。また、有機膜２６は、例えば、アクリル樹脂、ポリ尿素樹脂、パリレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂等の有機材料により構成されている。
また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図６に示すように、額縁領域Ｆにおいて、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられた無機絶縁積層膜Ｍ、第１平坦化膜８、引き回し配線１８ｈ及び第２平坦化膜１９とを備えている。
無機絶縁積層膜Ｍは、ＴＦＴ層２０を構成する少なくとも１層の無機絶縁膜であり、図３及び図６に示すように、樹脂基板層１０上に順に積層されたベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７を備えている。ここで、折り曲げ部Ｂにおいて、無機絶縁積層膜Ｍには、図６に示すように、無機絶縁積層膜Ｍを貫通して樹脂基板層１０の上面を露出させるスリットＳが形成されている。なお、スリットＳは、折り曲げ部Ｂの延びる方向に沿って突き抜ける溝状に設けられている。
第１平坦化膜８は、図６に示すように、スリットＳを埋めるように設けられている。ここで、第１平坦化膜８は、例えば、ポリイミド樹脂等の有機樹脂材料により構成されている。
引き回し配線１８ｈは、図６に示すように、無機絶縁積層膜ＭのスリットＳが形成された両端部及び第１平坦化膜８上に設けられている。また、引き回し配線１８ｈは、図６及び後述する図１０に示すように、折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延びるように複数設けられている。また、各引き回し配線１８ｈは、図６及び図１０に示すように、無機絶縁積層膜ＭのスリットＳが形成された一方の端部上に設けられた第１導電層１８ｈａと、無機絶縁積層膜ＭのスリットＳが形成された他方の端部上に設けられた第２導電層１８ｈｂと、第１平坦化膜８上に設けられ、第１導電層１８ｈａ及び第２導電層１８ｈｂに連結された第３導電層１８ｈｃとを備えている。
複数の第１導電層１８ｈａは、表示領域Ｄ及び折り曲げ部Ｂの間に互いに平行に延びるように設けられている。また、複数の第２導電層１８ｈｂは、折り曲げ部Ｂ及び端子部Ｔの間に互いに平行に延びるように設けられている。また、複数の第３導電層１８ｈｃは、折り曲げ部Ｂ及びその両外側に互いに平行に延びるように設けられている。ここで、引き回し配線１８ｈ（第１導電層１８ｈａ、第２導電層１８ｈｂ及び第３導電層１８ｈｃ）は、ソース電極１８ａ等と同一層に同一材料により形成されている。また、第３導電層１８ｈｃの幅は、図１０に示すように、第１導電層１８ｈａ及び第２導電層１８ｈｂの幅よりも広くなっている。また、第３導電層１８ｈｃは、図１０に示すように、第１平坦化膜８の端部と重なるように設けられている。また、第１導電層１８ｈａ及び第２導電層１８ｈｂは、図１０に示すように、第１平坦化膜８の端部と直交するように設けられている。
第１導電層１８ｈａの表示領域Ｄ側の端部は、図６に示すように、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成されたコンタクトホールを介して第１ゲート導電層１４ｃに電気的に接続されている。ここで、第１ゲート導電層１４ｃは、図６に示すように、ゲート絶縁膜１３及び第１層間絶縁膜１５の間に設けられ、表示領域ＤのＴＦＴ層２０の信号配線（ゲート線１４、ソース線１８ｆ、電源線１８ｇ等）に電気的に接続されている。
第２導電層１８ｈｂの端子領域Ｔ側の端部は、図６に示すように、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成されたコンタクトホールを介して第２ゲート導電層１４ｄに電気的に接続されている。ここで、第２ゲート導電層１４ｄは、図６に示すように、ゲート絶縁膜１３及び第１層間絶縁膜１５の間に設けられ、端子部Ｔに延びている。
第２平坦化膜１９は、図６に示すように、各引き回し配線１８ｈを覆うように設けられている。
上述した有機ＥＬ表示装置５０ａは、各サブ画素Ｐにおいて、ゲート線１４を介して第１ＴＦＴ９ａにゲート信号を入力することにより、第１ＴＦＴ９ａをオン状態にし、ソース線１８ｆを介して第２ＴＦＴ９ｂのゲート電極１４ｂ及びキャパシタ９ｃにソース信号に対応する所定の電圧を書き込み、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧に基づいて電源線１８ｇからの電流の大きさが規定され、その規定された電流が有機ＥＬ層２３に供給されることにより、有機ＥＬ層２３の発光層３が発光して、画像表示を行うように構成されている。なお、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、第１ＴＦＴ９ａがオフ状態になっても、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧がキャパシタ９ｃによって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまで発光層３による発光が維持される。
次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法について、図７～図１３を用いて説明する。ここで、図７は、有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法における第１パターニング工程後の平面図である。また、図８及び図９は、図７中のVIII－VIII線及びIX－IX線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法における第１パターニング工程後の断面図である。また、図１０は、有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法における第２パターニング工程後の平面図である。また、図１１及び図１２は、図１０中のXI－XI線及びXII－XII線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法における第２パターニング工程後の断面図である。また、図１３は、有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法における第２パターニング工程前の断面図である。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法は、スリット形成工程と、第１平坦化膜形成工程と、第１パターニング工程及び第２パターニング工程を含む配線形成工程とを有するＴＦＴ層形成工程、並びに有機ＥＬ素子形成工程とを備える。
＜ＴＦＴ層形成工程＞
例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板層１０の表面に、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、キャパシタ９ｃ、及び第２平坦化膜１９を形成して、ＴＦＴ層２０を形成する。
例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板層１０の表面に、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、キャパシタ９ｃ、及び第２平坦化膜１９を形成して、ＴＦＴ層２０を形成する。
ここで、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを形成する際には、ソース電極１８ａ等を形成する前に、まず、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂにおいて、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の無機絶縁積層膜Ｍに無機絶縁積層膜Ｍを貫通して、樹脂基板層１０の上面を露出させるスリットＳをドライエッチングにより形成する（スリット形成工程）。
続いて、例えば、インクジェット法により、ポリイミド樹脂等の有機樹脂材料をスリットＳの内部に充填することにより、スリットＳを埋めるように第１平坦化膜８を形成する（第１平坦化膜形成工程）。
そして、第１平坦化膜８を覆うように、例えば、スパッタリング法により、チタン膜／アルミニウム膜／チタン膜の金属積層膜等の金属膜１８ｍを成膜した後に、金属膜１８ｍ上に第１レジストパターンＲａを形成し、第１レジストパターンＲａから露出する金属膜１８ｍをドライエッチングにより除去することにより、図７～図９に示すように、第１導電層１８ｈａ、第２導電層１８ｈｂ及び第３導電幹層１８ｈｍを形成する（第１パターニング工程／配線形成工程）。ここで、第１パターニング工程では、図７に示すように、複数の第１導電層１８ｈａ及び複数の第２導電層１８ｈｂが互いに連結すると共に、第１平坦化膜８を覆うように第３導電幹層１８ｈｍを形成する。なお、図７中の２点鎖線Ａは、後の第２パターニング工程で用いる第２レジストパターンＲｂの開口部Ａを示し、開口部Ａは、隣り合う一対の第１導電層１８ｈａとそれに対応する一対の第２導電層１８ｈｂとの間に形成された第３導電幹層１８ｈｍの一部を露出させ、第３導電幹層１８ｈｍを跨ぐように形成される。
さらに、第１導電層１８ｈａ、第２導電層１８ｈｂ、第３導電幹層１８ｈｍ及び第２層間絶縁膜１７上に第２レジストパターンＲｂを形成した後に、第２レジストパターンＲａから露出する第３導電幹層１８ｈｍをドライエッチングにより除去することにより、図１０～図１２に示すように、第３導電幹層１８ｈｍを複数に分割して複数の第３導電層１８ｈｃを形成する（第２パターニング工程／配線形成工程）。その後、第１導電層１８ｈａ、第２導電層１８ｈｂ、第３導電層１８ｈｃが１列に連結してなる各引き回し配線１８ｈを覆うように、第２平坦化膜１９を形成する。ここで、第２レジストパターンＲａは、表示領域Ｄにおいて、ソース線１８ｆ及び電源線１８ｇと重なると共に、額縁領域Ｆにおいて、第１導電層１８ｈａとそれに対応する第２導電層１８ｈｂとを跨ぐように形成される。また、第２パターニング工程では、図１０及び図１１に示すように、隣り合う引き回し配線１８ｈの間において、第１平坦化膜８から露出する第２層間絶縁膜１７の表面には、凹部Ｃが形成される。また、表示領域Ｄでは、図１３に示すように、第１パターニング工程において、第１レジストパターンＲａから露出する金属膜１８ｍをエッチングした後に、第２パターニング工程において、第１レジストパターンＲａよりも幅狭な第２レジストパターンＲｂから露出する金属膜１８ｍをドライエッチングにより除去して、２段階のドライエッチングによりソース線１８を形成してもよい。この方法によれば、金属膜１８ｍが２回エッチングされることにより、隣り合うソース線１８ｆ及び電源線１８ｇ間に不要な金属膜が残存し難くなるので、隣り合うソース線１８ｆ及び電源線１８ｇの間の短絡を抑制することができる。
＜有機ＥＬ素子形成工程＞
まず、上記ＴＦＴ層形成工程で形成されたＴＦＴ層２０の第２平坦化膜１９上に、周知の方法を用いて、第１電極２１、エッジカバー２２、有機ＥＬ層２３（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、電子注入層５）及び第２電極２４を形成する。
まず、上記ＴＦＴ層形成工程で形成されたＴＦＴ層２０の第２平坦化膜１９上に、周知の方法を用いて、第１電極２１、エッジカバー２２、有機ＥＬ層２３（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、電子注入層５）及び第２電極２４を形成する。
続いて、有機ＥＬ素子２５が形成された基板表面に、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ（chemical vapor deposition）法により成膜して、第１無機膜２５を形成する。
その後、第１無機膜２５が形成された基板表面に、例えば、インクジェット法により、アクリル樹脂等の有機樹脂材料を成膜して、有機膜２６を形成する。
さらに、有機膜２６が形成された基板に対して、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により成膜して、第２無機膜２７を形成する。このようにして、第１無機膜２５、有機膜２６及び第２無機膜２７からなる封止膜２８を形成して、有機ＥＬ素子３０が形成される。
最後に、有機ＥＬ素子３０が形成された基板表面に保護シート（不図示）を貼付した後に、樹脂基板層１０のガラス基板側からレーザー光を照射することにより、樹脂基板層１０の下面からガラス基板を剥離させ、さらに、ガラス基板を剥離させた樹脂基板層１０の下面に保護シート（不図示）を貼付する。
以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａを製造することができる。
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａ及びその製造方法によれば、第１パターニング工程において、表示領域Ｄ及び折り曲げ部Ｂの間で互いに平行に延びるように複数の第１導電層１８ｈａを形成し、折り曲げ部Ｂ及び端子部Ｔの間で互いに平行に延びるように複数の第２導電層１８ｈｂを形成し、折り曲げ部Ｂで複数の第１導電層１８ｈａ及び複数の第２導電層１８ｈｂが互いに連結するように第３導電幹層１８ｈｍを形成する。さらに、第２パターニング工程において、第３導電幹層１８ｈｍを複数に分割することにより、分割された第３導電幹層１８ｈｍからなる複数の第３導電層１８ｈｃと、複数の第１導電層１８ｈａと、複数の第２導電層１８ｈｂとをそれぞれ１列に連結して、複数の引き回し配線１８ｈを形成する。これにより、第１パターニング工程において、ドライエッチングする際に第１平坦化膜８の表面が露出しないので、ドライエッチング装置のチャンバー内の樹脂材料に起因する汚染を抑制することができる。また、第２パターニング工程において、第３導電幹層１８ｈｍをドライエッチングにより複数に分割する際に、第１平坦化膜８の両端部における複数の引き回し配線１８ｈとなる部分の間の金属膜１８ｍが除去されるので、引き回し配線１８ｈ間の短絡を抑制することができる。したがって、チャンバー内の汚染を抑制して、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂにおける引き回し配線１８ｈ間の短絡を抑制することができる。
《第２の実施形態》
図１４～図１９は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第２の実施形態を示している。ここで、図１４は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの額縁領域Ｆの断面図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図１３と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
図１４～図１９は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第２の実施形態を示している。ここで、図１４は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの額縁領域Ｆの断面図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図１３と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
上記第１の実施形態では、第１パターニング工程で形成される第３導電幹層１８ｈｍから第１平坦化膜８の端部が露出しないように構成された有機ＥＬ表示装置５０ａ及びその製造方法を例示したが、本実施形態では、第１パターニング工程で形成される第３導電幹層１８ｉｍから第１平坦化膜８の端部が部分的に露出するように構成された有機ＥＬ表示装置５０ｂ及びその製造方法を例示する。
有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。
有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、表示領域Ｄにおいて、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ層２０と、ＴＦＴ層２０上に設けられた有機ＥＬ素子３０と備えている。
有機ＥＬ表示装置５０ｂは、図１４に示すように、額縁領域Ｆにおいて、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられた無機絶縁積層膜Ｍ、第１平坦化膜８、引き回し配線１８ｉ及び第２平坦化膜１９とを備えている。
引き回し配線１８ｉは、図１４に示すように、無機絶縁積層膜ＭのスリットＳが形成された両端部及び第１平坦化膜８上に設けられている。また、引き回し配線１８ｉは、図１４及び後述する図１８に示すように、折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延びるように複数設けられている。また、各引き回し配線１８ｉは、図１４及び図１８に示すように、無機絶縁積層膜ＭのスリットＳが形成された一方の端部上に設けられた第１導電層１８ｉａと、無機絶縁積層膜ＭのスリットＳが形成された他方の端部上に設けられた第２導電層１８ｉｂと、第１平坦化膜８上に設けられ、第１導電層１８ｉａ及び第２導電層１８ｉｂに連結された第３導電層１８ｉｃとを備えている。
複数の第１導電層１８ｉａは、表示領域Ｄ及び折り曲げ部Ｂの間に互いに平行に延びるように設けられている。また、複数の第２導電層１８ｉｂは、折り曲げ部Ｂ及び端子部Ｔの間に互いに平行に延びるように設けられている。また、複数の第３導電層１８ｉｃは、折り曲げ部Ｂ及びその両外側に互いに平行に延びるように設けられている。ここで、引き回し配線１８ｉ（第１導電層１８ｉａ、第２導電層１８ｉｂ及び第３導電層１８ｉｃ）は、ソース電極１８ａ等と同一層に同一材料により形成されている。また、第３導電層１８ｉｃの幅は、図１８に示すように、第１導電層１８ｉａ及び第２導電層１８ｉｂの幅よりも広くなっている。また、第１導電層１８ｉａ及び第２導電層１８ｉｂは、図１０に示すように、第１平坦化膜８の端部と直交するように設けられている。
第１導電層１８ｉａの表示領域Ｄ側の端部は、図１４に示すように、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成されたコンタクトホールを介して第１ゲート導電層１４ｃに電気的に接続されている。
第２導電層１８ｉｂの端子領域Ｔ側の端部は、図１４に示すように、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成されたコンタクトホールを介して第２ゲート導電層１４ｄに電気的に接続されている。
第２平坦化膜１９は、図１４に示すように、各引き回し配線１８ｉを覆うように設けられている。
上述した有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを介して有機ＥＬ層２３の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの製造方法について、図１５～図１９を用いて説明する。ここで、図１５は、有機ＥＬ表示装置５０ｂの製造方法における第１パターニング工程後の平面図である。また、図１６及び図１７は、図１５中のXVI－XVI線及びXVII－XVII線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ｂの製造方法における第１パターニング工程後の断面図である。また、図１８は、有機ＥＬ表示装置５０ｂの製造方法における第２パターニング工程後の平面図である。また、図１９は、図１８中のXIX－XIX線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ｂの製造方法における第２パターニング工程後の断面図である。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの製造方法は、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法と同様に、ＴＦＴ層形成工程及び有機ＥＬ素子形成工程を備え、ＴＦＴ層形成工程については、第１平坦化膜形成工程まで実質的に同じであるので、配線形成工程以降について説明する。
＜ＴＦＴ層形成工程（配線形成工程以降）＞
まず、上記第１平坦化膜形成工程で形成された第１平坦化膜８を覆うように、例えば、スパッタリング法により、チタン膜／アルミニウム膜／チタン膜の金属積層膜等の金属膜１８ｍを成膜した後に、金属膜１８ｍ上に第１レジストパターンＲａを形成し、第１レジストパターンＲａから露出する金属膜１８ｍをエッチングすることにより、図１５～図１７に示すように、第１導電層１８ｉａ、第２導電層１８ｉｂ及び第３導電幹層１８ｉｍを形成する（第１パターニング工程／配線形成工程）。ここで、第１パターニング工程では、図１５に示すように、複数の第１導電層１８ｉａ及び複数の第２導電層１８ｉｂが互いに連結するように第３導電幹層１８ｉｍを形成する。なお、第１平坦化膜８の両端部は、図１５に示すように、第３導電幹層１８ｉｍから露出している。また、図１５中の２点鎖線Ａは、後の第２パターニング工程で用いる第２レジストパターンＲｂの開口部Ａを示しており、開口部Ａは、隣り合う一対の第１導電層１８ｉａとそれに対応する一対の第２導電層１８ｉｂとの間に形成された第３導電幹層１８ｉｍの一部を露出させ、第３導電幹層１８ｉｍを跨ぐように形成される。
まず、上記第１平坦化膜形成工程で形成された第１平坦化膜８を覆うように、例えば、スパッタリング法により、チタン膜／アルミニウム膜／チタン膜の金属積層膜等の金属膜１８ｍを成膜した後に、金属膜１８ｍ上に第１レジストパターンＲａを形成し、第１レジストパターンＲａから露出する金属膜１８ｍをエッチングすることにより、図１５～図１７に示すように、第１導電層１８ｉａ、第２導電層１８ｉｂ及び第３導電幹層１８ｉｍを形成する（第１パターニング工程／配線形成工程）。ここで、第１パターニング工程では、図１５に示すように、複数の第１導電層１８ｉａ及び複数の第２導電層１８ｉｂが互いに連結するように第３導電幹層１８ｉｍを形成する。なお、第１平坦化膜８の両端部は、図１５に示すように、第３導電幹層１８ｉｍから露出している。また、図１５中の２点鎖線Ａは、後の第２パターニング工程で用いる第２レジストパターンＲｂの開口部Ａを示しており、開口部Ａは、隣り合う一対の第１導電層１８ｉａとそれに対応する一対の第２導電層１８ｉｂとの間に形成された第３導電幹層１８ｉｍの一部を露出させ、第３導電幹層１８ｉｍを跨ぐように形成される。
続いて、第１導電層１８ｉａ、第２導電層１８ｉｂ、第３導電幹層１８ｉｍ及び第２層間絶縁膜１７上に第２レジストパターンＲｂを形成した後に、第２レジストパターンＲｂから露出する第３導電幹層１８ｉｍをエッチングすることにより、図１１、図１８及び図１９に示すように、第３導電幹層１８ｉｍを複数に分割して複数の第３導電層１８ｉｃを形成する（第２パターニング工程／配線形成工程）。
その後、第１導電層１８ｉａ、第２導電層１８ｉｂ、第３導電層１８ｉｃが１列に連結してなる各引き回し配線１８ｉを覆うように、第２平坦化膜１９を形成した後に、上記第１の実施形態の有機ＥＬ素子形成工程を行うことにより、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂを製造することができる。
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂ及びその製造方法によれば、第１パターニング工程において、表示領域Ｄ及び折り曲げ部Ｂの間で互いに平行に延びるように複数の第１導電層１８ｉａを形成し、折り曲げ部Ｂ及び端子部Ｔの間で互いに平行に延びるように複数の第２導電層１８ｉｂを形成し、折り曲げ部Ｂで複数の第１導電層１８ｉａ及び複数の第２導電層１８ｉｂが互いに連結するように第３導電幹層１８ｉｍを形成する。さらに、第２パターニング工程において、第３導電幹層１８ｉｍを複数に分割することにより、分割された第３導電幹層１８ｉｍからなる複数の第３導電層１８ｉｃと、複数の第１導電層１８ｉａと、複数の第２導電層１８ｉｂとをそれぞれ１列に連結して、複数の引き回し配線１８ｉを形成する。これにより、第１パターニング工程において、ドライエッチングする際に第１平坦化膜８の両端部の表面だけが部分的に露出し、第１平坦化膜８の表面の露出が抑制されているので、ドライエッチング装置のチャンバー内の樹脂材料に起因する汚染を抑制することができる。また、第２パターニング工程において、第３導電幹層１８ｉｍをドライエッチングにより複数に分割する際に、第１平坦化膜８の両端部における複数の引き回し配線１８ｉとなる部分の間の金属膜１８ｍが除去されるので、引き回し配線１８ｉ間の短絡を抑制することができる。したがって、チャンバー内の汚染を抑制して、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂにおける引き回し配線１８ｉ間の短絡を抑制することができる。
《その他の実施形態》
上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
また、上記各実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
また、上記各実施形態では、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
また、上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本発明は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置に適用することができる。例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）を備えた表示装置に適用することができる。
以上説明したように、本発明は、フレキシブルな表示装置について有用である。
Ａ 開口部
Ｂ 折り曲げ部
Ｄ 表示領域
Ｆ 額縁領域
Ｍ 無機絶縁積層膜Ｍ（少なくとも一層の無機絶縁膜）
Ｒａ 第１レジストパターン
Ｒｂ 第２レジストパターン
Ｓ スリット
Ｔ 端子部
８ 第１平坦化膜
１０ 樹脂基板層
１８ｍ 金属膜
１８ｈ，１８ｉ 引き回し配線
１８ｈａ，１８ｉａ 第１導電層
１８ｈｂ，１８ｉｂ 第２導電層
１８ｈｃ，１８ｉｃ 第３導電層
１８ｈｍ，１８ｉｍ 第３導電幹層
２０ ＴＦＴ層
３０ 有機ＥＬ素子（発光素子）
５０ａ，５０ｂ 有機ＥＬ表示装置
Ｂ 折り曲げ部
Ｄ 表示領域
Ｆ 額縁領域
Ｍ 無機絶縁積層膜Ｍ（少なくとも一層の無機絶縁膜）
Ｒａ 第１レジストパターン
Ｒｂ 第２レジストパターン
Ｓ スリット
Ｔ 端子部
８ 第１平坦化膜
１０ 樹脂基板層
１８ｍ 金属膜
１８ｈ，１８ｉ 引き回し配線
１８ｈａ，１８ｉａ 第１導電層
１８ｈｂ，１８ｉｂ 第２導電層
１８ｈｃ，１８ｉｃ 第３導電層
１８ｈｍ，１８ｉｍ 第３導電幹層
２０ ＴＦＴ層
３０ 有機ＥＬ素子（発光素子）
５０ａ，５０ｂ 有機ＥＬ表示装置
Claims (14)
- 樹脂基板と、
上記樹脂基板上に設けられたＴＦＴ層と、
上記ＴＦＴ層上に設けられ、表示領域を構成する発光素子と、
上記表示領域の周囲に設けられた額縁領域と、
上記額縁領域の端部に設けられた端子部と、
上記表示領域及び端子部の間に一方向に延びるよう設けられた折り曲げ部と、
上記ＴＦＴ層を構成し、上記樹脂基板上に設けられた少なくとも一層の無機絶縁膜と、
上記ＴＦＴ層を構成し、上記額縁領域において、上記折り曲げ部の延びる方向と交差する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数の配線とを備えた表示装置を製造する方法であって、
上記折り曲げ部において、上記少なくとも一層の無機絶縁膜に該無機絶縁膜を貫通して上記樹脂基板を露出させるスリットを形成するスリット形成工程と、
上記スリットを埋めるように平坦化膜を形成する平坦化膜形成工程と、
上記平坦化膜上に上記複数の配線を形成する配線形成工程とを備え、
上記配線形成工程は、上記表示領域及び折り曲げ部の間で互いに平行に延びるように複数の第１導電層を形成し、上記折り曲げ部及び端子部の間で互いに平行に延びるように複数の第２導電層を形成し、上記折り曲げ部で上記複数の第１導電層及び上記複数の第２導電層が互いに連結するように第３導電幹層を形成する第１パターニング工程と、該第３導電幹層を複数に分割することにより、分割された上記第３導電幹層からなる複数の第３導電層と、上記複数の第１導電層と、上記複数の第２導電層とをそれぞれ１列に連結して、上記各配線を形成する第２パターニング工程とを備えることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項１に記載された表示装置の製造方法において、
上記第１パターニング工程では、上記平坦化膜を覆うように上記第３導電幹層を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項１又は２に記載された表示装置の製造方法において、
上記第１パターニング工程では、上記平坦化膜の端部と交差するように上記各第１導電層及び各第２導電層を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項１～３の何れか１つに記載された表示装置の製造方法において、
上記第１パターニング工程では、上記スリットが形成された上記少なくとも一層の無機絶縁膜の端部及び平坦化膜上に金属膜を成膜し、該金属膜上に第１レジストパターンを形成した後に、該第１レジストパターンから露出する金属膜をエッチングすることにより、上記表示領域において複数の表示配線を形成すると共に、上記額縁領域において上記各第１導電層、各第２導電層及び第３導電幹層を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項４に記載された表示装置の製造方法において、
上記第２パターニング工程では、上記表示領域において上記各表示配線と重なると共に、上記額縁領域において上記各第１導電層と該各第１導電層に対応する上記各第２導電層とを跨ぐように第２レジストパターンを形成することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項５に記載された表示装置の製造方法において、
上記第２レジストパターンは、上記複数の第１導電層のうち隣り合う一対の第１導電層と該一対の第１導電層に対応する一対の第２導電層との間に形成された上記第３導電幹層の一部を露出させる開口部を有し、該開口部は、上記第３導電幹層を跨ぐように形成されることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項５又は６に記載された表示装置の製造方法において、
上記各表示配線上の上記第２レジストパターンの幅は、上記第１レジストパターンの上記各表示配線に対応する部分の幅よりも狭いことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項１～７の何れか１つに記載された表示装置の製造方法において、
上記スリット形成工程では、上記折り曲げ部の延びる方向に沿って突き抜けるように上記スリットを形成することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項１～８の何れか１つに記載された表示装置の製造方法において、
上記発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする表示装置の製造方法。 - 樹脂基板と、
上記樹脂基板上に設けられたＴＦＴ層と、
上記ＴＦＴ層上に設けられ、表示領域を構成する発光素子と、
上記表示領域の周囲に設けられた額縁領域と、
上記額縁領域の端部に設けられた端子部と、
上記表示領域及び端子部の間に一方向に延びるよう設けられた折り曲げ部と、
上記ＴＦＴ層を構成し、上記樹脂基板上に設けられた少なくとも一層の無機絶縁膜と、
上記ＴＦＴ層を構成し、上記額縁領域において、上記折り曲げ部の延びる方向と交差する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数の配線とを備えた表示装置であって、
上記折り曲げ部において、上記少なくとも一層の無機絶縁膜に該無機絶縁膜を貫通して上記樹脂基板を露出させるスリットが形成され、
上記スリットを埋めるように平坦化膜が設けられ、
上記スリットが形成された上記少なくとも一層の無機絶縁膜の端部及び平坦化膜上に上記複数の配線が設けられ、
上記各配線は、上記表示領域及び折り曲げ部の間で延びるように設けられた第１導電層と、上記折り曲げ部及び端子部の間で延びるように設けられた第２導電層と、上記平坦化膜上に延びるように設けられ、上記第１導電層及び第２導電層に連結された第３導電層とを備え、
上記第３導電層の幅は、上記第１導電層及び第２導電層の幅よりも広くなっていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１０に記載された表示装置において、
上記第３導電層は、上記平坦化膜の端部と重なるように設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１０又は１１に記載された表示装置において、
上記第１導電層及び第２導電層は、上記平坦化膜の端部と交差するように設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１０～１２の何れか１つに記載された表示装置において、
上記複数の配線の間において、上記平坦化膜から露出する上記少なくとも一層の無機絶縁膜の該平坦化膜側の表面には、凹部が設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１０～１３の何れか１つに記載された表示装置において、
上記発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする表示装置。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021161465A1 (ja) * | 2020-02-13 | 2021-08-19 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| WO2023007582A1 (ja) * | 2021-07-27 | 2023-02-02 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 表示装置 |
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| JP2011118082A (ja) * | 2009-12-02 | 2011-06-16 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置および電子機器 |
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- 2018-03-28 WO PCT/JP2018/012916 patent/WO2019186812A1/ja active Application Filing
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