WO2020026417A1 - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

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WO2020026417A1
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film
layer
insulating film
opening
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達 岡部
庄治 岡崎
遼佑 郡司
信介 齋田
市川　伸治
徳生 吉田
浩治 神村
彬 井上
芳浩 仲田
康治 谷村
義博 小原
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シャープ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a display device and a method for manufacturing the same.
  • Patent Literature 1 includes a sealing film having a laminated structure in which an inorganic film formed by a chemical vapor deposition (CVD) method or the like and an organic film formed by an inkjet method or the like are alternately arranged.
  • a display device is disclosed.
  • the present invention has been made in view of the above point, and an object of the present invention is to suppress the spread of the width of the frame region and enhance the effect of blocking the ink by the blocking wall.
  • a display device includes a base substrate, a TFT layer provided on the base substrate, at least one layer of an inorganic insulating film and a planarization film sequentially stacked, A light-emitting element provided over the light-emitting element and forming a display region; a sealing film provided so as to cover the light-emitting element, in which a first inorganic film, an organic film, and a second inorganic film are sequentially stacked; A display device provided in a peripheral frame area, surrounding the display area, and having a first dam wall overlapping a peripheral end of the organic film, wherein the display area, the first dam wall, In at least a part of the first opening, a first opening that opens upward is provided in the at least one layer of the inorganic insulating film, and the organic film is provided so as to fill the inside of the first opening. It is characterized by the following.
  • At least one of the inorganic insulating films constituting the TFT layer is provided with the first opening that opens upward, Since the organic film constituting the stop film is provided so as to fill the inside of the first opening, it is possible to suppress the spread of the width of the frame region and enhance the ink blocking effect of the first blocking wall. it can.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view of a display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a sectional view of the organic EL display device taken along line III-III in FIG.
  • FIG. 4 is an equivalent circuit diagram illustrating a TFT layer included in the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating an organic EL layer included in the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the frame region of the organic EL display device along the line VI-VI in FIG. FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the frame region of the organic EL display device along the line VII-VII in FIG.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of the bent portion of the frame region of the organic EL display device along the line VIII-VIII in FIG.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention, and is a diagram corresponding to FIG.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device 50a of the present embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view of a display area D of the organic EL display device 50a.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the organic EL display device 50a along the line III-III in FIG.
  • FIG. 4 is an equivalent circuit diagram showing the TFT layer 20a constituting the organic EL display device 50a.
  • FIG. 5 is a sectional view showing the organic EL layer 23 constituting the organic EL display device 50a.
  • FIGS. 6, 7 and 8 show a frame area F, a frame area F and a frame area F of the organic EL display device 50a along the lines VI-VI, VII-VII and VIII-VIII in FIG. 3 is a sectional view of a bent portion B of FIG.
  • the organic EL display device 50 a includes, for example, a rectangular display area D for displaying an image, and a frame area F provided around the display area D.
  • the rectangular display area D is illustrated.
  • the display area D has a substantially rectangular shape such as, for example, a shape in which a side has an arc shape or a shape in which a corner portion has an arc shape. You may.
  • the display area D and the frame area F do not have to have similar shapes.
  • a plurality of sub-pixels P are arranged in a matrix as shown in FIG.
  • a sub-pixel P having a red light-emitting region Lr for displaying red a sub-pixel P having a green light-emitting region Lg for displaying green
  • a sub-pixel P having a blue light-emitting region Lb for performing blue display is provided adjacent to each other.
  • one pixel is configured by three adjacent sub-pixels P having a red light emitting area Lr, a green light emitting area Lg, and a blue light emitting area Lb.
  • a terminal portion T having a plurality of terminals E is provided at the right end of the frame region F in FIG. Also, in the frame area F, as shown in FIG. 1, between the display area D and the terminal portion T, it is possible to bend (in a U-shape), for example, 180 degrees (U-shape) the bending axis in the vertical direction in the figure.
  • the bent portion B is provided so as to extend in one direction (vertical direction in the figure).
  • a substantially C-shaped trench G is provided in a second flattening film 19a described later so as to penetrate the second flattening film 19a as shown in FIGS. Have been.
  • the trench G is provided in a substantially C-shape such that the terminal portion T side is opened in plan view.
  • the configuration in which the bent portion B is provided in the frame region F is illustrated, but the bent portion may be omitted.
  • the display wiring (gate line 14, source line 18f, etc., described later) provided in the display region D may be electrically connected directly to the terminal E of the terminal portion T corresponding thereto.
  • the organic EL display device 50a includes a resin substrate layer 10 provided as a base substrate, a thin film transistor (TFT) layer 20a provided on the resin substrate layer 10, and a thin film transistor (TFT) layer 20a provided on the resin substrate layer 10.
  • the organic EL device includes an organic EL element 25 provided as a light emitting element constituting the display area D, and a sealing film 30 provided to cover the organic EL element 25.
  • the resin substrate layer 10 is made of, for example, a polyimide resin.
  • the TFT layer 20a includes a base coat film 11 provided on the resin substrate layer 10, a plurality of first TFTs 9a, a plurality of second TFTs 9b, and a plurality of capacitors 9c provided on the base coat film 11.
  • a second flattening film 19a provided on each first TFT 9a, each second TFT 9b, and each capacitor 9c is provided.
  • the first flattening film 8 is provided in the bent portion B of the frame region F as described later.
  • a plurality of gate lines 14 are provided so as to extend in parallel in the horizontal direction in the drawing. Further, in the TFT layer 20a, as shown in FIGS.
  • a plurality of source lines 18f are provided so as to extend in parallel with each other in the vertical direction in the figure.
  • a plurality of power lines 18g are provided so as to extend parallel to each other in the vertical direction in the figure.
  • Each power supply line 18g is provided so as to be adjacent to each source line 18f, as shown in FIG.
  • a first TFT 9a, a second TFT 9b, and a capacitor 9c are provided in each sub-pixel P.
  • the base coat film 11 is composed of, for example, a single-layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride.
  • the first TFT 9a is connected to the corresponding gate line 14 and source line 18f in each sub-pixel P, as shown in FIG.
  • the first TFT 9a includes a semiconductor layer 12a, a gate insulating film 13, a gate electrode 14a, a first interlayer insulating film 15, a second interlayer insulating film 17, and a semiconductor layer 12a sequentially provided on the base coat film 11. It has a source electrode 18a and a drain electrode 18b.
  • the semiconductor layer 12a is provided in an island shape on the base coat film 11, and has a channel region, a source region, and a drain region.
  • the gate insulating film 13 is provided so as to cover the semiconductor layer 12a.
  • the gate electrode 14a is provided on the gate insulating film 13 so as to overlap the channel region of the semiconductor layer 12a.
  • the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are provided so as to cover the gate electrode 14a.
  • the source electrode 18a and the drain electrode 18b are provided on the second interlayer insulating film 17 so as to be separated from each other, as shown in FIG.
  • the source electrode 18a and the drain electrode 18b are connected via respective contact holes formed in a laminated film of the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17, It is connected to the source region and the drain region of the semiconductor layer 12a, respectively.
  • the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 are each formed of a single-layer film or a stacked film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride. .
  • the second TFT 9b is connected to the corresponding first TFT 9a and the power supply line 18g in each sub-pixel P.
  • the first TFT 9b includes a semiconductor layer 12b, a gate insulating film 13, a gate electrode 14b, a first interlayer insulating film 15, a second interlayer insulating film 17, and a semiconductor layer 12b sequentially provided on the base coat film 11. It has a source electrode 18c and a drain electrode 18d.
  • the semiconductor layer 12b is provided in an island shape on the base coat film 11, and has a channel region, a source region, and a drain region. Further, as shown in FIG.
  • the gate insulating film 13 is provided so as to cover the semiconductor layer 12b. Further, as shown in FIG. 3, the gate electrode 14b is provided on the gate insulating film 13 so as to overlap the channel region of the semiconductor layer 12b. Further, as shown in FIG. 3, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are provided in order to cover the gate electrode 14b. The source electrode 18c and the drain electrode 18d are provided on the second interlayer insulating film 17 so as to be separated from each other, as shown in FIG. Further, as shown in FIG.
  • the source electrode 18c and the drain electrode 18d are connected via respective contact holes formed in a laminated film of the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17, It is connected to the source region and the drain region of the semiconductor layer 12b, respectively.
  • first gate 9a and the second TFT 9b of the top gate type are illustrated, but the first TFT 9a and the second TFT 9b may be a bottom gate type TFT.
  • the capacitor 9c is connected to the corresponding first TFT 9a and the power supply line 18g in each sub-pixel P, as shown in FIG.
  • the capacitor 9c includes a lower conductive layer 14c formed of the same material as the gate electrodes 14a and 14b in the same layer, and a first interlayer insulating layer provided so as to cover the lower conductive layer 14c.
  • the semiconductor device includes a film 15 and an upper conductive layer 16 provided on the first interlayer insulating film 15 so as to overlap the lower conductive layer 14c.
  • the upper conductive layer 16 is electrically connected to a power supply line 18g through a contact hole formed in the second interlayer insulating film 17, as shown in FIG.
  • the second flattening film 19a has a flat surface in the display region D and is made of, for example, an organic resin material such as a polyimide resin.
  • the organic EL element 25 includes a plurality of first electrodes 21a, an edge cover 22a, a plurality of organic EL layers 23, and a second electrode 24 sequentially provided on the second planarization film 19a. I have.
  • the plurality of first electrodes 21a are provided as pixel electrodes in a matrix on the second flattening film 19a so as to correspond to the plurality of sub-pixels P. Further, as shown in FIG. 3, each first electrode 21a is connected to a drain electrode 18d of each second TFT 9b via a contact hole formed in the second flattening film 19a. Further, the first electrode 21a has a function of injecting holes (holes) into the organic EL layer 23. Further, the first electrode 21a is more preferably formed of a material having a large work function in order to improve the efficiency of hole injection into the organic EL layer 23.
  • the first electrode 21a for example, silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au) , Titanium (Ti), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), ytterbium (Yb), lithium fluoride (LiF), platinum (Pt), palladium (Pd), molybdenum (Mo), iridium ( Metal materials such as Ir) and tin (Sn). Further, the material forming the first electrode 21a may be an alloy such as astatine (At) / astatin oxide (AtO 2 ).
  • the material forming the first electrode 21a is, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). There may be. Further, the first electrode 21a may be formed by stacking a plurality of layers made of the above materials. Note that examples of the compound material having a large work function include indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO).
  • the edge cover 22a is provided in a lattice shape so as to cover the peripheral portion of each first electrode 21a.
  • a material forming the edge cover 22a include an organic film such as a polyimide resin, an acrylic resin, a polysiloxane resin, and a novolak resin.
  • a part of the surface of the edge cover 22a protrudes upward to form a pixel photo spacer C provided in an island shape.
  • each of the organic EL layers 23 includes a hole injection layer 1, a hole transport layer 2, a light emitting layer 3, an electron transport layer 4, and an electron injection layer which are sequentially provided on the first electrode 21a. It has a layer 5.
  • the hole injection layer 1 is also called an anode buffer layer, and has a function of making the energy levels of the first electrode 21a and the organic EL layer 23 close to each other and improving the efficiency of hole injection from the first electrode 21a to the organic EL layer 23.
  • a material constituting the hole injection layer for example, a triazole derivative, an oxadiazole derivative, an imidazole derivative, a polyarylalkane derivative, a pyrazoline derivative, a phenylenediamine derivative, an oxazole derivative, a styrylanthracene derivative, a fluorenone derivative, Hydrazone derivatives, stilbene derivatives and the like can be mentioned.
  • the hole transport layer 2 has a function of improving the efficiency of transporting holes from the first electrode 21a to the organic EL layer 23.
  • a material constituting the hole transport layer 2 for example, a porphyrin derivative, an aromatic tertiary amine compound, a styrylamine derivative, polyvinyl carbazole, poly-p-phenylene vinylene, polysilane, a triazole derivative, oxadiazole Derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amine-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, hydrogenated amorphous silicon, Examples include hydrogenated amorphous silicon carbide, zinc sulfide, and zinc selenide.
  • the light emitting layer 3 when a voltage is applied by the first electrode 21a and the second electrode 24, holes and electrons are injected from the first electrode 21a and the second electrode 24, respectively, and the holes and electrons recombine. Area.
  • the light emitting layer 3 is formed of a material having high luminous efficiency. Examples of the material constituting the light emitting layer 3 include a metal oxinoid compound [8-hydroxyquinoline metal complex], a naphthalene derivative, an anthracene derivative, a diphenylethylene derivative, a vinylacetone derivative, a triphenylamine derivative, a butadiene derivative, and a coumarin derivative.
  • the electron transport layer 4 has a function of efficiently moving electrons to the light emitting layer 3.
  • a material constituting the electron transport layer 4 for example, as an organic compound, an oxadiazole derivative, a triazole derivative, a benzoquinone derivative, a naphthoquinone derivative, an anthraquinone derivative, a tetracyanoanthraquinodimethane derivative, a diphenoquinone derivative, or a fluorenone derivative , Silole derivatives, metal oxinoid compounds and the like.
  • the electron injection layer 5 has a function of making the energy levels of the second electrode 24 and the organic EL layer 23 close to each other and improving the efficiency of injecting electrons from the second electrode 24 into the organic EL layer 23.
  • the drive voltage of the organic EL element 25 can be reduced.
  • the electron injection layer 5 is also called a cathode buffer layer.
  • a material constituting the electron injection layer 5 for example, lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), barium fluoride Examples thereof include an inorganic alkali compound such as (BaF 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), and strontium oxide (SrO).
  • the second electrode 24 is provided as a common electrode so as to cover each of the organic EL layers 23 and the edge cover 22a.
  • the second electrode 24 has a function of injecting electrons into the organic EL layer 23.
  • the second electrode 24 is more preferably made of a material having a small work function in order to improve the efficiency of electron injection into the organic EL layer 23.
  • the second electrode 24 for example, silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au) , Calcium (Ca), titanium (Ti), yttrium (Y), sodium (Na), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), magnesium (Mg), lithium (Li), ytterbium (Yb) , Lithium fluoride (LiF) and the like.
  • the second electrode 24 is made of, for example, magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / astatin oxide (AtO 2). ), Lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), and lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al). You may.
  • the second electrode 24 may be formed of a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO), for example. .
  • the second electrode 24 may be formed by stacking a plurality of layers made of the above materials.
  • the material having a small work function include magnesium (Mg), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), and sodium.
  • (Na) / potassium (K) lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al) And the like.
  • the sealing film 30 includes a first inorganic film 26 provided to cover the second electrode 24, an organic film 27 provided on the first inorganic film 26, and an organic film 27.
  • a second inorganic film provided so as to cover the organic EL layer and has a function of protecting the organic EL layer from moisture, oxygen, and the like.
  • the first inorganic film 26 and the second inorganic film 28 are made of, for example, silicon nitride (Si 2 N 3 ) such as silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), or trisilicon tetranitride (Si 3 N 4 ).
  • the organic film 27 is made of, for example, an organic material such as an acrylic resin, a polyurea resin, a parylene resin, a polyimide resin, and a polyamide resin.
  • the organic EL display device 50a surrounds the display region D in the frame region F and overlaps the peripheral end of the organic film 27 of the sealing film 30.
  • a first dam wall Wa provided in a frame shape and a second dam wall Wb provided in a frame shape around the first dam wall Wa are provided.
  • the first dam wall Wa is formed on the lower resin layer 19b and the lower resin layer 19b formed of the same material and in the same layer as the second flattening film 19a. And an upper resin layer 22c formed of the same material in the same layer as the edge cover 22a.
  • the gate insulating film 13 the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 have an upper portion as shown in FIGS.
  • a first opening Ma that opens at the bottom is provided in a frame shape.
  • the organic film 27 of the sealing film 30 is provided so as to fill the inside of the first opening Ma.
  • the first opening Ma provided in a frame shape is illustrated, but the first opening Ma is provided at least in part between the display region D and the first dam wall Wa. It should just be. Further, in the present embodiment, the configuration in which the first opening Ma is provided in the stacked film of the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 has been described, but the first opening Ma is The first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 may be provided in a stacked film or the second interlayer insulating film 17.
  • the second dam wall Wb is formed on the lower resin layer 19c formed of the same material as the second flattening film 19a using the same material, and on the lower resin layer 19c (the conductive layer 21b). And an upper resin layer 22d formed of the same material in the same layer as the edge cover 22a.
  • the gate insulating film 13 the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 are provided as shown in FIG. 6 and FIG.
  • a second opening Mb opening upward is provided in a frame shape.
  • the second opening Mb provided in a frame shape is illustrated, but the second opening Mb is at least partially provided between the first dam wall Wa and the second dam wall Wb. It is sufficient if it is provided in. Further, in the present embodiment, the configuration in which the second opening Mb is provided in the laminated film of the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 has been described, but the second opening Mb is The first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 may be provided in a stacked film or the second interlayer insulating film 17.
  • the first opening Ma and the second opening Mb are formed so that the base coat film 11 is exposed from the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17, as shown in FIGS. Is provided.
  • the base coat film 11 is in contact with the first inorganic film 26 of the sealing film 30 at the first opening Ma and the second opening Mb. 6 and 7, in the first opening Ma and the second opening Mb, a frame wiring 18h, a conductive layer 21b, and a wiring 18i to be described later are provided between the base coat film 11 and the first inorganic film 26.
  • the base coat film 11 and the first inorganic film 26 are in contact with each other.
  • the organic EL display device 50a includes a frame wiring 18h provided in a frame area F outside the trench G in a substantially C shape in plan view, as shown in FIG.
  • the frame wiring 18h is connected to the terminal E of the terminal portion T via a wiring 18j to be described later provided in the bent portion B and the like.
  • the conductive layer is electrically connected to the conductive layer 21b.
  • the conductive layer 21b is electrically connected to the second electrode 24 via the trench G as shown in FIG.
  • the frame wiring 18h is formed in the same layer and the same material as the source line 18f.
  • the conductive layer 21b is formed in the same layer and the same material as the first electrode 21a.
  • the inside of the trench G is connected to the terminal E of the terminal portion T via a lead-out wiring 18j provided in the bent portion B and the like, and a high power supply voltage is input to the terminal portion T and the frame region F
  • a lead-out wiring 18j provided in the bent portion B and the like
  • a high power supply voltage is input to the terminal portion T and the frame region F
  • another frame wiring (not shown) electrically connected to each power supply line 18g is provided.
  • TFTs and the like constituting a gate driver are provided on both sides of the trench G.
  • the organic EL display device 50a has a plurality of islands provided in the frame region F so as to protrude upward between the display region D and the first dam wall Wa.
  • the peripheral photo spacer 22b is formed in the same layer and the same material as the edge cover 22a.
  • the height of the peripheral photo spacer 22b from the resin substrate layer 10 is equal to the height of the pixel photo spacer C from the resin substrate layer 10, and as shown in FIG. 6, the first dam wall Wa and the second dam wall
  • the height of the stop wall Wb is higher than the height from the resin substrate layer 10.
  • the height of the first dam wall Wa from the resin substrate layer 10 is lower than the height of the second dam wall Wb from the resin substrate layer 10, as shown in FIG.
  • the organic EL display device 50a has a first opening Ma and a second opening on one side (right side in FIG. 1 near the terminal T) of the frame region F facing the terminal T.
  • a plurality of routing wirings 18i are provided so as to extend parallel to each other in a direction orthogonal to the portion Mb.
  • the plurality of routing wirings 18i are electrically connected to the plurality of source lines 18f, respectively.
  • the plurality of routing wirings 18i are in contact with the base coat film 11 and the first inorganic film 26 on one side of the first opening Ma and the second opening Mb facing the terminal portion T. .
  • each wiring 18i is connected to the terminal E of the terminal portion T via a wiring 18j provided at the bent portion B. That is, each source line 18f and the terminal E corresponding to each source line 18f are electrically connected via the routing wiring 18i. Note that the routing wiring 18i is formed of the same material in the same layer as the source line 18f and the like.
  • the organic EL display device 50a is provided so as to fill the slits S formed in the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 in the bent portion B.
  • the slit S extends through the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 to extend the bent portion B so that the upper surface of the base coat film 11 is exposed. It is provided in a groove shape penetrating along the direction.
  • the first flattening film 8 is made of, for example, an organic resin material such as a polyimide resin.
  • the plurality of routing wirings 18j are provided so as to extend parallel to each other in a direction orthogonal to the direction in which the bent portion B extends.
  • both ends of each lead-out wiring 18j are connected to the first gate conductive layer through each contact hole formed in the stacked film of the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17. 14c and the second gate conductive layer 14d.
  • the routing wiring 18j is formed of the same material in the same layer as the source line 18f and the like. As shown in FIG.
  • the first gate conductive layer 14c is provided between the gate insulating film 13 and the first interlayer insulating film 15 and extends to the display region D by a signal wiring (the gate line 14, the source line 18f, It is electrically connected to a power supply line 18g and the like via a wiring 18i and the like.
  • the second gate conductive layer 14d is provided between the gate insulating film 13 and the first interlayer insulating film 15 and is electrically connected to the terminal E of the terminal portion T as shown in FIG. It extends to the terminal portion T.
  • the wiring covering layer 19d is formed of the same material and in the same layer as the second flattening film 19a.
  • a gate signal is input to the first TFT 9a via the gate line 14, thereby turning on the first TFT 9a, and the gate electrode of the second TFT 9b via the source line 18f.
  • a predetermined voltage corresponding to the source signal is written to the capacitor 14b and the capacitor 9c, and a current from the power supply line 18g defined based on the gate voltage of the second TFT 9b is supplied to the organic EL layer 23.
  • the light emitting layer 3 is configured to emit light to display an image.
  • the gate voltage of the second TFT 9b is held by the capacitor 9c, so that the light emitting layer 3 emits light until the gate signal of the next frame is input. Will be maintained.
  • the method of manufacturing the organic EL display device 50a according to the present embodiment includes a TFT layer forming step including an opening forming step, an organic EL element forming step, and a sealing film forming step.
  • ⁇ TFT layer forming step> For example, the base coat film 11, the first TFT 9a, the second TFT 9b, the capacitor 9c, and the second flattening film 19a are formed on the surface of the resin substrate layer 10 formed on the glass substrate by using a known method, and the TFT layer is formed. 20a is formed.
  • the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 are stacked in the frame region F before the source line 18f and the like are formed.
  • the first flattening film 8 is formed so as to fill the slit S.
  • the frame wiring 18h and the lead wirings 18i and 18j are simultaneously formed, and when the second flattening film 19a is formed, the lower resin layers 19b and 19c and the wiring coating layer 19d are formed. Form at the same time.
  • the first electrode 21a, the edge cover 22a, and the organic EL layer 23 are formed on the second flattening film 19a of the TFT layer 20a formed in the above-described TFT layer forming step by using a known method.
  • the hole transport layer 2, the light emitting layer 3, the electron transport layer 4, the electron injection layer 5) and the second electrode 24 are formed to form the organic EL element 25.
  • the conductive layer 21b is formed simultaneously, and when forming the edge cover 22a (including the pixel photo spacer C), the peripheral photo spacer 22b and the upper resin layer 22c are formed.
  • 22d are simultaneously formed by multi-tone exposure using a multi-tone mask such as a half-tone mask or a gray-tone mask.
  • ⁇ Sealing film forming step> First, using a mask, an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon oxynitride film is formed on the surface of the substrate on which the organic EL device 25 formed in the organic EL device forming step is formed by plasma.
  • the first inorganic film 26 is formed by a CVD (chemical vapor deposition) method.
  • an organic resin material such as an acrylic resin is formed on the surface of the substrate on which the first inorganic film 26 is formed, for example, by an inkjet method, thereby forming an organic film 27.
  • an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film, or the like is formed on the substrate on which the organic film 27 is formed by a plasma CVD method using a mask.
  • the sealing film 30 is formed by forming the inorganic film 28.
  • the organic EL display device 50a of the present embodiment can be manufactured.
  • the gate insulating film 13 forming the TFT layer 20a is formed between the display region D and the first dam wall Wa.
  • the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are provided with a first opening Ma opening upward, and the organic film 27 forming the sealing film 30 fills the inside of the first opening Ma. Is provided.
  • the amount of ink that can be used as the organic film 27 by the first blocking wall Wa, which can be blocked is increased by the volume of the first opening Ma, so that the width of the frame region F is suppressed from expanding and the first blocking is performed.
  • the effect of blocking the ink by the stop wall Wa can be enhanced.
  • the gate insulating film 13 constituting the TFT layer 20a is provided between the first dam wall Wa and the second dam wall Wb.
  • a second opening Mb that opens upward is provided in the interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17. This increases the amount of ink that can be blocked by the second blocking wall Wb to become the organic film 27 by the volume of the second opening Mb, so that the effect of blocking the ink by the second blocking wall Wb can be enhanced. Can be.
  • the organic EL display device 50a and the method of manufacturing the same according to the present embodiment since the first opening Ma and the second opening Mb are provided, the first dam wall Wa and the second dam wall Wb are provided. Is smaller than the heights of the peripheral photo spacer 22b and the pixel photo spacer C, the effect of blocking the ink by the first opening Ma and the second opening Mb can be ensured. . Accordingly, the effect of blocking the ink by the first opening Ma and the second opening Mb can be secured, and the heights of the peripheral photo spacer 22b and the pixel photo spacer C can be reduced. The formation accuracy of the light emitting layer 3 and the like can be easily improved.
  • the first dam is smaller than the peripheral photo spacers 22b and the pixel photo spacers C to which the vapor deposition mask contacts when forming the light emitting layer 3 and the like. Since the wall Wa and the second blocking wall Wb are low, the contact between the first blocking wall Wa and the second blocking wall Wb and the deposition mask is suppressed, and the generation of foreign matter and the like due to the contact can be suppressed.
  • the first opening Ma and the second opening Mb are provided so as to expose the base coat film 11, and the base coat film 11 is provided in the first opening portion.
  • Ma and the second opening Mb are in contact with the first inorganic film 26 of the sealing film 30.
  • FIG. 9 shows a second embodiment of the display device and the method of manufacturing the same according to the present invention.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the organic EL display device 50b of the present embodiment, and is a diagram corresponding to FIG.
  • the same parts as those in FIGS. 1 to 8 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
  • the organic EL display device 50a in which the first opening Ma and the second opening Mb are provided on four sides around the display area D has been illustrated. However, the first opening Ma and the second opening Mb are provided. The organic EL display device 50b in which the portion Mb is provided on three sides around the display area D is illustrated.
  • the organic EL display device 50b includes a display region D and a frame region F provided around the display region D, similarly to the organic EL display device 50a of the first embodiment.
  • the organic EL display device 50b includes a resin substrate layer 10, a TFT layer 20b provided on the resin substrate layer 10, and an organic EL device provided on the TFT layer 20b and constituting the display region D.
  • the device includes an element 25 (see FIG. 3) and a sealing film 30 provided so as to cover the organic EL element 25.
  • the TFT layer 20b includes a base coat film 11 provided on the resin substrate layer 10, a plurality of first TFTs 9a provided on the base coat film 11 (see FIG. 3), and a plurality of second TFTs 9b (see FIG. 3) and a plurality of capacitors 9c (see FIG. 3), and a second flattening film 19a provided on each first TFT 9a, each second TFT 9b, and each capacitor 9c.
  • the structure of the display region D of the TFT layer 20b is substantially the same as the structure of the display region D of the TFT layer 20a of the first embodiment.
  • the organic EL display device 50b is provided in a frame shape so as to surround the display region D in the frame region F and overlap the peripheral end of the organic film 27 of the sealing film 30. It has a first dam wall Wa and a second dam wall Wb provided in a frame shape around the first dam wall Wa.
  • the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 are formed.
  • the organic film 27 of the sealing film 30 is provided so as to fill the inside of the first openings Ma on three sides (see FIG. 6).
  • the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 are provided with the structure shown in FIG. As shown in (1), the first opening Ma and the second opening Mb are not provided.
  • the second interlayer insulating film 17 is in contact with the first inorganic film 26.
  • the distance Hb (see FIG. 9) between the display area D on one side of the frame area F facing the terminal portion T and the first dam wall Wa (see FIG. 9) is determined on three sides of the frame area F not facing the terminal portion T. It is longer than the distance Ha (see FIG. 6) between the display area D and the first dam wall Wa.
  • the display area D on one side of the frame area F facing the terminal section T and the display area D on three sides of the frame area F not facing the terminal section T and the distance Hb of the first dam wall Wa are different.
  • the distance Hb may be the same as the distance Ha.
  • the amount of ink blocking (filling amount) between the display area D and the first blocking wall Wa can be increased. ,preferable.
  • the organic EL display device 50b has, on one side of the frame region F facing the terminal portion T, parallel to each other in a direction orthogonal to the first damming wall Wa and the second damming wall Wb.
  • a plurality of routing wirings 14e are provided so as to extend.
  • the plurality of routing wirings 14e are electrically connected to the plurality of source lines 18f, respectively.
  • each of the lead wires 14e is connected to the terminal E of the terminal part T via a lead wire 18j provided at the bent portion B. That is, each of the source lines 18f and the terminal E corresponding to each of the source lines 18f are electrically connected via the routing wiring 14e.
  • the lead-out wiring 14e is formed in the same layer and the same material as the gate line 14 and the like.
  • the organic EL display device 50b described above has flexibility similarly to the organic EL display device 50a of the first embodiment, and in each sub-pixel P, the organic EL layer 23 is provided via the first TFT 9a and the second TFT 9b. The image is displayed by appropriately emitting the light from the light emitting layer 3.
  • the organic EL display device 50b of the present embodiment differs from the method of manufacturing the organic EL display device 50a described in the first embodiment in that the pattern shapes of the first opening Ma and the second opening Mb are changed, Instead of the wiring 18i formed at the same time as 18f, the wiring 14e can be formed by forming the wiring 14e at the same time as the gate line 14.
  • the organic EL display device 50b of the present embodiment and the method of manufacturing the same between the display region D and the first dam wall Wa, the gate insulating film 13 forming the TFT layer 20b, The first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are provided with a first opening Ma opening upward, and the organic film 27 forming the sealing film 30 fills the inside of the first opening Ma. Is provided.
  • the amount of ink that can be used as the organic film 27 by the first blocking wall Wa, which can be blocked is increased by the volume of the first opening Ma, so that the width of the frame region F is suppressed from expanding and the first blocking is performed.
  • the effect of blocking the ink by the stop wall Wa can be enhanced.
  • the gate insulating film 13 constituting the TFT layer 20b is provided between the first dam wall Wa and the second dam wall Wb.
  • a second opening Mb that opens upward is provided in the interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17. This increases the amount of ink that can be blocked by the second blocking wall Wb to become the organic film 27 by the volume of the second opening Mb, so that the effect of blocking the ink by the second blocking wall Wb can be enhanced. Can be.
  • the organic EL display device 50b and the method of manufacturing the same according to the present embodiment since the first opening Ma and the second opening Mb are provided, the first dam wall Wa and the second dam wall Wb are provided. Is smaller than the heights of the peripheral photo spacer 22b and the pixel photo spacer C, the effect of blocking the ink by the first opening Ma and the second opening Mb can be ensured. . Accordingly, the effect of blocking the ink by the first opening Ma and the second opening Mb can be secured, and the heights of the peripheral photo spacer 22b and the pixel photo spacer C can be reduced. The formation accuracy of the light emitting layer 3 and the like can be easily improved.
  • the first dam is smaller than the peripheral photo spacers 22b and the pixel photo spacers C to which the vapor deposition mask contacts when forming the light emitting layer 3 and the like. Since the wall Wa and the second blocking wall Wb are low, the contact between the first blocking wall Wa and the second blocking wall Wb and the deposition mask is suppressed, and the generation of foreign matter and the like due to the contact can be suppressed.
  • the first opening Ma and the second opening Mb are provided so as to expose the base coat film 11, and the base coat film 11 is formed in the first opening portion.
  • Ma and the second opening Mb are in contact with the first inorganic film 26 of the sealing film 30.
  • the distance Hb between the display region D and the first dam wall Wa on one side of the frame region F facing the terminal portion T is equal to the terminal portion T. It is longer than the distance Ha between the display area D and the first dam wall Wa on three sides of the frame area F that does not face each other.
  • the first opening Ma and the second opening are formed in the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 forming the TFT layer 20b. Even if the portion Mb is not provided, the amount of ink that can be blocked by the first blocking wall Wa can be increased by the length of the distance between the display area D and the first blocking wall Wa.
  • the organic EL layer having a five-layered structure of the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer, and the electron injection layer is exemplified. It may have a three-layer structure of a layer / hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer / electron injection layer.
  • the organic EL display device in which the first electrode is used as an anode and the second electrode is used as a cathode is exemplified.
  • the present invention inverts the stacked structure of the organic EL layer and uses the first electrode as a cathode. It can be applied to an organic EL display device using the second electrode as an anode.
  • the organic EL display device in which the electrode of the TFT connected to the first electrode is used as the drain electrode has been described. It can also be applied to an organic EL display device called.
  • the organic EL display device has been described as an example of the display device, but the present invention can be applied to a display device having a plurality of light emitting elements driven by current.
  • the present invention can be applied to a display device including a QLED (Quantum-dot-light-emitting-diode) which is a light-emitting element using a quantum dot-containing layer.
  • QLED Quantum-dot-light-emitting-diode
  • the present invention is useful for a flexible display device.
  • Second dam wall 10 Resin substrate layer (base substrate) 11 Base coat film (inorganic insulating film) 13 Gate insulating film (inorganic insulating film) 14 gate line 14e routing wiring 15 first interlayer insulating film (inorganic insulating film) 17 Second interlayer insulating film (inorganic insulating film) 18f Source line 18i Leading wires 19a, 19x Second planarization films 20a, 20b TFT layer 21 First electrode (pixel electrode) 22a Edge cover 22b Peripheral photo spacer 25 Organic EL element (light emitting element) 26 first inorganic film 27 organic film 28 second inorganic film 30 sealing films 50a, 50b organic EL display

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Abstract

表示領域を構成する発光素子を覆うように設けられ、第１無機膜（２６）、有機膜（２７）及び第２無機膜（２８）が順に積層された封止膜（３０）と、表示領域の周囲の額縁領域（Ｆ）に設けられ、表示領域を囲むと共に、有機膜（２７）の周端部に重なる第１堰き止め壁（Ｗａ）とを備え、表示領域と第１堰き止め壁（Ｗａ）との間の少なくとも一部において、ＴＦＴ層（２０ａ）を構成する少なくとも一層の無機絶縁膜（１１，１３，１５，１７）には、上方に開口する第１開口部（Ｍａ）が設けられ、有機膜（２７）が第１開口部（Ｍａ）の内部を埋めるように設けられている。

Description

表示装置及びその製造方法
　本発明は、表示装置及びその製造方法に関するものである。
　近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機ＥＬ（electroluminescence）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。ここで、有機ＥＬ表示装置では、水分や酸素等の混入による有機ＥＬ素子の劣化を抑制するために、有機ＥＬ素子を覆う封止膜を無機膜及び有機膜の積層膜で構成する封止構造が提案されている。
　例えば、特許文献１には、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等により形成された無機膜と、インクジェット法等により形成された有機膜とが交互に配置された積層構造を有する封止膜を備えた表示装置が開示されている。
特開２０１４－８６４１５号公報
　ところで、上記特許文献１に開示された表示装置のように、封止膜を構成する有機膜をインクジェット法により形成する場合には、有機ＥＬ素子が設けられた表示領域の周囲の額縁領域に、有機膜となるインクを堰き止めるための堰き止め壁を設ける必要がある。ここで、額縁領域において、表示領域の周端から堰き止め壁を離せば離すほど、堰き止め壁によるインクの堰き止め可能な量が増え、堰き止め壁によるインクの堰き止め効果が高くなるものの、額縁領域の幅がその分だけ広くなってしまうので、改善の余地がある。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、額縁領域の幅の広がりを抑制して、堰き止め壁によるインクの堰き止め効果を高めることにある。
　上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、ベース基板と、上記ベース基板上に設けられ、少なくとも一層の無機絶縁膜及び平坦化膜が順に積層されたＴＦＴ層と、上記ＴＦＴ層上に設けられ、表示領域を構成する発光素子と、上記発光素子を覆うように設けられ、第１無機膜、有機膜及び第２無機膜が順に積層された封止膜と、上記表示領域の周囲の額縁領域に設けられ、上記表示領域を囲むと共に、上記有機膜の周端部に重なる第１堰き止め壁とを備えた表示装置であって、上記表示領域と上記第１堰き止め壁との間の少なくとも一部において、上記少なくとも一層の無機絶縁膜には、上方に開口する第１開口部が設けられ、上記有機膜は、上記第１開口部の内部を埋めるように設けられていることを特徴とする。
　本発明によれば、表示領域と第１堰き止め壁との間の少なくとも一部において、ＴＦＴ層を構成する少なくとも一層の無機絶縁膜には、上方に開口する第１開口部が設けられ、封止膜を構成する有機膜が第１開口部の内部を埋めるように設けられているので、額縁領域の幅の広がりを抑制して、第１堰き止め壁によるインクの堰き止め効果を高めることができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の平面図である。 図３は、図１中のIII－III線に沿った有機ＥＬ表示装置の断面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成するＴＦＴ層を示す等価回路図である。 図５は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ層を示す断面図である。 図６は、図１中のVI－VI線に沿った有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図である。 図７は、図１中のVII－VII線に沿った有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図である。 図８は、図１中のVIII－VIII線に沿った有機ＥＬ表示装置の額縁領域の折り曲げ部の断面図である。 図９は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の断面図であり、図７に相当する図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
　《第１の実施形態》
　図１～図８は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの概略構成を示す平面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの平面図である。また、図３は、図１中のIII－III線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ａの断面図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成するＴＦＴ層２０ａを示す等価回路図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ層２３を示す断面図である。また、図６、図７及び図８は、図１中のVI－VI線、VII－VII線及びVIII－VIII線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ａの額縁領域Ｆ、額縁領域Ｆ及び額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂの断面図である。
　有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、例えば、矩形状に設けられた画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。なお、本実施形態では、矩形状の表示領域Ｄを例示したが、表示領域Ｄは、例えば、辺が円弧状になった形状や角部が円弧状になった形状等の略矩形状であってもよい。また、表示領域Ｄと額縁領域Ｆとは、相似形でなくてもよい。
　表示領域Ｄには、図２に示すように、複数のサブ画素Ｐがマトリクス状に配列されている。また、表示領域Ｄでは、図２に示すように、例えば、赤色の表示を行うための赤色発光領域Ｌｒを有するサブ画素Ｐ、緑色の表示を行うための緑色発光領域Ｌｇを有するサブ画素Ｐ、及び青色の表示を行うための青色発光領域Ｌｂを有するサブ画素Ｐが互いに隣り合うように設けられている。なお、表示領域Ｄでは、例えば、赤色発光領域Ｌｒ、緑色発光領域Ｌｇ及び青色発光領域Ｌｂを有する隣り合う３つのサブ画素Ｐにより、１つの画素が構成されている。
　額縁領域Ｆの図１中右端部には、複数の端子Ｅを有する端子部Ｔが設けられている。また、額縁領域Ｆにおいて、図１に示すように、表示領域Ｄ及び端子部Ｔの間には、図中縦方向を折り曲げの軸として、例えば、１８０°に（Ｕ字状に）折り曲げ可能な折り曲げ部Ｂが一方向（図中縦方向）に延びるように設けられている。また、額縁領域Ｆにおいて、後述する第２平坦化膜１９ａには、図１、図３及び図６に示すように、略Ｃ状のトレンチＧが第２平坦化膜１９ａを貫通するように設けられている。ここで、トレンチＧは、図１に示すように、平面視で端子部Ｔ側が開口するように略Ｃ字状に設けられている。なお、本実施形態では、額縁領域Ｆに折り曲げ部Ｂが設けられた構成を例示したが、折り曲げ部は、省略されていてもよい。この場合には、表示領域Ｄに設けられた表示用配線（後述するゲート線１４、ソース線１８ｆ等）がそれに対応する端子部Ｔの端子Ｅに電気的に直接接続されていてもよい。
　有機ＥＬ表示装置５０ａは、図３に示すように、ベース基板として設けられた樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ（thin film transistor）層２０ａと、ＴＦＴ層２０ａ上に表示領域Ｄを構成する発光素子として設けられた有機ＥＬ素子２５と、有機ＥＬ素子２５を覆うように設けられた封止膜３０とを備えている。
　樹脂基板層１０は、例えば、ポリイミド樹脂等により構成されている。
　ＴＦＴ層２０ａは、図３に示すように、樹脂基板層１０上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ９ａ、複数の第２ＴＦＴ９ｂ及び複数のキャパシタ９ｃと、各第１ＴＦＴ９ａ、各第２ＴＦＴ９ｂ及び各キャパシタ９ｃ上に設けられた第２平坦化膜１９ａとを備えている。なお、第１平坦化膜８は、後述するように、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂに設けられている。ここで、ＴＦＴ層２０ａでは、図２及び図４に示すように、図中横方向に互いに平行に延びるように複数のゲート線１４が設けられている。また、ＴＦＴ層２０ａでは、図２及び図４に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数のソース線１８ｆが設けられている。また、ＴＦＴ層２０ａでは、図２及び図４に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数の電源線１８ｇが設けられている。なお、各電源線１８ｇは、図２に示すように、各ソース線１８ｆと隣り合うように設けられている。また、ＴＦＴ層２０ａでは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及びキャパシタ９ｃがそれぞれ設けられている。
　ベースコート膜１１は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
　第１ＴＦＴ９ａは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応するゲート線１４及びソース線１８ｆに接続されている。また、第１ＴＦＴ９ａは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に順に設けられた半導体層１２ａ、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４ａ、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７、並びにソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂを備えている。ここで、半導体層１２ａは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられ、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有している。また、ゲート絶縁膜１３は、図３に示すように、半導体層１２ａを覆うように設けられている。また、ゲート電極１４ａは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ａのチャネル領域と重なるように設けられている。また、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、図３に示すように、ゲート電極１４ａを覆うように順に設けられている。また、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７上に互いに離間するように設けられている。また、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ａのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ接続されている。なお、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
　第２ＴＦＴ９ｂは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに接続されている。また、第１ＴＦＴ９ｂは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に順に設けられた半導体層１２ｂ、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４ｂ、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７、並びにソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄを備えている。ここで、半導体層１２ｂは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられ、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有している。また、ゲート絶縁膜１３は、図３に示すように、半導体層１２ｂを覆うように設けられている。また、ゲート電極１４ｂは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ｂのチャネル領域と重なるように設けられている。また、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、図３に示すように、ゲート電極１４ｂを覆うように順に設けられている。また、ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７上に互いに離間するように設けられている。また、ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ｂのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ接続されている。
　なお、本実施形態では、トップゲート型の第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを例示したが、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂは、ボトムゲート型のＴＦＴであってもよい。
　キャパシタ９ｃは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに接続されている。ここで、キャパシタ９ｃは、図３に示すように、ゲート電極１４ａ及び１４ｂと同一材料により同一層に形成された下部導電層１４ｃと、下部導電層１４ｃを覆うように設けられた第１層間絶縁膜１５と、第１層間絶縁膜１５上に下部導電層１４ｃと重なるように設けられた上部導電層１６とを備えている。なお、上部導電層１６は、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールを介して電源線１８ｇに電気的に接続されている。
　第２平坦化膜１９ａは、表示領域Ｄにおいて平坦な表面を有し、例えば、ポリイミド樹脂等の有機樹脂材料により構成されている。
　有機ＥＬ素子２５は、図３に示すように、第２平坦化膜１９ａ上に順に設けられた複数の第１電極２１ａ、エッジカバー２２ａ、複数の有機ＥＬ層２３及び第２電極２４を備えている。
　複数の第１電極２１ａは、図３に示すように、複数のサブ画素Ｐに対応するように、第２平坦化膜１９ａ上にマトリクス状にそれぞれ画素電極として設けられている。また、各第１電極２１ａは、図３に示すように、第２平坦化膜１９ａに形成されたコンタクトホールを介して、各第２ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１８ｄに接続されている。また、第１電極２１ａは、有機ＥＬ層２３にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極２１ａは、有機ＥＬ層２３への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第１電極２１ａを構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、イリジウム（Ｉｒ）、スズ（Ｓｎ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極２１ａを構成する材料は、例えば、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極２１ａを構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極２１ａは、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな化合物材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
　エッジカバー２２ａは、図３に示すように、各第１電極２１ａの周縁部を覆うように格子状に設けられている。ここで、エッジカバー２２ａを構成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等の有機膜が挙げられる。また、エッジカバー２２ａの表面の一部は、図３に示すように、上方に突出して、島状に設けられた画素フォトスペーサＣになっている。
　複数の有機ＥＬ層２３は、図３に示すように、各第１電極２１ａ上に配置され、複数のサブ画素Ｐに対応するように、マトリクス状に設けられている。ここで、各有機ＥＬ層２３は、図５に示すように、第１電極２１ａ上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
　正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極２１ａと有機ＥＬ層２３とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極２１ａから有機ＥＬ層２３への正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。
　正孔輸送層２は、第１電極２１ａから有機ＥＬ層２３への正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
　発光層３は、第１電極２１ａ及び第２電極２４による電圧印加の際に、第１電極２１ａ及び第２電極２４から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
　電子輸送層４は、電子を発光層３まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
　電子注入層５は、第２電極２４と有機ＥＬ層２３とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極２４から有機ＥＬ層２３へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子２５の駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
　第２電極２４は、図３に示すように、各有機ＥＬ層２３及びエッジカバー２２ａを覆うように共通電極として設けられている。また、第２電極２４は、有機ＥＬ層２３に電子を注入する機能を有している。また、第２電極２４は、有機ＥＬ層２３への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。ここで、第２電極２４を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極２４は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極２４は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極２４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
　封止膜３０は、図３に示すように、第２電極２４を覆うように設けられた第１無機膜２６と、第１無機膜２６上に設けられた有機膜２７と、有機膜２７を覆うように設けられた第２無機膜２８とを備え、有機ＥＬ層２３を水分や酸素等から保護する機能を有している。ここで、第１無機膜２６及び第２無機膜２８は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）等の無機材料により構成されている。また、有機膜２７は、例えば、アクリル樹脂、ポリ尿素樹脂、パリレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂等の有機材料により構成されている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１、図６及び図７に示すように、額縁領域Ｆにおいて、表示領域Ｄを囲むと共に、封止膜３０の有機膜２７の周端部に重なるように枠状に設けられた第１堰き止め壁Ｗａと、第１堰き止め壁Ｗａの周囲に枠状に設けられた第２堰き止め壁Ｗｂとを備えている。
　第１堰き止め壁Ｗａは、図６及び図７に示すように、第２平坦化膜１９ａと同一層に同一材料により形成された下層樹脂層１９ｂと、下層樹脂層１９ｂ上に（後述する導電層２１ｂを介して）設けられ、エッジカバー２２ａと同一層に同一材料により形成された上層樹脂層２２ｃとを備えている。ここで、表示領域Ｄと第１堰き止め壁Ｗａとの間において、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７には、図６及び図７に示すように、上方に開口する第１開口部Ｍａが枠状に設けられている。そして、封止膜３０の有機膜２７は、第１開口部Ｍａの内部を埋めるように設けられている。なお、本実施形態では、枠状に設けられた第１開口部Ｍａを例示したが、第１開口部Ｍａは、表示領域Ｄと第１堰き止め壁Ｗａとの間の少なくとも一部に設けられていればよい。また、本実施形態では、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に第１開口部Ｍａが設けられた構成を例示したが、第１開口部Ｍａは、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜、又は第２層間絶縁膜１７に設けられていてもよい。
　第２堰き止め壁Ｗｂは、図６及び図７に示すように、第２平坦化膜１９ａと同一層に同一材料により形成された下層樹脂層１９ｃと、下層樹脂層１９ｃ上に（導電層２１ｂを介して）設けられ、エッジカバー２２ａと同一層に同一材料により形成された上層樹脂層２２ｄとを備えている。ここで、第１堰き止め壁Ｗａと第２堰き止め壁Ｗｂとの間において、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７には、図６及び図７に示すように、上方に開口する第２開口部Ｍｂが枠状に設けられている。なお、本実施形態では、枠状に設けられた第２開口部Ｍｂを例示したが、第２開口部Ｍｂは、第１堰き止め壁Ｗａと第２堰き止め壁Ｗｂとの間の少なくとも一部に設けられていればよい。また、本実施形態では、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に第２開口部Ｍｂが設けられた構成を例示したが、第２開口部Ｍｂは、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜、又は第２層間絶縁膜１７に設けられていてもよい。
　第１開口部Ｍａ及び第２開口部Ｍｂは、図６及び図７に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７からベースコート膜１１を露出させるように設けられている。ここで、ベースコート膜１１は、第１開口部Ｍａ及び第２開口部Ｍｂにおいて、封止膜３０の第１無機膜２６に接している。なお、図６及び図７では、第１開口部Ｍａ及び第２開口部Ｍｂにおいて、ベースコート膜１１と第１無機膜２６との間に後述する額縁配線１８ｈ、導電層２１ｂ及び引き回し配線１８ｉが設けられているが、額縁配線１８ｈ、導電層２１ｂ及び引き回し配線１８ｉが配置されていない領域では、ベースコート膜１１と第１無機膜２６とが接している。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図６に示すように、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの外側に平面視で略Ｃ状に設けられた額縁配線１８ｈを備えている。ここで、額縁配線１８ｈは、折り曲げ部Ｂに設けられた後述する引き回し配線１８ｊ等を介して端子部Ｔの端子Ｅに接続され、端子部Ｔにおいて、低電源電圧が入力されると共に、図６に示すように、導電層２１ｂに電気的に接続されている。そして、導電層２１ｂは、図６に示すように、トレンチＧを介して第２電極２４に電気的に接続されている。なお、額縁配線１８ｈは、ソース線１８ｆと同一層に同一材料により形成されている。また、導電層２１ｂは、第１電極２１ａと同一層に同一材料により形成されている。また、トレンチＧの内側には、折り曲げ部Ｂに設けられた引き回し配線１８ｊ等を介して端子部Ｔの端子Ｅに接続され、端子部Ｔにおいて、高電源電圧が入力されると共に、額縁領域Ｆの表示領域Ｄ側において、各電源線１８ｇに電気的に接続された他の額縁配線（不図示）が設けられている。また、トレンチＧの両側には、ゲートドライバを構成するＴＦＴ等が設けられている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図３及び図６に示すように、額縁領域Ｆにおいて、表示領域Ｄ及び第１堰き止め壁Ｗａの間で上方に突出するように島状に設けられた複数の周辺フォトスペーサ２２ｂを備えている。なお、周辺フォトスペーサ２２ｂは、エッジカバー２２ａと同一層に同一材料により形成されている。ここで、周辺フォトスペーサ２２ｂの樹脂基板層１０からの高さは、画素フォトスペーサＣの樹脂基板層１０からの高さと等しく、図６に示すように、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂの樹脂基板層１０からの高さよりも高くなっている。なお、第１堰き止め壁Ｗａの樹脂基板層１０からの高さは、図６に示すように、第２堰き止め壁Ｗｂの樹脂基板層１０からの高さよりも低くなっている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図７に示すように、端子部Ｔに対向する額縁領域Ｆの一辺（端子部Ｔに近い図１中の右辺）において、第１開口部Ｍａ及び第２開口部Ｍｂと直交する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数の引き回し配線１８ｉを備えている。ここで、複数の引き回し配線１８ｉは、複数のソース線１８ｆにそれぞれ電気的に接続されている。また、複数の引き回し配線１８ｉは、図７に示すように、端子部Ｔに対向する第１開口部Ｍａ及び第２開口部Ｍｂの一辺において、ベースコート膜１１及び第１無機膜２６に接している。また、各引き回し配線１８ｉは、折り曲げ部Ｂに設けられた引き回し配線１８ｊ等を介して端子部Ｔの端子Ｅに接続されている。すなわち、各ソース線１８ｆと各ソース線１８ｆに対応する端子Ｅとは、引き回し配線１８ｉを介して電気的に接続されている。なお、引き回し配線１８ｉは、ソース線１８ｆ等と同一層に同一材料により形成されている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図８に示すように、折り曲げ部Ｂにおいて、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に形成されたスリットＳを埋めるように設けられた第１平坦化膜８と、第１平坦化膜８及び第２層間絶縁膜１７上に設けられた複数の引き回し配線１８ｊと、各引き回し配線１８ｊを覆うように設けられた配線被覆層１９ｄとを備えている。
　スリットＳは、図８に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７を貫通して、ベースコート膜１１の上面を露出させるように、折り曲げ部Ｂの延びる方向に沿って突き抜ける溝状に設けられている。
　第１平坦化膜８は、例えば、ポリイミド樹脂等の有機樹脂材料により構成されている。
　複数の引き回し配線１８ｊは、折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられている。ここで、各引き回し配線１８ｊの両端部は、図８に示すように、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して第１ゲート導電層１４ｃ及び第２ゲート導電層１４ｄにそれぞれ電気的に接続されている。なお、引き回し配線１８ｊは、ソース線１８ｆ等と同一層に同一材料により形成されている。また、第１ゲート導電層１４ｃは、図８に示すように、ゲート絶縁膜１３及び第１層間絶縁膜１５の間に設けられ、表示領域Ｄに延びる信号配線（ゲート線１４、ソース線１８ｆ、電源線１８ｇ等）に引き回し配線１８ｉ等を介して電気的に接続されている。また、第２ゲート導電層１４ｄは、図８に示すように、ゲート絶縁膜１３及び第１層間絶縁膜１５の間に設けられ、端子部Ｔの端子Ｅに電気的に接続されるように、端子部Ｔに延びている。また、配線被覆層１９ｄは、第２平坦化膜１９ａと同一層に同一材料により形成されている。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０ａは、各サブ画素Ｐにおいて、ゲート線１４を介して第１ＴＦＴ９ａにゲート信号を入力することにより、第１ＴＦＴ９ａをオン状態にし、ソース線１８ｆを介して第２ＴＦＴ９ｂのゲート電極１４ｂ及びキャパシタ９ｃにソース信号に対応する所定の電圧を書き込み、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧に基づいて規定された電源線１８ｇからの電流が有機ＥＬ層２３に供給されることにより、有機ＥＬ層２３の発光層３が発光して、画像表示を行うように構成されている。なお、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、第１ＴＦＴ９ａがオフ状態になっても、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧がキャパシタ９ｃによって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまで発光層３による発光が維持される。
　次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法について説明する。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法は、開口部形成工程を含むＴＦＴ層形成工程と、有機ＥＬ素子形成工程と、封止膜形成工程とを備える。
　＜ＴＦＴ層形成工程＞
　例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板層１０の表面に、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、キャパシタ９ｃ、及び第２平坦化膜１９ａを形成して、ＴＦＴ層２０ａを形成する。
　ここで、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを形成する際には、ソース線１８ｆ等を形成する前に、額縁領域Ｆにおいて、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜をドライエッチングにより除去して、第１開口部Ｍａ、第２開口部Ｍｂ及びスリットＳを形成した後、スリットＳを埋めるように第１平坦化膜８を形成する。その後、ソース線１８ｆ等を形成する際に、額縁配線１８ｈ、引き回し配線１８ｉ及び１８ｊを同時に形成し、第２平坦化膜１９ａを形成する際に、下層樹脂層１９ｂ及び１９ｃ並びに配線被覆層１９ｄを同時に形成する。
　＜有機ＥＬ素子形成工程＞
　上記ＴＦＴ層形成工程で形成されたＴＦＴ層２０ａの第２平坦化膜１９ａ上に、周知の方法を用いて、第１電極２１ａ、エッジカバー２２ａ、有機ＥＬ層２３（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、電子注入層５）及び第２電極２４を形成して、有機ＥＬ素子２５を形成する。ここで、第１電極２１ａを形成する際には、導電層２１ｂを同時に形成し、エッジカバー２２ａ（画素フォトスペーサＣを含む）を形成する際には、周辺フォトスペーサ２２ｂ、並びに上層樹脂層２２ｃ及び２２ｄをハーフトーンマスクやグレートーンマスク等の多階調マスクを用いた多階調の露光により同時に形成する。
　＜封止膜形成工程＞
　まず、上記有機ＥＬ素子形成工程で形成された有機ＥＬ素子２５が形成された基板表面に、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ（chemical vapor deposition）法により成膜して、第１無機膜２６を形成する。
　続いて、第１無機膜２６が形成された基板表面に、例えば、インクジェット法により、アクリル樹脂等の有機樹脂材料を成膜して、有機膜２７を形成する。
　さらに、有機膜２７が形成された基板に対して、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により成膜して、第２無機膜２８を形成することにより、封止膜３０を形成する。
　最後に、封止膜３０が形成された基板表面に保護シート（不図示）を貼付した後に、樹脂基板層１０のガラス基板側からレーザー光を照射することにより、樹脂基板層１０の下面からガラス基板を剥離させ、さらに、ガラス基板を剥離させた樹脂基板層１０の下面に保護シート（不図示）を貼付する。
　以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａを製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａ及びその製造方法によれば、表示領域Ｄと第１堰き止め壁Ｗａとの間において、ＴＦＴ層２０ａを構成するゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７には、上方に開口する第１開口部Ｍａが設けられ、封止膜３０を構成する有機膜２７が第１開口部Ｍａの内部を埋めるように設けられている。これにより、第１堰き止め壁Ｗａによる有機膜２７となるインクの堰き止め可能な量が第１開口部Ｍａの容積分だけ増えるので、額縁領域Ｆの幅の広がりを抑制して、第１堰き止め壁Ｗａによるインクの堰き止め効果を高めることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａ及びその製造方法によれば、第１堰き止め壁Ｗａと第２堰き止め壁Ｗｂとの間において、ＴＦＴ層２０ａを構成するゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７には、上方に開口する第２開口部Ｍｂが設けられている。これにより、第２堰き止め壁Ｗｂによる有機膜２７となるインクの堰き止め可能な量が第２開口部Ｍｂの容積分だけ増えるので、第２堰き止め壁Ｗｂによるインクの堰き止め効果を高めることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａ及びその製造方法によれば、第１開口部Ｍａ及び第２開口部Ｍｂが設けられているので、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂの各高さを周辺フォトスペーサ２２ｂ及び画素フォトスペーサＣの各高さよりも低くした場合であっても、第１開口部Ｍａ及び第２開口部Ｍｂによるインクの堰き止め効果を確保することができる。これにより、第１開口部Ｍａ及び第２開口部Ｍｂによるインクの堰き止め効果を確保して、周辺フォトスペーサ２２ｂ及び画素フォトスペーサＣの高さを低くすることができるので、蒸着精度、すなわち、発光層３等の形成精度を容易に向上させることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａ及びその製造方法によれば、発光層３等を形成する際に蒸着マスクが当接される周辺フォトスペーサ２２ｂ及び画素フォトスペーサＣよりも第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂが低いので、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂと蒸着マスクとの接触が抑制され、その接触による異物等の発生を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａ及びその製造方法によれば、第１開口部Ｍａ及び第２開口部Ｍｂがベースコート膜１１を露出させるように設けられ、ベースコート膜１１が第１開口部Ｍａ及び第２開口部Ｍｂにおいて、封止膜３０の第１無機膜２６に接している。これにより、第１開口部Ｍａ及び第２開口部Ｍｂにおける封止膜３０による封止性能を確保することができるので、有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制することができる。
　《第２の実施形態》
　図９は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第２の実施形態を示している。ここで、図９は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの断面図であり、図７に相当する図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図８と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
　上記第１の実施形態では、第１開口部Ｍａ及び第２開口部Ｍｂが表示領域Ｄの周囲の四辺に設けられた有機ＥＬ表示装置５０ａを例示したが、第１開口部Ｍａ及び第２開口部Ｍｂが表示領域Ｄの周囲の三辺に設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｂを例示する。
　有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｂは、図９に示すように、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ層２０ｂと、ＴＦＴ層２０ｂ上に設けられ、表示領域Ｄを構成する有機ＥＬ素子２５（図３参照）と、有機ＥＬ素子２５を覆うように設けられた封止膜３０とを備えている。
　ＴＦＴ層２０ｂは、図９に示すように、樹脂基板層１０上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ９ａ（図３参照）、複数の第２ＴＦＴ９ｂ（図３参照）及び複数のキャパシタ９ｃ（図３参照）と、各第１ＴＦＴ９ａ、各第２ＴＦＴ９ｂ及び各キャパシタ９ｃ上に設けられた第２平坦化膜１９ａとを備えている。ここで、ＴＦＴ層２０ｂの表示領域Ｄの構造は、上記第１の実施形態のＴＦＴ層２０ａの表示領域Ｄの構造と実質的に同じである。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ｂは、図９に示すように、額縁領域Ｆにおいて、表示領域Ｄを囲むと共に、封止膜３０の有機膜２７の周端部に重なるように枠状に設けられた第１堰き止め壁Ｗａと、第１堰き止め壁Ｗａの周囲に枠状に設けられた第２堰き止め壁Ｗｂとを備えている。
　表示領域Ｄと第１堰き止め壁Ｗａとの間のうち、端子部Ｔに対向しない他の辺（三辺）において、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７には、第１開口部Ｍａ及び第２開口部Ｍｂが設けられている（図６参照）。そして、封止膜３０の有機膜２７は、三辺の第１開口部Ｍａの内部を埋めるように設けられている（図６参照）。また、表示領域Ｄと第１堰き止め壁Ｗａとの間のうち、端子部Ｔに対向する一辺において、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７には、図９に示すように、第１開口部Ｍａ及び第２開口部Ｍｂが設けられていない。ここで、端子部Ｔに対向する一辺では、図９に示すように、表示領域Ｄと第１堰き止め壁Ｗａとの間、及び第１堰き止め壁Ｗａと第２堰き止め壁Ｗｂとの間において、第２層間絶縁膜１７が第１無機膜２６に接している。また、端子部Ｔに対向する額縁領域Ｆの一辺における表示領域Ｄと第１堰き止め壁Ｗａとの間の距離Ｈｂ（図９参照）は、端子部Ｔに対向しない額縁領域Ｆの三辺における表示領域Ｄと第１堰き止め壁Ｗａとの間の距離Ｈａ（図６参照）よりも長くなっている。なお、本実施形態では、端子部Ｔに対向する額縁領域Ｆの一辺における表示領域Ｄ及び上記第１堰き止め壁Ｗａの距離Ｈｂが端子部Ｔに対向しない額縁領域Ｆの三辺における表示領域Ｄ及び第１堰き止め壁Ｗａの距離Ｈａよりも長く形成された構成を例示したが、距離Ｈｂは、距離Ｈａと同じであってもよい。但し、本実施形態のように、距離Ｈｂを距離Ｈａよりも長くする方が、表示領域Ｄと第１堰き止め壁Ｗａとの間でのインク堰き止め量（充填量）を増やすことができるので、好ましい。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ｂは、図９に示すように、端子部Ｔに対向する額縁領域Ｆの一辺において、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂと直交する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数の引き回し配線１４ｅを備えている。ここで、複数の引き回し配線１４ｅは、複数のソース線１８ｆにそれぞれ電気的に接続されている。また、各引き回し配線１４ｅは、折り曲げ部Ｂに設けられた引き回し配線１８ｊ等を介して端子部Ｔの端子Ｅに接続されている。すなわち、各ソース線１８ｆと各ソース線１８ｆに対応する端子Ｅとは、引き回し配線１４ｅを介して電気的に接続されている。なお、引き回し配線１４ｅは、ゲート線１４等と同一層に同一材料により形成されている。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを介して有機ＥＬ層２３の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態で説明した有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法において、第１開口部Ｍａ及び第２開口部Ｍｂのパターン形状を変更し、ソース線１８ｆと同時に形成した引き回し配線１８ｉの代わりに、引き回し配線１４ｅをゲート線１４と同時に形成することにより、製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂ及びその製造方法によれば、表示領域Ｄと第１堰き止め壁Ｗａとの間において、ＴＦＴ層２０ｂを構成するゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７には、上方に開口する第１開口部Ｍａが設けられ、封止膜３０を構成する有機膜２７が第１開口部Ｍａの内部を埋めるように設けられている。これにより、第１堰き止め壁Ｗａによる有機膜２７となるインクの堰き止め可能な量が第１開口部Ｍａの容積分だけ増えるので、額縁領域Ｆの幅の広がりを抑制して、第１堰き止め壁Ｗａによるインクの堰き止め効果を高めることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂ及びその製造方法によれば、第１堰き止め壁Ｗａと第２堰き止め壁Ｗｂとの間において、ＴＦＴ層２０ｂを構成するゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７には、上方に開口する第２開口部Ｍｂが設けられている。これにより、第２堰き止め壁Ｗｂによる有機膜２７となるインクの堰き止め可能な量が第２開口部Ｍｂの容積分だけ増えるので、第２堰き止め壁Ｗｂによるインクの堰き止め効果を高めることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂ及びその製造方法によれば、第１開口部Ｍａ及び第２開口部Ｍｂが設けられているので、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂの各高さを周辺フォトスペーサ２２ｂ及び画素フォトスペーサＣの各高さよりも低くした場合であっても、第１開口部Ｍａ及び第２開口部Ｍｂによるインクの堰き止め効果を確保することができる。これにより、第１開口部Ｍａ及び第２開口部Ｍｂによるインクの堰き止め効果を確保して、周辺フォトスペーサ２２ｂ及び画素フォトスペーサＣの高さを低くすることができるので、蒸着精度、すなわち、発光層３等の形成精度を容易に向上させることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂ及びその製造方法によれば、発光層３等を形成する際に蒸着マスクが当接される周辺フォトスペーサ２２ｂ及び画素フォトスペーサＣよりも第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂが低いので、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂと蒸着マスクとの接触が抑制され、その接触による異物等の発生を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂ及びその製造方法によれば、第１開口部Ｍａ及び第２開口部Ｍｂがベースコート膜１１を露出させるように設けられ、ベースコート膜１１が第１開口部Ｍａ及び第２開口部Ｍｂにおいて、封止膜３０の第１無機膜２６に接している。これにより、第１開口部Ｍａ及び第２開口部Ｍｂにおける封止膜３０による封止性能を確保することができるので、有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂ及びその製造方法によれば、端子部Ｔに対向する額縁領域Ｆの一辺における表示領域Ｄ及び上記第１堰き止め壁Ｗａの距離Ｈｂが端子部Ｔに対向しない額縁領域Ｆの三辺における表示領域Ｄ及び第１堰き止め壁Ｗａの距離Ｈａよりも長くなっている。これにより、端子部Ｔに対向する額縁領域Ｆの一辺において、ＴＦＴ層２０ｂを構成するゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に第１開口部Ｍａ及び第２開口部Ｍｂが設けられていなくても、表示領域Ｄ及び第１堰き止め壁Ｗａの距離が長くなった分だけ、第１堰き止め壁Ｗａによるインクの堰き止め可能な量を増やすことができる。
　《その他の実施形態》
　上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
　また、上記各実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本発明は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置に適用することができる。例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）を備えた表示装置に適用することができる。
　以上説明したように、本発明は、フレキシブルな表示装置について有用である。
Ｂ　　　　折り曲げ部
Ｃ　　　　画素フォトスペーサ
Ｄ　　　　表示領域
Ｅ　　　　端子
Ｆ　　　　額縁領域
Ｍａ　　　第１開口部
Ｍｂ　　　第２開口部
Ｓ　　　　スリット
Ｔ　　　　端子部
Ｗａ　　　第１堰き止め壁
Ｗｂ　　　第２堰き止め壁
１０　　　樹脂基板層（ベース基板）
１１　　　ベースコート膜（無機絶縁膜）
１３　　　ゲート絶縁膜（無機絶縁膜）
１４　　　ゲート線
１４ｅ　　引き回し配線
１５　　　第１層間絶縁膜（無機絶縁膜）
１７　　　第２層間絶縁膜（無機絶縁膜）
１８ｆ　　ソース線
１８ｉ　　引き回し配線
１９ａ，１９ｘ　　第２平坦化膜
２０ａ，２０ｂ　　ＴＦＴ層
２１　　　第１電極（画素電極）
２２ａ　　エッジカバー
２２ｂ　　周辺フォトスペーサ
２５　　　有機ＥＬ素子（発光素子）
２６　　　第１無機膜
２７　　　有機膜
２８　　　第２無機膜
３０　　　封止膜
５０ａ，５０ｂ　　有機ＥＬ表示装置

Claims (22)

  1. 　ベース基板と、
    　上記ベース基板上に設けられ、少なくとも一層の無機絶縁膜及び平坦化膜が順に積層されたＴＦＴ層と、
    　上記ＴＦＴ層上に設けられ、表示領域を構成する発光素子と、
    　上記発光素子を覆うように設けられ、第１無機膜、有機膜及び第２無機膜が順に積層された封止膜と、
    　上記表示領域の周囲の額縁領域に設けられ、上記表示領域を囲むと共に、上記有機膜の周端部に重なる第１堰き止め壁とを備えた表示装置であって、
    　上記表示領域と上記第１堰き止め壁との間の少なくとも一部において、上記少なくとも一層の無機絶縁膜には、上方に開口する第１開口部が設けられ、
    　上記有機膜は、上記第１開口部の内部を埋めるように設けられていることを特徴とする表示装置。
  2. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　上記第１堰き止め壁の周囲には、第２堰き止め壁が設けられ、
    　上記第１堰き止め壁と上記第２堰き止め壁との間の少なくとも一部において、上記少なくとも一層の無機絶縁膜には、上方に開口する第２開口部が設けられていることを特徴とする表示装置。
  3. 　請求項２に記載された表示装置において、
    　上記少なくとも一層の無機絶縁膜は、上記ベース基板上に設けられたベースコート膜を含み、
    　上記第１開口部及び上記第２開口部は、上記ベースコート膜を露出させるように設けられ、
    　上記ベースコート膜は、上記第１開口部及び上記第２開口部において、上記第１無機膜に接していることを特徴とする表示装置。
  4. 　請求項２又は３に記載された表示装置において、
    　上記表示領域は、矩形状に設けられ、
    　上記額縁領域の端部には、複数の端子を有する端子部が設けられ、
    　上記端子部に対向する上記額縁領域の一辺では、上記表示領域及び上記第１堰き止め壁の間、並びに上記第１堰き止め壁及び第２堰き止め壁の間において、上記少なくとも一層の無機絶縁膜が上記第１無機膜に接していることを特徴とする表示装置。
  5. 　請求項４に記載された表示装置において、
    　上記ＴＦＴ層は、上記表示領域において互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線と、該複数のゲート線と上記少なくとも一層の無機絶縁膜を介して交差するように上記表示領域において互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線とを備え、
    　上記各ソース線と該各ソース線に対応する上記端子とは、上記端子部に対向する上記額縁領域の一辺において上記ゲート線と同一層に同一材料により形成された引き回し配線を介して電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
  6. 　請求項４又は５に記載された表示装置において、
    　上記端子部に対向する上記額縁領域の一辺における上記表示領域と上記第１堰き止め壁との間の距離は、上記端子部に対向しない上記額縁領域の他の辺における上記表示領域と上記第１堰き止め壁との間の距離よりも長くなっていることを特徴とする表示装置。
  7. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　上記第１開口部は、上記表示領域を囲むように枠状に設けられていることを特徴とする表示装置。
  8. 　請求項７に記載された表示装置において、
    　上記表示領域は、矩形状に設けられ、
    　上記額縁領域の端部には、複数の端子を有する端子部が設けられ、
    　上記ＴＦＴ層は、上記表示領域において互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線と、該複数のゲート線と上記少なくとも一層の無機絶縁膜を介して交差するように上記表示領域において互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線とを備え、
    　上記各ソース線と該各ソース線に対応する上記端子とは、上記端子部に対向する上記第１開口部の一辺において上記ソース線と同一層に同一材料により形成された引き回し配線を介して電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
  9. 　請求項８に記載された表示装置において、
    　上記少なくとも一層の無機絶縁膜は、上記ベース基板上に設けられたベースコート膜を含み、
    　上記第１開口部は、上記ベースコート膜を露出させるように設けられ、
    　上記引き回し配線は、上記端子部に対向する上記第１開口部の一辺において、上記ベースコート膜及び上記第１無機膜に接していることを特徴とする表示装置。
  10. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　上記表示領域及び上記第１堰き止め壁の間には、複数の周辺フォトスペーサが島状に設けられ、
    　上記周辺フォトスペーサの上記ベース基板表面からの高さは、上記第１堰き止め壁の上記ベース基板表面からの高さよりも高くなっていることを特徴とする表示装置。
  11. 　請求項１０に記載された表示装置において、
    　上記周辺フォトスペーサ及び上記第１堰き止め壁の上層側は、互いに同一層に同一材料により形成されていることを特徴とする表示装置。
  12. 　請求項１１に記載された表示装置において、
    　上記発光素子は、上記ＴＦＴ層上にマトリクス状に設けられた複数の画素電極と、該各画素電極の周端部を覆うように設けられたエッジカバーとを備え、
    　上記周辺フォトスペーサ、上記第１堰き止め壁の上層側及び上記エッジカバーは、互いに同一層に同一材料により形成されていることを特徴とする表示装置。
  13. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　上記表示領域には、複数の画素フォトスペーサが島状に設けられ、
    　上記画素フォトスペーサの上記ベース基板表面からの高さは、上記第１堰き止め壁の上記ベース基板表面からの高さよりも高くなっていることを特徴とする表示装置。
  14. 　請求項１３に記載された表示装置において、
    　上記画素フォトスペーサ及び上記第１堰き止め壁の上層側は、互いに同一層に同一材料により形成されていることを特徴とする表示装置。
  15. 　請求項１４に記載された表示装置において、
    　上記発光素子は、上記ＴＦＴ層上にマトリクス状に設けられた複数の画素電極と、該各画素電極の周端部を覆うように設けられたエッジカバーとを備え、
    　上記画素フォトスペーサ、上記第１堰き止め壁の上層側及び上記エッジカバーは、互いに同一層に同一材料により形成されていることを特徴とする表示装置。
  16. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　上記発光素子は、上記ＴＦＴ層上にマトリクス状に設けられた複数の画素電極と、該各画素電極の周端部を覆うように設けられたエッジカバーとを備え、
    　上記第１堰き止め壁の上層側は、上記エッジカバーと同一層に同一材料により形成されていることを特徴とする表示装置。
  17. 　請求項１～１６の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記少なくとも一層の無機絶縁膜は、ゲート絶縁膜を含んでいることを特徴とする表示装置。
  18. 　請求項１～１７の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする表示装置。
  19. 　ベース基板と、
    　上記ベース基板上に設けられ、少なくとも一層の無機絶縁膜及び平坦化膜が順に積層されたＴＦＴ層と、
    　上記ＴＦＴ層上に設けられ、表示領域を構成する発光素子と、
    　上記発光素子を覆うように設けられ、第１無機膜、有機膜及び第２有機膜が順に積層された封止膜と、
    　上記表示領域の周囲の額縁領域に設けられ、上記表示領域を囲むと共に、上記有機膜の周端部に重なる第１堰き止め壁とを備えた表示装置を製造する方法であって、
    　上記ベース基板上に上記ＴＦＴ層を形成した後に、上記表示領域と上記第１堰き止め壁との間の少なくとも一部において、上記少なくとも一層の無機絶縁膜に上方に開口する第１開口部を形成する開口部形成工程を備えることを特徴とする表示装置の製造方法。
  20. 　請求項１９に記載された表示装置の製造方法において、
    　上記額縁領域の端部に端子部が設けられ、
    　上記表示領域及び上記端子部の間に一方向に延びるように折り曲げ部が設けられており、
    　上記開口部形成工程では、上記折り曲げ部において、上記少なくとも一層の無機絶縁膜に上方に開口するスリットを形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
  21. 　請求項１９又は２０に記載された表示装置の製造方法において、
    　上記表示領域には、複数の画素フォトスペーサが島状に設けられ、
    　上記表示領域及び上記第１堰き止め壁の間には、複数の周辺フォトスペーサが島状に設けられており、
    　上記第１堰き止め壁の上層側、上記各画素フォトスペーサ及び上記各周辺フォトスペーサを多階調の露光により同時に形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
  22. 　請求項２１に記載された表示装置の製造方法において、
    　上記発光素子は、上記ＴＦＴ層上にマトリクス状に設けられた複数の画素電極と、該各画素電極の周端部を覆うように設けられたエッジカバーとを備えており、
    　上記エッジカバー、第１堰き止め壁の上層側、上記各画素フォトスペーサ及び上記各周辺フォトスペーサを多階調の露光により同時に形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
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