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Definitions
- Patent Document 1 discloses a flexible display device that prevents a disconnection of a wiring by removing a part of each of a buffer film, a gate insulating film, and an interlayer insulating film corresponding to a bending region by forming a bending hole. It is disclosed.
- the present invention has been made in view of such a point, and an object of the present invention is to provide redundancy to the wiring arranged in the frame region.
- a display device includes a resin substrate, a TFT layer provided on the resin substrate, a light emitting element provided on the TFT layer and constituting a display region, A frame region provided around the display region; a terminal portion provided at an end of the frame region; a bent portion provided to extend in one direction between the display region and the terminal portion; and the TFT layer At least one inorganic insulating film provided on the resin substrate and the TFT layer, and provided in the frame region so as to extend in parallel to each other in a direction intersecting with the extending direction of the bent portion.
- FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 2 is a plan view of the display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 3 is a cross-sectional view of the display region of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 4 is an equivalent circuit diagram showing a TFT layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 5 is a cross-sectional view of an organic EL layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 6 is a plan view of a frame region of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device 50a of the present embodiment.
- FIG. 2 is a plan view of the display area D of the organic EL display device 50a.
- FIG. 3 is a cross-sectional view of the display region D of the organic EL display device 50a.
- FIG. 4 is an equivalent circuit diagram showing the TFT layer 20 constituting the organic EL display device 50a.
- FIG. 5 is a cross-sectional view of the organic EL layer 23 constituting the organic EL display device 50a.
- FIG. 6 is a plan view of the frame region F of the organic EL display device 50a.
- FIG. 7 is a cross-sectional view of the frame region F of the organic EL display device 50a along the line VII-VII in FIG.
- a plurality of sub-pixels P are arranged in a matrix.
- the sub-pixel P having a red light-emitting area Lr for displaying red the sub-pixel P having a green light-emitting area Lg for displaying green
- sub-pixels P having a blue light emitting region Lb for blue display are provided adjacent to each other.
- one pixel is configured by three adjacent sub-pixels P having a red light emitting area Lr, a green light emitting area Lg, and a blue light emitting area Lb.
- the TFT layer 20 includes a base coat film 11 provided on the resin substrate layer 10, a plurality of first TFTs 9a, a plurality of second TFTs 9b, and a plurality of capacitors 9c provided on the base coat film 11.
- Each first TFT 9a, each second TFT 9b, and a second planarization film 19 provided on each capacitor 9c are provided.
- the first planarization film 8 is provided in the frame region F as will be described later.
- a plurality of gate lines 14 are provided so as to extend in parallel in the horizontal direction in the drawings.
- FIGS. 2 and 4 a plurality of gate lines 14 are provided so as to extend in parallel in the horizontal direction in the drawings.
- the first TFT 9a is connected to the corresponding gate line 14 and source line 18f in each sub-pixel P.
- the first TFT 9a includes a semiconductor layer 12a, a gate insulating film 13, a gate electrode 14a, a first interlayer insulating film 15, a second interlayer insulating film 17 and the like provided in order on the base coat film 11.
- a source electrode 18a and a drain electrode 18b are provided.
- the semiconductor layer 12a is provided in an island shape on the base coat film 11, and has a channel region, a source region, and a drain region.
- the gate insulating film 13 is provided so as to cover the semiconductor layer 12a. As shown in FIG.
- the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 are composed of a single layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride, for example. .
- the source electrode 18c and the drain electrode 18d are connected to each other through contact holes formed in the laminated film of the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17, respectively.
- the semiconductor layer 12b is connected to the source region and the drain region, respectively.
- the material constituting the first electrode 21 is, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like. There may be.
- the first electrode 21 may be formed by stacking a plurality of layers made of the above materials. Examples of the compound material having a large work function include indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO).
- Derivatives imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amine-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, hydrogenated amorphous silicon, Examples include hydrogenated amorphous silicon carbide, zinc sulfide, and zinc selenide.
- the sealing film 28 includes a first inorganic film 25 provided so as to cover the second electrode 24, an organic film 26 provided on the first inorganic film 25, and the organic film 26. And a second inorganic film 27 provided so as to cover it, and has a function of protecting the organic EL layer 23 from moisture, oxygen, and the like.
- the first inorganic film 25 and the second inorganic film 27 are, for example, silicon nitride (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), silicon nitride (Si 3 N 4 ) such as silicon nitride (Si 3 N 4 ).
- the plurality of conductive layers 21 a are each formed in a rectangular island shape, and are provided in a matrix on the second planarization film 19.
- each conductive layer 21 a is formed of the same material in the same layer as the first electrode 21.
- the respective conductive layers 21a arranged in a line in the horizontal direction in the figure are provided so as to overlap the corresponding lead wirings 18h.
- each lead wiring 18h and the corresponding conductive layer 21a are electrically connected via the first contact hole Ha and the second contact hole Hb formed in the second planarization film 19, as shown in FIGS. Connected.
- a gate signal is input to the first TFT 9a via the gate line 14, thereby turning on the first TFT 9a, and the gate electrode of the second TFT 9b via the source line 18f.
- a predetermined voltage corresponding to the source signal is written to 14b and the capacitor 9c, the magnitude of the current from the power supply line 18g is defined based on the gate voltage of the second TFT 9b, and the defined current is supplied to the organic EL layer 23.
- the light emitting layer 3 of the organic EL layer 23 emits light to display an image.
- the gate voltage of the second TFT 9b is held by the capacitor 9c. Therefore, the light emitting layer 3 emits light until the gate signal of the next frame is input. Maintained.
- the manufacturing method of the organic EL display device 50a of this embodiment includes a TFT layer forming step and an organic EL element forming step.
- FIG. 8 shows a second embodiment of the display device according to the present invention.
- FIG. 8 is a cross-sectional view of the frame region F of the organic EL display device 50b of the present embodiment, and corresponds to FIG.
- the same parts as those in FIGS. 1 to 7 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
- the organic EL display device 50b includes a display region D and a frame region F provided around the display region D, like the organic EL display device 50a of the first embodiment.
- the organic EL display device 50 b includes a resin substrate layer 10, an inorganic insulating laminated film M provided on the resin substrate layer 10, a first planarizing film 8, and a lead wiring 18 i in the frame region F. , A second planarizing film 19, a plurality of conductive layers 21a, and a resin layer 22a.
- One end (left side in the figure) of the first wiring layer 18 ia is formed through a contact hole formed in the laminated film of the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 as shown in FIG.
- One gate conductive layer 14d is electrically connected.
- the other end (right side in the figure) of the first wiring layer 18 ia is electrically connected to the corresponding conductive layer 21 a via the contact hole Hd formed in the second planarizing film 19 as shown in FIG. It is connected to the. 8 illustrates the configuration in which the first wiring layer 18ia and the conductive layer 21a are electrically connected through one contact hole Hd, but a plurality of contact holes Hd are formed to form the first wiring layer.
- 18ia and the conductive layer 21a may be electrically connected through a plurality of contact holes Hd.
- the first wiring layer 18 ia and the third wiring layer 18 ic are separated from each other at one end (left side in the drawing) of the first planarizing film 8, and the second wiring layer 18 ib and The third wiring layers 18ic are separated from each other at the other end (right side in the drawing) of the first planarizing film 8. That is, a metal layer formed of the same material in the same layer as the source electrode 18a or the like is not provided at both ends of the first planarizing film 8.
- the organic EL display device 50b of the present embodiment can be manufactured by changing the pattern shape of the lead wiring 18h in the method of manufacturing the organic EL display device 50a described in the first embodiment.
- the organic EL display device using the first electrode as an anode and the second electrode as a cathode has been exemplified.
- the present invention reverses the stacked structure of the organic EL layers and uses the first electrode as a cathode.
- the present invention can also be applied to an organic EL display device using the second electrode as an anode.
- the organic EL display device using the TFT electrode connected to the first electrode as the drain electrode has been exemplified.
- the TFT electrode connected to the first electrode is used as the source electrode. It can also be applied to an organic EL display device called.
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Abstract
折り曲げ部（Ｂ）において、少なくとも一層の無機絶縁膜（Ｍ）に樹脂基板（１０）を露出させるスリット（Ｓ）が形成され、スリット（Ｓ）を埋めるように第１平坦化膜（８）が設けられ、少なくとも一層の無機絶縁膜（Ｍ）のスリット（Ｓ）が形成された両端部及び第１平坦化膜（８）上に各配線（１８ｈ）が設けられ、各配線（１８ｈ）上に第２平坦化膜（１９）が設けられ、第２平坦化膜（１９）上に複数の導電層（２１ａ）が島状に設けられ、各配線（１８ｈ）と対応する導電層（２１ａ）とは、第２平坦化膜（１９）に形成されたコンタクトホール（Ｈａ，Ｈｂ）を介して電気的に接続されている。
Description
本発明は、表示装置に関するものである。
近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機ＥＬ（electroluminescence）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置では、可撓性を有する樹脂基板上に有機ＥＬ素子等を形成したフレキシブルな有機ＥＬ表示装置が提案されている。ここで、有機ＥＬ表示装置では、画像表示を行う矩形状の表示領域と、その表示領域の周囲に額縁領域とが設けられ、額縁領域を縮小させることが要望されている。そして、フレキシブルな有機ＥＬ表示装置では、額縁領域を折り曲げることにより、額縁領域を縮小させると、その額縁領域に配置された配線が破断するおそれがある。
例えば、特許文献１には、ベンディングホールを形成することにより、ベンディング領域に対応するバッファ膜、ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜のそれぞれ一部を除去して、配線の断線を防止するフレキシブル表示装置が開示されている。
ところで、フレキシブルな有機ＥＬ表示装置では、樹脂基板上にベースコート膜、ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜等の無機絶縁膜が設けられているので、額縁領域に配置された配線の断線を抑制するために、額縁領域の折り曲げ部における無機絶縁膜を除去して、折り曲げ部での無機絶縁膜の破断を抑制することがある。ここで、額縁領域の折り曲げ部の無機絶縁膜が除去された有機ＥＬ表示装置では、額縁領域に配置された配線の断線を抑制することができるものの、仮に、配線が断線してしまうと、有機ＥＬ表示装置が正常に動作しなくなるおそれがあるので、改善の余地がある。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、額縁領域に配置された配線に冗長性を付与することにある。
上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、樹脂基板と、上記樹脂基板上に設けられたＴＦＴ層と、上記ＴＦＴ層上に設けられ、表示領域を構成する発光素子と、上記表示領域の周囲に設けられた額縁領域と、上記額縁領域の端部に設けられた端子部と、上記表示領域及び端子部の間に一方向に延びるよう設けられた折り曲げ部と、上記ＴＦＴ層を構成し、上記樹脂基板上に設けられた少なくとも一層の無機絶縁膜と、上記ＴＦＴ層を構成し、上記額縁領域において、上記折り曲げ部の延びる方向と交差する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数の配線とを備え、上記折り曲げ部において、上記少なくとも一層の無機絶縁膜を貫通して上記樹脂基板を露出させるスリットが形成され、上記スリットを埋めるように第１平坦化膜が設けられ、上記少なくとも一層の無機絶縁膜の上記スリットが形成された両端部及び上記第１平坦化膜上に上記各配線が設けられ、上記各配線上に上記ＴＦＴ層を構成する第２平坦化膜が設けられた表示装置であって、上記第２平坦化膜上に複数の導電層が島状に設けられ、上記各配線と上記複数の導電層のうちの対応する導電層とは、上記第２平坦化膜に形成された第１コンタクトホール及び第２コンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする。
本発明によれば、各配線上に第２平坦化膜が設けられ、第２平坦化膜上に複数の導電層が島状に設けられ、各配線と複数の導電層のうちの対応する導電層とは、第２平坦化膜に形成された第１コンタクトホール及び第２コンタクトホールを介して電気的に接続されているので、額縁領域に配置された配線に冗長性を付与することができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
《第１の実施形態》
図１～図７は、本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの概略構成を示す平面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの平面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの断面図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成するＴＦＴ層２０を示す等価回路図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ層２３の断面図である。また、図６は、有機ＥＬ表示装置５０ａの額縁領域Ｆの平面図である。また、図７は、図６中のVII－VII線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ａの額縁領域Ｆの断面図である。
図１～図７は、本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの概略構成を示す平面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの平面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの断面図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成するＴＦＴ層２０を示す等価回路図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ層２３の断面図である。また、図６は、有機ＥＬ表示装置５０ａの額縁領域Ｆの平面図である。また、図７は、図６中のVII－VII線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ａの額縁領域Ｆの断面図である。
有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、例えば、矩形状に設けられた画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。
表示領域Ｄには、図２に示すように、複数のサブ画素Ｐがマトリクス状に配列されている。また、表示領域Ｄでは、図２に示すように、例えば、赤色の表示を行うための赤色発光領域Ｌｒを有するサブ画素Ｐ、緑色の表示を行うための緑色発光領域Ｌｇを有するサブ画素Ｐ、及び青色の表示を行うための青色発光領域Ｌｂを有するサブ画素Ｐが互いに隣り合うように設けられている。なお、表示領域Ｄでは、例えば、赤色発光領域Ｌｒ、緑色発光領域Ｌｇ及び青色発光領域Ｌｂを有する隣り合う３つのサブ画素Ｐにより、１つの画素が構成されている。
額縁領域Ｆの図１中右端部には、端子領域Ｔが設けられている。また、額縁領域Ｆにおいて、図１に示すように、表示領域Ｄ及び端子部Ｔの間には、図中縦方向を折り曲げの軸として１８０°に（Ｕ字状に）折り曲げ可能な折り曲げ部Ｂが一方向（図中縦方向）に延びるように設けられている。
有機ＥＬ表示装置５０ａは、図３に示すように、表示領域Ｄにおいて、樹脂基板として設けられた樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ（thin film transistor）層２０と、ＴＦＴ層２０上に表示領域Ｄを構成する発光素子として設けられた有機ＥＬ素子３０とを備えている。
樹脂基板層１０は、例えば、ポリイミド樹脂等により構成されている。
ＴＦＴ層２０は、図３に示すように、樹脂基板層１０上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ９ａ、複数の第２ＴＦＴ９ｂ及び複数のキャパシタ９ｃと、各第１ＴＦＴ９ａ、各第２ＴＦＴ９ｂ及び各キャパシタ９ｃ上に設けられた第２平坦化膜１９とを備えている。なお、第１平坦化膜８は、後述するように、額縁領域Ｆに設けられている。ここで、ＴＦＴ層２０では、図２及び図４に示すように、図中横方向に互いに平行に延びるように複数のゲート線１４が設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図２及び図４に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数のソース線１８ｆが設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図２及び図４に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数の電源線１８ｇが設けられている。なお、各電源線１８ｇは、図２に示すように、各ソース線１８ｆと隣り合うように設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及びキャパシタ９ｃがそれぞれ設けられている。
ベースコート膜１１は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
第１ＴＦＴ９ａは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応するゲート線１４及びソース線１８ｆに接続されている。また、第１ＴＦＴ９ａは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に順に設けられた半導体層１２ａ、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４ａ、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７、並びにソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂを備えている。ここで、半導体層１２ａは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられ、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有している。また、ゲート絶縁膜１３は、図３に示すように、半導体層１２ａを覆うように設けられている。また、ゲート電極１４ａは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ａのチャネル領域と重なるように設けられている。また、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、図３に示すように、ゲート電極１４ａを覆うように順に設けられている。また、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７上に互いに離間するように設けられている。また、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ａのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ接続されている。なお、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
第２ＴＦＴ９ｂは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに接続されている。また、第１ＴＦＴ９ｂは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に順に設けられた半導体層１２ｂ、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４ｂ、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７、並びにソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄを備えている。ここで、半導体層１２ｂは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられ、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有している。また、ゲート絶縁膜１３は、図３に示すように、半導体層１２ｂを覆うように設けられている。また、ゲート電極１４ｂは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ｂのチャネル領域と重なるように設けられている。また、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、図３に示すように、ゲート電極１４ｂを覆うように順に設けられている。また、ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７上に互いに離間するように設けられている。また、ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ｂのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ接続されている。
なお、本実施形態では、トップゲート型の第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを例示したが、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂは、ボトムゲート型のＴＦＴであってもよい。
キャパシタ９ｃは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに接続されている。ここで、キャパシタ９ｃは、図３に示すように、ゲート電極１４ａ及び１４ｂと同一材料により同一層に形成された下部導電層１４ｃと、下部導電層１４ｃを覆うように設けられた第１層間絶縁膜１５と、第１層間絶縁膜１５上に下部導電層１４ｃと重なるように設けられた上部導電層１６とを備えている。なお、上部導電層１６は、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールを介して電源線１８ｇに電気的に接続されている。
第２平坦化膜１９は、表示領域Ｄにおいて平坦な表面を有し、例えば、ポリイミド樹脂等の有機樹脂材料により構成されている。
有機ＥＬ素子３０は、図３に示すように、第２平坦化膜１９上に順に設けられた複数の第１電極２１、エッジカバー２２、複数の有機ＥＬ層２３、第２電極２４及び封止膜２８を備えている。
複数の第１電極２１は、図３に示すように、複数のサブ画素Ｐに対応するように、第２平坦化膜１９上にマトリクス状に画素電極として設けられている。また、各第１電極２１は、図３に示すように、第２平坦化膜１９に形成されたコンタクトホールを介して、各第２ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１８ｄに接続されている。また、第１電極２１は、有機ＥＬ層２３にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極２１は、有機ＥＬ層２３への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第１電極２１を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、イリジウム（Ｉｒ）、スズ（Ｓｎ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極２１を構成する材料は、例えば、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極２１を構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極２１は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな化合物材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
エッジカバー２２は、図３に示すように、各第１電極２１の周縁部を覆うように格子状に設けられている。ここで、エッジカバー２２を構成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等の有機膜が挙げられる。
複数の有機ＥＬ層２３は、図３に示すように、各第１電極２１上に配置され、複数のサブ画素に対応するように、マトリクス状に設けられている。ここで、各有機ＥＬ層２３は、図５に示すように、第１電極２１上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極２１と有機ＥＬ層２３とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極２１から有機ＥＬ層２３への正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。
正孔輸送層２は、第１電極２１から有機ＥＬ層２３への正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
発光層３は、第１電極２１及び第２電極２４による電圧印加の際に、第１電極２１及び第２電極２４から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
電子輸送層４は、電子を発光層３まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
電子注入層５は、第２電極２４と有機ＥＬ層２３とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極２４から有機ＥＬ層２３へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子３０の駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
第２電極２４は、図３に示すように、各有機ＥＬ層２３及びエッジカバー２２を覆うように共通電極として設けられている。また、第２電極２４は、有機ＥＬ層２３に電子を注入する機能を有している。また、第２電極２４は、有機ＥＬ層２３への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。ここで、第２電極２４を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極２４は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極２４は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極２４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
封止膜２８は、図３に示すように、第２電極２４を覆うように設けられた第１無機膜２５と、第１無機膜２５上に設けられた有機膜２６と、有機膜２６を覆うように設けられた第２無機膜２７とを備え、有機ＥＬ層２３を水分や酸素等から保護する機能を有している。ここで、第１無機膜２５及び第２無機膜２７は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）等の無機材料により構成されている。また、有機膜２６は、例えば、アクリル樹脂、ポリ尿素樹脂、パリレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂等の有機材料により構成されている。
また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図６及び図７に示すように、額縁領域Ｆにおいて、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられた無機絶縁積層膜Ｍ、第１平坦化膜８、引き回し配線１８ｈ、第２平坦化膜１９、複数の導電層２１ａ及び樹脂層２２ａとを備えている。なお、図６の平面図では、図中全面に配置する第２平坦化膜１９及び樹脂層２２ａが省略されている。
無機絶縁積層膜Ｍは、ＴＦＴ層２０を構成する少なくとも１層の無機絶縁膜であり、図７に示すように、樹脂基板層１０上に順に積層されたベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７を備えている。ここで、折り曲げ部Ｂにおいて、無機絶縁積層膜Ｍには、図６及び図７に示すように、無機絶縁積層膜Ｍを貫通して樹脂基板層１０の上面を露出させるスリットＳが形成されている。なお、スリットＳは、折り曲げ部Ｂの延びる方向に沿って突き抜ける溝状に設けられている。
第１平坦化膜８は、図６及び図７に示すように、スリットＳを埋めるように設けられている。ここで、第１平坦化膜８は、例えば、ポリイミド樹脂等の有機樹脂材料により構成されている。
引き回し配線１８ｈは、図６及び図７に示すように、無機絶縁積層膜ＭのスリットＳが形成された両端部及び第１平坦化膜８上に一続きに設けられている。また、引き回し配線１８ｈは、図６及び図７に示すように、折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延びるように複数設けられている。また、各引き回し配線１８ｈの両端部は、図７に示すように、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して第１ゲート導電層１４ｄ及び第２ゲート導電層１４ｅにそれぞれ電気的に接続されている。ここで、引き回し配線１８ｈは、ソース電極１８ａ等と同一層に同一材料により形成されている。また、引き回し配線１８ｈ上には、第２平坦化膜１９が設けられている。また、第１ゲート導電層１４ｄは、図７に示すように、ゲート絶縁膜１３及び第１層間絶縁膜１５の間に設けられ、表示領域ＤのＴＦＴ層２０の信号配線（ゲート線１４、ソース線１８ｆ、電源線１８ｇ等）に電気的に接続されている。また、第２ゲート導電層１４ｅは、図７に示すように、ゲート絶縁膜１３及び第１層間絶縁膜１５の間に設けられ、端子部Ｔに延びている。
複数の導電層２１ａは、図６及び図７に示すように、各々、矩形状の島状に形成され、第２平坦化膜１９上にマトリクス状に設けられている。ここで、各導電層２１ａは、第１電極２１と同一層に同一材料により形成されている。また、図６に示すように、複数の導電層２１ａのうちの図中横方向に１列に配列された各導電層２１ａは、対応する各引き回し配線１８ｈに重なるように設けられている。さらに、各引き回し配線１８ｈと対応する導電層２１ａとは、図６及び図７に示すように、第２平坦化膜１９に形成された第１コンタクトホールＨａ及び第２コンタクトホールＨｂを介して電気的に接続されている。なお、本実施形態では、引き回し配線１８ｈと導電層２１ａとが第１コンタクトホールＨａ及び第２コンタクトホールＨｂを介して電気的に接続された構成を例示したが、引き回し配線１８ｈと導電層２１ａとは、第１コンタクトホールＨａ、第２コンタクトホールＨｂ及び第３コンタクトホールＨｃ（図７中２点鎖線参照）を介して電気的に接続されていてもよい。また、本実施形態では、引き回し配線１８ｈと導電層２１ａとがそれぞれ１つの第１コンタクトホールＨａ及び第２コンタクトホールＨｂを介して電気的に接続された構成を例示したが、第１コンタクトホールＨａ及び第２コンタクトホールＨｂをそれぞれ複数形成して、第３配線層１８ｉｃと導電層２１ａとが複数の第１コンタクトホールＨａ及び複数の第２コンタクトホールＨｂを介して電気的に接続されていてもよい。
樹脂層２２ａは、図７に示すように、第２平坦化膜１９上に各導電層２１ａを覆うように設けられている。ここで、樹脂層２２ａは、エッジカバー２２と同一層に同一材料により形成されている。
上述した有機ＥＬ表示装置５０ａは、各サブ画素Ｐにおいて、ゲート線１４を介して第１ＴＦＴ９ａにゲート信号を入力することにより、第１ＴＦＴ９ａをオン状態にし、ソース線１８ｆを介して第２ＴＦＴ９ｂのゲート電極１４ｂ及びキャパシタ９ｃにソース信号に対応する所定の電圧を書き込み、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧に基づいて電源線１８ｇからの電流の大きさが規定され、その規定された電流が有機ＥＬ層２３に供給されることにより、有機ＥＬ層２３の発光層３が発光して、画像表示を行うように構成されている。なお、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、第１ＴＦＴ９ａがオフ状態になっても、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧がキャパシタ９ｃによって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまで発光層３による発光が維持される。
次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法について説明する。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法は、ＴＦＴ層形成工程及び有機ＥＬ素子形成工程を備える。
＜ＴＦＴ層形成工程＞
例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板層１０の表面に、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、キャパシタ９ｃ、及び第２平坦化膜１９を形成して、ＴＦＴ層２０を形成する。
例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板層１０の表面に、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、キャパシタ９ｃ、及び第２平坦化膜１９を形成して、ＴＦＴ層２０を形成する。
ここで、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを形成する際には、ソース電極１８ａ等を形成する前に、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂにおいて、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜をドライエッチングにより除去してスリットＳを形成した後、スリットＳを埋めるように第１平坦化膜８を形成する。その後、ソース電極１８ａ等を形成する際に、引き回し配線１８ｈを同時に形成する。
＜有機ＥＬ素子形成工程＞
まず、上記ＴＦＴ層形成工程で形成されたＴＦＴ層２０の第２平坦化膜１９上に、周知の方法を用いて、第１電極２１、エッジカバー２２、有機ＥＬ層２３（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、電子注入層５）及び第２電極２４を形成する。ここで、第１電極２１を形成する際には、導電層２１ａを同時に形成し、エッジカバー２２を形成する際には、樹脂層２２ａを同時に形成する。
まず、上記ＴＦＴ層形成工程で形成されたＴＦＴ層２０の第２平坦化膜１９上に、周知の方法を用いて、第１電極２１、エッジカバー２２、有機ＥＬ層２３（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、電子注入層５）及び第２電極２４を形成する。ここで、第１電極２１を形成する際には、導電層２１ａを同時に形成し、エッジカバー２２を形成する際には、樹脂層２２ａを同時に形成する。
続いて、第２電極２４が形成された基板表面に、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ（chemical vapor deposition）法により成膜して、第１無機膜２５を形成する。
その後、第１無機膜２５が形成された基板表面に、例えば、インクジェット法により、アクリル樹脂等の有機樹脂材料を成膜して、有機膜２６を形成する。
さらに、有機膜２６が形成された基板に対して、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により成膜して、第２無機膜２７を形成する。このようにして、第１無機膜２５、有機膜２６及び第２無機膜２７からなる封止膜２８を形成して、有機ＥＬ素子３０が形成される。
最後に、有機ＥＬ素子３０が形成された基板表面に保護シート（不図示）を貼付した後に、樹脂基板層１０のガラス基板側からレーザー光を照射することにより、樹脂基板層１０の下面からガラス基板を剥離させ、さらに、ガラス基板を剥離させた樹脂基板層１０の下面に保護シート（不図示）を貼付する。
以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａを製造することができる。
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａによれば、額縁領域Ｆに配置された各引き回し配線１８ｈ上に第２平坦化膜１９が設けられている。そして、第２平坦化膜１９上には、複数の導電層２１ａがマトリクス状に設けられている。ここで、引き回し配線１８ｈと、引き回し配線１８ｈに重なる各導電層２１ａとは、第２平坦化膜１９に形成された第１コンタクトホールＨａ及び第２コンタクトホールＨｂを介して電気的に接続されている。これにより、引き回し配線１８ｈが仮に断線しても、その断線部分を跨ぐように配置された導電層２１ａにより、当該引き回し配線１８ｈの導通を確保することができるので、額縁領域Ｆに配置された引き回し配線１８ｈに冗長性を付与することができる。
《第２の実施形態》
図８は、本発明に係る表示装置の第２の実施形態を示している。ここで、図８は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの額縁領域Ｆの断面図であり、図７に相当する図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図７と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
図８は、本発明に係る表示装置の第２の実施形態を示している。ここで、図８は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの額縁領域Ｆの断面図であり、図７に相当する図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図７と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
上記第１の実施形態では、第１平坦化膜８の両端部に金属層を有する引き回し配線１８ｈが設けられた有機ＥＬ表示装置５０ａを例示したが、本実施形態では、第１平坦化膜８の両端部に金属層を有しない引き回し配線１８ｉが設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｂを例示する。
有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。
有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、表示領域Ｄにおいて、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ層２０と、ＴＦＴ層２０上に設けられた有機ＥＬ素子３０と備えている。
有機ＥＬ表示装置５０ｂは、図８に示すように、額縁領域Ｆにおいて、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられた無機絶縁積層膜Ｍ、第１平坦化膜８、引き回し配線１８ｉ、第２平坦化膜１９、複数の導電層２１ａ及び樹脂層２２ａとを備えている。
引き回し配線１８ｉは、図８に示すように、無機絶縁積層膜ＭのスリットＳが形成された一方の端部上に設けられた第１配線層１８ｉａと、無機絶縁積層膜ＭのスリットＳが形成された他方の端部上に設けられた第２配線層１８ｉｂと、第１平坦化膜８上に設けられた第３配線層１８ｉｃとを備えている。また、引き回し配線１８ｉは、折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延びるように複数設けられている。ここで、第１配線層１８ｉａ、第２配線層１８ｉｂ及び第３配線層１８ｉｃは、ソース電極１８ａ等と同一層に同一材料により形成されている。また、第１配線層１８ｉａ、第２配線層１８ｉｂ及び第３配線層１８ｉｃ上には、図８に示すように、第２平坦化膜１９が設けられている。
第１配線層１８ｉａの一方（図中左側）の端部は、図８に示すように、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成されたコンタクトホールを介して第１ゲート導電層１４ｄに電気的に接続されている。また、第１配線層１８ｉａの他方（図中右側）の端部は、図８に示すように、第２平坦化膜１９に形成されたコンタクトホールＨｄを介して対応する導電層２１ａに電気的に接続されている。なお、図８では、第１配線層１８ｉａと導電層２１ａとが１つのコンタクトホールＨｄを介して電気的に接続された構成を例示したが、コンタクトホールＨｄを複数形成して、第１配線層１８ｉａと導電層２１ａとが複数のコンタクトホールＨｄを介して電気的に接続されていてもよい。
第２配線層１８ｉｂの一方（図中右側）の端部は、図８に示すように、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成されたコンタクトホールを介して第２ゲート導電層１４ｅに電気的に接続されている。また、第２配線層１８ｉｂの他方（図中左側）の端部は、図８に示すように、第２平坦化膜１９に形成されたコンタクトホールＨｆを介して対応する導電層２１ａに電気的に接続されている。なお、図８では、第２配線層１８ｉｂと導電層２１ａとが１つのコンタクトホールＨｆを介して電気的に接続された構成を例示したが、コンタクトホールＨｆを複数形成して、第２配線層１８ｉｂと導電層２１ａとが複数のコンタクトホールＨｆを介して電気的に接続されていてもよい。
第３配線層１８ｉｃの一方（図中左側）の端部は、図８に示すように、第２平坦化膜１９に形成されたコンタクトホールＨｅを介して対応する導電層２１ａに電気的に接続されている。なお、図８では、第３配線層１８ｉｃと導電層２１ａとが１つのコンタクトホールＨｅを介して電気的に接続された構成を例示したが、コンタクトホールＨｅを複数形成して、第３配線層１８ｉｃと導電層２１ａとが複数のコンタクトホールＨｅを介して電気的に接続されていてもよい。また、第３配線層１８ｉｃの他方（図中右側）の端部は、図８に示すように、第２平坦化膜１９に形成されたコンタクトホールＨｇを介して対応する導電層２１ａに電気的に接続されている。なお、図８では、第３配線層１８ｉｃと導電層２１ａとが１つのコンタクトホールＨｇを介して電気的に接続された構成を例示したが、コンタクトホールＨｇを複数形成して、第３配線層１８ｉｃと導電層２１ａとが複数のコンタクトホールＨｇを介して電気的に接続されていてもよい。また、第３配線層１８ｉｃの中間部分は、図８に示すように、第２平坦化膜１９に形成された第１コンタクトホールＨａ及び第２コンタクトホールＨｂを介して対応する導電層２１ａに電気的に接続されている。ここで、図８に示すように、第１配線層１８ｉａ及び第３配線層１８ｉｃは、第１平坦化膜８の一方（図中左側）の端部で互いに分断され、第２配線層１８ｉｂ及び第３配線層１８ｉｃは、第１平坦化膜８の他方（図中右側）の端部で互いに分断されている。すなわち、第１平坦化膜８の両端部には、ソース電極１８ａ等と同一層に同一材料により形成される金属層が設けられていない。
上述した有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを介して有機ＥＬ層２３の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態で説明した有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法において、引き回し配線１８ｈのパターン形状を変更することにより、製造することができる。
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂによれば、額縁領域Ｆに配置された各引き回し配線１８ｉ上に第２平坦化膜１９が設けられている。そして、第２平坦化膜１９上には、複数の導電層２１ａがマトリクス状に設けられている。ここで、引き回し配線１８ｉと、引き回し配線１８ｉに重なる各導電層２１ａとは、第２平坦化膜１９に形成されたコンタクトホールＨａ、Ｈｂ、Ｈｄ～Ｈｇを介して電気的に接続されている。これにより、引き回し配線１８ｉが仮に断線しても、その断線部分を跨ぐように配置された導電層２１ａにより、当該引き回し配線１８ｉの導通を確保することができるので、額縁領域Ｆに配置された引き回し配線１８ｉに冗長性を付与することができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂによれば、各引き回し配線１８ｉは、無機絶縁積層膜ＭのスリットＳが形成された一方の端部上に設けられた第１配線層１８ｉａと、無機絶縁積層膜ＭのスリットＳが形成された他方の端部上に設けられた第２配線層１８ｉｂと、第１平坦化膜８上に設けられた第３配線層１８ｉｃとを備えている。ここで、第１配線層１８ｉａ及び第３配線層１８ｉｃの間、並びに第２配線層１８ｉｂ及び第３配線層１８ｉｃの間には、第１平坦化膜８の両端部が配置されている。そのため、引き回し配線１８ｉを形成する際に、第１平坦化膜８を覆うように金属膜を成膜し、その成膜した金属膜上に形成するレジストパターンは、第１平坦化膜８の両端部に重ならないことになる。これにより、第１平坦化膜８の両端部上には、引き回し配線１８ｉを形成する際の金属膜（ソースメタル）が残存し難くなるので、ソースメタルの残渣に起因する隣り合う引き回し配線１８ｉ間の短絡を抑制することができる。
《その他の実施形態》
上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
また、上記各実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
また、上記各実施形態では、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
また、上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本発明は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置に適用することができる。例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）を備えた表示装置に適用することができる。
以上説明したように、本発明は、フレキシブルな表示装置について有用である。
Ｂ 折り曲げ部
Ｄ 表示領域
Ｆ 額縁領域
Ｈａ 第１コンタクトホール
Ｈｂ 第２コンタクトホール
Ｈｃ 第３コンタクトホール
Ｈｄ～Ｈｇ コンタクトホール
Ｍ 無機絶縁積層膜（少なくとも一層の無機絶縁膜）
Ｓ スリット
Ｔ 端子部
８ 第１平坦化膜
１０ 樹脂基板層
１４ ゲート線（信号配線）
１４ｅ 第２ゲート導電層
１８ｆ ソース線（信号配線）
１８ｇ 電源線（信号配線）
１８ｈ，１８ｉ 引き回し配線
１８ｉａ 第１配線層
１８ｉｂ 第２配線層
１８ｉｃ 第３配線層
１９ 第２平坦化膜
２０ ＴＦＴ層
２１ 第１電極（画素電極）
２１ａ 導電層
２２ エッジカバー
２２ａ 樹脂層
３０ 有機ＥＬ素子（発光素子）
５０ａ，５０ｂ 有機ＥＬ表示装置
Ｄ 表示領域
Ｆ 額縁領域
Ｈａ 第１コンタクトホール
Ｈｂ 第２コンタクトホール
Ｈｃ 第３コンタクトホール
Ｈｄ～Ｈｇ コンタクトホール
Ｍ 無機絶縁積層膜（少なくとも一層の無機絶縁膜）
Ｓ スリット
Ｔ 端子部
８ 第１平坦化膜
１０ 樹脂基板層
１４ ゲート線（信号配線）
１４ｅ 第２ゲート導電層
１８ｆ ソース線（信号配線）
１８ｇ 電源線（信号配線）
１８ｈ，１８ｉ 引き回し配線
１８ｉａ 第１配線層
１８ｉｂ 第２配線層
１８ｉｃ 第３配線層
１９ 第２平坦化膜
２０ ＴＦＴ層
２１ 第１電極（画素電極）
２１ａ 導電層
２２ エッジカバー
２２ａ 樹脂層
３０ 有機ＥＬ素子（発光素子）
５０ａ，５０ｂ 有機ＥＬ表示装置
Claims (11)
- 樹脂基板と、
上記樹脂基板上に設けられたＴＦＴ層と、
上記ＴＦＴ層上に設けられ、表示領域を構成する発光素子と、
上記表示領域の周囲に設けられた額縁領域と、
上記額縁領域の端部に設けられた端子部と、
上記表示領域及び端子部の間に一方向に延びるよう設けられた折り曲げ部と、
上記ＴＦＴ層を構成し、上記樹脂基板上に設けられた少なくとも一層の無機絶縁膜と、
上記ＴＦＴ層を構成し、上記額縁領域において、上記折り曲げ部の延びる方向と交差する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数の配線とを備え、
上記折り曲げ部において、上記少なくとも一層の無機絶縁膜を貫通して上記樹脂基板を露出させるスリットが形成され、
上記スリットを埋めるように第１平坦化膜が設けられ、
上記少なくとも一層の無機絶縁膜の上記スリットが形成された両端部及び上記第１平坦化膜上に上記各配線が設けられ、
上記各配線上に上記ＴＦＴ層を構成する第２平坦化膜が設けられた表示装置であって、
上記第２平坦化膜上に複数の導電層が島状に設けられ、
上記各配線と上記複数の導電層のうちの対応する導電層とは、上記第２平坦化膜に形成された第１コンタクトホール及び第２コンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１に記載された表示装置において、
上記発光素子は、上記第２平坦化膜上に設けられた複数の画素電極を備え、
上記各導電層は、上記各画素電極と同一層に同一材料により形成されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１又は２に記載された表示装置において、
上記各配線と上記複数の導電層のうちの対応する導電層とは、互いに重なっていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～３の何れか１つに記載された表示装置において、
上記各配線と上記複数の導電層のうちの対応する導電層とは、複数の上記第１コンタクトホール及び複数の上記第２コンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～３の何れか１つに記載された表示装置において、
上記各配線と上記複数の導電層のうちの対応する導電層とは、上記第２平坦化膜に形成され、上記第１コンタクトホール及び第２コンタクトホールの間に配置された第３コンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～５の何れか１つに記載された表示装置において、
上記各配線は、上記少なくとも一層の無機絶縁膜の上記スリットが形成された両端部及び上記第１平坦化膜上に一続きに設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項６に記載された表示装置において、
上記各配線の上記表示領域側の端部は、上記表示領域に設けられた信号配線に電気的に接続され、
上記各配線の上記端子部側の端部は、上記端子部に延びる導電層に電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～５の何れか１つに記載された表示装置において、
上記各配線は、上記少なくとも一層の無機絶縁膜の上記スリットが形成された一方の端部上に設けられた第１配線層と、上記少なくとも一層の無機絶縁膜の上記スリットが形成された他方の端部上に設けられた第２配線層と、上記第１平坦化膜上に設けられた第３配線層とを備え、
上記第１配線層、第２配線層及び第３配線層は、同一層に同一材料により形成され、
上記第１配線層及び第３配線層は、上記第１平坦化膜の一方の端部で互いに分断され、
上記第２配線層及び第３配線層は、上記第１平坦化膜の他方の端部で互いに分断され、
上記第１配線層及び第３配線層は、上記複数の導電層のうちの対応する導電層を介して電気的に接続され、
上記第２配線層及び第３配線層は、上記複数の導電層のうちの対応する導電層を介して電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項８に記載された表示装置において、
上記第１配線層及び第３配線層と上記対応する導電層とは、上記第２平坦化膜に形成された複数のコンタクトホールを介して電気的にそれぞれ接続され、
上記第２配線層及び第３配線層と上記対応する導電層とは、上記第２平坦化膜に形成された複数のコンタクトホールを介して電気的にそれぞれ接続されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項２～９の何れか１つに記載された表示装置において、
上記発光素子は、上記各画素電極の周端部を覆うように設けられたエッジカバーを備え、
上記各導電層は、上記エッジカバーと同一層に同一材料により形成された樹脂層に覆われていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～１０の何れか１つに記載された表示装置において、
上記発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする表示装置。
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2018
- 2018-03-27 WO PCT/JP2018/012469 patent/WO2019186702A1/ja active Application Filing
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