WO2019142360A1 - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to a display device and a method of manufacturing the same.
- the organic EL element includes, for example, a first electrode provided as an anode, a second electrode provided as a cathode, and an organic EL layer provided between the first electrode and the second electrode.
- a display region for displaying an image is provided, for example, in a rectangular shape, and a plurality of sub-pixels are provided in a matrix in the display region.
- Patent Document 1 an aspect of a contact hole formed on a planarizing film that covers a thin film transistor (TFT) and planarizes the surface, and electrically contacts the lower electrode (first electrode) and the TFT.
- TFT thin film transistor
- An organic EL element having a specified ratio is disclosed.
- the present invention has been made in view of the above-described point, and an object thereof is to improve the aperture ratio of each sub-pixel.
- a display device includes a base substrate having a plurality of sub-pixels defined thereon, and a plurality of the display devices provided on the base substrate and arranged corresponding to the plurality of sub-pixels.
- a TFT, a TFT layer having a planarization film formed on the plurality of TFTs, and contact holes provided on the TFT layer corresponding to the plurality of sub-pixels and formed on the planarization film Provided so as to cover a plurality of first electrodes electrically connected to the plurality of TFTs and respective peripheral end portions of the plurality of first electrodes, and a plurality of the first electrodes corresponding to the plurality of first electrodes
- a plurality of light emitting layers respectively provided on the plurality of first electrodes via the edge cover, and common to the plurality of sub-pixels on the plurality of light emitting layers.
- the corresponding first electrode corresponds to the first conductive layer provided at least on the surface and the bottom of the corresponding contact hole, and the contact on the first conductive layer A resin layer provided in the hole, and a second conductive layer provided on the first conductive layer and the resin layer and electrically connected to the first conductive layer, and the corresponding opening corresponds It arranges so that it may overlap with the above-mentioned contact hole.
- the first electrode electrically connected to the TFT through the contact hole formed in the planarizing film is a first conductive layer provided at least on the surface and the bottom of the contact hole, and Since the resin layer provided in the contact hole on the conductive layer and the second conductive layer provided on the first conductive layer and the resin layer and electrically connected to the first conductive layer are provided, each sub The aperture ratio of the pixel can be improved.
- FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention.
- FIG. 2 is a plan view of a display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing a TFT layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 4 is a cross-sectional view of the display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 5 is a cross-sectional view showing an organic EL layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 6 is a cross-sectional view showing the method of manufacturing the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 7 is a cross-sectional view of the display area of the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention.
- FIG. 8 is a plan view showing the terminal area in the frame area of the organic EL display device according to the third embodiment of the present invention.
- FIG. 9 is a cross-sectional view of the organic EL display taken along the line IX-IX in FIG.
- FIG. 10 is a cross-sectional view of the organic EL display taken along the line XX in FIG.
- First Embodiment 1 to 6 show a first embodiment of a display device and a method of manufacturing the same according to the present invention.
- an organic EL display device provided with an organic EL element is illustrated as a display device provided with a light emitting element.
- FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device 50a of the present embodiment.
- FIG. 2 is a plan view of the display area D of the organic EL display device 50a.
- FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing the TFT layer 20a constituting the organic EL display device 50a.
- 4 is a cross-sectional view of the display area D of the organic EL display device 50a.
- FIG. 5 is a cross-sectional view showing the organic EL layer 26 constituting the organic EL display device 50a.
- the organic EL display device 50 a includes a display area D provided to display an image in a rectangular shape and a frame area F provided around the display area D.
- a plurality of sub-pixels P are arranged in a matrix.
- a sub-pixel P having a red light emitting area Lr for performing red gradation display and a sub pixel having a green light emitting area Lg for performing green gradation display Sub-pixels P having blue light emitting regions Lb for performing gray scale display of P and blue are provided adjacent to each other.
- one pixel is formed by three adjacent sub-pixels P having a red light emitting area Lr, a green light emitting area Lg, and a blue light emitting area Lb. Further, as shown in FIG. 1, a terminal area T is provided at the right end of the frame area F in the drawing.
- the organic EL display device 50a includes a resin substrate layer 10 provided as a base substrate, a TFT layer 20a provided on the resin substrate layer 10, and an organic EL provided on the TFT layer 20a.
- the element 30a and the sealing film 35 provided to cover the organic EL element 30a are provided.
- the resin substrate layer 10 is made of, for example, a polyimide resin or the like.
- the TFT layer 20a includes a base coat film 11 provided on the resin substrate layer 10, a plurality of first TFTs 9a provided on the base coat film 11, a plurality of second TFTs 9b, and a plurality of capacitors 9c.
- Each first TFT 9a, each second TFT 9b, and a flattening film 19a provided on each capacitor 9c are provided.
- a plurality of gate lines 14 are provided so as to extend parallel to each other in the lateral direction in the drawing.
- a plurality of source lines 18f are provided so as to extend in parallel to each other in the vertical direction in the drawing.
- a plurality of power supply lines 18g are provided adjacent to the respective source lines 18f so as to extend in parallel in the vertical direction in the figure. Further, in the TFT layer 20a, as shown in FIG. 3, in each sub-pixel P, the first TFT 9a, the second TFT 9b, and the capacitor 9c are provided.
- the base coat film 11 is formed of, for example, a single layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride.
- the first TFT 9a is connected to the corresponding gate line 14 and source line 18f in each sub pixel P, as shown in FIG.
- the first TFT 9 a includes a semiconductor layer 12 a provided in an island shape on the base coat film 11, a gate insulating film 13 provided so as to cover the semiconductor layer 12 a, and a gate insulating film 13.
- a gate electrode 14a provided thereon so as to overlap with a channel region (not shown) of the semiconductor layer 12a; a first interlayer insulating film 15 and a second interlayer insulating film 17 sequentially provided so as to cover the gate electrode 14a; A source electrode 18 a and a drain electrode 18 b provided on the second interlayer insulating film 17 and arranged to be separated from each other are provided.
- the source electrode 18 a and the drain electrode 18 b are formed in the source region of the semiconductor layer 12 a through the contact holes formed in the laminated film of the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17. They are respectively connected to the drain region (not shown) and the drain region (not shown).
- the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 are formed of, for example, a single layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride. .
- the second TFT 9 b is connected to the corresponding first TFT 9 a and the corresponding power supply line 18 g in each sub-pixel P.
- the second TFT 9 b includes the semiconductor layer 12 b provided in an island shape on the base coat film 11, the gate insulating film 13 provided to cover the semiconductor layer 12 b, and the gate insulating film 13.
- a gate electrode 14 b provided thereon so as to overlap with a channel region (not shown) of the semiconductor layer 12 b; a first interlayer insulating film 15 and a second interlayer insulating film 17 sequentially provided to cover the gate electrode 14 b; A source electrode 18c and a drain electrode 18d provided on the second interlayer insulating film 17 and arranged to be separated from each other are provided.
- the source electrode 18c and the drain electrode 18d are formed in the source region of the semiconductor layer 12b (through the contact holes formed in the laminated film of the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17). They are respectively connected to the drain region (not shown) and the drain region (not shown).
- top gate type 1st TFT9a and 2nd TFT9b were illustrated in this embodiment, 1st TFT9a and 2nd TFT9b may be bottom gate type.
- capacitor 9c is connected to the corresponding first TFT 9a and the corresponding power supply line 18g in each sub-pixel P, as shown in FIG.
- capacitor 9c is formed of a lower conductive layer 14c formed in the same layer and of the same material as the gate electrode, and a first interlayer insulating film 15 provided to cover lower conductive layer 14c.
- An upper conductive layer 16 is provided on the first interlayer insulating film 15 so as to overlap with the lower conductive layer 14c.
- the planarization film 19a is made of, for example, an organic resin material such as a polyimide resin.
- a contact hole Ca reaching the drain electrode 18 d of the second TFT 9 b is formed in the planarization film 19 a.
- the organic EL element 30a includes a plurality of first electrodes (anode) 24a provided in order on the TFT layer 20a, an edge cover 25, a plurality of organic EL layers (light emitting layers) 26, and a second electrode.
- a (cathode) 27 is provided.
- the plurality of first electrodes 24a are provided in a matrix on the planarization film 19a so as to correspond to the plurality of sub-pixels P, as shown in FIG.
- the first electrode 24a in each sub-pixel P, is connected to the drain electrode 18d of the second TFT 9b via a contact hole Ca formed in the planarization film 19a.
- the first electrode 24 a has a function of injecting holes into the organic EL layer 26.
- the first electrode 24 a is provided with a first conductive layer 21 a provided on the upper surface of the planarization film 19 a and the surface and bottom of the contact hole Ca, and the first conductive layer 21 a.
- a resin layer 22a provided in the contact hole Ca on the layer 21a, and a second conductive layer 23a provided on the first conductive layer 21a and the resin layer 22a and connected to the first conductive layer 21a are provided.
- the first conductive layer 21 a is made of, for example, a transparent conductive film such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO) or the like.
- a transparent conductive film such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO) or the like.
- the resin layer 22a is made of, for example, an organic material such as acrylate, polyurea, parylene, polyimide, or polyamide.
- the height of the upper surface of the resin layer 22a is equal to the height of the upper surface of the first conductive layer 21a exposed from the contact hole Ca.
- the height of the upper surface of the resin layer 22a may be equal to or less than the height of the upper surface of the first conductive layer 21a exposed from the contact hole Ca.
- the second conductive layer 23 a is, for example, a transparent conductive film such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), silver (Ag), silver (Ag) ) And a laminated conductive film in which transparent conductive films such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO) are sequentially laminated. It is done.
- the second conductive layer 23a has higher light reflectivity than the first conductive layer 21a. Further, as shown in FIG. 4, the peripheral end face of the second conductive layer 23 a coincides with the peripheral end face of the first conductive layer 21 a.
- the edge cover 25 is provided in a lattice shape so as to cover the peripheral portions of the plurality of first electrodes 24a, and a plurality of openings A are formed corresponding to the plurality of first electrodes 24a.
- the opening A of the edge cover 25 is disposed so as to overlap the contact hole Ca of the planarization film 19a in each sub-pixel P, as shown in FIG.
- organic films such as a polyimide resin, an acrylic resin, polysiloxane resin, novolak resin, are mentioned, for example.
- the plurality of organic EL layers 26 are provided in a matrix so as to be disposed on the plurality of first electrodes 24 a as shown in FIG. 4.
- each organic EL layer 26 is provided with a hole injection layer 1, a hole transport layer 2, a light emitting layer main body 3, an electron transport layer 4 and an electron, which are sequentially provided on the first electrode 24 a.
- An injection layer 5 is provided.
- the hole injection layer 1 is also called an anode buffer layer, and has the function of improving the hole injection efficiency from the first electrode 24 a to the organic EL layer 26 by bringing the energy levels of the first electrode 24 a and the organic EL layer 26 closer to each other.
- the material constituting the hole injection layer for example, triazole derivative, oxadiazole derivative, imidazole derivative, polyarylalkane derivative, pyrazoline derivative, phenylenediamine derivative, oxazole derivative, styrylanthracene derivative, fluorenone derivative, Hydrazone derivatives, stilbene derivatives and the like can be mentioned.
- the hole transport layer 2 has a function of improving the transport efficiency of holes from the first electrode 24 a to the organic EL layer 26.
- a material constituting the hole transport layer 2 for example, porphyrin derivative, aromatic tertiary amine compound, styrylamine derivative, polyvinylcarbazole, poly-p-phenylenevinylene, polysilane, triazole derivative, oxadiazole Derivative, imidazole derivative, polyarylalkane derivative, pyrazoline derivative, pyrazolone derivative, phenylenediamine derivative, arylamine derivative, amine-substituted chalcone derivative, oxazole derivative, styrylanthracene derivative, fluorenone derivative, hydrazone derivative, stilbene derivative, hydrogenated amorphous silicon, Hydrogenated amorphous silicon carbide, zinc sulfide, zinc selenide and the like can be mentioned.
- the light emitting layer main body 3 holes and electrons are respectively injected from the first electrode 24a and the second electrode 27 when voltage is applied by the first electrode 24a and the second electrode 27, and the holes and electrons are recombined. Area.
- the light emitting layer main body 3 is formed of a material having high light emission efficiency.
- a metal oxinoid compound [8-hydroxy quinoline metal complex], a naphthalene derivative, an anthracene derivative, a diphenyl ethylene derivative, a vinylacetone derivative, a triphenylamine derivative, a butadiene derivative, coumarin, for example Derivative, benzoxazole derivative, oxadiazole derivative, oxazole derivative, benzimidazole derivative, thiadiazole derivative, benzthiazole derivative, styryl derivative, styrylamine derivative, bisstyrylbenzene derivative, trisstyrylbenzene derivative, perylene derivative, perinone derivative, aminopyrene derivative , Pyridine derivatives, rhodamine derivatives, aquidin derivatives, phenoxazone, quinacridone derivatives, rubrene, poly-p-phenylenebi Ren, polysilane, and the like.
- a metal oxinoid compound [8-hydroxy quinoline
- the electron transport layer 4 has a function of efficiently moving electrons to the light emitting layer main body 3.
- a material constituting the electron transport layer 4 for example, as an organic compound, oxadiazole derivative, triazole derivative, benzoquinone derivative, naphthoquinone derivative, anthraquinone derivative, tetracyanoanthraquinodimethane derivative, diphenoquinone derivative, fluorenone derivative And silole derivatives, metal oxinoid compounds and the like.
- the electron injection layer 5 has a function of bringing the energy levels of the second electrode 27 and the organic EL layer 26 closer to each other, and improving the efficiency of electron injection from the second electrode 27 into the organic EL layer 26.
- the drive voltage of the organic EL element 30a can be lowered.
- the electron injection layer 5 is also called a cathode buffer layer.
- a material constituting the electron injection layer 5 for example, lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), barium fluoride Inorganic alkali compounds such as (BaF 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), strontium oxide (SrO) and the like can be mentioned.
- the second electrode 27 is provided commonly to the plurality of sub-pixels P so as to cover the edge cover 25 and the plurality of organic EL layers 26, as shown in FIG.
- the second electrode 27 has a function of injecting electrons into the organic EL layer 26. Further, in order to improve the electron injection efficiency into the organic EL layer 26, the second electrode 27 is more preferably made of a material having a small work function.
- the second electrode 27 for example, silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), calcium (Ca), titanium (Ti), yttrium (Y), sodium (Na) And manganese (Mn), indium (In), magnesium (Mg), lithium (Li), ytterbium (Yb), lithium fluoride (LiF) and the like.
- the second electrode 27 may be, for example, magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / oxide astatine (AtO 2) And lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al), etc. May be Further, the second electrode 27 may be formed of, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), etc. .
- a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), etc.
- the second electrode 27 may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials.
- a material having a small work function for example, magnesium (Mg), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al) Etc.
- the sealing film 35 includes a first inorganic film 31 provided to cover the second electrode 27, an organic film 32 provided on the first inorganic film 31, and an organic film 32.
- a second inorganic film 33 provided to cover is provided, and has a function of protecting the organic EL layer 26 from moisture and oxygen.
- the first inorganic film 31 and the second inorganic film 33 are, for example, silicon nitride (silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), silicon nitride such as tetrasilicon nitride (Si 3 N 4 )). It is made of an inorganic material such as SiNx (x is a positive number), silicon carbonitride (SiCN) or the like.
- the organic film 32 is made of, for example, an organic material such as acrylate, polyurea, parylene, polyimide, or polyamide.
- the organic EL display device 50a described above turns on the first TFT 9a in each sub-pixel P by inputting a gate signal to the first TFT 9a via the gate line 14, and the gate electrode of the second TFT 9b via the source line 18f.
- a predetermined voltage corresponding to the source signal is written in 14b and capacitor 9c, the magnitude of the current from power supply line 18g is defined based on the gate voltage of second TFT 9b, and the defined current is supplied to organic EL layer 26.
- the light emitting layer main body 3 of the organic EL layer 26 emits light to display an image.
- the gate voltage of the second TFT 9b is held by the capacitor 9c, so that light emission by the light emitting layer main body 3 is performed until the gate signal of the next frame is input. Is maintained.
- FIG. 6 is a cross-sectional view showing a step of forming a first electrode in the method of manufacturing the organic EL display device 50a.
- the method of manufacturing the organic EL display device 50a of the present embodiment includes a TFT layer forming step, an organic EL element forming step, and a sealing film forming step.
- the base coat film 11, the first TFT 9a, the second TFT 9b, the capacitor 9c and the planarizing film 19a are formed on the surface of the resin substrate layer 10 formed on a glass substrate (not shown) using a known method.
- the TFT layer 20a is formed.
- an ITO film is formed to a thickness of about 100 nm by sputtering, for example, on the planarized film 19a (about 3 ⁇ m in thickness) of the TFT layer 20a formed in the TFT layer forming step.
- the conductive film 21 (see FIG. 6A) is formed. (Conductive film forming step / first electrode forming step).
- an organic deposition film 22 made of an ultraviolet-curable organic material such as acrylate is formed to a thickness of about 400 nm by vacuum deposition, for example, so as to cover the first conductive film 21.
- the resin layer 22a is formed in each contact hole Ca by thinning the organic deposition film 22 by ashing (resin layer formation step / first electrode formation). Process).
- the molecules forming the organic vapor deposition film 22 that has evaporated and reached the first conductive film 21 gather in a liquid state on the surface of the first conductive film 21.
- the organic vapor deposition film 22 flows into the inside of the contact hole Ca via the first conductive film 21 so as to flatten the recess due to the contact hole Ca. That is, the organic vapor deposition film 22 is formed thick at the contact hole Ca. Thereafter, the organic vapor deposition film 22 is cured by irradiating the organic vapor deposition film 22 with ultraviolet light. Subsequently, the hardened organic vapor deposition film 22 is thinned by ashing with oxygen plasma, so that the resin layer 22 a remains in each contact hole Ca due to the difference in thickness of the organic vapor deposition film 22. A structure in which the organic vapor deposition film 22 is removed from the surface of the first conductive film 21 is obtained. The organic vapor deposition film 22 exhibiting such behavior is disclosed, for example, in WO 2014/196137.
- an ITO film (about 100 nm in thickness), a silver alloy film (thickness) is formed by, for example, a sputtering method so as to cover the first conductive film 21 via each resin layer 22a.
- the laminated conductive film of the first conductive film 21 and the second conductive film 23 is subjected to photolithography
- the first conductive layer 21a and the second conductive layer 23a are formed by performing the etching process and the stripping process of the resist, and the first electrode 24a including the first conductive layer 21a, the resin layer 22a, and the second conductive layer 23 is formed. Forming (conductive layer forming step / first electrode forming step).
- a photosensitive polyimide resin is applied to a thickness of about 1.5 ⁇ m on the plurality of first electrodes 24 a, and then the coated film is subjected to pre-baking, exposure, development, and post-baking to obtain an edge.
- the cover 25 is formed (edge cover forming step).
- a hole injection layer 1, a hole transport layer 2, a light emitting layer main body 3, and an electron transport layer 4 are formed on each of the first electrodes 24a through the edge cover 25 using a mask, for example, by vacuum evaporation.
- the organic electroluminescent layer 26 is formed by forming the electron injection layer 5 into a film (light emitting layer formation process).
- a film made of silver or a silver alloy is formed to a thickness of about 20 nm on the organic EL layer 26 by using, for example, a vacuum evaporation method using a mask, thereby forming the second electrode 27.
- the organic EL element 30a is formed (second electrode forming step).
- membrane formed with silver or a silver alloy is as thin as about 20 nm, the 2nd electrode 27 becomes semi-transparent.
- an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film or the like is formed on the substrate surface on which the organic EL element 30a is formed in the organic EL element forming step using a mask by plasma CVD.
- the first inorganic film 31 is formed by forming a film to a thickness of about 1000 nm.
- an organic resin material such as acrylate is deposited to a thickness of about 10 ⁇ m by an inkjet method, for example, to form an organic film 32.
- an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film or the like is formed to a thickness of about 1000 nm by plasma CVD using a mask. Then, the second inorganic film 33 is formed, whereby the sealing film 30 composed of the first inorganic film 31, the organic film 32 and the second inorganic film 33 is formed.
- a protective film (not shown) is attached to the surface of the sealing film 30, and then the glass substrate is peeled from the lower surface of the resin substrate layer 10 by irradiating laser light from the glass substrate side of the resin substrate layer 10. .
- a support film may be separately attached to the lower surface of the resin substrate layer 10 through the adhesive layer to improve the rigidity of the organic EL display device 50a.
- the organic EL display device 50a of the present embodiment can be manufactured.
- the first electrode 24a is the upper surface of the planarization film 19a and the surface and bottom of the contact hole Ca.
- the surface of the first electrode 24 a of each sub-pixel P becomes flat on the contact hole Ca, so that in each sub-pixel P, the opening A of the edge cover 25 overlaps the contact hole Ca of the planarization film 19 a.
- the display quality by the light emission of the organic EL layer 26 can be secured.
- the formation part of contact hole Ca can be made into red light emission field Lr, green light emission field Lg, or blue light emission field Lb, while being able to improve the aperture ratio of each sub pixel P The deterioration with time of the organic EL display device 50a and the burn-in of the display screen can be suppressed.
- the organic EL display device 50a of the present embodiment and the method of manufacturing the same, after the organic vapor deposition film 22 is poured into the contact hole Ca in a liquid state, it is cured by irradiation of ultraviolet rays and further cured. Since the resin layer 22a is formed by thinning the portion 22 by ashing, the concave portion of the first conductive layer 21a by the contact hole Ca can be effectively filled.
- the second conductive film 23 is formed to cover the first conductive film 21 via the resin layer 22a.
- the first conductive film 21 and the second conductive film 23 are simultaneously patterned to form the first conductive layer 21 a and the second conductive layer 23 a, so that the addition of the manufacturing process is suppressed as much as possible.
- the first electrode 24 a for improving the aperture ratio of the pixel P can be formed.
- FIG. 7 shows a second embodiment of a display device and a method of manufacturing the same according to the present invention.
- FIG. 7 is a cross-sectional view of the display area D of the organic EL display device 50b according to the present embodiment.
- the same parts as those in FIGS. 1 to 6 are assigned the same reference numerals and detailed explanations thereof will be omitted.
- the organic EL display device 50a in which one contact hole Ca is formed in the planarization film 19a in each sub-pixel P is exemplified.
- each sub-pixel P is flat.
- the organic EL display device 50b in which the contact holes Ca and Cb are formed in the chemical conversion film 19b is illustrated.
- the organic EL display device 50b has a display region D provided to display an image in a rectangular shape, and a frame region F provided around the display region D. And have.
- the organic EL display device 50b includes a resin substrate layer 10 provided as a base substrate, a TFT layer 20b provided on the resin substrate layer 10, and an organic EL provided on the TFT layer 20b.
- the element 30 b and the sealing film 35 provided to cover the organic EL element 30 b are provided.
- the TFT layer 20b includes a base coat film 11 provided on the resin substrate layer 10, a plurality of first TFTs 9a provided on the base coat film 11, a plurality of second TFTs 9b, and a plurality of capacitors 9c.
- Each first TFT 9a, each second TFT 9b, and a planarization film 19b provided on each capacitor 9c are provided.
- a plurality of gate lines 14 are provided so as to extend in parallel with each other.
- a plurality of source lines 18f are provided so as to extend in parallel with each other in the direction orthogonal to the gate lines 14.
- a plurality of power supply lines 18g are provided adjacent to the respective source lines 18f so as to extend in parallel with each other.
- the first TFT 9a, the second TFT 9b, and the capacitor 9c are provided in each sub-pixel P, similarly to the TFT 20a of the first embodiment.
- the planarization film 19 b is made of, for example, an organic resin material such as a polyimide resin.
- contact holes Ca and Cb reaching the drain electrode 18 d of the second TFT 9 b are formed in each of the sub-pixels P in the planarization film 19 b.
- the configuration in which two contact holes Ca and Cb are formed in the planarization film 19b in each sub-pixel P is illustrated, but the number of contact holes may be three or more.
- the organic EL element 30b is provided with a plurality of first electrodes 24b sequentially provided on the TFT layer 20b, an edge cover 25, a plurality of organic EL layers 26, and a second electrode 27.
- the plurality of first electrodes 24 b are provided in a matrix on the planarization film 19 b so as to correspond to the plurality of sub-pixels P, as shown in FIG. 7.
- the first electrode 24b is connected to the drain electrode 18d of the second TFT 9b via the contact holes Ca and Cb formed in the planarization film 19b.
- the first electrode 24 b has a function of injecting holes into the organic EL layer 26.
- the first electrode 24b is provided on the upper surface of the planarization film 19b, the surface and bottom of the contact hole Ca, and the surface and bottom of the contact hole Cb.
- the first conductive layer 21 b is made of, for example, a transparent conductive film such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO) or the like.
- a transparent conductive film such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO) or the like.
- the resin layer 22 b is made of, for example, an organic material such as acrylate, polyurea, parylene, polyimide, or polyamide.
- the height of the upper surface of the resin layer 22b is, as shown in FIG. 7, equal to the height of the upper surface of the first conductive layer 21 exposed from the contact hole Cb.
- the height of the upper surface of the resin layer 22b may be equal to or less than the height of the upper surface of the first conductive layer 21b exposed from the contact hole Cb.
- the second conductive layer 23 b is, for example, a transparent conductive film such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), silver (Ag), silver (Ag) ) And a laminated conductive film in which transparent conductive films such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO) are sequentially laminated. It is done. Further, the second conductive layer 23 b has higher light reflectivity than the first conductive layer 21 b. Further, as shown in FIG.
- the circumferential end surface of the second conductive layer 23 b coincides with the circumferential end surface of the first conductive layer 21 b.
- coincidedence means that the peripheral end faces coincide because the first conductive layer 21b and the second conductive layer 23b are simultaneously etched and patterned using the same photomask, and the etching rate in the vertical direction The difference of the peripheral end face by the slight difference of is also included.
- the organic EL display device 50b described above has flexibility, and in each sub-pixel P, the organic EL layer 26 via the first TFT 9a and the second TFT 9b. By appropriately emitting light from the light emitting layer main body 3, an image is displayed.
- the planarization film 19a and the first electrode 24a are used in the method of manufacturing the organic EL display device 50a described in the first embodiment. It can manufacture by changing the pattern shape of 22a and 2nd conductive layer 23a).
- the first electrode 24b is the upper surface of the planarization film 19b, the surface and the bottom of the contact hole Ca, And the first conductive layer 21b provided on the surface and the bottom of the contact hole Cb, the resin layers 22a and 22b provided in the contact holes Ca and Cb on the first conductive layer 21b, the first conductive layer 21b, and the resin And a second conductive layer 23b provided on the layers 22a and 22b and electrically connected to the first conductive layer 21b.
- the surface of the first electrode 24b of each sub-pixel P becomes flat on the contact holes Ca and Cb, so that in each sub-pixel P, the opening A of the edge cover 25 is the contact hole Ca of the planarization film 19b. Even if Cb is disposed so as to overlap with Cb, display quality by light emission of the organic EL layer 26 can be secured.
- the contact holes Ca and Cb can be formed in the red light-emitting area Lr, the green light-emitting area Lg, or the blue light-emitting area Lb, so that the aperture ratio of each sub-pixel P can be improved. While being able to do, it is possible to suppress deterioration with time of the organic EL display device 50b and burn-in of the display screen.
- the organic vapor deposition film 22 is thinned by ashing to form the resin layers 22a and 22b, so the first conductive layer 21b by the contact holes Ca and Cb. Can be effectively filled.
- the second conductive film 23 is formed to cover the first conductive film 21 through the resin layers 22a and 22b.
- the first conductive film 21 and the second conductive film 23 are simultaneously patterned to form the first conductive layer 21 b and the second conductive layer 23 b, the addition of the manufacturing process is suppressed as much as possible.
- the first electrode 24 b for improving the aperture ratio of each sub-pixel P can be formed.
- the contact holes Ca and Cb are provided in each sub-pixel P, for example, there is a defect in the electrical connection by the contact holes Ca. Even if there is an electrical connection through the contact hole Cb, the electrical connection between the drain electrode 18d of the second TFT 9b and the first electrode 24b can be secured, and the manufacturing yield can be improved. Further, since the contact holes Ca and Cb are provided in each sub-pixel P, the electric resistance due to the contact holes Ca and Cb can be lowered even if each sub-pixel P becomes large and the display region D becomes large. it can.
- FIG. 8 is a plan view showing the terminal area T in the frame area F of the organic EL display device 50c of the present embodiment.
- 9 and 10 are cross-sectional views of the organic EL display taken along the line IX-IX and the line XX in FIG.
- the structure of the display region D of the organic EL display devices 50a and 50b has been mainly described, but in the present embodiment, the structure of the frame region F of the organic EL display device 50c will be described. .
- the organic EL display device 50 c has a display region D provided to display an image in a rectangular shape, and a frame region F provided around the display region D. And have.
- the structure of the display area D of the organic EL display device 50c is substantially the same as the structure of the display area D of the organic EL display device 50a of the first embodiment.
- the structure of the display region D of the organic EL display device 50c is substantially the same as the structure of the display region D of the organic EL display device 50a of the first embodiment.
- the structure of the display area D of the display device 50c may be substantially the same as the structure of the display area D of the organic EL display device 50b of the second embodiment.
- a sealing wall W formed of the same material in one layer is provided in a frame shape so as to surround the display area D.
- a gate conductive layer 14d formed of the same material and in the same layer as the gate electrodes 14a and 14b is provided as a lead wiring extending from the display area D side to the terminal area T.
- the gate conductive layer 14d is exemplified as the lead wiring, but the lead wiring may be a conductive layer lower than the source electrodes 18a and 18c.
- a source conductive layer 18e formed of the same material and in the same layer as the source electrodes 18a and 18c is provided as a terminal wiring layer extending from the display area D to the terminal area T. ing.
- one end of the gate conductive layer 14d is connected to the display wiring such as the gate line 14, the source line 18f, the power supply line 18g, etc., and the other end is the contact hole Cc as shown in FIG. It is connected to the source conductive layer 18e via
- the source conductive layer 18e is covered with a wire covering layer 19c formed of the same material as the planarizing film 19a, as shown in FIGS. It is exposed from the layer 19c and becomes a part of the wiring terminal 18t.
- the wiring terminal 18t is provided so as to cover the source conductive layer 18e provided as a terminal wiring layer and the terminal region T side of the source conductive layer 18e.
- a covering layer 21t formed of the same material in the same layer as the layer 21a is provided.
- the organic EL display device 50c described above has flexibility, and in each sub-pixel P, the organic EL layer 26 via the first TFT 9a and the second TFT 9b. By appropriately emitting light from the light emitting layer main body 3, an image is displayed.
- the organic EL display device 50c of the present embodiment separately patterns the first conductive layer 21a and the second conductive layer 23a, and When forming the 1st conductive layer 21a, it can manufacture by forming the terminal coating layer 21t. Specifically, when forming the first conductive layer 21a and the terminal covering layer 21t, for example, with respect to the first conductive film (21) made of an ITO film formed by sputtering on the planarization film 19a. , Photolithography, etching with a weak acid such as oxalic acid and stripping of the resist, and annealing at 200 ° C. or higher to crystallize the patterned first conductive film (21).
- first conductive layer forming step When etching is performed after crystallization, it is necessary to etch the crystallized first conductive film (21) using a strong acid such as ferric chloride aqueous solution. Subsequently, an organic vapor deposition film (22) is formed to cover the first conductive layer 21a and the terminal covering layer 21t, and then the organic vapor deposition film (22) is thinned by ashing to form a resin layer (22a). (Resin layer forming step).
- the second conductive layer 23a is formed by performing photolithography, etching with a weak acid such as oxalic acid, and stripping of the resist (second conductive layer forming step).
- the second conductive film (23) is etched with a weak acid to form the patterning of the first conductive film (21) and the second conductive film ( The shape of the patterning of 23) can be changed. That is, a pattern (for example, the terminal covering layer 21t of the terminal region T) which is not formed by the second conductive film (23) can be formed on the first conductive film (21).
- the first electrode 24a is the upper surface of the planarizing film 19a and the surface and bottom of the contact hole Ca.
- an electrically connected second conductive layer 23a is an electrically connected.
- the surface of the first electrode 24 a of each sub-pixel P becomes flat on the contact hole Ca, so that in each sub-pixel P, the opening A of the edge cover 25 overlaps the contact hole Ca of the planarization film 19 a.
- the display quality by the light emission of the organic EL layer 26 can be secured.
- the formation part of contact hole Ca can be made into red light emission field Lr, green light emission field Lg, or blue light emission field Lb, while being able to improve the aperture ratio of each sub pixel P The deterioration with time of the organic EL display device 50c and the burn-in of the display screen can be suppressed.
- the organic vapor deposition film 22 is thinned by ashing to form the resin layer 22a. Therefore, the concave portion of the first conductive layer 21a by the contact hole Ca is effective. Can be filled in
- the wiring terminal 18t of the source conductive layer 18e exposed from the wiring covering layer 19c is covered with the relatively thin terminal covering layer 21t.
- a mounting component such as a flexible printed circuit (FPC) can be easily mounted on the terminal 18t.
- the organic vapor deposition film 22 once formed on the terminal covering layer 21t is removed when performing the ashing process, the electrical connection between the wiring terminal 18t and the mounted component such as the FPC can be surely performed. it can.
- the organic EL layer having a five-layer laminated structure of the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer, and the electron injection layer has been exemplified. It may be a three-layer laminated structure of a layer and hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer and electron injection layer.
- the organic EL display device is exemplified in which the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode.
- the laminated structure of the organic EL layer is reversed and the first electrode is a cathode.
- the present invention can also be applied to an organic EL display device in which the second electrode is an anode.
- the organic EL display device including the element substrate in which the electrode of the TFT connected to the first electrode is a drain electrode is exemplified.
- the TFT connected to the first electrode The present invention can also be applied to an organic EL display device provided with an element substrate whose electrode is called a source electrode.
- the organic EL display device has been described as an example of the display device.
- the present invention can be applied to a display device provided with a plurality of light emitting elements driven by current.
- the present invention can be applied to a display device provided with a QLED (Quantum-dot light emitting diode) which is a light emitting element using a quantum dot-containing layer.
- the present invention can also be applied to a display device such as a liquid crystal display device in which the concavo-convex structure formed on the film surface easily affects the display quality.
- the present invention is useful for flexible display devices.
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Abstract
各サブ画素において、平坦化膜（１９ａ）に形成されたコンタクトホール（Ｃａ）を介してＴＦＴ（９ｂ）に電気的に接続された第１電極（２４ａ）は、コンタクトホール（Ｃａ）の表面及び底面に少なくとも設けられた第１導電層（２１ａ）と、第１導電層（２１ａ）上でコンタクトホール（Ｃａ）内に設けられた樹脂層（２２ａ）と、第１導電層（２１ａ）及び樹脂層（２２ａ）上に設けられ第１導電層（２１ａ）に電気的に接続された第２導電層（２３ａ）とを備えている。
Description
本発明は、表示装置及びその製造方法に関するものである。
近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機ＥＬ（electroluminescence）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。ここで、有機ＥＬ素子は、例えば、陽極として設けられた第１電極と、陰極として設けられた第２電極と、それらの第１電極及び第２電極の間に設けられた有機ＥＬ層とを備えている。また、有機ＥＬ表示装置では、画像表示を行う表示領域が、例えば、矩形状に設けられ、その表示領域に複数のサブ画素がマトリクス状に設けられている。
例えば、特許文献１には、ＴＦＴ（thin film transistor）を被覆して表面を平坦化する平坦化膜に形成され、下部電極（第１電極）とＴＦＴとを電気的に接触させるコンタクトホールのアスペクト比を規定した有機ＥＬ素子が開示されている。
ところで、上記特許文献１のように、第１電極とＴＦＴとを電気的に接続するためのコンタクトホールが第1電極の周端部を覆うエッジカバーと重なっている表示装置では、各サブ画素において、コンタクトホールの形成部分が非発光領域になるので、各サブ画素の開口率が低下してしまう。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、各サブ画素の開口率を向上させることにある。
上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、複数のサブ画素が規定されたベース基板と、上記ベース基板上に設けられ、上記複数のサブ画素に対応して配置された複数のＴＦＴ、及び該複数のＴＦＴ上に形成された平坦化膜を有するＴＦＴ層と、上記ＴＦＴ層上に上記複数のサブ画素に対応して設けられ、上記平坦化膜に形成された各コンタクトホールを介して上記複数のＴＦＴに電気的にそれぞれ接続された複数の第１電極と、上記複数の第１電極の各周端部を覆うように設けられ、該複数の第１電極に対応して複数の開口部が形成されたエッジカバーと、上記エッジカバーを介して上記複数の第１電極上にそれぞれ設けられた複数の発光層と、上記複数の発光層上に上記複数のサブ画素に共通して設けられた第２電極とを備えた表示装置であって、上記各サブ画素において、対応する上記第１電極は、対応する上記コンタクトホールの表面及び底面に少なくとも設けられた第１導電層と、該第１導電層上で該コンタクトホール内に設けられた樹脂層と、上記第１導電層及び樹脂層上に設けられ該第１導電層に電気的に接続された第２導電層とを備え、対応する上記開口部は、対応する上記コンタクトホールに重なるように配置されていることを特徴とする。
本発明によれば、平坦化膜に形成されたコンタクトホールを介してＴＦＴに電気的に接続された第１電極は、コンタクトホールの表面及び底面に少なくとも設けられた第１導電層と、第１導電層上でコンタクトホール内に設けられた樹脂層と、第１導電層及び樹脂層上に設けられ第１導電層に電気的に接続された第２導電層とを備えているので、各サブ画素の開口率を向上させることができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
《第１の実施形態》
図１～図６は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの概略構成を示す平面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの平面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成するＴＦＴ層２０ａを示す等価回路図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの断面図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ層２６を示す断面図である。
図１～図６は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの概略構成を示す平面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの平面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成するＴＦＴ層２０ａを示す等価回路図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの断面図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ層２６を示す断面図である。
有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、矩形状に設けられた画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。ここで、表示領域Ｄには、図２に示すように、複数のサブ画素Ｐがマトリクス状に配置されている。また、表示領域Ｄでは、図２に示すように、赤色の階調表示を行うための赤色発光領域Ｌｒを有するサブ画素Ｐ、緑色の階調表示を行うための緑色発光領域Ｌｇを有するサブ画素Ｐ、及び青色の階調表示を行うための青色発光領域Ｌｂを有するサブ画素Ｐが互いに隣り合うように設けられている。なお、表示領域Ｄでは、赤色発光領域Ｌｒ、緑色発光領域Ｌｇ及び青色発光領域Ｌｂを有する隣り合う３つのサブ画素Ｐにより、１つの画素が構成されている。また、額縁領域Ｆの図中右端部には、図１に示すように、端子領域Ｔが設けられている。
有機ＥＬ表示装置５０ａは、図４に示すように、ベース基板として設けられた樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ層２０ａと、ＴＦＴ層２０ａ上に設けられた有機ＥＬ素子３０ａと、有機ＥＬ素子３０ａを覆うように設けられた封止膜３５と備えている。
樹脂基板層１０は、例えば、ポリイミド樹脂等により構成されている。
ＴＦＴ層２０ａは、図４に示すように、樹脂基板層１０上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ９ａ、複数の第２ＴＦＴ９ｂ及び複数のキャパシタ９ｃと、各第１ＴＦＴ９ａ、各第２ＴＦＴ９ｂ及び各キャパシタ９ｃ上に設けられた平坦化膜１９ａとを備えている。ここで、ＴＦＴ層２０ａでは、図２及び図３に示すように、図中横方向に互いに平行に延びるように複数のゲート線１４が設けられている。また、ＴＦＴ層２０ａでは、図２及び図３に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数のソース線１８ｆが設けられている。また、ＴＦＴ層２０ａでは、図２及び図３に示すように、各ソース線１８ｆと隣り合って、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数の電源線１８ｇが設けられている。また、ＴＦＴ層２０ａでは、図３に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及びキャパシタ９ｃがそれぞれ設けられている。
ベースコート膜１１は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
第１ＴＦＴ９ａは、図３に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応するゲート線１４及びソース線１８ｆに接続されている。ここで、第１ＴＦＴ９ａは、図４に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられた半導体層１２ａと、半導体層１２ａを覆うように設けられたゲート絶縁膜１３と、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ａのチャネル領域（不図示）と重なるように設けられたゲート電極１４ａと、ゲート電極１４ａを覆うように順に設けられた第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７と、第２層間絶縁膜１７上に設けられ、互いに離間するように配置されたソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂとを備えている。なお、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ａのソース領域（不図示）及びドレイン領域（不図示）にそれぞれ接続されている。また、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
第２ＴＦＴ９ｂは、図３に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに接続されている。ここで、第２ＴＦＴ９ｂは、図４に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられた半導体層１２ｂと、半導体層１２ｂを覆うように設けられたゲート絶縁膜１３と、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ｂのチャネル領域（不図示）と重なるように設けられたゲート電極１４ｂと、ゲート電極１４ｂを覆うように順に設けられた第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７と、第２層間絶縁膜１７上に設けられ、互いに離間するように配置されたソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄとを備えている。なお、ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ｂのソース領域（不図示）及びドレイン領域（不図示）にそれぞれ接続されている。また、本実施形態では、トップゲート型の第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを例示したが、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂは、ボトムゲート型であってもよい。
キャパシタ９ｃは、図３に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに接続されている。ここで、キャパシタ９ｃは、図４に示すように、ゲート電極と同一材料により同一層に形成された下部導電層１４ｃと、下部導電層１４ｃを覆うように設けられた第１層間絶縁膜１５と、第１層間絶縁膜１５上に下部導電層１４ｃと重なるように設けられた上部導電層１６とを備えている。
平坦化膜１９ａは、例えば、ポリイミド樹脂等の有機樹脂材料により構成されている。ここで、平坦化膜１９ａには、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、第２ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１８ｄに到達するコンタクトホールＣａが形成されている。
有機ＥＬ素子３０ａは、図４に示すように、ＴＦＴ層２０ａ上に順に設けられた複数の第１電極（陽極）２４ａ、エッジカバー２５、複数の有機ＥＬ層（発光層）２６及び第２電極（陰極）２７を備えている。
複数の第１電極２４ａは、図４に示すように、複数のサブ画素Ｐに対応するように、平坦化膜１９ａ上にマトリクス状に設けられている。ここで、第１電極２４ａは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、平坦化膜１９ａに形成されたコンタクトホールＣａを介して、第２ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１８ｄに接続されている。また、第１電極２４ａは、有機ＥＬ層２６にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極２４ａは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、平坦化膜１９ａの上面、並びにコンタクトホールＣａの表面及び底面に設けられた第１導電層２１ａと、第１導電層２１ａ上でコンタクトホールＣａ内に設けられた樹脂層２２ａと、第１導電層２１ａ及び樹脂層２２ａ上に設けられ第１導電層２１ａに接続された第２導電層２３ａとを備えている。
第１導電層２１ａは、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の透明導電膜により構成されている。
樹脂層２２ａは、例えば、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の有機材料により構成されている。ここで、樹脂層２２ａの上面の高さは、図４に示すように、コンタクトホールＣａから露出する第１導電層２１ａの上面の高さと一致している。なお、樹脂層２２ａの上面の高さは、コンタクトホールＣａから露出する第１導電層２１ａの上面の高さ以下であればよい。
第２導電層２３ａは、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の透明導電膜、銀（Ａｇ）、銀（Ａｇ）合金等の金属膜、及び酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の透明導電膜が順に積層された積層導電膜により構成されている。また、第２導電層２３ａは、第１導電層２１ａよりも光反射性が高くなっている。また、第２導電層２３ａの周端面は、図４に示すように、第１導電層２１ａの周端面と一致している。ここで、一致とは、第１導電層２１ａと第２導電層２３ａとが、同じフォトマスクを用い、同時にエッチングしてパターニングされるために周端面が一致することを言い、垂直方向のエッチングレートのわずかの差による周端面の差も含まれる。
エッジカバー２５は、図４に示すように、複数の第１電極２４ａの周縁部を覆うように格子状に設けられ、複数の第１電極２４ａに対応して複数の開口部Ａが形成されている。ここで、エッジカバー２５の開口部Ａは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、平坦化膜１９ａのコンタクトホールＣａに重なるように配置されている。また、エッジカバー２５を構成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等の有機膜が挙げられる。
複数の有機ＥＬ層２６は、図４に示すように、複数の第１電極２４ａ上に配置されるように、マトリクス状に設けられている。ここで、各有機ＥＬ層２６は、図５に示すように、第１電極２４ａ上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層本体３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極２４ａと有機ＥＬ層２６とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極２４ａから有機ＥＬ層２６への正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。
正孔輸送層２は、第１電極２４ａから有機ＥＬ層２６への正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
発光層本体３は、第１電極２４ａ及び第２電極２７による電圧印加の際に、第１電極２４ａ及び第２電極２７から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層本体３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層本体３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
電子輸送層４は、電子を発光層本体３まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
電子注入層５は、第２電極２７と有機ＥＬ層２６とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極２７から有機ＥＬ層２６へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子３０ａの駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
第２電極２７は、図４に示すように、エッジカバー２５及び複数の有機ＥＬ層２６を覆うように複数のサブ画素Ｐに共通して設けられている。また、第２電極２７は、有機ＥＬ層２６に電子を注入する機能を有している。また、第２電極２７は、有機ＥＬ層２６への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。ここで、第２電極２７を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極２７は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極２７は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極２７は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
封止膜３５は、図４に示すように、第２電極２７を覆うように設けられた第１無機膜３１と、第１無機膜３１上に設けられた有機膜３２と、有機膜３２を覆うように設けられた第２無機膜３３とを備え、有機ＥＬ層２６を水分や酸素から保護する機能を有している。ここで、第１無機膜３１及び第２無機膜３３は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）等の無機材料により構成されている。また、有機膜３２は、例えば、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の有機材料により構成されている。
上述した有機ＥＬ表示装置５０ａは、各サブ画素Ｐにおいて、ゲート線１４を介して第１ＴＦＴ９ａにゲート信号を入力することにより、第１ＴＦＴ９ａをオン状態にし、ソース線１８ｆを介して第２ＴＦＴ９ｂのゲート電極１４ｂ及びキャパシタ９ｃにソース信号に対応する所定の電圧を書き込み、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧に基づいて電源線１８ｇからの電流の大きさが規定され、その規定された電流が有機ＥＬ層２６に供給されることにより、有機ＥＬ層２６の発光層本体３が発光して、画像表示を行うように構成されている。なお、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、第１ＴＦＴ９ａがオフ状態になっても、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧がキャパシタ９ｃによって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまで発光層本体３による発光が維持される。
次に、図６を用いて、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法について説明する。ここで、図６は、有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法における第１電極形成工程を示す断面図である。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法は、ＴＦＴ層形成工程、有機ＥＬ素子形成工程及び封止膜形成工程を備える。
＜ＴＦＴ層形成工程＞
例えば、ガラス基板（不図示）上に形成した樹脂基板層１０の表面に、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、キャパシタ９ｃ及び平坦化膜１９ａを形成することにより、ＴＦＴ層２０ａを形成する。
例えば、ガラス基板（不図示）上に形成した樹脂基板層１０の表面に、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、キャパシタ９ｃ及び平坦化膜１９ａを形成することにより、ＴＦＴ層２０ａを形成する。
＜有機ＥＬ素子形成工程＞
まず、上記ＴＦＴ層形成工程で形成されたＴＦＴ層２０ａの平坦化膜１９ａ（厚さ３μｍ程度）上に、例えば、スパッタリング法により、ＩＴＯ膜を厚さ１００ｎｍ程度に成膜することにより、第１導電膜２１（図６（ａ）参照）を成膜する。（導電膜成膜工程／第１電極形成工程）。
まず、上記ＴＦＴ層形成工程で形成されたＴＦＴ層２０ａの平坦化膜１９ａ（厚さ３μｍ程度）上に、例えば、スパッタリング法により、ＩＴＯ膜を厚さ１００ｎｍ程度に成膜することにより、第１導電膜２１（図６（ａ）参照）を成膜する。（導電膜成膜工程／第１電極形成工程）。
続いて、図６（ａ）に示すように、第１導電膜２１を覆うように、例えば、真空蒸着法により、アクリレート等の紫外線硬化型の有機材料からなる有機蒸着膜２２を厚さ４００ｎｍ程度に形成した後に、有機蒸着膜２２をアッシングにより薄膜化することにより、図６（ｂ）に示すように、各コンタクトホールＣａ内に樹脂層２２ａを形成する（樹脂層形成工程／第１電極形成工程）。ここで、具体的に樹脂層形成工程では、蒸発して第１導電膜２１上に到達した有機蒸着膜２２を構成する分子が第１導電膜２１の表面上で液体状態として集まる。そして、有機蒸着膜２２は、コンタクトホールＣａの内部に第１導電膜２１を介して流れ込むことにより、コンタクトホールＣａによる凹みを平坦化するように働く。すなわち、有機蒸着膜２２は、コンタクトホールＣａの部分で厚く形成されることになる。その後、有機蒸着膜２２に対し、紫外線照射をすることにより、有機蒸着膜２２が硬化する。続いて、硬化した有機蒸着膜２２を酸素プラズマによるアッシングにより薄膜化することにより、有機蒸着膜２２の厚さの違いから、各コンタクトホールＣａ内には樹脂層２２ａが残存し、その以外の第１導電膜２１の表面上からは有機蒸着膜２２が除去された構造が得られる。このような挙動を示す有機蒸着膜２２については、例えば、国際公開第２０１４／１９６１３７号パンフレットに開示されている。
さらに、図６（ｃ）に示すように、各樹脂層２２ａを介して第１導電膜２１を覆うように、例えば、スパッタリング法により、ＩＴＯ膜（厚さ１００ｎｍ程度）、銀合金膜（厚さ１００ｎｍ程度）及びＩＴＯ膜（厚さ２０ｎｍ程度）を順に積層した第２導電膜２３を成膜した後に、第１導電膜２１及び第２導電膜２３の積層導電膜に対して、フォトリソグラフィ処理、エッチング処理及びレジストの剥離処理を行うことにより、第１導電層２１ａ及び第２導電層２３ａを形成して、第１導電層２１ａ、樹脂層２２ａ及び第２導電層２３からなる第１電極２４ａを形成する（導電層形成工程／第１電極形成工程）。
その後、複数の第１電極２４ａ上に、例えば、感光性ポリイミド樹脂を厚さ１．５μｍ程度に塗布した後に、その塗布膜に対して、プリベーク、露光、現像及びポストベークを行うことにより、エッジカバー２５を形成する（エッジカバー形成工程）。
続いて、エッジカバー２５を介して各第１電極２４ａ上に、マスクを用いて、例えば、真空蒸着法により、正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層本体３、電子輸送層４及び電子注入層５を成膜することにより、有機ＥＬ層２６を形成する（発光層形成工程）。
さらに、有機ＥＬ層２６上に、マスクを用いて、例えば、真空蒸着法により、銀又は銀合金により形成された膜を厚さ２０ｎｍ程度に成膜して、第２電極２７を形成することにより、有機ＥＬ素子３０ａを形成する（第２電極形成工程）。なお、銀又は銀合金により形成された膜は、その厚さが２０ｎｍ程度と薄いので、第２電極２７は、半透明になる。
＜封止膜形成工程＞
まず、上記有機ＥＬ素子形成工程で有機ＥＬ素子３０ａが形成された基板表面に、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により厚さ１０００ｎｍ程度に成膜して、第１無機膜３１を形成する。
まず、上記有機ＥＬ素子形成工程で有機ＥＬ素子３０ａが形成された基板表面に、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により厚さ１０００ｎｍ程度に成膜して、第１無機膜３１を形成する。
続いて、第１無機膜３１が形成された基板表面に、例えば、インクジェット法により、アクリレート等の有機樹脂材料を厚さ１０μｍ程度に成膜して、有機膜３２を形成する。
さらに、有機膜３２が形成された基板に対して、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により厚さ１０００ｎｍ程度に成膜して、第２無機膜３３を形成することにより、第１無機膜３１、有機膜３２及び第２無機膜３３からなる封止膜３０を形成する。
最後に、封止膜３０の表面に保護フィルム（不図示）を貼付した後に、樹脂基板層１０のガラス基板側からレーザー光を照射することにより、樹脂基板層１０の下面からガラス基板を剥離させる。なお、ガラス基板を剥離させた後に、樹脂基板層１０の下面に接着剤層を介して支持フィルムを別途貼付して、有機ＥＬ表示装置５０ａの剛性を向上させてもよい。
以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａを製造することができる。
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａ及びその製造方法によれば、各サブ画素Ｐにおいて、第１電極２４ａは、平坦化膜１９ａの上面、並びにコンタクトホールＣａの表面及び底面に設けられた第１導電層２１ａと、第１導電層２１ａ上でコンタクトホールＣａ内に設けられた樹脂層２２ａと、第１導電層２１ａ及び樹脂層２２ａ上に設けられ第１導電層２１ａに電気的に接続された第２導電層２３ａとを備えている。これにより、各サブ画素Ｐの第１電極２４ａの表面がコンタクトホールＣａ上で平坦になるので、各サブ画素Ｐにおいて、エッジカバー２５の開口部Ａが平坦化膜１９ａのコンタクトホールＣａに重なるように配置されていても、有機ＥＬ層２６の発光による表示品位を確保することができる。そして、各サブ画素Ｐにおいて、コンタクトホールＣａの形成部分を赤色発光領域Ｌｒ、緑色発光領域Ｌｇ又は青色発光領域Ｌｂにすることができるので、各サブ画素Ｐの開口率を向上させることができると共に、有機ＥＬ表示装置５０ａの経時劣化や表示画面の焼き付きを抑制することができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａ及びその製造方法によれば、有機蒸着膜２２を液体状態でコンタクトホールＣａに流し込んだ後に、紫外線の照射により硬化させ、さらに、硬化させた有機蒸着膜２２をアッシングにより薄膜化して樹脂層２２ａを形成するので、コンタクトホールＣａによる第１導電層２１ａの凹部を効果的に埋めることができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａ及びその製造方法によれば、第１電極形成工程では、樹脂層２２ａを介して第１導電膜２１を覆うように第２導電膜２３を成膜した後に、第１導電膜２１及び第２導電膜２３を同時にパターニングして、第１導電層２１ａ及び第２導電層２３ａを形成するので、製造工程の追加を可及的に抑制して、各サブ画素Ｐの開口率を向上させるための第１電極２４ａを形成することができる。
《第２の実施形態》
図７は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第２の実施形態を示している。ここで、図７は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置５０ｂの表示領域Ｄの断面図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図６と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
図７は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第２の実施形態を示している。ここで、図７は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置５０ｂの表示領域Ｄの断面図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図６と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
上記第１の実施形態では、各サブ画素Ｐにおいて、平坦化膜１９ａに１つのコンタクトホールＣａが形成された有機ＥＬ表示装置５０ａを例示したが、本実施形態では、各サブ画素Ｐにおいて、平坦化膜１９ｂにコンタクトホールＣａ及びＣｂが形成された有機ＥＬ表示装置５０ｂを例示する。
有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、矩形状に設けられた画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。
有機ＥＬ表示装置５０ｂは、図７に示すように、ベース基板として設けられた樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ層２０ｂと、ＴＦＴ層２０ｂ上に設けられた有機ＥＬ素子３０ｂと、有機ＥＬ素子３０ｂを覆うように設けられた封止膜３５と備えている。
ＴＦＴ層２０ｂは、図７に示すように、樹脂基板層１０上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ９ａ、複数の第２ＴＦＴ９ｂ及び複数のキャパシタ９ｃと、各第１ＴＦＴ９ａ、各第２ＴＦＴ９ｂ及び各キャパシタ９ｃ上に設けられた平坦化膜１９ｂとを備えている。ここで、ＴＦＴ層２０ｂでは、上記第１の実施形態のＴＦＴ２０ａと同様に、互いに平行に延びるように複数のゲート線１４が設けられている。また、ＴＦＴ層２０ｂでは、上記第１の実施形態のＴＦＴ２０ａと同様に、各ゲート線１４と直交する方向に互いに平行に延びるように複数のソース線１８ｆが設けられている。また、ＴＦＴ層２０ｂでは、上記第１の実施形態のＴＦＴ２０ａと同様に、各ソース線１８ｆと隣り合って、互いに平行に延びるように複数の電源線１８ｇが設けられている。また、ＴＦＴ層２０ｂでは、上記第１の実施形態のＴＦＴ２０ａと同様に、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及びキャパシタ９ｃがそれぞれ設けられている。
平坦化膜１９ｂは、例えば、ポリイミド樹脂等の有機樹脂材料により構成されている。ここで、平坦化膜１９ｂには、図７に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、第２ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１８ｄに到達するコンタクトホールＣａ及びＣｂが形成されている。なお、本実施形態では、各サブ画素Ｐにおいて、平坦化膜１９ｂに２つのコンタクトホールＣａ及びＣｂが形成された構成を例示したが、コンタクトホールの個数は、３つ以上であってもよい。
有機ＥＬ素子３０ｂは、図７に示すように、ＴＦＴ層２０ｂ上に順に設けられた複数の第１電極２４ｂ、エッジカバー２５、複数の有機ＥＬ層２６及び第２電極２７を備えている。
複数の第１電極２４ｂは、図７に示すように、複数のサブ画素Ｐに対応するように、平坦化膜１９ｂ上にマトリクス状に設けられている。ここで、第１電極２４ｂは、図７に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、平坦化膜１９ｂに形成されたコンタクトホールＣａ及びＣｂを介して、第２ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１８ｄに接続されている。また、第１電極２４ｂは、有機ＥＬ層２６にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極２４ｂは、図７に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、平坦化膜１９ｂの上面、コンタクトホールＣａの表面及び底面、並びにコンタクトホールＣｂの表面及び底面に設けられた第１導電層２１ｂと、第１導電層２１ｂ上でコンタクトホールＣａ及びＣｂ内に設けられた樹脂層２２ａ及び２２ｂと、第１導電層２１ｂ、樹脂層２２ａ及び２２ｂ上に設けられ第１導電層２１ｂに接続された第２導電層２３ｂとを備えている。
第１導電層２１ｂは、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の透明導電膜により構成されている。
樹脂層２２ｂは、例えば、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の有機材料により構成されている。ここで、樹脂層２２ｂの上面の高さは、図７に示すように、コンタクトホールＣｂから露出する第１導電層２１の上面の高さと一致している。なお、樹脂層２２ｂの上面の高さは、コンタクトホールＣｂから露出する第１導電層２１ｂの上面の高さ以下であればよい。
第２導電層２３ｂは、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の透明導電膜、銀（Ａｇ）、銀（Ａｇ）合金等の金属膜、及び酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の透明導電膜が順に積層された積層導電膜により構成されている。また、第２導電層２３ｂは、第１導電層２１ｂよりも光反射性が高くなっている。また、第２導電層２３ｂの周端面は、図７に示すように、第１導電層２１ｂの周端面と一致している。ここで、一致とは、第１導電層２１ｂと第２導電層２３ｂとが、同じフォトマスクを用い、同時にエッチングしてパターニングされるために周端面が一致することを言い、垂直方向のエッチングレートのわずかの差による周端面の差も含まれる。
上述した有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを介して有機ＥＬ層２６の発光層本体３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態で説明した有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法において、平坦化膜１９ａ及び第１電極２４ａ（第１導電層２１ａ、樹脂層２２ａ、第２導電層２３ａ）のパターン形状を変更することにより、製造することができる。
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂ及びその製造方法によれば、各サブ画素Ｐにおいて、第１電極２４ｂは、平坦化膜１９ｂの上面、コンタクトホールＣａの表面及び底面、並びにコンタクトホールＣｂの表面及び底面に設けられた第１導電層２１ｂと、第１導電層２１ｂ上でコンタクトホールＣａ及びＣｂ内に設けられた樹脂層２２ａ及び２２ｂと、第１導電層２１ｂ、樹脂層２２ａ及び２２ｂ上に設けられ第１導電層２１ｂに電気的に接続された第２導電層２３ｂとを備えている。これにより、各サブ画素Ｐの第１電極２４ｂの表面がコンタクトホールＣａ及びＣｂ上で平坦になるので、各サブ画素Ｐにおいて、エッジカバー２５の開口部Ａが平坦化膜１９ｂのコンタクトホールＣａ及びＣｂに重なるように配置されていても、有機ＥＬ層２６の発光による表示品位を確保することができる。そして、各サブ画素Ｐにおいて、コンタクトホールＣａ及びＣｂの形成部分を赤色発光領域Ｌｒ、緑色発光領域Ｌｇ又は青色発光領域Ｌｂにすることができるので、各サブ画素Ｐの開口率を向上させることができると共に、有機ＥＬ表示装置５０ｂの経時劣化や表示画面の焼き付きを抑制することができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂ及びその製造方法によれば、有機蒸着膜２２をアッシングにより薄膜化して樹脂層２２ａ及び２２ｂを形成するので、コンタクトホールＣａ及びＣｂによる第１導電層２１ｂの凹部を効果的に埋めることができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂ及びその製造方法によれば、第１電極形成工程では、樹脂層２２ａ及び２２ｂを介して第１導電膜２１を覆うように第２導電膜２３を成膜した後に、第１導電膜２１及び第２導電膜２３を同時にパターニングして、第１導電層２１ｂ及び第２導電層２３ｂを形成するので、製造工程の追加を可及的に抑制して、各サブ画素Ｐの開口率を向上させるための第１電極２４ｂを形成することができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂ及びその製造方法によれば、各サブ画素Ｐにおいて、コンタクトホールＣａ及びＣｂが設けられているので、例えば、コンタクトホールＣａによる電気的な接続に不良があっても、コンタクトホールＣｂによる電気的な接続により、第２ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１８ｄと第１電極２４ｂの間の電気的な接続を確保することができ、製造歩留まりを向上させることができる。また、各サブ画素Ｐにおいて、コンタクトホールＣａ及びＣｂが設けられているので、各サブ画素Ｐが大きくなって表示領域Ｄが大きくなっても、コンタクトホールＣａ及びＣｂによる電気抵抗を低くすることができる。
《第３の実施形態》
図８～図１０は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第３の実施形態を示している。ここで、図８は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃの額縁領域Ｆにおける端子領域Ｔを示す平面図である。また、図９及び図１０は、図８中のIX－IX線及びX－X線に沿った有機ＥＬ表示装置の断面図である。
図８～図１０は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第３の実施形態を示している。ここで、図８は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃの額縁領域Ｆにおける端子領域Ｔを示す平面図である。また、図９及び図１０は、図８中のIX－IX線及びX－X線に沿った有機ＥＬ表示装置の断面図である。
上記第１及び第２の実施形態では、有機ＥＬ表示装置５０ａ及び５０ｂの表示領域Ｄの構造について主に説明したが、本実施形態では、有機ＥＬ表示装置５０ｃの額縁領域Ｆの構造について説明する。
有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、矩形状に設けられた画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。
有機ＥＬ表示装置５０ｃの表示領域Ｄの構造については、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの構造と実質的に同じである。なお、本実施形態では、有機ＥＬ表示装置５０ｃの表示領域Ｄの構造が上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの構造と実質的に同じ構成を例示したが、有機ＥＬ表示装置５０ｃの表示領域Ｄの構造は、上記第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの表示領域Ｄの構造と実質的に同じであってもよい。
有機ＥＬ表示装置５０ｃの額縁領域Ｆには、有機膜３２となる有機樹脂材料の拡がりを抑制するために、図９に示すように、平坦化膜１９ａ及びエッジカバー２５、又はエッジカバー２５と同一層に同一材料により形成された堰止壁Ｗが表示領域Ｄを囲むように枠状に設けられている。
また、有機ＥＬ表示装置５０ｃの額縁領域Ｆには、ゲート電極１４ａ及び１４ｂと同一層に同一材料により形成されたゲート導電層１４ｄが表示領域Ｄ側から端子領域Ｔに延びる引き回し配線として設けられている。なお、本実施形態では、引き回し配線としてゲート導電層１４ｄを例示したが、引き回し配線は、ソース電極１８ａ及び１８ｃよりも下層の導電層であればよい。また、有機ＥＬ表示装置５０ｃの額縁領域Ｆには、ソース電極１８ａ及び１８ｃと同一層に同一材料により形成されたソース導電層１８ｅが表示領域Ｄ側から端子領域Ｔに延びる端子配線層として設けられている。ここで、ゲート導電層１４ｄは、一方の端部がゲート線１４、ソース線１８ｆ、電源線１８ｇ等の表示用配線に接続され、図９に示すように、他方の端部がコンタクトホールＣｃを介してソース導電層１８ｅに接続されている。
ソース導電層１８ｅの表示領域Ｄ側は、図８～図１０に示すように、平坦化膜１９ａと同一層に同一材料により形成された配線被覆層１９ｃに覆われ、端子領域Ｔにおいて、配線被覆層１９ｃから露出して配線端子１８ｔの一部になっている。ここで、配線端子１８ｔは、図８～図１０に示すように、端子配線層として設けられたソース導電層１８ｅと、ソース導電層１８ｅの端子領域Ｔ側を覆うように設けられ、第１導電層２１ａと同一層に同一材料により形成された被覆層２１ｔとを備えている。
上述した有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを介して有機ＥＬ層２６の発光層本体３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態で説明した有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法において、第１導電層２１ａ及び第２導電層２３ａを別々にパターニングし、第１導電層２１ａを形成する際に端子被覆層２１ｔを形成することにより、製造することができる。具体的に、第１導電層２１ａ及び端子被覆層２１ｔを形成する際には、平坦化膜１９ａ上に、例えば、スパッタリング法により成膜したＩＴＯ膜からなる第１導電膜（２１）に対して、フォトリソグラフィ処理、シュウ酸等のような弱酸によるエッチング処理及びレジストの剥離処理を行った後に、２００℃以上でアニール処理を行うことにより、パターニングされた第１導電膜（２１）の結晶化を行う（第１導電層形成工程）。なお、結晶化の後にエッチングを行う場合には、塩化第２鉄水溶液等のような強酸を用いて、結晶化された第１導電膜（２１）をエッチングする必要がある。続いて、第１導電層２１ａ及び端子被覆層２１ｔを覆うように有機蒸着膜（２２）を成膜した後に、その有機蒸着膜（２２）をアッシングにより薄膜化して、樹脂層（２２ａ）を形成する（樹脂層形成工程）。さらに、樹脂層（２２ａ）を覆うように、例えば、スパッタリング法により、ＩＴＯ膜、銀合金膜及びＩＴＯ膜を順に積層した第２導電膜（２３）を成膜した後に、その第２導電膜（２３）に対して、フォトリソグラフィ処理、シュウ酸等のような弱酸によるエッチング処理及びレジストの剥離処理を行うことにより、第２導電層２３ａを形成する（第２導電層形成工程）。このように、第１導電膜（２１）を結晶化した後に、第２導電膜（２３）を弱酸でエッチングすることにより、第１導電膜（２１）のパターニングの形状と、第２導電膜（２３）のパターニングの形状とを変えることができる。つまり、第１導電膜（２１）には、第２導電膜（２３）により形成されないようなパターン（例えば、端子領域Ｔの端子被覆層２１ｔ）を形成することができる。
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃ及びその製造方法によれば、各サブ画素Ｐにおいて、第１電極２４ａは、平坦化膜１９ａの上面、並びにコンタクトホールＣａの表面及び底面に設けられた第１導電層２１ａと、第１導電層２１ａ上でコンタクトホールＣａ内に設けられた樹脂層２２ａと、第１導電層２１ａ及び樹脂層２２ａ上に設けられ第１導電層２１ａに電気的に接続された第２導電層２３ａとを備えている。これにより、各サブ画素Ｐの第１電極２４ａの表面がコンタクトホールＣａ上で平坦になるので、各サブ画素Ｐにおいて、エッジカバー２５の開口部Ａが平坦化膜１９ａのコンタクトホールＣａに重なるように配置されていても、有機ＥＬ層２６の発光による表示品位を確保することができる。そして、各サブ画素Ｐにおいて、コンタクトホールＣａの形成部分を赤色発光領域Ｌｒ、緑色発光領域Ｌｇ又は青色発光領域Ｌｂにすることができるので、各サブ画素Ｐの開口率を向上させることができると共に、有機ＥＬ表示装置５０ｃの経時劣化や表示画面の焼き付きを抑制することができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃ及びその製造方法によれば、有機蒸着膜２２をアッシングにより薄膜化して樹脂層２２ａを形成するので、コンタクトホールＣａによる第１導電層２１ａの凹部を効果的に埋めることができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃ及びその製造方法によれば、配線被覆層１９ｃから露出するソース導電層１８ｅの配線端子１８ｔが比較的薄い端子被覆層２１ｔに覆われているので、配線端子１８ｔにＦＰＣ（flexible printed circuit）等の実装部品を容易に実装することができる。さらに、端子被覆層２１ｔ上に一旦形成された有機蒸着膜２２は、アッシング処理を行う際に除去されるので、配線端子１８ｔとＦＰＣ等の実装部品との電気的な接続を確実に行うことができる。
《その他の実施形態》
上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
また、上記各実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
また、上記各実施形態では、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした素子基板を備えた有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ素子基板を備えた有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
また、上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本発明は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置に適用することができる。例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）を備えた表示装置に適用することができる。また、本発明は、膜表面に形成された凹凸構造が表示品位に影響を与え易い液晶表示装置等の表示装置にも適用することができる。
以上説明したように、本発明は、フレキシブルな表示装置について有用である。
Ａ 開口部
Ｃａ，Ｃｂ コンタクトホール
Ｄ 表示領域
Ｆ 額縁領域
Ｐ サブ画素
Ｔ 端子領域
９ａ 第１ＴＦＴ
９ｂ 第２ＴＦＴ
１０ 樹脂基板層（ベース基板）
１８ｅ ソース導電層（端子配線層）
１８ｔ 配線端子
１９ａ，１９ｂ 平坦化膜
１９ｃ 配線被覆層
２０ａ，２０ｂ ＴＦＴ層
２１ 第１導電膜
２１ａ，２１ｂ 第１導電層
２１ｔ 端子被覆層
２２ 有機蒸着膜
２２ａ，２２ｂ 樹脂層
２３ 第２導電膜
２３ａ 第２導電層
２４ａ，２４ｂ 第１電極
２５ エッジカバー
２６ 有機ＥＬ層（発光層）
２７ 第２電極
５０ａ～５０ｃ 有機ＥＬ表示装置
Ｃａ，Ｃｂ コンタクトホール
Ｄ 表示領域
Ｆ 額縁領域
Ｐ サブ画素
Ｔ 端子領域
９ａ 第１ＴＦＴ
９ｂ 第２ＴＦＴ
１０ 樹脂基板層（ベース基板）
１８ｅ ソース導電層（端子配線層）
１８ｔ 配線端子
１９ａ，１９ｂ 平坦化膜
１９ｃ 配線被覆層
２０ａ，２０ｂ ＴＦＴ層
２１ 第１導電膜
２１ａ，２１ｂ 第１導電層
２１ｔ 端子被覆層
２２ 有機蒸着膜
２２ａ，２２ｂ 樹脂層
２３ 第２導電膜
２３ａ 第２導電層
２４ａ，２４ｂ 第１電極
２５ エッジカバー
２６ 有機ＥＬ層（発光層）
２７ 第２電極
５０ａ～５０ｃ 有機ＥＬ表示装置
Claims (13)
- 複数のサブ画素が規定されたベース基板と、
上記ベース基板上に設けられ、上記複数のサブ画素に対応して配置された複数のＴＦＴ、及び該複数のＴＦＴ上に形成された平坦化膜を有するＴＦＴ層と、
上記ＴＦＴ層上に上記複数のサブ画素に対応して設けられ、上記平坦化膜に形成された各コンタクトホールを介して上記複数のＴＦＴに電気的にそれぞれ接続された複数の第１電極と、
上記複数の第１電極の各周端部を覆うように設けられ、該複数の第１電極に対応して複数の開口部が形成されたエッジカバーと、
上記エッジカバーを介して上記複数の第１電極上にそれぞれ設けられた複数の発光層と、
上記複数の発光層上に上記複数のサブ画素に共通して設けられた第２電極とを備えた表示装置であって、
上記各サブ画素において、対応する上記第１電極は、対応する上記コンタクトホールの表面及び底面に少なくとも設けられた第１導電層と、該第１導電層上で該コンタクトホール内に設けられた樹脂層と、上記第１導電層及び樹脂層上に設けられ該第１導電層に電気的に接続された第２導電層とを備え、対応する上記開口部は、対応する上記コンタクトホールに重なるように配置されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１に記載された表示装置において、
上記樹脂層の上面の高さは、上記各コンタクトホールから露出する第１導電層の上面の高さ以下であることを特徴とする表示装置。 - 請求項１又は２に記載された表示装置において、
上記各サブ画素において、対応する上記コンタクトホールは、複数設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～３の何れか１つに記載された表示装置において、
上記複数のサブ画素が設けられた表示領域と、該表示領域の周囲に設けられ、端子領域を有する額縁領域とを備え、
上記端子領域には、外部の信号がそれぞれ入力される複数の端子が設けられ、
上記端子領域及び表示領域の間には、上記複数の端子と上記表示領域の対応する配線とを電気的にそれぞれ導通する複数の端子配線層が設けられ、
上記各端子配線層の上記表示領域側は、上記平坦化膜と同一層に同一材料により形成された配線被覆層に覆われていることを特徴とする表示装置。 - 請求項４に記載された表示装置において、
上記各端子は、上記各端子配線層と、該各端子配線層の上記端子領域側を覆うように設けられ、上記第１導電層と同一層に同一材料により形成された端子被覆層とを備えていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～５の何れか１つに記載された表示装置において、
上記第２導電層は、上記第１導電層よりも光反射性が高くなっていることを特徴とする表示装置。 - 請求項６に記載された表示装置において、
上記第１導電層は、透明導電膜により構成され、
上記第２導電層は、上記ベース基板側から順に設けられた銀膜又は銀を含む合金膜、及び透明導電膜を有する積層膜により構成されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～７の何れか１つに記載された表示装置において、
上記各サブ画素において、上記第２導電層の周端面は、上記第１導電層の周端面と一致していることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～８の何れか１つに記載された表示装置において、
上記発光層は、有機ＥＬ層であることを特徴とする表示装置。 - 複数のサブ画素が規定されたベース基板と、
上記ベース基板上に設けられ、上記複数のサブ画素に対応して配置された複数のＴＦＴ、及び該複数のＴＦＴ上に形成された平坦化膜を有するＴＦＴ層と、
上記ＴＦＴ層上に上記複数のサブ画素に対応して設けられ、上記平坦化膜に形成された各コンタクトホールを介して上記複数のＴＦＴに電気的にそれぞれ接続された複数の第１電極と、
上記複数の第１電極の各周端部を覆うように設けられ、該複数の第１電極に対応して複数の開口部が形成されたエッジカバーと、
上記エッジカバーを介して上記複数の第１電極上にそれぞれ設けられた複数の発光層と、
上記複数の発光層上に上記複数のサブ画素に共通して設けられた第２電極とを備えた表示装置を製造する方法であって、
上記ベース基板上に上記ＴＦＴ層を形成するＴＦＴ層形成工程と、
上記ＴＦＴ層上に上記複数の第１電極を形成する第１電極形成工程と、
上記複数の第１電極の各周端部を覆うように上記エッジカバーを形成するエッジカバー形成工程と、
上記複数の第１電極上に上記エッジカバーを介して上記複数の発光層を形成する発光層形成工程と、
上記複数の発光層上に上記第２電極を形成する第２電極形成工程とを備え、
上記第１電極形成工程は、
上記平坦化膜を覆うように第１導電膜を成膜する導電膜成膜工程と、
上記第１導電膜を覆うように有機蒸着膜を成膜した後に、該有機蒸着膜をアッシングにより薄膜化して、上記各サブ画素において、対応する上記コンタクトホール内に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
上記樹脂層を介して上記第１導電膜を覆うように第２導電膜を成膜した後に、該第１導電膜及び第２導電膜の積層膜をパターニングして、該第１導電膜により第１導電層を形成すると共に、該第２導電膜により該第１導電層に電気的に接続された第２導電層を形成する導電層形成工程とを備え、
上記エッジカバー形成工程では、上記各サブ画素において、対応する上記コンタクトホールに重なるように対応する上記開口部を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 複数のサブ画素が規定されたベース基板と、
上記ベース基板上に設けられ、上記複数のサブ画素に対応して配置された複数のＴＦＴ、及び該複数のＴＦＴ上に形成された平坦化膜を有するＴＦＴ層と、
上記ＴＦＴ層上に上記複数のサブ画素に対応して設けられ、上記平坦化膜に形成された各コンタクトホールを介して上記複数のＴＦＴに電気的にそれぞれ接続された複数の第１電極と、
上記複数の第１電極の各周端部を覆うように設けられ、該複数の第１電極に対応して複数の開口部が形成されたエッジカバーと、
上記エッジカバーを介して上記複数の第１電極上にそれぞれ設けられた複数の発光層と、
上記複数の発光層上に上記複数のサブ画素に共通して設けられた第２電極とを備えた表示装置を製造する方法であって、
上記ベース基板上に上記ＴＦＴ層を形成するＴＦＴ層形成工程と、
上記ＴＦＴ層上に上記複数の第１電極を形成する第１電極形成工程と、
上記複数の第１電極の各周端部を覆うように上記エッジカバーを形成するエッジカバー形成工程と、
上記複数の第１電極上に上記エッジカバーを介して上記複数の発光層を形成する発光層形成工程と、
上記複数の発光層上に上記第２電極を形成する第２電極形成工程とを備え、
上記第１電極形成工程は、
上記平坦化膜を覆うように第１導電膜を成膜し、該第1導電膜を結晶化した後に、該結晶化した第１導電膜をパターニングして、第１導電層を形成する第１導電層形成工程と、
上記第１導電層を覆うように有機蒸着膜を成膜した後に、該有機蒸着膜をアッシングにより薄膜化して、上記各サブ画素において、対応する上記コンタクトホール内に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
上記樹脂層を介して上記第１導電層を覆うように第２導電膜を成膜した後に、該第２導電膜をパターニングして、上記第１導電層に電気的に接続された第２導電層を形成する第２導電層形成工程とを備え、
上記エッジカバー形成工程では、上記各サブ画素において、対応する上記コンタクトホールに重なるように対応する上記開口部を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項１１に記載された表示装置の製造方法において、
上記複数のサブ画素が設けられた表示領域と、該表示領域の周囲に設けられ、端子領域を有する額縁領域とを備え、
上記端子領域には、外部の信号がそれぞれ入力される複数の端子が設けられ、
上記端子領域及び表示領域の間には、上記複数の端子と上記表示領域の対応する配線とを電気的にそれぞれ導通する複数の端子配線層が設けられ、
上記各端子配線層の上記表示領域側は、上記平坦化膜と同一層に同一材料により形成された配線被覆層に覆われており、
上記第１導電層形成工程では、上記第１導電層を形成する際に、上記各端子配線層の上記端子領域側を覆うように端子被覆層を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 請求項１０～１２の何れか１つに記載された表示装置の製造方法において、
上記発光層は、有機ＥＬ層であることを特徴とする表示装置の製造方法。
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