CN115176299B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的显示装置包括TFT层(30a)，该TFT层(30a)中依次层叠有显示用布线(16f)、保护膜(20a)、第一平坦化膜(21a)、金属布线层以及第二平坦化膜(23a)，在边框区域(F)中，分别在第一平坦化膜(21a)以及第二平坦化膜(23a)中设置有与显示用布线(16f)重叠的第一沟槽(Ga)以及第二沟槽(Gb)，第二电极(34)以覆盖第一沟槽(Ga)以及第二沟槽(Gb)的方式设置，保护膜(20a)包括由氧化硅膜形成的第一保护膜(17)以及第三保护膜(19)、以及由氮化硅膜形成的第二保护膜(18)。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置。
背景技术
近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用了有机电致发光(Electroluminescence，以下，也称为EL)元件的自发光型的有机EL显示装置备受关注。这种有机EL显示装置具备：例如，基底基板、设置在基底基板上的薄膜晶体管(thin filmtransistor，以下，也称为TFT)层、设置在TFT层上的有机EL元件层以及以覆盖有机EL元件层的方式设置的密封膜。在此，TFT层例如具备设置于基底基板上的底涂膜、设置于底涂膜上的多个TFT、以及以覆盖各TFT的方式依次设置的由无机绝缘膜形成的保护膜以及由有机绝缘膜形成的平坦化膜。另外，有机EL元件层具备：例如，设置在TFT层的平坦化膜上的多个第一电极、分别设置于多个第一电极上的多个有机EL层以及以覆盖各有机EL层的方式设置的第二电极。
例如，在专利文献1中公开了一种有机EL显示装置，在构成TFT层的第一平坦化膜及第二平坦化膜中设置有在俯视时呈大致C字状沟槽，该沟槽贯通第一平坦化膜及第二平坦化膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2019/224917号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
因此，在有机EL显示装置中，为了抑制树脂中水分从进行图像显示的显示区域的周围的边框区域向显示区域内的侵入，提出了上述沟槽以包围显示区域的方式设置成框状的构造。在此，在沟槽设置为框状的构造中，设置为在显示区域内延伸且在边框区域的端子部侧延伸的显示用布线与沟槽交叉地重叠。另外，在有机EL显示装置中，如上述专利文献1那样，提出了在第一平坦化膜和第二平坦化膜之间设有金属布线层的构造。因此，在采用了上述两个构造的有机EL显示装置中，在第一平坦化膜中形成沟槽的下侧部分后，通过湿法蚀刻将金属膜图案化以形成金属布线层时，从沟槽的下侧部分露出的保护膜的一部分被除去，要被保护膜覆盖的显示用布线与后工序中形成的有机EL元件层的第二电极有可能会短路。
本发明是鉴于这一点而完成的，其目的在于，在显示用布线与沟槽重叠的部分中，抑制显示用布线与第二电极的短路。
用于解决问题的方案
为了达成上述目的，本发明所涉及的显示装置包括：基底基板；薄膜晶体管层，其设置在所述基底基板上，并依次层叠有多条显示用布线、保护膜、第一平坦化膜、金属布线层以及第二平坦化膜；以及发光元件层，其设置在所述薄膜晶体管层上，并与构成显示区域的多个子像素对应地依次层叠有多个第一电极、多个发光层以及共用的第二电极，所述多条显示用布线设置为：各显示用布线在所述显示区域中平行地延伸，并且向配置于该显示区域的周围的边框区域的端子部的一侧延伸，在所述边框区域中，所述第一平坦化膜中设置有第一沟槽，所述第一沟槽与所述各显示用布线重叠并贯通该第一平坦化膜，所述第二平坦化膜中设置有第二沟槽，所述第二沟槽与所述各显示用布线重叠并贯通该第二平坦化膜，所述第二电极以覆盖所述第一沟槽及所述第二沟槽的方式设置，所述保护膜包括从所述多条显示用布线侧依次层叠的第一保护膜、第二保护膜以及第三保护膜，所述第一保护膜以及第三保护膜由氧化硅膜形成，所述第二保护膜由氮化硅膜形成。
发明效果
根据本发明，依次层叠由氧化硅膜形成的第一保护膜、由氮化硅膜形成的第二保护膜、以及由氧化硅膜形成的第三保护膜，并在多条显示用布线上设有保护膜，因此在显示用布线与沟槽的重叠部分中，能够抑制显示用布线与第二电极的短路。
附图说明
图1是示出本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的概略构成的俯视图。
图2是本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的显示区域的俯视图。
图3是沿着图1中的III-III线的有机EL显示装置的显示区域的剖视图。
图4是构成本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的TFT层的等效电路图。
图5是构成本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的有机EL层的剖视图。
图6是沿着图1中的VI-VI线的有机EL显示装置的剖视图。
图7是沿着图1中的VII-VII线的有机EL显示装置的边框区域的剖视图。
图8是沿着图1中的VIII-VIII线的有机EL显示装置的边框区域的剖视图。
图9是示出本发明第二实施方式所涉及的有机EL显示装置的概略构成的俯视图。
图10是本发明的第二实施方式所涉及的有机EL显示装置的剖视图，是相当于图6的图。
图11是本发明的第二实施方式所涉及的有机EL显示装置的变形例的剖视图，是相当于图10的图。
具体实施方式
以下，基于附图详细说明本发明的实施方式。此外，本发明并不限定于以下的各实施方式的构成。
《第一实施方式》
图1至图8示出了本发明所涉及的显示装置的第一实施方式。此外，作为包括有发光元件的显示装置，在以下各实施方式中，示例了包括有机EL元件的有机EL显示装置。在此，图1是示出本实施方式的有机EL显示装置50a的概略构成的俯视图。另外，图2是有机EL显示装置50a的显示区域D的俯视图。另外，图3是沿着图1中的III-III线的有机EL显示装置50a的显示区域D的剖视图。另外，图4是构成有机EL显示装置50a的TFT层30a的等效电路图。另外，图5是构成有机EL显示装置50a的有机EL层33的剖视图。另外，图6是沿着图1中的VI-VI线的有机EL显示装置50a的剖视图。另外，图7及图8是沿着图1中的VII-VII线及沿着VIII-VIII线的有机EL显示装置50a的边框区域F的剖视图。
如图1所示，有机EL显示装置50a包括例如设置为矩形状并进行图像显示的显示区域D、设置在显示区域D的周围并设置为矩形框状的边框区域F。此外，在本实施方式中，例示了矩形状的显示区域D，但该矩形状还包括例如边为圆弧状的形状、角部为圆弧状的形状、边的一部分有切口的形状等大致矩形状。
如图2所示，在显示区域D中，多个子像素P呈矩阵状排列。此外，如图2所示，在显示区域D中，例如具有用于进行红色显示的红色发光区域Lr的子像素P、具有用于进行绿色显示的绿色发光区域Lg的子像素P以及具有用于进行蓝色显示的蓝色发光区域Lb的子像素P以彼此相邻的方式设置。此外，在显示区域D中，由例如具有红色发光区域Lr、绿色发光区域Lg及蓝色发光区域Lb的相邻的三个子像素P构成一个像素。
在边框区域F的图1中的下端部处，端子部T设置成在一个方向(图中的横向)上延伸。在此，如后所述，在端子部T中沿着端子部T的延伸方向排列有多个端子C。另外，如图1所示，在边框区域F中，在后述的第一平坦化膜21a和第二平坦化膜23a中，分别以贯通第一平坦化膜21a和第二平坦化膜23a的方式设置有在俯视下呈框状的第一沟槽Ga及第二沟槽Gb(参照图6至图8)。另外，在边框区域F中，如图1所示，在第一沟槽Ga及第二沟槽Gb与显示区域D之间设置有具备后述的像素外TFT9e的驱动电路M。
如图3所示，有机EL显示装置50a包括：树脂基板层10，其作为基底基板；TFT层30a，其设置在树脂基板层10上；有机EL元件层35，其作为发光元件层设置在TFT层30a上；以及密封膜40，其设置在有机EL元件层35上。
树脂基板层10例如由聚酰亚胺树脂等构成。
如图3所示，TFT层30a包括设置在树脂基板层10上的底涂膜11、以及设置在底涂膜11上的多个第一TFT9a、多个第二TFT9b(参照图4)、多个第三TFT9c和多个电容器9d(参照图4)。此外，如图6所示，TFT层30a在边框区域F中具备构成驱动电路M的多个像素外TFT9e，该多个像素外TFT9e由与像素内的第一TFT9a、第二TFT9b以及第三TFT9c相同的材料设置于同一层。
在TFT层30a中，如图3所示，在树脂基板层10上依次层叠有底涂膜11、半导体层12a及12b、栅极绝缘膜13、第一布线层、层间绝缘膜15、第二布线层、保护膜20a、第一平坦化膜21a、第三布线层以及第二平坦化膜23a。在此，上述第一布线层例如为后述的栅极线14d、发光控制线14e、栅极电极14a及14b等。另外，上述第二布线层例如是后述的源极线16f、源极电极16a和16c、漏极电极16b和16d等。另外，上述第三布线层是后述的电源线22a、中继层22b等金属布线层。
在显示区域D中，如图2以及图4所示，在TFT层30a中以在附图中的横向上彼此平行地延伸的方式设置有多条栅极线14。另外，在显示区域D中，如图2以及图4所示，在TFT层30a中以在附图中的横向上彼此平行地延伸的方式设置有多条发光控制线14e。在此，栅极线14d及发光控制线14e在边框区域F中与驱动电路M(参照图1)电连接，该驱动电路M以单片的方式设置在树脂基板层10上。此外，驱动电路M中包括电连接了栅极线14d的扫描信号控制电路、电连接了发光控制线14e的发光信号控制电路等。另外，如图2所示，各发光控制线14e设置为与各栅极线14d相邻。另外，在显示区域D中，如图2以及图4所示，在TFT层30a中以在附图中的纵向上彼此平行地延伸的方式设置有多条源极线16f作为显示用布线。此外，如图1所示，各源极线16f在边框区域F中以在端子部T侧延伸的方式设置，在切换到其他布线层之后，在端子部T中，与对应的端子C电连接。另外，在TFT层30a中，如图1所示，在显示区域D中，电源线22a以格子状设置。此外，如图4所示，在TFT层30a中，在各子像素P中分别设置有第一TFT9a、第二TFT9b、第三TFT9c和电容器9d。
底涂膜11由例如氧化硅等的无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。
如图4所示，第一TFT9a在各子像素P中与对应的栅极线14d、源极线16f及第二TFT9b电连接。另外，如图3所示，第一TFT9a包括依次设置在底涂膜11上的半导体层12a、栅极绝缘膜13、栅极电极14a、层间绝缘膜15、以及源极电极16a和漏极电极16b。在此，如图3所示，半导体层12a以岛状设置在底涂膜11上，如后述，该半导体层12a具有沟道区域、源极区域和漏极区域。另外，半导体层12a、后述的半导体层12b及各像素外TFT9e的半导体层12e例如由In-Ga-Zn-O类的氧化物半导体形成。此外，In-Ga-Zn-O类氧化物半导体是In(铟)、Ga(镓)、Zn(锌)的三元氧化物，In、Ga和Zn的比例(组成比)没有特别限制。另外，In-Ga-Zn-O类氧化物半导体可以是非晶体，也可以是晶体。另外，也可以是取代In-Ga-Zn-O类氧化物半导体的In-Sn-Zn-O类等的其他氧化物半导体。另外，如图3所示，栅极绝缘膜13以覆盖半导体层12a的方式设置。另外，如图3所示，栅极电极14a以与半导体层12a的沟道区域重叠的方式设置在栅极绝缘膜13上。另外，如图3所示，层间绝缘膜15以覆盖栅极电极14a的方式设置。另外，如图3所示，源极电极16a和漏极电极16b以彼此分离的方式设置在第二层间绝缘膜15上。另外，如图3所示，源极电极16a和漏极电极16b经由形成在栅极绝缘膜13和层间绝缘膜15的层叠膜中的各接触孔与半导体层12a的源极区域以及漏极区域分别电连接。此外，栅极绝缘膜13及层间绝缘膜15，例如由氧化硅等的无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。
如图4所示，第二TFT9b在各子像素P中与对应的第一TFT9a、电源线22a及第三TFT9c电连接。此外，第二TFT9b具有与第一TFT9a及后述的第三TFT9c实质上相同的构造。
如图4所示，第三TFT9c在各子像素P中与对应的第二TFT9b、电源线22a及发光控制线14e电连接。另外，如图3所示，第三TFT9c包括依次设置在底涂膜11上的半导体层12b、栅极绝缘膜13、栅极电极14b、层间绝缘膜15、以及源极电极16c和漏极电极16d。在此，如图3所示，半导体层12b以岛状设置在底涂膜11上，该半导体层12b与半导体层12a同样地，具有沟道区域、源极区域和漏极区域。另外，如图3所示，栅极绝缘膜13以覆盖半导体层12b的方式设置。另外，如图3所示，栅极电极14b以与半导体层12b的沟道区域重叠的方式设置在栅极绝缘膜13上。另外，如图3所示，层间绝缘膜15以覆盖栅极电极14b的方式设置。另外，如图3所示，源极电极16c和漏极电极16d以彼此分离的方式设置在层间绝缘膜15上。另外，如图3所示，源极电极16c和漏极电极16d经由形成在栅极绝缘膜13和层间绝缘膜15的层叠膜中的各接触孔与半导体层12b的源极区域以及漏极区域分别电连接。
如上所述，像素外TFT9e具有与第一TFT9a、第二TFT9b及第三TFT9c实质上相同的结构，且如图6所示那样，具备在底涂膜11上依次设置的半导体层12e、栅极绝缘膜13及栅极电极14f。
此外，在本实施方式中，例示了顶栅型的第一TFT9a、第二TFT9b、第三TFT9c以及像素外TFT9e，但第一TFT9a、第二TFT9b、第三TFT9c以及像素外TFT9e也可以为底栅型。
如图4所示，电容器9d在各子像素P中与对应的第一TFT9a及电源线22a电连接。在此，电容器9d具备有上部导电层14c、下部导电层(未图示)以及栅极绝缘膜13等无机绝缘膜(未图示)，上部导电层14c由与栅极电极14a等相同的材料形成在同一层，下部导电层设置在上部导电层14c的树脂基板层10侧，栅极绝缘膜13等无机绝缘膜设置在上部导电层14c和下部导电层之间。此外，上部导电层14c与第一TFT9a电连接，上述下部导电层与电源线22a电连接。
保护膜20a包括从源极线16f等第二布线层侧依次层叠的第一保护膜17、第二保护膜18及第三保护膜19。在此，第一保护膜17及第三保护膜19例如由厚度为50nm～200nm左右的氧化硅膜等无机绝缘膜形成。另外，第二保护膜18例如由厚度为200nm～600nm左右的氮化硅膜等无机绝缘膜形成。此外，第二保护膜18也可以代替氮化硅膜而由氮氧化硅膜等无机绝缘膜形成。
第一平坦化膜21a、第二平坦化膜23a以及后述的边缘罩32a，例如由聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂等的具有感光性或非感光性的树脂膜构成。在此，在边框区域F中，设置于上述第一平坦化膜21a及第二平坦化膜23a的框状的第一沟槽Ga及第二沟槽Gb通过与各源极线16f交叉而与各源极线16f重叠。此外，在本实施方式中，列举示出了以包围显示区域D的方式设置为框状的第一沟槽Ga及第二沟槽Gb，但第一沟槽Ga及第二沟槽Gb也可以设置为线状或设置为点状。另外，如图6至图8所示，第二沟槽Gb的宽度Hb(参照图8，例如10μm～30μm左右)比第一沟槽Ga的宽度Ha(参照图8，例如5μm～20μm左右)大。
如图1及图3所示，电源线22a在第一平坦化膜21a上以格子状设置。
如图3所示，在各子像素P中，中继层22b在第一平坦化膜21a以岛状设置。
有机EL元件层35由矩阵状排列的多个有机EL元件构成，如图3所示，该有机EL元件层35包括依次设置在TFT层30a上的多个第一电极31a、边缘罩32a、多个有机EL层33及第二电极34。
如图3所示，多个第一电极31a以与多个子像素P相对应的方式呈矩阵状设置在第二平坦化膜23a上。在此，如图3所示，在各子像素P中，第一电极31a通过形成在保护膜20a及第一平坦化膜21a中的接触孔、形成在中继层22b及第二平坦化膜23a中的接触孔，与对应的第三TFT9c的漏极电极16d电连接。另外，第一电极31a具有向有机EL层33注入孔(空穴)的功能。另外，为了提高对有机EL层33的空穴注入效率，第一电极31a更优选由功函数大的材料形成。在此，作为构成第一电极31a的材料，例如可举出银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钛(Ti)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)、铂(Pt)、钯(Pd)、钼(Mo)、铱(Ir)、锡(Sn)等金属材料。另外，构成第一电极31a的材料也可以是例如砹(At)/氧化砹(AtO2)等的合金。进一步，构成第一电极31a的材料例如也可以为氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)那样的导电性氧化物等。另外，第一电极31a例如也可以层叠多个由上述材料构成的层而形成。此外，作为功函数大的化合物材料，例如可举出铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。
如图3所示，边缘罩32a在多个子像素P中共用并以覆盖各第一电极31a的周缘部的方式设置成格子状。
如图3所示，多个有机EL层33配置在各第一电极31a上，并且以与多个子像素对应的方式设置成矩阵状。在此，如图5所示，各有机EL层33包括依次设置在第一电极31a上的空穴注入层1、空穴传输层2、发光层3、电子传输层4及电子注入层5。
空穴注入层1也称为阳极缓冲层，其使第一电极31a和有机EL层33的能级接近，具有改善从第一电极31a向有机EL层33的空穴注入效率的功能。在此，作为构成空穴注入层1的材料，例如可举出三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基链烷衍生物、吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍生物等。
空穴传输层2具有提高空穴从第一电极31a向有机EL层33的传输效率的功能。在此，作为构成空穴传输层2的材料，例如可举出卟啉衍生物、芳族叔胺化合物、苯乙胺衍生物、聚乙烯咔唑、聚-p-苯乙炔、聚硅烷、三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳胺衍生物、胺取代的查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、二苯乙烯衍生物、氢化非晶硅、氢化非晶碳化硅、硫化锌、硒化锌等。
发光层3是在对第一电极31a及第二电极34施加电压时，从第一电极31a及第二电极34中分别注入空穴及电子并且空穴和电子进行复合的区域。在此，发光层3由发光效率高的材料形成。而且，作为构成发光层3的材料，例如可列举金属羟基喹啉化合物[8-羟基喹啉金属络合物]、萘衍生物、蒽衍生物、二苯乙烯衍生物、乙烯基丙酮衍生物、三苯胺衍生物、丁二烯衍生物、香豆素衍生物、苯并噁唑衍生物、噁二唑衍生物、噁唑衍生物、苯并咪唑衍生物、噻二唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯基衍生物、苯乙烯胺衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、三苯乙烯基苯衍生物、苝衍生物、芘酮衍生物、氨基芘衍生物、吡啶衍生物、罗丹明衍生物、吖啶衍生物、吩噁嗪酮、喹吖啶酮衍生物、红荧烯、聚对苯撑乙烯、聚硅烷等。
电子输送层4具有使电子高效地迁移至发光层3的功能。在此，作为构成电子传输层4的材料，例如可列举作为有机化合物的噁二唑衍生物、三唑衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲烷衍生物、联苯醌衍生物、芴酮衍生物、噻咯衍生物、金属羟基喹啉化合物等。
电子注入层5接近第二电极34和有机EL层33的能级，具有提高从第二电极34向有机EL层33注入电子的效率的功能，通过该功能，能够降低构成有机EL元件层35的各有机EL元件的驱动电压。此外，电子注入层5也称为阴极缓冲层。在此，作为构成电子注入层5的材料，例如可举出氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化锶(SrF2)、氟化钡(BaF2)那样的无机碱化合物、氧化铝(Al2O3)、氧化锶(SrO)等。
如图3所示，第二电极34在多个子像素P中共用并以覆盖各有机EL层33和边缘罩32a的方式设置。另外，如图8所示，第二电极34在边框区域F中以覆盖第一沟槽Ga及第二沟槽Gb的方式设置。另外，第二电极34具有向各有机EL层33注入电子的功能。另外，为了提高向有机EL层33的电子注入效率，第二电极34更优选由功函数小的材料构成。在此，作为构成第二电极34的材料，例如可举出银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)等。另外，第二电极34例如也可以由镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO2)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等合金形成。另外，第二电极34例如也可以由氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等导电性氧化物形成。另外，第二电极34例如也可以层叠多个由上述材料构成的层而形成。此外，作为功函数小的材料，例如可举出镁(Mg)、锂(Li)、氟化锂(LiF)、镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等。
如图3所示，密封膜40包括：以覆盖第二电极34的方式设置且依次设置在第二电极34上的第一无机密封膜36、有机密封膜37以及第二无机密封膜38，并具有保护有机EL元件层35的各有机EL层33免受水分、氧影响的功能。在此，第一无机密封膜36和第二无机密封膜38例如由氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜等无机绝缘膜构成。另外，有机密封膜37例如由丙烯酸树脂、环氧树脂、硅酮树脂、聚脲树脂、聚对二甲苯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂等有机树脂材料构成。
另外，如图1所示，有机EL显示装置50a在边框区域F中具备在沟槽G的外侧呈框状设置的阻挡壁W。在此，如图7所示，阻挡壁W包括在内侧(图中的左侧)呈框状设置的第一阻挡壁Wa以及在外侧(图中的右侧)呈框状设置的第二阻挡壁Wb。
如图7所示，第一阻挡壁Wa包括第三树脂层32a，该第三树脂层32a由与边缘罩32相同的材料形成于同一层。此外，第一阻挡壁Wa以与密封膜40的有机密封膜37的周端部重叠的方式设置，且以抑制成为有机密封膜37的油墨的扩散的方式构成。
如图7所示，第二阻挡壁Wb包括：由与第一平坦化膜21a相同的材料形成于同一层的下层树脂层21b；由与第二平坦化膜23a相同的材料形成于同一层的中层树脂层21b；以及由与边缘罩32a相同的材料形成于同一层的上层树脂层32d。
另外，如图1所示，有机EL显示装置50a在边框区域F中具备第一边框布线16h，该第一边框布线16h在第一沟槽Ga及第二沟槽Gb的内侧作为第二布线层设置为框状，且该第一边框布线16h在端子部T侧的边中有两条边沿着端子部T延伸。在此，第一边框布线16h构成为在边框区域F的靠显示区域D的一侧与电源线22a电连接，且在端子部T中被输入高电源电压(ELVDD)。
另外，如图1所示，有机EL显示装置50a在边框区域F中具备第二边框布线16i，该第二边框布线16i在第一沟槽Ga及第二沟槽Gb的外侧作为第二布线层设置为大致C状，且该第二边框布线16i的两端部在端子部T延伸。在此，如图7所示，第二边框布线16i构成为经由形成于第一沟槽Ga及第二沟槽Gb的导电层31b与第二电极34电连接，在端子部T中被输入低电源电压(ELVSS)。此外，导电层31b由与第一电极31a相同的材料形成于同一层。
在上述的有机EL显示装置50a中，在各子像素P中，通过经由栅极线14d向第一TFT9a输入栅极信号，第一TFT9a成为导通状态，第二TFT9b的栅极电极14b及电容器9d经由源极线16f被写入与源极信号对应的规定的电压，并在经由发光控制线14e向第三TFT9c输入发光控制信号时，第三TFT9c成为导通状态，与第二TFT9b的栅极电压对应的电流由电源线22a供给到有机EL层33，由此，有机EL层33的发光层3发光，并进行图像显示。此外，在有机EL显示装置50a中，即使第一TFT9a成为截止状态，由于第二TFT9b的栅极电压由电容器9d保持，因此，发光层3的发光也被各像素P维持，直到输入下一帧的栅极信号。
接着，说明本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法。此外，本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法具备TFT层形成工序、有机EL元件层形成工序以及密封膜形成工序。
<TFT层形成工序>
首先，例如，利用例如等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition:化学气相沉积)法，在形成于玻璃基板上的树脂基板层10上将氧化硅膜等无机绝缘膜(厚度为1000nm左右)成膜，从而形成底涂膜11。
接着，利用溅射法在形成有底涂膜11的基板整体将例如InGaZnO4等氧化物半导体膜(厚度为10nm～100nm左右)成膜后，通过对该氧化物半导体膜进行光刻处理、蚀刻处理及抗蚀剂的剥离处理，形成半导体层12a等。
之后，利用例如等离子体CVD法在形成有半导体层12a等的基板整体上形成氧化硅膜等无机绝缘膜(厚度为80nm～300nm左右)，以形成栅极绝缘膜13。
进一步，例如，利用溅射法在形成有栅极绝缘膜13的基板整体上依次将铝膜(厚度为350nm左右)和氮化钼膜(厚度为50nm左右)等成膜后，对这些金属层叠膜进行图案化，以形成栅极电极14a等的第一布线层。此外，作为金属层叠膜，除了上述的铝膜及氮化钼膜以外，也可以是钛膜(厚度为10nm～100nm左右)及铝膜(厚度为100nm～500nm左右)。然后，将第一布线层作为掩模，或者另外通过光刻处理形成光致抗蚀剂图案，通过进行干法蚀刻，对栅极绝缘膜13进行图案化。
接着，将第一布线层作为掩模，例如通过进行氢等离子体处理、氦等离子体处理等，从而在半导体层12a等中形成沟道区域、源极区域及漏极区域。
之后，利用例如等离子体CVD法，在半导体层12a等中形成有沟道区域、源极区域及漏极区域的基板整体上将氧化硅膜等无机绝缘膜(厚度为100nm～500nm左右)成膜，从而形成层间绝缘膜15。此外，作为无机绝缘膜，除了上述氧化硅膜以外，也可以是氧化硅膜和氮化硅膜的层叠膜。
进一步，例如利用溅射法在形成有层间绝缘膜15的基板整体上依次将钛膜(厚度为10nm～100nm左右)、铝膜(厚度为100nm～500nm左右)及钛膜(厚度为10nm～100nm左右)等成膜之后，对该金属层叠膜进行图案化，以形成源极电极16a等的第二布线层。
接着，例如利用等离子体CVD法在形成有第二布线层的整个基板上连续地成膜氧化硅膜(厚度为50nm～200nm左右)、氮化硅膜(厚度为100nm～500nm左右)以及氧化硅膜(厚度为50nm～200nm左右)后，对该无机绝缘层叠膜图案化，以形成保护膜20a。
然后，通过例如旋涂法或狭缝涂布法在形成有保护膜20a等的基板整体涂布聚酰亚胺类的感光性树脂膜(厚度为2μm左右)后，通过对该涂布膜进行预烘烤、曝光、显影及后烘烤，从而形成第一平坦化膜21a。
进一步，例如利用溅射法在形成有第一平坦化膜21a的基板整体上依次将钛膜(厚度为10nm～100nm左右)、铝膜(厚度为100nm～500nm左右)及钛膜(厚度为10nm～100nm左右)等成膜之后，对这些金属层叠膜进行图案化，以形成电源线22a等的第三布线层。
最后，通过例如旋涂法或狭缝涂布法在形成有第三布线层的基板整体上涂布聚酰亚胺类的感光性树脂膜(厚度为2μm左右)后，通过对该涂布膜进行预烘烤、曝光、显影及后烘烤，从而形成第二平坦化膜23a。
如上所述，能够形成TFT层30a。
<有机EL元件层形成工序>
使用公知的方法，在上述TFT层形成工序中形成的TFT层30a的第二平坦化膜上23a上形成第一电极31a、边缘罩32a、有机EL层33(空穴注入层1、空穴传输层2、发光层3、电子传输层4、电子注入层5)和第二电极34，以形成有机EL元件层35。
<密封膜形成工序>
首先，在上述有机EL元件层形成工序中形成的有机EL元件层35所形成的基板表面上，使用掩模，利用等离子体CVD法使例如氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜等无机绝缘膜成膜，从而形成第一无机密封膜36。
接着，例如利用喷墨法在形成有第一无机密封膜36的基板表面上成膜丙烯酸树脂等有机树脂材料，以形成有机密封膜37。
之后，使用掩模，例如利用等离子体CVD法在形成有有机密封膜37的基板上成膜氮化硅膜、氧化硅膜或氮氧化硅膜等无机绝缘膜，并通过形成第二无机密封膜38来形成密封膜40。
最后，在形成有密封膜40的基板表面上贴附了保护片(未图示)之后，通过从树脂基板层10的玻璃基板侧照射激光，从而使玻璃基板从树脂基板层10的下表面剥离，进一步地，在剥离了玻璃基板的树脂基板层10的下表面贴附保护片(未图示)。
如上所述，能够制造本实施方式的有机EL显示装置50a。
如上述说明那样，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，在TFT层30a中依次层叠有包含多条源极线16f的第二布线层、保护膜20a、第一平坦化膜21a、包含电源线22a的第三布线层以及第二平坦化膜23a。在此，多条源极线16f被设置为在显示区域D彼此平行地延伸，并且延伸到在边框区域F的端部配置的端子部T侧。而且，在边框区域F中，在第一平坦化膜21a中以框状设置与各源极线16f交叉并贯通第一平坦化膜21a的第一沟槽Ga，在第二平坦化膜23a中以框状设置与各源极线16f交叉并贯通第二平坦化膜23a的第二沟槽Gb。而且，构成有机EL元件层35的第二电极34以覆盖第一沟槽Ga及第二沟槽Gb的方式设置。在此，在各源极线16f上的保护膜20a中，依次层叠有由氧化硅膜形成的第一保护膜17、由氮化硅膜形成的第二保护膜18、以及由氧化硅膜形成的第三保护膜19。因此，在TFT层形成工序中，在形成具有第一沟槽Ga的第一平坦化膜21a之后形成电源线22a等的第三布线层时，即使使用氟化氢进行湿蚀刻，由于在电源线22a等的第三布线层的下侧配置有由氧化硅膜形成的第三保护膜19，因此也可以抑制保护膜20a的蚀刻导致的消失。由此，在有机EL元件层形成工序中，即使形成第二电极34，第二电极34和各源极线16f也通过保护膜20a被电绝缘，因此，在各源极线16f与第一沟槽Ga及第二沟槽Gb的交叉部分中，能够抑制各源极线16f与第二电极34的短路。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，由于构成保护膜20a的第二保护膜18由氮化硅膜形成，因此，通过第二保护膜18能够调整施加于装置整体的应力，能够抑制有机EL显示装置50a的翘曲。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，在边框区域F中，在第一平坦化膜21a中以包围显示区域D的方式呈框状地设置贯通第一平坦化膜21a的第一沟槽Ga，在第二平坦化膜23a中以包围显示区域D的方式呈框状地设置贯通第二平坦化膜23a的第二沟槽Gb。由此，能够抑制第一平坦化膜21a及第二平坦化膜23a中的水分从边框区域F向显示区域D内的侵入，因此能够抑制有机EL层33的劣化，能够提高有机EL显示装置50a的可靠性。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，在俯视下第一沟槽Ga及第二沟槽Gb的外侧，以框状设置有阻挡壁W(第一阻挡壁Wa及第二阻挡壁Wb)，使得阻挡壁W与构成密封膜40的有机密封膜37的周端部重叠。在此，在俯视时构成阻挡壁W的第二阻挡壁Wb的外侧，构成密封膜40的第一无机密封膜36与TFT层30a的保护膜20a和层间绝缘膜15都接触，因此，通过确保密封膜40的密封性能，能够抑制有机EL层33的劣化，能够提高有机EL显示装置50a的可靠性。
《第二实施方式》
图9至图11示出了本发明所涉及的显示装置的第二实施方式。在此，图9是示出本实施方式的有机EL显示装置50b的概略构成的俯视图。另外，图10是有机EL显示装置50b的剖视图，是相当于在上述第一实施方式中说明的图6的图。另外，图11是有机EL显示装置50b的变形例即有机EL显示装置50ba的剖视图，是与图10相当的图。此外，在以下的各实施方式中，对与图1至图8相同的部分标注相同的附图标记，并省略其详细的说明。
在上述第一实施方式中，例示了还在驱动电路M上设置有保护膜20a的有机EL显示装置50a，但在本实施方式中，例示出未在驱动电路M上设置保护膜20b的有机EL显示装置50b。
与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，有机EL显示装置50b设置为矩形状并进行图像显示的显示区域D、设置在显示区域D的周围并设置为矩形框状的边框区域F。
如图10所示，有机EL显示装置50b包括树脂基板层10、设置在树脂基板层10上的TFT层30b、设置在TFT层30b上的有机EL元件层35以及设置在有机EL元件层35上的密封膜40。
TFT层30b仅以具备保护膜20b来取代上述第一实施方式的TFT层30a中的保护膜20a，其它构成与上述第一实施方式的TFT层30a实质上相同。
如图10所示，保护膜20b具备有从源极线16f等的第二布线层侧起依次层叠的第一保护膜17、第二保护膜18及第三保护膜19。在此，如图9所示，在保护膜20b中设置有使驱动电路M从保护膜20b露出的开口部20m。而且，如图9所示，在俯视时，保护膜20b的开口部20m的边缘以包围驱动电路M整体的方式设置。此外，保护膜20b的开口部20m的边缘也可以如图11所示的变形例的有机EL显示装置50ba那样，以包围各像素外TFT9e的方式设置。
上述的有机EL显示装置50b与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，具有可挠性，并且构成为在每个子像素P中，通过第一TFT9a、第二TFT9b和第三TFT9c使有机EL层33的发光层3适当地发光来进行图像显示。
本实施方式的有机EL显示装置50b可以通过如下方式制造：在上述第一实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法中，改变在形成保护膜20a时的图案形状。
如上述说明那样，根据本实施方式的有机EL显示装置50b，在TFT层30b中依次层叠有包含多条源极线16f的第二布线层、保护膜20b、第一平坦化膜21a、包含电源线22a的第三布线层以及第二平坦化膜23a。在此，多条源极线16f被设置为在显示区域D彼此平行地延伸，并且延伸到在边框区域F的端部配置的端子部T侧。而且，在边框区域F中，在第一平坦化膜21a中以框状设置与各源极线16f交叉并贯通第一平坦化膜21a的第一沟槽Ga，在第二平坦化膜23a中以框状设置与各源极线16f交叉并贯通第二平坦化膜23a的第二沟槽Gb。而且，构成有机EL元件层35的第二电极34以覆盖第一沟槽Ga及第二沟槽Gb的方式设置。在此，在各源极线16f上的保护膜20b中，依次层叠有由氧化硅膜形成的第一保护膜17、由氮化硅膜形成的第二保护膜18、以及由氧化硅膜形成的第三保护膜19。因此，在TFT层形成工序中，在形成具有第一沟槽Ga的第一平坦化膜21a之后形成电源线22a等的第三布线层时，即使使用氟化氢进行湿蚀刻，由于在电源线22a等的第三布线层的下侧配置有由氧化硅膜形成的第三保护膜19，因此也可以抑制保护膜20b的蚀刻导致的消失。由此，在有机EL元件层形成工序中，即使形成第二电极34，第二电极34和各源极线16f也通过保护膜20b被可靠地电绝缘，因此，在各源极线16f和第一沟槽Ga及第二沟槽Gb的交叉部分中，能够抑制各源极线16f与第二电极34的短路。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50b，由于构成保护膜20b的第二保护膜18由氮化硅膜形成，因此，通过第二保护膜18能够调整施加于装置整体的应力，能够抑制有机EL显示装置50b的翘曲。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50b，在边框区域F中，在第一平坦化膜21a中以包围显示区域D的方式呈框状地设置贯通第一平坦化膜21a的第一沟槽Ga，在第二平坦化膜23a中以包围显示区域D的方式呈框状地设置贯通第二平坦化膜23a的第二沟槽Gb。由此，能够抑制第一平坦化膜21a及第二平坦化膜23a中的水分从边框区域F向显示区域D内的侵入，因此能够抑制有机EL层33的劣化，能够提高有机EL显示装置50b的可靠性。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50b，在俯视下第一沟槽Ga及第二沟槽Gb的外侧，以框状设置有阻挡壁W(第一阻挡壁Wa及第二阻挡壁Wb)，使得阻挡壁W与构成密封膜40的有机密封膜37的周端部重叠。在此，在俯视时构成阻挡壁W的第二阻挡壁Wb的外侧，构成密封膜40的第一无机密封膜36与TFT层30b的保护膜20b和层间绝缘膜15都接触，因此，通过确保密封膜40的密封性能，能够抑制有机EL层33的劣化，能够提高有机EL显示装置50b的可靠性。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50b，在保护膜20b中设置有使驱动电路M从保护膜20b露出的开口部20m，因此在构成驱动电路M的像素外TFT9e的半导体层12e的上层侧不配置由氮化硅膜构成的第二保护膜18。由此，即使在制造工序中被加热，氢从第二保护膜18扩散，对由In-Ga-Zn-O类的氧化物半导体构成的半导体层12e的影响也减少，因此能够抑制具备有半导体层12e的像素外TFT9e的阈值降低。
《其他实施方式》
在上述各实施方式中，例示了空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层的五层层叠结构的有机EL层，但有机EL层例如也可以为空穴注入层兼空穴传输层、发光层及电子传输层兼电子注入层的三层层叠结构。
此外，在上述各实施方式中，例示了将第一电极设为阳极、第二电极设为阴极的有机EL显示装置，但本发明还能够适用于使有机EL层的层叠结构反转，且将第一电极设为阴极，将第二电极设为阳极的有机EL显示装置。
此外，在上述各实施方式中，例示了将与第一电极连接的TFT的电极设为漏极电极的有机EL显示装置，但本发明还能够适用于将与第一电极连接的TFT的电极设为源极电极的有机EL显示装置。
此外，在上述各实施方式中，作为显示装置以有机EL显示装置为例进行了说明，但本发明能够适用于包括由电流驱动的多个发光元件的显示装置。例如，可以适用于包括有使用了含量子点层的发光元件的QLED(Quantum-dot light emitting diode，量子点发光二极管)的显示装置。
产业上的实用性
如以上说明那样，本发明可用于柔性的EL显示装置。
附图标记说明
C 端子
D 显示区域
F 边框区域
Ga 第一沟槽
Gb 第二沟槽
M 驱动电路
P 子像素
T 端子部
W 阻挡壁
9a 第一TFT(像素内TFT、像素内薄膜晶体管)
9b 第二TFT(像素内TFT、像素内薄膜晶体管)
9c 第三TFT(像素内TFT、像素内薄膜晶体管)
9e 像素外TFT(像素外薄膜晶体管)
10 树脂基板层(基底基板)
12a、12b、12e 半导体层
16f 源极线(显示用布线)
16h 第一边框布线
16i 第二边框布线
16t 端子
17 第一保护膜
18 第二保护膜
19 第三保护膜
20a、20b 保护膜
20m 开口部
21a 第一平坦化膜
22a 电源线(金属布线层)
22b 中继层(金属布线层)
23a 第二平坦化膜
30a、30b TFT层(薄膜晶体管层)
31a 第一电极
31b 导电层
33 有机EL层(有机电致发光层、发光层)
34 第二电极
35 有机EL元件层(发光元件层)
36 第一无机密封膜
37 有机密封膜
38 第二无机密封膜
40 密封层
50a、50b、50ba 有机EL显示装置

Claims (30)

1.一种显示装置，其包括：
基底基板；
薄膜晶体管层，其设置在所述基底基板上，并依次层叠有多条显示用布线、保护膜、第一平坦化膜、金属布线层以及第二平坦化膜；以及
发光元件层，其设置在所述薄膜晶体管层上，并与构成显示区域的多个子像素对应地依次层叠有多个第一电极、多个发光层以及共用的第二电极，
所述多条显示用布线设置为：各显示用布线在所述显示区域中平行地延伸，并且向配置于该显示区域的周围的边框区域的端子部的一侧延伸，
在所述边框区域中，所述第一平坦化膜中设置有第一沟槽，所述第一沟槽与所述各显示用布线重叠并贯通该第一平坦化膜，所述第二平坦化膜中设置有第二沟槽，所述第二沟槽与所述各显示用布线重叠并贯通该第二平坦化膜，
所述第二电极以覆盖所述第一沟槽及所述第二沟槽的方式设置，
所述显示装置的特征在于，
所述保护膜包括从所述多条显示用布线侧依次层叠的第一保护膜、第二保护膜以及第三保护膜，
所述第一保护膜以及第三保护膜由氧化硅膜形成，
所述第二保护膜由氮化硅膜形成，
在所述第一沟槽及所述第二沟槽与所述显示区域之间，设置有驱动电路，所述驱动电路具有多个像素外薄膜晶体管，
所述保护膜中设有使所述驱动电路从该保护膜露出的开口部，
在俯视时，所述开口部的边缘以包围所述驱动电路整体的方式设置。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第一沟槽及所述第二沟槽以与所述各显示用布线交叉的方式设置为线状。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述第一沟槽及所述第二沟槽以包围所述显示区域的方式设置为框状。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述多个像素外薄膜晶体管的每一个具备有由In-Ga-Zn-O类的氧化物半导体构成的半导体层。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第一平坦化膜以及所述第二平坦化膜由树脂膜形成。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第一平坦化膜以及所述第二平坦化膜由具有感光性的树脂膜形成。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述薄膜晶体管层具有设置于所述显示区域的多个像素内薄膜晶体管，
所述各显示用布线与所述多个像素内薄膜晶体管中的对应的像素内薄膜晶体管电连接，在排列有多个端子的所述端子部中，所述各显示用布线与该多个端子中的对应的端子电连接。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，
所述多个第一电极的每一个经由中继层与所述多个像素内薄膜晶体管中的对应的像素内薄膜晶体管电连接，其中，所述中继层作为所述金属布线层来设置。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
所述多个像素内薄膜晶体管的每一个具有由In-Ga-Zn-O类的氧化物半导体构成的半导体层。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述基底基板具有可挠性。
12.根据权利要求1至11中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述多个发光层的每一个是有机电致发光层。
13.一种显示装置，其包括：
基底基板；
薄膜晶体管层，其设置在所述基底基板上，并依次层叠有多条显示用布线、保护膜、第一平坦化膜、金属布线层以及第二平坦化膜；以及
发光元件层，其设置在所述薄膜晶体管层上，并与构成显示区域的多个子像素对应地依次层叠有多个第一电极、多个发光层以及共用的第二电极，
所述多条显示用布线设置为：各显示用布线在所述显示区域中平行地延伸，并且向配置于该显示区域的周围的边框区域的端子部的一侧延伸，
在所述边框区域中，所述第一平坦化膜中设置有第一沟槽，所述第一沟槽与所述各显示用布线重叠并贯通该第一平坦化膜，所述第二平坦化膜中设置有第二沟槽，所述第二沟槽与所述各显示用布线重叠并贯通该第二平坦化膜，
所述第二电极以覆盖所述第一沟槽及所述第二沟槽的方式设置，
所述显示装置的特征在于，
所述保护膜包括从所述多条显示用布线侧依次层叠的第一保护膜、第二保护膜以及第三保护膜，
所述第一保护膜以及第三保护膜由氧化硅膜形成，
所述第二保护膜由氮化硅膜形成，
在所述第一沟槽及所述第二沟槽与所述显示区域之间，设置有驱动电路，所述驱动电路具有多个像素外薄膜晶体管，
所述保护膜中设有使所述驱动电路从该保护膜露出的开口部，
在俯视时，所述开口部的边缘以包围所述多个像素外薄膜晶体管的每一个的方式设置。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，
所述第一沟槽及所述第二沟槽以与所述各显示用布线交叉的方式设置为线状。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于，
所述第一沟槽及所述第二沟槽以包围所述显示区域的方式设置为框状。
16.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于，
所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度。
17.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，
所述多个像素外薄膜晶体管的每一个具备有由In-Ga-Zn-O类的氧化物半导体构成的半导体层。
18.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，
所述第一平坦化膜以及所述第二平坦化膜由树脂膜形成。
19.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，
所述第一平坦化膜以及所述第二平坦化膜由具有感光性的树脂膜形成。
20.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，
所述薄膜晶体管层具有设置于所述显示区域的多个像素内薄膜晶体管，
所述各显示用布线与所述多个像素内薄膜晶体管中的对应的像素内薄膜晶体管电连接，在排列有多个端子的所述端子部中，所述各显示用布线与该多个端子中的对应的端子电连接。
21.根据权利要求20所述的显示装置，其特征在于，
所述多个第一电极的每一个经由中继层与所述多个像素内薄膜晶体管中的对应的像素内薄膜晶体管电连接，其中，所述中继层作为所述金属布线层来设置。
22.根据权利要求21所述的显示装置，其特征在于，
所述多个像素内薄膜晶体管的每一个具有由In-Ga-Zn-O类的氧化物半导体构成的半导体层。
23.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，
所述基底基板具有可挠性。
24.根据权利要求13至23中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述多个发光层的每一个是有机电致发光层。
25.一种显示装置，其包括：
基底基板；
薄膜晶体管层，其设置在所述基底基板上，并依次层叠有多条显示用布线、保护膜、第一平坦化膜、金属布线层以及第二平坦化膜；以及
发光元件层，其设置在所述薄膜晶体管层上，并与构成显示区域的多个子像素对应地依次层叠有多个第一电极、多个发光层以及共用的第二电极，
所述多条显示用布线设置为：各显示用布线在所述显示区域中平行地延伸，并且向配置于该显示区域的周围的边框区域的端子部的一侧延伸，
在所述边框区域中，所述第一平坦化膜中设置有第一沟槽，所述第一沟槽与所述各显示用布线重叠并贯通该第一平坦化膜，所述第二平坦化膜中设置有第二沟槽，所述第二沟槽与所述各显示用布线重叠并贯通该第二平坦化膜，
所述第二电极以覆盖所述第一沟槽及所述第二沟槽的方式设置，
所述显示装置的特征在于，
所述保护膜包括从所述多条显示用布线侧依次层叠的第一保护膜、第二保护膜以及第三保护膜，
所述第一保护膜以及第三保护膜由氧化硅膜形成，
所述第二保护膜由氮化硅膜形成，
所述第一沟槽及所述第二沟槽以与所述各显示用布线交叉的方式设置为线状，
所述第一沟槽及所述第二沟槽以包围所述显示区域的方式设置为框状，
所述显示区域设置为矩形状，
在俯视时，在所述第一沟槽及所述第二沟槽的内侧，设置有被输入相对高的电源电压的第一边框布线，
在俯视时，在所述第一沟槽及所述第二沟槽的外侧，设置有被输入相对低的电源电压的第二边框布线，
在不沿着所述端子部的所述第一沟槽及所述第二沟槽中，所述第二电极以及所述第二边框布线经由导电层电连接，其中，所述导电层由与所述多个第一电极的每一个相同的材料形成于同一层。
26.根据权利要求25所述的显示装置，其特征在于，
在所述显示区域中，电源线作为所述金属布线层设置为格子状，
所述电源线与所述第一边框布线电连接。
27.根据权利要求25所述的显示装置，其特征在于，
包括密封膜，所述密封膜以覆盖所述发光元件层的方式设置，且依次层叠有第一无机密封膜、有机密封膜以及第二无机密封膜。
28.根据权利要求27所述的显示装置，其特征在于，
所述薄膜晶体管层包括层间绝缘膜，所述层间绝缘膜由设置于所述多条显示用布线的所述基底基板侧的无机绝缘膜构成，
在俯视时，在所述第一沟槽及所述第二沟槽的外侧，以与所述有机密封膜的周端部重叠的方式呈框状设置有阻挡壁，
在俯视时，在所述阻挡壁的外侧，所述第一无机密封膜与所述保护膜以及所述层间绝缘膜接触。
29.根据权利要求25所述的显示装置，其特征在于，
所述基底基板具有可挠性。
30.根据权利要求25至29中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述多个发光层的每一个是有机电致发光层。
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