CN115777125A - 显示装置 - Google Patents

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冈崎庄治
斋田信介
市川伸治
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Abstract

在薄膜晶体管层上依次层叠有第一布线层、第一平坦化膜、第二布线层及第二平坦化膜，在第一平坦化膜及第二平坦化膜上，在显示区域及第一阻挡壁之间，呈框状设置有贯通第一平坦化膜及第二平坦化膜的第一狭缝，在第一狭缝中，相互对置的第一布线层的第一边框布线(21h)的缘部和第一布线层的第二边框布线(21i)的缘部被构成薄膜晶体管层的由无机绝缘膜构成的保护膜(23a)覆盖。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置。
背景技术
近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用有机电致发光(electroluminescence，以下也称为EL)元件的自发光型的有机EL显示装置受到关注。在此，在有机EL显示装置中，为了抑制因水分、氧气等的混入引起的有机EL元件的劣化，提出了用无机膜和有机膜的层叠膜构成覆盖有机EL元件的密封膜的密封结构。
例如，在专利文献1中，公开了一种具备覆盖有机发光元件的薄膜密封层的显示装置，该薄膜密封层具有将通过CVD(chemical vapor deposition)法等形成的无机膜层和通过喷墨法等形成的有机膜层交替配置而成的层叠结构。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2014-86415号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
但是，如上述专利文献1所公开的显示装置那样，在通过喷墨法形成密封膜的有机膜的情况下，需要在设置有有机EL元件的显示区域的周围的边框区域设置用于阻挡成为有机膜的油墨的阻挡壁。此外，有机EL显示装置例如具备：树脂基板；设置在树脂基板上的薄膜晶体管(thin film transistor，以下也称为TFT)层；以及设置在TFT层上的有机EL元件层。在此，TFT层具备设置于边框区域的边框布线、和设置于边框布线上且在显示区域具有平坦的表面的平坦化膜。此外，有机EL元件层例如具备在平坦化膜上依次设置的多个第一电极、边缘罩、多个有机EL层和第二电极。并且，在与平坦化膜由同一材料在同一层形成阻挡壁的情况下，由于形成平坦化膜时所使用的显影液、形成第一电极时使用的蚀刻液、以及形成边缘罩时使用的显影液，边框布线受到损伤，例如，边框布线的横截面形状的端部形成为檐状。这样一来，形成在边框布线上的密封膜的密封性能降低，所以有机EL元件有可能劣化。
本发明是鉴于这一点而完成的，其目的在于抑制在边框布线的制造工序中受到的损伤。
用于解决技术问题的技术方案
为了达成上述目的，本发明的显示装置具备：基底基板；薄膜晶体管层，其设置在所述基底基板上，依次层叠有第一布线层、第一平坦化膜、第二布线层和第二平坦化膜；发光元件层，其设置在所述薄膜晶体管层上，与构成显示区域的多个子像素对应，并依次层叠有多个第一电极、共用的边缘罩、多个发光层及共用的第二电极；密封膜，其以覆盖所述发光元件层的方式设置，并依次层叠有第一无机密封膜、有机密封膜及第二无机密封膜；第一阻挡壁，其在所述显示区域的周围的边框区域中，所述第一阻挡壁包围该显示区域，并且以与所述有机密封膜的周端部重叠的方式设置成框状；电源线，其作为所述第二布线层设置在所述显示区域；第一边框布线，其在所述边框区域作为所述第一布线层以沿所述边框区域的端部的端子部延伸的方式设置，并与所述电源线电连接；以及第二边框布线，其在所述边框区域作为所述第一布线层以延伸到所述端子部的方式设置，隔着与所述各第一电极由同一材料形成在同一层的导电层与所述第二电极电连接，所述第一平坦化膜及所述第二平坦化膜中，在所述显示区域及所述第一阻挡壁之间，呈框状设置有贯通所述第一平坦化膜及所述第二平坦化膜的第一狭缝，在所述第一狭缝中，相互对置的所述第一边框布线的缘部和所述第二边框布线的缘部被保护膜覆盖，所述保护膜由构成所述薄膜晶体管层的无机绝缘膜构成。
有益效果
根据本发明，能够抑制在边框布线的制造工序中受到的损伤。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的概略构成的平面图。
图2是概略地表示在本发明的第一实施方式的有机EL显示装置中，第一边框布线、第二边框布线、沟槽、第一阻挡壁、第二阻挡壁等的配置的平面图。
图3是本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的显示区域的平面图。
图4是沿着图1中的IV—IV线的有机EL显示装置的显示区域的截面图。
图5是构成本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的TFT层的等效电路图。
图6是构成本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的有机EL层的截面图。
图7是沿着图2中的VII—VII线的有机EL显示装置的边框区域的截面图。
图8是沿着图2中的VIII—VIII线的有机EL显示装置的边框区域的截面图。
图9是沿着图2中的IX—IX线的有机EL显示装置的边框区域的截面图。
图10是概略地表示在本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的变形例中，第一边框布线、第二边框布线、沟槽、第一阻挡壁、第二阻挡壁等的配置的平面图，是相当于图2的图。
图11是本发明的第二实施方式的有机EL显示装置的显示区域的截面图，是相当于图4的图。
图12是本发明的第二实施方式的有机EL显示装置的边框区域的截面图，是相当于图7的图。
图13是本发明的第二实施方式的有机EL显示装置的边框区域的截面图，是相当于图8的图。
图14是本发明的第三实施方式的有机EL显示装置的显示区域的截面图，是相当于图4的图。
图15是本发明的第三实施方式的有机EL显示装置的边框区域的截面图，是相当于图7的图。
图16是本发明的第三实施方式的有机EL显示装置的边框区域的截面图，是相当于图8的图。
图17是本发明的第三实施方式的有机EL显示装置的边框区域的截面图，是相当于图9的图。
图18是本发明的第四实施方式的有机EL显示装置的显示区域的截面图，是相当于图4的图。
图19是本发明的第四实施方式的有机EL显示装置的边框区域的截面图，是相当于图7的图。
图20是本发明的第四实施方式的有机EL显示装置的边框区域的截面图，是相当于图8的图。
图21是概略地表示在本发明的第五实施方式的有机EL显示装置中，第一边框布线、第二边框布线、沟槽、第一阻挡壁、第二阻挡壁等的配置的平面图，是相当于图2的图。
图22是沿着图21中的XXII—XXII线的有机EL显示装置的边框区域的截面图。
具体实施方式
以下，基于附图对本发明的实施方式进行详细说明。另外，本发明并不限定于以下的各实施方式。
《第一实施方式》
图1～图10表示本发明的显示装置的第一实施方式。另外，在以下的各实施方式中，作为具备发光元件层的显示装置，例示具备有机EL元件层的有机EL显示装置。在此，图1是表示本实施方式的有机EL显示装置50a的概略构成的平面图。此外，图2是概略性地表示在有机EL显示装置50a中，第一边框布线21h、第二边框布线21i、沟槽G、第一阻挡壁Wa、第二阻挡壁Wb等的配置的平面图。此外，图3是有机EL显示装置50a的显示区域D的平面图。此外，图4是沿着图1中的IV-IV线的有机EL显示装置50a的显示区域D的截面图。此外，图5是构成有机EL显示装置50a的TFT层30a的等效电路图。此外，图6是构成有机EL显示装置50a的有机EL层33的截面图。此外，图7、图8和图9是沿着图2中的VII—VII线、VIII—VIII线和IX—IX线的有机EL显示装置50a的边框区域F的截面图。此外，图10是在有机EL显示装置50a的变形例中，概略地表示第一边框布线21h、第二边框布线21i、沟槽G、第一阻挡壁Wa、第二阻挡壁Wb等的配置的平面图，是相当于图2的图。
如图1所示，有机EL显示装置50a例如具备：显示区域D，呈矩形状设置并进行图像显示；以及边框区域F，在显示区域D的周围呈矩形框状设置。另外，在本实施方式中，例示了矩形的显示区域D，但该矩形还包括例如边为圆弧状的形状、角部为圆弧状的形状、边的一部分有切口的形状等大致矩形。
在显示区域D，如图3所示，多个子像素P以矩阵状排列。此外，在显示区域D中，如图3所示，例如，具有进行红色的显示的红色发光区域Er的子像素P、具有用于进行绿色的显示的绿色发光区域Eg的子像素P、以及用于进行蓝色的显示的蓝色发光区域Eb的子像素P以相互相邻的方式设置。另外，在显示区域D中，例如，由具有红色发光区域Er、绿色发光区域Eg和蓝色发光区域Eb的相邻的三个子像素P构成一个像素。
在边框区域F的图1中的下端部，端子部T以在一个方向(图中的横方向)上延伸。此外，在边框区域F中，如图1所示，在显示区域D及端子部T之间，以图中的横方向为折弯的轴，例如能够以180°折弯(U字状)的折弯部B以沿一个方向(图中的横方向)延伸的方式设置。此外，在端子部T上，沿着端子部T的延伸方向排列有多个端子。此外，在边框区域F中，在后述的第一平坦化膜22a及第二平坦化膜28a，如图1、图2、图7及图8所示，以俯视时矩形框状的沟槽G贯通第一平坦化膜22a及第二平坦化膜28a的方式设置。另外，如图7所示，沟槽G具备形成于第一平坦化膜22a的第一沟槽Ga和形成于第二平坦化膜28a的第二沟槽Gb。
如图4所示，有机EL显示装置50a具备：作为基底基板设置的树脂基板层10、设置在树脂基板层10上的TFT层30a、在TFT层30a上作为发光元件层设置的有机EL元件层35以及以覆盖有机EL元件层35的方式设置的密封膜40。
树脂基板层10例如由聚酰亚胺树脂等构成。
如图4所示，TFT层30a具备设置于树脂基板层10上的底涂膜11、设置于底涂膜11上的多个第一TFT 9a、多个第二TFT 9b(参照图5)、多个第三TFT 9c及多个电容器9d。此外，如图4所示，TFT层30a具备：依次设置在各第一TFT 9a、各第二TFT 9b、各第三TFT 9c以及各电容器9d上的第一平坦化膜22a、保护膜23a及第二平坦化膜28a。
在TFT层30a中，如图4所示，在底涂膜11上依次层叠有半导体层12a及12b、栅极绝缘膜13、栅极14a及14b以及下部布线层14c(第一电极层)、第一层间绝缘膜15、上部布线层16a(第二电极层)、第二层间绝缘膜17、源极21a及21c以及漏极21b及21d(第一布线层)、第一平坦化膜22a、保护膜23a、电源线27a及中继电极27b(第二布线层)、第二平坦化膜28a。
在TFT层30a中，在显示区域D，如图3及图5所示，以在图中的横方向相互平行地延伸的方式设置有多条栅极线14d。此外，在TFT层30a中，在显示区域D，如图3及图5所示，以在图中的横方向相互平行地延伸的方式设置有多条发光控制线14e。另外，栅极线14d和发光控制线14e与栅极14a和14b以及下部布线层14c由同一材料形成在同一层，与栅极14a和14b以及下部布线层14c一起作为第一电极层设置。此外，如图3所示，各发光控制线14e设置为与各栅极线14d相邻。此外，在TFT层30a中，在显示区域D，如图3及图5所示，沿着图中的纵方向相互平行地延伸的方式设置有多条源极线21f。另外，源极线21f与源极21a和21c以及漏极21b和21d由同一材料形成在同一层，与源极21a和21c以及漏极21b和21d一起作为第一布线层设置。此外，在TFT层30a中，在显示区域D中，如图1所示，电源线27a呈格子状地作为第二布线层设置。另外，如图4所示，电源线27a具备在保护膜23a上依次层叠的下层金属膜24a、中层金属膜25a及上层金属膜26a。此外，在TFT层30a中，如图5所示，在各子像素P中，分别设置有第一TFT 9a、第二TFT 9b、第三TFT 9c以及电容器9d。
底涂膜11例如由氮化硅、氧化硅、氧氮化硅等无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。
如图5所示，第一TFT 9a在各子像素P中与对应的栅极线14d、源极线21f及第二TFT9b电连接。此外，如图4所示，第一TFT 9a具备在底涂膜11上依次设置的半导体层12a、栅极绝缘膜13、栅极14a、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17、以及源极21a和漏极21b。在此，如图4所示，半导体层12a呈岛状地设置在底涂膜11上，如后所述，具有沟道区域、源极区域及漏极区域。此外，半导体层12a和后述的半导体层12b例如由低温多晶硅膜、In-Ga-Zn-O类的氧化物半导体膜等形成。此外，如图4所示，栅极绝缘膜13以覆盖半导体层12a的方式设置。此外，如图4所示，栅极14a以与半导体层12a的沟道区域重叠的方式设置在栅极绝缘膜13上。此外，如图4所示，第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17以覆盖栅极14a的方式依次设置。此外，如图4所示，源极21a及漏极21b以在第二层间绝缘膜17上相互分离的方式设置。此外，如图4所示，源极21a及漏极21b经由形成于栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17的层叠膜的各接触孔，分别与半导体层12a的源极区域及漏极区域电连接。此外，如图4所示，源极21a具备在第二层间绝缘膜17上依次层叠的下层金属膜18a、中层金属膜19a以及上层金属膜20a。此外，如图4所示，漏极21b具备在第二层间绝缘膜17上依次层叠的下层金属膜18b、中层金属膜19b以及上层金属膜20b。另外，下层金属膜18a、下层金属膜18b、上层金属膜20a及上层金属膜20b、以及后述的下层金属膜18c、下层金属膜18d、上层金属膜20c及上层金属膜20d例如由钛膜或钛合金膜等钛系的金属膜构成。此外，中层金属膜19a和中层金属膜19b、以及后述的中层金属膜19c和中层金属膜19d例如由铝膜、铝合金膜等铝系的金属膜构成。此外，栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17及保护膜23a例如由氮化硅、氧化硅、氧氮化硅等无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。
如图5所示，第二TFT 9b在各子像素P中与对应的第一TFT9a、电源线27a及第三TFT9c电连接。另外，第二TFT 9b具有与第一TFT 9a及后述的第三TFT 9c实质上相同的结构。
如图5所示，第三TFT 9c在各子像素P中与对应的第二TFT9b、电源线27a及发光控制线14e电连接。此外，如图4所示，第三TFT 9c具备在底涂膜11上依次设置的半导体层12b、栅极绝缘膜13、栅极14b、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17、以及源极21c和漏极21d。在此，如图4所示，半导体层12b呈岛状地设置在底涂膜11上，与半导体层12a同样地，具有沟道区域、源极区域及漏极区域。此外，如图4所示，栅极绝缘膜13以覆盖半导体层12b的方式设置。此外，如图4所示，栅极14b以与半导体层12b的沟道区域重叠的方式设置在栅极绝缘膜13上。此外，如图4所示，第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17以覆盖栅极14b的方式依次设置。此外，如图4所示，源极21c和漏极21d以在第二层间绝缘膜17上相互分离的方式设置。此外，如图4所示，源极21c及漏极21d经由形成于栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17的层叠膜的各接触孔，分别与半导体层12b的源极区域及漏极区域电连接。此外，如图4所示，源极21c具备在第二层间绝缘膜17上依次层叠的下层金属膜18c、中层金属膜19c以及上层金属膜20c。此外，如图4所示，漏极21d经由形成于第一平坦化膜22a及保护膜23a的接触孔与中继电极27b电连接。此外，如图4所示，漏极21d具备在第二层间绝缘膜17上依次层叠的下层金属膜18d、中层金属膜19d以及上层金属膜20d。此外，中继电极27b作为第二布线层而设置，如图4表示，具备依次层叠在保护膜23a上的下层金属膜24b、中层金属膜25b以及上层金属膜26b。另外，下层金属膜24b及上层金属膜26b、以及上述下层金属膜24a及上层金属膜26a例如由钛膜、钛合金膜等钛系的金属膜构成。此外，中层金属膜25b以及上述中层金属膜25a例如由铝膜、铝合金膜等铝系的金属膜构成。
另外，在本实施方式中，例示了顶栅型的第一TFT 9a、第二TFT 9b以及第三TFT9c，但第一TFT 9a、第二TFT 9b以及第三TFT 9c也可以是底栅型。
如图5所示，电容器9d在各子像素P中与对应的第一TFT 9a及电源线27a电连接。这里，如图4所示，电容器9d具备：作为第一电极层设置的下部布线层14c、以覆盖下部布线层14c的方式设置的第一层间绝缘膜15、在第一层间绝缘膜15上以与下部布线层14c重叠的方式作为第二电极层设置的上部布线层16a。另外，上部布线层16a经由形成于第二层间绝缘膜17、第一平坦化膜22a及保护膜23a的接触孔(未图示)与电源线27a电连接。
第一平坦化膜22a、第二平坦化膜28a以及后述的边缘罩32a例如由聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、酚醛清漆树脂等有机树脂材料构成。
有机EL元件层35由呈矩阵状排列的多个有机EL元件构成，如图4所示，具备在TFT层30a上依次设置的多个第一电极31a、边缘罩32a、多个有机EL层33以及第二电极34。
如图4所示，多个第一电极31a以对应于多个子像素P的方式，呈矩阵状设置于第二平坦化膜28a上。在此，如图4所示，第一电极31a经由形成于第一平坦化膜22a及保护膜23a的接触孔、中继电极27b、以及形成于第二平坦化膜28a的接触孔，与第三TFT 9c的漏极21d电连接。此外，第一电极31a具有向有机EL层33注入空穴(正孔)的功能。此外，为了提高向有机EL层33注入空穴的效率，更优选用功函数大的材料形成第一电极31a。在此，作为构成第一电极31a的材料，例如可列举银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钛(Ti)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)、铂(Pt)、钯(Pd)、钼(Mo)、铱(Ir)、锡(Sn)等金属材料。此外，构成第一电极31a的材料例如也可以是砹(At)/氧化砹(AtO2)等的合金。而且，构成第一电极31a的材料例如也可以是氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)那样的导电性氧化物等。此外，第一电极31a也可以层叠多个由上述材料构成的层而形成。另外，作为功函数大的化合物材料，例如可列举铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。
如图4所示，边缘罩32a以对多个子像素P共用的方式覆盖各第一电极31a的周端部的方式设置成格子状。
如图4所示，多个有机EL层33配置在各第一电极31a上，以与多个子像素P对应的方式设置成矩阵状。在此，如图6所示，各有机EL层33具备在第一电极31a上依次层叠的空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4以及电子注入层5。
空穴注入层1也被称为阳极缓冲层，具有使第一电极31a与有机EL层33的能级接近、改善从第一电极31a向有机EL层33的空穴注入效率的功能。在此，作为构成空穴注入层1的材料，可列举出例如三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基链烷衍生物、吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪类衍生物等。
空穴输送层2具有提高从第一电极31a向有机EL层33的空穴的输送效率的功能。在此，作为构成空穴输送层2的材料，例如可列举出卟啉衍生物、芳族叔胺化合物、苯乙烯基胺衍生物、聚乙烯基咔唑、聚对亚苯基亚乙烯基(poly-p-phenylene vinylene)、聚硅烷(polysilane)、三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烃衍生物、吡唑啉(pyrazoline)衍生物、吡唑啉酮(pyrazolone)衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、胺取代查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、茋衍生物、氢化非晶硅、无定形氢化碳化硅、硫化锌或者硒化锌等。
发光层3是在第一电极31a和第二电极34施加电压时从第一电极31a和第二电极34分别注入空穴和电子并且空穴和电子再结合的区域。在此，发光层3由发光效率高的材料形成。而且，作为构成发光层3的材料，例如，可列举出金属羟基喹啉酮(オキシノイド，oxinoid)化合物[8-羟基喹啉金属络合物]、萘衍生物、蒽衍生物、二苯基亚乙基衍生物、乙烯基丙酮衍生物、三苯胺衍生物、丁二烯衍生物、香豆素衍生物、苯并噁唑衍生物、噁二唑衍生物、噁唑衍生物、苯并咪唑衍生物、噻二唑衍生物、苯并噻唑(benzthiazole)衍生物、苯乙烯基衍生物、苯乙烯基胺衍生物、双苯乙烯基苯(Bis(Styryl)Benzene)衍生物、三苯乙烯基苯衍生物、苝衍生物、芘酮衍生物、氨基芘衍生物、吡啶衍生物、若丹明衍生物、吖啶衍生物、吩噁嗪酮(phenoxazone)、喹吖啶酮衍生物、红荧烯、聚对亚苯基亚乙烯基、或聚硅烷(polysilanes)等。
电子输送层4具有使电子高效地移动到发光层3的功能。在此，作为构成电子传输层4的材料，例如，作为有机化合物，可列举出恶二唑衍生物、三唑衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲烷衍生物、联苯醌衍生物、芴酮衍生物、噻咯衍生物、金属羟基喹啉酮(オキシノイド，8-羟基喹啉金属络合物)化合物(metaloxinoidcompound)等。
电子注入层5具有使第二电极34与有机EL层33的能级接近、提高从第二电极34向有机EL层33注入电子的效率的功能，通过该功能，能够降低构成有机EL元件层35的各有机EL元件的驱动电压。另外，电子注入层5也被称为阴极缓冲层。在此，作为构成电子注入层5的材料，例如可列举氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化锶(SrF2)、氟化钡(BaF2)这样的无机碱化合物、氧化铝(Al2O3)、氧化锶(SrO)等。
如图4所示，第二电极34以多个子像素P共用的方式设置为覆盖各有机EL层33和边缘罩32a。此外，第二电极34具有向有机EL层33注入电子的功能。此外，为了提高向有机EL层33注入电子的效率，第二电极34更优选由功函数小的材料构成。在此，作为构成第二电极34的材料，例如可列举银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)等。此外，第二电极34例如也可以由镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO2)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等的合金形成。此外，第二电极34也可以由例如氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等导电性氧化物形成。此外，第二电极34也可以将由上述材料构成的层层叠多层而形成。另外，作为功函数小的材料，例如可列举镁(Mg)、锂(Li)、氟化锂(LiF)、镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等。
如图4所示，密封膜40具备以覆盖第二电极34的方式设置并依次层叠在第二电极34上的第一无机密封膜36、有机密封膜37和第二无机密封膜38，具有保护有机EL元件层35的各有机EL层33免受水分、氧气影响的功能。在此，第一无机密封膜36和第二无机密封膜38例如由氮化硅膜、氧化硅膜、氧氮化硅膜等无机绝缘膜构成。此外，有机密封膜37例如由丙烯酸树脂、环氧树脂、硅树脂、聚脲树脂、聚对二甲苯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂等的有机树脂材料构成。
此外，如图1和图2所示，有机EL显示装置50a具备第一边框布线21h，该第一边框布线21h在边框区域F中沿着显示区域D的图中下边的中央部以相对的宽度较宽地呈带状延伸，沿着显示区域D的图中下边的两端部以相对的宽度较窄地呈带状延伸，宽度较宽的部分的显示区域D的相反侧的两端部延伸到端子部T。在此，第一边框布线21h在边框区域F的显示区域D侧与电源线27a电连接，在端子部T输入高电源电压(ELVDD)。另外，第一边框布线21h作为第一布线层设置，如图8和图9所示，具备在第二层间绝缘膜17上依次层叠的下层金属膜18h、中层金属膜19h和上层金属膜20h，与源极21a和21c以及漏极21b和21d由同一材料形成在同一层。
此外，如图1以及图2所示，有机EL显示装置50a具备第二边框布线21i，该第二边框布线21i在边框区域F，在沟槽G的外侧设置为大致C字状，且两端部延伸到端子部T。在此，如图7所示，第二边框布线21i以经由形成于沟槽G的导电层31b与第二电极34电连接，在端子部T输入低电源电压(ELVSS)的方式构成。另外，第二边框布线21i作为第一布线层设置，如图7及图9所示，具备在第二层间绝缘膜17上依次层叠的下层金属膜18i、中层金属膜19i及上层金属膜20i，与源极21a及21c以及漏极21b及21d由同一材料形成在同一层。此外，如图7所示，导电层31b与第一电极31a由同一材料形成在同一层，在与第二电极34彼此接触的状态下也设置在沟槽G的内部，将第二边框布线21i及第二电极34电连接。
此外，如图1和图2所示，有机EL显示装置50a在边框区域F具备：第一阻挡壁Wa，其以包围显示区域D的方式呈框状设置在沟槽G的外侧；以及第二阻挡壁Wb，其呈框状设置在第一阻挡壁Wa的周围。
如图7所示，第一阻挡壁Wa具备：作为第二布线层设置的第一金属凸部27c；作为第一树脂凸部设置在第一金属凸部27c上，与第二平坦化膜28a由同一材料形成在同一层的内侧下层树脂层28c；隔着导电层31b作为第三树脂凸部设置在内侧下层树脂层28c上，与边缘罩32a由同一材料形成在同一层上的内侧上层树脂层32c。在此，第一阻挡壁Wa以与密封膜40的有机密封膜37的周端部重叠的方式设置，以抑制成为密封膜40的有机密封膜37的油墨的扩散的方式构成。此外，在第一平坦化膜22a及第二平坦化膜28a，如图2、图7及图8所示，在显示区域D及第一阻挡壁Wa之间，呈框状设置有贯通第一平坦化膜22a及第二平坦化膜28a的第一狭缝Sa。另外，在第一狭缝Sa，相互对置的第一边框布线21h的缘部和第二边框布线21i的缘部由保护膜23a覆盖(参照图9)。此外，第一金属凸部27c以与第一边框布线21h或第二边框布线21i电连接的方式设置。另外，如图2所示，与第一边框布线21h电连接的第一金属凸部27c以沿着显示区域D的一边(图中的下边)的一部分(中间部)的方式设置，该显示区域D的一边是沿着端子部T的显示区域的一条边。此外，如图2所示，与第二边框布线21i电连接的第一金属凸部27c以沿着显示区域D的一边(图中的下边)的其它部分(两端部)、以及沿着显示区域D的三边(图中的左边、右边以及上边)的方式设置，该显示区域D的一边是沿着端子部T的显示区域的一条边，该显示区域D的三边是不沿着端子部T的显示区域D的三条边。另外，如图7所示，第一金属凸部27c具备在保护膜23a上依次层叠的下层金属膜24c、中层金属膜25c以及上层金属膜26c。
如图7所示，第二阻挡壁Wb具备：作为第二布线层设置的第二金属凸部27d；作为第二树脂凸部设置在第二金属凸部27d上，且与第二平坦化膜28a由同一材料形成在同一层的外侧下层树脂层28d；隔着导电层31b作为第四树脂凸部设置在外侧下层树脂层28d上，并与边缘罩32a由同一材料形成在同一层的外侧上层树脂层32d。在此，如图2、图7及图8所示，在第二平坦化膜28a，在第一阻挡壁Wa及第二阻挡壁Wb之间，贯通第二平坦化膜28a的第二狭缝Sb设置为框状。另外，如图9所示，在第二狭缝Sb中，相互对置的第一边框布线21h的边缘部和第二边框布线21i的边缘部由保护膜23a覆盖。此外，第二金属凸部27d以与第一边框布线21h或第二边框布线21i电连接的方式设置。另外，如图2所示，与第一边框布线21h电连接的第二金属凸部27d以沿着沿端子部T的显示区域D的一边(图中的下边)的一部分(中间部)的方式设置。此外，如图2所示，与第二边框布线21i电连接的第二金属凸部27d以沿着显示区域D的一边(图中的下边)的其它部分(两端部)、以及显示区域D的三边(图中的左边、右边以及上边)的方式设置，该显示区域D的一边是沿端子部T的显示区域D的一条边，该显示区域D的三边是不沿着端子部T的显示区域D的三条边。此外，如图7所示，第二金属凸部27d具备在保护膜23a上依次层叠的下层金属膜24d、中层金属膜25d以及上层金属膜26d。
此外，如图2所示，有机EL显示装置50a在边框区域F中具备第一金属层27e，该第一金属层27e在沟槽G及第一狭缝Sa之间作为第二布线层设置为大致C字状。在此，如图7所示，第一金属层27e具备在保护膜23a上依次层叠的下层金属膜24e、中层金属膜25e及上层金属膜26e，第一金属层27e以经由形成于第一平坦化膜22a及保护膜23a的接触孔与第二边框布线21i电连接的方式设置。
此外，如图2所示，有机EL显示装置50a在边框区域F中具备端子侧金属层27f，该端子侧金属层27f以与沟槽G的图中的下边部重叠的方式作为第二布线层设置成大致T字状。在此，如图8所示，端子侧金属层27f具备在保护膜23a上依次层叠的下层金属膜24f、中层金属膜25f及上层金属膜26f，端子侧金属层27f以在沟槽G的内部经由形成于保护膜23a的接触孔与第一边框布线21h电连接的方式设置。另外，在本实施方式中，例示了一体地设置为大致T字形的端子侧金属层27f，但如图10所示，也可以是夹着沟槽G而分离设置的端子侧金属层27fa及27fb。
此外，如图7及图8所示，有机EL显示装置50a在边框区域F具有以在沟槽G的两缘部向上方突出的方式呈岛状设置的多个周边光间隔物32b。在此，周边光间隔物32b与边缘罩32a由同一材料形成在同一层。此外，边缘罩32a的向表面的上方突出的部分成为岛状的像素光间隔物。另外，在图7中，导电层31b被断断续续地图示，但导电层31b仅与周边光间隔物32b重叠的部分开口而形成为一体。
在上述的有机EL显示装置50a中，在各子像素P中，通过栅极线14d向第一TFT 9a输入栅极信号，第一TFT 9a成为导通状态，通过源极线21f向第二TFT 9b的栅极14b及电容器9d写入与源极信号对应的规定的电压，在通过发光控制线14e向第三TFT 9c输入发光控制信号时，第三TFT 9c成为导通状态，与第二TFT 9b的栅极电压相应的电流从电源线27a供给到有机EL层33，从而有机EL层33的发光层3发光，进行图像显示。此外，在有机EL显示装置50a，即使第一TFT 9a成为截止状态，第二TFT 9b的栅极电压也由电容器9d保持，因此，发光层3的发光被各子像素P维持，直到输入下一帧的栅极信号为止。
接着，对本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法进行说明。另外，本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法具备TFT层形成工序、有机EL元件层形成工序和密封膜形成工序。
<TFT层形成工序>
首先，例如通过等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition)法，在形成于玻璃基板上的树脂基板层10上成膜氧化硅膜等无机绝缘膜(厚度1000nm左右)，由此形成底涂膜11。
接着，利用等离子CVD法，在形成有底涂膜11的基板整体形成例如非晶硅膜(厚度50nm左右)，通过激光退火等使该非晶硅膜结晶化而形成多晶硅膜的半导体膜后，对该半导体膜进行图案化，形成半导体层12a等。
之后，通过例如等离子体CVD法在形成有半导体层12a等的基板整体成膜氧化硅膜等无机绝缘膜(100nm左右)，以覆盖半导体层12a等的方式形成栅极绝缘膜13。
进而，例如通过溅射法在形成有栅极绝缘膜13的基板整体依次成膜铝膜(厚度350nm左右)和氮化钼膜(厚度50nm左右)等，之后对这些金属层叠膜进行图案化，形成栅极线14d等第一电极层。
接着，将第一电极层作为掩模，通过掺杂杂质离子，从而在半导体层12a等形成沟道区域、源极区域以及漏极区域。
然后，通过例如等离子体CVD法，在半导体层12a等形成有沟道区域、源极区域及漏极区域的基板整体，成膜氧化硅膜等无机绝缘膜(厚度100nm左右)，从而形成第一层间绝缘膜15。
接着，例如通过溅射法在形成有第一层间绝缘膜15的基板整体依次成膜铝膜(厚度350nm左右)和氮化钼膜(厚度50nm左右)等，之后对这些金属层叠膜进行图案化，形成上部布线层16a等第二电极层。
进而，通过例如等离子体CVD法在形成有第二电极层的基板整体成膜氧化硅膜等无机绝缘膜(厚度500nm左右)，从而形成第二层间绝缘膜17。
然后，通过对栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17进行图案化，从而形成接触孔等。
接着，例如利用溅射法在形成了接触孔等的基板整体依次成膜钛膜(厚度30nm左右)、铝膜(厚度300nm左右)及钛膜(厚度50nm左右)等，之后对这些金属层叠膜进行图案化，形成源极线21f等第一布线层。
进而，例如通过旋涂法或狭缝涂布法，在形成有第一布线层的整个基板上涂布聚酰亚胺系的感光性树脂膜(厚度2μm左右)，之后通过对该涂布膜进行预烘烤、曝光、显影及后烘烤，形成由有机绝缘膜构成的第一平坦化膜22a。
之后，例如通过等离子体CVD法在形成有第一平坦化膜22a的基板整体上成膜氧化硅膜等无机绝缘膜(厚度500nm左右)后，通过对该无机绝缘膜进行图案化，形成保护膜23a。
接着，例如利用溅射法在形成有保护膜23a的基板整体上依次成膜钛膜(厚度30nm左右)、铝膜(厚度300nm左右)及钛膜(厚度50nm左右)等，之后对这些金属层叠膜进行图案化，形成电源线27a等的第二布线层。
最后，例如通过旋涂法或狭缝涂法在形成有第二布线层的基板整体上涂布聚酰亚胺系的感光性树脂膜(厚度2μm左右)后，通过对该涂布膜进行预烘烤、曝光、显影及后烘烤，形成由有机绝缘膜构成的第二平坦化膜28a。
如上所述，能够形成TFT层30a。
<有机EL元件层形成工序>
在上述TFT层形成工序中形成的TFT层30a的第二平坦化膜28a上，采用公知的方法形成第一电极31a、边缘罩32a、有机EL层33(空穴注入层1、空穴输送层2、有机发光层3、电子输送层4、电子注入层5)及第二电极34，形成有机EL元件层35。
<密封膜形成工序>
首先，在上述有机EL元件层形成工序中形成的形成有有机EL元件层35的基板表面上，使用掩模，通过等离子体CVD法例如形成氮化硅膜、氧化硅膜、氧氮化硅膜等无机绝缘膜，从而形成第一无机密封膜36。
接着，例如通过喷墨法，在形成有第一无机膜36的基板表面上形成丙烯酸树脂等有机树脂材料，形成有机密封膜37。
然后，对于形成有有机密封膜37的基板，使用掩模，通过等离子体CVD法使例如氮化硅膜、氧化硅膜、氧氮化硅膜等无机绝缘膜成膜，形成第二无机密封膜38，由此形成密封膜40。
最后，在形成有密封膜40的基板表面贴附保护片(未图示)后，通过从树脂基板层10的玻璃基板侧照射激光，从树脂基板层10的下表面剥离玻璃基板，进而，在剥离了玻璃基板的树脂基板层10的下表面贴附保护片(未图示)。
如上所述，能够制造本实施方式的有机EL显示装置50a。
如上所述，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，在TFT层30a中，依次层叠有栅极线14d等的第一电极层、第一层间绝缘膜15、上部布线层16a等的第二电极层、第二层间绝缘膜17、源极线21f等的第一布线层、第一平坦化膜22a、保护膜23a、电源线27a等的第二布线层、以及第二平坦化膜28a。在此，在显示区域D的周围的边框区域F，以在显示区域D侧与电源线27a电连接的第一边框布线21h延伸到端子部T的方式作为第一布线层设置。此外，在边框区域F中，在显示区域D侧经由导电层31b与第二电极34电连接的第二边框布线21i以延伸到端子部T的方式作为第一布线层设置。进一步地，在第一平坦化膜22a及第二平坦化膜28a，在显示区域D和与有机密封膜37的周端部重叠的第一阻挡壁Wa之间，呈框状设置有贯通第一平坦化膜22a及第二平坦化膜28a的第一狭缝Sa。此外，在第一阻挡壁Wa的周围呈框状设置有第二阻挡壁Wb。进一步地，在第二平坦化膜28a，在第一阻挡壁Wa与第二阻挡壁Wb之间，呈框状设置有贯通第二平坦化膜28a的第二狭缝Sb。而且，在第一狭缝Sa及第二狭缝Sb，相互对置的第一边框布线21h的缘部和第二边框布线21i的缘部由保护膜23a覆盖。由此，即使为了形成第一阻挡壁Wa及第二阻挡壁Wb而形成第一狭缝Sa及第二狭缝Sb，第一边框布线21h及第二边框布线21i也难以因形成第一平坦化膜22a及第二平坦化膜28a时使用的显影液、形成第一电极31a时使用的蚀刻液以及形成边缘罩32a时使用的显影液受到侧蚀刻造成的损伤。因此，能够抑制在第一边框布线21h及第二边框布线21i的制造工序中受到的损伤。而且，由于抑制在第一边框布线21h以及第二边框布线21i的制造工序中受到的损伤，因此能够确保形成于第一边框布线21h以及第二边框布线21i上的密封膜40的密封性能。由此，能够抑制有机EL层33的劣化，因此能够提高有机EL显示装置50a的可靠性。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，由于第一阻挡壁Wa和第二阻挡壁Wb具备第一金属凸部27c和第二金属凸部27d，因此第一阻挡壁Wa和第二阻挡壁Wb形成得较高，能够更加阻挡成为有机密封膜37的油墨。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，在显示区域D的周围，呈框状设置有贯通第一平坦化膜22a和第二平坦化膜28a的沟槽G，因此能够抑制水分向第一平坦化膜22a和第二平坦化膜28a这样的树脂层内的显示区域D的移动，能够抑制有机EL层33的劣化。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，由于第一金属凸部27c和第二金属凸部27d以与第一边框布线21h或第二边框布线21i电连接的方式设置，因此，能够降低第一边框布线21h和第二边框布线21i的布线电阻。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，由于第一金属层27e以与第二边框布线21i电连接的方式设置，因此能够降低第二边框布线21i的布线电阻。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，由于端子侧金属层27f以与第一边框布线21h电连接的方式设置，因此，能够降低第一边框布线21h的布线电阻。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，由于第一平坦化膜22a的表面被保护膜23a覆盖，因此，例如在通过干式蚀刻对电源线27a等的第二布线层进行图案化时，能够抑制第一平坦化膜22a的表层的蚀刻，能够抑制干式蚀刻装置的腔室内的污染。
《第二实施方式》
图11～图13表示本发明的显示装置的第二实施方式。在此，图11是本实施方式的有机EL显示装置50b的显示区域D的截面图，是相当于图4的图。此外，图12及图13是有机EL显示装置50b的边框区域F的截面图，是相当于图7及图8的图。另外，在以下的各实施方式中，对与图1～图10相同的部分标注相同的附图标记，并省略其详细的说明。
在上述第一实施方式中，例示了具备由三层金属层叠膜构成的第二布线层的有机EL显示装置50a，但在本实施方式中，例示具备由两层金属层叠膜构成的第二布线层的有机EL显示装置50b。
有机EL显示装置50b与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，具备进行图像显示的显示区域D和设置在显示区域D的周围的边框区域F。此外，如图11所示，有机EL显示装置50b包括：树脂基板层10；设置在树脂基板层10上的TFT层30b；设置在TFT层30b上的有机EL元件层35；以及以覆盖有机EL元件层35的方式设置的密封膜40。
TFT基板30b与上述第一实施方式的TFT层30a同样地，如图11所示，具备设置于树脂基板层10上的底涂膜11和设置于底涂膜11上的多个第一TFT 9a、多个第二TFT 9b、多个第三TFT 9c以及多个电容器9d。此外，TFT层30b与上述第一实施方式的TFT层30a同样地，如图11所示，具备依次设置在各第一TFT 9a、各第二TFT9b、各第三TFT 9c以及各电容器9d上的第一平坦化膜22a、保护膜23a和第二平坦化膜28a。
在TFT层30b中，如图11所示，在底涂膜11上依次层叠有半导体层12a及12b、栅极绝缘膜13、栅极14a及14b以及下部布线层14c(第一电极层)、第一层间绝缘膜15、上部布线层16a(第二电极层)、第二层间绝缘膜17、源极21a及21c以及漏极21b及21d(第一布线层)、第一平坦化膜22a、保护膜23a、电源线27ab及中继电极27bb(第二布线层)、第二平坦化膜28a。
在TFT层30b中，与上述第一实施方式的TFT层30a同样地，在显示区域D以相互平行地延伸的方式设置有多条栅极线14d。此外，在TFT层30b中，与上述第一实施方式的TFT层30a同样地，在显示区域D中，以相互平行地延伸的方式设置有多条发光控制线14e。此外，在TFT层30b中，与上述第一实施方式的TFT层30a同样地，在显示区域D中，以相互平行地延伸的方式设置有多条源极线21f。在TFT层30b中，在显示区域D中，电源线27ab作为第二布线层设置为格子状。另外，如图11所示，电源线27ab具备依次层叠在保护膜23a上的下层金属膜24ab以及上层金属膜25ab。此外，在TFT层30b中，与上述第一实施方式的TFT层30a同样，在各子像素P中，分别设置有第一TFT 9a、第二TFT 9b、第三TFT 9c以及电容器9d。此外，在TFT层30b中，第二TFT 9b在各子像素P中与对应的第一TFT 9a、电源线27ab及第三TFT 9c电连接。此外，在TFT层30b中，第三TFT 9c在各子像素P中与对应的第二TFT 9b、电源线27ab及发光控制线14e电连接。此外，在TFT层30b中，如图11所示，第三TFT 9c的漏极21d经由形成于第一平坦化膜22a以及保护膜23a的接触孔与中继电极27bb电连接。另外，中继电极27bb作为第二布线层而设置，如图11表示，具备依次层叠在保护膜23a上的下层金属膜24bb以及上层金属膜25bb。此外，在TFT层30b中，电容器9d在各子像素P中与对应的第一TFT 9a和电源线27ab电连接。
此外，有机EL显示装置50b与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，在边框区域F具备第一边框布线21h及第二边框布线21i。
此外，有机EL显示装置50b与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，在边框区域F具备第一阻挡壁Wa和第二阻挡壁Wb。
如图12所示，第一阻挡壁Wa具备：第一金属凸部27cb，作为第二布线层而设置；内侧下层树脂层28c，作为第一树脂凸部而设置在第一金属凸部27cb上，与第二平坦化膜28a由同一材料形成在同一层；以及内侧上层树脂层32c，隔着导电层31b作为第三树脂凸部设置在内侧下层树脂层28c上，与边缘罩32a由同一材料形成在同一层。在此，第一金属凸部27cb以与第一边框布线21h或第二边框布线21i电连接的方式设置。此外，如图12所示，第一金属凸部27cb由下层金属膜24cb和上层金属膜25cb构成，该下层金属膜24cb由设置于树脂基板层10侧的钛膜等构成，该上层金属膜25cb由设置于有机EL元件层35侧的铝膜等构成。此外，如图12所示，第一金属凸部27cb的端部以下层金属膜24cb比上层金属膜25cb突出的方式设置为正锥状。另外，与第一边框布线21h电连接的第一金属凸部27cb与上述第一实施方式的第一金属凸部27c同样地，以沿着显示区域D的一边的一部分的方式设置，该显示区域D的一边是沿着端子部T的显示区域D的一条边。此外，与第二边框布线21i电连接的第一金属凸部27cb与上述第一实施方式的第一金属凸部27c同样地，以沿着显示区域D的一边的其它部分以及显示区域D的三边的方式设置，该显示区域D的一边是沿着端子部T的显示区域D的一条边，该显示区域D的三边是不沿着端子部T的显示区域D的三条边。
如图12所示，第二阻挡壁Wb具备：第二金属凸部27db，作为第二布线层设置；外侧下层树脂层28d，作为第二树脂凸部设置在第二金属凸部27db上，且与第二平坦化膜28a由同一材料形成在同一层；以及外侧上层树脂层32d，隔着导电层31b作为第四树脂凸部设置在外侧下层树脂层28d上，且与边缘罩32a由同一材料形成在同一层。在此，第二金属凸部27db以与第一边框布线21h或第二边框布线21i电连接的方式设置。此外，如图12所示，第二金属凸部27db由下层金属膜24db和上层金属膜25db构成，该下层金属膜24db由设于树脂基板层10侧的钛膜等构成，该上层金属膜25db由设于有机EL元件层35侧的铝膜等构成。此外，如图12所示，第二金属凸部27db的端部以下层金属膜24db以比上层金属膜25db突出的方式设置为正锥状。另外，与第一边框布线21h电连接的第二金属凸部27db与上述第一实施方式的第二金属凸部27d同样地，以沿着显示区域D的一边的一部分的方式设置，该显示区域D的一边是沿着端子部T的显示区域D的一条边。此外，与第二边框布线21i电连接的第二金属凸部27db与上述第一实施方式的第二金属凸部27d同样地，以沿着显示区域D的一边的其它部分以及显示区域D的三边的方式设置，该显示区域D的一边是沿着端子部T的显示区域的一条边，该显示区域D的三边是不沿着端子部T的显示区域D的三条边。
此外，如图12所示，有机EL显示装置50b在边框区域F中具备第一金属层27eb，该第一金属层27eb作为第二布线层呈大致C字状地设置在沟槽G和第一狭缝Sa之间。在此，如图12所示，第一金属层27eb具备依次层叠在保护膜23a上的下层金属膜24eb及上层金属膜25eb，第一金属层27eb以经由形成于第一平坦化膜22a及保护膜23a的接触孔与第二边框布线21i电连接的方式设置。另外，如图12所示，第一金属层27eb的端部以下层金属膜24eb比上层金属膜25eb突出的方式设置为正锥状。
此外，有机EL显示装置50b与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，在边框区域F中具备相当于有机EL显示装置50a的端子侧金属层27f的端子侧金属层27fb。在此，如图13所示，端子侧金属层27fb具备在保护膜23a上依次层叠的下层金属膜24fb和上层金属膜25fb，以在沟槽G的内部经由形成于保护膜23a的接触孔与第一边框布线21h电连接的方式设置。另外，如图13所示，端子侧金属层27fb的端部以下层金属膜24fb比上层金属膜25fb突出的方式设置为正锥状，由第二平坦化膜28a覆盖。由此，端子侧金属层27fb的端部与第二平坦化膜28a的粘附性提高，因此能够抑制水分等向以端子侧金属层27fb的端部与第二平坦化膜28a的界面为路径的显示区域D的侵入，能够提高有机EL显示装置50b的可靠性。
此外，如图12及图13所示，有机EL显示装置50b在边框区域F具有以在沟槽G的两缘部向上方突出的方式呈岛状设置的多个周边光间隔物32b。
上述有机EL显示装置50b与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样，具有可挠性，在各子像素P中，通过经由第一TFT9a、第二TFT 9b及第三TFT 9c使有机EL层33的发光层3适当发光，进行图像显示。
本实施方式的有机EL显示装置50b能够通过在上述第一实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法的TFT层形成工序中，将形成第二布线层时的金属层叠膜从3层(钛膜(上)/铝膜(中)/钛膜(下))变更为2层(铝膜(上)/钛膜(下))来制造。在此，在对两层(铝膜(上)/钛膜(下))的金属层叠膜进行图案化时，在该金属层叠膜上形成抗蚀剂图案，进行使用了该抗蚀剂图案的湿式蚀刻。此时，第二布线层的端部由于蚀刻速率的不同，铝膜(上)的线宽比钛膜(下)的线宽小，包含端子侧金属层27fb的第二布线层的端部如图13所示形成为正锥状。
如上所述，根据本实施方式的有机EL显示装置50b，在TFT层30b中，依次层叠有栅极线14d等的第一电极层、第一层间绝缘膜15、上部布线层16a等的第二电极层、第二层间绝缘膜17、源极线21f等的第一布线层、第一平坦化膜22a、保护膜23a、电源线27ab等的第二布线层、以及第二平坦化膜28a。在此，在显示区域D的周围的边框区域F，以在显示区域D侧与电源线27ab电连接的第一边框布线21h延伸到端子部T的方式作为第一布线层设置。此外，在边框区域F中，在显示区域D侧经由导电层31b与第二电极34电连接的第二边框布线21i以延伸到端子部T的方式作为第一布线层设置。而且，在第一平坦化膜22a及第二平坦化膜28a，在显示区域D和与有机密封膜37的周端部重叠的第一阻挡壁Wa之间，呈框状设置有贯通第一平坦化膜22a及第二平坦化膜28a的第一狭缝Sa。此外，在第一阻挡壁Wa的周围呈框状设置有第二阻挡壁Wb。而且，在第二平坦化膜28a，在第一阻挡壁Wa与第二阻挡壁Wb之间，贯通第二平坦化膜28a的第二狭缝Sb设置为框状。而且，在第一狭缝Sa及第二狭缝Sb，相互对置的第一边框布线21h的缘部和第二边框布线21i的缘部被保护膜23a覆盖。由此，即使为了形成第一阻挡壁Wa及第二阻挡壁Wb而形成第一狭缝Sa及第二狭缝Sb，第一边框布线21h及第二边框布线21i也难以因形成第一平坦化膜22a及第二平坦化膜28a时使用的显影液、形成第一电极31a时使用的蚀刻液以及形成边缘罩32a时使用的显影液受到侧蚀刻造成的损伤。因此，能够抑制在第一边框布线21h及第二边框布线21i的制造工序中受到的损伤。而且，由于抑制在第一边框布线21h以及第二边框布线21i的制造工序中受到的损伤，因此能够确保形成于第一边框布线21h以及第二边框布线21i上的密封膜40的密封性能。由此，能够抑制有机EL层33的劣化，因此能够提高有机EL显示装置50b的可靠性。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50b，由于第一阻挡壁Wa和第二阻挡壁Wb具备第一金属凸部27cb和第二金属凸部27db，因此第一阻挡壁Wa和第二阻挡壁Wb形成得较高，能够更加阻挡成为有机密封膜37的油墨。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50b，在显示区域D的周围，呈框状设置有贯通第一平坦化膜22a和第二平坦化膜28a的沟槽G，因此能够抑制水分向第一平坦化膜22a和第二平坦化膜28a这样的树脂层内的显示区域D的移动，能够抑制有机EL层33的劣化。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50b，第一金属凸部27cb和第二金属凸部27db以与第一边框布线21h或第二边框布线21i电连接的方式设置，因此，能够降低第一边框布线21h和第二边框布线21i的布线电阻。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50b，由于第一金属层27eb以与第二边框布线21i电连接的方式设置，因此能够降低第二边框布线21i的布线电阻。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50b，由于端子侧金属层27fb以与第一边框布线21h电连接的方式设置，因此能够降低第一边框布线21h的布线电阻。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50b，第一平坦化膜22a的表面被保护膜23a覆盖，因此，例如在通过干式蚀刻对电源线27ab等的第二布线层进行图案化时，能够抑制第一平坦化膜22a的表层的蚀刻，能够抑制干式蚀刻装置的腔室内的污染。
《第三实施方式》
图14～图17表示了本发明的显示装置的第三实施方式。在此，图14是本实施方式的有机EL显示装置50c的显示区域D的截面图，是相当于图4的图。此外，图15、图16和图17是有机EL显示装置50c的边框区域F的截面图，是相当于图7、图8和图9的图。
在上述第一实施方式中，例示了在第一平坦化膜22a及第二布线层之间设有保护膜23a的有机EL显示装置50a，但在本实施方式中，例示在第一布线层及第一平坦化膜22a之间设有保护膜23b的有机EL显示装置50c。
有机EL显示装置50c与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，具备：进行图像显示的显示区域D；以及设置在显示区域D的周围的边框区域F。此外，如图14所示，有机EL显示装置50c包括：树脂基板层10；设置在树脂基板层10上的TFT层30c；设置在TFT层30c上的有机EL元件层35；以及以覆盖有机EL元件层35的方式设置的密封膜40。
TFT基板30c与上述第一实施方式的TFT层30a同样，如图14所示，具备设置于树脂基板层10上的底涂膜11和设置于底涂膜11上的多个第一TFT 9a、多个第二TFT 9b、多个第三TFT 9c以及多个电容器9d。此外，如图14所示，TFT层30c具备各第一TFT 9a、各第二TFT9b、各第三TFT 9c以及各电容器9d上依次设置的保护膜23b、第一平坦化膜22a及第二平坦化膜28a。
在TFT层30c中，如图14所示，在底涂膜11上依次层叠有半导体层12a及12b、栅极绝缘膜13、栅极14a及14b以及下部布线层14c(第一电极层)、第一层间绝缘膜15、上部布线层16a(第二电极层)、第二层间绝缘膜17、源极21a及21c以及漏极21b及21d(第一布线层)、由无机绝缘膜构成的保护膜23b、第一平坦化膜22a、电源线27a及中继电极27b(第二布线层)、第二平坦化膜28a。
在TFT层30c中，与上述第一实施方式的TFT层30a同样地，在显示区域D以相互平行地延伸的方式设置有多条栅极线14d。此外，在TFT层30c中，与上述第一实施方式的TFT层30a同样地，在显示区域D以相互平行地延伸的方式设置有多条发光控制线14e。此外，在TFT层30c中，与上述第一实施方式的TFT层30a同样地，在显示区域D以相互平行地延伸的方式设置有多条源极线21f。此外，在TFT层30c中，在显示区域D，电源线27a作为第二布线层设置为格子状。此外，在TFT层30c中，与上述第一实施方式的TFT层30a同样地，在各子像素P中，分别设置有第一TFT 9a、第二TFT 9b、第三TFT 9c以及电容器9d。此外，在TFT层30c中，如图14所示，第三TFT 9c的漏极21d经由形成于保护膜23b以及第一平坦化膜22a的接触孔与中继电极27b电连接。此外，在TFT层30c中，电容器9d的上部布线层16a经由形成于第二层间绝缘膜17、保护膜23b以及第一平坦化膜22a的接触孔(未图示)与电源线27a电连接。
此外，有机EL显示装置50c与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样，在边框区域F具备第一边框布线21h和第二边框布线21i。
此外，有机EL显示装置50c与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样，如图15及图16所示，在边框区域F具备第一阻挡壁Wa及第二阻挡壁Wb。在此，在设置于显示区域D及第一阻挡壁Wa之间的第一狭缝Sa以及设置于第一阻挡壁Wa及第二阻挡壁Wb之间的第二狭缝Sb中，相互对置的第一边框布线21h的缘部和第二边框布线21i的缘部如图17所示由保护膜23b覆盖。
此外，有机EL显示装置50c与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，在边框区域F中，如图15所示，在沟槽G及第一狭缝Sa之间具备作为第二布线层设置为大致C字状的第一金属层27e。
此外，有机EL显示装置50c与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，在边框区域F中，具备作为第二布线层呈大致T字状设置的端子侧金属层27f。在此，如图16所示，端子侧金属层27f具备在第一平坦化膜22a上依次层叠的下层金属膜24f、中层金属膜25f以及上层金属膜26f，以经由在沟槽G的内部形成于保护膜23b的接触孔与第一边框布线21h电连接的方式设置。
此外，有机EL显示装置50c与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样，如图15及图16所示，在边框区域F中，具有以在沟槽G的两缘部向上方突出的方式呈岛状设置的多个周边光间隔物32b。
上述有机EL显示装置50c与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样，具有可挠性，在各子像素P中，通过经由第一TFT9a、第二TFT 9b和第三TFT 9c使有机EL层33的发光层3适当发光，进行图像显示。
本实施方式的有机EL显示装置50c可以通过在上述第一实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法的TFT层形成工序中，在形成第一布线层的工序和形成第一平坦化膜22a的工序之间进行形成保护膜23b的工序来制造。
如上所述，根据本实施方式的有机EL显示装置50c，在TFT层30c中，依次层叠栅极线14d等的第一电极层、第一层间绝缘膜15、上部布线层16a等的第二电极层、第二层间绝缘膜17、源极线21f等的第一布线层、保护膜23b、第一平坦化膜22a、电源线27a等的第二布线层、以及第二平坦化膜28a。在此，在显示区域D的周围的边框区域F，以在显示区域D侧与电源线27a电连接的第一边框布线21h延伸到端子部T的方式作为第一布线层设置。此外，在边框区域F中，在显示区域D侧经由导电层31b与第二电极34电连接的第二边框布线21i以延伸到端子部T的方式作为第一布线层设置。而且，在第一平坦化膜22a及第二平坦化膜28a，在显示区域D和与有机密封膜37的周端部重叠的第一阻挡壁Wa之间，呈框状设置有贯通第一平坦化膜22a及第二平坦化膜28a的第一狭缝Sa。此外，在第一阻挡壁Wa的周围呈框状设置有第二阻挡壁Wb。而且，在第二平坦化膜28a，在第一阻挡壁Wa与第二阻挡壁Wb之间，呈框状设置有贯通第二平坦化膜28a的第二狭缝Sb。而且，在第一狭缝Sa及第二狭缝Sb，相互对置的第一边框布线21h的缘部和第二边框布线21i的缘部被保护膜23b覆盖。由此，即使为了形成第一阻挡壁Wa及第二阻挡壁Wb而形成第一狭缝Sa及第二狭缝Sb，第一边框布线21h及第二边框布线21i也难以因形成第一平坦化膜22a及第二平坦化膜28a时使用的显影液、形成第一电极31a时使用的蚀刻液以及形成边缘罩32a时使用的显影液受到侧蚀刻造成的损伤。因此，能够抑制在第一边框布线21h及第二边框布线21i的制造工序中受到的损伤。而且，由于抑制在第一边框布线21h以及第二边框布线21i的制造工序中受到的损伤，因此能够确保形成于第一边框布线21h以及第二边框布线21i上的密封膜40的密封性能。由此，能够抑制有机EL层33的劣化，因此能够提高有机EL显示装置50c的可靠性。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50c，由于第一阻挡壁Wa和第二阻挡壁Wb具备第一金属凸部27c和第二金属凸部27d，因此第一阻挡壁Wa和第二阻挡壁Wb形成得较高，能够更加阻挡成为有机密封膜37的油墨。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50c，在显示区域D的周围，呈框状设置有贯通第一平坦化膜22a和第二平坦化膜28a的沟槽G，因此能够抑制水分向第一平坦化膜22a和第二平坦化膜28a这样的树脂层内的显示区域D的移动，能够抑制有机EL层33的劣化。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50c，第一金属凸部27c和第二金属凸部27d以与第一边框布线21h或第二边框布线21i电连接的方式设置，因此，能够降低第一边框布线21h和第二边框布线21i的布线电阻。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50c，由于第一金属层27e以与第二边框布线21i电连接的方式设置，因此能够降低第二边框布线21i的布线电阻。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50c，由于端子侧金属层27f以与第一边框布线21h电连接的方式设置，因此，能够降低第一边框布线21h的布线电阻。
《第四实施方式》
图18～图20表示本发明的显示装置的第四实施方式。在此，图18是本实施方式的有机EL显示装置50d的显示区域D的截面图，是相当于图4的图。此外，图19及图20是有机EL显示装置50d的边框区域F的截面图，是相当于图7及图8的图。
在上述第一实施方式中，例示了在第一平坦化膜22a及第二布线层之间设有保护膜23a，并具备由三层金属层叠膜构成的第二布线层的有机EL显示装置50a，但在本实施方式中，例示在第一布线层及第一平坦化膜22a之间设有保护膜23b，并具备由两层金属层叠膜构成的第二布线层的有机EL显示装置50d。
有机EL显示装置50d与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样，具备：进行图像显示的显示区域D；和设置于显示区域D的周围的边框区域F。此外，如图18所示，有机EL显示装置50d包括：树脂基板层10；设置在树脂基板层10上的TFT层30d；设置在TFT层30d上的有机EL元件层35；以及以覆盖有机EL元件层35的方式设置的密封膜40。
TFT基板30d与上述第一实施方式的TFT层30a同样，如图18所示，具备设置于树脂基板层10上的底涂膜11和设置于底涂膜11上的多个第一TFT 9a、多个第二TFT 9b、多个第三TFT 9c以及多个电容器9d。而且，如图18所示，TFT层30d具备：各第一TFT 9a、各第二TFT9b、各第三TFT 9c以及各电容器9d上依次设置的保护膜23b、第一平坦化膜22a及第二平坦化膜28a。
在TFT层30d中，如图18所示，在底涂膜11上依次层叠有半导体层12a及12b、栅极绝缘膜13、栅极14a及14b以及下部布线层14c(第一电极层)、第一层间绝缘膜15、上部布线层16a(第二电极层)、第二层间绝缘膜17、源极21a及21c以及漏极21b及21d(第一布线层)、保护膜23b、第一平坦化膜22a、电源线27ab及中继电极27bb(第二布线层)、第二平坦化膜28a。
在TFT层30d中，与上述第一实施方式的TFT层30a同样地，在显示区域D以相互平行地延伸的方式设置有多条栅极线14d。此外，在TFT层30d中，与上述第一实施方式的TFT层30a同样地，在显示区域D中，以相互平行地延伸的方式设置有多条发光控制线14e。此外，在TFT层30d中，与上述第一实施方式的TFT层30a同样地，在显示区域D中，以相互平行地延伸的方式设置有多条源极线21f。此外，在TFT层30d中，在显示区域D中，电源线27ab作为第二布线层设置为格子状。此外，在TFT层30d中，与上述第一实施方式的TFT层30a同样，在各子像素P中，分别设置有第一TFT 9a、第二TFT 9b、第三TFT 9c以及电容器9d。此外，在TFT层30d中，第二TFT 9b在各子像素P中与对应的第一TFT 9a、电源线27ab及第三TFT 9c电连接。此外，在TFT层30d中，第三TFT 9c在各子像素P中与对应的第二TFT 9b、电源线27ab及发光控制线14e电连接。此外，在TFT层30d中，如图18所示，第三TFT 9c的漏极21d经由形成于保护膜23b以及第一平坦化膜22a的接触孔与中继电极27bb电连接。此外，在TFT层30d中，电容器9d在各子像素P中与对应的第一TFT 9a和电源线27ab电连接。
此外，有机EL显示装置50d与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，在边框区域F具备第一边框布线21h和第二边框布线21i。
此外，有机EL显示装置50d与上述第二实施方式的有机EL显示装置50b同样地，如图19以及图20所示，在边框区域F具备第一阻挡壁Wa以及第二阻挡壁Wb。在此，在设于显示区域D和第一阻挡壁Wa之间的第一狭缝Sa以及设于第一阻挡壁Wa和第二阻挡壁Wb之间的第二狭缝Sb中，相互对置的第一边框布线21h的缘部和第二边框布线21i的缘部由保护膜23b覆盖。
此外，有机EL显示装置50d与上述第二实施方式的有机EL显示装置50b同样地，如图19所示，在边框区域F中，在沟槽G及第一狭缝Sa之间具备作为第二布线层设置为大致C字状的第一金属层27eb。
此外，有机EL显示装置50d与上述第二实施方式的有机EL显示装置50b同样地，在边框区域F中具备作为第二布线层设置的端子侧金属层27fb。在此，如图20所示，端子侧金属层27fb具备在第一平坦化膜22a上依次层叠的下层金属膜24fb和上层金属膜25fb，以经由在沟槽G的内部形成于保护膜23b的接触孔与第一边框布线21h电连接的方式设置。另外，如图20所示，端子侧金属层27fb的端部以下层金属膜24fb比上层金属膜25fb突出的方式设置为正锥状，由第二平坦化膜28a覆盖。由此，端子侧金属层27fb的端部与第二平坦化膜28a的粘附性提高，因此能够抑制水分等向以端子侧金属层27fb的端部与第二平坦化膜28a的界面为路径的显示区域D的侵入，能够提高有机EL显示装置50d的可靠性。
此外，有机EL显示装置50d与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样，如图19以及图20所示，在边框区域F中，具有以在沟槽G的两缘部向上方突出的方式呈岛状设置的多个周边光间隔物32b。
上述有机EL显示装置50d与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样，具有可挠性，构成为在各子像素P中，通过经由第一TFT 9a、第二TFT 9b及第三TFT 9c使有机EL层33的发光层3适当发光，进行图像显示。
本实施方式的有机EL显示装置50d可以通过在上述第一实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法的TFT层形成工序中，与上述第二实施方式同样地将形成第一布线层时的金属层叠膜从三层(钛膜(上)/铝膜(中)/钛膜(下))变更为两层(铝膜(上)/钛膜(下))，与上述第三实施方式同样地在形成第一布线层的工序和形成第一平坦化膜22a的工序之间进行形成保护膜23b的工序来制造。
如上所述，根据本实施方式的有机EL显示装置50d，在TFT层30d中依次层叠有栅极线14d等的第一电极层、第一层间绝缘膜15、上部布线层16a等的第二电极层、第二层间绝缘膜17、源极线21f等的第一布线层、保护膜23b、第一平坦化膜22a、电源线27ab等的第二布线层、以及第二平坦化膜28a。在此，在显示区域D的周围的边框区域F，以在显示区域D侧与电源线27ab电连接的第一边框布线21h延伸到端子部T的方式作为第一布线层设置。此外，在边框区域F中，在显示区域D侧经由导电层31b与第二电极34电连接的第二边框布线21i以延伸到端子部T的方式作为第一布线层设置。而且，在第一平坦化膜22a及第二平坦化膜28a，在显示区域D和与有机密封膜37的周端部重叠的第一阻挡壁Wa之间，贯通第一平坦化膜22a及第二平坦化膜28a的第一狭缝Sa呈框状设置。此外，在第一阻挡壁Wa的周围呈框状设置有第二阻挡壁Wb。而且，在第二平坦化膜28a，在第一阻挡壁Wa与第二阻挡壁Wb之间，呈框状设置有贯通第二平坦化膜28a的第二狭缝Sb。而且，在第一狭缝Sa及第二狭缝Sb，相互对置的第一边框布线21h的缘部和第二边框布线21i的缘部被保护膜23b覆盖。由此，即使为了形成第一阻挡壁Wa及第二阻挡壁Wb而形成第一狭缝Sa及第二狭缝Sb，第一边框布线21h及第二边框布线21i也难以因形成第一平坦化膜22a及第二平坦化膜28a时使用的显影液、形成第一电极31a时使用的蚀刻液以及形成边缘罩32a时使用的显影液受到侧蚀刻造成的损伤。因此，能够抑制在第一边框布线21h及第二边框布线21i的制造工序中受到的损伤。而且，由于抑制在第一边框布线21h以及第二边框布线21i的制造工序中受到的损伤，因此能够确保形成于第一边框布线21h以及第二边框布线21i上的密封膜40的密封性能。由此，能够抑制有机EL层33的劣化，因此能够提高有机EL显示装置50d的可靠性。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50d，由于第一阻挡壁Wa和第二阻挡壁Wb具备第一金属凸部27cb和第二金属凸部27db，因此第一阻挡壁Wa和第二阻挡壁Wb形成得较高，能够更加阻挡成为有机密封膜37的油墨。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50d，在显示区域D的周围，呈框状设置有贯通第一平坦化膜22a和第二平坦化膜28a的沟槽G，因此能够抑制水分向第一平坦化膜22a和第二平坦化膜28a这样的树脂层内的显示区域D的移动，能够抑制有机EL层33的劣化。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50d，第一金属凸部27cb和第二金属凸部27db以与第一边框布线21h或第二边框布线21i电连接的方式设置，因此，能够降低第一边框布线21h和第二边框布线21i的布线电阻。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50d，由于第一金属层27eb以与第二边框布线21i电连接的方式设置，因此能够降低第二边框布线21i的布线电阻。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50d，由于端子侧金属层27fb以与第一边框布线21h电连接的方式设置，因此能够降低第一边框布线21h的布线电阻。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50d，端子侧金属层27fb由下层金属膜24fb和上层金属膜25fb构成，该下层金属膜24fb由设置于树脂基板层10侧的钛膜构成，该上层金属膜25fb由设置于有机EL元件层35侧的铝膜构成。在此，端子侧金属层27fb的端部设置为下层金属膜24fb比上层金属膜25fb突出的正锥状，由第二平坦化膜28a覆盖。由此，端子侧金属层27fb的端部与第二平坦化膜28a的粘附性提高，因此能够抑制水分等向以端子侧金属层27fb的端部与第二平坦化膜28a的界面为路径的显示区域D的侵入，能够提高有机EL显示装置50d的可靠性。
《第五实施方式》
图21及图22表示本发明的显示装置的第五实施方式。在此，图21是概略地表示在本实施方式的有机EL显示装置50f中第一边框布线21h、第二边框布线21i、沟槽G、第一阻挡壁Wa、第二阻挡壁Wb等的配置的平面图，是相当于图2的图。此外，图22是沿着图21中的XXII-XXII线的有机EL显示装置50f的边框区域F的截面图。
在上述第一实施方式中，例示了相对宽度较窄的第一金属凸部27c、第二金属凸部27d以及端子侧金属层27f与第一边框布线21h电连接，相对宽度较窄的第一金属凸部27c、第二金属凸部27d以及第一金属层27e与第二边框布线21i电连接的有机EL显示装置50a，但在本实施方式中，例示相对宽度较宽的第二金属层27h与第一边框布线21h电连接，相对宽度较宽的第三金属层27i与第二边框布线21i电连接的有机EL显示装置50f。
有机EL显示装置50f与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样，具备：进行图像显示的显示区域D；和设置于显示区域D的周围的边框区域F。此外，与第二实施方式的有机EL显示装置50b同样，有机EL显示装置50f包括：树脂基板层10；设置在树脂基板层10上的TFT层30b；设置在TFT层30b上的有机EL元件层35；以覆盖有机EL元件层35的方式设置的密封膜40。
有机EL显示装置50f与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样，在边框区域F具备第一边框布线21h和第二边框布线21i。在此，在有机EL显示装置50f中，如图21所示，以覆盖第一边框布线21h及第二边框布线21i的方式分别设有第二金属层27h及第三金属层27i。并且，如图22所示，在第二金属层27h和第三金属层27i与第一边框布线21h和第二边框布线21i之间设置有形成有接触孔的保护膜23a。由此，第二金属层27h及第一边框布线21h相互电连接，并且第三金属层27i及第二边框布线21i相互电连接。另外，在本实施方式中，例示了在第二金属层27h及第三金属层27i与第一边框布线21h及第二边框布线21i之间设置有保护膜23a的构成，但也可以省略保护膜23a。此外，如图22所示，第二金属层27h由下层金属膜24h和上层金属膜25h构成，该下层金属膜24h由设于树脂基板层10侧的钛膜等构成，该上层金属膜25h由设于有机EL元件层35侧的铝膜等构成。此外，如图22所示，第二金属层27h的端部以下层金属膜24h比上层金属膜25h突出的方式设置为正锥状。并且，如图22所示，第三金属层27i由下层金属膜24i和上层金属膜25i构成，该下层金属膜24i由设置于树脂基板层10侧的钛膜等构成，该上层金属膜25i由设置于有机EL元件层35侧的铝膜等构成。此外，如图22所示，第三金属层27i的端部以下层金属膜24i比上层金属膜25i突出的方式设置为正锥状。
此外，有机EL显示装置50f与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样，在边框区域F具备第一阻挡壁Wa和第二阻挡壁Wb。
此外，有机EL显示装置50f与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，在边框区域F中，具备以在沟槽G的两缘部向上方突出的方式呈岛状设置的多个周边光间隔物32b。
上述有机EL显示装置50f与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样，具有可挠性，在各子像素P中，通过经由第一TFT9a、第二TFT 9b和第三TFT 9c使有机EL层33的发光层3适当发光，进行图像显示。
本实施方式的有机EL显示装置50f能够通过在上述第一实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法的TFT层形成工序中，将形成第二布线层时的金属层叠膜从3层(钛膜(上)/铝膜(中)/钛膜(下))变更为2层(铝膜(上)/钛膜(下))，变更其图案形状来制造。
如上所述，根据本实施方式的有机EL显示装置50f，在TFT层30b中，依次层叠有栅极线14d等的第一电极层、第一层间绝缘膜15、上部布线层16a等的第二电极层、第二层间绝缘膜17、源极线21f等的第一布线层、第一平坦化膜22a、保护膜23a、电源线27ab等的第二布线层、以及第二平坦化膜28a。在此，在显示区域D的周围的边框区域F，在显示区域D侧与电源线27ab电连接的第一边框布线21h以延伸到端子部T的方式作为第一布线层设置。此外，在边框区域F中，在显示区域D侧经由导电层31b与第二电极34电连接的第二边框布线21i以延伸到端子部T的方式作为第一布线层设置。而且，在第一平坦化膜22a及第二平坦化膜28a，在显示区域D和与有机密封膜37的周端部重叠的第一阻挡壁Wa之间，呈框状设置有贯通第一平坦化膜22a及第二平坦化膜28a的第一狭缝Sa。此外，在第一阻挡壁Wa的周围呈框状设置有第二阻挡壁Wb。而且，在第二平坦化膜28a，在第一阻挡壁Wa与第二阻挡壁Wb之间，呈框状设置有贯通第二平坦化膜28a的第二狭缝Sb。而且，在第一狭缝Sa及第二狭缝Sb，相互对置的第一边框布线21h的缘部和第二边框布线21i的缘部被保护膜23a覆盖。由此，即使为了形成第一阻挡壁Wa及第二阻挡壁Wb而形成第一狭缝Sa及第二狭缝Sb，第一边框布线21h及第二边框布线21i也难以因形成第一平坦化膜22a及第二平坦化膜28a时使用的显影液、形成第一电极31a时使用的蚀刻液以及形成边缘罩32a时使用的显影液受到侧蚀刻造成的损伤。因此，能够抑制在第一边框布线21h及第二边框布线21i的制造工序中受到的损伤。而且，由于第二金属层27h及第三金属层27i通过由设置于树脂基板层10侧的钛膜等构成的下层金属膜24h及24i、以及由设置于有机EL元件层35侧的铝膜等构成的上层金属膜25h及25i构成，因此通过形成第二平坦化膜28a时使用的显影液、形成第一电极31a时使用的蚀刻液以及形成边缘罩32a时使用的显影液，第二金属层27h及第三金属层27i的端部以下层金属膜比上层金属膜突出的方式形成为正锥状。因此，能够确保形成于第二金属层27h及第三金属层27i上的密封膜40的密封性能。由此，能够抑制有机EL层33的劣化，因此能够提高有机EL显示装置50f的可靠性。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50f，在显示区域D的周围，呈框状设置有贯通第一平坦化膜22a和第二平坦化膜28a的沟槽G，因此能够抑制水分向第一平坦化膜22a和第二平坦化膜28a这样的树脂层内的显示区域D的移动，能够抑制有机EL层33的劣化。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50f，由于宽度较宽的第三金属层27h及第四金属层27i以与第一边框布线21h及第二边框布线21i电连接的方式设置，因此，能够进一步降低第一边框布线21h及第二边框布线21i的布线电阻。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50f，由于第一平坦化膜22a的表面被保护膜23a覆盖，因此，例如在通过干式蚀刻对电源线27ab等的第二布线层进行图案化时，能够抑制第一平坦化膜22a的表层的蚀刻，能够抑制干式蚀刻装置的腔室内的污染。
《其他实施方式》
在上述各实施方式中，例示了空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层及电子注入层的5层层叠结构的有机EL层，但有机EL层例如也可以是空穴注入层兼空穴输送层、发光层及电子输送层兼电子注入层的3层层叠结构。
此外，在上述各实施方式中，例示了将第一电极作为阳极、将第二电极作为阴极的有机EL显示装置，但本发明也能适用于使有机EL层的层叠结构反转、将第一电极作为阴极、将第二电极作为阳极的有机EL显示装置。
此外，在上述各实施方式中，例示了将连接于第一电极的TFT的电极作为漏极的有机EL显示装置，但本发明也能适用于将连接于第一电极的TFT的电极称为源极的有机EL显示装置。
此外，在上述各实施方式中，作为显示装置，列举了有机EL显示装置为例进行了说明，但本发明能够适用于具备由电流驱动的多个发光元件的显示装置。例如，能够应用于具备使用了含有量子点含有层的发光元件即QLED(Quantum-dot light emitting diode)的显示装置。
产业上的利用可能性
如上所述，本发明对柔性显示装置是有用的。
附图标记说明
D：显示区域
F：边框区域
G：沟槽
P：子像素
Sa：第一狭缝
Sb：第二狭缝
T：端子部
Wa：第一堰堤壁
Wb：第二堰堤壁
10：树脂基板层(基底基板)
21a、21c：源极(第一布线层)
21b、21d：漏极(第一布线层)
21f：源极线(第一布线层)
21h：第一边框布线(第一布线层)
21i：第二边框布线(第一布线层)
22a：第一平坦化膜
23a、23b：保护膜
24cb、24db、24h、24i、24fb：下层金属膜
25cb、25db、25h、25i、25fb：上层金属膜
27a：电源线(第二布线层)
27c、27cb：第一金属凸部(第二布线层)
27d、27db：第二金属凸部(第二布线层)
27e、27eb：第一金属层(第二布线层)
27f、27fb：端子侧金属层(第二布线层)
27h：第二金属层(第二布线层)
27i：第三金属层(第二布线层)
28a：第二平坦化膜
28c：内侧下层树脂层(第一树脂凸部)
28d：外侧下层树脂层(第二树脂凸部)
30a、30b、30c、30d：TFT层(薄膜晶体管层)
31a：第一电极
31b：导电层
32a：边缘罩
32c：内侧上层树脂层(第三树脂凸部)
32d：外侧上层树脂层(第四树脂凸部)
33：发光层(有机EL层、有机电致发光层)
34：第二电极
35：有机EL元件层(发光元件层)
36：第一无机密封膜
37：有机密封膜
38：第二无机密封膜
40：密封膜
50a、50b、50c、50d、50f：有机EL显示装置

Claims (22)

1.一种显示装置，其特征在于，其具备：
基底基板；
薄膜晶体管层，其设置在所述基底基板上，依次层叠有第一布线层、第一平坦化膜、第二布线层和第二平坦化膜；
发光元件层，其设置在所述薄膜晶体管层上，与构成显示区域的多个子像素对应，并依次层叠有多个第一电极、共用的边缘罩、多个发光层及共用的第二电极；
密封膜，其以覆盖所述发光元件层的方式设置，并依次层叠有第一无机密封膜、有机密封膜及第二无机密封膜；
第一阻挡壁，其在所述显示区域的周围的边框区域中，所述第一阻挡壁包围该显示区域，并且以与所述有机密封膜的周端部重叠的方式设置成框状；
电源线，其作为所述第二布线层设置在所述显示区域；
第一边框布线，其在所述边框区域作为所述第一布线层以沿所述边框区域的端部的端子部延伸的方式设置，并与所述电源线电连接；以及
第二边框布线，其在所述边框区域作为所述第一布线层以延伸到所述端子部的方式设置，隔着与所述各第一电极由同一材料形成在同一层的导电层与所述第二电极电连接，
所述第一平坦化膜及所述第二平坦化膜中，在所述显示区域及所述第一阻挡壁之间，呈框状设置有贯通所述第一平坦化膜及所述第二平坦化膜的第一狭缝，
在所述第一狭缝中，相互对置的所述第一边框布线的缘部和所述第二边框布线的缘部被保护膜覆盖，所述保护膜由构成所述薄膜晶体管层的无机绝缘膜构成。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述保护膜设置在所述第一平坦化膜和所述第二布线层之间。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述保护膜设置在所述第一布线层与所述第一平坦化膜之间。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第一阻挡壁包括：
第一金属凸部，其作为所述第二布线层，以与所述第一边框布线或所述第二边框布线电连接的方式设置；以及
第一树脂凸部，其设置在所述第一金属凸部上，并与所述第二平坦化膜由同一材料形成在同一层。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，
所述第一金属凸部的端部设置为所述基底基板侧的部分比所述发光元件层侧的部分突出的正锥状。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，
所述第一金属凸部由下层金属膜和上层金属膜构成，
所述下层金属膜由设置在所述基底基板侧的钛膜构成，
所述上层金属膜由设置在所述发光元件层侧的铝膜构成。
7.根据权利要求4～6中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述显示区域设置为矩形状，
与所述第一边框布线电连接的所述第一金属凸部以沿着所述显示区域的一边的一部分的方式设置，其中，所述显示区域的一边是沿着所述端子部的所述显示区域的一条边。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，
与所述第二边框布线电连接的所述第一金属凸部以沿着所述显示区域的一边的其它部分和沿着所述显示区域的三边的方式设置，
其中，所述显示区域的一边是沿着所述端子部的所述显示区域的一条边，所述显示区域的三边是不沿着所述端子部的所述显示区域的三条边。
9.根据权利要求4～8中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第一阻挡壁包括第三树脂凸部，所述第三树脂凸部设置在所述第一树脂凸部上，且与所述边缘罩由同一材料形成在同一层。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的显示装置，其特征在于，
在所述第一阻挡壁的周围呈框状设置有第二阻挡壁，
在所述第二平坦化膜上，在所述第一阻挡壁和所述第二阻挡壁之间，呈框状设置有贯通所述第二平坦化膜的第二狭缝，
在所述第二狭缝中，相互对置的所述第一边框布线的缘部和所述第二边框布线的缘部被所述保护膜覆盖。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，
所述第二阻挡壁具备：
第二金属凸部，其作为所述第二布线层以与所述第一边框布线或所述第二边框布线电连接的方式设置；以及
第二树脂凸部，其设置在所述第二金属凸部上，并与所述第二平坦化膜由同一材料形成在同一层。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，
所述第二金属凸部的端部设置为所述底基板侧的部分比所述发光元件层侧的部分突出的正锥状。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，
所述第二金属凸部由下层金属膜和上层金属膜构成，所述下层金属膜由设置在所述基底基板侧的钛膜构成，
所述上层金属膜由设置在所述发光元件层侧的铝膜构成。
14.根据权利要求11～13中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述显示区域设置为矩形状，
与所述第一边框布线电连接的所述第二金属凸部以沿着所述显示区域的一边的一部分的方式设置，所述显示区域的一边是沿着所述端子部的所述显示区域的一条边。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其特征在于，包括：
与所述第二边框布线电连接的所述第二金属凸部以沿着所述显示区域的一边的其它部分和所述显示区域的三边的方式设置，其中，所述显示区域的一边是沿着所述端子部的所述显示区域的一条边，所述显示区域的三边是不沿着所述端子部的所述显示区域的三条边。
16.根据权利要求11～15中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第二阻挡壁包括第四树脂凸部，所述第四树脂凸部设置在所述第二树脂凸部上，与所述边缘罩由同一材料形成在同一层。
17.根据权利要求1～16中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
在所述第一平坦化膜和所述第二平坦化膜中，在所述显示区域和所述第一狭缝之间，呈框状设置有贯通所述第一平坦化膜和所述第二平坦化膜的沟槽。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其特征在于，
所述第二电极和所述导电层相互接触还设置在所述沟槽的内部。
19.根据权利要求17或18所述的显示装置，其特征在于，
在所述第一狭缝和所述沟槽之间，作为所述第二布线层，以与所述第二边框布线电连接的方式设置有第一金属层。
20.根据权利要求1～3中任一项所述的显示装置，其特征在于，
在所述第一阻挡壁的周围呈框状设置有第二阻挡壁，
在所述第二平坦化膜上，在所述第一阻挡壁和所述第二阻挡壁之间，呈框状设置有贯通所述第二平坦化膜的第二狭缝，
在所述第二狭缝中，相互对置的所述第一边框布线的缘部和所述第二边框布线的缘部被所述保护膜覆盖，
在所述第一边框布线上设置有第二金属层，所述第二金属层以隔着所述保护膜覆盖所述第一边框布线，并与所述第一边框布线电连接的方式设置，
在所述第二边框布线上设置有第三金属层，所述第三金属层以隔着所述保护膜覆盖所述第二边框布线，并与所述第二边框布线电连接的方式设置，
所述第二金属层及所述第三金属层由下层金属膜和上层金属膜构成，所述下层金属膜由设置于所述基底基板侧的钛膜构成，所述上层金属膜由设置于所述发光元件层侧的铝膜构成，
所述第二金属层和所述第三金属层的端部设置为所述下层金属膜比所述上层金属膜突出的正锥状。
21.根据权利要求1或3所述的显示装置，其特征在于，
所述显示区域设置为矩形状，
在所述显示区域的所述端子部侧的边和所述第一狭缝之间，作为所述第二布线层设置有与所述第一边框布线电连接的端子侧金属层，
所述端子侧金属层由下层金属膜和上层金属膜构成，所述下层金属膜由设置在所述基底基板侧的钛膜构成，所述上层金属膜由设置在所述发光元件层侧的铝膜构成，
所述端子侧金属层的端部设置为所述下层金属膜比所述上层金属膜突出的正锥状，并由所述第二平坦化膜覆盖。
22.根据权利要求1～21中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述各发光层是有机电致发光层。
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