WO2022018799A1 - 表示装置 - Google Patents

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WO2022018799A1
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film
layer
display device
wiring
frame
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PCT/JP2020/028122
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達 岡部
庄治 岡崎
信介 齋田
伸治 市川
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シャープ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a display device.
  • a self-luminous organic EL display device that uses an organic electroluminescence (hereinafter, also referred to as EL) element has attracted attention.
  • EL organic electroluminescence
  • Patent Document 1 has a laminated structure in which an inorganic film layer formed by a CVD (chemical vapor deposition) method or the like and an organic film layer formed by an inkjet method or the like are alternately arranged, and emits organic light.
  • a display device comprising a thin film encapsulating layer covering the element is disclosed.
  • the organic film of the sealing film is formed by the inkjet method as in the display device disclosed in Patent Document 1, the organic film is formed in the frame area around the display area provided with the organic EL element. It is necessary to provide a damming wall for damming the ink.
  • the organic EL display device includes, for example, a resin substrate, a thin film transistor (hereinafter, also referred to as TFT) layer provided on the resin substrate, and an organic EL element layer provided on the TFT layer. ing.
  • the TFT layer includes a frame wiring provided in the frame region and a flattening film provided on the frame wiring and having a flat surface in the display region.
  • the organic EL element layer includes, for example, a plurality of first electrodes, edge covers, a plurality of organic EL layers, and a second electrode provided in order on the flattening film.
  • a developer used for forming the flattening film, an etching solution used for forming the first electrode, and an edge cover are used.
  • the frame wiring is damaged by the developing solution used for forming, and for example, the end portion of the cross-sectional shape of the frame wiring is formed in the shape of an eaves. In that case, the sealing performance of the sealing film formed on the frame wiring is deteriorated, so that the organic EL element may be deteriorated.
  • the present invention has been made in view of this point, and an object thereof is to suppress damage received during the manufacturing process of the frame wiring.
  • the display device includes a base substrate and a first wiring layer, a first flattening film, a second wiring layer and a second flattening film provided on the base substrate.
  • the first damming wall that surrounds the display area and is provided in a frame shape so as to overlap the peripheral end of the organic sealing film, and the second blocking wall in the display area.
  • a power supply line provided as a wiring layer and a first frame wiring provided in the frame area as a first wiring layer so as to extend to a terminal portion at an end of the frame area and electrically connected to the power supply line. And, it is provided in the frame region as the first wiring layer so as to extend to the terminal portion, and is electrically attached to the second electrode via a conductive layer formed in the same layer with the same material as each first electrode.
  • the first flattening film and the second flattening film are provided with a connected second frame wiring, and the first flattening film and the first flattening film are provided between the display area and the first blocking wall.
  • a first slit penetrating the flattening film is provided in a frame shape, and in the first slit, the edge portion of the first frame wiring and the edge portion of the second frame wiring facing each other are the thin film layer. It is characterized in that it is covered with a protective film made of an inorganic insulating film constituting the above.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 schematically shows the arrangement of the first frame wiring, the second frame wiring, the trench, the first damming wall, the second damming wall, etc. in the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention. It is a plan view which shows.
  • FIG. 3 is a plan view of a display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of a display area of the organic EL display device along the IV-IV line in FIG.
  • FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of a TFT layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 schematically shows the arrangement of the first frame wiring, the second frame wiring, the trench,
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of an organic EL layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the frame region of the organic EL display device along the lines VII-VII in FIG.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of the frame region of the organic EL display device along the line VIII-VIII in FIG.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of a frame region of the organic EL display device along the IX-IX line in FIG.
  • FIG. 10 shows the arrangement of the first frame wiring, the second frame wiring, the trench, the first damming wall, the second damming wall, etc. in the modified example of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of a display area of the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention, and is a diagram corresponding to FIG.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of a frame region of the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention, and is a diagram corresponding to FIG. 7.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of a frame region of the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention, and is a diagram corresponding to FIG. FIG.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of a display area of the organic EL display device according to the third embodiment of the present invention, and is a diagram corresponding to FIG.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view of a frame region of the organic EL display device according to the third embodiment of the present invention, and is a diagram corresponding to FIG. 7.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view of a frame region of the organic EL display device according to the third embodiment of the present invention, and is a diagram corresponding to FIG.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view of a frame region of the organic EL display device according to the third embodiment of the present invention, and is a diagram corresponding to FIG. FIG.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view of a display area of the organic EL display device according to the fourth embodiment of the present invention, and is a diagram corresponding to FIG.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view of a frame region of the organic EL display device according to the fourth embodiment of the present invention, and is a diagram corresponding to FIG. 7.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view of a frame region of the organic EL display device according to the fourth embodiment of the present invention, and is a diagram corresponding to FIG.
  • FIG. 21 schematically shows the arrangement of the first frame wiring, the second frame wiring, the trench, the first damming wall, the second damming wall, etc. in the organic EL display device according to the fifth embodiment of the present invention. It is a plan view which shows, and is the figure which corresponds to FIG.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view of the frame region of the organic EL display device along the line XXII-XXII in FIG. 21.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device 50a of the present embodiment.
  • FIG. 2 is a flat surface schematically showing the arrangement of the first frame wiring 21h, the second frame wiring 21i, the trench G, the first blocking wall Wa, the second blocking wall Wb, etc. in the organic EL display device 50a. It is a figure.
  • FIG. 3 is a plan view of the display area D of the organic EL display device 50a. Further, FIG.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of a display area D of the organic EL display device 50a along the IV-IV line in FIG.
  • FIG. 5 is an equivalent circuit diagram of the TFT layer 30a constituting the organic EL display device 50a.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the organic EL layer 33 constituting the organic EL display device 50a.
  • FIGS. 7, 8 and 9 are cross-sectional views of the frame region F of the organic EL display device 50a along the lines VII-VII, VIII-VIII and IX-IX in FIG.
  • FIG. 10 schematically shows the arrangement of the first frame wiring 21h, the second frame wiring 21i, the trench G, the first damming wall Wa, the second damming wall Wb, etc. in the modified example of the organic EL display device 50a. It is a plan view shown in FIG. 2 and corresponds to FIG.
  • the organic EL display device 50a includes, for example, a display area D provided in a rectangular shape for displaying an image, and a frame area F provided in a rectangular frame shape around the display area D. ing.
  • the rectangular display area D is illustrated, and the rectangular shape may include, for example, a shape having an arc-shaped side, a shape having an arc-shaped corner, or a part of the side.
  • a substantially rectangular shape such as a shape with a notch is also included.
  • a plurality of sub-pixels P are arranged in a matrix in the display area D. Further, in the display area D, as shown in FIG. 3, for example, a sub-pixel P having a red light emitting region Er for displaying red, and a sub pixel P having a green light emitting region Eg for displaying green, And sub-pixels P having a blue light emitting region Eb for displaying blue are provided so as to be adjacent to each other. In the display area D, for example, one pixel is composed of three adjacent sub-pixels P having a red light emitting region Er, a green light emitting region Eg, and a blue light emitting region Eb.
  • the terminal portion T is provided at the lower end portion of the frame area F in FIG. 1 so as to extend in one direction (horizontal direction in the drawing). Further, in the frame area F, as shown in FIG. 1, between the display area D and the terminal portion T, the frame region F can be bent (in a U shape) at, for example, 180 ° with the lateral direction in the drawing as the bending axis. The bent portion B is provided so as to extend in one direction (horizontal direction in the drawing). Further, in the terminal portion T, a plurality of terminals are arranged along the extending direction of the terminal portion T.
  • the first flattening film 22a and the second flattening film 28a which will be described later, have a rectangular frame-shaped trench G in a plan view, as shown in FIGS. 1, 2, 7, and 8. Is provided so as to penetrate the first flattening film 22a and the second flattening film 28a.
  • the trench G includes a first trench Ga formed on the first flattening film 22a and a second trench Gb formed on the second flattening film 28a. There is.
  • the organic EL display device 50a is provided as a resin substrate layer 10 provided as a base substrate, a TFT layer 30a provided on the resin substrate layer 10, and a light emitting element layer on the TFT layer 30a.
  • the organic EL element layer 35 is provided with a sealing film 40 provided so as to cover the organic EL element layer 35.
  • the resin substrate layer 10 is made of, for example, a polyimide resin or the like.
  • the TFT layer 30a includes a base coat film 11 provided on the resin substrate layer 10, a plurality of first TFTs 9a provided on the base coat film 11, and a plurality of second TFTs 9b (see FIG. 5).
  • the third TFT 9c of the above and a plurality of capacitors 9d are provided.
  • the TFT layer 30a includes a first flattening film 22a, a protective film 23a, and a second flattening film 22a, which are sequentially provided on each first TFT 9a, each second TFT 9b, each third TFT 9c, and each capacitor 9d. It is provided with a film 28a.
  • the film 22a, the protective film 23a, the power supply line 27a, the relay electrode 27b (second wiring layer), and the second flattening film 28a are laminated in this order.
  • a plurality of gate lines 14d are provided so as to extend in parallel with each other in the lateral direction in the drawing.
  • a plurality of light emission control lines 14e are provided so as to extend in parallel with each other in the lateral direction in the drawing.
  • the gate wire 14d and the light emission control line 14e are formed of the same material as the gate electrodes 14a and 14b and the lower wiring layer 14c, and are provided as a first electrode layer together with the gate electrodes 14a and 14b and the lower wiring layer 14c. Has been done. Further, as shown in FIG.
  • each light emission control line 14e is provided so as to be adjacent to each gate line 14d.
  • a plurality of source lines 21f are provided so as to extend in parallel with each other in the vertical direction in the drawing.
  • the source wire 21f is formed of the same material as the source electrodes 21a and 21c and the drain electrodes 21b and 21d, and is provided as a first wiring layer together with the source electrodes 21a and 21c and the drain electrodes 21b and 21d. ..
  • power lines 27a are provided as a second wiring layer in a grid pattern. As shown in FIG.
  • the power line 27a includes a lower metal film 24a, a middle metal film 25a, and an upper metal film 26a that are sequentially laminated on the protective film 23a. Further, in the TFT layer 30a, as shown in FIG. 5, each sub-pixel P is provided with a first TFT 9a, a second TFT 9b, a third TFT 9c, and a capacitor 9d, respectively.
  • the base coat film 11 is composed of, for example, a single-layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride.
  • the first TFT 9a is electrically connected to the corresponding gate line 14d, source line 21f, and second TFT 9b in each sub-pixel P.
  • the first TFT 9a includes a semiconductor layer 12a, a gate insulating film 13, a gate electrode 14a, a first interlayer insulating film 15, a second interlayer insulating film 17, and the like, which are sequentially provided on the base coat film 11. It includes a source electrode 21a and a drain electrode 21b.
  • the semiconductor layer 12a is provided in an island shape on the base coat film 11 as shown in FIG. 4, and has a channel region, a source region, and a drain region as described later.
  • the semiconductor layer 12a and the semiconductor layer 12b described later are formed of, for example, a low-temperature polysilicon film, an In—Ga—Zn—O-based oxide semiconductor film, or the like.
  • the gate insulating film 13 is provided so as to cover the semiconductor layer 12a.
  • the gate electrode 14a is provided on the gate insulating film 13 so as to overlap the channel region of the semiconductor layer 12a.
  • the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are provided in order so as to cover the gate electrode 14a as shown in FIG. Further, as shown in FIG.
  • the source electrode 21a and the drain electrode 21b are provided on the second interlayer insulating film 17 so as to be separated from each other. Further, as shown in FIG. 4, the source electrode 21a and the drain electrode 21b are provided through the contact holes formed in the laminated film of the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17, respectively. It is electrically connected to the source region and the drain region of the semiconductor layer 12a, respectively. Further, as shown in FIG. 4, the source electrode 21a includes a lower metal film 18a, a middle metal film 19a, and an upper metal film 20a that are sequentially laminated on the second interlayer insulating film 17. Further, as shown in FIG.
  • the drain electrode 21b includes a lower metal film 18b, a middle metal film 19b, and an upper metal film 20b which are sequentially laminated on the second interlayer insulating film 17.
  • the lower metal film 18a, the lower metal film 18b, the upper metal film 20a and the upper metal film 20b, and the lower metal film 18c, the lower metal film 18d, the upper metal film 20c and the upper metal film 20d described later are, for example, titanium films. It is composed of a titanium-based metal film such as a titanium alloy film or a titanium alloy film.
  • the middle layer metal film 19a and the middle layer metal film 19b, and the middle layer metal film 19c and the middle layer metal film 19d described later are composed of, for example, an aluminum-based metal film such as an aluminum film or an aluminum alloy film.
  • the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, the second interlayer insulating film 17, and the protective film 23a are made of, for example, a single-layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride. It is configured.
  • the second TFT 9b is electrically connected to the corresponding first TFT 9a, power line 27a, and third TFT 9c in each sub-pixel P.
  • the second TFT 9b has substantially the same structure as the first TFT 9a and the third TFT 9c described later.
  • the third TFT 9c is electrically connected to the corresponding second TFT 9b, the power supply line 27a, and the light emission control line 14e in each sub-pixel P.
  • the third TFT 9c includes a semiconductor layer 12b, a gate insulating film 13, a gate electrode 14b, a first interlayer insulating film 15, a second interlayer insulating film 17, and the like, which are sequentially provided on the base coat film 11. It includes a source electrode 21c and a drain electrode 21d.
  • the semiconductor layer 12b is provided in an island shape on the base coat film 11 and has a channel region, a source region, and a drain region, similarly to the semiconductor layer 12a.
  • the gate insulating film 13 is provided so as to cover the semiconductor layer 12b.
  • the gate electrode 14b is provided on the gate insulating film 13 so as to overlap the channel region of the semiconductor layer 12b.
  • the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are provided in order so as to cover the gate electrode 14b as shown in FIG.
  • the source electrode 21c and the drain electrode 21d are provided on the second interlayer insulating film 17 so as to be separated from each other. Further, as shown in FIG.
  • the source electrode 21c and the drain electrode 21d are provided through the contact holes formed in the laminated film of the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17, respectively. It is electrically connected to the source region and the drain region of the semiconductor layer 12b, respectively.
  • the source electrode 21c includes a lower metal film 18c, a middle metal film 19c, and an upper metal film 20c which are sequentially laminated on the second interlayer insulating film 17.
  • the drain electrode 21d is electrically connected to the relay electrode 27b via the contact holes formed in the first flattening film 22a and the protective film 23a. Further, as shown in FIG.
  • the drain electrode 21d includes a lower metal film 18d, a middle metal film 19d, and an upper metal film 20d that are sequentially laminated on the second interlayer insulating film 17.
  • the relay electrode 27b is provided as a second wiring layer, and as shown in FIG. 4, includes a lower metal film 24b, a middle metal film 25b, and an upper metal film 26b which are sequentially laminated on the protective film 23a.
  • the lower metal film 24b and the upper metal film 26b, and the above-mentioned lower metal film 24a and the upper metal film 26a are made of, for example, a titanium-based metal film such as a titanium film or a titanium alloy film.
  • the middle layer metal film 25b and the above-mentioned middle layer metal film 25a are made of, for example, an aluminum-based metal film such as an aluminum film or an aluminum alloy film.
  • the top gate type first TFT 9a, second TFT 9b and third TFT 9c are exemplified, but the first TFT 9a, second TFT 9b and third TFT 9c may be bottom gate type.
  • the capacitor 9d is electrically connected to the corresponding first TFT 9a and the power supply line 27a in each sub-pixel P.
  • the capacitor 9d includes a lower wiring layer 14c provided as a first electrode layer, a first interlayer insulating film 15 provided so as to cover the lower wiring layer 14c, and a first interlayer layer.
  • An upper wiring layer 16a provided as a second electrode layer so as to overlap the lower wiring layer 14c is provided on the insulating film 15.
  • the upper wiring layer 16a is electrically connected to the power supply line 27a via a contact hole (not shown) formed in the second interlayer insulating film 17, the first flattening film 22a, and the protective film 23a.
  • the first flattening film 22a, the second flattening film 28a, and the edge cover 32a described later are made of an organic resin material such as a polyimide resin, an acrylic resin, or a novolak resin.
  • the organic EL element layer 35 is composed of a plurality of organic EL elements arranged in a matrix, and as shown in FIG. 4, a plurality of first electrodes 31a, edge covers 32a, and a plurality of which are sequentially provided on the TFT layer 30a.
  • the organic EL layer 33 and the second electrode 34 of the above are provided.
  • the plurality of first electrodes 31a are provided in a matrix on the second flattening film 28a so as to correspond to the plurality of sub-pixels P.
  • the first electrode 31a is a contact hole formed in the first flattening film 22a and the protective film 23a, a relay electrode 27b, and a contact hole formed in the second flattening film 28a. Is electrically connected to the drain electrode 21d of the third TFT 9c via the above.
  • the first electrode 31a has a function of injecting holes into the organic EL layer 33.
  • the first electrode 31a is more preferably formed of a material having a large work function in order to improve the hole injection efficiency into the organic EL layer 33.
  • examples of the material constituting the first electrode 31a include silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), and gold (Au). , Titanium (Ti), Ruthenium (Ru), Manganese (Mn), Indium (In), Itterbium (Yb), Lithium Fluoride (LiF), Platinum (Pt), Palladium (Pd), Molybdenum (Mo), Iridium ( Examples thereof include metal materials such as Ir) and tin (Sn). Further, the material constituting the first electrode 31a may be, for example, an alloy such as astatine (At) / oxidized astatine (AtO 2).
  • the material constituting the first electrode 31a is, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). There may be. Further, the first electrode 31a may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials. Examples of the compound material having a large work function include indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO).
  • the edge cover 32a is provided in a grid pattern so as to cover the peripheral end of each first electrode 31a so as to be common to the plurality of sub-pixels P.
  • each organic EL layer 33 has a hole injection layer 1, a hole transport layer 2, a light emitting layer 3, an electron transport layer 4, and an electron injection laminated in this order on the first electrode 31a. It has layer 5.
  • the hole injection layer 1 is also called an anode buffer layer, and has a function of bringing the energy levels of the first electrode 31a and the organic EL layer 33 closer to each other and improving the hole injection efficiency from the first electrode 31a to the organic EL layer 33.
  • examples of the material constituting the hole injection layer 1 include a triazole derivative, an oxadiazole derivative, an imidazole derivative, a polyarylalkane derivative, a pyrazoline derivative, a phenylenediamine derivative, an oxazole derivative, a styrylanthracene derivative, and a fluorenone derivative. Examples thereof include hydrazone derivatives and stylben derivatives.
  • the hole transport layer 2 has a function of improving the hole transport efficiency from the first electrode 31a to the organic EL layer 33.
  • examples of the material constituting the hole transport layer 2 include a porphyrin derivative, an aromatic tertiary amine compound, a styrylamine derivative, polyvinylcarbazole, a poly-p-phenylene vinylene, a polysilane, a triazole derivative, and an oxadiazole.
  • Derivatives imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amine-substituted carcon derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stylben derivatives, hydride amorphous silicon, Examples thereof include hydrided amorphous silicon carbide, zinc sulfide, and zinc selenium.
  • the light emitting layer 3 when a voltage is applied by the first electrode 31a and the second electrode 34, holes and electrons are injected from the first electrode 31a and the second electrode 34, respectively, and the holes and electrons are recombined. It is an area.
  • the light emitting layer 3 is made of a material having high luminous efficiency. Examples of the material constituting the light emitting layer 3 include a metal oxynoid compound [8-hydroxyquinoline metal complex], a naphthalene derivative, an anthracene derivative, a diphenylethylene derivative, a vinylacetone derivative, a triphenylamine derivative, a butadiene derivative, and a coumarin derivative.
  • the electron transport layer 4 has a function of efficiently moving electrons to the light emitting layer 3.
  • the material constituting the electron transport layer 4 for example, as an organic compound, an oxadiazole derivative, a triazole derivative, a benzoquinone derivative, a naphthoquinone derivative, an anthraquinone derivative, a tetracyanoanthracinodimethane derivative, a diphenoquinone derivative, and a fluorenone derivative are used. , Cyrol derivatives, metal oxinoid compounds and the like.
  • the electron injection layer 5 has a function of bringing the energy levels of the second electrode 34 and the organic EL layer 33 closer to each other and improving the efficiency of electron injection from the second electrode 34 to the organic EL layer 33.
  • the drive voltage of each organic EL element constituting the organic EL element layer 35 can be lowered.
  • the electron injection layer 5 is also called a cathode buffer layer.
  • examples of the material constituting the electron injection layer 5 include lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), and barium fluoride. Examples thereof include inorganic alkaline compounds such as (BaF 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), strontium oxide (SrO) and the like.
  • the second electrode 34 is provided so as to cover each organic EL layer 33 and the edge cover 32a so as to be common to the plurality of sub-pixels P. Further, the second electrode 34 has a function of injecting electrons into the organic EL layer 33. Further, it is more preferable that the second electrode 34 is made of a material having a small work function in order to improve the electron injection efficiency into the organic EL layer 33.
  • the material constituting the second electrode 34 include silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), calcium (Ca), titanium (Ti), yttrium (Y), and sodium (Na).
  • the second electrode 34 is, for example, magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), asstatin (At) / oxidized asstatin (AtO 2). ), Lithium (Li) / Aluminum (Al), Lithium (Li) / Calcium (Ca) / Aluminum (Al), Lithium Fluoride (LiF) / Calcium (Ca) / Aluminum (Al), etc. You may.
  • the second electrode 34 may be formed of, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). .. Further, the second electrode 34 may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials. Materials with a small work function include, for example, magnesium (Mg), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), and sodium.
  • the sealing film 40 is provided so as to cover the second electrode 34, and the first inorganic sealing film 36, the organic sealing film 37, and the second electrode are sequentially laminated on the second electrode 34. It is provided with an inorganic sealing film 38, and has a function of protecting each organic EL layer 33 of the organic EL element layer 35 from moisture and oxygen.
  • the first inorganic sealing film 36 and the second inorganic sealing film 38 are made of, for example, an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon oxynitride film.
  • the organic sealing film 37 is made of an organic resin material such as an acrylic resin, an epoxy resin, a silicone resin, a polyurea resin, a parylene resin, a polyimide resin, and a polyamide resin.
  • the organic EL display device 50a extends in a relatively wide band shape along the central portion of the lower side of the display area D in the frame area F, and the display area D.
  • a first frame wiring 21h is provided, which extends in a band shape relatively narrowly along both ends of the lower side in the figure, and both ends of the wide portion on the opposite side of the display area D extend to the terminal portion T.
  • the first frame wiring 21h is electrically connected to the power supply line 27a on the display area D side of the frame area F, and is configured so that a high power supply voltage (EL VDD) is input at the terminal portion T.
  • the first frame wiring 21h is provided as the first wiring layer, and as shown in FIGS.
  • the lower metal film 18h, the middle metal film 19h, and the upper layer are sequentially laminated on the second interlayer insulating film 17.
  • the metal film 20h is provided, and is formed in the same layer as the source electrodes 21a and 21c and the drain electrodes 21b and 21d.
  • the organic EL display device 50a is provided in a substantially C shape on the outside of the trench G in the frame region F, and both ends thereof extend to the terminal portion T. It is equipped with.
  • the second frame wiring 21i is electrically connected to the second electrode 34 via the conductive layer 31b formed in the trench G, and has a low power supply voltage (ELVSS) at the terminal portion T. ) Is configured to be entered.
  • the second frame wiring 21i is provided as the first wiring layer, and as shown in FIGS. 7 and 9, the lower metal film 18i, the middle metal film 19i, and the upper layer are sequentially laminated on the second interlayer insulating film 17.
  • the metal film 20i is provided, and is formed in the same layer as the source electrodes 21a and 21c and the drain electrodes 21b and 21d. Further, as shown in FIG. 7, the conductive layer 31b is formed in the same layer as the first electrode 31a with the same material, and is also provided inside the trench G in a state of being in contact with the second electrode 34 and having a second frame. The wiring 21i and the second electrode 34 are electrically connected.
  • the organic EL display device 50a includes a first damming wall Wa provided in a frame shape so as to surround the display area D on the outside of the trench G in the frame area F. It is provided with a second damming wall Wb provided in a frame shape around the first damming wall Wa.
  • the first damming wall Wa is provided as a first metal convex portion 27c provided as a second wiring layer and a first resin convex portion 27c on the first metal convex portion 27c, and is provided as a second resin convex portion.
  • the inner lower layer resin layer 28c formed in the same layer as the flattening film 28a and the inner lower layer resin layer 28c provided as a third resin convex portion on the inner lower layer resin layer 28c via the conductive layer 31b, and made of the same material as the edge cover 32a. It includes an inner upper resin layer 32c formed in the same layer.
  • the first blocking wall Wa is provided so as to overlap the peripheral end of the organic sealing film 37 of the sealing film 40, and suppresses the spread of the ink that becomes the organic sealing film 37 of the sealing film 40. It is configured as follows. Further, as shown in FIGS. 2, 7, and 8, the first flattening film 22a and the second flattening film 28a have a first flattening film between the display area D and the first damming wall Wa. A first slit Sa penetrating the 22a and the second flattening film 28a is provided in a frame shape. In the first slit Sa, the edge portion of the first frame wiring 21h facing each other and the edge portion of the second frame wiring 21i are covered with the protective film 23a (see FIG. 9).
  • the first metal convex portion 27c is provided so as to be electrically connected to the first frame wiring 21h or the second frame wiring 21i.
  • the first metal convex portion 27c electrically connected to the first frame wiring 21h is a part (intermediate) of one side (lower side in the figure) of the display area D along the terminal portion T. It is provided along the part).
  • the first metal convex portion 27c electrically connected to the second frame wiring 21i is the other portion (both ends) of one side (lower side in the figure) of the display area D along the terminal portion T. Part) and the display area D not along the terminal part T (the left side, the right side, and the upper side in the figure).
  • the first metal convex portion 27c includes a lower metal film 24c, a middle metal film 25c, and an upper metal film 26c that are sequentially laminated on the protective film 23a.
  • the second damming wall Wb is provided as a second metal convex portion 27d provided as a second wiring layer and a second resin convex portion 27d on the second metal convex portion 27d.
  • the outer lower layer resin layer 28d formed in the same layer as the flattening film 28a and the outer lower layer resin layer 28d are provided as a fourth resin convex portion on the outer lower layer resin layer 28d via the conductive layer 31b, and are made of the same material as the edge cover 32a. It includes an outer upper resin layer 32d formed in the same layer.
  • the second flattening film 28a penetrates the second flattening film 28a between the first blocking wall Wa and the second blocking wall Wb.
  • the second slit Sb is provided in a frame shape.
  • the edge portion of the first frame wiring 21h facing each other and the edge portion of the second frame wiring 21i are covered with the protective film 23a as shown in FIG.
  • the second metal convex portion 27d is provided so as to be electrically connected to the first frame wiring 21h or the second frame wiring 21i.
  • the second metal convex portion 27d electrically connected to the first frame wiring 21h is a part (intermediate) of one side (lower side in the figure) of the display area D along the terminal portion T. It is provided along the part). Further, as shown in FIG.
  • the second metal convex portion 27d electrically connected to the second frame wiring 21i is another portion (both ends) of one side (lower side in the figure) of the display area D along the terminal portion T. Part) and the display area D not along the terminal part T (the left side, the right side, and the upper side in the figure).
  • the second metal convex portion 27d includes a lower metal film 24d, a middle metal film 25d, and an upper metal film 26d that are sequentially laminated on the protective film 23a.
  • the organic EL display device 50a has a first metal layer 27e provided in a substantially C shape as a second wiring layer between the trench G and the first slit Sa in the frame region F. I have.
  • the first metal layer 27e includes a lower metal film 24e, a middle metal film 25e, and an upper metal film 26e laminated in order on the protective film 23a, and the first flattening film 22a and the first flattening film 22a. It is provided so as to be electrically connected to the second frame wiring 21i via the contact hole formed in the protective film 23a.
  • the organic EL display device 50a is provided as a second wiring layer in a substantially T-shape in the frame region F so as to overlap the lower side portion in the figure of the trench G. It has 27f.
  • the terminal-side metal layer 27f includes a lower metal film 24f, a middle metal film 25f, and an upper metal film 26f laminated in order on the protective film 23a, and the protective film is provided inside the trench G. It is provided so as to be electrically connected to the first frame wiring 21h via the contact hole formed in 23a.
  • the terminal-side metal layer 27f integrally provided in a substantially T-shape is illustrated, but as shown in FIG. 10, the terminal-side metal layer 27f provided separately with the trench G interposed therebetween is illustrated. And 27fb.
  • the organic EL display device 50a has a plurality of peripheral photo spacers 32b provided in an island shape so as to project upward at both edges of the trench G in the frame region F. I have.
  • the peripheral photo spacer 32b is formed in the same layer with the same material as the edge cover 32a.
  • the portion of the edge cover 32a protruding upward from the surface is an island-shaped pixel photo spacer.
  • the conductive layer 31b is shown intermittently in FIG. 7, the conductive layer 31b is integrally formed only by opening a portion overlapping the peripheral photo spacer 32b.
  • the gate signal is input to the first TFT 9a via the gate line 14d, so that the first TFT 9a is turned on and the gate of the second TFT 9b is passed through the source line 21f.
  • a predetermined voltage corresponding to the source signal is written to the electrode 14b and the capacitor 9d and the light emission control signal is input to the third TFT 9c via the light emission control line 14e, the third TFT 9c is turned on and the gate voltage of the second TFT 9b is turned on.
  • the current corresponding to the above is supplied from the power supply line 27a to the organic EL layer 33, the light emitting layer 3 of the organic EL layer 33 emits light, and the image is displayed.
  • the gate voltage of the second TFT 9b is held by the capacitor 9d, so that the light emitting layer 3 emits light until the gate signal of the next frame is input. It is maintained in each sub-pixel P.
  • the method for manufacturing the organic EL display device 50a of the present embodiment includes a TFT layer forming step, an organic EL element layer forming step, and a sealing film forming step.
  • ⁇ TFT layer forming process> First, for example, an inorganic insulating film (thickness of about 1000 nm) such as a silicon oxide film is formed on the resin substrate layer 10 formed on the glass substrate by, for example, a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method. The base coat film 11 is formed.
  • an inorganic insulating film thickness of about 1000 nm
  • a plasma CVD Chemical Vapor Deposition
  • an amorphous silicon film (thickness of about 50 nm) is formed on the entire substrate on which the base coat film 11 is formed by a plasma CVD method, and the amorphous silicon film is crystallized by laser annealing or the like to form a polysilicon film.
  • the semiconductor film is patterned to form the semiconductor layer 12a and the like.
  • an inorganic insulating film (about 100 nm) such as a silicon oxide film is formed on the entire substrate on which the semiconductor layer 12a or the like is formed by, for example, a plasma CVD method, and a gate insulating film is formed so as to cover the semiconductor layer 12a or the like. 13 is formed.
  • an aluminum film (thickness of about 350 nm), a molybdenum nitride film (thickness of about 50 nm), and the like are sequentially formed on the entire substrate on which the gate insulating film 13 is formed by, for example, a sputtering method, and then metal lamination thereof is performed.
  • the film is patterned to form a first electrode layer such as a gate wire 14d.
  • a channel region, a source region, and a drain region are formed in the semiconductor layer 12a or the like by doping the semiconductor layer 12a or the like with the first electrode layer as a mask.
  • an inorganic insulating film such as a silicon oxide film is formed on the entire substrate in which the channel region, the source region, and the drain region are formed in the semiconductor layer 12a or the like by, for example, a plasma CVD method. , The first interlayer insulating film 15 is formed.
  • an aluminum film (thickness of about 350 nm), a molybdenum nitride film (thickness of about 50 nm), and the like are sequentially formed on the entire substrate on which the first interlayer insulating film 15 is formed by, for example, a sputtering method, and then they are formed.
  • the metal laminated film of No. 1 is patterned to form a second electrode layer such as the upper wiring layer 16a.
  • a second interlayer insulating film 17 is formed by forming an inorganic insulating film (thickness of about 500 nm) such as a silicon oxide film on the entire substrate on which the second electrode layer is formed, for example, by a plasma CVD method. do.
  • the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 are patterned to form a contact hole or the like.
  • a titanium film (thickness of about 30 nm), an aluminum film (thickness of about 300 nm), a titanium film (thickness of about 50 nm), and the like are formed in order on the entire substrate on which contact holes and the like are formed, for example, by a sputtering method.
  • the metal laminated film is patterned to form a first wiring layer such as a source line 21f.
  • the coating film is coated.
  • the first flattening film 22a made of an organic insulating film is formed.
  • an inorganic insulating film such as a silicon oxide film is formed on the entire substrate on which the first flattening film 22a is formed by, for example, a plasma CVD method, and then the inorganic insulating film is patterned. As a result, the protective film 23a is formed.
  • a titanium film (thickness of about 30 nm), an aluminum film (thickness of about 300 nm), a titanium film (thickness of about 50 nm), and the like are formed in order on the entire substrate on which the protective film 23a is formed, for example, by a sputtering method.
  • the metal laminated film is patterned to form a second wiring layer such as a power supply line 27a.
  • a polyimide-based photosensitive resin film (thickness of about 2 ⁇ m) is applied to the entire substrate on which the second wiring layer is formed by, for example, a spin coating method or a slit coating method, and then the coating film is coated. , Pre-baking, exposure, development and post-baking to form a second flattening film 28a made of an organic insulating film.
  • the TFT layer 30a can be formed.
  • a first electrode 31a, an edge cover 32a, and an organic EL layer 33 are used by a well-known method.
  • the hole transport layer 2, the organic light emitting layer 3, the electron transport layer 4, the electron injection layer 5) and the second electrode 34 are formed to form the organic EL element layer 35.
  • an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon nitride film is used on the surface of the substrate on which the organic EL element layer 35 formed in the organic EL element layer forming step is formed. Is formed into a film by the plasma CVD method to form the first inorganic sealing film 36.
  • an organic resin material such as an acrylic resin is formed on the surface of the substrate on which the first inorganic film 36 is formed by, for example, an inkjet method to form the organic sealing film 37.
  • an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon oxynitride film is formed on the substrate on which the organic film 37 is formed by a plasma CVD method using a mask, and a second film is formed.
  • the inorganic sealing film 38 the sealing film 40 is formed.
  • the glass is irradiated from the glass substrate side of the resin substrate layer 10 to glass from the lower surface of the resin substrate layer 10.
  • the substrate is peeled off, and a protective sheet (not shown) is attached to the lower surface of the resin substrate layer 10 from which the glass substrate is peeled off.
  • the organic EL display device 50a of the present embodiment can be manufactured.
  • the first electrode layer such as the gate wire 14d, the first interlayer insulating film 15, the second electrode such as the upper wiring layer 16a, etc.
  • the layer, the second interlayer insulating film 17, the first wiring layer such as the source wire 21f, the first flattening film 22a, the protective film 23a, the second wiring layer such as the power supply line 27a, and the second flattening film 28a are laminated in this order.
  • the first frame wiring 21h electrically connected to the power supply line 27a on the display area D side is provided as a first wiring layer so as to extend to the terminal portion T. ing.
  • a second frame wiring 21i electrically connected to the second electrode 34 on the display region D side via the conductive layer 31b is provided as a first wiring layer so as to extend to the terminal portion T. ing.
  • the first flattening film 22a and the second flattening film 28a the first flattening film 22a is formed between the display region D and the first damming wall Wa overlapping the peripheral end of the organic sealing film 37.
  • a first slit Sa penetrating the second flattening film 28a is provided in a frame shape.
  • a second damming wall Wb is provided in a frame shape around the first damming wall Wa.
  • the second flattening film 28a is provided with a second slit Sb penetrating the second flattening film 28a in a frame shape between the first blocking wall Wa and the second blocking wall Wb.
  • the edge portion of the first frame wiring 21h facing each other and the edge portion of the second frame wiring 21i are covered with the protective film 23a.
  • the first blocking wall Wa and the second blocking wall Wb include the first metal convex portion 27c and the second metal convex portion 27d, the first The damming wall Wa and the second damming wall Wb are formed high, and the ink that becomes the organic sealing film 37 can be further dammed.
  • the trench G penetrating the first flattening film 22a and the second flattening film 28a is provided in a frame shape around the display area D.
  • the movement of water to the display region D in the resin layers of the 1st flattening film 22a and the 2nd flattening film 28a is suppressed, and the deterioration of the organic EL layer 33 can be suppressed.
  • the first metal convex portion 27c and the second metal convex portion 27d are provided so as to be electrically connected to the first frame wiring 21h or the second frame wiring 21i. Therefore, the wiring resistance of the first frame wiring 21h and the second frame wiring 21i can be lowered.
  • the organic EL display device 50a of the present embodiment since the first metal layer 27e is provided so as to be electrically connected to the second frame wiring 21i, the wiring resistance of the second frame wiring 21i is increased. Can be lowered.
  • the terminal side metal layer 27f is provided so as to be electrically connected to the first frame wiring 21h, so that the wiring resistance of the first frame wiring 21h can be reduced. Can be lowered.
  • the organic EL display device 50a of the present embodiment since the surface of the first flattening film 22a is covered with the protective film 23a, for example, the second wiring layer such as the power supply line 27a is patterned by dry etching. At that time, etching of the surface layer of the first flattening film 22a can be suppressed, and contamination in the chamber of the dry etching apparatus can be suppressed.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of the display area D of the organic EL display device 50b of the present embodiment, and is a diagram corresponding to FIG. 12 and 13 are cross-sectional views of the frame region F of the organic EL display device 50b, and are views corresponding to FIGS. 7 and 8.
  • the same parts as those in FIGS. 1 to 10 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
  • the organic EL display device 50a provided with the second wiring layer made of three layers of metal laminated film is exemplified, but in this embodiment, the second wiring layer made of two layers of metal laminated film is exemplified.
  • the organic EL display device 50b provided with the above is exemplified.
  • the organic EL display device 50b includes a display area D for displaying an image and a frame area F provided around the display area D. Further, as shown in FIG. 11, the organic EL display device 50b includes a resin substrate layer 10, a TFT layer 30b provided on the resin substrate layer 10, and an organic EL element layer 35 provided on the TFT layer 30b. It is provided with a sealing film 40 provided so as to cover the organic EL element layer 35.
  • the TFT layer 30b includes a base coat film 11 provided on the resin substrate layer 10 and a plurality of base coat films 11 provided on the base coat film 11, as shown in FIG. It includes a first TFT 9a, a plurality of second TFTs 9b, a plurality of third TFTs 9c, and a plurality of capacitors 9d. Further, as shown in FIG. 11, the TFT layer 30b is provided on each of the first TFT 9a, each second TFT 9b, each third TFT 9c, and each capacitor 9d in order, similarly to the TFT layer 30a of the first embodiment. It includes one flattening film 22a, a protective film 23a, and a second flattening film 28a.
  • the film 22a, the protective film 23a, the power supply line 27ab, the relay electrode 27bb (second wiring layer), and the second flattening film 28a are laminated in this order.
  • the TFT layer 30b is provided with a plurality of gate lines 14d so as to extend in parallel with each other in the display region D. Further, in the TFT layer 30b, similarly to the TFT layer 30a of the first embodiment, a plurality of light emission control lines 14e are provided so as to extend in parallel with each other in the display region D. Further, in the TFT layer 30b, similarly to the TFT layer 30a of the first embodiment, a plurality of source lines 21f are provided so as to extend in parallel with each other in the display region D. Further, in the TFT layer 30b, power lines 27ab are provided as a second wiring layer in a grid pattern in the display area D. As shown in FIG.
  • the power line 27ab includes a lower metal film 24ab and an upper metal film 25ab that are sequentially laminated on the protective film 23a.
  • the first TFT 9a, the second TFT 9b, the third TFT 9c and the capacitor 9d are provided in each sub-pixel P, respectively.
  • the second TFT 9b is electrically connected to the corresponding first TFT 9a, the power line 27ab, and the third TFT 9c in each sub-pixel P.
  • the third TFT 9c is electrically connected to the corresponding second TFT 9a, the power supply line 27ab, and the light emission control line 14e in each sub-pixel P.
  • the drain electrode 21d of the third TFT 9c is electrically connected to the relay electrode 27bb via the contact holes formed in the first flattening film 22a and the protective film 23a, as shown in FIG. Has been done.
  • the relay electrode 27bb is provided as a second wiring layer, and as shown in FIG. 11, includes a lower metal film 24bb and an upper metal film 25bb that are sequentially laminated on the protective film 23a.
  • the capacitor 9d is electrically connected to the corresponding first TFT 9a and the power supply line 27ab in each sub-pixel P.
  • the organic EL display device 50b includes a first frame wiring 21h and a second frame wiring 21i in the frame area F, similarly to the organic EL display device 50a of the first embodiment.
  • the organic EL display device 50b includes a first damming wall Wa and a second damming wall Wb in the frame region F, similarly to the organic EL display device 50a of the first embodiment.
  • the first damming wall Wa is provided as a first metal convex portion 27 bb provided as a second wiring layer and a first resin convex portion 27 kb on the first metal convex portion 27 cc, and is provided as a second resin convex portion.
  • the inner lower layer resin layer 28c formed in the same layer as the flattening film 28a and the inner lower layer resin layer 28c provided as a third resin convex portion on the inner lower layer resin layer 28c via the conductive layer 31b, and made of the same material as the edge cover 32a. It includes an inner upper resin layer 32c formed in the same layer.
  • the first metal convex portion 27cc is provided so as to be electrically connected to the first frame wiring 21h or the second frame wiring 21i.
  • the first metal convex portion 27 bb includes a lower metal film 24 bb made of a titanium film or the like provided on the resin substrate layer 10 side, an aluminum film or the like provided on the organic EL element layer 35 side, and the like. It is composed of an upper metal film 25 cc composed of.
  • the end portion of the first metal convex portion 27cc is provided in a forward taper shape so that the lower metal film 24cc protrudes from the upper metal film 25cc.
  • the first metal convex portion 27cc electrically connected to the first frame wiring 21h is located on one side of the display area D along the terminal portion T, similarly to the first metal convex portion 27c of the first embodiment. It is provided along a part. Further, the first metal convex portion 27cc electrically connected to the second frame wiring 21i is located on one side of the display area D along the terminal portion T, similarly to the first metal convex portion 27c of the first embodiment. It is provided along three sides of the display area D that does not follow the other portion and the terminal portion T.
  • the second damming wall Wb is provided as a second metal convex portion 27db provided as a second wiring layer and a second resin convex portion 27db on the second metal convex portion 27db, and is provided as a second resin convex portion.
  • the outer lower layer resin layer 28d formed in the same layer as the flattening film 28a and the outer lower layer resin layer 28d are provided as a fourth resin convex portion on the outer lower layer resin layer 28d via the conductive layer 31b, and are made of the same material as the edge cover 32a. It includes an outer upper resin layer 32d formed in the same layer.
  • the second metal convex portion 27db is provided so as to be electrically connected to the first frame wiring 21h or the second frame wiring 21i.
  • the second metal convex portion 27db includes a lower metal film 24db made of a titanium film or the like provided on the resin substrate layer 10 side, an aluminum film or the like provided on the organic EL element layer 35 side, and the like. It is composed of an upper metal film 25db made of.
  • the end portion of the second metal convex portion 27db is provided in a forward taper shape so that the lower metal film 24db protrudes from the upper metal film 25db.
  • the second metal convex portion 27db electrically connected to the first frame wiring 21h is located on one side of the display area D along the terminal portion T, similarly to the second metal convex portion 27d of the first embodiment. It is provided along a part. Further, the second metal convex portion 27db electrically connected to the second frame wiring 21i is one side of the display area D along the terminal portion T, similarly to the second metal convex portion 27d of the first embodiment. It is provided along three sides of the display area D that does not follow the other portion and the terminal portion T.
  • the organic EL display device 50b has a first metal layer 27eb provided in a substantially C shape as a second wiring layer between the trench G and the first slit Sa in the frame region F. I have.
  • the first metal layer 27eb includes a lower metal film 24eb and an upper metal film 25eb laminated on the protective film 23a in order, and is formed on the first flattening film 22a and the protective film 23a. It is provided so as to be electrically connected to the second frame wiring 21i via the contact hole provided.
  • the end portion of the first metal layer 27eb is provided in a forward taper shape so that the lower metal film 24eb protrudes from the upper metal film 25eb.
  • the organic EL display device 50b has a terminal-side metal layer 27fb corresponding to the terminal-side metal layer 27f of the organic EL display device 50a in the frame region F, similarly to the organic EL display device 50a of the first embodiment. I have.
  • the terminal-side metal layer 27fb includes a lower metal film 24fb and an upper metal film 25fb laminated in order on the protective film 23a, and is formed on the protective film 23a inside the trench G. It is provided so as to be electrically connected to the first frame wiring 21h via a contact hole. As shown in FIG.
  • the end portion of the terminal-side metal layer 27fb is provided in a forward taper shape so that the lower metal film 24fb protrudes from the upper metal film 25fb, and is covered with the second flattening film 28a. ing. As a result, the adhesion between the end of the terminal-side metal layer 27fb and the second flattening film 28a is improved. It is possible to suppress the intrusion of moisture and the like into the region D, and it is possible to improve the reliability of the organic EL display device 50b.
  • the organic EL display device 50b has a plurality of peripheral photo spacers 32b provided in an island shape so as to project upward at both edges of the trench G in the frame region F. I have.
  • the organic EL display device 50b described above has flexibility like the organic EL display device 50a of the first embodiment, and is organic in each sub-pixel P via the first TFT 9a, the second TFT 9b, and the third TFT 9c.
  • the light emitting layer 3 of the EL layer 33 is configured to emit light as appropriate to display an image.
  • the organic EL display device 50b of the present embodiment has three layers (titanium) of a metal laminated film for forming the second wiring layer in the TFT layer forming step of the manufacturing method of the organic EL display device 50a of the first embodiment. It can be manufactured by changing from a film (top) / aluminum film (middle) / titanium film (bottom)) to two layers (aluminum film (top) / titanium film (bottom)).
  • a resist pattern is formed on the metal laminated film, and wet etching using the resist pattern is performed. conduct.
  • the line width of the aluminum film (top) becomes smaller than the line width of the titanium film (bottom) due to the difference in etching rate, and the second wiring including the terminal side metal layer 27fb.
  • the ends of the layer are formed in a forward tapered shape, as shown in FIG.
  • the first electrode layer such as the gate wire 14d, the first interlayer insulating film 15, the second electrode such as the upper wiring layer 16a, etc.
  • the layer, the second interlayer insulating film 17, the first wiring layer such as the source wire 21f, the first flattening film 22a, the protective film 23a, the second wiring layer such as the power supply line 27ab, and the second flattening film 28a are laminated in this order.
  • the first frame wiring 21h electrically connected to the power supply line 27ab on the display area D side is provided as a first wiring layer so as to extend to the terminal portion T. ing.
  • a second frame wiring 21i electrically connected to the second electrode 34 on the display region D side via the conductive layer 31b is provided as a first wiring layer so as to extend to the terminal portion T. ing.
  • the first flattening film 22a and the second flattening film 28a the first flattening film 22a is formed between the display region D and the first damming wall Wa overlapping the peripheral end of the organic sealing film 37.
  • a first slit Sa penetrating the second flattening film 28a is provided in a frame shape.
  • a second damming wall Wb is provided in a frame shape around the first damming wall Wa.
  • the second flattening film 28a is provided with a second slit Sb penetrating the second flattening film 28a in a frame shape between the first blocking wall Wa and the second blocking wall Wb.
  • the edge portion of the first frame wiring 21h facing each other and the edge portion of the second frame wiring 21i are covered with the protective film 23a.
  • the first blocking wall Wa and the second blocking wall Wb are provided with the first metal convex portion 27cc and the second metal convex portion 27db, the first The damming wall Wa and the second damming wall Wb are formed high, and the ink that becomes the organic sealing film 37 can be further dammed.
  • the trench G penetrating the first flattening film 22a and the second flattening film 28a is provided in a frame shape around the display area D.
  • the movement of water to the display region D in the resin layers of the 1st flattening film 22a and the 2nd flattening film 28a is suppressed, and the deterioration of the organic EL layer 33 can be suppressed.
  • the first metal convex portion 27cc and the second metal convex portion 27db are provided so as to be electrically connected to the first frame wiring 21h or the second frame wiring 21i. Therefore, the wiring resistance of the first frame wiring 21h and the second frame wiring 21i can be lowered.
  • the organic EL display device 50b of the present embodiment since the first metal layer 27eb is provided so as to be electrically connected to the second frame wiring 21i, the wiring resistance of the second frame wiring 21i is increased. Can be lowered.
  • the terminal side metal layer 27fb is provided so as to be electrically connected to the first frame wiring 21h, so that the wiring resistance of the first frame wiring 21h can be reduced. Can be lowered.
  • the organic EL display device 50b of the present embodiment since the surface of the first flattening film 22a is covered with the protective film 23a, for example, the second wiring layer such as the power supply line 27ab is patterned by dry etching. At that time, etching of the surface layer of the first flattening film 22a can be suppressed, and contamination in the chamber of the dry etching apparatus can be suppressed.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of the display area D of the organic EL display device 50c of the present embodiment, and is a diagram corresponding to FIG. 15 and 16 and 17 are cross-sectional views of the frame region F of the organic EL display device 50c, which correspond to FIGS. 7, 8 and 9.
  • the organic EL display device 50a in which the protective film 23a is provided between the first flattening film 22a and the second wiring layer is exemplified, but in the present embodiment, the first wiring layer and the first wiring layer are illustrated.
  • An organic EL display device 50c in which a protective film 23b is provided between the flattening films 22a is illustrated.
  • the organic EL display device 50c includes a display area D for displaying an image and a frame area F provided around the display area D, similarly to the organic EL display device 50a of the first embodiment. Further, as shown in FIG. 14, the organic EL display device 50c includes a resin substrate layer 10, a TFT layer 30c provided on the resin substrate layer 10, and an organic EL element layer 35 provided on the TFT layer 30c. It is provided with a sealing film 40 provided so as to cover the organic EL element layer 35.
  • the TFT layer 30c includes a base coat film 11 provided on the resin substrate layer 10 and a plurality of base coat films 11 provided on the base coat film 11, as shown in FIG. It includes a first TFT 9a, a plurality of second TFTs 9b, a plurality of third TFTs 9c, and a plurality of capacitors 9d. Further, as shown in FIG. 14, the TFT layer 30c includes a protective film 23b, a first flattening film 22a, and a second flattening film 23b, which are sequentially provided on each first TFT 9a, each second TFT 9b, each third TFT 9c, and each capacitor 9d. It is provided with a film 28a.
  • the protective film 23b, the first flattening film 22a, the power supply line 27a, the relay electrode 27b (second wiring layer), and the second flattening film 28a are laminated in this order.
  • a plurality of gate lines 14d are provided so as to extend in parallel with each other in the display area D.
  • a plurality of light emission control lines 14e are provided so as to extend in parallel with each other in the display region D.
  • a plurality of source lines 21f are provided so as to extend in parallel with each other in the display region D.
  • the power supply lines 27a are provided as the second wiring layer in a grid pattern in the display area D.
  • the first TFT 9a, the second TFT 9b, the third TFT 9c and the capacitor 9d are provided in each sub-pixel P, respectively.
  • the drain electrode 21d of the third TFT 9c is electrically connected to the relay electrode 27b via the contact holes formed in the protective film 23b and the first flattening film 22a, as shown in FIG. Has been done.
  • the upper wiring layer 16a of the capacitor 9d is connected to the power supply line 27a via a contact hole (not shown) formed in the second interlayer insulating film 17, the protective film 23b, and the first flattening film 22a. It is electrically connected.
  • the organic EL display device 50c includes a first frame wiring 21h and a second frame wiring 21i in the frame area F, similarly to the organic EL display device 50a of the first embodiment.
  • the organic EL display device 50c has the first damming wall Wa and the second dam in the frame region F, similarly to the organic EL display device 50a of the first embodiment. It is equipped with a stop wall Wb.
  • the first slit Sa provided between the display area D and the first blocking wall Wa
  • the second slit Sb provided between the first blocking wall Wa and the second blocking wall Wb.
  • the edge portion of the first frame wiring 21h and the edge portion of the second frame wiring 21i facing each other are covered with the protective film 23b.
  • the organic EL display device 50c is the same as the organic EL display device 50a of the first embodiment, in the frame region F, as shown in FIG. 15, the second wiring between the trench G and the first slit Sa.
  • a first metal layer 27e provided in a substantially C shape is provided as a layer.
  • the organic EL display device 50c includes a terminal-side metal layer 27f provided in a substantially T-shape as a second wiring layer in the frame region F, similarly to the organic EL display device 50a of the first embodiment. ing.
  • the terminal-side metal layer 27f includes a lower metal film 24f, a middle metal film 25f, and an upper metal film 26f laminated in order on the first flattening film 22a, and is inside the trench G. It is provided so as to be electrically connected to the first frame wiring 21h via a contact hole formed in the protective film 23b.
  • the organic EL display device 50c projects upward at both edges of the trench G in the frame region F, similarly to the organic EL display device 50a of the first embodiment. It is provided with a plurality of peripheral photo spacers 32b provided in an island shape so as to perform the above.
  • the organic EL display device 50c described above has flexibility like the organic EL display device 50a of the first embodiment, and is organic in each sub-pixel P via the first TFT 9a, the second TFT 9b, and the third TFT 9c.
  • the light emitting layer 3 of the EL layer 33 is configured to emit light as appropriate to display an image.
  • the step of forming the protective film 23a is the step of forming the first wiring layer. It can be manufactured by performing it in the process of forming the first flattening film 22a.
  • the first electrode layer such as the gate wire 14d, the first interlayer insulating film 15, the second electrode such as the upper wiring layer 16a, etc.
  • the layer, the second interlayer insulating film 17, the first wiring layer such as the source wire 21f, the protective film 23b, the first flattening film 22a, the second wiring layer such as the power supply line 27a, and the second flattening film 28a are laminated in this order.
  • the first frame wiring 21h electrically connected to the power supply line 27a on the display area D side is provided as a first wiring layer so as to extend to the terminal portion T. ing.
  • a second frame wiring 21i electrically connected to the second electrode 34 on the display region D side via the conductive layer 31b is provided as a first wiring layer so as to extend to the terminal portion T. ing.
  • the first flattening film 22a and the second flattening film 28a the first flattening film 22a is formed between the display region D and the first damming wall Wa overlapping the peripheral end of the organic sealing film 37.
  • a first slit Sa penetrating the second flattening film 28a is provided in a frame shape.
  • a second damming wall Wb is provided in a frame shape around the first damming wall Wa.
  • the second flattening film 28a is provided with a second slit Sb penetrating the second flattening film 28a in a frame shape between the first blocking wall Wa and the second blocking wall Wb.
  • the edge portion of the first frame wiring 21h facing each other and the edge portion of the second frame wiring 21i are covered with the protective film 23b.
  • the first blocking wall Wa and the second blocking wall Wb include the first metal convex portion 27c and the second metal convex portion 27d, the first The damming wall Wa and the second damming wall Wb are formed high, and the ink that becomes the organic sealing film 37 can be further dammed.
  • the trench G penetrating the first flattening film 22a and the second flattening film 28a is provided in a frame shape around the display area D.
  • the movement of water to the display region D in the resin layers of the 1st flattening film 22a and the 2nd flattening film 28a is suppressed, and the deterioration of the organic EL layer 33 can be suppressed.
  • the first metal convex portion 27c and the second metal convex portion 27d are provided so as to be electrically connected to the first frame wiring 21h or the second frame wiring 21i. Therefore, the wiring resistance of the first frame wiring 21h and the second frame wiring 21i can be lowered.
  • the organic EL display device 50c of the present embodiment since the first metal layer 27e is provided so as to be electrically connected to the second frame wiring 21i, the wiring resistance of the second frame wiring 21i is increased. Can be lowered.
  • the terminal side metal layer 27f is provided so as to be electrically connected to the first frame wiring 21h, so that the wiring resistance of the first frame wiring 21h can be reduced. Can be lowered.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view of the display area D of the organic EL display device 50d of the present embodiment, and is a diagram corresponding to FIG. 19 and 20 are cross-sectional views of the frame region F of the organic EL display device 50d, and are views corresponding to FIGS. 7 and 8.
  • the organic EL display device 50a is provided with a protective film 23a between the first flattening film 22a and the second wiring layer, and has a second wiring layer composed of three metal laminated films.
  • the organic EL display device 50d is provided with a protective film 23b between the first wiring layer and the first flattening film 22a, and has a second wiring layer composed of two metal laminated films. Is illustrated.
  • the organic EL display device 50d includes a display area D for displaying an image and a frame area F provided around the display area D, similarly to the organic EL display device 50a of the first embodiment. Further, as shown in FIG. 18, the organic EL display device 50d includes a resin substrate layer 10, a TFT layer 30d provided on the resin substrate layer 10, and an organic EL element layer 35 provided on the TFT layer 30d. It is provided with a sealing film 40 provided so as to cover the organic EL element layer 35.
  • the TFT layer 30d includes a base coat film 11 provided on the resin substrate layer 10 and a plurality of base coat films 11 provided on the base coat film 11, as shown in FIG. It includes a first TFT 9a, a plurality of second TFTs 9b, a plurality of third TFTs 9c, and a plurality of capacitors 9d. Further, as shown in FIG. 18, the TFT layer 30d includes a protective film 23b, a first flattening film 22a, and a second flattening film 23b, which are sequentially provided on each first TFT 9a, each second TFT 9b, each third TFT 9c, and each capacitor 9d. It is provided with a film 28a.
  • the first flattening film 22a, the power supply line 27ab, the relay electrode 27bb (second wiring layer), and the second flattening film 28a are laminated in this order.
  • a plurality of gate lines 14d are provided so as to extend in parallel with each other in the display area D.
  • a plurality of light emission control lines 14e are provided so as to extend in parallel with each other in the display region D.
  • a plurality of source lines 21f are provided so as to extend in parallel with each other in the display region D.
  • power lines 27ab are provided as a second wiring layer in a grid pattern in the display area D.
  • the first TFT 9a, the second TFT 9b, the third TFT 9c, and the capacitor 9d are provided in each sub-pixel P, as in the case of the TFT layer 30a of the first embodiment.
  • the second TFT 9b is electrically connected to the corresponding first TFT 9a, the power supply line 27ab, and the third TFT 9c in each sub-pixel P.
  • the third TFT 9c is electrically connected to the corresponding second TFT 9a, the power supply line 27ab, and the light emission control line 14e in each sub-pixel P.
  • the drain electrode 21d of the third TFT 9c is electrically connected to the relay electrode 27bb via the contact holes formed in the protective film 23b and the first flattening film 22a, as shown in FIG. Has been done.
  • the capacitor 9d is electrically connected to the corresponding first TFT 9a and the power supply line 27ab in each sub-pixel P.
  • the organic EL display device 50d includes a first frame wiring 21h and a second frame wiring 21i in the frame area F, similarly to the organic EL display device 50a of the first embodiment.
  • the organic EL display device 50d has the first damming wall Wa and the second dam in the frame region F, similarly to the organic EL display device 50b of the second embodiment. It is equipped with a stop wall Wb.
  • the first slit Sa provided between the display area D and the first blocking wall Wa
  • the second slit Sb provided between the first blocking wall Wa and the second blocking wall Wb.
  • the edge portion of the first frame wiring 21h facing each other and the edge portion of the second frame wiring 21i are covered with a protective film 23b.
  • the organic EL display device 50d has a second wiring between the trench G and the first slit Sa in the frame region F, similarly to the organic EL display device 50b of the second embodiment.
  • a first metal layer 27eb provided in a substantially C shape is provided as a layer.
  • the organic EL display device 50d includes a terminal-side metal layer 27fb provided as a second wiring layer in the frame region F, similarly to the organic EL display device 50b of the second embodiment.
  • the terminal-side metal layer 27fb includes a lower metal film 24fb and an upper metal film 25fb laminated in order on the first flattening film 22a, and is formed on the protective film 23b inside the trench G. It is provided so as to be electrically connected to the first frame wiring 21h via the formed contact hole. As shown in FIG.
  • the end portion of the terminal-side metal layer 27fb is provided in a forward taper shape so that the lower metal film 24fb protrudes from the upper metal film 25fb, and is covered with the second flattening film 28a. ing. As a result, the adhesion between the end of the terminal-side metal layer 27fb and the second flattening film 28a is improved. It is possible to suppress the intrusion of moisture and the like into the region D, and it is possible to improve the reliability of the organic EL display device 50d.
  • the organic EL display device 50d projects upward at both edges of the trench G in the frame region F, similarly to the organic EL display device 50a of the first embodiment. It is provided with a plurality of peripheral photo spacers 32b provided in an island shape so as to perform the above.
  • the organic EL display device 50d described above has flexibility like the organic EL display device 50a of the first embodiment, and is organic in each sub-pixel P via the first TFT 9a, the second TFT 9b, and the third TFT 9c.
  • the light emitting layer 3 of the EL layer 33 is configured to emit light as appropriate to display an image.
  • the organic EL display device 50d of the present embodiment forms a first wiring layer in the TFT layer forming step of the manufacturing method of the organic EL display device 50a of the first embodiment, as in the second embodiment.
  • the metal laminated film was changed from 3 layers (titanium film (top) / aluminum film (middle) / titanium film (bottom)) to 2 layers (aluminum film (top) / titanium film (bottom)).
  • the production can be performed by performing the step of forming the protective film 23a between the step of forming the first wiring layer and the step of forming the first flattening film 22a, as in the embodiment of the above.
  • the first electrode layer such as the gate wire 14d, the first interlayer insulating film 15, the second electrode such as the upper wiring layer 16a, etc.
  • the layer, the second interlayer insulating film 17, the first wiring layer such as the source wire 21f, the protective film 23b, the first flattening film 22a, the second wiring layer such as the power supply line 27ab, and the second flattening film 28a are laminated in this order.
  • the first frame wiring 21h electrically connected to the power supply line 27ab on the display area D side is provided as a first wiring layer so as to extend to the terminal portion T. ing.
  • a second frame wiring 21i electrically connected to the second electrode 34 on the display region D side via the conductive layer 31b is provided as a first wiring layer so as to extend to the terminal portion T. ing.
  • the first flattening film 22a and the second flattening film 28a the first flattening film 22a is formed between the display region D and the first damming wall Wa overlapping the peripheral end of the organic sealing film 37.
  • a first slit Sa penetrating the second flattening film 28a is provided in a frame shape.
  • a second damming wall Wb is provided in a frame shape around the first damming wall Wa.
  • the second flattening film 28a is provided with a second slit Sb penetrating the second flattening film 28a in a frame shape between the first blocking wall Wa and the second blocking wall Wb.
  • the edge portion of the first frame wiring 21h facing each other and the edge portion of the second frame wiring 21i are covered with the protective film 23b.
  • the first blocking wall Wa and the second blocking wall Wb are provided with the first metal convex portion 27cc and the second metal convex portion 27db, the first The damming wall Wa and the second damming wall Wb are formed high, and the ink that becomes the organic sealing film 37 can be further dammed.
  • the trench G penetrating the first flattening film 22a and the second flattening film 28a is provided in a frame shape around the display area D.
  • the movement of water to the display region D in the resin layer of the 1st flattening film 22a and the 2nd flattening film 28a is suppressed, and the deterioration of the organic EL layer 33 can be suppressed.
  • the first metal convex portion 27 cab and the second metal convex portion 27 db are provided so as to be electrically connected to the first frame wiring 21h or the second frame wiring 21i. Therefore, the wiring resistance of the first frame wiring 21h and the second frame wiring 21i can be lowered.
  • the organic EL display device 50d of the present embodiment since the first metal layer 27eb is provided so as to be electrically connected to the second frame wiring 21i, the wiring resistance of the second frame wiring 21i is increased. Can be lowered.
  • the wiring resistance of the first frame wiring 21h can be reduced. Can be lowered.
  • the terminal side metal layer 27fb is provided on the lower metal film 24fb made of a titanium film provided on the resin substrate layer 10 side and on the organic EL element layer 35 side. It is composed of an upper metal film 25fb made of a titanium film.
  • the end portion of the terminal-side metal layer 27fb is provided in a forward taper shape in which the lower metal film 24fb protrudes from the upper metal film 25fb, and is covered with the second flattening film 28a.
  • the adhesion between the end of the terminal-side metal layer 27fb and the second flattening film 28a is improved. It is possible to suppress the intrusion of moisture and the like into the region D, and it is possible to improve the reliability of the organic EL display device 50d.
  • FIG. 21 shows the arrangement of the first frame wiring 21h, the second frame wiring 21i, the trench G, the first damming wall Wa, the second damming wall Wb, and the like in the organic EL display device 50d of the present embodiment. It is a plan view which shows schematicly, and is the figure which corresponds to FIG. Further, FIG. 22 is a cross-sectional view of the frame region F of the organic EL display device 50f along the line XXII-XXII in FIG. 21.
  • the relatively narrow first metal convex portion 27c, the second metal convex portion 27d, and the terminal side metal layer 27f are electrically connected to the first frame wiring 21h and are relatively narrow.
  • the organic EL display device 50a in which the first metal convex portion 27c, the second metal convex portion 27d, and the first metal layer 27e are electrically connected to the second frame wiring 21i is illustrated, but in the present embodiment, it is relative.
  • the organic EL display device 50f includes a display area D for displaying an image and a frame area F provided around the display area D, similarly to the organic EL display device 50a of the first embodiment. Further, the organic EL display device 50f is mounted on the resin substrate layer 10, the TFT layer 30b provided on the resin substrate layer 10, and the TFT layer 30b, similarly to the organic EL display device 50b of the second embodiment. It includes an organic EL element layer 35 provided and a sealing film 40 provided so as to cover the organic EL element layer 35.
  • the organic EL display device 50f includes a first frame wiring 21h and a second frame wiring 21i in the frame area F, similarly to the organic EL display device 50a of the first embodiment.
  • a second metal layer 27h and a third metal layer 27i are provided so as to cover the first frame wiring 21h and the second frame wiring 21i, respectively.
  • a protective film 23a on which a contact hole is formed is provided between the second metal layer 27h and the third metal layer 27i and the first frame wiring 21h and the second frame wiring 21i. ing.
  • the second metal layer 27h and the first frame wiring 21h are electrically connected to each other, and the third metal layer 27i and the second frame wiring 21i are electrically connected to each other.
  • the configuration in which the protective film 23a is provided between the second metal layer 27h and the third metal layer 27i and the first frame wiring 21h and the second frame wiring 21i is illustrated, but the protective film 23a is illustrated. May be omitted.
  • the second metal layer 27h is composed of a lower metal film 24h made of a titanium film or the like provided on the resin substrate layer 10 side and an aluminum film or the like provided on the organic EL element layer 35 side. It is composed of an upper metal film 25h. Further, as shown in FIG.
  • the end portion of the second metal layer 27h is provided in a forward taper shape so that the lower metal film 24h protrudes from the upper metal film 25h.
  • the third metal layer 27i is composed of a lower metal film 24i made of a titanium film or the like provided on the resin substrate layer 10 side and an aluminum film or the like provided on the organic EL element layer 35 side. It is composed of an upper metal film 25i.
  • the end portion of the third metal layer 27i is provided in a forward taper shape so that the lower metal film 24i protrudes from the upper metal film 25i.
  • the organic EL display device 50f includes a first damming wall Wa and a second damming wall Wb in the frame region F, similarly to the organic EL display device 50a of the first embodiment.
  • the organic EL display device 50f is provided in an island shape so as to project upward at both edges of the trench G in the frame region F, similarly to the organic EL display device 50a of the first embodiment.
  • the peripheral photo spacer 32b is provided.
  • the organic EL display device 50f described above has flexibility like the organic EL display device 50a of the first embodiment, and is organic in each sub-pixel P via the first TFT 9a, the second TFT 9b, and the third TFT 9c.
  • the light emitting layer 3 of the EL layer 33 is configured to emit light as appropriate to display an image.
  • the organic EL display device 50f of the present embodiment has three layers (titanium) of a metal laminated film for forming the second wiring layer in the TFT layer forming step of the manufacturing method of the organic EL display device 50a of the first embodiment.
  • Manufactured by changing from film (top) / aluminum film (middle) / titanium film (bottom)) to two layers (aluminum film (top) / titanium film (bottom)) and changing the pattern shape. Can be done.
  • the first electrode layer such as the gate wire 14d, the first interlayer insulating film 15, the second electrode such as the upper wiring layer 16a, etc.
  • the layer, the second interlayer insulating film 17, the first wiring layer such as the source wire 21f, the first flattening film 22a, the protective film 23a, the second wiring layer such as the power supply line 27ab, and the second flattening film 28a are laminated in this order.
  • the first frame wiring 21h electrically connected to the power supply line 27ab on the display area D side is provided as a first wiring layer so as to extend to the terminal portion T. ing.
  • a second frame wiring 21i electrically connected to the second electrode 34 on the display region D side via the conductive layer 31b is provided as a first wiring layer so as to extend to the terminal portion T. ing.
  • the first flattening film 22a and the second flattening film 28a the first flattening film 22a is formed between the display region D and the first damming wall Wa overlapping the peripheral end of the organic sealing film 37.
  • a first slit Sa penetrating the second flattening film 28a is provided in a frame shape.
  • a second damming wall Wb is provided in a frame shape around the first damming wall Wa.
  • the second flattening film 28a is provided with a second slit Sb penetrating the second flattening film 28a in a frame shape between the first blocking wall Wa and the second blocking wall Wb.
  • the edge portion of the first frame wiring 21h facing each other and the edge portion of the second frame wiring 21i are covered with the protective film 23a.
  • the second metal layer 27h and the third metal layer 27i are a lower metal film 24h and 24i made of a titanium film or the like provided on the resin substrate layer 10 side, an aluminum film provided on the organic EL element layer 35 side, or the like.
  • a developing solution used for forming the second flattening film 28a, an etching solution used for forming the first electrode 31a, and an edge cover 32a are formed.
  • the ends of the second metal layer 27h and the third metal layer 27i are formed in a forward taper shape so that the lower metal film protrudes from the upper metal film by the developing solution used in the etching. Therefore, the sealing performance of the sealing film 40 formed on the second metal layer 27h and the third metal layer 27i can be ensured. As a result, deterioration of the organic EL layer 33 can be suppressed, so that the reliability of the organic EL display device 50f can be improved.
  • the trench G penetrating the first flattening film 22a and the second flattening film 28a is provided in a frame shape around the display area D.
  • the movement of water to the display region D in the resin layer of the 1st flattening film 22a and the 2nd flattening film 28a is suppressed, and the deterioration of the organic EL layer 33 can be suppressed.
  • the wide third metal layer 27h and the fourth metal layer 27i are provided so as to be electrically connected to the first frame wiring 21h and the second frame wiring 21i. Therefore, the wiring resistance of the first frame wiring 21h and the second frame wiring 21i can be further reduced.
  • the organic EL display device 50f of the present embodiment since the surface of the first flattening film 22a is covered with the protective film 23a, for example, the second wiring layer such as the power supply line 27ab is patterned by dry etching. At that time, etching of the surface layer of the first flattening film 22a can be suppressed, and contamination in the chamber of the dry etching apparatus can be suppressed.
  • an organic EL layer having a five-layer laminated structure of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer has been exemplified. It may have a three-layer laminated structure of a layer / hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer / electron injection layer.
  • an organic EL display device in which the first electrode is used as an anode and the second electrode is used as a cathode is exemplified, but in the present invention, the laminated structure of the organic EL layer is inverted and the first electrode is used as a cathode. It can also be applied to an organic EL display device using the second electrode as an anode.
  • the organic EL display device in which the electrode of the TFT connected to the first electrode is used as the drain electrode is exemplified, but in the present invention, the electrode of the TFT connected to the first electrode is used as the source electrode. It can also be applied to an organic EL display device to be called.
  • the organic EL display device has been described as an example as the display device, but the present invention can be applied to a display device including a plurality of light emitting elements driven by an electric current.
  • the present invention can be applied to a display device provided with a QLED (Quantum-dot light emission diode) which is a light emitting element using a quantum dot-containing layer.
  • QLED Quantum-dot light emission diode
  • the present invention is useful for flexible display devices.

Landscapes

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Abstract

薄膜トランジスタ層には、第１配線層、第１平坦化膜、第２配線層及び第２平坦化膜が順に積層され、第１平坦化膜及び第２平坦化膜には、表示領域及び第１堰き止め壁の間において、第１平坦化膜及び第２平坦化膜を貫通する第１スリットが枠状に設けられ、第１スリットにおいて、互いに対向する第１配線層の第１額縁配線（２１ｈ）の縁部と、第１配線層の第２額縁配線（２１ｉ）の縁部とは、薄膜トランジスタ層を構成する無機絶縁膜からなる保護膜（２３ａ）で覆われている。

Description

表示装置
　本発明は、表示装置に関する。
　近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（electroluminescence、以下、ＥＬとも称する）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。ここで、有機ＥＬ表示装置では、水分や酸素等の混入による有機ＥＬ素子の劣化を抑制するために、有機ＥＬ素子を覆う封止膜を無機膜及び有機膜の積層膜で構成する封止構造が提案されている。
　例えば、特許文献１には、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等により形成された無機膜層と、インクジェット法等により形成された有機膜層とが交互に配置された積層構造を有し、有機発光素子を覆う薄膜封止層を備えた表示装置が開示されている。
特開２０１４－８６４１５号公報
　ところで、上記特許文献１に開示された表示装置のように、封止膜の有機膜をインクジェット法により形成する場合には、有機ＥＬ素子が設けられた表示領域の周囲の額縁領域に、有機膜となるインクを堰き止めるための堰き止め壁を設ける必要がある。また、有機ＥＬ表示装置は、例えば、樹脂基板と、樹脂基板上に設けられた薄膜トランジスタ（thin film transistor、以下、ＴＦＴとも称する）層と、ＴＦＴ層上に設けられた有機ＥＬ素子層とを備えている。ここで、ＴＦＴ層は、額縁領域に設けられた額縁配線と、額縁配線上に設けられ、表示領域において平坦な表面を有する平坦化膜とを備えている。また、有機ＥＬ素子層は、例えば、平坦化膜上に順に設けられた複数の第１電極、エッジカバー、複数の有機ＥＬ層及び第２電極を備えている。そして、堰き止め壁を平坦化膜と同一層に同一材料により形成する場合には、平坦化膜を形成する際に用いる現像液、第１電極を形成する際に用いるエッチング液、及びエッジカバーを形成する際に用いる現像液から額縁配線がダメージを受けて、例えば、額縁配線の横断面形状の端部が庇状に形成されてしまう。そうなると、額縁配線上に形成される封止膜の封止性能が低下してしまうので、有機ＥＬ素子が劣化するおそれがある。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、額縁配線の製造工程中に受けるダメージを抑制することにある。
　上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、ベース基板と、上記ベース基板上に設けられ、第１配線層、第１平坦化膜、第２配線層及び第２平坦化膜が順に積層された薄膜トランジスタ層と、上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、表示領域を構成する複数のサブ画素に対応して複数の第１電極、共通のエッジカバー、複数の発光層、及び共通の第２電極が順に積層された発光素子層と、上記発光素子層を覆うように設けられ、第１無機封止膜、有機封止膜及び第２無機封止膜が順に積層された封止膜と、上記表示領域の周囲の額縁領域において、該表示領域を囲むと共に、上記有機封止膜の周端部と重なるように枠状に設けられた第１堰き止め壁と、上記表示領域に上記第２配線層として設けられた電源線と、上記額縁領域に上記第１配線層として該額縁領域の端部の端子部に延びるように設けられ、上記電源線に電気的に接続された第１額縁配線と、上記額縁領域に上記第１配線層として上記端子部に延びるように設けられ、上記各第１電極と同一材料により同一層に形成された導電層を介して上記第２電極に電気的に接続された第２額縁配線とを備え、上記第１平坦化膜及び上記第２平坦化膜には、上記表示領域及び上記第１堰き止め壁の間において、該第１平坦化膜及び該第２平坦化膜を貫通する第１スリットが枠状に設けられ、上記第１スリットにおいて、互いに対向する上記第１額縁配線の縁部と、上記第２額縁配線の縁部とは、上記薄膜トランジスタ層を構成する無機絶縁膜からなる保護膜で覆われていることを特徴とする。
　本発明によれば、額縁配線の製造工程中に受けるダメージを抑制することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置において、第１額縁配線、第２額縁配線、トレンチ、第１堰き止め壁、第２堰き止め壁等の配置を概略的に示す平面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の平面図である。 図４は、図１中のIV－IV線に沿った有機ＥＬ表示装置の表示領域の断面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成するＴＦＴ層の等価回路図である。 図６は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ層の断面図である。 図７は、図２中のVII－VII線に沿った有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図である。 図８は、図２中のVIII－VIII線に沿った有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図である。 図９は、図２中のIX－IX線に沿った有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図である。 図１０は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の変形例において、第１額縁配線、第２額縁配線、トレンチ、第１堰き止め壁、第２堰き止め壁等の配置を概略的に示す平面図であり、図２に相当する図である。 図１１は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の断面図であり、図４に相当する図である。 図１２は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図であり、図７に相当する図である。 図１３は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図であり、図８に相当する図である。 図１４は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の断面図であり、図４に相当する図である。 図１５は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図であり、図７に相当する図である。 図１６は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図であり、図８に相当する図である。 図１７は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図であり、図９に相当する図である。 図１８は、本発明の第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の断面図であり、図４に相当する図である。 図１９は、本発明の第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図であり、図７に相当する図である。 図２０は、本発明の第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図であり、図８に相当する図である。 図２１は、本発明の第５の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置において、第１額縁配線、第２額縁配線、トレンチ、第１堰き止め壁、第２堰き止め壁等の配置を概略的に示す平面図であり、図２に相当する図である。 図２２は、図２１中のXXII－XXII線に沿った有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
　《第１の実施形態》
　図１～図１０は、本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子層を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子層を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの概略構成を示す平面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置５０ａにおいて、第１額縁配線２１ｈ、第２額縁配線２１ｉ、トレンチＧ、第１堰き止め壁Ｗａ、第２堰き止め壁Ｗｂ等の配置を概略的に示す平面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの平面図である。また、図４は、図１中のIV－IV線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの断面図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成するＴＦＴ層３０ａの等価回路図である。また、図６は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ層３３の断面図である。また、図７、図８及び図９は、図２中のVII－VII線、VIII－VIII線及びIX－IX線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ａの額縁領域Ｆの断面図である。また、図１０は、有機ＥＬ表示装置５０ａの変形例において、第１額縁配線２１ｈ、第２額縁配線２１ｉ、トレンチＧ、第１堰き止め壁Ｗａ、第２堰き止め壁Ｗｂ等の配置を概略的に示す平面図であり、図２に相当する図である。
　有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、例えば、矩形状に設けられた画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に矩形枠状に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。なお、本実施形態では、矩形状の表示領域Ｄを例示したが、この矩形状には、例えば、辺が円弧状になった形状、角部が円弧状になった形状、辺の一部に切り欠きがある形状等の略矩形状も含まれている。
　表示領域Ｄには、図３に示すように、複数のサブ画素Ｐがマトリクス状に配列されている。また、表示領域Ｄでは、図３に示すように、例えば、赤色の表示を行うための赤色発光領域Ｅｒを有するサブ画素Ｐ、緑色の表示を行うための緑色発光領域Ｅｇを有するサブ画素Ｐ、及び青色の表示を行うための青色発光領域Ｅｂを有するサブ画素Ｐが互いに隣り合うように設けられている。なお、表示領域Ｄでは、例えば、赤色発光領域Ｅｒ、緑色発光領域Ｅｇ及び青色発光領域Ｅｂを有する隣り合う３つのサブ画素Ｐにより、１つの画素が構成されている。
　額縁領域Ｆの図１中の下端部には、端子部Ｔが一方向（図中の横方向）に延びるように設けられている。また、額縁領域Ｆにおいて、図１に示すように、表示領域Ｄ及び端子部Ｔの間には、図中の横方向を折り曲げの軸として、例えば、１８０°に（Ｕ字状に）折り曲げ可能な折り曲げ部Ｂが一方向（図中の横方向）に延びるように設けられている。また、端子部Ｔには、端子部Ｔの延びる方向に沿って複数の端子が配列されている。また、額縁領域Ｆにおいて、後述する第１平坦化膜２２ａ及び第２平坦化膜２８ａには、図１、図２、図７及び図８に示すように、平面視で矩形枠状のトレンチＧが第１平坦化膜２２ａ及び第２平坦化膜２８ａを貫通するように設けられている。なお、具体的にトレンチＧは、図７に示すように、第１平坦化膜２２ａに形成された第１トレンチＧａと、第２平坦化膜２８ａに形成された第２トレンチＧｂとを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ａは、図４に示すように、ベース基板として設けられた樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ層３０ａと、ＴＦＴ層３０ａ上に発光素子層として設けられた有機ＥＬ素子層３５と、有機ＥＬ素子層３５を覆うように設けられた封止膜４０とを備えている。
　樹脂基板層１０は、例えば、ポリイミド樹脂等により構成されている。
　ＴＦＴ層３０ａは、図４に示すように、樹脂基板層１０上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ９ａ、複数の第２ＴＦＴ９ｂ（図５参照）、複数の第３ＴＦＴ９ｃ及び複数のキャパシタ９ｄとを備えている。また、ＴＦＴ層３０ａは、図４に示すように、各第１ＴＦＴ９ａ、各第２ＴＦＴ９ｂ、各第３ＴＦＴ９ｃ及び各キャパシタ９ｄ上に順に設けられた第１平坦化膜２２ａ、保護膜２３ａ及び第２平坦化膜２８ａとを備えている。
　ＴＦＴ層３０ａでは、図４に示すように、ベースコート膜１１上に、半導体層１２ａ及び１２ｂと、ゲート絶縁膜１３と、ゲート電極１４ａ及び１４ｂ並びに下部配線層１４ｃ（第１電極層）と、第１層間絶縁膜１５と、上部配線層１６ａ（第２電極層）と、第２層間絶縁膜１７と、ソース電極２１ａ及び２１ｃ並びにドレイン電極２１ｂ及び２１ｄ（第１配線層）と、第１平坦化膜２２ａと、保護膜２３ａと、電源線２７ａ及び中継電極２７ｂ（第２配線層）と、第２平坦化膜２８ａとが順に積層されている。
　ＴＦＴ層３０ａでは、表示領域Ｄにおいて、図３及び図５に示すように、図中の横方向に互いに平行に延びるように複数のゲート線１４ｄが設けられている。また、ＴＦＴ層３０ａでは、表示領域Ｄにおいて、図３及び図５に示すように、図中の横方向に互いに平行に延びるように複数の発光制御線１４ｅが設けられている。なお、ゲート線１４ｄ及び発光制御線１４ｅは、ゲート電極１４ａ及び１４ｂ並びに下部配線層１４ｃと同一材料により同一層に形成され、ゲート電極１４ａ及び１４ｂ並びに下部配線層１４ｃと共に、第１電極層として設けられている。また、各発光制御線１４ｅは、図３に示すように、各ゲート線１４ｄと隣り合うように設けられている。また、ＴＦＴ層３０ａでは、表示領域Ｄにおいて、図３及び図５に示すように、図中の縦方向に互いに平行に延びるように複数のソース線２１ｆが設けられている。なお、ソース線２１ｆは、ソース電極２１ａ及び２１ｃ並びにドレイン電極２１ｂ及び２１ｄと同一材料により同一層に形成され、ソース電極２１ａ及び２１ｃ並びにドレイン電極２１ｂ及び２１ｄと共に、第１配線層として設けられている。また、ＴＦＴ層３０ａでは、表示領域Ｄにおいて、図１に示すように、電源線２７ａが格子状に第２配線層として設けられている。なお、電源線２７ａは、図４に示すように、保護膜２３ａ上に順に積層された下層金属膜２４ａ、中層金属膜２５ａ及び上層金属膜２６ａを備えている。また、ＴＦＴ層３０ａでは、図５に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、第３ＴＦＴ９ｃ及びキャパシタ９ｄがそれぞれ設けられている。
　ベースコート膜１１は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
　第１ＴＦＴ９ａは、図５に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応するゲート線１４ｄ、ソース線２１ｆ及び第２ＴＦＴ９ｂに電気的に接続されている。また、第１ＴＦＴ９ａは、図４に示すように、ベースコート膜１１上に順に設けられた半導体層１２ａ、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４ａ、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７、並びにソース電極２１ａ及びドレイン電極２１ｂを備えている。ここで、半導体層１２ａは、図４に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられ、後述するように、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有している。また、半導体層１２ａ及び後述する半導体層１２ｂは、例えば、低温ポリシリコン膜やＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の酸化物半導体膜等により形成されている。また、ゲート絶縁膜１３は、図４に示すように、半導体層１２ａを覆うように設けられている。また、ゲート電極１４ａは、図４に示すように、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ａのチャネル領域と重なるように設けられている。また、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、図４に示すように、ゲート電極１４ａを覆うように順に設けられている。また、ソース電極２１ａ及びドレイン電極２１ｂは、図４に示すように、第２層間絶縁膜１７上に互いに離間するように設けられている。また、ソース電極２１ａ及びドレイン電極２１ｂは、図４に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ａのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続されている。また、ソース電極２１ａは、図４に示すように、第２層間絶縁膜１７上に順に積層された下層金属膜１８ａ、中層金属膜１９ａ及び上層金属膜２０ａを備えている。また、ドレイン電極２１ｂは、図４に示すように、第２層間絶縁膜１７上に順に積層された下層金属膜１８ｂ、中層金属膜１９ｂ及び上層金属膜２０ｂを備えている。なお、下層金属膜１８ａ、下層金属膜１８ｂ、上層金属膜２０ａ及び上層金属膜２０ｂ、並びに後述する下層金属膜１８ｃ、下層金属膜１８ｄ、上層金属膜２０ｃ及び上層金属膜２０ｄは、例えば、チタン膜やチタン合金膜等のチタン系の金属膜により構成されている。また、中層金属膜１９ａ及び中層金属膜１９ｂ、並びに後述する中層金属膜１９ｃ及び中層金属膜１９ｄは、例えば、アルミニウム膜やアルミニウム合金膜等のアルミニウム系の金属膜により構成されている。また、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７及び保護膜２３ａは、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
　第２ＴＦＴ９ｂは、図５に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ、電源線２７ａ及び第３ＴＦＴ９ｃに電気的に接続されている。なお、第２ＴＦＴ９ｂは、第１ＴＦＴ９ａ及び後述する第３ＴＦＴ９ｃと実質的に同じ構造を有している。
　第３ＴＦＴ９ｃは、図５に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第２ＴＦＴ９ｂ、電源線２７ａ及び発光制御線１４ｅに電気的に接続されている。また、第３ＴＦＴ９ｃは、図４に示すように、ベースコート膜１１上に順に設けられた半導体層１２ｂ、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４ｂ、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７、並びにソース電極２１ｃ及びドレイン電極２１ｄを備えている。ここで、半導体層１２ｂは、図４に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられ、半導体層１２ａと同様に、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有している。また、ゲート絶縁膜１３は、図４に示すように、半導体層１２ｂを覆うように設けられている。また、ゲート電極１４ｂは、図４に示すように、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ｂのチャネル領域と重なるように設けられている。また、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、図４に示すように、ゲート電極１４ｂを覆うように順に設けられている。また、ソース電極２１ｃ及びドレイン電極２１ｄは、図４に示すように、第２層間絶縁膜１７上に互いに離間するように設けられている。また、ソース電極２１ｃ及びドレイン電極２１ｄは、図４に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ｂのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続されている。また、ソース電極２１ｃは、図４に示すように、第２層間絶縁膜１７上に順に積層された下層金属膜１８ｃ、中層金属膜１９ｃ及び上層金属膜２０ｃを備えている。また、ドレイン電極２１ｄは、図４に示すように、第１平坦化膜２２ａ及び保護膜２３ａに形成されたコンタクトホールを介して、中継電極２７ｂに電気的に接続されている。また、ドレイン電極２１ｄは、図４に示すように、第２層間絶縁膜１７上に順に積層された下層金属膜１８ｄ、中層金属膜１９ｄ及び上層金属膜２０ｄを備えている。また、中継電極２７ｂは、第２配線層として設けられ、図４に示すように、保護膜２３ａ上に順に積層された下層金属膜２４ｂ、中層金属膜２５ｂ及び上層金属膜２６ｂを備えている。なお、下層金属膜２４ｂ及び上層金属膜２６ｂ、並びに上述した下層金属膜２４ａ及び上層金属膜２６ａは、例えば、チタン膜やチタン合金膜等のチタン系の金属膜により構成されている。また、中層金属膜２５ｂ及び上述した中層金属膜２５ａは、例えば、アルミニウム膜やアルミニウム合金膜等のアルミニウム系の金属膜により構成されている。
　なお、本実施形態では、トップゲート型の第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及び第３ＴＦＴ９ｃを例示したが、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及び第３ＴＦＴ９ｃは、ボトムゲート型であってもよい。
　キャパシタ９ｄは、図５に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線２７ａに電気的に接続されている。ここで、キャパシタ９ｄは、図４に示すように、第１電極層として設けられた下部配線層１４ｃと、下部配線層１４ｃを覆うように設けられた第１層間絶縁膜１５と、第１層間絶縁膜１５上に下部配線層１４ｃと重なるように第２電極層として設けられた上部配線層１６ａとを備えている。なお、上部配線層１６ａは、第２層間絶縁膜１７、第１平坦化膜２２ａ及び保護膜２３ａに形成されたコンタクトホール（不図示）を介して電源線２７ａに電気的に接続されている。
　第１平坦化膜２２ａ、第２平坦化膜２８ａ及び後述するエッジカバー３２ａは、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ノボラック樹脂等の有機樹脂材料により構成されている。
　有機ＥＬ素子層３５は、マトリクス状に配列された複数の有機ＥＬ素子により構成され、図４に示すように、ＴＦＴ層３０ａ上に順に設けられた複数の第１電極３１ａ、エッジカバー３２ａ、複数の有機ＥＬ層３３及び第２電極３４を備えている。
　複数の第１電極３１ａは、図４に示すように、複数のサブ画素Ｐに対応するように、第２平坦化膜２８ａ上にマトリクス状に設けられている。ここで、第１電極３１ａは、図４に示すように、第１平坦化膜２２ａ及び保護膜２３ａに形成されたコンタクトホール、中継電極２７ｂ、並びに第２平坦化膜２８ａに形成されたコンタクトホールを介して、第３ＴＦＴ９ｃのドレイン電極２１ｄに電気的に接続されている。また、第１電極３１ａは、有機ＥＬ層３３にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極３１ａは、有機ＥＬ層３３への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第１電極３１ａを構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、イリジウム（Ｉｒ）、スズ（Ｓｎ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極３１ａを構成する材料は、例えば、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極３１ａを構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極３１ａは、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな化合物材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
　エッジカバー３２ａは、図４に示すように、複数のサブ画素Ｐに共通するように、各第１電極３１ａの周端部を覆うように格子状に設けられている。
　複数の有機ＥＬ層３３は、図４に示すように、各第１電極３１ａ上に配置され、複数のサブ画素Ｐに対応するように、マトリクス状に設けられている。ここで、各有機ＥＬ層３３は、図６に示すように、第１電極３１ａ上に順に積層された正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
　正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極３１ａと有機ＥＬ層３３とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極３１ａから有機ＥＬ層３３への正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。
　正孔輸送層２は、第１電極３１ａから有機ＥＬ層３３への正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
　発光層３は、第１電極３１ａ及び第２電極３４による電圧印加の際に、第１電極３１ａ及び第２電極３４から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
　電子輸送層４は、電子を発光層３まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
　電子注入層５は、第２電極３４と有機ＥＬ層３３とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極３４から有機ＥＬ層３３へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子層３５を構成する各有機ＥＬ素子の駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
　第２電極３４は、図４に示すように、複数のサブ画素Ｐに共通するように、各有機ＥＬ層３３及びエッジカバー３２ａを覆うように設けられている。また、第２電極３４は、有機ＥＬ層３３に電子を注入する機能を有している。また、第２電極３４は、有機ＥＬ層３３への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。ここで、第２電極３４を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極３４は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極３４は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極３４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
　封止膜４０は、図４に示すように、第２電極３４を覆うように設けられ、第２電極３４上に順に積層された第１無機封止膜３６、有機封止膜３７及び第２無機封止膜３８を備え、有機ＥＬ素子層３５の各有機ＥＬ層３３を水分や酸素から保護する機能を有している。ここで、第１無機封止膜３６及び第２無機封止膜３８は、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜により構成されている。また、有機封止膜３７は、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリ尿素樹脂、パリレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂等の有機樹脂材料により構成されている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１及び図２に示すように、額縁領域Ｆにおいて、表示領域Ｄの図中の下辺の中央部に沿って相対的に幅広に帯状に延び、表示領域Ｄの図中の下辺の両端部に沿って相対的に幅狭に帯状に延び、幅広の部分の表示領域Ｄの反対側の両端部が端子部Ｔに延びる第１額縁配線２１ｈを備えている。ここで、第１額縁配線２１ｈは、額縁領域Ｆの表示領域Ｄ側で電源線２７ａに電気的に接続され、端子部Ｔで高電源電圧（ＥＬＶＤＤ）が入力されるように構成されている。なお、第１額縁配線２１ｈは、第１配線層として設けられ、図８及び図９に示すように、第２層間絶縁膜１７上に順に積層された下層金属膜１８ｈ、中層金属膜１９ｈ及び上層金属膜２０ｈを備え、ソース電極２１ａ及び２１ｃ並びにドレイン電極２１ｂ及び２１ｄと同一材料により同一層に形成されている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１及び図２に示すように、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの外側に略Ｃ字状に設けられ、両端部が端子部Ｔに延びる第２額縁配線２１ｉを備えている。ここで、第２額縁配線２１ｉは、図７に示すように、トレンチＧに形成された導電層３１ｂを介して、第２電極３４に電気的に接続され、端子部Ｔで低電源電圧（ＥＬＶＳＳ）が入力されるように構成されている。なお、第２額縁配線２１ｉは、第１配線層として設けられ、図７及び図９に示すように、第２層間絶縁膜１７上に順に積層された下層金属膜１８ｉ、中層金属膜１９ｉ及び上層金属膜２０ｉを備え、ソース電極２１ａ及び２１ｃ並びにドレイン電極２１ｂ及び２１ｄと同一材料により同一層に形成されている。また、導電層３１ｂは、図7に示すように、第１電極３１ａと同一材料により同一層に形成され、第２電極３４と互いに接した状態でトレンチＧの内部にも設けられ、第２額縁配線２１ｉ及び第２電極３４を電気的に接続している。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１及び図２に示すように、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの外側に表示領域Ｄを囲むように枠状に設けられた第１堰き止め壁Ｗａと、第１堰き止め壁Ｗａの周囲に枠状に設けられた第２堰き止め壁Ｗｂとを備えている。
　第１堰き止め壁Ｗａは、図７に示すように、第２配線層として設けられた第１金属凸部２７ｃと、第１金属凸部２７ｃ上に第１樹脂凸部として設けられ、第２平坦化膜２８ａと同一材料により同一層に形成された内側下層樹脂層２８ｃと、内側下層樹脂層２８ｃ上に導電層３１ｂを介して第３樹脂凸部として設けられ、エッジカバー３２ａと同一材料により同一層に形成された内側上層樹脂層３２ｃとを備えている。ここで、第１堰き止め壁Ｗａは、封止膜４０の有機封止膜３７の周端部に重なるように設けられ、封止膜４０の有機封止膜３７となるインクの拡がりを抑制するように構成されている。また、第１平坦化膜２２ａ及び第２平坦化膜２８ａには、図２、図７及び図８に示すように、表示領域Ｄ及び第１堰き止め壁Ｗａの間において、第１平坦化膜２２ａ及び第２平坦化膜２８ａを貫通する第１スリットＳａが枠状に設けられている。なお、第１スリットＳａにおいて、互いに対向する第１額縁配線２１ｈの縁部と、第２額縁配線２１ｉの縁部とは、保護膜２３ａで覆われている（図９参照）。また、第１金属凸部２７ｃは、第１額縁配線２１ｈ又は第２額縁配線２１ｉに電気的に接続されるように設けられている。なお、第１額縁配線２１ｈに電気的に接続される第１金属凸部２７ｃは、図２に示すように、端子部Ｔに沿う表示領域Ｄの一辺（図中の下辺）の一部（中間部）に沿うように設けられている。また、第２額縁配線２１ｉに電気的に接続される第１金属凸部２７ｃは、図２に示すように、端子部Ｔに沿う表示領域Ｄの一辺（図中の下辺）の他部（両端部）、及び端子部Ｔに沿わない表示領域Ｄの三辺（図中の左辺、右辺及び上辺）に沿うように設けられている。また、第１金属凸部２７ｃは、図７に示すように、保護膜２３ａ上に順に積層された下層金属膜２４ｃ、中層金属膜２５ｃ及び上層金属膜２６ｃを備えている。
　第２堰き止め壁Ｗｂは、図７に示すように、第２配線層として設けられた第２金属凸部２７ｄと、第２金属凸部２７ｄ上に第２樹脂凸部として設けられ、第２平坦化膜２８ａと同一材料により同一層に形成された外側下層樹脂層２８ｄと、外側下層樹脂層２８ｄ上に導電層３１ｂを介して第４樹脂凸部として設けられ、エッジカバー３２ａと同一材料により同一層に形成された外側上層樹脂層３２ｄとを備えている。ここで、第２平坦化膜２８ａには、図２、図７及び図８に示すように、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂの間において、第２平坦化膜２８ａを貫通する第２スリットＳｂが枠状に設けられている。なお、第２スリットＳｂにおいて、互いに対向する第１額縁配線２１ｈの縁部と、第２額縁配線２１ｉの縁部とは、図９に示すように、保護膜２３ａで覆われている。また、第２金属凸部２７ｄは、第１額縁配線２１ｈ又は第２額縁配線２１ｉに電気的に接続されるように設けられている。なお、第１額縁配線２１ｈに電気的に接続される第２金属凸部２７ｄは、図２に示すように、端子部Ｔに沿う表示領域Ｄの一辺（図中の下辺）の一部（中間部）に沿うように設けられている。また、第２額縁配線２１ｉに電気的に接続される第２金属凸部２７ｄは、図２に示すように、端子部Ｔに沿う表示領域Ｄの一辺（図中の下辺）の他部（両端部）、及び端子部Ｔに沿わない表示領域Ｄの三辺（図中の左辺、右辺及び上辺）に沿うように設けられている。また、第２金属凸部２７ｄは、図７に示すように、保護膜２３ａ上に順に積層された下層金属膜２４ｄ、中層金属膜２５ｄ及び上層金属膜２６ｄを備えている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図２に示すように、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧ及び第１スリットＳａの間に第２配線層として略Ｃ字状に設けられた第１金属層２７ｅを備えている。ここで、第１金属層２７ｅは、図７に示すように、保護膜２３ａ上に順に積層された下層金属膜２４ｅ、中層金属膜２５ｅ及び上層金属膜２６ｅを備え、第１平坦化膜２２ａ及び保護膜２３ａに形成されたコンタクトホールを介して第２額縁配線２１ｉに電気的に接続されるように設けられている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図２に示すように、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの図中の下辺部と重なるように第２配線層として略Ｔ字状に設けられた端子側金属層２７ｆを備えている。ここで、端子側金属層２７ｆは、図８に示すように、保護膜２３ａ上に順に積層された下層金属膜２４ｆ、中層金属膜２５ｆ及び上層金属膜２６ｆを備え、トレンチＧの内部で保護膜２３ａに形成されたコンタクトホールを介して第１額縁配線２１ｈに電気的に接続されるように設けられている。なお、本実施形態では、略Ｔ字状に一体に設けられた端子側金属層２７ｆを例示したが、図１０に示すように、トレンチＧを挟んで切り離されて設けられた端子側金属層２７ｆａ及び２７ｆｂであってもよい。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図７及び図８に示すように、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの両縁部で上方に突出するように島状に設けられた複数の周辺フォトスペーサ３２ｂを備えている。ここで、周辺フォトスペーサ３２ｂは、エッジカバー３２ａと同一材料により同一層に形成されている。また、エッジカバー３２ａの表面の上方に突出した部分は、島状の画素フォトスペーサになっている。なお、図７では、導電層３１ｂが途切れ途切れに図示されているが、導電層３１ｂは、周辺フォトスペーサ３２ｂに重なる部分が開口しているだけで一体に形成されている。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０ａでは、各サブ画素Ｐにおいて、ゲート線１４ｄを介して第１ＴＦＴ９ａにゲート信号が入力されることにより、第１ＴＦＴ９ａがオン状態となり、ソース線２１ｆを介して第２ＴＦＴ９ｂのゲート電極１４ｂ及びキャパシタ９ｄにソース信号に対応する所定の電圧が書き込まれて、発光制御線１４ｅを介して第３ＴＦＴ９ｃに発光制御信号が入力されたときに第３ＴＦＴ９ｃがオン状態となり、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧に応じた電流が電源線２７ａから有機ＥＬ層３３に供給されることにより、有機ＥＬ層３３の発光層３が発光して、画像表示が行われる。なお、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、第１ＴＦＴ９ａがオフ状態になっても、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧がキャパシタ９ｄによって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまで発光層３による発光が各サブ画素Ｐで維持される。
　次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０の製造方法について説明する。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法は、ＴＦＴ層形成工程、有機ＥＬ素子層形成工程及び封止膜形成工程を備える。
　＜ＴＦＴ層形成工程＞
　まず、例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板層１０上に、例えば、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜（厚さ１０００ｎｍ程度）を成膜することにより、ベースコート膜１１を形成する。
　続いて、ベースコート膜１１が形成された基板全体に、プラズマＣＶＤ法により、例えば、アモルファスシリコン膜（厚さ５０ｎｍ程度）を成膜し、そのアモルファスシリコン膜をレーザーアニール等により結晶化してポリシリコン膜の半導体膜を形成した後に、その半導体膜をパターニングして、半導体層１２ａ等を形成する。
　その後、半導体層１２ａ等が形成された基板全体に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜（１００ｎｍ程度）を成膜して、半導体層１２ａ等を覆うようにゲート絶縁膜１３を形成する。
　さらに、ゲート絶縁膜１３が形成された基板全体に、例えば、スパッタリング法により、アルミニウム膜（厚さ３５０ｎｍ程度）及び窒化モリブデン膜（厚さ５０ｎｍ程度）等を順に成膜した後に、それらの金属積層膜をパターニングして、ゲート線１４ｄ等の第１電極層を形成する。
　続いて、第１電極層をマスクとして、不純物イオンをドーピングすることにより、半導体層１２ａ等にチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を形成する。
　その後、半導体層１２ａ等にチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域が形成された基板全体に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜（厚さ１００ｎｍ程度）を成膜することにより、第１層間絶縁膜１５を形成する。
　続いて、第１層間絶縁膜１５が形成された基板全体に、例えば、スパッタリング法により、アルミニウム膜（厚さ３５０ｎｍ程度）及び窒化モリブデン膜（厚さ５０ｎｍ程度）等を順に成膜した後に、それらの金属積層膜をパターニングして、上部配線層１６ａ等の第２電極層を形成する。
　さらに、第２電極層が形成された基板全体に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜（厚さ５００ｎｍ程度）を成膜することにより、第２層間絶縁膜１７を形成する。
　その後、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７をパターニングすることにより、コンタクトホール等を形成する。
　続いて、コンタクトホール等が形成された基板全体に、例えば、スパッタリング法により、チタン膜（厚さ３０ｎｍ程度）、アルミニウム膜（厚さ３００ｎｍ程度）及びチタン膜（厚さ５０ｎｍ程度）等を順に成膜した後に、それらの金属積層膜をパターニングして、ソース線２１ｆ等の第１配線層を形成する。
　さらに、第１配線層が形成された基板全体に、例えば、スピンコート法やスリットコート法により、ポリイミド系の感光性樹脂膜（厚さ２μｍ程度）を塗布した後に、その塗布膜に対して、プリベーク、露光、現像及びポストベークを行うことにより、有機絶縁膜からなる第１平坦化膜２２ａを形成する。
　その後、第１平坦化膜２２ａが形成された基板全体に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜（厚さ５００ｎｍ程度）を成膜した後に、その無機絶縁膜をパターニングすることにより、保護膜２３ａを形成する。
　続いて、保護膜２３ａが形成された基板全体に、例えば、スパッタリング法により、チタン膜（厚さ３０ｎｍ程度）、アルミニウム膜（厚さ３００ｎｍ程度）及びチタン膜（厚さ５０ｎｍ程度）等を順に成膜した後に、それらの金属積層膜をパターニングして、電源線２７ａ等の第２配線層を形成する。
　最後に、第２配線層が形成された基板全体に、例えば、スピンコート法やスリットコート法により、ポリイミド系の感光性樹脂膜（厚さ２μｍ程度）を塗布した後に、その塗布膜に対して、プリベーク、露光、現像及びポストベークを行うことにより、有機絶縁膜からなる第２平坦化膜２８ａを形成する。
　以上のようにして、ＴＦＴ層３０ａを形成することができる。
　＜有機ＥＬ素子層形成工程＞
　上記ＴＦＴ層形成工程で形成されたＴＦＴ層３０ａの第２平坦化膜２８ａ上に、周知の方法を用いて、第１電極３１ａ、エッジカバー３２ａ、有機ＥＬ層３３（正孔注入層１、正孔輸送層２、有機発光層３、電子輸送層４、電子注入層５）及び第２電極３４を形成して、有機ＥＬ素子層３５を形成する。
　＜封止膜形成工程＞
　まず、上記有機ＥＬ素子層形成工程で形成された有機ＥＬ素子層３５が形成された基板表面に、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により成膜して、第１無機封止膜３６を形成する。
　続いて、第１無機膜３６が形成された基板表面に、例えば、インクジェット法により、アクリル樹脂等の有機樹脂材料を成膜して、有機封止膜３７を形成する。
　その後、有機膜３７が形成された基板に対して、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により成膜して、第２無機封止膜３８を形成することにより、封止膜４０を形成する。
　最後に、封止膜４０が形成された基板表面に保護シート（不図示）を貼付した後に、樹脂基板層１０のガラス基板側からレーザー光を照射することにより、樹脂基板層１０の下面からガラス基板を剥離させ、さらに、ガラス基板を剥離させた樹脂基板層１０の下面に保護シート（不図示）を貼付する。
　以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａを製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａによれば、ＴＦＴ層３０ａでは、ゲート線１４ｄ等の第１電極層、第１層間絶縁膜１５、上部配線層１６ａ等の第２電極層、第２層間絶縁膜１７、ソース線２１ｆ等の第１配線層、第１平坦化膜２２ａ、保護膜２３ａ、電源線２７ａ等の第２配線層、及び第２平坦化膜２８ａが順に積層されている。ここで、表示領域Ｄの周囲の額縁領域Ｆには、表示領域Ｄ側で電源線２７ａに電気的に接続された第１額縁配線２１ｈが端子部Ｔに延びるように第１配線層として設けられている。また、額縁領域Ｆには、表示領域Ｄ側で第２電極３４に導電層３１ｂを介して電気的に接続された第２額縁配線２１ｉが端子部Ｔに延びるように第１配線層として設けられている。さらに、第１平坦化膜２２ａ及び第２平坦化膜２８ａには、表示領域Ｄと有機封止膜３７の周端部に重なる第１堰き止め壁Ｗａとの間において、第１平坦化膜２２ａ及び第２平坦化膜２８ａを貫通する第１スリットＳａが枠状に設けられている。また、第１堰き止め壁Ｗａの周囲には、第２堰き止め壁Ｗｂが枠状に設けられている。さらに、第２平坦化膜２８ａには、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂの間において、第２平坦化膜２８ａを貫通する第２スリットＳｂが枠状に設けられている。そして、第１スリットＳａ及び第２スリットＳｂにおいて、互いに対向する第１額縁配線２１ｈの縁部と、第２額縁配線２１ｉの縁部とは、保護膜２３ａで覆われている。これにより、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂを形成するために、第１スリットＳａ及び第２スリットＳｂを形成しても、第１額縁配線２１ｈ及び第２額縁配線２１ｉは、第１平坦化膜２２ａ及び第２平坦化膜２８ａを形成する際に用いる現像液、第１電極３１ａを形成する際に用いるエッチング液、及びエッジカバー３２ａを形成する際に用いる現像液からサイドエッチングによるダメージを受け難くなる。そのため、第１額縁配線２１ｈ及び第２額縁配線２１ｉの製造工程中に受けるダメージを抑制することができる。さらに、第１額縁配線２１ｈ及び第２額縁配線２１ｉの製造工程中に受けるダメージが抑制されるので、第１額縁配線２１ｈ及び第２額縁配線２１ｉ上に形成される封止膜４０の封止性能を確保することができる。これにより、有機ＥＬ層３３の劣化を抑制することができるので、有機ＥＬ表示装置５０ａの信頼性を向上させることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａによれば、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂが第１金属凸部２７ｃ及び第２金属凸部２７ｄを備えているので、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂが高く形成され、有機封止膜３７となるインクをより堰き止めることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａによれば、表示領域Ｄの周囲に第１平坦化膜２２ａ及び第２平坦化膜２８ａを貫通するトレンチＧが枠状に設けられているので、第１平坦化膜２２ａ及び第２平坦化膜２８ａという樹脂層内での表示領域Ｄへの水分の移動が抑制され、有機ＥＬ層３３の劣化を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａによれば、第１金属凸部２７ｃ及び第２金属凸部２７ｄが第１額縁配線２１ｈ又は第２額縁配線２１ｉに電気的に接続されるように設けられているので、第１額縁配線２１ｈ及び第２額縁配線２１ｉの配線抵抗を低くすることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａによれば、第１金属層２７ｅが第２額縁配線２１ｉに電気的に接続されるように設けられているので、第２額縁配線２１ｉの配線抵抗を低くすることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａによれば、端子側金属層２７ｆが第１額縁配線２１ｈに電気的に接続されるように設けられているので、第１額縁配線２１ｈの配線抵抗を低くすることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａによれば、第１平坦化膜２２ａの表面が保護膜２３ａで覆われているので、例えば、電源線２７ａ等の第２配線層をドライエッチングによりパターニングされる際に、第１平坦化膜２２ａの表層のエッチングを抑制することができ、ドライエッチング装置のチャンバー内の汚染を抑制することができる。
　《第２の実施形態》
　図１１～図１３は、本発明に係る表示装置の第２の実施形態を示している。ここで、図１１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの表示領域Ｄの断面図であり、図４に相当する図である。また、図１２及び図１３は、有機ＥＬ表示装置５０ｂの額縁領域Ｆの断面図であり、図７及び図８に相当する図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図１０と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
　上記第１の実施形態では、３層の金属積層膜からなる第２配線層を備えた有機ＥＬ表示装置５０ａを例示したが、本実施形態では、２層の金属積層膜からなる第２配線層を備えた有機ＥＬ表示装置５０ｂを例示する。
　有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。また、有機ＥＬ表示装置５０ｂは、図１１に示すように、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ層３０ｂと、ＴＦＴ層３０ｂ上に設けられた有機ＥＬ素子層３５と、有機ＥＬ素子層３５を覆うように設けられた封止膜４０とを備えている。
　ＴＦＴ層３０ｂは、上記第１の実施形態のＴＦＴ層３０ａと同様に、図１１に示すように、樹脂基板層１０上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ９ａ、複数の第２ＴＦＴ９ｂ、複数の第３ＴＦＴ９ｃ及び複数のキャパシタ９ｄとを備えている。また、ＴＦＴ層３０ｂは、上記第１の実施形態のＴＦＴ層３０ａと同様に、図１１に示すように、各第１ＴＦＴ９ａ、各第２ＴＦＴ９ｂ、各第３ＴＦＴ９ｃ及び各キャパシタ９ｄ上に順に設けられた第１平坦化膜２２ａ、保護膜２３ａ及び第２平坦化膜２８ａとを備えている。
　ＴＦＴ層３０ｂでは、図１１に示すように、ベースコート膜１１上に、半導体層１２ａ及び１２ｂと、ゲート絶縁膜１３と、ゲート電極１４ａ及び１４ｂ並びに下部配線層１４ｃ（第１電極層）と、第１層間絶縁膜１５と、上部配線層１６ａ（第２電極層）と、第２層間絶縁膜１７と、ソース電極２１ａ及び２１ｃ並びにドレイン電極２１ｂ及び２１ｄ（第１配線層）と、第１平坦化膜２２ａと、保護膜２３ａと、電源線２７ａｂ及び中継電極２７ｂｂ（第２配線層）と、第２平坦化膜２８ａとが順に積層されている。
　ＴＦＴ層３０ｂでは、上記第１の実施形態のＴＦＴ層３０ａと同様に、表示領域Ｄにおいて、互いに平行に延びるように複数のゲート線１４ｄが設けられている。また、ＴＦＴ層３０ｂでは、上記第１の実施形態のＴＦＴ層３０ａと同様に、表示領域Ｄにおいて、互いに平行に延びるように複数の発光制御線１４ｅが設けられている。また、ＴＦＴ層３０ｂでは、上記第１の実施形態のＴＦＴ層３０ａと同様に、表示領域Ｄにおいて、互いに平行に延びるように複数のソース線２１ｆが設けられている。また、ＴＦＴ層３０ｂでは、表示領域Ｄにおいて、電源線２７ａｂが格子状に第２配線層として設けられている。なお、電源線２７ａｂは、図１１に示すように、保護膜２３ａ上に順に積層された下層金属膜２４ａｂ及び上層金属膜２５ａｂを備えている。また、ＴＦＴ層３０ｂでは、上記第１の実施形態のＴＦＴ層３０ａと同様に、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、第３ＴＦＴ９ｃ及びキャパシタ９ｄがそれぞれ設けられている。また、ＴＦＴ層３０ｂでは、第２ＴＦＴ９ｂが、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ、電源線２７ａｂ及び第３ＴＦＴ９ｃに電気的に接続されている。また、ＴＦＴ層３０ｂでは、第３ＴＦＴ９ｃが、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第２ＴＦＴ９ａ、電源線２７ａｂ及び発光制御線１４ｅに電気的に接続されている。また、ＴＦＴ層３０ｂでは、第３ＴＦＴ９ｃのドレイン電極２１ｄが、図１１に示すように、第１平坦化膜２２ａ及び保護膜２３ａに形成されたコンタクトホールを介して、中継電極２７ｂｂに電気的に接続されている。なお、中継電極２７ｂｂは、第２配線層として設けられ、図１１に示すように、保護膜２３ａ上に順に積層された下層金属膜２４ｂｂ及び上層金属膜２５ｂｂを備えている。また、ＴＦＴ層３０ｂでは、キャパシタ９ｄが、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線２７ａｂに電気的に接続されている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、第１額縁配線２１ｈ及び第２額縁配線２１ｉを備えている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂを備えている。
　第１堰き止め壁Ｗａは、図１２に示すように、第２配線層として設けられた第１金属凸部２７ｃｂと、第１金属凸部２７ｃｂ上に第１樹脂凸部として設けられ、第２平坦化膜２８ａと同一材料により同一層に形成された内側下層樹脂層２８ｃと、内側下層樹脂層２８ｃ上に導電層３１ｂを介して第３樹脂凸部として設けられ、エッジカバー３２ａと同一材料により同一層に形成された内側上層樹脂層３２ｃとを備えている。ここで、第１金属凸部２７ｃｂは、第１額縁配線２１ｈ又は第２額縁配線２１ｉに電気的に接続されるように設けられている。また、第１金属凸部２７ｃｂは、図１２に示すように、樹脂基板層１０側に設けられたチタン膜等からなる下層金属膜２４ｃｂと、有機ＥＬ素子層３５側に設けられたアルミニウム膜等からなる上層金属膜２５ｃｂとにより構成されている。また、第１金属凸部２７ｃｂの端部は、図１２に示すように、下層金属膜２４ｃｂが上層金属膜２５ｃｂよりも突出するように順テーパー状に設けられている。なお、第１額縁配線２１ｈに電気的に接続される第１金属凸部２７ｃｂは、上記第１の実施形態の第１金属凸部２７ｃと同様に、端子部Ｔに沿う表示領域Ｄの一辺の一部に沿うように設けられている。また、第２額縁配線２１ｉに電気的に接続される第１金属凸部２７ｃｂは、上記第１の実施形態の第１金属凸部２７ｃと同様に、端子部Ｔに沿う表示領域Ｄの一辺の他部、及び端子部Ｔに沿わない表示領域Ｄの三辺に沿うように設けられている。
　第２堰き止め壁Ｗｂは、図１２に示すように、第２配線層として設けられた第２金属凸部２７ｄｂと、第２金属凸部２７ｄｂ上に第２樹脂凸部として設けられ、第２平坦化膜２８ａと同一材料により同一層に形成された外側下層樹脂層２８ｄと、外側下層樹脂層２８ｄ上に導電層３１ｂを介して第４樹脂凸部として設けられ、エッジカバー３２ａと同一材料により同一層に形成された外側上層樹脂層３２ｄとを備えている。ここで、第２金属凸部２７ｄｂは、第１額縁配線２１ｈ又は第２額縁配線２１ｉに電気的に接続されるように設けられている。また、第２金属凸部２７ｄｂは、図１２に示すように、樹脂基板層１０側に設けられたチタン膜等からなる下層金属膜２４ｄｂと、有機ＥＬ素子層３５側に設けられたアルミニウム膜等からなる上層金属膜２５ｄｂとにより構成されている。また、第２金属凸部２７ｄｂの端部は、図１２に示すように、下層金属膜２４ｄｂが上層金属膜２５ｄｂよりも突出するように順テーパー状に設けられている。なお、第１額縁配線２１ｈに電気的に接続される第２金属凸部２７ｄｂは、上記第１の実施形態の第２金属凸部２７ｄと同様に、端子部Ｔに沿う表示領域Ｄの一辺の一部に沿うように設けられている。また、第２額縁配線２１ｉに電気的に接続される第２金属凸部２７ｄｂは、上記第１の実施形態の第２金属凸部２７ｄと同様に、端子部Ｔに沿う表示領域Ｄの一辺の他部、及び端子部Ｔに沿わない表示領域Ｄの三辺に沿うように設けられている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ｂは、図１２に示すように、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧ及び第１スリットＳａの間に第２配線層として略Ｃ字状に設けられた第１金属層２７ｅｂを備えている。ここで、第１金属層２７ｅｂは、図１２に示すように、保護膜２３ａ上に順に積層された下層金属膜２４ｅｂ及び上層金属膜２５ｅｂを備え、第１平坦化膜２２ａ及び保護膜２３ａに形成されたコンタクトホールを介して第２額縁配線２１ｉに電気的に接続されるように設けられている。なお、第１金属層２７ｅｂの端部は、図１２に示すように、下層金属膜２４ｅｂが上層金属膜２５ｅｂよりも突出するように順テーパー状に設けられている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、有機ＥＬ表示装置５０ａの端子側金属層２７ｆに相当する端子側金属層２７ｆｂを備えている。ここで、端子側金属層２７ｆｂは、図１３に示すように、保護膜２３ａ上に順に積層された下層金属膜２４ｆｂ及び上層金属膜２５ｆｂを備え、トレンチＧの内部で保護膜２３ａに形成されたコンタクトホールを介して第１額縁配線２１ｈに電気的に接続されるように設けられている。なお、端子側金属層２７ｆｂの端部は、図１３に示すように、下層金属膜２４ｆｂが上層金属膜２５ｆｂよりも突出するように順テーパー状に設けられ、第２平坦化膜２８ａで覆われている。これにより、端子側金属層２７ｆｂの端部と第２平坦化膜２８ａとの密着性が向上するので、端子側金属層２７ｆｂの端部と第２平坦化膜２８ａとの界面を経路とした表示領域Ｄへの水分等の侵入を抑制することができ、有機ＥＬ表示装置５０ｂの信頼性を向上させることができる。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ｂは、図１２及び図１３に示すように、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの両縁部で上方に突出するように島状に設けられた複数の周辺フォトスペーサ３２ｂを備えている。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及び第３ＴＦＴ９ｃを介して有機ＥＬ層３３の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法のＴＦＴ層形成工程において、第２配線層を形成する際の金属積層膜を３層（チタン膜（上）／アルミニウム膜（中）／チタン膜（下））から２層（アルミニウム膜（上）／チタン膜（下））に変更することにより、製造することができる。ここで、２層（アルミニウム膜（上）／チタン膜（下））の金属積層膜をパターニングする際には、その金属積層膜上にレジストパターンを形成し、そのレジストパターンを用いたウエットエッチングを行う。このとき、第２配線層の端部は、エッチングレートの違いにより、アルミニウム膜（上）の線幅がチタン膜（下）の線幅よりも小さくなり、端子側金属層２７ｆｂを含む第２配線層の端部は、図１３に示すように、順テーパー状に形成される。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂによれば、ＴＦＴ層３０ｂでは、ゲート線１４ｄ等の第１電極層、第１層間絶縁膜１５、上部配線層１６ａ等の第２電極層、第２層間絶縁膜１７、ソース線２１ｆ等の第１配線層、第１平坦化膜２２ａ、保護膜２３ａ、電源線２７ａｂ等の第２配線層、及び第２平坦化膜２８ａが順に積層されている。ここで、表示領域Ｄの周囲の額縁領域Ｆには、表示領域Ｄ側で電源線２７ａｂに電気的に接続された第１額縁配線２１ｈが端子部Ｔに延びるように第１配線層として設けられている。また、額縁領域Ｆには、表示領域Ｄ側で第２電極３４に導電層３１ｂを介して電気的に接続された第２額縁配線２１ｉが端子部Ｔに延びるように第１配線層として設けられている。さらに、第１平坦化膜２２ａ及び第２平坦化膜２８ａには、表示領域Ｄと有機封止膜３７の周端部に重なる第１堰き止め壁Ｗａとの間において、第１平坦化膜２２ａ及び第２平坦化膜２８ａを貫通する第１スリットＳａが枠状に設けられている。また、第１堰き止め壁Ｗａの周囲には、第２堰き止め壁Ｗｂが枠状に設けられている。さらに、第２平坦化膜２８ａには、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂの間において、第２平坦化膜２８ａを貫通する第２スリットＳｂが枠状に設けられている。そして、第１スリットＳａ及び第２スリットＳｂにおいて、互いに対向する第１額縁配線２１ｈの縁部と、第２額縁配線２１ｉの縁部とは、保護膜２３ａで覆われている。これにより、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂを形成するために、第１スリットＳａ及び第２スリットＳｂを形成しても、第１額縁配線２１ｈ及び第２額縁配線２１ｉは、第１平坦化膜２２ａ及び第２平坦化膜２８ａを形成する際に用いる現像液、第１電極３１ａを形成する際に用いるエッチング液、及びエッジカバー３２ａを形成する際に用いる現像液からサイドエッチングによるダメージを受け難くなる。そのため、第１額縁配線２１ｈ及び第２額縁配線２１ｉの製造工程中に受けるダメージを抑制することができる。さらに、第１額縁配線２１ｈ及び第２額縁配線２１ｉの製造工程中に受けるダメージが抑制されるので、第１額縁配線２１ｈ及び第２額縁配線２１ｉ上に形成される封止膜４０の封止性能を確保することができる。これにより、有機ＥＬ層３３の劣化を抑制することができるので、有機ＥＬ表示装置５０ｂの信頼性を向上させることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂによれば、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂが第１金属凸部２７ｃｂ及び第２金属凸部２７ｄｂを備えているので、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂが高く形成され、有機封止膜３７となるインクをより堰き止めることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂによれば、表示領域Ｄの周囲に第１平坦化膜２２ａ及び第２平坦化膜２８ａを貫通するトレンチＧが枠状に設けられているので、第１平坦化膜２２ａ及び第２平坦化膜２８ａという樹脂層内での表示領域Ｄへの水分の移動が抑制され、有機ＥＬ層３３の劣化を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂによれば、第１金属凸部２７ｃｂ及び第２金属凸部２７ｄｂが第１額縁配線２１ｈ又は第２額縁配線２１ｉに電気的に接続されるように設けられているので、第１額縁配線２１ｈ及び第２額縁配線２１ｉの配線抵抗を低くすることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂによれば、第１金属層２７ｅｂが第２額縁配線２１ｉに電気的に接続されるように設けられているので、第２額縁配線２１ｉの配線抵抗を低くすることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂによれば、端子側金属層２７ｆｂが第１額縁配線２１ｈに電気的に接続されるように設けられているので、第１額縁配線２１ｈの配線抵抗を低くすることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂによれば、第１平坦化膜２２ａの表面が保護膜２３ａで覆われているので、例えば、電源線２７ａｂ等の第２配線層をドライエッチングによりパターニングされる際に、第１平坦化膜２２ａの表層のエッチングを抑制することができ、ドライエッチング装置のチャンバー内の汚染を抑制することができる。
　《第３の実施形態》
　図１４～図１７は、本発明に係る表示装置の第３の実施形態を示している。ここで、図１４は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃの表示領域Ｄの断面図であり、図４に相当する図である。また、図１５、図１６及び図１７は、有機ＥＬ表示装置５０ｃの額縁領域Ｆの断面図であり、図７、図８及び図９に相当する図である。
　上記第１の実施形態では、第１平坦化膜２２ａ及び第２配線層の間に保護膜２３ａが設けられた有機ＥＬ表示装置５０ａを例示したが、本実施形態では、第１配線層及び第１平坦化膜２２ａの間に保護膜２３ｂが設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｃを例示する。
　有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。また、有機ＥＬ表示装置５０ｃは、図１４に示すように、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ層３０ｃと、ＴＦＴ層３０ｃ上に設けられた有機ＥＬ素子層３５と、有機ＥＬ素子層３５を覆うように設けられた封止膜４０とを備えている。
　ＴＦＴ層３０ｃは、上記第１の実施形態のＴＦＴ層３０ａと同様に、図１４に示すように、樹脂基板層１０上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ９ａ、複数の第２ＴＦＴ９ｂ、複数の第３ＴＦＴ９ｃ及び複数のキャパシタ９ｄとを備えている。また、ＴＦＴ層３０ｃは、図１４に示すように、各第１ＴＦＴ９ａ、各第２ＴＦＴ９ｂ、各第３ＴＦＴ９ｃ及び各キャパシタ９ｄ上に順に設けられた保護膜２３ｂ、第１平坦化膜２２ａ及び第２平坦化膜２８ａとを備えている。
　ＴＦＴ層３０ｃでは、図１４に示すように、ベースコート膜１１上に、半導体層１２ａ及び１２ｂと、ゲート絶縁膜１３と、ゲート電極１４ａ及び１４ｂ並びに下部配線層１４ｃ（第１電極層）と、第１層間絶縁膜１５と、上部配線層１６ａ（第２電極層）と、第２層間絶縁膜１７と、ソース電極２１ａ及び２１ｃ並びにドレイン電極２１ｂ及び２１ｄ（第１配線層）と、無機絶縁膜からなる保護膜２３ｂと、第１平坦化膜２２ａと、電源線２７ａ及び中継電極２７ｂ（第２配線層）と、第２平坦化膜２８ａとが順に積層されている。
　ＴＦＴ層３０ｃでは、上記第１の実施形態のＴＦＴ層３０ａと同様に、表示領域Ｄにおいて、互いに平行に延びるように複数のゲート線１４ｄが設けられている。また、ＴＦＴ層３０ｃでは、上記第１の実施形態のＴＦＴ層３０ａと同様に、表示領域Ｄにおいて、互いに平行に延びるように複数の発光制御線１４ｅが設けられている。また、ＴＦＴ層３０ｃでは、上記第１の実施形態のＴＦＴ層３０ａと同様に、表示領域Ｄにおいて、互いに平行に延びるように複数のソース線２１ｆが設けられている。また、ＴＦＴ層３０ｃでは、表示領域Ｄにおいて、電源線２７ａが格子状に第２配線層として設けられている。また、ＴＦＴ層３０ｃでは、上記第１の実施形態のＴＦＴ層３０ａと同様に、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、第３ＴＦＴ９ｃ及びキャパシタ９ｄがそれぞれ設けられている。また、ＴＦＴ層３０ｃでは、第３ＴＦＴ９ｃのドレイン電極２１ｄが、図１４に示すように、保護膜２３ｂ及び第１平坦化膜２２ａに形成されたコンタクトホールを介して、中継電極２７ｂに電気的に接続されている。また、ＴＦＴ層３０ｃでは、キャパシタ９ｄの上部配線層１６ａが、第２層間絶縁膜１７、保護膜２３ｂ及び第１平坦化膜２２ａに形成されたコンタクトホール（不図示）を介して電源線２７ａに電気的に接続されている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、第１額縁配線２１ｈ及び第２額縁配線２１ｉを備えている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、図１５及び図１６に示すように、額縁領域Ｆにおいて、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂを備えている。ここで、表示領域Ｄ及び第１堰き止め壁Ｗａの間に設けられた第１スリットＳａ、並びに第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂの間に設けられた第２スリットＳｂにおいて、互いに対向する第１額縁配線２１ｈの縁部と、第２額縁配線２１ｉの縁部とは、図１７に示すように、保護膜２３ｂで覆われている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、図１５に示すように、トレンチＧ及び第１スリットＳａの間に第２配線層として略Ｃ字状に設けられた第１金属層２７ｅを備えている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、第２配線層として略Ｔ字状に設けられた端子側金属層２７ｆを備えている。ここで、端子側金属層２７ｆは、図１６に示すように、第１平坦化膜２２ａ上に順に積層された下層金属膜２４ｆ、中層金属膜２５ｆ及び上層金属膜２６ｆを備え、トレンチＧの内部で保護膜２３ｂに形成されたコンタクトホールを介して第１額縁配線２１ｈに電気的に接続されるように設けられている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、図１５及び図１６に示すように、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの両縁部で上方に突出するように島状に設けられた複数の周辺フォトスペーサ３２ｂを備えている。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及び第３ＴＦＴ９ｃを介して有機ＥＬ層３３の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法のＴＦＴ層形成工程において、保護膜２３ａを形成する工程を第１配線層を形成する工程と第１平坦化膜２２ａを形成する工程との間に行うことにより、製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃによれば、ＴＦＴ層３０ｃでは、ゲート線１４ｄ等の第１電極層、第１層間絶縁膜１５、上部配線層１６ａ等の第２電極層、第２層間絶縁膜１７、ソース線２１ｆ等の第１配線層、保護膜２３ｂ、第１平坦化膜２２ａ、電源線２７ａ等の第２配線層、及び第２平坦化膜２８ａが順に積層されている。ここで、表示領域Ｄの周囲の額縁領域Ｆには、表示領域Ｄ側で電源線２７ａに電気的に接続された第１額縁配線２１ｈが端子部Ｔに延びるように第１配線層として設けられている。また、額縁領域Ｆには、表示領域Ｄ側で第２電極３４に導電層３１ｂを介して電気的に接続された第２額縁配線２１ｉが端子部Ｔに延びるように第１配線層として設けられている。さらに、第１平坦化膜２２ａ及び第２平坦化膜２８ａには、表示領域Ｄと有機封止膜３７の周端部に重なる第１堰き止め壁Ｗａとの間において、第１平坦化膜２２ａ及び第２平坦化膜２８ａを貫通する第１スリットＳａが枠状に設けられている。また、第１堰き止め壁Ｗａの周囲には、第２堰き止め壁Ｗｂが枠状に設けられている。さらに、第２平坦化膜２８ａには、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂの間において、第２平坦化膜２８ａを貫通する第２スリットＳｂが枠状に設けられている。そして、第１スリットＳａ及び第２スリットＳｂにおいて、互いに対向する第１額縁配線２１ｈの縁部と、第２額縁配線２１ｉの縁部とは、保護膜２３ｂで覆われている。これにより、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂを形成するために、第１スリットＳａ及び第２スリットＳｂを形成しても、第１額縁配線２１ｈ及び第２額縁配線２１ｉは、第１平坦化膜２２ａ及び第２平坦化膜２８ａを形成する際に用いる現像液、第１電極３１ａを形成する際に用いるエッチング液、及びエッジカバー３２ａを形成する際に用いる現像液からサイドエッチングによるダメージを受け難くなる。そのため、第１額縁配線２１ｈ及び第２額縁配線２１ｉの製造工程中に受けるダメージを抑制することができる。さらに、第１額縁配線２１ｈ及び第２額縁配線２１ｉの製造工程中に受けるダメージが抑制されるので、第１額縁配線２１ｈ及び第２額縁配線２１ｉ上に形成される封止膜４０の封止性能を確保することができる。これにより、有機ＥＬ層３３の劣化を抑制することができるので、有機ＥＬ表示装置５０ｃの信頼性を向上させることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃによれば、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂが第１金属凸部２７ｃ及び第２金属凸部２７ｄを備えているので、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂが高く形成され、有機封止膜３７となるインクをより堰き止めることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃによれば、表示領域Ｄの周囲に第１平坦化膜２２ａ及び第２平坦化膜２８ａを貫通するトレンチＧが枠状に設けられているので、第１平坦化膜２２ａ及び第２平坦化膜２８ａという樹脂層内での表示領域Ｄへの水分の移動が抑制され、有機ＥＬ層３３の劣化を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃによれば、第１金属凸部２７ｃ及び第２金属凸部２７ｄが第１額縁配線２１ｈ又は第２額縁配線２１ｉに電気的に接続されるように設けられているので、第１額縁配線２１ｈ及び第２額縁配線２１ｉの配線抵抗を低くすることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃによれば、第１金属層２７ｅが第２額縁配線２１ｉに電気的に接続されるように設けられているので、第２額縁配線２１ｉの配線抵抗を低くすることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃによれば、端子側金属層２７ｆが第１額縁配線２１ｈに電気的に接続されるように設けられているので、第１額縁配線２１ｈの配線抵抗を低くすることができる。
　《第４の実施形態》
　図１８～図２０は、本発明に係る表示装置の第４の実施形態を示している。ここで、図１８は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄの表示領域Ｄの断面図であり、図４に相当する図である。また、図１９及び図２０は、有機ＥＬ表示装置５０ｄの額縁領域Ｆの断面図であり、図７及び図８に相当する図である。
　上記第１の実施形態では、第１平坦化膜２２ａ及び第２配線層の間に保護膜２３ａが設けられ、３層の金属積層膜からなる第２配線層を備えた有機ＥＬ表示装置５０ａを例示したが、本実施形態では、第１配線層及び第１平坦化膜２２ａの間に保護膜２３ｂが設けられ、２層の金属積層膜からなる第２配線層を備えた有機ＥＬ表示装置５０ｄを例示する。
　有機ＥＬ表示装置５０ｄは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。また、有機ＥＬ表示装置５０ｄは、図１８に示すように、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ層３０ｄと、ＴＦＴ層３０ｄ上に設けられた有機ＥＬ素子層３５と、有機ＥＬ素子層３５を覆うように設けられた封止膜４０とを備えている。
　ＴＦＴ層３０ｄは、上記第１の実施形態のＴＦＴ層３０ａと同様に、図１８に示すように、樹脂基板層１０上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ９ａ、複数の第２ＴＦＴ９ｂ、複数の第３ＴＦＴ９ｃ及び複数のキャパシタ９ｄとを備えている。また、ＴＦＴ層３０ｄは、図１８に示すように、各第１ＴＦＴ９ａ、各第２ＴＦＴ９ｂ、各第３ＴＦＴ９ｃ及び各キャパシタ９ｄ上に順に設けられた保護膜２３ｂ、第１平坦化膜２２ａ及び第２平坦化膜２８ａとを備えている。
　ＴＦＴ層３０ｄでは、図１８に示すように、ベースコート膜１１上に、半導体層１２ａ及び１２ｂと、ゲート絶縁膜１３と、ゲート電極１４ａ及び１４ｂ並びに下部配線層１４ｃ（第１電極層）と、第１層間絶縁膜１５と、上部配線層１６ａ（第２電極層）と、第２層間絶縁膜１７と、ソース電極２１ａ及び２１ｃ並びにドレイン電極２１ｂ及び２１ｄ（第１配線層）と、保護膜２３ｂと、第１平坦化膜２２ａと、電源線２７ａｂ及び中継電極２７ｂｂ（第２配線層）と、第２平坦化膜２８ａとが順に積層されている。
　ＴＦＴ層３０ｄでは、上記第１の実施形態のＴＦＴ層３０ａと同様に、表示領域Ｄにおいて、互いに平行に延びるように複数のゲート線１４ｄが設けられている。また、ＴＦＴ層３０ｄでは、上記第１の実施形態のＴＦＴ層３０ａと同様に、表示領域Ｄにおいて、互いに平行に延びるように複数の発光制御線１４ｅが設けられている。また、ＴＦＴ層３０ｄでは、上記第１の実施形態のＴＦＴ層３０ａと同様に、表示領域Ｄにおいて、互いに平行に延びるように複数のソース線２１ｆが設けられている。また、ＴＦＴ層３０ｄでは、表示領域Ｄにおいて、電源線２７ａｂが格子状に第２配線層として設けられている。また、ＴＦＴ層３０ｄでは、上記第１の実施形態のＴＦＴ層３０ａと同様に、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、第３ＴＦＴ９ｃ及びキャパシタ９ｄがそれぞれ設けられている。また、ＴＦＴ層３０ｄでは、第２ＴＦＴ９ｂが、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ、電源線２７ａｂ及び第３ＴＦＴ９ｃに電気的に接続されている。また、ＴＦＴ層３０ｄでは、第３ＴＦＴ９ｃが、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第２ＴＦＴ９ａ、電源線２７ａｂ及び発光制御線１４ｅに電気的に接続されている。また、ＴＦＴ層３０ｄでは、第３ＴＦＴ９ｃのドレイン電極２１ｄが、図１８に示すように、保護膜２３ｂ及び第１平坦化膜２２ａに形成されたコンタクトホールを介して、中継電極２７ｂｂに電気的に接続されている。また、ＴＦＴ層３０ｄでは、キャパシタ９ｄが、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線２７ａｂに電気的に接続されている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ｄは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、第１額縁配線２１ｈ及び第２額縁配線２１ｉを備えている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ｄは、上記第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂと同様に、図１９及び図２０に示すように、額縁領域Ｆにおいて、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂを備えている。ここで、表示領域Ｄ及び第１堰き止め壁Ｗａの間に設けられた第１スリットＳａ、並びに第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂの間に設けられた第２スリットＳｂにおいて、互いに対向する第１額縁配線２１ｈの縁部と、第２額縁配線２１ｉの縁部とは、保護膜２３ｂで覆われている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ｄは、上記第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂと同様に、図１９に示すように、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧ及び第１スリットＳａの間に第２配線層として略Ｃ字状に設けられた第１金属層２７ｅｂを備えている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ｄは、上記第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂと同様に、額縁領域Ｆにおいて、第２配線層として設けられた端子側金属層２７ｆｂを備えている。ここで、端子側金属層２７ｆｂは、図２０に示すように、第１平坦化膜２２ａ上に順に積層された下層金属膜２４ｆｂ及び上層金属膜２５ｆｂを備え、トレンチＧの内部で保護膜２３ｂに形成されたコンタクトホールを介して第１額縁配線２１ｈに電気的に接続されるように設けられている。なお、端子側金属層２７ｆｂの端部は、図２０に示すように、下層金属膜２４ｆｂが上層金属膜２５ｆｂよりも突出するように順テーパー状に設けられ、第２平坦化膜２８ａで覆われている。これにより、端子側金属層２７ｆｂの端部と第２平坦化膜２８ａとの密着性が向上するので、端子側金属層２７ｆｂの端部と第２平坦化膜２８ａとの界面を経路とした表示領域Ｄへの水分等の侵入を抑制することができ、有機ＥＬ表示装置５０ｄの信頼性を向上させることができる。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ｄは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、図１９及び図２０に示すように、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの両縁部で上方に突出するように島状に設けられた複数の周辺フォトスペーサ３２ｂを備えている。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０ｄは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及び第３ＴＦＴ９ｃを介して有機ＥＬ層３３の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法のＴＦＴ層形成工程において、上記第２の実施形態と同様に、第１配線層を形成する際の金属積層膜を３層（チタン膜（上）／アルミニウム膜（中）／チタン膜（下））から２層（アルミニウム膜（上）／チタン膜（下））に変更し、上記第３の実施形態と同様に、保護膜２３ａを形成する工程を第１配線層を形成する工程と第１平坦化膜２２ａを形成する工程との間に行うことにより、製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄによれば、ＴＦＴ層３０ｄでは、ゲート線１４ｄ等の第１電極層、第１層間絶縁膜１５、上部配線層１６ａ等の第２電極層、第２層間絶縁膜１７、ソース線２１ｆ等の第１配線層、保護膜２３ｂ、第１平坦化膜２２ａ、電源線２７ａｂ等の第２配線層、及び第２平坦化膜２８ａが順に積層されている。ここで、表示領域Ｄの周囲の額縁領域Ｆには、表示領域Ｄ側で電源線２７ａｂに電気的に接続された第１額縁配線２１ｈが端子部Ｔに延びるように第１配線層として設けられている。また、額縁領域Ｆには、表示領域Ｄ側で第２電極３４に導電層３１ｂを介して電気的に接続された第２額縁配線２１ｉが端子部Ｔに延びるように第１配線層として設けられている。さらに、第１平坦化膜２２ａ及び第２平坦化膜２８ａには、表示領域Ｄと有機封止膜３７の周端部に重なる第１堰き止め壁Ｗａとの間において、第１平坦化膜２２ａ及び第２平坦化膜２８ａを貫通する第１スリットＳａが枠状に設けられている。また、第１堰き止め壁Ｗａの周囲には、第２堰き止め壁Ｗｂが枠状に設けられている。さらに、第２平坦化膜２８ａには、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂの間において、第２平坦化膜２８ａを貫通する第２スリットＳｂが枠状に設けられている。そして、第１スリットＳａ及び第２スリットＳｂにおいて、互いに対向する第１額縁配線２１ｈの縁部と、第２額縁配線２１ｉの縁部とは、保護膜２３ｂで覆われている。これにより、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂを形成するために、第１スリットＳａ及び第２スリットＳｂを形成しても、第１額縁配線２１ｈ及び第２額縁配線２１ｉは、第１平坦化膜２２ａ及び第２平坦化膜２８ａを形成する際に用いる現像液、第１電極３１ａを形成する際に用いるエッチング液、及びエッジカバー３２ａを形成する際に用いる現像液からサイドエッチングによるダメージを受け難くなる。そのため、第１額縁配線２１ｈ及び第２額縁配線２１ｉの製造工程中に受けるダメージを抑制することができる。さらに、第１額縁配線２１ｈ及び第２額縁配線２１ｉの製造工程中に受けるダメージが抑制されるので、第１額縁配線２１ｈ及び第２額縁配線２１ｉ上に形成される封止膜４０の封止性能を確保することができる。これにより、有機ＥＬ層３３の劣化を抑制することができるので、有機ＥＬ表示装置５０ｄの信頼性を向上させることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄによれば、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂが第１金属凸部２７ｃｂ及び第２金属凸部２７ｄｂを備えているので、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂが高く形成され、有機封止膜３７となるインクをより堰き止めることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄによれば、表示領域Ｄの周囲に第１平坦化膜２２ａ及び第２平坦化膜２８ａを貫通するトレンチＧが枠状に設けられているので、第１平坦化膜２２ａ及び第２平坦化膜２８ａという樹脂層内での表示領域Ｄへの水分の移動が抑制され、有機ＥＬ層３３の劣化を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄによれば、第１金属凸部２７ｃｂ及び第２金属凸部２７ｄｂが第１額縁配線２１ｈ又は第２額縁配線２１ｉに電気的に接続されるように設けられているので、第１額縁配線２１ｈ及び第２額縁配線２１ｉの配線抵抗を低くすることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄによれば、第１金属層２７ｅｂが第２額縁配線２１ｉに電気的に接続されるように設けられているので、第２額縁配線２１ｉの配線抵抗を低くすることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄによれば、端子側金属層２７ｆｂが第１額縁配線２１ｈに電気的に接続されるように設けられているので、第１額縁配線２１ｈの配線抵抗を低くすることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄによれば、端子側金属層２７ｆｂが、樹脂基板層１０側に設けられたチタン膜からなる下層金属膜２４ｆｂと、有機ＥＬ素子層３５側に設けられたアルミニウム膜からなる上層金属膜２５ｆｂとにより構成されている。ここで、端子側金属層２７ｆｂの端部は、下層金属膜２４ｆｂが上層金属膜２５ｆｂよりも突出する順テーパー状に設けられ、第２平坦化膜２８ａで覆われている。これにより、端子側金属層２７ｆｂの端部と第２平坦化膜２８ａとの密着性が向上するので、端子側金属層２７ｆｂの端部と第２平坦化膜２８ａとの界面を経路とした表示領域Ｄへの水分等の侵入を抑制することができ、有機ＥＬ表示装置５０ｄの信頼性を向上させることができる。
　《第５の実施形態》
　図２１及び図２２は、本発明に係る表示装置の第５の実施形態を示している。ここで、図２１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄにおいて、第１額縁配線２１ｈ、第２額縁配線２１ｉ、トレンチＧ、第１堰き止め壁Ｗａ、第２堰き止め壁Ｗｂ等の配置を概略的に示す平面図であり、図２に相当する図である。また、図２２は、図２１中のXXII－XXII線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ｆの額縁領域Ｆの断面図である。
　上記第１実施形態では、相対的に幅狭の第１金属凸部２７ｃ、第２金属凸部２７ｄ及び端子側金属層２７ｆが第１額縁配線２１ｈに電気的に接続され、相対的に幅狭の第１金属凸部２７ｃ、第２金属凸部２７ｄ及び第１金属層２７ｅが第２額縁配線２１ｉに電気的に接続された有機ＥＬ表示装置５０ａを例示したが、本実施形態では、相対的に幅広の第２金属層２７ｈが第１額縁配線２１ｈに電気的に接続され、相対的に幅広の第３金属層２７ｉが第２額縁配線２１ｉに電気的に接続された有機ＥＬ表示装置５０ｆを例示する。
　有機ＥＬ表示装置５０ｆは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。また、有機ＥＬ表示装置５０ｆは、上記第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂと同様に、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ層３０ｂと、ＴＦＴ層３０ｂ上に設けられた有機ＥＬ素子層３５と、有機ＥＬ素子層３５を覆うように設けられた封止膜４０とを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｆは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、第１額縁配線２１ｈ及び第２額縁配線２１ｉを備えている。ここで、有機ＥＬ表示装置５０ｆでは、図２１に示すように、第１額縁配線２１ｈ及び第２額縁配線２１ｉを覆うように第２金属層２７ｈ及び第３金属層２７ｉがそれぞれ設けられている。そして、第２金属層２７ｈ及び第３金属層２７ｉと第１額縁配線２１ｈ及び第２額縁配線２１ｉとの間には、図２２に示すように、コンタクトホールが形成された保護膜２３ａが設けられている。これにより、第２金属層２７ｈ及び第１額縁配線２１ｈは、互いに電気的に接続されていると共に、第３金属層２７ｉ及び第２額縁配線２１ｉは、互いに電気的に接続されている。なお、本実施形態では、第２金属層２７ｈ及び第３金属層２７ｉと第１額縁配線２１ｈ及び第２額縁配線２１ｉとの間に保護膜２３ａが設けられた構成を例示したが、保護膜２３ａは、省略されていてもよい。また、第２金属層２７ｈは、図２２に示すように、樹脂基板層１０側に設けられたチタン膜等からなる下層金属膜２４ｈと、有機ＥＬ素子層３５側に設けられたアルミニウム膜等からなる上層金属膜２５ｈとにより構成されている。また、第２金属層２７ｈの端部は、図２２に示すように、下層金属膜２４ｈが上層金属膜２５ｈよりも突出するように順テーパー状に設けられている。さらに、第３金属層２７ｉは、図２２に示すように、樹脂基板層１０側に設けられたチタン膜等からなる下層金属膜２４ｉと、有機ＥＬ素子層３５側に設けられたアルミニウム膜等からなる上層金属膜２５ｉとにより構成されている。また、第３金属層２７ｉの端部は、図２２に示すように、下層金属膜２４ｉが上層金属膜２５ｉよりも突出するように順テーパー状に設けられている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ｆは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂを備えている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ｆは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの両縁部で上方に突出するように島状に設けられた複数の周辺フォトスペーサ３２ｂを備えている。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０ｆは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及び第３ＴＦＴ９ｃを介して有機ＥＬ層３３の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｆは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法のＴＦＴ層形成工程において、第２配線層を形成する際の金属積層膜を３層（チタン膜（上）／アルミニウム膜（中）／チタン膜（下））から２層（アルミニウム膜（上）／チタン膜（下））に変更して、そのパターン形状を変更することにより、製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｆによれば、ＴＦＴ層３０ｂでは、ゲート線１４ｄ等の第１電極層、第１層間絶縁膜１５、上部配線層１６ａ等の第２電極層、第２層間絶縁膜１７、ソース線２１ｆ等の第１配線層、第１平坦化膜２２ａ、保護膜２３ａ、電源線２７ａｂ等の第２配線層、及び第２平坦化膜２８ａが順に積層されている。ここで、表示領域Ｄの周囲の額縁領域Ｆには、表示領域Ｄ側で電源線２７ａｂに電気的に接続された第１額縁配線２１ｈが端子部Ｔに延びるように第１配線層として設けられている。また、額縁領域Ｆには、表示領域Ｄ側で第２電極３４に導電層３１ｂを介して電気的に接続された第２額縁配線２１ｉが端子部Ｔに延びるように第１配線層として設けられている。さらに、第１平坦化膜２２ａ及び第２平坦化膜２８ａには、表示領域Ｄと有機封止膜３７の周端部に重なる第１堰き止め壁Ｗａとの間において、第１平坦化膜２２ａ及び第２平坦化膜２８ａを貫通する第１スリットＳａが枠状に設けられている。また、第１堰き止め壁Ｗａの周囲には、第２堰き止め壁Ｗｂが枠状に設けられている。さらに、第２平坦化膜２８ａには、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂの間において、第２平坦化膜２８ａを貫通する第２スリットＳｂが枠状に設けられている。そして、第１スリットＳａ及び第２スリットＳｂにおいて、互いに対向する第１額縁配線２１ｈの縁部と、第２額縁配線２１ｉの縁部とは、保護膜２３ａで覆われている。これにより、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂを形成するために、第１スリットＳａ及び第２スリットＳｂを形成しても、第１額縁配線２１ｈ及び第２額縁配線２１ｉは、第１平坦化膜２２ａ及び第２平坦化膜２８ａを形成する際に用いる現像液、第１電極３１ａを形成する際に用いるエッチング液、及びエッジカバー３２ａを形成する際に用いる現像液からサイドエッチングによるダメージを受け難くなる。そのため、第１額縁配線２１ｈ及び第２額縁配線２１ｉの製造工程中に受けるダメージを抑制することができる。さらに、第２金属層２７ｈ及び第３金属層２７ｉは、樹脂基板層１０側に設けられたチタン膜等からなる下層金属膜２４ｈ及び２４ｉと、有機ＥＬ素子層３５側に設けられたアルミニウム膜等からなる上層金属膜２５ｈ及び２５ｉとにより構成されているので、第２平坦化膜２８ａを形成する際に用いる現像液、第１電極３１ａを形成する際に用いるエッチング液、及びエッジカバー３２ａを形成する際に用いる現像液により、第２金属層２７ｈ及び第３金属層２７ｉの端部は、下層金属膜が上層金属膜よりも突出するように順テーパー状に形成される。そのため、第２金属層２７ｈ及び第３金属層２７ｉ上に形成される封止膜４０の封止性能を確保することができる。これにより、有機ＥＬ層３３の劣化を抑制することができるので、有機ＥＬ表示装置５０ｆの信頼性を向上させることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｆによれば、表示領域Ｄの周囲に第１平坦化膜２２ａ及び第２平坦化膜２８ａを貫通するトレンチＧが枠状に設けられているので、第１平坦化膜２２ａ及び第２平坦化膜２８ａという樹脂層内での表示領域Ｄへの水分の移動が抑制され、有機ＥＬ層３３の劣化を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｆによれば、幅広の第３金属層２７ｈ及び第４金属層２７ｉが第１額縁配線２１ｈ及び第２額縁配線２１ｉに電気的に接続されるように設けられているので、第１額縁配線２１ｈ及び第２額縁配線２１ｉの配線抵抗をいっそう低くすることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｆによれば、第１平坦化膜２２ａの表面が保護膜２３ａで覆われているので、例えば、電源線２７ａｂ等の第２配線層をドライエッチングによりパターニングされる際に、第１平坦化膜２２ａの表層のエッチングを抑制することができ、ドライエッチング装置のチャンバー内の汚染を抑制することができる。
　《その他の実施形態》
　上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
　また、上記各実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本発明は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置に適用することができる。例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）を備えた表示装置に適用することができる。
　以上説明したように、本発明は、フレキシブルな表示装置について有用である。
Ｄ　　　　　表示領域
Ｆ　　　　　額縁領域
Ｇ　　　　　トレンチ
Ｐ　　　　　サブ画素
Ｓａ　　　　第１スリット
Ｓｂ　　　　第２スリット
Ｔ　　　　　端子部
Ｗａ　　　　第１堰き止め壁
Ｗｂ　　　　第２堰き止め壁
１０　　　　樹脂基板層（ベース基板）
２１ａ，２１ｃ　　ソース電極（第１配線層）
２１ｂ，２１ｄ　　ドレイン電極（第１配線層）
２１ｆ　　　ソース線（第１配線層）
２１ｈ　　　第１額縁配線（第１配線層）
２１ｉ　　　第２額縁配線（第１配線層）
２２ａ　　　第１平坦化膜
２３ａ，２３ｂ　　保護膜
２４ｃｂ，２４ｄｂ，２４ｈ，２４ｉ，２４ｆｂ　　下層金属膜
２５ｃｂ，２５ｄｂ，２５ｈ，２５ｉ，２５ｆｂ　　上層金属膜
２７ａ　　　電源線（第２配線層）
２７ｃ，２７ｃｂ　　　第１金属凸部（第２配線層）
２７ｄ，２７ｄｂ　　　第２金属凸部（第２配線層）
２７ｅ，２７ｅｂ　　　第１金属層（第２配線層）
２７ｆ，２７ｆｂ　　　端子側金属層（第２配線層）
２７ｈ　　　第２金属層（第２配線層）
２７ｉ　　　第３金属層（第２配線層）
２８ａ　　　第２平坦化膜
２８ｃ　　　内側下層樹脂層（第１樹脂凸部）
２８ｄ　　　外側下層樹脂層（第２樹脂凸部）
３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ　　ＴＦＴ層（薄膜トランジスタ層）
３１ａ　　　第１電極
３１ｂ　　　導電層
３２ａ　　　エッジカバー
３２ｃ　　　内側上層樹脂層（第３樹脂凸部）
３２ｄ　　　外側上層樹脂層（第４樹脂凸部）
３３　　　　発光層（有機ＥＬ層、有機エレクトロルミネッセンス層）
３４　　　　第２電極
３５　　　　有機ＥＬ素子層（発光素子層）
３６　　　　第１無機封止膜
３７　　　　有機封止膜
３８　　　　第２無機封止膜
４０　　　　封止膜
５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄ，５０ｆ　　有機ＥＬ表示装置

Claims (22)

  1. 　ベース基板と、
    　上記ベース基板上に設けられ、第１配線層、第１平坦化膜、第２配線層及び第２平坦化膜が順に積層された薄膜トランジスタ層と、
    　上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、表示領域を構成する複数のサブ画素に対応して複数の第１電極、共通のエッジカバー、複数の発光層、及び共通の第２電極が順に積層された発光素子層と、
    　上記発光素子層を覆うように設けられ、第１無機封止膜、有機封止膜及び第２無機封止膜が順に積層された封止膜と、
    　上記表示領域の周囲の額縁領域において、該表示領域を囲むと共に、上記有機封止膜の周端部と重なるように枠状に設けられた第１堰き止め壁と、
    　上記表示領域に上記第２配線層として設けられた電源線と、
    　上記額縁領域に上記第１配線層として該額縁領域の端部の端子部に延びるように設けられ、上記電源線に電気的に接続された第１額縁配線と、
    　上記額縁領域に上記第１配線層として上記端子部に延びるように設けられ、上記各第１電極と同一材料により同一層に形成された導電層を介して上記第２電極に電気的に接続された第２額縁配線とを備え、
    　上記第１平坦化膜及び上記第２平坦化膜には、上記表示領域及び上記第１堰き止め壁の間において、該第１平坦化膜及び該第２平坦化膜を貫通する第１スリットが枠状に設けられ、
    　上記第１スリットにおいて、互いに対向する上記第１額縁配線の縁部と、上記第２額縁配線の縁部とは、上記薄膜トランジスタ層を構成する無機絶縁膜からなる保護膜で覆われていることを特徴とする表示装置。
  2. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　上記保護膜は、上記第１平坦化膜、及び上記第２配線層の間に設けられていることを特徴とする表示装置。
  3. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　上記保護膜は、上記第１配線層及び上記第１平坦化膜の間に設けられていることを特徴とする表示装置。
  4. 　請求項１～３の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記第１堰き止め壁は、上記第２配線層として上記第１額縁配線又は上記第２額縁配線に電気的に接続されるように設けられた第１金属凸部と、該第１金属凸部上に設けられ、上記第２平坦化膜と同一材料により同一層に形成された第１樹脂凸部とを備えていることを特徴とする表示装置。
  5. 　請求項４に記載された表示装置において、
    　上記第１金属凸部の端部は、上記ベース基板側の部分が上記発光素子層側の部分よりも突出する順テーパー状に設けられていることを特徴とする表示装置。
  6. 　請求項５に記載された表示装置において、
    　上記第１金属凸部は、上記ベース基板側に設けられたチタン膜からなる下層金属膜と、上記発光素子層側に設けられたアルミニウム膜からなる上層金属膜とにより構成されていることを特徴とする表示装置。
  7. 　請求項４～６の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記表示領域は、矩形状に設けられ、
    　上記第１額縁配線に電気的に接続される上記第１金属凸部は、上記端子部に沿う上記表示領域の一辺の一部に沿うように設けられていることを特徴とする表示装置。
  8. 　請求項７に記載された表示装置において、
    　上記第２額縁配線に電気的に接続される上記第１金属凸部は、上記端子部に沿う上記表示領域の一辺の他部、及び上記端子部に沿わない上記表示領域の三辺に沿うように設けられていることを特徴とする表示装置。
  9. 　請求項４～８の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記第１堰き止め壁は、上記第１樹脂凸部上に設けられて上記エッジカバーと同一材料により同一層に形成された第３樹脂凸部を備えていることを特徴とする表示装置。
  10. 　請求項１～９の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記第１堰き止め壁の周囲には、第２堰き止め壁が枠状に設けられ、
    　上記第２平坦化膜には、上記第１堰き止め壁及び上記第２堰き止め壁の間において、該第２平坦化膜を貫通する第２スリットが枠状に設けられ、
    　上記第２スリットにおいて、互いに対向する上記第１額縁配線の縁部と、上記第２額縁配線の縁部とは、上記保護膜で覆われていることを特徴とする表示装置。
  11. 　請求項１０に記載された表示装置において、
    　上記第２堰き止め壁は、上記第２配線層として上記第１額縁配線又は上記第２額縁配線に電気的に接続されるように設けられた第２金属凸部と、該第２金属凸部上に設けられ、上記第２平坦化膜と同一材料により同一層に形成された第２樹脂凸部とを備えていることを特徴とする表示装置。
  12. 　請求項１１に記載された表示装置において、
    　上記第２金属凸部の端部は、上記ベース基板側の部分が上記発光素子層側の部分よりも突出する順テーパー状に設けられていることを特徴とする表示装置。
  13. 　請求項１２に記載された表示装置において、
    　上記第２金属凸部は、上記ベース基板側に設けられたチタン膜からなる下層金属膜と、上記発光素子層側に設けられたアルミニウム膜からなる上層金属膜とにより構成されていることを特徴とする表示装置。
  14. 　請求項１１～１３の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記表示領域は、矩形状に設けられ、
    　上記第１額縁配線に電気的に接続される上記第２金属凸部は、上記端子部に沿う上記表示領域の一辺の一部に沿うように設けられていることを特徴とする表示装置。
  15. 　請求項１４に記載された表示装置において、
    　上記第２額縁配線に電気的に接続される上記第２金属凸部は、上記端子部に沿う上記表示領域の一辺の他部、及び上記端子部に沿わない上記表示領域の三辺に沿うように設けられていることを特徴とする表示装置。
  16. 　請求項１１～１５の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記第２堰き止め壁は、上記第２樹脂凸部上に設けられて上記エッジカバーと同一材料により同一層に形成された第４樹脂凸部を備えていることを特徴とする表示装置。
  17. 　請求項１～１６の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記第１平坦化膜及び上記第２平坦化膜には、上記表示領域及び上記第１スリットの間において、該第１平坦化膜及び該第２平坦化膜を貫通するトレンチが枠状に設けられていることを特徴とする表示装置。
  18. 　請求項１７に記載された表示装置において、
    　上記第２電極及び上記導電層は、互いに接して上記トレンチの内部にも設けられていることを特徴とする表示装置。
  19. 　請求項１７又は１８に記載された表示装置において、
    　上記第１スリット及び上記トレンチの間には、上記第２配線層として上記第２額縁配線と電気的に接続されるように第１金属層が設けられていることを特徴とする表示装置。
  20. 　請求項１～３の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記第１堰き止め壁の周囲には、第２堰き止め壁が枠状に設けられ、
    　上記第２平坦化膜には、上記第１堰き止め壁及び上記第２堰き止め壁の間において、該第２平坦化膜を貫通する第２スリットが枠状に設けられ、
    　上記第２スリットにおいて、互いに対向する上記第１額縁配線の縁部と、上記第２額縁配線の縁部とは、上記保護膜で覆われ、
    　上記第１額縁配線上には、上記保護膜を介して該第１額縁配線を覆い、該第１額縁配線に電気的に接続されるように第２金属層が設けられ、
    　上記第２額縁配線上には、上記保護膜を介して該第２額縁配線を覆い、該第２額縁配線に電気的に接続された第３金属層が設けられ、
    　上記第２金属層及び上記第３金属層は、上記ベース基板側に設けられたチタン膜からなる下層金属膜と、上記発光素子層側に設けられたアルミニウム膜からなる上層金属膜とにより構成され、
    　上記第２金属層及び上記第３金属層の端部は、上記下層金属膜が上記上層金属膜よりも突出する順テーパー状に設けられていることを特徴とする表示装置。
  21. 　請求項１又は３に記載された表示装置において、
    　上記表示領域は、矩形状に設けられ、
    　上記表示領域の上記端子部側の辺と上記第１スリットとの間には、上記第１額縁配線に電気的に接続された端子側金属層が上記第２配線層として設けられ、
    　上記端子側金属層は、上記ベース基板側に設けられたチタン膜からなる下層金属膜と、上記発光素子層側に設けられたアルミニウム膜からなる上層金属膜とにより構成され、
    　上記端子側金属層の端部は、上記下層金属膜が上記上層金属膜よりも突出する順テーパー状に設けられ、上記第２平坦化膜で覆われていることを特徴とする表示装置。
  22. 　請求項１～２１の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記各発光層は、有機エレクトロルミネッセンス層であることを特徴とする表示装置。
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