WO2022113333A1 - 表示装置 - Google Patents

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WO2022113333A1
WO2022113333A1 PCT/JP2020/044465 JP2020044465W WO2022113333A1 WO 2022113333 A1 WO2022113333 A1 WO 2022113333A1 JP 2020044465 W JP2020044465 W JP 2020044465W WO 2022113333 A1 WO2022113333 A1 WO 2022113333A1
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WO
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layer
display device
film
bent portion
resin substrate
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PCT/JP2020/044465
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達 岡部
庄治 岡崎
信介 齋田
伸治 市川
博己 谷山
Original Assignee
シャープ株式会社
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Publication date
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    • H10K77/111—Flexible substrates

Definitions

  • the present invention relates to a display device.
  • a self-luminous organic EL display device that uses an organic electroluminescence (hereinafter, also referred to as “EL”) element has attracted attention.
  • EL organic electroluminescence
  • a flexible organic EL display device in which an organic EL element or the like is formed on a flexible resin substrate layer has been proposed.
  • a frame area is provided around a display area for displaying an image, and there is a demand for a so-called narrowing of the frame area in which the frame area is reduced.
  • the wiring arranged in the frame area may be broken.
  • Patent Document 1 provides a flexible display device that prevents disconnection of wiring by forming a bending hole to remove a part of each of a buffer film, a gate insulating film, and an interlayer insulating film corresponding to a bending region. It has been disclosed.
  • an inorganic insulating film such as a base coat film, a gate insulating film and an interlayer insulating film is provided on the resin substrate layer. Therefore, in order to suppress disconnection of a plurality of routing wires arranged in the frame area, the inorganic insulating film in the bent portion (bent portion) of the frame area is removed, and the removed portion is filled with a flattening film.
  • a structure has been proposed in which a routing wiring is formed on the flattening film.
  • the organic EL display device can be used, for example, with the curvature at the bent portion. If it is bent to 180 ° with a radius of about 0.3 mm to 1.0 mm, cracks may occur in the flattening film, and the routing wiring on the flattening film may be broken.
  • the present invention has been made in view of this point, and an object thereof is to suppress the occurrence of cracks in the flattening film and to suppress the disconnection of the routing wiring in the bent portion.
  • the display device is provided on the resin substrate layer and the resin substrate layer, and the inorganic insulating film, the first flattening film, the wiring layer and the second flattening film are sequentially provided.
  • a plurality of first electrodes, a plurality of light emitting functional layers, and a common second electrode are sequentially laminated corresponding to the laminated thin film transistor layer and a plurality of subpixels provided on the thin film transistor layer and constituting the display area.
  • a frame area is provided around the display area, a terminal portion is provided at the end of the frame area, and one is provided between the display area and the terminal portion.
  • a bent portion is provided so as to extend in the direction, a plurality of display wirings are provided so as to extend in parallel with each other in the display area, and a plurality of terminals are provided in the terminal portion along the extending direction of the bent portion.
  • the inorganic insulating film is provided with slits in the bent portion so as to extend along the extending direction of the bent portion and expose the surface of the resin substrate layer, and both side portions outside the bent portion.
  • the first flattening film is provided so as to fill both ends of the slit in the width direction and expose the surface of the resin substrate layer at the intermediate portion between the both ends.
  • the bent portion and both outer side portions of the bent portion extend in parallel with each other in a direction intersecting the extending direction of the bent portion, and the plurality of display wirings on the display region side. It is characterized in that it is electrically connected to each of the above terminals, is electrically connected to the plurality of terminals on the terminal portion side, and is provided with a plurality of routing wires formed in the same layer by the same material as the wiring layer. And.
  • the display device is provided on the resin substrate layer, the thin film transistor layer provided on the resin substrate layer, and the inorganic insulating film, the wiring layer, and the flattening film are laminated in this order, and the thin film transistor layer.
  • a light emitting element layer in which a plurality of first electrodes, a plurality of light emitting functional layers, and a common second electrode are sequentially laminated corresponding to a plurality of subpixels constituting the display area, and the light emitting element layer are covered.
  • a touch panel layer in which a second touch wiring layer is sequentially laminated is provided, a frame area is provided around the display area, and a terminal portion is provided at an end portion of the frame area, and the display area and the above display area are provided.
  • a bent portion is provided between the terminal portions so as to extend in one direction, a plurality of display wirings are provided so as to extend in parallel with each other in the display area, and the bent portion extends in the terminal portion.
  • a plurality of terminals are provided along the direction, and the inorganic insulating film is provided with a slit in the bent portion so as to extend along the extending direction of the bent portion and expose the surface of the resin substrate layer.
  • the flattening film is provided on both outer side portions of the bent portion so as to fill both ends of the slit in the width direction and expose the surface of the resin substrate layer at the intermediate portion between the both ends.
  • the bent portion and both outer side portions of the bent portion extend in parallel with each other in a direction intersecting the extending direction of the bent portion, and the above-mentioned display region side.
  • It is electrically connected to each of a plurality of display wirings, and is electrically connected to each of the plurality of terminals on the terminal portion side, and is formed in the same layer by the same material as the first touch wiring layer or the second touch wiring layer. It is characterized in that a plurality of routed wirings are provided.
  • the display device is provided on the resin substrate layer, the thin film transistor layer provided on the resin substrate layer, and the inorganic insulating film, the wiring layer, and the flattening film are laminated in this order, and the thin film transistor layer.
  • a plurality of first electrodes, a plurality of light emitting functional layers, and a light emitting element layer in which a common second electrode is sequentially laminated are provided corresponding to a plurality of subpixels constituting the display area, and are provided around the display area. Is provided with a frame area, a terminal portion is provided at the end of the frame area, and a bent portion is provided between the display area and the terminal portion so as to extend in one direction.
  • the terminal portion is provided with a plurality of terminals along the extending direction of the bent portion
  • the inorganic insulating film is provided with the bent portion in the bent portion.
  • a slit is provided so as to extend along the extending direction of the bent portion and expose the surface of the resin substrate layer, and both ends of the outer side of the bent portion are filled with both ends in the width direction of the slit.
  • Another flattening film is provided so as to expose the surface of the resin substrate layer in the intermediate portion between the both ends, and the bent portion and the said portion are placed on the other flattening film and the resin substrate layer.
  • the bent portions On both outer sides of the bent portion, the bent portions extend in parallel with each other in a direction intersecting with the extending direction, and are electrically connected to the plurality of display wirings on the display area side and the plurality of terminals on the terminal portion side. It is characterized in that a plurality of wiring wires are electrically connected to the terminals of the above and are formed in the same layer by the same material as the wiring layer.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view of a display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of a display area of the organic EL display device along lines III-III in FIG.
  • FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of a thin film transistor layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing an organic EL layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the organic EL display device along the VI-VI line in FIG. FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the frame region of the organic EL display device along the lines VII-VII in FIG.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of a bent portion of the organic EL display device along the line VIII-VIII in FIG.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of a frame region of the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention, and is a diagram corresponding to FIG. 7.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of a bent portion of the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention, and is a view corresponding to FIG. FIG.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of a frame region of the organic EL display device according to the third embodiment of the present invention, and is a diagram corresponding to FIG. 7.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of a display area of the organic EL display device according to the fourth embodiment of the present invention, and is a diagram corresponding to FIG.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of a frame region of the organic EL display device according to the fourth embodiment of the present invention, and is a diagram corresponding to FIG. 7.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of a frame region of a modified example of the organic EL display device according to the fourth embodiment of the present invention, and is a diagram corresponding to FIG. 7.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of a display area of the organic EL display device according to the fourth embodiment of the present invention, and is a diagram corresponding to FIG.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of a frame region of the organic EL
  • FIG. 15 is a cross-sectional view of a display area of the organic EL display device according to the fifth embodiment of the present invention, and is a diagram corresponding to FIG.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view of a frame region of the organic EL display device according to the fifth embodiment of the present invention, and is a diagram corresponding to FIG. 7.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view of a display area of the organic EL display device according to the sixth embodiment of the present invention, and is a diagram corresponding to FIG.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view of a frame region of the organic EL display device according to the sixth embodiment of the present invention, and is a diagram corresponding to FIG. 7.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the organic EL display device according to the sixth embodiment of the present invention, and is a diagram corresponding to FIG. 7.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device 50a of the present embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view of the display area D of the organic EL display device 50a.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of a display area D of the organic EL display device 50a along the line III-III in FIG.
  • FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the thin film transistor layer 30 constituting the organic EL display device 50a.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device 50a of the present embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view of the display area D of the organic EL display device 50a.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of a display area D of the organic EL display device 50a along the line III-III in FIG.
  • FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the thin film transistor layer 30 constituting the organic EL display device 50a.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing an organic EL layer 33 constituting the organic EL display device 50a.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the organic EL display device 50a along the VI-VI line in FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the frame region F of the organic EL display device 50a along the line VII-VII in FIG.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of a bent portion B of the organic EL display device 50a along the line VIII-VIII in FIG.
  • the organic EL display device 50a includes, for example, a display area D provided in a rectangular shape for displaying an image, and a frame area F provided in a frame shape around the display area D.
  • the rectangular display area D is illustrated, but the rectangular shape may include, for example, a shape in which the sides are arcuate, a shape in which the corners are arcuate, or a part of the sides. It also includes a substantially rectangular shape such as a shape with a notch.
  • a plurality of sub-pixels P are arranged in a matrix in the display area D. Further, in the display area D, as shown in FIG. 2, for example, a sub-pixel P having a red light emitting region Er for displaying red, and a sub pixel P having a green light emitting region Eg for displaying green, And sub-pixels P having a blue light emitting region Eb for displaying blue are provided so as to be adjacent to each other. In the display area D, for example, one pixel is composed of three adjacent sub-pixels P having a red light emitting region Er, a green light emitting region Eg, and a blue light emitting region Eb.
  • the terminal portion T is provided so as to extend in one direction (X direction in the figure).
  • the terminal portion T is provided with a plurality of terminals C along the X direction in the drawing.
  • the X direction in the figure is used as the bending axis, and the radius of curvature is, for example, about 0.3 mm to 1.0 mm.
  • a bent portion B that can be bent at 180 ° (in a U shape) is provided so as to extend in one direction (X direction in the figure).
  • the first flattening film 19a and the second flattening film 21a which will be described later, have a substantially C-shaped trench G as the first flattening film. It is provided so as to penetrate the 19a and the second flattening film 21a.
  • the trench G is provided in a substantially C shape so that the terminal portion T side opens in a plan view.
  • the organic EL display device 50a is on the resin substrate layer 10, the thin film transistor (hereinafter also referred to as “TFT”) layer 30 provided on the resin substrate layer 10, and the TFT layer 30. It is provided with an organic EL element layer 35 provided as a light emitting element layer and a sealing film 40 provided so as to cover the organic EL element layer 35.
  • TFT thin film transistor
  • the resin substrate layer 10 includes a first resin substrate layer 6 provided on the opposite side of the TFT layer 30 and a second resin substrate layer 10 provided on the TFT layer 30 side.
  • a resin substrate layer 8 and an in-board inorganic insulating film 7 provided between the first resin substrate layer 6 and the second resin substrate layer 8 are provided.
  • the first resin substrate layer 6 and the second resin substrate layer 8 are made of, for example, a polyimide resin or the like.
  • the inorganic insulating film 7 in the substrate, the base coat film 11 described later, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are, for example, inorganic insulating such as silicon nitride, silicon oxide, and silicon oxynitride. It is composed of a single-layer film or a laminated film.
  • the TFT layer 30 includes a base coat film 11 provided on the resin substrate layer 10, a plurality of first TFTs 9a provided on the base coat film 11, and a plurality of second TFTs 9b (see FIG. 4).
  • a third TFT 9c and a plurality of capacitors 9d, and a first flattening film 19a and a second flattening film 21a provided in order on each of the first TFT 9a, each second TFT 9b, each third TFT 9c, and each capacitor 9d are provided.
  • a base coat film 11 a semiconductor pattern layer such as a semiconductor layer 12a described later, a gate insulating film 13, and a first wiring layer such as a gate wire 14 g described later are used.
  • the fourth wiring layer and the second flattening film 21a are laminated in this order.
  • a plurality of gate wires 14g are provided as the first wiring layer so as to extend in parallel with each other in the lateral direction in the drawing.
  • a plurality of light emission control lines 14e are provided as the first wiring layer so as to extend in parallel with each other in the lateral direction in the drawing.
  • each light emission control line 14e is provided so as to be adjacent to each gate line 14g.
  • a plurality of source lines 18f are provided as a third wiring layer so as to extend in parallel with each other in the vertical direction in the drawing.
  • each sub-pixel P is provided with a first TFT 9a, a second TFT 9b, a third TFT 9c, and a capacitor 9d, respectively.
  • the first TFT 9a is electrically connected to the corresponding gate wire 14g, the source wire 18f, and the second TFT 9b in each sub-pixel P.
  • the first TFT 9a includes a semiconductor layer 12a, a gate insulating film 13, a gate electrode 14a, a first interlayer insulating film 15, a second interlayer insulating film 17, and the like, which are sequentially provided on the base coat film 11. It includes a source electrode 18a and a drain electrode 18b.
  • the semiconductor layer 12a is provided in an island shape on the base coat film 11 and has a channel region, a source region, and a drain region, as will be described later. Further, as shown in FIG.
  • the gate insulating film 13 is provided so as to cover the semiconductor layer 12a. Further, as shown in FIG. 3, the gate electrode 14a is provided on the gate insulating film 13 so as to overlap the channel region of the semiconductor layer 12a. Further, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are provided in order so as to cover the gate electrode 14a as shown in FIG. Further, as shown in FIG. 3, the source electrode 18a and the drain electrode 18b are provided on the second interlayer insulating film 17 so as to be separated from each other. Further, as shown in FIG.
  • the source electrode 18a and the drain electrode 18b are provided through the contact holes formed in the laminated film of the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17, respectively. It is electrically connected to the source region and the drain region of the semiconductor layer 12a, respectively.
  • the second TFT 9b is electrically connected to the corresponding first TFT 9a, power supply line 20a, and third TFT 9c in each sub-pixel P.
  • the second TFT 9b has substantially the same structure as the first TFT 9a and the third TFT 9c described later.
  • the third TFT 9c is electrically connected to the corresponding second TFT 9b, the organic EL layer 33 (the first electrode 31a in contact with the organic EL layer 33) described later, and the light emission control line 14e in each subpixel P. ..
  • the third TFT 9c includes a semiconductor layer 12b, a gate insulating film 13, a gate electrode 14b, a first interlayer insulating film 15, a second interlayer insulating film 17, and the like, which are sequentially provided on the base coat film 11. It includes a source electrode 18c and a drain electrode 18d.
  • FIG. 1 the third TFT 9c is electrically connected to the corresponding second TFT 9b, the organic EL layer 33 (the first electrode 31a in contact with the organic EL layer 33) described later, and the light emission control line 14e in each subpixel P. ..
  • the third TFT 9c includes a semiconductor layer 12b, a gate insulating film 13, a gate electrode 14b, a first interlayer insulating film 15, a
  • the semiconductor layer 12b is provided in an island shape on the base coat film 11 and has a channel region, a source region, and a drain region, similarly to the semiconductor layer 12a.
  • the gate insulating film 13 is provided so as to cover the semiconductor layer 12b.
  • the gate electrode 14b is provided on the gate insulating film 13 so as to overlap the channel region of the semiconductor layer 12b.
  • the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are provided in order so as to cover the gate electrode 14b as shown in FIG.
  • the source electrode 18c and the drain electrode 18d are provided on the second interlayer insulating film 17 so as to be separated from each other.
  • the source electrode 18c and the drain electrode 18d are provided through the contact holes formed in the laminated film of the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17, respectively. It is electrically connected to the source region and the drain region of the semiconductor layer 12b, respectively.
  • the top gate type first TFT 9a, second TFT 9b and third TFT 9c are exemplified, but the first TFT 9a, second TFT 9b and third TFT 9c may be bottom gate type.
  • the capacitor 9d is electrically connected to the corresponding first TFT 9a and the power supply line 20a in each sub-pixel P.
  • the capacitor 9d includes a lower conductive layer 14c provided as a first wiring layer, a first interlayer insulating film 15 provided so as to cover the lower conductive layer 14c, and a first interlayer.
  • An upper conductive layer 16c provided as a second wiring layer on the insulating film 15 so as to overlap the lower conductive layer 14c is provided.
  • the upper conductive layer 16c is electrically connected to the power supply line 20a via a contact hole (not shown) formed in the second interlayer insulating film 17 and the first flattening film 19a.
  • the first flattening film 19a and the second flattening film 21a have a flat surface in the display region D, and are, for example, an organic resin material such as a polyimide resin or an acrylic resin, or a polysiloxane-based SOG (spin on glass). ) It is composed of materials.
  • a relay electrode 20b is provided as a fourth wiring layer between the first flattening film 19a and the second flattening film 21a in addition to the power supply line 20a described above. ..
  • the organic EL element layer 35 includes a plurality of first electrodes 31a, edge covers 32a, a plurality of organic EL layers 33, and a second electrode 34, which are sequentially laminated on the TFT layer 30. ing.
  • the plurality of first electrodes 31a are provided in a matrix on the second flattening film 21a so as to correspond to the plurality of sub-pixels P.
  • the first electrode 31a passes through the contact hole formed in the first flattening film 19a, the relay electrode 20b, and the contact hole formed in the second flattening film 21a. It is electrically connected to the drain electrode 18d of each third TFT 9c.
  • the first electrode 31a has a function of injecting holes into the organic EL layer 33.
  • the first electrode 31a is more preferably formed of a material having a large work function in order to improve the hole injection efficiency into the organic EL layer 33.
  • examples of the material constituting the first electrode 31a include silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), and gold (Au). , Tungsten (Ti), Luthenium (Ru), Manganese (Mn), Indium (In), Itterbium (Yb), Lithium Fluoride (LiF), Platinum (Pt), Palladium (Pd), Molybdenum (Mo), Iridium ( Examples thereof include metal materials such as Ir) and tin (Sn). Further, the material constituting the first electrode 31a may be, for example, an alloy such as astatine (At) / oxidized astatine (AtO 2 ).
  • the material constituting the first electrode 31a is, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). There may be. Further, the first electrode 31a may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials. Examples of the compound material having a large work function include indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO). Specifically, the first electrode 31a is composed of, for example, an ITO film having a thickness of about 10 nm, a silver film having a thickness of about 100 nm, and a laminated film in which an ITO film having a thickness of about 10 nm is sequentially laminated.
  • a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO).
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • the edge cover 32a is provided in a grid pattern so as to cover the peripheral end portion of each first electrode 31a.
  • the edge cover 32a is made of, for example, a polyimide resin having a thickness of about 2.5 ⁇ m, an organic resin material such as an acrylic resin, a polysiloxane-based SOG material, or the like.
  • each organic EL layer 33 includes a hole injection layer 1, a hole transport layer 2, a light emitting layer 3, an electron transport layer 4, and an electron injection, which are sequentially provided on the first electrode 31a. It has layer 5.
  • the hole injection layer 1 is also called an anode buffer layer, and has a function of bringing the energy levels of the first electrode 31a and the organic EL layer 33 closer to each other and improving the hole injection efficiency from the first electrode 31a to the organic EL layer 33.
  • examples of the material constituting the hole injection layer 1 include a triazole derivative, an oxadiazole derivative, an imidazole derivative, a polyarylalkane derivative, a pyrazoline derivative, a phenylenediamine derivative, an oxazole derivative, a styrylanthracene derivative, and a fluorenone derivative. Examples thereof include hydrazone derivatives and stylben derivatives.
  • the hole transport layer 2 has a function of improving the hole transport efficiency from the first electrode 31a to the organic EL layer 33.
  • examples of the material constituting the hole transport layer 2 include a porphyrin derivative, an aromatic tertiary amine compound, a styrylamine derivative, polyvinylcarbazole, a poly-p-phenylene vinylene, a polysilane, a triazole derivative, and an oxadiazole.
  • Derivatives imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amine-substituted carcon derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stylben derivatives, hydride amorphous silicon, Examples thereof include hydrided amorphous silicon carbide, zinc sulfide, and zinc selenium.
  • the light emitting layer 3 when a voltage is applied by the first electrode 31a and the second electrode 34, holes and electrons are injected from the first electrode 31a and the second electrode 34, respectively, and the holes and electrons are recombined. It is an area.
  • the light emitting layer 3 is made of a material having high luminous efficiency. Examples of the material constituting the light emitting layer 3 include a metal oxynoid compound [8-hydroxyquinoline metal complex], a naphthalene derivative, an anthracene derivative, a diphenylethylene derivative, a vinylacetone derivative, a triphenylamine derivative, a butadiene derivative, and a coumarin derivative.
  • the electron transport layer 4 has a function of efficiently moving electrons to the light emitting layer 3.
  • the material constituting the electron transport layer 4 for example, as an organic compound, an oxadiazole derivative, a triazole derivative, a benzoquinone derivative, a naphthoquinone derivative, an anthraquinone derivative, a tetracyanoanthracinodimethane derivative, a diphenoquinone derivative, and a fluorenone derivative are used. , Cyrol derivatives, metal oxinoid compounds and the like.
  • the electron injection layer 5 has a function of bringing the energy levels of the second electrode 34 and the organic EL layer 33 closer to each other and improving the efficiency of electron injection from the second electrode 34 to the organic EL layer 33.
  • the drive voltage of the organic EL element can be lowered.
  • the electron injection layer 5 is also called a cathode buffer layer.
  • examples of the material constituting the electron injection layer 5 include lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), and barium fluoride. Examples thereof include inorganic alkaline compounds such as (BaF 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), strontium oxide (SrO) and the like.
  • the second electrode 34 is provided on the plurality of organic EL layers 33 so as to be common to the plurality of sub-pixels P, that is, to cover each organic EL layer 33 and the edge cover 32a as shown in FIG. There is. Further, the second electrode 34 has a function of injecting electrons into the organic EL layer 33. Further, it is more preferable that the second electrode 34 is made of a material having a small work function in order to improve the electron injection efficiency into the organic EL layer 33.
  • examples of the material constituting the second electrode 34 include silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), calcium (Ca), titanium (Ti), yttrium (Y), and sodium (Na).
  • the second electrode 34 is, for example, magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / oxidized astatine (AtO 2 ). ), Lithium (Li) / Aluminum (Al), Lithium (Li) / Calcium (Ca) / Aluminum (Al), Lithium Fluoride (LiF) / Calcium (Ca) / Aluminum (Al), etc. May be.
  • the second electrode 34 may be formed of, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). .. Further, the second electrode 34 may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials. Materials with a small work function include, for example, magnesium (Mg), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), and sodium.
  • the sealing film 40 is provided so as to cover the second electrode 34, and the first inorganic sealing film 36, the organic sealing film 37, and the second electrode are sequentially laminated on the second electrode 34. It is provided with an inorganic sealing film 38, and has a function of protecting the organic EL layer 33 of the organic EL element layer 35 from moisture and oxygen.
  • the first inorganic sealing film 36 and the second inorganic sealing film 38 are made of, for example, an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon oxynitride film.
  • the organic sealing film 37 is made of an organic resin material such as an acrylic resin, an epoxy resin, a silicone resin, a polyurea resin, a parylene resin, a polyimide resin, and a polyamide resin.
  • the organic EL display device 50a has a first damming wall Wa provided in a frame shape on the outside of the trench G so as to surround the display area D in the frame area F, and a first dam. It is provided with a second damming wall Wb provided in a frame shape around the retaining wall Wa.
  • the first damming wall Wa has a lower resin layer 21b formed of the same material as the second flattening film 21a and a connecting wiring 31b on the lower resin layer 21b.
  • the edge cover 32a is provided with an upper resin layer 32c formed of the same material as the edge cover 32a.
  • the connection wiring 31b is formed of the same material as the first electrode 31a in the same layer.
  • the first outer damming wall Wa is provided so as to overlap the peripheral end of the organic sealing film 37 of the sealing film 40, and is configured to suppress the spread of the ink that becomes the organic sealing film 37. There is.
  • the second damming wall Wb has a lower resin layer 21c formed of the same material as the second flattening film 21a and a connection wiring 31b on the lower resin layer 21c.
  • the edge cover 32a is provided with an upper resin layer 32d formed of the same material as the edge cover 32a.
  • the organic EL display device 50a is provided in a frame shape as a third wiring layer inside the trench G in the frame region F, and both ends of the open portion of the trench G are terminal portions T. It is provided with a first frame wiring 18h extending to.
  • the first frame wiring 18h is electrically connected to the power supply line 20a of the display region D via the contact hole formed in the first flattening film 19a, and a high power supply voltage (EL VDD) is generated at the terminal portion T. It is configured to be entered.
  • the organic EL display device 50a is provided in a substantially C shape as a third wiring layer on the outside of the trench G in the frame region F, and both ends thereof extend to the terminal portion T. It is equipped with 18i.
  • the second frame wiring 18i is electrically connected to the second electrode 34 of the display area D via the connection wiring 31b provided in the trench G, and the terminal portion T has a low power supply. It is configured so that the voltage (ELVSS) is input.
  • the organic EL display device 50a includes a plurality of peripheral photo spacers 32b provided in an island shape so as to project upward at both edges of the trench G in the frame region F. ..
  • the peripheral photo spacer 32b is formed in the same layer with the same material as the edge cover 32a.
  • a slit S penetrates the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17, and exposes the surface of the resin substrate layer 10.
  • it is provided in a groove shape that penetrates along the extending direction of the bent portion B. As shown in FIG.
  • the slit S is also provided on the surface layer (depth of about 0.5 ⁇ m to 3.0 ⁇ m) of the second resin substrate layer 8 (thickness of about 6 ⁇ m). Further, as shown in FIG. 7, both edges of the laminated film of the base coat film 11 on which the slit S is formed, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are formed on a second resin substrate. It is provided in the shape of an eave so as to protrude inward from the side wall of the surface layer of the layer 8 by, for example, about 0.5 ⁇ m. Further, as shown in FIG.
  • the first flattening film 19a arranged in the display area D fills both ends of the slit S in the width direction at both ends on the outer side of the bent portion B, and both ends thereof. It is provided so as to expose the surface of the resin substrate layer 10 at the intermediate portion between them.
  • the first flattening film 19a includes the base coat film 11, the gate insulating film 13, and the first interlayer insulating film in which the slit S is formed by filling both ends in the width direction of the slit S. It is provided so as to fill the second resin substrate layer 8 side of the eaves-shaped portion at both edges of the laminated film of the film 15 and the second interlayer insulating film 17. Further, as shown in FIG.
  • the side surface of the first flattening film 19a on the bent portion B side is inclined in a forward taper shape so as to project toward the resin substrate layer 10 side. Further, the angle ⁇ (see FIG. 7) between the side surface of the first flattening film 19a on the bent portion B side and the surface of the resin substrate layer 10 is 20 ° or less.
  • the angle ⁇ between the side surface of the first flattening film 19a on the bent portion B side and the surface of the resin substrate layer 10 is larger than 20 °, the adjacent routing wiring 20c is formed when the routing wiring 20c described later is formed. Since the metal film constituting the routing wiring 20c is likely to remain between the two, there is a possibility that the adjacent routing wiring 20c may be short-circuited with each other.
  • the organic EL display device 50a has a direction in which the bent portion B extends on the first flattening film 19a and the resin substrate layer 10 on both sides of the bent portion B and its outer side. It covers a plurality of routing wires 20c provided so as to extend in parallel to each other in a direction orthogonal to the above, a plurality of protective insulating layers 21d provided so as to cover the plurality of routing wirings 20c, and a plurality of protective insulating layers 21d. It is provided with a reinforcing resin layer 46 provided as described above.
  • a protective sheet 47 is provided on the surface of the organic EL display device 50a on the first resin substrate layer 6 side, except for the bent portion B.
  • the distance between the left and right protective sheets 47 is, for example, about 2.0 mm in width, and the distance between the end of the protective sheet 47 and the slit S is, for example, about 200 ⁇ m.
  • the routing wiring 20c is provided as a fourth wiring layer, and is formed in the same layer as the power line 20a with the same material.
  • the routing wiring 20c is electrically connected to the display wiring such as the source line 18f on the display area D side, and is electrically connected to the terminal C on the terminal portion T side.
  • the protective insulating layer 21d is formed of the same material as the second flattening film 21a.
  • the reinforcing resin layer 46 is made of, for example, an acrylic resin having a thickness of about 100 ⁇ m.
  • a gate signal is input to the first TFT 9a via the gate line 14g, so that the first TFT 9a is turned on and the gate of the second TFT 9b is passed through the source line 18f.
  • the third TFT 9c is turned on and becomes the gate voltage of the second TFT 9b.
  • the gate voltage of the second TFT 9b is held by the capacitor 9d, so that the light emitting layer 3 emits light until the gate signal of the next frame is input. It is maintained in each sub-pixel P.
  • the method for manufacturing the organic EL display device 50a of the present embodiment includes a TFT layer forming step, an organic EL element layer forming step, and a sealing film forming step.
  • ⁇ TFT layer forming process> First, for example, a non-photosensitive polyimide resin (thickness of about 6 ⁇ m) is applied onto a glass substrate, and then the coated film is prebaked and post-baked to form the first resin substrate layer 6. ..
  • an inorganic insulating film such as a silicon oxide film is formed on the surface of the substrate on which the first resin substrate layer 6 is formed by, for example, a plasma CVD (chemical vapor deposition) method.
  • the inorganic insulating film 7 in the substrate is formed.
  • a non-photosensitive polyimide resin (thickness of about 6 ⁇ m) is applied to the surface of the substrate on which the inorganic insulating film 7 in the substrate is formed, and then the coated film is prebaked and postbaked. , The second resin substrate layer 8 is formed to form the resin substrate layer 10.
  • a silicon oxide film (thickness of about 500 nm) and a silicon nitride film (thickness of about 100 nm) are sequentially formed on the surface of the substrate on which the resin substrate layer 10 is formed by, for example, a plasma CVD method to form a base coat film. 11 is formed.
  • an amorphous silicon film (thickness of about 50 nm) is formed on the surface of the substrate on which the base coat film 11 is formed by a plasma CVD method, and the amorphous silicon film is crystallized by laser annealing or the like to form a polysilicon film.
  • the semiconductor film is patterned to form the semiconductor layer 12a and the like.
  • an inorganic insulating film (about 100 nm) such as a silicon oxide film is formed on the surface of the substrate on which the semiconductor layer 12a or the like is formed by, for example, a plasma CVD method, and a gate insulating film is formed so as to cover the semiconductor layer 12a or the like. 13 is formed.
  • a molybdenum film (thickness of about 250 nm) is formed on the surface of the substrate on which the gate insulating film 13 is formed by, for example, a sputtering method, and then the molybdenum film is patterned to form a first wiring such as a gate wire 14 g. Form a layer.
  • a silicon nitride film (thickness of about 100 nm) is formed on the surface of the substrate on which the semiconductor layer 12a or the like having the intrinsic region and the conductor region is formed by, for example, a plasma CVD method, so that the first interlayer insulating film 15 is formed. To form.
  • a molybdenum film (thickness of about 250 nm) is formed on the surface of the substrate on which the first interlayer insulating film 15 is formed by, for example, a sputtering method, and then the molybdenum film is patterned to form an upper conductive layer 16c or the like.
  • the second wiring layer of is formed.
  • a silicon oxide film (thickness of about 300 nm) and a silicon nitride film (thickness of about 200 nm) are sequentially formed on the surface of the substrate on which the second wiring layer is formed, for example, by a plasma CVD method.
  • a two-layer insulating film 17 is formed.
  • a contact hole is formed by patterning the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17.
  • SF 6 gas, CF 4 gas, O 2 gas, Ar gas and the like are used for the laminated film of the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17. It is removed by dry etching to form a slit S in the laminated film of the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17. At this time, the surface layer of the second resin substrate layer 8 exposed from the slit S is also removed by dry etching.
  • a titanium film (thickness of about 50 nm), an aluminum film (thickness of about 600 nm), and a titanium film (thickness of about 50 nm) are sequentially formed on the surface of the substrate on which the slit S is formed by, for example, a sputtering method.
  • These metal laminated films are patterned to form a third wiring layer such as a source wire 18f.
  • the coating film is coated. , Pre-baking, exposure, development and post-baking to form the first flattening film 19a and the like.
  • a titanium film (thickness of about 50 nm), an aluminum film (thickness of about 600 nm), and a titanium film (thickness of about 50 nm) are formed on the surface of the substrate on which the first flattening film 19a or the like is formed, for example, by a sputtering method.
  • those metal laminated films are patterned to form a fourth wiring layer such as a power supply line 20a and a routing wiring 20c.
  • a polyimide-based photosensitive resin film (thickness of about 2.5 ⁇ m) is applied to the surface of the substrate on which the fourth wiring layer is formed by, for example, a spin coating method or a slit coating method, and then the coating film is applied.
  • the second flattening film 21a, the protective insulating layer 21d, and the like are formed by prebaking, exposing, developing, and post-baking.
  • the TFT layer 30 can be formed.
  • a first electrode 31a, an edge cover 32a, and an organic EL layer 33 are used by a well-known method.
  • the hole transport layer 2, the light emitting layer 3, the electron transport layer 4, the electron injection layer 5) and the second electrode 34 are formed to form the organic EL element layer 35.
  • an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon nitride film is used on the surface of the substrate on which the organic EL element layer 35 formed in the organic EL element layer forming step is formed. Is formed into a film by the plasma CVD method to form the first inorganic sealing film 36.
  • an organic resin material such as an acrylic resin is formed on the surface of the substrate on which the first inorganic sealing film 36 is formed by, for example, an inkjet method to form the organic sealing film 37.
  • an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon oxynitride film is formed on the surface of the substrate on which the organic sealing film 37 is formed by a plasma CVD method. 2
  • the inorganic sealing film 38 By forming the inorganic sealing film 38, the sealing film 40 is formed.
  • the resin substrate layer 10 is irradiated with laser light from the glass substrate side of the resin substrate layer 10.
  • the glass substrate is peeled off from the lower surface, and the protective sheet 47 on the back surface side is attached to the lower surface of the resin substrate layer 10 from which the glass substrate has been peeled off.
  • ultraviolet curable acrylic is applied to the front surface side of the bent portion B.
  • the reinforcing resin layer 46 is formed by applying the resin to a thickness of about 100 ⁇ m with a dispenser or the like and curing the acrylic resin.
  • the organic EL display device 50a of the present embodiment can be manufactured.
  • the first flattening film 19a has a base coat film 11, a gate insulating film 13, and a first interlayer insulation on both outer side portions of the bent portion B. It is provided so as to fill both ends of the slit S formed in the laminated film of the film 15 and the second interlayer insulating film 17 in the width direction and to expose the surface of the resin substrate layer 10 at the intermediate portion between the both ends. ing. As a result, the first flattening film 19a does not substantially exist in the bent portion B located in the middle portion in the width direction of the slit S.
  • the first flattening film 19a is first flattened. Cracks are less likely to occur in the chemical film 19a.
  • the plurality of routing wires 20c are formed of the same material as the fourth wiring layer such as the power line 20a, and the resin substrate layer 10 and the first flattening film 19a are formed on both sides of the bent portion B and its outer side. Since it is provided on the top, the generation of cracks in the first flattening film 19a is suppressed, so that the disconnection of the routing wiring 20c in the bent portion B can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of cracks in the first flattening film 19a and suppress the disconnection of the routing wiring 20c in the bent portion B.
  • the angle ⁇ between the side surface of the first flattening film 19a on the bent portion B side and the surface of the resin substrate layer 10 is 20 ° or less, so that they are adjacent to each other. It is possible to suppress a short circuit between the matching routing wires 20c.
  • the organic EL display device 50a of the present embodiment since the plurality of routing wires 20c are each covered with the plurality of protective insulating layers 21d, each of them is based on the etching used when forming the first electrode 31a. Etching of the aluminum layer of the routing wiring 20c is suppressed, and wiring thinning of each routing wiring 20c can be suppressed.
  • the slit S formed in the laminated film of the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 is the second resin. Since it is also provided on the surface layer of the substrate layer 8, the organic EL display device 50a can be easily bent at the bending portion B.
  • the organic EL display device 50a of the present embodiment since the plurality of protective insulating layers 21d are provided separately from each other and are not integrally provided in the entire bent portion B, cracks in the plurality of protective insulating layers 21d are provided. Can be suppressed.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the frame region F of the organic EL display device 50b of the present embodiment, and is a diagram corresponding to FIG. 7.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of a bent portion B of the organic EL display device 50b, which corresponds to FIG.
  • the same parts as those in FIGS. 1 to 8 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
  • the organic EL display device 50a in which the routing wiring 20c is covered with the protective insulating layer 21d is exemplified, but in the present embodiment, the routing wiring 20c is covered with the protective conductive layer 31c.
  • the device 50b is illustrated.
  • the organic EL display device 50b includes a display area D and a frame area F provided around the display area D, similarly to the organic EL display device 50a of the first embodiment.
  • the organic EL display device 50b is provided on the resin substrate layer 10, the TFT layer 30 provided on the resin substrate layer 10, and the TFT layer 30 in the same manner as the organic EL display device 50a of the first embodiment.
  • the organic EL element layer 35 and the sealing film 40 provided on the organic EL element layer 35 are provided.
  • the organic EL display device 50b is a first dam that is provided in a frame shape on the outside of the trench G so as to surround the display area D in the frame area F. It is provided with a wall Wa and a second damming wall Wb provided in a frame shape around the first damming wall Wa.
  • the organic EL display device 50b is provided in a frame shape as a third wiring layer inside the trench G in the frame region F, and is an open portion of the trench G.
  • the first frame wiring 18h having both ends extending to the terminal portion T is provided.
  • the organic EL display device 50b is provided in the frame region F on the outside of the trench G in a substantially C shape as a third wiring layer, and both ends thereof are terminal portions. It is provided with a second frame wiring 18i extending to T.
  • the organic EL display device 50b has a plurality of peripheral edges provided in an island shape so as to project upward at both edges of the trench G in the frame region F. It is provided with a photo spacer 32b.
  • the organic EL display device 50b similarly to the organic EL display device 50a of the first embodiment, as shown in FIG. 9, in the bent portion B of the frame region F, the base coat film 11, the gate insulating film 13, and the first A slit S is provided in the laminated film of the interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17.
  • the organic EL display device 50b is orthogonal to the extending direction of the bent portion B on the first flattening film 19a and the resin substrate layer 10 at the bent portion B and both sides thereof.
  • a plurality of routing wires 20c provided so as to extend parallel to each other in the direction of the wiring, a plurality of protective conductive layers 31c provided so as to cover the plurality of routing wirings 20c, and a plurality of protective conductive layers 31c so as to cover the plurality of protective conductive layers 31c. It is provided with a reinforcing resin layer 46 provided.
  • the organic EL display device 50b on the first resin substrate layer 6 side as in the organic EL display device 50a of the first embodiment, as shown in FIG.
  • the bent portion B is excluded.
  • a protective sheet 47 is provided.
  • the thickness of the protective conductive layer 31c is about 100 nm, it is difficult to completely cover the routing wiring 20c, but the resist pattern having a thickness of about 2 ⁇ m used when patterning the protective conductive layer 31c.
  • the protective conductive layer 31c is formed of the same material as the first electrode 31a.
  • the organic EL display device 50b described above has flexibility like the organic EL display device 50a of the first embodiment, and is organic in each sub-pixel P via the first TFT 9a, the second TFT 9b, and the third TFT 9c.
  • the light emitting layer 3 of the EL layer 33 is configured to emit light as appropriate to display an image.
  • the organic EL display device 50b of the present embodiment is used instead of forming the protective insulating layer 21d when forming the second flattening film 21a. It can be manufactured by forming a protective conductive layer 31c when forming one electrode 31a.
  • the first flattening film 19a has a base coat film 11, a gate insulating film 13, and a first interlayer insulation on both outer side portions of the bent portion B. It is provided so as to fill both ends of the slit S formed in the laminated film of the film 15 and the second interlayer insulating film 17 in the width direction and to expose the surface of the resin substrate layer 10 at the intermediate portion between the both ends. ing. As a result, the first flattening film 19a does not substantially exist in the bent portion B located in the middle portion in the width direction of the slit S.
  • the first flattening film 19a is first flattened. Cracks are less likely to occur in the chemical film 19a.
  • the plurality of routing wires 20c are formed of the same material as the fourth wiring layer such as the power line 20a, and the resin substrate layer 10 and the first flattening film 19a are formed on both sides of the bent portion B and its outer side. Since it is provided on the top, the generation of cracks in the first flattening film 19a is suppressed, so that the disconnection of the routing wiring 20c in the bent portion B can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of cracks in the first flattening film 19a and suppress the disconnection of the routing wiring 20c in the bent portion B.
  • the angle ⁇ between the side surface of the first flattening film 19a on the bent portion B side and the surface of the resin substrate layer 10 is 20 ° or less, so that they are adjacent to each other. It is possible to suppress a short circuit between the matching routing wires 20c.
  • the organic EL display device 50b of the present embodiment since the plurality of routing wires 20c are each covered with the plurality of protective conductive layers 31c, each of them is based on the etching used when forming the first electrode 31a. Etching of the aluminum layer of the routing wiring 20c is suppressed, and wiring thinning of each routing wiring 20c can be suppressed.
  • the slit S formed in the laminated film of the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 is the second resin. Since it is also provided on the surface layer of the substrate layer 8, the organic EL display device 50a can be easily bent at the bending portion B.
  • the bent portion B is not provided with a layer formed of the same material as the second flattening film 21a, so that the organic EL display device 50b can be used. Even if it is bent at the bent portion B, cracks are less likely to occur in the second flattening film 21a. As a result, the generation of cracks in the second flattening film 21a is suppressed, so that the disconnection of the routing wiring 20c in the bent portion B can be further suppressed.
  • FIG. 11 shows a third embodiment of the display device according to the present invention.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of the frame region F of the organic EL display device 50c of the present embodiment, and is a diagram corresponding to FIG. 7.
  • the organic EL display devices 50a and 50b in which the routing wiring 20c is covered with the protective insulating layer 21d and the protective conductive layer 31c are exemplified, but in the present embodiment, the routing wiring 20c is protected.
  • An example is an organic EL display device 50c that is not covered with the insulating layer 21d or the protective conductive layer 31c.
  • the organic EL display device 50c includes a display area D and a frame area F provided around the display area D, similarly to the organic EL display device 50a of the first embodiment.
  • the organic EL display device 50c is provided on the resin substrate layer 10, the TFT layer 30 provided on the resin substrate layer 10, and the TFT layer 30 in the same manner as the organic EL display device 50a of the first embodiment.
  • the organic EL element layer 35 and the sealing film 40 provided on the organic EL element layer 35 are provided.
  • the organic EL display device 50c is a first dam that is provided in a frame shape on the outside of the trench G so as to surround the display area D in the frame area F. It is provided with a wall Wa and a second damming wall Wb provided in a frame shape around the first damming wall Wa.
  • the organic EL display device 50c is provided in a frame shape as a third wiring layer inside the trench G in the frame region F, and is an open portion of the trench G.
  • the first frame wiring 18h having both ends extending to the terminal portion T is provided.
  • the organic EL display device 50c is provided in the frame region F on the outside of the trench G in a substantially C shape as a third wiring layer, and both ends thereof are terminal portions. It is provided with a second frame wiring 18i extending to T.
  • the organic EL display device 50c has a plurality of peripheral edges provided in an island shape so as to project upward at both edges of the trench G in the frame region F. It is provided with a photo spacer 32b.
  • the organic EL display device 50c as in the organic EL display device 50a of the first embodiment, as shown in FIG. 11, in the bent portion B of the frame region F, the base coat film 11, the gate insulating film 13, and the first A slit S is provided in the laminated film of the interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17.
  • the organic EL display device 50c is provided on the first flattening film 19a and the resin substrate layer 10 in the bent portion B and both sides thereof in a direction orthogonal to the extending direction of the bent portion B. It includes a plurality of routing wires 20d provided so as to extend in parallel with each other, and a reinforcing resin layer 46 provided so as to cover the plurality of routing wirings 20d.
  • the bent portion B is excluded.
  • a protective sheet 47 is provided on the surface of the organic EL display device 50c on the first resin substrate layer 6 side.
  • the routing wiring 20d is provided as a fourth wiring layer, and is formed in the same layer as the power line 20a with the same material.
  • the routing wiring 20d is electrically connected to the display wiring such as the source line 18f on the display area D side, and is electrically connected to the terminal C on the terminal portion T side.
  • the width of the routing wiring 20d is, for example, about 10 ⁇ m, and the width of the routing wiring 20c of the first embodiment (for example, in consideration of the wiring thinning due to the etchant used when forming the first electrode 31a). , About 6 ⁇ m).
  • the organic EL display device 50c described above has flexibility like the organic EL display device 50a of the first embodiment, and is organic in each sub-pixel P via the first TFT 9a, the second TFT 9b, and the third TFT 9c.
  • the light emitting layer 3 of the EL layer 33 is configured to emit light as appropriate to display an image.
  • the organic EL display device 50c of the present embodiment is a power source instead of forming the protective insulating layer 21d when forming the second flattening film 21a in the manufacturing method of the organic EL display device 50a of the first embodiment. It can be manufactured by changing the wiring width of the routing wiring 20c formed when the wire 20a is formed.
  • the first flattening film 19a has a base coat film 11, a gate insulating film 13, and a first interlayer insulation on both outer side portions of the bent portion B. It is provided so as to fill both ends of the slit S formed in the laminated film of the film 15 and the second interlayer insulating film 17 in the width direction and to expose the surface of the resin substrate layer 10 at the intermediate portion between the both ends. ing. As a result, the first flattening film 19a does not substantially exist in the bent portion B located in the middle portion in the width direction of the slit S.
  • the first flattening film 19a is first flattened. Cracks are less likely to occur in the chemical film 19a.
  • the plurality of routing wirings 20d are formed in the same layer as the fourth wiring layer such as the power supply line 20a, and the resin substrate layer 10 and the first flattening film 19a are formed on both sides of the bent portion B and its outer side. Since it is provided on the top, the generation of cracks in the first flattening film 19a is suppressed, so that the disconnection of the routing wiring 20d in the bent portion B can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of cracks in the first flattening film 19a and suppress the disconnection of the routing wiring 20d in the bent portion B.
  • the angle ⁇ between the side surface of the first flattening film 19a on the bent portion B side and the surface of the resin substrate layer 10 is 20 ° or less, so that they are adjacent to each other. It is possible to suppress a short circuit between the matching routing wires 20d.
  • the slit S formed in the laminated film of the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 is the second resin. Since it is also provided on the surface layer of the substrate layer 8, the organic EL display device 50c can be easily bent at the bent portion B.
  • the bent portion B is not provided with a layer formed of the same material as the second flattening film 21a, so that the organic EL display device 50c is used. Even if it is bent at the bent portion B, cracks are less likely to occur in the second flattening film 21a. As a result, the generation of cracks in the second flattening film 21a is suppressed, so that the disconnection of the routing wiring 20d in the bent portion B can be further suppressed.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of the display area D of the organic EL display device 50d of the present embodiment, and is a diagram corresponding to FIG.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of the frame region F of the organic EL display device 50d, which corresponds to FIG. 7.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of a frame region of the organic EL display device 50e exemplified as a modification of the organic EL display device 50d, and is a diagram corresponding to FIG. 7.
  • the organic EL display devices 50a, 50b and 50c without the touch panel layer are exemplified, but in the present embodiment, the organic EL display device 50d provided with the touch panel layer 45 is exemplified. do.
  • the organic EL display device 50d includes a display area D and a frame area F provided around the display area D, similarly to the organic EL display device 50a of the first embodiment.
  • the organic EL display device 50d includes a resin substrate layer 10, a TFT layer 30 provided on the resin substrate layer 10, and an organic EL element layer provided as a light emitting element layer on the TFT layer 30. 35, a sealing film 40 provided so as to cover the organic EL element layer 35, and a touch panel layer 45 provided on the sealing film 40 are provided.
  • the touch panel layer 45 is provided on the sealing film 40, and the first touch wiring layer 41a and the third interlayer insulating layer are sequentially laminated on the second inorganic sealing film 38 of the sealing film 40. It includes a film 42, a second touch wiring layer 43a, and an overcoat film 44a.
  • a plurality of first touch wiring layers 41a are provided on the second inorganic sealing film 38 so as to extend in parallel with each other in the X direction of FIG. 1, for example, in the display area D.
  • the third interlayer insulating film 42 is provided so as to cover each first touch wiring layer 41a.
  • the third interlayer insulating film 42 is composed of, for example, a single-layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride.
  • a plurality of second touch wiring layers 43a are provided on the third interlayer insulating film 42 so as to extend in parallel with each other in the Y direction of FIG. 1, for example, in the display area D.
  • the overcoat film 44a is provided on the third interlayer insulating film 42 so as to cover each second touch wiring layer 43a.
  • the organic EL display device 50d is a first dam that is provided in a frame shape on the outside of the trench G so as to surround the display area D in the frame area F. It is provided with a wall Wa and a second damming wall Wb provided in a frame shape around the first damming wall Wa.
  • the organic EL display device 50d is provided in a frame shape as a third wiring layer inside the trench G in the frame region F, and is an open portion of the trench G.
  • the first frame wiring 18h having both ends extending to the terminal portion T is provided.
  • the organic EL display device 50d is provided in the frame region F on the outside of the trench G in a substantially C shape as a third wiring layer, and both ends thereof are terminal portions. It is provided with a second frame wiring 18i extending to T.
  • the organic EL display device 50d is provided in a plurality of island-shaped periphery so as to project upward at both edges of the trench G in the frame region F. It is provided with a photo spacer 32b.
  • the organic EL display device 50d as in the organic EL display device 50a of the first embodiment, as shown in FIG. 13, in the bent portion B of the frame region F, the base coat film 11, the gate insulating film 13, and the first A slit S is provided in the laminated film of the interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17.
  • the organic EL display device 50d is provided on the first flattening film 19a and the resin substrate layer 10 in the bent portion B and both sides thereof in a direction orthogonal to the extending direction of the bent portion B. It includes a plurality of routing wires 41b provided so as to extend in parallel with each other, and a reinforcing resin layer 46 provided so as to cover the plurality of routing wirings 41b.
  • the bent portion B is excluded.
  • a protective sheet 47 is provided on the surface of the organic EL display device 50d on the first resin substrate layer 6 side.
  • the routing wiring 41b is formed in the same layer as the first touch wiring layer 41a with the same material.
  • the routing wiring 41d is electrically connected to the display wiring such as the source line 18f on the display area D side, and is electrically connected to the terminal C on the terminal portion T side.
  • the routing wiring 41d formed in the same layer as the first touch wiring layer 41a is exemplified, but the routing wiring 41d is formed in the same layer by the same material as the second touch wiring layer 43a. It may have been done.
  • the organic EL display device 50d in which the reinforcing resin layer 46 is provided so as to cover each routing wiring 41b at the bent portion B and both side portions outside the bent portion B is exemplified, but the bent portion B and the outside thereof are illustrated.
  • the organic EL display device 50e may be provided with an overcoat layer 44b so as to cover each routing wiring 41b on both side portions of the above.
  • the overcoat layer 44b is formed in the same layer as the overcoat film 44a provided in the display region D. According to the organic EL display device 50e, unlike the organic EL display device 50d, it is not necessary to form the reinforcing resin layer 46 in the bent portion B, so that the manufacturing cost of the organic EL display device 50e can be reduced.
  • the overcoat film 44a and the overcoat film 44a formed after the TFT layer forming step are required. Since the overcoat layer 44b does not require high definition or high temperature resistance, cracks are less likely to occur in terms of material.
  • the organic EL display device 50d described above has flexibility like the organic EL display device 50a of the first embodiment, and is organic in each sub-pixel P via the first TFT 9a, the second TFT 9b, and the third TFT 9c.
  • the light emitting layer 3 of the EL layer 33 is configured to emit light as appropriate to display an image.
  • the change in capacitance generated on the intersection of the first touch wiring layer 41a and the second touch wiring layer 43a when the surface of the overcoat layer 44a in the display area D is touched. Based on, the position detection circuit is configured to calculate and detect the touched position.
  • the organic EL display device 50d of the present embodiment has a step of forming the sealing film 40 and a step of forming the sealing film 40 in the sealing film forming step in the manufacturing method of the organic EL display device 50a of the first embodiment. It can be manufactured by performing the following touch panel layer forming step between the step of attaching the protective sheet on the surface side to the surface of the substrate.
  • ⁇ Touch panel layer forming process> First, on the surface of the substrate on which the sealing film 40 was formed in the sealing film forming step, for example, a titanium film (thickness of about 50 nm), an aluminum film (thickness of about 300 nm), and a titanium film (thickness of about 50 nm) were obtained by a sputtering method. Degree) are formed in order, and then the metal laminated films are patterned to form the first touch wiring layer 41a and the like.
  • a silicon nitride film (about 400 nm) is formed on the surface of the substrate on which the first touch wiring layer 41a or the like is formed by, for example, a plasma CVD method to form a third interlayer insulating film 42.
  • a titanium film (thickness of about 50 nm), an aluminum film (thickness of about 300 nm), and a titanium film (thickness of about 50 nm) are sequentially formed by a sputtering method. After forming the film, the metal laminated films are patterned to form the second touch wiring layer 43a and the like.
  • a photosensitive transparent acrylic resin (thickness of about 2.0 m) is applied to the surface of the substrate on which the second touch wiring layer 43a or the like is formed by, for example, a spin coating method or a slit coating method, and then the coating is applied.
  • a photosensitive transparent acrylic resin thickness of about 2.0 m
  • the first flattening film 19a has a base coat film 11, a gate insulating film 13, and a first interlayer insulation on both outer side portions of the bent portion B. It is provided so as to fill both ends of the slit S formed in the laminated film of the film 15 and the second interlayer insulating film 17 in the width direction and to expose the surface of the resin substrate layer 10 at the intermediate portion between the both ends. ing. As a result, the first flattening film 19a does not substantially exist in the bent portion B located in the middle portion in the width direction of the slit S.
  • the first flattening film 19a is first flattened. Cracks are less likely to occur in the chemical film 19a.
  • the plurality of routing wirings 41b are formed in the same layer as the first touch wiring layer 41a by the same material, and are provided on the resin substrate layer 10 and the first flattening film 19a at the bent portion B and both sides thereof. Therefore, by suppressing the generation of cracks in the first flattening film 19a, it is possible to suppress the disconnection of the routing wiring 41b in the bent portion B. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of cracks in the first flattening film 19a and suppress the disconnection of the routing wiring 41b in the bent portion B.
  • the angle ⁇ between the side surface of the first flattening film 19a on the bent portion B side and the surface of the resin substrate layer 10 is 20 ° or less, so that they are adjacent to each other. It is possible to suppress a short circuit between the matching routing wires 41b.
  • the slit S formed in the laminated film of the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 is the second resin. Since it is also provided on the surface layer of the substrate layer 8, the organic EL display device 50d can be easily bent at the bent portion B.
  • the bent portion B is not provided with a layer formed of the same material as the second flattening film 21a, so that the organic EL display device 50d is used. Even if it is bent at the bent portion B, cracks are less likely to occur in the second flattening film 21a. As a result, the generation of cracks in the second flattening film 21a is suppressed, so that the disconnection of the routing wiring 41b in the bent portion B can be further suppressed.
  • the organic EL display device 50d of the present embodiment since the plurality of routing wirings 41b are formed in the same layer as the first touch wiring layer 41a with the same material, when the first electrode 31a is formed.
  • the routing wiring 41b is not etched by the etchant used, and it is not necessary to consider the wiring thinning of the routing wiring 41b by the etchant used when forming the first electrode 31a.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view of the display area D of the organic EL display device 50f of the present embodiment, and is a diagram corresponding to FIG.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view of the frame region F of the organic EL display device 50f, which corresponds to FIG. 7.
  • the organic EL display device 50f provided with the TFT layer 30f in which the fourth wiring layer is omitted is exemplified.
  • the organic EL display device 50f includes a display area D and a frame area F provided around the display area D, similarly to the organic EL display device 50a of the first embodiment.
  • the organic EL display device 50f includes a resin substrate layer 10, a TFT layer 30f provided on the resin substrate layer 10, an organic EL element layer 35 provided on the TFT layer 30f, and an organic EL display device 50f. It includes a sealing film 40 provided so as to cover the EL element layer 35.
  • the TFT layer 30f includes a base coat film 11 provided on the resin substrate layer 10, a plurality of first TFTs 9a provided on the base coat film 11, and a plurality of second TFTs 9b (see FIG. 4).
  • a semiconductor pattern layer such as a base coat film 11 semiconductor layer 12a, a first wiring layer such as a gate insulating film 13 and a gate electrode 14a, and a first interlayer insulation are provided on the resin substrate layer 10.
  • the film 15, the second wiring layer such as the upper conductive layer 16c, the second interlayer insulating film 17, the third wiring layer such as the source electrode 18a, and the second flattening film 21a are laminated in this order.
  • a plurality of gate wires 14g are provided as the first wiring layer, similarly to the TFT layer 30 of the organic EL display device 50a of the first embodiment.
  • a plurality of light emission control lines 14e are provided as the first wiring layer so as to extend in parallel with each other, similarly to the TFT layer 30 of the organic EL display device 50a of the first embodiment.
  • a plurality of source lines 18f are provided as a third wiring layer so as to extend in parallel with each other, similarly to the TFT layer 30 of the organic EL display device 50a of the first embodiment.
  • a plurality of power lines are provided as a third wiring layer so as to extend in parallel with each other.
  • each power supply line is provided so as to be adjacent to each source line 18f.
  • the first TFT 9a, the second TFT 9b, the third TFT 9c, and the capacitor 9d are provided in each sub-pixel P, similarly to the TFT layer 30 of the organic EL display device 50a of the first embodiment. ..
  • the upper conductive layer 16c of the capacitor 9d is electrically connected to the power supply line via a contact hole formed in the second interlayer insulating film 17.
  • the organic EL display device 50f is a first dam that is provided in a frame shape on the outside of the trench G so as to surround the display area D in the frame area F. It is provided with a wall Wa and a second damming wall Wb provided in a frame shape around the first damming wall Wa.
  • the organic EL display device 50f is provided in a frame shape as a third wiring layer inside the trench G in the frame region F, and is an open portion of the trench G.
  • the first frame wiring 18h having both ends extending to the terminal portion T is provided.
  • the organic EL display device 50f is provided in the frame region F on the outside of the trench G in a substantially C shape as a third wiring layer, and both ends thereof are terminal portions. It is provided with a second frame wiring 18i extending to T.
  • the organic EL display device 50f has a plurality of peripheral edges provided in an island shape so as to project upward at both edges of the trench G in the frame region F. It is provided with a photo spacer 32b.
  • the base coat film 11, the gate insulating film 13, and the first A slit S is provided in the laminated film of the interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17.
  • the first flattening film 19f fills both ends of the slit S in the width direction on both outer side portions of the bent portion B, and the resin is formed at the intermediate portion between the both ends thereof. It is provided as another flattening film so as to expose the surface of the substrate layer 10.
  • the first flattening film 19f is made of, for example, an organic resin material such as a polyimide resin or an acrylic resin, or a polysiloxane-based SOG (spin on glass) material. Then, as shown in FIG. 16, the first flattening film 19f has a base coat film 11, a gate insulating film 13, and a first interlayer insulating film in which the slit S is formed by filling both ends in the width direction of the slit S. It is provided so as to fill the second resin substrate layer 8 side of the eaves-shaped portion at both edges of the laminated film of the 15 and the second interlayer insulating film 17. Further, as shown in FIG.
  • the side surface of the first flattening film 19f on the bent portion B side is inclined in a forward taper shape so as to project toward the resin substrate layer 10 side. Further, the angle ⁇ (see FIG. 16) between the side surface of the first flattening film 19f on the bent portion B side and the surface of the resin substrate layer 10 is 20 ° or less.
  • the angle ⁇ between the side surface of the first flattening film 19f on the bent portion B side and the surface of the resin substrate layer 10 is larger than 20 °, the adjacent routing wiring 18j is formed when the routing wiring 18j described later is formed. Since the metal film constituting the routing wiring 18j is likely to remain between the wiring wires 18j, there is a possibility that the adjacent routing wirings 18j may be short-circuited with each other.
  • the organic EL display device 50f is provided on the first flattening film 19f and the resin substrate layer 10 in the bent portion B and both sides thereof in a direction orthogonal to the extending direction of the bent portion B.
  • a plurality of routing wires 18j provided so as to extend in parallel with each other, a plurality of protective insulating layers 21d provided so as to cover the plurality of routing wirings 18j, and a plurality of protective insulating layers 21d provided so as to cover the plurality of protective insulating layers 21d. It is provided with a reinforcing resin layer 46.
  • the bent portion B is excluded.
  • a protective sheet 47 is provided on the surface of the organic EL display device 50f on the first resin substrate layer 6 side.
  • the routing wiring 18j is provided as a third wiring layer, and is formed in the same layer with the same material as the source wire 18f.
  • the routing wiring 18j is electrically connected to the display wiring such as the source line 18f on the display area D side, and is electrically connected to the terminal C on the terminal portion T side.
  • the organic EL display device 50f described above has flexibility like the organic EL display device 50a of the first embodiment, and is organic in each sub-pixel P via the first TFT 9a, the second TFT 9b, and the third TFT 9c.
  • the light emitting layer 3 of the EL layer 33 is configured to emit light as appropriate to display an image.
  • the organic EL display device 50f of the present embodiment is provided only on both outer sides of the bent portion B after the slit S is formed in the TFT layer forming step of the manufacturing method of the organic EL display device 50a of the first embodiment. It can be manufactured by forming the first flattening film 19f, forming the third wiring layer such as the source line 18f and the second flattening film 21a in order, and forming the TFT layer 30f.
  • the first flattening film 19f has a base coat film 11, a gate insulating film 13, and a first interlayer insulation on both outer side portions of the bent portion B. It is provided so as to fill both ends of the slit S formed in the laminated film of the film 15 and the second interlayer insulating film 17 in the width direction and to expose the surface of the resin substrate layer 10 at the intermediate portion between the both ends. ing. As a result, the first flattening film 19f does not substantially exist in the bent portion B located in the middle portion in the width direction of the slit S.
  • the first flattening film 19f is flattened. Cracks are less likely to occur in the chemical film 19f.
  • the plurality of routing wires 18j are formed of the same material as the third wiring layer such as the source wire 18f, and the resin substrate layer 10 and the first flattening film 19f are formed on both sides of the bent portion B and its outer side. Since it is provided on the top, the generation of cracks in the first flattening film 19f is suppressed, so that the disconnection of the routing wiring 18j in the bent portion B can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of cracks in the first flattening film 19f and suppress the disconnection of the routing wiring 18j in the bent portion B.
  • the angle ⁇ between the side surface of the first flattening film 19f on the bent portion B side and the surface of the resin substrate layer 10 is 20 ° or less, so that they are adjacent to each other. It is possible to suppress a short circuit between the matching routing wires 18j.
  • the organic EL display device 50f of the present embodiment since the plurality of routing wires 18j are each covered with the plurality of protective insulating layers 21d, each of them is based on the etching used when forming the first electrode 31a. Etching of the aluminum layer of the routed wiring 18j is suppressed, and the wiring thinning of each routed wiring 18j can be suppressed.
  • the slit S formed in the laminated film of the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 is the second resin. Since it is also provided on the surface layer of the substrate layer 8, the organic EL display device 50f can be easily bent at the bent portion B.
  • the organic EL display device 50f of the present embodiment since the plurality of protective insulating layers 21d are provided separately from each other and are not integrally provided in the entire bent portion B, cracks in the plurality of protective insulating layers 21d are provided. Can be suppressed.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view of a display area D of the organic EL display device 50 g of the present embodiment, and is a diagram corresponding to FIG.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view of the frame region F of the organic EL display device 50 g, which corresponds to FIG. 7.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the organic EL display device 50 g, which corresponds to FIG. 7.
  • the organic EL display device 50f including the TFT layer 30f in which the fourth wiring layer is omitted is illustrated, but in the present embodiment, the organic EL display including the TFT layer 30f and the touch panel layer 45 is illustrated.
  • An example of the device is 50 g.
  • the organic EL display device 50g includes a display area D and a frame area F provided around the display area D, similarly to the organic EL display device 50a of the first embodiment.
  • the organic EL display device 50g includes a resin substrate layer 10, a TFT layer 30f provided on the resin substrate layer 10, an organic EL element layer 35 provided on the TFT layer 30f, and organic. It includes a sealing film 40 provided so as to cover the EL element layer 35, and a touch panel layer 45 provided on the sealing film 40.
  • the organic EL display device 50g is a first dam that is provided in a frame shape on the outside of the trench G so as to surround the display area D in the frame area F. It is provided with a wall Wa and a second damming wall Wb provided in a frame shape around the first damming wall Wa.
  • the organic EL display device 50g is provided in a frame shape as a third wiring layer inside the trench G in the frame region F, and is an open portion of the trench G.
  • the first frame wiring 18h having both ends extending to the terminal portion T is provided.
  • the organic EL display device 50g is provided in the frame region F on the outside of the trench G in a substantially C shape as a third wiring layer, and both ends thereof are terminal portions. It is provided with a second frame wiring 18i extending to T.
  • the organic EL display device 50g is provided with a plurality of peripheral edges provided in an island shape so as to project upward at both edges of the trench G in the frame region F. It is provided with a photo spacer 32b.
  • the base coat film 11, the gate insulating film 13, and the first A slit S is provided in the laminated film of the interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17.
  • the organic EL display device 50g is mounted on the first flattening film 19f and the resin substrate layer 10 in the bent portion B and both sides thereof in a direction orthogonal to the extending direction of the bent portion B.
  • It includes a film and a reinforcing resin layer 46 provided so as to cover a plurality of routing wires 18j in the bent portion B.
  • the bent portion B is excluded as shown in FIG. 18, as in the organic EL display device 50a of the first embodiment.
  • a protective sheet 47 is provided on the surface of the organic EL display device 50 g on the side of the first resin substrate layer 6, the bent portion B is excluded as shown in FIG. 18, as in the organic EL display device 50a of the first embodiment.
  • a protective sheet 47 is provided on the surface of the organic EL display device 50 g on the side of the first resin substrate layer 6, the bent portion B is excluded as shown in FIG. 18, as in the organic EL display device 50a of the first embodiment.
  • a protective sheet 47 is provided on the surface of the organic EL display device 50 g on the side of the first resin substrate layer 6, the bent portion B is excluded as shown in FIG. 18, as in the organic EL display device 50a of the first embodiment.
  • a protective sheet 47 is provided on the surface of the organic EL display device 50 g on the side of the first resin substrate layer 6, the bent portion B is excluded as shown in FIG. 18, as in the organic EL display device 50a
  • the organic EL display device 50g described above has flexibility like the organic EL display device 50a of the first embodiment, and is organic in each sub-pixel P via the first TFT 9a, the second TFT 9b, and the third TFT 9c.
  • the light emitting layer 3 of the EL layer 33 is configured to emit light as appropriate to display an image.
  • the change in capacitance generated on the intersection of the first touch wiring layer 41a and the second touch wiring layer 43a when the surface of the overcoat layer 44a in the display area D is touched. Based on, the position detection circuit is configured to calculate and detect the touched position.
  • the organic EL display device 50g of the present embodiment is the organic EL display device 50d of the fourth embodiment after the TFT layer 30f is formed as in the manufacturing method of the organic EL display device 50f of the fifth embodiment.
  • the sealing film forming step in the manufacturing method of the organic EL display device 50a of the first embodiment the step of forming the sealing film 40 and the surface of the substrate on which the sealing film 40 is formed are similar to the manufacturing method of the above. It can be manufactured by performing a touch panel layer forming step between the step of attaching the protective sheet on the surface side to the surface.
  • the organic EL element layer forming step when the first electrode 31a is formed, each routing wiring 18j is covered with the resin film 21 (see FIG.
  • the protective insulating layer 21e serving as the protective insulating layer 21e, so that the first electrode 31a is formed. It is possible to suppress the etching of the aluminum layer of each routing wiring 18j by the etchant used when forming the electrode 31a. Then, in the touch panel layer forming step, a non-photosensitive transparent acrylic resin film having a thickness of about 2.0 m is formed on the surface of the substrate on which the second touch wiring layer 43a or the like is formed by, for example, a spin coating method or a slit coating method. As shown in FIG. 19, the acrylic resin film 44 and the resin film 21 exposed from the resist pattern R after forming the resist pattern R on the acrylic resin film 44 are formed with SF 6 gas, CF 4 gas, and O. 2 The protective insulating layer 21e and the overcoat layer 44c are formed by removing by dry etching using a gas or the like.
  • the first flattening film 19f has a base coat film 11, a gate insulating film 13, and a first interlayer insulation on both outer side portions of the bent portion B. It is provided so as to fill both ends of the slit S formed in the laminated film of the film 15 and the second interlayer insulating film 17 in the width direction and to expose the surface of the resin substrate layer 10 at the intermediate portion between the both ends. ing. As a result, the first flattening film 19f does not substantially exist in the bent portion B located in the middle portion in the width direction of the slit S.
  • the first flattening film 19f is formed. Cracks are less likely to occur in the chemical film 19f.
  • the plurality of routing wires 18j are formed of the same material as the third wiring layer such as the source wire 18f, and the resin substrate layer 10 and the first flattening film 19f are formed on both sides of the bent portion B and its outer side. Since it is provided on the top, the generation of cracks in the first flattening film 19f is suppressed, so that the disconnection of the routing wiring 18j in the bent portion B can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of cracks in the first flattening film 19f and suppress the disconnection of the routing wiring 18j in the bent portion B.
  • the angle ⁇ between the side surface of the first flattening film 19f on the bent portion B side and the surface of the resin substrate layer 10 is 20 ° or less, so that they are adjacent to each other. It is possible to suppress a short circuit between the matching routing wires 18j.
  • the organic EL display device 50g of the present embodiment since the plurality of routing wirings 18j are covered with the resin film 21 when forming the first electrode 31a, when forming the first electrode 31a. Etching of the aluminum layer of each routed wiring 18j by the etchant to be used is suppressed, and wiring thinning of each routed wiring 18j can be suppressed.
  • the slit S formed in the laminated film of the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 is the second resin. Since it is also provided on the surface layer of the substrate layer 8, the organic EL display device 50 g can be easily bent at the bent portion B.
  • the bent portion B is not provided with a layer formed of the same material as the second flattening film 21a, so that the organic EL display device 50g is used. Even if it is bent at the bent portion B, cracks are less likely to occur in the second flattening film 21a. As a result, the generation of cracks in the second flattening film 21a is suppressed, so that the disconnection of the routing wiring 18j in the bent portion B can be further suppressed.
  • an organic EL layer having a five-layer laminated structure of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer has been exemplified. It may have a three-layer laminated structure of a layer / hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer / electron injection layer.
  • an organic EL display device in which the first electrode is used as an anode and the second electrode is used as a cathode is exemplified, but in the present invention, the laminated structure of the organic EL layer is inverted and the first electrode is used as a cathode. It can also be applied to an organic EL display device using the second electrode as an anode.
  • the organic EL display device in which the electrode of the TFT connected to the first electrode is used as the drain electrode is exemplified, but in the present invention, the electrode of the TFT connected to the first electrode is used as the source electrode. It can also be applied to an organic EL display device to be called.
  • the organic EL display device has been described as an example as the display device, but the present invention can be applied to a display device including a plurality of light emitting elements driven by an electric current.
  • the present invention can be applied to a display device provided with a QLED (Quantum-dot light emission diode) which is a light emitting element using a quantum dot-containing layer.
  • QLED Quantum-dot light emission diode
  • the present invention is useful for flexible display devices.

Abstract

折り曲げ部（Ｂ）の外側の両側部には、スリット（Ｓ）の幅方向の両端部を埋めると共に、その両端部の間の中間部で樹脂基板層（１０）の表面を露出させるように第１平坦化膜（１９ａ）が設けられ、第１平坦化膜（１９ａ）及び樹脂基板層（１０）上には、折り曲げ部（Ｂ）及びその外側の両側部において、折り曲げ部（Ｂ）の延びる方向と交差する方向に互いに平行に延び、表示領域側で複数の表示配線に電気的にそれぞれ接続され、端子部側で複数の端子に電気的にそれぞれ接続され、配線層と同一材料により同一層に形成された複数の引き回し配線（２０ｃ）が設けられている。

Description

表示装置
　本発明は、表示装置に関するものである。
　近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（electroluminescence、以下「ＥＬ」とも称する）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置では、可撓性を有する樹脂基板層上に有機ＥＬ素子等を形成したフレキシブルな有機ＥＬ表示装置が提案されている。ここで、有機ＥＬ表示装置では、画像表示を行う表示領域の周囲に額縁領域が設けられ、その額縁領域を縮小させる、いわゆる、狭額縁化が要望されている。そして、フレキシブルな有機ＥＬ表示装置では、平面視における額縁領域が占有する面積を小さくするために額縁領域を折り曲げると、その額縁領域に配置された配線が断線するおそれがある。
　例えば、特許文献１には、ベンディングホールを形成することにより、ベンディング領域に対応するバッファ膜、ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜のそれぞれ一部を除去して、配線の断線を防止するフレキシブル表示装置が開示されている。
特開２０１４－２３２３００号公報
　ところで、フレキシブルな有機ＥＬ表示装置では、樹脂基板層上にベースコート膜、ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜等の無機絶縁膜が設けられている。そのため、額縁領域に配置された複数の引き回し配線の断線を抑制するために、額縁領域の折り曲げる部分（折り曲げ部）の無機絶縁膜を除去して、その除去した部分に平坦化膜を充填し、その平坦化膜上に引き回し配線を形成する構造が提案されている。しかしながら、折り曲げ部において、無機絶縁膜を除去して、その除去した部分に平坦化膜を充填し、その平坦化膜上に引き回し配線を形成しても、有機ＥＬ表示装置を折り曲げ部で例えば曲率半径０．３ｍｍ～１．０ｍｍ程度で１８０°に折り曲げると、平坦化膜にクラックが発生し、その平坦化膜上の引き回し配線が断線するおそれがある。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、平坦化膜におけるクラックの発生を抑制して、折り曲げ部において、引き回し配線の断線を抑制することにある。
　上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、樹脂基板層と、上記樹脂基板層上に設けられ、無機絶縁膜、第１平坦化膜、配線層及び第２平坦化膜が順に積層された薄膜トランジスタ層と、上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、表示領域を構成する複数のサブ画素に対応して、複数の第１電極、複数の発光機能層及び共通の第２電極が順に積層された発光素子層とを備え、上記表示領域の周囲には、額縁領域が設けられ、上記額縁領域の端部には、端子部が設けられ、上記表示領域及び上記端子部の間には、一方向に延びるように折り曲げ部が設けられ、上記表示領域には、互いに平行に延びるように複数の表示配線が設けられ、上記端子部には、上記折り曲げ部の延びる方向に沿って複数の端子が設けられ、上記無機絶縁膜には、上記折り曲げ部において、該折り曲げ部の延びる方向に沿って延び、上記樹脂基板層の表面を露出させるようにスリットが設けられ、上記折り曲げ部の外側の両側部には、上記スリットの幅方向の両端部を埋めると共に、該両端部の間の中間部で上記樹脂基板層の表面を露出させるように上記第１平坦化膜が設けられ、上記第１平坦化膜及び上記樹脂基板層上には、上記折り曲げ部及び該折り曲げ部の外側の両側部において、上記折り曲げ部の延びる方向と交差する方向に互いに平行に延び、上記表示領域側で上記複数の表示配線に電気的にそれぞれ接続され、上記端子部側で上記複数の端子に電気的にそれぞれ接続され、上記配線層と同一材料により同一層に形成された複数の引き回し配線が設けられていることを特徴とする。
　また、本発明に係る表示装置は、樹脂基板層と、上記樹脂基板層上に設けられ、無機絶縁膜、配線層及び平坦化膜が順に積層された薄膜トランジスタ層と、上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、表示領域を構成する複数のサブ画素に対応して、複数の第１電極、複数の発光機能層及び共通の第２電極が順に積層された発光素子層と、上記発光素子層を覆うように設けられ、第１無機封止膜、有機封止膜及び第２無機封止膜が順に積層された封止膜と、上記封止膜上に設けられ、第１タッチ配線層、層間絶縁膜及び第２タッチ配線層が順に積層されたタッチパネル層とを備え、上記表示領域の周囲には、額縁領域が設けられ、上記額縁領域の端部には、端子部が設けられ、上記表示領域及び上記端子部の間には、一方向に延びるように折り曲げ部が設けられ、上記表示領域には、互いに平行に延びるように複数の表示配線が設けられ、上記端子部には、上記折り曲げ部の延びる方向に沿って複数の端子が設けられ、上記無機絶縁膜には、上記折り曲げ部において、該折り曲げ部の延びる方向に沿って延び、上記樹脂基板層の表面を露出させるようにスリットが設けられ、上記折り曲げ部の外側の両側部には、上記スリットの幅方向の両端部を埋めると共に、該両端部の間の中間部で上記樹脂基板層の表面を露出させるように上記平坦化膜が設けられ、上記平坦化膜及び上記樹脂基板層上には、上記折り曲げ部及び該折り曲げ部の外側の両側部において、上記折り曲げ部の延びる方向と交差する方向に互いに平行に延び、上記表示領域側で上記複数の表示配線に電気的にそれぞれ接続され、上記端子部側で上記複数の端子に電気的にそれぞれ接続され、上記第１タッチ配線層又は上記第２タッチ配線層と同一材料により同一層に形成された複数の引き回し配線が設けられていることを特徴とする。
　また、本発明に係る表示装置は、樹脂基板層と、上記樹脂基板層上に設けられ、無機絶縁膜、配線層及び平坦化膜が順に積層された薄膜トランジスタ層と、上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、表示領域を構成する複数のサブ画素に対応して、複数の第１電極、複数の発光機能層及び共通の第２電極が順に積層された発光素子層とを備え、上記表示領域の周囲には、額縁領域が設けられ、上記額縁領域の端部には、端子部が設けられ、上記表示領域及び上記端子部の間には、一方向に延びるように折り曲げ部が設けられ、上記表示領域には、互いに平行に延びるように複数の表示配線が設けられ、上記端子部には、上記折り曲げ部の延びる方向に沿って複数の端子が設けられ、上記無機絶縁膜には、上記折り曲げ部において、該折り曲げ部の延びる方向に沿って延び、上記樹脂基板層の表面を露出させるようにスリットが設けられ、上記折り曲げ部の外側の両側部には、上記スリットの幅方向の両端部を埋めると共に、該両端部の間の中間部で上記樹脂基板層の表面を露出させるように他の平坦化膜が設けられ、上記他の平坦化膜及び上記樹脂基板層上には、上記折り曲げ部及び該折り曲げ部の外側の両側部において、上記折り曲げ部の延びる方向と交差する方向に互いに平行に延び、上記表示領域側で上記複数の表示配線に電気的にそれぞれ接続され、上記端子部側で上記複数の端子に電気的にそれぞれ接続され、上記配線層と同一材料により同一層に形成された複数の引き回し配線が設けられていることを特徴とする。
　本発明によれば、平坦化膜におけるクラックの発生を抑制して、折り曲げ部において、引き回し配線の断線を抑制することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の平面図である。 図３は、図１中のIII－III線に沿った有機ＥＬ表示装置の表示領域の断面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する薄膜トランジスタ層の等価回路図である。 図５は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ層を示す断面図である。 図６は、図１中のVI－VI線に沿った有機ＥＬ表示装置の断面図である。 図７は、図１中のVII－VII線に沿った有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図である。 図８は、図１中のVIII－VIII線に沿った有機ＥＬ表示装置の折り曲げ部の断面図である。 図９は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図であり、図７に相当する図である。 図１０は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の折り曲げ部の断面図であり、図８に相当する図である。 図１１は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図であり、図７に相当する図である。 図１２は、本発明の第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の断面図であり、図３に相当する図である。 図１３は、本発明の第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図であり、図７に相当する図である。 図１４は、本発明の第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の変形例の額縁領域の断面図であり、図７に相当する図である。 図１５は、本発明の第５の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の断面図であり、図３に相当する図である。 図１６は、本発明の第５の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図であり、図７に相当する図である。 図１７は、本発明の第６の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の断面図であり、図３に相当する図である。 図１８は、本発明の第６の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図であり、図７に相当する図である。 図１９は、本発明の第６の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造工程の一部を示す断面図であり、図７に相当する図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
　《第１の実施形態》
　図１～図８は、本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの概略構成を示す平面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの平面図である。また、図３は、図１中のIII－III線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの断面図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する薄膜トランジスタ層３０の等価回路図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ層３３を示す断面図である。また、図６は、図１中のVI－VI線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ａの断面図である。また、図７は、図１中のVII－VII線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ａの額縁領域Ｆの断面図である。また、図８は、図１中のVIII－VIII線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ａの折り曲げ部Ｂの断面図である。
　有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、例えば、矩形状に設けられた画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に枠状に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。なお、本実施形態では、矩形状の表示領域Ｄを例示したが、この矩形状には、例えば、辺が円弧状になった形状、角部が円弧状になった形状、辺の一部に切り欠きがある形状等の略矩形状も含まれている。
　表示領域Ｄには、図２に示すように、複数のサブ画素Ｐがマトリクス状に配列されている。また、表示領域Ｄでは、図２に示すように、例えば、赤色の表示を行うための赤色発光領域Ｅｒを有するサブ画素Ｐ、緑色の表示を行うための緑色発光領域Ｅｇを有するサブ画素Ｐ、及び青色の表示を行うための青色発光領域Ｅｂを有するサブ画素Ｐが互いに隣り合うように設けられている。なお、表示領域Ｄでは、例えば、赤色発光領域Ｅｒ、緑色発光領域Ｅｇ及び青色発光領域Ｅｂを有する隣り合う３つのサブ画素Ｐにより、１つの画素が構成されている。
　額縁領域Ｆの図１中の下端部には、端子部Ｔが一方向（図中のＸ方向）に延びるように設けられている。ここで、端子部Ｔには、図１に示すように、図中のＸ方向に沿って複数の端子Ｃが設けられている。また、額縁領域Ｆにおいて、図１に示すように、表示領域Ｄ及び端子部Ｔの間には、図中のＸ方向を折り曲げの軸として、例えば、曲率半径０．３ｍｍ～１．０ｍｍ程度で１８０°に（Ｕ字状に）折り曲げ可能な折り曲げ部Ｂが一方向（図中のＸ方向）に延びるように設けられている。また、額縁領域Ｆにおいて、後述する第１平坦化膜１９ａ及び第２平坦化膜２１ａには、図１及び図６に示すように、平面視で略Ｃ状のトレンチＧが第１平坦化膜１９ａ及び第２平坦化膜２１ａを貫通するように設けられている。ここで、トレンチＧは、図１に示すように、平面視で端子部Ｔ側が開口するように略Ｃ字状に設けられている。
　有機ＥＬ表示装置５０ａは、図３に示すように、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられた薄膜トランジスタ（thin film transistor、以下「ＴＦＴ」とも称する）層３０と、ＴＦＴ層３０上に発光素子層として設けられた有機ＥＬ素子層３５と、有機ＥＬ素子層３５を覆うように設けられた封止膜４０とを備えている。
　樹脂基板層１０は、図３、図６、図７及び図８に示すように、ＴＦＴ層３０と反対側に設けられた第１樹脂基板層６と、ＴＦＴ層３０側に設けられた第２樹脂基板層８と、第１樹脂基板層６及び第２樹脂基板層８の間に設けられた基板内無機絶縁膜７とを備えている。ここで、第１樹脂基板層６及び第２樹脂基板層８は、例えば、ポリイミド樹脂等により構成されている。また、基板内無機絶縁膜７、後述するベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
　ＴＦＴ層３０は、図３に示すように、樹脂基板層１０上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ９ａ、複数の第２ＴＦＴ９ｂ（図４参照）、複数の第３ＴＦＴ９ｃ及び複数のキャパシタ９ｄと、各第１ＴＦＴ９ａ、各第２ＴＦＴ９ｂ、各第３ＴＦＴ９ｃ及び各キャパシタ９ｄ上に順に設けられた第１平坦化膜１９ａ及び第２平坦化膜２１ａとを備えている。
　ＴＦＴ層３０では、図３に示すように、樹脂基板層１０上に、ベースコート膜１１、後述する半導体層１２ａ等の半導体パターン層、ゲート絶縁膜１３、後述するゲート線１４ｇ等の第１配線層、第１層間絶縁膜１５、後述する上層導電層１６ｃ等の第２配線層、第２層間絶縁膜１７、後述するソース線１８ｆ等の第３配線層、第１平坦化膜１９ａ、電源線２０ａ等の第４配線層、及び第２平坦化膜２１ａが順に積層されている。
　ＴＦＴ層３０では、図２及び図４に示すように、図中の横方向に互いに平行に延びるように複数のゲート線１４ｇが第１配線層として設けられている。また、ＴＦＴ層３０では、図２及び図４に示すように、図中の横方向に互いに平行に延びるように複数の発光制御線１４ｅが第１配線層として設けられている。なお、各発光制御線１４ｅは、図２に示すように、各ゲート線１４ｇと隣り合うように設けられている。また、ＴＦＴ層３０では、図２及び図４に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数のソース線１８ｆが第３配線層として設けられている。また、ＴＦＴ層３０では、図１及び図３に示すように、第１平坦化膜１９ａ及び第２平坦化膜２１ａの間に、電源線２０ａが第４配線層として格子状に設けられている。また、ＴＦＴ層３０では、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、第３ＴＦＴ９ｃ及びキャパシタ９ｄがそれぞれ設けられている。
　第１ＴＦＴ９ａは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応するゲート線１４ｇ、ソース線１８ｆ及び第２ＴＦＴ９ｂに電気的に接続されている。また、第１ＴＦＴ９ａは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に順に設けられた半導体層１２ａ、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４ａ、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７、並びにソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂを備えている。ここで、半導体層１２ａは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられ、後述するように、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有している。また、ゲート絶縁膜１３は、図３に示すように、半導体層１２ａを覆うように設けられている。また、ゲート電極１４ａは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ａのチャネル領域と重なるように設けられている。また、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、図３に示すように、ゲート電極１４ａを覆うように順に設けられている。また、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７上に互いに離間するように設けられている。また、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ａのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続されている。
　第２ＴＦＴ９ｂは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ、電源線２０ａ及び第３ＴＦＴ９ｃに電気的に接続されている。なお、第２ＴＦＴ９ｂは、第１ＴＦＴ９ａ及び後述する第３ＴＦＴ９ｃと実質的に同じ構造を有している。
　第３ＴＦＴ９ｃは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第２ＴＦＴ９ｂ、後述する有機ＥＬ層３３（に接触する第１電極３１ａ）及び発光制御線１４ｅに電気的に接続されている。また、第３ＴＦＴ９ｃは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に順に設けられた半導体層１２ｂ、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４ｂ、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７、並びにソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄを備えている。ここで、半導体層１２ｂは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられ、半導体層１２ａと同様に、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有している。また、ゲート絶縁膜１３は、図３に示すように、半導体層１２ｂを覆うように設けられている。また、ゲート電極１４ｂは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ｂのチャネル領域と重なるように設けられている。また、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、図３に示すように、ゲート電極１４ｂを覆うように順に設けられている。また、ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７上に互いに離間するように設けられている。また、ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ｂのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続されている。
　なお、本実施形態では、トップゲート型の第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及び第３ＴＦＴ９ｃを例示したが、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及び第３ＴＦＴ９ｃは、ボトムゲート型であってもよい。
　キャパシタ９ｄは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線２０ａに電気的に接続されている。ここで、キャパシタ９ｄは、図３に示すように、第１配線層として設けられた下層導電層１４ｃと、下層導電層１４ｃを覆うように設けられた第１層間絶縁膜１５と、第１層間絶縁膜１５上に下層導電層１４ｃと重なるように第２配線層として設けられた上層導電層１６ｃとを備えている。なお、上層導電層１６ｃは、第２層間絶縁膜１７及び第１平坦化膜１９ａに形成されたコンタクトホール（不図示）を介して電源線２０ａに電気的に接続されている。
　第１平坦化膜１９ａ及び第２平坦化膜２１ａは、表示領域Ｄにおいて、平坦な表面を有し、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の有機樹脂材料、又はポリシロキサン系のＳＯＧ（spin on glass）材料等により構成されている。ここで、第１平坦化膜１９ａ及び第２平坦化膜２１ａの間には、図３に示すように、上述した電源線２０ａの他に、中継電極２０ｂが第４配線層として設けられている。
　有機ＥＬ素子層３５は、図３に示すように、ＴＦＴ層３０上に順に積層して設けられた複数の第１電極３１ａ、エッジカバー３２ａ、複数の有機ＥＬ層３３及び第２電極３４を備えている。
　複数の第１電極３１ａは、図３に示すように、複数のサブ画素Ｐに対応するように、第２平坦化膜２１ａ上にマトリクス状に設けられている。ここで、第１電極３１ａは、図３に示すように、第１平坦化膜１９ａに形成されたコンタクトホール、中継電極２０ｂ、及び第２平坦化膜２１ａに形成されたコンタクトホールを介して、各第３ＴＦＴ９ｃのドレイン電極１８ｄに電気的に接続されている。また、第１電極３１ａは、有機ＥＬ層３３にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極３１ａは、有機ＥＬ層３３への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第１電極３１ａを構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、イリジウム（Ｉｒ）、スズ（Ｓｎ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極３１ａを構成する材料は、例えば、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極３１ａを構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極３１ａは、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな化合物材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。具体的に第１電極３１ａは、例えば、厚さ１０ｎｍ程度のＩＴＯ膜、厚さ１００ｎｍ程度の銀膜及び厚さ１０ｎｍ程度のＩＴＯ膜を順に積層した積層膜等により構成されている。
　エッジカバー３２ａは、図３に示すように、各第１電極３１ａの周端部を覆うように格子状に設けられている。ここで、エッジカバー３２ａは、例えば、厚さ２．５μｍ程度のポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の有機樹脂材料、又はポリシロキサン系のＳＯＧ材料等により構成されている。
　複数の有機ＥＬ層３３は、図３に示すように、各第１電極３１ａ上に配置され、複数のサブ画素Ｐに対応するように、マトリクス状に発光機能層として設けられている。ここで、各有機ＥＬ層３３は、図５に示すように、第１電極３１ａ上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
　正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極３１ａと有機ＥＬ層３３とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極３１ａから有機ＥＬ層３３への正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。
　正孔輸送層２は、第１電極３１ａから有機ＥＬ層３３への正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
　発光層３は、第１電極３１ａ及び第２電極３４による電圧印加の際に、第１電極３１ａ及び第２電極３４から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
　電子輸送層４は、電子を発光層３まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
　電子注入層５は、第２電極３４と有機ＥＬ層３３とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極３４から有機ＥＬ層３３へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子の駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
　第２電極３４は、複数の有機ＥＬ層３３上に複数のサブ画素Ｐで共通するように、すなわち、図３に示すように、各有機ＥＬ層３３及びエッジカバー３２ａを覆うように設けられている。また、第２電極３４は、有機ＥＬ層３３に電子を注入する機能を有している。また、第２電極３４は、有機ＥＬ層３３への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。ここで、第２電極３４を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極３４は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極３４は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極３４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
　封止膜４０は、図３に示すように、第２電極３４を覆うように設けられ、第２電極３４上に順に積層された第１無機封止膜３６、有機封止膜３７及び第２無機封止膜３８を備え、有機ＥＬ素子層３５の有機ＥＬ層３３を水分や酸素から保護する機能を有している。ここで、第１無機封止膜３６及び第２無機封止膜３８は、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜により構成されている。また、有機封止膜３７は、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリ尿素樹脂、パリレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂等の有機樹脂材料により構成されている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、額縁領域Ｆにおいて、表示領域Ｄを囲むようにトレンチＧの外側に枠状に設けられた第１堰き止め壁Ｗａと、第１堰き止め壁Ｗａの周囲に枠状に設けられた第２堰き止め壁Ｗｂとを備えている。
　第１堰き止め壁Ｗａは、図６に示すように、第２平坦化膜２１ａと同一材料により同一層に形成された下側樹脂層２１ｂと、下側樹脂層２１ｂ上に接続配線３１ｂを介して設けられ、エッジカバー３２ａと同一材料により同一層に形成された上側樹脂層３２ｃとを備えている。ここで、接続配線３１ｂは、第１電極３１ａと同一材料により同一層に形成されている。なお、第１外側堰き止め壁Ｗａは、封止膜４０の有機封止膜３７の周端部に重なるように設けられ、有機封止膜３７となるインクの拡がりを抑制するように構成されている。
　第２堰き止め壁Ｗｂは、図６に示すように、第２平坦化膜２１ａと同一材料により同一層に形成された下側樹脂層２１ｃと、下側樹脂層２１ｃ上に接続配線３１ｂを介して設けられ、エッジカバー３２ａと同一材料により同一層に形成された上側樹脂層３２ｄとを備えている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの内側に第３配線層として枠状に設けられ、トレンチＧの開口した部分の両端部が端子部Ｔに延びる第１額縁配線１８ｈを備えている。ここで、第１額縁配線１８ｈは、第１平坦化膜１９ａに形成されたコンタクトホールを介して表示領域Ｄの電源線２０ａに電気的に接続され、端子部Ｔで高電源電圧（ＥＬＶＤＤ）が入力されるように構成されている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの外側に第３配線層として略Ｃ状に設けられ、両端部が端子部Ｔに延びる第２額縁配線１８ｉを備えている。ここで、第２額縁配線１８ｉは、図６に示すように、トレンチＧに設けられた接続配線３１ｂを介して表示領域Ｄの第２電極３４に電気的に接続され、端子部Ｔで低電源電圧（ＥＬＶＳＳ）が入力されるように構成されている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図６に示すように、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの両縁部で上方に突出するように島状に設けられた複数の周辺フォトスペーサ３２ｂを備えている。ここで、周辺フォトスペーサ３２ｂは、エッジカバー３２ａと同一材料により同一層に形成されている。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、図７に示すように、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂにおいて、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜にスリットＳが設けられている。ここで、スリットＳは、図７に示すように、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７を貫通して、樹脂基板層１０の表面を露出させるように、折り曲げ部Ｂの延びる方向に沿って突き抜ける溝状に設けられている。なお、スリットＳは、図７に示すように、第２樹脂基板層８（厚さ６μｍ程度）の表層（深さ０．５μｍ～３．０μｍ程度）にも設けられている。また、スリットＳが形成されたベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜の両縁部は、図７に示すように、第２樹脂基板層８の表層の側壁よりも内側に例えば０．５μｍ程度で突出するように庇状に設けられている。さらに、表示領域Ｄに配置された第１平坦化膜１９ａは、図7に示すように、折り曲げ部Ｂの外側の両側部において、スリットＳの幅方向の両端部を埋めると共に、その両端部の間の中間部で樹脂基板層１０の表面を露出させるように設けられている。ここで、第１平坦化膜１９ａは、図7に示すように、スリットＳの幅方向の両端部を埋めることにより、スリットＳが形成されたベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜の両縁部における庇状の部分の第２樹脂基板層８側を埋めるように設けられている。また、第１平坦化膜１９ａの折り曲げ部Ｂ側の側面は、図７に示すように、樹脂基板層１０側に向けて突出するように順テーパー状に傾斜している。また、第１平坦化膜１９ａの折り曲げ部Ｂ側の側面と、樹脂基板層１０の表面との角度θ（図７参照）は、２０°以下になっている。なお、第１平坦化膜１９ａの折り曲げ部Ｂ側の側面と樹脂基板層１０の表面との角度θが２０°よりも大きくなると、後述する引き回し配線２０ｃを形成する際に、隣り合う引き回し配線２０ｃの間に引き回し配線２０ｃを構成する金属膜が残り易くなるので、隣り合う引き回し配線２０ｃ同士が短絡するおそれがある。
　また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図７及び図８に示すように、折り曲げ部Ｂ及びその外側の両側部において、第１平坦化膜１９ａ及び樹脂基板層１０上に、折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数の引き回し配線２０ｃと、複数の引き回し配線２０ｃをそれぞれ覆うように設けられた複数の保護絶縁層２１ｄと、複数の保護絶縁層２１ｄを覆うように設けられた補強樹脂層４６とを備えている。ここで、有機ＥＬ表示装置５０ａの第１樹脂基板層６側の表面には、図７に示すように、折り曲げ部Ｂを除いて、保護シート４７が設けられている。なお、左右の保護シート４７の間隔は、例えば、幅２.０ｍｍ程度であり、保護シート４７の端とスリットＳとの距離は、例えば、２００μｍ程度である。
　引き回し配線２０ｃは、第４配線層として設けられ、電源線２０ａと同一材料により同一層に形成されている。ここで、引き回し配線２０ｃは、表示領域Ｄ側でソース線１８ｆ等の表示配線に電気的に接続され、端子部Ｔ側で端子Ｃに電気的に接続されている。
　保護絶縁層２１ｄは、第２平坦化膜２１ａと同一材料により同一層に形成されている。
　補強樹脂層４６は、例えば、厚さ１００μｍ程度のアクリル樹脂等により構成されている。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０ａでは、各サブ画素Ｐにおいて、ゲート線１４ｇを介して第１ＴＦＴ９ａにゲート信号が入力されることにより、第１ＴＦＴ９ａがオン状態となり、ソース線１８ｆを介して第２ＴＦＴ９ｂのゲート電極及びキャパシタ９ｄにソース信号に対応する所定の電圧が書き込まれて、発光制御線１４ｅを介して第３ＴＦＴ９ｃに発光制御信号が入力されたときに第３ＴＦＴ９ｃがオン状態となり、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧に応じた電流が電源線２０ａから有機ＥＬ層３３に供給されることにより、有機ＥＬ層３３の発光層３が発光して、画像表示が行われる。なお、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、第１ＴＦＴ９ａがオフ状態になっても、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧がキャパシタ９ｄによって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまで発光層３による発光が各サブ画素Ｐで維持される。
　次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法について説明する。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法は、ＴＦＴ層形成工程、有機ＥＬ素子層形成工程及び封止膜形成工程を備える。
　＜ＴＦＴ層形成工程＞
　まず、例えば、ガラス基板上に非感光性のポリイミド樹脂（厚さ６μｍ程度）を塗布した後、その塗布膜に対して、プリベーク及びポストベークを行うことにより、第１樹脂基板層６を形成する。
　続いて、第１樹脂基板層６が形成された基板表面に、例えば、プラズマＣＶＤ（chemical vapor deposition）法により、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜（厚さ５００ｎｍ程度）を成膜することにより、基板内無機絶縁膜７を形成する。
　さらに、基板内無機絶縁膜７が形成された基板表面に、例えば、非感光性のポリイミド樹脂（厚さ６μｍ程度）を塗布した後、その塗布膜に対して、プリベーク及びポストベークを行うことにより、第２樹脂基板層８を形成して、樹脂基板層１０を形成する。
　その後、樹脂基板層１０が形成された基板表面に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、酸化シリコン膜（厚さ５００ｎｍ程度）及び窒化シリコン膜（厚さ１００ｎｍ程度）を順に成膜することにより、ベースコート膜１１を形成する。
　続いて、ベースコート膜１１が形成された基板表面に、プラズマＣＶＤ法により、例えば、アモルファスシリコン膜（厚さ５０ｎｍ程度）を成膜し、そのアモルファスシリコン膜をレーザーアニール等により結晶化してポリシリコン膜の半導体膜を形成した後に、その半導体膜をパターニングして、半導体層１２ａ等を形成する。
　その後、半導体層１２ａ等が形成された基板表面に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜（１００ｎｍ程度）を成膜して、半導体層１２ａ等を覆うようにゲート絶縁膜１３を形成する。
　さらに、ゲート絶縁膜１３が形成された基板表面に、例えば、スパッタリング法により、モリブデン膜（厚さ２５０ｎｍ程度）を成膜した後に、そのモリブデン膜をパターニングして、ゲート線１４ｇ等の第１配線層を形成する。
　続いて、上記第１配線層をマスクとして、不純物イオンをドーピングすることにより、半導体層１２ａ等に真性領域及び導体領域を形成する。
　その後、真性領域及び導体領域を有する半導体層１２ａ等が形成された基板表面に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコン膜（厚さ１００ｎｍ程度）を成膜することにより、第１層間絶縁膜１５を形成する。
　続いて、第１層間絶縁膜１５が形成された基板表面に、例えば、スパッタリング法により、モリブデン膜（厚さ２５０ｎｍ程度）を成膜した後に、そのモリブデン膜をパターニングして、上層導電層１６ｃ等の第２配線層を形成する。
　さらに、上記第２配線層が形成された基板表面に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、酸化シリコン膜（厚さ３００ｎｍ程度）及び窒化シリコン膜（厚さ２００ｎｍ程度）を順に成膜することにより、第２層間絶縁膜１７を形成する。
　その後、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７をパターニングすることにより、コンタクトホールを形成する。
　さらに、折り曲げ部Ｂにおいて、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜をＳＦ６ガス、ＣＦ４ガス、Ｏ２ガス、Ａｒガス等を用いたドライエッチングにより除去して、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜にスリットＳを形成する。このとき、スリットＳから露出する第２樹脂基板層８の表層もドライエッチングにより除去される。
　その後、スリットＳが形成された基板表面に、例えば、スパッタリング法により、チタン膜（厚さ５０ｎｍ程度）、アルミニウム膜（厚さ６００ｎｍ程度）及びチタン膜（厚さ５０ｎｍ程度）を順に成膜した後に、それらの金属積層膜をパターニングして、ソース線１８ｆ等の第３配線層を形成する。
　さらに、上記第３配線層が形成された基板表面に、例えば、スピンコート法やスリットコート法により、感光性のポリイミド樹脂（厚さ２.５μｍ程度）を塗布した後に、その塗布膜に対して、プリベーク、露光、現像及びポストベークを行うことにより、第１平坦化膜１９ａ等を形成する。
　その後、第１平坦化膜１９ａ等が形成された基板表面に、例えば、スパッタリング法により、チタン膜（厚さ５０ｎｍ程度）、アルミニウム膜（厚さ６００ｎｍ程度）及びチタン膜（厚さ５０ｎｍ程度）を順に成膜した後に、それらの金属積層膜をパターニングして、電源線２０ａや引き回し配線２０ｃ等の第４配線層を形成する。
　最後に、上記第４配線層が形成された基板表面に、例えば、スピンコート法やスリットコート法により、ポリイミド系の感光性樹脂膜（厚さ２.５μｍ程度）を塗布した後に、その塗布膜に対して、プリベーク、露光、現像及びポストベークを行うことにより、第２平坦化膜２１ａや保護絶縁層２１ｄ等を形成する。
　以上のようにして、ＴＦＴ層３０を形成することができる。
　＜有機ＥＬ素子層形成工程（発光素子層形成工程）＞
　上記ＴＦＴ層形成工程で形成されたＴＦＴ層３０の第２平坦化膜２１ａ上に、周知の方法を用いて、第１電極３１ａ、エッジカバー３２ａ、有機ＥＬ層３３（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、電子注入層５）及び第２電極３４を形成して、有機ＥＬ素子層３５を形成する。
　＜封止膜形成工程＞
　まず、上記有機ＥＬ素子層形成工程で形成された有機ＥＬ素子層３５が形成された基板表面に、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により成膜して、第１無機封止膜３６を形成する。
　続いて、第１無機封止膜３６が形成された基板表面に、例えば、インクジェット法により、アクリル樹脂等の有機樹脂材料を成膜して、有機封止膜３７を形成する。
　その後、有機封止膜３７が形成された基板表面に、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により成膜して、第２無機封止膜３８を形成することにより、封止膜４０を形成する。
　さらに、封止膜４０が形成された基板表面に、表面側の保護シート（不図示）を貼付した後に、樹脂基板層１０のガラス基板側からレーザー光を照射することにより、樹脂基板層１０の下面からガラス基板を剥離させ、さらに、ガラス基板を剥離させた樹脂基板層１０の下面に裏面側の保護シート４７を貼付する。
　さらに、表面側の保護シートの折り曲げ部Ｂ及び端子部Ｔに重なる部分、並びに裏面側の保護シート４７の折り曲げ部Ｂに重なる部分を除去した後に、折り曲げ部Ｂの表面側に紫外線硬化型のアクリル樹脂をディスペンサー等により厚さ１００μｍ程度に塗布し、そのアクリル樹脂を硬化させることにより、補強樹脂層４６を形成する。
　以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａを製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａによれば、第１平坦化膜１９ａは、折り曲げ部Ｂの外側の両側部において、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成されたスリットＳの幅方向の両端部を埋めると共に、その両端部の間の中間部で樹脂基板層１０の表面を露出させるように設けられている。これにより、第１平坦化膜１９ａは、スリットＳの幅方向の中間部に位置する折り曲げ部Ｂに実質的に存在しないので、有機ＥＬ表示装置５０ａを折り曲げ部Ｂで折り曲げても、第１平坦化膜１９ａにクラックが発生し難くなる。また、複数の引き回し配線２０ｃは、電源線２０ａ等の第４配線層と同一材料により同一層に形成され、折り曲げ部Ｂ及びその外側の両側部において、樹脂基板層１０及び第１平坦化膜１９ａ上に設けられているので、第１平坦化膜１９ａにおけるクラックの発生が抑制されることにより、折り曲げ部Ｂにおける引き回し配線２０ｃの断線を抑制することができる。したがって、第１平坦化膜１９ａにおけるクラックの発生を抑制して、折り曲げ部Ｂにおいて、引き回し配線２０ｃの断線を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａによれば、第１平坦化膜１９ａの折り曲げ部Ｂ側の側面と樹脂基板層１０の表面との角度θが２０°以下になっているので、隣り合う引き回し配線２０ｃ同士の短絡を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａによれば、複数の引き回し配線２０ｃが、複数の保護絶縁層２１ｄでそれぞれ覆われているので、第１電極３１ａを形成する際に使用するエッチャントによる各引き回し配線２０ｃのアルミニウム層のエッチングが抑制され、各引き回し配線２０ｃの配線細りを抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａによれば、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成されたスリットＳが第２樹脂基板層８の表層にも設けられているので、有機ＥＬ表示装置５０ａを折り曲げ部Ｂで折り曲げ易くすることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａによれば、複数の保護絶縁層２１ｄが互いに分離して設けられ、折り曲げ部Ｂ全体に一体に設けられていないので、複数の保護絶縁層２１ｄにおけるクラックの発生を抑制することができる。
　《第２の実施形態》
　図９及び図１０は、本発明に係る表示装置の第２の実施形態を示している。ここで、図９は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの額縁領域Ｆの断面図であり、図７に相当する図である。また、図１０は、有機ＥＬ表示装置５０ｂの折り曲げ部Ｂの断面図であり、図８に相当する図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図８と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
　上記第１の実施形態では、引き回し配線２０ｃが保護絶縁層２１ｄで覆われた有機ＥＬ表示装置５０ａを例示したが、本実施形態では、引き回し配線２０ｃが保護導電層３１ｃで覆われた有機ＥＬ表示装置５０ｂを例示する。
　有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ層３０と、ＴＦＴ層３０上に設けられた有機ＥＬ素子層３５と、有機ＥＬ素子層３５上に設けられた封止膜４０とを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、表示領域Ｄを囲むようにトレンチＧの外側に枠状に設けられた第１堰き止め壁Ｗａと、第１堰き止め壁Ｗａの周囲に枠状に設けられた第２堰き止め壁Ｗｂとを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの内側に第３配線層として枠状に設けられ、トレンチＧの開口した部分の両端部が端子部Ｔに延びる第１額縁配線１８ｈを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの外側に第３配線層として略Ｃ状に設けられ、両端部が端子部Ｔに延びる第２額縁配線１８ｉを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの両縁部で上方に突出するように島状に設けられた複数の周辺フォトスペーサ３２ｂを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｂでは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、図９に示すように、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂにおいて、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜にスリットＳが設けられている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｂは、図９及び図１０に示すように、折り曲げ部Ｂ及びその外側の両側部において、第１平坦化膜１９ａ及び樹脂基板層１０上に、折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数の引き回し配線２０ｃと、複数の引き回し配線２０ｃをそれぞれ覆うように設けられた複数の保護導電層３１ｃと、複数の保護導電層３１ｃを覆うように設けられた補強樹脂層４６とを備えている。ここで、有機ＥＬ表示装置５０ｂの第１樹脂基板層６側の表面には、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、図９に示すように、折り曲げ部Ｂを除いて、保護シート４７が設けられている。なお、保護導電層３１ｃは、その厚さが１００ｎｍ程度である場合、引き回し配線２０ｃを完全に覆うことが困難であるものの、保護導電層３１ｃをパターニングする際に使用する厚さ２μｍ程度のレジストパターンで引き回し配線２０ｃが覆われることにより、第１電極３１ａ（及び保護導電層３１ｃ）を形成する際に使用するエッチャントによる各引き回し配線２０ｃのアルミニウム層のエッチングを抑制することができる。
　保護導電層３１ｃは、第１電極３１ａと同一材料により同一層に形成されている。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及び第３ＴＦＴ９ｃを介して有機ＥＬ層３３の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法において、第２平坦化膜２１ａを形成する際に保護絶縁層２１ｄを形成する代わりに、第１電極３１ａを形成する際に保護導電層３１ｃを形成することにより製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂによれば、第１平坦化膜１９ａは、折り曲げ部Ｂの外側の両側部において、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成されたスリットＳの幅方向の両端部を埋めると共に、その両端部の間の中間部で樹脂基板層１０の表面を露出させるように設けられている。これにより、第１平坦化膜１９ａは、スリットＳの幅方向の中間部に位置する折り曲げ部Ｂに実質的に存在しないので、有機ＥＬ表示装置５０ｂを折り曲げ部Ｂで折り曲げても、第１平坦化膜１９ａにクラックが発生し難くなる。また、複数の引き回し配線２０ｃは、電源線２０ａ等の第４配線層と同一材料により同一層に形成され、折り曲げ部Ｂ及びその外側の両側部において、樹脂基板層１０及び第１平坦化膜１９ａ上に設けられているので、第１平坦化膜１９ａにおけるクラックの発生が抑制されることにより、折り曲げ部Ｂにおける引き回し配線２０ｃの断線を抑制することができる。したがって、第１平坦化膜１９ａにおけるクラックの発生を抑制して、折り曲げ部Ｂにおいて、引き回し配線２０ｃの断線を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂによれば、第１平坦化膜１９ａの折り曲げ部Ｂ側の側面と樹脂基板層１０の表面との角度θが２０°以下になっているので、隣り合う引き回し配線２０ｃ同士の短絡を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂによれば、複数の引き回し配線２０ｃが、複数の保護導電層３１ｃでそれぞれ覆われているので、第１電極３１ａを形成する際に使用するエッチャントによる各引き回し配線２０ｃのアルミニウム層のエッチングが抑制され、各引き回し配線２０ｃの配線細りを抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂによれば、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成されたスリットＳが第２樹脂基板層８の表層にも設けられているので、有機ＥＬ表示装置５０ａを折り曲げ部Ｂで折り曲げ易くすることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂによれば、折り曲げ部Ｂにおいて、第２平坦化膜２１ａと同一材料により同一層に形成された層が設けられていないので、有機ＥＬ表示装置５０ｂを折り曲げ部Ｂで折り曲げても、第２平坦化膜２１ａにクラックが発生し難くなる。これにより、第２平坦化膜２１ａにおけるクラックの発生が抑制されるので、折り曲げ部Ｂにおける引き回し配線２０ｃの断線をいっそう抑制することができる。
　《第３の実施形態》
　図１１は、本発明に係る表示装置の第３の実施形態を示している。ここで、図１１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃの額縁領域Ｆの断面図であり、図７に相当する図である。
　上記第１及び第２の実施形態では、引き回し配線２０ｃが保護絶縁層２１ｄ及び保護導電層３１ｃで覆われた有機ＥＬ表示装置５０ａ及び５０ｂを例示したが、本実施形態では、引き回し配線２０ｃが保護絶縁層２１ｄや保護導電層３１ｃで覆われていない有機ＥＬ表示装置５０ｃを例示する。
　有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ層３０と、ＴＦＴ層３０上に設けられた有機ＥＬ素子層３５と、有機ＥＬ素子層３５上に設けられた封止膜４０とを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、表示領域Ｄを囲むようにトレンチＧの外側に枠状に設けられた第１堰き止め壁Ｗａと、第１堰き止め壁Ｗａの周囲に枠状に設けられた第２堰き止め壁Ｗｂとを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの内側に第３配線層として枠状に設けられ、トレンチＧの開口した部分の両端部が端子部Ｔに延びる第１額縁配線１８ｈを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの外側に第３配線層として略Ｃ状に設けられ、両端部が端子部Ｔに延びる第２額縁配線１８ｉを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの両縁部で上方に突出するように島状に設けられた複数の周辺フォトスペーサ３２ｂを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｃでは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、図１１に示すように、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂにおいて、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜にスリットＳが設けられている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｃは、図１１に示すように、折り曲げ部Ｂ及びその外側の両側部において、第１平坦化膜１９ａ及び樹脂基板層１０上に、折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数の引き回し配線２０ｄと、複数の引き回し配線２０ｄを覆うように設けられた補強樹脂層４６とを備えている。ここで、有機ＥＬ表示装置５０ｃの第１樹脂基板層６側の表面には、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、図１１に示すように、折り曲げ部Ｂを除いて、保護シート４７が設けられている。
　引き回し配線２０ｄは、第４配線層として設けられ、電源線２０ａと同一材料により同一層に形成されている。ここで、引き回し配線２０ｄは、表示領域Ｄ側でソース線１８ｆ等の表示配線に電気的に接続され、端子部Ｔ側で端子Ｃに電気的に接続されている。なお、引き回し配線２０ｄの幅は、例えば、１０μｍ程度であり、第１電極３１ａを形成する際に使用するエッチャントによる配線細りを考慮して、上記第１の実施形態の引き回し配線２０ｃの幅（例えば、６μｍ程度）よりも大きくなっている。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及び第３ＴＦＴ９ｃを介して有機ＥＬ層３３の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法において、第２平坦化膜２１ａを形成する際に保護絶縁層２１ｄを形成する代わりに、電源線２０ａを形成する際に形成する引き回し配線２０ｃの配線幅を変更することにより製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃによれば、第１平坦化膜１９ａは、折り曲げ部Ｂの外側の両側部において、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成されたスリットＳの幅方向の両端部を埋めると共に、その両端部の間の中間部で樹脂基板層１０の表面を露出させるように設けられている。これにより、第１平坦化膜１９ａは、スリットＳの幅方向の中間部に位置する折り曲げ部Ｂに実質的に存在しないので、有機ＥＬ表示装置５０ｃを折り曲げ部Ｂで折り曲げても、第１平坦化膜１９ａにクラックが発生し難くなる。また、複数の引き回し配線２０ｄは、電源線２０ａ等の第４配線層と同一材料により同一層に形成され、折り曲げ部Ｂ及びその外側の両側部において、樹脂基板層１０及び第１平坦化膜１９ａ上に設けられているので、第１平坦化膜１９ａにおけるクラックの発生が抑制されることにより、折り曲げ部Ｂにおける引き回し配線２０ｄの断線を抑制することができる。したがって、第１平坦化膜１９ａにおけるクラックの発生を抑制して、折り曲げ部Ｂにおいて、引き回し配線２０ｄの断線を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃによれば、第１平坦化膜１９ａの折り曲げ部Ｂ側の側面と樹脂基板層１０の表面との角度θが２０°以下になっているので、隣り合う引き回し配線２０ｄ同士の短絡を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃによれば、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成されたスリットＳが第２樹脂基板層８の表層にも設けられているので、有機ＥＬ表示装置５０ｃを折り曲げ部Ｂで折り曲げ易くすることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃによれば、折り曲げ部Ｂにおいて、第２平坦化膜２１ａと同一材料により同一層に形成された層が設けられていないので、有機ＥＬ表示装置５０ｃを折り曲げ部Ｂで折り曲げても、第２平坦化膜２１ａにクラックが発生し難くなる。これにより、第２平坦化膜２１ａにおけるクラックの発生が抑制されるので、折り曲げ部Ｂにおける引き回し配線２０ｄの断線をいっそう抑制することができる。
　《第４の実施形態》
　図１２及び図１３は、本発明に係る表示装置の第４の実施形態を示している。ここで、図１２は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄの表示領域Ｄの断面図であり、図３に相当する図である。また、図１３は、有機ＥＬ表示装置５０ｄの額縁領域Ｆの断面図であり、図７に相当する図である。また、図１４は、有機ＥＬ表示装置５０ｄの変形例として例示する有機ＥＬ表示装置５０ｅの額縁領域の断面図であり、図７に相当する図である。
　上記第１、第２及び第３の実施形態では、タッチパネル層のない有機ＥＬ表示装置５０ａ、５０ｂ及び５０ｃを例示したが、本実施形態では、タッチパネル層４５を備えた有機ＥＬ表示装置５０ｄを例示する。
　有機ＥＬ表示装置５０ｄは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｄは、図１２に示すように、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ層３０と、ＴＦＴ層３０上に発光素子層として設けられた有機ＥＬ素子層３５と、有機ＥＬ素子層３５を覆うように設けられた封止膜４０と、封止膜４０上に設けられたタッチパネル層４５とを備えている。
　タッチパネル層４５は、図１２に示すように、封止膜４０上に設けられ、封止膜４０の第２無機封止膜３８上に順に積層された第１タッチ配線層４１ａ、第３層間絶縁膜４２、第２タッチ配線層４３ａ及びオーバーコート膜４４ａを備えている。
　第１タッチ配線層４１ａは、表示領域Ｄにおいて、例えば、図１のＸ方向に互いに平行に延びるように、図１２に示すように、第２無機封止膜３８上に複数設けられている。
　第３層間絶縁膜４２は、図１２に示すように、各第１タッチ配線層４１ａを覆うように設けられている。ここで、第３層間絶縁膜４２は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
　第２タッチ配線層４３ａは、表示領域Ｄにおいて、例えば、図１のＹ方向に互いに平行に延びるように、図１２に示すように、第３層間絶縁膜４２上に複数設けられている。
　オーバーコート膜４４ａは、図１２に示すように、第３層間絶縁膜４２上において、各第２タッチ配線層４３ａを覆うように設けられている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｄは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、表示領域Ｄを囲むようにトレンチＧの外側に枠状に設けられた第１堰き止め壁Ｗａと、第１堰き止め壁Ｗａの周囲に枠状に設けられた第２堰き止め壁Ｗｂとを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｄは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの内側に第３配線層として枠状に設けられ、トレンチＧの開口した部分の両端部が端子部Ｔに延びる第１額縁配線１８ｈを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｄは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの外側に第３配線層として略Ｃ状に設けられ、両端部が端子部Ｔに延びる第２額縁配線１８ｉを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｄは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの両縁部で上方に突出するように島状に設けられた複数の周辺フォトスペーサ３２ｂを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｄでは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、図１３に示すように、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂにおいて、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜にスリットＳが設けられている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｄは、図１３に示すように、折り曲げ部Ｂ及びその外側の両側部において、第１平坦化膜１９ａ及び樹脂基板層１０上に、折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数の引き回し配線４１ｂと、複数の引き回し配線４１ｂを覆うように設けられた補強樹脂層４６とを備えている。ここで、有機ＥＬ表示装置５０ｄの第１樹脂基板層６側の表面には、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、図１３に示すように、折り曲げ部Ｂを除いて、保護シート４７が設けられている。
　引き回し配線４１ｂは、第１タッチ配線層４１ａと同一材料により同一層に形成されている。ここで、引き回し配線４１ｄは、表示領域Ｄ側でソース線１８ｆ等の表示配線に電気的に接続され、端子部Ｔ側で端子Ｃに電気的に接続されている。なお、本実施形態では、第１タッチ配線層４１ａと同一材料により同一層に形成された引き回し配線４１ｄを例示したが、引き回し配線４１ｄは、第２タッチ配線層４３ａと同一材料により同一層に形成されていてもよい。
　なお、本実施形態では、折り曲げ部Ｂ及びその外側の両側部において、各引き回し配線４１ｂを覆うように補強樹脂層４６が設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｄを例示したが、折り曲げ部Ｂ及びその外側の両側部において、各引き回し配線４１ｂを覆うようにオーバーコート層４４ｂが設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｅであってもよい。ここで、オーバーコート層４４ｂは、表示領域Ｄに設けられたオーバーコート膜４４ａと同一材料により同一層に形成されている。この有機ＥＬ表示装置５０ｅによれば、有機ＥＬ表示装置５０ｄのように、折り曲げ部Ｂに補強樹脂層４６を形成する必要がなくなるので、有機ＥＬ表示装置５０ｅの製造コストを低くすることができる。なお、ＴＦＴ層形成工程で形成される第１平坦化膜１９ａ及び第２平坦化膜２１ａは、高精細で高温耐性が必要であるものの、ＴＦＴ層形成工程の後に形成されるオーバーコート膜４４ａ及びオーバーコート層４４ｂは、高精細や高温耐性が不要であるので、材質的にクラックが発生し難くなっている。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０ｄは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及び第３ＴＦＴ９ｃを介して有機ＥＬ層３３の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。また、有機ＥＬ表示装置５０ｄは、表示領域Ｄのオーバーコート層４４ａの表面がタッチされることにより、第１タッチ配線層４１ａ及び第２タッチ配線層４３ａの交点上で発生する静電容量の変化に基づいて、位置検出回路がタッチされた位置を計算して検出するように構成されている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法における封止膜形成工程において、封止膜４０を形成する工程と、封止膜４０が形成された基板表面に表面側の保護シートを貼付する工程との間に、以下のタッチパネル層形成工程を行うことにより製造することができる。
　＜タッチパネル層形成工程＞
　まず、封止膜形成工程で封止膜４０が形成された基板表面に、例えば、スパッタリング法により、チタン膜（厚さ５０ｎｍ程度）、アルミニウム膜（厚さ３００ｎｍ程度）及びチタン膜（厚さ５０ｎｍ程度）を順に成膜した後に、それらの金属積層膜をパターニングして、第１タッチ配線層４１ａ等を形成する。
　続いて、第１タッチ配線層４１ａ等が形成された基板表面に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコン膜（４００ｎｍ程度）を成膜して、第３層間絶縁膜４２を形成する。
　さらに、第３層間絶縁膜４２が形成された基板表面に、例えば、スパッタリング法により、チタン膜（厚さ５０ｎｍ程度）、アルミニウム膜（厚さ３００ｎｍ程度）及びチタン膜（厚さ５０ｎｍ程度）を順に成膜した後に、それらの金属積層膜をパターニングして、第２タッチ配線層４３ａ等を形成する。
　その後、第２タッチ配線層４３ａ等が形成された基板表面に、例えば、スピンコート法やスリットコート法により、感光性の透明なアクリル樹脂（厚さ２.０ｍ程度）を塗布した後に、その塗布膜に対して、プリベーク、露光、現像及びポストベークを行うことにより、オーバーコート膜４４ａ等を形成して、タッチパネル層４５を形成する。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄによれば、第１平坦化膜１９ａは、折り曲げ部Ｂの外側の両側部において、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成されたスリットＳの幅方向の両端部を埋めると共に、その両端部の間の中間部で樹脂基板層１０の表面を露出させるように設けられている。これにより、第１平坦化膜１９ａは、スリットＳの幅方向の中間部に位置する折り曲げ部Ｂに実質的に存在しないので、有機ＥＬ表示装置５０ｄを折り曲げ部Ｂで折り曲げても、第１平坦化膜１９ａにクラックが発生し難くなる。また、複数の引き回し配線４１ｂは、第１タッチ配線層４１ａと同一材料により同一層に形成され、折り曲げ部Ｂ及びその両側部において、樹脂基板層１０及び第１平坦化膜１９ａ上に設けられているので、第１平坦化膜１９ａにおけるクラックの発生が抑制されることにより、折り曲げ部Ｂにおける引き回し配線４１ｂの断線を抑制することができる。したがって、第１平坦化膜１９ａにおけるクラックの発生を抑制して、折り曲げ部Ｂにおいて、引き回し配線４１ｂの断線を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄによれば、第１平坦化膜１９ａの折り曲げ部Ｂ側の側面と樹脂基板層１０の表面との角度θが２０°以下になっているので、隣り合う引き回し配線４１ｂ同士の短絡を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄによれば、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成されたスリットＳが第２樹脂基板層８の表層にも設けられているので、有機ＥＬ表示装置５０ｄを折り曲げ部Ｂで折り曲げ易くすることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄによれば、折り曲げ部Ｂにおいて、第２平坦化膜２１ａと同一材料により同一層に形成された層が設けられていないので、有機ＥＬ表示装置５０ｄを折り曲げ部Ｂで折り曲げても、第２平坦化膜２１ａにクラックが発生し難くなる。これにより、第２平坦化膜２１ａにおけるクラックの発生が抑制されるので、折り曲げ部Ｂにおける引き回し配線４１ｂの断線をいっそう抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄによれば、複数の引き回し配線４１ｂが、第１タッチ配線層４１ａと同一材料により同一層に形成されているので、第１電極３１ａを形成する際に使用するエッチャントにより、引き回し配線４１ｂがエッチングされることがなく、第１電極３１ａを形成する際に使用するエッチャントによる引き回し配線４１ｂの配線細りを考慮する必要がない。
　《第５の実施形態》
　図１５及び図１６は、本発明に係る表示装置の第５の実施形態を示している。ここで、図１５は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｆの表示領域Ｄの断面図であり、図３に相当する図である。また、図１６は、有機ＥＬ表示装置５０ｆの額縁領域Ｆの断面図であり、図７に相当する図である。
　上記第１、第２、第３及び第４の実施形態では、第４配線層として電源線２０ａ等が設けられたＴＦＴ層３０を備えた有機ＥＬ表示装置５０ａ、５０ｂ、５０ｃ及び５０ｄ（５０ｅ）を例示したが、本実施形態では、第４配線層が省略されたＴＦＴ層３０ｆを備えた有機ＥＬ表示装置５０ｆを例示する。
　有機ＥＬ表示装置５０ｆは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｆは、図１５に示すように、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ層３０ｆと、ＴＦＴ層３０ｆ上に設けられた有機ＥＬ素子層３５と、有機ＥＬ素子層３５を覆うように設けられた封止膜４０とを備えている。
　ＴＦＴ層３０ｆは、図１５に示すように、樹脂基板層１０上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ９ａ、複数の第２ＴＦＴ９ｂ（図４参照）、複数の第３ＴＦＴ９ｃ及び複数のキャパシタ９ｄと、各第１ＴＦＴ９ａ、各第２ＴＦＴ９ｂ及び各第３ＴＦＴ９ｃ上に設けられた第２平坦化膜２１ａとを備えている。
　ＴＦＴ層３０ｆでは、図１５に示すように、樹脂基板層１０上に、ベースコート膜１１半導体層１２ａ等の半導体パターン層、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４ａ等の第１配線層、第１層間絶縁膜１５、上層導電層１６ｃ等の第２配線層、第２層間絶縁膜１７、ソース電極１８ａ等の第３配線層、及び第２平坦化膜２１ａが順に積層されている。
　ＴＦＴ層３０ｆでは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａのＴＦＴ層３０と同様に、複数のゲート線１４ｇが第１配線層として設けられている。また、ＴＦＴ層３０ｆでは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａのＴＦＴ層３０と同様に、互いに平行に延びるように複数の発光制御線１４ｅが第１配線層として設けられている。また、ＴＦＴ層３０ｆでは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａのＴＦＴ層３０と同様に、互いに平行に延びるように複数のソース線１８ｆが第３配線層として設けられている。また、ＴＦＴ層３０ｆでは、互いに平行に延びるように複数の電源線（不図示）が第３配線層として設けられている。ここで、各電源線は、各ソース線１８ｆと隣り合うように設けられている。また、ＴＦＴ層３０ｆでは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａのＴＦＴ層３０と同様に、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、第３ＴＦＴ９ｃ及びキャパシタ９ｄがそれぞれ設けられている。ここで、キャパシタ９ｄの上層導電層１６ｃは、第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールを介して電源線に電気的に接続されている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｆは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、表示領域Ｄを囲むようにトレンチＧの外側に枠状に設けられた第１堰き止め壁Ｗａと、第１堰き止め壁Ｗａの周囲に枠状に設けられた第２堰き止め壁Ｗｂとを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｆは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの内側に第３配線層として枠状に設けられ、トレンチＧの開口した部分の両端部が端子部Ｔに延びる第１額縁配線１８ｈを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｆは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの外側に第３配線層として略Ｃ状に設けられ、両端部が端子部Ｔに延びる第２額縁配線１８ｉを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｆは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの両縁部で上方に突出するように島状に設けられた複数の周辺フォトスペーサ３２ｂを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｆでは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、図１６に示すように、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂにおいて、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜にスリットＳが設けられている。ここで、第１平坦化膜１９ｆは、図１６に示すように、折り曲げ部Ｂの外側の両側部において、スリットＳの幅方向の両端部を埋めると共に、その両端部の間の中間部で樹脂基板層１０の表面を露出させるように他の平坦化膜として設けられている。なお、第１平坦化膜１９ｆは、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の有機樹脂材料、又はポリシロキサン系のＳＯＧ（spin on glass）材料等により構成されている。そして、第１平坦化膜１９ｆは、図１６に示すように、スリットＳの幅方向の両端部を埋めることにより、スリットＳが形成されたベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜の両縁部における庇状の部分の第２樹脂基板層８側を埋めるように設けられている。また、第１平坦化膜１９ｆの折り曲げ部Ｂ側の側面は、図１６に示すように、樹脂基板層１０側に向けて突出するように順テーパー状に傾斜している。また、第１平坦化膜１９ｆの折り曲げ部Ｂ側の側面と、樹脂基板層１０の表面との角度θ（図１６参照）は、２０°以下になっている。なお、第１平坦化膜１９ｆの折り曲げ部Ｂ側の側面と樹脂基板層１０の表面との角度θが２０°よりも大きくなると、後述する引き回し配線１８ｊを形成する際に、隣り合う引き回し配線１８ｊの間に引き回し配線１８ｊを構成する金属膜が残り易くなるので、隣り合う引き回し配線１８ｊ同士が短絡するおそれがある。
　有機ＥＬ表示装置５０ｆは、図１６に示すように、折り曲げ部Ｂ及びその外側の両側部において、第１平坦化膜１９ｆ及び樹脂基板層１０上に、折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数の引き回し配線１８ｊと、複数の引き回し配線１８ｊをそれぞれ覆うように設けられた複数の保護絶縁層２１ｄと、複数の保護絶縁層２１ｄを覆うように設けられた補強樹脂層４６とを備えている。ここで、有機ＥＬ表示装置５０ｆの第１樹脂基板層６側の表面には、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、図１６に示すように、折り曲げ部Ｂを除いて、保護シート４７が設けられている。
　引き回し配線１８ｊは、第３配線層として設けられ、ソース線１８ｆと同一材料により同一層に形成されている。ここで、引き回し配線１８ｊは、表示領域Ｄ側でソース線１８ｆ等の表示配線に電気的に接続され、端子部Ｔ側で端子Ｃに電気的に接続されている。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０ｆは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及び第３ＴＦＴ９ｃを介して有機ＥＬ層３３の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｆは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法のＴＦＴ層形成工程において、スリットＳを形成した後に、折り曲げ部Ｂの外側の両側部だけに第１平坦化膜１９ｆを形成し、ソース線１８ｆ等の第３配線層及び第２平坦化膜２１ａを順に形成して、ＴＦＴ層３０ｆを形成することにより製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｆによれば、第１平坦化膜１９ｆは、折り曲げ部Ｂの外側の両側部において、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成されたスリットＳの幅方向の両端部を埋めると共に、その両端部の間の中間部で樹脂基板層１０の表面を露出させるように設けられている。これにより、第１平坦化膜１９ｆは、スリットＳの幅方向の中間部に位置する折り曲げ部Ｂに実質的に存在しないので、有機ＥＬ表示装置５０ｆを折り曲げ部Ｂで折り曲げても、第１平坦化膜１９ｆにクラックが発生し難くなる。また、複数の引き回し配線１８ｊは、ソース線１８ｆ等の第３配線層と同一材料により同一層に形成され、折り曲げ部Ｂ及びその外側の両側部において、樹脂基板層１０及び第１平坦化膜１９ｆ上に設けられているので、第１平坦化膜１９ｆにおけるクラックの発生が抑制されることにより、折り曲げ部Ｂにおける引き回し配線１８ｊの断線を抑制することができる。したがって、第１平坦化膜１９ｆにおけるクラックの発生を抑制して、折り曲げ部Ｂにおいて、引き回し配線１８ｊの断線を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｆによれば、第１平坦化膜１９ｆの折り曲げ部Ｂ側の側面と樹脂基板層１０の表面との角度θが２０°以下になっているので、隣り合う引き回し配線１８ｊ同士の短絡を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｆによれば、複数の引き回し配線１８ｊが、複数の保護絶縁層２１ｄでそれぞれ覆われているので、第１電極３１ａを形成する際に使用するエッチャントによる各引き回し配線１８ｊのアルミニウム層のエッチングが抑制され、各引き回し配線１８ｊの配線細りを抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｆによれば、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成されたスリットＳが第２樹脂基板層８の表層にも設けられているので、有機ＥＬ表示装置５０ｆを折り曲げ部Ｂで折り曲げ易くすることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｆによれば、複数の保護絶縁層２１ｄが互いに分離して設けられ、折り曲げ部Ｂ全体に一体に設けられていないので、複数の保護絶縁層２１ｄにおけるクラックの発生を抑制することができる。
　《第６の実施形態》
　図１７～図１９は、本発明に係る表示装置の第５の実施形態を示している。ここで、図１７は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｇの表示領域Ｄの断面図であり、図３に相当する図である。また、図１８は、有機ＥＬ表示装置５０ｇの額縁領域Ｆの断面図であり、図７に相当する図である。また、図１９は、有機ＥＬ表示装置５０ｇの製造工程の一部を示す断面図であり、図７に相当する図である。
　上記第５の実施形態では、第４配線層が省略されたＴＦＴ層３０ｆを備えた有機ＥＬ表示装置５０ｆを例示したが、本実施形態では、ＴＦＴ層３０ｆ及びタッチパネル層４５を備えた有機ＥＬ表示装置５０ｇを例示する。
　有機ＥＬ表示装置５０ｇは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｇは、図１７に示すように、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ層３０ｆと、ＴＦＴ層３０ｆ上に設けられた有機ＥＬ素子層３５と、有機ＥＬ素子層３５を覆うように設けられた封止膜４０と、封止膜４０上に設けられたタッチパネル層４５とを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｇは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、表示領域Ｄを囲むようにトレンチＧの外側に枠状に設けられた第１堰き止め壁Ｗａと、第１堰き止め壁Ｗａの周囲に枠状に設けられた第２堰き止め壁Ｗｂとを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｇは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの内側に第３配線層として枠状に設けられ、トレンチＧの開口した部分の両端部が端子部Ｔに延びる第１額縁配線１８ｈを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｇは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの外側に第３配線層として略Ｃ状に設けられ、両端部が端子部Ｔに延びる第２額縁配線１８ｉを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｇは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの両縁部で上方に突出するように島状に設けられた複数の周辺フォトスペーサ３２ｂを備えている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｇでは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、図１８に示すように、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂにおいて、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜にスリットＳが設けられている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｇは、図１８に示すように、折り曲げ部Ｂ及びその外側の両側部において、第１平坦化膜１９ｆ及び樹脂基板層１０上に、折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数の引き回し配線１８ｊと、折り曲げ部Ｂの外側の両側部において、複数の引き回し配線１８ｊを覆うように順に設けられた保護絶縁層２１ｅ及びオーバーコート層４４ｃの積層膜と、折り曲げ部Ｂにおいて、複数の引き回し配線１８ｊを覆うように設けられた補強樹脂層４６とを備えている。ここで、有機ＥＬ表示装置５０ｇの第１樹脂基板層６側の表面には、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、図１８に示すように、折り曲げ部Ｂを除いて、保護シート４７が設けられている。また、保護絶縁層２１ｅは、第２平坦化膜２１ａと同一材料により同一層に形成されている。また、オーバーコート層４４ｃは、オーバーコート膜４４ａと同一材料により同一層に形成されている。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０ｇは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及び第３ＴＦＴ９ｃを介して有機ＥＬ層３３の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。また、有機ＥＬ表示装置５０ｇは、表示領域Ｄのオーバーコート層４４ａの表面がタッチされることにより、第１タッチ配線層４１ａ及び第２タッチ配線層４３ａの交点上で発生する静電容量の変化に基づいて、位置検出回路がタッチされた位置を計算して検出するように構成されている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｇは、上記第５の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｆの製造方法のように、ＴＦＴ層３０ｆを形成した後に、上記第４の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄの製造方法と同様に、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法における封止膜形成工程において、封止膜４０を形成する工程と、封止膜４０が形成された基板表面に表面側の保護シートを貼付する工程との間に、タッチパネル層形成工程を行うことにより製造することができる。ここで、有機ＥＬ素子層形成工程において、第１電極３１ａを形成する際には、各引き回し配線１８ｊが保護絶縁層２１ｅとなる樹脂膜２１（図１９参照）に覆われているので、第１電極３１ａを形成する際に使用するエッチャントによる各引き回し配線１８ｊのアルミニウム層のエッチングを抑制することができる。そして、タッチパネル層形成工程において、第２タッチ配線層４３ａ等が形成された基板表面に、例えば、スピンコート法やスリットコート法により、厚さ２.０ｍ程度の非感光性の透明なアクリル樹脂膜４４を形成し、図１９に示すように、アクリル樹脂膜４４上にレジストパターンＲを形成した後に、レジストパターンＲから露出するアクリル樹脂膜４４及び樹脂膜２１をＳＦ６ガス、ＣＦ４ガス、Ｏ２ガス等を用いたドライエッチングで除去して、保護絶縁層２１ｅ及びオーバーコート層４４ｃが形成される。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｇによれば、第１平坦化膜１９ｆは、折り曲げ部Ｂの外側の両側部において、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成されたスリットＳの幅方向の両端部を埋めると共に、その両端部の間の中間部で樹脂基板層１０の表面を露出させるように設けられている。これにより、第１平坦化膜１９ｆは、スリットＳの幅方向の中間部に位置する折り曲げ部Ｂに実質的に存在しないので、有機ＥＬ表示装置５０ｇを折り曲げ部Ｂで折り曲げても、第１平坦化膜１９ｆにクラックが発生し難くなる。また、複数の引き回し配線１８ｊは、ソース線１８ｆ等の第３配線層と同一材料により同一層に形成され、折り曲げ部Ｂ及びその外側の両側部において、樹脂基板層１０及び第１平坦化膜１９ｆ上に設けられているので、第１平坦化膜１９ｆにおけるクラックの発生が抑制されることにより、折り曲げ部Ｂにおける引き回し配線１８ｊの断線を抑制することができる。したがって、第１平坦化膜１９ｆにおけるクラックの発生を抑制して、折り曲げ部Ｂにおいて、引き回し配線１８ｊの断線を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｇによれば、第１平坦化膜１９ｆの折り曲げ部Ｂ側の側面と樹脂基板層１０の表面との角度θが２０°以下になっているので、隣り合う引き回し配線１８ｊ同士の短絡を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｇによれば、複数の引き回し配線１８ｊが、第１電極３１ａを形成する際に樹脂膜２１で覆われているので、第１電極３１ａを形成する際に使用するエッチャントによる各引き回し配線１８ｊのアルミニウム層のエッチングが抑制され、各引き回し配線１８ｊの配線細りを抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｇによれば、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成されたスリットＳが第２樹脂基板層８の表層にも設けられているので、有機ＥＬ表示装置５０ｇを折り曲げ部Ｂで折り曲げ易くすることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｇによれば、折り曲げ部Ｂにおいて、第２平坦化膜２１ａと同一材料により同一層に形成された層が設けられていないので、有機ＥＬ表示装置５０ｇを折り曲げ部Ｂで折り曲げても、第２平坦化膜２１ａにクラックが発生し難くなる。これにより、第２平坦化膜２１ａにおけるクラックの発生が抑制されるので、折り曲げ部Ｂにおける引き回し配線１８ｊの断線をいっそう抑制することができる。
　《その他の実施形態》
　上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
　また、上記各実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本発明は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置に適用することができる。例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）を備えた表示装置に適用することができる。
　以上説明したように、本発明は、フレキシブルな表示装置について有用である。
Ｂ　　　　折り曲げ部
Ｃ　　　　端子
Ｄ　　　　表示領域
Ｆ　　　　額縁領域
Ｐ　　　　サブ画素
Ｓ　　　　スリット
Ｔ　　　　端子部
６　　　　第１樹脂基板層
７　　　　基板内無機絶縁膜
８　　　　第２樹脂基板層
１０　　　樹脂基板層
１１　　　ベースコート膜（無機絶縁膜）
１３　　　ゲート絶縁膜（無機絶縁膜）
１５　　　第１層間絶縁膜（無機絶縁膜）
１７　　　第２層間絶縁膜（無機絶縁膜）
１８ｆ　　ソース線（表示配線、配線層）
１８ｊ　　引き回し配線
１９ａ　　第１平坦化膜
１９ｆ　　第１平坦化膜（他の平坦化膜）
２０ａ　　電源線（配線層）
２０ｂ　　中継電極（配線層）
２０ｃ，２０ｄ　　引き回し配線
２１ａ　　第２平坦化膜
２１ｄ，２１ｅ　　保護絶縁層
３０　　　ＴＦＴ層（薄膜トランジスタ層）
３１ａ　　第１電極
３１ｃ　　保護導電層
３３　　　有機ＥＬ層（有機エレクトロルミネッセンス層、発光機能層）
３４　　　第２電極
３５　　　有機ＥＬ素子層（発光素子層）
３６　　　第１無機封止膜
３７　　　有機封止膜
３８　　　第２無機封止膜
４０　　　封止膜
４１ａ　　第１タッチ配線層
４１ｂ　　引き回し配線
４２　　　第３層間絶縁膜
４３ａ　　第２タッチ配線層
４４ａ　　オーバーコート膜
４４ｂ，４４ｃ　　オーバーコート層
４５　　　タッチパネル層
４６　　　補強樹脂層
５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄ，５０ｅ，５０ｆ，５０ｇ　　有機ＥＬ表示装置

Claims (32)

  1. 　樹脂基板層と、
    　上記樹脂基板層上に設けられ、無機絶縁膜、第１平坦化膜、配線層及び第２平坦化膜が順に積層された薄膜トランジスタ層と、
    　上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、表示領域を構成する複数のサブ画素に対応して、複数の第１電極、複数の発光機能層及び共通の第２電極が順に積層された発光素子層とを備え、
    　上記表示領域の周囲には、額縁領域が設けられ、
    　上記額縁領域の端部には、端子部が設けられ、
    　上記表示領域及び上記端子部の間には、一方向に延びるように折り曲げ部が設けられ、
    　上記表示領域には、互いに平行に延びるように複数の表示配線が設けられ、
    　上記端子部には、上記折り曲げ部の延びる方向に沿って複数の端子が設けられ、
    　上記無機絶縁膜には、上記折り曲げ部において、該折り曲げ部の延びる方向に沿って延び、上記樹脂基板層の表面を露出させるようにスリットが設けられ、
    　上記折り曲げ部の外側の両側部には、上記スリットの幅方向の両端部を埋めると共に、該両端部の間の中間部で上記樹脂基板層の表面を露出させるように上記第１平坦化膜が設けられ、
    　上記第１平坦化膜及び上記樹脂基板層上には、上記折り曲げ部及び該折り曲げ部の外側の両側部において、上記折り曲げ部の延びる方向と交差する方向に互いに平行に延び、上記表示領域側で上記複数の表示配線に電気的にそれぞれ接続され、上記端子部側で上記複数の端子に電気的にそれぞれ接続され、上記配線層と同一材料により同一層に形成された複数の引き回し配線が設けられていることを特徴とする表示装置。
  2. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　上記第１平坦化膜は、上記折り曲げ部側の側面が順テーパー状に傾斜していることを特徴とする表示装置。
  3. 　請求項２に記載された表示装置において、
    　上記第１平坦化膜の上記折り曲げ部側の側面と、上記樹脂基板層の表面との角度は、２０°以下であることを特徴とする表示装置。
  4. 　請求項１～３の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記複数の引き回し配線は、上記第２平坦化膜と同一材料により同一層に形成された複数の保護絶縁層でそれぞれ覆われていることを特徴とする表示装置。
  5. 　請求項４に記載された表示装置において、
    　上記複数の保護絶縁層は、上記折り曲げ部及び該折り曲げ部の外側の両側部において、補強樹脂層で覆われていることを特徴とする表示装置。
  6. 　請求項１～３の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記複数の引き回し配線は、上記複数の第１電極と同一材料により同一層に形成された複数の保護導電層でそれぞれ覆われていることを特徴とする表示装置。
  7. 　請求項６に記載された表示装置において、
    　上記複数の保護導電層は、上記折り曲げ部及び該折り曲げ部の外側の両側部において、補強樹脂層で覆われていることを特徴とする表示装置。
  8. 　請求項１～３の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記複数の引き回し配線は、上記折り曲げ部及び該折り曲げ部の外側の両側部において、補強樹脂層で覆われていることを特徴とする表示装置。
  9. 　請求項１～８の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記樹脂基板層は、上記薄膜トランジスタ層と反対側に設けられた第１樹脂基板層と、上記薄膜トランジスタ層側に設けられた第２樹脂基板層と、該第１樹脂基板層及び該第２樹脂基板層の間に設けられた基板内無機絶縁膜とを備えていることを特徴とする表示装置。
  10. 　請求項９に記載された表示装置において、
    　上記スリットは、上記第２樹脂基板層の表層にも設けられていることを特徴とする表示装置。
  11. 　請求項１０に記載された表示装置において、
    　上記スリットが形成された上記無機絶縁膜の両縁部は、上記第２樹脂基板層の表層の側壁よりも内側に突出するように庇状に設けられていることを特徴とする表示装置。
  12. 　請求項１１に記載された表示装置において、
    　上記第１平坦化膜は、上記無機絶縁膜の両縁部における庇状の部分の上記第２樹脂基板層側を埋めるように設けられていることを特徴とする表示装置。
  13. 　樹脂基板層と、
    　上記樹脂基板層上に設けられ、無機絶縁膜、配線層及び平坦化膜が順に積層された薄膜トランジスタ層と、
    　上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、表示領域を構成する複数のサブ画素に対応して、複数の第１電極、複数の発光機能層及び共通の第２電極が順に積層された発光素子層と、
    　上記発光素子層を覆うように設けられ、第１無機封止膜、有機封止膜及び第２無機封止膜が順に積層された封止膜と、
    　上記封止膜上に設けられ、第１タッチ配線層、層間絶縁膜及び第２タッチ配線層が順に積層されたタッチパネル層とを備え、
    　上記表示領域の周囲には、額縁領域が設けられ、
    　上記額縁領域の端部には、端子部が設けられ、
    　上記表示領域及び上記端子部の間には、一方向に延びるように折り曲げ部が設けられ、
    　上記表示領域には、互いに平行に延びるように複数の表示配線が設けられ、
    　上記端子部には、上記折り曲げ部の延びる方向に沿って複数の端子が設けられ、
    　上記無機絶縁膜には、上記折り曲げ部において、該折り曲げ部の延びる方向に沿って延び、上記樹脂基板層の表面を露出させるようにスリットが設けられ、
    　上記折り曲げ部の外側の両側部には、上記スリットの幅方向の両端部を埋めると共に、該両端部の間の中間部で上記樹脂基板層の表面を露出させるように上記平坦化膜が設けられ、
    　上記平坦化膜及び上記樹脂基板層上には、上記折り曲げ部及び該折り曲げ部の外側の両側部において、上記折り曲げ部の延びる方向と交差する方向に互いに平行に延び、上記表示領域側で上記複数の表示配線に電気的にそれぞれ接続され、上記端子部側で上記複数の端子に電気的にそれぞれ接続され、上記第１タッチ配線層又は上記第２タッチ配線層と同一材料により同一層に形成された複数の引き回し配線が設けられていることを特徴とする表示装置。
  14. 　請求項１３に記載された表示装置において、
    　上記平坦化膜は、上記折り曲げ部側の側面が順テーパー状に傾斜していることを特徴とする表示装置。
  15. 　請求項１４に記載された表示装置において、
    　上記平坦化膜の上記折り曲げ部側の側面と、上記樹脂基板層の表面との角度は、２０°以下であることを特徴とする表示装置。
  16. 　請求項１３～１５の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記複数の引き回し配線は、上記折り曲げ部及び該折り曲げ部の外側の両側部において、補強樹脂層で覆われていることを特徴とする表示装置。
  17. 　請求項１３～１５の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記タッチパネル層は、上記第２タッチ配線層上に積層されたオーバーコート膜を備え、
    　上記複数の引き回し配線は、上記折り曲げ部及び該折り曲げ部の外側の両側部において、上記オーバーコート膜と同一材料により同一層に形成されたオーバーコート層で覆われていることを特徴とする表示装置。
  18. 　請求項１３～１７の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記樹脂基板層は、上記薄膜トランジスタ層と反対側に設けられた第１樹脂基板層と、上記薄膜トランジスタ層側に設けられた第２樹脂基板層と、該第１樹脂基板層及び該第２樹脂基板層の間に設けられた基板内無機絶縁膜とを備えていることを特徴とする表示装置。
  19. 　請求項１８に記載された表示装置において、
    　上記スリットは、上記第２樹脂基板層の表層にも設けられていることを特徴とする表示装置。
  20. 　請求項１９に記載された表示装置において、
    　上記スリットが形成された上記無機絶縁膜の両縁部は、上記第２樹脂基板層の表層の側壁よりも内側に突出するように庇状に設けられていることを特徴とする表示装置。
  21. 　請求項２０に記載された表示装置において、
    　上記平坦化膜は、上記無機絶縁膜の両縁部における庇状の部分の上記第２樹脂基板層側を埋めるように設けられていることを特徴とする表示装置。
  22. 　樹脂基板層と、
    　上記樹脂基板層上に設けられ、無機絶縁膜、配線層及び平坦化膜が順に積層された薄膜トランジスタ層と、
    　上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、表示領域を構成する複数のサブ画素に対応して、複数の第１電極、複数の発光機能層及び共通の第２電極が順に積層された発光素子層とを備え、
    　上記表示領域の周囲には、額縁領域が設けられ、
    　上記額縁領域の端部には、端子部が設けられ、
    　上記表示領域及び上記端子部の間には、一方向に延びるように折り曲げ部が設けられ、
    　上記表示領域には、互いに平行に延びるように複数の表示配線が設けられ、
    　上記端子部には、上記折り曲げ部の延びる方向に沿って複数の端子が設けられ、
    　上記無機絶縁膜には、上記折り曲げ部において、該折り曲げ部の延びる方向に沿って延び、上記樹脂基板層の表面を露出させるようにスリットが設けられ、
    　上記折り曲げ部の外側の両側部には、上記スリットの幅方向の両端部を埋めると共に、該両端部の間の中間部で上記樹脂基板層の表面を露出させるように他の平坦化膜が設けられ、
    　上記他の平坦化膜及び上記樹脂基板層上には、上記折り曲げ部及び該折り曲げ部の外側の両側部において、上記折り曲げ部の延びる方向と交差する方向に互いに平行に延び、上記表示領域側で上記複数の表示配線に電気的にそれぞれ接続され、上記端子部側で上記複数の端子に電気的にそれぞれ接続され、上記配線層と同一材料により同一層に形成された複数の引き回し配線が設けられていることを特徴とする表示装置。
  23. 　請求項２２に記載された表示装置において、
    　上記他の平坦化膜は、上記折り曲げ部側の側面が順テーパー状に傾斜していることを特徴とする表示装置。
  24. 　請求項２３に記載された表示装置において、
    　上記他の平坦化膜の上記折り曲げ部側の側面と、上記樹脂基板層の表面との角度は、２０°以下であることを特徴とする表示装置。
  25. 　請求項２２～２４の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記複数の引き回し配線は、上記平坦化膜と同一材料により同一層に形成された複数の保護絶縁層でそれぞれ覆われていることを特徴とする表示装置。
  26. 　請求項２５に記載された表示装置において、
    　上記複数の保護絶縁層は、上記折り曲げ部及び該折り曲げ部の外側の両側部において、補強樹脂層で覆われていることを特徴とする表示装置。
  27. 　請求項２２～２６の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記樹脂基板層は、上記薄膜トランジスタ層と反対側に設けられた第１樹脂基板層と、上記薄膜トランジスタ層側に設けられた第２樹脂基板層と、該第１樹脂基板層及び該第２樹脂基板層の間に設けられた基板内無機絶縁膜とを備えていることを特徴とする表示装置。
  28. 　請求項２７に記載された表示装置において、
    　上記スリットは、上記第２樹脂基板層の表層にも設けられていることを特徴とする表示装置。
  29. 　請求項２８に記載された表示装置において、
    　上記スリットが形成された上記無機絶縁膜の両縁部は、上記第２樹脂基板層の表層の側壁よりも内側に突出するように庇状に設けられていることを特徴とする表示装置。
  30. 　請求項２９に記載された表示装置において、
    　上記他の平坦化膜は、上記無機絶縁膜の両縁部における庇状の部分の上記第２樹脂基板層側を埋めるように設けられていることを特徴とする表示装置。
  31. 　請求項２２～３０の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記発光素子層を覆うように設けられ、第１無機封止膜、有機封止膜及び第２無機封止膜が順に積層された封止膜と、
    　上記封止膜上に設けられ、第１タッチ配線層、層間絶縁膜、第２タッチ配線層及びオーバーコート膜が順に積層されたタッチパネル層とを備え、
    　上記複数の引き回し配線は、上記折り曲げ部の外側の両側部において、上記平坦化膜と同一材料により同一層に形成された保護絶縁層と、上記オーバーコート膜と同一材料により同一層に形成されたオーバーコート層との積層膜で覆われていると共に、上記折り曲げ部において、補強樹脂層で覆われていることを特徴とする表示装置。
  32. 　請求項１～３１の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記各発光機能層は、有機エレクトロルミネッセンス層であることを特徴とする表示装置。
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