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Abstract
ベース基板層（１０）上に設けられ、表示領域（Ｄ）を構成する複数のサブ画素の各サブ画素にＴＦＴ（９ｄ，９ｆ，９ｇ）が配置され、ＴＦＴ（９ｄ，９ｆ，９ｇ）上に平坦化膜（２２ａ）が積層されたＴＦＴ層（３０ａ）と、ＴＦＴ層（３０ａ）上に設けられ、複数のサブ画素に対応して複数の第１電極（３１ａ）、共通のエッジカバー（３２ａ）、複数の発光機能層（３３）及び共通の第２電極（３４）が順に積層された発光素子層（４０ａ）とを備え、各第１電極（３１ａ）の周縁部は、対応するＴＦＴ（９ｄ，９ｆ，９ｇ）を平面視で囲むと共にベース基板層（１０）側に突出するように設けられている。
Description
本発明は、表示装置に関するものである。
有機エレクトロルミネッセンス（electroluminescence、以下「ＥＬ」とも称する）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる表示装置として注目されている。
例えば、特許文献１には、ガラス基板上にゲート絶縁膜、パッシベーション膜、オーバーコート膜、陽極膜、有機膜及び陰極膜が順に積層された有機ＥＬ表示装置が開示されている。
ところで、有機ＥＬ表示装置では、画像の最小単位であるサブ画素毎に複数の薄膜トランジスタ（thin film transistor、以下「ＴＦＴ」とも称する）が設けられている。ここで、ＴＦＴを構成する半導体層としては、例えば、移動度が高いポリシリコンからなる半導体層、リーク電流の小さいＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ等の酸化物半導体からなる半導体層等がよく知られている。そして、有機ＥＬ表示装置では、近年、ポリシリコンを用いたＴＦＴと、酸化物半導体を用いたＴＦＴとが各サブ画素に設けられたハイブリッド構造を有するものが提案されているものの、酸化物半導体を用いたＴＦＴは、ポリシリコンを用いたＴＦＴよりも光に弱いという性質を有しているので、改善の余地がある。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ＴＦＴへの光入射を抑制することにある。
上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、ベース基板層と、上記ベース基板層上に設けられ、表示領域を構成する複数のサブ画素の各サブ画素に薄膜トランジスタが配置され、該薄膜トランジスタ上に平坦化膜が積層された薄膜トランジスタ層と、上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、上記複数のサブ画素に対応して複数の第１電極、共通のエッジカバー、複数の発光機能層及び共通の第２電極が順に積層された発光素子層とを備えた表示装置であって、上記各第１電極の周縁部は、対応する上記薄膜トランジスタを平面視で囲むと共に上記ベース基板層側に突出するように設けられていることを特徴とする。
本発明によれば、ＴＦＴへの光入射を抑制することができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
《第１の実施形態》
図１～図５は、本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子層を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子層を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの概略構成を示す平面図である。また、図２及び図３は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの平面図及び断面図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置５０ａの画素回路を示す等価回路図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ層３３を示す断面図である。
図１～図５は、本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子層を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子層を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの概略構成を示す平面図である。また、図２及び図３は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの平面図及び断面図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置５０ａの画素回路を示す等価回路図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ層３３を示す断面図である。
有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、例えば、矩形状に設けられた画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に枠状に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。なお、本実施形態では、矩形状の表示領域Ｄを例示したが、この矩形状には、例えば、辺が円弧状になった形状、角部が円弧状になった形状、辺の一部に切り欠きがある形状等の略矩形状も含まれている。
表示領域Ｄには、図２に示すように、複数のサブ画素Ｐがマトリクス状に配列されている。また、表示領域Ｄでは、図２に示すように、例えば、赤色の表示を行うための赤色発光領域Ｅｒを有するサブ画素Ｐ、緑色の表示を行うための緑色発光領域Ｅｇを有するサブ画素Ｐ、及び青色の表示を行うための青色発光領域Ｅｂを有するサブ画素Ｐが互いに隣り合うように設けられている。なお、表示領域Ｄでは、例えば、赤色発光領域Ｅｒ、緑色発光領域Ｅｇ及び青色発光領域Ｅｂを有する隣り合う３つのサブ画素Ｐにより、１つの画素が構成されている。
額縁領域Ｆの図１中の下端部には、端子部Ｔが一方向（図中のＸ方向）に延びるように設けられている。また、額縁領域Ｆにおいて、図１に示すように、表示領域Ｄ及び端子部Ｔの間には、図中のＸ方向を折り曲げの軸として、例えば、１８０°に（Ｕ字状に）折り曲げ可能な折り曲げ部Ｂが一方向（図中のＸ方向）に延びるように設けられている。また、額縁領域Ｆにおいて、後述する平坦化膜２２ａには、図１に示すように、平面視で略Ｃ状のトレンチＧが平坦化膜２２ａを貫通するように設けられている。ここで、トレンチＧは、図１に示すように、平面視で端子部Ｔ側が開口するように略Ｃ字状に設けられている。
また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図３に示すように、ベース基板層として設けられた樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ層３０ａと、ＴＦＴ層３０ａ上に発光素子層として設けられた有機ＥＬ素子層４０ａと、有機ＥＬ素子層４０ａを覆うように設けられた封止膜４５とを備えている。
樹脂基板層１０は、例えば、ポリイミド樹脂等により構成されている。
ＴＦＴ層３０ａは、図３に示すように、樹脂基板層１０上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に各サブ画素Ｐに配置された初期化ＴＦＴ９ａ（図４参照）、補償用ＴＦＴ９ｂ（図４参照）、書込用ＴＦＴ９ｃ（図４参照）、駆動用ＴＦＴ９ｄ、電源供給用ＴＦＴ９ｅ（図４参照）、発光制御用ＴＦＴ９ｆ、陽極放電用ＴＦＴ９ｇ及びキャパシタ９ｈと、各ＴＦＴ９ａ～９ｇ及びキャパシタ９ｈ上に積層された平坦化膜２２ａとを備えている。ここで、ＴＦＴ層３０ａには、図２に示すように、図中のＸ方向に互いに平行に延びるように複数のゲート線１４ｇが設けられている。また、ＴＦＴ層３０ａには、図２に示すように、図中のＸ方向に互いに平行に延びるように複数の発光制御線１４ｅが設けられている。また、ＴＦＴ層３０ａには、図２に示すように、図中のＸ方向に互いに平行に延びるように複数の第２初期化電源線１９ｉが設けられている。なお、各発光制御線１４ｅは、図２に示すように、各ゲート線１４ｇ及び各第２初期化電源線１９ｉと隣り合うように設けられている。また、ＴＦＴ層３０ａには、図２に示すように、図中のＹ方向に互いに平行に延びるように複数のソース線２１ｈが設けられている。また、ＴＦＴ層３０ａには、図２に示すように、図中のＹ方向に互いに平行に延びるように複数の電源線２１ｉが設けられている。なお、各電源線２１ｉは、図２に示すように、各ソース線２１ｈと隣り合うように設けられている。
書込用ＴＦＴ９ｃ、駆動用ＴＦＴ９ｄ、電源供給用ＴＦＴ９ｅ及び発光制御用ＴＦＴ９ｆは、例えば、ＬＴＰＳ（low temperature polysilicon）等のポリシリコンにより形成された第１半導体層を有する第１ＴＦＴとして設けられ、ゲート電極、第１端子電極及び第２端子電極を備えている。また、初期化ＴＦＴ９ａ、補償用ＴＦＴ９ｂ及び陽極放電用ＴＦＴ９ｇは、例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系等の酸化物半導体により形成された第２半導体層を有する第２ＴＦＴとして設けられ、ゲート電極、第３端子電極及び第４端子電極を備えている。ここで、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の酸化物半導体は、Ｉｎ（インジウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｚｎ（亜鉛）の三元系酸化物であって、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの割合（組成比）は特に限定されない。また、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体は、アモルファスでもよいし、結晶質でもよい。なお、結晶質Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体としては、ｃ軸が層面に概ね垂直に配向した結晶質Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体が好ましい。また、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体の代わりに、他の酸化物半導体を含んでいてもよい。他の酸化物半導体としては、例えば、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ－Ｏ系半導体（例えば、Ｉｎ２Ｏ３－ＳｎＯ２－ＺｎＯ；ＩｎＳｎＺｎＯ）を含んでもよい。ここで、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｚｎ－Ｏ系半導体は、Ｉｎ（インジウム）、Ｓｎ（スズ）及びＺｎ（亜鉛）の三元系酸化物である。また、他の酸化物半導体としては、Ｉｎ－Ａｌ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｉｎ－Ａｌ－Ｓｎ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｚｎ－Ｔｉ－Ｏ系半導体、Ｃｄ－Ｇｅ－Ｏ系半導体、Ｃｄ－Ｐｂ－Ｏ系半導体、ＣｄＯ（酸化カドミウム）、Ｍｇ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｉｎ－Ｇａ－Ｓｎ－Ｏ系半導体、Ｉｎ－Ｇａ－Ｏ系半導体、Ｚｒ－Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｈｆ－Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ａｌ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｓｎ－Ｏ系半導体、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）５、酸化マグネシウム亜鉛（ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ）、酸化カドミウム亜鉛（ＣｄｘＺｎ１－ｘＯ）等を含んでいてもよい。なお、Ｚｎ－Ｏ系半導体としては、１族元素、１３族元素、１４族元素、１５族元素、１７族元素等のうち１種又は複数種の不純物元素が添加されたＺｎＯの非晶質（アモルファス）状態のもの、多結晶状態のもの、非晶質状態と多結晶状態が混在する微結晶状態のもの、又は何も不純物元素が添加されていないものを用いることができる。
初期化ＴＦＴ９ａは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、そのゲート電極が前段（ｎ－１段）のゲート線１４ｇ（ｎ－１）に電気的に接続され、その第３端子電極が後述するキャパシタ９ｈの下部導電層１６ｃ及び駆動用ＴＦＴ９ｄのゲート電極に電気的に接続され、その第４端子電極が電源線２１ｉに電気的に接続されている。なお、図４の等価回路図では、第１ＴＦＴ（書込用ＴＦＴ９ｃ、駆動用ＴＦＴ９ｄ、電源供給用ＴＦＴ９ｅ及び発光制御用ＴＦＴ９ｆ）の第１端子電極及び第２端子電極を丸数字の１及び２で示し、第２ＴＦＴ（初期化ＴＦＴ９ａ、補償用ＴＦＴ９ｂ及び陽極放電用ＴＦＴ９ｇ）の第３端子電極及び第４端子電極を丸数字の３及び４で示している。また、図４の等価回路図では、ｎ行ｍ列目のサブ画素Ｐの画素回路を示しているが、（ｎ－１）行ｍ列目のサブ画素Ｐの画素回路の一部も含んでいる。また、図４の等価回路図では、高電源電圧ＥＬＶＤＤを供給する電源線２１ｉが第１初期化電源線を兼ねているが、電源線２１ｉ及び第１初期化電源線は、別々に設けられていてもよい。また、第２初期化電源線２０ｉには、低電源電圧ＥＬＶＳＳと同じ電圧を入力するが、これに限定されることなく、低電源電圧ＥＬＶＳＳと異なる電圧で有機ＥＬ素子３５が消灯するような電圧を入力してもよい。
補償用ＴＦＴ９ｂは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、そのゲート電極が自段（ｎ段）のゲート線１４ｇ（ｎ）に電気的に接続され、その第３端子電極が駆動用ＴＦＴ９ｄのゲート電極に電気的に接続され、その第４端子電極が駆動用ＴＦＴ９ｄの第１端子電極に電気的に接続されている。
書込用ＴＦＴ９ｃは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、そのゲート電極が自段（ｎ段）のゲート線１４ｇ（ｎ）に電気的に接続され、その第１端子電極が対応するソース線２１ｈに電気的に接続され、その第２端子電極が駆動用ＴＦＴ９ｄの第２端子電極に電気的に接続されている。
駆動用ＴＦＴ９ｄは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、そのゲート電極１４ｂ（図３参照）が初期化用ＴＦＴ９ａ及び補償用ＴＦＴ９ｂの各第３端子電極に電気的に接続され、その第１端子電極２１ｅ（図３参照）が補償用ＴＦＴ９ｂの第４端子電極及び電源供給用ＴＦＴ９ｅの各第２端子電極に電気的に接続され、その第２端子電極２１ｇ（図３参照）が書込用ＴＦＴ９ｃの第２端子電極及び発光制御用ＴＦＴ９ｆの第１端子電極に電気的に接続されている。ここで、駆動用ＴＦＴ９ｄは、有機ＥＬ素子３５の電流を制御するように構成されている。また、駆動用ＴＦＴ９ｄは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に設けられた第１半導体層１２ｂと、第１半導体層１２ｂ上に設けられた第１ゲート絶縁膜１３と、第１ゲート絶縁膜１３上に設けられたゲート電極１４ｂと、ゲート電極１４ｂを覆うように設けられた第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜２０と、第２層間絶縁膜２０上に互いに離間するように設けられた第１端子電極２１ｅ及び第２端子電極２１ｇとを備えている。ここで、第１半導体層１２ｂは、互いに離間するように設けられた第１導体領域及び第２導体領域と、第１導体領域及び第２導体領域の間に規定された第１チャネル領域とを備えている。そして、第１端子電極２１ｅ及び第２端子電極２１ｇは、図３に示すように、第１ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜２０の積層膜に形成された２つのコンタクトホールを介して第１半導体層１２ｂの第１導体領域及び第２導体領域に電気的にそれぞれ接続されている。
電源供給用ＴＦＴ９ｅは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、そのゲート電極が自段（ｎ段）の発光制御線１４ｅに電気的に接続され、その第１端子電極が電源線２１ｉに電気的に接続され、その第２端子電極が駆動用ＴＦＴ９ｄの第１端子電極に電気的に接続されている。
発光制御用ＴＦＴ９ｆは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、そのゲート電極１４ａ（図３参照）が自段（ｎ段）の発光制御線１４ｅに電気的に接続され、その第１端子電極２１ａ（図３参照）が駆動用ＴＦＴ９ｄの第２端子電極に電気的に接続され、その第２端子電極２１ｃ（図３参照）が後述する有機ＥＬ素子３５の第１電極３１ａに電気的に接続されている。また、発光制御用ＴＦＴ９ｆは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に設けられた第１半導体層１２ａと、第１半導体層１２ａ上に設けられた第１ゲート絶縁膜１３と、第１ゲート絶縁膜１３上に設けられたゲート電極１４ａと、ゲート電極１４ａを覆うように設けられた第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜２０と、第２層間絶縁膜２０上に互いに離間するように設けられた第１端子電極２１ａ及び第２端子電極２１ｂ（２１ｃ）とを備えている。ここで、第１半導体層１２ａは、互いに離間するように設けられた第１導体領域及び第２導体領域と、第１導体領域及び第２導体領域の間に規定された第１チャネル領域とを備えている。そして、第１端子電極２１ａ及び第２端子電極２１ｂは、図３に示すように、第１ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜２０の積層膜に形成された２つのコンタクトホールを介して第１半導体層１２ａの第１導体領域及び第２導体領域に電気的にそれぞれ接続されている。また、第２端子電極２１ｃは、図３に示すように、第１ゲート絶縁膜１３及び第１層間絶縁膜１５の積層膜に形成されたコンタクトホール、中継電極１６ａ、第２層間絶縁膜２０に形成されたコンタクトホールを介して第１半導体層１２ａの第２導体領域に電気的に接続されている。
陽極放電用ＴＦＴ９ｇは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、そのゲート電極１９ａ（図３参照）が自段（ｎ段）のゲート線１４ｇ（ｎ）に電気的に接続され、その第３端子電極２１ｃ（図３参照）が有機ＥＬ素子３５の第１電極３１ａに電気的に接続され、その第４端子電極２１ｄ（図３参照）が第２初期化電源線１９ｉに電気的に接続されている。なお、陽極放電用ＴＦＴ９ｇの第３端子電極２１ｃは、発光制御用ＴＦＴ９ｆの第２端子電極２１ｃと共用化されている。また、陽極放電用ＴＦＴ９ｇは、図３に示すように、第１層間絶縁膜１５上に設けられた第２半導体層１７ａと、第２半導体層１７ａ上に設けられた第２ゲート絶縁膜１８ａと、第２ゲート絶縁膜１８ａ上に設けられたゲート電極１９ａと、ゲート電極１９ａを覆うように設けられた第２層間絶縁膜２０と、第２層間絶縁膜２０上に互いに離間するように設けられた第３端子電極２１ｃ及び第４端子電極２１ｄとを備えている。ここで、第２半導体層１７ａは、互いに離間するように設けられた第３導体領域及び第４導体領域と、第３導体領域及び第４導体領域の間に設けられた第２チャネル領域とを備えている。そして、第３端子電極２１ｃは、図３に示すように、第２層間絶縁膜２０に形成されたコンタクトホール及び中継電極１６ａを介して第２半導体層１７ａの第３導体領域に電気的に接続されている。また、第４端子電極２１ｄは、図３に示すように、第２層間絶縁膜２０に形成されたコンタクトホール及び中継電極１６ｂを介して第２半導体層１７ａの第４導体領域に電気的に接続されている。
なお、本実施形態では、ポリシリコンにより形成された第１半導体層を有する第１ＴＦＴとして、書込用ＴＦＴ９ｃ、駆動用ＴＦＴ９ｄ、電源供給用ＴＦＴ９ｅ及び発光制御用ＴＦＴ９ｆが設けられ、酸化物半導体により形成された第２半導体層を有する第２ＴＦＴとして、初期化ＴＦＴ９ａ、補償用ＴＦＴ９ｂ及び陽極放電用ＴＦＴ９ｇが設けられた画素回路を例示したが、画素回路の全てのＴＦＴ、すなわち、初期化ＴＦＴ９ａ、補償用ＴＦＴ９ｂ、書込用ＴＦＴ９ｃ、駆動用ＴＦＴ９ｄ、電源供給用ＴＦＴ９ｅ、発光制御用ＴＦＴ９ｆ及び陽極放電用ＴＦＴ９ｇを酸化物半導体により形成された半導体層を有するＴＦＴで構成してもよい。
キャパシタ９ｈは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、その下部導電層１６ｃ（図３参照）が駆動用ＴＦＴ９ｄのゲート電極１４ｂ（図３参照）、初期化用ＴＦＴ９ａ及び補償用ＴＦＴ９ｂの各第３端子電極に電気的に接続され、その上部導電層１９ｂ（図３参照）が中継層２１ｆを介して陽極放電用ＴＦＴ９ｇの第３端子電極、発光制御用ＴＦＴ９ｆの第２端子電極及び有機ＥＬ素子３５の第１電極３１ａに電気的に接続されている。また、キャパシタ９ｈは、図３に示すように、中継電極１６ａ及び１６ｂと同一材料により同一層に形成された下部導電層１６ｃと、下部導電層１６ｃ上に設けられた第２ゲート絶縁膜１８ｂと、第２ゲート絶縁膜１８ｂ上に設けられ、ゲート電極１９ａと同一材料により同一層に形成された上部導電層１９ｂとを備えている。
平坦化膜２２ａは、複数のサブ画素Ｐに共通して設けられ、図３に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、有機ＥＬ素子層４０ａ側に平坦に突出する平坦部Ｌを有し、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の有機樹脂材料、又はポリシロキサン系のＳＯＧ（spin on glass）材料等の有機絶縁膜により構成されている。
有機ＥＬ素子層４０ａは、複数のサブ画素Ｐに対応して順に積層された複数の第１電極３１ａ、共通のエッジカバー３２ａ、複数の有機ＥＬ層３３、共通の第２電極３４を備えている。ここで、各サブ画素Ｐにおいて、第１電極３１ａ、有機ＥＬ層３３及び第２電極３４は、有機ＥＬ素子３５（図４参照）を構成している。
第１電極３１ａは、平坦化膜２２ａに形成されたコンタクトホールを介して、各サブ画素Ｐの発光制御用ＴＦＴ９ｆの第２端子電極２１ｃに電気的に接続されている。また、第１電極３１ａの周縁部は、図３に示すように、各サブ画素Ｐに配置された初期化ＴＦＴ９ａ、補償用ＴＦＴ９ｂ、書込用ＴＦＴ９ｃ、駆動用ＴＦＴ９ｄ、電源供給用ＴＦＴ９ｅ、発光制御用ＴＦＴ９ｆ及び陽極放電用ＴＦＴ９ｇの第１又は第２半導体層を平面視で囲むと共に、樹脂基板層１０側に１μｍ程度突出するように平坦化膜２２ａの平坦部Ｌの側面に沿って設けられている。また、第１電極３１ａは、図３に示すように、（右９０°回転した）Ｅ字状の断面を有している。また、第１電極３１ａは、有機ＥＬ層３３にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極３１ａは、有機ＥＬ層３３への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第１電極３１ａを構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、イリジウム（Ｉｒ）、スズ（Ｓｎ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極３１ａを構成する材料は、例えば、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極３１ａを構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極３１ａは、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな化合物材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。また、第１電極３１ａの膜厚は、例えば、１６０ｎｍ程度であり、１５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることが好ましい。
エッジカバー３２ａは、全てのサブ画素Ｐに共通して格子状に設けられ、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の有機樹脂材料、又はポリシロキサン系のＳＯＧ材料等により構成されている。また、エッジカバー３２ａは、図３に示すように、各第１電極３１ａの周縁部を覆うように設けられている。
有機ＥＬ層３３は、発光機能層として設けられ、図５に示すように、第１電極３１ａ上に順に積層された正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極３１ａと有機ＥＬ層３３とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極３１ａから有機ＥＬ層３３への正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。
正孔輸送層２は、第１電極３１ａから有機ＥＬ層３３への正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
発光層３は、第１電極３１ａ及び第２電極３４による電圧印加の際に、第１電極３１ａ及び第２電極３４から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
電子輸送層４は、電子を発光層３まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
電子注入層５は、第２電極３４と有機ＥＬ層３３とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極３４から有機ＥＬ層３３へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子３５の駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
第２電極３４は、図３に示すように、各有機ＥＬ層３３及びエッジカバー３２ａを覆うように全てのサブ画素Ｐに共通して設けられている。また、第２電極３４は、有機ＥＬ層３３に電子を注入する機能を有している。また、第２電極３４は、有機ＥＬ層３３への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。ここで、第２電極３４を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極３４は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極３４は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極３４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
封止膜４５は、図３に示すように、第２電極３４を覆うように設けられ、第２電極３４上に順に積層された第１無機封止膜４１、有機封止膜４２及び第２無機封止膜４３を備え、有機ＥＬ素子３５の有機ＥＬ層３３を水分や酸素等から保護する機能を有している。ここで、第１無機封止膜４１及び第２無機封止膜４３は、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜により構成されている。また、有機封止膜４２は、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリ尿素樹脂、パリレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂等の有機樹脂材料により構成されている。
また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、額縁領域Ｆにおいて、表示領域Ｄを囲むようにトレンチＧの外側に枠状に設けられた第１外側堰き止め壁Ｗａと、第１外側堰き止め壁Ｗａの周囲に枠状に設けられた第２外側堰き止め壁Ｗｂとを備えている。ここで、第１外側堰き止め壁Ｗａ及び第２外側堰き止め壁Ｗｂは、例えば、平坦化膜２２ａと同一材料により同一層に形成された下側樹脂層と、その下側樹脂層上に設けられ、エッジカバー３２ａと同一材料により同一層に形成された上側樹脂層とをそれぞれ備えている。なお、第１堰き止め壁Ｗａは、封止膜４５の有機封止膜４２の外周端部に重なるように設けられ、有機封止膜４２となるインクの拡がりを抑制するように構成されている。
また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの内側に枠状に設けられてトレンチＧの開口した部分の両端部が端子部Ｔに延びる第１額縁配線２１ｊを備えている。ここで、第１額縁配線２１ｊは、額縁領域Ｆの表示領域Ｄ側で電源線２１ｉに接続され、端子部Ｔで高電源電圧（ＥＬＶＤＤ）が入力されるように構成されている。
また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの外側に略Ｃ状に設けられて両端部が端子部Ｔに延びる第２額縁配線２１ｋを備えている。ここで、第２額縁配線２１ｋは、額縁領域Ｆの表示領域Ｄ側で第２電極３４に電気的に接続され、端子部Ｔで低電源電圧（ＥＬＶＳＳ）が入力されるように構成されている。
上記構成の有機ＥＬ表示装置５０ａでは、各サブ画素Ｐにおいて、まず、発光制御線１４ｅが選択されて非活性状態とされると、有機ＥＬ素子３５が非発光状態となる。その非発光状態で、前段のゲート線１４ｇ（ｎ－１）が選択され、そのゲート線１４ｇ（ｎ－１）を介してゲート信号が初期化用ＴＦＴ９ａに入力されることにより、初期化用ＴＦＴ９ａがオン状態となり、電源線２１ｉの高電源電圧ＥＬＶＤＤがキャパシタ９ｈに印加されると共に、駆動用ＴＦＴ９ｄがオン状態となる。これにより、キャパシタ９ｈの電荷が放電されて、駆動用ＴＦＴ９ｄのゲート電極にかかる電圧が初期化される。次に、自段のゲート線１４（ｎ）が選択されて活性状態とされることにより、補償用ＴＦＴ９ｂ及び書込用ＴＦＴ９ｃがオン状態となり、対応するソース線２１ｈを介して伝達されるソース信号に対応する所定の電圧がダイオード接続状態の駆動用ＴＦＴ９ｄを介してキャパシタ９ｈに書き込まれると共に、陽極放電用ＴＦＴ９ｇがオン状態となり、第２初期化電源線１９ｉを介して初期化信号が有機ＥＬ素子３５の第１電極３１ａに印加されて第１電極３１ａに蓄積した電荷がリセットされる。その後、発光制御線１４ｅが選択されて、電源供給用ＴＦＴ９ｅ及び発光制御用ＴＦＴ９ｆがオン状態となり、駆動用ＴＦＴ９ｄのゲート電極にかかる電圧に応じた駆動電流が電源線２１ｉから有機ＥＬ素子３５に供給される。このようにして、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、各サブ画素Ｐにおいて、有機ＥＬ素子３５が駆動電流に応じた輝度で発光して、画像表示が行われる。また、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、表示領域Ｄの各画素Ｐにおいて、第１電極３１ａの周縁部が各ＴＦＴ９ａ～９ｇを平面視で囲むと共に樹脂基板層１０側に突出するように設けられているので、有機ＥＬ素子３５で発光した光や外部から入射する光等の迷光が第１電極３１ａの周縁部で遮断され、各ＴＦＴ９ａ～９ｇに迷光が入射し難い構造になっている。
次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法について説明する。ここで、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法は、ＴＦＴ層形成工程、有機ＥＬ素子層形成工程及び封止膜形成工程を備える。
＜ＴＦＴ層形成工程＞
まず、例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板層１０上に、例えば、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、酸化シリコン膜（厚さ２５０ｎｍ程度）及び窒化シリコン膜（厚さ１００ｎｍ程度）を順に成膜することにより、ベースコート膜１１を形成する。
まず、例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板層１０上に、例えば、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、酸化シリコン膜（厚さ２５０ｎｍ程度）及び窒化シリコン膜（厚さ１００ｎｍ程度）を順に成膜することにより、ベースコート膜１１を形成する。
続いて、ベースコート膜１１が形成された基板表面に、プラズマＣＶＤ法により、例えば、アモルファスシリコン膜（厚さ５０ｎｍ程度）を成膜し、そのアモルファスシリコン膜をレーザーアニール等により結晶化してポリシリコン膜を形成した後に、そのポリシリコン膜をパターニングして、第１半導体層１２ａ等を形成する。
さらに、第１半導体層１２ａ等が形成された基板表面に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、酸化シリコン膜（１００ｎｍ程度）を成膜して第１ゲート絶縁膜１３を形成した後に、例えば、スパッタリング法により、モリブデン膜（厚さ１００ｎｍ程度）等の金属膜を成膜した後に、その金属膜をパターニングして、ゲート電極１４ａ等を形成する。
その後、ゲート電極１４ａ等が形成された基板表面に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、酸化シリコン膜（１００ｎｍ程度）を成膜して第１層間絶縁膜１５を形成した後に、例えば、スパッタリング法により、モリブデン膜（厚さ１００ｎｍ程度）等の金属膜を成膜した後に、その金属膜をパターニングして、中継電極１６ａ等を形成する。
続いて、中継電極１６ａ等が形成された基板表面に、例えば、スパッタリング法により、ＩｎＧａＺｎＯ４等の半導体膜（厚さ３０ｎｍ程度）を成膜してアニール処理した後に、その半導体膜をパターニングして、第２半導体層１７ａを形成する。
さらに、第２半導体層１７ａが形成された基板表面に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、酸化シリコン膜（厚さ３００ｎｍ程度）を成膜した後に、スパッタリング法により、モリブデン膜（厚さ１００ｎｍ程度）等の金属膜を成膜し、それらの積層膜をパターニングすることにより、第２ゲート絶縁膜１８ａ及びゲート電極１９ａ等を形成する。
その後、第２ゲート絶縁膜１８ａ及びゲート電極１９ａ等が形成された基板表面に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、酸化シリコン膜（１５０ｎｍ程度）を成膜することにより、第２層間絶縁膜２０を形成する。
続いて、第１ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜２０に適宜コンタクトホールを形成した後に、例えば、スパッタリング法により、チタン膜（厚さ５０ｎｍ程度）、アルミニウム膜（厚さ４００ｎｍ程度）及びチタン膜（厚さ５０ｎｍ程度）等を順に成膜して金属積層膜を形成した後に、その金属積層膜をパターニングして、第１端子電極２１ａ及び第２端子電極２１ｂ等を形成する。
さらに、第１端子電極２１ａ及び第２端子電極２１ｂ等が形成された基板表面に、例えば、スリットコート法等により、ポリイミド系の感光性樹脂膜（厚さ２μｍ程度）を塗布した後に、その塗布膜に対して、プリベーク、露光、現像及びポストベークを行うことにより、平坦部Ｌを有する平坦化膜２２ａを形成する。なお、平坦部Ｌは、露光する際に、例えば、ハーフトーンマスクやグレートーンマスク等を用いて、半分程度の露光量で露光することにより、形成される。
以上のようにして、ＴＦＴ層３０ａを形成することができる。
＜有機ＥＬ素子層形成工程＞
上記ＴＦＴ層形成工程で形成されたＴＦＴ層３０ａの平坦化膜２２ａ上に、周知の方法を用いて、第１電極３１ａ、エッジカバー３２ａ、有機ＥＬ層３３（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、電子注入層５）及び第２電極３４を形成して、有機ＥＬ素子層４０ａを形成する。
上記ＴＦＴ層形成工程で形成されたＴＦＴ層３０ａの平坦化膜２２ａ上に、周知の方法を用いて、第１電極３１ａ、エッジカバー３２ａ、有機ＥＬ層３３（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、電子注入層５）及び第２電極３４を形成して、有機ＥＬ素子層４０ａを形成する。
＜封止膜形成工程＞
上記有機ＥＬ素子層形成工程で形成された有機ＥＬ素子層４０ａ上に、周知の方法を用いて、封止膜４５（第１無機封止膜４１、有機封止膜４２、第２無機封止膜４３）を形成する。その後、封止膜４５が形成された基板表面に保護シート（不図示）を貼付した後に、樹脂基板層１０のガラス基板側からレーザー光を照射することにより、樹脂基板層１０の下面からガラス基板を剥離させ、さらに、ガラス基板を剥離させた樹脂基板層１０の下面に保護シート（不図示）を貼付する。
上記有機ＥＬ素子層形成工程で形成された有機ＥＬ素子層４０ａ上に、周知の方法を用いて、封止膜４５（第１無機封止膜４１、有機封止膜４２、第２無機封止膜４３）を形成する。その後、封止膜４５が形成された基板表面に保護シート（不図示）を貼付した後に、樹脂基板層１０のガラス基板側からレーザー光を照射することにより、樹脂基板層１０の下面からガラス基板を剥離させ、さらに、ガラス基板を剥離させた樹脂基板層１０の下面に保護シート（不図示）を貼付する。
以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａを製造することができる。
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａによれば、表示領域Ｄの各サブ画素Ｐにおいて、第１電極３１ａの周縁部が、初期化ＴＦＴ９ａ、補償用ＴＦＴ９ｂ、書込用ＴＦＴ９ｃ、駆動用ＴＦＴ９ｄ、電源供給用ＴＦＴ９ｅ、発光制御用ＴＦＴ９ｆ及び陽極放電用ＴＦＴ９ｇの第１半導体層１２ａ及び１２ｂ又は第２半導体層１７ａを平面視で囲むと共に、樹脂基板層１０側に突出するように設けられているので、有機ＥＬ素子３５で発光した光や外部から入射する光等の迷光を第１電極３１ａの周縁部で遮断することができる。これにより、各サブ画素Ｐに配置された初期化ＴＦＴ９ａ、補償用ＴＦＴ９ｂ、書込用ＴＦＴ９ｃ、駆動用ＴＦＴ９ｄ、電源供給用ＴＦＴ９ｅ、発光制御用ＴＦＴ９ｆ及び陽極放電用ＴＦＴ９ｇへの光入射を抑制することができるので、光入射に起因するＴＦＴ特性の低下を抑制することができる。なお、表示領域Ｄの各サブ画素Ｐに配置された初期化ＴＦＴ９ａ、補償用ＴＦＴ９ｂ、書込用ＴＦＴ９ｃ、駆動用ＴＦＴ９ｄ、電源供給用ＴＦＴ９ｅ、発光制御用ＴＦＴ９ｆ及び陽極放電用ＴＦＴ９ｇは、ポリシリコンを用いた第１ＴＦＴ（書込用ＴＦＴ９ｃ、駆動用ＴＦＴ９ｄ、電源供給用ＴＦＴ９ｅ、発光制御用ＴＦＴ９ｆ）の他に、酸化物半導体を用いて光に弱いという性質の第２ＴＦＴ（初期化ＴＦＴ９ａ、補償用ＴＦＴ９ｂ、陽極放電用ＴＦＴ９ｇ）を備えているので、光入射に起因するＴＦＴ特性の低下を特に抑制することができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａによれば、第１電極３１ａの周縁部が周縁部以外よりも厚く形成されているので、第１電極３１ａをウエットエッチングでパターニングする際のサイドエッチングを抑制することができる。これにより、第１電極３１ａの周端部とエッジカバー３２ａとの重なる面積を小さくすることができるので、各サブ画素Ｐにおける遮光と高開口率とが両立され、高精細な画像表示を実現することができるだけでなく、有機ＥＬ素子３５自身の発光や外光等の下層のＴＦＴ９ａ～９ｇへの入射を抑制することができるので、光焼き付きや外光に対するデバイスの信頼性等のデバイス特性を向上させることができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａによれば、第１電極３１ａの周縁部が平坦化膜２２ａの各平坦部Ｌの側面に沿って設けられているので、製造工程を追加することなく、平坦化膜２２ａを所定形状に形成するだけで、第１電極３１ａの周縁部を樹脂基板層１０側に突出するように形成することができる。
《第２の実施形態》
図６は、本発明に係る表示装置の第２の実施形態を示している。ここで、図６は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの表示領域Ｄの断面図であり、上記第１の実施形態で説明した図３に相当する図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図５と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
図６は、本発明に係る表示装置の第２の実施形態を示している。ここで、図６は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの表示領域Ｄの断面図であり、上記第１の実施形態で説明した図３に相当する図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図５と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
上記第１の実施形態では、ＴＦＴ層３０ａに平坦化膜２２ａが設けられた有機ＥＬ表示装置５０ａを例示したが、本実施形態では、ＴＦＴ層３０ｂにおいて、樹脂基板層１０側に第１平坦化膜２２ｂが設けられ、有機ＥＬ素子層４０ｂ側に第２平坦化膜２４ｂが設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｂを例示する。
有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。
また、有機ＥＬ表示装置５０ｂは、図６に示すように、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ層３０ｂと、ＴＦＴ層３０ｂ上に設けられた有機ＥＬ素子層４０ｂと、有機ＥＬ素子層４０ｂを覆うように設けられた封止膜４５とを備えている。
ＴＦＴ層３０ｂは、図６に示すように、樹脂基板層１０上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に各サブ画素Ｐに配置された初期化ＴＦＴ９ａ（図４参照）、補償用ＴＦＴ９ｂ（図４参照）、書込用ＴＦＴ９ｃ（図４参照）、駆動用ＴＦＴ９ｄ、電源供給用ＴＦＴ９ｅ（図４参照）、発光制御用ＴＦＴ９ｆ、陽極放電用ＴＦＴ９ｇ及びキャパシタ９ｈと、各ＴＦＴ９ａ～９ｇ及びキャパシタ９ｈ上に積層された第１平坦化膜２２ｂと、第１平坦化膜２２ｂ上に各サブ画素Ｐに配線層として設けられた中継電極２３ｂと、中継電極２３ｂ上に設けられた第２平坦化膜２４ｂとを備えている。ここで、ＴＦＴ層３０ｂには、上記第１の実施形態のＴＦＴ３０ａと同様に、複数のゲート線１４ｇ、複数の発光制御線１４ｅ、複数の第２初期化電源線１９ｉ、複数のソース線２１ｈ及び複数の電源線２１ｉが設けられている。また、中継電極２３ｂは、図６に示すように、各サブ画素Ｐに配置された初期化ＴＦＴ９ａ、補償用ＴＦＴ９ｂ、書込用ＴＦＴ９ｃ、駆動用ＴＦＴ９ｄ、電源供給用ＴＦＴ９ｅ、発光制御用ＴＦＴ９ｆ及び陽極放電用ＴＦＴ９ｇと重なるように設けられている。
第１平坦化膜２２ｂ及び第２平坦化膜２４ｂは、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の有機樹脂材料、又はポリシロキサン系のＳＯＧ材料等の有機絶縁膜により構成されている。ここで、第１平坦化膜２２ｂは、複数のサブ画素Ｐに共通して設けられ、表示領域Ｄにおいて、平坦な表面を有している。また、第２平坦化膜２４ｂは、サブ画素Ｐ毎に設けられ、図６に示すように、有機ＥＬ素子層４０ｂ側に平坦に突出する平坦部Ｌにより構成されている。
有機ＥＬ素子層４０ｂは、複数のサブ画素Ｐに対応して順に積層された複数の第１電極３１ｂ、共通のエッジカバー３２ｂ、複数の有機ＥＬ層３３、共通の第２電極３４を備えている。ここで、各サブ画素Ｐにおいて、第１電極３１ｂ、有機ＥＬ層３３及び第２電極３４は、有機ＥＬ素子３５（図４参照）を構成している。
第１電極３１ｂは、第１平坦化膜２２ｂに形成されたコンタクトホール、中継電極２３ｂ及び第２平坦化膜２４ｂに形成されたコンタクトホールを介して、各サブ画素Ｐの発光制御用ＴＦＴ９ｆの第２端子電極２１ｃに電気的に接続されている。また、第１電極３１ｂの周縁部は、図６に示すように、各サブ画素Ｐに配置された初期化ＴＦＴ９ａ、補償用ＴＦＴ９ｂ、書込用ＴＦＴ９ｃ、駆動用ＴＦＴ９ｄ、電源供給用ＴＦＴ９ｅ、発光制御用ＴＦＴ９ｆ及び陽極放電用ＴＦＴ９ｇの第１又は第２半導体層を平面視で囲むと共に、樹脂基板層１０側に１μｍ程度突出するように第２平坦化膜２４ｂの平坦部Ｌの側面に沿って設けられている。また、第１電極３１ｂは、図６に示すように、（右９０°回転した）Ｅ字状の断面を有している。また、第１電極３１ｂは、有機ＥＬ層３３にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極３１ｂは、有機ＥＬ層３３への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第１電極３１ｂを構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、イリジウム（Ｉｒ）、スズ（Ｓｎ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極３１ｂを構成する材料は、例えば、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極３１ｂを構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極３１ｂは、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな化合物材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
エッジカバー３２ｂは、全てのサブ画素Ｐに共通して格子状に設けられ、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の有機樹脂材料、又はポリシロキサン系のＳＯＧ材料等により構成されている。また、エッジカバー３２ｂは、図６に示すように、各第１電極３１ｂの周縁部を覆うように設けられている。
上記構成の有機ＥＬ表示装置５０ｂでは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、各サブ画素Ｐにおいて、有機ＥＬ素子３５が駆動電流に応じた輝度で発光して、画像表示が行われる。また、有機ＥＬ表示装置５０ｂでは、表示領域Ｄの各画素Ｐにおいて、第１電極３１ｂの周縁部が各ＴＦＴ９ａ～９ｇを平面視で囲むと共に樹脂基板層１０側に突出するように設けられているので、有機ＥＬ素子３５で発光した光や外部から入射する光等の迷光が第１電極３１ｂの周縁部で遮断され、各ＴＦＴ９ａ～９ｇに迷光が入射し難い構造になっている。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法におけるＴＦＴ層形成工程において、平坦化膜２２ａを形成する代わりに第１平坦化膜２２ｂを形成した後に、第１平坦化膜２２ｂが形成された基板表面に、例えば、スパッタリング法により、チタン膜、アルミニウム膜及びチタン膜等を順に成膜して金属積層膜を形成した後に、その金属積層膜をパターニングして、中継電極２３ｂを形成し、さらに、中継電極２３ｂが形成された基板表面に、例えば、スリットコート法等により、ポリイミド系の感光性樹脂膜を塗布した後に、その塗布膜に対して、プリベーク、露光、現像及びポストベークを行うことにより、第２平坦化膜２４ｂを形成することにより製造することができる。
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂによれば、表示領域Ｄの各サブ画素Ｐにおいて、第１電極３１ｂの周縁部が、初期化ＴＦＴ９ａ、補償用ＴＦＴ９ｂ、書込用ＴＦＴ９ｃ、駆動用ＴＦＴ９ｄ、電源供給用ＴＦＴ９ｅ、発光制御用ＴＦＴ９ｆ及び陽極放電用ＴＦＴ９ｇの第１半導体層１２ａ及び１２ｂ又は第２半導体層１７ａを平面視で囲むと共に、樹脂基板層１０側に突出するように設けられているので、有機ＥＬ素子３５で発光した光や外部から入射する光等の迷光を第１電極３１ｂの周縁部で遮断することができる。これにより、各サブ画素Ｐに配置された初期化ＴＦＴ９ａ、補償用ＴＦＴ９ｂ、書込用ＴＦＴ９ｃ、駆動用ＴＦＴ９ｄ、電源供給用ＴＦＴ９ｅ、発光制御用ＴＦＴ９ｆ及び陽極放電用ＴＦＴ９ｇへの光入射を抑制することができるので、光入射に起因するＴＦＴ特性の低下を抑制することができる。なお、表示領域Ｄの各サブ画素Ｐに配置された初期化ＴＦＴ９ａ、補償用ＴＦＴ９ｂ、書込用ＴＦＴ９ｃ、駆動用ＴＦＴ９ｄ、電源供給用ＴＦＴ９ｅ、発光制御用ＴＦＴ９ｆ及び陽極放電用ＴＦＴ９ｇは、ポリシリコンを用いた第１ＴＦＴ（書込用ＴＦＴ９ｃ、駆動用ＴＦＴ９ｄ、電源供給用ＴＦＴ９ｅ、発光制御用ＴＦＴ９ｆ）の他に、酸化物半導体を用いて光に弱いという性質の第２ＴＦＴ（初期化ＴＦＴ９ａ、補償用ＴＦＴ９ｂ、陽極放電用ＴＦＴ９ｇ）を備えているので、光入射に起因するＴＦＴ特性の低下を特に抑制することができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂによれば、第１電極３１ｂの周縁部が周縁部以外よりも厚く形成されているので、第１電極３１ｂをウエットエッチングでパターニングする際のサイドエッチングを抑制することができる。これにより、第１電極３１ｂの周端部とエッジカバー３２ａとの重なる面積を小さくすることができるので、各サブ画素Ｐにおける遮光と高開口率とが両立され、高精細な画像表示を実現することができるだけでなく、有機ＥＬ素子３５自身の発光や外光等の下層のＴＦＴ９ａ～９ｇへの入射を抑制することができるので、光焼き付きや外光に対するデバイスの信頼性等のデバイス特性を向上させることができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂによれば、第１電極３１ｂの周縁部が第２平坦化膜２４ｂの平坦部Ｌの側面に沿って設けられているので、製造工程を追加することなく、第２平坦化膜２４ｂを所定形状に形成するだけで、第１電極３１ｂの周縁部を樹脂基板層１０側に突出するように形成することができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂによれば、第１平坦化膜２２ｂ及び第２平坦化膜２４ｂの間において各サブ画素Ｐに中継電極２３ｂが設けられているので、各サブ画素Ｐに配置された初期化ＴＦＴ９ａ、補償用ＴＦＴ９ｂ、書込用ＴＦＴ９ｃ、駆動用ＴＦＴ９ｄ、電源供給用ＴＦＴ９ｅ、発光制御用ＴＦＴ９ｆ及び陽極放電用ＴＦＴ９ｇの第１半導体層１２ａ及び１２ｂ又は第２半導体層１７ａが中継電極２３ｂにより遮光され、光入射に起因するＴＦＴ特性の低下をいっそう抑制することができる。
《第３の実施形態》
図７は、本発明に係る表示装置の第３の実施形態を示している。ここで、図７は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃの表示領域Ｄの断面図であり、上記第１の実施形態で説明した図３に相当する図である。
図７は、本発明に係る表示装置の第３の実施形態を示している。ここで、図７は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃの表示領域Ｄの断面図であり、上記第１の実施形態で説明した図３に相当する図である。
上記第２の実施形態では、ＴＦＴ層３０ｂに平坦な中継電極２３ｂが設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｂを例示したが、本実施形態では、ＴＦＴ層３０ｃに非平坦な中継電極２３ｃが設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｃを例示する。
有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。
また、有機ＥＬ表示装置５０ｃは、図７に示すように、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ層３０ｃと、ＴＦＴ層３０ｃ上に設けられた有機ＥＬ素子層４０ｃと、有機ＥＬ素子層４０ｃを覆うように設けられた封止膜４５とを備えている。
ＴＦＴ層３０ｃは、図６に示すように、樹脂基板層１０上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に各サブ画素Ｐに配置された初期化ＴＦＴ９ａ（図４参照）、補償用ＴＦＴ９ｂ（図４参照）、書込用ＴＦＴ９ｃ（図４参照）、駆動用ＴＦＴ９ｄ、電源供給用ＴＦＴ９ｅ（図４参照）、発光制御用ＴＦＴ９ｆ、陽極放電用ＴＦＴ９ｇ及びキャパシタ９ｈと、各ＴＦＴ９ａ～９ｇ及びキャパシタ９ｈ上に積層された第１平坦化膜２２ａと、第１平坦化膜２２ａ上に各サブ画素Ｐに配線層として設けられた中継電極２３ｃと、中継電極２３ｃ上に設けられた第２平坦化膜２４ｃとを備えている。ここで、ＴＦＴ層３０ｃには、上記第１の実施形態のＴＦＴ３０ａと同様に、複数のゲート線１４ｇ、複数の発光制御線１４ｅ、複数の第２初期化電源線１９ｉ、複数のソース線２１ｈ及び複数の電源線２１ｉが設けられている。
第２平坦化膜２４ｃは、サブ画素Ｐ毎に設けられ、図７に示すように、有機ＥＬ素子層４０ｃ側に平坦に突出する上側平坦部Ｌａであり、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の有機樹脂材料、又はポリシロキサン系のＳＯＧ材料等の有機絶縁膜により構成されている。なお、第１平坦化膜２２ａは、上述したように、複数のサブ画素Ｐに共通して設けられ、図７に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、有機ＥＬ素子層４０ｃ側に平坦に突出する下側平坦部Ｌｂを有している。
中継電極２３ｃは、図７に示すように、各サブ画素Ｐに配置された初期化ＴＦＴ９ａ、補償用ＴＦＴ９ｂ、書込用ＴＦＴ９ｃ、駆動用ＴＦＴ９ｄ、電源供給用ＴＦＴ９ｅ、発光制御用ＴＦＴ９ｆ及び陽極放電用ＴＦＴ９ｇと重なるように設けられている。また、中継電極２３ｃの周縁部は、図７に示すように、各サブ画素Ｐに配置された初期化ＴＦＴ９ａ、補償用ＴＦＴ９ｂ、書込用ＴＦＴ９ｃ、駆動用ＴＦＴ９ｄ、電源供給用ＴＦＴ９ｅ、発光制御用ＴＦＴ９ｆ及び陽極放電用ＴＦＴ９ｇの第１又は第２半導体層を平面視で囲むと共に、樹脂基板層１０側に１μｍ程度突出するように第１平坦化膜２２ａの下側平坦部Ｌｂの側面に沿って設けられている。また、中継電極２３ｃは、図７に示すように、（右９０°回転した）Ｅ字状の断面を有している。
有機ＥＬ素子層４０ｃは、複数のサブ画素Ｐに対応して順に積層された複数の第１電極３１ｃ、共通のエッジカバー３２ｃ、複数の有機ＥＬ層３３、共通の第２電極３４を備えている。ここで、各サブ画素Ｐにおいて、第１電極３１ｃ、有機ＥＬ層３３及び第２電極３４は、有機ＥＬ素子３５（図４参照）を構成している。
第１電極３１ｃは、第１平坦化膜２２ａに形成されたコンタクトホール、中継電極２３ｃ及び第２平坦化膜２４ｃに形成されたコンタクトホールを介して、各サブ画素Ｐの発光制御用ＴＦＴ９ｆの第２端子電極２１ｃに電気的に接続されている。また、第１電極３１ｃの周縁部は、図７に示すように、各サブ画素Ｐに配置された初期化ＴＦＴ９ａ、補償用ＴＦＴ９ｂ、書込用ＴＦＴ９ｃ、駆動用ＴＦＴ９ｄ、電源供給用ＴＦＴ９ｅ、発光制御用ＴＦＴ９ｆ及び陽極放電用ＴＦＴ９ｇの第１又は第２半導体層を平面視で囲むと共に、樹脂基板層１０側に１μｍ程度突出するように第２平坦化膜２４ｄの上側平坦部Ｌａの側面に沿って設けられている。また、第１電極３１ｃは、図７に示すように、（右９０°回転した）Ｅ字状の断面を有している。また、第１電極３１ｃは、有機ＥＬ層３３にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極３１ｃは、有機ＥＬ層３３への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第１電極３１ｃを構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、イリジウム（Ｉｒ）、スズ（Ｓｎ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極３１ｃを構成する材料は、例えば、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極３１ｃを構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極３１ｃは、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな化合物材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
エッジカバー３２ｃは、全てのサブ画素Ｐに共通して格子状に設けられ、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の有機樹脂材料、又はポリシロキサン系のＳＯＧ材料等により構成されている。また、エッジカバー３２ｃは、図７に示すように、各第１電極３１ｃの周端部を覆うように設けられている。
上記構成の有機ＥＬ表示装置５０ｃでは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、各サブ画素Ｐにおいて、有機ＥＬ素子３５が駆動電流に応じた輝度で発光して、画像表示が行われる。また、有機ＥＬ表示装置５０ｃでは、表示領域Ｄの各画素Ｐにおいて、第１電極３１ｃの周縁部が各ＴＦＴ９ａ～９ｇを平面視で囲むと共に樹脂基板層１０側に突出するように設けられているので、有機ＥＬ素子３５で発光した光や外部から入射する光等の迷光が第１電極３１ｂの周縁部で遮断され、各ＴＦＴ９ａ～９ｇに迷光が入射し難い構造になっている。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法におけるＴＦＴ層形成工程において、第１平坦化膜２２ｂ、中継電極２３ｂ及び第２平坦化膜２４ｂのパターン形状を変更することにより、製造することができる。
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃによれば、表示領域Ｄの各サブ画素Ｐにおいて、第１電極３１ｃの周縁部が、初期化ＴＦＴ９ａ、補償用ＴＦＴ９ｂ、書込用ＴＦＴ９ｃ、駆動用ＴＦＴ９ｄ、電源供給用ＴＦＴ９ｅ、発光制御用ＴＦＴ９ｆ及び陽極放電用ＴＦＴ９ｇの第１半導体層１２ａ及び１２ｂ又は第２半導体層１７ａを平面視で囲むと共に、樹脂基板層１０側に突出するように設けられているので、有機ＥＬ素子３５で発光した光や外部から入射する光等の迷光を第１電極３１ｃの周縁部で遮断することができる。これにより、各サブ画素Ｐに配置された初期化ＴＦＴ９ａ、補償用ＴＦＴ９ｂ、書込用ＴＦＴ９ｃ、駆動用ＴＦＴ９ｄ、電源供給用ＴＦＴ９ｅ、発光制御用ＴＦＴ９ｆ及び陽極放電用ＴＦＴ９ｇへの光入射を抑制することができるので、光入射に起因するＴＦＴ特性の低下を抑制することができる。なお、表示領域Ｄの各サブ画素Ｐに配置された初期化ＴＦＴ９ａ、補償用ＴＦＴ９ｂ、書込用ＴＦＴ９ｃ、駆動用ＴＦＴ９ｄ、電源供給用ＴＦＴ９ｅ、発光制御用ＴＦＴ９ｆ及び陽極放電用ＴＦＴ９ｇは、ポリシリコンを用いた第１ＴＦＴ（書込用ＴＦＴ９ｃ、駆動用ＴＦＴ９ｄ、電源供給用ＴＦＴ９ｅ、発光制御用ＴＦＴ９ｆ）の他に、酸化物半導体を用いて光に弱いという性質の第２ＴＦＴ（初期化ＴＦＴ９ａ、補償用ＴＦＴ９ｂ、陽極放電用ＴＦＴ９ｇ）を備えているので、光入射に起因するＴＦＴ特性の低下を特に抑制することができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃによれば、第１電極３１ｃの周縁部が周縁部以外よりも厚く形成されているので、第１電極３１ｃをウエットエッチングでパターニングする際のサイドエッチングを抑制することができる。これにより、第１電極３１ｃの周端部とエッジカバー３２ｃとの重なる面積を小さくすることができるので、各サブ画素Ｐにおける遮光と高開口率とが両立され、高精細な画像表示を実現することができるだけでなく、有機ＥＬ素子３５自身の発光や外光等の下層のＴＦＴ９ａ～９ｇへの入射を抑制することができるので、光焼き付きや外光に対するデバイスの信頼性等のデバイス特性を向上させることができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃによれば、第１電極３１ｃの周縁部が第２平坦化膜２４ｃの上側平坦部Ｌａの側面に沿って設けられているので、製造工程を追加することなく、第２平坦化膜２４ｃを所定形状に形成するだけで、第１電極３１ｃの周縁部を樹脂基板層１０側に突出するように形成することができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃによれば、第１平坦化膜２２ａ及び第２平坦化膜２４ｃの間において各サブ画素Ｐに中継電極２３ｃが設けられているので、各サブ画素Ｐに配置された初期化ＴＦＴ９ａ、補償用ＴＦＴ９ｂ、書込用ＴＦＴ９ｃ、駆動用ＴＦＴ９ｄ、電源供給用ＴＦＴ９ｅ、発光制御用ＴＦＴ９ｆ及び陽極放電用ＴＦＴ９ｇの第１半導体層１２ａ及び１２ｂ又は第２半導体層１７ａが中継電極２３ｃにより遮光され、光入射に起因するＴＦＴ特性の低下をいっそう抑制することができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃによれば、中継電極２３ｃの周縁部が、初期化ＴＦＴ９ａ、補償用ＴＦＴ９ｂ、書込用ＴＦＴ９ｃ、駆動用ＴＦＴ９ｄ、電源供給用ＴＦＴ９ｅ、発光制御用ＴＦＴ９ｆ及び陽極放電用ＴＦＴ９ｇの第１半導体層１２ａ及び１２ｂ又は第２半導体層１７ａを平面視で囲むと共に、樹脂基板層１０側に突出するように設けられているので、有機ＥＬ素子３５で発光した光や外部から入射する光等の迷光を中継電極２３ｃの周縁部で遮断することができる。これにより、各サブ画素Ｐに配置された初期化ＴＦＴ９ａ、補償用ＴＦＴ９ｂ、書込用ＴＦＴ９ｃ、駆動用ＴＦＴ９ｄ、電源供給用ＴＦＴ９ｅ、発光制御用ＴＦＴ９ｆ及び陽極放電用ＴＦＴ９ｇへの光入射を抑制することができるので、光入射に起因するＴＦＴ特性の低下をよりいっそう抑制することができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃによれば、中継電極２３ｃの周縁部が第１平坦化膜２２ａの下側平坦部Ｌｂの側面に沿って設けられているので、製造工程を追加することなく、第１平坦化膜２２ａを所定形状に形成するだけで、中継電極２３ｃの周縁部を樹脂基板層１０側に突出するように形成することができる。
《その他の実施形態》
上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
また、上記各実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
また、上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本発明は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置に適用することができ、例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）を備えた表示装置に適用することができる。
以上説明したように、本発明は、フレキシブルな表示装置について有用である。
Ｄ 表示領域
Ｌ 平坦部
Ｌａ 上側平坦部
Ｌｂ 下側平坦部
Ｐ サブ画素
Ｗａ 第１外側堰き止め壁
Ｗｂ 第２外側堰き止め壁
９ａ 初期化ＴＦＴ（第２薄膜トランジスタ）
９ｂ 補償用ＴＦＴ（第２薄膜トランジスタ）
９ｃ 書込用ＴＦＴ（第１薄膜トランジスタ）
９ｄ 駆動用ＴＦＴ（第１薄膜トランジスタ）
９ｅ 電源供給用ＴＦＴ（第１薄膜トランジスタ）
９ｆ 発光制御用ＴＦＴ（第１薄膜トランジスタ）
９ｇ 陽極放電用ＴＦＴ（第２薄膜トランジスタ）
１０ 樹脂基板層（ベース基板層）
１２ａ，１２ｂ 第１半導体層
１７ａ 第２半導体層
２２ａ 平坦化膜、第１平坦化膜
２２ｂ 第１平坦化膜
２３ｂ，２３ｃ 中継電極（配線層）
２４ｂ，２４ｃ 第２平坦化膜
３０ａ，３０ｂ，３０ｃ ＴＦＴ層（薄膜トランジスタ層）
３１ａ，３１ｂ，３１ｃ 第１電極
３２ａ，３２ｂ，３２ｃ エッジカバー
３３ 有機ＥＬ層（発光機能層、有機エレクトロルミネッセンス層）
３４ 第２電極
４０ａ，４０ｂ，４０ｃ 有機ＥＬ素子層（発光素子層）
４１ 第１無機封止膜
４２ 有機封止膜
４３ 第２無機封止膜
４５ 封止膜
５０ａ，５０ｂ，５０ｃ 有機ＥＬ表示装置
Ｌ 平坦部
Ｌａ 上側平坦部
Ｌｂ 下側平坦部
Ｐ サブ画素
Ｗａ 第１外側堰き止め壁
Ｗｂ 第２外側堰き止め壁
９ａ 初期化ＴＦＴ（第２薄膜トランジスタ）
９ｂ 補償用ＴＦＴ（第２薄膜トランジスタ）
９ｃ 書込用ＴＦＴ（第１薄膜トランジスタ）
９ｄ 駆動用ＴＦＴ（第１薄膜トランジスタ）
９ｅ 電源供給用ＴＦＴ（第１薄膜トランジスタ）
９ｆ 発光制御用ＴＦＴ（第１薄膜トランジスタ）
９ｇ 陽極放電用ＴＦＴ（第２薄膜トランジスタ）
１０ 樹脂基板層（ベース基板層）
１２ａ，１２ｂ 第１半導体層
１７ａ 第２半導体層
２２ａ 平坦化膜、第１平坦化膜
２２ｂ 第１平坦化膜
２３ｂ，２３ｃ 中継電極（配線層）
２４ｂ，２４ｃ 第２平坦化膜
３０ａ，３０ｂ，３０ｃ ＴＦＴ層（薄膜トランジスタ層）
３１ａ，３１ｂ，３１ｃ 第１電極
３２ａ，３２ｂ，３２ｃ エッジカバー
３３ 有機ＥＬ層（発光機能層、有機エレクトロルミネッセンス層）
３４ 第２電極
４０ａ，４０ｂ，４０ｃ 有機ＥＬ素子層（発光素子層）
４１ 第１無機封止膜
４２ 有機封止膜
４３ 第２無機封止膜
４５ 封止膜
５０ａ，５０ｂ，５０ｃ 有機ＥＬ表示装置
Claims (13)
- ベース基板層と、
上記ベース基板層上に設けられ、表示領域を構成する複数のサブ画素の各サブ画素に薄膜トランジスタが配置され、該薄膜トランジスタ上に平坦化膜が積層された薄膜トランジスタ層と、
上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、上記複数のサブ画素に対応して複数の第１電極、共通のエッジカバー、複数の発光機能層及び共通の第２電極が順に積層された発光素子層とを備えた表示装置であって、
上記各第１電極の周縁部は、対応する上記薄膜トランジスタを平面視で囲むと共に上記ベース基板層側に突出するように設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１に記載された表示装置において、
上記平坦化膜は、上記複数のサブ画素に共通して設けられ、上記各サブ画素において、上記発光素子層側に平坦に突出する平坦部を有し、
上記各第１電極の周縁部は、上記平坦部の側面に沿って設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項２に記載された表示装置において、
上記各第１電極は、Ｅ字状の断面を有していることを特徴とする表示装置。 - 請求項１に記載された表示装置において、
上記平坦化膜は、上記ベース基板層側に設けられた第１平坦化膜と、上記発光素子層側に設けられた第２平坦化膜とを備え、
上記薄膜トランジスタ層は、上記第１平坦化膜及び上記第２平坦化膜の間において上記各サブ画素に設けられた配線層を備え、
上記第２平坦化膜は、上記各サブ画素において、上記発光素子層側に平坦に突出する上側平坦部により構成され、
上記各第１電極の周縁部は、上記上側平坦部の側面に沿って設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項４に記載された表示装置において、
上記各第１電極は、Ｅ字状の断面を有していることを特徴とする表示装置。 - 請求項４又は５に記載された表示装置において、
上記配線層は、対応する上記薄膜トランジスタと重なるように設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項６に記載された表示装置において、
上記配線層の周縁部は、対応する上記薄膜トランジスタを平面視で囲むと共に上記ベース基板層側に突出するように設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項７に記載された表示装置において、
上記第１平坦化膜は、上記複数のサブ画素に共通して設けられ、上記各サブ画素において、上記発光素子層側に平坦に突出する下側平坦部を有し、
上記配線層の周縁部は、上記下側平坦部の側面に沿って設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項８に記載された表示装置において、
上記配線層は、Ｅ字状の断面を有していることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～９の何れか１つに記載された表示装置において、
上記発光素子層を覆うように設けられ、第１無機封止膜、有機封止膜及び第２無機封止膜が順に積層された封止膜を備えていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～１０の何れか１つに記載された表示装置において、
上記薄膜トランジスタは、ポリシリコンにより形成された第１半導体層を有する第１薄膜トランジスタと、酸化物半導体により形成された第２半導体層を有する第２薄膜トランジスタとを備えていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～１０の何れか１つに記載された表示装置において、
上記薄膜トランジスタは、酸化物半導体により形成された半導体層を有する薄膜トランジスタにより構成されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～１２の何れか１つに記載された表示装置において、
上記各発光機能層は、有機エレクトロルミネッセンス層であることを特徴とする表示装置。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|
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| WO2020066020A1 (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | シャープ株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
| WO2020194706A1 (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
-
2021
- 2021-04-27 CN CN202180095405.6A patent/CN117044395A/zh active Pending
- 2021-04-27 US US18/280,942 patent/US20240147789A1/en active Pending
- 2021-04-27 WO PCT/JP2021/016828 patent/WO2022230060A1/ja active Application Filing
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010287543A (ja) * | 2009-06-15 | 2010-12-24 | Panasonic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びそれらの製造方法 |
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| WO2020194706A1 (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20240147789A1 (en) | 2024-05-02 |
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