WO2020044439A1 - 表示装置 - Google Patents
表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2020044439A1 WO2020044439A1 PCT/JP2018/031783 JP2018031783W WO2020044439A1 WO 2020044439 A1 WO2020044439 A1 WO 2020044439A1 JP 2018031783 W JP2018031783 W JP 2018031783W WO 2020044439 A1 WO2020044439 A1 WO 2020044439A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- film
- display device
- wirings
- display
- insulating film
- Prior art date
Links
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 167
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 167
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 96
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 96
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 84
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 432
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 164
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 102
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 13
- 239000002585 base Substances 0.000 description 12
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 6
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 6
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 6
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 5
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 2
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical class C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052789 astatine Inorganic materials 0.000 description 2
- RYXHOMYVWAEKHL-UHFFFAOYSA-N astatine atom Chemical compound [At] RYXHOMYVWAEKHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 2
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NVWCQPYOGQBFDC-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-tris(2-phenylethenyl)benzene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC(C=1C=CC=2C=CC=CC=2)=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 NVWCQPYOGQBFDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical class C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004057 1,4-benzoquinones Chemical class 0.000 description 1
- YZVWKHVRBDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 1-aminopyrene Chemical class C1=C2C(N)=CC=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 YZVWKHVRBDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical class C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 4-penten-2-one Chemical class CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 7-[(z)-3-methyl-4-(4-methyl-5-oxo-2h-furan-2-yl)but-2-enoxy]chromen-2-one Chemical compound C=1C=C2C=CC(=O)OC2=CC=1OC/C=C(/C)CC1OC(=O)C(C)=C1 CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- RZVHIXYEVGDQDX-UHFFFAOYSA-N 9,10-anthraquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C(=O)C2=C1 RZVHIXYEVGDQDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical class C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical class N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical class C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000001788 chalcone derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFQXGXDIJMBKTC-UHFFFAOYSA-N oxostrontium Chemical compound [Sr]=O UFQXGXDIJMBKTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical class C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N phenoxazin-1-one Chemical compound C1=CC=C2N=C3C(=O)C=CC=C3OC2=C1 FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N phenoxazone Natural products C1=CC=C2OC3=CC(=O)C=CC3=NC2=C1 UOMHBFAJZRZNQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical class [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 1
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 150000004867 thiadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/06—Electrode terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
表示領域には、第２金属膜により形成された複数の第１表示用配線、各第１表示用配線を覆うように第１平坦化膜、及び第１平坦化膜上に第３金属膜により形成された複数の第２表示用配線がそれぞれ設けられ、折り曲げ部（Ｂ）には、第１無機絶縁膜（１５）のスリット（Ｓ）を埋めるように第１平坦化膜と同一材料により同一層に形成された第１樹脂膜（１９ｂ）が設けられ、第１樹脂膜（１９ｂ）の上面には、第３金属膜により形成された複数の第１接続配線（２０ｃ）が折り曲げ部（Ｂ）の延びる方向と交差する方向に互いに平行に延びるように設けられている。
Description
本発明は、表示装置に関するものである。
近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機ＥＬ（electroluminescence）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置では、可撓性を有する樹脂基板上に有機ＥＬ素子等を形成したフレキシブルな有機ＥＬ表示装置が提案されている。ここで、有機ＥＬ表示装置では、画像表示を行う表示領域と、その表示領域の周囲に額縁領域とが設けられ、額縁領域を縮小させることが要望されている。そして、フレキシブルな有機ＥＬ表示装置では、平面視における額縁領域が占有する面積を小さくするために、額縁領域を折り曲げると、その額縁領域に配置された配線が破断するおそれがある。
例えば、特許文献１には、ベンディングホールを形成することにより、ベンディング領域に対応するバッファ膜、ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜のそれぞれ一部を除去して、配線の断線を防止するフレキシブル表示装置が開示されている。
ところで、フレキシブルな有機ＥＬ表示装置では、樹脂基板上にベースコート膜、ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜等の無機絶縁膜が設けられているので、額縁領域の配線の断線を抑制するために、額縁領域の折り曲げ部における無機絶縁膜を除去して、その除去した部分に平坦化膜を形成し、その平坦化膜上に配線を形成することがある。しかしながら、このような構成の有機ＥＬ表示装置では、額縁領域の折り曲げ部の無機絶縁膜を除去した部分だけに平坦化膜を別途形成する必要があるので、製造コストが高くなってしまう。改善の余地がある。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、額縁領域の折り曲げ部における配線の断線を低コストで抑制することにある。
上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、画像表示を行う表示領域、該表示領域の周囲に額縁領域、該額縁領域の端部に端子部、並びに該端子部及び上記表示領域の間に一方向に延びるように折り曲げ部がそれぞれ規定された樹脂基板と、上記樹脂基板上に設けられ、第１金属膜、第１無機絶縁膜、第２金属膜、第１平坦化膜、第３金属膜及び第２平坦化膜が順に積層されたＴＦＴ層と、上記ＴＦＴ層上に設けられ、上記第２平坦化膜上に配置された複数の画素電極、及び該各画素電極の周端部を覆うエッジカバーを有する発光素子とを備え、上記折り曲げ部において、上記第１無機絶縁膜には、上方に開口するスリットが上記折り曲げ部の延びる方向に延びるように設けられ、上記スリットの上記表示領域側及び上記端子部側には、上記第１金属膜により形成された複数の第１引出配線及び複数の第２引出配線が上記折り曲げ部の延びる方向と交差する方向に互いに平行に延びるようにそれぞれ設けられ、上記表示領域には、上記第２金属膜により形成された複数の第１表示用配線、該各第１表示用配線を覆うように上記第１平坦化膜、該第１平坦化膜上に上記第３金属膜により形成された複数の第２表示用配線、及び該各第２表示用配線を覆うように上記第２平坦化膜がそれぞれ設けられた表示装置であって、上記折り曲げ部には、上記スリットを埋めるように上記第１平坦化膜と同一材料により同一層に形成された第１樹脂膜が設けられ、上記第１樹脂膜の上面には、上記第３金属膜により形成された複数の第１接続配線が上記折り曲げ部の延びる方向と交差する方向に互いに平行に延びるように設けられ、上記複数の第１接続配線は、上記スリットの上記表示領域側において、上記複数の第１引出配線にそれぞれ電気的に接続されていると共に、上記スリットの上記端子部側において、上記複数の第２引出配線にそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする。
本発明によれば、表示領域には、第２金属膜により形成された複数の第１表示用配線、各第１表示用配線を覆うように第１平坦化膜、及び第１平坦化膜上に第３金属膜により形成された複数の第２表示用配線がそれぞれ設けられ、折り曲げ部には、第１無機絶縁膜のスリットを埋めるように第１平坦化膜と同一材料により同一層に形成された第１樹脂膜が設けられ、第１樹脂膜の上面には、第３金属膜により形成された複数の第１接続配線が折り曲げ部の延びる方向と交差する方向に互いに平行に延びるように設けられているので、額縁領域の折り曲げ部における配線の断線を低コストで抑制することができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
《第１の実施形態》
図１～図８は、本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの概略構成を示す平面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの平面図である。また、図３は、図１中のIII－III線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの断面図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成するＴＦＴ層３０の等価回路図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ層３３を示す断面図である。また、図６は、図１中の領域Ａを拡大した有機ＥＬ表示装置５０ａの折り曲げ部Ｂを含む額縁領域Ｆの平面図である。また、図７及び図８は、図６中のVII－VII線及びVIII－VIII線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ａの折り曲げ部Ｂを含む額縁領域Ｆの断面図である。なお、図６の平面図では、後述する第２樹脂膜２１ｂ及び第３樹脂膜３２ｂの図示を省略している。
図１～図８は、本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの概略構成を示す平面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの平面図である。また、図３は、図１中のIII－III線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの断面図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成するＴＦＴ層３０の等価回路図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ層３３を示す断面図である。また、図６は、図１中の領域Ａを拡大した有機ＥＬ表示装置５０ａの折り曲げ部Ｂを含む額縁領域Ｆの平面図である。また、図７及び図８は、図６中のVII－VII線及びVIII－VIII線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ａの折り曲げ部Ｂを含む額縁領域Ｆの断面図である。なお、図６の平面図では、後述する第２樹脂膜２１ｂ及び第３樹脂膜３２ｂの図示を省略している。
有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、例えば、矩形状に設けられた画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。
表示領域Ｄには、図２に示すように、複数のサブ画素Ｐがマトリクス状に配列されている。また、表示領域Ｄでは、図２に示すように、例えば、赤色の表示を行うための赤色発光領域Ｌｒを有するサブ画素Ｐ、緑色の表示を行うための緑色発光領域Ｌｇを有するサブ画素Ｐ、及び青色の表示を行うための青色発光領域Ｌｂを有するサブ画素Ｐが互いに隣り合うように設けられている。なお、表示領域Ｄでは、例えば、赤色発光領域Ｌｒ、緑色発光領域Ｌｇ及び青色発光領域Ｌｂを有する隣り合う３つのサブ画素Ｐにより、１つの画素が構成されている。
額縁領域Ｆの図１中右端部には、複数の端子Ｅを有する端子部Ｔが設けられている。また、額縁領域Ｆにおいて、図１に示すように、表示領域Ｄ及び端子部Ｔの間には、図中縦方向を折り曲げの軸として、例えば、１８０°に（Ｕ字状に）折り曲げ可能な折り曲げ部Ｂが一方向（図中縦方向）に延びるように設けられている。また、額縁領域Ｆにおいて、後述する第１平坦化膜１９ａ及び第２平坦化膜２１ａには、図１に示すように、略Ｃ状のトレンチＧが第１平坦化膜１９ａ及び第２平坦化膜２１ａを貫通するように設けられている。ここで、トレンチＧは、図１に示すように、平面視で端子部Ｔ側が開口するように略Ｃ字状に設けられている。
有機ＥＬ表示装置５０ａは、図３に示すように、樹脂基板として設けられた樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ（thin film transistor）層３０ａと、ＴＦＴ層３０上に発光素子として設けられた有機ＥＬ素子３５と、有機ＥＬ素子３５を覆うように設けられた封止膜４０とを備えている。
ＴＦＴ層３０は、図３に示すように、樹脂基板層１０上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ９ａ、複数の第２ＴＦＴ９ｂ（図４参照）、複数の第３ＴＦＴ９ｃ及び複数のキャパシタ９ｄと、各第１ＴＦＴ９ａ、各第２ＴＦＴ９ｂ、各第３ＴＦＴ９ｃ及び各キャパシタ９ｄ上に順に設けられた第１平坦化膜１９ａ及び第２平坦化膜２１ａとを備えている。
ＴＦＴ層３０では、図３に示すように、ベースコート膜１１、半導体膜、ゲート絶縁膜１３、第１金属膜、第１層間絶縁膜１５（第１無機絶縁膜）、第４金属膜、第２層間絶縁膜１７（第２無機絶縁膜）、第２金属膜、第１平坦化膜１９ａ、第３金属膜及び第２平坦化膜２１ａが樹脂基板層１０上に順に積層されている。ここで、上記半導体膜は、後述する第１半導体層１２ａ等を構成し、上記第１金属膜は、後述するゲート線１４ｄ等を構成し、上記第４金属膜は、後述する上部導電層１６ａ等を構成し、上記第２金属膜は、後述するソース線１８ｆ等を構成し、上記第３金属膜は、後述する電源線２０ａ等を構成している。また、上記第２金属膜及び第３金属膜は、例えば、チタン膜、アルミニウム膜及びチタン膜等の金属積層膜により形成され、上記第１金属膜及び第４金属膜は、例えば、モリブデン膜等により形成されている。なお、上記第４金属膜が省略されている場合には、第１無機絶縁膜として、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７が設けられている。
ＴＦＴ層３０では、表示領域Ｄにおいて、図２及び図４に示すように、図中横方向に互いに平行に延びるように複数のゲート線１４ｄが複数の表示用配線として設けられている。また、ＴＦＴ層３０では、表示領域Ｄにおいて、図２及び図４に示すように、図中横方向に互いに平行に延びるように複数の発光制御線１４ｅが複数の表示用配線として設けられている。なお、各発光制御線１４ｅは、図２に示すように、各ゲート線１４ｄと隣り合うように設けられている。また、ＴＦＴ層３０では、表示領域Ｄにおいて、図２及び図４に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数のソース線１８ｆが複数の表示用配線として設けられている。また、ＴＦＴ層３０では、表示領域Ｄにおいて、図１中の縦方向に互いに平行に延びる複数の電源線（２０ａ）と、図１中の横方向に互いに平行に延びる複数の電源線（２０ａ）とを各交差部で連結してなる電源線２０ａが複数の表示用配線として格子状に設けられている。また、ＴＦＴ層３０では、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、第３ＴＦＴ９ｃ及びキャパシタ９ｄがそれぞれ設けられている。
ベースコート膜１１は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
第１ＴＦＴ９ａは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応するゲート線１４ｄ、ソース線１８ｆ及び第２ＴＦＴ９ｂに電気的に接続されている。また、第１ＴＦＴ９ａは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に順に設けられた半導体層１２ａ、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４ａ、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７、並びにソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂを備えている。ここで、半導体層１２ａは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられ、後述するように、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有している。また、ゲート絶縁膜１３は、図３に示すように、半導体層１２ａを覆うように設けられている。また、ゲート電極１４ａは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ａのチャネル領域と重なるように設けられている。また、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、図３に示すように、ゲート電極１４ａを覆うように順に設けられている。また、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７上に互いに離間するように設けられている。また、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ａのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続されている。なお、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
第２ＴＦＴ９ｂは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ、電源線２０ａ及び第３ＴＦＴ９ｃに電気的に接続されている。なお、第２ＴＦＴ９ｂは、第１ＴＦＴ９ａ及び第３ＴＦＴ９ｃと実質的に同じ構造を有している。
第３ＴＦＴ９ｃは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第２ＴＦＴ９ａ、電源線２０ａ及び発光制御線１４ｅに電気的に接続されている。また、第３ＴＦＴ９ｃは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に順に設けられた半導体層１２ｂ、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４ｂ、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７、並びにソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄを備えている。ここで、半導体層１２ｂは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられ、半導体層１２ａと同様に、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有している。また、ゲート絶縁膜１３は、図３に示すように、半導体層１２ｂを覆うように設けられている。また、ゲート電極１４ｂは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ｂのチャネル領域と重なるように設けられている。また、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、図３に示すように、ゲート電極１４ｂを覆うように順に設けられている。また、ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７上に互いに離間するように設けられている。また、ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ｂのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続されている。
なお、本実施形態では、トップゲート型の第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及び第３ＴＦＴ９ｃを例示したが、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及び第３ＴＦＴ９ｃは、ボトムゲート型であってもよい。
キャパシタ９ｄは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線２０ｄに電気的に接続されている。ここで、キャパシタ９ｄは、図３に示すように、ゲート電極１４ａ等と同一層に同一材料により形成された下部導電層１４ｃと、下部導電層１４ｃを覆うように設けられた第１層間絶縁膜１５と、第１層間絶縁膜１５上に下部導電層１４ｃと重なるように設けられた上部導電層１６ａとを備えている。なお、上部導電層１６ａは、第２層間絶縁膜１７及び第１平坦化膜１９ａに形成されたコンタクトホール（不図示）を介して電源線２０ａに電気的に接続されている。
第１平坦化膜１９ａは、各ソース線１８ｆを覆うように設けられ、例えば、ポリイミド樹脂等の有機樹脂材料により構成されている。なお、本実施形態では、ポリイミド樹脂製の第１平坦化膜１９ａを例示したが、第１平坦化膜１９ａは、アクリル樹脂やポリシロキサン樹脂等の有機樹脂材料により構成されていてもよい。
第２平坦化膜２１ａは、電源線２０ａを覆うように設けられ、例えば、ポリイミド樹脂等の有機樹脂材料により構成されている。なお、本実施形態では、ポリイミド樹脂製の第２平坦化膜２１ａを例示したが、第２平坦化膜２１ａは、アクリル樹脂やポリシロキサン樹脂等の有機樹脂材料により構成されていてもよい。
有機ＥＬ素子３５は、図３に示すように、ＴＦＴ層３０上に順に設けられた複数の第１電極３１ａ、エッジカバー３２ａ、複数の有機ＥＬ層３３及び第２電極３４を備えている。
複数の第１電極３１ａは、図３に示すように、複数のサブ画素Ｐに対応するように、第２平坦化膜２１上にマトリクス状に画素電極として設けられている。ここで、第１電極３１ａは、図３に示すように、第１平坦化膜１９ａに形成されたコンタクトホール、上記第３金属膜により形成されたコンタクト層２０ｂ、及び第２平坦化膜２１ａに形成されたコンタクトホールを介して、各第３ＴＦＴ９ｃのドレイン電極１８ｄに電気的に接続されている。また、第１電極３１ａは、有機ＥＬ層３３にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極３１ａは、有機ＥＬ層３３への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第１電極３１ａを構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、イリジウム（Ｉｒ）、スズ（Ｓｎ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極３１ａを構成する材料は、例えば、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極３１ａを構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極３１ａは、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな化合物材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
エッジカバー３２ａは、図３に示すように、各第１電極３１ａの周端部を覆うように格子状に設けられている。ここで、エッジカバー３２ａを構成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂等の有機膜が挙げられる。
複数の有機ＥＬ層３３は、図３に示すように、各第１電極３１ａ上に配置され、複数のサブ画素Ｐに対応するように、マトリクス状に設けられている。ここで、各有機ＥＬ層３３は、図５に示すように、第１電極３１ａ上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極３１ａと有機ＥＬ層３３とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極３１ａから有機ＥＬ層３３への正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。
正孔輸送層２は、第１電極３１ａから有機ＥＬ層３３への正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
発光層３は、第１電極３１ａ及び第２電極３４による電圧印加の際に、第１電極３１ａ及び第２電極３４から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
電子輸送層４は、電子を発光層３まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
電子注入層５は、第２電極３４と有機ＥＬ層３３とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極３４から有機ＥＬ層３３へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子３５の駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
第２電極３４は、図３に示すように、各有機ＥＬ層３３及びエッジカバー３２ａを覆うように共通電極として設けられている。また、第２電極３４は、有機ＥＬ層３３に電子を注入する機能を有している。また、第２電極３４は、有機ＥＬ層３３への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。ここで、第２電極３４を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極３４は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極３４は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極３４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
封止膜４０は、図３に示すように、第２電極３４を覆うように設けられ、第２電極３４上に順に積層された第１無機膜３６、有機膜３７及び第２無機膜３８を備え、有機ＥＬ素子３５の有機ＥＬ層３３を水分や酸素から保護する機能を有している。ここで、第１無機膜３６及び第２無機膜３８は、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜により構成されている。また、有機膜３７は、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリ尿素樹脂、パリレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂等の有機樹脂材料により構成されている。
また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの外側に枠状に設けられた第１堰き止め壁Ｗａと、第１堰き止め壁Ｗａの周囲に枠状に設けられた第２堰き止め壁Ｗｂとを備えている。ここで、第１堰き止め壁Ｗａ及び第２堰き止め壁Ｗｂは、例えば、第１平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成された下層樹脂層と、エッジカバー３２ａと同一材料により同一層に形成された上層樹脂層とを積層して形成されている。なお、第１堰き止め壁Ｗａは、封止膜４０の有機膜３７の周端部に重なるように設けられ、封止膜４０の有機膜３７のインクの拡がりを抑制するように構成されている。また、トレンチＧの内側には、例えば、平面視で枠状に形成され、延伸された端子部Ｔで高電源電圧（ＥＬＶＤＤ）が入力され、電源線２０ａに電気的に接続される額縁配線（不図示）が設けられている。また、トレンチＧの外側には、例えば、平面視で略Ｃ状に形成され、延伸された端子部Ｔで低電源電圧（ＥＬＶＳＳ）が入力され、第２電極３４に電気的に接続される他の額縁配線（不図示）が設けられている。
また、有機ＥＬ表示装置５０ａは、図６～図８に示すように、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂにおいて、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に形成されたスリットＳを埋めるように設けられた第１樹脂膜１９ｂと、第１樹脂膜１９ｂ上に設けられた複数の第１接続配線２０ｃと、各第１接続配線２０ｃを覆うように設けられた第２樹脂膜２１ｂと、第２樹脂膜２１ｂを覆うように設けられた第３樹脂膜３２ｂとを備えている。
スリットＳは、図７及び８に示すように、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７を貫通して上方に開口し、樹脂基板層１０の上面を露出させるように、折り曲げ部Ｂの延びる方向に沿って突き抜ける溝状に設けられている。なお、本実施形態では、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７を貫通するスリットＳを例示したが、スリットＳは、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７を貫通することなく、スリットＳの底部に無機絶縁膜が残っていてもよい。
スリットＳの表示領域Ｄ側（図中左側）には、図６及び図７に示すように、上記第１金属膜により形成された複数の第１引出配線１４ｆが折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられている。また、スリットＳの表示領域Ｄ側（図中左側）には、図６及び図８に示すように、上記第４金属膜により形成された複数の第３引出配線１６ｂが折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられている。なお、各第３引出配線１６ｂは、図６に示すように、各第１引出配線１４ｆと隣り合うように設けられている。また、第１引出配線１４ｆ及び第３引出配線１６ｂは、引き回し配線（不図示）を介して、表示領域Ｄに延びる信号配線（ゲート線１４ｄ、発光制御線１４ｅ、ソース線１８ｆ、電源線２０ａ等）に電気的に接続されている。
スリットＳの端子部Ｔ側（図中右側）には、図６及び図７に示すように、上記第１金属膜により形成された複数の第２引出配線１４ｇが折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられている。また、スリットＳの端子部Ｔ側（図中右側）には、図６及び図８に示すように、上記第４金属膜により形成された複数の第４引出配線１６ｃが折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられている。なお、各第４引出配線１６ｃは、図６に示すように、各第２引出配線１４ｇと隣り合うように設けられている。また、第２引出配線１４ｇ及び第４引出配線１６ｃは、他の引き回し配線（不図示）を介して、端子部Ｔの端子Ｅに電気的に接続されている。
第１樹脂膜１９ｂは、第１平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成されている。
複数の第１接続配線２０ｃは、上記第３金属膜により形成され、図６に示すように、折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延び、第１樹脂膜１９ｂを跨ぐように設けられている。ここで、隣り合う一対の第１接続配線２０ｃの一方の表示領域Ｄ側（図中左側）の端部は、図６及び図７に示すように、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールＨａを介して第１引出配線１４ｆに電気的に接続されている。また、隣り合う一対の第１接続配線２０ｃの他方の表示領域Ｄ側（図中左側）の端部は、図６及び図８に示すように、第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールＨｃを介して第３引出配線１６ｂに電気的に接続されている。さらに、隣り合う一対の第１接続配線２０ｃの一方の端子部Ｔ側（図中右側）の端部は、図６及び図７に示すように、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールＨｂを介して第２引出配線１４ｇに電気的に接続されている。また、隣り合う一対の第１接続配線２０ｃの他方の端子部Ｔ側（図中右側）の端部は、図６及び図８に示すように、第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールＨｄを介して第４引出配線１６ｃに電気的に接続されている。
第２樹脂膜２１ｂは、第２平坦化膜２１ａと同一材料により同一層に形成されている。
第３樹脂膜３２ｂは、エッジカバー３２ａと同一材料により同一層に形成されている。
上述した有機ＥＬ表示装置５０ａでは、各サブ画素Ｐにおいて、ゲート線１４ｄを介して第１ＴＦＴ９ａにゲート信号が入力されることにより、第１ＴＦＴ９ａがオン状態となり、ソース線１８ｆを介して第２ＴＦＴ９ｂのゲート電極１４ｂ及びキャパシタ９ｄにソース信号に対応する所定の電圧が書き込まれて、発光制御線１４ｅを介して第３ＴＦＴ９ｃに発光制御信号が入力されたときに第３ＴＦＴ９ｃがオン状態となり、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧に応じた電流が電源線２０ａから有機ＥＬ層３３に供給されることにより、有機ＥＬ層３３の発光層３が発光して、画像表示が行われる。なお、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、第１ＴＦＴ９ａがオフ状態になっても、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧がキャパシタ９ｄによって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまで発光層３による発光が各サブ画素Ｐで維持される。
次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法について説明する。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法は、ＴＦＴ層形成工程、有機ＥＬ素子形成工程及び封止膜形成工程を備える。
＜ＴＦＴ層形成工程＞
例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板層１０の表面に、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、第３ＴＦＴ９ｃ、キャパシタ９ｄ、第１平坦化膜１９ａ、電源線２０ａ及び第２平坦化膜２１ａ等を形成することにより、ＴＦＴ層３０を形成する。
例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板層１０の表面に、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、第３ＴＦＴ９ｃ、キャパシタ９ｄ、第１平坦化膜１９ａ、電源線２０ａ及び第２平坦化膜２１ａ等を形成することにより、ＴＦＴ層３０を形成する。
ここで、表示領域Ｄにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及び第３ＴＦＴ９ｃを形成する際には、ソース線１８ｆ等を形成する前に、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂにおいて、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜をドライエッチングにより除去して、スリットＳを形成する。その後、ソース線１８ｆ等を形成した後に、表示領域Ｄにおいて、第１平坦化膜１９ａを形成する際に、額縁領域Ｆにおいて、スリットＳを埋めるように第１樹脂膜１９ｂを形成する。続いて、表示領域Ｄにおいて、電源線２０ａ等を形成する際に、額縁領域Ｆにおいて、第１接続配線２０ｃを形成する。さらに、表示領域Ｄにおいて、電源線２０ａ等を覆うように第２平坦化膜２１ａを形成する際に、額縁領域Ｆにおいて、第１接続配線２０ｃを覆うように第２樹脂膜２１ｂを形成する。
＜有機ＥＬ素子形成工程＞
上記ＴＦＴ層形成工程で形成されたＴＦＴ層３０の第２平坦化膜２１ａ上に、周知の方法を用いて、第１電極３１ａ、エッジカバー３２ａ、有機ＥＬ層３３（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、電子注入層５）、第２電極３４を形成して、有機ＥＬ素子３５を形成する。
上記ＴＦＴ層形成工程で形成されたＴＦＴ層３０の第２平坦化膜２１ａ上に、周知の方法を用いて、第１電極３１ａ、エッジカバー３２ａ、有機ＥＬ層３３（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、電子注入層５）、第２電極３４を形成して、有機ＥＬ素子３５を形成する。
ここで、表示領域Ｄにおいて、第１電極３１ａの周端部を覆うようにエッジカバー３２ａを形成する際に、額縁領域Ｆにおいて、第２樹脂膜２１ｂを覆うように第３樹脂膜３２ｂを形成する。
＜封止膜形成工程＞
まず、上記有機ＥＬ素子形成工程で形成された有機ＥＬ素子３５が形成された基板表面に、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ（chemical vapor deposition）法により成膜して、第１無機膜３６を形成する。
まず、上記有機ＥＬ素子形成工程で形成された有機ＥＬ素子３５が形成された基板表面に、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ（chemical vapor deposition）法により成膜して、第１無機膜３６を形成する。
続いて、第１無機膜３６が形成された基板表面に、例えば、インクジェット法により、アクリル樹脂等の有機樹脂材料を成膜して、有機膜３７を形成する。
さらに、有機膜３７が形成された基板に対して、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により成膜して、第２無機膜３８を形成することにより、封止膜４０を形成する。
最後に、封止膜４０が形成された基板表面に保護シート（不図示）を貼付した後に、樹脂基板層１０のガラス基板側からレーザー光を照射することにより、樹脂基板層１０の下面からガラス基板を剥離させ、さらに、ガラス基板を剥離させた樹脂基板層１０の下面に保護シート（不図示）を貼付する。
以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａを製造することができる。
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａによれば、表示領域Ｄには、第２金属膜により形成された複数のソース線１８ｆ、各ソース線１８ｆを覆うように第１平坦化膜１９ａ、及び第１平坦化膜１９ａ上に第３金属膜により形成された複数の電源線２０ａがそれぞれ設けられている。また、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂには、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に形成されたスリットＳを埋めるように第１樹脂膜１９ｂが設けられている。そして、第１樹脂膜１９ｂの上面には、第３金属膜により形成された複数の第１接続配線２０ｃが折り曲げ部Ｂの延びる方向と交差する方向に互いに平行に延びるように設けられている。ここで、スリットＳを埋める第１樹脂膜１９ｂは、第１平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成されており、折り曲げ部ＢのスリットＳを埋めるだけに平坦化膜を別途設ける必要がないので、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂにおける第１接続配線２０ｃの断線を低コストで抑制することができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａによれば、複数の第１接続配線２０ｃにおける隣り合う一対の第１接続配線２０ｃの一方は、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールＨａ及びＨｂを介して第１引出配線１４ｆ及び第２引出配線１４ｇに電気的に接続されている。また、隣り合う一対の第１接続配線２０ｃの他方は、第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールＨｃ及びＨｄを介して第３引出配線１６ｂ及び第４引出配線１６ｃに電気的に接続されている。ここで、第１引出配線１４ｆ及び第２引出配線１４ｇは、第１金属膜により形成され、第３引出配線１６ｂ及び第４引出配線１６ｃは、第４金属膜により形成されているので、第１引出配線１４ｆ及び第２引出配線１４ｇと第３引出配線１６ｂ及び第４引出配線１６ｃとの間には、第１層間絶縁膜１５が介在する。これにより、第１引出配線１４ｆ及び第２引出配線１４ｇと第３引出配線１６ｂ及び第４引出配線１６ｃとを近づけて配置することができるので、折り曲げ部Ｂにおける隣り合う配線間のピッチを狭くすることができる。
《第２の実施形態》
図９～図１６は、本発明に係る表示装置の第２の実施形態を示している。ここで、図９は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの折り曲げ部Ｂを含む額縁領域Ｆの平面図であり、図６に相当する図である。また、図１０及び図１１は、図９中のX－X線及びXI－XI線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ｂの折り曲げ部Ｂを含む額縁領域Ｆの断面図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図８と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。また、図９の平面図では、後述する第２樹脂膜２１ｃ及び第３樹脂膜３２ｃの図示を省略している。
図９～図１６は、本発明に係る表示装置の第２の実施形態を示している。ここで、図９は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの折り曲げ部Ｂを含む額縁領域Ｆの平面図であり、図６に相当する図である。また、図１０及び図１１は、図９中のX－X線及びXI－XI線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ｂの折り曲げ部Ｂを含む額縁領域Ｆの断面図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図８と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。また、図９の平面図では、後述する第２樹脂膜２１ｃ及び第３樹脂膜３２ｃの図示を省略している。
上記第１の実施形態では、第１引出配線１４ｆ及び第２引出配線１４ｇが第１接続配線２０ｃを介して電気的に接続された有機ＥＬ表示装置５０ａを例示したが、本実施形態では、第１引出配線１４ｆ及び第２引出配線１４ｇが第１接続配線２０ｄ、第２接続配線３１ｂ及び第３接続配線３１ｃを介して電気的に接続された有機ＥＬ表示装置５０ｂを例示する。
有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、矩形状に設けられた表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に枠状に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。
有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ層３０と、ＴＦＴ層３０上に発光素子として設けられた有機ＥＬ素子３５と、有機ＥＬ素子３５を覆うように設けられた封止膜４０とを備えている。
有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの外側に枠状に設けられた第１堰き止め壁Ｗａと、第１堰き止め壁Ｗａの周囲に枠状に設けられた第２堰き止め壁Ｗｂとを備えている。
有機ＥＬ表示装置５０ｂは、図９～図１１に示すように、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂに形成されたスリットＳを埋めるように設けられた第１樹脂膜１９ｂと、第１樹脂膜１９ｂ上に設けられた複数の第１接続配線２０ｄと、各第１接続配線２０ｄを覆うように設けられた第２樹脂膜２１ｃと、第２樹脂膜２１ｃ上に設けられた複数の第２接続配線３１ｂ及び複数の第３接続配線３１ｃと、各第２接続配線３１ｂ及び各第３接続配線３１ｃを覆うように設けられた第３樹脂膜３２ｃとを備えている。
スリットＳの表示領域Ｄ側（図中左側）には、図９及び図１０に示すように、上記第１金属膜により形成された複数の第１引出配線１４ｆｂが折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられている。また、スリットＳの表示領域Ｄ側（図中左側）には、図９及び図１１に示すように、上記第４金属膜により形成された複数の第３引出配線１６ｂｂが折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられている。なお、各第３引出配線１６ｂｂは、図９に示すように、各第１引出配線１４ｆｂと隣り合うように設けられている。また、第１引出配線１４ｆｂ及び第３引出配線１６ｂｂは、引き回し配線（不図示）を介して、表示領域Ｄに延びる信号配線（ゲート線１４ｄ、発光制御線１４ｅ、ソース線１８ｆ、電源線２０ａ等）に電気的に接続されている。
スリットＳの端子部Ｔ側（図中右側）には、図９及び図１０に示すように、上記第１金属膜により形成された複数の第２引出配線１４ｇｂが折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられている。また、スリットＳの端子部Ｔ側（図中右側）には、図９及び図１１に示すように、上記第４金属膜により形成された複数の第４引出配線１６ｃｂが折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられている。なお、各第４引出配線１６ｃｂは、図９に示すように、各第２引出配線１４ｇｂと隣り合うように設けられている。また、第２引出配線１４ｇｂ及び第４引出配線１６ｃｂは、他の引き回し配線（不図示）を介して、端子部Ｔの端子Ｅに電気的に接続されている。
複数の第１接続配線２０ｄは、上記第３金属膜により形成され、図９に示すように、折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられている。
第２樹脂膜２１ｃは、第２平坦化膜２１ａと同一材料により同一層に形成されている。
複数の第２接続配線３１ｂは、各第１電極３１ａと同一材料により同一層に形成され、図９～図１１に示すように、第２樹脂膜２１ｃの上面の表示領域Ｄ側（図中左側）において、折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延び、第２樹脂膜２１ｃの表示領域Ｄ側（図中左側）の側面及び第２層間絶縁膜１７上に延伸するように設けられている。
複数の第３接続配線３１ｃは、各第１電極３１ａと同一材料により同一層に形成され、図９～図１１に示すように、第２樹脂膜２１ｃの上面の端子部Ｔ側（図中右側）において、折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延び、第２樹脂膜２１ｃの端子部Ｔ側（図中右側）の側面及び第２層間絶縁膜１７上に延伸するように設けられている。
第３樹脂膜３２ｃは、エッジカバー３２ａと同一材料により同一層に形成されている。
ここで、隣り合う一対の第１接続配線２０ｄの一方の表示領域Ｄ側（図中左側）の端部は、図９及び図１０に示すように、第２樹脂膜２１ｃに形成されたコンタクトホールＨｆ、第２接続配線３１ｂ、並びに第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールＨｅを介して第１引出配線１４ｆｂに電気的に接続されている。また、隣り合う一対の第１接続配線２０ｄの他方の表示領域Ｄ側（図中左側）の端部は、図９及び図１１に示すように、第２樹脂膜２１ｃに形成されたコンタクトホールＨｆ、第２接続配線３１ｂ、及び第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールＨｉを介して第３引出配線１６ｂｂに電気的に接続されている。さらに、隣り合う一対の第１接続配線２０ｄの一方の端子部Ｔ側（図中右側）の端部は、図９及び図１０に示すように、第２樹脂膜２１ｃに形成されたコンタクトホールＨｈ、第３接続配線３１ｃ、並びに第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールＨｇを介して第２引出配線１４ｇｂに電気的に接続されている。また、隣り合う一対の第１接続配線２０ｄの他方の端子部Ｔ側（図中右側）の端部は、図９及び図１１に示すように、第２樹脂膜２１ｃに形成されたコンタクトホールＨｈ、第３接続配線３１ｃ、及び第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールＨｊを介して第４引出配線１６ｃｂに電気的に接続されている。
上述した有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及び第３ＴＦＴ９ｃを介して有機ＥＬ層３３の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
なお、本実施形態では、第２接続配線３１ｂ及び第３接続配線３１ｃが第２樹脂膜２１ｃの側面に延伸された有機ＥＬ表示装置５０ｂを例示したが、図１２及び図１３に示すように、第２接続配線３１ｂａ及び第３接続配線３１ｃａが第２樹脂膜２１ｃａの上面だけに形成された有機ＥＬ表示装置５０ｂａであってもよい。ここで、図１２及び図１３は、有機ＥＬ表示装置５０ｂの変形例１の有機ＥＬ表示装置５０ｂａの折り曲げ部Ｂを含む額縁領域Ｆの断面図であり、図１０及び図１１に相当する図である。
具体的に有機ＥＬ表示装置５０ｂａでは、図１２及び図１３に示すように、有機ＥＬ表示装置５０ｂの第２樹脂膜２１ｃに相当する第２樹脂膜２１ｃａの上面の表示領域Ｄ側（図中左側）に、各第１電極３１ａと同一材料により同一層に形成された複数の第２接続配線３１ｂａが折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられている。また、有機ＥＬ表示装置５０ｂａでは、図１２及び図１３に示すように、第２樹脂膜２１ｃａの上面の端子部Ｔ側（図中右側）に、各第１電極３１ａと同一材料により同一層に形成された複数の第３接続配線３１ｃａが折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられている。ここで、第２接続配線３１ｂａの表示領域Ｄ側（図中左側）は、図１２に示すように、第２樹脂膜２１ｃａ、第２層間絶縁膜１７及び第１層間絶縁膜１５に形成されたコンタクトホールＨｋを介して第１引出配線１４ｆに、又は図１３に示すように、第２樹脂膜２１ｃａ及び第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールＨｍを介して第３引出配線１６ｂに電気的に接続されている。また、第３接続配線３１ｃａの端子部Ｔ（図中右側）は、図１２に示すように、第２樹脂膜２１ｃａ、第２層間絶縁膜１７及び第１層間絶縁膜１５に形成されたコンタクトホールＨｌを介して第１引出配線１４ｇに、又は図１３に示すように、第２樹脂膜２１ｃａ及び第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールＨｎを介して第３引出配線１６ｃに電気的に接続されている。
また、本実施形態では、第１樹脂膜１９ｂの側面が金属層から露出した有機ＥＬ表示装置５０ｂを例示したが、図１４～図１６に示すように、第１樹脂膜１９ｂの側面が金属層２０ｅで覆われた有機ＥＬ表示装置５０ｂｂであってもよい。ここで、図１４は、有機ＥＬ表示装置５０ｂの変形例２の有機ＥＬ表示装置５０ｂｂの折り曲げ部Ｂを含む額縁領域Ｆの平面図であり、図６に相当する図である。また、図１５及び図１６は、図１４中のXV－XV線及びXVI－XVI線に沿った有機ＥＬ表示装置の折り曲げ部を含む額縁領域の断面図である。なお、図１４の平面図では、後述する第２樹脂膜２１ｄ及び第３樹脂膜３２ｃの図示を省略している。
具体的に有機ＥＬ表示装置５０ｂｂは、図１４～図１６に示すように、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂに形成されたスリットＳを埋めるように設けられた第１樹脂膜１９ｂと、第１樹脂膜１９ｂ上に設けられた複数の第１接続配線２０ｄと、第１樹脂膜１９ｂの側面に設けられた金属層２０ｅと、各第１接続配線２０ｄ及び金属層２０ｅを覆うように設けられた第２樹脂膜２１ｄと、第２樹脂膜２１ｄ上に設けられた複数の第２接続配線３１ｂ及び複数の第３接続配線３１ｃと、各第２接続配線３１ｂ及び各第３接続配線３１ｃを覆うように設けられた第３樹脂膜３２ｃとを備えている。ここで、金属層２０ｅは、上記第３金属膜により形成され、図１４～図１６に示すように、第１樹脂膜１９ｂの側面を覆うように設けられている。
スリットＳの表示領域Ｄ側（図中左側）には、図１４及び図１５に示すように、上記第１金属膜により形成された複数の第１引出配線１４ｆｃが折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられている。また、スリットＳの表示領域Ｄ側（図中左側）には、図１４及び図１６に示すように、上記第４金属膜により形成された複数の第３引出配線１６ｂｃが折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられている。なお、各第３引出配線１６ｂｃは、図１４に示すように、各第１引出配線１４ｆｃと隣り合うように設けられている。また、第１引出配線１４ｆｃ及び第３引出配線１６ｂｃは、引き回し配線（不図示）を介して、表示領域Ｄに延びる信号配線（ゲート線１４ｄ、発光制御線１４ｅ、ソース線１８ｆ、電源線２０ａ等）に電気的に接続されている。さらに、スリットＳの端子部Ｔ側（図中右側）には、図１４及び図１５に示すように、上記第１金属膜により形成された複数の第２引出配線１４ｇｃが折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられている。また、スリットＳの端子部Ｔ側（図中右側）には、図１４及び図１６に示すように、上記第４金属膜により形成された複数の第４引出配線１６ｃｃが折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられている。なお、各第４引出配線１６ｃｃは、図１４に示すように、各第２引出配線１４ｇｃと隣り合うように設けられている。また、第２引出配線１４ｇｃ及び第４引出配線１６ｃｃは、他の引き回し配線（不図示）を介して、端子部Ｔの端子Ｅに電気的に接続されている。
隣り合う一対の第１接続配線２０ｄの一方の表示領域Ｄ側（図中左側）の端部は、図１４及び図１５に示すように、第２樹脂膜２１ｄに形成されたコンタクトホールＨｆ、第２接続配線３１ｂ、並びに第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールＨｅを介して第１引出配線１４ｆｃに電気的に接続されている。また、隣り合う一対の第１接続配線２０ｄの他方の表示領域Ｄ側（図中左側）の端部は、図１４及び図１６に示すように、第２樹脂膜２１ｄに形成されたコンタクトホールＨｆ、第２接続配線３１ｂ、及び第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールＨｉを介して第３引出配線１６ｂｃに電気的に接続されている。さらに、隣り合う一対の第１接続配線２０ｄの一方の端子部Ｔ側（図中右側）の端部は、図１４及び図１５に示すように、第２樹脂膜２１ｄに形成されたコンタクトホールＨｈ、第３接続配線３１ｃ、並びに第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールＨｇを介して第２引出配線１４ｇｃに電気的に接続されている。また、隣り合う一対の第１接続配線２０ｄの他方の端子部Ｔ側（図中右側）の端部は、図１４及び図１６に示すように、第２樹脂膜２１ｄに形成されたコンタクトホールＨｈ、第３接続配線３１ｃ、及び第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールＨｊを介して第４引出配線１６ｃｃに電気的に接続されている。
上述した有機ＥＬ表示装置５０ｂｂによれば、第１樹脂膜１９ｂの少なくとも側面が金属層２０ｅに覆われているので、第１樹脂膜１９ｂの上面に第１接続配線２０ｄを形成する際に行うドライエッチングにおいて、第１樹脂膜１９ｂの表層のエッチングを抑制することができ、ドライエッチング装置のチャンバー内の汚染を抑制することができる。
なお、本変形例２では、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの第１樹脂膜１９ｂの側面に金属層２０ｅを設けた構成を例示したが、金属層２０ｅは、上記変形例１の有機ＥＬ表示装置５０ｂａの第１樹脂膜１９ｂの側面に設けてもよい。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法において、第１接続配線２０ｃのパターン形状を変更し、第１電極３１ａを形成する際に、第２接続配線３１ｂ及び第３接続配線３１ｃを形成することにより、製造することができる。
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂによれば、表示領域Ｄには、第２金属膜により形成された複数のソース線１８ｆ、各ソース線１８ｆを覆うように第１平坦化膜１９ａ、及び第１平坦化膜１９ａ上に第３金属膜により形成された複数の電源線２０ａがそれぞれ設けられている。また、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂには、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に形成されたスリットＳを埋めるように第１樹脂膜１９ｂが設けられている。そして、第１樹脂膜１９ｂの上面には、第３金属膜により形成された複数の第１接続配線２０ｄが折り曲げ部Ｂの延びる方向と交差する方向に互いに平行に延びるように設けられている。ここで、スリットＳを埋める第１樹脂膜１９ｂは、第１平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成されており、折り曲げ部ＢのスリットＳを埋めるだけに平坦化膜を別途設ける必要がないので、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂにおける第１接続配線２０ｄの断線を低コストで抑制することができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂによれば、複数の第１接続配線２０ｄにおける隣り合う一対の第１接続配線２０ｄの一方は、第２樹脂膜２１ｃに形成されたコンタクトホールＨｆ、第２接続配線３１ｂ、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールＨｅを介して、第１引出配線１４ｆｂに電気的に接続されていると共に、第２樹脂膜２１ｃに形成されたコンタクトホールＨｈ、第３接続配線３１ｃ、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールＨｇを介して、第２引出配線１４ｇｂに電気的に接続されている。また、隣り合う一対の第１接続配線２０ｄの他方は、第２樹脂膜２１ｃに形成されたコンタクトホールＨｆ、第２接続配線３１ｂ、及び第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールＨｉを介して、第３引出配線１６ｂｂに電気的に接続されていると共に、第２樹脂膜２１ｃに形成されたコンタクトホールＨｈ、第３接続配線３１ｃ、及び第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールＨｊを介して、第４引出配線１６ｃｂに電気的に接続されている。ここで、第１引出配線１４ｆｂ及び第２引出配線１４ｇｂは、第１金属膜により形成され、第３引出配線１６ｂｂ及び第４引出配線１６ｃｂは、第４金属膜により形成されているので、第１引出配線１４ｆｂ及び第２引出配線１４ｇｂと第３引出配線１６ｂｂ及び第４引出配線１６ｃｂとの間には、第１層間絶縁膜１５が介在する。これにより、第１引出配線１４ｆｂ及び第２引出配線１４ｇｂと第３引出配線１６ｂｂ及び第４引出配線１６ｃｂとを近づけて配置することができるので、折り曲げ部Ｂにおける隣り合う配線間のピッチを狭くすることができる。
《第３の実施形態》
図１７～図２２は、本発明に係る表示装置の第３の実施形態を示している。ここで、図１７は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃの折り曲げ部Ｂを含む額縁領域Ｆの平面図であり、図６に相当する図である。また、図１８及び図１９は、図１７中のXVIII－XVIII線及びXIX－XIX線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ｃの折り曲げ部を含む額縁領域の断面図である。
図１７～図２２は、本発明に係る表示装置の第３の実施形態を示している。ここで、図１７は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃの折り曲げ部Ｂを含む額縁領域Ｆの平面図であり、図６に相当する図である。また、図１８及び図１９は、図１７中のXVIII－XVIII線及びXIX－XIX線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ｃの折り曲げ部を含む額縁領域の断面図である。
上記第１及び第２の実施形態では、第１接続配線２０ｃ及び２０ｄが表示領域Ｄ側と端子部Ｔ側とで一体に形成された有機ＥＬ表示装置５０ａ及び５０ｂを例示したが、第１接続配線が表示領域Ｄ側と端子部Ｔ側とで分かれて形成された有機ＥＬ表示装置５０ｃを例示する。
有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、矩形状に設けられた表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に枠状に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。
有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に設けられたＴＦＴ層３０と、ＴＦＴ層３０上に発光素子として設けられた有機ＥＬ素子３５と、有機ＥＬ素子３５を覆うように設けられた封止膜４０とを備えている。
有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、額縁領域Ｆにおいて、トレンチＧの外側に枠状に設けられた第１堰き止め壁Ｗａと、第１堰き止め壁Ｗａの周囲に枠状に設けられた第２堰き止め壁Ｗｂとを備えている。
有機ＥＬ表示装置５０ｃは、図１７～図１９に示すように、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂに形成されたスリットＳの底部に設けられた複数の下層接続配線１８ｇと、各下層接続配線１８ｇを覆ってスリットＳを埋めるように設けられた第１樹脂膜１９ｃと、第１樹脂膜１９ｃ上に設けられた複数の表示側第１接続配線２０ｆ及び複数の端子側第１接続配線２０ｇと、各表示側第１接続配線２０ｆ及び各端子側第１接続配線２０ｇを覆うように設けられた第２樹脂膜２１ｄとを備えている。
複数の下層接続配線１８ｇは、上記第２金属膜により形成され、図１７に示すように、折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられている。
複数の表示側第１接続配線２０ｆは、上記第３金属膜により形成され、図１７～図１９に示すように、第１樹脂膜１９ｃの上面の表示領域Ｄ側（図中左側）において、折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延び、第１樹脂膜１９ｃの表示領域Ｄ側（図中左側）の側面及び第２層間絶縁膜１７上に延伸するように設けられている。
複数の端子側第１接続配線２０ｇは、上記第３金属膜により形成され、図１７～図１９に示すように、第１樹脂膜１９ｃの上面の端子部Ｔ側（図中右側）において、折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延び、第１樹脂膜１９ｃの端子部Ｔ側（図中右側）の側面及び第２層間絶縁膜１７上に延伸するように設けられている。
第２樹脂膜２１ｄは、第２平坦化膜２１ａと同一材料により同一層に形成されている。
ここで、隣り合う一対の表示側第１接続配線２０ｆの一方の表示領域Ｄ側（図中左側）の端部は、図１７及び図１８に示すように、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールＨａを介して第１引出配線１４ｆｂに電気的に接続されている。また、隣り合う一対の表示側第１接続配線２０ｆの他方の表示領域Ｄ側（図中左側）の端部は、図１７及び図１９に示すように、第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールＨｃを介して第３引出配線１６ｂｂに電気的に接続されている。また、隣り合う一対の表示側第１接続配線２０ｆの両方の端子部Ｔ側（図中右側）の端部は、図１７～図１９に示すように、第１樹脂膜１９ｃに形成された一対のコンタクトホールＨｏを介して下層接続配線１８ｇの表示領域Ｄ側（図中左側）に電気的に接続されている。
また、隣り合う一対の端子側第１接続配線２０ｇの一方の端子部Ｔ側（図中右側）の端部は、図１７及び図１８に示すように、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールＨｂを介して第２引出配線１４ｇｂに電気的に接続されている。また、隣り合う一対の端子側第１接続配線２０ｇの他方の端子部Ｔ側（図中右側）の端部は、図１７及び図１９に示すように、第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールＨｄを介して第３引出配線１６ｃｂに電気的に接続されている。また、隣り合う一対の端子側第１接続配線２０ｇの両方の表示領域Ｄ側（図中左側）の端部は、図１７～図１９に示すように、第１樹脂膜１９ｃに形成された一対のコンタクトホールＨｐを介して下層接続配線１８ｇの端子部Ｔ側（図中右側）に電気的に接続されている。
上述した有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及び第３ＴＦＴ９ｃを介して有機ＥＬ層３３の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
なお、本実施形態では、表示側第１接続配線２０ｆ及び端子側第１接続配線２０ｇが第１樹脂膜１９ｃの側面に延伸された有機ＥＬ表示装置５０ｃを例示したが、図２０～図２２に示すように、表示側第１接続配線２０ｆ及び端子側第１接続配線２０ｇが第１樹脂膜１９ｃａの上面だけに形成された有機ＥＬ表示装置５０ｃａであってもよい。ここで、図２０は、有機ＥＬ表示装置５０ｃの変形例に係る有機ＥＬ表示装置５０ｃａの折り曲げ部Ｂを含む額縁領域Ｆの平面図であり、図６に相当する図である。また、図２１及び図２２は、図２０中のXXI－XXI線及びXXII－XXII線に沿った有機ＥＬ表示装置の折り曲げ部を含む額縁領域の断面図である。
具体的に有機ＥＬ表示装置５０ｃａでは、図２０～図２２に示すように、有機ＥＬ表示装置５０ｃの第１樹脂膜１９ｃに相当する第１樹脂膜１９ｃａの上面の表示領域Ｄ側（図中左側）に、上記第３金属膜により形成された複数の表示側第１接続配線２０ｆａが折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられている。また、有機ＥＬ表示装置５０ｃａでは、図２０～図２２に示すように、第１樹脂膜１９ｃａの上面の端子部Ｔ側（図中右側）に、上記第３金属膜により形成された複数の端子側第１接続配線２０ｇａが折り曲げ部Ｂの延びる方向と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられている。
ここで、表示側第１接続配線２０ｆａの表示領域Ｄ側（図中左側）は、図２０及び図２１に示すように、第１樹脂膜１９ｃａに形成されたコンタクトホールＨｑ、第１コンタクト層１８ｈ、並びに第２層間絶縁膜１７及び第１層間絶縁膜１５に形成されたコンタクトホールＨｓを介して第１引出配線１４ｆｂに、又は図２０及び図２２に示すように、第１樹脂膜１９ｃａに形成されたコンタクトホールＨｑ、第１コンタクト層１８ｈ、及び第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールＨｕを介して第３引出配線１６ｂｂに電気的に接続されている。また、表示側第１接続配線２０ｆａの端子部Ｔ側（図中右側）は、図２０～図２２に示すように、第１樹脂膜１９ｃａに形成されたコンタクトホールＨｏを介して下層接続配線１８ｇの表示領域Ｄ側（図中左側）に電気的に接続されている。さらに、端子側第１接続配線２０ｇａの端子部Ｔ側（図中左側）は、図２０及び図２１に示すように、第１樹脂膜１９ｃａに形成されたコンタクトホールＨｒ、第２コンタクト層１８ｉ、並びに第２層間絶縁膜１７及び第１層間絶縁膜１５に形成されたコンタクトホールＨｔを介して第２引出配線１４ｇｂに、又は図２０及び図２２に示すように、第１樹脂膜１９ｃａに形成されたコンタクトホールＨｒ、第２コンタクト層１８ｉ、及び第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールＨｖを介して第４引出配線１６ｃｂに電気的に接続されている。また、端子側第１接続配線２０ｇａの表示領域Ｄ側（図中左側）は、図２０～図２２に示すように、第１樹脂膜１９ｃａに形成されたコンタクトホールＨｐを介して下層接続配線１８ｇの端子部Ｔ側（図中右側）に電気的に接続されている。なお、第１コンタクト層１８ｈ及び第２コンタクト層１８ｉは、上記第２金属膜により形成されている。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法において、ソース線１８ｆ等を形成する際に、下層接続配線１８ｇを形成し、第１接続配線２０ｃのパターン形状を変更することにより、製造することができる。
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃによれば、表示領域Ｄには、第２金属膜により形成された複数のソース線１８ｆ、各ソース線１８ｆを覆うように第１平坦化膜１９ａ、及び第１平坦化膜１９ａ上に第３金属膜により形成された複数の電源線２０ａがそれぞれ設けられている。また、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂには、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に形成されたスリットＳを埋めるように第１樹脂膜１９ｃが設けられている。そして、第１樹脂膜１９ｃの上面には、第３金属膜により形成された複数の表示側第１接続配線２０ｆ及び複数の端子側第１接続配線２０ｇが折り曲げ部Ｂの延びる方向と交差する方向に互いに平行に延びるように設けられている。ここで、スリットＳを埋める第１樹脂膜１９ｃは、第１平坦化膜１９ａと同一材料により同一層に形成されており、折り曲げ部ＢのスリットＳを埋めるだけに平坦化膜を別途設ける必要がないので、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂにおける表示側第１接続配線２０ｆ及び端子側第１接続配線２０ｇの断線を低コストで抑制することができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃによれば、複数の表示側第１接続配線２０ｆにおける隣り合う一対の表示側第１接続配線２０ｆの一方の表示領域Ｄ側が、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールＨａを介して、第１引出配線１４ｆｂに電気的に接続されていると共に、複数の端子側第１接続配線２０ｇにおける隣り合う一対の端子側第１接続配線２０ｇの一方の端子部Ｔ側が、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールＨｂを介して、第２引出配線１４ｇｂに電気的に接続されている。また、複数の表示側第１接続配線２０ｆにおける隣り合う一対の表示側第１接続配線２０ｆの他方の表示領域Ｄ側が、第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールＨｃを介して、第３引出配線１６ｂｂに電気的に接続されていると共に、複数の端子側第１接続配線２０ｇにおける隣り合う一対の端子側第１接続配線２０ｇの他方の端子部Ｔ側が第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールＨｄを介して、第４引出配線１６ｃｂに電気的に接続されている。ここで、第１引出配線１４ｆｂ及び第２引出配線１４ｇｂは、第１金属膜により形成され、第３引出配線１６ｂｂ及び第４引出配線１６ｃｂは、第４金属膜により形成されているので、第１引出配線１４ｆｂ及び第２引出配線１４ｇｂと第３引出配線１６ｂｂ及び第４引出配線１６ｃｂとの間には、第１層間絶縁膜１５が介在する。これにより、第１引出配線１４ｆｂ及び第２引出配線１４ｇｂと第３引出配線１６ｂｂ及び第４引出配線１６ｃｂとを近づけて配置することができるので、折り曲げ部Ｂにおける隣り合う配線間のピッチを狭くすることができる。
《その他の実施形態》
上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
また、上記各実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
また、上記各実施形態では、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
また、上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本発明は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置に適用することができる。例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）を備えた表示装置に適用することができる。
以上説明したように、本発明は、フレキシブルな表示装置について有用である。
Ｂ 折り曲げ部
Ｄ 表示領域
Ｅ 端子
Ｆ 額縁領域
Ｈａ～Ｈｖ コンタクトホール
Ｓ スリット
Ｔ 端子部
１０ 樹脂基板層
１４ｄ ゲート線（表示用配線）
１４ｆ，１４ｆｂ 第１引出配線
１４ｇ，１４ｇｂ 第２引出配線
１５ 第１層間絶縁膜（第１無機絶縁膜）
１６ｂ，１６ｂｂ 第３引出配線
１６ｃ，１６ｃｂ 第４引出配線
１７ 第２層間絶縁膜（第１無機絶縁膜、第２無機絶縁膜）
１８ｆ ソース線（第１表示用配線）
１８ｇ 下層接続配線
１８ｈ 第１コンタクト層
１８ｉ 第２コンタクト層
１９ａ 第１平坦化膜
１９ｂ 第１樹脂膜
２０ａ 電源線（第２表示用配線）
２０ｃ，２０ｄ 第１接続配線
２０ｆ，２０ｆａ 表示側第１接続配線
２０ｇ，２１ｇａ 端子側第１接続配線
２０ｅ 金属層
２１ａ 第２平坦化膜
２１ｃ，２１ｃａ， 第２樹脂膜
３０ａ ＴＦＴ層
３１ａ 第１電極（画素電極）
３１ｂ，３１ｂａ 第２接続配線
３１ｃ，３１ｃａ 第３接続配線
３２ａ エッジカバー
３５ 有機ＥＬ素子（発光素子）
５０ａ，５０ｂ，５０ｂａ，５０ｂｂ，５０ｃ，５０ｃａ 有機ＥＬ表示装置
Ｄ 表示領域
Ｅ 端子
Ｆ 額縁領域
Ｈａ～Ｈｖ コンタクトホール
Ｓ スリット
Ｔ 端子部
１０ 樹脂基板層
１４ｄ ゲート線（表示用配線）
１４ｆ，１４ｆｂ 第１引出配線
１４ｇ，１４ｇｂ 第２引出配線
１５ 第１層間絶縁膜（第１無機絶縁膜）
１６ｂ，１６ｂｂ 第３引出配線
１６ｃ，１６ｃｂ 第４引出配線
１７ 第２層間絶縁膜（第１無機絶縁膜、第２無機絶縁膜）
１８ｆ ソース線（第１表示用配線）
１８ｇ 下層接続配線
１８ｈ 第１コンタクト層
１８ｉ 第２コンタクト層
１９ａ 第１平坦化膜
１９ｂ 第１樹脂膜
２０ａ 電源線（第２表示用配線）
２０ｃ，２０ｄ 第１接続配線
２０ｆ，２０ｆａ 表示側第１接続配線
２０ｇ，２１ｇａ 端子側第１接続配線
２０ｅ 金属層
２１ａ 第２平坦化膜
２１ｃ，２１ｃａ， 第２樹脂膜
３０ａ ＴＦＴ層
３１ａ 第１電極（画素電極）
３１ｂ，３１ｂａ 第２接続配線
３１ｃ，３１ｃａ 第３接続配線
３２ａ エッジカバー
３５ 有機ＥＬ素子（発光素子）
５０ａ，５０ｂ，５０ｂａ，５０ｂｂ，５０ｃ，５０ｃａ 有機ＥＬ表示装置
Claims (14)
- 画像表示を行う表示領域、該表示領域の周囲に額縁領域、該額縁領域の端部に端子部、並びに該端子部及び上記表示領域の間に一方向に延びるように折り曲げ部がそれぞれ規定された樹脂基板と、
上記樹脂基板上に設けられ、第１金属膜、第１無機絶縁膜、第２金属膜、第１平坦化膜、第３金属膜及び第２平坦化膜が順に積層されたＴＦＴ層と、
上記ＴＦＴ層上に設けられ、上記第２平坦化膜上に配置された複数の画素電極、及び該各画素電極の周端部を覆うエッジカバーを有する発光素子とを備え、
上記折り曲げ部において、上記第１無機絶縁膜には、上方に開口するスリットが上記折り曲げ部の延びる方向に延びるように設けられ、
上記スリットの上記表示領域側及び上記端子部側には、上記第１金属膜により形成された複数の第１引出配線及び複数の第２引出配線が上記折り曲げ部の延びる方向と交差する方向に互いに平行に延びるようにそれぞれ設けられ、
上記表示領域には、上記第２金属膜により形成された複数の第１表示用配線、該各第１表示用配線を覆うように上記第１平坦化膜、該第１平坦化膜上に上記第３金属膜により形成された複数の第２表示用配線、及び該各第２表示用配線を覆うように上記第２平坦化膜がそれぞれ設けられた表示装置であって、
上記折り曲げ部には、上記スリットを埋めるように上記第１平坦化膜と同一材料により同一層に形成された第１樹脂膜が設けられ、
上記第１樹脂膜の上面には、上記第３金属膜により形成された複数の第１接続配線が上記折り曲げ部の延びる方向と交差する方向に互いに平行に延びるように設けられ、
上記複数の第１接続配線は、上記スリットの上記表示領域側において、上記複数の第１引出配線にそれぞれ電気的に接続されていると共に、上記スリットの上記端子部側において、上記複数の第２引出配線にそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１に記載された表示装置において、
上記複数の第１接続配線は、上記第１樹脂膜を跨ぐように設けられ、上記第１無機絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、上記複数の第１引出配線及び上記複数の第２引出配線に電気的にそれぞれ接続されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１に記載された表示装置において、
上記折り曲げ部において、上記第１樹脂膜及び上記各第１接続配線上には、上記第２平坦化膜と同一材料により同一層に形成された第２樹脂膜が設けられ、
上記第２樹脂膜の上面の上記表示領域側及び上記端子部側には、上記各画素電極と同一材料により同一層に形成された複数の第２接続配線及び複数の第３接続配線が上記折り曲げ部の延びる方向と交差する方向に互いに平行に延びるようにそれぞれ設けられ、
上記複数の第２接続配線は、上記第２樹脂膜の上記表示領域側の側面及び上記第１無機絶縁膜上に延伸し、該第１無機絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して上記複数の第１引出配線にそれぞれ電気的に接続されていると共に、上記第２樹脂膜に形成されたコンタクトホールを介して上記複数の第１接続配線の上記表示領域側にそれぞれ電気的に接続され、
上記複数の第３接続配線は、上記第２樹脂膜の上記端子部側の側面及び上記第１無機絶縁膜上に延伸し、該第１無機絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して上記複数の第２引出配線にそれぞれ電気的に接続されていると共に、上記第２樹脂膜に形成されたコンタクトホールを介して上記複数の第１接続配線の上記端子部側にそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１に記載された表示装置において、
上記折り曲げ部において、上記第１樹脂膜及び上記各第１接続配線上には、上記第２平坦化膜と同一材料により同一層に形成された第２樹脂膜が設けられ、
上記第２樹脂膜の上面の上記表示領域側及び上記端子部側には、上記各画素電極と同一材料により同一層に形成された複数の第２接続配線及び複数の第３接続配線が上記折り曲げ部の延びる方向と交差する方向に互いに平行に延びるようにそれぞれ設けられ、
上記複数の第２接続配線は、上記第２樹脂膜及び上記第１無機絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して上記複数の第１引出配線にそれぞれ電気的に接続されていると共に、上記第２樹脂膜に形成されたコンタクトホールを介して上記複数の第１接続配線の上記表示領域側にそれぞれ電気的に接続され、
上記複数の第３接続配線は、上記第２樹脂膜及び上記第１無機絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して上記複数の第２引出配線にそれぞれ電気的に接続されていると共に、上記第２樹脂膜に形成されたコンタクトホールを介して上記複数の第１接続配線の上記端子部側にそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項３又は４に記載された表示装置において、
上記第１樹脂膜の少なくとも側面は、上記第３金属膜により形成された金属層に覆われていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１に記載された表示装置において、
上記スリットの底部には、上記第２金属膜により形成された複数の下層接続配線が上記折り曲げ部の延びる方向と交差する方向に互いに平行に延びるように設けられ、
上記複数の第１接続配線は、上記第１樹脂膜に形成されたコンタクトホールを介して上記複数の下層接続配線をそれぞれ経由していることを特徴とする表示装置。 - 請求項６に記載された表示装置において、
上記複数の第１接続配線は、上記表示領域側に設けられた複数の表示側第１接続配線と、上記端子部側に設けられた複数の端子側第１接続配線とを備え、
上記複数の表示側第１接続配線は、上記第１樹脂膜の上記表示領域側の側面及び上記第１無機絶縁膜上に延伸し、該第１無機絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して上記複数の第１引出配線にそれぞれ電気的に接続されていると共に、上記第１樹脂膜に形成されたコンタクトホールを介して上記複数の下層接続配線の上記表示領域側にそれぞれ電気的に接続され、
上記複数の端子側第１接続配線は、上記第１樹脂膜の上記端子部側の側面及び上記第１無機絶縁膜上に延伸し、該第１無機絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して上記複数の第２引出配線にそれぞれ電気的に接続されていると共に、上記第１樹脂膜に形成されたコンタクトホールを介して上記複数の下層接続配線の上記端子部側にそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項６に記載された表示装置において、
上記複数の第１接続配線は、上記表示領域側に設けられた複数の表示側第１接続配線と、上記端子部側に設けられた複数の端子側第１接続配線とを備え、
上記スリットの上記表示領域側の縁部の上記第１無機絶縁膜上には、該第１無機絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して上記複数の第１引出配線にそれぞれ電気的に接続され、上記第２金属膜により形成された複数の第１コンタクト層が設けられ、
上記スリットの上記端子部側の縁部の上記第１無機絶縁膜上には、該第１無機絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して上記複数の第２引出配線にそれぞれ電気的に接続され、上記第２金属膜により形成された複数の第２コンタクト層が設けられ、
上記複数の表示側第１接続配線は、上記第１樹脂膜に形成されたコンタクトホールを介して上記複数の第１コンタクト層にそれぞれ電気的に接続されていると共に、上記第１樹脂膜に形成された他のコンタクトホールを介して上記複数の下層接続配線の上記表示領域側にそれぞれ電気的に接続され、
上記複数の端子側第１接続配線は、上記第１樹脂膜に形成されたコンタクトホールを介して上記複数の第２コンタクト層にそれぞれ電気的に接続されていると共に、上記第１樹脂膜に形成された他のコンタクトホールを介して上記複数の下層接続配線の上記端子部側にそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～８の何れか１つに記載された表示装置において、
上記ＴＦＴ層は、上記第１無機絶縁膜及び上記第２金属膜の間に該第１無機絶縁膜側から順に設けられた第４金属膜及び第２無機絶縁膜を備え、
上記スリットの上記表示領域側及び上記端子部側には、上記第４金属膜により形成された複数の第３引出配線及び複数の第４引出配線が上記折り曲げ部の延びる方向と交差する方向に互いに平行に延びるようにそれぞれ設けられ、
上記複数の第１接続配線における隣り合う一対の第１接続配線の一方は、上記第１無機絶縁膜及び上記第２無機絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して対応する上記第１引出配線及び上記第２引出配線に電気的に接続され、上記隣り合う一対の第１接続配線の他方は、上記第２無機絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して対応する上記第３引出配線及び上記第４引出配線に電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～９の何れか１つに記載された表示装置において、
上記表示領域には、複数の表示用配線が設けられ、
上記端子部には、複数の端子が設けられ、
上記複数の第１引出配線は、上記複数の表示用配線にそれぞれ電気的に接続され、
上記複数の第２引出配線は、上記複数の端子にそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１０に記載された表示装置において、
上記表示領域には、上記第１金属膜により形成された複数のゲート線が上記複数の表示用配線として設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１０に記載された表示装置において、
上記表示領域には、上記第２金属膜により形成された複数のソース線が上記複数の表示用配線として設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１０に記載された表示装置において、
上記表示領域には、上記第３金属膜により形成された複数の電源線が上記複数の表示用配線として設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１～１３の何れか１つに記載された表示装置において、
上記発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする表示装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US17/266,089 US11889728B2 (en) | 2018-08-28 | 2018-08-28 | Display device |
| CN201880096349.6A CN112585665B (zh) | 2018-08-28 | 2018-08-28 | 显示装置 |
| PCT/JP2018/031783 WO2020044439A1 (ja) | 2018-08-28 | 2018-08-28 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2018/031783 WO2020044439A1 (ja) | 2018-08-28 | 2018-08-28 | 表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2020044439A1 true WO2020044439A1 (ja) | 2020-03-05 |
Family
ID=69643491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2018/031783 WO2020044439A1 (ja) | 2018-08-28 | 2018-08-28 | 表示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11889728B2 (ja) |
| CN (1) | CN112585665B (ja) |
| WO (1) | WO2020044439A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021214872A1 (ja) * | 2020-04-21 | 2021-10-28 | シャープ株式会社 | 表示装置および表示装置の製造方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6843710B2 (ja) * | 2017-07-12 | 2021-03-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、および表示装置の製造方法 |
| US20220115475A1 (en) * | 2018-09-28 | 2022-04-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device and manufacturing method thereof |
| WO2020255350A1 (ja) * | 2019-06-20 | 2020-12-24 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009099837A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Panasonic Corp | フレキシブル配線基板 |
| US20160211210A1 (en) * | 2015-01-16 | 2016-07-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display and method of manufacturing the same |
| JP2016173461A (ja) * | 2015-03-17 | 2016-09-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| WO2018135127A1 (ja) * | 2017-01-20 | 2018-07-26 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR940006185Y1 (ko) | 1990-06-07 | 1994-09-10 | 가시오 게이상기 가부시끼가이샤 | Ic 모듈 |
| JP3080106B2 (ja) | 1990-06-07 | 2000-08-21 | カシオ計算機株式会社 | Ｉｃモジュールの接続方法 |
| JPH05226424A (ja) * | 1992-02-18 | 1993-09-03 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | フィルムキャリアおよびその製造方法 |
| JPH05315403A (ja) * | 1992-05-07 | 1993-11-26 | Hitachi Cable Ltd | Ｔａｂ用フィルムキャリア及びその製造方法 |
| KR100699996B1 (ko) * | 2004-09-02 | 2007-03-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 회로 측정용 패드를 포함하는 유기전계발광표시장치와 그제조방법 |
| KR100752388B1 (ko) * | 2006-11-01 | 2007-08-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
| JP4583479B2 (ja) * | 2008-06-13 | 2010-11-17 | 三井金属鉱業株式会社 | 耐折性に優れた配線基板および半導体装置 |
| DE102010034322A1 (de) * | 2010-08-14 | 2012-02-16 | Litec-Lp Gmbh | Oberflächenmodifizierter Silikatleuchtstoffe |
| KR101223487B1 (ko) * | 2010-12-30 | 2013-01-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 전극, 상기 투명 전극을 포함하는 유기 발광 장치 및 그 제조 방법 |
| WO2014069316A1 (ja) * | 2012-10-31 | 2014-05-08 | シャープ株式会社 | エレクトロルミネッセンス基板およびその製造方法、エレクトロルミネッセンス表示パネル、エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP6031650B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2016-11-24 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 表示装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
| KR102066087B1 (ko) | 2013-05-28 | 2020-01-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR102377372B1 (ko) * | 2014-04-02 | 2022-03-21 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 인터커넥트들을 형성하기 위한 방법 |
| JP2015222664A (ja) * | 2014-05-23 | 2015-12-10 | セイコーエプソン株式会社 | 有機ｅｌパネルの製造方法、有機ｅｌパネル、電子機器 |
| KR20160000096A (ko) * | 2014-06-23 | 2016-01-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| JP2016146422A (ja) * | 2015-02-09 | 2016-08-12 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| JP2016197178A (ja) * | 2015-04-03 | 2016-11-24 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| KR102378361B1 (ko) * | 2015-04-15 | 2022-03-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR102414110B1 (ko) * | 2015-09-07 | 2022-06-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| JP2018078057A (ja) * | 2016-11-11 | 2018-05-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| JP6827820B2 (ja) * | 2017-01-24 | 2021-02-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
| JP2018138940A (ja) * | 2017-02-24 | 2018-09-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| JP2018194632A (ja) * | 2017-05-16 | 2018-12-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、及び表示装置の製造方法 |
| KR102417112B1 (ko) * | 2017-09-28 | 2022-07-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| US11948874B2 (en) * | 2020-06-26 | 2024-04-02 | Intel Corporation | Vertically spaced intra-level interconnect line metallization for integrated circuit devices |
-
2018
- 2018-08-28 WO PCT/JP2018/031783 patent/WO2020044439A1/ja active Application Filing
- 2018-08-28 CN CN201880096349.6A patent/CN112585665B/zh active Active
- 2018-08-28 US US17/266,089 patent/US11889728B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009099837A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Panasonic Corp | フレキシブル配線基板 |
| US20160211210A1 (en) * | 2015-01-16 | 2016-07-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display and method of manufacturing the same |
| JP2016173461A (ja) * | 2015-03-17 | 2016-09-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| WO2018135127A1 (ja) * | 2017-01-20 | 2018-07-26 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021214872A1 (ja) * | 2020-04-21 | 2021-10-28 | シャープ株式会社 | 表示装置および表示装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20210313412A1 (en) | 2021-10-07 |
| CN112585665A (zh) | 2021-03-30 |
| US11889728B2 (en) | 2024-01-30 |
| CN112585665B (zh) | 2023-04-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2020026417A1 (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
| US11957015B2 (en) | Display device | |
| WO2020044439A1 (ja) | 表示装置 | |
| WO2020174612A1 (ja) | 表示装置 | |
| US11659749B2 (en) | Display device | |
| WO2019171581A1 (ja) | 表示装置 | |
| WO2019163045A1 (ja) | 表示装置 | |
| WO2021079412A1 (ja) | 表示装置 | |
| US11793041B2 (en) | Display device having a slit passing through the second flattening film | |
| WO2020039555A1 (ja) | 表示装置 | |
| US11430856B2 (en) | Display device with island-shaped conductors overlapping wiring lines in bending portion | |
| WO2019187121A1 (ja) | 表示装置 | |
| WO2019186812A1 (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
| WO2019167270A1 (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
| WO2019186819A1 (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
| WO2021176508A1 (ja) | 表示装置 | |
| CN112449711B (zh) | 显示装置 | |
| WO2020053923A1 (ja) | 表示装置 | |
| WO2020008588A1 (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
| WO2019142261A1 (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
| WO2019064429A1 (ja) | 表示装置 | |
| WO2021171422A1 (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
| WO2023073781A1 (ja) | 表示装置 | |
| WO2023007582A1 (ja) | 表示装置 | |
| WO2023100365A1 (ja) | 表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 18932279 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 18932279 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: JP |