CN116982101A - 显示装置 - Google Patents

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冈崎庄治
斋田信介
市川伸治
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Abstract

一种显示装置，其具备:树脂基板层(10)；薄膜晶体管层，其设置在树脂基板层(10)上，依次层叠有栅极绝缘膜(13)、层间绝缘膜(15、20)以及平坦化膜(22a)；以及发光元件层，其设置在薄膜晶体管层上，与构成显示区域的多个子像素对应地依次层叠有多个第一电极、共用的边缘罩(32a)、多个发光功能层(33)以及共用的第二电极(34)；在显示区域的内部的岛状的非显示区域(N)设置有贯通孔，在非显示区域(N)中，在平坦化膜(22a)的周缘部以覆盖其周缘部的侧壁的方式设置有第一遮光膜(31b)。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置。
背景技术
近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用有机电致发光(electroluminescence，以下也称为EL)元件的自发光型的有机EL显示装置受到关注。在此，有机EL元件例如具备:设置在排列有薄膜晶体管(thin film transistor，以下也称为“TFT”)的TFT层的平坦化膜上的第一电极；设置在第一电极上的有机EL层；以及设置在该有机EL层上的第二电极。该有机EL显示装置中，提出了在进行图像显示的显示区域的内部，例如为了设置照相机、指纹传感器等的电子元件，设置岛状的非显示区域，在该非显示区域设置沿厚度方向贯通的贯通孔的构造(例如，参照专利文献1)。
先前技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2019-35950号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而，在显示区域的内部的非显示区域中设置有贯通孔的有机EL显示装置中，由于贯通孔的周端缘接近显示区域，所以成为来自外部的光容易经由贯通孔和(透明的)平坦化膜射入显示区域的结构。在此，在构成显示区域的各子像素设置有用于驱动有机EL元件的TFT，因此由于光入射到TFT，TFT的特性有可能降低。另外，近年来，虽然提出了具有在各子像素中设置了使用多晶硅的TFT和使用氧化物半导体的TFT的混合结构的有机EL显示装置，但是使用氧化物半导体的TFT相比使用多晶硅的TFT具有不耐光的性质。
本发明是鉴于上述点而完成的，其目的在于，抑制从设置于显示区域的内部的非显示区域的贯通孔入射的光所引起的TFT特性的降低。
用于解决课题的方案
为了达成上述目的，本发明所涉及的显示装置的特征在于，具备:树脂基板层；薄膜晶体管层，其设于所述树脂基板层上，依次层叠有由无机绝缘膜构成的层间绝缘膜以及由有机绝缘膜构成的平坦化膜；以及发光元件层，其设于所述薄膜晶体管层上，对应于构成显示区域的多个子像素而依次层叠有多个第一电极、共用的边缘罩、多个发光功能层以及共用的第二电极，所述薄膜晶体管层具备在所述平坦化膜的所述树脂基板层侧针对每个所述子像素设置的薄膜晶体管，在所述显示区域的内部设置有岛状的非显示区域，在所述非显示区域设置有沿所述树脂基板层的厚度方向贯通的贯通孔，在所述非显示区域中，在所述平坦化膜的周缘部以覆盖该周缘部的侧壁的方式设置有第一遮光膜。
发明的效果
根据本发明，能够抑制从设置在显示区域的内部的非显示区域的贯通孔入射的光所引起的TFT特性的降低。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的概略结构的俯视图。
图2是本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的显示区域的俯视图。
图3是本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的显示区域的截面图。
图4是表示本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的像素电路的等效电路图。
图5是表示构成本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的有机EL层的截面图。
图6是本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的非显示区域的俯视图。
图7是沿着图6中的VII-VII线的有机EL显示装置的非显示区域的截面图。
图8是本发明的第一实施方式所涉及的有机EL显示装置的变形例中的非显示区域的截面图，是相当于图7的图。
图9是本发明的第二实施方式所涉及的有机EL显示装置的非显示区域的截面图，是相当于图7的图。
图10是本发明的第三实施方式所涉及的有机EL显示装置的显示区域的截面图，是相当于图3的图。
图11是本发明的第三实施方式所涉及的有机EL显示装置的非显示区域的截面图，是相当于图7的图。
具体实施方式
以下，基于附图对本发明的实施方式进行详细地说明。此外，本发明并不限定于以下的各实施方式。
《第一实施方式》
图1～图8示出了本发明所涉及的显示装置的第一实施方式。此外，在以下的各实施方式中，作为具备发光元件层的显示装置，例示具备有机EL元件层的有机EL显示装置。在此，图1是表示本实施方式的有机EL显示装置50a的概略结构的俯视图。另外，图2及图3是有机EL显示装置50a的显示区域D的俯视图及截面图。另外，图4是表示有机EL显示装置50a的像素电路的等效电路图。另外，图5是表示构成有机EL显示装置50a的有机EL层33的截面图。另外，图6是有机EL显示装置50a的非显示区域N的俯视图。另外，图7是沿着图6中的VII-VII线的有机EL显示装置50a的非显示区域N的截面图。另外，图8是有机EL显示装置50a的变形例的有机EL显示装置50aa中的非显示区域N的截面图，是相当于图7的图。
如图1所示，有机EL显示装置50a例如具备设置成矩形的进行图像显示的显示区域D和在显示区域D周围以框状设置的边框区域F。此外，在本实施方式中，例示了矩形的显示区域D，但该矩形还包括例如边成为圆弧状的形状、角部成为圆弧状的形状、边的一部分有切口的形状等的大致矩形。
如图2所示，在显示区域D，多个子像素P以矩阵状排列。另外，在显示区域D中，如图2所示，例如，具有用于进行红色显示的红色发光区域Er的子像素P、具有用于进行绿色显示的绿色发光区域Eg的子像素P、以及具有用于进行蓝色显示的蓝色发光区域Eb的子像素P以相互相邻的方式设置。另外，在显示区域D中，例如，由具有红色发光区域Er、绿色发光区域Eg以及蓝色发光区域Eb的相邻的三个子像素P构成一个像素。另外，如图1所示，在显示区域D的内部设置有岛状的非显示区域N。在此，如图1所示，在非显示区域N，例如为了将照相机、指纹传感器、脸部认证传感器等电子元件60设置在背面侧，设置有在后述的树脂基板层10的厚度方向上贯通的贯通孔H。
在边框区域F的图1中下端部，端子部T设置为在一个方向(图中的X方向)上延伸。另外，在边框区域F中，如图1所示，在显示区域D及端子部T之间，将图中的X方向作为弯折的轴，例如以能够弯折成180°(U字状)的弯折部B沿一个方向(图中的X方向)延伸的方式设置。另外，在边框区域F中，如图1所示，在后述的平坦化膜22a上，以俯视时大致C状的沟槽G贯通平坦化膜22a的方式而设置。在此，如图1所示，沟槽G以俯视时端子部T侧开口的方式设置成大致C字状。
另外，如图3所示，有机EL显示装置50a具备树脂基板层10、设置在树脂基板层10上的TFT层30a、在TFT层30a上作为发光元件层而设置的有机EL元件层40、以及以覆盖有机EL元件层40的方式设置的密封膜45。
树脂基板层10例如由聚酰亚胺树脂等构成。在此，在树脂基板层10的TFT层30a侧的表面，如图6所示，以包围贯通孔H的方式，第一凹部Ca和多个第二凹部Cb同心状地设置为环状。此外，如图7所示，第一凹部Ca以及各第二凹部Cb被设置为以到达树脂基板层10的上层部的方式朝向开口宽度变窄的倒锥状。
如图3所示，TFT层30a具备设置于树脂基板层10上的基底涂层膜11、在基底涂层膜11上设置于各子像素P的初始化TFT9a(参照图4)、补偿用TFT9b(参照图4)、写入用TFT9c(参照图4)、驱动用TFT9d、电源供给用TFT9e(参照图4)、发光控制用TFT9f、阳极放电用TFT9g及电容器9h、和设置于各TFT9a～9g及电容器9h上的平坦化膜22a。在此，如图2所示，在TFT层30a上以在图中的X方向上相互平行地延伸的方式设置有多个栅极线14g。另外，如图2所示，在TFT层30a上，以在图中的X方向上相互平行地延伸的方式设置有多个发光控制线14e。另外，如图2所示，在TFT层30a上，以在图中的X方向上相互平行地延伸的方式设置有多个第二初始化电源线19i。此外，如图2所示，各发光控制线14e设置为与各栅极线14g及各第二初始化电源线19i相邻。另外，如图2所示，在TFT层30a上，以在图中的Y方向上相互平行地延伸的方式设置有多个源极线21h。另外，如图2所示，在TFT层30a上，以在图中的Y方向上相互平行地延伸的方式设置有多个电源线21i。此外，如图2所示，各电源线21i设置为与各源极线21h相邻。
写入用TFT9c、驱动用TFT9d、电源供给用TFT9e以及发光控制用TFT9f例如作为具有由LTPS(Low Temperature Poly Silicon)等的多晶硅形成的第一半导体层的第一TFT而设置，具备栅极电极、第一端子电极以及第二端子电极。另外，初始化TFT9a、补偿用TFT9b以及阳极放电用TFT9g例如作为具有由In-Ga-Zn-O系等的氧化物半导体形成的第二半导体层的第二TFT而设置，具备栅极电极、第三端子电极以及第四端子电极。在此，In-Ga-Zn-O系的氧化物半导体是In(铟)、Ga(镓)、Zn(锌)的三元系氧化物，In、Ga以及Zn的比例(组成比)没有特别限定。另外，In-Ga-Zn-O系的半导体可以是非晶体，也可以是结晶质。此外，作为结晶质In-Ga-Zn-O系的半导体，优选c轴与层面大致垂直地配向的结晶质In-Ga-Zn-O系的半导体。另外，代替In-Ga-Zn-O系的半导体，也可以含有其他的氧化物半导体。作为其他的氧化物半导体，例如可以包括In-Sn-Zn-O系半导体(例如，In2O3-SnO2-ZnO；InSnZnO)。在此，In-Sn-Zn-O系半导体是In(铟)、Sn(锡)以及Zn(锌)的三元系氧化物。另外，作为其他的氧化物半导体，也可以包括In-Al-Zn-O系半导体、In-Al-Sn-Zn-O系半导体、Zn-O系半导体、In-Zn-O系半导体、Zn-Ti-O系半导体、Cd-Ge-O系半导体、Cd-Pb-O系半导体、CdO(氧化镉)、Mg-Zn-O系半导体、In-Ga-Sn-O系半导体、In-Ga-O系半导体、Zr-In-Zn-O系半导体、Hf-In-Zn-O系半导体、Al-Ga-Zn-O系半导体、Ga-Zn-O系半导体、In-Ga-Zn-Sn-O系半导体、InGaO3(ZnO)5、氧化镁锌(MgxZn1-xO)、氧化镉锌(CdxZn1-xO)等。此外，作为Zn-O系半导体，可以采用添加有1族元素、13族元素、14族元素、15族元素、17族元素等中的一种或者多种的杂质元素的ZnO的非晶(非晶体)状态的半导体、多晶状态的半导体、非晶状态和多晶状态混合存在的微晶状态的半导体、或者没有添加任何杂质元素的半导体。
如图4所示，初始化TFT9a在各子像素P中，其栅极电极与前段(n-1段)的栅极线14g(n-1)电连接，其第三端子电极与后述的电容器9h的下部导电层16c以及驱动用TFT9d的栅极电极电连接，其第四端子电极与电源线21i电连接。此外，在图4的等效电路图中，用圆数字的1、2表示第一TFT(写入用TFT9c、驱动用TFT9d、电源供给用TFT9e及发光控制用TFT9f)的第一端子电极和第二端子电极，用圆数字的3、4表示第二TFT(初始化TFT9a、补偿用TFT9b以及阳极放电用TFT9g)的第三端子电极和第四端子电极。另外，在图4的等效电路图中，示出第n行第m列的子像素P的像素电路，但也包括第(n-1)行m列的子像素P的像素电路的一部分。另外，在图4的等效电路图中，供给高电源电压ELVDD的电源线21i兼作第一初始化电源线，但也可以分开设置电源线21i及第一初始化电源线。此外，虽然第二初始化电源线20i中输入与低电源电压ELVSS相同的电压，但并不限于此，也可以输入以与低电源电压ELVSS不同的电压将有机EL元件35熄灭那样的电压。
如图4所示，补偿用TFT9b在各子像素P中，其栅极电极与本级(n级)的栅极线14g(n)电连接，其第三端子电极与驱动用TFT9d的栅极电极电连接，其第四端子电极与驱动用TFT9d的第一端子电极电连接。
如图4所示，写入用TFT9c在各子像素P中，其栅极电极与本级(n级)的栅极线14g(n)电连接，其第一端子电极与对应的源极线21h电连接，其第二端子电极与驱动用TFT9d的第二端子电极电连接。
如图4所示，驱动用TFT9d在各子像素P中，其栅极电极14b(参照图3)与初始化用TFT9a及补偿用TFT9b的各第三端子电极电连接，其第一端子电极21e(参照图3)与补偿用TFT9b的第四端子电极及电源供给用TFT9e的各第二端子电极电连接，其第二端子电极21g(参照图3)与写入用TFT9c的第二端子电极及发光控制用TFT9f的第一端子电极电连接。在此，驱动用TFT9d构成为控制有机EL元件35的电流。另外，如图3所示，驱动用TFT9d具备设置于基底涂层膜11上的第一半导体层12b、设置于第一半导体层12b上的第一栅极绝缘膜13、设置于第一栅极绝缘膜13上的栅极电极14b、以覆盖栅极电极14b的方式设置的第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜20、以及以相互分离的方式设置于第二层间绝缘膜20上的第一端子电极21e及第二端子电极21g。在此，第一半导体层12b具备以相互分离的方式设置的第一导体区域和第二导体区域、以及在第一导体区域和第二导体区域之间规定的沟道区域。并且，如图3所示，第一端子电极21e和第二端子电极21g经由形成于第一栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜20的层叠膜的两个接触孔分别与第一半导体层12b的第一导体区域和第二导体区域电连接。
如图4所示，电源供给用TFT9e在各子像素P中，其栅极电极与本级(n级)的发光控制线14e电连接，其第一端子电极与电源线21i电连接，其第二端子电极与驱动用TFT9d的第一端子电极电连接。
如图4所示，发光控制用TFT9f在各子像素P中，其栅极电极14a(参照图3)电连接于本级(n级)的发光控制线14e，其第一端子电极21a(参照图3)电连接于驱动用TFT9d的第二端子电极，其第二端子电极21c(参照图3)电连接于后述的有机EL元件35的第一电极31a。另外，如图3所示，发光控制用TFT9f具备:设置于基底涂层膜11上的第一半导体层12a、设置于第一半导体层12a上的第一栅极绝缘膜13、设置于第一栅极绝缘膜13上的栅极电极14a、以覆盖栅极电极14a的方式设置的第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜20、以及以相互分离的方式设置于第二层间绝缘膜20上的第一端子电极21a及第二端子电极21b(21c)。在此，第一半导体层12a具备以相互分离的方式设置的第一导体区域和第二导体区域、以及在第一导体区域和第二导体区域之间规定的沟道区域。并且，如图3所示，第一端子电极21a及第二端子电极21b通过形成在第一栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜20的层叠膜上的两个接触孔分别与第一半导体层12a的第一导体区域和第二导体区域电连接。另外，如图3所示，第二端子电极21c经由形成于第一栅极绝缘膜13和第一层间绝缘膜15的层叠膜的接触孔、中继电极16a、形成于第二层间绝缘膜20的接触孔与第一半导体层12a的第二导体区域电连接。
如图4所示，阳极放电用TFT9g在各子像素P中，其栅极电极19a(参照图3)与本级(n级)的栅极线14g(n)电连接，其第三端子电极21c(参照图3)与有机EL元件35的第一电极31a电连接，其第四端子电极21d(参照图3)与第二初始化电源线19i电连接。此外，阳极放电用TFT9g的第三端子电极21c与发光控制用TFT9f的第二端子电极21c共用。另外，如图3所示，阳极放电用TFT9g具备:设置在第一层间绝缘膜15上的第二半导体层17a、设置在第二半导体层17a上的第二栅极绝缘膜18a、设置在第二栅极绝缘膜18a上的栅极电极19a、以覆盖栅极电极19a的方式设置的第二层间绝缘膜20、以及在第二层间绝缘膜20上以相互分离的方式设置的第三端子电极21c以及第四端子电极21d。在此，如图3所示，第二半导体层17a具备以相互分离的方式设置的第三导体区域和第四导体区域、以及设置于第三导体区域和第四导体区域之间的沟道区域。并且，如图3所示，第三端子电极21c经由形成于第二层间绝缘膜20的接触孔及中继电极16a与第二半导体层17a的第三导体区域电连接。另外，如图3所示，第四端子电极21d经由形成于第二层间绝缘膜20的接触孔和中继电极16b与第二半导体层17a的第四导体区域电连接。
此外，在本实施方式中，例示了作为具有由多晶硅形成的第一半导体层的第一TFT，设置有写入用TFT9c、驱动用TFT9d、电源供给用TFT9e以及发光控制用TFT9f，作为具有由氧化物半导体形成的第二半导体层的第二TFT，设置有初始化TFT9a、补偿用TFT9b以及阳极放电用TFT9g的像素电路，但是像素电路的所有TFT，即初始化TFT9a、补偿用TFT9b、写入用TFT9c、驱动用TFT9d、电源供给用TFT9e、发光控制用TFT9f以及阳极放电用TFT9g可以通过具有由氧化物半导体形成的半导体层的TFT构成。
如图4所示，电容器9h在各子像素P中，其下部导电层16c(参照图3)与驱动用TFT9d的栅极电极14b(参照图3)、初始化用TFT9a以及补偿用TFT9b的各第三端子电极电连接，其上部导电层19b(参照图3)与阳极放电用TFT9g的第三端子电极、发光控制用TFT9f的第二端子电极以及有机EL元件35的第一电极31a电连接。另外，如图3所示，电容器9h具备:下部导电层16c，其由与中继电极16a及16b相同的材料形成在同一层；第二栅极绝缘膜18b，其设置在下部导电层16c上；以及上部导电层19b，其设置在第二栅极绝缘膜18b上，由与栅极电极19a相同的材料形成在同一层。
平坦化膜22a在显示区域D中具有平坦的表面，例如，由聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂等的有机树脂材料、或聚硅氧烷系的SOG(Spin On Glass)材料等的有机绝缘膜构成。
有机EL元件层40具备:对应多个子像素P依次设置的多个第一电极31a、共用的边缘罩32a、多个有机EL层33以及共用的第二电极34。在此，在各子像素P中，第一电极31a、有机EL层33以及第二电极34构成了有机EL元件35(参照图4)。
第一电极31a经由形成在平坦化膜22a的接触孔，与各子像素P的发光控制用TFT9f的第二端子电极21c电连接。另外，第一电极31a具有向有机EL层33注入孔(空穴)的功能。另外，为了提高向有机EL层33注入空穴的效率，更优选用功函数大的材料形成第一电极31a。在此，作为构成第一电极31a的材料，例如可以列举银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钛(Ti)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)、铂(Pt)、钯(Pd)、钼(Mo)、铱(Ir)、锡(Sn)等的金属材料。另外，构成第一电极31a的材料例如也可以是砹(At)/氧化砹(AtO2)等的合金。此外，构成第一电极31a的材料例如也可以是氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)那样的导电性氧化物等。另外，第一电极31a也可以层叠多个由上述材料构成的层而形成。此外，作为功函数大的化合物材料，例如可以列举铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。另外，第一电极31a的膜厚例如为160nm左右，优选为150nm以上300nm以下。
边缘罩32a在全部子像素P上共用地设置为格子状，例如，由聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂等的有机树脂材料、或聚硅氧烷系的SOG材料等构成。
有机EL层33作为发光功能层而设置，如图5示出，具备在第一电极31a上依次层叠的空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4以及电子注入层5。
空穴注入层1也称为阳极缓冲层，具有使第一电极31a与有机EL层33的能级接近，改善从第一电极31a向有机EL层33的空穴注入效率的功能。在此，作为构成空穴注入层1的材料，例如可列举出三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、苯乙烯衍生物等。
空穴输送层2具有提高从第一电极31a向有机EL层33的空穴的输送效率的功能。在此，作为构成空穴输送层2的材料，例如可列举出卟啉衍生物、芳香族叔胺化合物、苯乙烯基胺衍生物、聚乙烯基咔唑、聚对亚苯基亚乙烯基、聚硅烷、三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、胺取代查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、苯乙烯衍生物、氢化非晶硅、氢化非晶碳化硅、硫化锌、硒化锌等。
发光层3是在第一电极31a和第二电极34施加电压时从第一电极31a和第二电极34分别注入空穴和电子，并且空穴和电子再结合的区域。在此，发光层3由发光效率高的材料形成。并且，作为构成发光层3的材料，例如，可列举出:金属氧类化合物[8-羟基喹啉金属络合物]、萘衍生物、蒽衍生物、二苯基乙烯衍生物、乙烯基丙酮衍生物、三苯胺衍生物、丁二烯衍生物、香豆素衍生物、苯并噁唑衍生物、噁二唑衍生物、噁唑衍生物、苯并咪唑衍生物、噻二唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯基衍生物、苯乙烯基胺衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、三苯乙烯基苯衍生物、茈衍生物、苝衍生物、氨基芘衍生物、吡啶衍生物、罗丹明衍生物、吖啶衍生物、吩噁嗪酮、喹吖啶酮衍生物、派瑞林、聚对亚苯基亚乙烯、聚硅烷等。
电子输送层4具有使电子高效地移动到发光层3的功能。在此，作为构成电子传输层4的材料，例如，作为有机化合物，可以列举出:噁二唑衍生物、三唑衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲烷衍生物、二苯醌衍生物、芴酮衍生物、硅烷衍生物、金属氧化物类化合物等。
电子注入层5具有使第二电极34与有机EL层33的能量水平接近、提高从第二电极34向有机EL层33注入电子的效率的功能，通过该功能，能够降低有机EL元件35的驱动电压。此外，电子注入层5也被称为阴极缓冲层。在此，作为构成电子注入层5的材料，例如可以列举氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化锶(SrF2)、氟化钡(BaF2)这样的无机碱化合物、氧化铝(Al2O3)、氧化锶(SrO)等。
如图3所示，第二电极34以覆盖各有机EL层33和边缘罩32a的方式在所有的子像素P上共用地设置。另外，第二电极34具有向有机EL层33注入电子的功能。并且，为了提高向有机EL层33注入电子的效率，第二电极34更优选由功函数小的材料构成。在此，作为构成第二电极34的材料，例如可以列举银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)等。另外，第二电极34例如也可以由镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO2)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等的合金形成。另外，第二电极34也可以由例如氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等的导电性氧化物形成。另外，第二电极34也可以将由上述材料构成的层层叠多层而形成。此外，作为功函数小的材料，例如可以列举镁(Mg)、锂(Li)、氟化锂(LiF)、镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等。
如图3及图7所示，密封膜45具备:设置成覆盖第二电极34并在第二电极34上依次层叠的第一无机密封膜41、有机密封膜42以及第二无机密封膜43，具有保护有机EL元件35的有机EL层33免受水分、氧等的影响的功能。在此，第一无机密封膜41以及第二无机密封膜43例如由氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜等的无机绝缘膜构成。另外，有机密封膜42例如由丙烯酸树脂、环氧树脂、硅酮树脂、聚脲树脂、聚对二甲苯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂等的有机树脂材料构成。
另外，如图1所示，有机EL显示装置50a在边框区域F具备以包围显示区域D的方式在沟槽G的外侧呈框状设置的第一外侧阻挡壁Wa和在第一外侧阻挡壁Wa的周围呈框状设置的第二外侧阻挡壁Wb。在此，第一外侧阻挡壁Wa及第二外侧阻挡壁Wb例如分别具备由与平坦化膜22a相同的材料形成在同一层的下侧树脂层、和设置在该下侧树脂层且由与边缘罩32a相同的材料形成在同一层的上侧树脂层。另外，第一阻挡壁Wa以与密封膜45的有机密封膜42的外周端部重叠的方式来设置，以抑制成为有机密封膜42的油墨的扩散的方式构成。
另外，如图1所示，有机EL显示装置50a在边框区域F具备第一边框配线21j，该第一边框配线21j以框状设置在沟槽G的内侧，沟槽G的开口的部分的两端部向端子部T延伸。在此，第一边框配线21j构成为在边框区域F的显示区域D侧连接于电源线21i，在端子部T输入高电源电压(ELVDD)。
另外，如图1所示，有机EL显示装置50a在边框区域F具备第二边框配线21k，该第二边框配线21k大致呈C状地设置在沟槽G的外侧，两端部向端子部T延伸。在此，第二边框配线21k在边框区域F的显示区域D侧与第二电极34电连接，在端子部T输入低电源电压(ELVSS)。
另外，如图7所示，有机EL显示装置50a在非显示区域N具备以覆盖平坦化膜22a的周端部的侧壁的方式设置成环状的第一遮光膜31b。在此，第一遮光膜31b通过与第一电极31a相同的材料形成在同一层，如图7所示那样被边缘罩32a覆盖。另外，如图7所示，在第一遮光膜31b的树脂基板层10侧设置有绕过贯通孔H的多个第一迂回布线14n以及多个第二迂回布线21n。另外，第一迂回布线14n以及第二迂回布线21n与延伸到与贯通孔H对应的部分的显示用布线(栅极线14g、发光控制线14e、第二初始化电源线19i、源极线21h、电源线21i等)电连接。
另外，如图6和图7所示，有机EL显示装置50a在非显示区域N具备内侧阻挡壁Wc，该内侧阻挡壁Wc以包围贯通孔H、与有机密封膜42的内周端部重叠的方式设置为环状。在此，如图7所示，内侧阻挡壁Wc具备:第一树脂层22b，其由与平坦化膜22a相同的材料形成于同一层；第二遮光膜31c，其以覆盖第一树脂层22b的方式设置；以及第二树脂层32b，其以覆盖第二遮光膜31c的方式设置，且由与边缘罩32a相同的材料形成于同一层。
另外，如图6以及图7所示，有机EL显示装置50a在非显示区域N具备第一凹部Ca，该第一凹部Ca在内侧阻挡壁Wc的外侧以包围贯通孔H的方式呈同心状设置成环状。在此，如图7所示，第一凹部Ca设置为在第一遮光膜31b与第二遮光膜31c之间，以到达树脂基板层10的上层部的方式，基底涂层膜11、第一栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜20呈屋檐状突出，朝向开口(图中上侧)宽度变窄的倒锥状。另外，有机EL层33和第二电极34通过第一凹部Ca和后述的第二凹部Cb分别分离地形成于显示区域D侧和贯通孔H侧。
另外，如图6以及图7所示，有机EL显示装置50a在非显示区域N具备在内侧阻挡壁Wc的内侧以包围贯通孔H的方式呈同心状设置成环状的多个第二凹部Cb。在此，如图7所示，第二凹部Cb设置为在第二遮光膜31c和贯通孔H(参照图6)之间，以到达树脂基板层10的上层部的方式，基底涂层膜11、第一栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜20呈屋檐状突出，朝向开口(图中上侧)宽度变窄的倒锥状。
在上述构成的有机EL显示装置50a中，在各子像素P中，首先，选择发光控制线14e设为非活性状态时，有机EL元件35成为非发光状态。在该非发光状态下，选择前级的栅极线14g(n-1)，栅极信号经由该栅极线14g(n-1)输入至初始化用TFT9a，由此初始化用TFT9a成为导通状态，电源线21i的高电源电压ELVDD被施加于电容器9h的同时，驱动用TFT9d成为导通状态。由此，电容器9h的电荷被放电，施加到驱动用TFT9d的栅极电极的电压被初始化。接着，通过选择本级的栅极线14(n)设为活性状态，补偿用TFT9b及写入用TFT9c成为导通状态，与经由对应的源极线21h传递的源极信号对应的规定的电压经由二极管连接状态的驱动用TFT9d被写入电容器9h，并且阳极放电用TFT9g成为导通状态，初始化信号经由第二初始化电源线19i被施加到有机EL元件35的第一电极31a，从而蓄积在第一电极31a中的电荷被复位。之后，发光控制线14e被选择，电源供给用TFT9e及发光控制用TFT9f成为导通状态，与施加到驱动用TFT9d的栅极电极的电压相应的驱动电流从电源线21i被供给到有机EL元件35。这样，在有机EL显示装置50a中，在各子像素P中，有机EL元件35以与驱动电流相应的亮度发光，进行图像显示。另外，有机EL显示装置50a在非显示区域N中，以包围贯通孔H的方式设置有第一遮光膜31b和第二遮光膜31c，因此从贯通孔H入射的来自外部的光L被第一遮光膜31b和第二遮光膜31c遮断，如图7所示那样，成为来自外部的光L难以入射至显示区域D的构造。
另外，在本实施方式中，例示了在平坦化膜22a的周端部设置有第一遮光膜31b的有机EL显示装置50a，但也可以是在平坦化膜22a的周端部设置有内侧第一遮光膜31ba以及外侧第一遮光膜31bb的有机EL显示装置50aa。具体而言，在有机EL显示装置50aa中，在非显示区域N中，如图8所示，在平坦化膜22a以贯通平坦化膜22a并且包围贯通孔H的方式形成有内侧沟槽Gi，以覆盖平坦化膜22a的周缘部的侧壁的方式设置有内侧第一遮光膜31ba，以覆盖内侧沟槽Gi的方式设置有外侧第一遮光膜31bb。根据该有机EL显示装置50aa，由于在平坦化膜22a形成有内侧沟槽Gi，因此能够采取使从贯通孔H入射的来自外部的光L更加难以入射的结构，并且能够抑制水分经由平坦化膜22a侵入显示区域D，能够抑制有机EL元件35的有机EL层33的劣化。
接着，对本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法进行说明。在此，本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法具备TFT层形成工序、有机EL元件层形成工序、密封膜形成工序以及贯通孔形成工序。
＜TFT层形成工序＞
首先，例如通过等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition:化学气相沉积)法，在形成于玻璃基板上的树脂基板层10上依次成膜氧化硅膜(厚度为250nm左右)和氮化硅膜(厚度为100nm左右)，从而形成基底涂层膜11。
接着，利用等离子CVD法，在形成有基底涂层膜11的基板表面上成膜例如非晶硅膜(厚度为50nm左右)，通过激光退火等使该非晶硅膜结晶化而形成多晶硅膜后，将该多晶硅膜图案化，形成第一半导体层12a等。
此外，在形成有第一半导体层12a的基板表面上，例如通过等离子体CVD法成膜氧化硅膜(100nm左右)而形成第一栅极绝缘膜13后，例如通过溅射法成膜钼膜(厚度为100nm左右)等的金属膜后，对该金属膜进行图案化，形成栅极电极14a等。
之后，在形成有栅极电极14a等的基板表面上，通过例如等离子体CVD法成膜氧化硅膜(100nm左右)从而形成第一层间绝缘膜15后，例如，通过溅射法成膜钼膜(厚度为100nm左右)等的金属膜后，对该金属膜进行图案化，形成中继电极16a等。
接着，在形成有中继电极16a等的基板表面，例如通过溅射法，成膜InGaZnO4等的半导体膜(厚度为30nm左右)并进行退火处理后，对该半导体膜进行图案化，形成第二半导体层17a。
此外，在形成有第二半导体层17a的基板表面，例如通过等离子体CVD法成膜氧化硅膜(厚度为300nm左右)后，通过溅射法成膜钼膜(厚度为100nm左右)等的金属膜，通过对这些层叠膜进行图案化，形成第二栅极绝缘膜18a及栅极电极19a等。
之后，例如通过等离子体CVD法在形成有第二栅极绝缘膜18a和栅极电极19a等的基板表面上形成氧化硅膜(150nm左右)，从而形成第二层间绝缘膜20。
接着，在第一栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜20上适当地形成接触孔后，例如，通过溅射法，依次成膜钛膜(厚度为50nm左右)、铝膜(厚度为400nm左右)以及钛膜(厚度为50nm左右)等而形成金属层叠膜，之后，将该金属层叠膜图案化，形成第一端子电极21a及第二端子电极21b等。
此外，在形成有第一端子电极21a及第二端子电极21b等的基板表面上，例如通过狭缝涂布法等涂布聚酰亚胺系的感光性树脂膜(厚度为2μm左右)后，通过对其涂布膜进行预烘烤、曝光、显影及后烘烤，形成平坦化膜22a。
如上所述，能够形成TFT层30a。
＜有机EL元件层的形成工序＞
在上述TFT层形成工序中形成的TFT层30a的平坦化膜24上，采用公知的方法形成第一电极31a、边缘罩32a、有机EL层33(空穴注入层1、空穴输送层2、发光层3、电子输送层4、电子注入层5)以及第二电极34，形成有机EL元件层40。在此，在形成有机EL层33之前，在非显示区域N中，形成规定形状的抗蚀剂图案，在对从该抗蚀剂图案露出的基底涂层膜11、第一栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜20的层叠无机绝缘膜进行蚀刻后，对从该层叠无机绝缘膜露出的树脂基板层10进行灰化，从而形成第一凹部Ca及第二凹部Cb。
＜密封膜形成工序＞
在通过上述有机EL元件层形成工序形成的有机EL元件层40上，使用公知的方法形成密封膜45(第一无机密封膜41、有机密封膜42、第二无机密封膜43)。之后，将保护片(未图示)粘贴于形成有密封膜45的基板表面后，从树脂基板层10的玻璃基板侧照射激光，由此从树脂基板层10的下表面剥离玻璃基板，进而，在剥离了玻璃基板的树脂基板层10的下表面粘贴保护片(未图示)。
＜贯通孔形成工序＞
在通过上述密封膜形成工序剥离了玻璃基板的树脂基板层10的非显示区域N中，例如一边使激光以环状进行扫描一边照射，从而形成贯通孔H。之后，将形成有贯通孔H的有机EL显示装置50a例如固定于壳体的内部时，以照相机或指纹传感器等的电子元件60配置于贯通孔H的背面侧的方式设置电子元件60。
如上所述，能够制造本实施方式的有机EL显示装置50a。
如上所述，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，由于在非显示区域N中，以包围贯通孔H并且覆盖平坦化膜22a的周端部的侧壁的方式设置有第一遮光膜31b，因此能够通过第一遮光膜31b遮断从贯通孔H入射的来自外部的光L。由此，来自外部的光L难以入射至显示区域D，因此能够使来自外部的光L难以到达设置于显示区域D的各子像素P的TFT9a～9g。因此，能够抑制从设置在显示区域D的内部的非显示区域N的贯通孔H入射的光L所引起的TFT特性的降低。另外，设置于显示区域D的各子像素P的TFT9a～9g，除具备使用了多晶硅的第一TFT(写入用TFT9c、驱动用TFT9d、电源供给用TFT9e、发光控制用TFT9f)之外，还具备使用氧化物半导体并不耐受光的性质的第二TFT(初始化TFT9a、补偿用TFT9b、阳极放电用TFT9g)，因此，能够特别抑制起因于从贯通孔H入射的光L的TFT特性的降低。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，由于在非显示区域N中，以包围贯通孔H并且覆盖第一树脂层22b的方式设置有第二遮光膜31c，因此能够通过第二遮光膜31c遮断从贯通孔H入射的来自外部的光L。由此，来自外部的光L难以入射至显示区域D，因此能够使来自外部的光L难以到达设置于显示区域D的各子像素P的TFT9a～9g。因此，能够进一步抑制从设置于显示区域D的内部的非显示区域N的贯通孔H入射的光L所引起的TFT特性的降低。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，由于第一遮光膜31b和第二遮光膜31c被边缘罩32a和第二树脂层32b覆盖，因此能够抑制第一遮光膜31b和第二遮光膜31c的特性劣化。
《第二实施方式》
图9示出本发明所涉及的显示装置的第二实施方式。在此，图9是本实施方式的有机EL显示装置50b的非显示区域N的截面图，是相当于在上述第一实施方式中说明的图7的图。此外，在以下的各实施方式中，对与图1图8相同的部分标注相同的附图标记，并省略其详细的说明。
在上述第一实施方式中，例示了在非显示区域N，基底涂层膜11的周端面与第一栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜20的周端面形成为同一面的有机EL显示装置50a，但在本实施方式中，例示在非显示区域N，基底涂层膜11的周端面比第一栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜20的周端面突出而形成的有机EL显示装置50b。
有机EL显示装置50b与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，具备在内部设置有岛状的非显示区域N的显示区域D和设置在显示区域D的周围的边框区域F。
另外，有机EL显示装置50b与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，具备:树脂基板层10；设置在树脂基板层10上的TFT层30a；设置在TFT层30a上的有机EL元件层40；以覆盖有机EL元件层40的方式设置的密封膜45。在此，有机EL显示装置50b中的显示区域D及边框区域F的结构与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a中的显示区域D及边框区域F的结构实质上相同。
另外，有机EL显示装置50b与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，如图9所示，在非显示区域N中，具备以覆盖平坦化膜22a的周端部的侧壁的方式设置成环状的第一遮光膜31b。在此，如图9所示，第一遮光膜31b以覆盖第一栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜20的周缘部的侧壁的方式设置。
另外，有机EL显示装置50b与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，如图9所示，在非显示区域N中，具备以包围贯通孔H、与有机密封膜42的内周端部重叠的方式设置成环状的内侧阻挡壁Wc。在此，如图9所示，内侧阻挡壁Wc具备:第一树脂层22b，其由与平坦化膜22a相同的材料形成在同一层；第二遮光膜31c，其以覆盖第一树脂层22b的方式设置；以及第二树脂层32b，其以覆盖第二遮光膜31c的方式设置，且由与边缘罩32a相同的材料形成在同一层。另外，如图9所示，在内侧阻挡壁Wc的树脂基板层10侧设有基底无机层MM。另外，如图9所示，基底无机层MM具备:基底无机下层13a，其在基底涂层膜11上依次层叠，由与第一栅极绝缘膜13相同的材料形成在同一层；基底无机中层15a，其由与第一层间绝缘膜15相同的材料形成在同一层；基底无机上层20a，其由与第二层间绝缘膜20相同的材料形成在同一层。此外，如图9所示，第二遮光膜31c以覆盖基底无机层MM上的贯通孔H侧(图中右侧)和显示区域D侧(图中左侧)的周缘部的侧壁的方式设置。
另外，有机EL显示装置50b与所述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，在非显示区域N中具备第一凹部Ca，该第一凹部Ca在内侧阻挡壁Wc的外侧以包围贯通孔H的方式呈同心状设置成环状。在此，如图9所示，第一凹部Ca设置为在第一遮光膜31b与第二遮光膜31c之间，以到达树脂基板层10的上层部的方式，基底涂膜11呈屋檐状突出，朝向开口(图中上侧)宽度变窄的倒锥状。
另外，有机EL显示装置50b与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，在非显示区域N中，具备以在内侧阻挡壁Wc的内侧包围贯通孔H的方式呈同心状设置成环状的多个第二凹部Cb。在此，如图9所示，第二凹部Cb设置为在第二遮光膜31c和贯通孔H(参照图6)之间，以到达树脂基板层10的上层部的方式，基底涂层膜11以屋檐状突出，朝向开口(图中上侧)宽度变窄的倒锥状。
在上述构成的有机EL显示装置50b中，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，在各子像素P中，有机EL元件35以与驱动电流相应的亮度发光，进行图像显示。另外，有机EL显示装置50b在非显示区域N中，以包围贯通孔H的方式设置有第一遮光膜31b和第二遮光膜31c，因此从贯通孔H入射的来自外部的光L被第一遮光膜31b和第二遮光膜31c遮断，如图9所示，成为来自外部的光L难以入射到显示区域D的结构。
本实施方式的有机EL显示装置50b能够通过在上述第一实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法中的TFT层形成工序中，在第一栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜20上形成接触孔时，通过对非显示区域N的第一栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜20也局部进行蚀刻来制造。
如以上说明的那样，根据本实施方式的有机EL显示装置50b，在非显示区域N中，以包围贯通孔H并且覆盖平坦化膜22a的周端部的侧壁的方式设置有第一遮光膜31b，因此能够通过第一遮光膜31b遮断从贯通孔H入射的来自外部的光L。由此，来自外部的光L难以入射至显示区域D，因此能够使来自外部的光L难以到达设置于显示区域D的各子像素P的TFT9a～9g。因此，能够抑制从设置在显示区域D的内部的非显示区域N的贯通孔H入射的光L所引起的TFT特性的降低。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50b，在非显示区域N中，以包围贯通孔H并且覆盖第一树脂层22b的方式设置有第二遮光膜31c，因此能够通过第二遮光膜31c遮断从贯通孔H入射的来自外部的光L。由此，来自外部的光L难以入射至显示区域D，因此能够使来自外部的光L难以到达设置于显示区域D的各子像素P的TFT9a～9g。因此，能够进一步抑制从设置于显示区域D的内部的非显示区域N的贯通孔H入射的光L所引起的TFT特性的降低。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50b，由于第一遮光膜31b和第二遮光膜31c被边缘罩32a和第二树脂层32b覆盖，因此能够抑制第一遮光膜31b和第二遮光膜31c的特性劣化。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50b，由于第一遮光膜31b以覆盖第一栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜20的周缘部的侧壁的方式设置成台阶状，因此能够提高第一遮光膜31b所带来的横向的遮光效果。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50b，第二遮光膜31c以覆盖基底无机层MM上的贯通孔H侧和显示区域D侧的周缘部的侧壁的方式设置成台阶状，因此能够提高第二遮光膜31c在横向上的遮光效果。
《第三实施方式》
图10和图11示出本发明所涉及的显示装置的第二实施方式。在此，图10是本实施方式的有机EL显示装置50c的显示区域D的截面图，是相当于在上述第一实施方式中说明的图3的图。另外，图11是有机EL显示装置50c的非显示区域N的截面图，是相当于在上述第一实施方式中说明的图7的图。
在上述第一实施方式中，例示了第一遮光膜31b和第二遮光膜31c通过与有机EL元件层40的第一电极31a相同的材料形成在同一层的有机EL显示装置50a，但在本实施方式中，例示第一遮光膜23b和第二遮光膜23c通过与TFT层30c的中继布线层23a相同的材料形成在同一层的有机EL显示装置50c。
有机EL显示装置50c与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，具备在内部设置有岛状的非显示区域N的显示区域D和设置在显示区域D的周围的边框区域F。
而且，如图10所示，有机EL显示装置50c具备:树脂基板层10；设置在树脂基板层10上的TFT层30c；设置在TFT层30c上的有机EL元件层40；以覆盖有机EL元件层40的方式设置的密封膜45。
如图10所示，TFT层30c具备:设置于树脂基板层10上的基底涂层膜11；在基底涂层膜11上设置于各子像素P的初始化TFT9a(参照图4)、补偿用TFT9b(参照图4)、写入用TFT9c(参照图4)、驱动用TFT9d、电源供给用TFT9e(参照图4)、发光控制用TFT9f、阳极放电用TFT9g以及电容器9h；设置于各TFT9a～9g及电容器9h上的第一平坦化膜22a；设置于第一平坦化膜22a上的中继布线层23a；设置于中继布线层23a上的第二平坦化膜24。在此，如图11所示，中继布线层23a构成为使发光控制用TFT9f的第二端子电极21c与有机EL元件35的第一电极31a电连接。另外，第二平坦化膜24在显示区域D中具有平坦的表面，例如由聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂等的有机树脂材料、或聚硅氧烷系的SOG材料等的有机绝缘膜构成。另外，在TFT层30c，与上述第一实施方式的TFT层30a同样地，设置有多个栅极线14g、多个发光控制线14e、多个第二初始化电源线19i、多个源极线21h以及多个电源线21i。
另外，有机EL显示装置50c的边框区域F的结构与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a的边框区域F的结构实质上相同。
另外，如图11所示，有机EL显示装置50c在非显示区域N中，具备以覆盖平坦化膜22a的周端部的侧壁的方式设置成环状的第一遮光膜23b。在此，第一遮光膜23b由与中继布线层23a相同的材料形成在同一层。
另外，有机EL显示装置50c与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，如图11所示，在非显示区域N中，具备以包围贯通孔H、与有机密封膜42的内周端部重叠的方式设置为环状的内侧阻挡壁Wc。在此，如图11所示，内侧阻挡壁Wc具备:第一树脂层22b，其由与平坦化膜22a相同的材料形成在同一层；第二遮光膜23c，其以覆盖第一树脂层22b的方式设置，且由与中继布线层23a相同的材料形成在同一层；以及第二树脂层32b，其以覆盖第二遮光膜23c的方式设置，且由与边缘罩32a相同的材料形成在同一层。
另外，有机EL显示装置50c与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，如图11所示，在非显示区域N中，具备以在内侧阻挡壁Wc的外侧包围贯通孔H的方式呈同心状设置成环状的第一凹部Ca。
另外，有机EL显示装置50c与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，如图11所示，在非显示区域N中，具备以在内侧阻挡壁Wc的内侧包围贯通孔H的方式呈同心状设置成环状的多个第二凹部Cb。
在上述结构的有机EL显示装置50c中，与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，在各子像素P中，有机EL元件35以与驱动电流相应的亮度发光，进行图像显示。另外，有机EL显示装置50c在非显示区域N中，以包围贯通孔H的方式设置有第一遮光膜23b和第二遮光膜23c，因此，从贯通孔H入射的来自外部的光L被第一遮光膜23b和第二遮光膜23c遮断，如图11所示，成为来自外部的光L难以入射至显示区域D的结构。
本实施方式的有机EL显示装置50c可以通过在上述第一实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法中的TFT层形成工序中，在形成(第一)平坦化膜22a后，在形成了第一平坦化膜22a的基板表面上，例如通过溅射法，依次成膜钛膜、铝膜以及钛膜等而形成金属层叠膜后，将该金属层叠膜图案化，形成中继布线层23a等，在形成了中继布线层23a等的基板表面，例如通过狭缝涂布法等，涂布聚酰亚胺系的感光性树脂膜后，对该涂布膜进行预烘烤、曝光、显影以及后烘烤，从而形成第二平坦化膜24来制造。
如上所述，根据本实施方式的有机EL显示装置50c，由于在非显示区域N中，以包围贯通孔H并且覆盖平坦化膜22a的周端部的侧壁的方式设置有第一遮光膜23b，因此，能够通过第一遮光膜23b遮断从贯通孔H入射的来自外部的光L。由此，来自外部的光L难以入射至显示区域D，因此能够使来自外部的光L难以到达设置于显示区域D的各子像素P的TFT9a～9g。因此，能够抑制从设置在显示区域D的内部的非显示区域N的贯通孔H入射的光L所引起的TFT特性的降低。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50c，由于在非显示区域N中，以包围贯通孔H并且覆盖第一树脂层22b的方式设置有第二遮光膜23c，因此能够通过第二遮光膜23c遮断从贯通孔H入射的来自外部的光L。由此，来自外部的光L难以入射至显示区域D，因此能够使来自外部的光L难以到达设置于显示区域D的各子像素P的TFT9a～9g。因此，能够进一步抑制从设置于显示区域D的内部的非显示区域N的贯通孔H入射的光L所引起的TFT特性的降低。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50c，由于第一遮光膜23b和第二遮光膜23c被第二平坦化膜24和第二树脂层32b覆盖，因此能够抑制第一遮光膜23b和第二遮光膜23c的特性劣化。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置50c，由于第一遮光膜23b及第二遮光膜23c比第一电极31a厚，所以与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a的第一遮光膜31b和第二遮光膜31c相比，能够进一步提高遮光效果。另外，也可以在本实施方式的有机EL显示装置50c的第一遮光膜23b和第二遮光膜23c上分别重叠配置上述第一实施方式的有机EL显示装置50a的第一遮光膜31b和第二遮光膜31c，以进一步提高遮光效果。
《其他实施方式》
另外，在上述各实施方式中，例示了有机EL显示装置50a、50b以及50c，但本发明也可以是组合了各实施方式的有机EL显示装置50a、50b以及50c的构成要素的结构。
在上述各实施方式中，例示了空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层以及电子注入层的5层层叠结构的有机EL层，但有机EL层例如也可以是空穴注入层兼空穴输送层、发光层以及电子输送层兼电子注入层的3层层叠结构。
另外，在上述各实施方式中，例示了以第一电极为阳极、以第二电极为阴极的有机EL显示装置，但本发明也可以应用于使有机EL层的层叠结构反转，以第一电极为阴极、以第二电极为阳极的有机EL显示装置。
另外，在上述各实施方式中，作为显示装置以有机EL显示装置为例进行了说明，但本发明能够应用于具备由电流驱动的多个发光元件的显示装置，例如，可以应用于具备QLED(Quantum-dot Light Emitting Diode)的显示装置，该QLED是使用了量子点含有层的发光元件。
产业上的可利用性
如上所述，本发明对于柔性的显示装置是有用的。
附图标记说明
Ca 第一凹部
Cb 第二凹部
D 显示区域
Gi 内侧沟槽
H 贯通孔
M 基底无机层M
N 非显示区域
P 子像素
Wa 第一外侧阻挡壁
Wb 第二外侧阻挡壁
Wc 内侧阻挡壁
9a 初始化TFT(第二薄膜晶体管)
9b 补偿用TFT(第二薄膜晶体管)
9c 写入用TFT(第一薄膜晶体管)
9d 驱动用TFT(第一薄膜晶体管)
9e 电源供给用TFT(第一薄膜晶体管)
9f 发光控制用TFT(第一薄膜晶体管)
9g 阳极放电用TFT(第二薄膜晶体管)
10 树脂基板层
13 第一栅极绝缘膜
15 第一层间绝缘膜
20 第二层间绝缘膜
22a (第一)平坦化膜
22b 第一树脂层
23a 中继布线层
30a、30c TFT层(薄膜晶体管层)
31a 第一电极
31b 第一遮光膜
31ba 内侧第一遮光膜
31bb 外侧第一遮光膜
31c 第二遮光膜
32a 边缘罩
32b 第二树脂层
33 有机EL层(有机电致发光层、发光功能层)
35 有机EL元件层(发光元件层)
41 第一无机密封膜
42 有机密封膜
43 第二无机密封膜
45 密封膜
50a、50aa、50b、50c 有机EL显示装置
60 电子元件

Claims (19)

1.一种显示装置，其特征在于，具备：
树脂基板层；
薄膜晶体管层，其设置在所述树脂基板层上，依次层叠由无机绝缘膜构成的栅极绝缘膜和层间绝缘膜、以及由有机绝缘膜构成的平坦化膜；以及
发光元件层，其设置在所述薄膜晶体管层上，对应构成显示区域的多个子像素依次层叠有多个第一电极、共用的边缘罩、多个发光功能层以及共用的第二电极；
所述薄膜晶体管层具备在所述平坦化膜的所述树脂基板层侧针对每个所述子像素设置的薄膜晶体管，
在所述显示区域的内部设置有岛状的非显示区域，
在所述非显示区域设置有沿所述树脂基板层的厚度方向贯通的贯通孔，
在所述非显示区域中，在所述平坦化膜的周缘部以覆盖所述周缘部的侧壁的方式设置有第一遮光膜。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一遮光膜被所述边缘罩覆盖。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，所述第一遮光膜设置成覆盖所述栅极绝缘膜及所述层间绝缘膜的周缘部的侧壁。
4.根据权利要求1至3的任意一项所述的显示装置，其特征在于，所述第一遮光膜由与所述各第一电极相同的材料构成为同一层。
5.根据权利要求1至3的任意一项所述的显示装置，其特征在于，
所述薄膜晶体管层在所述平坦化膜的所述发光元件层侧具备布线层，
所述第一遮光膜由与所述布线层相同的材料构成为同一层。
6.根据权利要求1至4的任意一项所述的显示装置，其特征在于，具备：
以覆盖所述发光元件层的方式设置，且依次层叠有第一无机密封膜、有机密封膜以及第二无机密封膜的密封膜；
在所述显示区域的周围的边框区域，以包围该显示区域的方式设置，且与所述有机密封膜的外周端部重叠的外侧阻挡壁；以及
在所述非显示区域中，以包围所述贯通孔的方式设置且与所述有机密封膜的内周端部重叠的内侧阻挡壁，
所述内侧阻挡壁具备由与所述平坦化膜相同的材料构成为同一层的第一树脂层，
在所述第一树脂层上以覆盖该第一树脂层的方式设置有第二遮光膜。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述第二遮光膜被由与所述边缘罩相同的材料构成为同一层。
8.根据权利要求6或7所述的显示装置，其特征在于，在所述第一树脂层的所述树脂基板层侧，设置有由与所述栅极绝缘膜及层间绝缘膜相同的材料构成为同一层的基底无机层，
所述第二遮光膜以覆盖所述基底无机层中的所述贯通孔侧及所述显示区域侧的周缘部的侧壁的方式来设置。
9.根据权利要求6至8的任意一项所述的显示装置，其特征在于，所述第二遮光膜由与各所述第一电极相同的材料构成为同一层。
10.根据权利要求6至8的任意一项所述的显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管层在所述平坦化膜的所述发光元件层侧具备布线层，
所述第二遮光膜由与所述布线层相同的材料构成为同一层。
11.根据权利要求6至10的任意一项所述的显示装置，其特征在于，在所述第一遮光膜和所述第二遮光膜之间，以包围所述贯通孔并到达所述树脂基板层的上层部的方式，将第一凹部设置成朝向开口宽度变窄的倒锥形。
12.根据权利要求6至11的任意一项所述的显示装置，其特征在于，在所述第二遮光膜及所述贯通孔之间，以包围所述贯通孔并到达所述树脂基板层的上层部的方式，将第二凹部设置成朝向开口宽度变窄的倒锥形。
13.根据权利要求1至12的任意一项所述的显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管具备第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，
所述第一薄膜晶体管具有由多晶硅形成的第一半导体层，
所述第二薄膜晶体管具有由氧化物半导体形成的第二半导体层。
14.根据权利要求1至12的任意一项所述的显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管由具有半导体层的薄膜晶体管构成，所述半导体层由氧化物半导体形成。
15.根据权利要求1至14的任意一项所述的显示装置，其特征在于，各所述第一电极的膜厚为150nm以上。
16.根据权利要求1至15的任意一项所述的显示装置，其特征在于，在所述非显示区域中，在所述平坦化膜上以贯通该平坦化膜且包围所述贯通孔的方式形成有内侧沟槽，
所述第一遮光膜具有内侧第一遮光膜和外侧第一遮光膜，所述内侧第一遮光膜以覆盖所述平坦化膜的周缘部的侧壁的方式来设置，所述外侧第一遮光膜以覆盖所述内侧沟槽的方式来设置。
17.根据权利要求1至16的任意一项所述的显示装置，其特征在于，在所述贯通孔中设置有电子部件。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其特征在于，所述电子部件是照相机或者指纹传感器。
19.根据权利要求1至18的任意一项所述的显示装置，其特征在于，所述各发光功能层是有机电致发光层。
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