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Description
図1~図8は、本発明に係る表示装置の第1の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子層を備えた表示装置として、有機EL素子層を備えた有機EL表示装置を例示する。ここで、図1は、本実施形態の有機EL表示装置50aの概略構成を示す平面図である。また、図2及び図3は、有機EL表示装置50aの表示領域Dの平面図及び断面図である。また、図4は、有機EL表示装置50aの画素回路を示す等価回路図である。また、図5は、有機EL表示装置50aを構成する有機EL層33を示す断面図である。また、図6は、有機EL表示装置50aの非表示領域Nの平面図である。また、図7は、図6中のVII-VII線に沿った有機EL表示装置50aの非表示領域Nの断面図である。また、図8は、有機EL表示装置50aの変形例の有機EL表示装置50aaにおける非表示領域Nの断面図であり、図7に相当する図である。
まず、例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板層10上に、例えば、プラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法により、酸化シリコン膜(厚さ250nm程度)及び窒化シリコン膜(厚さ100nm程度)を順に成膜することにより、ベースコート膜11を形成する。
上記TFT層形成工程で形成されたTFT層30aの平坦化膜24上に、周知の方法を用いて、第1電極31a、エッジカバー32a、有機EL層33(正孔注入層1、正孔輸送層2、発光層3、電子輸送層4、電子注入層5)及び第2電極34を形成して、有機EL素子層40を形成する。ここで、有機EL層33を形成する前には、非表示領域Nにおいて、所定形状のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出するベースコート膜11、第1ゲート絶縁膜13、第1層間絶縁膜15及び第2層間絶縁膜20の積層無機絶縁膜をエッチングした後に、その積層無機絶縁膜から露出する樹脂基板層10をアッシングすることにより、第1凹部Ca及び第2凹部Cbを形成する。
上記有機EL素子層形成工程で形成された有機EL素子層40上に、周知の方法を用いて、封止膜45(第1無機封止膜41、有機封止膜42、第2無機封止膜43)を形成する。その後、封止膜45が形成された基板表面に保護シート(不図示)を貼付した後に、樹脂基板層10のガラス基板側からレーザー光を照射することにより、樹脂基板層10の下面からガラス基板を剥離させ、さらに、ガラス基板を剥離させた樹脂基板層10の下面に保護シート(不図示)を貼付する。
上記封止膜形成工程でガラス基板を剥離させた樹脂基板層10の非表示領域Nにおいて、例えば、レーザー光を環状に走査しながら照射することにより、貫通孔Hを形成する。その後、貫通孔Hが形成された有機EL表示装置50aを、例えば、筐体の内部に固定する際に、貫通孔Hの裏面側にカメラや指紋センサー等の電子部品60が配置するように、電子部品60を設置する。
図9は、本発明に係る表示装置の第2の実施形態を示している。ここで、図9は、本実施形態の有機EL表示装置50bの非表示領域Nの断面図であり、上記第1の実施形態で説明した図7に相当する図である。なお、以下の各実施形態において、図1~図8と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
図10及び図11は、本発明に係る表示装置の第2の実施形態を示している。ここで、図10は、本実施形態の有機EL表示装置50cの表示領域Dの断面図であり、上記第1の実施形態で説明した図3に相当する図である。また、図11は、有機EL表示装置50cの非表示領域Nの断面図であり、上記第1の実施形態で説明した図7に相当する図である。
また、上記各実施形態では、有機EL表示装置50a、50b及び50cを例示したが、本発明は、各実施形態の有機EL表示装置50a、50b及び50cの構成要素を組み合わせた構成であってもよい。
Cb 第2凹部
D 表示領域
Gi 内側トレンチ
H 貫通孔
M ベース無機層
N 非表示領域
P サブ画素
Wa 第1外側堰き止め壁
Wb 第2外側堰き止め壁
Wc 内側堰き止め壁
9a 初期化TFT(第2薄膜トランジスタ)
9b 補償用TFT(第2薄膜トランジスタ)
9c 書込用TFT(第1薄膜トランジスタ)
9d 駆動用TFT(第1薄膜トランジスタ)
9e 電源供給用TFT(第1薄膜トランジスタ)
9f 発光制御用TFT(第1薄膜トランジスタ)
9g 陽極放電用TFT(第2薄膜トランジスタ)
10 樹脂基板層
13 第1ゲート絶縁膜
15 第1層間絶縁膜
20 第2層間絶縁膜
22a (第1)平坦化膜
22b 第1樹脂層
23a 中継配線層
30a,30c TFT層(薄膜トランジスタ層)
31a 第1電極
31b 第1遮光膜
31ba 内側第1遮光膜
31bb 外側第1遮光膜
31c 第2遮光膜
32a エッジカバー
32b 第2樹脂層
33 有機EL層(有機エレクトロルミネッセンス層、発光機能層)
35 有機EL素子層(発光素子層)
41 第1無機封止膜
42 有機封止膜
43 第2無機封止膜
45 封止膜
50a,50aa,50b,50c 有機EL表示装置
60 電子部品
Claims (18)
- 樹脂基板層と、
上記樹脂基板層上に設けられ、無機絶縁膜からなるゲート絶縁膜及び層間絶縁膜、並びに有機絶縁膜からなる平坦化膜が順に積層された薄膜トランジスタ層と、
上記薄膜トランジスタ層上に設けられ、表示領域を構成する複数のサブ画素に対応して複数の第1電極、共通のエッジカバー、複数の発光機能層及び共通の第2電極が順に積層された発光素子層とを備え、
上記薄膜トランジスタ層は、上記平坦化膜の上記樹脂基板層側で上記サブ画素毎に設けられた薄膜トランジスタを備え、
上記表示領域の内部に島状の非表示領域が設けられ、
上記非表示領域に上記樹脂基板層の厚さ方向に貫通する貫通孔が設けられた表示装置であって、
上記非表示領域において、上記平坦化膜の周縁部には、該周縁部の側壁を覆うように第1遮光膜が設けられており、
上記第1遮光膜は、上記エッジカバーに覆われていることを特徴とする表示装置。 - 請求項1に記載された表示装置において、
上記第1遮光膜は、上記ゲート絶縁膜及び上記層間絶縁膜の周縁部の側壁を覆うように設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項1または2に記載された表示装置において、
上記第1遮光膜は、上記各第1電極と同一材料により同一層に構成されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項1または2に記載された表示装置において、
上記薄膜トランジスタ層は、上記平坦化膜の上記発光素子層側に配線層を備え、
上記第1遮光膜は、上記配線層と同一材料により同一層に構成されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項1~3の何れか1つに記載された表示装置において、
上記発光素子層を覆うように設けられ、第1無機封止膜、有機封止膜及び第2無機封止膜が順に積層された封止膜と、
上記表示領域の周囲の額縁領域において、該表示領域を囲むように設けられ、上記有機封止膜の外周端部に重なる外側堰き止め壁と、
上記非表示領域において、上記貫通孔を囲むように設けられ、上記有機封止膜の内周端部に重なる内側堰き止め壁とを備え、
上記内側堰き止め壁は、上記平坦化膜と同一材料により同一層に構成された第1樹脂層を備え、
上記第1樹脂層上には、該第1樹脂層を覆うように第2遮光膜が設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項5に記載された表示装置において、
上記第2遮光膜は、上記エッジカバーと同一材料により同一層に構成された第2樹脂層に覆われていることを特徴とする表示装置。 - 請求項5又は6に記載された表示装置において、
上記第1樹脂層の上記樹脂基板層側には、上記ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜と同一材料により同一層に構成されたベース無機層が設けられ、
上記第2遮光膜は、上記ベース無機層における上記貫通孔側及び上記表示領域側の周縁部の側壁を覆うように設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項5~7の何れか1つに記載された表示装置において、
上記第2遮光膜は、上記各第1電極と同一材料により同一層に構成されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項5~7の何れか1つに記載された表示装置において、
上記薄膜トランジスタ層は、上記平坦化膜の上記発光素子層側に配線層を備え、
上記第2遮光膜は、上記配線層と同一材料により同一層に構成されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項5~9の何れか1つに記載された表示装置において、
上記第1遮光膜及び上記第2遮光膜の間には、上記貫通孔を囲み、上記樹脂基板層の上層部に到達するように第1凹部が開口に向かって幅狭になる逆テーパー状に設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項5~10の何れか1つに記載された表示装置において、
上記第2遮光膜及び上記貫通孔の間には、該貫通孔を囲み、上記樹脂基板層の上層部に到達するように第2凹部が開口に向かって幅狭になる逆テーパー状に設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項1~11の何れか1つに記載された表示装置において、
上記薄膜トランジスタは、ポリシリコンにより形成された第1半導体層を有する第1薄膜トランジスタと、酸化物半導体により形成された第2半導体層を有する第2薄膜トランジスタとを備えていることを特徴とする表示装置。 - 請求項1~11の何れか1つに記載された表示装置において、
上記薄膜トランジスタは、酸化物半導体により形成された半導体層を有する薄膜トランジスタにより構成されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項1~13の何れか1つに記載された表示装置において、
上記各第1電極の膜厚は、150nm以上であることを特徴とする表示装置。 - 請求項1~14の何れか1つに記載された表示装置において、
上記非表示領域において、上記平坦化膜には、該平坦化膜を貫通すると共に上記貫通孔を囲むように内側トレンチが形成され、
上記第1遮光膜は、上記平坦化膜の周縁部の側壁を覆うように設けられた内側第1遮光膜と、上記内側トレンチを覆うように設けられた外側第1遮光膜とを備えていることを特徴とする表示装置。 - 請求項1~15の何れか1つに記載された表示装置において、
上記貫通孔には、電子部品が設置されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項16に記載された表示装置において、
上記電子部品は、カメラ又は指紋センサーであることを特徴とする表示装置。 - 請求項1~17の何れか1つに記載された表示装置において、
上記各発光機能層は、有機エレクトロルミネッセンス層であることを特徴とする表示装置。
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