CN112056005B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

在显示区域(D)中，各第一电源线(19g)和各第二电源线(16b)经由形成于第二无机绝缘膜的接触孔(Ha)电连接，各第二电源线(16b)与该各第一电源线(19g)交叉，各源极线(19f)与各第二电源线(16b)隔着第二无机绝缘膜以及第一有机绝缘膜交叉。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置。
背景技术
近年来，作为代替液晶显示装置的显示装置，使用了有机EL(ElectroLuminescence，电致发光)元件的自发光型的有机EL显示装置备受关注。在该有机EL显示装置中，提出了在具有可弯曲性的树脂基板上形成层叠有有机EL元件、各种膜等的柔性有机EL显示装置。此处，在有机EL显示装置中，设置有进行图像显示的矩形状的显示区域和在该显示区域周围的边框区域，并期望减小边框区域。于是，在柔性有机EL显示装置中，当通过折弯边框区域以缩小边框区域时，配置在该边框区域中的配线可能会断裂。
例如，专利文献1公开了一种柔性显示装置，其中，通过形成折弯孔去除与折弯区域对应的缓冲膜、栅极绝缘膜和层间绝缘膜中的每一个的一部分来防止配线的断线。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:特开2014-232300号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
然而，在柔性的有机EL显示装置中，在树脂基板上设置有底涂层膜、栅极绝缘膜和层间绝缘膜等无机绝缘膜，因此，为了抑制配置于边框区域的折弯部的引绕配线的断线，会除去折弯部的无机绝缘膜，在该除去的部分形成平坦化膜，在该平坦化膜上形成所述引绕配线。
此外，在有机EL显示装置的显示区域中，除了多条栅极线、多条源极线以外，还以彼此平行延伸的方式设置有多条电源线。在此，电源线由于其配线电阻而发生电压下降，会有有机EL元件的亮度产生偏差的担忧，因此期望降低配线电阻。因此，提出使电源线例如由第一电源线和第二电源线构成，该第一电源线以与各源极线平行地延伸的方式设置，该第二电源线以与各栅极线平行地延伸的方式设置。然而，在将第一电源线与源极线在同一层形成且将第二电源线与栅极线以及配置于源极线的层间的导电层在同一层形成的情况下，有可能在源极线与第二电源线交叉的部分短路。这样的话，由于在显示区域产生线缺陷，因此有改善的余地。
本发明是鉴于这一点而完成的，其目的在于抑制源极线与第二电源线的短路。
用于解决技术问题的技术方案
为了达成上述目的，本发明涉及的显示装置包括:树脂基板；TFT层，其设置于所述树脂基板上，由第一金属膜、第一无机绝缘膜、第二金属膜、第二无机绝缘膜、第一有机绝缘膜、第三金属膜及第二有机绝缘膜依次层叠而成；发光元件，其设置在所述TFT层上并构成显示区域；边框区域，其设置在所述显示区域的周围；端子部，其设置在所述边框区域的端部；折弯部，在所述显示区域和所述端子部之间以沿一个方向延伸的方式设置；多条栅极线，其构成所述TFT层，在所述显示区域中，以相互平行地延伸的方式设置，并由所述第一金属膜形成；多条源极线，其构成所述TFT层，在所述显示区域中，以在与所述多条栅极线交叉的方向上相互平行地延伸的方式设置，由所述第三金属膜形成；多条第一电源线，其构成所述TFT层，在所述显示区域中，在所述多条源极线之间以相互平行地延伸的方式分别设置，由所述第三金属膜形成；多条第二电源线，其构成所述TFT层，在所述显示区域中，所述多条第二电源线在所述多条栅极线之间以相互平行的方式分别设置，由所述第二金属膜形成；多条引绕配线，其构成所述TFT层，在所述边框区域中，在与所述折弯部的延伸方向交叉的方向相互平行地延伸设置，由所述第三金属膜形成，在所述折弯部中，在所述第一无机绝缘膜及所述第二无机绝缘膜上形成狭缝，以填埋该狭缝的方式设置由所述第一有机绝缘膜形成的第一树脂层，在所述第一树脂层上设置所述多条引绕配线，以覆盖所述多条引绕配线的方式设置由所述第二有机绝缘膜形成的第二树脂层，各所述第一电源线以及与各所述第一电源线交叉的各所述第二电源线经由形成于所述第二无机绝缘膜的接触孔电连接，各所述源极线与各所述第二电源线隔着所述第二无机绝缘膜以及所述第一有机绝缘膜交叉。
有益效果
根据本发明，各源极线与各第二电源线隔着第二无机绝缘膜以及第一有机绝缘膜交叉，因此能够抑制源极线与第二电源线的短路。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式涉及的有机EL显示装置的概略构成的俯视图。
图2是本发明的第一实施方式涉及的有机EL显示装置的显示区域的俯视图。
图3是本发明的第一实施方式涉及的有机EL显示装置的显示区域的剖视图。
图4是本发明第一实施方式涉及的有机EL显示装置的TFT层的等效电路图。
图5是示出构成本发明的第一实施方式涉及的有机EL显示装置的有机EL层的剖视图。
图6是沿着图2中的VI-VI线的有机EL显示装置的显示区域的剖视图。
图7是沿着图2中的VII-VII线的有机EL显示装置的显示区域的剖视图。
图8是本发明的第一实施方式涉及的有机EL显示装置的边框区域的剖视图。
图9是沿着图1中的IX-IX线的有机EL显示装置的边框区域的剖视图。
图10是沿着图1中的X-X线的有机EL显示装置的边框区域的剖视图。
图11是本发明的第一实施方式涉及的有机EL显示装置的变形例的显示区域的截面图，是相当于图6的图。
图12是示出本发明的第一实施方式涉及的有机EL显示装置的变形例的显示区域的截面图，是相当于图7的图。
图13是示出本发明的第二实施方式涉及的有机EL显示装置的显示区域的截面图，是相当于图2的图。
图14是示出本发明的第三实施方式涉及的有机EL显示装置的显示区域的截面图，是相当于图2的图。
具体实施方式
以下，将基于附图详细说明本发明的实施方式。另外，本发明的实施方式不限于以下示例的实施方式。
[第一实施方式]
图1～图12示出了本发明涉及的显示装置的第一实施方式。另外，作为包括发光元件的显示装置，在以下各实施方式中，示例了包括有机EL元件的有机EL显示装置。在此，图1是示出本实施方式的有机EL显示装置50a的平面图。此外，图2和图3是有机EL显示装置50a的显示区域D的俯视图和剖视图。此外，图4是示出构成有机EL显示装置50a的TFT层30的等效电路图。此外，图5是构成有机EL显示装置50a的有机EL层33的剖视图。此外，图6和图7是沿着图2中的VI-VI线和VII-VII线的有机EL显示装置50a的显示区域D的剖视图。此外，图8是有机EL显示装置50a的边框区域F的剖视图。此外，图9及图10是沿着图1中的IX-IX线及沿X-X线的有机EL显示装置50a的剖视图。此外，图11和图12是作为有机EL显示装置50a的变形例的有机EL显示装置50aa的显示区域D的剖视图，是相当于图6和图7的图。
如图1所示，有机EL显示装置50a包括例如设置为矩形状的进行图像显示的显示区域D和设置在显示区域D周围的边框区域F。
在显示区域D中，多个子像素呈矩阵状排列。此外，在显示区域D中，例如设置为具有用于进行红色显示的发光区域L的子像素、具有用于进行绿色显示的发光区域L的子像素以及具有用于进行蓝色显示的发光区域L的子像素彼此相邻。另外，在显示区域D中，一个像素由例如具有红色的发光区域L、绿色的发光区域L和蓝色的发光区域L相邻的三个子像素构成。
在边框区域F的图1中下端部设置有端子区域T。此外，边框区域F中，如图1所示，在显示区域D和端子区域T之间，以沿一个方向(图中的横向)延伸的方式设置有能够以图中横向为折弯的轴折弯180°(U字状)的折弯部B。此外，在边框区域F，如图1所示，如后述的第一平坦化膜18以包围显示区域D的方式形成有大致C字状的槽G。在此，如图1所示，槽G以端子部T侧开口的方式形成为俯视时大致C字状。
如图3所示，有机EL显示装置50a在显示区域D中包括:树脂基板层10，其设置为树脂基板；TFT(Thin Film Transistor)层30，其设置在树脂基板层10上；有机EL元件35，其作为构成显示区域D的发光元件设置在TFT层上；以及密封膜40其设置为覆盖有机EL元件35。
树脂基板层10由例如聚酰亚胺树脂等制成。
如图3所示，TFT层30包括:设置在树脂基板层10上的底涂膜11；设置在底涂膜11上的多个第一TFT9a、多个第二TFT9b和多个电容器9c；以及设置在各第一TFT9a、各第二TFT9b和各电容器9c上的第二平坦化膜20。在此，如图1、图2以及图4所示，在TFT层30中，以在附图中的横向上彼此平行地延伸的方式设置有多条栅极线14。此外，如图1、图2以及图4所示，在TFT层30中，以在附图中的横向上彼此平行地延伸的方式设置有多条源极线16b。另外，如图1及图2所示，各第二电源线16b设置成与各栅极线14相邻。此外，如图1、图2以及图4所示，在TFT层30中，以在附图中的纵向上彼此平行地延伸的方式设置有多条源极线19f。此外，如图1、图2以及图4所示，在TFT层30中，以在附图中的纵向上彼此平行地延伸的方式设置有多条第一电源线19g。另外，如图1以及图2所示，各第一电源线19g设置为与各源极线19f相邻。此外，在TFT层30中，如图4所示，在各子像素中分别设置有第一TFT9a、第二TFT9b和电容器9c。此外，在TFT层30中，依次层叠有构成栅极线14的第一金属膜、作为第一无机绝缘膜设置的第一层间绝缘膜15、构成第二电源线16b的第二金属膜、作为第二无机绝缘膜设置的第二层间绝缘膜17、作为第一有机绝缘膜设置的第一平坦化膜18、源极线19f及构成第一电源线19g的第三金属膜、以及作为第二有机绝缘膜设置的第二平坦化膜20。此外，在TFT层30中，在显示区域D，如图2以及图6所示，各第一电源线19g和与各第一电源线19g交叉的各第二电源线16b经由形成于第二层间绝缘膜17的接触孔Ha电连接。另外，在各第一电源线19g与各第二电源线16b交叉的部分中，如图2及图6所示，在第一平坦化膜18上以包围形成于第二无机绝缘膜17的接触孔Ha的方式形成有开口部18m。此外，在TFT层30中，在显示区域D中，如图2和图7所示，各源极线19f和各第二电源线16b经由第二层间绝缘膜17和第一平坦化膜18交叉。此外，在TFT层30中，在显示区域D，如图7所示，各栅极线14与各源极线19f隔着第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17以及第一平坦化膜18交叉。此外，在TFT层30中，在显示区域D中，如图6所示，各栅极线14与各第一电源线19g隔着第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17及第一平坦化膜18交叉。
另外，在本实施方式中，例示了由第二金属膜形成的第二电源线16b，但第二电源线也可以由第一金属膜形成。在该情况下，第二电源线经由形成于第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17的层叠膜的接触孔与第一电源线19g电连接，并隔着第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17以及第一平坦化膜18与源极线19f交叉。
此外，在本实施方式中，例示了在第一平坦化膜18上形成构成源极线19f以及第一电源线19g等的第三金属膜的层叠构造，但也可以如图11以及图12所示的变形例的有机EL显示装置50aa那样，在第一平坦化膜18以及第三金属膜之间形成由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等构成的第三无机绝缘膜21。根据该有机EL显示装置50aa，在通过干蚀刻对第三金属膜进行图案化时，由于第一平坦化膜18的表面不露出，因而能够抑制干蚀刻装置的腔室内的树脂材料引起的污染。在此，在有机EL显示装置50aa中，如图11所示，各第一电源线19g和与各第一电源线19g交叉的各第二电源线16b经由形成于第二层间绝缘膜17及第三无机绝缘膜21的接触孔Ha及Haa、以及形成于第一平坦化膜18的开口部18m电连接。此外，在有机EL显示装置50aa中，如图12所示，各源极线19f和各第二电源线16b隔着第二层间绝缘膜17、第一平坦化膜18以及第三无机绝缘膜21交叉。另外，在边框区域F的折弯部B，为了抑制折弯时的无机绝缘膜的破裂，优选不形成第三无机绝缘膜21。
底涂膜11由例如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。
如图4所示，在每个子像素中，第一TFT9a与对应的栅极线14及源极线19f电连接。如图3所示，第一TFT9a包括依次在底涂膜11上设置的半导体层12a、栅极绝缘膜13、栅极14a、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17、第一平坦化膜18以及源极19a和漏极19b。在此，如图3所示，半导体层12a以岛状设置在底涂膜11上，如后述，并具有沟道区域、源极区域和漏极区域。此外，如图3所示，栅极绝缘膜13以覆盖半导体层12a的方式设置。此外，如图3所示，栅极14a以与半导体层12a的沟道区域重叠的方式设置在栅极绝缘膜13上。此外，如图3所示，第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17以及第一平坦化18以覆盖栅极14a的方式依次设置。此外，如图3所示，源极19a和漏极19b以彼此分离的方式设置在第一平坦化膜18上。此外，如图3所示，源极19a和漏极19b经由形成在栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17以及第一平坦化18的层叠膜中的各接触孔分别电连接到半导体层12a的源极区域和漏极区域。另外，栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15及第二层间绝缘膜17，例如由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等的无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。此外，在显示区域D中，第一平坦化膜18具有平坦的表面，并且由例如聚酰亚胺树脂等有机树脂材料构成。
如图4所示，在各子像素中，第二TFT9b电连接到对应的第一TFT9a和第一电源线19g。此外，如图3所示，第二TFT9b包括依次设置在底涂膜11上的半导体层12b、栅极绝缘膜13、栅极14b、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17和第一平坦化18以及源极19c和漏极19d。在此，如图3所示，半导体层12b以岛状设置在底涂膜11上，与半导体层12a同样地，具有沟道区域、源极区域和漏极区域。此外，如图3所示，栅极绝缘膜13以覆盖半导体层12b的方式设置。此外，如图3所示，栅极14b以与半导体层12a的沟道区域重叠的方式设置在栅极绝缘膜13上。此外，如图3所示，第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17和第一平坦化膜18以覆盖栅极14b的方式依次设置。此外，如图3所示，源极19c和漏极19d以彼此分离的方式设置在第一平坦化膜18上。此外，如图3所示，源极19c和漏极19d经由形成在栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17以及第一平坦化膜18的层叠膜中的各接触孔分别电连接到半导体层12b的源极区域以及漏极区域。
另外，在本实施方式中，例示了顶栅型的第一TFT9a及第二TFT9b，但第一TFT9a及第二TFT9b也可以为底栅型的TFT。
如图4所示，在每个子像素中，电容器9c与对应的第一TFT9a及第一电源线19g连接。在此，如图3所示，电容器9c包括:由与栅极电极14a相同的材料形成在同一层中的下部导电层14c；以覆盖下部导电层14c的方式设置的第一层间绝缘膜15；以及以与下部导电层14c重叠的方式设置在第一层间绝缘膜15上的上部导电层16a。另外，如图3所示，上部导电层16a经由形成于第二层间绝缘膜17以及第一平坦化膜18的接触孔，与第一电源线19g电连接。
在显示区域D中，第二平坦化膜20具有平坦的表面，由例如聚酰亚胺树脂等有机树脂材料构成。另外，在本实施方式中，例示了聚酰亚胺树脂制的第一平坦化膜18以及第二平坦化膜20，但第一平坦化膜18以及第二平坦化膜20也可以由丙烯酸树脂、聚硅氧烷树脂等有机树脂材料构成。
如图3所示，有机EL元件35包括依次设置在平坦化膜30上的多个第一电极31、边缘罩32、多个有机EL层33和第二电极34。
如图3所示，多个第一电极31作为阳极呈矩阵状地设置在第二平坦化膜20上，使得多个第一电极31与多个子像素对应。在此，如图3所示，第一电极31经由形成于平坦化膜20的接触孔，与第二TFT9b的漏极电极19d电连接。此外，第一电极31具有向有机EL层33注入孔(空穴)的功能。此外，为了提高对有机EL层33的空穴注入效率，第一电极31更优选由功函数大的材料形成。在此，作为形成第一电极31的材料可以例举例如，银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钛(Ti)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)、铂(Pt)、钯(Pd)、钼(Mo)、铱(Ir)、锡(Sn)等金属材料。此外，构成第一电极31的材料也可以是例如砹(At)/氧化砹(AtO2)等的合金。进一步地，构成第一电极31的材料例如也可以为氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)之类的导电性氧化物等。此外，第一电极31也可以通过层叠多个由上述材料构成的层来形成。另外，作为功函数大的化合物材料，例如可例举铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等。
如图3所示，边缘罩32以覆盖各第一电极31的周缘部的方式设置成格子状。此外，如图2所示，边缘罩32的开口部32m在各子像素中构成发光区域L。此外，如图2所示，上述第一平坦化膜18的开口部18m设置为与边缘罩32的开口部32m不重叠。即，第一平坦化膜18以与边缘罩32的开口部32m重叠的方式设置。此处，作为形成边缘盖32的材料可以例举例如聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、聚硅氧烷树脂等有机膜。
如图3所示，多个有机EL层33配置在各第一电极31上并以与多个子像素对应的方式设置成矩阵状。此处，如图5所示，各有机EL层33包括依次设置在第一电极31上的空穴注入层1、空穴传输层2、发光层3、电子传输层4以及电子注入层5。
空穴注入层1还被称为阳极缓冲层，其使第一电极31和有机EL层33的能级接近，具有改善从第一电极31对有机EL层33的空穴注入效率的功能。此处，构成空穴注入层1的材料例如可列举三唑衍生物、恶二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基链烷衍生物、吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、恶唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪类衍生物等。
空穴输送层2具有提高空穴从第一电极31向有机EL层33的输送效率的功能。此处，构成空穴输送层2的材料例如可列举卟啉衍生物、芳香族三级胺化合物、苯乙烯胺衍生物、聚乙烯咔唑、聚对苯撑乙烯、聚硅烷、三唑衍生物、恶二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基链烷衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、胺取代查尔酮衍生物、恶唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪类衍生物、氢化非晶硅、氢化非晶碳化硅、硫化锌、硒化锌等。
发光层3是在对第一电极31及第二电极34施加电压时，从第一电极31及第二电极34分别注入空穴及电子且重组空穴和电子的区域。在此，发光层3由发光效率高的材料形成。而且，构成发光层3的材料可列举，例如金属羟基喹啉化合物[8-羟基喹啉金属络合物]、萘衍生物、蒽衍生物、二苯乙烯衍生物、乙烯基丙酮衍生物、三苯胺衍生物、丁二烯衍生物、香豆素衍生物、苯并恶唑衍生物、恶二唑衍生物、恶唑衍生物、苯并咪唑衍生物、噻二唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯基衍生物、苯乙烯胺衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、三苯乙烯基苯衍生物、苝衍生物、芘酮衍生物、氨基芘衍生物、吡啶衍生物、罗丹明衍生物、吖啶衍生物、吩恶嗪酮、喹吖啶酮衍生物、红荧烯、聚对苯撑乙烯、聚硅烷等。
电子输送层4具有使电子高效地迁移至发光层3的功能。此处，构成电子输送层4的材料例如可列举作为有机化合物的恶二唑衍生物、三唑衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲烷衍生物、联苯醌衍生物、芴酮衍生物、噻咯衍生物、金属羟基喹啉化合物等。
电子注入层5接近第二电极34和有机EL层33的能级，具有提高从第二电极34向有机EL层33注入电子的效率的功能，通过该功能，能够降低有机EL元件35的驱动电压。另外，电子注入层5也称为阴极缓冲层。在此，作为构成电子注入层5的材料，例如可举出氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化锶(SrF2)、氟化钡(BaF2)那样的无机碱化合物，以及氧化铝(Al2O3)、氧化锶(SrO)等。
如图3所示，第二电极34作为阴极以覆盖各有机EL层33和边缘罩32的方式设置。此外，第二电极34具有向有机EL层33注入电子的功能。此外，为了提高对有机EL层33的电子注入效率，第二电极34更优选由功函数小的材料构成。在此，作为构成第二电极34的材料，例如可举出银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)等。此外，第二电极34例如也可以由镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO2)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等合金形成。此外，第二电极34例如也可以由氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等导电性氧化物形成。此外，第二电极34例如也可以层叠多个由上述材料构成的层来形成。此外，作为功函数小的材料，例如可举出镁(Mg)、锂(Li)、氟化锂(LiF)、镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等。
如图3所示，密封膜40包括:以覆盖第二电极34的方式设置，且依次设置在第二电极34上的第一无机膜36、有机膜37以及第二无机膜38，并具有保护有机EL元件35的有机EL层33免受水分、氧影响的功能。
第一无机膜36和第二无机膜38例如由氮化硅膜、氧化硅膜或氮氧化硅膜等的无机绝缘膜构成。
有机膜37由例如丙烯酸树脂、环氧树脂、硅树脂、聚脲树脂、聚对二甲苯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂等的有机树脂材料构成。
此外，如图8所示，有机EL显示装置50a在边框区域F具备:树脂基板层10；设置于树脂基板层10上的无机绝缘层叠膜M；设置于无机绝缘层叠膜M上的第一阻挡壁Wa、第二阻挡壁Wb、引绕配线19h和端子引线19k；和以覆盖第一阻挡壁Wa和第二阻挡壁Wb的方式设置的密封膜40。
如图8所示，无机绝缘层叠膜M是在树脂基板层10上依次设置的底涂膜11、栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17。在此，如图8所示，在无机绝缘层叠膜M的第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17中，在折弯部B形成有狭缝S。另外，如图8所示，在狭缝S的内部设置有第一树脂层18a，该第一树脂层18a以填埋狭缝S的方式在第一平坦化膜18的同一层由同一材料形成。
第一阻挡壁Wa以包围显示区域D的方式设置为框状，以抑制密封膜40的有机膜37的扩散。在此，如图8所示，第一阻挡壁Wa由第三树脂层32a构成，该第三树脂层32a在边缘罩32的同一层由同一材料形成。
第二阻挡壁Wb以包围第一阻挡壁Wa的方式设置为框状，以抑制密封膜40的有机膜37的扩散。在此，如图8所示，第二阻挡壁Wb由第四树脂层20b和第五树脂层32b构成，该第四树脂层20b与第二平坦化膜20在同一层由同一材料形成，该第五树脂层32b设置于第四树脂层20b上，在边缘罩32的同一层由同一材料形成。另外，如图8所示，在边框区域F，密封膜40的有机膜37隔着第一无机膜36设置至第一阻挡壁Wa的图中上表面。此外，如图8所示，在第二阻挡壁Wb的上表面，密封膜40的第一无机膜36以及第二无机膜38相互接触。另外，在本实施方式中，例示了有机膜37被第一阻挡壁Wa的显示区域D侧的侧面阻挡的构成，但有机膜37也可以例如到达第二阻挡壁Wb的上表面。
引绕配线19h以在与折弯部B的延伸方向正交的方向上相互平行地延伸的方式设置有多条。此外，如图8所示，各引绕配线19h设置于第一树脂层18a以及第二层间绝缘膜17上。在此，引绕配线19h在与源极19a等的同一层由同一材料(第三金属膜)形成。此外，如图8所示，各引绕配线19h的两端部经由形成在第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17的层叠膜中的各接触孔分别电连接到第一栅极导电层14a和第二栅极导电层14b。此外，在各引绕配线19h上，以覆盖各引绕配线19h的方式设置有第二树脂层20a，该第二树脂层20a在第二平坦化膜20的同一层上由同一材料形成。此外，如图8所示，第一栅极导电层14a设置在栅极绝缘膜13与第一层间绝缘膜15之间，且电连接到显示区域D的TFT层30的信号配线(栅极线14、源极线19f、第一电源线19g等)。此外，如图8所示，第二栅极导电层14b设置在栅极绝缘膜13与第一层间绝缘膜15之间，并且延伸到端子部T。
端子配线19k以在与折弯部B的延伸方向正交的方向上相互平行地延伸的方式设置有多个。此外，如图8所示，各端子配线19k设置于第二层间绝缘膜17上。在此，端子配线19k在与源极19a等同一层由同一材料(第三金属膜)形成。此外，如图8所示，端子配线19k的图中左侧端部经由形成在第一层间绝缘膜15和第二层间绝缘膜17的层叠膜中的各接触孔电连接第二栅极导电层14b。此外，如图8所示，端子配线19k的图中右侧端部从第二平坦化膜20的同一层由同一材料形成的第六树脂层20c部分地露出而成为端子。
此外，如图1所示，在边框区域F，在沟槽G的外侧以大致C字状设置有边框配线19i。在此，如图1所示，边框配线19i构成为其两端部到达端子部T而输入低电源电压。另外，边框配线19i在源极19a等的同一层由同一材料(第三金属膜)形成。
此外，如图1所示，在边框区域F，在沟槽G的内侧设置有边框配线19j。在此，如图1所示，边框配线19j具备:沿着各栅极线14的延伸方向设置的一对第一电源干配线19ja；以及沿着各源极线19f的延伸方向设置的一对第二电源干配线19jb，构成为端子部T侧的第一电源干配线19ja的两端部到达端子部T，被输入高电源电压。另外，第一电源干配线19ja以及第二电源干配线19jb与源极19a等在同一层通过同一材料(第三金属膜)一体地形成。此外，在第一电源干配线19ja上电连接有多条第一电源线19g。此外，如图9所示，第二电源干配线19jb经由形成于第二层间绝缘膜17及第一平坦化膜18的接触孔Hb及Hc与多条第二电源线16b电连接。此外，如图10所示，第二电源干配线19jb与各栅极线14隔着第一层间绝缘膜15、第二层间绝缘膜17以及第一平坦化膜18交叉。此外，在沟槽G的图1中的左边部分及右边部分的两侧(图中右侧及左侧)，例如设置有构成栅极驱动器电路的TFT等(未图示)。
上述有机EL显示装置50a构成为:在各子像素中，通过经由栅极线14向第一TFT9a输入栅极信号，从而将第一TFT9a设为接通状态，并经由源极线19f向第二TFT9b的栅极14b及电容器9c写入与源极信号对应的规定的电压，并基于第二TFT9b的栅极电压，规定来自第一电源线19g的电流的大小，并将该规定的电流供给到有机EL层33，由此，有机EL层33的发光层3发光而进行图像显示。另外，在有机EL显示装置50a中，即使第一TFT9a成为截止状态，由于第二TFT9b的栅极电压通过电容器9c被保持，因此，发光层3的发光也被维持，直到输入下一帧的栅极信号。
接着，说明本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法。另外，本实施方式的有机EL显示装置50a的制造方法具备TFT层形成工序、有机EL元件形成工序以及密封膜形成工序。
[TFT层形成工序]
例如，通过使用已知的方法，在玻璃基板上所形成的树脂基板层10的表面上形成底涂膜11、第一TFT9a、第二TFT9b、电容器9c和平坦化膜20来形成TFT层30。
在此，在对栅极绝缘膜13、第一层间绝缘膜15以及第二层间绝缘膜17进行图案化时，既可以同时进行形成接触孔Ha、Hb以及Hc等的工序和在折弯部B形成狭缝S的工序，也可以分别进行。
[有机EL元件形成工序]
通过使用已知的方法，在上述TFT层形成工序中所形成的TFT层30的第二平坦化膜上形成第一电极31、边缘罩32、有机EL层33(空穴注入层1、空穴传输层2、发光层3、电子传输层4、电子注入层5)和第二电极34来形成有机EL元件35。
[密封膜形成工序]
首先，使用掩模，例如，通过等离子体CVD法在上述有机EL发光元件形成工序中形成有有机EL元件35的基板表面上成膜厚度为1000nm左右的氮化硅膜、氧化硅膜或氮氧化硅膜等无机绝缘膜来形成第一无机膜36。
接着，例如通过喷墨法在形成有第一无机膜36的基板表面上成膜厚度为10μm左右的丙烯酸树脂等有机树脂材料，以形成有机膜37。
进一步地，例如使用掩模，通过等离子体CVD法在形成有有机膜37的基板上成膜厚度为500nm左右的氮化硅膜、氧化硅膜或氮氧化硅膜等无机绝缘膜，并通过形成第二无机膜38来形成密封膜40。
最后，在形成有密封膜40的基板表面上贴附保护片(未图示)之后，通过从树脂基板层10的玻璃基板照射激光，从而使玻璃基板从树脂基板层10的下表面剥离，进一步地，在剥离了玻璃基板的树脂基板层10的下表面贴附保护片(未图示)。
如上所述，能够制造本实施方式的有机EL显示装置50a。
如以上说明的那样，根据本实施方式的有机EL显示装置50a，在显示区域D中，除了设置于多个源极线19f之间的第一电源线19g之外，还具备设置于多个栅极线14之间的第二电源线16b，各第一电源线19g和各第二电源线16b经由形成于第二层间绝缘膜17的接触孔Ha电连接。由此，由于能够降低第一电源线19g的配线电阻，因此能够抑制有机EL元件35的亮度的偏差。在此，各源极线19f与各第二电源线16b隔着第二层间绝缘膜17以及第一平坦化膜18交叉，因此，不仅能够利用第二层间绝缘膜17确保各源极线19f与各第二电源线16b之间的电绝缘，还可以利用第二层间绝缘膜17及第一平坦化膜18这两者来确保，可以抑制源极线19f与第二电源线16b的短路。然后，由于能够抑制源极线19f与第二电源线16b的短路，因此能够抑制显示区域D中的线缺陷的产生。
[第二实施方式]
图13示出了本发明涉及的显示装置的第二实施方式。在此，图13是示出本实施方式的有机EL显示装置50b的显示区域D的平面图，是相当于图2的图。此外，在以下的各实施方式中，在与图1至图12相同的部分添加相同的附图标记，并省略其详细的说明。
在上述第一实施方式中，例示了在显示区域D设有第一平坦化膜18的有机EL显示装置50a，第一平坦化膜18具有岛状的开口部18m，但在本实施方式中，例示了在显示区域D设有岛状的第一平坦化膜18b的有机EL显示装置50b。
与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，有机EL显示装置50b具备显示区域D和设置在显示区域D的周围的边框区域F。
与上述第一实施方式的有机EL显示装置50b同样地，有机EL显示装置50b在显示区域D中包括树脂基板层10、设置在树脂基板层10上的TFT层30、设置在TFT层30上的有机EL元件35、以覆盖有机EL元件35的方式设置的密封膜40。
在有机EL显示装置50b的TFT层30中，如图13所示，在各源极线19f与各第二电源线16b及各栅极线14交叉的部分、以及各第一电源线19g和各栅极线14交叉的部分分别设置有岛状的第一平坦化膜18b。因此，在有机EL显示装置50b的TFT层30中，在上述第一实施方式的有机EL显示装置50a中设置在第一平坦化膜18上的源极电极19a和19c、漏极电极19b和19d、源极线19f、第一电源线19g、以及边框配线19i和19j主要设置在第二层间绝缘膜17上。
与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，有机EL显示装置50b在边框区域F具备树脂基板层10、设置于树脂基板层10上的无机绝缘层叠膜M、设置于无机绝缘层叠膜M上的第一阻挡壁Wa、第二阻挡壁Wb、引绕配线19h和端子配线19k、以及以覆盖第一阻挡壁Wa和第二阻挡壁Wb的方式设置的密封膜40。
上述的有机EL显示装置50b构成为，具有与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a相同的可挠性，并且在每个子像素中，通过第一TFT9a和第二TFT9b使有机EL层33的发光层3适当地发光来进行图像显示。
本实施方式的有机EL显示装置50b可以通过在上述第一实施方式中说明的有机EL显示装置50a的制造方法中改变第一平坦化膜18的平面形状来制造。
如以上说明的那样，根据本实施方式的有机EL显示装置50b，在显示区域D中，除了设置于多条源极线19f之间的第一电源线19g之外，还具备设置于多条栅极线14之间的第二电源线16b，各第一电源线19g和各第二电源线16b经由形成于第二层间绝缘膜17的接触孔Ha电连接。由此，由于能够降低第一电源线19g的配线电阻，因此能够抑制有机EL元件35的亮度的偏差。在此，各源极线19f与各第二电源线16b隔着第二层间绝缘膜17以及第一平坦化膜18交叉，因此，不仅能够利用第二层间绝缘膜17确保各源极线19f与各第二电源线16b之间的电绝缘，还可以利用第二层间绝缘膜17及第一平坦化膜18b这两者来确保，可以抑制源极线19f与第二电源线16b的短路。然后，由于能够抑制源极线19f与第二电源线16b的短路，因此能够抑制显示区域D中的线缺陷的产生。
[第三实施方式]
图14示出了本发明涉及的显示装置的第三实施方式。在此，图14是示出本实施方式的有机EL显示装置50c的显示区域D的平面图，是相当于图2的图。
在上述第二实施方式中，例示了在显示区域D设有岛状的第一平坦化膜18b的有机EL显示装置50b，但在本实施方式中，例示了在显示区域D设有岛状的第一平坦化膜18b以及18c的有机EL显示装置50c。
与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，有机EL显示装置50c具备显示区域D和设置在显示区域D的周围的边框区域F。
与上述第一实施方式的有机EL显示装置50c同样地，有机EL显示装置50b在显示区域D中包括树脂基板层10、设置在树脂基板层10上的TFT层30、设置在TFT层30上的有机EL元件35、以覆盖有机EL元件35的方式设置的密封膜40。
在有机EL显示装置50c的TFT层30中，如图14所示，在各源极线19f、各第二电源线16b及各栅极线14交叉的部分、以及各第一电源线19g和各栅极线14交叉的部分分别设置有岛状的其他第一平坦化膜18b。其中，如图14所示，第一平坦化膜18c以包围边缘罩32的各开口部32m的方式设置。因此，在有机EL显示装置50c的TFT层30中，由上述第一实施方式的有机EL显示装置50a设置在第一平坦化膜18上的源极19a和19c、漏极19b和19d、源极线19f、第一电源线19g、以及边框配线19i和19j主要设置在第二层间绝缘膜17上。进而，在有机EL显示装置50c的TFT层30中，如图14所示，在上述第一实施方式的有机EL显示装置50a中设置在第一平坦化膜18上的源极线19f主要设置在第一平坦化膜18c上。
与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a同样地，有机EL显示装置50c在边框区域F具备树脂基板层10、设置于树脂基板层10上的无机绝缘层叠膜M、设置于无机绝缘层叠膜M上的第一阻挡壁Wa、第二阻挡壁Wb、引绕配线19h和端子配线19k、以及以覆盖第一阻挡壁Wa和第二阻挡壁Wb的方式设置的密封膜40。
上述的有机EL显示装置50c构成为，具有与上述第一实施方式的有机EL显示装置50a相同的可挠性，并且在每个子像素中，通过第一TFT9a和第二TFT9b使有机EL层33的发光层3适当地发光来进行图像显示。
本实施方式的有机EL显示装置50c可以通过在上述第一实施方式中说明的有机EL显示装置50a的制造方法中改变第一平坦化膜18的平面形状来制造。
如以上说明的那样，根据本实施方式的有机EL显示装置50c，在显示区域D中，除了设置于多条源极线19f之间的第一电源线19g之外，还具备设置于多条栅极线14之间的第二电源线16b，各第一电源线19g和各第二电源线16b经由形成于第二层间绝缘膜17的接触孔Ha电连接。由此，由于能够降低第一电源线19g的配线电阻，因此能够抑制有机EL元件35的亮度的偏差。在此，各源极线19f与各第二电源线16b隔着第二层间绝缘膜17以及第一平坦化膜18c交叉，因此，不仅能够利用第二层间绝缘膜17确保各源极线19f与各第二电源线16b之间的电绝缘，还可以利用第二层间绝缘膜17及第一平坦化膜18这两者来确保，可以抑制源极线19f与第二电源线16b的短路。然后，由于能够抑制源极线19f与第二电源线16b的短路，因此能够抑制显示区域D中的线缺陷的产生。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置50c，以包围边缘罩32的各开口部32m的方式设置有第一平坦化膜18c，因此能够确保第一电极31和有机EL层33的平坦性，能够抑制由有机EL层33引起的发光的散射。
[其他实施方式]
在上述各实施方式中，例示了空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层及电子注入层的五层层叠构造的有机EL层，但有机EL层例如也可以为空穴注入层兼空穴输送层、发光层及电子输送层兼电子注入层的三层层叠构造。
此外，在上述各实施方式中，例示了将第一电极设为阳极、第二电极设为阴极的有机EL显示装置，但本发明还能够应用于使有机EL层的层叠构造反转，且将第一电极设为阴极，将第二电极设为阳极的有机EL显示装置。
此外，在上述各实施方式中，例示了将与第一电极连接的TFT的电极设为漏极的有机EL显示装置，但本发明还能够应用于将与第一电极连接的TFT的电极设为源极的有机EL显示装置。
此外，在上述各实施方式中，作为显示装置以有机EL显示装置为例进行了说明，但本发明可以适用于包括由电流驱动的多个发光元件的显示装置。例如，可以适用于包括使用了含量子点层的发光元件的QLED(Quantum-dot Light Emitting Diode，量子点发光二极管)的显示装置。
工业上的实用性
如以上说明，本发明可用于柔性的有机EL显示装置。
附图标记说明
B 折弯部
D 显示区域；
F 边框区域；
Ha、Haa、Hb、Hc 接触孔
S 狭缝
T 端子部
10 树脂基板层
14 栅极线
15 第一层间绝缘膜(第一无机绝缘膜)
16b 第二电源线
17 第二层间绝缘膜(第二无机绝缘膜)
18、18b、18c 第一平坦化膜(第一有机绝缘膜)
18a 第一树脂层
18m (第一有机绝缘膜的)开口部
19f 源极线
19g 第一电源线
19h 引绕配线
19ja 第一电源干配线
19jb 第二电源干配线
20 第二平坦化膜(第二有机绝缘膜)
20a 第二树脂层
21 第三无机绝缘膜
30 TFT层
32 边缘罩
32m (边缘罩的)开口部
35 有机EL元件(发光元件)
50a、50aa、50b、50c 有机EL显示装置

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，包括:
树脂基板；
TFT层，其设置于所述树脂基板上，由第一金属膜、第一无机绝缘膜、第二金属膜、第二无机绝缘膜、第一有机绝缘膜、第三金属膜及第二有机绝缘膜依次层叠而成；
发光元件，其设置在所述TFT层上并构成显示区域；
边框区域，其设置在所述显示区域的周围；
端子部，其设置在所述边框区域的端部；
折弯部，在所述显示区域和所述端子部之间以沿一个方向延伸的方式设置；
多条栅极线，其构成所述TFT层，在所述显示区域中，以相互平行地延伸的方式设置，并由所述第一金属膜形成；
多条源极线，其构成所述TFT层，在所述显示区域中，以在与所述多条栅极线交叉的方向上相互平行地延伸的方式设置，由所述第三金属膜形成；
多条第一电源线，其构成所述TFT层，在所述显示区域中，在所述多条源极线之间以相互平行地延伸的方式分别设置，由所述第三金属膜形成；
多条第二电源线，其构成所述TFT层，在所述显示区域中，所述多条第二电源线在所述多条栅极线之间以相互平行的方式分别设置，由所述第二金属膜形成；
多条引绕配线，其构成所述TFT层，在所述边框区域中，在与所述折弯部的延伸方向交叉的方向相互平行地延伸设置，由所述第三金属膜形成，
在所述折弯部中，在所述第一无机绝缘膜及所述第二无机绝缘膜上形成狭缝，以填埋该狭缝的方式设置由所述第一有机绝缘膜形成的第一树脂层，在所述第一树脂层上设置所述多条引绕配线，以覆盖所述多条引绕配线的方式设置由所述第二有机绝缘膜形成的第二树脂层，
各所述第一电源线以及与各所述第一电源线交叉的各所述第二电源线经由形成于所述第二无机绝缘膜的接触孔电连接，
各所述源极线与各所述第二电源线隔着所述第二无机绝缘膜以及所述第一有机绝缘膜交叉。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
在各所述第一电源线与各所述第二电源线交叉的部分，在所述第一有机绝缘膜上以包围形成于所述第二无机绝缘膜的接触孔的方式形成有开口部。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述发光元件具备边缘罩，所述边缘罩具有分别构成发光区域的多个开口部，
形成于所述第一有机绝缘膜的各开口部以与所述边缘罩的各开口部不重叠的方式设置。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
所述第一有机绝缘膜以与所述边缘罩的各开口部不重合的方式设置。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
在所述第一有机绝缘膜与所述第三金属膜之间设置有第三无机绝缘膜，
各所述第一电源线和与各所述第一电源线交叉的各所述第二电源线经由形成于所述第二无机绝缘膜以及所述第三无机绝缘膜的接触孔电连接，
各所述源极线与各所述第二电源线隔着所述第二无机绝缘膜、所述第一有机绝缘膜以及所述第三无机绝缘膜交叉。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第一有机绝缘膜在各所述源极线与各所述第二电源线交叉的部分设置为岛状。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，
所述发光元件具备边缘罩，所述边缘罩具有分别构成发光区域的多个开口部，所述第一有机绝缘膜以包围所述边缘罩的各开口部的方式设置。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
在所述显示区域中，所述栅极线和各所述源极线隔着所述第一无机绝缘膜、所述第二无机绝缘膜以及所述第一有机绝缘膜交叉。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
在所述显示区域中，所述栅极线和各所述第一电源线隔着所述第一无机绝缘膜、所述第二无机绝缘膜以及所述第一有机绝缘膜交叉。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述发光元件为有机EL元件。
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