WO2019064436A1 - 表示装置 - Google Patents

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WO2019064436A1
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display device
layer
opening
film
tft
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達 岡部
遼佑 郡司
博己 谷山
信介 齋田
浩治 神村
芳浩 仲田
彬 井上
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シャープ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a display device.
  • organic EL display devices using organic EL (electroluminescence) elements have attracted attention as display devices replacing liquid crystal display devices.
  • organic EL display device a flexible organic EL display device in which an organic EL element or the like is formed on a flexible resin substrate has been proposed.
  • Patent Document 1 a plurality of trenches penetrating the first buffer layer covering the first wiring, the second buffer layer covering the second wiring, and the intermediate insulating film covering the gate element do not A flexible organic light emitting diode display disposed in a folded area of the display area is disclosed.
  • This invention is made in view of this point, The place made as the objective is in suppressing the damage to the light emitting element with respect to the bending in a display area.
  • a display device is a display device provided with a resin substrate and a light emitting element forming a display area provided on the resin substrate via a TFT layer, In the display region, an opening for penetrating the inorganic insulating film to expose the upper surface of the resin substrate is formed in at least one inorganic insulating film forming the TFT layer, and the opening is flat so as to fill the opening. And a metal layer is provided to cover the upper surface side of the opening flattening film.
  • an opening is formed in at least one inorganic insulating film forming the TFT layer, and an opening flattening film is provided to fill the opening, and the upper surface of the opening flattening film Since the metal layer is provided to cover the side, damage to the light emitting element due to bending in the display region can be suppressed.
  • FIG. 1 is a plan view of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view of a display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing a TFT layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing an organic EL layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a plan view showing an arrangement of openings and metal layers in a first modified example of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a plan view showing the arrangement of openings and metal layers in a second modified example of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a plan view showing the arrangement of openings and metal layers in a third modification of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a plan view showing the arrangement of openings and metal layers in a fourth modification of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of the display area of the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a plan view of the organic EL display device according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of the frame region of the organic EL display taken along the line XII-XII in FIG.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of a modification of the organic EL display device according to the third embodiment of the present invention, which corresponds to FIG.
  • First Embodiment 1 to 9 show a first embodiment of a display device according to the present invention.
  • an organic EL display device provided with an organic EL element is illustrated as a display device provided with a light emitting element.
  • FIG. 1 is a plan view of the organic EL display device 50a of the present embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view of the display area D of the organic EL display device 50a.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing the TFT layer 20a constituting the organic EL display device 50a.
  • FIG. 4 is also a cross-sectional view of the display area D of the organic EL display device 50a.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing the organic EL layer 23 constituting the organic EL display device 50a.
  • 6 to 9 are plan views showing the arrangement of the opening A and the metal layers 18eaa to 18ead in the first to fourth modified examples of the organic EL display device 50a.
  • the organic EL display device 50 a includes a display area D for displaying an image defined in a rectangular shape and a frame area F defined around the display area D.
  • a plurality of sub-pixels P are arranged in a matrix.
  • the sub-pixel P having a red light emitting area Lr for performing red gradation display, green emission for performing green gradation display A sub pixel P having a region Lg and a sub pixel P having a blue light emitting region Lb for performing gradation display of blue are provided adjacent to each other.
  • one pixel is formed by three adjacent sub-pixels P having a red light emitting region Lr, a green light emitting region Lg, and a blue light emitting region Lb.
  • the organic EL display device 50a is, as shown in FIG. 4, an organic EL element 30a that constitutes a resin substrate layer 10 and a display region D provided on the resin substrate layer 10 via a TFT (thin film transistor) layer 20a. And have.
  • the resin substrate layer 10 is made of, for example, a polyimide resin or the like, and is provided as a resin substrate.
  • the TFT layer 20a includes a base coat film 11 provided on the resin substrate layer 10, a plurality of first TFTs 9a provided on the base coat film 11, a plurality of second TFTs 9b, and a plurality of capacitors 9c.
  • a TFT planarization film 19a is provided on each first TFT 9a, each second TFT 9b, and each capacitor 9c.
  • a plurality of gate lines 14 are provided so as to extend parallel to each other in the lateral direction in the drawing.
  • a plurality of source lines 18f are provided so as to extend in parallel to each other in the vertical direction in the drawing.
  • a plurality of power supply lines 18g are provided adjacent to the respective source lines 18f so as to extend in parallel in the vertical direction in the figure. Further, in the TFT layer 20a, as shown in FIG. 3, in each sub-pixel P, the first TFT 9a, the second TFT 9b, and the capacitor 9c are provided.
  • the base coat film 11 is formed of, for example, a single layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride.
  • the first TFT 9a is connected to the corresponding gate line 14 and source line 18f in each sub pixel P, as shown in FIG.
  • the first TFT 9 a includes a semiconductor layer 12 a provided in an island shape on the base coat film 11, a gate insulating film 13 provided so as to cover the semiconductor layer 12 a, and a gate insulating film 13.
  • a gate electrode 14a provided thereon so as to overlap with a part of the semiconductor layer 12a, a first interlayer insulating film 15 and a second interlayer insulating film 17 sequentially provided so as to cover the gate electrode 14a, and a second interlayer insulating film
  • a source electrode 18a and a drain electrode 18b provided on the film 17 and arranged to be separated from each other are provided.
  • the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 are formed of, for example, a single layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride. .
  • the second TFT 9 b is connected to the corresponding first TFT 9 a and the corresponding power supply line 18 g in each sub-pixel P.
  • the second TFT 9 b includes the semiconductor layer 12 b provided in an island shape on the base coat film 11, the gate insulating film 13 provided to cover the semiconductor layer 12 b, and the gate insulating film 13.
  • a source electrode 18c and a drain electrode 18d provided on the film 17 and arranged to be separated from each other are provided.
  • first TFT 9 a and the second TFT 9 b may be bottom gate type TFTs.
  • capacitor 9c is connected to the corresponding first TFT 9a and the corresponding power supply line 18g in each sub-pixel P, as shown in FIG.
  • capacitor 9c is formed of a lower conductive layer 14c formed in the same layer and of the same material as the gate electrode, and a first interlayer insulating film 15 provided to cover lower conductive layer 14c.
  • An upper conductive layer 16 is provided on the first interlayer insulating film 15 so as to overlap with the lower conductive layer 14c.
  • the TFT planarization film 19a is made of, for example, a colorless and transparent organic resin material such as a polyimide resin.
  • the organic EL element 30a includes a plurality of first electrodes 21, an edge cover 22a, a plurality of organic EL layers 23, a second electrode 24, and a sealing film sequentially provided on the TFT planarization film 19a. It has 28.
  • the plurality of first electrodes 21 are provided as reflective electrodes in a matrix on the TFT planarization film 19a so as to correspond to the plurality of sub-pixels P.
  • the first electrode 21 is connected to the drain electrode 18d of each second TFT 9b through a contact hole formed in the TFT planarization film 19a.
  • the first electrode 21 has a function of injecting holes into the organic EL layer 23.
  • the first electrode 21 is more preferably formed of a material having a large work function in order to improve the hole injection efficiency into the organic EL layer 23.
  • the first electrode 21 for example, silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au) , Calcium (Ca), titanium (Ti), yttrium (Y), sodium (Na), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), magnesium (Mg), lithium (Li), ytterbium (Yb) And metal materials such as lithium fluoride (LiF).
  • the material which comprises the 1st electrode 21 is magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / oxidation, for example Astatine (AtO 2 ), lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), or lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al), etc. It may be an alloy.
  • the material constituting the first electrode 21 is, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO) or the like. It may be. Further, the first electrode 21 may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials. In addition, as a material with a large work function, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), etc. are mentioned, for example.
  • the edge cover 22a is provided in a grid shape so as to cover the peripheral portion of each of the first electrodes 21, as shown in FIG.
  • organic films such as polyimide resin, acrylic resin, polysiloxane resin, novolac resin, are mentioned, for example.
  • each organic EL layer 23 is disposed on the respective first electrodes 21 and provided in a matrix so as to correspond to the plurality of sub-pixels.
  • each organic EL layer 23 is provided with a hole injection layer 1, a hole transport layer 2, a light emitting layer 3, an electron transport layer 4 and an electron injection provided sequentially on the first electrode 21.
  • the layer 5 is provided.
  • the hole injection layer 1 is also called an anode buffer layer, and has the function of improving the hole injection efficiency from the first electrode 21 to the organic EL layer 23 by bringing the energy levels of the first electrode 21 and the organic EL layer 23 closer to each other.
  • the material constituting the hole injection layer for example, triazole derivative, oxadiazole derivative, imidazole derivative, polyarylalkane derivative, pyrazoline derivative, phenylenediamine derivative, oxazole derivative, styrylanthracene derivative, fluorenone derivative, Hydrazone derivatives, stilbene derivatives and the like can be mentioned.
  • the hole transport layer 2 has a function of improving the transport efficiency of holes from the first electrode 21 to the organic EL layer 23.
  • a material constituting the hole transport layer 2 for example, porphyrin derivative, aromatic tertiary amine compound, styrylamine derivative, polyvinylcarbazole, poly-p-phenylenevinylene, polysilane, triazole derivative, oxadiazole Derivative, imidazole derivative, polyarylalkane derivative, pyrazoline derivative, pyrazolone derivative, phenylenediamine derivative, arylamine derivative, amine-substituted chalcone derivative, oxazole derivative, styrylanthracene derivative, fluorenone derivative, hydrazone derivative, stilbene derivative, hydrogenated amorphous silicon, Hydrogenated amorphous silicon carbide, zinc sulfide, zinc selenide and the like can be mentioned.
  • the light emitting layer 3 holes and electrons are injected from the first electrode 21 and the second electrode 24, respectively, and holes and electrons are recombined when a voltage is applied by the first electrode 21 and the second electrode 24. It is an area.
  • the light emitting layer 3 is formed of a material having high light emission efficiency.
  • a metal oxinoid compound [8-hydroxy quinoline metal complex], a naphthalene derivative, an anthracene derivative, a diphenyl ethylene derivative, a vinylacetone derivative, a triphenylamine derivative, a butadiene derivative, a coumarin derivative, for example , Benzoxazole derivative, oxadiazole derivative, oxazole derivative, benzimidazole derivative, thiadiazole derivative, benzthiazole derivative, styryl derivative, styrylamine derivative, bisstyrylbenzene derivative, trisstyrylbenzene derivative, perylene derivative, perinone derivative, aminopyrene derivative, Pyridine derivatives, rhodamine derivatives, aquidin derivatives, phenoxazone, quinacridone derivatives, rubrene, poly-p-phenylene vinylet , Polysilane, and the like.
  • the electron transport layer 4 has a function of efficiently moving electrons to the light emitting layer 3.
  • a material constituting the electron transport layer 4 for example, as an organic compound, oxadiazole derivative, triazole derivative, benzoquinone derivative, naphthoquinone derivative, anthraquinone derivative, tetracyanoanthraquinodimethane derivative, diphenoquinone derivative, fluorenone derivative And silole derivatives, metal oxinoid compounds and the like.
  • the electron injection layer 5 has a function of bringing the energy levels of the second electrode 24 and the organic EL layer 23 closer to each other and improving the efficiency of electron injection from the second electrode 24 to the organic EL layer 23.
  • the drive voltage of the organic EL element 30a can be lowered.
  • the electron injection layer 5 is also called a cathode buffer layer.
  • a material constituting the electron injection layer 5 for example, lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), barium fluoride Inorganic alkali compounds such as (BaF 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), strontium oxide (SrO) and the like can be mentioned.
  • the second electrode 24 is provided to cover the organic EL layers 23 and the edge cover 22a, as shown in FIG.
  • the second electrode 24 has a function of injecting electrons into the organic EL layer 23. Further, in order to improve the electron injection efficiency to the organic EL layer 23, the second electrode 24 is more preferably made of a material having a small work function.
  • the second electrode 24 for example, silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au) , Calcium (Ca), titanium (Ti), yttrium (Y), sodium (Na), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), magnesium (Mg), lithium (Li), ytterbium (Yb) And lithium fluoride (LiF).
  • the second electrode 24 may be, for example, magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / oxide astatine (AtO 2) And lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), lithium fluoride (LiF) May be Also, the second electrode 24 may be made of, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), etc. . In addition, the second electrode 24 may be formed by stacking a plurality of layers made of the above materials.
  • the sealing film 28 is, as shown in FIG. 4, a first inorganic film 25 provided to cover the second electrode 24, an organic film 26 provided to cover the first inorganic film 25, and an organic film. And a second inorganic film 27 provided so as to cover 26 and has a function of protecting the organic EL layer 23 from moisture and oxygen.
  • the first inorganic film 25 and the second inorganic film 27 are, for example, silicon nitride (silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), silicon nitride such as tetrasilicon nitride (Si 3 N 4 )). It is made of an inorganic material such as SiNx (x is a positive number), silicon carbonitride (SiCN) or the like.
  • the organic film 26 is made of, for example, an organic material such as acrylate, polyurea, parylene, polyimide, or polyamide.
  • An opening A for penetrating the inorganic insulating laminated film to expose the upper surface of the resin substrate layer 10 is formed in the inorganic insulating laminated film of the film 17, and an opening flattening film 8 is provided to fill the opening A.
  • a metal layer 18ea is provided to cover the upper surface side of the opening flattening film 8.
  • the opening flattening film 8 is provided so as to cover the entire surface of the opening A and the metal layer 18ea is provided so as to cover the entire surface of the opening flattening film 8. Since the metal layer 18ea is sandwiched between the opening flattening film 8 and the TFT flattening film 19a, it is possible to suppress the entry of moisture from the resin substrate layer 10.
  • the opening flattening film 8 is made of, for example, a colorless and transparent organic resin material such as a polyimide resin.
  • the metal layer 18ea is formed of the same material in the same layer as the source line 18f and the like.
  • the plurality of openings A provided in the display area D are staggered in plan view by arranging the openings A formed in each sub-pixel P in an oblique direction. It may be arranged in a shape. Thereby, even if a crack is temporarily generated in the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17, extension of the crack can be suppressed.
  • the respective openings A provided in the display area D and the metal layer 18eaa overlapping the respective openings A via the opening flattening film 8 are, as shown in FIG. 6, a red light emitting area Lr and a green light emitting area Lg.
  • each opening A provided in the display area D and the metal layer 18eab overlapping each opening A via the opening flattening film 8 are, as shown in FIG. 7, a red light emitting area Lr and a green light emitting area Lg. And it may be formed in island shape (substantially circular shape) so that it may overlap with blue luminescence field Lb. Further, as shown in FIG. 8, each opening A provided in the display area D and the metal layer 18eac overlapping each opening A via the opening flattening film 8 are a red light emitting area Lr and a green light emitting area Lg.
  • the metal layer 18eac of FIG. 8 is connected in the lateral direction in the figure to reduce the resistance of the high level power supply line 18g (ELVDD, see FIG. 3), and the high level power supply line 18g is shown. May be a metal layer 18ead connected thereto.
  • the metal layers 18eaa, 18eab, 18eac and 18ead are formed of the same material in the same layer as the source line 18f etc. Good.
  • the organic EL display device 50a described above turns on the first TFT 9a in each sub-pixel P by inputting a gate signal to the first TFT 9a via the gate line 14, and the gate electrode of the second TFT 9b via the source line 18f.
  • a predetermined voltage corresponding to the source signal is written in 14b and capacitor 9c, the magnitude of the current from power supply line 18g is defined based on the gate voltage of second TFT 9b, and the defined current is supplied to organic EL layer 23 As a result, the light emitting layer 3 of the organic EL layer 23 emits light to display an image.
  • the gate voltage of the second TFT 9b is held by the capacitor 9c, so light emission by the light emitting layer 3 is continued until the gate signal of the next frame is input. Maintained.
  • the glass substrate is It can be manufactured by peeling.
  • the organic EL display device 50a of the present embodiment in each sub-pixel P of the display area D, the base coat film 11, the gate insulating film 13 and the first interlayer insulating film 15 constituting the TFT layer 20a. Since the opening A is formed in the inorganic insulating laminated film of the second interlayer insulating film 17, the organic EL display device 50 a can be easily bent in the display region D. Then, the opening flattening film 8 is provided in the opening A in the inorganic insulating laminated film, and the metal layer 18ea is provided so as to cover the upper surface side of the opening flattening film 8.
  • FIG. 10 shows a second embodiment of the display device according to the present invention.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of the display area D of the organic EL display device 50b of the present embodiment.
  • the same parts as those in FIGS. 1 to 9 are assigned the same reference numerals and detailed explanations thereof will be omitted.
  • the organic EL display device 50a in which the metal layer 18ea is provided in the same layer as the source layer by the same material is exemplified.
  • the metal layer 21b is the same layer as the first electrode 21.
  • the organic EL display device 50b provided with the same material is illustrated in FIG.
  • the organic EL display device 50 b includes a display area D for displaying an image defined in a rectangular shape and a frame area F defined around the display area D. Further, as shown in FIG. 10, the organic EL display device 50b includes a resin substrate layer 10, and an organic EL element 30b constituting a display region D provided on the resin substrate layer 10 with the TFT layer 20b interposed therebetween. ing.
  • the TFT layer 20b includes a base coat film 11 provided on the resin substrate layer 10, a plurality of first TFTs 9a provided on the base coat film 11, a plurality of second TFTs 9b, and a plurality of capacitors 9c.
  • Each first TFT 9a, each second TFT 9b, and a TFT flattening film 19b provided on each capacitor 9c are provided.
  • a plurality of gate lines 14 are provided so as to extend in parallel with each other.
  • a plurality of source lines 18f are provided so as to extend in parallel with each other.
  • a plurality of power supply lines 18g are provided adjacent to the respective source lines 18f so as to extend in parallel with one another.
  • the first TFT 9a, the second TFT 9b, and the capacitor 9c are provided in each sub-pixel P.
  • the TFT planarization film 19 b is made of, for example, a colorless and transparent organic resin material such as a polyimide resin.
  • the organic EL element 30b includes a plurality of first electrodes 21, an edge cover 22b, a plurality of organic EL layers 23, a second electrode 24, and a sealing film sequentially provided on the TFT flattening film 19b. It has 28.
  • the edge cover 22b is provided in a grid shape so as to cover the peripheral portion of each first electrode 21 as shown in FIG.
  • organic films such as polyimide resin, acrylic resin, polysiloxane resin, novolak resin, are mentioned, for example.
  • the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating constituting the TFT layer 20b in each sub-pixel P in the display region D, the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating constituting the TFT layer 20b.
  • An opening A for penetrating the inorganic insulating laminated film to expose the upper surface of the resin substrate layer 10 is formed in the inorganic insulating laminated film of the film 17, and an opening flattening film 19 ba is provided to fill the opening A.
  • a metal layer 21b is provided to cover the upper surface side of the opening flattening film 19ba.
  • the opening flattening film 19ba is made of the same material and in the same layer as the TFT flattening film 19b.
  • the metal layer 21 b is formed of the same material as the first electrode 21 in the same layer.
  • the organic EL display device 50b described above has flexibility, and in each sub-pixel P, the organic EL layer 23 through the first TFT 9a and the second TFT 9b. By appropriately emitting light from the light emitting layer 3, an image is displayed.
  • the organic EL display device 50b of the present embodiment in each sub-pixel P of the display area D, the base coat film 11, the gate insulating film 13 and the first interlayer insulating film 15 that constitute the TFT layer 20b. Since the opening A is formed in the inorganic insulating laminated film of the second interlayer insulating film 17, the organic EL display device 50 b can be easily bent in the display area D. Then, the opening flattening film 19ba is provided in the opening A of the inorganic insulating laminated film, and the metal layer 21b is provided to cover the upper surface side of the opening flattening film 19ba.
  • FIG. 11 is a plan view of the organic EL display device 50c of the present embodiment.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of the frame area F of the organic EL display device 50c along the line XII-XII in FIG.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of a frame area F of an organic EL display device 50d which is a modification of the organic EL display device 50c, and is a view corresponding to FIG.
  • the organic EL displays 50a and 50b in which the bending in the frame area F is not taken into consideration are exemplified.
  • the display device 50c is illustrated.
  • a terminal portion T provided and a bent portion B provided between the display area D and the terminal portion T are provided.
  • the bending portion B is along one side (right side in the drawing) of the display area D so that it is bent at 180 ° (U-shape) with the longitudinal axis in the drawing as the axis of bending. It is provided as.
  • the display area D of the organic EL display device 50c has a configuration similar to that of the organic EL display device 50a of the first embodiment.
  • the resin substrate layer 10 and the base coat film 11 sequentially provided on the resin substrate layer 10.
  • the inorganic insulating laminated film of the second interlayer insulating film 17, the opening Ac formed in the inorganic insulating laminated film, the frame flattening film 8c provided to fill the opening Ac, and the frame flattening film 8c A frame wiring 18 h provided thereon and a resin film 19 c provided to cover the frame wiring 18 h are provided.
  • the opening portion Ac penetrates the inorganic insulating laminated film of the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 constituting the TFT layer 20a, and the resin substrate layer 10 is formed. Is formed in the bent portion B so as to expose the upper surface of the.
  • the frame flattening film 8 c is provided in the same layer as the opening flattening film 8 by the same material.
  • the frame wiring 18 h is provided in the same layer as the source line 18 f and the like by the same material. Further, as shown in FIG. 12, one end of the frame wiring 18h is connected to the gate conductive layer 14d through the contact hole Ca formed in the laminated film of the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17. It is connected. Further, as shown in FIG. 12, the other end portion of the frame wiring 18h is connected to the gate conductive layer 14e through the contact hole Cb formed in the laminated film of the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17. It is connected.
  • the gate conductive layer 14d is provided in the same layer as the gate electrodes 14a and 14b by the same material, and is connected to the wiring of the TFT layer 20a.
  • the gate conductive layer 14 e is provided in the same layer as the gate electrodes 14 a and 14 b by the same material, and as shown in FIG. 12, formed in a laminated film of the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17. It is connected to the source conductive layer (wiring terminal) 18t of the terminal portion T through the contact hole Cc.
  • the resin film 19c is provided in the same layer as the TFT planarization film 19a using the same material.
  • the organic EL display device 50c described above has flexibility, and in each sub-pixel P, the first TFT 9a and the second TFT 9b are interposed. By appropriately emitting light from the light emitting layer 3 of the organic EL layer 23, the image display is performed.
  • the organic EL display device 50c in which the frame wiring 18h is provided in the same layer as the source line 18f and the like by the same material is illustrated.
  • the organic EL display device 50d provided with the same material in the same layer.
  • a frame flattening film 19d is provided to fill the opening Ac formed in the film
  • a frame wiring 21c is provided on the frame flattening film 19d
  • a resin film 22c is provided to cover the frame wiring 21c.
  • one end portion of the frame wiring 21 c is a gate conductive layer 14 d via a contact hole Ca formed in the laminated film of the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17. It is connected to the.
  • the gate conductive layer 14d is connected to the wiring of the TFT layer 20b.
  • the other end of the frame wiring 21c is connected to the gate conductive layer 14e through the contact hole Cb formed in the laminated film of the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17. It is connected.
  • the frame flattening film 19d is provided in the same layer as the TFT flattening film 19b by the same material.
  • the resin film 22c is provided in the same layer as the edge cover 22b using the same material.
  • the display area D of the organic EL display device 50d has the same configuration as that of the organic EL display device 50b of the second embodiment.
  • the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating in the bending portion B of the frame region F Since the opening Ac is formed in the inorganic insulating laminated film of the film 17, it is possible to suppress the film breakage of the inorganic insulating laminated film at the bent portion B and the disconnection of the frame wirings 18h and 21c.
  • the organic EL layer having a five-layer laminated structure of the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer, and the electron injection layer is exemplified. It may be a three-layer laminated structure of a hole injection layer and hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer and electron injection layer.
  • the organic EL display device is exemplified in which the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode.
  • the laminated structure of the organic EL layer is reversed and the first electrode is a cathode.
  • the present invention can also be applied to an organic EL display device in which the second electrode is an anode.
  • the organic EL display device in which the electrode of the TFT connected to the first electrode is the drain electrode is exemplified.
  • the electrode of the TFT connected to the first electrode is the source electrode
  • the present invention can also be applied to an organic EL display device to be called.
  • the organic EL display device is exemplified as the display device, but the present invention relates to a display device including a plurality of light emitting elements driven by current, for example, a light emitting element using a quantum dot containing layer
  • the present invention can be applied to a display device equipped with a QLED (Quantum-dot light emitting diode).
  • the present invention is useful for flexible display devices.

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Abstract

表示装置（５０ａ）の表示領域（Ｄ）では、ＴＦＴ層（２０ａ）を構成する少なくとも一層の無機絶縁膜に、無機絶縁膜を貫通して樹脂基板（１０）の上面を露出させる開口部（Ａ）が形成され、開口部（Ａ）を埋めるように開口平坦化膜（８）が設けられ、開口平坦化膜（８）の上面側を覆うように金属層（１８ｅａ）が設けられている。

Description

表示装置
　本発明は、表示装置に関するものである。
　近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機ＥＬ（electroluminescence）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置では、可撓性を有する樹脂基板上に有機ＥＬ素子等を形成したフレキシブルな有機ＥＬ表示装置が提案されている。
　例えば、特許文献１には、第１の配線を覆う第１のバッファ層と、第２の配線を覆う第２のバッファ層と、ゲート要素を覆う中間絶縁膜とを貫通する複数のトレンチが非表示領域の折り曲げ領域に配置されたフレキシブル有機発光ダイオード表示装置が開示されている。
特開２０１７－１２０７７５号公報
　ところで、上記特許文献１に開示された有機発光ダイオード表示装置では、表示領域の周囲の非表示領域に配置された折り曲げ領域において、撓みストレスを分散して、素子の損傷を抑制することができるものの、表示領域での折り曲げについては考慮されていないので、発光素子が損傷するおそれがある。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、表示領域での折り曲げに対する発光素子の損傷を抑制することにある。
　上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、樹脂基板と、上記樹脂基板上にＴＦＴ層を介して設けられた表示領域を構成する発光素子とを備えた表示装置であって、上記表示領域では、上記ＴＦＴ層を構成する少なくとも一層の無機絶縁膜に、該無機絶縁膜を貫通して上記樹脂基板の上面を露出させる開口部が形成され、該開口部を埋めるように開口平坦化膜が設けられ、該開口平坦化膜の上面側を覆うように金属層が設けられていることを特徴とする。
　本発明によれば、表示領域において、ＴＦＴ層を構成する少なくとも一層の無機絶縁膜に開口部が形成され、その開口部を埋めるように開口平坦化膜が設けられ、その開口平坦化膜の上面側を覆うように金属層が設けられているので、表示領域での折り曲げに対する発光素子の損傷を抑制することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の平面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成するＴＦＴ層を示す等価回路図である。 図４は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の断面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ層を示す断面図である。 図６は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第１の変形例における開口部及び金属層の配置を示す平面図である。 図７は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第２の変形例における開口部及び金属層の配置を示す平面図である。 図８は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第３の変形例における開口部及び金属層の配置を示す平面図である。 図９は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第４の変形例における開口部及び金属層の配置を示す平面図である。 図１０は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の断面図である。 図１１は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の平面図である。 図１２は、図１１中のXII－XII線に沿った有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図である。 図１３は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の変形例の断面図であり、図１２に相当する図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
　《第１の実施形態》
　図１～図９は、本発明に係る表示装置の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの平面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの平面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成するＴＦＴ層２０ａを示す等価回路図である。また、図４は、また、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの断面図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ層２３を示す断面図である。また、図６～図９は、有機ＥＬ表示装置５０ａの第１～第４の変形例における開口部Ａ及び金属層１８ｅａａ～１８ｅａｄの配置を示す平面図である。
　有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、矩形状に規定された画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に規定された額縁領域Ｆとを備えている。ここで、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄには、図２に示すように、複数のサブ画素Ｐがマトリクス状に配置されている。また、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄでは、図２に示すように、赤色の階調表示を行うための赤色発光領域Ｌｒを有するサブ画素Ｐ、緑色の階調表示を行うための緑色発光領域Ｌｇを有するサブ画素Ｐ、及び青色の階調表示を行うための青色発光領域Ｌｂを有するサブ画素Ｐが互いに隣り合うように設けられている。なお、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄでは、赤色発光領域Ｌｒ、緑色発光領域Ｌｇ及び青色発光領域Ｌｂを有する隣り合う３つのサブ画素Ｐにより、１つの画素が構成されている。
　有機ＥＬ表示装置５０ａは、図４に示すように、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上にＴＦＴ（thin film transistor）層２０ａを介して設けられた表示領域Ｄを構成する有機ＥＬ素子３０ａとを備えている。
　樹脂基板層１０は、例えば、ポリイミド樹脂等により構成され、樹脂基板として設けられている。
　ＴＦＴ層２０ａは、図４に示すように、樹脂基板層１０上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ９ａ、複数の第２ＴＦＴ９ｂ及び複数のキャパシタ９ｃと、各第１ＴＦＴ９ａ、各第２ＴＦＴ９ｂ及び各キャパシタ９ｃ上に設けられたＴＦＴ平坦化膜１９ａとを備えている。ここで、ＴＦＴ層２０ａでは、図２及び図３に示すように、図中横方向に互いに平行に延びるように複数のゲート線１４が設けられている。また、ＴＦＴ層２０ａでは、図２及び図３に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数のソース線１８ｆが設けられている。また、ＴＦＴ層２０ａでは、図２及び図３に示すように、各ソース線１８ｆと隣り合って、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数の電源線１８ｇが設けられている。また、ＴＦＴ層２０ａでは、図３に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及びキャパシタ９ｃがそれぞれ設けられている。
　ベースコート膜１１は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
　第１ＴＦＴ９ａは、図３に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応するゲート線１４及びソース線１８ｆに接続されている。ここで、第１ＴＦＴ９ａは、図４に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられた半導体層１２ａと、半導体層１２ａを覆うように設けられたゲート絶縁膜１３と、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ａの一部と重なるように設けられたゲート電極１４ａと、ゲート電極１４ａを覆うように順に設けられた第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７と、第２層間絶縁膜１７上に設けられ、互いに離間するように配置されたソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂとを備えている。なお、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
　第２ＴＦＴ９ｂは、図３に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに接続されている。ここで、第２ＴＦＴ９ｂは、図４に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられた半導体層１２ｂと、半導体層１２ｂを覆うように設けられたゲート絶縁膜１３と、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ｂの一部と重なるように設けられたゲート電極１４ｂと、ゲート電極１４ｂを覆うように順に設けられた第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７と、第２層間絶縁膜１７上に設けられ、互いに離間するように配置されたソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄとを備えている。
　なお、本実施形態では、トップゲート型の第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを例示したが、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂは、ボトムゲート型のＴＦＴであってもよい。
　キャパシタ９ｃは、図３に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに接続されている。ここで、キャパシタ９ｃは、図４に示すように、ゲート電極と同一材料により同一層に形成された下部導電層１４ｃと、下部導電層１４ｃを覆うように設けられた第１層間絶縁膜１５と、第１層間絶縁膜１５上に下部導電層１４ｃと重なるように設けられた上部導電層１６とを備えている。
　ＴＦＴ平坦化膜１９ａは、例えば、ポリイミド樹脂等の無色透明な有機樹脂材料により構成されている。
　有機ＥＬ素子３０ａは、図４に示すように、ＴＦＴ平坦化膜１９ａ上に順に設けられた複数の第１電極２１、エッジカバー２２ａ、複数の有機ＥＬ層２３、第２電極２４及び封止膜２８を備えている。
　複数の第１電極２１は、図４に示すように、複数のサブ画素Ｐに対応するように、ＴＦＴ平坦化膜１９ａ上にマトリクス状に反射電極として設けられている。ここで、第１電極２１は、図４に示すように、ＴＦＴ平坦化膜１９ａに形成されたコンタクトホールを介して、各第２ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１８ｄに接続されている。また、第１電極２１は、有機ＥＬ層２３にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極２１は、有機ＥＬ層２３への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第１電極２１を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極２１を構成する材料は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、又はフッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極２１を構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極２１は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
　エッジカバー２２ａは、図４に示すように、各第１電極２１の周縁部を覆うように格子状に設けられている。ここで、エッジカバー２２ａを構成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等の有機膜が挙げられる。
　複数の有機ＥＬ層２３は、図４に示すように、各第１電極２１上に配置され、複数のサブ画素に対応するように、マトリクス状に設けられている。ここで、各有機ＥＬ層２３は、図５に示すように、第１電極２１上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
　正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極２１と有機ＥＬ層２３とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極２１から有機ＥＬ層２３への正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。
　正孔輸送層２は、第１電極２１から有機ＥＬ層２３への正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
　発光層３は、第１電極２１及び第２電極２４による電圧印加の際に、第１電極２１及び第２電極２４から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
　電子輸送層４は、電子を発光層３まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
　電子注入層５は、第２電極２４と有機ＥＬ層２３とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極２４から有機ＥＬ層２３へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子３０ａの駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
　第２電極２４は、図４に示すように、各有機ＥＬ層２３及びエッジカバー２２ａを覆うように設けられている。また、第２電極２４は、有機ＥＬ層２３に電子を注入する機能を有している。また、第２電極２４は、有機ＥＬ層２３への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。ここで、第２電極２４を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極２４は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極２４は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極２４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
　封止膜２８は、図４に示すように、第２電極２４を覆うように設けられた第１無機膜２５と、第１無機膜２５を覆うように設けられた有機膜２６と、有機膜２６を覆うように設けられた第２無機膜２７とを備え、有機ＥＬ層２３を水分や酸素から保護する機能を有している。ここで、第１無機膜２５及び第２無機膜２７は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）等の無機材料により構成されている。また、有機膜２６は、例えば、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の有機材料により構成されている。
　有機ＥＬ表示装置５０ａでは、図４に示すように、表示領域Ｄの各サブ画素Ｐにおいて、ＴＦＴ層２０ａを構成するベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の無機絶縁積層膜にその無機絶縁積層膜を貫通して樹脂基板層１０の上面を露出させる開口部Ａが形成され、その開口部Ａを埋めるように開口平坦化膜８が設けられ、開口平坦化膜８の上面側を覆うように金属層１８ｅａが設けられている。このように、開口平坦化膜８が開口部Ａの全面を覆うように設けられ、金属層１８ｅａが開口平坦化膜８の全面を覆うように設けられている構成により、樹脂基板層１０に接触する開口平坦化膜８とＴＦＴ平坦化膜１９ａとの間に金属層１８ｅａが挟まれるので、樹脂基板層１０からの水分の侵入を抑制することができる。ここで、開口平坦化膜８は、例えば、ポリイミド樹脂等の無色透明な有機樹脂材料により構成されている。また、金属層１８ｅａは、ソース線１８ｆ等と同一層に同一材料により構成されている。また、表示領域Ｄに設けられた複数の開口部Ａは、図２に示すように、各サブ画素Ｐに形成された開口部Ａが斜め方向にずれて配置されることにより、平面視で千鳥状に配置されていてもよい。これにより、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７にクラックが仮に発生しても、そのクラックの延伸を抑制することができる。そして、表示領域Ｄに設けられた各開口部Ａ、及び各開口部Ａに開口平坦化膜８を介して重なる金属層１８ｅａａは、図６に示すように、赤色発光領域Ｌｒ、緑色発光領域Ｌｇ及び青色発光領域Ｌｂの間に島状（略菱形状）に形成されていてもよい。また、表示領域Ｄに設けられた各開口部Ａ、及び各開口部Ａに開口平坦化膜８を介して重なる金属層１８ｅａｂは、図７に示すように、赤色発光領域Ｌｒ、緑色発光領域Ｌｇ及び青色発光領域Ｌｂに重畳するように島状（略円形状）に形成されていてもよい。また、表示領域Ｄに設けられた各開口部Ａ、及び各開口部Ａに開口平坦化膜８を介して重なる金属層１８ｅａｃは、図８に示すように、赤色発光領域Ｌｒ、緑色発光領域Ｌｇ及び青色発光領域Ｌｂの間に島状（略長方形状）に形成されていてもよい。また、図８の金属層１８ｅａｃは、ハイレベル電源線１８ｇ（ＥＬＶＤＤ、図３参照）を低抵抗化するために、図９に示すように、図中横方向に連結されてハイレベル電源線１８ｇに接続された金属層１８ｅａｄであってもよい。なお、金属層１８ｅａａ、１８ｅａｂ、１８ｅａｃ及び１８ｅａｄは、ソース線１８ｆ等と同一層に同一材料により構成され、例えば、耐屈曲性を有するアルミニウム、銅、銀等の金属導電膜により構成されていてもよい。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０ａは、各サブ画素Ｐにおいて、ゲート線１４を介して第１ＴＦＴ９ａにゲート信号を入力することにより、第１ＴＦＴ９ａをオン状態にし、ソース線１８ｆを介して第２ＴＦＴ９ｂのゲート電極１４ｂ及びキャパシタ９ｃにソース信号に対応する所定の電圧を書き込み、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧に基づいて電源線１８ｇからの電流の大きさが規定され、その規定された電流が有機ＥＬ層２３に供給されることにより、有機ＥＬ層２３の発光層３が発光して、画像表示を行うように構成されている。なお、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、第１ＴＦＴ９ａがオフ状態になっても、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧がキャパシタ９ｃによって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまで発光層３による発光が維持される。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａは、例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板層１０の表面に、周知の方法を用いて、ＴＦＴ層２０ａ及び有機ＥＬ素子３０ａを形成した後に、ガラス基板を剥離させることにより、製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａによれば、表示領域Ｄの各サブ画素Ｐにおいて、ＴＦＴ層２０ａを構成するベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の無機絶縁積層膜に開口部Ａが形成されているので、有機ＥＬ表示装置５０ａを表示領域Ｄで折り曲げ易くなる。そして、無機絶縁積層膜に開口部Ａには、開口平坦化膜８が設けられ、開口平坦化膜８の上面側を覆うように金属層１８ｅａが設けられているので、樹脂基板層１０側から有機ＥＬ素子３０ａへの水分の侵入を金属層１８ｅａにより抑制することができる。これにより、表示領域Ｄでの折り曲げ時のＴＦＴ層２０ａの損傷、それに伴う有機ＥＬ素子３０ａの損傷、及び水分の侵入に起因する有機ＥＬ素子３０ａの損傷を抑制することができるので、表示領域Ｄでの折り曲げに対する有機ＥＬ素子３０ａの損傷を抑制することができる。
　《第２の実施形態》
　図１０は、本発明に係る表示装置の第２の実施形態を示している。ここで、図１０は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの表示領域Ｄの断面図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図９と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
　上記第１の実施形態では、金属層１８ｅａがソース層と同一層に同一材料により設けられた有機ＥＬ表示装置５０ａを例示したが、本実施形態では、金属層２１ｂが第１電極２１と同一層に同一材料により設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｂを例示する。
　有機ＥＬ表示装置５０ｂは、矩形状に規定された画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に規定された額縁領域Ｆとを備えている。また、有機ＥＬ表示装置５０ｂは、図１０に示すように、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上にＴＦＴ層２０ｂを介して設けられた表示領域Ｄを構成する有機ＥＬ素子３０ｂとを備えている。
　ＴＦＴ層２０ｂは、図１０に示すように、樹脂基板層１０上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ９ａ、複数の第２ＴＦＴ９ｂ及び複数のキャパシタ９ｃと、各第１ＴＦＴ９ａ、各第２ＴＦＴ９ｂ及び各キャパシタ９ｃ上に設けられたＴＦＴ平坦化膜１９ｂとを備えている。ここで、ＴＦＴ層２０ｂでは、互いに平行に延びるように複数のゲート線１４が設けられている。また、ＴＦＴ層２０ｂでは、互いに平行に延びるように複数のソース線１８ｆが設けられている。また、ＴＦＴ層２０ｂでは、各ソース線１８ｆと隣り合って、互いに平行に延びるように複数の電源線１８ｇが設けられている。また、ＴＦＴ層２０ｂでは、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及びキャパシタ９ｃがそれぞれ設けられている。
　ＴＦＴ平坦化膜１９ｂは、例えば、ポリイミド樹脂等の無色透明な有機樹脂材料により構成されている。
　有機ＥＬ素子３０ｂは、図１０に示すように、ＴＦＴ平坦化膜１９ｂ上に順に設けられた複数の第１電極２１、エッジカバー２２ｂ、複数の有機ＥＬ層２３、第２電極２４及び封止膜２８を備えている。
　エッジカバー２２ｂは、図１０に示すように、各第１電極２１の周縁部を覆うように格子状に設けられている。ここで、エッジカバー２２ｂを構成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等の有機膜が挙げられる。
　有機ＥＬ表示装置５０ｂでは、図１０に示すように、表示領域Ｄの各サブ画素Ｐにおいて、ＴＦＴ層２０ｂを構成するベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の無機絶縁積層膜にその無機絶縁積層膜を貫通して樹脂基板層１０の上面を露出させる開口部Ａが形成され、その開口部Ａを埋めるように開口平坦化膜１９ｂａが設けられ、開口平坦化膜１９ｂａの上面側を覆うように金属層２１ｂが設けられている。ここで、開口平坦化膜１９ｂａは、ＴＦＴ平坦化膜１９ｂと同一層に同一材料により構成されている。また、金属層２１ｂは、第１電極２１と同一層に同一材料により構成されている。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを介して有機ＥＬ層２３の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂによれば、表示領域Ｄの各サブ画素Ｐにおいて、ＴＦＴ層２０ｂを構成するベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の無機絶縁積層膜に開口部Ａが形成されているので、有機ＥＬ表示装置５０ｂを表示領域Ｄで折り曲げ易くなる。そして、無機絶縁積層膜の開口部Ａには、開口平坦化膜１９ｂａが設けられ、開口平坦化膜１９ｂａの上面側を覆うように金属層２１ｂが設けられているので、樹脂基板層１０側から有機ＥＬ素子３０ｂへの水分の侵入を金属層２１ｂにより抑制することができる。これにより、表示領域Ｄでの折り曲げ時のＴＦＴ層２０ｂの損傷、それに伴う有機ＥＬ素子３０ｂの損傷、及び水分の侵入に起因する有機ＥＬ素子３０ｂの損傷を抑制することができるので、表示領域Ｄでの折り曲げに対する有機ＥＬ素子３０ｂの損傷を抑制することができる。
　《第３の実施形態》
　図１１～図１３は、本発明に係る表示装置の第３の実施形態を示している。ここで、図１１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃの平面図である。また、図１２は、図１１中のXII－XII線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ｃの額縁領域Ｆの断面図である。また、図１３は、有機ＥＬ表示装置５０ｃの変形例である有機ＥＬ表示装置５０ｄの額縁領域Ｆの断面図であり、図１２に相当する図である。
　上記第１及び第２の実施形態では、額縁領域Ｆでの折り曲げを考慮しない有機ＥＬ表示装置５０ａ及び５０ｂを例示したが、本実施形態では、額縁領域Ｆに折り曲げ部Ｂが設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｃを例示する。
　有機ＥＬ表示装置５０ｃは、図１１に示すように、矩形状に規定された画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に規定された額縁領域Ｆと、額縁領域Ｆの端部に設けられた端子部Ｔと、表示領域Ｄ及び端子部Ｔの間に設けられた折り曲げ部Ｂを備えている。ここで、折り曲げ部Ｂは、図１１に示すように、図中縦方向を折り曲げの軸として１８０°に（Ｕ字状に）折り曲げられるように、表示領域Ｄの一辺（図中右辺）に沿うように設けられている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｃの表示領域Ｄは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様な構成になっている。
　有機ＥＬ表示装置５０ｃは、図１２に示すように、額縁領域Ｆにおいて、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上に順に設けられたベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の無機絶縁積層膜と、その無機絶縁積層膜に形成された開口部Ａｃと、開口部Ａｃを埋めるように設けられた額縁平坦化膜８ｃと、額縁平坦化膜８ｃ上に設けられた額縁配線１８ｈと、額縁配線１８ｈを覆うように設けられた樹脂膜１９ｃとを備えている。ここで、開口部Ａｃは、ＴＦＴ層２０ａを構成するベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の無機絶縁積層膜を貫通して、樹脂基板層１０の上面を露出させるように折り曲げ部Ｂに形成されている。
　額縁平坦化膜８ｃは、開口平坦化膜８と同一層に同一材料により設けられている。
　額縁配線１８ｈは、ソース線１８ｆ等と同一層に同一材料により設けられている。また、額縁配線１８ｈの一方の端部は、図１２に示すように、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成されたコンタクトホールＣａを介してゲート導電層１４ｄに接続されている。また、額縁配線１８ｈの他方の端部は、図１２に示すように、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成されたコンタクトホールＣｂを介してゲート導電層１４ｅに接続されている。ここで、ゲート導電層１４ｄは、ゲート電極１４ａ及び１４ｂと同一層に同一材料により設けられ、ＴＦＴ層２０ａの配線に接続されている。また、ゲート導電層１４ｅは、ゲート電極１４ａ及び１４ｂと同一層に同一材料により設けられ、図１２に示すように、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成されたコンタクトホールＣｃを介して端子部Ｔのソース導電層（配線端子）１８ｔに接続されている。
　樹脂膜１９ｃは、ＴＦＴ平坦化膜１９ａと同一層に同一材料により設けられている。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１及び第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａ及び５０ｂと同様に、可撓性を有し、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを介して有機ＥＬ層２３の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　なお、本実施形態では、額縁配線１８ｈがソース線１８ｆ等と同一層に同一材料により設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｃを例示したが、図１３に示すように、額縁配線２１ｃが第１電極２１と同一層に同一材料により設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｄであってもよい。具体的に、有機ＥＬ表示装置５０ｄでは、図１３に示すように、ＴＦＴ層２０ｂを構成するベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の無機絶縁積層膜に形成された開口部Ａｃを埋めるように額縁平坦化膜１９ｄが設けられ、額縁平坦化膜１９ｄ上に額縁配線２１ｃが設けられ、額縁配線２１ｃを覆うように樹脂膜２２ｃが設けられている。ここで、額縁配線２１ｃの一方の端部は、図１３に示すように、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成されたコンタクトホールＣａを介してゲート導電層１４ｄに接続されている。なお、ゲート導電層１４ｄは、ＴＦＴ層２０ｂの配線に接続されている。また、額縁配線２１ｃの他方の端部は、図１３に示すように、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成されたコンタクトホールＣｂを介してゲート導電層１４ｅに接続されている。また、額縁平坦化膜１９ｄは、ＴＦＴ平坦化膜１９ｂと同一層に同一材料により設けられている。また、樹脂膜２２ｃは、エッジカバー２２ｂと同一層に同一材料により設けられている。なお、有機ＥＬ表示装置５０ｄの表示領域Ｄは、上記第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂと同様な構成になっている。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃ及び５０ｄによれば、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂにおいて、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の無機絶縁積層膜に開口部Ａｃが形成されているので、折り曲げ部Ｂでの無機絶縁積層膜の膜破断及び額縁配線１８ｈ及び２１ｃの断線を抑制することができる。
　《その他の実施形態》
　上記各実施形態では、有機ＥＬ表示装置５０ａ～５０ｄを例示したが、本発明は、例示した各有機ＥＬ表示装置５０ａ～５０ｄの構成要素の組み合わせも自在に変更した有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
　また、上記各実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置、例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）を備えた表示装置に適用することができる。
　以上説明したように、本発明は、フレキシブルな表示装置について有用である。
Ａ，Ａｃ　　開口部
Ｂ　　　　　折り曲げ部
Ｄ　　　　　表示領域
Ｆ　　　　　額縁領域
Ｌｂ　　　　青色発光領域
Ｌｒ　　　　赤色発光領域
Ｌｇ　　　　緑色発光領域
Ｐ　　　　　サブ画素
Ｔ　　　　　端子部
８，１９ｂａ　　　開口平坦化膜
８ｃ，１９ｄ　　　額縁平坦化膜
１０　　　　樹脂基板層（樹脂基板）
１１　　　　ベースコート膜（無機絶縁膜）
１３　　　　ゲート絶縁膜（無機絶縁膜）
１５　　　　第１層間絶縁膜（無機絶縁膜）
１７　　　　第２層間絶縁膜（無機絶縁膜）
１８ａ，１８ｃ　　ソース電極
１８ｅａ，１８ｅａａ～１８ｅａｄ，２１ｂ　　金属層
１８ｇ　　　電源線
１８ｈ，２１ｃ　　額縁配線
１９ａ，１９ｂ　　ＴＦＴ平坦化膜
２０ａ，２０ｂ　　　　　　ＴＦＴ層
２１　　　　第１電極（反射電極）
３０ａ，３０ｂ　　有機ＥＬ素子（発光素子）
５０ａ～５０ｄ　　有機ＥＬ表示装置

Claims (14)

  1. 　樹脂基板と、
    　上記樹脂基板上にＴＦＴ層を介して設けられた表示領域を構成する発光素子とを備えた表示装置であって、
    　上記表示領域では、上記ＴＦＴ層を構成する少なくとも一層の無機絶縁膜に、該無機絶縁膜を貫通して上記樹脂基板の上面を露出させる開口部が形成され、該開口部を埋めるように開口平坦化膜が設けられ、該開口平坦化膜の上面側を覆うように金属層が設けられていることを特徴とする表示装置。
  2. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　上記表示領域には、複数のサブ画素がマトリクス状に配列され、
    　上記各サブ画素は、発光領域を有し、
    　上記開口部は、上記発光領域と重畳するように島状に形成されていることを特徴とする表示装置。
  3. 　請求項２に記載された表示装置において、
    　上記複数の開口部は、平面視で千鳥状に形成されていることを特徴とする表示装置。
  4. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　上記表示領域には、複数のサブ画素がマトリクス状に配列され、
    　上記各サブ画素は、発光領域を有し、
    　上記開口部は、上記発光領域の間に島状に形成されていることを特徴とする表示装置。
  5. 　請求項１～４の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記開口平坦化膜は、上記樹脂基板の上面に接触していることを特徴とする表示装置。
  6. 　請求項１～５の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記開口平坦化膜は、上記開口部の全面を覆うように設けられ、
    　上記金属層は、上記開口平坦化膜の全面を覆うように設けられていることを特徴とする表示装置。
  7. 　請求項１～６の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記金属層は、電気的にフローティングであることを特徴とする表示装置。
  8. 　請求項１～７の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記ＴＦＴ層は、ソース電極を有し、
    　上記金属層は、上記ソース電極と同一層に同一材料により設けられていることを特徴とする表示装置。
  9. 　請求項１～６の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記ＴＦＴ層は、ソース電極を有し、
    　上記金属層は、上記ソース電極と同一層に同一材料により設けられ、ハイレベル電源線に電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
  10. 　請求項１～９の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記表示領域の周囲に設けられた額縁領域と、
    　上記額縁領域の端部に設けられた端子部と、
    　上記端子部と上記表示領域との間に設けられた折り曲げ部とを備え、
    　上記折り曲げ部では、上記ＴＦＴ層を構成する少なくとも一層の無機絶縁膜に該無機絶縁膜を貫通して上記樹脂基板の上面を露出させる開口部が形成され、該開口部を埋めるように額縁平坦化膜が設けられ、該額縁平坦化膜上に額縁配線が設けられ、
    　上記ＴＦＴ層は、ＴＦＴ平坦化膜を有し、
    　上記額縁平坦化膜は、上記開口平坦化膜と同一層に同一材料により設けられていることを特徴とする表示装置。
  11. 　請求項１～６の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記発光素子は、反射電極を有し、
    　上記ＴＦＴ層は、上記発光素子側にＴＦＴ平坦化膜を有し、
    　上記金属層は、上記反射電極と同一層に同一材料により設けられ、
    　上記開口平坦化膜は、上記ＴＦＴ平坦化膜と同一層に同一材料により設けられていることを特徴とする表示装置。
  12. 　請求項１１に記載された表示装置において、
    　上記金属層は、上記反射電極と電気的に接続されていないことを特徴とする表示装置。
  13. 　請求項１１又は１２に記載の表示装置において、
    　上記表示領域の周囲に設けられた額縁領域と、
    　上記額縁領域の端部に設けられた端子部と、
    　上記端子部と上記表示領域との間に設けられた折り曲げ部とを備え、
    　上記折り曲げ部では、上記ＴＦＴ層を構成する少なくとも一層の無機絶縁膜に該無機絶縁膜を貫通して上記樹脂基板の上面を露出させる開口部が形成され、該開口部を埋めるように額縁平坦化膜が設けられ、該額縁平坦化膜上に額縁配線が設けられ、
    　上記額縁平坦化膜は、上記ＴＦＴ平坦化膜と同一層に同一材料により設けられていることを特徴とする表示装置。
  14. 　請求項１～１３の何れか１つに記載の表示装置において、
    　上記発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする表示装置。
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