CN111433929B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

在边框区域(F)的弯折部(B)的剖面中，在构成TFT层的至少一层的无机膜(L)上形成向上方开口的第一开口部(Aa)，以填埋第一开口部(Aa)的方式设置第一有机膜(21a)，在第一有机膜(21a)上设置边框配线(12ea)，以覆盖边框配线(12ea)的方式设置第二有机膜(13a)，在第一有机膜(21a)上形成与第一开口部(Aa)相比在内侧向上方开口的第二开口部(Ab)。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置。
背景技术
近年来，作为取代液晶显示装置的显示装置，使用了有机EL(electroluminescence)元件的自发光型的有机EL显示装置受到关注。在该有机EL显示装置中，提出了在具有可挠性的树脂基板上层叠有机EL元件等的柔性的有机EL显示装置。
例如，在专利文献1中公开了一种显示装置，其在由具有规定范围的透气率和热膨胀系数的聚酰亚胺薄膜构成的支撑基板上具备气体阻隔层。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2014-26969号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
然而，在有机EL显示装置中，设置有进行图像显示的矩形形状的显示区域、和该显示区域的周围的边框区域，希望缩小边框区域。并且，在柔性的有机EL显示装置中，如果为了缩小边框区域，例如将端子侧的边框区域弯折，则配置于该边框区域的弯折部的配线有可能断裂。因此，在柔性的有机EL显示装置中，在弯折部处，有时去除设置在树脂基板上的基底覆盖膜、栅极绝缘膜及层间绝缘膜等无机膜，在该去除的部分形成由有机材料构成的平坦化膜，并在该平坦化膜上形成配线，在该配线上形成由有机材料构成的其它平坦化膜。但是，在具有这种结构的柔性的有机EL显示装置中，由于平坦化膜会变厚，因此即使抑制了边框区域的弯折部处的配线的断裂，也存在在边框区域的弯折部处难以弯折的可能性。
本发明就是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提高边框区域的弯折部处的弯折性。
解决问题的方案
为了实现上述目的，本发明的显示装置其具备：树脂基板；发光元件，其在所述树脂基板上经由TFT层而设置，构成显示区域；边框区域，其设置在所述显示区域的周围；端子部，其设置在所述边框区域的端部；弯折部，其设置于所述显示区域及端子部之间；边框配线，其设置在所述边框区域，经由所述TFT层与所述发光元件电连接并延伸至所述端子部；以及至少一层无机膜，其设置在所述边框区域，构成在所述树脂基板上层叠的所述TFT层，从所述显示区域至所述端子部，在所述树脂基板上按顺序设置所述无机膜、第一有机膜、所述边框配线及第二有机膜，其特征在于，在所述弯折部的剖面中，在所述无机膜上形成向上方开口的第一开口部，以填埋该第一开口部的方式设置所述第一有机膜，在该第一有机膜上设置所述边框配线，以覆盖该边框配线的方式设置所述第二有机膜，在所述第一有机膜上形成与所述第一开口部相比在内侧向上方开口的第二开口部。
发明效果
根据本发明，由于在边框区域的弯折部的剖面中，在构成TFT层的至少一层的无机膜上形成向上方开口的第一开口部，以填埋第一开口部的方式设置第一有机膜，在第一有机膜上设置边框配线，以覆盖边框配线的方式设置第二有机膜，在第一有机膜上形成有与第一开口部相比在内侧向上方开口的第二开口部，因此能够提高边框区域的弯折部处的弯折性。
附图说明
[图1]图1是表示本发明的第一实施方式涉及的有机EL显示装置的概略结构的俯视图。
[图2]图2是表示沿着图1中的II-II的有机EL显示装置的显示区域的概略结构的剖视图。
[图3]图3是构成本发明的第一实施方式涉及的有机EL显示装置的TFT层的等价电路图。
[图4]图4是表示构成本发明的第一实施方式的有机EL显示装置的有机EL层的剖视图。
[图5]图5是表示沿图1中的V-V的有机EL显示装置的边框区域的概略结构的剖视图。
[图6]图6是表示本发明的第二实施方式涉及的有机EL显示装置的边框区域的概略结构的剖视图，是相当于图5的图。
[图7]图7是表示本发明的第三实施方式涉及的有机EL显示装置的边框区域的概略结构的剖视图，是相当于图5的图。
[图8]图8是表示本发明的第四实施方式涉及的有机EL显示装置的边框区域的概略结构的俯视图。
[图9]图9是表示沿着图8中的IX-IX的有机EL显示装置的边框区域的概略结构的剖视图，是相当于图5的图。
[图10]图9是表示沿图8中的X-X的有机EL显示装置的边框区域的概略结构的剖视图。
具体实施例
以下，基于附图详细地说明本发明的实施方式。此外，本发明并不限定为以下的各实施方式。
《第一实施方式》
图1至图5示出了本发明涉及的显示装置的第一实施方式。此外，在以下的各实施方式中，作为具备发光元件的显示装置，例示了具备有机EL元件的有机EL显示装置。在这里，图1是表示本实施方式的有机EL显示装置30a的概略结构的俯视图。另外，图2是表示沿着图1中的II-II的有机EL显示装置30a的显示区域D的概略结构的剖视图。另外，图3是构成有机EL显示装置30a的TFT层29的等价电路图。另外，图4是表示构成有机EL显示装置30a的有机EL层16的剖视图。另外，图5是表示沿着图1中的V-V的有机EL显示装置30a的边框区域F的概略结构的剖视图。
有机EL显示装置30a如图1所示，具备以矩形形状规定的进行图像显示的显示区域D、和在显示区域D的周围规定的边框区域F。在这里，在有机EL显示装置30a的显示区域D中，如图2所示，设置有机EL元件19，并且多个像素以矩阵状排列。此外，在显示区域D的各像素中，例如，用于进行红色的灰度显示的子像素、用于进行绿色的灰度显示的子像素、以及用于进行蓝色的灰度显示的子像素，以彼此相邻的方式排列。另外，在边框区域F的图中右端部，如图1所示设置端子部T。此外，在边框区域F中，在显示区域D及端子部T之间，如图1所示，以沿着显示区域D的一边(图中右边)的方式，设置能够将图中纵向作为折弯的轴J(参照后述的图8)而180°地(U字状地)折弯的折弯部B。
有机EL显示装置30a如图2所示，在显示区域D中，具备：树脂基板层10；TFT层29，其设置在树脂基板层10的表面；有机EL元件19，其在TFT层29的表面作为发光元件而设置；表面侧保护层25a，其设置在有机EL元件19的表面；以及背面侧保护层25b，其设置在树脂基板层10的背面。
树脂基板层10作为树脂基板而设置，例如由厚度为10μm～20μm程度的聚酰亚胺树脂等构成。
TFT层29如图2所示，具备：基底覆盖膜11，其设置在树脂基板层10上；多个第一TFT12ta(参照图3)及多个第二TFT12tb，其设置在基底覆盖膜11上；以及TFT平坦化膜13a，其设置在各第一TFT12ta及各第二TFT12tb上。在这里，在TFT层29中，如图3所示，以在图中横向相互平行地延伸的方式设置多条栅极线26。另外，在TFT层29中，如图3所示，以在图中纵向相互平行地延伸的方式设置多条源极线27a。另外，在TFT层29中，如图3所示，与各源极线27a相邻地，以在图中纵向相互平行地延伸的方式设置多条电源线27b。此外，在TFT层29中，如图3所示，在各子像素中设置第一TFT12ta、第二TFT12tb及电容器28。
基底覆盖膜11例如由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。
第一TFT12ta如图3所示，在各子像素中，与对应的栅极线26及源极线27a连接。此外，第二TFT12tb如图3所示，在各子像素中，与对应的第一TFT12ta及电源线27b连接。在这里，第一TFT12ta及第二TFT12tb例如具备：半导体层，其在基底覆盖膜11上以岛状设置；栅极绝缘膜12a，其以覆盖半导体层的方式设置(参照图5)；栅极电极，其以在栅极绝缘膜12a上与半导体层的一部分重叠的方式设置；第一层间绝缘膜12c及第二层间绝缘膜12d，其以覆盖栅极电极的方式设置的(参照图5)；以及源极电极和漏极电极，它们设置在第二层间绝缘膜12d上，以彼此分隔的方式配置。此外，在本实施方式中，例示了顶栅型的第一TFT12ta和第二TFT12tb，但第一TFT12ta和第二TFT12tb也可以是底栅型的TFT。
栅极绝缘膜12a、第一层间绝缘膜12c和第二层间绝缘膜12d，例如由氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的无机绝缘膜的单层膜或层叠膜构成。
电容器28如图3所示，在各子像素中，与对应的第一TFT12ta和电源线27b连接。在这里，电容器28例如由利用与第一TFT12ta(第二TFT12tb)的栅极电极相同的材料形成在同一层上的一个电极、利用与第一TFT12ta(第二TFT12tb)的源极电极及漏极电极相同的材料形成在同一层上的另一个电极、以及设置在这一对电极之间的第一层间绝缘膜12c和/或第二层间绝缘膜12d(参照图5)构成。
TFT平坦化膜13a例如由厚度为2μm～2.5μm程度的聚酰亚胺树脂或丙烯酸树脂等无色透明的有机绝缘膜构成。
有机EL元件19如图2所示，具备依次设置在TFT平坦化膜13a上的多个第一电极14、边缘罩15、多个有机EL层16、第二电极17及封装膜18。
多个第一电极14如图2所示，以对应于多个子像素的方式，以矩阵状设置在TFT平坦化膜13a上。第一电极14如图2所示，经由在TFT平坦化膜13a上形成的接触孔，与各第二TFT12tb的漏极电极连接。另外，第一电极14具有向有机EL层16注入电洞(空穴)的功能。此外，为了提高向有机EL层16的空穴注入效率，第一电极14更优选由功函数大的材料形成。在这里，作为构成第一电极14的材料，例如可以举出银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)等金属材料。此外，构成第一电极14的材料，例如也可以是镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO2)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、或氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等合金。此外，构成第一电极14的材料例如也可以是氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)这种导电性氧化物。另外，第一电极14也可以将由上述材料构成的层层叠多层而形成。另外，作为功函数大的材料，例如可以举出铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)等。
边缘罩15如图2所示，以覆盖各第一电极14的周缘部的方式设置为格子状。在这里，作为构成边缘罩15的材料，例如可以举出氧化硅(SiO2)、四氮化三硅(Si3N4)这种氮化硅(SiNx(x为正数))、氮氧化硅(SiNO)等无机膜、或聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、聚硅氧烷树脂、酚醛清漆树脂等有机膜。
多个有机EL层16如图2所示，配置在各第一电极14上，以与多个子像素对应的方式，以矩阵状设置。在这里，各有机EL层16如图4所示，具备按顺序依次设置在第一电极14上的空穴注入层1、空穴传输层2、发光层3、电子传输层4和电子注入层5。
空穴注入层1也被称为阳极缓冲层，具有使第一电极14和有机EL层16的能级接近，改善从第一电极14向有机EL层16的空穴注入效率的功能。在这里，作为构成空穴注入层1的材料，例如可以举出三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、苯二胺衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪衍生物等。
空穴传输层2具有提高从第一电极14向有机EL层16的空穴的传输效率的功能。在这里，作为构成空穴传输层2的材料，例如可以举出卟啉衍生物、芳香族叔胺化合物、苯乙烯基胺衍生物、聚乙烯基咔唑、聚对亚苯基亚乙烯基、聚硅烷、三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烃衍生物、吡唑啉酮衍生物，苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、胺取代查耳酮衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、芪衍生物、氢化非晶硅、氢化非晶碳化硅、硫化锌、硒化锌等。
发光层3是在由第一电极14和第二电极17施加电压时，使空穴和电子分别从第一电极14和第二电极17注入，并且空穴和电子进行再结合的区域。在这里，发光层3由发光效率高的材料形成。并且，作为构成发光层3的材料，例如可以举出金属含氧化合物[8-羟基喹啉金属络合物]、萘衍生物、蒽衍生物、二苯乙烯衍生物、乙烯基丙酮衍生物，三苯基胺衍生物、丁二烯衍生物、香豆素衍生物、苯并噁唑衍生物、噁二唑衍生物、噁唑衍生物、苯并咪唑衍生物、噻二唑衍生物，苯并噻唑衍生物、苯乙烯基衍生物、苯乙烯基胺衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、三苯乙烯基苯衍生物、二萘嵌苯衍生物、芘酮衍生物、氨基芘衍生物，吡啶衍生物、若丹明衍生物、水吖嗪衍生物、吩噁嗪、喹吖啶酮衍生物、红荧烯、聚对亚苯基亚乙烯基、聚硅烷等。
电子传输层4具有使电子高效地移动至发光层3的功能。在这里，作为构成电子传输层4的材料，例如，作为有机化合物而可以举出噁二唑衍生物、三唑衍生物、苯醌衍生物、萘醌衍生物、蒽醌衍生物、四氰基蒽醌二甲烷衍生物、联苯醌衍生物、芴酮衍生物、硅杂衍生物、金属含氧化合物等。
电子注入层5具有使第二电极17和有机EL层16的能级接近，提高从第二电极17向有机EL层16注入电子的效率的功能，通过该功能，能够降低有机EL元件19的驱动电压。此外，电子注入层5也被称为阴极缓冲层。在这里，作为构成电子注入层5的材料，例如可以举出氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化锶(SrF2)、氟化钡(BaF2)这种无机碱化合物、氧化铝(Al2O3)、氧化锶(SrO)等。
第二电极17如图2所示，设置为覆盖各有机EL层16及边缘罩15。另外，第二电极17具有向有机EL层16注入电子的功能。另外，为了提高向有机EL层16的电子注入效率，第二电极17更优选由功函数小的材料制成。在这里，作为构成第二电极17的材料，例如可以举出银(Ag)、铝(Al)、钒(V)、钴(Co)、镍(Ni)、钨(W)、金(Au)、钙(Ca)、钛(Ti)、钇(Y)、钠(Na)、钌(Ru)、锰(Mn)、铟(In)、镁(Mg)、锂(Li)、镱(Yb)、氟化锂(LiF)等。此外，第二电极17例如可以由镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、砹(At)/氧化砹(AtO2)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等的合金形成。另外，第二电极17例如可以由氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等导电性氧化物形成。另外，第二电极17也可以将由上述材料构成的层层叠多层而形成。此外，作为功函数小的材料，例如可以举出镁(Mg)、锂(Li)、氟化锂(LiF)、镁(Mg)/铜(Cu)、镁(Mg)/银(Ag)、钠(Na)/钾(K)、锂(Li)/铝(Al)、锂(Li)/钙(Ca)/铝(Al)、氟化锂(LiF)/钙(Ca)/铝(Al)等。
封装膜18如图2所示，以覆盖第二电极17的方式设置，具有保护有机EL层16不受水分或氧气影响的功能。在这里，作为构成封装膜18的材料，例如可以举出氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、四氮化三硅(Si3N4)这种氮化硅(SiNx(x为正数))、碳氮化硅(SiCN)等无机材料、丙烯酸酯、聚脲、聚对二甲苯、聚酰亚胺、聚酰胺等有机材料。
表面侧保护层25a和背面侧保护层25b，例如由厚度为2μm程度的聚酰亚胺树脂等构成。
有机EL显示装置30a如图5所示，在边框区域F中具备：树脂基板层10；无机层叠膜L，其设置在树脂基板层10的表面；边框平坦化膜21a，其以对形成在无机层叠膜L上的第一开口部Aa进行填埋的方式，作为第一有机膜而设置；多条边框配线12ea，其在无机层叠膜L及边框平坦化膜21a的表面，以彼此平行地延伸的方式设置；以及TFT平坦化膜13a，其以覆盖各边框配线12ea的方式，作为第二有机膜而设置。在这里，第一开口部Aa形成为狭缝，该狭缝在无机层叠膜L上，在从显示区域D至端子部T的剖面(参照图5)中，向上方开口而贯穿无机层叠膜L。
无机层叠膜L如图5所示，具备在树脂基板层10上按顺序设置的基底覆盖膜11、栅极绝缘膜12a、第一层间绝缘膜12c及第二层间绝缘膜12d。另外，无机层叠膜L如图5所示，通过具有在其厚度方向上贯穿的第一开口部Aa，从而未设置于从有机EL显示装置30a的一端(图1中的上边)直至另一端(图1中的下边)为止的弯折部B处。另外，在无机层叠膜L的栅极绝缘膜12a及第一层间绝缘膜12c之间，如图5所示，设置第一栅极导电层12ba和第二栅极导电层12bb。在这里，第一栅极导电层12ba与显示区域D的有机EL元件19的信号配线(栅极线、源极线、电源线等)连接。此外，第二栅极导电层12bb以延伸至端子部T的方式设置。此外，配置在显示区域D的表面侧保护层25a及背面侧保护层25B，也设置在边框区域F的大部分，但在边框区域F的折弯部B处未设置。此外，在本实施方式中，例示了贯穿无机层叠膜L的第一开口部Aa，但第一开口部Aa也可以形成为，保留无机层叠膜L的树脂基板10侧的无机绝缘膜(的一部分)。
边框平坦化膜21a例如由厚度为1.5μm～2.5μm程度的聚酰亚胺树脂或丙烯酸树脂等有机绝缘膜构成。此外，在弯折部B处，在边框平坦化膜21a上如图5所示形成第二开口部Ab。在这里，第二开口部Ab形成为，在边框平坦化膜21a上，在从显示区域D至端子部T的剖面(参照图5)中，与第一开口部Aa相比在内侧向上方开口。此外，第二开口部Ab如图5所示，以保留边框平坦化膜21a的一部分(例如0.5μm～1.0μm程度)的方式形成，使边框平坦化膜21a的膜厚比第二开口部Ab的边缘的边框平坦化膜21a的膜厚小。因此，边框平坦化膜21a如图5所示，利用第二开口部Ab而在弯折部B处变薄。此外，第二开口部Ab的宽度(图5中的横向的长度)为数mm程度。
边框配线12ea如图5所示，在弯折部B处，夹在边框平坦化膜21a及TFT平坦膜13a之间而设置。另外，边框配线12ea的两端部如图5所示，经由在第一层间绝缘膜12c及第二层间绝缘膜12d的层叠膜上形成的接触孔Ca及Cb，分别与第一栅极导电层12ba及第二栅极导电层12bb连接。此外，边框配线12ea例如由钛膜(厚度为100nm程度)/铝膜(厚度为600nm程度)/钛膜(厚度为100nm程度)等的金属层叠膜构成。此外，在本实施方式中，例示了由金属叠层膜构成的边框配线12ea，但边框配线12ea也可以由金属单层膜构成。
上述的有机EL显示装置30a具有可挠性，构成为在各子像素中，通过经由第一TFT12ta和第二TFT12tb使有机EL层16的发光层3适当地发光，从而进行图像显示。
本实施方式的有机EL显示装置30a，可以以如下方式制造。
例如，可以通过以下方法制造：在形成于玻璃基板上的树脂基板层10的表面，使用公知的方法形成TFT层29及有机EL元件19，在有机EL元件19上经由粘接层粘贴表面侧保护层25a之后，在剥离了玻璃基板的树脂基板层10的背面经由粘接层粘贴背面侧保护层25b。在这里，边框区域F的边框平坦化膜21a，通过在形成构成TFT层29的第一TFT12ta(第二TFT12tb)的源极电极及漏极电极之前，仅在边框区域F将聚酰亚胺树脂等的感光性有机绝缘膜成膜之后，使用半色调或灰度色调的光掩模Ma(参照图5)进行构图从而形成。另外，边框区域F的边框配线12ea，在形成构成TFT层29的第一TFT12ta(第二TFT12tb)的源极电极及漏极电极时形成。
如以上说明所述，根据本实施方式的有机EL显示装置30a，在边框区域F的弯折部B处，在构成TFT层29的无机层叠膜L上形成第一开口部Aa，以填埋第一开口部Aa的方式设置边框平坦化膜21a，在边框平坦化膜21a上设置边框配线12ea，以覆盖边框配线12ea的方式设置TFT平坦化膜13a。在这里，在弯折部B处，在边框平坦化膜21a上，与第一开口部Aa相比在内侧形成第二开口部Ab。由此，由于边框平坦化膜21a在弯折部B处变薄，因此能够提高边框区域F的弯折部B处的弯折性。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置30a，由于第一开口部Aa以贯穿无机层叠膜L的方式形成，因此能够抑制边框区域F的弯折部B处的无机层叠膜L的膜破裂。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置30a，由于在无机层叠膜L的由第一开口部Aa得到的端面与边框配线12ea之间设置边框平坦化膜21a作为缓冲材料，因此能够抑制边框配线12ea的断裂。
《第二实施方式》
图6示出了本发明涉及的显示装置的第二实施方式。在这里，图6是表示本实施方式的有机EL显示装置30b的边框区域F的概略结构的剖视图，是相当于图5的图。
在上述第一实施方式中，例示了具备形成有在厚度方向上不贯穿的第二开口部Ab的边框平坦化膜21a的有机EL显示装置30a，但在本实施方式中，例示了具备形成有在厚度方向上贯穿的第二开口部Ab的边框平坦化膜21b的有机EL显示装置30b。
有机EL显示装置30b与上述第一实施方式的有机EL显示装置30a同样地，具备显示区域D、和在显示区域D的周围规定的边框区域F。
有机EL显示装置30b的显示区域D具有与上述第一实施方式的有机EL显示装置30a相同的结构。
有机EL显示装置30b如图6所示，在边框区域F中具备：树脂基板层10；无机层叠膜L，其设置在树脂基板层10的表面；边框平坦化膜21b，其以填埋在无机层叠膜L上形成的第一开口部Aa的方式，作为第一有机膜而设置；多个边框配线12eb，其以在无机层叠膜L、边框平坦化膜21b和树脂基板层10的表面彼此平行地延伸的方式设置；以及TFT平坦化膜13b，其以覆盖各边框配线12eb的方式，作为第二有机膜而设置。在这里，第一开口部Aa形成为狭缝，其在无机层叠膜L上，在从显示区域D至端子部T的剖面(参照图6)中，向上方开口而贯穿无机层叠膜L。
边框平坦化膜21b例如由厚度为1.5μm～2.5μm程度的聚酰亚胺树脂或丙烯酸树脂等有机绝缘膜构成。此外，在弯折部B处，在边框平坦化膜21b上，如图6所示形成第二开口部Ab。在这里，第二开口部Ab在边框平坦化膜21b上，在从显示区域D至端子部T的剖面(参照图6)中，以与第一开口部Aa相比在内侧向上方开口的方式形成。此外，第二开口部Ab如图6所示，以贯穿边框平坦化膜21b的方式形成。因此，边框平坦化膜21b如图6所示，利用第二开口部Ab，未设置于有机EL显示装置30b的从一端至另一端为止的弯折部B处。
边框配线12eb如图6所示，在弯折部B处，被夹在树脂基板层10及TFT平坦膜13b之间而设置。此外，边框配线12eb的两端部如图6所示，经由在第一层间绝缘膜12c及第二层间绝缘膜12d的层叠膜上形成的接触孔Ca及Cb，分别与第一栅极导电层12ba及第二栅极导电层12bb连接。此外，边框配线12eb例如由钛膜(厚度为100nm程度)/铝膜(厚度为600nm程度)/钛膜(厚度为100nm程度)等的金属层叠膜构成。另外，在本实施方式中，例示了由金属层叠膜构成的边框配线12eb，但边框配线12eb也可以由金属单层膜构成。
TFT平坦化膜13b例如由厚度为2μm～2.5μm程度的聚酰亚胺树脂或丙烯酸树脂等无色透明的有机绝缘膜构成。
上述有机EL显示装置30b具有可挠性，构成为在各子像素中，通过经由第一TFT12ta和第二TFT12tb而使有机EL层16的发光层3适当地发光，从而进行图像显示。
本实施方式的有机EL显示装置30b，能够通过在上述第一实施方式中说明的制造方法中，将形成边框平坦化膜21a时使用的多灰度的光掩模Ma，变更为双态型的光掩模Mb(参照图6)从而制造。
如以上说明所述，根据本实施方式的有机EL显示装置30b，在边框区域F的弯折部B处，在构成TFT层29的无机层叠膜L上形成第一开口部Aa，以填埋第一开口部Aa的方式设置边框平坦化膜21b，在边框平坦化膜21b上设置边框配线12eb，以覆盖边框配线12eb的方式设置TFT平坦化膜13b。在这里，在弯折部B处，在边框平坦化膜21b上，与第一开口部Aa相比在内侧形成第二开口部Ab。由此，由于边框平坦化膜21b未设置于弯折部B，因此能够提高边框区域F的弯折部B处的弯折性。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置30b，由于第一开口部Aa以贯穿无机层叠膜L的方式形成，因此能够抑制无机层叠膜L在边框区域F的弯折部B处的膜破裂。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置30b，由于在无机层叠膜L的由第一开口部Aa得到的端面与边框配线12eb之间，设置边框平坦化膜21b作为缓冲材料，因此能够抑制边框配线12eb的断裂。
《第三实施方式》
图7示出了本发明涉及的显示装置的第三实施方式。在这里，图7是表示本实施方式的有机EL显示装置30c的边框区域F的概略结构的剖视图，是相当于图5的图。
在上述第一及第二实施方式中，例示了在边框平坦化膜21a及21b上形成有第二开口部Ab的有机EL显示装置30a及30b，但在本实施方式中，例示了在TFT平坦化膜13c上形成有第二开口部Ab的有机EL显示装置30c。
有机EL显示装置30c与上述第一实施方式的有机EL显示装置30a同样地，具备显示区域D、和在显示区域D的周围规定的边框区域F。
有机EL显示装置30c的显示区域D，成为与上述第一实施方式的有机EL显示装置30a相同的结构。
有机EL显示装置30c如图7所示，在边框区域F中，具备：树脂基板层10；无机层叠膜L，其设置在树脂基板层10的表面；边框平坦化膜21c，其以填埋在无机层叠膜L上形成的第一开口部Aa的方式，作为第一有机膜而设置；多个边框配线12ec，其在无机层叠膜L及边框平坦化膜21c的表面以相互平行地延伸的方式设置；以及TFT平坦化膜13c，其以覆盖各边框配线12ec的方式，作为第二有机膜而设置。在这里，第一开口部Aa形成为狭缝，其在无机层叠膜L上，在从显示区域D至端子部T的剖面(参照图7)中，向上方开口而贯穿无机层叠膜L。
边框平坦化膜21c例如由厚度为1.5μm～2.5μm程度的聚酰亚胺树脂或丙烯酸树脂等的有机绝缘膜构成。
边框配线12ec如图7所示，在弯折部B处，被夹在边框平坦化膜21c及TFT平坦膜13c之间而设置。此外，边框配线12ec的两端部如图7所示，经由在第一层间绝缘膜12c及第二层间绝缘膜12d的层叠膜上形成的接触孔Ca及Cb，分别与第一栅极导电层12ba及第二栅极导电层12bb连接。此外，边框配线12ec例如由钛膜(厚度为100nm程度)/铝膜(厚度为600nm程度)/钛膜(厚度为100nm程度)等的金属层叠膜构成。另外，在本实施方式中，例示了由金属层叠膜构成的边框配线12ec，但边框配线12ec也可由金属单层膜构成。
TFT平坦化膜13c例如由厚度为2μm～2.5μm程度的聚酰亚胺树脂或丙烯酸树脂等无色透明的有机绝缘膜构成。此外，在TFT平坦化膜13c上，如图7所示，以成为第一开口部Aa的内侧的方式形成第二开口部Ab。在这里，第二开口部Ab在TFT平坦化膜13c上，在从显示区域D至端子部T的剖面(参照图7)中，以与第一开口部Aa相比在内侧向上方开口的方式形成。此外，第二开口部Ab如图7所示，以保留TFT平坦化膜13c的一部分(例如0.5μm～1.5μm程度)的方式形成，使TFT平坦化膜13c的膜厚比第二开口部Ab的边缘的TFT平坦化膜13c的膜厚更小。因此，TFT平坦化膜13c如图7所示，利用第二开口部Ab，在从有机EL显示装置30c的一端直至另一端为止的弯折部B处变薄。
上述有机EL显示装置30c具有可挠性，构成为在各子像素中，通过经由第一TFT12ta和第二TFT12tb使有机EL层16的发光层3适当地发光，从而进行图像显示。
本实施方式的有机EL显示装置30c，可以通过在上述第一实施方式中说明的制造方法中，变更边框平坦化膜21a的图案形状，并且使用半色调或灰度色调的光掩模Mc(参照图7)，变更TFT平坦化膜13a的图案形状从而制造。
如以上说明所述，根据本实施方式的有机EL显示装置30c，在边框区域F的弯折部B处，在构成TFT层29的无机层叠膜L上形成第一开口部Aa，以填埋第一开口部Aa的方式设置边框平坦化膜21c，在边框平坦化膜21c上设置边框配线12ec，以覆盖边框配线12ec的方式设置TFT平坦化膜13c。在这里，在弯折部B处，在TFT平坦化膜13c上，与第一开口部Aa相比在内侧形成第二开口部Ab。因此，由于TFT平坦化膜13c在弯折部B处变薄，因此能够提高边框区域F的弯折部B处的弯折性。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置30c，由于第一开口部Aa以贯穿无机层叠膜L的方式形成，因此能够抑制无机层叠膜L在边框区域F的弯折部B处的膜破裂。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置30c，由于在无机层叠膜L的由第一开口部Aa得到的端面与边框配线12ec之间，设置边框平坦化膜21c作为缓冲材料，因此能够抑制边框配线12ec的断裂。
《第四实施方式》
图8至图10示出了本发明涉及的显示装置的第四实施方式。在这里，图8是表示本实施方式的有机EL显示装置30d的边框区域F的概略结构的俯视图。另外，图9是表示沿着图8中的IX-IX的有机EL显示装置30d的边框区域F的概略结构的剖视图，是相当于图5的图。另外，图10是表示沿图8中的X-X的有机EL显示装置的边框区域的概略结构的剖视图。另外，在图8中，省略了在表面形成的后述的TFT平坦化膜13d。
在上述第一、第二及第三实施方式中，例示了第二开口部Ab形成至树脂基板层10的端面为止的有机EL显示装置30a、30b及30b，但在本实施方式中，例示了第二开口部Ab未形成至树脂基板层10的端面的有机EL显示装置30d。
有机EL显示装置30d与上述第一实施方式的有机EL显示装置30a同样地，具备显示区域D、和在显示区域D的周围规定的边框区域F。
有机EL显示装置30d的显示区域D，成为与上述第一实施方式的有机EL显示装置30a相同的结构。
有机EL显示装置30d如图9和图10所示，在边框区域F中具备：树脂基板层10；无机层叠膜L，其设置在树脂基板层10的表面上；边框平坦化膜21d，其以填埋在无机层叠膜L上形成的第一开口部Aa的方式，作为第一有机膜而设置；多个边框配线12ed，其在无机层叠膜L和边框平坦化膜21d的表面上，以相互平行地延伸的方式设置；以及TFT平坦化膜13d，其以覆盖各边框配线12ed的方式，作为第二有机膜而设置。在这里，第一开口部Aa形成为狭缝，其在无机层叠膜L上，在从显示区域D至端子部T的剖面(参照图9和图10)中，向上方开口而贯穿无机层叠膜L。
边框平坦化膜21d例如由厚度为1.5μm～2.5μm程度的聚酰亚胺树脂或丙烯酸树脂等有机绝缘膜构成。在这里，在弯折部B处，在边框平坦化膜21d上，如图8、图9及10所示，第二开口部Ab以矩形形状形成。在这里，第二开口部Ab在边框平坦化膜21d上，在从显示区域D至端子部T的剖面(参照图9)中，以与第一开口部Aa相比在内侧向上方开口的方式形成。此外，第二开口部Ab如图8所示，形成为保留与沿着弯折部B的弯折的轴J的树脂基板层10的两端部对应的边框平坦化膜21d的一部分，沿着弯折部B的弯折的轴J的第二开口部Ab的中间部的边框平坦化膜21d的膜厚，小于沿着弯折部B的弯折的轴J的第二开口部Ab的两缘部的边框平坦化膜21d的膜厚。因此，在沿着弯折部B的弯折的轴J的树脂基板层10的两端部，在从显示区域D至端子部T的剖面(见图10)中的第一开口部Aa的端部处的从树脂基板层的上表面至TFT平坦化膜13d的上表面为止的高度Ha，等于第一开口部Aa的中间部(弯折的轴J)处的从树脂基板层10的上表面至TFT平坦化膜13d的上表面为止的高度Hb。此外，第二开口部Ab如图9所示，以保留边框平坦化膜21d的一部分(例如，0.5μm～1.0μm程度)的方式形成。因此，边框平坦化膜21d利用第二开口部Ab在弯折部B处变薄。此外，在上述第一～第三实施方式中说明的边框平坦化膜21a～21c的平面形状，成为图8中的边框平坦化膜21d上的去除了阴影部的形状。
边框配线12ed如图9所示，在弯折部B处，被夹在边框平坦化膜21d及TFT平坦膜13d之间而设置。此外，边框配线12ed的两端部如图9所示，经由在第一层间绝缘膜12c及第二层间绝缘膜12d的层叠膜上形成的接触孔Ca和Cb，分别与第一栅极导电层12ba和第二栅极导电层12bb连接。此外，边框配线12ed例如由钛膜(厚度为100nm程度)/铝膜(厚度为600nm程度)/钛膜(厚度为100nm程度)等的金属层叠膜构成。另外，在本实施方式中，例示了由金属层叠膜构成的边框配线12ed，但边框配线12ed也可以由金属单层膜构成。
TFT平坦化膜13d例如由厚度为2μm～2.5μm程度的聚酰亚胺树脂或丙烯酸树脂等无色透明的有机绝缘膜构成。
上述有机EL显示装置30d具有可挠性，构成为在各子像素中，通过经由第一TFT12ta和第二TFT12tb使有机EL层16的发光层3适当地发光，从而进行图像显示。
本实施方式的有机EL显示装置30d，能够通过在上述第一实施方式中说明的制造方法中，变更边框平坦化膜21a的图案形状从而制造。
另外，在本实施方式中，例示了边框配线12ed的构造与上述第一实施方式的有机EL显示装置30a的边框配线12ea相同的情况，但边框配线12ed的构造也可以与上述第二和第三有机EL显示装置30b和30c的边框配线12eb和12ec相同。
如以上说明所述，根据本实施方式的有机EL显示装置30d，在边框区域F的弯折部B处，在构成TFT层29的无机层叠膜L上形成第一开口部Aa，以填埋第一开口部Aa的方式设置边框平坦化膜21d，在边框平坦化膜21d上设置边框配线12ed和12ee，以覆盖边框配线12ec和12ee的方式设置TFT平坦化膜13d。在这里，在弯折部B处，在边框平坦化膜21d上，与第一开口部Aa相比在内侧形成第二开口部Ab。因此，由于边框平坦化膜21d在弯折部B处变薄，因此能够提高边框区域F的弯折部B处的弯折性。
此外，根据本实施方式的有机EL显示装置30d，由于第一开口部Aa形成为贯穿无机层叠膜L，因此能够抑制无机层叠膜L在边框区域F的弯折部B处的膜破裂。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置30d，由于在无机层叠膜L的由第一开口部Aa得到的端面与边框配线12ed及12ee之间，设置边框平坦化膜21d作为缓冲材料，因此能够抑制边框配线12ec及12ee的断裂。
另外，根据本实施方式的有机EL显示装置30d，由于在形成于边框平坦化膜21d上的第二开口部Ab处，沿着弯折部B的弯折的轴J的第二开口部Ab的两缘部的边框平坦化膜21d的膜厚，比沿着弯折部B的弯折的轴J的第二开口部Ab的中间部的边框平坦化膜21d的膜厚更大，因此能够对有机EL显示装置30d的沿着弯折部B的弯折的轴J的两端部进行加强。
《其它实施方式》
在上述实施方式中，例示了在第一有机膜或第二有机膜上形成第二开口部的有机EL显示装置，但本发明也可以应用于在第一有机膜及第二有机膜上形成第二开口部的有机EL显示装置。
另外，在上述各实施方式中，例示了空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层的5层层叠构造的有机EL层，但有机EL层例如也可以是空穴注入层兼空穴传输层、发光层、及电子传输层兼电子注入层的3层层叠构造。
另外，在上述各实施方式中，例示了将第一电极作为阳极、将第二电极作为阴极的有机EL显示装置，但本发明也可以适用于使有机EL层的层叠构造反转，将第一电极作为阴极、将第二电极作为阳极的有机EL显示装置。
另外，在上述各实施方式中，例示了具备将与第一电极连接的TFT的电极作为漏极电极的元件基板的有机EL显示装置，但本发明也能够应用于具备将与第一电极连接的TFT的电极称为源极电极的元件基板的有机EL显示装置。
此外，在上述各实施方式中，作为显示装置举出有机EL显示装置为例进行了说明，但本发明也可以适用于具备由电流驱动的多个发光元件的显示装置，例如，可以适用于具有使用量子点含有层的发光元件即QLED(Quantum-dot light emitting diod e，量子点发光二极管)的显示装置。
工业实用性
如以上说明所述，本发明对于柔性的显示装置是有用的。
附图标记说明
Aa 第一开口部
Ab 第二开口部
B 弯折部
D 显示区域
F 边框区域
J 弯折的轴
L 无机层叠膜(至少一层的无机膜)
T 端子部
10 树脂基板层(树脂基板)
11 基底覆盖膜(无机膜)
12a 栅极绝缘膜(无机膜)
12c 第一层间绝缘膜(无机膜)
12d 第二层间绝缘膜(无机膜)
12ea～12ed 边框配线
13a～13d TFT 平坦化膜(第二有机膜)
19 发光元件
21a～21d 边框平坦化膜(第一有机膜)
29 TFT层
30a～30d 显示装置

Claims (13)

1.一种显示装置，其具备：
树脂基板；
发光元件，其在所述树脂基板上经由TFT层而设置，构成显示区域；
边框区域，其设置在所述显示区域的周围；
端子部，其设置在所述边框区域的端部；
弯折部，其设置于所述显示区域及端子部之间；
边框配线，其设置在所述边框区域，经由所述TFT层与所述发光元件电连接并延伸至所述端子部；以及
至少一层无机膜，其设置在所述边框区域，构成在所述树脂基板上层叠的所述TFT层，
在所述显示区域与所述端子部之间的所述树脂基板上，按顺序设置所述无机膜、第一有机膜、所述边框配线及第二有机膜，
其特征在于，
在所述弯折部的剖面中，在所述无机膜上形成向上方开口的第一开口部，以填埋该第一开口部的方式设置所述第一有机膜，在该第一有机膜上设置所述边框配线，以覆盖该边框配线的方式设置所述第二有机膜，在所述第一有机膜上形成与所述第一开口部相比在内侧向上开口的第二开口部，在剖视时，所述第一开口部的宽度及所述第二开口部的宽度比所述弯折部的宽度大。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
作为形成于所述第一有机膜上的第二开口部，使该第一有机膜的膜厚比该第二开口部的边缘的所述第一有机膜的膜厚更小。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
形成于所述第一有机膜上的第二开口部，以贯穿该第一有机膜的方式设置。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的显示装置，其特征在于，
在形成于所述第一有机膜上的第二开口部中，沿着所述弯折部的弯曲的轴的所述第二开口部的中间部的所述第一有机膜的膜厚，比沿着所述弯折部的弯曲的轴的所述第二开口部的两缘部的所述第一有机膜的膜厚更小。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，
在沿着所述弯折部的弯曲的轴的所述树脂基板的两端部，从所述显示区域至所述端子部的剖面中的所述第一开口部的端部处的从所述树脂基板的上表面至所述第二有机膜的上表面为止的高度，与从所述显示区域至所述端子部的剖面中的所述第一开口部的中间部处的从所述树脂基板的上表面至所述第二有机膜的上表面为止的高度相同。
6.根据权利要求1、2、3或5所述的显示装置，其特征在于，
所述第一开口部是贯穿所述无机膜的狭缝。
7.根据权利要求1、2、3或5所述的显示装置，其特征在于，
所述发光元件是有机EL元件。
8.根据权利要求1、2、3或5所述的显示装置，其特征在于，
所述树脂基板、第一有机膜以及第二有机膜，由聚酰亚胺树脂构成。
9.一种显示装置，其具备：
树脂基板；
发光元件，其在所述树脂基板上经由TFT层而设置，构成显示区域；
边框区域，其设置在所述显示区域的周围；
端子部，其设置在所述边框区域的端部；
弯折部，其设置于所述显示区域及端子部之间；
边框配线，其设置在所述边框区域，经由所述TFT层与所述发光元件电连接并延伸至所述端子部；以及
至少一层无机膜，其设置在所述边框区域，构成在所述树脂基板上层叠的所述TFT层，
在所述显示区域与所述端子部之间的所述树脂基板上，按顺序设置所述无机膜、第一有机膜、所述边框配线及第二有机膜，
其特征在于，
在所述弯折部的剖面中，在所述无机膜上形成向上方开口的第一开口部，以填埋该第一开口部的方式设置所述第一有机膜，在该第一有机膜上设置所述边框配线，以覆盖该边框配线的方式设置所述第二有机膜，在所述第二有机膜上形成与所述第一开口部相比在内侧向上开口的第二开口部，在剖视时，所述第一开口部的宽度及所述第二开口部的宽度比所述弯折部的宽度大。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
作为形成于所述第二有机膜上的第二开口部，使该第二有机膜的膜厚比该第二开口部的边缘的所述第二有机膜的膜厚更小。
11.根据权利要求9或10所述的显示装置，其特征在于，
所述第一开口部是贯穿所述无机膜的狭缝。
12.根据权利要求9或10所述的显示装置，其特征在于，
所述发光元件是有机EL元件。
13.根据权利要求9或10所述的显示装置，其特征在于，
所述树脂基板、第一有机膜以及第二有机膜，由聚酰亚胺树脂构成。
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