CN102216971A - 显示装置用基板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供可以实现进一步窄边框化的显示装置用基板和显示装置。本发明是具有多个外部连接端子和通过上述多个外部连接端子下的多个下层配线的显示装置用基板，上述显示装置用基板还具有位于上述多个外部连接端子和上述多个下层配线的层间并且设有多个连接孔的层间绝缘膜，当俯视上述显示装置用基板时，上述多个下层配线横穿上述多个外部连接端子而并行，并且从外侧起按顺序相对于延伸方向向同一方向侧弯曲，上述多个外部连接端子各自通过上述多个连接孔的至少一个与上述多个下层配线的任一个的弯曲后的末梢部分连接。

Description

显示装置用基板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置用基板和显示装置。更详细地说，涉及设有用于进行柔性印刷基板(FPC：Flexible Printed Circuits)的连接等的外部连接端子的显示装置用基板以及具备这种显示装置用基板的液晶显示装置、有机电致发光显示装置(有机EL显示器)所优选的显示装置。
背景技术
近年来，对于安装有液晶显示装置、有机EL显示器等的便携电话、PDA等便携型电子设备，要求更进一步的小型化、轻量化。与此相随地，存在谋求显示区域周边的小型化，即窄边框化的倾向，正在积极地进行开发。
作为这种显示装置，例如公开了如下显示装置，其具备：向驱动扫描线的扫描线驱动电路供电的共用配线、向驱动信号线的信号线驱动电路供电的共用配线；使上述各个共用配线绝缘的层间绝缘膜；以及多个外部连接端子，其分别位于为了使上述各个共用配线的一部分露出而在上述层间绝缘膜中设置的多个接触孔上(例如，参照专利文献1。)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开平10-282522号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是，即使根据专利文献1所述的技术，窄边框化也是不充分的。
本发明是鉴于上述现状而完成的，其目的在于提供可以实现进一步的窄边框化的显示装置用基板和显示装置。
用于解决问题的方案
本发明的发明者们对于可以实现进一步的窄边框化的显示装置用基板和显示装置进行了各种讨论后，着眼于在比外部连接端子靠下层的位置设置配线(下层配线)的技术。并且，发现：在仅利用现有的技术的情况下，起因于在外部连接端子和下层配线之间所设的层间绝缘膜的加工精度，相对于配线宽度较大地形成用于将外部连接端子和下层配线进行电连接的连接孔，下层配线的个数变少，并且发现：使多个下层配线横穿多个外部连接端子而并行，并且从外侧的下层配线起按顺序相对于延伸方向向同一方向侧弯曲，使各外部连接端子与多个下层配线的任一个的弯曲后的末梢连接，由此，在下层配线的延伸方向上不配置连接孔，可以缩小下层配线的配线间隔，想到可以完满地解决上述问题而完成了本发明。
即，本发明是具有多个外部连接端子和通过上述多个外部连接端子下的多个下层配线的显示装置用基板，上述显示装置用基板还具有位于上述多个外部连接端子和上述多个下层配线的层间并且设有多个连接孔的层间绝缘膜，当俯视上述显示装置用基板时，上述多个下层配线横穿上述多个外部连接端子而并行，并且从外侧的下层配线起按顺序相对于延伸方向向同一方向侧弯曲，上述多个外部连接端子各自通过上述多个连接孔的至少一个与上述多个下层配线的任一个的弯曲后的末梢部分连接。
本发明的显示装置用基板在下层配线的延伸方向上不配置连接孔，因此，可以缩小下层配线的配线间隔。因此，在外部连接端子下能够配置的下层配线的数量增加，可以进一步实现窄边框化。优选这样在下层配线横穿多个外部连接端子的部分不配置连接孔。
此外，多个下层配线并行是指多个下层配线不是必须严格地并列配置为平行的。另外，多个下层配线向同一方向侧弯曲是指多个下层配线不是必须严格地向同一方向弯曲，可以举出如下方式：例如，多个下层配线一致向显示装置用基板的内侧和外周侧的任一方弯曲。而且，外侧的下层配线可以是位于显示装置用基板的外周侧的下层配线，也可以是位于显示装置用基板的内侧的下层配线。并且，上述延伸方向也可以是横穿多个外部连接端子的方向。
另外，在本说明书中，上是表示离显示装置用基板所包括的绝缘基板(例如，玻璃基板、塑料基板、硅基板)较远，另一方面，下是表示离显示装置用基板所包括的绝缘基板较近。即，上层是表示离显示装置用基板所包括的绝缘基板较远的层，另一方面，下层是表示离显示装置用基板所包括的绝缘基板较近的层。
而且，在本说明书中，连接孔也可以被称为接触孔、通孔、导通孔。
作为本发明的显示装置用基板的结构，只要将这种结构要素作为必要结构要素来形成即可，不特别限定是否包括其它的结构要素。
当俯视上述显示装置用基板时，上述多个连接孔可以设置在同一直线上。由此，可以进一步实现窄边框化。
另外，本发明还是具备本发明的显示装置用基板的显示装置。由此，可以实现窄边框化的显示装置。
作为本发明的显示装置的结构，只要将这种结构要素作为必要结构要素来形成即可，不特别限定是否包括其它的结构要素。
下面详细地说明本发明的显示装置所优选的方式。此外，可以适当地组合下面示出的各方式。
上述显示装置具备：具有多个连接部的外部连接部件、以及将上述显示装置用基板和上述外部连接部件电导通的多个导电构件，上述多个外部连接端子各自经由上述多个导电构件的至少一个与上述多个连接部的任一个连接，当俯视上述显示装置用基板时，上述多个连接孔可以配置在上述多个连接部与上述多个导电构件重叠的区域之外。通过该方式，即使将外部连接部件热压接到显示装置用基板，由于在连接部与导电构件重叠且热压接时施加有压力的区域没有连接孔，因此，也可以抑制外部连接端子的导电层因为导电构件而被压坏。因此，可以防止发生连接不良。
此外，上述连接部是可以与显示装置用基板连接的配线、凸点等连接端子。
上述显示装置还可以具有密封显示元件的密封材料。
当俯视上述显示装置用基板时，上述多个连接孔可以配置在上述多个连接部与上述多个导电构件重叠的区域和上述密封材料之间。由此，可以在密封材料和导电构件之间的边缘区域配置连接孔，可以边抑制连接不良，边将边框部的增加抑制到最小限度。
当俯视上述显示装置用基板时，上述多个连接孔可以配置在比上述密封材料更靠近上述显示装置用基板的内侧的位置。由此，可以提高外部连接端子的连接部分的可靠性。
当俯视上述显示装置用基板时，上述多个连接孔可以与上述密封材料重叠。由此，可以进一步实现窄边框化。
此外，在本说明书中，某构件A与某构件B重叠的方式可以是构件A的整体与构件B重叠，也可以是构件A的一部分与构件B重叠。
上述显示装置用基板可以还具有在上述密封材料内所配置的感光间隔物。由此，可以边抑制连接不良等不良，边实现进一步的窄边框化、提高可靠性。
上述显示装置用基板可以还具有在上述密封材料下所形成的绝缘膜。由此，可以边抑制连接不良等不良，边实现进一步的窄边框化、提高可靠性。
上述绝缘膜可以配置在上述密封材料的大致所有的区域下。由此，在液晶显示装置中，可以抑制起因于绝缘膜的台阶而发生单元厚度不均，抑制显示品位降低。
上述多个导电构件可以包含导电性微粒。特别是在使用各向异性导电膜的情况下，由于各向异性导电膜中的导电性微粒，外部连接端子的导电层被环状地切断，易于发生连接不良。根据本发明的显示装置，在包含导电性微粒的情况下，可以特别有效地抑制发生连接不良等不良。
发明效果
根据本发明的显示装置用基板和显示装置，可以实现进一步的窄边框化。
附图说明
图1是示出实施方式1的液晶显示装置的边框部的结构的平面示意图。
图2是示出实施方式1的液晶显示装置的边框部的结构的截面示意图，(a)是沿着图1中的A-B线的截面图，(b)是沿着图1中的C-D线的截面图。
图3-1是示出实施方式2的液晶显示装置的边框部的结构的平面示意图。
图3-2是示出实施方式2的液晶显示装置的边框部的结构的截面示意图，是沿着图3-1中的E-F线的截面图。
图4是示出实施方式2的液晶显示装置的边框部的结构的变形例的平面示意图。
图5-1是示出实施方式2的液晶显示装置的边框部的结构的变形例的平面示意图。
图5-2是示出实施方式2的液晶显示装置的边框部的结构的变形例的截面示意图，是沿着图5-1中的G-H线的截面图。
图6-1是示出实施方式2的液晶显示装置的边框部的结构的变形例的平面示意图。
图6-2是示出实施方式2的液晶显示装置的边框部的结构的变形例的截面示意图，是沿着图6-1中的I-J线的截面图。
图7-1是示出实施方式2的液晶显示装置的边框部的结构的变形例的平面示意图。
图7-2是示出实施方式2的液晶显示装置的边框部的结构的变形例的截面示意图，是沿着图7-1中的K-L线的截面图。
图8-1是示出实施方式2的液晶显示装置的边框部的结构的变形例的截面示意图。
图8-2是示出实施方式2的液晶显示装置的边框部的结构的变形例的截面示意图，是沿着图8-1中的M-N线的截面图。
图9是示出实施方式2的液晶显示装置的边框部的结构的变形例的平面示意图。
图10是示出实施方式2的液晶显示装置的边框部的结构的变形例的平面示意图。
图11是示出实施方式2的液晶显示装置的边框部的结构的变形例的平面示意图。
图12是示出实施方式3的液晶显示装置的边框部的结构的平面示意图。
图13是示出实施方式3的液晶显示装置的边框部的结构的截面示意图，(a)是沿着图12中的P-Q线的截面图，(b)是沿着图12中的R-S线的截面图。
图14-1是示出比较方式1的液晶显示装置的边框部的结构的截面示意图。
图14-2是示出比较方式1的液晶显示装置的边框部的结构的截面示意图，是沿着图14-1中的T-U线的截面图。
图15是示出比较方式1的液晶显示装置的边框部的结构的变形例的平面示意图。
图16-1是示出实施方式2的液晶显示装置的边框部的结构的变形例的平面示意图。
图16-2是示出实施方式2的液晶显示装置的边框部的结构的变形例的截面示意图，是沿着图16-1中的V-W线的截面图。
具体实施方式
下面举出实施方式并参照附图更详细地说明本发明，但是本发明不限定于这些实施方式。
(实施方式1)
图1是示出实施方式1的液晶显示装置的边框部(显示区域外的外周部)的结构的平面示意图。图2是示出实施方式1的液晶显示装置的边框部的结构的截面示意图，(a)是沿着图1中的A-B线的截面图，(b)是沿着图1中的C-D线的截面图。
本实施方式的液晶显示装置100如图1、图2所示，具有如下构造：在液晶显示装置的边框部，通过ACF(Anisotropic Conductive Film：各向异性导电膜)180连接作为显示装置用基板的薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)基板111以及作为外部连接部件的FPC(Flexible Printed Circuits：柔性印刷电路)170和IC芯片175。FPC170和IC芯片175沿着俯视为矩形形状的TFT基板111的一边排列而配置。在本实施方式和后述的其它的实施方式中，FPC170可以仅由有柔软性的基材构成，也可以是对有柔软性的基材赋予硬质构件(刚性部分)的刚性FPC，下面以刚性FPC为例进行说明。包括聚酰亚胺等的有柔软性的基材部分被称为FPC，构成液晶控制器等的各种芯片、电阻、电容器等电子部件的搭载部分被称为刚性部分，将基材部分和刚性部分合起来称为刚性FPC。
液晶显示装置100除了TFT基板111以外，还具有与TFT基板111相对配置的CF基板。CF基板在绝缘基板上从绝缘基板侧起按顺序具备：(1)包括遮光构件的黑矩阵、红色、绿色以及蓝色的彩色滤光片；(2)外涂层；(3)包括透明导电膜的共用电极；以及(4)取向膜。由被设为框状的密封材料来密封TFT基板111和CF基板的外周部，而且，在TFT基板111和CF基板之间填充液晶材料。在比TFT基板111和CF基板相对的区域靠外侧的TFT基板111上配置刚性FPC170和IC芯片175。
刚性FPC170在基材172上形成有彼此平行地并列设置的多个配线171，该配线171发挥刚性FPC170的连接端子(连接部)的功能。在刚性FPC170中，搭载了构成液晶控制器等的各种芯片、电阻、电容器等电子部件。
IC芯片175具有信号输入用凸点176和信号输出用凸点177，该凸点176、177发挥IC芯片175的连接端子(连接部)的功能。IC芯片175利用COG(Chip On Glass：玻璃上芯片)方式以裸芯片形态安装到TFT基板111。此外，在IC芯片175上，通常制作有源极驱动器、栅极驱动器、电源电路、传感电路等，IC芯片175上制作的电路由在TFT基板111上制作的TFT的性能来决定。即，在TFT基板111上制作的TFT的性能根据其材质，例如是LPS(低温多晶硅)、CGS(连续晶界结晶硅)以及非晶硅中的哪一个而不同，因此，考虑由于在TFT基板111上制作的TFT，电路能否工作，电路规模是否变大，成品率是否降低等来决定在IC芯片175和TFT基板111上制作的电路。信号输入用凸点176被并列设置，信号输出用凸点177锯齿状、即交错地被设为两列。此外，IC芯片175当然也可以是LSI芯片。
在TFT基板111上形成：与刚性FPC170的配线171对应且彼此平行地并列设置为一列的多个外部连接端子141、与信号输入用凸点176对应且彼此平行地并列设置为一列的多个外部连接端子142以及与信号输出用凸点177对应且设为长方形的外部连接端子143。
覆盖外部连接端子141、142、143而设置ACF180。外部连接端子141经由ACF180中的作为导电构件的导电珠(导电性微粒)181与刚性FPC170的配线171连接，外部连接端子142经由导电珠181与信号输入用凸点176连接，外部连接端子143经由导电珠181与信号输出用凸点177连接。
外部连接端子141通过在其下层所形成的层间绝缘膜152中所设的接触孔131与配线连接部连接，所述配线连接部位于在层间绝缘膜152的下层所形成的作为下层配线的配线112的一个端部。此外，配线连接部是指配线的一部分，更详细地说，是与其它的配线、端子等导电构件连接(接触)的部分。配线112从外部连接端子141下延伸到外部连接端子142下，位于配线112的另一个端部的配线连接部通过在层间绝缘膜152中所设的接触孔132与外部连接端子142连接。由此，从刚性FPC170向IC芯片175提供信号、电源。
与位于TFT基板111的外周侧的外部连接端子141的端部对应地在同一轴上(与配线112的延伸方向平行的轴上)设置接触孔131。接触孔131位于与刚性FPC170的配线171重叠、但与ACF180不重叠的位置，配置在配线171与ACF180彼此重合的区域之外。因此，外部连接端子141在配线171与ACF180彼此重合的区域之外分别与配线112的任一个连接。即，外部连接端子141分别设有与刚性FPC170的配线171连接的部分(与导电珠181接触的部分)和与配线112连接的部分(与配线112的配线连接部接触的部分)。并且，与配线112连接的部分被配置为与刚性FPC170的配线171和ACF180两者不重叠。
与位于TFT基板111的外周侧的外部连接端子142的端部对应地在同一轴上(与配线112的延伸方向平行的轴上)设置接触孔132。接触孔132位于与信号输入用凸点176和ACF180均不重叠的位置。因此，外部连接端子142在信号输入用凸点176与ACF180彼此重合的区域之外分别与配线112的任一个连接。即，外部连接端子142分别设有与信号输入用凸点176连接的部分(与导电珠181接触的部分)和与配线112连接的部分(与配线112的配线连接部接触的部分)。并且，与配线112连接的部分被配置为与信号输入用凸点176和ACF180两者不重叠。
外部连接端子141和外部连接端子142沿着ACF180的配置区域排列，配线112在外部连接端子141、142下主要沿着外部连接端子141、142的排列方向并列设置。配线112在一个端部附近从位于TFT基板111的外周侧的配线起按顺序向同一方向侧(TFT基板111的外周侧，且与配线112的延伸方向正交的方向)弯曲。并且，在弯曲后的末梢设有与外部连接端子141接触的配线连接部。另外，配线112在另一个端部附近也从位于TFT基板111的外周侧的配线起按顺序向同一方向侧(TFT基板111的外周侧，且与配线112的延伸方向正交的方向)弯曲。并且，在弯曲后的末梢设有与外部连接端子142接触的配线连接部。这样，配线112具有俯视为“コ”字的形状。
另一方面，外部连接端子143通过在层间绝缘膜152中所设的接触孔133与配线连接部连接，所述配线连接部位于层间绝缘膜152的下层所形成的作为下层配线的共用配线115的一个端部。共用配线115从外部连接端子143下延伸，通过外部连接端子141下，与TFT基板111上制作的元件，例如半导体元件、电容器、电阻连接。上述半导体元件通常是晶体管，更详细地说，是TFT。每个共用配线115与2个以上的元件，例如半导体元件、电容器、电阻连接，提供共用的信号、电源。由此，向TFT基板111上制作的各元件，例如半导体元件、电容器、电阻提供由IC芯片175所生成的输出信号、输出电源。
接触孔133与位于TFT基板111的内侧的外部连接端子143的端部对应地设为锯齿状。接触孔133位于与信号输出用凸点177和ACF180均不重叠的位置。因此，外部连接端子143在信号输出用凸点177和ACF180彼此重合的区域之外分别与共用配线115的任一个连接。即，外部连接端子143分别设有与信号输出用凸点177连接的部分(与导电珠181接触的部分)和与共用配线115连接的部分(与共用配线115的配线连接部接触的部分)。并且，与共用配线115连接的部分被配置为与信号输出用凸点177和ACF180两者不重叠。
外部连接端子141和外部连接端子143沿着ACF180的配置区域排列，共用配线115在外部连接端子141、143下主要沿着外部连接端子141、143的排列方向并列设置。共用配线115在一个端部附近从位于TFT基板111的内侧的配线起按顺序向同一方向侧(TFT基板111的内侧，且与共用配线115的延伸方向正交的方向)弯曲。并且，在弯曲后的末梢设有与外部连接端子143接触的配线连接部。这样，共用配线115具有俯视为“L”字的形状。
另外，在TFT基板111的与刚性FPC170重叠的区域和与IC芯片175重叠的区域，直接制作有包括TFT129、迂回配线130的电路块146。在电路块146内，形成源极驱动器、栅极驱动器、电源电路等与IC芯片175不重复的电路。
下面，更详细地说明液晶显示装置100的截面构造。
TFT基板111如图2的(a)和图2的(b)所示，具有如下构造：在边框部，在绝缘基板121上，从绝缘基板121侧起按顺序层叠基底膜122、半导体层123、栅极绝缘膜124、第一配线层161、层间绝缘膜151、第二配线层162、层间绝缘膜152、第三配线层163以及透明导电层164。TFT129包含半导体层123、栅极绝缘膜124、包括第一配线层161的栅极电极125，在半导体层123的源极、漏极区域，通过贯通层间绝缘膜151和栅极绝缘膜124的接触孔，连接有包括第二配线层162的源极、漏极配线128。
另外，由第一配线层161形成迂回配线130。由第二配线层162形成配线112和共用配线115，用第三配线层163与透明导电层164的层叠体来形成外部连接端子141、142、143。TFT基板111与刚性FPC170以及TFT基板111与IC芯片175分别隔着ACF180被热压接，由此，由ACF180所包含的导电珠181连接，并且被ACF180所包含的包括热固化性树脂等的粘接成分182固定。
另外，热压接时，会隔着导电珠181对外部连接端子141、142、143和与其对应的刚性FPC170的配线171、IC芯片175的信号输入用凸点176及信号输出用凸点177施加压力。因此，在施加该压力的区域(配线171、信号输入用凸点176以及信号输出用凸点177与导电珠181重叠的区域)，假设设置接触孔131、132、133的情况下，在接触孔内，第三配线层163与透明导电层164的层叠体的膜厚有时薄于其它部分，热压接时，有可能在该区域外部连接端子141、142、143会被压坏，发生连接不良。特别是将ACF180所包含的导电珠181用作导电构件的情况下，担心外部连接端子141、142、143会被环状地切断，频繁地发生连接不良。
与此相对地，在液晶显示装置100中，当俯视TFT基板111时，在刚性FPC170的配线171、IC芯片175的信号输入用凸点176以及信号输出用凸点177分别与导电珠181重叠的区域之外配置接触孔131、132、133。因此，热压接时，使导电珠181仅与外部连接端子141、142、143的上面较厚的部分接触，可以防止热压接时隔着导电珠181对接触孔131、132、133内的膜厚较薄部分的外部连接端子141、142、143施加压力。其结果是：可以抑制起因于外部连接端子141、142、143的压坏而在TFT基板111、刚性FPC170、TFT基板111以及IC芯片175之间发生连接不良。
另外，根据现有的批量生产技术水平，配线112、共用配线115等的配线群的配线宽度和配线间隔(线与间隙)的微细化在使用了干式蚀刻的微细加工技术中可以达到2μm左右。另一方面，在将感光性有机绝缘膜用作配线群的上层所设的层间绝缘膜152且进行光刻的情况下，4μm左右的微细加工成为极限。因此，为了在该配线群上形成用于与外部连接端子141、142、143连接的接触孔131、132、133，从接触孔131、132、133的位置控制精度、接触孔131、132、133的微细加工精度方面来看，实际上，需要将接触孔131、132、133形成为大于配线群的宽度。因此，假设当仅在配线群的延伸部分上配置接触孔131、132、133时，担心各配线之间的距离也会变大，在外部连接端子141、142、143下能够配置的配线数有所减少。
与此相对地，在液晶显示装置100中，当俯视TFT基板111时，配线112横穿外部连接端子141、142而并行，并且从外侧的配线起按顺序相对于延伸方向(横穿外部连接端子141、142的方向)向同一方向侧弯曲，接触孔131、接触孔132与弯曲后的末梢(配线连接部)连接。另外，当俯视TFT基板111时，共用配线115横穿外部连接端子141、143而并行，并且从外侧的配线起按顺序相对于延伸方向(横穿外部连接端子141、143的方向)向相同的方向弯曲，接触孔133与弯曲后的末梢(配线连接部)连接。这样，在配线112和共用配线115的延伸部分上不配置接触孔131、132、133，由此即使将感光性有机绝缘膜用作层间绝缘膜152，也可以尽可能小地保持配线112、共用配线115等的配线群的线与间隙。另外，无论配线群的个数如何，均可以尽可能小地保持线与间隙。因此，无需减少在外部连接端子141、142、143下能够配置的配线数，因此，可以实现窄边框化。
另外，当俯视TFT基板111时，在同一直线上(更优选在与配线112的延伸方向平行的轴上)设置接触孔131、132，因此，与零散地，例如之字形地配置接触孔131、132的情况相比，可以确保每个接触孔131、132的大小，且可以抑制配置有接触孔131、132的整个区域的面积。即，可以进一步实现窄边框化。
此外，不特别限定接触孔131、132、133的平面形状，另外，接触孔131、132、133也可以分割为多个孔。
下面，说明实施方式1的液晶显示装置的制造方法的例子。
首先，作为前处理，对绝缘基板121进行清洗和预退火。不特别限定绝缘基板121，但是从成本等观点来看，优选是玻璃基板、树脂基板等。下面，进行下述(1)～(15)的工序。
(1)基底膜的形成工序
在绝缘膜121上，通过等离子体化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition：PECVD)法，按顺序形成膜厚为50nm的SiON膜和膜厚为100nm的SiOx膜，形成基底膜122。作为用于形成SiON膜的原料气体，可以举出四氢化硅(SiH4)、一氧化二氮(N2O)以及氨(NH3)的混合气体等。此外，优选作为原料气体使用正硅酸乙酯(Tetra Ethyl Ortho Silicate：TEOS)气体来形成SiOx膜。另外，基底膜122也可以包括作为原料气体使用四氢化硅(SiH4)和氨(NH3)的混合气体等所形成的氮化硅(SiNX)膜。
(2)半导体层的形成工序
通过PECVD法，形成膜厚为50nm的非晶硅(a-Si)膜。作为用于形成a-Si膜的原料气体，可以举出例如SiH4、乙硅烷(Si2H6)等。在通过PECVD法形成的a-Si膜中包含氢，因此，在约500℃下进行降低a-Si膜中的氢浓度的处理(脱氢处理)。接着，进行激光退火，通过使a-Si膜熔融、冷却以及结晶化来形成多结晶硅(多晶硅、p-Si)膜。在激光退火中，例如使用准分子激光。在p-Si膜的形成中，作为激光退火的前处理，(为了实现连续晶界结晶硅(CG-硅))，也可以不进行脱氢处理而涂覆镍等金属催化剂，进行热处理带来的固相生长。另外，作为a-Si膜的结晶化，也可以仅进行热处理带来的固相生长。下面，通过四氟化碳(CF4)和氧(O2)的混合气体进行干式蚀刻，图案化p-Si膜，形成半导体层123。
(3)栅极绝缘膜的形成工序
下面，作为原料气体使用TEOS气体来形成膜厚为45nm的包括氧化硅的栅极绝缘膜124。不特别限定栅极绝缘膜124的材质，也可以使用SiNx膜、SiON膜等。作为用于形成SiNx膜和SiON膜的原料气体，可以举出与在基底膜的形成工序中所述的相同的原料气体。另外，栅极绝缘膜124也可以是包括上述多个材料的层叠体。
(4)离子掺杂工序
为了控制TFT129的阈值，通过离子掺杂法、离子注入法等对半导体层123掺杂硼等杂质。更具体地说，对成为N沟道型TFT和P沟道型TFT的半导体层掺杂硼等杂质后(第一掺杂工序)，在通过抗蚀剂对成为P沟道型TFT的半导体层进行掩蔽的状态下，对成为N沟道型的半导体层进一步掺杂硼等杂质(第二掺杂工序)。此外，在不需要进行P沟道型TFT的阈值控制的情况下，也可以不进行第一掺杂工序。
(5)第一配线层的形成工序
下面，使用溅射法按顺序形成膜厚为30nm的氮化钽(TaN)膜和膜厚为370nm的钨(W)膜，接着，通过光刻法将抗蚀剂膜图案化为期望的形状，由此形成抗蚀剂掩模，其后，将调整氩(Ar)、六氟化硫(SF6)、四氟化碳(CF4)、氧(O2)、氯(Cl2)等的分量而制作的混合气体用作蚀刻气体进行干式蚀刻而形成第一配线层161。作为第一配线层16的材料，可以举出钽(Ta)、钼(Mo)、钼钨(MoW)等表面平坦且特性稳定的高熔点金属、铝(Al)等低电阻金属。另外，第一配线层161也可以是包括上述多个材料的层叠体。
(6)源极、漏极区域的形成工序
下面，为了形成TFT129的源极、漏极区域，将栅极电极125作为掩模，通过离子掺杂法、离子注入法等，对半导体层123高浓度地在N沟道型TFT中掺杂磷等杂质，在P沟道型TFT中掺杂硼等杂质。此时，根据需要，也可以形成LDD(Light Doped Drain：轻掺杂漏区)区域。接着，为了使在半导体层123中存在的杂质离子活性化，进行约700℃、6小时的热活性化处理。由此，可以提高源极、漏极区域的电传导性。此外，作为活性化的方法，还可以举出照射准分子激光的方法等。
(7)层间绝缘膜和接触孔的形成工序
下面，对绝缘基板121的整个面通过PECVD法形成膜厚为100～400nm(优选为200～300nm)的SiNx膜和膜厚为500～1000nm(优选为600～800nm)的TEOS膜，由此形成层间绝缘膜151。作为层间绝缘膜151，可以使用SiON膜等。另外，为了抑制瞬间劣化等造成的TFT特性降低，并且稳定TFT129的电特性，也可以在层间绝缘膜151的下层形成50nm左右的较薄的保护膜(例如，TEOS膜等)。下面，通过光刻法将抗蚀剂膜图案化为期望的形状，由此形成抗蚀剂掩模，其后，用氟酸类蚀刻溶液进行栅极绝缘膜124和层间绝缘膜151的湿式蚀刻，在栅极绝缘膜124和层间绝缘膜151中形成接触孔。此外，在蚀刻中也可以使用干式蚀刻。
(8)氢化工序
下面，为了利用从层间绝缘膜151的SiNx膜提供的氢来进行半导体层123的Si结晶的缺陷修正，在大约400℃下进行1小时热处理。
(9)第二配线层的形成工序
下面，通过溅射法等按顺序形成膜厚为100nm的钛(Ti)膜和膜厚为500nm的铝(Al)膜以及膜厚为100nm的Ti膜。下面，通过光刻法将抗蚀剂膜图案化为期望的形状，由此形成抗蚀剂掩模，其后，通过干式蚀刻图案化Ti/Al/Ti的金属层叠膜，形成第二配线层162。此外，作为构成第二配线层162的金属，也可以替代Al而使用Al-Si合金等。此外，在此，为了配线的低电阻化而使用了Al，但是在需要高耐热性且允许电阻值的某种程度的增加的情况下(例如，在采用短配线构造的情况下)，作为构成第二配线层162的金属，也可以使用上述的第一配线层161的材料(Ta、Mo、MoW、W、TaN等)。
(10)层间绝缘膜和接触孔的形成工序
下面，通过旋涂法等涂覆法，对绝缘基板121的整个面形成膜厚为1～5μm(优选为2～3μm)的感光性丙烯酸树脂膜等感光性树脂膜，由此形成层间绝缘膜152。作为层间绝缘膜152的材料，也可以使用非感光性丙烯酸树脂等非感光性树脂、感光性或者非感光性的聚烷基硅氧烷类、聚硅氮烷类、聚酰亚胺类戊酸甘油酯类树脂等。另外，作为层间绝缘膜152的材料，还可以举出含有甲基的聚硅氧烷(MSQ)类材料、多孔型MSQ类材料。作为层间绝缘膜152的材料，在使用感光性树脂的情况下，首先，通过形成有期望的形状的遮光图案的光掩模对感光性树脂膜进行感光(曝光)后，通过进行蚀刻(显影处理)来除去成为接触孔131、132、133的区域的感光性树脂膜。接着，进行感光性树脂膜的焙烧工序(例如，200℃、30分钟)。由此，层间绝缘膜152的开口部(孔部)的形状变得平缓，可以降低接触孔131、132、133的纵横比。另外，当最初除去层间绝缘膜152的接触部(成为接触孔131、132、133的部分)时，无需进行灰化(剥离)工序。此外，层间绝缘膜152也可以是层叠包括不同的材料的多个膜。
(11)第三配线层的形成工序
下面，通过溅射法等按顺序形成膜厚为100nm的钛(Ti)膜、膜厚为500nm的铝(Al)膜以及膜厚为100nm的Ti膜。下面，通过光刻法将抗蚀剂膜图案化为期望的形状，由此形成抗蚀剂掩模，其后，通过干式蚀刻图案化Ti/Al/Ti的金属层叠膜，形成第三配线层163。此外，作为形成第三配线层163的金属，也可以替代Al而使用Al-Si合金等。此外，在此，为了配线的低电阻化而使用了Al，但是在需要高耐热性且允许电阻值的某种程度的增加的情况下(例如，在采用短配线构造的情况下)，作为构成第三配线层163的金属，也可以使用上述的第一配线层161的材料(Ta、Mo、MoW、W、TaN等)。
(12)有机绝缘膜的形成工序
下面，通过旋涂法等形成膜厚为1～3μm(优选为2～3μm)的感光性丙烯酸树脂膜，由此在TFT基板111的显示区域形成有机绝缘膜。作为有机绝缘膜，也可以使用非感光性丙烯酸树脂膜等非感光性树脂膜、感光性或者非感光性的聚烷基硅氧烷类、聚硅氮烷类、聚酰亚胺类戊酸甘油酯类树脂等。另外，作为有机绝缘膜的材料，还可以举出含有甲基的聚硅氧烷(MSQ)类材料、多孔型MSQ类材料。在此，对基板121的整个面通过旋涂法等，涂覆膜厚为1～5μm(优选为2～3μm)的感光性丙烯酸树脂，例如萘醌类紫外线固化型树脂，由此形成有机绝缘膜。接着，通过形成了期望的形状的遮光图案的光掩模，对有机绝缘膜进行感光(曝光)后，通过进行蚀刻(显影处理)来除去成为接触孔的区域的有机绝缘膜。接着，进行有机绝缘膜的焙烧工序(例如，200℃、30分钟)。由此，有机绝缘膜51的开口部(孔部)的形状变得平缓，可以降低接触孔的纵横比。另外，当最初除去有机绝缘膜的接触部(成为接触孔的部分)时，无需进行灰化(剥离)工序。
(13)透明导电层的形成工序
下面，通过溅射法等形成膜厚为50～200nm(优选为100～150nm)的ITO(铟锡氧化物)膜、IZO(铟锌氧化物)膜后，利用光刻法图案化为期望的形状，形成透明导电层164。此时，在TFT基板111的显示区域，与各像素对应地矩阵状地形成像素电极。其后，对显示区域涂覆取向膜，并且进行取向膜的取向处理，由此完成TFT基板111。
此外，外部连接端子141、142、143可以由透明导电层164的单层形成，但是从降低外部连接端子141、142、143的电阻的观点来看，优选是作为最上层导电层的透明导电层164与作为最上层导电层的下面第一层的导电层的第三配线层163的层叠体。在仅由最上层导电层来形成外部连接端子141、142、143的情况下，最上层导电层通常是ITO膜等透明导电膜，片电阻值变得较高，但是采用与下层的电阻更低的导电层的层叠构造，由此可以期待降低外部连接端子141、142、143的片电阻值。此外，在除去下面第一层的导电层后采用最上层导电层与下面第二层的导电层(在本实施方式中为第二配线层162)的层叠构造的情况下，下面第二层的导电层的表面因为干式蚀刻等受到损坏，因此，下面第二层的导电层与最上层配线层的接触电阻增大，结果是端子电阻有可能增加。因此，从降低外部连接端子141、142、143的端子电阻的观点来看，在透明导电层164(最上层导电层)下保留有第三配线层163(下面第一层的导电层)。
(14)面板安装工序
下面，通过进行TFT基板111和CF基板的贴合工序、液晶材料的注入工序以及偏光板的贴附工序来制作液晶显示面板。作为注入液晶材料的方法，可以举出滴下注入法、真空注入法等。通过真空注入法，对TFT基板111和CF基板的贴合所用的密封材料的一部分预先设置液晶注入口，从那里注入液晶材料，其后，用紫外线固化树脂等密封液晶注入口。
另外，不特别限定液晶显示面板的液晶模式，例如，可列举扭转向列(TN：Twisted Nematic)模式、面内开关(IPS：In Plane Switching)模式、垂直取向模式(VA：Vertical Alignment)、VATN(Vertical Alignment Twisted Nematic：垂直取向扭转向列)模式、PSA(Polymer Sustained Alignment：聚合物稳定取向)模式等。另外，液晶显示面板也可以分割取向，在像素内形成有多个畴。而且，液晶显示面板可以是透射型，可以是反射型，也可以是半透射型(反射透射两用型)。并且，液晶显示面板的驱动方式可以变为单纯矩阵型。
(15)刚性FPC和IC芯片的贴附工序
下面，经由在粘接成分182(例如，热固化性环氧类树脂等热固化性树脂)中分散了导电珠181的ACF(各向异性导电膜)180来热压接TFT基板111和刚性FPC 170，并且热压接TFT基板111和IC芯片175。
其后，可以通过组合液晶显示面板和背光单元来完成本实施方式的液晶显示装置100。
(实施方式2)
图3-1是示出实施方式2的液晶显示装置的边框部(显示区域外的外周部)的结构的平面示意图。图3-2是示出实施方式2的液晶显示装置的边框部的结构的截面示意图，是沿着图3-1中的E-F线的截面图。
本实施方式的液晶显示装置200如图3-1、图3-2所示，具有如下构造：在边框部通过ACF280连接作为显示装置用基板的TFT基板211和作为外部连接部件的刚性FPC270。
液晶显示装置200除了TFT基板211以外，还具有与TFT基板211相对配置的CF基板。CF基板在绝缘基板上从绝缘基板侧起按顺序具备：(1)包括遮光构件的黑矩阵、红色、绿色以及蓝色的彩色滤光片；(2)外涂层；(3)包括透明导电膜的共用电极；以及(4)取向膜。由被设为框状的密封材料255密封TFT基板211和CF基板的外周部，而且，在TFT基板211和CF基板之间填充液晶材料。刚性FPC270配置在比TFT基板211和CF基板相对的区域靠外侧的TFT基板211上。
刚性FPC270在基材272上形成彼此平行地并列设置的多个配线271，该配线271发挥刚性FPC270的连接端子(连接部)的功能。在刚性FPC270上搭载有构成液晶控制器、电源IC等的各种芯片、电阻、电容器等电子部件。
在TFT基板211上，与刚性FPC270的配线271对应地形成彼此平行地并列设置为一列的外部连接端子241。
ACF280被设置为覆盖外部连接端子241。外部连接端子241经由ACF280中的作为导电构件的导电珠(导电性微粒)281与刚性FPC270的配线271连接。
外部连接端子241通过在其下层所形成的层间绝缘膜252中所设的接触孔231与配线连接部连接，所述配线连接部位于在层间绝缘膜252的下层所形成的作为下层配线的共用配线215的一个端部。共用配线215沿着TFT基板211的外周从外部连接端子241下延伸到不存在外部连接端子241的TFT基板211的其它的边框部，与TFT基板211上制作的元件，例如半导体元件、电容器、电阻连接。上述半导体元件通常是晶体管，更详细地说是TFT。每个共用配线215与2个以上的元件，例如半导体元件、电容器、电阻连接，提供共用的信号、电源。由此，从刚性FPC270向TFT基板211上制作的各元件，例如半导体元件、电容器、电阻提供信号、电源。
与位于TFT基板211的内侧的外部连接端子241的端部对应地在同一轴上(与共用配线215的延伸方向平行的轴上)设置接触孔231。接触孔231位于与ACF280和刚性FPC的配线271均不重叠的位置，配置于配线271与ACF280彼此重合的区域之外。因此，外部连接端子241在配线271与ACF280彼此重合的区域之外分别与共用配线215的任一个连接。即，外部连接端子241分别设有与刚性FPC270的配线271连接的部分(与导电珠181接触的部分)和与共用配线215连接的部分(与共用配线215的配线连接部接触的部分)。并且，与共用配线215连接的部分被配置为与刚性FPC270的配线271和ACF280两者不重叠。
另外，在ACF280和密封材料255之间，更详细地说，在刚性FPC270的配线271与ACF280彼此重合的区域和密封材料255之间设置接触孔231。
外部连接端子241沿着ACF180的配置区域排列，共用配线215在外部连接端子241下主要沿着外部连接端子241的排列方向并列设置。共用配线215在一个端部附近从位于TFT基板211的内侧的配线起按顺序向同一方向侧(TFT基板211的内侧，且与共用配线215的延伸方向正交的方向，图3-1中的右方向)弯曲。并且，在弯曲后的末梢设有与外部连接端子241接触的配线连接部。这样，共用配线215在一个端部附近具有俯视为“L”字的形状。
下面，进一步详细地说明液晶显示装置200的截面构造。
TFT基板211如图3-2所示，具有如下构造：在边框部，在绝缘基板221上，从绝缘基板221侧起按顺序层叠第二配线层262、层间绝缘膜252、第三配线层263以及透明导电层264。此外，在比第二配线层262靠下层侧的位置，与实施方式1同样地，按顺序层叠基底膜、半导体层、栅极绝缘膜、第一配线层以及层间绝缘膜。
由第二配线层262形成共用配线215，由第三配线层263与透明导电层264的层叠体形成外部连接端子241。TFT基板211和刚性FPC270隔着ACF280被热压接，由此，被ACF280所包含的导电珠281连接，并且被ACF280所包含的包括热固化性树脂等的粘接成分282固定。
热压接时，会隔着导电珠281对外部连接端子241和与其对应的刚性FPC270的配线271施加压力。因此，假设在施加该压力的区域(配线271与导电珠281重叠的区域)设置接触孔231的情况下，也会对位于接触孔231内且通常膜厚变薄部分的外部连接端子241施加压力。其结果是：热压接时，有可能该部分的外部连接端子241会被压坏，发生连接不良。特别是将ACF280所包含的导电珠281用作导电构件的情况下，担心外部连接端子241会被环状地切断，频繁地发生连接不良。
与此相对地，在液晶显示装置200中，当俯视TFT基板211时，在刚性FPC270的配线271与导电珠281重叠的区域之外配置接触孔231。因此，热压接时，使导电珠281仅与外部连接端子241的上面较厚的部分接触，可以防止热压接时隔着导电珠281对接触孔231内的膜厚较薄部分的外部连接端子241施加压力。其结果是：可以抑制起因于外部连接端子241的压坏而在TFT基板211和刚性FPC270之间发生连接不良。
另外，根据现有的批量生产技术水平，共用配线215等配线群的配线宽度和配线间隔(线与间隙)的微细化在使用了干式蚀刻的微细加工技术中可以达到2μm左右。另一方面，在将感光性有机绝缘膜用作配线群的上层所设的层间绝缘膜252且进行光刻的情况下，4μm左右的微细加工成为极限。因此，为了在该配线群上形成用于与外部连接端子241连接的接触孔231，从接触孔231的位置控制精度、接触孔231的微细加工精度方面来看，实际上，需要将接触孔231形成为大于配线群的宽度。因此，假设当仅在配线群的延伸部分上配置接触孔231时，担心各配线之间的距离也会变大，在外部连接端子231下能够配置的配线数有所减少。
与此相对地，在液晶显示装置200中，当俯视TFT基板211时，共用配线215横穿外部连接端子241而并行，并且从外侧的共用配线起按顺序相对于延伸方向(横穿外部连接端子241的方向)向相同的方向弯曲，接触孔231与弯曲后的末梢(配线连接部)连接。这样，在共用配线215的延伸部分上不配置接触孔231，由此即使将感光性有机绝缘膜用作层间绝缘膜252，也可以尽可能小地保持共用配线215的线与间隙。另外，无论共用配线215的个数如何，均可以尽可能小地保持线与间隙。因此，无需减少在外部连接端子241下能够配置的配线数，因此，可以实现窄边框化。
另外，当俯视TFT基板211时，在同一直线上(更优选在与共用配线215的延伸方向平行的轴上)设置接触孔231，因此，与零散地，例如之字形地配置接触孔231的情况相比，可以确保每个接触孔231的大小，且可以抑制配置有接触孔231的整个区域的面积。即，可以进一步实现窄边框化。
而且，当俯视TFT基板211时，在刚性FPC270的配线271与ACF280彼此重合的区域和密封材料255之间设置接触孔231。将ACF280和密封材料255之间的区域设计为从贴附ACF的定位精度和密封描画位置精度来看所必需的边缘区域，通常是热压接时不施加压力的区域。因此，在该边缘区域内配置接触孔231，由此可以抑制连接不良且将边框部的增加抑制到最小限度。
此外，不特别限定接触孔231的平面形状，另外，也可以将接触孔231分割为多个孔。
另外，可以用与实施方式1的液晶显示装置相同的制造方法来制作实施方式2的液晶显示装置，因此，省略其制造方法。
下面，说明本实施方式的变形例。
图4是示出实施方式2的液晶显示装置的边框部的结构的变形例的平面示意图。如图4所示，也可以在外部连接端子241的外侧(TFT基板211的外周侧)配置接触孔231。
图5-1是示出实施方式2的液晶显示装置的边框部的结构的变形例的平面示意图。图5-2是示出实施方式2的液晶显示装置的边框部的结构的变形例的截面示意图，是沿着图5-1中的G-H线的截面图。此外，在图5-1中，用虚线包围施加有压力的导电珠281。可以如图5-1、图5-2所示，在刚性FPC270所相邻的配线271之间配置接触孔231。在这种情况下，也可以防止热压接时隔着导电珠281对接触孔231内的膜厚较薄部分的外部连接端子241施加压力。
图6-1是示出实施方式2的液晶显示装置的边框部的结构的变形例的平面示意图。图6-2是示出实施方式2的液晶显示装置的边框部的结构的变形例的截面示意图，是沿着图6-1中的I-J线的截面图。可以如图6-1、图6-2所示，当俯视TFT基板211时，在比密封材料255靠TFT基板211的内侧(TFT基板211的中心侧)的位置配置接触孔231。即，当俯视TFT基板211时，接触孔231位于液晶层内。由此，可以提高外部连接端子241与共用配线215的接触部分的可靠性。
图7-1是示出实施方式2的液晶显示装置的边框部的结构的变形例的平面示意图。图7-2是示出实施方式2的液晶显示装置的边框部的结构的变形例的截面示意图，是沿着图7-1中的K-L线的截面图。可以如图7-1、图7-2所示，当俯视TFT基板211时，接触孔231与密封材料255重叠，TFT基板211具有在密封材料255内所形成的感光间隔物256。有时在密封材料255中含有作为间隔物的玻璃纤维，但是在为了实现窄边框化、提高可靠性而将接触孔231配置为与密封材料255重叠的情况下，有可能接触孔231内的膜厚较薄部分的外部连接端子241因为玻璃纤维会发生损伤、发生连接不良等不良。另一方面，感光间隔物256是通过使用光刻法来图案化感光性树脂或者非感光性树脂而形成的，因此，容易进行精确的位置控制。因此，即使与接触孔231重叠地设置密封材料255，通过将感光间隔物256用作间隔物，也可以使接触孔231与感光间隔物256不重叠。从上面的内容来看，根据本变形例，可以抑制连接不良等不良且可以实现窄边框化、提高可靠性。
此外，在本变形例中，接触孔231可以是全部与密封材料255重叠，也可以是一部分与密封材料255重叠。另外，也可以在CF基板侧形成感光间隔物256。
另外，本变形例是半透射型的液晶显示装置，用与外部连接端子241相同的结构来形成反射透射两用型的像素电极265。像素电极265是兼作构成反射部的反射性导电膜的下层导电膜266与兼作构成透射部的透明导电膜的上层导电膜267层叠而成的。通过溅射法等形成膜厚为350nm的铝(Al)膜后，用光刻法进行图案化，由此形成下层导电膜266。另外，通过溅射法等形成膜厚为100nm的IZO膜后，用光刻法进行图案化，由此形成上层导电膜267。
图8-1是示出实施方式2的液晶显示装置的边框部的结构的变形例的截面示意图。图8-2是示出实施方式2的液晶显示装置的边框部的结构的变形例的截面示意图，是沿着图8-1中的M-N线的截面图。可以如图8-1、图8-2所示，当俯视TFT基板211时，接触孔231与密封材料255重叠，TFT基板211在密封材料255下，更详细地说，至少在接触孔231与密封材料255重叠的区域具有绝缘膜257。另外，在密封材料255中含有作为间隔物的玻璃纤维258。由此，即使与接触孔231重叠地设置密封材料255，也可以抑制接触孔231内的膜厚较薄部分的外部连接端子241因为玻璃纤维258而发生损伤、发生连接不良等不良。即，即使根据该方式，也可以抑制连接不良等不良且实现窄边框化、提高可靠性。
在由有机绝缘膜形成层间绝缘膜252的情况下，当通过CVD法来形成绝缘膜257时，有机绝缘膜受到损坏。因此，优选通过溅射法等不会对层间绝缘膜带来损坏的方法来形成绝缘膜257。作为绝缘膜257的材质，可以举出例如氧化硅(SiO2等)，例如，可以在使用溅射法形成SiO2膜后，通过光刻法进行图案化，由此来形成绝缘膜257。
另外，在除去与相对基板的接触部分的、密封材料255的大致整个区域下配置绝缘膜257。由此，可以抑制起因于绝缘膜257的台阶而发生单元厚度不均、可以抑制降低显示质量。
此外，在本变形例中，接触孔231可以是全部与密封材料255重叠，也可以是一部分与密封材料255重叠。
图9～图11是示出实施方式2的液晶显示装置的边框部的结构的变形例的平面示意图。如图9所示，IC芯片275也可以与TFT基板211连接。IC芯片275具有信号输入用凸点276和信号输出用凸点277，该凸点276、277发挥IC芯片275的连接端子(连接部)的功能。IC芯片275利用COG(Chip On Glass：玻璃上芯片)方式以裸芯片形态安装到TFT基板211。
外部连接端子241与信号输入用凸点276和信号输出用凸点277连接，并且被引出到ACF280的外侧。并且，在与ACF280不重叠的区域内通过接触孔231与共用配线215连接。由此也可以防止热压接时隔着导电珠281对接触孔231内的膜厚较薄部分的外部连接端子241施加压力。
如果接触孔231与信号输入用凸点276、信号输出用凸点277不重叠并且与ACF280不重叠即可，因此，如图10所示，外部连接端子241也可以通过仅与ACF280重叠的接触孔231与共用配线215连接。
而且，也可以如图11所示，在与IC芯片275重叠的区域中的与信号输入用凸点276、信号输出用凸点277和ACF280重叠的区域除去后的区域内设置接触孔231，在该区域内，使外部连接端子241与共用配线251连接。由此，可以在与IC芯片275重叠的区域内配置外部连接端子241，因此，可以进一步实现窄边框化。
图16-1是示出实施方式2的液晶显示装置的边框部的结构的变形例的平面示意图。图16-2是示出实施方式2的液晶显示装置的边框部的结构的变形例的截面示意图，是沿着图16-1中的V-W线的截面图。在无需考虑起因于热压接的TFT基板211与FPC基板270的连接不良的影响的情况下，也可以如图16-1和图16-2所示，俯视TFT基板211时，在FPC基板270的配线271与导电珠281(ACF280)彼此重合的区域内配置接触孔231。由此，可以进一步实现窄边框化。
(实施方式3)
图12是示出实施方式3的液晶显示装置的边框部(显示区域外的外周部)的结构的平面示意图。图13是示出实施方式3的液晶显示装置的边框部的结构的截面示意图，图13的(a)是沿着图12中的P-Q线的截面图，图13的(b)是沿着图12中的R-S线的截面图。
本实施方式的液晶显示装置300如图12、图13的(a)和(b)所示，具有如下构造：在边框部通过ACF380连接作为显示装置用基板的TFT基板311和作为外部连接部件的刚性FPC370。
TFT基板311如图13的(a)和(b)所示，具有如下构造：在边框部，在绝缘基板321上，从绝缘基板321侧起按顺序层叠基底膜322、半导体层323、栅极绝缘膜324、第一配线层361、层间绝缘膜351、第二配线层362、层间绝缘膜352、第三配线层363以及透明导电层364。
液晶显示装置300除了TFT基板311以外，还具有与TFT基板311相对配置的CF基板。CF基板在绝缘基板上从绝缘基板侧起按顺序具备：(1)包括遮光构件的黑矩阵、红色、绿色以及蓝色的彩色滤光片；(2)外涂层；(3)包括透明导电膜的共用电极；以及(4)取向膜。由被设为框状的密封材料来密封TFT基板311和CF基板的外周部，而且，在TFT基板311和CF基板之间填充液晶材料。刚性FPC370配置在比TFT基板311和CF基板相对的区域靠外侧的TFT基板311上。
刚性FPC370在基材372上形成彼此平行地并列设置的配线371，该配线371发挥刚性FPC370的连接端子(连接部)的功能。在刚性FPC370中，搭载了构成液晶控制器、电源IC等的各种芯片、电阻、电容器等电子部件。
在TFT基板311上，形成与刚性FPC370的配线371对应且彼此平行地并列设置为一列的外部连接端子341。另外，在相邻的外部连接端子341之间，设有与外部连接端子341形成于同层的上层配线313。在与刚性FPC370的配线371不重叠的区域设置上层配线313。
覆盖外部连接端子341而设置ACF380(比图12中的粗的虚线靠上侧的区域)，外部连接端子341通过ACF380中的作为导电构件的导电珠(导电性微粒)381与刚性FPC370的配线371连接。
外部连接端子341和上层配线313使用第三配线层363与透明导电层364的层叠体形成，经由在刚性FPC370的配线371与ACF380重叠的区域外所设的迂回配线330连接。由第一配线层361和第二配线层362形成迂回配线330。更详细地说，由第二配线层362形成迂回配线330的两端部，迂回配线330的一个端部通过在层间绝缘膜352中所设的接触孔331，与在层间绝缘膜352的上层所形成的外部连接端子341连接，迂回配线330的另一个端部通过在层间绝缘膜352中所设的接触孔332，与在层间绝缘膜352的上层所形成的上层配线313连接。这样，迂回配线330的两端部发挥配线连接部的功能。
接触孔331与位于TFT基板311的内侧的外部连接端子341的端部对应地设置在同一轴上，并且设置在与ACF380不重叠的区域。接触孔331配置在刚性FPC370的配线371与ACF380彼此重合的区域之外，外部连接端子341在配线371与ACF380彼此重合的区域之外分别与迂回配线330的任一个连接。即，外部连接端子341分别设有与刚性FPC370的配线371连接的部分(与导电珠381接触的部分)和与迂回配线330连接的部分(与迂回配线330的配线连接部接触的部分)。并且，与迂回配线330连接的部分被配置为与刚性FPC370的配线371和ACF380两者不重叠。
接触孔332与位于TFT基板311的内侧的上层配线313的端部对应地设置在同一轴上，并且设置在与ACF380不重叠的区域。另外，接触孔332配置在刚性FPC370的配线371与ACF380重叠的区域之外，上层配线313在配线371与ACF380重叠的区域之外分别与迂回配线330的任一个连接。即，上层配线313的与迂回配线330连接的部分被配置为与配线371和ACF380两者不重叠。
另外，上层配线313通过在层间绝缘膜352中所设的接触孔333，与层间绝缘膜352的下层所形成的作为下层配线的共用配线315的任一个的配线连接部连接。共用配线315沿着TFT基板311的外周，即，外部连接端子341的排列方向(图12中的左右方向)横穿外部连接端子341下而并列设置，与TFT基板311上制作的元件，例如半导体元件、电容器、电阻连接。上述半导体元件通常是晶体管，更详细地说，是TFT。当俯视TFT基板311时，上层配线313与共用配线315大致正交。另外，共用配线315是传递信号的信号配线，每个共用配线315与2个以上的元件，例如半导体元件、电容、电阻连接，提供共用的信号。由此，从刚性FPC370所提供的各种信号经由外部连接端子341、迂回配线330、上层配线313以及共用配线315传递到TFT基板311上的各元件，例如半导体元件、电容、电阻。此外，共用配线315也可以与按顺序层叠了半导体层、栅极绝缘膜以及栅极电极的TFT的栅极电极连接。
接触孔333设置在与ACF380重叠的区域。但是，接触孔333配置在刚性FPC370的配线371与ACF380两者重叠的区域之外，上层配线313在配线371与ACF380重叠的区域之外分别与共用配线315的任一个连接。即，上层配线313的与共用配线315连接的部分被配置为与刚性FPC370的配线371和ACF380两者不重叠。
在比外部连接端子341靠TFT基板311的内侧的位置所设的ESD(静电放电)保护电路345与迂回配线330连接。而且，迂回配线330通过在层间绝缘膜352中所设的接触孔334，与由第二配线层362所形成的共用配线316的任一个连接。此外，ESD保护电路345与由第一配线层361所形成的连接各个ESD电路的共用配线327连接。另外，在与共用配线315、共用配线316等共用配线平行的同一轴上设置ESD保护电路345。迂回配线330的与ESD保护电路345连接的部分由第一配线层361形成，发挥高电阻区域339的功能。
另外，在TFT基板311的与刚性FPC370重叠的区域，直接制作包括TFT329、迂回配线的电路块346、347，并且，在TFT基板311的比外部连接端子341靠内侧的位置直接制作电路块348。在电路块346、347、348内形成有源极驱动器、栅极驱动器、电源电路。TFT329如图13的(a)所示，包含半导体层323、栅极绝缘膜324以及包括第一配线层361的栅极电极325，包括第二配线层362的源极、漏极配线328经由贯通层间绝缘膜351和栅极绝缘膜324的接触孔，连接到半导体层323的源极、漏极区域。
另外，由第二配线层362形成、向各像素传递图像信号的源极线326从电路块348开始延伸。另外，在TFT基板311上，设有由第二配线层362形成、发挥电源配线功能的共用配线317、318、由第三配线层363形成、发挥电源配线功能的共用配线319等。
TFT基板311和刚性FPC370隔着ACF380被热压接，由此由ACF380所包含的导电珠381连接，并且被ACF380所包含的包括热固化性树脂等的粘接成分382固定。
另外，热压接时，会隔着导电珠381对外部连接端子341和与其对应的刚性FPC370的配线371施加压力。因此，假设在施加有该压力的区域(配线371与导电珠381重叠的区域)设置接触孔331的情况下，也会对位于接触孔331内且通常膜厚变薄部分的外部连接端子341施加压力。其结果是：有可能热压接时该部分的外部连接端子341被压坏，发生连接不良。特别是在将ACF380所包含的导电珠381用作导电构件的情况下，担心外部连接端子341会被环状地切断，频繁地发生连接不良。
与此相对地，在液晶显示装置300中，当俯视TFT基板311时，接触孔331配置在刚性FPC370的配线371与导电珠381重叠的区域之外。因此，热压接时，使导电珠381仅与外部连接端子341的上面较厚的部分接触，可以防止热压接时隔着导电珠381对接触孔331内的膜厚较薄部分的外部连接端子341施加压力。其结果是：可以抑制起因于外部连接端子341的压坏而在TFT基板311和刚性FPC370之间发生连接不良。
此外，上层配线313设置在与刚性FPC370的配线317不重叠的区域，被配置为不与配线371直接连接。因此，即使导电珠381(ACF380)重叠在上层配线313上，热压接时，也不会隔着导电珠381对接触孔333内的膜厚较薄部分的上层配线313施加压力。
另外，上层配线313经由迂回配线330的配线连接部与外部连接端子341电导通，并且当俯视TFT基板311时，与刚性FPC370重叠，且包括与构成外部连接端子341的导电层相同的导电层。而且，上层配线313通过层间绝缘膜352的接触孔333与作为下层配线的共用配线315连接。由此，可以使ESD保护电路345等各种电路与外部连接端子341和共用配线315之间的电通路(在本实施方式中为迂回配线330)连接。即，可以边实现窄边框化，边实现TFT基板311的高性能化。例如，设置与外部连接端子341和上层配线313之间的电通路连接的ESD保护电路345，由此可以边抑制来自刚性FPC370的噪声、静电放电造成的半导体元件的劣化、破坏，边从刚性FPC370向TFT基板311上的半导体元件提供信号。
另外，在作为下层配线的共用配线315与TFT的栅极电极连接的情况下，通常膜厚较薄的栅极绝缘膜易于受到噪声、静电放电的影响，因此，更易于发生半导体元件的劣化、破坏。因此，在与外部连接端子341和上层配线313连接的共用配线315与TFT的栅极电极电导通的方式中，ESD保护电路345可以特别有效地抑制半导体元件的劣化、破坏。优选共用配线315各自与2个以上的半导体元件连接。上述半导体元件通常是晶体管，更形细地说，是TFT。此外，与共用配线315连接的TFT可以是从绝缘基板侧起按顺序层叠半导体层、栅极绝缘膜以及栅极电极的顶栅型，也可以是从绝缘基板侧起按顺序层叠栅极电极、栅极绝缘膜以及半导体层的背(底)栅型。
此外，通常无需使ESD保护电路与发挥电源配线功能的共用配线317、共用配线318以及共用配线319连接。
另外，在液晶显示装置300中，上层配线313与共用配线315交叉。由此，可以连接外部连接端子314和外部连接端子314下的任意的共用配线315。
而且，在液晶显示装置300中，上层配线313与共用配线315连接，并且迂回配线330与共用配线316连接。即，共用配线315、316内的至少2个配线与外部连接端子341和上层配线313之间的电通路连接。由此，可以对多个共用配线315、316传递相同电位的信号。
另外，由比共用配线316靠下层的第一配线层361形成与共用配线316交叉的部分的迂回配线330。即，遍及2层以上的配线层形成迂回配线330，经由2层以上的配线层连接外部连接端子341和上层配线313。由此，可以将迂回配线330的上层所设的配线316用作共用配线。
此外，不特别限定接触孔331、332、333、334的平面形状，另外，接触孔331、332可以仅由一个孔形成，接触孔333、334也可以分割为多个孔。
另外，ESD保护电路345也可以设在比外部连接端子341靠TFT基板311的外周侧的位置。
另外，可以用与实施方式1的液晶显示装置相同的制造方法来制作实施方式3的液晶显示装置，因此，省略其制造方法。
上面，用实施方式1～3说明本发明，也可以在不脱离本发明的宗旨的范围内适当组合各实施方式。
另外，在实施方式1～3中以液晶显示装置为例来说明本发明，本发明也可以适用于例如有机EL显示器、等离子体显示器、无机EL显示器等，特别优选用于具有排列有多个像素的显示区域的显示装置。
另外，不特别限定在边框部所形成的电路块(周边电路)，除了包括传输门、锁存电路、时序发生器、电源电路等所构成的逆变器等电路的驱动电路以外，也可以是缓冲电路、数字模拟转换电路(DAC电路)、移位寄存器、采样存储器等电路等。
而且，作为外部连接部件，只要是有源元件、无源元件、集成安装了无源元件的组装件、配线基板(电路基板)等与显示装置组合的构件即可，不特别进行限定。作为有源元件，可以举出半导体集成电路(IC芯片)、大规模集成电路(LSI芯片)等半导体元件。作为无源元件，可以举出电阻、LED(Light Emitting Diode：发光二极管)、电容器、传感器等。配线基板是在绝缘基板(基材)上和/或内设有配线的电子部件，可以举出例如PWB(Printed Wiring Board：印刷线路板)、FPC基板等印刷基板、TCP(Tape Carrier Package：卷带式封装件)等。此外，PWB也可以称为PCB(Printed Circuit Board：印刷电路板)。
并且，作为导电构件，只要是可以与TFT基板等显示装置用基板和外部连接部件连接的即可，不特别进行限定，除了各向异性导电膜、各向异性导电糊等各向异性导电材料所包含的导电性微粒(导电珠)以外，还可以使用焊料。
(比较方式1)
图14-1是示出比较方式1的液晶显示装置的边框部的结构的截面示意图。图14-2是示出比较方式1的液晶显示装置的边框部的结构的截面示意图，是沿着图14-1中的T-U线的截面图。
本比较方式的液晶显示装置1100如图14-1、图14-2所示，具有如下构造：在边框部通过ACF1180来连接作为显示装置用基板的TFT基板1111和作为外部连接部件的FPC基板1170。
FPC基板1170在基材1172上形成彼此平行地并列设置的配线1171，该配线1171发挥FPC基板1170的连接端子(连接部)的功能。
在TFT基板1111上，形成与FPC基板1170的配线1171对应且彼此平行地并列设置为一列的外部连接端子1141。
ACF1180被设置为覆盖外部连接端子1141，外部连接端子1141通过ACF1180中的作为导电构件的导电珠(导电性微粒)1181与FPC基板170的配线1171连接。
外部连接端子1141通过层间绝缘膜1152中所设的接触孔1131，与配线连接部连接，所述配线连接部位于层间绝缘膜1152的下层所形成的作为下层配线的共用配线1115的一个端部。共用配线1115沿着TFT基板1111的外周，从外部连接端子1141下延伸到无外部连接端子1141的TFT基板1111的其它的边框部，与TFT基板1111上制作的半导体元件连接。上述半导体元件通常是晶体管，更详细地说，是TFT。
在外部连接端子1141下，沿着外部连接端子1141的排列方向并列设置共用配线1115。并且，接触孔1131与共用配线1115的延伸方向的共用配线1115的前端对应地设置，并且设置在与ACF1180重叠的区域。另外，接触孔1131配置在FPC基板1170的配线1171与ACF 1180重叠的区域，外部连接端子1141在FPC基板1170的配线1171与ACF1180重叠的区域分别与共用配线1115的任一个连接。即，外部连接端子1141的与FPC基板1170的配线1171连接的部分(与导电珠1181接触的部分)和与共用配线1115连接的部分(与共用配线1115的配线连接部接触的部分)重叠。并且，与共用配线1115连接的部分被配置为与FPC基板1170的配线1171和ACF1180两者重叠。
TFT基板1111与FPC基板1170隔着ACF1180被热压接，由此，由ACF1180所包含的导电珠1181连接，并且被ACF1180所包含的包括热固化性树脂等的粘接成分1182固定。
另外，热压接时，会隔着导电珠1181对外部连接端子1141和与其对应的FPC基板1170的配线1171施加压力。另外，在该压力所施加的区域(配线1171与导电珠1181重叠的区域)存在接触孔1131，因此，还会对位于接触孔1131内且通常膜厚变薄部分的外部连接端子1141施加压力。其结果是：在本比较方式的液晶显示装置中，有可能热压接时该部分的外部连接端子1141被压坏，发生连接不良。特别是在将ACF1180所包含的导电珠1181用作导电构件的情况下，担心外部连接端子1141会被环状地切断，频繁地发生连接不良。
图15是示出比较方式1的液晶显示装置的边框部的结构的变形例的平面示意图。在本变形例中，将共用配线1115的配线连接部(共用配线1115的前端)设定为大于共用配线1115的宽度。另外，接触孔1131与上述比较方式的情况相比，也较大。
根据现有的批量生产技术水平，共用配线1115等配线群的配线宽度和配线间隔(线与间隙)的微细化在使用了干式蚀刻的微细加工技术中，可以达到2μm左右。但是，在将感光性有机绝缘膜用作配线群的上层所设的层间绝缘膜1152且进行光刻的情况下，4μm左右的微细加工成为极限。因此，为了在该配线群上形成用于与外部连接端子1141连接的接触孔1131，从接触孔1131的位置控制精度、接触孔1131的微细加工精度方面来看，如图15所示，需要将接触孔1131形成为大于配线群的配线宽度。另外，在配线群的延伸部分上配置接触孔1131，因此，各共用配线1115之间的距离B大于图14-1示出的情况下的距离A，在外部连接端子1141下能够配置的配线数有所减少。
此外，本申请以2008年12月5日提出申请的日本专利申请2008-311121号为基础，主张基于巴黎公约乃至进入国的法规的优先权。该申请的内容，其整体作为参照而被编入本申请中。
附图标记说明
100、200、300：液晶显示装置
111、211、311：TFT基板
112：配线(下层配线)
115、215、315、316、317、318、319、327：共用配线
121、221、321：绝缘基板
122、322：基底膜
123、323：半导体层
124、324：栅极绝缘膜
125、325：栅极电极
128、328：源极、漏极电极
129、329：TFT
130、330：迂回配线
131、132、133、231、331、332、333、334：接触孔
141、142、143、241、341：外部连接端子
146、346、347、348：电路块
151、152、252、351、352：层间绝缘膜
161、361：第一配线层
162、262、362：第二配线层
163、263、363：第三配线层
164、264、364：透明导电层
170、270、370：刚性FPC
171、271、371：配线(FPC的配线)
172、272、372：基材
175、275：IC芯片
176、276：信号输入用凸点
177、277：信号输出用凸点
180、280、380：ACF
181、281、381：导电珠(导线性微粒)
182、282、382：粘接成分
255：密封材料
256：感光间隔物
257：绝缘膜
258：玻璃纤维
265：像素电极
266：下层导电膜
267：上层导电膜
313：上层配线
326：源极线
339：高电阻区域
345：ESD(静电放电)保护电路

Claims (12)

1.一种显示装置用基板，其特征在于：
具有多个外部连接端子和通过上述多个外部连接端子下的多个下层配线，
上述显示装置用基板还具有位于上述多个外部连接端子和上述多个下层配线的层间并且设有多个连接孔的层间绝缘膜，
当俯视上述显示装置用基板时，上述多个下层配线横穿上述多个外部连接端子而并行，并且从外侧的下层配线起按顺序相对于延伸方向向同一方向侧弯曲，
上述多个外部连接端子各自通过上述多个连接孔的至少一个与上述多个下层配线的任一个的弯曲后的末梢部分连接。
2.根据权利要求1所述的显示装置用基板，其特征在于：
当俯视上述显示装置用基板时，上述多个连接孔设置在同一直线上。
3.一种显示装置，其特征在于：
具备权利要求1或者2所述的显示装置用基板。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于：
上述显示装置具备：具有多个连接部的外部连接部件、以及将上述显示装置用基板和上述外部连接部件电导通的多个导电构件，
上述多个外部连接端子各自经由上述多个导电构件的至少一个与上述多个连接部的任一个连接，
当俯视上述显示装置用基板时，上述多个连接孔配置在上述多个连接部与上述多个导电构件重叠的区域之外。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于：
上述显示装置还具有密封显示元件的密封材料。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于：
当俯视上述显示装置用基板时，上述多个连接孔配置在上述多个连接部与上述多个导电构件重叠的区域和上述密封材料之间。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于：
当俯视上述显示装置用基板时，上述多个连接孔配置在比上述密封材料更靠近上述显示装置用基板的内侧的位置。
8.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于：
当俯视上述显示装置用基板时，上述多个连接孔与上述密封材料重叠。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于：
上述显示装置用基板还具有在上述密封材料内所配置的感光间隔物。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于：
上述显示装置用基板还具有在上述密封材料下所形成的绝缘膜。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于：
上述绝缘膜配置在上述密封材料的大致所有的区域下。
12.根据权利要求4～11中的任一项所述的显示装置，其特征在于：
上述多个导电构件包含导电性微粒。
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