JP6862380B2

JP6862380B2 - 表示装置及び表示装置の製造方法

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Publication number: JP6862380B2
Application number: JP2018036158A
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Inventors: 弘幸矢吹; 津田　和彦; 和彦津田
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Description

本発明は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。

従来の表示装置では、薄膜トランジスタ基板と、この薄膜トランジスタ基板に対向するカラーフィルタ基板と、を含み、薄膜トランジスタ基板における、カラーフィルタ基板と対向する側、即ち表示面側の主面上には駆動ドライバを搭載するためのドライバ搭載領域が形成されている。薄膜トランジスタ基板は、平面視でカラーフィルタ基板よりも広く形成されており、カラーフィルタ基板と重畳する部分と、重畳しない部分とを有する。上述したドライバ搭載領域は、薄膜トランジスタ基板の表示面側の主面上における、平面視でカラーフィルタ基板と重畳しない部分に配置されている（特許文献１を参照）。

特開２０１０−１２６３９８号公報

上記従来の表示装置では、表示領域の周囲の額縁領域の面積を小さくする、いわゆる狭額縁化の実現が課題となっていた。即ち、上記従来の構成においては、薄膜トランジスタ基板の表示面側の主面上にドライバ搭載領域を設ける必要があるため、狭額縁化の実現が課題となっていた。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、表示装置の更なる狭額縁化を実現することにある。

本開示の表示装置は、貫通孔を有する第１のガラス基板と、前記第１のガラス基板の第１の主面に配置された配線と、前記第１のガラス基板の第２の主面に形成され、前記貫通孔を介して前記配線と電気的に接続された端子と、を含む。

本開示の表示装置の製造方法は、第１のガラス基板に貫通孔を形成する、貫通孔形成工程と、前記第１のガラス基板の第１の主面に配線を形成する、配線形成工程と、前記第１のガラス基板の第２の主面に、前記貫通孔を介して前記配線と電気的に接続された端子を形成する、端子形成工程と、を含む。

本開示に係る構成によれば、表示装置の更なる狭額縁化を実現することが可能となる。

図１は第１の実施形態に係る表示装置の裏面側を示す模式的な平面図である。図２は図１のII‐II線における断面構造を示す模式的な断面図である。図３は第１の実施形態に係る表示パネルにおける表示領域の概略構成を示す等価回路図である。図４は第１の実施形態に係る表示パネルの画素の構成を示す模式的な平面図である。図５は図４のＣ−Ｃ線における断面図である。図６は図４のＤ−Ｄ線における断面図である。図７は第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す模式的な平面図である。図８は第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す模式的な断面図である。図９は第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す模式的な平面図である。図１０は第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す模式的な断面図である。図１１は第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す模式的な平面図である。図１２は第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す模式的な断面図である。図１３は第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す模式的な断面図である。図１４は第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す模式的な断面図である。図１５は第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す模式的な断面図である。図１６は第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す模式的な平面図である。図１７は図１６のＡ―Ａ断面図である。図１８は第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す模式的な断面図である。図１９は第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す模式的な断面図である。図２０は第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す模式的な断面図である。図２１は第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す模式的な断面図である。

［第１の実施形態］
以下、第１の実施形態について、図面を用いて説明する。

［液晶表示装置］
本開示の第１の実施形態における表示装置について、図面を用いて以下に説明する。なお、本実施形態においては、液晶表示装置を例に挙げて説明するが、その他、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイなど、ガラス基板上にアクティブマトリクスが形成された表示装置であれば、本開示は有効である。

図１は、第１の実施形態に係る表示装置１の裏面側を示す模式的な平面図であり、図２は、図１のII‐II線における断面構造を示す模式的な断面図である。

表示装置１は、表示パネル１０と、駆動ドライバ（例えば、ソースドライバＩＣ２０、ゲートドライバＩＣ３０）と、制御回路（図示せず）と、バックライト装置（図示せず）とを含んで構成されている。表示パネル１０は、薄膜トランジスタアレイを含む薄膜トランジスタ基板１００と、薄膜トランジスタ基板１００と対向する対向基板２００と、両基板間に配置された液晶層３００と、を含んでいる。薄膜トランジスタ基板１００の第１の主面（表示面側）と、対向基板２００の第２の主面（背面側）の間には、液晶層３００の外周を囲うシール部材３１０が配置され、シール部材３１０が、薄膜トランジスタ基板１００と対向基板２００とを接着固定している。液晶層３００は、薄膜トランジスタ基板１００と対向基板２００とシール部材３１０とにより囲まれて配置されており、液晶層３００に含まれる液晶が、シール部材３１０の内周側に封入されている。

表示パネル１０は、領域で大別すると、画像を表示する表示領域と、表示領域の周囲の非表示領域（額縁領域）とを含んでいる。従来の構成であれば、薄膜トランジスタ基板１００における非表示領域に対応する領域に、駆動ドライバとしてのソースドライバＩＣ２０及びゲートドライバＩＣ３０等を搭載するためのドライバ搭載領域を設ける必要があったが、本実施形態に係る表示装置１では、駆動ドライバと接続される端子５０を、薄膜トランジスタ基板１００における背面側に配置している。そのため、平面的に見て、対向基板２００からはみ出すドライバ搭載領域を別途設ける必要がなく、薄膜トランジスタ基板１００を、対向基板２００より大きく形成する必要がない。その結果として、表示装置１の更なる狭額縁化を実現することができる。

また、対向基板２００からはみ出すドライバ搭載領域を別途設ける必要がないため、駆動ドライバと接続される端子５０が形成される端辺においても、平面視で、薄膜トランジスタ基板１００と対向基板２００とを重畳して形成することができる。すなわち、薄膜トランジスタ基板１００に含まれる第１のガラス基板１０１の外周と、対向基板２００に含まれる第２のガラス基板２０１の外周とが、全周で、平面視で重畳することになる。そのため、第１のガラス基板１０１と、第２のガラス基板２０１を、異なる形状に加工する必要がないため、生産性の向上を図ることも可能となる。

ソースドライバＩＣ２０及びゲートドライバＩＣ３０は、薄膜トランジスタ基板１００の背面側に配置された第１のガラス基板１０１上に直接搭載されている。すなわち、図１では、ＣＯＧ（Chip On Glass）方式の表示装置１を例示している。ソースドライバＩＣ２０及びゲートドライバＩＣ３０は、表示パネル１０の異なる２辺に沿って配置されている。尚、本実施形態では、ソースドライバＩＣ２０及びゲートドライバＩＣ３０を２個ずつ示しているが、それぞれの数は限定されない。また、本開示に係る表示装置１は、ＣＯＧ方式に限定されず、例えばＦＯＧ（Film On Glass）方式の表示装置１であってもよい。また、本実施形態においては、ソースドライバＩＣ２０及びゲートドライバＩＣ３０は、表示パネル１０の異なる２辺に沿って配置する例を示したが、双方が、一つの辺に沿って並べて配置される構成としても構わない。

本実施形態においては、図２に示すように、薄膜トランジスタ基板１００に含まれる第１のガラス基板１０１の第１の主面（表示面側）には、配線としてのソース線１１が形成されており、第２の主面（裏面側）には、端子５０が形成されている。更に、第１のガラス基板１０１は貫通孔６０を有している。この貫通孔６０を介して第１のガラス基板１０１の第１の主面（表示面側）に配置されたソース線１１と、第２の主面（裏面側）に配置された端子５０と、が電気的に接続されている。より具体的には、第２の主面に形成された端子５０が、貫通孔６０内にまで形成され、第１の主面（表示面側）においてソース線１１と接続されている。このような構成により、駆動ドライバ（図１、図２に示す例では、ソースドライバＩＣ２０）と接続される端子５０を、薄膜トランジスタ基板１００における背面側に配置することが可能となる。

なお、図２に示す例においては、第１のガラス基板１０１における第２の主面（背面側）に配置されたソースドライバＩＣ２０と、第１の主面（表示面側）に配置されたソース線１１とが貫通孔６０を介して電気的に接続される例を説明したが、図１に示すゲートドライバＩＣ３０とゲート線についても同様に、第１のガラス基板１０１に設けられた貫通孔６０を介して互いに電気的に接続される構成としている。

更に、本実施形態においては、図２に示すように、第１のガラス基板１０１の第１の主面（表示面側）とソース線１１との間に導体膜７０を介在させている。導体膜７０は、平面視で貫通孔６０と重畳しており、ソース線１１及び端子５０と電気的に接続されている。そして、この導体膜７０が、ソース線１１に含まれる材料よりも、イオン化傾向が小さい材料を含有する構成としている。詳しくは、表示装置の製造方法の欄で後述するが、貫通孔６０を形成する際にエッチング工程を含む場合、ソース線１１と比較して、エッチング溶液に対する耐エッチング性が高い材料で構成された導体膜７０を介在させておくことにより、当該エッチング工程において、ソース線１１が腐食されるのを抑制することができる。

なお、第１のガラス基板１０１と第２のガラス基板２０１とを張り合わせるシール部材を３１０の外縁が、平面視で、貫通孔６０よりも第１のガラス基板１０１における外縁側に配置される構成とすることが望ましい。このような構成とすることにより、上述したエッチング工程において、エッチング溶液が、第１のガラス基板１０１と第２のガラス基板２０１との間に浸入し、端子５０と、ソース線１１、導体膜７０との接続部を腐食するのを抑制することができる。

本実施形態においては、図２に示すように、端子５０の背面側には導電性フィルム８０が配置され、更にその背面側にはソースドライバＩＣ２０が配置されている。導電性フィルム８０は、例えば異方性導電膜（Anisotropic Conductive Film）であり、絶縁性の接着フィルムの中にニッケルや金などの導電性の微粒子が分散されたものを用いることができる。導電性フィルム８０の背面側から、ソースドライバＩＣ２０を押し付けることにより、異方性導電膜が加圧され、接着フィルムに含まれる導電性の微粒子が、ソースドライバＩＣ２０と端子５０との間を電気的に接続する。

なお、ソースドライバＩＣ２０を、導電性フィルム８０の背面側から押し付ける際には、導電性フィルム８０のみならず、第１のガラス基板１０１内においても応力が発生する。そのため、図２に示すように、シール部材３１０が、平面視で導電性フィルム８０と重畳する構成としておくことが望ましい。このような構成により、第１のガラス基板１０１に加わる応力をシール部材３１０により吸収させることができ、第１のガラス基板１０１が割れることを抑制することができる。

なお、この導電性フィルム８０が、平面視で、貫通孔６０と重畳しない構成とすることが望ましい。貫通孔６０が形成された領域は、機械的強度が他の領域に比べて弱くなっている可能性がある。そのため、導電性フィルム８０と貫通孔６０とが平面視で重畳しないように配置しておくことで、ソースドライバＩＣ２０を押し付けられる際に発生する応力が導電性フィルム８０を介して第１のガラス基板１０１に伝達される際においても、貫通孔６０が形成された領域に直接的に当該応力が加わるのを抑制することができるため、第１のガラス基板１０１が割れることを抑制することができる。

なお、シール部材３１０が、平面視で、貫通孔６０と重畳する構成とすることが望ましい。上述したとおり、貫通孔６０が形成された領域は、他の領域と比べて機械的強度が弱くなっているが、シール部材３１０を、平面視で貫通孔６０と重畳させておくことにより、貫通孔６０が形成された領域に加わる応力を、シール部材３１０で吸収させることができる。その結果として、第１のガラス基板１０１が割れることを抑制することができる。

図３は、表示パネル１０における表示領域の概略構成を示す等価回路図である。表示パネル１０には、第１方向（例えば行方向）に延在する複数のソース線１１と、第２方向（例えば列方向）に延在する複数のゲート線１２とが設けられている。各ソース線１１と各ゲート線１２との各交差部には、薄膜トランジスタ１３（以下、ＴＦＴという。）が設けられている。各ソース線１１は対応するソースドライバＩＣ２０（図１参照）に電気的に接続されており、各ゲート線１２は対応するゲートドライバＩＣ３０（図１参照）に電気的に接続されている。

表示パネル１０には、各ソース線１１と各ゲート線１２との各交差部に対応して、複数の画素１４がマトリクス状（行方向及び列方向）に配置されている。薄膜トランジスタ基板１００には、画素１４ごとに配置される複数の画素電極１５と、複数の画素１４に共通する共通電極１６と、が設けられている。

各ソース線１１には、対応するソースドライバＩＣ２０からデータ信号（データ電圧）が供給される。各ゲート線１２には、対応するゲートドライバＩＣ３０からゲート信号（ゲートオン電圧、ゲートオフ電圧）が供給される。共通電極１６には、コモンドライバ（図示せず）から共通配線１７を介して共通電圧Ｖｃｏｍが供給される。ゲート信号のオン電圧（ゲートオン電圧）がゲート線１２に供給されると、ゲート線１２に接続されたＴＦＴ１３がオンし、ＴＦＴ１３に接続されたソース線１１を介して、データ電圧が画素電極１５に供給される。画素電極１５に供給されたデータ電圧と、共通電極１６に供給された共通電圧Ｖｃｏｍとの差により電界が生じる。この電界により液晶を駆動してバックライトの光の透過率を制御することによって画像表示を行う。なお、カラー表示を行う場合は、ストライプ状のカラーフィルタで形成された赤色、緑色、青色に対応するそれぞれの画素１４の画素電極１５に接続されたそれぞれのソース線１１に、所望のデータ電圧を供給することにより実現される。

図４は、表示パネル１０の画素１４の具体的な構成を示す平面図である。図５は図４のＣ−Ｃ断面図であり、図６は図４のＤ−Ｄ断面図である。図４〜図６を参照しつつ、画素１４の具体的な構成について説明する。

図４において、表示パネル１０を平面的に見て、隣り合う２本のソース線１１と、隣り合う２本のゲート線１２とで区画された領域が１つの画素１４に相当する。各画素１４には、ＴＦＴ１３が設けられている。ＴＦＴ１３は、絶縁膜１０２（図５及び図６参照）上に形成された半導体層２１と、半導体層２１上に形成されたドレイン電極２２及びソース電極２３とを含んで構成されている。ドレイン電極２２はソース線１１に電気的に接続されており、ソース電極２３はスルーホール２４を介して画素電極１５に電気的に接続されている。

各画素１４には、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる画素電極１５が形成されている。画素電極１５は、複数の開口部（スリット）を有しており、ストライプ状に形成されている。開口部の形状は限定されない。各画素１４に共通して、表示領域の全体にＩＴＯ等の透明導電材料からなる１つの共通電極１６が形成されている。共通電極１６における、スルーホール２４及びＴＦＴ１３のソース電極２３に重なる領域には、画素電極１５とソース電極２３とを電気的に接続させるための開口部（図４の点線囲みに相当）が形成されている。

図５及び図６に示すように、表示パネル１０は、薄膜トランジスタ基板１００と、対向基板２００と、薄膜トランジスタ基板１００及び対向基板２００の間に挟持される液晶層３００と、を含んで構成されている。

薄膜トランジスタ基板１００では、ガラス基板１０１上にゲート線１２（図５参照）が形成され、ゲート線１２を覆うように絶縁膜１０２が形成されている。絶縁膜１０２上にはソース線１１（図６参照）が形成され、ソース線１１を覆うように絶縁膜１０３が形成されている。絶縁膜１０３上には共通電極１６が形成され、共通電極１６を覆うように絶縁膜１０４が形成されている。絶縁膜１０４上には画素電極１５が形成され、画素電極１５を覆うように配向膜１０５が形成されている。ガラス基板１０１における背面側には偏光板１０６が設けられている。

対向基板２００では、ガラス基板２０１上にブラックマトリクス２０３及び着色部２０２（例えば、赤色部、緑色部、青色部）を含むカラーフィルタ層２２０が形成され、これらを覆うようにオーバコート層２０４が形成されている。オーバコート層２０４上には配向膜２０５が形成されている。ガラス基板２０１における表示面側（液晶層３００側とは反対側）の面（表面）には導電層２０６が設けられており、導電層２０６における表示面側（液晶層３００側とは反対側）の面（表面）には偏光板２０７が設けられている。

液晶層３００には、液晶３０１が封入されている。液晶３０１は、誘電率異方性が負のネガ型液晶であってもよいし、誘電率異方性が正のポジ型液晶であってもよい。配向膜１０５、２０５は、ラビング配向処理が施された配向膜であってもよいし、光配向処理が施された光配向膜であってもよい。

［表示装置の製造方法］
次に、本開示の表示装置１の製造方法について説明する。本開示の表示装置１の製造方法は、配線形成工程Ｓ２と、貫通孔形成工程Ｓ４と、端子形成工程Ｓ６と、を含む。更に本実施形態においては、導体膜形成工程Ｓ１と、貼り合わせ工程Ｓ３と、個片化工程Ｓ５と、圧着工程Ｓ７と、を更に含む。

図７、９、１１は、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す模式的な平面図であり、第２のガラス基板の裏面側を示す。図８、１０、１２〜１９は、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示す模式的な断面図であり、図１に示したII-II線に対応する断面を示す。

本実施形態においては、まず、導体膜形成工程Ｓ１を行う。導体膜形成工程Ｓ１では、図７、８に示すように、第１のガラス基板１０１の第１主面（表示面側）に、導体膜７０を形成する。導体膜７０を構成する材料としては、例えば金や白金等、ソース線１１や、ゲート線１２と比較してイオン化傾向が小さい材料を用いることが望ましい。

次に、配線形成工程Ｓ２を行う。配線形成工程Ｓ２では、図９、１０に示すように、第１のガラス基板１０１の第１の主面（表示面側）に配線を形成する。当該配線にはソース線１１やゲート線１２が含まれており、図９においては、ソース線１１が、導体膜７０に電気的に接続されている例を示している。ソース線１１、及びゲート線１２は、ＴＦＴ１３を介して、画素電極１５と電気的に接続されている。

その後、貼り合わせ工程Ｓ３を行う。貼り合わせ工程Ｓ３では、図１１、１２に示すように、第１のガラス基板１０１と第２のガラス基板２０１とをシール部材３１０を用いて貼り合わせる。この貼り合わせ工程Ｓ３を行うに先立って、第２のガラス基板２０１を含む対向基板２００を準備しておくことが望ましい。なお、図１２に示すように、シール部材３１０と第１のガラス基板１０１との間に絶縁膜１０３が介在してもよく、シール部材３１０と第２のガラス基板２０１との間にカラーフィルタ層２２０、オーバコート層２０４が介在してもよい。

なお、この貼り合わせ工程Ｓ３においては、後述する貫通孔形成工程Ｓ４において形成する貫通孔６０を形成する位置６０Ａと、シール部材３１０とが、平面視で重畳するようシール部材３１０を配置する。また、シール部材３１０の外縁の少なくとも一部が、平面視で、貫通孔６０を形成する位置６０Ａよりも第１のガラス基板１０１における外縁側となるよう配置する。

なお、この貼り合わせ工程Ｓ３の前後で、液晶層３００を形成する液晶層形成工程を更に含んでもよい。第１の例としては、貼り合わせ工程Ｓ３において薄膜トランジスタ基板１００の表示面側にシール部材３１０を形成した後、そのシール部材３１０の内周側に液晶を滴下し、薄膜トランジスタ基板１００と対向基板２００とを貼り合わせ（Ｓ３）、その後、紫外線を照射してシール部材３１０を硬化させる方法である。第２の例としては、対向基板２００の背面側にシール部材３１０を形成した後、そのシール部材３１０の内周側に液晶を滴下し、薄膜トランジスタ基板１００と対向基板２００とを貼り合わせ（Ｓ３）、その後、紫外線を照射してシール部材３１０を硬化させる方法である。第３の例としては、先に薄膜トランジスタ基板１００と対向基板２００とを貼り合わせ（Ｓ３）、その後、液晶をシール部材３１０に囲われた領域内に注入する方法である。従って、液晶層形成工程と、貼り合わせ工程Ｓ３の前後関係は問わない。

次に、貫通孔形成工程Ｓ４を行う。本実施形態においては、貫通孔形成工程Ｓ４が、レーザ照射工程と、ウェットエッチング工程と、を含む。レーザ照射工程では、図１３に示すように、第１のガラス基板１０１にレーザ光を照射することにより、改質領域６０Ｂを形成する。そして、ウェットエッチング工程では、第１のガラス基板１０１を、酸又はアルカリのエッチング溶液に浸漬する。レーザ光が照射されて形成された改質領域６０Ｂは、他の部分よりもエッチングレートが速い。そのため、エッチング溶液によって、改質領域６０Ｂは他の部分より深くエッチングされ、図１４に示すように、貫通孔６０を形成することができる。このウェットエッチング工程において、第１のガラス基板１０１の薄型化を同時に行うことができる。

本実施形態においては、図１４に示すように、この貫通孔形成工程Ｓ４において、貫通孔６０が、平面視で導体膜７０と重畳するように貫通孔６０を形成する。導体膜形成工程Ｓ１において上述した通り、導体膜７０を構成する材料としては、例えば金や白金等、ソース線１１や、ゲート線１２の主材料である銅やアルミニウムと比較してイオン化傾向が小さい材料を用いている。そのため、導体膜７０が、このウェットエッチング工程において用いるフッ酸、硫酸、硝酸などのエッチング溶液に対する耐エッチング性が、ソース線１１、ゲート線１２と比較して高くなっている。従って、平面視で導体膜７０と重畳するように貫通孔６０を設けることにより、エッチング溶液によって、ソース線１１、ゲート線１２が腐食されるのを抑制することができる。

なお、上述したとおり、貼り合わせ工程Ｓ３において、貫通孔６０を形成する位置６０Ａ（図１２参照）と平面視で重畳するように、シール部材３１０を配置していた。そのため、この貫通孔形成工程Ｓ４において、貫通孔６０は、シール部材３１０と平面視で重畳するよう形成される。

また、上述したとおり、貼り合わせ工程Ｓ３において、シール部材３１０の外縁の少なくとも一部が、平面視で、貫通孔６０を形成する位置６０Ａ（図１２参照）よりも第１のガラス基板１０１における外縁側となるように、シール部材３１０を配置していた。そのため、この貫通孔形成工程Ｓ４において、貫通孔６０よりも外縁側に、シール部材３１０の外縁の少なくとも一部が配置された構成となる。その結果、このウェットエッチング工程において、エッチング溶液が第１のガラス基板１０１と第２のガラス基板２０１との間に浸入し、端子５０と、ソース線１１、導体膜７０との接続部を腐食するのを抑制することができる。

なお、本実施形態においては、貫通孔形成工程Ｓ４が、レーザ照射工程とウェットエッチング工程とを含む例を説明したが、図１５に示すように、第１のガラス基板１０１の背面側において、貫通孔６０を形成する位置６０Ａを避けて、フォトリソグラフィによりレジスト９０を形成し、その後、ウェットエッチングを行い、貫通孔６０を形成した後に、このレジスト９０を剥離する工程を行ってもよい。ただし、薄膜トランジスタ基板１００が複数の表示パネル領域を含む大判基板である場合、後述する個片化工程Ｓ５までは、搬送時のストレスに耐えうるだけの機械的強度を担保するだけの厚みが必要となる。そのため、後述する個片化工程Ｓ５の後に、第１のガラス基板１０１の厚みを薄くする工程を設け、表示装置１の薄型化を図る場合がある。この薄型化の要望に対しては、貫通孔形成工程Ｓ４が、レーザ照射工程とウェットエッチング工程とを含む方法とすれば、このウェットエッチング工程において、第１のガラス基板１０１の薄型化を同時に行うことができるため、生産性が高く望ましい。

また、貫通孔形成工程Ｓ４が、レーザ照射工程とウェットエッチング工程とを含む方法とすれば、個片化工程Ｓ５と貫通孔形成工程Ｓ４とを、同一の工程で行うことができる。

即ち、図１６、１７、に示すように、個片化工程Ｓ５では、大判の薄膜トランジスタ基板１００及び対向基板２００を、複数の表示パネル領域の外縁ＣＬに沿ってレーザ光を照射する工程と、薄膜トランジスタ基板１００及び対向基板２００をエッチング溶液に浸漬し、複数の表示パネル領域に沿ってウェットエッチングする工程とを含む。従って、個片化工程Ｓ５におけるレーザ照射工程（図１６、１７における外縁ＣＬに沿ったレーザ照射）と、貫通孔形成工程Ｓ４におけるレーザ照射工程（図１６、１７における貫通孔を形成する位置６０Ａに沿ったレーザ照射）と、を同一工程にて行うとともに、個片化工程Ｓ５におけるウェットエッチング工程と、貫通孔形成工程Ｓ４におけるウェットエッチング工程と、を同一工程にて行うことにより、生産性の向上を図ることができる。

なお、この個片化工程Ｓ５において、薄膜トランジスタ基板１００及び対向基板２００は、同じ形状に形成することができる。即ち、端子５０が形成される端辺においても、第１のガラス基板１０１と、第２のガラス基板２０１とが、平面視で重畳するように、第１のガラス基板１０１と、第２のガラス基板２０１の端辺を形成することができる。その結果、２枚のガラス基板を異なる形状に加工する必要がなく、生産効率の更なる向上を図ることが可能となる。

次に、端子形成工程Ｓ６を行う。端子形成工程Ｓ６では、まず、図１８に示すように、貫通孔６０が形成された第１のガラス基板１０１の第２の主面（背面側）に、下地導電膜５０Ａを形成する。下地導電膜５０Ａの形成方法としては、例えばスパッタや無電解めっき法などを用いることができる。下地導電膜５０Ａは、第１のガラス基板１０１の背面側のみならず、貫通孔６０の内表面、及び貫通孔６０から露出する導体膜７０の一部にも形成される。

その後、図１９に示すように、端子５０を形成する位置を避けて、フォトリソグラフィによりレジスト９０を形成する。次に、図２０に示すように、下地導電膜５０Ａに給電を行いながら電界めっきを行うことにより、端子５０を形成する。このようにして、第１のガラス基板１０１の第２の主面（背面側）に、貫通孔６０を介して、ソース線１１などの配線と電気的に接続された端子５０を形成することができる。なお、本実施形態においては、端子５０が、導体膜７０を介してソース線１１などの配線と電気的に接続される。

この端子５０を形成した後に、アセトンなどを用いてレジスト９０を除去する。その後、ウェットエッチングにより、下地導電膜５０Ａにおける背面側が端子５０に覆われていない部分を除去する。

なお、図１９に示す例では、端子５０を形成する位置を避けて、レジスト９０を形成する例を示したが、図２１に示すように、端子５０を形成する位置にレジスト９０を形成する方法を用いてもよい。端子５０を形成する位置にレジスト９０を形成した後、下地導電膜５０Ａにおける背面側がレジスト９０に覆われていない部分を、ウェットエッチングにより除去する。その後、レジスト９０を、アセトンなどを用いて除去することにより、残存する下地導電膜５０Ａ自体を端子５０として用いてもよい。

上述した端子形成工程Ｓ６の後、圧着工程Ｓ７を行う。圧着工程Ｓ７では、図２に示すように、第１のガラス基板１０１の第２の主面（背面側）において、背面側から導電性フィルム８０を端子５０に圧着する。導電性フィルム８０は、例えば異方性導電膜であり、絶縁性の接着フィルムの中にニッケルや金などの導電性の微粒子が分散されたものを用いることができる。導電性フィルム８０の背面側から、ソースドライバＩＣ２０を押し付けることにより、異方性導電膜が加圧され、接着フィルムに含まれる導電性の微粒子が、ソースドライバＩＣ２０と端子５０との間を電気的に接続する。

なお、ソースドライバＩＣ２０を、導電性フィルム８０の背面側から押し付ける際には、導電性フィルム８０のみならず、第１のガラス基板１０１内においても応力が発生する。そのため、図２に示すように、平面視でシール部材３１０と重畳する位置において、導電性フィルム８０を端子５０に圧着する方法とすることが望ましい。このような方法により、第１のガラス基板１０１に加わる応力をシール部材３１０により吸収させることができ、第１のガラス基板１０１が割れることを抑制することができる。

なお、この圧着工程Ｓ７においては、平面視で、貫通孔６０と重畳しない位置において、導電性フィルム８０を端子５０に圧着する方法とすることが望ましい。貫通孔６０が形成された領域は、機械的強度が他の領域に比べて弱くなっている可能性がある。そのため、貫通孔６０が形成された領域を避けて、導電性フィルム８０を圧着することにより、この圧着工程Ｓ７において発生する応力が導電性フィルム８０を介して第１のガラス基板１０１に伝達される際においても、貫通孔６０が形成された領域に直接的に当該応力が加わるのを抑制することができる。その結果として、第１のガラス基板１０１が割れることを抑制することができる。

なお、貼り合わせ工程Ｓ３、及び貫通孔形成工程Ｓ４において上述した通り、本実施形態では、シール部材３１０と平面視で重畳するように、貫通孔６０を形成する方法を採用している。そのため、他の領域と比べて機械的強度が弱くなっている貫通孔６０が形成された領域が、この圧着工程Ｓ７においても、シール部材３１０と平面視で重畳された状態となっている。その結果、貫通孔６０が形成された領域に加わる応力を、シール部材３１０で吸収させることができる。その結果として、第１のガラス基板１０１が割れることを抑制することができる。

ただし、本実施形態に示したように、導体膜形成工程Ｓ１を貫通孔形成工程Ｓ４よりも前に行うことにより、貫通孔６０を形成するための位置制御が容易となるというメリットがある。即ち、貫通孔形成工程Ｓ４においてレーザ照射工程を行う場合（図１３参照）、導体膜形成工程Ｓ１において形成した導体膜７０を目印にレーザ光を照射することにより、適切な位置に貫通孔６０を形成することができる。また、貫通孔形成工程Ｓ４においてフォトリソグラフィによるレジスト９０を形成する場合（図１５参照）においても、導体膜形成工程において形成した導体膜７０を目印にレジスト９０を形成することができ、適切な位置に貫通孔６０を形成することができる。

以上、第１の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で上記実施形態から当業者が適宜変更した形態も本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでもない。

１表示装置、１０表示パネル、１１ソース線、１２ゲート線、１３ＴＦＴ、１４画素、１５画素電極、１６共通電極、１７共通配線、２０ソースドライバＩＣ、２１半導体層、２２ドレイン電極、２３ソース電極、２４スルーホール、３０ゲートドライバＩＣ、５０端子、５０Ａ下地導電膜、６０貫通孔、６０Ａ位置、６０Ｂ改質領域、７０導体膜、８０導電性フィルム、９０レジスト、１００薄膜トランジスタ基板、１０１ガラス基板、１０２絶縁膜、１０３絶縁膜、１０４絶縁膜、１０５配向膜、１０６偏光板、２００対向基板、２０１ガラス基板、２０２着色部、２０３ブラックマトリクス、２０４オーバコート層、２０５配向膜、２０６導電層、２０７偏光板、２２０カラーフィルタ層、３００液晶層、３０１液晶、３１０シール部材、Ｓ１導体膜形成工程、Ｓ２配線形成工程、Ｓ３貼り合わせ工程、Ｓ４貫通孔形成工程、Ｓ５個片化工程、Ｓ６端子形成工程、Ｓ７圧着工程。

Claims

貫通孔を有する第１のガラス基板と、
前記第１のガラス基板の第１の主面に配置された配線と、
前記第１のガラス基板の第２の主面に形成され、前記貫通孔を介して前記配線と電気的に接続された端子と、
前記第１のガラス基板の前記第２の主面側において、前記端子に電気的に接続された導電性フィルムと、を含み、
平面視で、前記貫通孔と前記導電性フィルムとが重畳しない、表示装置。
前記第１のガラス基板の前記第１の主面と前記配線との間に介在し、平面視で前記貫通孔と重畳し、前記配線及び前記端子と電気的に接続された導体膜を更に含み、
前記導体膜が、前記配線に含まれる材料よりも、イオン化傾向が小さい材料を含有する、
請求項１に記載の表示装置。
前記第１のガラス基板よりも表示面側に配置され、前記第１のガラス基板の第１の主面と対向するよう配置された第２のガラス基板を更に含み、
平面視で、前記端子が配置された前記第１のガラス基板の外周と、前記第２のガラス基板の外周と、が重畳する、
請求項１に記載の表示装置。
前記第１のガラス基板よりも表示面側に配置され、前記第１のガラス基板の第１の主面と対向するよう配置された第２のガラス基板と、
前記第１のガラス基板と前記第２のガラス基板とを張り合わせるシール部材と、
を更に含み、
平面視で、前記シール部材の外縁の少なくとも一部が、前記貫通孔よりも前記第１のガラス基板における外縁側に配置された、
請求項１に記載の表示装置。
前記第１のガラス基板よりも表示面側に配置され、前記第１のガラス基板の第１の主面と対向するよう配置された第２のガラス基板と、
前記第１のガラス基板と前記第２のガラス基板とを張り合わせるシール部材と、
を更に含み、
平面視で、前記シール部材と、前記貫通孔とが重畳する、
請求項１に記載の表示装置。
前記第１のガラス基板よりも表示面側に配置され、前記第１のガラス基板の第１の主面と対向するよう配置された第２のガラス基板と、
前記第１のガラス基板と前記第２のガラス基板とを張り合わせるシール部材と、
前記第１のガラス基板の前記第２の主面側において、前記端子に電気的に接続された導電性フィルムと、を更に含み、
平面視で、前記導電性フィルムと、前記シール部材と、が重畳する、
請求項１に記載の表示装置。
第１のガラス基板に貫通孔を形成する、貫通孔形成工程と、
前記第１のガラス基板の第１の主面に配線を形成する、配線形成工程と、
前記第１のガラス基板の第２の主面に、前記貫通孔を介して前記配線と電気的に接続された端子を形成する、端子形成工程と、
前記第１のガラス基板の前記第２の主面側において、背面側から導電性フィルムを前記端子に圧着する、圧着工程と、を含み、
前記圧着工程において、平面視で、前記貫通孔に重畳しない位置において、前記導電性フィルムを前記端子に圧着する、表示装置の製造方法。
前記配線形成工程前において、前記第１のガラス基板の前記第１の主面に導体膜を形成する、導体膜形成工程を更に含み、
前記配線形成工程において、前記導体膜に電気的に接続されるよう前記配線を形成し、
前記貫通孔形成工程において、平面視で前記導体膜と重畳するよう前記第１のガラス基板に前記貫通孔を形成し、
前記端子形成工程において、前記貫通孔を介して前記導体膜に電気的に接続されるよう前記端子を形成する、
請求項７に記載の表示装置の製造方法。
前記貫通孔形成工程は、酸又はアルカリのエッチング溶液を用いて、前記第１のガラス基板に前記貫通孔を形成するウェットエッチング工程を含み、
前記導体膜形成工程において、前記配線に含まれる材料よりも、前記エッチング溶液に対する耐エッチング性が高い材料を用いて前記導体膜を形成する、
請求項８に記載の表示装置の製造方法。
前記第１のガラス基板よりも表示面側に配置され、前記第１のガラス基板の前記第１主面と対向する第２のガラス基板を準備する、第２のガラス基板準備工程と、
平面視で、前記端子が形成される前記第１のガラス基板の端辺と重畳するように、前記第２のガラス基板の端辺を形成する、端辺形成工程と、を更に含む、
請求項７に記載の表示装置の製造方法。
前記第１のガラス基板よりも表示面側に配置され、前記第１のガラス基板の前記第１主面と対向する第２のガラス基板を準備する、第２のガラス基板準備工程と、
前記第１のガラス基板と前記第２のガラス基板とをシール部材を用いて貼り合わせる、貼り合わせ工程と、を更に含み、
前記貼り合わせ工程において、平面視で、前記シール部材の外縁の少なくとも一部を、前記貫通孔を形成する位置よりも前記第１のガラス基板における外縁側に配置する、
請求項７に記載の表示装置の製造方法。
前記第１のガラス基板よりも表示面側に配置され、前記第１のガラス基板の前記第１主面と対向する第２のガラス基板を準備する、第２のガラス基板準備工程と、
前記第１のガラス基板と前記第２のガラス基板とをシール部材を用いて貼り合わせる、貼り合わせ工程と、を更に含み、
前記貼り合わせ工程において、平面視で、前記シール部材を、前記貫通孔を形成する位置と重畳するように配置する、
請求項７に記載の表示装置の製造方法。
前記第１のガラス基板よりも表示面側に配置され、前記第１のガラス基板の前記第１主面と対向する第２のガラス基板を準備する、第２のガラス基板準備工程と、
前記第１のガラス基板と前記第２のガラス基板とをシール部材を用いて貼り合わせる、貼り合わせ工程と、を更に含み、
前記圧着工程において、平面視で、前記シール部材と重畳する位置において、前記導電性フィルムを前記端子に圧着する、
請求項７に記載の表示装置の製造方法。
前記第１のガラス基板を、複数のパネル領域に個片化する、個片化工程を更に含み、
前記個片化工程と前記貫通孔形成工程は、前記複数のパネル領域の外縁の少なくとも一部に沿って、および、前記貫通孔を形成する位置に、レーザを照射するレーザ照射工程を含む、
請求項７に記載の表示装置の製造方法。
前記第１のガラス基板を、複数のパネル領域に個片化する、個片化工程を更に含み、
前記個片化工程は、前記ウェットエッチング工程において、前記エッチング溶液を用いて、前記第１のガラス基板を前記複数のパネル領域に沿ってエッチングする工程を含む、
請求項９に記載の表示装置の製造方法。
前記導体膜形成工程を、前記貫通孔形成工程よりも前に行う、
請求項８に記載の表示装置の製造方法。