JP2011022182A - 横電界方式の液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
を提供すること。
【解決手段】他方の基板26の液晶32と接する側に金属製の遮光膜28が形成され、液
晶32と接する面と反対側の面には導電膜31が形成され、前記遮光膜28は、一方の基
板11に配設されている共通配線14と導電性部材36で接続され、導電膜31は接続体
38でグラウンド電位と接続されている横電界方式の液晶表示装置10において、他方の
基板26に形成された遮光膜28は、接続体38が形成される辺側の一部に平面視で接続
体38より幅広な切り欠き部28aが接続体38の形成される位置に対応して設けられ、
遮光膜28の切り欠き部28aに沿って、遮光膜28より厚さが厚い絶縁性樹脂からなる
突起30aが形成されている。
【選択図】図1
Description
なる静電シールドとしての導電膜と金属材料からなる遮光膜間の短絡故障の発生を抑制し
た横電界方式の液晶表示装置に関する。
板とカラーフィルター基板のうちのアレイ基板の内面側に一対の電極が互いに絶縁して設
けられており、概ね横方向の電界を液晶分子に対して印加するものである。この横電界方
式の液晶表示装置としては、一対の電極が平面視で重ならないIPS(In-Plane Switchi
ng)モードのものと、重なるFFS(Fringe Field Switching)モードのものとが知られ
ており、広い視野角を得ることができるという効果があるので、近年多く用いられるよう
になってきている。
するための一対の電極を備えており、他方の基板には電極を備えていない。そのため、他
方の基板側から静電気等に起因する電界が印加された場合、この電界は直接液晶に対して
作用するため、表示の異常が発生してしまうという課題がある。
カラーフィルター基板に静電気等に対するシールド機能を有する導電性材料で形成された
導電層や導電膜を設けることが行われている。
されている。すなわち、下記特許文献1に開示された液晶表示装置50によれば、図8に
示したように、シールド膜52が、外付けされた接続体53と第一および第二電極を有す
る基板54と対向する基板51の実装部の配線56とを介して所定電位に接続されている
。このような実装部の配線56と外付けの接続体53との利用によって、所定電位への接
続によって静電気対策の確実化を図ることが容易に可能となっている。
、静電気等に対しシールド機能を有する導電膜が形成されている。そして、導電膜には、
この導電膜に帯電した静電気を放電するために、外部のグラウンド(GND)電位と導電
性材料からなる接続体によって電気的に接続されている。
形成すると、高い遮光性を得るためには樹脂膜を厚く形成する必要があり、液晶表示装置
の薄型化が困難となる。そのため、液晶表示装置の薄型化に対処するためには、遮光性が
高い金属材料で形成された遮光膜を用いることとなる。しかし、横電界方式の液晶表示装
置においては、金属材料で遮光膜を形成して電気的にフローティング状態とすると、遮光
膜に静電気が帯電してしまい、表示画質に不具合が発生するおそれがある。この不具合を
解消するために、金属性の遮光膜は、帯電している静電気を共通配線に流して共通配線と
同電位とするため、導電性部材からなる例えばトランスファ電極により共通配線と電気的
に接続されている。なお、縦電界方式の液晶表示装置では、遮光膜と液晶との間に対向電
極が形成されているので、このような不都合は生じない。
た場合、カラーフィルター基板に形成されている遮光膜を金属材料で形成すると、この遮
光膜に電気的に接続されている共通配線と導電膜との間で短絡故障が発生するおそれがあ
る。
板51のシールド膜52上に配置されて当該シールド膜52に接続され、対向基板51の
端面を伝って素子基板54上へ至り、導通部55上へ延在して当該導通部55に接続され
、当該導通部55を介して配線56に接続されている。そのため、対向基板51の端面に
金属で構成された遮光膜が形成されていた場合に、この遮光膜と対向基板51の端面を伝
っている接続体53とが接してしまう可能性が大きくなり、シールド膜と遮光膜との間に
短絡故障が発生し易くなってしまう。
電膜とGND電位とを電気的に接続させる接続体が遮光膜と接することを抑制すれば上述
したような課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至ったものである。すな
わち、本発明の目的は、導電膜と外部の基板等を配線等で接続しても、導電膜と共通配線
間で短絡することを抑制することが可能な横電界方式の液晶表示装置を提供することにあ
る。
一対の基板の周縁部がシール材で張り合わされ、前記一対の基板間に液晶が封入され、
前記一対の基板の一方には第1電極と第2電極とが形成され、
前記第1電極と前記第2電極との間に生じる電界によって前記液晶が駆動される横電界
方式の液晶表示装置であって、
前記一対の基板の他方には、前記液晶と接する側の面には金属材料で形成された遮光膜
が形成され、前記液晶と接する面と反対側の面には導電性材料で形成された導電膜が形成
され、
前記他方の基板に形成された前記遮光膜は、前記一方の基板に配設されている共通配線
と導電性部材によって電気的に接続されており、
前記導電膜は導電性材料からなる接続体によってグラウンド電位と接続されている液晶
表示装置において、
前記他方の基板に形成された前記遮光膜は、前記接続体が形成される辺側の一部に平面
視で前記接続体より幅広な切り欠き部が前記接続体の形成される位置に対応して設けられ
、
前記遮光膜の前記切り欠き部に沿って、前記遮光膜より厚さが厚い絶縁性樹脂からなる
突起が形成されていることを特徴とする。
れる接続体が形成された辺側には、前記接続体より幅広な絶縁性樹脂からなる突起か形成
されている。このような構成とすると、接続体が形成される位置の遮光膜と接続体との間
に形成された突起により、接続体が突起を越えて遮光膜側に進入し難くなり、接続体と遮
光膜とが電気的に接触することが抑制される。そのため、本発明の液晶表示装置によれば
、遮光膜に電気的に接続されている共通配線と導電膜との間に生じる短絡を抑制すること
ができるようになる。
突起は、前記接続体が形成される辺側と、前記辺側に対して垂直な方向とに連続して形成
されていることが好ましい。
な方向にも突起が連続して形成されている。このような構成とすることで、液晶表示装置
における接続体が配置される辺に隣接する側面側においても接続体と遮光膜とが電気的に
接触することが抑制されるため、より遮光膜に電気的に接続されている共通配線と導電膜
との間に生じる短絡を抑制することができるようになる。加えて、接続体が形成されると
きに突起に高い応力がかかったとしても、垂直に形成された突起が存在していることによ
り、接続体と接する突起にかかる応力を分散させることができる。そのため、本発明の液
晶表示装置によれば、接続体の形成時に突起が破壊されることを抑制でき、より接続体と
遮光膜とが電気的に接触することを抑制することができる。
が形成される辺側と、前記辺側の両側の辺の外周に沿って形成されていることが好ましい
。
ので、遮光膜が切り欠かれても、遮光にはそれほど影響がでないため、コントラストが良
好な液晶表示装置が得られる。
柱状スペーサーが形成されており、
前記突起は、前記オーバーコート層又は前記柱状スペーサーと同じ材料及び同じ製造工
程で形成されていることが好ましい。
バーコート層又は柱状スペーサーと同じ材料及び同じ工程によって形成することができる
。従って、本発明の液晶表示装置によれば、特別な製造工程を設ける必要がなく突起を形
成することができる。
柱状スペーサーと同じ材料で形成された各層が積層されて形成されていることが好ましい
。
バーコート層及び柱状スペーサーと同じ材料で形成された各層を積層することで形成して
いる。そのため、本発明の液晶表示装置によれば、突起をオーバーコート層及び柱状スペ
ーサーと同じ材料を積層することで形成することにより各層の形成が短時間で済み、液晶
表示装置の製造を効率よくすることができる。さらに、オーバーコート層も柱状スペーサ
ーと同じ材料で形成される各層も従来の製造工程において同時に形成することができるの
で、特別な製造工程を設ける必要はない。
の他方よりも延在された延在部が形成され、前記延在部には前記グラウンド電位と接続す
るための導電パッドが形成されていることが好ましい。
気的に接続するための導電パッドが備えられている。導電パッドは、ある程度の大きさを
持って形成することができるので、外部のGND電位と導電パッドとを容易に電気的に接
続することができる。よって、本発明の液晶表示装置によれば、導電パッドを介して、外
部のGND電位と容易に且つ確実に接続することができるので、信頼性の高い液晶表示装
置を提供することができる。
よって接続されていることが好ましい。
導電パッドが形成されている、導電パッドは、ある程度の大きさを以て形成することがで
きるため、導電パッドとGND電位との間の電気的な接続を容易に行うことができる。よ
って、本発明の液晶表示装置によれば、導電パッドを介してGND電位との間を容易に且
つ確実に接続することができるので、信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる
。
の他方よりも延在された延在部が形成され、前記延在部には前記グラウンド電位と接続す
るための導電パッドが形成されており、
前記導電パッドと前記導電膜とが前記接続体によって接続されていることが好ましい。
できるので、接続体をこの導電パッドに容易に電気的に接続することができる。よって、
本発明の液晶表示装置によれば、導電パッドを介して、接続体及びGND電位を容易にか
つ確実に接続することができ、信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。
好ましい。
とGND電位及び導電パッドとの電気的な接続を容易に行うことができる。また、導電性
ペーストは、硬化前はやわらかく、隙間にも侵入しやすいが、本発明の液晶表示装置によ
れば、導電性ペーストが塗布される箇所には突起が形成されているため、導電性ペースト
が遮光膜に接することを抑制でき、導電性ペーストと遮光膜とが短絡することを抑制する
ことができるようになる。
下に示す各実施形態は、本発明の技術思想を具体化するためにFFSモードの液晶表示装
置を例にとって説明するものであって、本発明をこの実施形態に記載されたFFSモード
の液晶表示装置に特定することを意図するものではなく、本発明は特許請求の範囲に含ま
れるその他の実施形態のものにも等しく適応し得るものである。なお、この明細書におけ
る説明のために用いられた各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の
大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示しており、必ずしも実際の寸
法に比例して表示されているものではない。
成された面ないしは液晶と対向する側の面を示すものとし、「裏面」とは表示面側(カラ
ーフィルター基板の場合)ないしバックライト側(アレイ基板の場合)の面を示すものと
する。また、本発明における横電界方式の液晶表示装置は、液晶注入法を用いて製造され
たものにも適用可能であるが、以下においては液晶滴下(One Drop Fill:以下、「OD
F」という)法を用いて製造されたものを例として説明する。さらに、液晶表示装置はマ
ザー基板を用いて作製されるが、以下においては、説明の便宜上、1個のFFSモードの
液晶表示装置を代表して説明する。
[実施形態1]
る。本実施形態に係る液晶表示装置10は、図1に示すように、アレイ基板11及びカラ
ーフィルター基板26と、両基板11、26を貼り合わせるシール材33とを備え、アレ
イ基板11、カラーフィルター基板26及びシール材33により囲まれた領域に液晶32
が封入された、いわゆるCOG(Chip On Glass)型の液晶表示装置である。この液晶表
示装置10においては、シール材33により囲まれた内側の領域に表示領域34が形成さ
れており、この表示領域34の周囲に設けられる画像が認識されない領域が液晶表示装置
10の非表示領域35となる。また、実施形態1にかかる液晶表示装置10はODF法で
製造されたものであるため、液晶注入口は形成されていない。そして、カラーフィルター
基板26の裏面には静電シールドとしてのITO(Indium Thin Oxide)又はIZO(Ind
ium Zink Oxide)等からなる導電膜31(図3参照)が成膜されている。
動用の各種配線等が形成されたものである。このアレイ基板11はカラーフィルター基板
26よりもその長手方向の長さが長く、両基板11、26を貼り合わせた際に外部に延在
する延在部12aが形成されるようになっており、この延在部12aには駆動信号を出力
するICチップあるいはLSI等からなるドライバーIC40や導電パッド37等が設け
られている。また、このドライバーIC40からは、更に共通配線14が延在している。
さらに、この導電パッド37は、外部基板を通じてGND電位41と電気的に接続されて
いる(図5B参照)。なお、本実施形態1では、外部基板の一例としてFPC(Flexible
Printed Circuit)39を用いている。
3及び信号線17に加えて、複数本の走査線13間にこの走査線13と平行な複数本のコ
モン配線14aが設けられている。また、これらの走査線13、コモン配線14a及び露
出している透明基板12を覆うように酸化ケイ素又は窒化ケイ素等の無機絶縁材料からな
るゲート絶縁膜15が設けられている。そして、ソース電極S、ゲート電極G、ドレイン
電極D、及び半導体層16からなるスイッチング素子としての薄膜トランジスターTFT
(TFT:Thin Film Transistor)が走査線13及び信号線17の交差部近傍に形成され
ている。
絶縁材料からなるパッシベーション膜18が成膜され、さらに、アレイ基板11の表面を
平坦化するための有機絶縁材料からなる層間膜19が成膜されている。
ト絶縁膜15及びパッシベーション膜18を貫通するように第1のコンタクトホール20
が形成される。この第1のコンタクトホール20の形成には、乾式エッチング法の1種で
あるプラズマエッチング法や緩衝フッ酸による湿式エッチング法を採用し得る。これによ
り、コモン配線14aが露出される。
Oからなる透明導電性層が被覆され、フォトリソグラフィー法及びエッチング法によって
、それぞれの画素毎に層間膜19の表面に下電極21が形成される。このとき、それぞれ
の画素毎の下電極21は第1のコンタクトホール20を介してコモン配線14aと電気的
に接続される。従って、この下電極21は共通電極として作動する。
いし酸化ケイ素層からなる絶縁膜22が形成される。このとき、ドレイン電極D上のコン
タクトホール形成予定部分の層間膜19の表面も絶縁膜22によって被覆される。次いで
、フォトリソグラフィー法及びエッチング法によって、ドレイン電極D上のコンタクトホ
ール形成予定部分の層間膜19及び絶縁膜22に対して第2のコンタクトホール23が形
成される。
IZOからなる透明導電性層が被覆され、フォトリソグラフィー法及びエッチング法によ
って、それぞれの画素毎に絶縁膜22の表面に複数のスリット24が形成された上電極2
5が形成される。この上電極25は、第2のコンタクトホール23において薄膜トランジ
スターTFTのドレイン電極Dが電気的に接続されており、画素電極として作動する。こ
の後、表示領域34の上電極25を含む表面全体に配向膜(図示省略)が設けられること
により実施形態1の液晶表示装置10のアレイ基板11となる。なお、複数本の走査線1
3及び信号線17により囲まれた領域が1サブ画素領域PAとなる。
アレイ基板11の走査線13、信号線17及び薄膜トランジスターTFTに対応する位置
、並びに非表示領域35を被覆するように金属材料からなる遮光膜28が形成される。
色、例えば赤(R)、緑(G)、青(B)等のカラーフィルター層29が形成され、また
、遮光膜28及びカラーフィルター層29の表面が被覆されるようにオーバーコート層3
0が形成されている。このオーバーコート層30は絶縁性の透明な樹脂膜からなるもので
あり、カラーフィルター基板26の表面をできるだけ平坦にするとともに、カラーフィル
ター層29から不純物が液晶32内に拡散しないようにするために設けられているもので
ある。
ト38が形成された辺側の遮光膜28の一部に、平面視で導電性ペースト38より幅広な
切り欠き部28aが導電性ペースト38の形成される位置と導電性ペースト38が形成さ
れる辺側に対して垂直な方向とに連続して設けられている(図6A参照)。そして、この
遮光膜の切り欠き部28aに沿って、遮光膜28より厚さが厚い突起30aがオーバーコ
ート層30と同じ材料で形成されている(図6B参照)。なお、この突起については後述
する。
基板27の裏側には導電シールドとしての導電膜31がスパッタリング等で成膜されて、
本実施形態1のカラーフィルター基板26となる。
延在部12aに形成された導電パッド37とが、導電性材料からなる導電性ペースト38
で電気的に接続されている。
には、カラーフィルター基板26の遮光膜28とアレイ基板11の共通配線14を電気的
に接続する導電性部材、例えばトランスファ電極36が形成されている(図1、図5A参
照)。
11の表示領域34に液晶32が滴下され、カラーフィルター基板26の非表示領域35
には紫外光により硬化できる樹脂等で形成されたシール材33が塗布され、両基板11、
26が張り合わされる。その後、シール材33に紫外光を照射しシール材33を硬化させ
、アレイ基板11の延在部12aにドライバー40や導電パッド37等を設置し、導電性
ペースト38を塗布して本実施形態1にかかる液晶表示装置10が完成する。なお、カラ
ーフィルター基板26とアレイ基板11の間には、両基板のセルギャップを一定に保つた
めの柱状スペーサー42(図3参照)が形成されている。
式の液晶表示装置10'に対して導電性ペーストによって導電膜を導電パッドに電気的に
接続した場合とを対比して説明する。なお、従来の横電界方式の液晶表示装置10'につ
いては、実施形態1の液晶表示装置10と共通する構成には同一の符号を参照し、その詳
細な説明は省略する。
の遮光膜28とアレイ基板11の共通配線14がトランスファ電極36により電気的に接
続され、同電位となっている。これは、従来の横電界方式の液晶表示装置10'も同様で
ある。
に導電性ペースト38を塗布したときに、導電性ペースト38が遮光膜28'と接触して
しまう可能性がある。この場合、遮光膜28'は共通配線14と同電位とされているため
、導電性ペースト38で電気的に接続されている導電膜31との間で短絡故障が発生する
こととなる。
38が形成された辺側のカラーフィルター基板26に形成された遮光膜28は、遮光膜2
8の一部に平面視で導電性ペースト38より幅広な切り欠き部28aが導電性ペースト3
8の形成される位置と導電性ペースト38が形成される辺側に対して垂直な方向とに連続
して設けられている(図6A参照)。さらに、この遮光膜の切り欠き部28aに沿って、
遮光膜28より厚さが厚い突起30aがオーバーコート層30と同じ材料で形成されてい
る(図6B参照)。
8が形成される位置の遮光膜28と導電性ペースト38との間に形成された突起30aに
より、導電性ペースト38が突起30aを越えて遮光膜28側に進入し難くなり、導電性
ペースト38と遮光膜28とが電気的に接触することが抑制される。従って、実施形態1
の液晶表示装置10によれば、遮光膜28に電気的に接続されている共通配線14と導電
膜31との間に生じる短絡を抑制することができるようになる。
方向にも連続して形成されている(図6B参照)。このような構成とすることで、導電性
ペースト38を塗布した際に突起30aが形成されている辺に対して垂直な辺側からも導
電性ペースト38が突起30aを越えて遮光膜28を電気的に接触することが抑制される
。しかも、導電性ペースト38を塗布するときに突起30aに高い応力がかかったとして
も、垂直に形成された突起が存在していることにより、導電性ペースト38と接する突起
にかかる応力を分散させることができる。そのため、実施形態1の液晶表示装置10によ
れば、導電性ペースト38の形成時に突起30aが破壊されることを抑制でき、より導電
性ペースト38と遮光膜28とが電気的に接触することを抑制することができる
程を設ける必要がなく突起を形成することができる。
、これに限らず、柱状スペーサーと同じ材料で突起を形成してもよい。この場合でも、上
記と同様の効果を奏することができる。
[実施形態2]
じ材料で形成された例を示したが、実施形態2の液晶表示装置10Aでは、突起をオーバ
ーコート層及び柱状スペーサーと同じ材料を積層して形成した例を説明する。なお、実施
形態2の液晶表示装置10Aでは、実施形態1の液晶表示装置10とは突起の構成が異な
るのみなので、実施形態1の液晶表示装置10と共通する構成には同一の符号を参照し、
詳細な説明は省略する。
ペースト38が形成された辺側のカラーフィルター基板26に形成された遮光膜28は、
遮光膜28の一部に平面視で導電性ペースト38より幅広な切り欠き部28aが導電性ペ
ースト38の形成される位置と導電性ペースト38が形成される辺側に対して垂直な方向
とに連続して設けられている(図6A参照)。そして、本実施形態2の液晶表示装置10
Aでは、図7Aに示すように、この遮光膜の切り欠き部28aに沿って、遮光膜28より
厚さが厚い突起43がオーバーコート層30及び柱状スペーサー42と同じ材料で積層さ
れて形成されている。
ト層30を形成する工程と同時に突起30bを形成し、その後、柱状スペーサー42と同
じ材料で柱状スペーサー42を形成する工程と同時に突起42aを形成して、突起43を
積層して形成されている。
れば、上記実施形態1と同様に、図7Bに示すように、導電性ペースト38を塗布した際
、導電性ペースト38が形成される位置の遮光膜28と導電性ペースト38との間に形成
された突起43により、導電性ペースト38が突起43を越えて遮光膜28側に進入し難
くなり、導電性ペースト38と遮光膜28とが電気的に接触することが抑制される。
ことで形成することにより各層の形成が短時間で済み、液晶表示装置の製造を効率よくす
ることができる。さらに、突起43は、オーバーコート層30及び柱状スペーサー42と
同じ材料で形成されるため、各層の形成も従来の製造工程において同時に形成することが
できるので、特別な製造工程を設ける必要がなくなる。
が、この接続体は、これに限られず、導電性であればよい。
在部 13:走査線 14:共通配線 14a:コモン配線 15:ゲート絶縁膜 16
:半導体層 17:信号線 18:パッシベーション膜 19:層間膜 20:コンタク
トホール 21:下電極 22:絶縁膜 23:コンタクトホール 24:スリット 2
5:上電極 26:カラーフィルター基板 27:透明基板 28、28':遮光膜 2
8a:切り欠き部 29:カラーフィルター層 30:オーバーコート層 30a:突起
30b:突起 31:導電膜 32:液晶 33:シール材 34:表示領域 35:
非表示領域 36、36':トランスファ電極 37:導電パッド 38:導電性ペース
ト 40:ドライバー 41:グラウンド(GND)電位 42:柱状スペーサー 42
a:突起 43:突起 D:ドレイン電極 G:ゲート電極 S:ソース電極 PA:サ
ブ画素領域 TFT:薄膜トランジスター
Claims (9)
- 一対の基板の周縁部がシール材で張り合わされ、前記一対の基板間に液晶が封入され、
前記一対の基板の一方には第1電極と第2電極とが形成され、
前記第1電極と前記第2電極との間に生じる電界によって前記液晶が駆動される横電界
方式の液晶表示装置であって、
前記一対の基板の他方には、前記液晶と接する側の面には金属材料で形成された遮光膜
が形成され、前記液晶と接する面と反対側の面には導電性材料で形成された導電膜が形成
され、
前記他方の基板に形成された前記遮光膜は、前記一方の基板に配設されている共通配線
と導電性部材によって電気的に接続されており、
前記導電膜は導電性材料からなる接続体によってグラウンド電位と接続されている液晶
表示装置において、
前記他方の基板に形成された前記遮光膜は、前記接続体が形成される辺側の一部に平面
視で前記接続体より幅広な切り欠き部が前記接続体の形成される位置に対応して設けられ
、
前記遮光膜の前記切り欠き部に沿って、前記遮光膜より厚さが厚い絶縁性樹脂からなる
突起が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記遮光膜に形成された切り欠き部及び前記突起は、前記接続体が形成される辺側と、
前記辺側に対して垂直な方向とに連続して形成されていることを特徴とする請求項1に記
載の液晶表示装置。 - 前記切り欠き部は、前記他方の基板の接続体が形成される辺側と、前記辺側の両側の辺
の外周に沿って形成されていることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装置。 - 前記他方の基板には、オーバーコート層及び柱状スペーサーが形成されており、
前記突起は、前記オーバーコート層又は前記柱状スペーサーと同じ材料及び同じ製造工
程で形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶表示装置。 - 前記突起は、前記オーバーコート層及び前記柱状スペーサーと同じ材料で形成された各
層が積層されて形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶表示装置。 - 前記一対の基板の一方には、前記一対の基板の他方よりも延在された延在部が形成され
、前記延在部には前記グラウンド電位と接続するための導電パッドが形成されていること
を特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の液晶表示装置。 - 前記導電パッドは前記導電膜と前記接続体によって接続されていることを特徴とする請
求項6に記載の液晶表示装置。 - 前記一対の基板の一方には、前記一対の基板の他方よりも延在された延在部が形成され
、前記延在部には前記グラウンド電位と接続するための導電パッドが形成されており、
前記導電パッドと前記導電膜とが前記接続体によって接続されていることを特徴とする
請求項1〜7に記載の液晶表示装置。 - 前記接続体は、導電性ペーストであることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載
の液晶表示装置。
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