JP6088779B2 - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は表示装置に係り、特に画面周辺においても光漏れの少ない、かつ、端子部の信頼性の優れた液晶表示装置に関する。

液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して、ＴＦＴ基板の画素電極と対応する場所にカラーフィルタ等が形成された対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。

液晶表示装置はフラットで軽量であることから、色々な分野で用途が広がっている。携帯電話やＤＳＣ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｔｉｌｌ Ｃａｍｅｒａ）等には、小型の液晶表示装置が広く使用されている。液晶表示パネルでは、ＴＦＴ基板と対向基板とを周辺に形成されたシール材を用いて接着しているが、このシール材には紫外線硬化樹脂を用いる場合がある。しかし、周辺には、コントラストを上げるための遮光膜が形成されているので、紫外線がシール材まで透過しにくい。「特許文献１」では、ＴＦＴ基板と対向基板に互い違いに遮光膜を形成し、ＴＦＴ基板側と対向基板側の両方から紫外線を照射することによって、シール材を硬化する構成が記載されている。この構成においては、バックライトからの光は、ＴＦＴ基板側と対向基板側に互い違いに形成された遮光膜の存在によって、遮光することが出来る。

液晶表示パネル周辺におけるバックライトからの光漏れを防止するためには、対向基板の端部にまでブラックマトリクスを形成することが効果的である。しかし、ブラックマトリクスが対向基板の端部にまで形成されていると、ＴＦＴ基板と対向電極を合わせる時の合わせマークを対向基板側からは視認できなくなる。「特許文献２」では、これを対策するために、枠状にブラックマトリクスの存在しない部分を設け、この部分から合わせマークを視認できる構成が記載されている。

液晶表示パネルでは、ＴＦＴ基板と対向基板を接着するために、周辺にシール材を形成し、シール材の一部を開口して、液晶を注入する注入孔としている。「特許文献３」には、この注入孔からの光漏れを防止するために、注入孔付近に目合わせマークを形成し、遮光効果と、ＴＦＴ基板と対向基板の合わせ作業の両方を可能とする構成が記載されている。

特開２００７−１４０５６１号公報 特開２０１１−１７０１３４号公報 特開２００８−２５７０１４号公報

図６は、従来の液晶表示装置において、画面周辺からバックライトからの光が漏れて、画面周辺のコントラストを低下させるメカニズムを記載した断面模式図である。図６において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００とがシール材５０によって接着し、内部に液晶３００が充填されている。対向基板２００にはブラックマトリクス２０２が形成されているが、ブラックマトリクス２０２は、対向基板２００の端部にまで形成すると、ブラックマトリクス２０２の剥がれ等の問題を生ずるので、端部にまでは形成されていない。バックライトからの光の一部は、ＴＦＴ基板１００において、全反射を繰り返しながらＴＦＴ基板１００および対向基板２００の周辺から画面方向に出射する。

液晶表示パネルはフランジ４０１を有するフレーム４００によって収容されているが、ある角度で対向基板２００に入射する光は画面方向に出射し、コントラストを低下させることになる。これを防止するには、対向基板２００の端部にまで、ブラックマトリクス２０２を形成することが好ましい。しかし、液晶表示パネルは、多数の液晶表示パネルを形成したマザー基板からスクライビング等によって、個々に分離する。したがって、液晶表示パネルの端部は、機械的なストレスを受けるために、ブラックマトリクス２０２を端部にまで形成すると、対向基板２００の端部におけるブラックマトリクス２０２が剥離しやすくなるという問題が生ずる。

ブラックマトリクス２０２が対向基板２００の端部において、剥離したりすると、この部分から水分が侵入し、これが、ブラックマトリクス２０２と対向基板２００との界面を伝わって液晶表示パネルのシール部の内部にまで侵入し、液晶表示装置の信頼性を損ねる。

これを防止するために、ブラックマトリクス２０２は対向基板２００の端部にまで形成せず、その代わり、ＴＦＴ基板１００側に遮光金属２０をＴＦＴ基板１００の端部にまで形成することによって、液晶表示パネル周辺におけるバックライトに対する遮光効果を得ている品種が存在する。このような液晶表示パネルが４個形成されたマザー基板５００を図７に示す。マザー基板５００は通常は４個よりもはるかに多数の液晶表示パネルが形成されているが、図７はわかりやすくするために、４個の液晶表示パネルが形成されているとしている。

図７おいて、液晶表示パネルは、切断線４０に沿って、マザー基板５００から個々の液晶表示パネルに分離される。個々の液晶表示パネルにおいて、対向基板の表示領域１０の周辺にはブラックマトリクス２０２が端部付近にまで形成され、ＴＦＴ基板側には、ＴＦＴ基板の端部にまで、遮光金属２０が形成されている。すなわち、遮光金属２０は、切断線４０によって分断される。

ところで、マザー基板５００から、個々の液晶表示パネルを分離する場合、切断ライン４０は所定の公差をもってばらつく。この場合、図７における液晶表示パネルＤの端部にまで、確実に遮光金属２０を形成するために、遮光金属２０を液晶表示パネルＣ側にはみ出して形成する。

図８は、液晶表示パネルＣが液晶表示パネルＤから分離される際、液晶表示パネルＤの遮光金属２０の一部が液晶表示パネルＣの端子部の端部に残存している状態を示す平面図である。図８において、ＴＦＴ基板１００は対向基板２００よりも大きく形成され、ＴＦＴ基板１００が１枚となっている部分は、図示しないフレキシブル配線基板が接続される端子部１５０となっている。図８において、対向基板２００の周辺付近にまで、ブラックマトリクス２０２が形成され、ＴＦＴ基板１００の端子部１５０を除く端部にまで遮光金属２０が形成されている。

図８の端子部１５０の外側端部には、線状に図７における液晶表示パネルＤに形成された遮光金属２０が残っている。この遮光金属２０が存在することによって、後で説明するように、端子部１５０にフレキシブル配線基板を接続した場合、フレキシブル配線基板の配線が遮光金属２０によってショートされる危険が生ずる。

図９は図８のＡ−Ａ断面図である。図９において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００がシール材５０によって接着し、シール材５０の内側には液晶３００が封入されている。対向基板２００の内側にはブラックマトリクス２０２がシール材５０を超えて端部付近まで形成されている。ＴＦＴ基板１００側には、無機パッシベーション膜１０６の下に遮光金属２０がＴＦＴ基板１００の端部にまで形成されている。遮光金属２０がＴＦＴ基板１００の端部まで形成されているので、液晶表示パネルの端部からバックライトからの光が漏れてくることは無い。

図１０は図８のＢ−Ｂ断面図である。図１０において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００とがシール材５０によって接着している。対向基板２００の内側には端部付近までブラックマトリクス２０２が形成されている。ＴＦＴ基板１００は対向基板２００よりも大きく形成され、ＴＦＴ基板１００が１枚となっている部分は端子部１５０となっており、端子部１５０の端部には、図示しないフレキシブル配線基板が接続される。

図１０において、端子部１５０の端部には、マザー基板の状態において隣接していた液晶表示パネルの遮光金属２０が残っている。このように、遮光金属２０が残っていると、フレキシブル配線基板を接続したときに、フレキシブル配線基板の配線をショートする危険がある。

図１１はこの問題を説明する液晶表示パネルの端子部１５０付近の斜視図である。図１１において、ＴＦＴ基板１００に形成された端子部１５０にフレキシブル配線基板３０が接続されている。フレキシブル配線基板３０には、配線３１が形成されている。この配線３１は、大部分は絶縁樹脂によってコートされているが、フレキシブル配線基板３０の端子付近は、配線３１がむき出しになっている。

そうすると、ＴＦＴ基板１００の端部に残った、遮光金属２０によってフレキシブル配線基板３０の配線３１どうしがショートする危険が生ずる。フレキシブル配線基板は文字どおりフレキシブルなので、端子部１５０の端部付近で湾曲したりすると遮光金属２０とフレキシブル配線基板３０の配線３１が、例えば、図１１のＣ、Ｄで示す場所において接触すると、配線３１がショートする。

本発明の課題は、端子部１５０に接続されたフレキシブル配線基板３０の配線３１が端子部１５０の端部に残った遮光金属２０によってショートされることを防止することである。

（１）ＴＦＴと画素電極を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、カラーフィルタとブラックマトリクスが形成された対向基板がシール材によって接着し、内部に液晶が挟持され、前記ＴＦＴ基板が１枚となっている部分が端子部となっている液晶表示装置であって、前記ＴＦＴ基板には、前記端子部を除く部分においては、ＴＦＴ基板の端部にまで第１の遮光金属が形成され、前記端子部の外側端部の辺には、前記外側端部の辺に沿って第１の遮光金属が第１の幅をもって所定のピッチで配置し、前記端子部の外側端部の辺には、前記外側端部の辺に沿って第２の遮光金属が、絶縁膜を介して、前記第１の遮光金属の下側に第２の幅をもって前記所定のピッチで配置し、前記第１の遮光金属と前記第２の遮光金属は、平面で見てオーバーラップしている部分を持つことを特徴とする液晶表示装置。さらに、上記構成において、前記第１の遮光金属の前記第１の幅と前記第２の遮光金属の前記第２の幅は等しいことを特徴とする液晶表示装置としてもよい。

本発明の主な他の手段は次のとおりである。
（２）ＴＦＴと画素電極を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、カラーフィルタとブラックマトリクスが形成された対向基板がシール材によって接着した構成の液晶表示パネルが複数マザー基板に形成され、分離線に沿って、前記マザー基板から前記液晶表示パネルが分離される液晶表示装置の製造方法であって、前記マザー基板における第１の前記液晶表示パネルと第２の前記液晶表示パネルの境界における前記ＴＦＴ基板には、前記境界に沿って第１の遮光金属が第１の幅を持って所定のピッチで形成され、第２の遮光金属が前記第１の遮光金属の下側に絶縁層を介して第２の幅を持って前記所定のピッチで形成され、前記第１の前記液晶表示パネルと前記第２の前記液晶表示パネルを分離するときは、前記第１の遮光金属と前記第２の遮光金属が形成された領域において、分離されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。

本発明によれば、ＴＦＴ基板の端部まで、遮光金属を形成することが出来るので、液晶表示パネルの端部からのバックライトからの光漏れを防止することが出来るとともに、端子部にフレキシブル配線基板を接続しても、フレキシブル配線基板の配線が端子部の端部に残存した遮光金属によってショートされることは無い。したがって、本発明によれば、画面周辺までコントラストがよく、かつ、接続の信頼性が高い液晶表示装置を実現することが出来る。

ＩＰＳ−ＬＩＴＥの断面構造である。 本発明による液晶表示パネルが形成されたマザー基板である。 本発明による液晶表示パネルの平面図である。 本発明の液晶表示パネルの端子側から見た斜視図である。 本発明の液晶表示パネルにフレキシブル配線基板を接続した状態を示す斜視図である。 従来例における液晶表示パネル周辺からの光漏れを示す断面模式図である。 従来例の液晶表示パネルが形成されたマザー基板である。 従来例の液晶表示パネルの平面図である。 図８のＡ−Ａ断面図である。 図８のＢ−Ｂ断面図である。 従来例の液晶表示パネルにフレキシブル配線基板を接続した状態を示す斜視図である。

液晶表示装置には、ＩＰＳ（Ｉｎ Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｃｈｉｎｇ）方式、ＴＮ方式、ＶＡ方式等が存在するが、本発明は、そのいずれにも適用することが出来る。本発明は、ＴＦＴ基板において、金属遮光膜を基板の端部まで形成することによって液晶表示パネルの端部からの光漏れを防止する。したがって、遮光金属の配置との関係で、液晶表示パネルの断面構造を説明する。液晶表示装置には多くの種類の方式が存在するので、その全てを説明することは出来ないので、代表例として、いわゆるＩＰＳ−ＬＩＴＥ方式の断面構造について説明する。

図１は、ＩＰＳ−ＬＩＴＥと呼ばれているタイプの液晶表示装置であり、いわゆるコモントップタイプの断面図である。図１において、ガラスで形成されたＴＦＴ基板１００の上にゲート電極１０１が形成され、これを覆ってゲート絶縁膜１０２が形成されている。ゲート電極１０１はＡｌ合金、ＭｏＷ合金あるいはＭｏＣｒ合金、あるいはそれらの積層膜によって形成される。以後、ゲート電極と同時に形成される層をゲート層と称する。

ゲート絶縁膜１０２を挟んでゲート電極１０１の上方に半導体層１０３が形成されている。半導体層１０３の上には、ドレイン電極１０４とソース電極１０５がチャネル領域を挟んで対向して形成されている。ドレイン電極１０４は図示しない場所で、映像信号線（ドレイン線）１３３と接続している。ドレイン電極１０４およびソース電極１０５はＡｌ合金、ＭｏＷ合金あるいはＭｏＣｒ合金、あるいはそれらの積層膜によって形成される。以後ドレイン電極１０４あるいはソース電極１０５と同時に形成される層をＳＤ層と称する。

図１において、ドレイン電極１０４およびソース電極１０５を形成後、絶縁膜を介さずに、ＩＴＯによって画素電極１０７が平面ベタで形成される。画素電極と画素電極の間には、ＳＤ層と同時に形成される映像信号線１３３が存在している。

画素電極１０７の上にはＳｉＮ等によって無機パッシベーション膜１０６が形成され、無機パッシベーション膜１０６の上には、画素の部分にスリット１０９１を有するコモン電極１０９が形成される。コモン電極１０９は画面全体に共通に形成される。コモン電極１０９の電位を均一にするために、光が透過しない部分のコモン電極１０９の上にコモン金属１１０が形成される場合もある。コモン金属１１０はＡｌ合金、ＭｏＷ合金あるいはＭｏＣｒ合金、あるいはそれらの積層膜によって形成される。このコモン金属１１０を遮光金属として使用することも出来る。コモン電極あるいはコモン金属の上に形成される配向膜は、図１では省略されている。

図１において、液晶層３００を挟んで、対向基板２００が配置されている。対向基板２００にはブラックマトリクス２０２とカラーフィルタ２０１が形成され、これらを覆ってオーバーコート膜２０３が形成されている。オーバーコート膜２０３の上に形成される配向膜は図１では省略されている。図１のＴＦＴ基板１００において、画素電極１０７に電圧が印加されると、コモン電極１０９と画素電極１０７の間にスリット１０９１を通って電気力線が発生し、液晶分子３０１を回転させて液晶３００の透過率を画素毎に制御し、画像を形成する。以下に実施例を用いて本発明を詳細に説明する。

図２は本発明による液晶表示パネルが４個配置されたマザー基板５００の平面図である。一般には、マザー基板５００には、４個よりもはるかに多い液晶表示パネルが形成されるが、図２は図を複雑にしないために、マザー基板には４個の液晶表示パネルのみ配置されているとしている。

図２は、マザーＴＦＴ基板とマザー対向基板が重なった状態のマザー基板５００である。図２において、切断線４０に沿ってマザー基板５００から４個の液晶表示パネルが分離される。図２の各液晶表示パネルにおいて、表示領域１０を囲んで３辺には、切断線の外側にまで、第１遮光金属２１が形成されている。切断線４０の外側にまで、第１遮光金属２１を形成するのは、ＴＦＴ基板１００の端部にまで第１遮光金属２１を形成して、バックライトの光を確実に遮光するためである。

図２において、液晶表示パネルＡと液晶表示パネルＢとの境界において、液晶表示パネルＡの端子部１５０の端部にまで液晶表示パネルＢの第１遮光金属２１及び第２遮光金属２２が形成されている。液晶表示パネルＢの短辺端部において、確実に遮光金属２１、２２を形成するためである。この場合、遮光金属を１層で形成すると、従来例の図１１で示したような問題を生ずる。すなわち、遮光金属によって、フレキシブル配線基板３０の配線３１がショートされてしまうという問題を生ずる。

本発明は、図２に示すように、他の液晶表示パネルの端子部１５０と隣接する辺における遮光金属２０は互いに絶縁された２層の遮光金属２１，２２を形成することによってフレキシブル配線基板３０のショートを防止している。図２において、液晶表示パネルＢにおける液晶表示パネルＡとの境界部分では、液晶表示パネルＢにおいて、端部まで遮光金属２１，２２を確実に形成するために、液晶表示パネルＡの端子側の一部にまで遮光金属２１、２２形成されている。

しかし、液晶表示パネルＡの端子部１５０に形成された遮光金属は、１層ではなく、互いに絶縁された第１遮光金属２１と第２遮光金属２２の２層の遮光金属によって形成されている。第１遮光金属２１は例えば、ＳＤ層で形成され、第２遮光金属２２はゲート層で形成される。ＳＤ層とゲート層とはゲート絶縁膜１０２によって絶縁されている。したがって、フレキシブル配線基板３０の配線３１がＳＤ層とゲート層と別々に接触しても該配線がショートすることはない。

図２において、各液晶表示パネルにおける、遮光の大部分は第１遮光金属２１によって形成され、各液晶表示パネルの第１遮光金属２１は互いに接続し、アース線２３に接続される。液晶表示パネルの短辺において分断された第１遮光金属２１は、接続線２４によって接続される。液晶表示パネルの製造過程におけるＴＦＴ基板のラビング工程において、第１遮光金属２１が帯電することによる絶縁膜の破壊を防止するためである。

このように、各液晶表示パネルの第１遮光金属２１は、マザー基板５００の状態では、互いに接続し、アースに落とされるが、各液晶表示パネルを分離した後は、第１遮光金属２１はフロートの状態となる。一方、第２遮光金属２２は、面積が小さいので、マザー基板５００の状態においても、フロートとなっている。第１遮光金属２１と第２遮光金属２２とは、所定の幅を持って重なっている。斜め方向からの光も確実に遮光するためである。

図２における表示領域１０を３方から囲む配線は、最外配線１１であり、一般にはコモン配線である。図２の各液晶表示パネルの端子部１５０における点線はフレキシブル配線基板３０の位置を示している。図２の表示領域１０を囲む点線は、対向基板におけるブラックマトリクス２０２の端部を示している。図２において、２０２で示す点線よりも外側はブラックマトリクスは形成されておらず、この部分の遮光は、ＴＦＴ基板に形成された遮光金属２１、２２によることになる。

図３は、図２のマザー基板から１個の液晶表示パネルを分離した状態を示す平面図である。図３において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００が重なった部分に表示領域１０が形成され、表示領域１０を囲むように、コモン配線である最外配線１１が形成されている。表示領域１０および最外配線１１の外側を囲む点線は、ブラックマトリクス２０２の端部であり、この点線より内側にブラックマトリクス２０２が形成されている。逆にブラックマトリクス２０２の外側は、遮光金属２１，２２のみによってバックライトからの光を遮光する。

ＴＦＴ基板１００は対向基板２００よりも大きく形成され、ＴＦＴ基板１００が１枚となっている部分は、端子部１５０となっている。端子部１５０には、最外配線１１が延在している。端子部１５０には、この他に図示しない、ゲート配線引き出し線、映像信号線引き出し線等が表示領域から延在し、また、液晶表示パネルを駆動するためのＩＣドライバが載置される。

端子部１５０には、液晶表示パネルに信号や電源を供給するためのフレキシブル配線基板が接続するが、フレキシブル配線基板３０の接続位置は端子部における点線３０で示されている。端子部１５０の端部には、マザー基板において隣接する液晶表示パネルの遮光金属２１、２２の一部が形成されている。この部分の遮光金属は第１遮光金属２１と第２遮光金属２２の２層で形成されている。この２層の遮光金属は互いに絶縁されているので、フレキシブル配線基板の配線が第１遮光金属２１あるいは第２遮光金属２２と接触しても、フレキシブル配線基板の配線どうしがショートすることは免れる。

図３におけるように、液晶表示パネルが個々に分離された状態では、面積の広い第１遮光金属２１も面積の小さい第２遮光金属２２もフロートの状態となっている。第１遮光金属２１と第２遮光金属２２はゲート絶縁膜１０２を介して所定の幅を持って重なっている。斜め方向からのバックライトからの光を遮光するためである。

図４は、本発明を示す液晶表示パネルの斜視図である。図４は、フレキシブル配線基板はまだ接続されていない状態である。図４において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００が図示しないシール材を介して接着している。ＴＦＴ基板１００の端子部１５０の端部には、第１遮光金属２１と第２遮光金属２２からなる２層の遮光金属が形成されている。

図４において、第１遮光金属２１はＳＤ層で形成され、第２遮光金属２２はゲート層で形成されている。ゲート層２２の上にはゲート絶縁膜１０２が存在し、ＳＤ層の上にはパッシベーション膜１０６が存在している。したがって、端子部１５０の端部において、フレキシブル配線基板が接続し、フレキシブル配線基板の配線が第１遮光金属２１あるいは第２遮光金属２２のいずれかと接触してもフレキシブル配線基板の配線どおしがショートすることはない。

図４において、第１遮光金属の幅はｗ１であり、第２遮光金属の幅はｗ２である。第１遮光金属と第２遮光金属は平面で見てオーバーラップしており、オーバーラップ量はｒである。斜め方向からのバックライトからの光を遮光するためである。

図５は、図４に示す液晶表示パネルの端子部１５０にフレキシブル配線基板３０を接続した状態を示す斜視図である。図５において、ＴＦＴ基板１００の端子部１５０の端部には、第１遮光金属２１と第２遮光金属２２が別層で形成されている。端子部１５０に接続したフレキシブル配線基板３０の配線３１のうち、例えば、２本の配線３１がＡ点およびＢ点において、第１遮光金属２１と接触しても、第１遮光金属２１は分断されているので、フレキシブル配線基板３０の2個の配線３１はショートすることは無い。

また、Ａ点、Ｂ点が第２遮光金属２２と接触しても、第２遮光金属２２も分断されているので、フレキシブル配線基板３０の2個の配線３１はショートすることは無い。図５におけるＡ点が第１遮光金属２１に接触し、Ｂ点が第２遮光金属２２に接触した場合も、逆に、Ａ点が第２遮光金属２２にＢ点が第１遮光金属２１に接触した場合も同様に、フレキシブル配線基板３０の2個の配線３１がショートすることはない。

以上の説明では、第１遮光金属２１にＳＤ層を用い、第２遮光金属２２にゲート層を用いたが、この逆に、第１遮光金属２１にゲート層を用い、第２遮光金属２２にＳＤ層を用いてもよい。

このように、本発明によれば、バックライトの光を確実に遮光するために、ＴＦＴ基板１００の端部まで、遮光金属２１、２２を形成しても、端子部１５０において、フレキシブル配線基板３０の配線３１がショートすることを防止することが出来る。したがって、コントラストのよい、かつ、接続の信頼性がすぐれた液晶表示装置を実現することが出来る。

１０…表示領域、 １１…最外配線、 ２０…遮光金属、 ２１…第１遮光金属、 ２２…第２遮光金属、 ２３…アース線、 ２４…接続線、 ３０…フレキシブル配線基板、３１…フレキシブル配線基板の配線、 ４０…切断線、 ５０…シール材、 １００…ＴＦＴ基板、 １０１…ゲート電極、 １０２…ゲート絶縁膜、 １０３…半導体層、 １０４…ドレイン電極、 １０５…ソース電極、 １０６…パッシベーション膜、 １０７…画素電極、 １０９…コモン電極、 １１０…コモン金属、 １３３…映像信号線、 １５０…端子部、 ２００…対向基板、 ２０１…カラーフィルタ、 ２０２…ブラックマトリクス、 ２０３…オーバーコート膜、 ３００…液晶層、 ４００…フレーム、 ４０１…フランジ、 ５００…マザー基板、 １０９１…スリット

Claims (6)

1. ＴＦＴと画素電極とがマトリクス状に形成された画素部と、端子部とを有するＴＦＴ基板と、
   対向基板と、
   前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶とを有する液晶表示装置であって、
   前記ＴＦＴ基板には、前記ＴＦＴ基板の端部にまで第１の遮光金属が形成され、
   前記ＴＦＴ基板の前記端子部側の端部の辺には、前記辺に沿って第１の幅を有する第１の遮光金属、及び、絶縁膜を介して、前記第１の遮光金属とＴＦＴ基板との間に、第２の幅を有する第２の遮光金属、が設けられ、
   前記第１の遮光金属と前記第２の遮光金属とは、平面で見てオーバーラップしている部分を持つことを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記第１の遮光金属の前記第１の幅と前記第２の遮光金属の前記第２の幅は等しいことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記第１の遮光金属は、前記ＴＦＴのソース電極とドレイン電極と同層で形成され、
   前記第２の遮光金属は、前記ＴＦＴのゲート電極と同層で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 前記第１の遮光金属は、前記ＴＦＴのゲート電極と同層で形成され、前記第２の遮光金属は、前記ＴＦＴのソース電極とドレイン電極と同層で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
5. ＴＦＴと画素電極とがマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板が複数形成されたＴＦＴマザー基板と、対向基板が複数形成された対向マザー基板とによってマザー基板を形成し、前記マザー基板から個々の液晶表示装置を分離することによって形成される液晶表示装置の製造方法であって、
   前記ＴＦＴマザー基板における第１のＴＦＴ基板と第２のＴＦＴ基板との境界には、前記境界に沿って第１の幅を有する第１の遮光金属が所定のピッチで形成され、第２の幅を有する第２の遮光金属が前記第１の遮光金属と前記ＴＦＴマザー基板との間に絶縁層を介して所定のピッチで形成され、
   前記第１のＴＦＴ基板と前記第２のＴＦＴ基板とを分離するときは、前記第１の遮光金属と前記第２の遮光金属が形成された領域において、分離されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
6. 前記第１の遮光金属は、前記ＴＦＴマザー基板の状態においては、電気的に互いに接続していることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法。

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