JP6269162B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は、液晶表示装置に関するものである。具体的には気中放電による動作不具合を防止可能な液晶表示装置に関する。
従来の液晶表示装置はTFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)等が作りこまれたアレイ基板と対向基板とが周辺部のシールによって互いに接着され、これにより液晶を封入するための容器が構成されている。一般的にアレイ基板の最外周にはコモン配線(Vcom配線)が配置されている。
また、最近の液晶表示装置には広い視野角を要求されるため、FFS(Fringe Field Switching)モードの液晶パネルがよく用いられる。FFSモードの液晶パネルでは、液晶の配向を制御する画素電極と共通電極との両方がアレイ基板に設けられており、この2つの電極は絶縁膜を介して積層されている。当該電極のうちで上層の電極にはスリットが設けられている。スリットの長辺方向とほぼ平行にラビング処理がなされ、上記電極間の電位がオフ電位の場合、液晶分子は、スリットの長辺方向とほぼ平行に配向する。オフ電位よりも大きい電位を上記電極間に印加した場合、スリットの長辺に対して垂直な方向に電界(横電界)が発生し、液晶分子は電界方向に沿うように基板に平行な面内で回転する(横回転する)。液晶分子の回転角を制御することによって、透過光量が制御される。なお、画素電極および共通電極の両方がアレイ基板に設けられた構造として、FFSモードの他に、IPS(In-Plane Switching)モードが知られている。
FFSやIPSモードの液晶表示装置においては、パネル表面の帯電により表示不良が生じやすいため、液晶が存在する側と反対側の対向基板面に透明導電膜を形成し、その透明導電膜を接地させることが行われている。接地の方法としては、液晶表示装置の接地電位に維持されたGND配線を透明導電膜に接続する方法が知られている。(特許文献1)
最近、液晶パネル、有機EL(Electro Luminescence)パネル等について、小型化、薄型化、狭額縁化が進められ、また、タッチパネル等の機能の付加が進んでいる。これらに伴い、人体等のパネル外部からの静電気(気中放電)がパネルの動作不具合を引き起こす場合がますます増大している。また、昨今ではカーナビなど、車載用途への適用もされはじめ、気中放電テストの耐圧規格が厳しくなっている状況である。
液晶パネルに対して気中放電テストを行うと、静電気は液晶パネルの導電体部分に放電しやすい傾向が見られる。すなわち、アレイ基板および対向基板のうちでシール(絶縁体)の外側に出ている導電体部分に放電されやすく、シールに覆われた部分には放電されにくい。
アレイ基板側のパネル周辺部にはVcom配線が配置されており、Vcom配線の一部はシール端より外側にでている場合が多い。このため、放電による電荷は、アレイ基板側のVcom配線を伝い、COG(Chip on Glass)実装もしくはCOF(Chip on Film)実装された、または回路基板に設けられた、ドライバIC(Integrated Circuit)へ流れ、ドライバICの誤動作や故障を引き起こす可能性がある。
このような問題に対し、Vcom配線をシールよりも内側に形成し、さらにVcom配線の外周をGND配線で囲むように形成する技術が知られている。(特許文献2)
特開平9−105918号公報(図14など) 特開2008−46278号公報
特許文献2においては、パネル外周にGND配線となるパターンを配置しているが、シール外に配置された導電性透明膜のパターンがパネルコーナーのみにしかない局所的な配置であるため、静電気を逃がす効果が不十分な配線となっている。また、その導電性透明膜はシールと直接コンタクトする構造を有しているが、密着力の点で問題がある。すなわち、シール材として一般に使用されるエポキシ樹脂に対して、SiN等の絶縁膜とは接着性が良好であるものの、ITO(Indium Tin Oxide)等の透明導電膜と直接コンタクトした場合にはシールとの密着力が不足するため、気泡やシールパンクなどの不良が生じやすい。
本発明の目的は、上記のような問題を回避すると共に、放電による動作不具合を防止可能な液晶表示装置を提供することである。
本発明に係る液晶表示装置は、アレイ基板と前記アレイ基板に対向した対向基板とが周縁に沿って設けられたシールによって貼り合わされて構成された液晶パネルと、前記液晶パネルに接続された回路基板と、を備えた液晶表示装置であって、前記液晶パネルは、表示領域と前記表示領域を囲む周辺領域とを有し、前記周辺領域には前記表示領域を囲むようにしてVcom配線とGND配線とが設けられ、前記表示領域と前記GND配線との間にVcom配線が配置され、前記GND配線は、絶縁膜を介して前記Vcom配線とは異なる層に形成され、前記シールの最外端部よりも外側へ張り出した状態にて前記表示領域を囲んでおり、前記GND配線は、上層に透明導電膜を有する積層によって形成され、前記透明導電膜はパネル外形端まで配置されており、前記GND配線は、前記液晶パネルを駆動する回路とは独立して設けられると共に、前記回路基板の接地電位に接続されていることを特徴とする液晶表示装置である。
上記構成によれば、放電による動作不具合を防止可能な液晶表示装置を得ることができる。
実施の形態1に係る液晶表示装置の模式図 実施の形態1に係る液晶表示装置の平面図 実施の形態1に係る液晶表示装置の断面図 実施の形態2に係る液晶表示装置の断面図 実施の形態3に係る液晶表示装置の平面図 実施の形態3に係る液晶表示装置の断面図 実施の形態3に係る液晶表示装置のスリット平面図 実施の形態4に係る液晶表示装置の平面図 実施の形態4に係る液晶表示装置の断面図 実施の形態5に係る液晶表示装置の平面図 実施の形態5に係る液晶表示装置の断面図
実施の形態1.
以下に図面を用いて本発明に係る実施の形態1について説明する。図1に実施の形態1に係る液晶表示装置を説明する模式図を示す。図2は図1の領域Eで示す領域を拡大した平面図であり、図3は図2のA−A‘で示した箇所における断面図である。
図3において、アレイ基板20と対向基板12とがシール9を介して接続されている。このように貼り合わされてなる液晶パネルは、領域としては図1に示すように表示領域1と当該表示領域1を囲む周辺領域2とに分かれる。表示領域1とは液晶表示装置の表示画面に相当する領域である。ここでは図示しないが、先のシール9は表示領域1を囲むように形成されており、その内側には図3に示すように液晶13が封入されている。
図1では図示しないが、表示領域1内には複数の走査線や信号線やVcom配線等の配線が交差し、走査線と信号線との交差付近にはTFT等のスイッチング素子が形成されており、画像表示に必要な電圧を適宜液晶13に印加する。周辺領域2には、表示領域1から延在された配線等にCOG実装された駆動回路であるIC3が配置される。さらに、FPC4がIC3と電気的に接続するようにして液晶パネルに接続し、回路基板5がFPC4に接続している。すなわち、液晶パネルはFPC4を介して回路基板5に接続されている。なお、FPC4に替えて各種の配線体を用いることも可能である。
図1において、GND配線6が周辺領域1を取り囲むようにして周辺領域2に形成されている。GND配線6は、FPC4を介して回路基板5にも電気的に延在しており、回路基板5の接地端子に接続されることにより接地されている。かかる接地は、蓄積した静電気を逃がす構造となっている。また、GND配線6は液晶パネルを駆動する回路とは独立して設けられている。図1では図示しないが、Vcom配線も同様に周辺領域1を囲むように配置されており、これについては後に説明する。
次に、図2、図3を用いて、GND配線6とシール9近辺の構造について説明する。図1中で示す領域Eにおいて、GND配線6だけでなく表示領域1を囲むようにしてVcom配線7も形成されている。なお、Vcom配線7とは、表示領域1内の各画素が液晶13に電圧を印加する際に、液晶を介して各画素と容量結合する電極に接続するものであり、接地電位のGND線6とは異なるものである。ここでは図示しないが、例えば逆スタガ型の薄膜トランジスタを用いたアレイ基板の場合、GND配線6やVcom配線7は走査線と同時に形成される同じ材質の膜でもよい。この場合、材質としてはアルミやアルミ合金を用いることができる。
そして、図3に示す形態は領域Eのみの局所的な構造ではなく、液晶パネルにおいては表示領域1の全周をGND配線6とVom配線7とが2重に囲み、かつ、Vcom配線7をGND配線6が囲むように形成されている。なお、シール9も表示領域1を囲むように形成されているため、アレイ基板20と対向基板12とは周縁部に設けられたシール9によって互いに貼りあわされており、その内部に液晶13が封入されていることになる。
さらに、GND配線6はVcom配線7よりもパネル外形8の近傍に配置されており、シール9の最も外側の端部であるシール外側端10からも張り出している。さらに、GND配線6はシール外側端10から張り出した状態にて表示領域1を囲んでいる。言い換えれば、GND配線6がシール9からはみ出した部分も表示領域1を囲むように形成されている。一般に気中放電により生じる電荷はシール外側端10を伝わって液晶パネル内に侵入すると考えられるため、このように囲む配置にすることにより、静電気の電荷をより確実にGND配線6を介して逃がすことができる。
シール9はVcom配線7とGND配線6に跨るように配置されているが、Vcom配線7はシール9に重ならなくてもよい。また、シール9内のGND配線6には、UV光の照射によってシール9を硬化させるためUV光を透過させるべくスリット11が形成されている。
また、図3に示すようにVcom配線7とGND配線6は、基板16上に形成されており、それらを覆うようにして下層絶縁膜15と上層絶縁膜14が積層されている。Vcom配線7とGND配線6は表示領域1内の走査線、信号線に用いられる金属膜と同じ材料の膜で形成されていてもよい。上層絶縁膜14及び下層絶縁膜15は、SiNやSiOなどの窒化膜や樹脂等の有機膜でもよい。また、シール9は上層絶縁膜14と接着されるため、密着性は良好であり、気泡やシールパンクなどの不良も抑制できる。
実施の形態1においては、Vcom配線7の外側を囲むようにしてシール9内にGND配線6を設け、そのGND配線6がシール外側端10からもはみ出した状態にて表示領域を囲んでいるため、気中放電による動作不良を防止できる。さらに、シールの気泡やシールパンクなどの不良も抑制できる。
実施の形態2.
実施の形態1では、Vcom配線7とGND配線6が同じ層で形成されるため、GND配線7に入った静電気が同層のVcom配線7に侵入して、IC3の動作不良や破壊する可能性がある。そこで、実施の形態2では、Vcom配線7とGND配線6とを異なる層に形成したことを特徴とする。
図4は、図1に示す液晶パネルの領域Eで示す箇所の断面図である。図4に示すように、実施の形態2においては、GND配線6をVcom配線7の上層に形成し、両配線間に下層絶縁膜15を形成する。すなわち、GND配線6とVcom配線7とは下層絶縁膜15を介して異なる層に形成されることになる。下層絶縁膜15は、SiNやSiOなどの窒化膜や有機膜でもよい。
実施の形態2においては、GND配線6とVcom配線7を異なる層に形成することにより、Vcom配線7へ伝搬する静電気を抑制でき、放電による動作不具合を防止可能な液晶表示装置を得ることができる。
実施の形態3.
図5に実施の形態3の構成を示す平面図を示し、図6には図5においてB-B‘で示した箇所の断面図を示す。周辺領域2に配置されたGND配線6はVcom配線7よりもパネル外形8の近傍に配置され、シール外側端10からはみ出している。シール9内のGND配線6には、UV照射によるシール硬化を行うためにUV光を透過させるためのスリット11が形成される。
ここで、スリット11を拡大した平面図を図7に示す。図7に示すように、スリット11の開口面積Ssが、シール9下にあるGND配線6の面積Sgよりも広くなるような構成としている。更に、GND配線6の最上層には高融点の材料で形成された透明導電膜17が積層され、透明導電膜17はパネル外形端8まで延在している。
Vcom配線7とGND配線6は、表示領域1で使用される導電膜と同じ膜で形成されるが、実施の形態2と同様に、GND配線6をVcom配線7の上層に形成し、両配線間に下層絶縁膜15を形成する。また、シール9はVcom配線7とGND配線6に跨るように配置されているが、Vcom配線7がシール9に重ならなくてもよい。
図5に示すように周辺領域2の最外周にGND配線6を配置し、電気的に接続されるGND配線6上に積層された透明導電膜17をパネル外形端8まで延在させることで、パネル筐体GNDと接続が可能となるため接地(GND)の強化が図れ、放電による動作不具合をより防止可能な液晶表示装置を得ることができる。
実施の形態4.
図8に実施の形態4にかかる液晶表示装置の平面図、図9に図8中にC-C‘で示した箇所の断面図を示す。周辺領域2に配置されたGND配線6はVcom配線7よりパネル外形8の近傍に配置され、シール外側端10からはみ出している。シール9内のGND配線6には、UV照射によるシール硬化を行うためのスリットが形成されている。Vcom配線7とGND配線6は、表示領域1で使用される導電膜と同じ膜で形成されるが、GND配線6をVcom配線7の上層に形成し、両配線間に下層絶縁膜15を形成する。
ここまでは実施の形態2と同様の構成であるが、本実施の形態4においては、GND配線6がVcom配線7と一部重なることを特徴とする。すなわち、図9に示すようにVcom配線7の上層に下層絶縁膜15を介してGND配線6が形成されているが、下層絶縁膜15を介してGND配線6とVcom配線7とが一部重畳している。ここで、重畳する領域は一部でも全部でもよい。
図8、図9に示すようにGND配線6の一部をVcom配線7と重ねることで、周辺領域2の幅を狭め狭額縁化が図れ、放電による動作不具合を防止可能な液晶表示装置を得ることができる。
実施の形態5.
図10に実施の形態5の平面図、図11に図9のD-D‘部分の断面図を示す。周辺領域2に配置されたGND配線6はVcom配線7よりパネル外形8の近傍に配置され、シール外側端10からはみ出している。シール9内のGND配線6には、UV照射によるシール硬化を行うためのスリットが形成されている。更に、GND配線6には高融点の材料で形成された透明導電膜17が積層され、透明導電膜はパネル外形端8まで延在している。Vcom配線7とGND配線6は、表示領域1で使用される導電膜と同じ膜で形成されるが、GND配線6をVcom配線7の上層に形成し、両配線間に下層絶縁膜15を形成する。
ここまでは、実施の形態3と同様の構成であるが、本実施の形態5においては、実施の形態4と同様にGND配線6はVcom配線7と一部重なる。図10、図11に示すようにGND配線6の一部をVcom配線7と重ねることで、周辺領域2の幅を狭め狭額縁化が図れ、電気的に接続されるGND配線6上に積層された透明導電膜17をパネル外形端8まで延在させることで、パネル筐体GNDと接続が可能となることで接地(GND)の強化となり、放電による動作不具合を防止可能な液晶表示装置を得ることができる。
液晶パネルは、FFSでも透過型、反射型、半透過型のいずれであってもよいが、本発明はFFSやIPSのように静電気に弱い場合に特に効果を奏する。また、この場合、対向基板の裏面に透明導電膜を形成し、接地電位に維持してもよい。
1 表示領域、2 周辺領域、3 IC、4 FPC、5 回路基板、
6 GND配線、7 Vcom配線
8 パネル外形端、9 シール、10 シール外側端、11 スリット、
12 CF基板、13 液晶、14 上層絶縁膜、15 下層絶縁膜、16 基板、
17 透明導電膜、20 アレイ基板

Claims (4)

  1. アレイ基板と前記アレイ基板に対向した対向基板とが周縁に沿って設けられたシールによって貼り合わされて構成された液晶パネルと、
    前記液晶パネルに接続された回路基板と、
    を備えた液晶表示装置であって、
    前記液晶パネルは、表示領域と前記表示領域を囲む周辺領域とを有し、
    前記周辺領域には前記表示領域を囲むようにしてVcom配線とGND配線とが設けられ、
    前記表示領域と前記GND配線との間にVcom配線が配置され、
    前記GND配線は、絶縁膜を介して前記Vcom配線とは異なる層に形成され、前記シールの最外端部よりも外側へ張り出した状態にて前記表示領域を囲んでおり、
    前記GND配線は、上層に透明導電膜を有する積層によって形成され、前記透明導電膜はパネル外形端まで配置されており、
    前記GND配線は、前記液晶パネルを駆動する回路とは独立して設けられると共に、前記回路基板の接地電位に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
  2. 前記GND配線が前記Vcom配線に一部重なるように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  3. 前記シール下に配置される前記GND配線にスリットが形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の液晶表示装置。
  4. FFSまたはIPS方式を用いたことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
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