JP2014071412A5

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Publication number: JP2014071412A5
Application number: JP2012219422A
Authority: JP
Filing date: 2012-10-01
Publication date: 2015-11-12
Anticipated expiration: 2032-10-01

Description

図６は、従来の液晶表示装置において、画面周辺からバックライトからの光が漏れて、画面周辺のコントラストを低下させるメカニズムを記載した断面模式図である。図６において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００とがシール材５０によって接着し、内部に液晶３００が充填されている。対向基板２００にはブラックマトリクス２０２が形成されているが、ブラックマトリクス２０２は、対向基板２００の端部にまで形成すると、ブラックマトリクス２０２の剥がれ等の問題を生ずるので、端部にまでは形成されていない。バックライトからの光の一部は、ＴＦＴ基板１００において、全反射を繰り返しながらＴＦＴ基板１００および対向基板２００の周辺から画面方向に出射する。

図１において、液晶層３００を挟んで、対向基板２００が配置されている。対向基板２００にはブラックマトリクス２０２とカラーフィルタ２０１が形成され、これらを覆ってオーバーコート膜２０３が形成されている。オーバーコート膜２０３の上に形成される配向膜は図１では省略されている。図１のＴＦＴ基板１００において、画素電極１０７に電圧が印加されると、コモン電極１０９と画素電極１０７の間にスリット１０９１を通って電気力線が発生し、液晶分子３０１を回転させて液晶３００の透過率を画素毎に制御し、画像を形成する。以下に実施例を用いて本発明を詳細に説明する。

図２において、液晶表示パネルＡと液晶表示パネルＢとの境界において、液晶表示パネルＡの端子部１５０の端部にまで液晶表示パネルＢの第１遮光金属２１及び第２遮光金属２２が形成されている。液晶表示パネルＢの短辺端部において、確実に遮光金属２１、２２を形成するためである。この場合、遮光金属を１層で形成すると、従来例の図１１で示したような問題を生ずる。すなわち、遮光金属によって、フレキシブル配線基板３０の配線３１がショートされてしまうという問題を生ずる。

本発明は、図２に示すように、他の液晶表示パネルの端子部１５０と隣接する辺における遮光金属２０は互いに絶縁された２層の遮光金属２１，２２を形成することによってフレキシブル配線基板３０のショートを防止している。図２において、液晶表示パネルＢにおける液晶表示パネルＡとの境界部分では、液晶表示パネルＢにおいて、端部まで遮光金属２１，２２を確実に形成するために、液晶表示パネルＡの端子側の一部にまで遮光金属２１、２２形成されている。

図２における表示領域１０を３方から囲む配線は、最外配線１１であり、一般にはコモン配線である。図２の各液晶表示パネルの端子部１５０における点線はフレキシブル配線基板３０の位置を示している。図２の表示領域１０を囲む点線は、対向基板におけるブラックマトリクス２０２の端部を示している。図２において、２０２で示す点線よりも外側はブラックマトリクスは形成されておらず、この部分の遮光は、ＴＦＴ基板に形成された遮光金属２１、２２によることになる。

ＴＦＴ基板１００は対向基板２００よりも大きく形成され、ＴＦＴ基板１００が１枚となっている部分は、端子部１５０となっている。端子部１５０には、最外配線１１が延在している。端子部１５０には、この他に図示しない、ゲート配線引き出し線、映像信号線引き出し線等が表示領域から延在し、また、液晶表示パネルを駆動するためのＩＣドライバが載置される。

図４において、第１遮光金属２１はＳＤ層で形成され、第２遮光金属２２はゲート層で形成されている。ゲート層２２の上にはゲート絶縁膜１０２が存在し、ＳＤ層の上にはパッシベーション膜１０６が存在している。したがって、端子部１５０の端部において、フレキシブル配線基板が接続し、フレキシブル配線基板の配線が第１遮光金属２１あるいは第２遮光金属２２のいずれかと接触してもフレキシブル配線基板の配線どおしがショートすることはない。

Claims

ＴＦＴと画素電極とがマトリクス状に形成された画素部と、端子部とを有するＴＦＴ基板と、
対向基板と、
前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶とを有する液晶表示装置であって、
前記ＴＦＴ基板には、前記ＴＦＴ基板の端部にまで第１の遮光金属が形成され、
前記ＴＦＴ基板の前記端子部側の端部の辺には、前記辺に沿って第１の幅を有する第１の遮光金属、及び、絶縁膜を介して、前記第１の遮光金属とＴＦＴ基板との間に、第２の幅を有する第２の遮光金属、が設けられ、
前記第１の遮光金属と前記第２の遮光金属とは、平面で見てオーバーラップしている部分を持つことを特徴とする液晶表示装置。
前記第１の遮光金属の前記第１の幅と前記第２の遮光金属の前記第２の幅は等しいことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
前記第１の遮光金属は、前記ＴＦＴのソース電極とドレイン電極と同層で形成され、
前記第２の遮光金属は、前記ＴＦＴのゲート電極と同層で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
前記第１の遮光金属は、前記ＴＦＴのゲート電極と同層で形成され、前記第２の遮光金属は、前記ＴＦＴのソース電極とドレイン電極と同層で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
ＴＦＴと画素電極とがマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板が複数形成されたＴＦＴマザー基板と、対向基板が複数形成された対向マザー基板とによってマザー基板を形成し、前記マザー基板から個々の液晶表示装置を分離することによって形成される液晶表示装置の製造方法であって、
前記ＴＦＴマザー基板における第１のＴＦＴ基板と第２のＴＦＴ基板との境界には、前記境界に沿って第１の幅を有する第１の遮光金属が所定のピッチで形成され、第２の幅を有する第２の遮光金属が前記第１の遮光金属と前記ＴＦＴマザー基板との間に絶縁層を介して所定のピッチで形成され、
前記第１のＴＦＴ基板と前記第２のＴＦＴ基板とを分離するときは、前記第１の遮光金属と前記第２の遮光金属が形成された領域において、分離されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
前記第１の遮光金属は、前記マザーＴＦＴ基板の状態においては、電気的に互いに接続していることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法。