JP2014026199A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板の端部にまでブラックマトリクスを形成することによって画面周辺におけるコントラストの劣化を防止する構成を信頼性を損なうことなく実現する。
【解決手段】対向基板の端部にまでブラックマトリクス202を形成する。対向基板とブラックマトリクス202の界面から侵入する水分等を遮断するために、シール材20の周辺にブラックマトリクス202の無い領域であるBMスリット2021を形成する。BMスリット2021から光が漏れてくることを防止するために、TFT基板側に引き出し配線12とは別層で、遮光金属142を形成する。これによって、全周において、BMスリット2021から漏れてくる光を遮断することが出来、画面周辺のコントラストの劣化を防止することが出来る。
【選択図】図3
【解決手段】対向基板の端部にまでブラックマトリクス202を形成する。対向基板とブラックマトリクス202の界面から侵入する水分等を遮断するために、シール材20の周辺にブラックマトリクス202の無い領域であるBMスリット2021を形成する。BMスリット2021から光が漏れてくることを防止するために、TFT基板側に引き出し配線12とは別層で、遮光金属142を形成する。これによって、全周において、BMスリット2021から漏れてくる光を遮断することが出来、画面周辺のコントラストの劣化を防止することが出来る。
【選択図】図3
Description
本発明は表示装置に係り、特に画面周辺においても光漏れの少ない、高コントラストを実現可能な液晶表示装置に関する。
液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ(TFT)等を有する画素がマトリクス状に形成されたTFT基板と、TFT基板に対向して、TFT基板の画素電極と対応する場所にカラーフィルタ等が形成された対向基板が配置され、TFT基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。
液晶表示装置はフラットで軽量であることから、色々な分野で用途が広がっている。携帯電話やDSC(Digital Still Camera)等には、小型の液晶表示装置が広く使用されている。液晶表示パネルは自分では発光しないので、バックライトが必要である。黒表示のときにバックライトからの光を十分に遮光しないと画面のコントラストの劣化をきたす。
コントラストの向上のために、表示領域付近では、遮光膜やブラックマトリクスを用いる等種々の工夫がなされている。しかし、液晶表示パネルの端面付近においては、高い信頼性を持って、遮光膜を形成することが難しいので、画面周辺におけるバックライトからの光もれが問題となっている。このような画面周辺におけるバックライトからの光漏れを対策するために、液晶表示パネルの端部にまで、遮光性のシール材を形成する構成が「特許文献1」に記載されている。
一方、液晶表示装置の信頼性を向上するためには、液晶が封入された内部と外部を遮断するシール部の信頼性が重要である。画素に走査信号や映像信号を与えるための引き出し線は内部からシール部を通過して外部に延在する。この時、引き出し線の存在する部分と存在しない部分とで、TFT基板と対向基板と間隔が異なる。この間隔を均一にするために、引き出し線以外の部分にダミーの金属を配置する場合がある。
「特許文献2」にはダミーの金属をべたで形成するのではなく、金属間にスリットを形成することによって、静電気が生じた時の影響を小さくし、また、スリットを通してシール材の欠陥を発見できるような構成が記載されている。
図15は、従来の液晶表示装置において、画面周辺からバックライトからの光が漏れて、画面周辺のコントラストを低下させるメカニズムを記載した断面模式図である。図15において、TFT基板100と対向基板200とがシール材20によって接着し、内部に液晶300が充填されている。対向基板200にはブラックマトリクス202が形成されているが、ブラックマトリクス202は、対向基板200の端部にまで形成すると、ブラックマトリクス202の剥がれ等の問題を生ずるので、端部にまでは形成されていない。バックライトからの光の一部は、TFT基板100において、全反射を繰り返しながらTFT基板100および対向基板200の周辺から画面方向に出射する。
液晶表示パネルはフランジ401を有するフレーム400によって収容されているが、ある角度で対向基板200に入射する光は画面方向に出射し、コントラストを低下させることになる。これを防止するには、対向基板200の端部にまで、ブラックマトリクス202を形成することが好ましい。しかし、液晶表示パネルは、多数の液晶表示パネルを形成したマザー基板からスクライビング等によって、個々に分離する。したがって、液晶表示パネルの端部は、機械的なストレスを受けるために、ブラックマトリクス202を端部にまで形成すると、対向基板200の端部におけるブラックマトリクス202が剥離しやすくなるという問題が生ずる。
ブラックマトリクス202が対向基板200の端部において、剥離したりすると、この部分から水分が侵入し、これが、ブラックマトリクス202と対向基板200との界面を伝わって液晶表示パネルのシール部の内部にまで侵入し、液晶表示装置の信頼性を損ねる。図16は、外部から水分等がブラックマトリクス202と対向基板200との界面を伝わってシール部の内部にまで侵入する様子を矢印によって示している。
図16において、TFT基板100には、ゲート絶縁膜102、パッシベーション膜106、層間絶縁膜108が積層され、対向基板200側には、ブラックマトリクス202とオーバーコート膜203が積層されている。TFT基板100と対向基板200とはシール材20によって接着し、シール材20の内部に液晶層300が封止されている。図16における矢印は、外部からの水分がシール材20の内部の液晶層300にまで侵入する様子を摸式的に示している。
図17はこの問題を防止するための構成を示す液晶表示パネルの断面図である。図17において、対向基板200に形成されたブラックマトリクス202は、端部にまで形成されているが、シール材20の外側において、BMスリット2021によって外側と内側とで分断されている。このような構成であれば、対向基板200の端部において、ブラックマトリクス202と対向基板200の間から侵入した水分等は、このBMスリット2021において、遮断され、それよりも内部には侵入しなくなる。したがって、図17に示す構成は、液晶表示パネルの信頼性を向上させることが出来る。
図18は、このような構成を有する液晶表示装置の平面図である。図18において、TFT基板100と対向基板200とを重ねた領域に表示領域10が形成されている。TFT基板100は対向基板200よりも大きく形成されており、TFT基板100が1枚となった部分は端子部30であり、この部分に液晶表示装置を駆動するICドライバ40が搭載されている。なお、端子部30の端部には、液晶表示パネルに電源や走査信号、映像信号等を供給するための、図示しないフレキシブル配線基板が接続される。
図18において、シール材20で囲まれた領域に表示領域10が形成されている。対向基板200の内側には、ブラックマトリクス202がシール材20の外側に延在し、端部にまで形成されている。シール材20の外側において、ブラックマトリクス202には、枠状にBMスリット2021が形成され、ブラックマトリクス202の端部から侵入する水分等をこのBMスリット2021において遮断する。
この構成において、BMスリット2021部分は遮光することが出来ないので、バックライトからの光がBMスリット2021を通して画面に漏れてくる。このBMスリット2021からの光漏れを防止するために、TFT基板側に、BMスリット2021に対応するように、金属による遮光膜が形成されている。この金属は、ゲート電極層と同時に形成される場合もあるし、ドレイン電極層と同時に形成される場合もある。
このようにして、BMスリット2021をTFT基板100側から遮光した状態を図19の断面図に示す。図19の例は、遮光金属14はドレイン層と同時に形成された金属の場合である。バックライトからの光は、遮光金属14によって遮断され、BMスリット2021から外部に漏れてくることはない。図19のその他の構成は、図16あるいは図17で説明したと同様である。図18および図19に示すように、遮光金属14の幅は、BMスリット2021の幅よりも大きく形成されている。
図18に示すように、液晶表示パネルにおいて、引き出し線11が形成されていない3辺は、遮光金属14によって、バックライトからの光を遮光することが出来るが、引き出し線11が存在する辺は、同様な遮光金属14を形成することは出来ない。すなわち、従来、遮光金属14は、ゲート層あるいはドレイン層と同時に形成されていたが、引き出し線11が存在している部分は、引き出し線11が、遮光金属14によってショートされてしまう可能性があるからである。ここで、引出し線11とは、表示領域10における走査線、映像信号線(ドレイン線)、コモン線等と、端子部30に配置されたICドライバ40等とを接続するための配線である。
図20は、引き出し線11が存在している部分である図18のF部の拡大図である、図20(a)は、TFT基板100における引き出し線の部分の拡大平面図であり、図20(b)は、対向基板200におけるブラックマトリクス202とBMスリット2021の状態を示す拡大平面図である。図20(c)は、TFT基板100と対向基板200とを重ね合わせた場合のBMスリット2021付近における平面図である。図20(c)で、BMスリット2021において、引き出し線11が存在している部分は、遮光されているが、引き出し線11が存在していない部分Tは、バックライトからの光が透過する。したがって、画面周辺においてコントラストが低下することになる。
本発明の課題は、図18における引き出し線11が存在している部分においても、バックライトからの光の遮光を可能とし、画面周辺におけるコントラストの劣化を防止することである。
本発明は上記問題を克服するものであり、具体的な手段は次のとおりである。
(1)TFTと画素電極を有する画素がマトリクス状に形成されたTFT基板と、カラーフィルタとブラックマトリクスが形成された対向基板がシール材によって接着し、内部に液晶が挟持された液晶表示装置であって、前記対向基板には、端部にまでブラックマトリクスが形成され、前記ブラックマトリクスはシール材の外側において、所定の幅wbをもってブラックマトリクスの無い領域であるBMスリットが全周にわたって形成され、前記TFT基板には、前記BMスリットと対向する場所に所定の幅wmをもって遮光金属が全周にわたって形成され、前記幅wm>前記幅wb
であることを特徴とする液晶表示装置。
であることを特徴とする液晶表示装置。
(2)TFTと画素電極を有する画素がマトリクス状に形成されたTFT基板と、カラーフィルタとブラックマトリクスが形成された対向基板がシール材によって接着し、内部に液晶が挟持された液晶表示装置であって、前記TFT基板と前記対向基板とが重なった部分に表示領域が形成され、
前記TFT基板は前記対向基板よりも大きく、前記TFT基板が1枚となっている部分は端子部となっており、前記端子部には、前記表示領域における配線と接続する引出し線が形成されており、前記対向基板には、端部にまでブラックマトリクスが形成され、前記ブラックマトリクスはシール材の外側において、所定の幅wbをもってブラックマトリクスの無い領域であるBMスリットが全周にわたって形成され、前記TFT基板には、前記BMスリットと対向する場所であって、かつ、前記引き出し配線とは別の層に所定の幅wmをもって遮光金属が全周にわたって形成され、前記幅wm>前記幅wbであることを特徴とする液晶表示装置。
前記TFT基板は前記対向基板よりも大きく、前記TFT基板が1枚となっている部分は端子部となっており、前記端子部には、前記表示領域における配線と接続する引出し線が形成されており、前記対向基板には、端部にまでブラックマトリクスが形成され、前記ブラックマトリクスはシール材の外側において、所定の幅wbをもってブラックマトリクスの無い領域であるBMスリットが全周にわたって形成され、前記TFT基板には、前記BMスリットと対向する場所であって、かつ、前記引き出し配線とは別の層に所定の幅wmをもって遮光金属が全周にわたって形成され、前記幅wm>前記幅wbであることを特徴とする液晶表示装置。
本発明によれば、ブラックマトリクスを周辺にまで形成することが出来るので、画面周辺におけるバックライトの光漏れを防止し、画面周辺におけるコントラストを向上させることが出来る。また、本発明では、シールの信頼性を向上させるために、シール材の外側にBMスリットを形成するが、TFT基板に形成した遮光金属によって、全周に渡ってBMスリットを遮光することが出来、画面全面にわたってコントラストを向上させることが出来る。
液晶表示装置には、IPS(In Plane Swiching)方式、TN方式、VA方式等が存在するが、本発明は、そのいずれにも適用することが出来る。本発明は、TFT基板において、金属遮光膜を使用し、この金属遮光膜は、TFT基板に金属によって電極や配線を形成する場合に同時に形成される。したがって、後における説明のために、液晶表示パネルの断面構造を説明する。液晶表示装置には多くの種類の方式が存在するので、その全てを説明することは出来ないので、代表例として、いわゆるIPS−PRO方式およびIPS−LITE方式の断面構造について説明する。
図1は、IPS−PROと呼ばれているタイプの液晶表示装置であり、いわゆるコモントップタイプの断面図である。図1において、ガラスで形成されたTFT基板100の上にゲート電極101が形成され、これを覆ってゲート絶縁膜102が形成されている。ゲート電極101はAl合金、MoW合金あるいはMoCr合金、あるいはそれらの積層膜によって形成される。ゲート絶縁膜102を挟んでゲート電極101の上方に半導体層103が形成されている。半導体層103の上には、ドレイン電極104とソース電極105がチャネル領域を挟んで対向して形成されている。ドレイン電極104は図示しない場所で、映像信号線(ドレイン線)133と接続している。ドレイン電極104およびソース電極105はAl合金、MoW合金あるいはMoCr合金、あるいはそれらの積層膜によって形成される。
ドレイン電極104とソース電極105を覆ってSiN等による無機パッシベーション膜106が形成されている。無機パッシベーション膜106の上には、平面べたで画素電極107がITOによって形成されている。画素電極107とTFTから延在したソース電極105とは、無機パッシベーション膜107に形成されたスルーホールを介して接続されている。画素電極107の上には層間絶縁膜108が形成され、層間絶縁膜108の上に、スリット1091を有するコモン電極109が形成されている。
コモン電極109は画面全体にわたって、共通に形成されている。コモン電極109は、透明電極であるITO(Indium Tin Oxide)によって形成されるが、ITOは電気抵抗が大きいので、コモン電極109全体を均一な電位とするために、コモン電極109の上に抵抗の低いコモン金属110が、光が透過しない部分に形成される。本発明では、このコモン金属110を遮光金属として使用する場合もある。コモン金属110はAl合金、MoW合金あるいはMoCr合金、あるいはそれらの積層膜によって形成される。コモン電極109およびコモン金属110を覆って配向膜111が形成されている。
図1において、液晶層300を挟んで、対向基板200が配置されている。対向基板200にはブラックマトリクス202とカラーフィルタ201が形成され、これらを覆ってオーバーコート膜203が形成されている。オーバーコート膜203の上には、配向膜111が形成されている。図1のTFT基板100において、画素電極107に電圧が印加されると、コモン電極109と画素電極110の間に電気力線が発生し、液晶分子301を回転させて液晶300の透過率を画素毎に制御し、画像を形成する。
図2は、いわゆるIPS−LITEとよばれているIPS方式の液晶表示装置装置の断面図である。IPS−LITEはコモン電極109が最上層に形成されるコモントップタイプである。図2において、TFT基板100上に、ゲート電極101、ゲート絶縁膜102、半導体層103、ドレイン電極104、ソース電極105が形成されるまでは、先に説明したIPS−PRO方式と同様である。図2において、ドレイン電極104およびソース電極105を形成後、絶縁膜を介さずに、ITOによって画素電極107が形成される。
画素電極107の上にはSiN等によって無機パッシベーション膜106が形成され、無機パッシベーション膜106の上には、画素の部分にスリット1091を有するコモン電極109が形成される。コモン電極109は画面全体に共通に形成される。コモン電極109の電位を均一にするために、光が透過しない部分のコモン電極109の上にコモン金属110が形成される。本発明では、このコモン金属110を遮光金属として使用する場合がある。
図2において、液晶層300を挟んで対向基板200が配置している。対向基板200の構成は図1で説明したIPS−PROの場合と同様であるので、説明を省略する。以下に実施例を用いて本発明を詳細に説明する。
図3は実施例1の構成を示す液晶表示装置の平面図である。図3の構成は、引き出し線12が存在する部分を除いては、図18の構成と同様である。すなわち、図3において、対向基板200の端面にまで、ブラックマトリクス202が形成されており、ブラックマトリクス202と対向基板200200との界面から水分等が液晶表示パネルの内部に侵入することを防止するために、BMスリット2021がシール材20の外側全周に形成されている。
図3が図18と異なるところは、引き出し線12が形成されている辺においても、TFT基板100側に遮光金属142が形成されていることである。図3のA部の拡大図を図4に示す。図4(a)はTFT基板100側における引き出し線12および遮光金属142の平面図であり、図4(b)は対向基板200の内側におけるブラックマトリクス202とBMスリット2021を示し、図4(c)は、TFT基板100と対向基板200を重ね合わせた状態を示す平面図である。
図4(a)において、引き出し線12は、ゲート電極と同層で形成されたゲート引き出し線12である。ゲート引き出し線12を覆って、ドレイン電極と同層で形成されたドレイン遮光金属142が図4(b)に示すBMスリット2021に対応して形成されている。図4(a)において、ゲート引き出し線12とドレイン遮光金属142はゲート絶縁膜を挟んで別層で形成されているので、ゲート引き出し線12とドレイン遮光膜142がショートすることはない。
図4(c)はBMスリット2021の付近において、TFT基板100と対向基板200を重ね合わせた状態を示す平面図である。図4(c)に示すように、BMスリット2021は、TFT基板100側のドレイン遮光金属142によって下から覆われているので、バックライトからの光がBMスリット2021を通過することはない。ドレイン遮光金属142の幅wmは、BMスリット2021の幅wbよりも大きく形成されている。BMスリット2021の幅wbは例えば、30〜50μmであり、ドレイン遮光金属142の幅wmは50〜80μmである。この幅の例は、他の実施例においても同様である。
このように、本実施例では、引き出し線12をゲート電極と同層で形成し、遮光金属142をドレイン電極層と同層で形成するので、引き出し線12が形成された領域においても、対向基板200に形成されたBMスリット2021を完全に遮光することが出来る。したがって、全周にわたってコントラストのよい画面とすることが出来る。
図5は実施例2の構成を示す液晶表示装置の平面図である。図5の構成は、引き出し線13が存在する部分を除いては、図3の構成と同様である。すなわち、図5において、対向基板200の端部にまで、ブラックマトリクス202が形成されており、ブラックマトリクス202と対向基板200との界面から水分等が液晶表示パネルの内部に侵入することを防止するために、BMスリット2021がシール材20の外側全周に形成されている。
図5においても、図3と同様、引き出し線13が形成されている辺においても、TFT基板100側に遮光金属141が形成されている。図5が実施例1である図3と異なるところは、引き出し線13と遮光金属141の関係が逆になっている点である。図5のB部の拡大図を図6に示す。図6(a)はTFT基板100側における引き出し線13および遮光金属141の平面図であり、図6(b)は対向基板200の内側におけるブラックマトリクス202とBMスリット2021を示し、図6(c)は、TFT基板100と対向基板200を重ね合わせた状態を示す平面図である。
図6(a)において、引き出し線13は、ドレイン電極と同層で形成されたドレイン引き出し線13である。ドレイン引き出し線13の下を覆って、ゲート電極と同層で形成されたゲート遮光金属141が図6(b)に示すBMスリット2021に対応して形成されている。図6(a)において、ドレイン引き出し線13とゲート遮光金属141はゲート絶縁膜を挟んで別層で形成されているので、ドレイン引き出し線13とゲート遮光金属141がショートすることはない。
図6(c)はBMスリット2021の付近において、TFT基板100と対向基板200を重ね合わせた状態を示す平面図である。図6(c)に示すように、BMスリット2021は、TFT基板100側のゲート遮光金属141によって下から覆われているので、バックライトからの光がBMスリット2021を通過することはない。ゲート遮光膜141の幅wmは、BMスリット2021の幅wbよりも大きく形成されている。BMスリット2021の幅wbは例えば、30〜50μmであり、ゲート遮光金属141の幅wmは50〜80μmである。
このように、本実施例では、引き出し線13をドレイン電極と同層で形成し、遮光金属141をゲート電極層と同層で形成するので、引き出し線13が形成された領域においても、対向基板200に形成されたBMスリット2021を完全に遮光することが出来る。したがって、全周にわたってコントラストのよい画面とすることが出来る。
図7は実施例3の構成を示す液晶表示装置の平面図である。図7の構成は、引き出し線11が存在する部分を除いては、図3の構成と同様である。すなわち、図7において、対向基板200の端部にまで、ブラックマトリクス202が形成されており、ブラックマトリクス202と対向基板200との界面から水分等が液晶表示パネルの内部に侵入することを防止するために、BMスリット2021がシール材20の外側全周に形成されている。
図7においても、図3と同様、引き出し線11が形成されている辺においても、TFT基板100側に遮光金属143が形成されている。図7が実施例1である図3あるいは実施例2である図5と異なるところは、遮光金属143がコモン遮光金属143によって形成されていることである。図7のC部の拡大図を図8に示す。図8(a)はTFT基板100側における引き出し線11および遮光金属143の平面図であり、図8(b)は対向基板200の内側におけるブラックマトリクス202とBMスリット2021を示し、図8(c)は、TFT基板100と対向基板200を重ね合わせた状態を示す平面図である。
図8(a)において、引き出し線11は、ドレイン電極と同層で形成されたドレイン引き出し線13および、ゲート電極と同層で形成されたゲート引き出し線12である。ゲート引き出し線12およびドレイン引き出し線13を覆って、コモン金属と同層で形成されたコモン遮光金属143が図8(b)に示すBMスリット2021に対応して形成されている。図8(a)において、ゲート引き出し線12あるいはドレイン引き出し線13とコモン遮光金属143は無機パッシベーション膜等を挟んで別層で形成されているので、ゲート引き出し線12あるいはドレイン引き出し線13とコモン遮光金属143がショートすることはない。
図8(c)はBMスリット2021の付近において、TFT基板100と対向基板200を重ね合わせた状態を示す平面図である。図8(c)に示すように、BMスリット2021は、TFT基板100側のコモン遮光金属143によって下から覆われているので、バックライトからの光がBMスリット2021を通過することはない。コモン遮光金属143の幅wmは、BMスリット2021の幅wbよりも大きく形成されていること、等は実施例1あるいは実施例2と同様である。
このように、本実施例では、引き出し線11をゲート電極と同層およびドレイン電極と同層というように、多層で形成することが出来るので、実施例1あるいは実施例2の場合よりも引き出し線11の密度が大きい場合にも適用することが出来る。そして、BMスリット2021をコモン遮光金属143によって完全にバックライトから遮光することが出来るので、全周にわたってコントラストのよい画面とすることが出来る。
図9は実施例4の構成を示す液晶表示装置の平面図である。図9の構成は、引き出し線11が存在する部分を除いては、図3の構成と同様である。すなわち、図9において、対向基板200の端部にまで、ブラックマトリクス202が形成されており、ブラックマトリクス202と対向基板200との界面から水分等が液晶表示パネルの内部に侵入することを防止するために、BMスリット2021がシール材20の外側全周に形成されている。図9においても、実施例1乃至3と同様、引き出し線11が形成されている辺においても、TFT基板100側に遮光金属14が形成されている。
本実施例である図9は実施例1乃至3とは、引き出し線11の平面形状が異なっている。すなわち、図9の引き出し線11は、斜め配線のみでなく、斜め配線の部分と液晶表示パネルの辺と平行な部分とを含むことである。図10は、図9のD部の拡大図である。図10(a)において、斜め配線部Qの配線ピッチは、液晶表示パネルの辺に平行な部分における配線Pと比べてピッチが小さい。この部分においては、引き出し線11は、ゲート引き出し線12とドレイン引き出し線13に分けて配線したほうが線間の絶縁を安定してとることが出来る。一方、液晶表示パネルの辺と平行な部分Pにおける配線ピッチは、斜め配線の部分Qに比べて大きくすることが出来る。
図10(a)において、斜め配線Qとなっているドレイン引き出し線13は、液晶表示パネルの辺と平行な部分Pとの折れ曲がり部において、スルーホール50によって、ゲート引き出し線12に乗り換えている。したがって、液晶表示パネルの辺と平行な部分Pにおいては、ゲート電極と同層で形成したゲート引き出し線12のみで形成することが出来る。このような場合、遮光金属は、ドレイン電極と同層で形成したドレイン遮光金属142を用いることが出来る。
図10(c)はBMスリット2021の付近において、TFT基板100と対向基板200を重ね合わせた状態を示す平面図である。図10(c)に示すように、BMスリット2021は、TFT基板100側のドレイン遮光金属142によって下から覆われているので、バックライトからの光がBMスリット2021を通過することはない。
このように、本実施例では、引き出し線11において、ピッチの小さい斜め配線の部分では、ゲート引き出し線12とドレイン引き出し線13を用い、ピッチの大きい液晶表示パネルの辺と平行な部分(以後平行配線と言う)においては、ゲート引出し線12のみとすることが出来るので、BMスリット2021に対する遮光金属をドレイン遮光金属とし、遮光金属として別途新たな金属を形成する必要がない。
以上の説明では、斜め配線を2層配線とし、平行配線をゲート引き出し線12としたが、逆に斜め配線を2層配線とし、平行配線をドレイン引き出し線13とすることも出来る。この場合の遮光金属はゲート遮光金属141を用いることになる。
図11は実施例5の構成を示す液晶表示装置の平面図である。図11の構成は、引き出し線11が存在する部分を除いては、図3の構成と同様である。すなわち、図11において、対向基板200の端部にまで、ブラックマトリクス202が形成されており、ブラックマトリクス202と対向基板200との界面から水分等が液晶表示パネルの内部に侵入することを防止するために、BMスリット2021がシール材20の外側全周に形成されている。図11においても、実施例1乃至4と同様、引き出し線11が形成されている辺においても、TFT基板100側に遮光金属142が形成されている。
本実施例である図11は実施例1乃至3とは、引き出し線11の平面形状が異なっている。すなわち、図11の引き出し線は、斜め配線から平行配線となり、再び斜め配線となっている。図12は、図11のE部の拡大図である。図12(a)において、斜め配線部は、ゲート引き出し線12とドレイン引き出し線13の2層配線となっており、平行配線部はゲート引き出し線12と橋絡ITO15の2層配線となっている。この場合、遮光金属は、ドレイン電極と同層で形成されたドレイン遮光金属142が用いられる。
図12(a)において、ゲート引き出し線はドレイン遮光金属の下に形成され、橋絡ITOはドレイン遮光金属の上に形成されている。引き出し線は、遮光金属に対応した部分を過ぎると再び斜め配線となり、ゲート引き出し線12とドレイン引き出し線13の2層配線となる。このとき、橋絡ITO15はスルーホール50を介してドレイン引き出し線13に乗り換えることになる。
TFT基板100に形成されるドレイン遮光金属142は、図12(b)に示す対向基板200に形成されたBMスリット2021に対応した部分に形成される。図12(c)は、BMスリット2021付近において、TFT基板100と対向基板200を重ね合わせた状態を示す平面図である。図12(c)において、BMスリット2021は、ドレイン遮光金属142によって下から完全に覆われている。BMスリット2021の部分には、ゲート引き出し線12と橋絡ITO15が存在している。
橋絡ITO15は、例えば、IPS−PROにおいて、画素電極107を用いるとパッシベーション膜106に対するスルーホールの形成とドレイン引出し線13との接続を、画素部分において、パッシベーション膜106にスルーホールを形成し、画素電極107とソース電極105を接続する工程と同時に行うことが出来るので、工程を増やさずに行うことが出来る。
以上は、斜め配線から平行配線に乗り換える時、ドレイン引き出し線13を橋絡ITO15にのりかえた構成である。しかし、この逆に、斜め配線から平行配線に乗り換える時、ゲート引き出し線12を橋絡ITO15に乗り換えた構成とすることも出来る。この場合の遮光金属はゲート遮光金属141とすることが出来る。
なお、図11に示すような、斜め配線から平行配線になり、再び斜め配線となるような引き出し線の場合、図12に示すのとは別な配線構成とすることも出来る。その第1の構成は、斜め配線は図12と同様にドレイン引き出し線13とゲート引き出し線12の2層配線とし、平行配線の部分では、ドレイン引き出し線13を、スルーホール50を介してゲート引き出し線12に乗り換える。したがって、平行配線部分では、引き出し線はゲート引き出し線12のみとなる。この場合の遮光金属は、ドレイン遮光金属142となる。平行配線から斜め配線となるときは、再びスルーホール50を介してドレイン引き出し線13とゲート引き出し線12の2層配線とする。
その第2の構成は、斜め配線は図12と同様にドレイン引き出し線13とゲート引き出し線12の2層配線とし、平行配線の部分では、ゲート引き出し線12を、スルーホール50を介してドレイン引き出し線13に乗り換える。したがって、平行配線部分では、引き出し線はドレイン引き出し線13のみとなる。この場合の遮光金属は、ゲート遮光金属141となる。平行配線から斜め配線となるときは、再びスルーホール50を介してドレイン引き出し線13とゲート引き出し線12の2層配線とする。
図11あるいは、図12に示すように、引き出し線11を橋絡ITO15を用いて行う場合、ITOとして、IPS−LITEにおけるコモン電極109のITOを用いると次のような問題を生ずる場合がある。IPS−LITEにおけるコモン電極109はパッシベーション膜106の上である、最上層に形成されている。すなわち、ITOの上には絶縁膜は存在しないことになる。ITOとシール材20との接着力は、絶縁膜とシール材との接着力に比べて弱いので、シール部20の信頼性を損ねる場合がある。
しかしながら、遮光金属14は、橋絡ITO15に対応した部分に形成する必要がある。このような場合、図13に示すように、対向基板200におけるBMスリット2021をシール材20と重ねて形成し、また、橋絡ITO15もシール材20と重ねて形成する。こうすることによって、橋絡ITO15とシール材20の接触をシール材20の幅全体に渡るのではなく、シール材20の幅の1部のみと重ねて接触させることが出来る。こうすることによって、シール部の接着の信頼性の低下を回避することが出来る。
図14は、図13のように、BMスリット2021と橋絡ITOをシール材20の幅内に形成しようとする場合の一例である。図14において、図示しない引き出し線が形成される辺の側で、BMスリット2021および遮光金属14に段部Vを設け、シール材20とBMスリット2021および橋絡ITOをシール材20の幅内の一部に形成することを可能としている。BMスリット2021と遮光金属14に段部を設けるのではなく、シール材に逆方向に段差を設けることでも同様な効果を得ることが出来る。
10…表示領域、 11…引き出し線、 12…ゲート引き出し線、 13…ドレイン引き出し線、 14…遮光金属、 15…橋絡ITO、 20…シール材、 30…端子部、 40…ICドライバ、 50…スルーホール、 100…TFT基板、 101…ゲート電極、 102…ゲート絶縁膜、 103…半導体層、 104…ドレイン電極、 105…ソース電極、 106…パッシベーション膜、 107…画素電極、 108…層間絶縁膜、 109…コモン電極、 110…コモン金属、 111…配向膜、 133…ドレイン線、 141…ゲート遮光金金属、 142…ドレイン遮光金属、 143…コモン遮光金属、 200…対向基板、 201…カラーフィルタ、 202…ブラックマトリクス、 203…オーバーコート膜、 300…液晶層、 301…液晶分子、 400…フレーム、 401…フランジ、 1091…スリット、 2021…BMスリット
Claims (8)
- TFTと画素電極を有する画素がマトリクス状に形成されたTFT基板と、カラーフィルタとブラックマトリクスが形成された対向基板がシール材によって接着し、内部に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
前記対向基板には、端部にまでブラックマトリクスが形成され、前記ブラックマトリクスはシール材の外側において、所定の幅wbをもってブラックマトリクスの無い領域であるBMスリットが全周にわたって形成され、
前記TFT基板には、前記BMスリットと対向する場所に所定の幅wmをもって遮光金属が全周にわたって形成され、
前記幅wm>前記幅wb
であることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記遮光金属は、前記TFT基板に形成されたドレイン電極と同層で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記遮光金属は、前記TFT基板に形成されたゲート電極と同層で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記遮光金属は、前記TFT基板に形成されたコモン電極と接続するコモン金属と同層で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- TFTと画素電極を有する画素がマトリクス状に形成されたTFT基板と、カラーフィルタとブラックマトリクスが形成された対向基板がシール材によって接着し、内部に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
前記TFT基板と前記対向基板とが重なった部分に表示領域が形成され、
前記TFT基板は前記対向基板よりも大きく、前記TFT基板が1枚となっている部分は端子部となっており、
前記端子部には、前記表示領域における配線と接続する引出し線が形成されており、
前記対向基板には、端部にまでブラックマトリクスが形成され、前記ブラックマトリクスはシール材の外側において、所定の幅wbをもってブラックマトリクスの無い領域であるBMスリットが全周にわたって形成され、
前記TFT基板には、前記BMスリットと対向する場所であって、かつ、前記引き出し配線とは別の層に所定の幅wmをもって遮光金属が全周にわたって形成され、
前記幅wm>前記幅wb
であることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記遮光金属は、前記TFT基板に形成されたドレイン電極と同層で形成されていることを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。
- 前記遮光金属は、前記TFT基板に形成されたゲート電極と同層で形成されていることを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。
- 前記遮光金属は、前記TFT基板に形成されたコモン電極と接続するコモン金属と同層で形成されていることを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (10)
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