TWI515487B - 液晶顯示裝置 - Google Patents

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Description

液晶顯示裝置
本發明係關於顯示裝置，尤其係關於特別於畫面周邊亦光洩漏較少，而可實現高對比度之液晶顯示裝置。
在液晶顯示裝置中，配置有將具有像素電極及薄膜電晶體(TFT)等之像素形成為矩陣狀之TFT基板，與對向於TFT基板且於與TFT基板之像素電極對應之位置上形成有彩色濾光片等之對向基板，於TFT基板與對向基板之間夾持有液晶。且，藉由以每個像素控制由液晶分子產生之光之透過率而形成圖像。
液晶顯示裝置因平坦且輕量，故而在各種領域用途廣泛。行動電話或DSC(Digital Still Camera：數位靜態相機)等中，廣泛使用小型之液晶顯示裝置。因液晶顯示面板本身不發光，故需要背光源。若在黑顯示時未將來自背光源之光充分地遮光，則會造成畫面之對比度劣化。
為提高對比度，而採用在顯示區域附近使用遮光膜或黑矩陣等各種辦法。但，於液晶顯示面板之端面附近，由於難以保持較高之可靠性而形成遮光膜，故畫面周邊之來自背光源之光洩漏成為問題。為對應如此之畫面周邊之來自背光源之光洩漏，「專利文獻1」中記述有將遮光性之密封材形成至液晶顯示面板之端部為止之構成。
另一方面，為提高液晶顯示裝置之可靠性，遮斷封入有液晶之 內部與外部之密封部之可靠性較重要。用以對像素給予掃描信號或影像信號之引導線自內部通過密封部向外部延伸。此時，在存在引導線之部分與不存在引導線之部分中，TFT基板與對向基板係間隔不同。為使此間隔均一，有時將虛設之金屬配置於引導線以外之部分。
「專利文獻2」中記述有一種構成，其不完整地形成虛設之金屬，而於金屬間形成隙縫，藉此降低靜電產生時之影響，又，可通過隙縫發現密封材之缺陷。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2012-32506號公報
[專利文獻2]日本專利特開2005-283862號公報
圖15係記述先前之液晶顯示裝置中來自背光源之光自畫面周邊洩漏，致使畫面周邊之對比度下降之機制之剖面模式圖。圖15中，TFT基板100與對向基板200係藉由密封材20接著，並於內部填充有液晶300。雖然於對向基板200上形成有黑矩陣202，但因若黑色陣列202形成至對向基板200之端部為止，則會產生黑矩陣202剝落等之問題，故不形成至端部為止。來自背光源之光之一部分在TFT基板100上反復全反射並自TFT基板100及對向基板200之周邊向畫面方向出射。
液晶顯示面板雖由具有凸緣401之框架400收納，但以某個角度入射至對向基板200之光會向畫面方向出射，從而使對比度下降。為防止此，較好係將黑矩陣202形成至對向基板200之端部為止。但，液晶顯示面板係藉由劃綫等自形成有多個液晶顯示面板之主基板各自分離。因此，由於液晶顯示面板之端部受到機械應力，故若將黑矩陣202形成至端部為止，則會產生對向基板200之端部之黑矩陣202容易 剝離之問題。
若黑矩陣202於對向基板200之端部剝離，則水分會自該部分侵入，且其順著黑矩陣202與對向基板200之界面而侵入至液晶顯示面板之密封部之內部，從而損害液晶顯示裝置之可靠性。圖16藉由箭頭表示水分等自外部在黑矩陣202與對向基板200之界面中傳導而侵入至密封部之內部之情況。
圖16中，於TFT基板100上積層有閘極絕緣膜102、鈍化膜106、及層間絕緣膜108，於對向基板200側積層有黑矩陣202與保護膜203。TFT基板100與對向基板200係藉由密封材20接著，且於密封材20之內部密封有液晶層300。圖16之箭頭係模式化顯示來自外部之水分侵入至密封材20之內部之液晶層300之情況。
圖17係顯示用以防止此問題之構成之液晶顯示面板之剖面圖。圖17中，形成於對向基板200之黑矩陣202雖形成至端部為止，但於密封材20之外側，因BM隙縫2021而在外側與內側分斷。若係如此般之構成，則於對向基板200之端部，自黑矩陣202與對向基板200之間侵入之水分等在此BM隙縫2021被遮斷，從而不會侵入至較其更內部。因此，圖17所示之構成可提高液晶顯示面板之可靠性。
圖18係具有如此般之構成之液晶顯示裝置之俯視圖。圖18中，於重疊有TFT基板100與對向基板200之區域中形成有顯示區域10。TFT基板100形成為較對向基板200更大，TFT基板100為1片之部分係端子部30，於此部分上搭載有驅動液晶顯示裝置之IC驅動器40。另，於端子部30之端部上連接用以對液晶顯示面板供給電源或掃描信號、影像信號等之未圖示之可撓性配線基板。
圖18中，於以密封材20包圍之區域內形成有顯示區域10。於對向基板200之內側，黑矩陣202向密封材20之外側延伸，而形成至端部為止。於密封材20之外側，在黑矩陣202中框狀地形成BM隙縫2021， 在該BM隙縫2021中遮斷自黑矩陣202之端部侵入之水分等。
在此構成中，因BM隙縫2021部分無法遮光，故來自背光源之光會通過BM隙縫2021向畫面洩漏。為防止來自此BM隙縫2021之光洩漏，於TFT基板側，以對應於BM隙縫2021之方式形成有由金屬構成之遮光膜。此金屬有時與閘極電極層同時形成，有時與汲極電極層同時形成。
如此般，將自TFT基板100側對BM隙縫2021遮光之狀態於圖19之剖面圖中予以表示。圖19之例係遮光金屬14為與汲極層同時形成之金屬之情形。來自背光源之光藉由遮光金屬14遮斷，從而不會自BM隙縫2021向外部洩漏。圖19之其他構成與圖16或圖17所說明相同。如圖18及圖19所示般，遮光金屬14之寬度形成為較BM隙縫2021之寬度更大。
如圖18所示，在液晶顯示面板中，未形成引導線11之3邊雖可藉由遮光金屬14將來自背光源之光進行遮光，但存在引導線11之邊無法形成同樣之遮光金屬14。即，其理由為，先前，遮光金屬14雖然與閘極層或汲極層同時形成，但存在有引導線11之部分具有因遮光金屬14而使引導線11短路之可能性。此處，所謂引導線11，係用以連接顯示區域10之掃描線、影像信號線(汲極線)、共用線等與配置於端子部30上之IC驅動器40等之配線。
圖20係存在引導線11之部分即圖18之F部之放大圖。圖20(a)係TFT基板100之引導線部分之放大俯視圖，圖20(b)係顯示對向基板200之黑矩陣202與BM隙縫2021之狀態之放大俯視圖。圖20(c)係重合有TFT基板100與對向基板200之情形之BM隙縫2021附近之俯視圖。在圖20(c)中，於BM隙縫2021上，存在引導線11之部分被遮光，而不存在引導線11之部分T透過來自背光源之光。因此，於畫面周邊對比度下降。
本發明之課題係即使於存在圖18之引導線11之部分中，仍可對來自背光源之光進行遮光，從而防止畫面周邊之對比度之劣化。
本發明係克服上述問題者，具體之步驟如下述。
(1)一種液晶顯示裝置，其特徵在於：其係將矩陣狀地形成有具有TFT與像素電極之像素之TFT基板，與形成有彩色濾光片及黑矩陣之對向基板藉由密封材接著，並於內部夾持液晶者；且於上述對向基板，將黑矩陣形成至端部為止；上述黑矩陣於密封材之外側，以特定之寬度wb遍及整周而形成無黑矩陣之區域即BM隙縫；於上述TFT基板，在與上述BM隙縫對向之位置上以特定之寬度wm遍及整周而形成遮光金屬；上述寬度wm>上述寬度wb。
(2)一種液晶顯示裝置，其特徵在於：其係將矩陣狀地形成有具有TFT與像素電極之像素之TFT基板，與形成有彩色濾光片及黑矩陣之對向基板藉由密封材接著，並於內部夾持液晶者；且於上述TFT基板與上述對向基板相重疊之部分中形成顯示區域；上述TFT基板較上述對向基板更大，上述TFT基板為1片之部分係端子部；於上述端子部中形成有與上述顯示區域之配線連接之引導線；於上述對向基板，將黑矩陣形成至端部為止；上述黑矩陣於密封材之外側，以特定之寬度wb遍及整周而形成無黑矩陣之區域即BM隙縫；於上述TFT基板，在與上述BM隙縫對向之位置且與上述引導配線為不同之層上，以特定之寬度wm遍及整周而形成遮光金屬；上述寬度wm>上述寬度wb。
根據本發明，因可將黑矩陣形成至周邊為止，故可防止畫面周邊之背光源之光洩漏，從而提高畫面周邊之對比度。又，在本發明中，雖為提高密封之可靠性，而於密封材之外側形成BM隙縫，但藉 由形成於TFT基板上之遮光金屬，可遍及整周對BM隙縫進行遮光，從而可遍及畫面整面提高對比度。
10‧‧‧顯示區域
11‧‧‧引導線
12‧‧‧閘極引導線
13‧‧‧汲極引導線
14‧‧‧遮光金屬
15‧‧‧橋接ITO
20‧‧‧密封材
30‧‧‧端子部
40‧‧‧IC驅動器
50‧‧‧通孔
100‧‧‧TFT基板
101‧‧‧閘極電極
102‧‧‧閘極絕緣膜
103‧‧‧半導體層
104‧‧‧汲極電極
105‧‧‧源極電極
106‧‧‧鈍化膜
107‧‧‧像素電極
108‧‧‧層間絕緣膜
109‧‧‧共用電極
110‧‧‧共用金屬
111‧‧‧配向膜
133‧‧‧汲極線
141‧‧‧閘極遮光金屬
142‧‧‧汲極遮光金屬
143‧‧‧共用遮光金屬
200‧‧‧對向基板
201‧‧‧彩色濾光片
202‧‧‧黑矩陣
203‧‧‧保護膜
300‧‧‧液晶層
301‧‧‧液晶分子
400‧‧‧框架
401‧‧‧凸緣
1091‧‧‧隙縫
2021‧‧‧BM隙縫
P‧‧‧配線
Q‧‧‧斜配線部
V‧‧‧階部
wb‧‧‧寬度
wm‧‧‧寬度
圖1係共用頂方式之IPS-PRO之剖面構造。
圖2係IPS-LITE之剖面構造。
圖3係顯示實施例1之俯視圖。
圖4(a)-(c)係實施例1之A部之放大圖。
圖5係顯示實施例2之俯視圖。
圖6(a)-(c)係實施例2之B部之放大圖。
圖7係顯示實施例3之俯視圖。
圖8(a)-(c)係實施例3之C部之放大圖。
圖9係顯示實施例4之俯視圖。
圖10(a)-(c)係實施例4之D部之放大圖。
圖11係顯示實施例5之俯視圖。
圖12(a)-(c)係實施例5之E部之放大圖。
圖13係實施例6之密封部之剖面圖。
圖14係顯示實施例6之俯視圖。
圖15係顯示先前例之問題點之剖面模式圖。
圖16係顯示另一先前例之問題點之剖面模式圖。
圖17係顯示對應圖16之問題點之構成之剖面圖。
圖18係先前例之俯視圖。
圖19係對應先前例之問題點之一部分之剖面圖。
圖20(a)-(c)係顯示圖18所示之先前例之問題點之放大圖。
液晶顯示裝置中，存在IPS(In Plane Switching：面內切換)方式、TN方式、VA方式等，本發明可應用於其任一者。本發明於TFT基板 上使用金屬遮光膜，此金屬遮光膜係在將電極或配線藉由金屬形成於TFT基板之情形時同時形成。因此，為後續之說明，對液晶顯示面板之剖面構造進行說明。因液晶顯示裝置中存在多種類之方式，故無法說明其全部，因此，作為代表例，針對所謂IPS-PRO方式及IPS-LITE方式之剖面構造進行說明。
圖1係被稱為IPS-PRO之類型之液晶顯示裝置，即所謂共用頂類型之剖面圖。於圖1中，在以玻璃形成之TFT基板100上形成閘極電極101，且覆蓋此而形成閘極絕緣膜102。閘極電極101係由Al合金、MoW合金或MoCr合金、或此等之積層膜形成。夾著閘極絕緣膜102而於閘極電極101之上方形成有半導體層103。於半導體層103，汲極電極104與源極電極105係夾著通道區域且對向而形成。汲極電極104在未圖示之位置上，與影像信號線(汲極線)133連接。汲極電極104及源極電極105係由Al合金、MoW合金或MoCr合金、或此等之積層膜形成。
覆蓋汲極電極104與源極電極105而形成有由SiN等形成之無機鈍化膜106。於無機鈍化膜106上，以平面整體藉由ITO形成有像素電極107。像素電極107與自TFT延伸之源極電極105係經由形成於無機鈍化膜106上之通孔而連接。於像素電極107上形成層間絕緣膜108，且於層間絕緣膜108上形成具有隙縫1091之共用電極109。
共用電極109係遍及畫面整體而共通地形成。共用電極109係由透明電極ITO(Indium Tin Oxide：氧化銦錫)形成，因ITO電阻較大，故為使共用電極109整體為均一之電位，將共用電極109上電阻較低之共用金屬110形成於光不會透過之部分。在本發明中，有時亦將此共用金屬110作為遮光金屬使用。共用金屬110係由Al合金、MoW合金或MoCr合金、或此等之積層膜形成。覆蓋共用電極109及共用金屬110而形成有配向膜111。
於圖1中，夾著液晶層300，而配置有對向基板200。於對向基板200上形成有黑矩陣202與彩色濾光片201，且覆蓋此等而形成有保護膜203。於保護膜203上，形成有配向膜111。於圖1之TFT基板100，若對像素電極107施加電壓，則於共用電極109與像素電極110之間產生電力線，使液晶分子301旋轉而以每個像素控制液晶300之透過率，從而形成圖像。
圖2係所謂稱為IPS-LITE之IPS方式之液晶顯示裝置之剖面圖。IPS-LITE係將共用電極109形成於最上層之共用頂類型。於圖2中，直至於TFT基板100上形成閘極電極101、閘極絕緣膜102、半導體層103、汲極電極104、及源極電極105為止，與先前所說明之IPS-PRO方式相同。於圖2中，在形成汲極電極104及源極電極105後，不介隔絕緣膜而藉由ITO形成像素電極107。
於像素電極107上，藉由SiN等形成無機鈍化膜106，於無機鈍化膜106上，形成於像素部分具有隙縫1091之共用電極109。共用電極109係於畫面整體共通地形成。為使共用電極109之電位均一，而在光不會透過之部分之共用電極109上形成共用金屬110。在本發明中，有時將此共用金屬110作為遮光金屬使用。
於圖2中，夾著液晶層300而配置有對向基板200。對向基板200之構成因與圖1所說明之IPS-PRO之情形相同，故而省略說明。以下使用實施例詳細地說明本發明。
[實施例1]
圖3係顯示實施例1之構成之液晶顯示裝置之俯視圖。圖3之構成除了存在引導線12之部分外，與圖18之構成相同。即，於圖3中，黑矩陣202形成至對向基板200之端面為止，且為防止水分等自黑矩陣202與對向基板200之界面侵入至液晶顯示面板之內部，而於密封材20之外側整周上形成有BM隙縫2021。BM隙縫2021之寬度wb較密封材20之寬度更小。
圖3與圖18之不同之處在於，於形成有引導線12之邊上，亦在TFT基板100側形成有遮光金屬142。於圖4中顯示圖3之A部之放大圖。圖4(a)係TFT基板100側之引導線12及遮光金屬142之俯視圖，圖4(b)顯示對向基板200之內側之黑矩陣202與BM隙縫2021，圖4(c)係顯示使TFT基板100與對向基板200重合之狀態之俯視圖。
於圖4(a)中，引導線12係與閘極電極在同層上形成之閘極引導線12。覆蓋閘極引導線12，對應於圖4(b)所示之BM隙縫2021而形成有與汲極電極在同層上形成之汲極遮光金屬142。於圖4(a)中，因閘極引導線12與汲極遮光金屬142係夾著閘極絕緣膜而在不同層上形成，故閘極引導線12與汲極遮光膜142不會短路。
圖4(c)係顯示於BM隙縫2021之附近，使TFT基板100與對向基板200重合之狀態之俯視圖。如圖4(c)所示般，因BM隙縫2021係由TFT基板100側之汲極遮光金屬142自下方覆蓋，故來自背光源之光不會通過BM隙縫2021。汲極遮光金屬142之寬度wm形成為較BM隙縫2021之寬度wb更大。BM隙縫2021之寬度wb為例如30~50μm，汲極遮光金屬142之寬度wm為50~80μm。此寬度之例在其他實施例中亦相同。
如此般，在本實施例中，因與閘極電極在同層上形成引導線12，並與汲極電極層在同層上形成遮光金屬142，故即使於形成有引導線12之區域中，仍可將形成於對向基板200上之BM隙縫2021完全地遮光。因此，可遍及整周形成對比度較好之畫面。
[實施例2]
圖5係顯示實施例2之構成之液晶顯示裝置之俯視圖。圖5之構成除了存在引導線13之部分外，與圖3之構成相同。即，於圖5中，黑矩陣202形成至對向基板200之端部為止，且為防止水分等自黑矩陣202與對向基板200之界面侵入至液晶顯示面板之內部，而於密封材20之外側整周上形成有BM隙縫2021。BM隙縫2021之寬度wb較密封材20之寬度更小。
於圖5中，亦與圖3相同，於形成有引導線13之邊上，亦於TFT基板100側形成有遮光金屬141。圖5與實施例1即圖3不同之處係引導線13與遮光金屬141之關係為相反之點。於圖6中顯示圖5之B部之放大圖。圖6(a)係TFT基板100側之引導線13及遮光金屬141之俯視圖，圖6(b)顯示對向基板200之內側之黑矩陣202與BM隙縫2021，圖6(c)係顯示使TFT基板100與對向基板200重合之狀態之俯視圖。
於圖6(a)中，引導線13係與汲極電極在同層上形成之汲極引導線13。覆蓋汲極引導線13之下方，對應於圖6(b)所示之BM隙縫2021而形成與閘極電極在同層上形成之閘極遮光金屬141。於圖6(a)中，因汲極引導線13與閘極遮光金屬141係夾著閘極絕緣膜而在不同層上形成，故汲極引導線13與閘極遮光金屬141不會短路。
圖6(c)係顯示於BM隙縫2021之附近，使TFT基板100與對向基板200重合之狀態之俯視圖。如圖6(c)所示般，因BM隙縫2021係由TFT基板100側之閘極遮光金屬141自下方覆蓋，故來自背光源之光不會通過BM隙縫2021。閘極遮光膜141之寬度wm形成為較BM隙縫2021之寬度wb更大。BM隙縫2021之寬度wb為例如30~50μm，閘極遮光金屬142之寬度wm為50~80μm。
如此般，在本實施例中，因與汲極電極在同層上形成引導線13，並與閘極電極層在同層上形成遮光金屬141，故即使於形成有引導線13之區域中，仍可將形成於對向基板200上之BM隙縫2021完全地遮光。因此，可遍及整周形成對比度較好之畫面。
[實施例3]
圖7係顯示實施例3之構成之液晶顯示裝置之俯視圖。圖7之構成除了存在引導線11之部分外，與圖3之構成相同。即，於圖7中，黑矩陣202形成至對向基板200之端部為止，且為防止水分等自黑矩陣202與對向基板200之界面侵入至液晶顯示面板之內部，而於密封材20之 外側整周上形成有BM隙縫2021。BM隙縫2021之寬度wb較密封材20之寬度更小。
於圖7中，亦與圖3相同，於形成有引導線11之邊上，亦於TFT基板100側形成有遮光金屬143。圖7與實施例1即圖3或實施例2即圖5之不同之處在於，遮光金屬143係由共用遮光金屬143形成。於圖8中顯示圖7之C部之放大圖。圖8(a)係TFT基板100側之引導線11及遮光金屬143之俯視圖，圖8(b)顯示對向基板200之內側之黑矩陣202與BM隙縫2021，圖8(c)係顯示使TFT基板100與對向基板200重合之狀態之俯視圖。
於圖8(a)中，引導線11係與汲極電極在同層上形成之汲極引導線13，及與閘極電極在同層上形成之閘極引導線12。覆蓋閘極引導線12及汲極引導線13，對應於圖8(b)所示之BM隙縫2021而形成有與共用金屬在同層上形成之共用遮光金屬143。於圖8(a)中，因閘極引導線12或汲極引導線13與共用遮光金屬143係夾著無機鈍化膜等而在不同層上形成，故閘極引導線12或汲極引導線13與共用遮光金屬143不會短路。
圖8(c)係顯示於BM隙縫2021之附近，使TFT基板100與對向基板200重合之狀態之俯視圖。如圖8(c)所示般，因BM隙縫2021係由TFT基板100側之共用遮光金屬143自下方覆蓋，故來自背光源之光不會通過BM隙縫2021。共用遮光金屬143之寬度wm形成為較BM隙縫2021之寬度wb更大之情況等，與實施例1或實施例2相同。
如此般，在本實施例中，因可以與閘極電極同層及與汲極電極同層之方式在多層上形成引導線11，故亦可應用於與實施例1或實施例2之情形相比引導線11之密度更大之情形。且，因可將BM隙縫2021藉由共用遮光金屬143完全地自背光源遮光，故可遍及整周形成對比度較好之畫面。
[實施例4]
圖9係顯示實施例4之構成之液晶顯示裝置之俯視圖。圖9之構成除了存在引導線11之部分外，與圖3之構成相同。即，於圖9中，黑矩陣202形成至對向基板200之端部為止，且為防止水分等自黑矩陣202與對向基板200之界面侵入至液晶顯示面板之內部，而於密封材20之外側整周上形成有BM隙縫2021。於圖9中，亦與實施例1至3相同，於形成有引導線11之邊上，亦於TFT基板100側形成有遮光金屬14。BM隙縫2021之寬度wb較密封材20之寬度更小。
本實施例即圖9與實施例1至3不同之處係引導線11之平面形狀。即，圖9之引導線11不僅包含斜配線，且包含斜配線之部分及與液晶顯示面板之邊平行之部分。圖10係圖9之D部之放大圖。於圖10(a)中，斜配線部Q之配線間距與平行於液晶顯示面板之邊之部分之配線P相比間距較小。於此部分中，將引導線11區分為閘極引導線12與汲極引導線13而進行配線者，可穩定地取得線間之絕緣。另一方面，與液晶顯示面板之邊平行之部分P之配線間距，可設置為與斜配線之部分Q相比較大。
於圖10(a)中，成為斜配線Q之汲極引導線13在與平行於液晶顯示面板之邊之部分P之彎曲部，藉由通孔50而改換成閘極引導線12。因此，在與液晶顯示面板之邊平行之部分P，可僅由與閘極電極在同層上形成之閘極引導線12形成。如此之情形時，遮光金屬可使用與汲極電極在同層上形成之汲極遮光金屬142。
圖10(c)係顯示於BM隙縫2021之附近，使TFT基板100與對向基板200重合之狀態之俯視圖。如圖10(c)所示般，因BM隙縫2021係由TFT基板100側之汲極遮光金屬142自下方覆蓋，故來自背光源之光不會通過BM隙縫2021。
如此般，在本實施例中，因在引導線11中，在間距較小之斜配線之部分中，使用閘極引導線12與汲極引導線13，在間距較大之與液晶顯示面板之邊平行之部分(以後稱為平行配線)中，可僅使用閘極引導 線12，故將對BM隙縫2021之遮光金屬作為汲極遮光金屬，而無需另外形成新的金屬作為遮光金屬。
在以上之說明中，雖將斜配線設為2層配線，並將平行配線設為閘極引導線12，但亦可反之，將斜配線設為2層配線，並將平行配線設為汲極引導線13。此情形之遮光金屬採用閘極遮光金屬141。
[實施例5]
圖11係顯示實施例5之構成之液晶顯示裝置之俯視圖。圖11之構成除了存在引導線11之部分外，與圖3之構成相同。即，於圖11中，將黑矩陣202形成至對向基板200之端部為止，且為防止水分等自黑矩陣202與對向基板200之界面侵入至液晶顯示面板之內部，而於密封材20之外側整周上形成有BM隙縫2021。於圖11中，亦與實施例1至4相同，於形成有引導線11之邊上，亦於TFT基板100側形成有遮光金屬142。BM隙縫2021之寬度wb較密封材20之寬度更小。
本實施例即圖11與實施例1至3不同之處係引導線11之平面形狀。即，圖11之引導線從斜配線變為平行配線，且再次變為斜配線。圖12係圖11之E部之放大圖。於圖12(a)中，斜配線部為閘極引導線12與汲極引導線13之2層配線，平行配線部為閘極引導線12與橋接ITO15之2層配線。此情形時，遮光金屬使用與汲極電極在同層上形成之汲極遮光金屬142。
於圖12(a)中，閘極引導線形成於汲極遮光金屬之下，橋接ITO形成於汲極遮光金屬之上。引導線超過對應於遮光金屬之部分後再次變為斜配線，變為閘極引導線12與汲極引導線13之2層配線。此時，橋接ITO15經由通孔50改換成汲極引導線13。
形成於TFT基板100之汲極遮光金屬142，形成於與形成於圖12(b)所示之對向基板200之BM隙縫2021對應之部分。圖12(c)係顯示在BM隙縫2021附近，使TFT基板100與對向基板200重合之狀態之俯視圖。 於圖12(c)中，BM隙縫2021係藉由汲極遮光金屬142自下方完全地覆蓋。於BM隙縫2021之部分中，存在有閘極引導線12與橋接ITO15。
橋接ITO15係例如於IPS-PRO中，若使用像素電極107，則可將對鈍化膜106之通孔之形成及與汲極引導線13之連接，與於像素部分中將通孔形成於鈍化膜106，並將像素電極107與源極電極105連接之步驟同時進行，故可不增加步驟而進行。
以上，在從斜配線改換成平行配線之時，係將汲極引導線13改換成橋接ITO15之構成。但，與此相反，亦可在從斜配線改換成平行配線之時，採用將閘極引導線12改換成橋接ITO15之構成。此情形之遮光金屬可使用閘極遮光金屬141。
另，如圖11所示般從斜配線變為平行配線，且再次變為斜配線之引導線之情形時，亦可採用與圖12所示者不同之配線構成。其第1構成係將斜配線與圖12相同地採用汲極引導線13與閘極引導線12之2層配線，在平行配線之部分中，將汲極引導線13經由通孔50改換成閘極引導線12。因此，在平行配線部分中，引導線僅為閘極引導線12。此情形之遮光金屬為汲極遮光金屬142。從平行配線變為斜配線時，再經由通孔50採用汲極引導線13與閘極引導線12之2層配線。
其第2構成係將斜配線與圖12相同地採用汲極引導線13與閘極引導線12之2層配線，在平行配線之部分中，將閘極引導線12經由通孔50改換成汲極引導線13。因此，在平行配線部分中，引導線僅為汲極引導線13。此情形之遮光金屬為閘極遮光金屬141。從平行配線變為斜配線時，再經由通孔50採用汲極引導線13與閘極引導線12之2層配線。
[實施例6]
如圖11或圖12所示般，將引導線11使用橋接ITO15而進行之情形時，作為ITO，若使用IPS-LITE之共用電極109之ITO，則存在產生以 下之問題之情形。IPS-LITE之共用電極109形成於鈍化膜106之上即最上層。即，於ITO上不存在絕緣膜。因ITO與密封材20之接著力相比絕緣膜與密封材之接著力較弱，故存在損害密封材20之可靠性之情形。
但，遮光金屬14需形成於對應於橋接ITO15之部分上。如此之情形時，如圖13所示般，將對向基板200之BM隙縫2021與密封材20重疊而形成，又，橋接ITO15亦與密封材20重疊而形成。藉此，可使橋接ITO15與密封材20之接觸並非遍及密封材20之寬度整體，而僅與密封材20之寬度之1部重疊接觸。藉此，可避免密封部之接著之可靠性下降。
圖14係如圖13般，欲將BM隙縫2021與橋接ITO形成於密封材20之寬度內之情形之一例。於圖14中，在形成未圖示之引導線之邊側，於BM隙縫2021及遮光金屬14上設置階部V，而可將密封材20與BM隙縫2021及橋接ITO形成於密封材20之寬度內之一部分。藉由不於BM隙縫2021與遮光金屬14上設置階部，而於密封材沿反方向設置階差，亦可獲得相同之效果。
10‧‧‧顯示區域
12‧‧‧閘極引導線
20‧‧‧密封材
30‧‧‧端子部
40‧‧‧IC驅動器
100‧‧‧TFT基板
142‧‧‧汲極遮光金屬
200‧‧‧對向基板
202‧‧‧黑矩陣
2021‧‧‧BM隙縫

Claims (12)

  1. 一種液晶顯示裝置，其特徵在於：其係將矩陣狀地形成有具有TFT與像素電極之像素之TFT基板，與形成有黑矩陣之對向基板藉由密封材接著，並於內部夾持有液晶者，且於上述對向基板，將黑矩陣形成至端部為止，於上述黑矩陣，於密封材之外側，以特定之寬度wb遍及整周而形成無黑矩陣之區域即BM隙縫；於上述TFT基板，於與上述BM隙縫對向之位置上以特定之寬度wm遍及整周而形成遮光金屬；上述寬度wm>上述寬度wb，上述寬度wb較上述密封材之寬度更小。
  2. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中上述遮光金屬係與形成於上述TFT基板上之汲極電極在同層上形成。
  3. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中上述遮光金屬係與形成於上述TFT基板上之閘極電極在同層上形成。
  4. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中上述遮光金屬係與連接於形成於上述TFT基板上之共用電極之共用金屬在同層上形成。
  5. 一種液晶顯示裝置，其特徵在於：其係將矩陣狀地形成有具有TFT與像素電極之像素之TFT基板，與形成有黑矩陣之對向基板藉由密封材接著，並於內部夾持有液晶者，且於上述TFT基板與上述對向基板重疊之部分形成顯示區域；上述TFT基板較上述對向基板更大，上述TFT基板為1片之部分成為端子部；於上述端子部，形成有與上述顯示區域之配線連接之引導線； 於上述對向基板，將黑矩陣形成至端部為止，於上述黑矩陣，於密封材之外側，以特定之寬度wb遍及整周而形成無黑矩陣之區域即BM隙縫；於上述TFT基板，於與上述BM隙縫對向之位置且與上述引導配線為不同之層上以特定之寬度wm遍及整周而形成遮光金屬；上述寬度wm>上述寬度wb，上述寬度wb較上述密封材之寬度更小。
  6. 如請求項5之液晶顯示裝置，其中上述遮光金屬係與形成於上述TFT基板上之汲極電極在同層上形成。
  7. 如請求項5之液晶顯示裝置，其中上述遮光金屬係與形成於上述TFT基板上之閘極電極在同層上形成。
  8. 如請求項5之液晶顯示裝置，其中上述遮光金屬係與連接於形成於上述TFT基板上之共用電極之共用金屬在同層上形成。
  9. 一種液晶顯示裝置，其特徵在於：其係將矩陣狀地形成有具有TFT與像素電極之像素之TFT基板，與形成有黑矩陣之對向基板藉由密封材接著，並於內部夾持有液晶者，且於上述對向基板，將黑矩陣形成至端部為止，於上述黑矩陣，於與密封材重複之部分，以特定之寬度wb形成無黑矩陣之區域即BM隙縫；於上述TFT基板，於與上述BM隙縫對向之位置上以特定之寬度wm形成遮光金屬；上述寬度wm>上述寬度wb，上述寬度wb較上述密封材之寬度更小。
  10. 如請求項9之液晶顯示裝置，其中上述遮光金屬係與形成於上述TFT基板上之汲極電極在同層上形成。
  11. 如請求項9之液晶顯示裝置，其中上述遮光金屬係與形成於上述 TFT基板上之閘極電極在同層上形成。
  12. 如請求項9之液晶顯示裝置，其中上述遮光金屬係與連接於形成於上述TFT基板上之共用電極之共用金屬在同層上形成。
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