TWI771244B - 顯示裝置 - Google Patents

Abstract

一種顯示裝置，包括第一基板、第一金屬層、閘極絕緣層、半導體通道、第二金屬層、彩色濾光層、遮蔽電極、絕緣層、畫素電極、液晶層、第二基板以及第二共用電極。第一金屬層位於第一基板上，且包括掃描線、閘極以及第一共用電極。閘極絕緣層位於第一金屬層上。半導體通道位於閘極絕緣層上。第二金屬層位於閘極絕緣層上，且包括源極、汲極以及資料線。彩色濾光層位於第二金屬層上。遮蔽電極至少部分重疊於第二金屬層。絕緣層位於彩色濾光層上。第二共用電極位於第二基板上。

Description

顯示裝置

本發明是有關於一種顯示裝置，且特別是有關於一種具有遮蔽電極的顯示裝置。

液晶顯示裝置因為具有機身薄、省電、無輻射等眾多優點，被廣泛的應用於液晶電視、數位相機、手機、平板電腦、桌上型電腦或筆記型電腦等各種消費性電子產品，成為顯示裝置中的主流。

現有的液晶顯示裝置多為背光型液晶顯示器，其利用背光模組(backlight module)設置於液晶面板背後，並以背光模組作為光源。一般而言，液晶面板包括彩色濾光元件基板(color filter substrate)、薄膜電晶體陣列基板(TFT array substrate)、液晶層以及偏光片。液晶面板藉由電場使液晶分子轉動，藉此改變光線的偏振方向，以控制背光模組發出的光線是否能穿過液晶面板。

在一些液晶顯示裝置中，為了提高液晶面板的開口率，會將彩色濾光元件設置於薄膜電晶體陣列基板上，即採用彩色濾 光元件在陣列上(Color Filter On Array，COA)之技術。彩色濾光元件為介電材質，設置於薄膜電晶體陣列基板的彩色濾光元件容易與薄膜電晶體陣列基板中的導電結構共同組成電容。然而，彩色濾光元件所對應之電容容易漏電，並影響顯示畫面的品質。

本發明提供一種顯示裝置，能改善電容漏電的問題。

本發明的至少一實施例提供一種顯示裝置，包括第一基板、第一金屬層、閘極絕緣層、半導體通道、第二金屬層、彩色濾光層、遮蔽電極、絕緣層、畫素電極、液晶層、第二基板以及第二共用電極。第一金屬層位於第一基板上，且包括掃描線、閘極以及第一共用電極。閘極分別連接掃描線。第一共用電極分離於掃描線。閘極絕緣層位於第一金屬層上。半導體通道位於閘極絕緣層上，且重疊於閘極。第二金屬層位於閘極絕緣層上，且包括源極、汲極以及資料線。源極以及汲極分別電性連接半導體通道。資料線分別電性連接源極。彩色濾光層位於第二金屬層上，且具有重疊於汲極的第一開口。遮蔽電極至少部分重疊於第二金屬層。絕緣層位於彩色濾光層上，且具有重疊於第一開口的第二開口。畫素電極位於絕緣層上，且透過第二開口而電性連接至汲極，其中各畫素電極具有多個狹縫。液晶層位於第一基板與第二基板之間。第二共用電極位於第二基板上。

本發明的至少一實施例提供一種顯示裝置，包括第一基 板、第二基板、液晶層、掃描線、第一共用電極、閘極、閘極絕緣層、半導體通道、源極、汲極、資料線、彩色濾光層、絕緣層、畫素電極、遮蔽電極以及第二共用電極。液晶層位於第一基板與第二基板之間。掃描線以及第一共用電極位於第一基板上。第一共用電極包括沿著第一方向延伸的主幹部以及沿著第二方向延伸的多個分支部。分支部連接主幹部。掃描線沿著第一方向延伸。閘極連接掃描線。閘極絕緣層位於閘極上。半導體通道位於閘極絕緣層上，且重疊於閘極。源極以及汲極電性連接半導體通道。資料線電性連接源極，且沿著第二方向延伸。彩色濾光層位於閘極絕緣層上，且具有重疊於汲極的第一開口。絕緣層位於彩色濾光層上，且具有重疊於第一開口的第二開口。畫素電極位於絕緣層上，且透過第二開口而電性連接至汲極。畫素電極具有多個狹縫。遮蔽電極於第一基板的垂直投影相鄰或重疊於分支部於第一基板的垂直投影。遮蔽電極與畫素電極具有相同電位。第二共用電極位於第二基板上。

本發明的至少一實施例提供一種顯示裝置，包括第一基板、第二基板、液晶層、第一金屬層、閘極絕緣層、多個半導體通道、第二金屬層、彩色濾光層、遮蔽電極、絕緣層、多個畫素電極以及第二共用電極。液晶層位於第一基板與第二基板之間。第一金屬層位於第一基板上，且包括多條掃描線、多個閘極以及多條第一共用電極。掃描線沿著第一方向延伸。閘極分別連接掃描線。第一共用電極分離於掃描線。閘極絕緣層位於第一金屬層 上。半導體通道位於閘極絕緣層上，且重疊於閘極。第二金屬層位於閘極絕緣層上，且包括多個源極、多個汲極、多條資料線以及多條閘極訊號線。源極以及汲極分別電性連接半導體通道。資料線沿著第二方向延伸，且分別電性連接源極。閘極訊號線沿著第二方向延伸，且分別透過閘極絕緣層的多個通孔而電性連接掃描線。彩色濾光層位於第二金屬層上，且具有重疊於汲極的多個第一開口。遮蔽電極至少部分重疊於第二金屬層。絕緣層位於彩色濾光層上，且具有重疊於第一開口的多個第二開口。畫素電極位於絕緣層上，且透過第二開口而電性連接至汲極。各畫素電極具有沿著第三方向延伸的多個第一狹縫以及沿著第四方向延伸的多個第二狹縫，畫素電極中的至少一者的第一狹縫與第二狹縫之間的區域重疊於資料線以及閘極訊號線中對應的一者。第二共用電極位於第二基板上。

10、20、30、40、50、60、70、80:顯示裝置

100:第一基板

110:第一金屬層

112:掃描線

114:閘極

116:第一共用電極

116A:主幹部

116B:分支部

118:輔助結構

120:閘極絕緣層

130:半導體通道

140:第二金屬層

142:資料線

144a:閘極訊號線

144b:共用訊號線

146:源極

148:汲極

150:保護層

160:彩色濾光層

170:遮蔽電極

180:絕緣層

190:畫素電極

192:檢測結構

200:液晶層

300:第二基板

310:第二共用電極

E1:第一方向

E2:第二方向

E3:第三方向

E4:第四方向

O:開口

O1:第一開口

O2:第二開口

st:狹縫

st1:第一狹縫

st2:第二狹縫

T:開關元件

TH1、TH2:通孔

圖1是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。

圖2A是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。

圖2B是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。

圖3是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。

圖4A是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。

圖4B是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。

圖5是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。

圖6A是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。

圖6B是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。

圖7A是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。

圖7B是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的電場分布示意圖。

圖8A是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。

圖8B是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的電場分布示意圖。

圖9A是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。

圖9B是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的電場分布示意圖。

圖10是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。

圖11A是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。

圖11B是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的電場分布示意圖。

圖1是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的示意圖。

請參考圖1，顯示裝置10包括第一基板100、多條掃描線112、多條資料線142、多條閘極訊號線144a、多個開關元件T以及多個畫素電極190。

在本實施例中，掃描線112屬於第一金屬層110，且資料線142與閘極訊號線144a屬於第二金屬層140。第一金屬層110與第二金屬層140之間夾有閘極絕緣層(未繪出)。閘極訊號線144a分別透過貫穿閘極絕緣層的多個通孔TH1而電性連接掃描線112。在本實施例中，掃描線112沿著第一方向E1延伸，資料線142以及閘極訊號線144a沿著第二方向E2延伸。藉由閘極訊號線144a的設置，掃描線112的訊號源(例如閘極驅動晶 片)以及資料線142的訊號源(例如源極驅動晶片)可以設置於顯示區的同一側，藉此縮小顯示裝置的邊框面積。

每個開關元件T電性連接至對應的一條掃描線112、對應的一條資料線142以及對應的一個畫素電極190。在本實施例中，排成同一行的畫素電極190透過排成同一行的開關元件T而電性連接至對應的一條資料線142。

各畫素電極190具有沿著第三方向E3延伸的多個第一狹縫st1以及沿著第四方向E4延伸的多個第二狹縫st2。各畫素電極190的第一狹縫st1與第二狹縫st2之間具有光學暗區。前述光學暗區指的是液晶分子不容易受到電場控制而轉向的區域，背光模組發出的光線不容易穿過光學暗區。在本實施例中，第一狹縫st1與第二狹縫st2之間的區域(光學暗區)重疊於閘極訊號線144a，藉此降低閘極訊號線144a對顯示裝置之開口率所產生的影響，並能更有效的利用佈線空間。在一些實施例中，各第一狹縫st1以及各第二狹縫st2的寬度為1.5微米至4微米。在本實施例中，資料線142位於相鄰的兩行畫素電極190之間，資料線142重疊於相鄰的兩行畫素電極190之間的間隙。

圖2A是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。圖2B是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。圖2B例如是對應圖2A線aa’、bb’以及cc’的剖面示意圖。

在此必須說明的是，圖2A和圖2B的實施例沿用圖1的 實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖2A與圖2B，顯示裝置10包括第一基板100、第一金屬層110、閘極絕緣層120、多個半導體通道130、第二金屬層140、彩色濾光層160、遮蔽電極170、絕緣層180、多個畫素電極190、液晶層200、第二基板300以及第二共用電極310。在本實施例中，顯示裝置10還包括位於第二金屬層140與彩色濾光層160之間的保護層150，但本發明不以此為限。

第一金屬層110位於第一基板100上，且包括多條掃描線112、多個閘極114以及多條第一共用電極116。在本實施例中，第一金屬層110還包括多個輔助結構118。輔助結構118重疊於畫素電極190。

掃描線112以及第一共用電極116沿著第一方向E1延伸。閘極114分別連接掃描線112。掃描線112、第一共用電極116以及輔助結構118在結構上彼此分離。

在本實施例中，第一金屬層110為單層或多層結構，且其形狀是藉由同一個光罩所定義。

閘極絕緣層120位於第一金屬層110上。半導體通道130位於閘極絕緣層120上，且重疊於閘極114。

第二金屬層140位於閘極絕緣層120上，且包括多條資料線142、多條閘極訊號線144a、多個源極146以及多個汲極 148。在本實施例中，第二金屬層140還包括多條共用訊號線144b。

資料線142、閘極訊號線144a以及共用訊號線144b沿著第二方向E2延伸。資料線142分別電性連接源極146。源極146以及汲極148分別電性連接半導體通道130。閘極訊號線144a分別透過閘極絕緣層120的多個通孔(請參考圖1)而電性連接掃描線112。在一些實施例中，每條掃描線112電性連接一條以上的閘極訊號線144a。在本實施例中，閘極訊號線144a以及共用訊號線144b分別透過閘極絕緣層120的多個通孔TH2而電性連接輔助結構118，藉此降低導線的電阻值。

保護層150以及彩色濾光層160位於第二金屬層140上。保護層150具有重疊於汲極148的多個開口O。彩色濾光層160具有重疊於汲極148的多個第一開口O1。彩色濾光層160例如包括紅色濾光層、藍色濾光層以及綠色濾光層。不同顏色之濾光層之間的交界例如重疊於資料線142。

遮蔽電極170位於彩色濾光層160上。遮蔽電極170至少部分重疊於第二金屬層140。在本實施例中，遮蔽電極170的材料包括透明導電材料。

絕緣層180位於彩色濾光層160上，且具有重疊於第一開口O1以及開口O的多個第二開口O2。遮蔽電極170位於彩色濾光層160與絕緣層180之間。

畫素電極190位於絕緣層180上，且透過第二開口O2 而電性連接至汲極148。各畫素電極190具有沿著第三方向延伸的多個第一狹縫(圖2A省略繪示，請參考圖1)以及沿著第四方向延伸的多個第二狹縫(圖2A省略繪示，請參考圖1)，各畫素電極190的第一狹縫與第二狹縫之間的區域重疊於閘極訊號線144a以及共用訊號線144b。

在本實施例中，遮蔽電極170位於畫素電極190與彩色濾光層160之間。在本實施例中，遮蔽電極170與第一共用電極116具有相同電壓。在一些實施例中，遮蔽電極170與第一共用電極116彼此電性連接。舉例來說，遮蔽電極170與第一共用電極116在非顯示區中彼此連接。

在本實施例中，畫素電極190上的電壓不同於遮蔽電極170與第一共用電極116上的電壓，遮蔽電極170位於畫素電極190與第一共用電極116之間，並能減少畫素電極190與第一共用電極116之間的電場。由於遮蔽電極170位於彩色濾光層160上，遮蔽電極170能減少彩色濾光層160所對應之電容對顯示畫面的品質所造成之不良影響。在本實施例中，遮蔽電極170還能用於遮蔽閘極訊號線144a、共用訊號線144b以及資料線142，以減少畫素電極190與閘極訊號線144a之間的寄生電容、畫素電極190與共用訊號線144b之間的寄生電容以及畫素電極190與資料線142之間的寄生電容。

在一些實施例中，遮蔽電極170與彩色濾光層160之間還具有保護層，用於避免遮蔽電極170直接形成於表面不平整的 彩色濾光層160上，但本發明不以此為限。

液晶層200位於第一基板100與第二基板300之間。第二共用電極310位於第二基板300上。在本實施例中，顯示裝置10為垂直配向液晶顯示面板(Vertical Alignment liquid crystal display panel)。

圖3是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。在此必須說明的是，圖3的實施例沿用圖1的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖3，在顯示裝置20中，畫素電極190的第一狹縫st1與第二狹縫st2之間的區域(光學暗區)重疊於資料線142，藉此降低資料線142對顯示裝置之開口率所產生的影響，並能更有效的利用佈線空間。在本實施例中，每條閘極訊號線144a位於相鄰的兩行畫素電極190之間，且閘極訊號線144a重疊於相鄰的兩行畫素電極190之間的間隙。

圖4A是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。圖4B是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。圖4B例如是對應圖4A線aa’、bb’以及cc’的剖面示意圖。

在此必須說明的是，圖4A與圖4B的實施例沿用圖3的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表 示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖4A與圖4B，在本實施例中，第一共用電極116包括沿著第一方向E1延伸的主幹部116A以及沿著第二方向E2延伸的多個分支部116B，其中分支部116B連接主幹部116A。在本實施例中，每條掃描線112的兩側皆設置有主幹部116A，換句話說，每條掃描線112位於兩條主幹部116A之間。

在本實施例中，閘極訊號線144a位於相鄰的兩行畫素電極190之間，且共用訊號線144b位於相鄰的兩行畫素電極190之間，閘極訊號線144a與共用訊號線144b重疊於相鄰的兩行畫素電極190之間的間隙。共用訊號線144b透過閘極絕緣層120的多個通孔TH2而電性連接分支部116B。閘極訊號線144a透過閘極絕緣層120的多個通孔TH2而電性連接輔助結構118，輔助結構118重疊於相鄰的兩行畫素電極190之間的間隙。

畫素電極190的第一狹縫st1與第二狹縫st2之間的區域(光學暗區)重疊於資料線142，藉此降低資料線142對顯示裝置之開口率所產生的影響，並能更有效的利用佈線空間。

在本實施例中，畫素電極190上的電壓不同於遮蔽電極170(圖4A省略繪出)與第一共用電極116上的電壓，遮蔽電極170位於畫素電極190與第一共用電極116之間，並能減少畫素電極190與第一共用電極116之間的電場。由於遮蔽電極170位於彩色濾光層160上，遮蔽電極170能減少彩色濾光層160所對 應之電容對顯示畫面的品質所造成之不良影響。在本實施例中，遮蔽電極170還能用於遮蔽閘極訊號線144a、共用訊號線144b以及資料線142，以減少畫素電極190與閘極訊號線144a之間的寄生電容、畫素電極190與共用訊號線144b之間的寄生電容以及畫素電極190與資料線142之間的寄生電容。

圖5是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。在此必須說明的是，圖5的實施例沿用圖1的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖5，在顯示裝置30中，相鄰的兩條資料線142設置於相鄰的兩行畫素電極190之間。閘極訊號線144a設置於相鄰的兩行畫素電極190之間。

圖6A是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。圖6B是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。圖6B例如是對應圖6A線aa’、bb’以及cc’的剖面示意圖。

在此必須說明的是，圖6A和圖6B的實施例沿用圖5的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖6A和圖6B，在本實施例中，第一共用電極 116包括沿著第一方向E1延伸的主幹部116A以及沿著第二方向E2延伸的多個分支部116B，其中分支部116B連接主幹部116A。在本實施例中，每條掃描線112的兩側皆設置有主幹部116A，換句話說，每條掃描線112位於兩條主幹部116A之間。

在本實施例中，閘極訊號線144a位於相鄰的兩行畫素電極190之間，共用訊號線144b位於相鄰的兩行畫素電極190之間，且相鄰的兩條資料線142設置於相鄰的兩行畫素電極190之間。共用訊號線144b透過閘極絕緣層120的多個通孔TH2而電性連接分支部116B。閘極訊號線144a透過閘極絕緣層120的多個通孔TH2而電性連接輔助結構118。

在本實施例中，畫素電極190上的電壓不同於遮蔽電極(圖6A省略繪出)與第一共用電極116上的電壓，遮蔽電極170位於畫素電極190與第一共用電極116之間，並能減少畫素電極190與第一共用電極116之間的電場。由於遮蔽電極170位於彩色濾光層160上，遮蔽電極170能減少彩色濾光層160所對應之電容對顯示畫面的品質所造成之不良影響。

圖7A是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。圖7B是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的電場分布示意圖。圖7B例如是圖7A的顯示裝置的電場分布示意圖。

請參考圖7A與圖7B，顯示裝置40包括第一基板100、第一金屬層110、閘極絕緣層120、半導體通道130、第二金屬層140、彩色濾光層160、遮蔽電極170、絕緣層180、畫素電極 190、液晶層200、第二基板300以及第二共用電極310。

第一金屬層110位於第一基板100上，且包括多條掃描線112、多個閘極114以及多條第一共用電極116。在一些實施例中，第一基板100與第一金屬層110之間還具有緩衝層(未繪出)，但本發明不以此為限。

掃描線112以及第一共用電極116沿著第一方向E1延伸。閘極114分別連接掃描線112。掃描線112以及第一共用電極116在結構上彼此分離。

在本實施例中，第一金屬層110為單層或多層結構，且其形狀是藉由同一個光罩所定義。

閘極絕緣層120位於第一金屬層110上。半導體通道130位於閘極絕緣層120上，且重疊於閘極114。

第二金屬層140位於閘極絕緣層120上，且包括多條資料線142、多個源極146以及多個汲極148。

資料線142沿著第二方向E2延伸。資料線142分別電性連接源極146。源極146以及汲極148分別電性連接半導體通道130。

彩色濾光層160位於第二金屬層140上。彩色濾光層160具有重疊於汲極148的多個第一開口O1。彩色濾光層160例如包括紅色濾光層、藍色濾光層以及綠色濾光層。不同顏色之濾光層之間的交界例如重疊於資料線142。

遮蔽電極170位於彩色濾光層160上。遮蔽電極170至 少部分重疊於第二金屬層140。在本實施例中，遮蔽電極170的材料包括透明導電材料。

絕緣層180位於彩色濾光層160上，且具有重疊於第一開口O1的多個第二開口O2。遮蔽電極170位於彩色濾光層160與絕緣層180之間。

畫素電極190位於絕緣層180上，且透過第二開口O2而電性連接至汲極148。各畫素電極190具有多個狹縫st。在一些實施例中，狹縫st的寬度為1.5微米至4微米。

在本實施例中，遮蔽電極170位於畫素電極190與彩色濾光層160之間。在本實施例中，遮蔽電極170與第一共用電極116具有相同電壓。在一些實施例中，遮蔽電極170與第一共用電極116彼此電性連接。舉例來說，遮蔽電極170與第一共用電極116在非顯示區中彼此連接。

在本實施例中，畫素電極190上的電壓不同於遮蔽電極170與第一共用電極116上的電壓，遮蔽電極170位於畫素電極190與彩色濾光層160之間，並能減少穿過彩色濾光層160的電力線(Line of Electric Force)的密度。換句話說，遮蔽電極170能減少彩色濾光層160所對應之電容對顯示畫面的品質所造成之不良影響。在一些實施例中，遮蔽電極170還部份重疊於資料線142，藉此減少資料線142與畫素電極190之間的彩色濾光層160所形成的電容。

在一些實施例中，遮蔽電極170與彩色濾光層160之間 還具有保護層，用於避免遮蔽電極170直接形成於表面不平整的彩色濾光層160上，但本發明不以此為限。

在本實施例中，每個遮蔽電極170重疊於多個子畫素的畫素電極190。

液晶層200位於第一基板100與第二基板300之間。第二共用電極310位於第二基板300上。在本實施例中，顯示裝置40為垂直配向液晶顯示面板(Vertical Alignment liquid crystal display panel)。在一些實施例中，顯示裝置40還包括檢測結構192。檢測結構192與畫素電極190屬於相同膜層，且檢測結構192適用於監控畫素電極190的製程。

圖8A是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。圖8B是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的電場分布示意圖。圖8B例如是圖8A的顯示裝置的電場分布示意圖。

在此必須說明的是，圖8A與圖8B的實施例沿用圖7A與圖7B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖8A與圖8B，顯示裝置50中，遮蔽電極170位於彩色濾光層160與閘極絕緣層120之間，且遮蔽電極170重疊並直接接觸汲極148。換句話說，遮蔽電極170、汲極148以及畫素電極190具有相同電壓。

在顯示裝置50中，第一共用電極116包括沿著第一方 向E1延伸的主幹部116A以及沿著第二方向E2延伸的多個分支部116B。分支部116B連接主幹部116A。

在一些實施例中，分支部116B於第一基板100上的垂直投影位於畫素電極190於第一基板100上的垂直投影與資料線142於第一基板100上的垂直投影之間。

在本實施例中，遮蔽電極170位於彩色濾光層160與閘極絕緣層120之間，並能減少穿過彩色濾光層160的電力線的密度。換句話說，遮蔽電極170能減少彩色濾光層160所對應之電容對顯示畫面的品質所造成之不良影響。舉例來說，遮蔽電極170能減少畫素電極190與分支部116B之間的電容。

在本實施例中，顯示裝置50的每個子畫素具有一個遮蔽電極170。換句話說，顯示裝置包括多個遮蔽電極170。在本實施例中，每個遮蔽電極170重疊於一個子畫素的畫素電極190。

在本實施例中，顯示裝置50還具有共用電極194。共用電極194重疊於資料線142以及掃描線112。在一些實施例中，共用電極194與畫素電極190屬於相同膜層，且共用電極194的電壓例如為6.5V。

圖9A是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。圖9B是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的電場分布示意圖。圖9B例如是圖9A的顯示裝置的電場分布示意圖。

在此必須說明的是，圖9A與圖9B的實施例沿用圖8A 與圖8B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖9A與圖9B，在顯示裝置60中，第一共用電極116包括沿著第一方向E1延伸的主幹部116A以及沿著第二方向E2延伸的多個分支部116B。分支部116B連接主幹部116A。

在一些實施例中，分支部116B於第一基板100上的垂直投影位於畫素電極190於第一基板100上的垂直投影與資料線142於第一基板100上的垂直投影之間。

緩衝層BL位於第一共用電極116與第一基板100之間。在本實施例中，緩衝層BL位於第一金屬層110與第一基板100之間。遮蔽電極170位於緩衝層BL與第一基板100之間。

在本實施例中，遮蔽電極170於第一基板100的垂直投影實質上為H形。遮蔽電極170於第一基板100的垂直投影相鄰於分支部116B於第一基板100的垂直投影。

在本實施例中，遮蔽電極170透過連接結構CS而電性連接至畫素電極190。連接結構CS可以為單層或多層導電結構。遮蔽電極170與畫素電極190具有相同電位。

在本實施例中，遮蔽電極170與第一共用電極116之間的距離小於畫素電極190與第一共用電極116之間的距離。遮蔽電極170與第一共用電極116之間的電力線的密度大於畫素電極190與第一共用電極116之間的電力線的密度。藉由遮蔽電極 170的設置能減少穿過彩色濾光層160的電力線的密度，藉此減少彩色濾光層160所對應之電容對顯示畫面的品質所造成之不良影響。

圖10是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。圖9B是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的電場分布示意圖。

在此必須說明的是，圖10的實施例沿用圖9A與圖9B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖10的顯示裝置70與圖9A的顯示裝置60的差異在於：顯示裝置70的遮蔽電極170於第一基板100的垂直投影實質上為矩形。

圖11A是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的上視示意圖。圖11B是依照本發明的一實施例的一種顯示裝置的電場分布示意圖。圖11B例如是圖11A的顯示裝置的電場分布示意圖。

在此必須說明的是，圖11A與圖11B的實施例沿用圖9A與圖9B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。

請參考圖11A與圖11B，顯示裝置80的遮蔽電極170、 汲極148、源極146以及資料線142屬於相同導電層(第二金屬層140)。遮蔽電極170與汲極148連成一體，且具有相等電位。

在本實施例中，遮蔽電極170沿著第二方向E2延伸。遮蔽電極170於第一基板100的垂直投影重疊於分支部116B於第一基板100的垂直投影。

在本實施例中，遮蔽電極170與第一共用電極116之間的距離小於畫素電極190與第一共用電極116之間的距離。遮蔽電極170與第一共用電極116之間的電力線的密度大於畫素電極190與第一共用電極116之間的電力線的密度。藉由遮蔽電極170的設置能減少穿過彩色濾光層160的電力線的密度，藉此減少彩色濾光層160所對應之電容對顯示畫面的品質所造成之不良影響。

10:顯示裝置

100:第一基板

110:第一金屬層

112:掃描線

114:閘極

116:第一共用電極

118:輔助結構

120:閘極絕緣層

130:半導體通道

140:第二金屬層

142:資料線

144a:閘極訊號線

144b:共用訊號線

146:源極

148:汲極

150:保護層

160:彩色濾光層

170:遮蔽電極

180:絕緣層

190:畫素電極

200:液晶層

300:第二基板

310:第二共用電極

O:開口

O1:第一開口

O2:第二開口

Claims (10)

1. 一種顯示裝置，包括：一第一基板、一第二基板以及位於該第一基板與該第二基板之間的一液晶層；一第一金屬層，位於該第一基板上，且包括：多條掃描線，沿著一第一方向延伸；多個閘極，分別連接該些掃描線；以及多條第一共用電極，分離於該些掃描線；一閘極絕緣層，位於該第一金屬層上；多個半導體通道，位於該閘極絕緣層上，且重疊於該些閘極；一第二金屬層，位於該閘極絕緣層上，且包括：多個源極以及多個汲極，分別電性連接該些半導體通道；多條資料線，沿著一第二方向延伸，且分別電性連接該些源極；以及多條閘極訊號線，沿著該第二方向延伸，分別透過貫穿該閘極絕緣層的多個通孔而電性連接該些掃描線；一彩色濾光層，位於該第二金屬層上，且具有重疊於該些汲極的多個第一開口；一遮蔽電極，至少部分重疊於該第二金屬層；一絕緣層，位於該彩色濾光層上，且具有重疊於該些第一開 口的多個第二開口；多個畫素電極，位於該絕緣層上，且透過該些第二開口而電性連接至該些汲極，其中各該畫素電極具有沿著一第三方向延伸的多個第一狹縫以及沿著一第四方向延伸的多個第二狹縫，該些畫素電極中的至少一者的該些第一狹縫與該些第二狹縫之間的區域重疊於該些資料線以及該些閘極訊號線中對應的一者；以及一第二共用電極，位於該第二基板上。
2. 如請求項1所述的顯示裝置，其中排成同一行的該些畫素電極電性連接至對應的一條資料線。
3. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該遮蔽電極的材料包括透明導電材料。
4. 如請求項1所述的顯示裝置，其中各該第一狹縫的寬度為1.5微米至4微米。
5. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該遮蔽電極與該第一共用電極彼此電性連接。
6. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該遮蔽電極位於該些畫素電極與該彩色濾光層之間，且該遮蔽電極位於該些畫素電極與該些第一共用電極之間。
7. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該畫素電極的該至少一者的該些第一狹縫與該些第二狹縫之間的該區域重疊於該些閘極訊號線中對應的一者，該第一金屬層更包括一輔助結構，其中 該輔助結構重疊於該畫素電極，且該些閘極訊號線中的該對應的一者電性連接至該輔助結構。
8. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該第二金屬層更包括一共用訊號線，其中該共用訊號線沿著該第二方向延伸，且其中該些畫素電極中的該至少一者的該些第一狹縫與該些第二狹縫之間的該區域重疊於該些閘極訊號線中對應的一者，其中該些畫素電極的另一者的該些第一狹縫與該些第二狹縫之間的區域重疊於該共用訊號線。
9. 如請求項1所述的顯示裝置，其中各該第一共用電極包括沿著該第一方向延伸的一主幹部以及沿著該第二方向延伸的多個分支部，其中該第二金屬層更包括一共用訊號線，該共用訊號線重疊於相鄰的兩行該些畫素電極之間的間隙，且該共用訊號線電性連接對應的該分支部。
10. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該些畫素電極中的該至少一者的該些第一狹縫與該些第二狹縫之間的該區域重疊於該些資料線中對應的一者，該第一金屬層更包括一輔助結構，其中該輔助結構重疊於相鄰的兩行該些畫素電極之間的間隙，且該些閘極訊號線中的其中一者電性連接至該輔助結構。

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