WO2019175704A1

WO2019175704A1 - 電気モジュール、表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置、電気モジュールの作製方法

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Publication number: WO2019175704A1
Application number: PCT/IB2019/051701
Authority: WO
Inventors: 佐藤将孝; 安達広樹
Original assignee: 株式会社半導体エネルギー研究所
Priority date: 2018-03-16
Filing date: 2019-03-04
Publication date: 2019-09-19
Also published as: JP7293190B2; US20210011532A1; JPWO2019175704A1; US11209877B2

Abstract

利便性または信頼性に優れた新規な電気モジュールを提供する。また、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供する。また、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供する。機能層（520）を有する電気モジュールであって、機能層（520）は、素子（100）、導電膜（519B（1））および中間層（501B）を含み、素子（100）は導電膜（519B（1））と電気的に接続される。中間層（5016）は開口部および第1の面（501B（1））を備え、開口部は導電（519B（1））と重なり、開口部は側端部を備え、側端部は導電膜（519B（1））と接する。また、第1の面（501已（1））は第1の領域を含み、第1の領域は開口部の周縁部に位置し、第1の領域は導電膜（519B（1））と接する。

Description

電気モジュール、表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置、電気モジュールの作製方法

本発明の一態様は、電気モジュール、表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置、半導体装置または電気モジュールの作製方法に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

開口部を備える絶縁膜と、開口部を貫通する第１の接続部と、絶縁膜の一方の面に接し、第１の接続部と電気的に接続される端子と、絶縁膜の反対の面において、第１の接続部と電気的に接続される回路と、を有し、端子は、絶縁膜に埋め込まれた領域および絶縁膜から露出した領域を備え、回路は、半導体素子を含んで構成される半導体装置が知られている（特許文献１）。

また、画素と、画素と電気的に接続される第３の導電膜と、第３の導電膜と重なる開口部を備える絶縁膜と、第３の導電膜と接する第１の領域および接点の機能を具備する第２の領域を備える電極と、を含んで構成される表示パネルが知られている（特許文献２）。

特開２０１７−１３４３８２号公報特開２０１７−１１６９２８号公報

本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な電気モジュールを提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な電気モジュールの作製方法を提供することを課題の一とする。または、新規な電気モジュール、新規な表示パネル、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置、新規な電気モジュールの作製方法または新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

（１）本発明の一態様は、機能層を有する電気モジュールである。

機能層は、素子、導電膜および中間層を含む。素子は、導電膜と電気的に接続される。

中間層は、開口部および第１の面を備える。

開口部は、導電膜と重なる。

第１の面は、第１の領域を含む。第１の領域は開口部の周縁に位置し、導電膜と接する。また、第１の領域は、中間層の厚さＴの１０倍以下の幅Ｗを備える。

これにより、導電膜を端子に用いることができる。または、開口部に設けられた導電膜を介して、外部の装置に素子を電気的に接続することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な電気モジュールを提供することができる。

（２）また、本発明の一態様は、中間層がシリコンおよび酸素を含み、第１の領域がフッ素を含み、また、導電膜はチタンを含む上記の電気モジュールである。

（３）また、本発明の一態様は、中間層が、シリコンおよび酸素を含み、第１の領域が窒素を含み、導電膜がタングステンを含む、上記の電気モジュールである。

（４）本発明の一態様は、機能層を有する電気モジュールである。

中間層は、開口部および第１の面を備える。

開口部は導電膜と重なる。また、開口部は側端部を備え、側端部は導電膜と接する。

第１の面は、第１の領域を含む。第１の領域は開口部の周縁に位置し、導電膜と接する。

（５）また、本発明の一態様は、中間層がシリコンおよび酸素を含み、第１の領域および側端部がフッ素を含み、導電膜がチタンを含む、上記の電気モジュールである。

（６）また、本発明の一態様は、中間層が、シリコンおよび酸素を含み、第１の領域および側端部が窒素を含み、導電膜がタングステンを含む、上記の電気モジュールである。

（７）また、本発明の一態様は、中間層が、第２の領域を備える、上記の電気モジュールである。第２の領域は、第１の領域より大きな力で、機能層の他の構成と密着する。

これにより、信頼性を損なう不純物が外部から素子へ拡散することを抑制することができる。または、中間層に開口部を、導電膜と重なるように形成することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な電気モジュールを提供することができる。

（８）また、本発明の一態様は、表示領域と、上記の電気モジュールと、を有する表示パネルである。

表示領域は画素（ｉ，ｊ）を備え、画素（ｉ，ｊ）は画素回路（ｉ，ｊ）および表示素子（ｉ，ｊ）を備える。

電気モジュールは画素回路（ｉ，ｊ）を含む。

また、画素回路（ｉ，ｊ）は表示素子（ｉ，ｊ）と電気的に接続され、画素回路（ｉ，ｊ）は素子を備える。

これにより、導電膜を介して情報を供給することができる。または、情報を表示することができる。または、信頼性を損なう不純物が外部から表示素子（ｉ，ｊ）へ拡散することを抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

（９）また、本発明の一態様は、表示領域が、一群の画素（ｉ，１）乃至画素（ｉ，ｎ）、他の一群の画素（１，ｊ）乃至画素（ｍ，ｊ）、走査線および信号線を備える上記の表示パネルである。

一群の画素（ｉ，１）乃至画素（ｉ，ｎ）は画素（ｉ，ｊ）を含み、一群の画素（１，ｊ）乃至画素（ｍ，ｊ）は行方向に配設される。

他の一群の画素（１，ｊ）乃至画素（ｍ，ｊ）は画素（ｉ，ｊ）を含み、他の一群の画素（１，ｊ）乃至画素（ｍ，ｊ）は行方向と交差する列方向に配設される。

走査線は一群の画素（ｉ，１）乃至画素（ｉ，ｎ）と電気的に接続され、信号線は、他の一群の画素（１，ｊ）乃至画素（ｍ，ｊ）と電気的に接続される。

これにより、複数の画素に画像情報を供給することができる。または、画像情報を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

（１０）また、本発明の一態様は、制御部と、上記の表示パネルと、を有する表示装置である。

制御部は画像情報および制御情報を供給され、制御部は画像情報に基づいて情報を生成し、制御部は制御情報にもとづいて制御信号を生成し、制御部は、情報および制御信号を供給する。

電気モジュールは駆動回路ＧＤを備え、電気モジュールは情報および制御信号を供給される。

駆動回路は制御信号に基づいて動作し、画素（ｉ，ｊ）は、情報に基づいて表示する。

これにより、表示素子を用いて画像情報を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。

（１１）また、本発明の一態様は、入力部と、表示部と、を有する入出力装置である。

表示部は上記の表示パネルを備え、入力部は検知領域を備え、入力部は検知領域に近接するものを検知する。

検知領域は、画素（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。

これにより、表示部を用いて画像情報を表示しながら、表示部と重なる領域に近接するものを検知することができる。または、表示部に近接させる指などをポインタに用いて、位置情報を入力することができる。または、位置情報を表示部に表示する画像情報に関連付けることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。

（１２）また、本発明の一態様は、演算装置と、入出力装置と、を有する情報処理装置である。

演算装置は入力情報または検知情報を供給され、演算装置は入力情報または検知情報に基づいて、制御情報および画像情報を生成する。また、演算装置は、制御情報および画像情報を供給する。

入出力装置は入力情報および検知情報を供給し、入出力装置は制御情報および画像情報を供給され、入出力装置は表示部、入力部および検知部を備える。

表示部は上記の電気モジュールを備え、表示部は制御情報に基づいて、画像情報を表示する。

入力部は入力情報を生成し、検知部は検知情報を生成する。

これにより、入力情報または検知情報に基づいて、制御情報を生成することができる。または、入力情報または検知情報に基づいて、画像情報を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

（１３）本発明の一態様は、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、上記の表示パネルと、を含む、情報処理装置である。

（１４）本発明の一態様は、工程用基板および機能層を備える加工部材を準備する、第１の工程と、機能層を、工程用基板から分離する第２の工程と、を有する電気モジュールの作製方法である。

工程用基板は、機能面を備える。

機能面は活性領域を含み、機能層は導電膜および中間層を含み、中間層は第１の面および第２の面を備え、第１の面は第１の領域を含み、第１の領域は導電膜と接する。

第２の面は第１の面と対向し、第２の面は第３の領域を含み、第３の領域は活性領域と接する。

第２の工程は機能層または工程用基板を撓ませて、第１の領域において導電膜から中間層を分離し、第３の領域において活性領域から中間層を分離する。

これにより、第２の工程において、導電膜から中間層を分離し、活性領域から中間層を分離することができる。または、開口部を中間層に形成することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な電気モジュールの作製方法を提供することができる。

本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。

本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。

本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。

本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味する。

本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。

本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。

また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。

本発明の一態様によれば、利便性または信頼性に優れた新規な電気モジュールを提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な電気モジュールの作製方法を提供することができる。または、新規な電気モジュール、新規な表示装置、新規な入出力装置、新規な情報処理装置または、新規な電気モジュールの作製方法を提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

実施の形態に係る電気モジュールを有する表示パネルの構成を説明する図。実施の形態に係る電気モジュールを有する表示パネルの構成を説明する図、電気モジュールの一部を説明するブロック図、および画素回路を説明する回路図。実施の形態に係る電気モジュールの端子部の構成を説明する図。実施の形態に係る電気モジュールの端子部の構成を説明する断面図。実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する断面図。実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明するフロー図。実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する断面図。実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する断面図。実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する断面図。実施の形態に係る表示パネルの端子部の作製方法を説明する断面図。実施の形態に係る表示パネルの作製方法を説明する断面図。実施の形態に係る表示パネルの端子部の作製方法を説明する断面図および加工部材の一部を説明する図。実施の形態に係る表示パネルの端子部の作製方法を説明する断面図。実施の形態に係る表示パネルの端子部の作製方法を説明する断面図。実施の形態に係る表示パネルの端子部の作製方法を説明する断面図。実施の形態に係る表示パネルの端子部の作製方法を説明する断面図。実施の形態に係る表示パネルの端子部の作製方法を説明する断面図。実施の形態に係る表示パネルの構成を説明するブロック図。実施の形態に係る表示装置の構成を説明する図および表示装置の外観を説明する投影図。実施の形態に係る入出力装置の構成を説明するブロック図。実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明するブロック図および投影図。実施の形態に係る情報処理装置のプログラムを説明するフローチャート。実施の形態に係る情報処理装置のプログラムを説明する図。実施の形態に係る情報処理装置のブロック図および情報処理装置の構成を説明する図。実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図。実施例に係る表示パネルの構成を説明する図。実施例に係る表示パネルの構成を説明する図および写真。実施例に係る表示パネルの表示結果を説明する写真。実施例に係る表示パネルの作製工程中の部材の構成を説明する写真。実施例に係る表示パネルの構成を説明する写真。実施例に係る表示パネルの構成および工程用基板の構成を説明する写真。実施例に係る表示パネルの作製工程中の部材の構成を説明する写真。実施例に係る表示パネルの構成を説明する図および写真。

本発明の一態様は、機能層を有する電気モジュールであって、機能層は、素子、導電膜および中間層を含み、素子は導電膜と電気的に接続される。中間層は開口部および第１の面を備え、開口部は導電膜と重なり、開口部は側端部を備え、側端部は導電膜と接する。また、第１の面は第１の領域を含み、第１の領域は開口部の周縁部に位置し、第１の領域は導電膜と接する。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の電気モジュールの構成について、図１乃至図４を参照しながら説明する。

図１は本発明の一態様の電気モジュールを有する表示パネルの構成を説明する図である。図１（Ａ）は本発明の一態様の電気モジュールを有する表示パネルの上面図であり、図１（Ｂ）乃至図１（Ｅ）は図１（Ａ）の一部を説明する上面図である。

図２は本発明の一態様の電気モジュールの構成を説明する図である。図２（Ａ）は図１（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、Ｘ３−Ｘ４およびＸ９−Ｘ１０における断面図であり、図２（Ｂ）は電気モジュールの一部を説明するブロック図であり、図２（Ｃ）は画素回路５３０（ｉ，ｊ）を説明する回路図である。

図３は本発明の一態様の電気モジュールの構成を説明する図である。図３（Ａ）および図３（Ｂ）は図１（Ａ）の一部を説明する斜視図であり、図３（Ｃ）は図１（Ａ）の一部を説明する断面図である。

図４は本発明の一態様の電気モジュールの端子部の構成を説明する図である。図４（Ａ）、図４（Ｂ−１）および図４（Ｃ−１）は図１（Ａ）の一部を説明する断面図であり、図４（Ｂ−２）は図４（Ｂ−１）の一部を説明する断面図であり、図４（Ｃ−２）は図４（Ｃ−１）の一部を説明する断面図である。

なお、本明細書において、１以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例えば、１以上の整数の値をとる変数ｐを含む（ｐ）を、最大ｐ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、１以上の整数の値をとる変数ｍおよび変数ｎを含む（ｍ，ｎ）を、最大ｍ×ｎ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。

＜電気モジュール５００の構成例１＞
本実施の形態で説明する電気モジュール５００は、機能層５２０を有する（図２（Ａ）参照）。

《機能層５２０の構成例１》
機能層５２０は、素子１００、導電膜５１９Ｂ（１）および中間層５０１Ｂを含む（図２（Ｂ）参照）。

《素子１００の構成例１》
素子１００は導電膜５１９Ｂ（１）（図示せず）と電気的に接続される。

例えば、スイッチ、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、インダクタ、容量素子、記憶素子、発光素子または表示素子等を素子１００に用いることができる。これにより、機能層５２０に、例えば、画素回路、駆動回路などを含めることができる。または、例えば、表示素子、バイオチップ等を駆動することができる。

《中間層５０１Ｂの構成例１》
中間層５０１Ｂは、開口部５９１Ｂおよび面５０１Ｂ（１）を備える（図３（Ａ）および図３（Ｂ）参照）。

開口部５９１Ｂは導電膜５１９Ｂ（１）と重なる（図３（Ａ）および図３（Ｃ）参照）。換言すれば、導電膜５１９Ｂ（１）は、開口部５９１Ｂにおいて露出する。

面５０１Ｂ（１）は導電膜５１９Ｂ（１）と重なる領域５０１Ｂ（１１）を含む（図３（Ｂ）、図３（Ｃ）および図４（Ａ）参照）。換言すれば、導電膜５１９Ｂ（１）は、面５０１Ｂ（１）と重なる領域５０１Ｂ（１１）を導電膜５１９Ｂ（１）の周縁の一部または全部に備える。例えば、領域５０１Ｂ（１１）は、導電膜５１９Ｂ（１）と接していてもよい。

領域５０１Ｂ（１１）は開口部５９１Ｂの周縁に位置し、領域５０１Ｂ（１１）は中間層５０１Ｂの厚さＴの１０倍以下、好ましくは５倍以下、より好ましくは２倍以下の幅Ｗを備える。または、領域５０１Ｂ（１１）が導電膜５１９Ｂ（１）と接する面積は、開口部５９１Ｂの面積の３倍以下、好ましくは開口部５９１Ｂの面積以下、より好ましくは開口部５９１Ｂの面積の１０％以下、さらに好ましくは開口部５９１Ｂの面積の１％以下である。例えば、厚さＴが１３５ｎｍであって、領域５０１Ｂ（１１）の幅Ｗが７００ｎｍである絶縁膜を中間層５０１Ｂに用いることができる。

これにより、導電膜５１９Ｂ（１）を端子５１９Ｂに用いることができる。または、開口部５９１Ｂに設けられた導電膜５１９Ｂ（１）を介して、外部の装置に素子１００を電気的に接続することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な電気モジュールを提供することができる。

《中間層５０１Ｂの構成例２》
例えば、中間層５０１Ｂはシリコンおよび酸素を含み、領域５０１Ｂ（１１）はフッ素を含む。また、導電膜５１９Ｂ（１）は、チタンを含む。

これにより、例えば、中間層５０１Ｂから導電膜５１９Ｂ（１）を引きはがす際に要する力を制御することができる。具体的には、中間層５０１Ｂから導電膜５１９Ｂ（１）を引きはがす際に要する力を、中間層５０１Ｂから絶縁膜５０１Ｃを引きはがす際に要する力より小さくすることができる。または、中間層５０１Ｂから導電膜５１９Ｂ（１）を引きはがす際に要する力を、中間層５０１Ｂから導電膜５１９Ｂ（２）を引きはがす際に要する力より小さくすることができる。

または、シリコン、酸素および窒素を含む膜を、中間層５０１Ｂに用いることができる。

または、中間層５０１Ｂの面５０１Ｂ（１）がフッ素を含んでいてもよい。具体的には、フッ素を含むプラズマで処理された面５０１Ｂ（１）を備える膜を、中間層５０１Ｂに用いることができる。具体的には、６フッ化硫黄を含むガスを用いたプラズマで処理された面５０１Ｂ（１）を備える膜を、中間層５０１Ｂに用いることができる。

例えば、厚さが５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の膜を中間層５０１Ｂに用いることができる。具体的には、厚さ２００ｎｍのシリコン、酸素および窒素を含む膜を中間層５０１Ｂに用いることができる。

《中間層５０１Ｂの構成例３》
例えば、中間層５０１Ｂはシリコンおよび酸素を含み、領域５０１Ｂ（１１）は窒素を含む。また、導電膜５１９Ｂ（１）はタングステンを含む。

これにより、例えば、中間層５０１Ｂから導電膜５１９Ｂ（１）を引きはがす際に要する力を制御することができる。具体的には、中間層５０１Ｂから導電膜５１９Ｂ（１）を引きはがす際に要する力を、例えば中間層５０１Ｂから絶縁膜５０１Ｃを引きはがす際に要する力より小さくすることができる。または、中間層５０１Ｂから導電膜５１９Ｂ（１）を引きはがす際に要する力を、例えば、中間層５０１Ｂから導電膜５１９Ｂ（２）を引きはがす力より小さくすることができる。

または、中間層５０１Ｂの面５０１Ｂ（１）が窒素を含んでいてもよい。

例えば、厚さ１３５ｎｍの膜を中間層５０１Ｂに用いることができる。好ましくは、シリコンおよび酸素を含む材料を中間層５０１Ｂに用いることができる。

《中間層５０１Ｂの構成例４》
中間層５０１Ｂは、領域５０１Ｂ（１２）を備える（図４（Ａ）参照）。領域５０１Ｂ（１２）は領域５０１Ｂ（１１）より大きな力で、機能層５２０の他の構成と密着する。例えば、領域５０１Ｂ（１１）が導電膜５１９Ｂ（１）と密着する力より大きな力で、領域５０１Ｂ（１２）は絶縁膜５０１Ｃと密着する。なお、具体的には、マイクロ・スクラッチ法などを、密着力の測定に用いることができる。

これにより、電気モジュール５００の作製工程において、導電膜５１９Ｂ（１）を引きはがす際に生じる応力を、領域５０１Ｂ（１１）近傍に集中することができる。または、領域５０１Ｂ（１１）近傍に集中する応力を用いて、中間層５０１Ｂを引き裂くことができる。または、中間層５０１Ｂに開口部５９１Ｂを形成することができる。または、開口部５９１Ｂが、領域５０１Ｂ（１１）より外側に広がらないように、その大きさを制御することができる。

これにより、信頼性を損なう不純物が外部から素子１００へ拡散することを抑制することができる。または、中間層５０１Ｂに開口部５９１Ｂを、導電膜５１９Ｂ（１）と重なるように形成することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な電気モジュールを提供することができる。

＜電気モジュール５００の構成例２＞
本発明の一態様の電気モジュールの別の構成について、図４（Ｂ−１）、図４（Ｂ−２）および図４（Ｃ−１）を参照しながら説明する。

開口部５９１Ｂが側端部５０１Ｂ（３）を備え、側端部５０１Ｂ（３）が導電膜５１９Ｂ（１）と接する点が、図４（Ａ）を参照しながら説明する電気モジュールとは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について、上記の説明を援用する。

《開口部５９１Ｂの構成例１》
開口部５９１Ｂは導電膜５１９Ｂ（１）と重なる（図４（Ｂ−１）参照）。換言すれば、導電膜５１９Ｂ（１）は、開口部５９１Ｂにおいて露出する。また、開口部５９１Ｂは側端部５０１Ｂ（３）を備え、側端部５０１Ｂ（３）は導電膜５１９Ｂ（１）と接する。

《領域５０１Ｂ（１１）の構成例１》
面５０１Ｂ（１）は領域５０１Ｂ（１１）を含む（図４（Ｂ−１）および図４（Ｃ−１）参照）。換言すれば、導電膜５１９Ｂ（１）は、面５０１Ｂ（１）と重なる領域を周縁の一部または全部に備える。

領域５０１Ｂ（１１）は開口部５９１Ｂの周縁に位置し、導電膜５１９Ｂ（１）と接する。

《中間層５０１Ｂの構成例５》
例えば、中間層５０１Ｂはシリコンおよび酸素を含み、領域５０１Ｂ（１１）および側端部５０１Ｂ（３）はフッ素を含む。また、導電膜５１９Ｂ（１）は、チタンを含む。

《中間層５０１Ｂの構成例６》
例えば、中間層５０１Ｂはシリコンおよび酸素を含み、領域５０１Ｂ（１１）および側端部５０１Ｂ（３）は窒素を含む。また、導電膜５１９Ｂ（１）はタングステンを含む。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルの構成について、図１、図２、図５、図６、図１９を参照しながら説明する。

図５は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図５（Ａ）は図１（Ａ）の画素７０２（ｉ，ｊ）の断面図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）の一部を説明する断面図である。

図６は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図６（Ａ）は図１（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２およびＸ３−Ｘ４における断面図であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）の一部を説明する断面図である。

図１９は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図１９は本発明の一態様の表示パネルのブロック図である。

＜表示パネル７００の構成例１＞
本実施の形態で説明する表示パネルは、表示領域２３１と、電気モジュール５００と、を有する（図１（Ａ）および図２（Ａ）参照）。

《表示領域２３１の構成例１》
表示領域２３１は、画素７０２（ｉ，ｊ）を備える。

《画素７０２（ｉ，ｊ）の構成例１》
画素７０２（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および表示素子５５０（ｉ，ｊ）を備える。

《電気モジュール５００の構成例３》
電気モジュール５００は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）を含む。例えば、実施の形態１において説明する電気モジュール５００を表示パネル７００に用いることができる。

《画素回路５３０（ｉ，ｊ）の構成例１》
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、素子１００を備え、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、表示素子５５０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。

これにより、導電膜５１９Ｂ（１）を介して情報を供給することができる。または、情報を表示することができる。または、信頼性を損なう不純物が外部から表示素子５５０（ｉ，ｊ）へ拡散することを抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

また、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、走査線Ｇ２（ｉ）と電気的に接続される（図２（Ｃ）および図５（Ａ）参照）。

例えば、スイッチ、トランジスタ、ダイオード、抵抗素子、インダクタまたは容量素子等を画素回路５３０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

具体的には、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、スイッチＳＷ２、トランジスタＭおよび容量素子Ｃ２１を含む。例えば、トランジスタをスイッチＳＷ２に用いることができる。

例えば、ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを、画素回路５３０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

《スイッチＳＷ２の構成例１》
トランジスタは、半導体膜５０８、導電膜５０４、導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂを備える（図５（Ｂ）参照）。

半導体膜５０８は、導電膜５１２Ａと電気的に接続される領域５０８Ａ、導電膜５１２Ｂと電気的に接続される領域５０８Ｂを備える。半導体膜５０８は、領域５０８Ａおよび領域５０８Ｂの間に領域５０８Ｃを備える。

導電膜５０４は領域５０８Ｃと重なる領域を備え、導電膜５０４はゲート電極の機能を備える。

絶縁膜５０６は、半導体膜５０８および導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える。絶縁膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。

導電膜５１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜５１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。

また、導電膜５２４をトランジスタに用いることができる。導電膜５２４は、導電膜５０４との間に半導体膜５０８を挟む領域を備える。導電膜５２４は、第２のゲート電極の機能を備える。導電膜５２４を、例えば、導電膜５０４と電気的に接続することができる。なお、導電膜５２４を走査線Ｇ２（ｉ）に用いることができる。

《トランジスタＭの構成例１》
例えば、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタと同一の構成を、トランジスタＭに用いることができる。また、スイッチＳＷ２に用いるトランジスタが備える半導体膜と同一の工程で形成することができる半導体膜を、トランジスタＭに用いることができる。

《半導体膜５０８の構成例１》
例えば、１４族の元素を含む半導体を半導体膜５０８に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜５０８に用いることができる。

［水素化アモルファスシリコン］
例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いることができる。または、微結晶シリコンなどを半導体膜５０８に用いることができる。これにより、例えば、ポリシリコンを半導体膜５０８に用いる表示パネルより、表示ムラが少ない表示パネルを提供することができる。または、表示パネルの大型化が容易である。

［ポリシリコン］
例えば、ポリシリコンを半導体膜５０８に用いることができる。これにより、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、トランジスタの電界効果移動度を高くすることができる。または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、駆動能力を高めることができる。または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、画素の開口率を向上することができる。

または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、トランジスタの信頼性を高めることができる。

または、トランジスタの作製に要する温度を、例えば、単結晶シリコンを用いるトランジスタより、低くすることができる。

または、駆動回路のトランジスタに用いる半導体膜を、画素回路のトランジスタに用いる半導体膜と同一の工程で形成することができる。または、画素回路を形成する基板と同一の基板上に駆動回路を形成することができる。または、電子機器を構成する部品数を低減することができる。

［単結晶シリコン］
例えば、単結晶シリコンを半導体膜に用いることができる。これにより、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いる表示パネルより、精細度を高めることができる。または、例えば、ポリシリコンを半導体膜５０８に用いる表示パネルより、表示ムラが少ない表示パネルを提供することができる。または、例えば、スマートグラスまたはヘッドマウントディスプレイを提供することができる。

《半導体膜５０８の構成例２》
例えば、金属酸化物を半導体膜５０８に用いることができる。これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。

例えば、酸化物半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を半導体膜に用いることができる。

一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、半導体膜にアモルファスシリコンを用いたトランジスタより小さいトランジスタを用いることができる。具体的には、酸化物半導体を半導体膜に用いたトランジスタを用いることができる。

例えば、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ２５ｎｍの膜を、半導体膜５０８に用いることができる。

例えば、タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と、を積層した導電膜を導電膜５０４に用いることができる。なお、銅を含む膜は、絶縁膜５０６との間に、タンタルおよび窒素を含む膜を挟む領域を備える。

例えば、シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した積層膜を、絶縁膜５０６に用いることができる。なお、シリコンおよび窒素を含む膜は、半導体膜５０８との間に、シリコン、酸素および窒素を含む膜を挟む領域を備える。

例えば、タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を、導電膜５１２Ａまたは導電膜５１２Ｂに用いることができる。なお、タングステンを含む膜は、半導体膜５０８と接する領域を備える。

これにより、チラツキ（フリッカーとも言える）を抑制することができる。または、消費電力を低減することができる。または、動きの速い動画を滑らかに表示することができる。または、豊かな階調で写真等を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

ところで、例えば、アモルファスシリコンを半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。また、例えばポリシリコンを半導体に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。いずれの改造も、既存の製造ラインを有効に活用することができる。

《半導体膜５０８の構成例３》
例えば、化合物半導体をトランジスタの半導体に用いることができる。具体的には、ガリウムヒ素を含む半導体を用いることができる。

例えば、有機半導体をトランジスタの半導体に用いることができる。具体的には、ポリアセン類またはグラフェンを含む有機半導体を半導体膜に用いることができる。

《機能層５２０の構成例２》
機能層５２０は、絶縁膜５２１、絶縁膜５１８、絶縁膜５１６、絶縁膜５０６および絶縁膜５０１Ｃ等を備える（図５（Ａ）参照）。

絶縁膜５２１は、表示素子５５０（ｉ，ｊ）および絶縁膜５０１Ｃの間に挟まれる領域を備える（図５（Ａ）参照）。

絶縁膜５１８は、絶縁膜５２１および絶縁膜５０１Ｃの間に挟まれる領域を備える。

絶縁膜５１６は絶縁膜５１８および絶縁膜５０１Ｃの間に挟まれる領域を備える。

絶縁膜５０６は絶縁膜５１６および絶縁膜５０１Ｃの間に挟まれる領域を備える。

［絶縁膜５２１］
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜５２１に用いることができる。

具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜５２１に用いることができる。

例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜５２１に用いることができる。なお、窒化シリコン膜は緻密な膜であり、不純物の拡散を抑制する機能に優れる。

例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁膜５２１に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。これにより、絶縁膜５２１は、例えば、絶縁膜５２１と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。

なお、ポリイミドは熱的安定性、絶縁性、靱性、低誘電率、低熱膨張率、耐薬品性などの特性において他の有機材料に比べて優れた特性を備える。これにより、特にポリイミドを絶縁膜５２１等に好適に用いることができる。

例えば、感光性を有する材料を用いて形成された膜を絶縁膜５２１に用いることができる。具体的には、感光性のポリイミドまたは感光性のアクリル樹脂等を用いて形成された膜を絶縁膜５２１に用いることができる。

［絶縁膜５１８］
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５１８に用いることができる。

例えば、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等の拡散を抑制する機能を備える材料を絶縁膜５１８に用いることができる。具体的には、窒化物絶縁膜を絶縁膜５１８に用いることができる。例えば、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等を絶縁膜５１８に用いることができる。これにより、トランジスタの半導体膜への不純物の拡散を抑制することができる。

［絶縁膜５１６］
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５１６に用いることができる。

具体的には、絶縁膜５１８とは作製方法が異なる膜を絶縁膜５１６に用いることができる。

［絶縁膜５０６、絶縁膜５０１Ｄ］
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０６または絶縁膜５０１Ｄに用いることができる。

具体的には、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜または酸化ネオジム膜を含む膜を絶縁膜５０６に用いることができる。

［絶縁膜５０１Ｃ］
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。これにより、画素回路または表示素子等への不純物の拡散を抑制することができる。

例えば、絶縁膜５０１Ｃは中間層５０１Ｂの領域５０１Ｂ（１２）と密着する（図４（Ａ）参照）。具体的には、領域５０１Ｂ（１２）が絶縁膜５０１Ｃと密着する力は、領域５０１Ｂ（１１）が導電膜５１９Ｂ（１）と密着する力より大きい。

例えば、日本工業規格ＪＩＳ−Ｒ３２５５に定められたマイクロ・スクラッチ法に準じて、領域５０１Ｂ（１２）の密着力および領域５０１Ｂ（１１）の密着力を比較する。具体的には、領域５０１Ｂ（１１）の損傷に要する圧子の押しつけ圧は、領域５０１Ｂ（１２）の損傷に要する圧子の押しつけ圧より低い。例えば、領域５０１Ｂ（１２）から領域５０１Ｂ（１１）に向けて圧子を移動して、損傷のし易さを比較する。

＜表示パネル７００の構成例２＞
また、表示パネル７００は、基材５１０、基材７７０および封止材７０５を備える（図５（Ａ）参照）。

《基材５１０、基材７７０》
透光性を備える材料を、基材５１０または基材７７０に用いることができる。

例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を用いることができる。具体的には、厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨した材料を用いることができる。これにより、重量を低減することができる。

例えば、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等のガラス基板を基材５１０または基材７７０に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基材５１０または基材７７０に用いることができる。

例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を用いることができる。具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基材５１０または基材７７０に用いることができる。または、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラスまたはサファイア等を、表示パネルの使用者に近い側に配置される基材５１０または基材７７０に好適に用いることができる。これにより、使用に伴う表示パネルの破損や傷付きを防止することができる。

具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を基材５１０または基材７７０に用いることができる。

例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基材５１０または基材７７０に用いることができる。これにより、半導体素子を基材５１０または基材７７０に形成することができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基材５１０または基材７７０に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を用いることができる。これにより、重量を低減することができる。または、例えば、落下に伴う破損等の発生頻度を低減することができる。

例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を基材５１０または基材７７０に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を用いることができる。

また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基材５１０または基材７７０に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁膜等が積層された材料を用いることができる。具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を用いることができる。または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された材料を用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、アクリル樹脂、エポキシ樹脂もしくはシリコーン等のシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基材５１０または基材７７０に用いることができる。例えば、これらの材料を含む樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を用いることができる。

具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）またはシクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等を基材５１０または基材７７０に用いることができる。なお、シクロオレフィンポリマーフィルムおよびシクロオレフィンコポリマーフィルムは、吸水性が低く、寸法安定性に優れ、透明性に優れる。これにより、表示パネルの基材に好適に用いて、フレキシブルな表示パネルを実現できる。または、信頼性を高めることができる。また、シクロオレフィンポリマーフィルムおよびシクロオレフィンコポリマーフィルムは、複屈折が小さい。これにより、円偏光板や偏光板など、他の機能性フィルムと組み合わせて使用することができる。

また、紙または木材などを基材５１０または基材７７０に用いることができる。

例えば、可撓性を有する材料を基材５１０または基材７７０に用いることができる。

片側の表面に、例えば１μｍ以下の反射防止膜が形成された材料を用いることができる。具体的には、誘電体を３層以上、好ましくは５層以上、より好ましくは１５層以上積層した積層膜を基材７７０に用いることができる。これにより、反射率を０．５％以下好ましくは０．０８％以下に抑制することができる。

例えば、作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基材５１０または基材７７０に用いることができる。

具体的には、トランジスタまたは容量素子等を直接形成する作成工程中に加わる熱に耐熱性を有する材料を、基材５１０または基材７７０に用いることができる。または、作製工程中に加わる熱に耐熱性を有する工程用基板にトランジスタまたは容量素子等を形成し、形成されたトランジスタまたは容量素子等を、例えば、基材５１０または基材７７０に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば、可撓性を有する基板にトランジスタまたは容量素子等を形成できる。

《封止材７０５》
封止材７０５は、機能層５２０および基材７７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基材７７０を貼り合わせる機能を備える。

無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材７０５に用いることができる。

例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材７０５に用いることができる。

例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を封止材７０５に用いることができる。

具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を封止材７０５に用いることができる。

＜表示パネル７００の構成例３＞
表示パネル７００は、機能層７２０を備える（図５（Ａ）参照）。

《機能層７２０》
機能層７２０は、着色膜ＣＦ１、絶縁膜７７１および遮光膜ＢＭを備える。

着色膜ＣＦ１は、基材７７０および表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。

遮光膜ＢＭは、画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。

＜表示パネル７００の構成例４＞
表示パネル７００は、機能膜７７０Ｐを有する（図５（Ａ）参照）。

《機能膜７７０Ｐ等》
機能膜７７０Ｐは、表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。

例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光フィルム等を機能膜７７０Ｐに用いることができる。

具体的には、円偏光フィルムを機能膜７７０Ｐに用いることができる。

また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、反射防止膜（アンチ・リフレクション膜）、非光沢処理膜（アンチ・グレア膜）、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜などを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。

＜表示パネル７００の構成例５＞
また、表示パネル７００は、絶縁膜５２８を有する（図５（Ａ）参照）。

《絶縁膜５２８》
絶縁膜５２８は、絶縁膜５２１および基材７７０の間に挟まれる領域を備え、表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる開口部を備える（図５（Ａ）参照）。

例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５２８に用いることができる。具体的には、酸化珪素膜、アクリル樹脂を含む膜またはポリイミドを含む膜を絶縁膜５２８に用いることができる。

《表示素子５５０（ｉ，ｊ）の構成例１》
表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、光を射出する機能を備える。

表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）を備える（図５（Ａ）参照）。

例えば、光を射出する機能を備える表示素子を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子、発光ダイオードまたはＱＤＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ　Ｄｏｔ　ＬＥＤ）等を、表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

《発光性の材料を含む層５５３（ｊ）の構成例１》
例えば、信号線Ｓ２（ｊ）に沿って列方向に長い帯状の積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

具体的には、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）、発光性の材料を含む層５５３（ｊ＋１）および発光性の材料を含む層５５３（ｊ＋２）に、色相が互いに異なる光を発する材料を用いることができる。これにより、例えば、表示素子５５０（ｉ，ｊ）が射出する光の色相を、列ごとに異ならせることができる。

例えば、青色の光を発する材料、緑色の光を発する材料および赤色の光を発する材料を、互いに異なる色相の光を発する材料に用いることができる。

《発光性の材料を含む層５５３（ｊ）の構成例２》
例えば、白色の光を射出するように積層された積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

具体的には、色相が互いに異なる光を発する材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

具体的には、青色の光を射出する蛍光材料を含む発光性の材料を含む層と、緑色および赤色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層または黄色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層と、を積層した積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。または黄色の光を射出する蛍光材料以外の材料を含む層と、を積層した積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

例えば、発光ユニットを発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。発光ユニットは、一方から注入された電子が他方から注入された正孔と再結合する領域を１つ備える。また、発光ユニットは発光性の材料を含み、発光性の材料は、電子と正孔の再結合により生じるエネルギーを光として放出する。

例えば、複数の発光ユニットおよび中間層を発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。中間層は、二つの発光ユニットの間に挟まれる領域を備える。中間層は電荷発生領域を備え、中間層は陰極側に配置された発光ユニットに正孔を供給し、陽極側に配置された発光ユニットに電子を供給する機能を備える。また、複数の発光ユニットおよび中間層を備える構成をタンデム型の発光素子という場合がある。

例えば、一の色相の光を発する材料を含む発光ユニットと、他の色相の光を発する材料を含む発光ユニットを、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

例えば、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）、中分子化合物（低分子と高分子の中間領域の化合物：分子量４００以上４０００以下）等を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

《電極５５１（ｉ，ｊ）、電極５５２》
電極５５１（ｉ，ｊ）は、開口部５９１Ａにおいて、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図５（Ａ）参照）。

電極５５１（ｉ，ｊ）は、絶縁膜５２８を周縁に備える。言い換えると、絶縁膜５２８は開口部を備え、電極５５１（ｉ，ｊ）は当該開口部と重なる。これにより、電極５５１（ｉ，ｊ）および電極５５２の短絡を防止することができる。

例えば、配線等に用いることができる材料を電極５５１（ｉ，ｊ）または電極５５２に用いることができる。具体的には、可視光について透光性を有する材料を電極５５１（ｉ，ｊ）または電極５５２に用いることができる。

例えば、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を用いることができる。または、可視光について透光性を有する材料を用いることができる。

例えば、光の一部を透過し、光の他の一部を反射する金属膜を電極５５１（ｉ，ｊ）または電極５５２に用いることができる。これにより、例えば、電極５５１（ｉ，ｊ）および電極５５２の間の距離を調整することができる。または、微小共振器構造を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に設けることができる。または、所定の波長の光を他の光より効率よく取り出すことができる。または、スペクトルの半値幅が狭い光を取り出すことができる。または、鮮やかな色の光を取り出すことができる。

例えば、効率よく光を反射する膜を、電極５５１（ｉ，ｊ）または電極５５２に用いることができる。具体的には、銀およびパラジウム等を含む材料または銀および銅等を含む材料を金属膜に用いることができる。

《表示領域２３１の構成例２》
表示領域２３１は、一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）、他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）、走査線Ｇ２（ｉ）および信号線Ｓ２（ｉ）を備える（図１９参照）。

一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は、画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に配設される。

他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は、画素７０２（ｉ，ｊ）を含み、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に配設される。

走査線Ｇ２（ｉ）は、一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。

信号線Ｓ２（ｉ）は、他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と電気的に接続される。

＜表示パネル７００の構成例６＞
本実施の形態で説明する表示パネル７００は、複数の画素を備える。当該複数の画素は、色相が互いに異なる色を表示する機能を備える。または、当該複数の画素を用いて、各々その画素では表示できない色相の色を、加法混色により表示することができる。

《画素７０２（ｉ，ｊ）の構成例２》
なお、色相が異なる色を表示することができる複数の画素を混色に用いる場合において、それぞれの画素を副画素と言い換えることができる。また、複数の副画素を一組にして、画素と言い換えることができる。

例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）を副画素と言い換えることができ、画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）と言い換えることができる（図１（Ｃ）参照）。

また、画素７０２（ｉ，ｊ）を副画素と言い換えることができ、画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）、画素７０２（ｉ＋１，ｊ）および画素７０２（ｉ＋１，ｊ＋１）を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）と言い換えることができる（図１（Ｅ）参照）。

具体的には、青色を表示する副画素、緑色を表示する副画素および赤色を表示する副画素を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）に用いることができる。また、シアンを表示する副画素、マゼンタを表示する副画素およびイエローを表示する副画素を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）に用いることができる。

また、例えば、白色等を表示する副画素を上記の一組に加えて、画素に用いることができる。

＜表示パネル７００の構成例７＞
表示領域２３１は、画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を備える（図１（Ｃ）参照）。

画素７０２（ｉ，ｊ）は、ＣＩＥ１９３１色度座標における色度ｘが０．６８０より大きく０．７２０以下、色度ｙが０．２６０以上０．３２０以下の色を表示する。

画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は、ＣＩＥ１９３１色度座標における色度ｘが０．１３０以上０．２５０以下、色度ｙが０．７１０より大きく０．８１０以下の色を表示する。

画素７０２（ｉ，ｊ＋２）は、ＣＩＥ１９３１色度座標における色度ｘが０．１２０以上０．１７０以下、色度ｙが０．０２０以上０．０６０未満の色を表示する。

また、画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を、ＣＩＥ色度図（ｘ，ｙ）におけるＢＴ．２０２０の色域に対する面積比が８０％以上、または、該色域に対するカバー率が７５％以上になるように備える。好ましくは、面積比が９０％以上、または、カバー率が８５％以上になるように備える。

＜表示パネル７００の構成例８＞
また、本実施の形態で説明する表示パネル７００は、複数の駆動回路を備えることができる。例えば、駆動回路ＧＤＡ、駆動回路ＧＤＢまたは駆動回路ＳＤを備えることができる（図１９参照）。

《駆動回路ＧＤＡ、駆動回路ＧＤＢ》
例えば、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＢを駆動回路ＧＤに用いることができる。具体的には、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＢは、制御情報に基づいて選択信号を供給する機能を有する。

例えば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で、選択信号を一の走査線に供給する機能を備える。これにより、動画像をなめらかに表示することができる。

例えば、制御情報に基づいて、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で選択信号を一の走査線に供給する機能を備える。これにより、フリッカーが抑制された静止状態で画像を表示することができる。

複数の駆動回路を備える場合、例えば、駆動回路ＧＤＡが選択信号を供給する頻度と、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する頻度とを、異ならせることができる。具体的には、静止画像を表示する一の領域に選択信号を供給する頻度より高い頻度で、動画像を表示する他の領域に選択信号を供給することができる。これにより、一の領域にフリッカーが抑制された静止状態で画像を表示し、他の領域に滑らかに動画像を表示することができる。

例えば、ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを、駆動回路ＧＤに用いることができる。具体的には、トランジスタＭＤを駆動回路ＧＤに用いることができる（図６参照）。

《駆動回路ＳＤ》
駆動回路ＳＤは、情報Ｖ１１に基づいて画像信号を生成する機能と、当該画像信号を一の表示素子と電気的に接続される画素回路に供給する機能を備える（図１９参照）。

例えば、シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＳＤに用いることができる。

例えば、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。

例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）法またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　ｏｎ　Ｆｉｌｍ）法を用いて、集積回路を端子に接続することができる。具体的には、異方性導電膜を用いて、集積回路を端子に接続することができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の電気モジュールを有する表示パネルの作製方法について、図７乃至図１３を参照しながら説明する。

図７は本発明の一態様の電気モジュールを有する表示パネルの作製方法を説明するフロー図である。

図８は本発明の一態様の電気モジュールを有する表示パネルの作製方法を説明する断面図である。図８（Ａ）乃至図８（Ｃ）は図１（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、Ｘ３−Ｘ４およびＸ９−Ｘ１０に対応する位置における断面図である。図８（Ｄ）は図８（Ｃ）の一部を説明する断面図である。

図９は本発明の一態様の電気モジュールを有する表示パネルの作製方法を説明する断面図である。図９（Ａ）乃至図９（Ｃ）は図１（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、Ｘ３−Ｘ４およびＸ９−Ｘ１０に対応する位置における断面図である。

図１０は本発明の一態様の電気モジュールを有する表示パネルの作製方法を説明する断面図である。図１０（Ａ）は図９（Ｃ）の一部を説明する図であり、図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）の一部を説明する断面図であり、図１０（Ｃ）は電気モジュールを有する表示パネルの断面図である。

図１１は本発明の一態様の電気モジュールを有する表示パネルの作製方法を説明する断面図である。図１１（Ａ）は図８（Ａ）とは異なる工程用基板の構成の一部を説明する断面図である。図１１（Ｂ）は図８（Ｄ）とは異なる加工部材の構成の一部を説明する断面図である。図１１（Ｃ）は図１０（Ｂ）とは異なる加工部材の構成の一部を説明する断面図である。

図１２は本発明の一態様の電気モジュールを有する表示パネルの作製方法を説明する断面図である。図１２（Ａ）乃至図１２（Ｃ）は図１（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、Ｘ３−Ｘ４およびＸ９−Ｘ１０に対応する位置における断面図である。図１２（Ｄ）は図１２（Ｃ）の一部を説明する断面図である。

図１３は本発明の一態様の電気モジュールを有する表示パネルの作製方法を説明する断面図である。図１３（Ａ）乃至図１３（Ｃ）は加工部材の一部を説明する図である。

＜電気モジュールを有する表示パネルの作製方法１＞
本実施の形態で説明する電気モジュールを有する表示パネルの作製方法は、以下の７つのステップを有する（図７参照）。

なお、第１のステップ乃至第４のステップおよび第６のステップを、上記の７つのステップから抜き出して、工程用基板および機能層を備える加工部材を準備する第１の工程（第１のステップ乃至第４のステップを含む）と、工程用基板から機能層を分離する第２の工程（第６のステップを含む）とを有する、電気モジュールの作製方法ということもできる。

［第１のステップ］
第１のステップにおいて、工程用基板１０を準備する（図７（Ｖ１）および図８（Ａ）参照）。

工程用基板１０は機能面５０１Ａ（１）を備える。例えば、膜５０１Ａを備えるガラス基板を工程用基板１０に用い、膜５０１Ａの表面を機能面５０１Ａ（１）に用いることができる（図８（Ａ）参照）。

機能面５０１Ａ（１）は活性領域５０１Ａ（１１）を含む。例えば、機能面５０１Ａ（１）の全面または一部を活性領域５０１Ａ（１１）に用いることができる。なお、のちのステップにおいて形成される機能層５２０の活性領域５０１Ａ（１１）に重なる部分は、工程用基板１０から分離することができる。

例えば、タングステンおよび酸素を含む膜を、膜５０１Ａに用いることができる。または、チタンおよび酸素を含む膜を、膜５０１Ａに用いることができる。

例えば、スパッタリング法を用いてタングステンまたはチタンを含む膜を形成し、酸素を含むガスを用いたプラズマで表面を処理して、膜５０１Ａを形成することができる。

具体的には、スパッタリング法を用いて、厚さ３０ｎｍのタングステンをガラス基板に形成し、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）を含むガスを用いたプラズマで表面を処理して、膜５０１Ａを形成することができる。

または、樹脂を含む膜を、膜５０１Ａに用いることができる。具体的には、ポリイミド、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等を含む膜を、膜５０１Ａに用いることができる。または、膜５０１Ａのガラス基板に接する面を機能面５０１Ａ（１）に用いることができる。

例えば、ナイフコータまたはスリットコータなどを用いて樹脂を含む膜を形成することができる。具体的には、スリットコータを用いてポリイミドワニスをガラス基板に塗布して、厚さ１０μｍのポリイミド膜を形成することができる。

［第２のステップ］
第２のステップにおいて、中間層５０１Ｂを形成する（図７（Ｖ２）および図８（Ｂ）参照）。

中間層５０１Ｂは、面５０１Ｂ（１）および面５０１Ｂ（２）を備える（図４（Ａ）および図８（Ｄ）参照）。

面５０１Ｂ（１）は、領域５０１Ｂ（１１）を含む。

面５０１Ｂ（２）は面５０１Ｂ（１）と対向し、領域５０１Ｂ（２３）を含む。領域５０１Ｂ（２３）は活性領域５０１Ａ（１１）と接する（図８（Ｄ）および図１０（Ａ）参照）。

例えば、加熱により水素を供給する機能を備える膜を、中間層５０１Ｂに用いることができる。加熱に伴い、中間層５０１Ｂは水素を面５０１Ｂ（２）および機能面５０１Ａ（１）の界面に供給する。または、当該界面に供給される水素は、工程用基板１０から中間層５０１Ｂを分離し易くする。または、加熱に伴い、中間層５０１Ｂは水素を面５０１Ｂ（１）および導電膜５１９Ｂ（１）の界面に供給する。または、当該界面に供給される水素は、導電膜５１９Ｂ（１）から中間層５０１Ｂを分離し易くする。

例えば、シリコン、酸素および窒素を含む膜を中間層５０１Ｂに用いることができる。具体的には、化学気相成長法を用いて、中間層５０１Ｂを形成することができる。また、所定のガスを用いたプラズマ等で処理した面を、面５０１Ｂ（１）に用いることができる。

のちに形成する導電膜５１９Ｂ（１）にチタンを用いる場合は、例えば、フッ素を含むガスを用いたプラズマで面５０１Ｂ（１）を処理する。または、タングステンを用いる場合は、例えば、酸素を含むガスを用いたプラズマで面５０１Ｂ（１）を処理する。

具体的には、化学気相成長法を用いて、シリコン、酸素および窒素を含む膜を１３５ｎｍの厚さで形成し、６フッ化硫黄を含むガスを用いたプラズマで表面を処理して、面５０１Ｂ（１）を備える中間層５０１Ｂを形成する。

［第３のステップ］
第３のステップにおいて、導電膜５１９Ｂ（１）を形成する（図７（Ｖ３）、図８（Ｃ）および図８（Ｄ）参照）。これにより、中間層５０１Ｂの領域５０１Ｂ（１１）は、導電膜５１９Ｂ（１）と接する。

例えば、チタンまたはタングステンを含む膜を導電膜５１９Ｂ（１）に用いることができる。

具体的には、スパッタリング法を用いて、厚さ１００ｎｍのチタンを形成することができる。

［第４のステップ］
第４のステップにおいて、機能層５２０を形成する（図７（Ｖ４）および図９（Ａ）参照）。なお、機能層５２０は、導電膜５１９Ｂ（１）および中間層５０１Ｂを含む。また、機能層５２０は駆動回路ＧＤおよび画素回路５３０（ｉ，ｊ）を含む。

例えば、スパッタリング法または化学気相成長法等を用いて薄膜を形成し、エッチング法を用いて当該薄膜を所定の形状にすることができる。または、当該薄膜を積層して、所定の素子を形成することができる。

［第５のステップ］
第５のステップにおいて、画素７０２（ｉ，ｊ）を形成する（図７（Ｖ５）および図９（Ｂ）参照）。なお、画素７０２（ｉ，ｊ）は画素回路５３０（ｉ，ｊ）および表示素子５５０（ｉ，ｊ）を含む。

例えば、蒸着装置等を用いて、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を形成する。なお、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を、開口部５９１Ａを介して機能層５２０の画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続する。

［第６のステップ］
第６のステップにおいて、開口部５９１Ｂを中間層５０１Ｂに形成し、端子５１９Ｂ（図示せず）を形成する（図７（Ｖ６）および図９（Ｃ）参照）。例えば、開口部５９１Ｂおよび端子５１９を、工程用基板１０から中間層５０１Ｂの一部を分離しながら形成する。

具体的には、機能層５２０または工程用基板１０を撓ませて、領域５０１Ｂ（１１）において、導電膜５１９Ｂ（１）から中間層５０１Ｂを分離する（図１０（Ａ）および図１０（Ｂ）参照）。また、領域５０１Ｂ（２３）において、活性領域５０１Ａ（１１）から中間層５０１Ｂを分離する。なお、機能層５２０および工程用基板１０を両方とも撓ませてもよい。

これにより、導電膜５１９Ｂ（１）と接している中間層５０１Ｂの一部は、導電膜５１９Ｂ（１）から分離されるだけでなく、中間層５０１Ｂの他の部分からも分離される。言い換えると、中間層５０１Ｂの一部は中間層５０１Ｂから取り除かれる。または、開口部５９１Ｂが中間層５０１Ｂに形成される。または、中間層５０１Ｂの一部は、工程用基板１０と共に、機能層５２０から分離される。なお、中間層５０１Ｂの一部は領域５０１Ｂ（１３）を含み、領域５０１Ｂ（１３）は導電膜５１９Ｂ（１）から分離する前において、領域５０１Ｂ（１１）の一部である（図８（Ｄ）参照）。

これにより、第２の工程において、導電膜から中間層を分離し、活性領域から中間層を分離することができる。または、開口部５９１Ｂを中間層に形成することができる。

［第７のステップ］
第７のステップにおいて、中間層５０１Ｂを基材５１０と貼り合わせる（図７（Ｖ７）および図１０（Ｃ）参照）。例えば、接合層５０５を用いて、中間層５０１Ｂおよび基材５１０を貼り合わせることができる。

これにより、実施の形態２に記載する電気モジュールを有する表示パネルを作製することができる。

＜電気モジュールを有する表示パネルの作製方法２＞
本発明の一態様の電気モジュールを有する表示パネルの別の作製方法について、図１１および図１３を参照しながら説明する。

本実施の形態で説明する別の作製方法は、不活性領域５０１Ａ（１２）を備える工程用基板１０を用いる点が、図７乃至図１０を参照しながら説明する作製方法とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の方法を用いることができる部分について、上記の説明を援用する。

［第１のステップの変形例］
第１のステップにおいて、活性領域５０１Ａ（１１）および不活性領域５０１Ａ（１２）を含む機能面５０１Ａ（１）を備える工程用基板１０を準備する（図７（Ｖ１）および図１１（Ａ）参照）。

例えば、膜５０１Ａが形成された領域を活性領域５０１Ａ（１１）に用い、膜５０１Ａが形成されていない領域を不活性領域５０１Ａ（１２）に用いることができる。

例えば、エッチング法を用いて、膜５０１Ａを所定の形状に加工して、活性領域５０１Ａ（１１）および不活性領域５０１Ａ（１２）を形成することができる。具体的には、１０μｍの間隔で複数の不活性領域５０１Ａ（１２）を配置することができる。

これにより、中間層５０１Ｂが分離し易い活性領域５０１Ａ（１１）を機能面５０１Ａ（１）に配置することができる。または、中間層５０１Ｂが分離し難い不活性領域５０１Ａ（１２）を機能面５０１Ａ（１）に配置することができる。または、複数の活性領域５０１Ａ（１１）の間に不活性領域５０１Ａ（１２）を配置することができる。または、活性領域５０１Ａ（１１）の幅より狭い幅の不活性領域５０１Ａ（１２）を配置することができる。または、例えば、幅が１０μｍ程度の不活性領域５０１Ａ（１２）を配置することができる。

［第６のステップの変形例］
第６のステップにおいて、開口部５９１Ｂを中間層５０１Ｂに形成し、端子５１９Ｂ（図示せず）を形成する（図７（Ｖ６）、図１１（Ｃ）および図１３（Ｂ）参照）。

なお、第６のステップに用いる加工部材は、例えば、活性領域５０１Ａ（１１）と接する領域５０１Ｂ（２３）および不活性領域５０１Ａ（１２）と接する領域５０１Ｂ（２４）を備える（図１１（Ｂ）および図１３（Ａ）参照）。

これにより、不活性領域５０１Ａ（１２）から中間層５０１Ｂの領域５０１Ｂ（２４）を分離する際に要する力を、活性領域５０１Ａ（１１）から中間層５０１Ｂの領域５０１Ｂ（２３）を分離する際に要する力より、大きくすることができる。または、中間層５０１Ｂを不活性領域５０１Ａ（１２）から剥がれ難くすることができる。または、中間層５０１Ｂを活性領域５０１Ａ（１１）から剥がれ易くすることができる。

具体的には、機能層５２０または工程用基板１０を撓ませて、領域５０１Ｂ（２３）を活性領域５０１Ａ（１１）から分離し、領域５０１Ｂ（１１）の一部を導電膜５１９Ｂ（１）から分離する（図１１（Ｃ）参照）。なお、不活性領域５０１Ａ（１２）から領域５０１Ｂ（２４）を分離するには強い力を要するため、不活性領域５０１Ａ（１２）は領域５０１Ｂ（２４）と接した状態を保つ。これにより、中間層５０１Ｂに開口部５９１Ｂが形成され、端子５１９を形成することができる（図１３（Ｂ）または図１３（Ｃ）参照）。

これにより、中間層５０１Ｂに複数の開口部５９１Ｂを狭い間隔で形成することができる。または、中間層５０１Ｂに所定の形状の開口部５９１Ｂを形成することができる。

＜電気モジュールを有する表示パネルの作製方法３＞
本発明の一態様の電気モジュールを有する表示パネルの別の作製方法について、図１２、図１４、図１５および図１８を参照しながら説明する。

図１４は本発明の一態様の電気モジュールを有する表示パネルの作製方法を説明する断面図である。図１４（Ａ）乃至図１４（Ｅ）は端子部の詳細を説明する図である。

図１５は本発明の一態様の電気モジュールを有する表示パネルの作製方法を説明する断面図である。図１５（Ａ）乃至図１５（Ｃ）は端子部の詳細を説明する図である。

図１８は本発明の一態様の電気モジュールを有する表示パネルの作製方法を説明する断面図である。

本実施の形態で説明する別の作製方法は、中間層５０１Ｂの一部を形成した後に不活性領域５０１Ａ（１２）を形成する点、および不活性領域５０１Ａ（１２）を形成した後に中間層５０１Ｂの他の部分を形成する点が、図７乃至図１０を参照しながら説明する作製方法とは異なる。具体的には、中間層５０１ＢＡを形成した後に不活性領域５０１Ａ（１２）を形成し、その後、中間層５０１ＢＣおよび中間層５０１ＢＢを形成する。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の方法を用いることができる部分について、上記の説明を援用する。

［第２のステップの変形例］
第２のステップにおいて、中間層５０１ＢＡになる膜を工程用基板１０に形成する（図１４（Ａ）参照）。例えば、加熱により水素を供給する機能を備える膜を、中間層５０１ＢＡに用いることができる。具体的には、化学気相成長法を用いて、シリコン、酸素および窒素を含む膜を形成する。

次いで、エッチング法等を用いて、中間層５０１ＢＡおよび膜５０１Ａを所定の形に加工して、活性領域５０１Ａ（１１）、不活性領域５０１Ａ（１２）および中間層５０１ＢＡを形成する（図１４（Ｂ）参照）。なお、中間層５０１ＢＡは、活性領域５０１Ａ（１１）と接する。

これにより、例えば、エッチング工程中にもたらされる活性領域５０１Ａ（１１）の汚染を防ぐことができる。または、清浄な状態の活性領域５０１Ａ（１１）に中間層５０１ＢＡを形成することができる。または、活性領域５０１Ａ（１１）から中間層５０１ＢＡを容易に分離することができる。

次いで、化学気相成長法等を用いて、中間層５０１ＢＢを形成する（図１２（Ａ）参照）。また、所定のガスを用いたプラズマ等で処理した面を、面５０１Ｂ（１）に用いることができる（図１２（Ｂ）および図１４（Ｃ）参照）。例えば、フッ素を含むガスを用いたプラズマまたは酸素を含むガスを用いたプラズマで処理した面を、面５０１Ｂ（１）に用いることができる。

なお、中間層５０１ＢＡおよび中間層５０１ＢＢの間に中間層５０１ＢＣを形成してもよい（図１４（Ｃ）参照）。例えば、ガスバリア性の高い膜を中間層５０１ＢＣに用いることができる。具体的には、シリコンおよび窒素を含む膜を中間層５０１ＢＣに用いることができる。これにより、面５０１Ｂ（２）および機能面５０１Ａ（１）の界面に、中間層５０１Ｂから水素を供給することができる。

第３のステップにおいて、導電膜５１９Ｂ（１）を形成する（図１２（Ｃ）、図１２（Ｄ）および図１４（Ｄ）参照）。これにより、導電膜５１９Ｂ（１）は中間層５０１Ｂの領域５０１Ｂ（１１）と接する。また、第４のステップにおいて機能層５２０を形成し、第５のステップにおいて画素を形成する（図１３（Ａ）および図１４（Ｅ）参照）。

続いて、第６のステップにおいて、開口部５９１Ｂを中間層５０１Ｂに形成し、端子５１９を形成する（図１３（Ｂ）および図１５（Ａ）参照）。なお、本実施の形態で説明する別の作製方法においては、活性領域５０１Ａ（１１）から中間層５０１ＢＡを分離する際に、所定の領域で分離しないなどの不良が生じにくい。

活性領域５０１Ａ（１１）および不活性領域５０１Ａ（１２）の形状を用いて、端子５１９Ｂの形状を制御することができる（図１３（Ｂ）、図１３（Ｃ）参照）。

例えば、工程用基板１０の活性領域５０１Ａ（１１）および不活性領域５０１Ａ（１２）の間の段差が小さい場合（図１８（Ａ−２）参照）、中間層５０１Ｂの面５０１Ｂ（２）より端子５１９をへこませることができる（図１８（Ａ−１）参照）。

例えば、工程用基板１０の活性領域５０１Ａ（１１）および不活性領域５０１Ａ（１２）の間の段差が大きい場合（図１８（Ｂ−２）参照）、中間層５０１Ｂの面５０１Ｂ（２）より端子５１９を突き出させることができる（図１８（Ｂ−１）参照）。

本実施の形態で説明する別の作製方法を用いると、例えば、１０μｍ程度の狭い間隔で、端子を配置できる。これにより、例えば、作製した電気モジュールを有する表示パネルの端子５１９に駆動回路ＳＤを、異方性導電膜等を用いて、電気的に接続することができる（図１５（Ｃ）参照）。

＜電気モジュールを有する表示パネルの作製方法４＞
本発明の一態様の電気モジュールを有する表示パネルの別の作製方法について、図１６および図１７を参照しながら説明する。

図１６は本発明の一態様の電気モジュールを有する表示パネルの作製方法を説明する断面図である。図１６（Ａ）乃至図１６（Ｅ）は端子部の詳細を説明する図である。

図１７は本発明の一態様の電気モジュールを有する表示パネルの作製方法を説明する断面図である。図１７（Ａ）乃至図１７（Ｃ）は端子部の詳細を説明する図である。

本実施の形態で説明する別の作製方法は、基材１１、膜５０１Ａおよび活性領域５０１Ａ（１１）を有し、活性領域５０１Ａ（１１）が基材１１および膜５０１Ａの間に挟まれる工程用基板１０を用いる点、および工程用基板１０から膜５０１Ａを分離してから、膜５０１Ａに開口部５９１Ｂを形成する点が、図７乃至図１０を参照しながら説明する作製方法とは異なる。

第１のステップにおいて、工程用基板を準備する（図７（Ｖ１）および図１６（Ａ）参照）。例えば、ガラス基板を基材１１に用い、厚さ１０μｍのポリイミド膜を膜５０１Ａに用いることができる。具体的には、スリットコータを用いて、ポリイミドワニスを基材１１に塗布して、工程用基板を形成することができる。

次に、第２のステップにおいて、中間層５０１Ｂを形成する（図７（Ｖ２）および図１６（Ｂ）参照）。第３のステップにおいて、導電膜５１９Ｂ（１）を形成する（図７（Ｖ３）および図１６（Ｃ）参照）。また、第４のステップにおいて機能層５２０を形成し、第５のステップにおいて画素を形成する（図７（Ｖ４）、図７（Ｖ５）および図１６（Ｄ）参照）。

次いで、膜５０１Ａを基材１１から分離する。例えば、基材１１を透過し、膜５０１Ａに吸収される光を、基材１１側から膜５０１Ａに照射する。具体的には、エキシマレーザを用いて、紫外線を膜５０１Ａに照射する。これにより、基材１１から膜５０１Ａを分離することができる。

次いで、機能層５２０または基材１１を撓ませて、活性領域５０１Ａ（１１）において、膜５０１Ａを分離する（図１６（Ｅ）参照）。

第６のステップにおいて、開口部５９１Ｂを中間層５０１Ｂに形成し、端子５１９を形成する（図７（Ｖ６）、図１７（Ａ）および図１７（Ｂ）参照）。例えば、固体レーザを用いて、開口部５９１Ｂを形成することができる。具体的には、固体レーザを用いて、２６６ｎｍの光を膜５０１Ａに照射して、導電膜５１９Ｂ（１）近傍に達する切込みを膜５０１Ａに入れることができる。

なお、膜５０１Ａが十分な厚さ、例えば、１０μｍ程度を備える場合、膜５０１Ａを基材と貼り合わせる第７のステップを省略することができる。

本実施の形態で説明する別の作製方法を用いると、例えば、１０μｍ程度の狭い間隔で、端子を配置できる。これにより、例えば、作製した電気モジュールを有する表示パネルの端子５１９に駆動回路ＳＤを、異方性導電膜等を用いて、電気的に接続することができる（図１７（Ｃ）参照）。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成について、図２０を参照しながら説明する。

図２０は本発明の一態様の表示装置の構成を説明する図である。図２０（Ａ）は本発明の一態様の表示装置のブロック図であり、図２０（Ｂ−１）乃至図２０（Ｂ−３）は本発明の一態様の表示装置の外観を説明する投影図である。

＜表示装置の構成例１＞
本実施の形態で説明する表示装置は、制御部２３８と、表示パネル７００と、を有する（図２０（Ａ）参照）。

《制御部２３８の構成例１》
制御部２３８は、画像情報Ｖ１および制御情報ＣＩを供給される。例えば、クロック信号またはタイミング信号などを制御情報ＣＩに用いることができる。

制御部２３８は画像情報Ｖ１に基づいて情報Ｖ１１を生成し、制御情報ＣＩにもとづいて制御信号ＳＰを生成する。また、制御部２３８は情報Ｖ１１および制御信号ＳＰを供給する。

例えば、情報Ｖ１１は、８ｂｉｔ以上好ましくは１２ｂｉｔ以上の階調を含む。また、例えば、駆動回路に用いるシフトレジスタのクロック信号またはスタートパルスなどを、制御信号ＳＰに用いることができる。

具体的には、制御部２３８は、伸張回路２３４および画像処理回路２３５を備える。

《伸張回路２３４》
伸張回路２３４は、圧縮された状態で供給される画像情報Ｖ１を伸張する機能を備える。伸張回路２３４は、記憶部を備える。記憶部は、例えば伸張された画像情報を記憶する機能を備える。

《画像処理回路２３５》
画像処理回路２３５は、例えば、記憶領域を備える。記憶領域は、例えば、画像情報Ｖ１に含まれる情報を記憶する機能を備える。

画像処理回路２３５は、例えば、所定の特性曲線に基づいて画像情報Ｖ１を補正して情報Ｖ１１を生成する機能と、情報Ｖ１１を供給する機能を備える。

《表示パネル７００の構成例９》
表示パネル７００は情報Ｖ１１および制御信号ＳＰを供給される。例えば、実施の形態２において説明する表示パネル７００を用いることができる。なお、表示パネル７００は電気モジュール５００を備える。

また、例えば、制御回路２３３を表示パネル７００に用いることができる。また、駆動回路を表示パネル７００に用いることができる。

《制御回路２３３》
制御回路２３３は制御信号ＳＰを生成し、供給する機能を備える。例えば、クロック信号またはタイミング信号などを制御信号ＳＰに用いることができる。具体的には、タイミングコントローラを制御回路２３３に用いることができる。

例えば、リジッド基板上に形成された制御回路２３３を表示パネル７００に用いることができる。また、フレキシブルプリント基板を用いて、リジッド基板上に形成された制御回路２３３と制御部２３８を、電気的に接続することができる。

《電気モジュール》
電気モジュールを備える表示パネル７００は駆動回路を備え、情報Ｖ１１および制御信号ＳＰを供給される。

例えば、情報Ｖ１１および制御信号ＳＰを端子５１９Ｂに供給することができる。

《駆動回路》
駆動回路は制御信号ＳＰに基づいて動作する。例えば、駆動回路ＧＤＡ（１）、駆動回路ＧＤＡ（２）駆動回路ＧＤＢ（１）、駆動回路ＧＤＢ（２）は、制御信号ＳＰを供給され、選択信号を供給する機能を備える。

例えば、駆動回路ＳＤＡ（１）、駆動回路ＳＤＡ（２）、駆動回路ＳＤＢ（１）、駆動回路ＳＤＢ（２）、駆動回路ＳＤＣ（１）および駆動回路ＳＤＣ（１）は、制御信号ＳＰおよび情報Ｖ１１を供給され、画像信号を供給することができる。

制御信号ＳＰを用いることにより、複数の駆動回路の動作を同期することができる。

《画素７０２（ｉ，ｊ）の構成例３》
画素７０２（ｉ，ｊ）は、情報Ｖ１１に基づいて表示する。

これにより、表示素子を用いて画像情報を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、例えば、テレビジョン受像システム（図２０（Ｂ−１）参照）、映像モニター（図２０（Ｂ−２）参照）またはノートブックコンピュータ（図２０（Ｂ−３）参照）などを提供することができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図２１を参照しながら説明する。

図２１は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明するブロック図である。

＜入出力装置の構成例１＞
本実施の形態で説明する入出力装置は、入力部２４０と、表示部２３０と、を有する。

《表示部２３０の構成例１》
表示部２３０は、表示パネル７００を備える。例えば、実施の形態２に記載の表示パネル７００を表示部２３０に用いることができる。なお、入力部２４０および表示部２３０を有する構成を入出力パネル７００ＴＰということができる。

《入力部２４０の構成例１》
入力部２４０は検知領域２４１を備える。入力部２４０は検知領域２４１に近接するものを検知する。

検知領域２４１は画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。

《入力部２４０の構成例２》
入力部２４０は発振回路ＯＳＣおよび検知回路ＤＣを備える（図２１参照）。

《検知領域２４１》
検知領域２４１は、例えば、単数または複数の検知素子を備える。

検知領域２４１は、一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）と、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）と、を有する。なお、ｇは１以上ｐ以下の整数であり、ｈは１以上ｑ以下の整数であり、ｐおよびｑは１以上の整数である。

一群の検知素子７７５（ｇ，１）乃至検知素子７７５（ｇ，ｑ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向（図中に矢印Ｒ２で示す方向）に配設される。なお、矢印Ｒ２で示す方向は、矢印Ｒ１で示す方向と同じであっても良いし、異なっていてもよい。

また、他の一群の検知素子７７５（１，ｈ）乃至検知素子７７５（ｐ，ｈ）は、検知素子７７５（ｇ，ｈ）を含み、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ２で示す方向）に配設される。

《検知素子》
検知素子は近接するポインタを検知する機能を備える。例えば、指やスタイラスペン等をポインタに用いることができる。例えば、金属片またはコイル等を、スタイラスペンに用いることができる。

具体的には、静電容量方式の近接センサ、電磁誘導方式の近接センサ、光学方式の近接センサ、抵抗膜方式の近接センサなどを、検知素子に用いることができる。

また、複数の方式の検知素子を併用することもできる。例えば、指を検知する検知素子と、スタイラスペンを検知する検知素子とを、併用することができる。

これにより、ポインタの種類を判別することができる。または、判別したポインタの種類に基づいて、異なる命令を検知情報に関連付けることができる。具体的には、ポインタに指を用いたと判別した場合は、検知情報をジェスチャーと関連付けることができる。または、ポインタにスタイラスペンを用いたと判別した場合は、検知情報を描画処理と関連付けることができる。

具体的には、静電容量方式または光学方式の近接センサを用いて、指を検知することができる。または、電磁誘導方式または光学方式の近接センサを用いて、スタイラスペンを検知することができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図２２乃至図２４を参照しながら説明する。

図２２（Ａ）は本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明するブロック図である。図２２（Ｂ）および図２２（Ｃ）は、情報処理装置の外観の一例を説明する投影図である。

図２３は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図２３（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムの主の処理を説明するフローチャートであり、図２３（Ｂ）は、割り込み処理を説明するフローチャートである。

図２４は、本発明の一態様のプログラムを説明する図である。図２４（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムの割り込み処理を説明するフローチャートである。また、図２４（Ｂ）は、情報処理装置の操作を説明する模式図であり、図２４（Ｃ）は、本発明の一態様の情報処理装置の動作を説明するタイミングチャートである。

＜情報処理装置の構成例１＞
本実施の形態で説明する情報処理装置は、演算装置２１０と、入出力装置２２０と、を有する（図２２（Ａ）参照）。なお、入出力装置は、演算装置２１０と電気的に接続される。また、情報処理装置２００は筐体を備えることができる（図２２（Ｂ）または図２２（Ｃ）参照）。

《演算装置２１０の構成例１》
演算装置２１０は入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳを供給される。演算装置２１０は制御情報ＣＩおよび画像情報Ｖ１を供給する。

演算装置２１０は、演算部２１１および記憶部２１２を備える。また、演算装置２１０は、伝送路２１４および入出力インターフェース２１５を備える。

伝送路２１４は、演算部２１１、記憶部２１２、および入出力インターフェース２１５と電気的に接続される。

《演算部２１１》
演算部２１１は、例えばプログラムを実行する機能を備える。

《記憶部２１２》
記憶部２１２は、例えば演算部２１１が実行するプログラム、初期情報、設定情報または画像等を記憶する機能を有する。

具体的には、ハードディスク、フラッシュメモリまたは酸化物半導体を含むトランジスタを用いたメモリ等を用いることができる。

《入出力インターフェース２１５、伝送路２１４》
入出力インターフェース２１５は端子または配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、伝送路２１４と電気的に接続することができる。また、入出力装置２２０と電気的に接続することができる。

伝送路２１４は配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、入出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。また、演算部２１１、記憶部２１２または入出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。

《入出力装置２２０の構成例１》
入出力装置２２０は、入力情報ＩＩおよび検知情報ＤＳを供給する。入出力装置２２０は、制御情報ＣＩおよび画像情報Ｖ１を供給される（図２２（Ａ）参照）。

例えば、キーボードのスキャンコード、位置情報、ボタンの操作情報、音声情報または画像情報等を入力情報ＩＩに用いることができる。または、例えば、情報処理装置２００が使用される環境等の照度情報、姿勢情報、加速度情報、方位情報、圧力情報、温度情報または湿度情報等を検知情報ＤＳに用いることができる。

例えば、画像情報Ｖ１を表示する輝度を制御する信号、彩度を制御する信号、色相を制御する信号を、制御情報ＣＩに用いることができる。または、画像情報Ｖ１の一部の表示を変化する信号を、制御情報ＣＩに用いることができる。

入出力装置２２０は、表示部２３０、入力部２４０および検知部２５０を備える。例えば、実施の形態５において説明する入出力装置を用いることができる。

《表示部２３０の構成例２》
表示部２３０は制御情報ＣＩに基づいて、画像情報Ｖ１を表示する。

表示部２３０は、制御部２３８と、駆動回路ＧＤと、駆動回路ＳＤと、表示パネル７００と、を有する（図示せず）。例えば、実施の形態４において説明する表示装置を表示部２３０に用いることができる。

《入力部２４０の構成例３》
入力部２４０は入力情報ＩＩを生成する。例えば、入力部２４０は、位置情報を供給する機能を備える。

例えば、ヒューマンインターフェイス等を入力部２４０に用いることができる（図２２（Ａ）参照）。具体的には、キーボード、マウス、タッチセンサ、マイクまたはカメラ等を入力部２４０に用いることができる。

また、表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを用いることができる。なお、表示部２３０と表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを備える入出力装置を、タッチパネルまたはタッチスクリーンということができる。

例えば、使用者は、タッチパネルに触れた指をポインタに用いて様々なジェスチャー（タップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等）をすることができる。

例えば、演算装置２１０は、タッチパネルに接触する指の位置または軌跡等の情報を解析し、解析結果が所定の条件を満たすとき、特定のジェスチャーが供給されたとすることができる。これにより、使用者は、所定のジェスチャーにあらかじめ関連付けられた所定の操作命令を、当該ジェスチャーを用いて供給できる。

一例を挙げれば、使用者は、画像情報の表示位置を変更する「スクロール命令」を、タッチパネルに沿ってタッチパネルに接触する指を移動するジェスチャーを用いて供給できる。

《検知部２５０の構成例１》
検知部２５０は検知情報ＤＳを生成する。例えば、検知部２５０は、情報処理装置２００が使用される環境の照度を検出する機能を備え、照度情報を供給する機能を備える。

検知部２５０は、周囲の状態を検知して検知情報を供給する機能を備える。具体的には、照度情報、姿勢情報、加速度情報、方位情報、圧力情報、温度情報または湿度情報等を供給できる。

例えば、光検出器、姿勢検出器、加速度センサ、方位センサ、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ　Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ　Ｓｙｓｔｅｍ）信号受信回路、圧力センサ、温度センサ、湿度センサまたはカメラ等を、検知部２５０に用いることができる。

《通信部２９０》
通信部２９０は、ネットワークに情報を供給し、ネットワークから情報を取得する機能を備える。

《筐体》
なお、筐体は入出力装置２２０または演算装置２１０を収納する機能を備える。または、筐体は表示部２３０または演算装置２１０を支持する機能を備える。

これにより、入力情報または検知情報に基づいて、制御情報を生成することができる。または、入力情報または検知情報に基づいて、画像情報を表示することができる。または、情報処理装置は、情報処理装置が使用される環境において、情報処理装置の筐体が受ける光の強さを把握して動作することができる。または、情報処理装置の使用者は、表示方法を選択することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。例えばタッチセンサが表示パネルに重ねられたタッチパネルは、表示部であるとともに入力部でもある。

《演算装置２１０の構成例２》
演算装置２１０は人工知能部２１３を備える（図２２（Ａ）参照）。人工知能部２１３は、入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳに基づいて、制御情報ＣＩを生成する。

［入力情報ＩＩに対する自然言語処理］
具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを自然言語処理して、入力情報ＩＩ全体から１つの特徴を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は、入力情報ＩＩに込められた感情等を推論し特徴にすることができる。また、当該特徴に好適であると経験的に感じられる色彩、模様または書体等を推論することができる。また、人工知能部２１３は、文字の色、模様または書体を指定する情報、背景の色または模様を指定する情報を生成し、制御情報ＣＩに用いることができる。

具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを自然言語処理して、入力情報ＩＩに含まれる一部の言葉を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は文法的な誤り、事実誤認または感情を含む表現等を抽出することができる。また、人工知能部２１３は、抽出した一部を他の一部とは異なる色彩、模様または書体等で表示する制御情報ＣＩを生成し、制御情報ＣＩに用いることができる。

［入力情報ＩＩに対する画像処理］
具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを画像処理して、入力情報ＩＩから１つの特徴を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は、入力情報ＩＩが撮影された年代、屋内または屋外、昼または夜等を推論し特徴にすることができる。また、当該特徴に好適であると経験的に感じられる色調を推論し、当該色調を表示に用いるための制御情報ＣＩを生成することができる。具体的には、濃淡の表現に用いる色（例えば、フルカラー、白黒または茶褐色等）を指定する情報を制御情報ＣＩに用いることができる。

具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを画像処理して、入力情報ＩＩに含まれる一部の画像を抽出することができる。例えば、抽出した画像の一部と他の一部の間に境界を表示する制御情報ＣＩを生成することができる。具体的には、抽出した画像の一部を囲む矩形を表示する制御情報ＣＩを生成することができる。

［検知情報ＤＳを用いる推論］
具体的には、人工知能部２１３は検知情報ＤＳを用いて、推論を生成することができる。または、推論に基づいて、情報処理装置２００の使用者が快適であると感じられるように制御情報ＣＩを生成することができる。

具体的には、環境の照度等に基づいて、人工知能部２１３は、表示の明るさが快適であると感じられるように、表示の明るさを調整する制御情報ＣＩを生成することができる。または、人工知能部２１３は環境の騒音等に基づいて大きさが快適であると感じられるように、音量を調整する制御情報ＣＩを生成することができる。

なお、表示部２３０が備える制御部２３８に供給するクロック信号またはタイミング信号などを制御情報ＣＩに用いることができる。または、入力部２４０が備える制御部に供給するクロック信号またはタイミング信号などを制御情報ＣＩに用いることができる。

＜情報処理装置の構成例２＞
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図２３（Ａ）および図２３（Ｂ）を参照しながら説明する。

《プログラム》
本発明の一態様のプログラムは、下記のステップを有する（図２３（Ａ）参照）。

［第１のステップ］
第１のステップにおいて、設定を初期化する（図２３（Ａ）（Ｓ１）参照）。

例えば、起動時に表示する所定の画像情報と、当該画像情報を表示する所定のモードと、当該画像情報を表示する所定の表示方法を特定する情報と、を記憶部２１２から取得する。具体的には、一の静止画像情報または他の動画像情報を所定の画像情報に用いることができる。また、第１のモードまたは第２のモードを所定のモードに用いることができる。

［第２のステップ］
第２のステップにおいて、割り込み処理を許可する（図２３（Ａ）（Ｓ２）参照）。なお、割り込み処理が許可された演算装置は、主の処理と並行して割り込み処理を行うことができる。割り込み処理から主の処理に復帰した演算装置は、割り込み処理をして得た結果を主の処理に反映することができる。

なお、カウンタの値が初期値であるとき、演算装置に割り込み処理をさせ、割り込み処理から復帰する際に、カウンタを初期値以外の値にしてもよい。これにより、プログラムを起動した後に常に割り込み処理をさせることができる。

［第３のステップ］
第３のステップにおいて、第１のステップまたは割り込み処理において選択された、所定のモードまたは所定の表示方法を用いて画像情報を表示する（図２３（Ａ）（Ｓ３）参照）。なお、所定のモードは情報を表示するモードを特定し、所定の表示方法は画像情報を表示する方法を特定する。また、例えば、画像情報Ｖ１を表示する情報に用いることができる。

例えば、画像情報Ｖ１を表示する一の方法を、第１のモードに関連付けることができる。または、画像情報Ｖ１を表示する他の方法を第２のモードに関連付けることができる。これにより、選択されたモードに基づいて表示方法を選択することができる。

《第１のモード》
具体的には、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第１のモードに関連付けることができる。

例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で選択信号を供給すると、動画像の動きを滑らかに表示することができる。

例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で画像を更新すると、使用者の操作に滑らかに追従するように変化する画像を、使用者が操作中の情報処理装置２００に表示することができる。

《第２のモード》
具体的には、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第２のモードに関連付けることができる。

３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で選択信号を供給すると、フリッカーまたはちらつきが抑制された表示をすることができる。また、消費電力を低減することができる。

例えば、情報処理装置２００を時計に用いる場合、１秒に一回の頻度または１分に一回の頻度等で表示を更新することができる。

ところで、例えば、発光素子を表示素子に用いる場合、発光素子をパルス状に発光させて、画像情報を表示することができる。具体的には、パルス状に有機ＥＬ素子を発光させて、その残光を表示に用いることができる。有機ＥＬ素子は優れた周波数特性を備えるため、発光素子を駆動する時間を短縮し、消費電力を低減することができる場合がある。または、発熱が抑制されるため、発光素子の劣化を軽減することができる場合がある。

［第４のステップ］
第４のステップにおいて、終了命令が供給された場合は第５のステップに進み、終了命令が供給されなかった場合は第３のステップに進むように選択する（図２３（Ａ）（Ｓ４）参照）。

例えば、割り込み処理において供給された終了命令を判断に用いてもよい。

［第５のステップ］
第５のステップにおいて、終了する（図２３（Ａ）（Ｓ５）参照）。

《割り込み処理》
割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第８のステップを備える（図２３（Ｂ）参照）。

［第６のステップ］
第６のステップにおいて、例えば、検知部２５０を用いて、情報処理装置２００が使用される環境の照度を検出する（図２３（Ｂ）（Ｓ６）参照）。なお、環境の照度に代えて環境光の色温度や色度を検出してもよい。

［第７のステップ］
第７のステップにおいて、検出した照度情報に基づいて表示方法を決定する（図２３（Ｂ）（Ｓ７）参照）。例えば、表示の明るさを暗すぎないように、または明るすぎないように決定する。

なお、第６のステップにおいて環境光の色温度や環境光の色度を検出した場合は、表示の色味を調節してもよい。

［第８のステップ］
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図２３（Ｂ）（Ｓ８）参照）。

＜情報処理装置の構成例３＞
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図２４を参照しながら説明する。

図２４（Ａ）は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図２４（Ａ）は、図２３（Ｂ）に示す割り込み処理とは異なる割り込み処理を説明するフローチャートである。

なお、情報処理装置の構成例３は、供給された所定のイベントに基づいて、モードを変更するステップを割り込み処理に有する点が、図２３（Ｂ）を参照しながら説明する割り込み処理とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。

《割り込み処理》
割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第８のステップを備える（図２４（Ａ）参照）。

［第６のステップ］
第６のステップにおいて、所定のイベントが供給された場合は、第７のステップに進み、所定のイベントが供給されなかった場合は、第８のステップに進む（図２４（Ａ）（Ｕ６）参照）。例えば、所定の期間に所定のイベントが供給されたか否かを条件に用いることができる。具体的には、５秒以下、１秒以下または０．５秒以下好ましくは０．１秒以下であって０秒より長い期間を所定の期間とすることができる。

［第７のステップ］
第７のステップにおいて、モードを変更する（図２４（Ａ）（Ｕ７）参照）。具体的には、第１のモードを選択していた場合は、第２のモードを選択し、第２のモードを選択していた場合は、第１のモードを選択する。

例えば、表示部２３０の一部の領域について、モードを変更することができる。具体的には、駆動回路ＧＤＡ、駆動回路ＧＤＢおよび駆動回路ＧＤＣを備える表示部２３０の一の駆動回路が選択信号を供給する領域について、モードを変更することができる（図２４（Ｂ）参照）。

例えば、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域と重なる領域にある入力部２４０に、所定のイベントが供給された場合に、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域のモードを変更することができる（図２４（Ｂ）および図２４（Ｃ）参照）。具体的には、指等を用いてタッチパネルに供給する「タップ」イベントに応じて、駆動回路ＧＤＢが供給する選択信号の頻度を変更することができる。

なお、信号ＧＣＬＫは駆動回路ＧＤＢの動作を制御するクロック信号であり、信号ＰＷＣ１および信号ＰＷＣ２は駆動回路ＧＤＢの動作を制御するパルス幅制御信号である。駆動回路ＧＤＢは、信号ＧＣＬＫ、信号ＰＷＣ１および信号ＰＷＣ２等に基づいて、選択信号を走査線Ｇ２（ｍ＋１）乃至走査線Ｇ２（２ｍ）に供給する。

これにより、例えば、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＣが選択信号を供給することなく、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給することができる。または、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＣが選択信号を供給する領域の表示を変えることなく、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域の表示を更新することができる。または、駆動回路が消費する電力を抑制することができる。

［第８のステップ］
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図２４（Ａ）（Ｕ８）参照）。なお、主の処理を実行している期間に割り込み処理を繰り返し実行してもよい。

《所定のイベント》
例えば、マウス等のポインティング装置を用いて供給する、「クリック」や「ドラッグ」等のイベント、指等をポインタに用いてタッチパネルに供給する、「タップ」、「ドラッグ」または「スワイプ」等のイベントを用いることができる。

また、例えば、ポインタが指し示すスライドバーの位置、スワイプの速度、ドラッグの速度等を用いて、所定のイベントに関連付けられた命令の引数を与えることができる。

例えば、検知部２５０が検知した情報をあらかじめ設定された閾値と比較して、比較結果をイベントに用いることができる。

具体的には、筐体に押し込むことができるように配設されたボタン等に接する感圧検知器等を検知部２５０に用いることができる。

《所定のイベントに関連付ける命令》
例えば、終了命令を、特定のイベントに関連付けることができる。

例えば、表示されている一の画像情報から他の画像情報に表示を切り替える「ページめくり命令」を、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「ページめくり命令」を実行する際に用いるページをめくる速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。

例えば、一の画像情報の表示されている一部分の表示位置を移動して、一部分に連続する他の部分を表示する「スクロール命令」などを、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「スクロール命令」を実行する際に用いる表示を移動する速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。

例えば、表示方法を設定する命令または画像情報を生成する命令などを、所定のイベントに関連付けることができる。なお、生成する画像の明るさを決定する引数を所定のイベントに関連付けることができる。また、生成する画像の明るさを決定する引数を、検知部２５０が検知する環境の明るさに基づいて決定してもよい。

例えば、プッシュ型のサービスを用いて配信される情報を、通信部２９０を用いて取得する命令などを、所定のイベントに関連付けることができる。

なお、情報を取得する資格の有無を、検知部２５０が検知する位置情報を用いて判断してもよい。具体的には、所定の教室、学校、会議室、企業、建物等の内部または領域にいる場合に、情報を取得する資格を有すると判断してもよい。これにより、例えば、学校または大学等の教室で配信される教材を受信して、情報処理装置２００を教科書等に用いることができる（図２２（Ｃ）参照）。または、企業等の会議室で配信される資料を受信して、会議資料に用いることができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図２５および図２６を参照しながら説明する。

図２５および図２６は、本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明する図である。図２５（Ａ）は情報処理装置のブロック図であり、図２５（Ｂ）乃至図２５（Ｅ）は情報処理装置の構成を説明する斜視図である。また、図２６（Ａ）乃至図２６（Ｅ）は情報処理装置の構成を説明する斜視図である。

＜情報処理装置＞
本実施の形態で説明する情報処理装置５２００Ｂは、演算装置５２１０と、入出力装置５２２０とを、有する（図２５（Ａ）参照）。

演算装置５２１０は、操作情報を供給される機能を備え、操作情報に基づいて画像情報を供給する機能を備える。

入出力装置５２２０は、表示部５２３０、入力部５２４０、検知部５２５０、通信部５２９０、操作情報を供給する機能および画像情報を供給される機能を備える。また、入出力装置５２２０は、検知情報を供給する機能、通信情報を供給する機能および通信情報を供給される機能を備える。

入力部５２４０は操作情報を供給する機能を備える。例えば、入力部５２４０は、情報処理装置５２００Ｂの使用者の操作に基づいて操作情報を供給する。

具体的には、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置などを、入力部５２４０に用いることができる。

表示部５２３０は表示パネルおよび画像情報を表示する機能を備える。例えば、実施の形態２において説明する表示パネルを表示部５２３０に用いることができる。

検知部５２５０は検知情報を供給する機能を備える。例えば、情報処理装置が使用されている周辺の環境を検知して、検知情報として供給する機能を備える。

具体的には、照度センサ、撮像装置、姿勢検出装置、圧力センサ、人感センサなどを検知部５２５０に用いることができる。

通信部５２９０は通信情報を供給される機能および供給する機能を備える。例えば、無線通信または有線通信により、他の電子機器または通信網と接続する機能を備える。具体的には、無線構内通信、電話通信、近距離無線通信などの機能を備える。

《情報処理装置の構成例４》
例えば、円筒状の柱などに沿った外形を表示部５２３０に適用することができる（図２５（Ｂ）参照）。また、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。また、人の存在を検知して、表示内容を変更する機能を備える。これにより、例えば、建物の柱に設置することができる。または、広告または案内等を表示することができる。または、デジタル・サイネージ等に用いることができる。

《情報処理装置の構成例５》
例えば、使用者が使用するポインタの軌跡に基づいて画像情報を生成する機能を備える（図２５（Ｃ）参照）。具体的には、対角線の長さが２０インチ以上、好ましくは４０インチ以上、より好ましくは５５インチ以上の表示パネルを用いることができる。または、複数の表示パネルを並べて１つの表示領域に用いることができる。または、複数の表示パネルを並べてマルチスクリーンに用いることができる。これにより、例えば、電子黒板、電子掲示板、電子看板等に用いることができる。

《情報処理装置の構成例６》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２５（Ｄ）参照）。これにより、例えば、スマートウオッチの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートウオッチに表示することができる。

《情報処理装置の構成例７》
表示部５２３０は、例えば、筐体の側面に沿って緩やかに曲がる曲面を備える（図２５（Ｅ）参照）。または、表示部５２３０は表示パネルを備え、表示パネルは、例えば、前面、側面および上面に表示する機能を備える。これにより、例えば、携帯電話の前面だけでなく、側面および上面に画像情報を表示することができる。

《情報処理装置の構成例８》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２６（Ａ）参照）。これにより、スマートフォンの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートフォンに表示することができる。

《情報処理装置の構成例９》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２６（Ｂ）参照）。これにより、晴天の日に屋内に差し込む強い外光が当たっても好適に使用できるように、映像をテレビジョンシステムに表示することができる。

《情報処理装置の構成例１０》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２６（Ｃ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をタブレットコンピュータに表示することができる。

《情報処理装置の構成例１１》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２６（Ｄ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に閲覧できるように、被写体をデジタルカメラに表示することができる。

《情報処理装置の構成例１２》
例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える（図２６（Ｅ）参照）。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をパーソナルコンピュータに表示することができる。

本実施例では、作製した本発明の一態様の表示パネルを、図２７乃至図２９を参照しながら説明する。

図２７は、本発明の一態様の電気モジュールを有する表示パネルの構成を説明する図である。図２７（Ａ）は表示パネルのブロック図であり、図２７（Ｂ）は図２７（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２、Ｘ３−Ｘ４およびＸ９−Ｘ１０における断面図である。また、図２７（Ｃ）は一部を屈曲した状態の表示パネルを説明する断面図である。

図２８は、本発明の一態様の電気モジュールを有する表示パネルの構成を説明する図および写真である。図２８（Ａ）は図２７（Ａ）に示す表示パネルの一部を説明する斜視図であり、図２８（Ｂ）は作製した表示パネルの端子部の光学顕微鏡写真であり、図２８（Ｃ）は作製した表示パネルの端子部の断面の電子顕微鏡写真である。

図２９は、本発明の一態様の電気モジュールを有する表示パネルの表示結果を説明する写真である。

＜表示パネル７００の構成１＞
作製した表示パネル７００は、表示領域２３１と、電気モジュールと、を有する（図２７（Ａ）参照）。

《表示領域２３１の構成》
表示領域２３１は、画素７０２（ｉ，ｊ）を備える。

《画素７０２（ｉ，ｊ）の構成》
画素７０２（ｉ，ｊ）は画素回路５３０（ｉ，ｊ）および表示素子５５０（ｉ，ｊ）を備える（図２７（Ｂ）参照）。

《電気モジュール５００》
電気モジュール５００は機能層５２０を備える。

《機能層５２０》
機能層５２０は画素回路５３０（ｉ，ｊ）を含む。画素回路５３０（ｉ，ｊ）は表示素子５５０（ｉ，ｊ）と電気的に接続され、画素回路５３０（ｉ，ｊ）は素子１００を備える。

具体的には、画素回路５３０（ｉ，ｊ）はトランジスタを備える。

機能層５２０は、素子、導電膜５１９Ｂ（１）および中間層５０１Ｂを含む。また、機能層５２０は、導電膜５１９Ｂ（２）および絶縁膜５０１Ｃを含む（図２８（Ｃ）参照）。

素子１００は、導電膜５１９Ｂ（１）と電気的に接続される。

具体的には、画素回路５３０（ｉ，ｊ）が備えるトランジスタと導電膜５１９Ｂ（１）を電気的に接続した。

《導電膜５１９Ｂ（１）》
導電膜５１９Ｂ（１）は、チタンを含む。具体的には、厚さ１００ｎｍのチタンを導電膜５１９Ｂ（１）に用いた。

また、厚さ１０ｎｍの窒化タンタルおよび厚さ３００ｎｍの銅を積層した積層膜を導電膜５１９Ｂ（２）に用いた。

《中間層５０１Ｂ》
中間層５０１Ｂはシリコンおよび酸素を含む。具体的には、シリコンと、酸素と、窒素を含む、厚さ１３５ｎｍの膜を中間層５０１Ｂに用いた。

中間層５０１Ｂは、開口部５９１Ｂおよび第１の面５０１Ｂ（１）を備える（図２８（Ａ）参照）。具体的には、縦１０００μｍ横１３０μｍの矩形の開口部５９１Ｂを中間層５０１Ｂは備える。

開口部５９１Ｂは、導電膜５１９Ｂ（１）と重なる。なお、開口部５９１Ｂに露出した導電膜５１９Ｂ（１）は、端子として用いることができた。

面５０１Ｂ（１）は、領域５０１Ｂ（１１）を含む。

領域５０１Ｂ（１１）は、開口部５９１Ｂの周縁に位置し、導電膜５１９Ｂ（１）と接する。そして、領域５０１Ｂ（１１）は、中間層５０１Ｂの厚さＴの１０倍以下、好ましくは５倍以下、より好ましくは２倍以下の幅Ｗを備える（図２８（Ｂ）参照）。具体的には、厚さＴが１００ｎｍのシリコン、酸素および窒素を含む膜を中間層５０１Ｂに用いた。なお、領域５０１Ｂ（１１）の幅Ｗは７２０ｎｍであった。

領域５０１Ｂ（１１）はフッ素を含む。

作製した表示パネル７００を曲率半径３ｍｍで屈曲し、端子５１９Ｂおよびフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１を電気的に接続した（図２７（Ｃ）参照）。なお、端子５１９Ｂおよびフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１の接続に、直径３μｍの導電粒子ＣＰを含む異方性導電膜を用いた。また、フレキシブルプリント基板ＦＰＣ１を介して、端子５１９Ｂに情報を供給し、表示領域２３１に画像を表示した（図２９参照）。

本実施例では、本発明の一態様の電気モジュールを備える表示パネルの作製工程中の部材の構成を、図３０を参照しながら説明する。

図３０は、本発明の一態様の電気モジュールを有する表示パネルの作製工程を説明する写真である。図３０は作製工程中の部材の端子部の断面の電子顕微鏡写真である。

なお、実施の形態３で説明する方法を用いて、表示パネルを作製した。ここでは、実施の形態３で説明する第５のステップで説明する工程を終えた加工部材の構成を説明する。

＜加工部材の構成１＞
加工部材は、工程用基板１０と、機能層５２０を有する（図３０参照）。

《工程用基板１０の構成》
工程用基板１０は無アルカリガラス基板および機能面５０１Ａ（１）を備える。

厚さ３０ｎｍのタングステン膜を膜５０１Ａに用いた。具体的には、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）ガスを用いたプラズマ処理を施した膜５０１Ａの表面を、機能面５０１Ａ（１）に用いた。

《機能層５２０の構成》
機能層５２０は、中間層５０１Ｂ、導電膜５１９Ｂ（１）および絶縁膜５０１Ｄを備える。また、機能層５２０は、導電膜５１９Ｂ（２）および絶縁膜５０１Ｃを備える。

本実施例では、作製した本発明の一態様の表示パネルを、図３１および図３２を参照しながら説明する。

図３１は、本発明の一態様の電気モジュールを有する表示パネルの一部を説明する写真である。図３１（Ａ）は表示パネルの端子部の光学顕微鏡写真であり、図３１（Ｂ）は図３１（Ａ）の一部を拡大した写真である。

図３２は、本発明の一態様の電気モジュールを有する表示パネルの構成を説明する図および写真である。図３２（Ａ）は作製した表示パネルの端子部の断面の電子顕微鏡写真であり、図３２（Ｂ）は図３２（Ａ）に示す表示パネルを分離した後の工程用基板の断面の電子顕微鏡写真である。

＜表示パネルの構成２＞
作製した表示パネルは機能層５２０を有する。

《機能層５２０の構成》
機能層５２０は、導電膜５１９Ｂ（１）および中間層５０１Ｂを含む。また、機能層５２０は、絶縁膜５０１Ｃを含む（図３２（Ａ）参照）。なお、厚さ１００ｎｍのチタンを導電膜５１９Ｂ（１）に用いた。

《中間層５０１Ｂの構成》
中間層５０１Ｂは開口部５９１Ｂおよび面５０１Ｂ（１）を備える。

中間層５０１Ｂは、中間層５０１ＢＡおよび中間層５０１ＢＢ、中間層５０１ＢＣを含む。

なお、厚さ１６０ｎｍのシリコン、酸素および窒素を含む膜を中間層５０１ＢＡに用い、厚さ１３０ｎｍのシリコン、酸素および窒素を含む膜を中間層５０１ＢＢに用いた。また、厚さ１８０ｎｍのシリコンおよび窒素を含む膜を中間層５０１ＢＣに用いた。

《開口部５９１Ｂの構成》
開口部５９１Ｂは導電膜５１９Ｂ（１）と重なる。また、開口部５９１Ｂは側端部５０１Ｂ（３）を備え、側端部５０１Ｂ（３）は導電膜５１９Ｂ（１）と接する。

《面５０１Ｂ（１）の構成》
面５０１Ｂ（１）は領域５０１Ｂ（１１）を含み、領域５０１Ｂ（１１）は開口部５９１Ｂの周縁に位置する。

領域５０１Ｂ（１１）は導電膜５１９Ｂ（１）と接する。

なお、上記の表示パネルを作製する際に用いた工程用基板１０は活性領域５０１Ａ（１１）および不活性領域５０１Ａ（１２）を備える（図３２（Ｂ）参照）。

活性領域５０１Ａ（１１）は無アルカリガラス基板および膜５０１Ａを備え、厚さ３０ｎｍのタングステン膜を膜５０１Ａに用いた。具体的には、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）ガスを用いたプラズマ処理を施した膜５０１Ａの表面を、機能面５０１Ａ（１）に用いた。

無アルカリガラス基板の表面を不活性領域５０１Ａ（１２）に用いた。なお、機能層５２０を分離した後の工程用基板１０の不活性領域５０１Ａ（１２）には、中間層５０１ＢＢおよび中間層５０１ＢＣが転置されている。

本実施例では、本発明の一態様の電気モジュールを備える表示パネルの作製工程中の部材の構成を、図３３を参照しながら説明する。

図３３は、本発明の一態様の電気モジュールを有する表示パネルの作製工程を説明する写真である。図３３（Ａ）は作製工程中の部材の端子部の断面の電子顕微鏡写真であり、図３３（Ｂ）は図３３（Ａ）の一部の詳細な電子顕微鏡写真である。

なお、実施の形態３の電気モジュールを有する表示パネルの作製方法３で説明する方法を用いて、表示パネルを作製した。ここでは、実施の形態３の電気モジュールを有する表示パネルの作製方法３の第５のステップで説明する工程を終えた加工部材の構成を説明する。

＜加工部材の構成２＞
加工部材は、工程用基板１０と、機能層５２０を有する（図３３（Ａ）参照）。

《工程用基板１０の構成》
工程用基板１０は活性領域５０１Ａ（１１）および不活性領域５０１Ａ（１２）を備える。

無アルカリガラス基板の表面を不活性領域５０１Ａ（１２）に用いた。

《機能層５２０の構成》
機能層５２０は、中間層５０１Ｂ、導電膜５１９Ｂ（１）および絶縁膜５０１Ｃを備える。なお、活性領域５０１Ａ（１１）および不活性領域５０１Ａ（１２）の間に段差を設けて、活性領域５０１Ａ（１１）および不活性領域５０１Ａ（１２）の境界から中間層５０１Ｂの内部に向けて、密度が低い領域を形成することができる（図３３（Ｂ）中に２つの矢印で挟んで示す領域）。これにより、応力集中により破壊しやすい構造を中間層５０１Ｂの内部に形成することができる。または、機能層５２０から工程用基板１０を分離する際に、引き裂かれ易い領域を中間層５０１Ｂに形成することができる。または、開口部５９１Ｂの形状を不活性領域５０１Ａ（１２）の形状を用いて制御できる。

本実施例では、本発明の一態様の表示パネル７００Ｃを、図３４を参照しながら説明する。

図３４は、本発明の一態様の表示パネル７００Ｃの構成を説明する図および写真である。図３４（Ａ）は表示パネルの構成を説明する上面図であり、図３４（Ｂ）は図３４（Ａ）の切断線Ｐ１−Ｐ２における断面図である。図３４（Ｃ−１）乃至図３４（Ｃ−３）は作製した表示パネルの端部の光学顕微鏡写真である。

＜表示パネルの構成＞
本発明の一態様の表示パネル７００Ｃは、機能層５２０と、接合層５０５と、基材５１０と、を有する（図３４（Ａ）および図３４（Ｂ）参照）。また、基材７７０と、封止材７０５を有する。なお、機能層５２０は、素子、導電膜および中間層５０１Ｂを含む。

《接合層５０５》
接合層５０５は機能層５２０および基材５１０を貼りあわせる機能を備え、接合層５０５はエポキシ樹脂を含む。

２液型エポキシ樹脂（日新レジン株式会社製：ＣＥＰ−５）を接合層５０５に用いた。例えば、接合層５０５を用いて中間層５０１Ｂおよび基材５１０を貼りあわせ、室温で１２時間放置した後、４０℃より高い温度で４時間加熱した。なお、接合層５０５の厚さは４μｍであった。

《基材５１０》
基材５１０はシクロオレフィンポリマーを含む。具体的には、厚さ４０μｍ、熱収縮率０．１０％以下、吸収率０．０１％以下のシクロオレフィンポリマーフィルム（グンゼ株式会社製）を、基材５１０に用いた。なお、基材５１０に用いたシクロオレフィンポリマーフィルムのガラス転移点温度は１８０℃である。例えば、コロナ放電処理された表面を備える材料を、基材に用いることができる。

接合層５０５で貼りあわせた後、６０℃で４時間加熱した表示パネルを、温度６５℃湿度９５％の高温高湿環境に保存した。保存時間が５００時間経過した後においても、中間層５０１Ｂにはひび割れが発生していなかった（図３４（Ｃ−１）参照）。

接合層５０５で貼りあわせた後、８０℃で４時間加熱した表示パネルを、温度６５℃湿度９５％の高温高湿環境に保存した。保存時間が５００時間経過した後においても、中間層５０１Ｂにはひび割れが発生していなかった（図３４（Ｃ−２）参照）。

これにより、接合層の基材への密着性を高めることができる。または、温度６５℃湿度９５％の高温高湿環境において、５００時間以上、中間層のひび割れ等を抑制することができる。または、撓みが発生することなく、温度６５℃湿度９５％の高温高湿環境において、５００時間保存することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

＜表示パネルの比較例＞
２液型エポキシ樹脂（日新レジン株式会社製：ＣＥＰ−５）を接合層５０５に用い、中間層５０１Ｂおよび基材５１０を接合層５０５で貼りあわせた後、温度を４０℃にして１２時間加熱した。同様の構成を用いることができる他の部分については、上記の説明を援用する。

温度６５℃湿度９５％の高温高湿環境において、比較例に用いた表示パネルを保存した。５００時間経過した後、中間層５０１Ｂにひび割れが発生していた（図３４（Ｃ−３）参照）。なお、ひび割れは、図中の短い矢印で挟んで示す領域に発生している。

なお、本実施例は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に開示されているものとする。

ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であり、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに、ＸとＹとが、接続されている場合である。

ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合を含むものとする。

ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹとが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。

なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とが、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に開示されている場合と同様な内容が、本明細書等に記載されているものとする。

なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。

例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。

または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。

なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。

ＡＮＯ：配線、ＢＭ：遮光膜、Ｃ２１：容量素子、ＣＦ１：着色膜、ＣＩ：制御情報、ＣＰ：導電粒子、ＤＳ：検知情報、ＦＰＣ１：フレキシブルプリント基板、Ｇ２：走査線、ＧＤ：駆動回路、ＧＤＡ：駆動回路、ＧＤＢ：駆動回路、ＧＣＬＫ：信号、ＩＩ：入力情報、Ｍ：トランジスタ、ＭＤ：トランジスタ、ＯＳＣ：発振回路、Ｐ１：位置情報、ＰＷＣ１：信号、ＰＷＣ２：信号、Ｓ２：信号線、ＳＤ：駆動回路、ＳＤＡ：駆動回路、ＳＤＢ：駆動回路、ＳＤＣ：駆動回路、ＳＰ：制御信号、ＳＷ２：スイッチ、Ｖ１：画像情報、Ｖ１１：情報、１０：工程用基板、１１：基材、１００：素子、２００：情報処理装置、２１０：演算装置、２１１：演算部、２１２：記憶部、２１３：人工知能部、２１４：伝送路、２１５：入出力インターフェース、２２０：入出力装置、２３０：表示部、２３１：表示領域、２３３：制御回路、２３４：伸張回路、２３５：画像処理回路、２３８：制御部、２４０：入力部、２４１：検知領域、２５０：検知部、２９０：通信部、５００：電気モジュール、５０１Ａ（１）：機能面、５０１Ａ（１１）：活性領域、５０１Ａ（１２）：不活性領域、５０１Ａ：膜、５０１Ｂ：中間層、５０１ＢＡ：中間層、５０１ＢＢ：中間層、５０１ＢＣ：中間層、５０１Ｂ（１）：面、５０１Ｂ（１１）：領域、５０１Ｂ（１２）：領域、５０１Ｂ（１３）：領域、５０１Ｂ（２）：面、５０１Ｂ（２３）：領域、５０１Ｂ（２４）：領域、５０１Ｂ（３）：面、５０１Ｃ：絶縁膜、５０１Ｄ：絶縁膜、５０４：導電膜、５０５：接合層、５０６：絶縁膜、５０８：半導体膜、５０８Ａ：領域、５０８Ｂ：領域、５０８Ｃ：領域、５１０：基材、５１２Ａ：導電膜、５１２Ｂ：導電膜、５１２Ｃ：導電膜、５１２Ｄ：導電膜、５１６Ａ：絶縁膜、５１６Ｂ：絶縁膜、５１８：絶縁膜、５１９：端子、５１９Ｂ：端子、５１９Ｂ（１）：導電膜、５１９Ｂ（２）：導電膜、５２０：機能層、５２１：絶縁膜、５２４：導電膜、５２８：絶縁膜、５３０（ｉ，ｊ）：画素回路、５５０（ｉ，ｊ）：表示素子、５５１（ｉ，ｊ）：電極、５５２：電極、５５３（ｊ）：層、５９１Ａ：開口部、５９１Ｂ：開口部、７００：表示パネル、７００Ｃ：表示パネル、７００ＴＰ：入出力パネル、７０２（ｉ，ｊ）：画素、７０３（ｉ，ｋ）：画素、７０５：封止材、７２０：機能層、７７０：基材、７７０Ｐ：機能膜、７７１：絶縁膜、７７５：検知素子、５２００Ｂ：情報処理装置、５２１０：演算装置、５２２０：入出力装置、５２３０：表示部、５２４０：入力部、５２５０：検知部、５２９０：通信部

Claims

　機能層を有し、
　前記機能層は、素子、導電膜および中間層を含み、
　前記素子は、前記導電膜と電気的に接続され、
　前記中間層は、開口部および第１の面を備え、
　前記開口部は、前記導電膜と重なり、
　前記開口部は、側端部を備え、
　前記側端部は、前記導電膜と接し、
　前記第１の面は、第１の領域を含み、
　前記第１の領域は、前記開口部の周縁に位置し、
　前記第１の領域は、前記導電膜と接する、電気モジュール。
　前記中間層は、シリコンおよび酸素を含み、
　前記第１の領域および前記側端部は、フッ素を含み、
　前記導電膜は、チタンを含む、請求項１に記載の電気モジュール。
　前記中間層は、シリコンおよび酸素を含み、
　前記第１の領域および前記側端部は、窒素を含み、
　前記導電膜は、タングステンを含む、請求項１に記載の電気モジュール。
　前記中間層は、第２の領域を備え、
　前記第２の領域は、前記第１の領域の前記導電膜に対する密着力より大きな力で、前記機能層の他の構成と密着する、請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の電気モジュール。
　表示領域と、
　請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の電気モジュールと、を有し、
　前記表示領域は、画素を備え、
　前記画素は、画素回路および表示素子を備え、
　前記電気モジュールは、前記画素回路を含み、
　前記画素回路は、前記表示素子と電気的に接続され、
　前記画素回路は、前記素子を備える、表示パネル。
　表示領域は、一群の画素、他の一群の画素、走査線および信号線を備え、
　前記一群の画素は、前記画素を含み、
　前記一群の画素は、行方向に配設され、
　前記他の一群の画素は、前記画素を含み、
　前記他の一群の画素は、行方向と交差する列方向に配設され、
　前記走査線は、前記一群の画素と電気的に接続され、
　前記信号線は、前記他の一群の画素と電気的に接続される、請求項５に記載の表示パネル。
　請求項５または請求項６に記載の表示パネルと、
　制御部と、を有し、
　前記制御部は、画像情報および制御情報を供給され、
　前記制御部は、前記画像情報に基づいて情報を生成し、
　前記制御部は、前記制御情報にもとづいて制御信号を生成し、
　前記制御部は、前記情報および制御信号を供給し、
　前記電気モジュールは、前記情報および前記制御信号を供給され、
　前記駆動回路は、前記制御信号に基づいて動作し、
　前記画素は、前記情報に基づいて表示する、表示装置。
　入力部と、表示部と、を有し、
　前記表示部は、請求項５または請求項６に記載の表示パネルを備え、
　前記入力部は、検知領域を備え、
　前記入力部は、前記検知領域に近接するものを検知し、
　前記検知領域は、前記画素と重なる領域を備える入出力装置。
　演算装置と、入出力装置と、を有し、
　前記演算装置は、入力情報または検知情報を供給され、
　前記演算装置は、入力情報または検知情報に基づいて、制御情報および画像情報を生成し、
　前記演算装置は、制御情報および画像情報を供給し、
　前記入出力装置は、前記入力情報および前記検知情報を供給し、
　前記入出力装置は、前記制御情報および前記画像情報を供給され、
　前記入出力装置は、表示部、入力部および検知部を備え、
　前記表示部は、請求項５または請求項６に記載の表示パネルを備え、
　前記表示部は、前記制御情報に基づいて、前記画像情報を表示し、
　前記入力部は、前記入力情報を生成し、
　前記検知部は、前記検知情報を生成する、情報処理装置。
　キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、請求項１乃至請求項８のいずれか一に記載の表示パネルと、を含む、情報処理装置。
　工程用基板および機能層を備える加工部材を準備する、第１の工程と、
　前記機能層を、前記工程用基板から分離する第２の工程と、を有し、
　前記工程用基板は、機能面を備え、
　前記機能面は、活性領域を含み、
　前記機能層は、導電膜および中間層を含み、
　前記中間層は、第１の面および第２の面を備え、
　前記第１の面は、第１の領域を含み、
　前記第１の領域は、前記導電膜と接し、
　前記第２の面は、前記第１の面と対向し、
　前記第２の面は、第３の領域を含み、
　前記第３の領域は、前記活性領域と接し、
　前記第２の工程は、前記機能層または前記工程用基板を撓ませて、
　前記第１の領域において、前記導電膜から前記中間層を分離し、
　前記第３の領域において、前記活性領域から前記中間層を分離する、電気モジュールの作製方法。